CN100350634C - 发光装置以及制造发光装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明用塑料膜在真空中密封OLED。能防止氧或水渗入其中的无机绝缘膜和具有比无机绝缘膜小的内应力的有机绝缘膜层叠在塑料膜的内部。通过将有机绝缘膜夹在无机绝缘膜之间，能释放应力。另外，通过层叠多个无机绝缘膜，即使无机绝缘膜的一个有裂纹，其它无机绝缘膜也能有效地防止氧或水进入有机发光层中。另外，整个密封膜的应力能够被释放，且由应力引起的破裂不经常发生。

Description

发光装置以及制造发光装置的方法
发明领域
本发明涉及半导体装置的制备方法，具体地涉及包括在塑料衬底上形成的OLED(有机发光装置)面板的发光装置。本发明还涉及通过把包括控制器的IC安装到OLED面板上得到的OLED模块。本技术说明中，发光装置用作OLED面板和OLED模块的通称。还包括在本发明中的是使用所述发光装置的电子设备。
发明背景
近几年，在衬底上形成TFT(薄膜晶体管)的技术已经取得了巨大的进步以促进TFT在有源矩阵显示器的应用。特别是，使用多晶硅的TFT比使用非晶硅的传统TFT具有更高的场效应迁移率(也称作迁移率)，因而能以更高的速度运转。这使通过在上面形成了像素的同样衬底上形成的驱动电路控制像素成为可能，所述像素传统上用在衬底之外的驱动电路控制。
由于有在同样衬底上形成的各种电路和元件，有源矩阵显示器能具有许多优点，包括制造成本的降低、显示器尺寸的减小、产量的增加、和生产能力的改善。
有OLED作为自发光元件的有源矩阵发光装置(下文中简单地称作发光装置)正被活跃地研究着。发光装置也称作有机EL显示器(OELD)或有机发光二极管(OLED)。
由于是自发光的，OLED不需要在液晶显示器(LCD)中所必须的背光源，因而容易做成较薄的装置。此外，自发光OLED具有高度可见性，并在视角方面没有限制。这些就是为什么使用OLED的发光装置作为显示器以代替CRT和LCD正吸引着注意力的原因。
OLED除了阳极层和阴极层外，具有包含加电场时提供发光(电致发光)的有机化合物(有机发光材料)层(所述层在下文中称作有机发光层)。从有机化合物得到的发光分成依靠从单重激发态回到基态的发光(荧光)和依靠从三重激发态回到基态的发光(磷光)。根据本发明的发光装置能使用其中一种或两种发光。
本技术说明中，在阳极和阴极之间提供的所有层制成有机发光层。具体地，有机发光层包括发光层、空穴注入层和电子注入层、空穴输运层、电子输运层等。OLED的基本结构是阳极、发光层和阴极按顺序分层的叠层。基本结构可以改进成阳极、空穴注入层、发光层和阴极按顺序分层的叠层，阳极、空穴注入层、发光层、电子输运层和阴极按顺序分层的叠层等。
期望这类发光装置的各种应用。特别是，在便携式设备中的应用正吸引着注意力，这是因为发光装置很薄并因而在减轻重量上是有用的。这已经促进了在柔性塑料膜上形成OLED的尝试。
其中在诸如塑料膜的柔性衬底上形成OLED的发光装置很薄并且重量轻，而且，适用于弯曲的显示器或橱窗等。因而，其用途不限于便携式设备，其应用范围非常广泛。
然而，塑料衬底通常对湿气和氧有很好的透过性，这加速有机发光层的退化。因而塑料衬底经常缩短发光装置的寿命。这在现有的技术中通过把诸如氮化硅膜或氮氧化硅膜的绝缘膜放在塑料衬底和OLED之间以防止湿气和氧进入有机发光层来解决。
塑料膜衬底通常也不耐热，如果诸如氮化硅膜或氮氧化硅膜的绝缘膜在太高的温度形成，则衬底很容易变形。另一方面，如果绝缘膜形成的温度太低，膜的质量降低且膜不能令人满意地防止湿气和氧的透过。
当诸如氮化硅膜或氮氧化硅膜的绝缘膜在厚度上增加以防止湿气和氧的透过时，内应力增加，从而容易引起裂纹(裂缝)。衬底弯曲时厚绝缘膜使衬底不耐裂化。
发明简述
根据上述得到了本发明，且本发明的目的因而是提供具有在塑料衬底上形成的OLED的发光装置，其能够避免由湿气和氧的透过引起的退化。
本发明涉及密封在具有绝缘表面的衬底上形成的OLED的技术。根据本发明，OLED利用沿着内部绝缘膜的层排列的塑料膜通过真空密封来密封。绝缘膜的层包括至少由无机材料制成的绝缘膜，其能够防止氧和湿气的透过(下文中称作无机绝缘膜)，和有机材料制成并且在内应力上比无机绝缘膜小的绝缘膜。
具体地，形成两层或多层无机绝缘膜，且包含树脂的有机绝缘膜放在无机绝缘膜之间。沿着内部三层或多层绝缘膜排列的袋状(bag-like)塑料膜用于安放上面形成了OLED的衬底，以便于密封OLED并完成发光装置。
为了增加具有无机绝缘膜的塑料膜的柔软度，通过将稀有气体元素加入到用于形成无机绝缘膜的反应气体中，无机绝缘膜的内应力可以被释放。
本发明采用多层无机绝缘膜。因而，如果一层无机绝缘膜破裂，另一层无机绝缘膜有效地防止湿气和氧进入有机发光层。用多层无机绝缘膜，即使在无机绝缘膜的形成过程中多层无机绝缘膜由于低温退化时，本发明也能有效地防止湿气和氧进入有机发光层。
当在内应力上比无机绝缘膜小的有机绝缘膜插入无机绝缘膜之间时，绝缘膜的内应力能被释放。同具有与夹有有机绝缘膜的无机绝缘膜的总厚度一样厚度的单层无机绝缘膜相比，由内应力引起的破裂在夹有有机绝缘膜的无机绝缘膜中发生的频率更少。
通过叠加无机绝缘膜和有机绝缘膜，弹性增加，且避免了由弯曲造成的破裂。
无机绝缘膜和有机绝缘膜的叠层(下文中称作密封膜)用真空压配(press-fitting)形成，从而紧密地装配到上面形成了OLED的衬底上。因此，密封膜是具有一定柔韧度并对可见光透明或半透明的膜。
本技术说明中，对可见光透明表示具有80-100％的可见光透射率，对可见光半透明表示50-80％的可见光透射率。
在以上结构中，优选的是将干燥剂放在上面形成了OLED的衬底和真空密封塑料膜之间以防止OLED的退化。适当的干燥剂是氧化钡、硅胶等。干燥剂能在柔性印刷衬底接合之前或之后放在一个位置上。另外，干燥剂可以在接合柔性印刷衬底之前放在柔性印刷衬底的柔性膜中。干燥剂的位置优选的是塑料膜的真空压配点的附近。
本技术说明中，直到OLED面板的OLED用塑料膜密封后，才完成OLED面板。然而，术语OLED面板可以指塑料膜密封之前的面板。
附图的简要说明
在随附的图中：
图1A-1C是本发明的发光装置的视图，图1A和1B给出其截面图，图1C给出其俯视图；
图2是给出用于形成密封膜的设备的视图。
图3A-3C是说明密封本发明的发光装置的方法的视图；
图4A-4C是给出根据本发明制造发光装置的方法的视图；
图5A-5C是给出根据本发明制造发光装置的方法的视图；
图6A-6D是给出根据本发明制造发光装置的方法的视图；
图7A-7C是给出根据本发明制造发光装置的方法的视图；
图8A-8C是密封前本发明的发光装置的视图，其中图8A给出其外部，图8B和8C给出装置连接到FPC的连接部分的放大的视图和截面图；
图9A和9B是当本发明的发光装置弯曲时给出本发明的发光装置的视图和其截面图；
图10是密封前本发明的发光装置的截面图，并给出装置连接到FPC的连接部分。
图11A-11D是给出根据本发明制造发光装置的方法的视图；
图12A-12C是给出根据本发明制造发光装置的方法的视图；
图13A-13C是给出根据本发明制造发光装置的TFT和OLED的方法的视图；
图14A-14C是给出根据本发明制造发光装置的TFT和OLED的方法的视图；
图15A-15B是给出根据本发明制造发光装置的TFT和OLED的方法的视图；
图16是本发明的发光装置的截面图；
图17是说明怎样用水喷溅法除去粘合层的视图；
图18是说明怎样用喷射法形成有机发光层的视图；
图19A和19B是像素和像素的电路视图的俯视图；
图20是给出发光装置的电路结构的视图；以及
图21A-21D是使用本发明的发光装置的电子设备的视图。
优选实施方案的详细说明
实施方案样式
首先，用于提供电源的电压和各种信号的FPC103安装到具有塑料衬底的OLED面板101上。提供干燥剂104用于防止OLED被氧、湿气等退化。干燥剂104是吸湿物质(优选的是氧化钡)或能吸附氧的物质。这里干燥剂104放在让干燥剂与FPC103和衬底的101的端面接触的位置。这防止了在以后的真空压配步骤中密封膜和塑料膜被局部拉伸和弄破。
其次，OLED面板101和干燥剂104一起放在袋状塑料膜105中。袋状塑料膜的内部排列着密封膜109且密封膜109作为气体阻挡物。在这一点，OLED面板101连接到FPC103的部分放在袋状塑料膜105的内部(图1A)。
密封膜109由两层或多层无机绝缘膜和插在无机绝缘膜之间的有机绝缘膜组成。无机绝缘膜是能防止湿气和氧透过的无机材料的绝缘膜。有机绝缘膜是在内应力上比无机绝缘膜的材料小的有机材料的绝缘膜。
例如，本实施方案样式中的密封膜109是与塑料膜105接触的无机绝缘膜106、与无机绝缘膜106接触的有机绝缘膜107、和与有机绝缘膜107接触的无机绝缘膜108。
提供至少两层无机绝缘膜就足够了。可用的无机绝缘膜的实例包括氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜、氮氧化铝膜、和氮氧化铝硅膜(AlSiON)。氮氧化铝硅膜有比较高的热导率，因而能有效地释放当用于无机绝缘膜时元件中产生的热量。
无机绝缘膜在厚度上理想地是50nm-3μm。形成无机绝缘膜的方法不仅仅局限于等离子体CVD，而是能选择以便适合个别的情形。例如，可以采用LPCVD、溅射等以形成无机绝缘膜。
用于有机绝缘膜的材料必须是透光的材料，其能使有机绝缘膜的内应力小于无机绝缘膜的内应力，并且其给有机绝缘膜足够高的耐热性以承受以后步骤中的热处理。有机绝缘膜材料的典型实例包括聚酰亚胺、丙烯酸(acrylic)、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯(benzocyclobutene)、和环氧树脂。也可以用除了上面给出的树脂之外的其它树脂。
有机绝缘膜在厚度上理想地是200nm-2μm。
袋状塑料膜105排气直到它达到真空，然后塑料膜的口用粘合剂102密封。OLED面板101这样被密封在袋状塑料膜105中，同时被密封膜109包围。FPC103部分地粘贴在袋状塑料膜105的外边以便于提供电源的电压和各种信号。
图1B是真空压配之后发光装置的截面图，图1C是其俯视图。图1B对应沿着图1C的线A-A’得到的截面图。塑料膜105和密封膜109必须对可见光是透明的或半透明的。塑料膜105能用任何材料，只要它适于真空压配。
本实施方案用粘合剂密封塑料膜。另外，塑料膜的内部可以有部分的区域，其不沿着密封膜排列以便于塑料膜在这个区域用热压配密封。热压配之后，粘合剂可以用在压配部分以增强密封性。膜材料优选地是在热压配过程中能接合到FPC的柔性带上的材料。
塑料膜的材料是热塑树脂材料(聚酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氟乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸乙二醇酯、和尼龙等)。典型地，用PVF(聚氟乙烯)膜、聚酯薄膜或丙烯酸树脂膜。
这里用的塑料膜的形状像袋子或盒子。另外，塑料膜可以是互相重叠并通过粘合剂或热压配在四边密封的两片。
理想地，上述步骤在OLED形成于衬底上之后同时尽可能避免OLED暴露在外面空气中时实施。
本发明用这种方法提供具有在衬底上形成的OLED的发光装置，其中湿气、氧等引起的退化减少以改善可靠性。
本发明的实施方案将在下面说明。
[实施方案1]
在袋状塑料膜中形成密封膜的方法将在本实施方案中说明。
图2给出用等离子体CVD形成密封膜的设备的结构。在室201中提供连接到RF电源203的电极204和接地的电极204。
放置电极203从而覆盖袋状塑料膜205的外边。电极204放在袋状塑料膜205的内部。基本的是设置电极203和塑料膜205之间的距离和电极204与塑料膜205之间的距离以便于密封膜恰好形成在塑料膜205的内部而不是在外部。具体地，电极203和塑料膜205之间的距离设定得比电极204和塑料膜205之间的距离更长。理想地，电极203和塑料膜205之间的距离等于或大于3mm，或更理想地，等于或大于10mm。
塑料膜205用固定器206固定到固定的位置。构造固定器206以便于防止袋状塑料膜205的口关闭。
如果在密封膜的形成过程中，塑料膜205的内部与固定器206部分地紧密接触，则能在塑料膜205的内部形成不形成密封膜且塑料膜被暴露的区域。在塑料膜被暴露的区域，当OLED面板用热压配密封时，热压配塑料膜。
本实施方案说明在塑料膜205的内部形成由两层或多层无机绝缘膜和插入无机绝缘膜之间的有机绝缘膜组成的密封膜的情形。
所使用的无机绝缘膜是包含无机材料的绝缘膜，其能够防止氧和湿气的透过。所使用的有机绝缘膜是包含具有小于无机绝缘膜的内应力的有机材料的绝缘膜。具体地，本实施方案用氮氧化硅膜做无机绝缘膜209、聚乙烯膜做有机绝缘膜210、用氮氧化硅膜做无机绝缘膜211。无机绝缘膜209与PET形成的塑料膜205接触。有机绝缘膜210与无机绝缘膜209接触。无机绝缘膜211与有机绝缘膜210接触。
塑料膜和无机绝缘膜的材料不限于上面给出的那些材料。塑料膜和无机绝缘膜的材料能够自由地从实施方案样式列出的材料中选择。然而，本实施方案采用等离子体CVD形成密封膜，因而能用等离子体CVD形成为膜的材料应该用于无机绝缘膜。
有机绝缘膜的材料不限于聚乙烯。能用于有机绝缘膜的材料必须能够形成透光、内应力小于无机绝缘膜、并能在以后的步骤中承受热处理的有机绝缘膜。然而，本实施方案采用等离子体CVD形成密封膜，因而基本的是有机绝缘膜的材料必须是能用等离子体CVD形成膜的材料。可用的有机绝缘膜材料的实例包括聚乙烯、聚四氟乙烯、聚苯乙烯、苯并环丁烯(benzocyclobutene)、聚(p-亚苯基亚乙烯基)(poly(p-phenylene vinylene))、聚氯乙烯、以及基于聚对苯二甲撑(polyparaxylene-based)的树脂。
首先，室201排气直到它达到真空。然后，SiH4、NH3、和N2O作为反应气体引入到室201中，氮氧化硅膜作为无机绝缘膜用等离子体CVD形成。
其次，室201再次排气直到它达到真空，乙烯作为反应气体引入到室201中，用等离子体CVD形成作为有机绝缘膜210的聚乙烯膜。
室201再次排气直到它达到真空之后，SiH4、NH3、和N2O作为反应气体引入到室201中，氮氧化硅膜作为无机绝缘膜用等离子体CVD形成。
如果预先在室201的内壁上形成保护绝缘膜207，则能避免密封膜材料在内壁上的淀积，大多数材料可在塑料膜205上形成为密封膜208。
本实施方案采用等离子体CVD形成密封膜208，但是形成密封膜的方法不限于此。例如，能用热CVD、蒸发、溅射、或低压热CVD以形成密封膜。
[实施方案2]
在本实施方案中说明用塑料膜密封OLED面板的方法。
图3A-3C给出用于密封袋状塑料膜中的OLED的设备(密封设备)的结构。密封设备有两个室，即室A 302和室B 303，其用隔断膜301互相分开。隔断膜301有弹性，并包括即使当受到外力畸变时产生用于校正形变的力的性能。
室A 302和室B 303都有排气系统。室B 303有加热器304和冷却器305。
首先，如图3A所示，OLED面板放在袋状塑料膜306中，塑料膜放在室B 303中。在这一点，OLED面板307有安装于此的FPC 310，粘合剂308放在靠近袋状塑料膜306的口附近。
其次，室A 302和室B 303排气直到它们达到真空，然后惰性气体(本实施方案中是Ar)引入到室B 303中。室再次排气直到它达到真空以除去室B 303中的氧和湿气。
加热器304用来融化粘合剂308。本实施方案中用的粘合剂308是当加热和融化时获得粘性的热融性粘合剂。典型地，采用乙烯-乙酸乙烯酯(ethylene-vinyl acetate)共聚物、或聚酰胺、或聚酯作为基础的热融性粘合剂被使用。
当粘合剂308受热融化时，通过暴露于空气或其它手段增加室A320中的压力。如图3B所示，这使室A 302压低室B 303。融化的粘合剂308也受压以密封袋状塑料膜306中处于真空的OLED面板307。
这种状态中，粘合剂308用冷却器305冷却。这样粘合剂308固化，同时OLED面板307在袋状塑料膜306中在真空中密封。
其次，如图3C所示，室B 303中的压力增加以在隔断膜301和密封的OLED面板307之间给出一段距离。
用上面说明的方法，OLED面板307能在袋状塑料膜中在真空中密封。
密封OLED面板的方法不限于本实施方案中所示的方法。
本实施方案可以与实施方案1自由地组合。
[实施方案3]
本实施方案中，说明包括在塑料衬底上形成的OLED的OLED面板的制备方法。图4和图5是像素部分和驱动电路的制造步骤的横截面视图。
图4A中，在第一衬底1101上形成由非晶硅膜构成的第一接合层1102以具有100-500nm(本实施方案中是300nm)的厚度。尽管本实施方案中玻璃衬底用作第一衬底1101，另外也可以用石英衬底、硅衬底、金属衬底或陶瓷衬底。任何材料能用于第一衬底1101，只要它对以后的制造步骤中的处理温度有抵抗力。
作为形成第一接合层1102的方法，可以用低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或蒸发法。在第一接合层1102上，形成由氧化硅膜构成的绝缘膜1103以具有200nm的厚度。作为形成绝缘膜1103的方法，可以用低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或蒸发法。当除去第一接合层1102以剥落第一衬底1101时，绝缘膜1103用来保护在第一衬底1101上形成的元件。
其次，在绝缘膜1103上形成一元件(图4B)。这里的元件指半导体元件(典型地，TFT)或MIM元件，其在有源矩阵发光装置的情形中用作像素的开关元件、OLED等。在无源发光装置的情形中，元件指OLED。图4B中，驱动电路1106中的TFT 1104a、TFT 1104b和1104c和像素部分1107中的OLED 1105作为代表元件给出。
然后，形成绝缘膜1108以便于覆盖上述元件。优选的是绝缘膜在形成后有更平的表面。没有必要需要提供绝缘膜1108。
其次，如图4C所示，第二衬底1110通过第二接合层1109接合。本实施方案中，塑料衬底用作第二衬底1110。更具体地，能使用具有10μm或更大厚度的树脂衬底，例如，能使用由PES(聚醚砜，polyethersulfone)、PC(聚碳酸酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯，polyethyleneterephthalate)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯，polyethylenenaphthalate)构成的衬底。
作为第二接合层1109的材料，有必要使用能在以后的步骤中第一接合层1102被除去时提供高的选择比的材料。典型地，树脂构成的绝缘膜能用作第二接合层1109。尽管本实施方案样式中聚酰亚胺用作第二接合层1109的材料，另外也能用丙烯醛基、聚酰胺或环氧树脂。当从OLED观察时第二接合层1109放在观察者一侧(发光装置使用者的一侧)的情形中，材料需要有透光性。
其次，如图5A所示，第一衬底1101、第二衬底1110和形成于其间的整个膜和所有的元件暴露在含氟化卤素的气体中以便于除去第一接合层1102。本实施方案中，三氟化氯(ClF3)用作氟化卤素，氮用作稀释气体。另外，氩、氦或氖可以用作稀释气体。对于这两种气体，流速可以设为500sccm(8.35×10-6m3/s)，反应压力可以设为1-10Torr(1.3×102-1.3×103Pa)。处理温度可以是室温(典型地，20-27℃)。
本情形中，刻蚀硅膜，而不刻蚀玻璃衬底、聚酰亚胺、和氧化硅膜。更具体地，通过暴露于三氟化氯中，第一接合层1102被选择性的刻蚀以导致其完全的除去。由于同样由硅层构成的TFT的有源层不暴露在外面，有源层不暴露于三氟化氯中，并因而不被刻蚀。
本实施方案样式中，第一接合层1102从其暴露的边缘部分逐渐地刻蚀。当第一接合层1102完全除去时，第一衬底1101和绝缘膜1103互相分开。TFT和OLED，其每一个包括薄膜的叠层，保留在第二衬底1110上。
大尺寸的衬底不优选地作为第一衬底1101，这是因为刻蚀从第一接合层1102的边缘逐渐地进行，因而完全除去第一接合层1102所需的时间随着尺寸的增加而变长。因而，理想的是本实施方案样式对于具有3英寸或更短(优选的，1英寸或更少)对角线的第一衬底1101实施。
第一衬底1101以这种方式的剥落之后，如图5B所示形成第三接合层1113。然后，通过第三接合层1113接合第三衬底1112。本实施方案中，塑料衬底用作第三衬底1110。更具体地，具有10μm或更大厚度的树脂衬底，例如，由PES(聚醚砜)、PC(聚碳酸酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯，polyethylene terephthalate)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯，polyethylene naphthalate)构成的衬底能用作第三衬底。
作为第三接合层1113，能使用由树脂(典型地，聚酰亚胺、丙烯基、聚酰胺或环氧树脂)构成的绝缘膜。当从OLED观察时第三接合层1113放在观察者一侧(发光装置使用者的一侧)的情形中，材料需要有透光性。
用这种方式，能得到插入在具有柔韧性的两个柔性衬底1110和1112之间的柔性OLED面板(发光装置)。对于第二衬底1110和第三衬底1112使用同样的材料，衬底1110和1112有同样的热扩散系数。结果是，衬底1110和1112能几乎不受由温度改变引起的压应力的影响。
其次，如图5C所示，OLED面板用上面形成了密封膜1119的塑料膜1118密封。这时，密封膜1119放在塑料膜1118和OLED 1105之间。
本实施方案中，作为密封膜1119，无机绝缘膜1119a、有机绝缘膜1119b、无机绝缘膜1119c按顺序在塑料膜1118附近形成。
根据本实施方案制造的发光装置允许使用半导体的元件(例如TFT)的制造，不受塑料衬底耐热性的限制。这样，能得到具有非常高性能的发光装置。
本实施方案中，尽管第一接合层1102由非晶硅构成，并用含氟化卤素的气体除去，本发明不局限于这种结构。第一接合层1102的材料和除去方法能够由实施本发明的人适当地确定。重要的是确定第一接合层的材料和除去方法，从而不希望除去的第一接合层以外的衬底、元件和膜不随着第一接合层的除去被除去，以便于不影响发光装置的运转。还有重要的是第一接合层的材料不允许它在第一接合层的除去步骤之外的工艺中的除去。
例如，通过激光束的照射全部或部分蒸发的有机材料能用作第一接合层。此外，理想的是，使用具有激光束吸光率的材料，例如彩色或黑色材料(例如，含黑色素的树脂材料)，从而在使用来自YAG激光器的二次谐波的情形中激光束只被第一接合层充分地吸收。元件形成步骤中在热处理中不蒸发的材料用于第一接合层。
第一、第二和第三接合层的每一层可以是单层或多层。非晶硅膜或DLC膜可以提供在接合层和衬底之间。
第一接合层可以由非晶硅膜形成，第一衬底可以在以后的步骤中用激光束在第一接合层上的照射剥落。该情形中，为了便于第一衬底的剥落，优选的是用含大量氢的非晶硅膜。非晶硅膜中所含的氢通过激光束的照射蒸发，从而第一衬底能容易地剥落。
作为激光束，可以用脉冲振荡或连续波准分子激光、YAG激光或YVO4激光。激光束通过第一衬底照射到第一接合层上，以便于只蒸发第一接合层来剥落第一衬底。因而，作为第一衬底，优选的是用至少允许照射的激光束穿过的衬底，典型的是具有透光性的衬底，例如，玻璃衬底、石英衬底等，其具有大于第二和第三衬底的厚度。
本发明中，为了允许激光束穿过第一衬底，有必要适当地选择激光束和第一衬底的类型。例如，当石英衬底用作第一衬底时，使用YAG激光(基波(1064nm)、二次谐波(532nm)、三次谐波(355nm)和四次谐波(266nm))或准分子激光(波长：308nm)以形成线形光束，其依次被允许穿过石英衬底。要注意的是准分子激光束不穿过玻璃衬底。因而，当玻璃衬底用作第一衬底时，YAG激光的基波、二次谐波或三次谐波，优选地，二次谐波(波长：532nm)用于形成线形光束，其依次被允许穿过玻璃衬底。
另外，例如，可以用通过在第一接合层上喷射流体(加压液体或气体)分离第一衬底的方法(典型地，水喷射法)。
在第一接合层由非晶硅膜构成的情形中，第一接合层可以用联氨除去。
另外，可以采用美国专利5,821,138中说明的通过刻蚀分离第一衬底的方法。具体地，涂敷的氧化硅膜(SOG)可以用作第一接合层，其然后用氟化氢除去。这种情形中，重要的是通过溅射或CVD法形成不希望被除去的氧化硅膜，以具有精细结构，从而当第一接合层要用氟化氢除去时氧化硅膜提供高的选择比。
用这种结构，即使具有非常薄厚度，具体地，50-300μm，优选地150-200μm的衬底用作第二和第三衬底，也能得到具有高度可靠性的发光装置。用传统已知的制造设备很难在如此薄的衬底上形成元件。然而，由于元件是利用接合到第一衬底上形成的，能无须任何设备的改变而使用利用了厚衬底的制造设备。
随着包括多层绝缘膜的密封膜的使用，有可能有效地抑制由湿气或氧的渗入引起的退化。而且，防止了裂纹由于衬底弯曲而出现。结果是，能实现具有增强的柔韧性的发光装置。
注意，有可能与实施方案1-2组合来实现实施方案3。
[实施方案4]
本实施方案中，说明不同于实施方案3的包括在塑料衬底上形成的OLED的OLED面板的制造方法。图6和7是像素部分和驱动电路的制造步骤的横截面图。
图6A中，在第一衬底1201上形成由非晶硅膜构成的第一接合层1202，以具有100-500nm(本实施方案样式中是300nm)的厚度。尽管本实施方案样式中玻璃衬底用作第一衬底1201，另外还可以用石英衬底、硅衬底、金属衬底或陶瓷衬底。任何材料能用于第一衬底1201，只要它对以后的制造步骤中的处理温度具有抵抗力。
作为形成第一接合层1202的方法，可以用低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或蒸发法。在第一接合层1202上，形成氧化硅膜构成的绝缘膜1203，具有200nm的厚度。作为形成绝缘膜1203的方法，可以采用低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或蒸发法。当除去第一接合层1202以剥落第一衬底1201时，绝缘膜1203用来保护在第一衬底1201上形成的元件。
其次，在绝缘膜1203上形成元件(图6B)。这里的元件指半导体元件(典型地，TFT)或MIM元件，其在有源矩阵发光装置的情形中用作像素的开关元件和OLED等。在无源发光装置的情形中，元件指OLED。图6B中，驱动电路1206中的TFT 1204a、TFT 1204b和1204c和像素部分中的OLED 1205作为代表元件给出。
然后，形成绝缘膜1208以便于覆盖上述元件。优选的是绝缘膜在形成后有更平的表面。不是必须要提供绝缘膜1208。
其次，如图6C所示，第二衬底1210通过第二接合层1209接合到第一衬底1201上。尽管本实施方案样式中玻璃衬底用作第二衬底1210，还可以用石英衬底、硅衬底、金属衬底或陶瓷衬底。任何材料都能用于第二衬底1210，只要该材料对以后制造步骤中的处理温度具有抵抗力。
作为第二接合层1209的材料，有必要使用能在以后的步骤中第一接合层1202被除去时提供高的选择比的材料。而且，对于第二接合层1209，需要用这样的材料，以便于用来接合第三衬底的第三接合层不随着第二接合层的除去而被除去，并且不引起第三衬底的剥落。本实施方案中，使用聚酰胺酸溶液，其是聚酰亚胺树脂的前驱物，在日本专利申请公开号5-315630中说明。具体地，用聚酰胺酸溶液形成具有10-15μm的厚度的作为未凝固的树脂的第二接合层1209以后，第二衬底1210和夹层绝缘膜1208通过热压缩接合互相接合在一起。然后，进行加热以便于暂时凝固树脂。
本实施方案中，第二接合层的材料不限于聚酰胺酸溶液。任何材料都能使用，只要当第一接合层1202在以后的步骤中被除去时提供高的选择比，并且用于接合第三衬底的第三接合层不随着第二接合层的除去而除去，且不引起第三衬底的剥落。重要的是第二接合层由这种材料构成，除了除去第二接合层的步骤，它在此以外的步骤中不被除去。
其次，如图6D所示，第一衬底1201、第二衬底1210和形成于其间的整个膜和所有的元件暴露在含氟化卤素的气体中以便于除去第一接合层1202。本实施方案中，三氟化氯(ClF3)用作氟化卤素，氮用作稀释气体。另外，氩、氦或氖可以用作稀释气体。对于这两种气体，流速可以设为500sccm(8.35×10-6m3/s)，反应压力可以设为1-10Torr(1.3×102-1.3×103Pa)。处理温度可以是室温(典型地，20-27℃)。
本情形中，刻蚀硅膜，而不刻蚀塑料膜、玻璃衬底、聚酰亚胺膜、和氧化硅膜。更具体地，通过暴露于三氟化氯气体中，第一接合层1202被选择性的刻蚀以导致其完全的除去。由于同样由硅膜构成的TFT的有源层不暴露在外面，有源层不暴露于三氟化氯气体中，并因而不被刻蚀。
本实施方案中，第一接合层1202从其暴露的边缘部分逐渐地刻蚀。当第一接合层1202完全除去时，第一衬底1201和绝缘膜1203互相分开。第一接合层1202除去后，TFT和OLED，其每一个包括薄膜的叠层，保留在第二衬底1210上。
大衬底不优选地作为第一衬底1201，这是因为第一接合层1202从其边缘逐渐地刻蚀，完全除去第一接合层1202所需的时间随着尺寸的增加而变长。因而，理想的是本实施方案对于具有3英寸或更短(优选的，1英寸或更短)对角线的第一衬底1201实施。
第一衬底1201以这种方式除去之后，如图7A所示形成第三接合层1213。然后，第三衬底1212通过第三接合层1213接合到第二衬底1210上。本实施方案中，塑料衬底用作第三衬底1210。更具体地，具有10μm或更大厚度的树脂衬底，例如，由PES(聚醚砜)、PC(聚碳酸酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯，polyethylene terephthalate)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯，polyethylene naphthalate)构成的衬底能用作第三衬底。
由树脂(典型地，聚酰亚胺、丙烯基、聚酰胺或环氧树脂)构成的绝缘膜能用作第三接合层1213。当从OLED观察时第三接合层1213放在观察者一侧(发光装置使用者的一侧)的情形中，材料需要有透光性。
其次，如图7B所示，除去第二接合层1209以剥落第二衬底1210。更具体地，第二接合层1209通过浸入水中大约1小时除去，由此允许第二衬底1210被剥落。
重要的是根据第二接合层的材料、元件或膜的材料、衬底的材料等选择剥落第二接合层1209的方法。
用这种方式，能得到使用单个塑料衬底1212的柔性OLED面板(发光装置)。
其次，如图7C所示，OLED面板用其上形成了密封膜1219的塑料膜1218密封。这时，密封膜1219放在塑料膜1218和OLED1205之间。
本实施方案中，作为密封膜1219，无机绝缘膜1219a、有机绝缘膜1219b、无机绝缘膜1219c按顺序形成在塑料膜1218附近。
由于使用半导体的元件(例如TFT)能不受塑料衬底耐热性的限制而形成，所以根据本实施方案能制造具有非常高性能的发光装置。
本实施方案中，尽管第一接合层1202由非晶硅构成，并用含氟化卤素的气体除去，本发明不局限于这种结构。第一接合层的材料和除去方法能够由实施本发明的人适当地确定。重要的是确定第一接合层的材料和除去方法从而使不希望除去的第一接合层以外的衬底、其它接合层、元件和膜不随着第一接合层的除去而除去，以便于不影响发光装置的运转。还有重要的是第一接合层的材料不允许它在第一接合层的除去步骤之外的工艺中的除去。
尽管作为聚酰亚胺树脂前驱物的聚酰胺酸溶液用于第二接合层1209，其然后用水除去，本发明的结构不局限于此。第二接合层的材料和除去方法能够由实施本发明的人适当地确定。重要的是确定第二接合层的材料和除去方法，从而使不希望除去的第二接合层以外的衬底、其它接合层、元件和膜不随着第二接合层的除去而除去，以便于不影响发光装置的运转。还有重要的是第二接合层的材料不允许它在第二接合层的除去步骤之外的工艺中的除去。
例如，通过激光束的照射全部或部分蒸发的有机材料能用作第一和第二接合层。此外，理想的是，使用具有激光束吸光率的材料，例如彩色或黑色材料(例如，含黑色素的树脂材料)，从而在使用来自YAG激光器的二次谐波的情形中激光束只被第一和第二接合层充分地吸收。采用在元件形成步骤中的热处理中不蒸发的第一和第二接合层。
第一、第二和第三接合层的每一层可以是单层或多层。非晶硅膜或DLC膜可以提供在接合层和衬底之间。
第一接合层或第二接合层可以由非晶硅膜形成，衬底可以在以后的步骤中用激光束在第一接合层或第二接合层上的照射剥落。该情形中，为了便于第一衬底的剥落，优选的是用含大量氢的非晶硅膜。非晶硅膜中所含的氢通过激光束的照射蒸发，从而衬底能容易地剥落。
作为激光束，可以用脉冲振荡或连续波准分子激光、YAG激光或YVO4激光。在第一衬底要被剥落的情形中，激光束通过第一衬底照射到第一接合层上，以便于只蒸发第一接合层来剥落第一衬底。在第二衬底要被剥落的情形中，激光束通过第二衬底照射到第二接合层上，以便于只蒸发第二接合层来剥落第二衬底。因而，作为第一或第二衬底，优选的是用具有大于第三衬底的厚度的衬底，其至少允许照射的激光束穿过，典型的是具有透光性的衬底，例如，玻璃衬底、石英衬底等。
本发明中，为了允许激光束穿过第一或第二衬底，有必要适当地选择激光束的类型和第一衬底的类型。例如，当石英衬底用作第一衬底时，使用YAG激光(基波(1064nm)、二次谐波(532nm)、三次谐波(355nm)和四次谐波(266nm))或准分子激光(波长：308nm)以形成线形光束，其依次(in turn)被允许穿过石英衬底。要注意的是准分子激光束不穿过玻璃衬底。因而，当使用玻璃衬底时，YAG激光的基波、二次谐波或三次谐波，优选地，二次谐波(波长：532nm)用于形成线形光束，其依次被允许穿过玻璃衬底。
另外，例如，可以用通过在第一接合层上喷射流体(加压液体或气体)分离第一衬底的方法(典型地，水喷射法)。
在第一接合层由非晶硅膜构成的情形中，第一接合层可以用联氨除去。
另外，可以采用美国专利5,821,138中说明的通过刻蚀分离第一衬底的方法。具体地，涂敷的氧化硅膜(SOG)可以用作第一或第二接合层，其然后用氟化氢除去。这种情形中，重要的是通过溅射或CVD法形成不希望被除去的氧化硅膜，以具有精细结构，从而当第一或第二接合层要用氟化氢除去时氧化硅膜提供高的选择比。
用这种结构，即使具有非常薄厚度，具体地，50-300μm，优选地150-200μm的衬底用作第三衬底，也能得到具有高度可靠性的发光装置。用传统已知的制造设备很难在如此薄的衬底上形成元件。然而，由于是利用接合到第一和第二衬底上形成的，能无须任何设备的变化而使用利用厚衬底的制造设备。
随着包括多层绝缘膜的密封膜的使用，有可能有效地抑制由湿气或氧的渗入引起的退化。而且，防止了裂纹由于衬底弯曲而出现。结果是，能实现具有增强的柔韧性的发光装置。
在第一和第二实施方案中，OLED的阳极或者阴极能用作像素电极。
注意，有可能与实施方案1-2组合来实现实施方案4。
[实施方案5]
实施方案5中，将说明根据本发明的发光装置的外观和它到FPC的连接。
图8A给出根据本发明、在实施方案3中说明的发光装置的俯视图的实例。第二衬底1301和第三衬底1302都是具有柔韧性的塑料衬底。像素部分1303和驱动电路(源侧驱动电路1304和栅侧驱动电路1305)提供在第二衬底1301和第三衬底1302之间。
图8A中，给出了一个实例，其中在衬底上形成源侧驱动电路1304和栅侧驱动电路1305，所述衬底上还形成像素部分1303。然而，源侧驱动电路1304和栅侧驱动电路1305所代表的驱动电路可以在不同于上面形成了像素部分1303的衬底的衬底上形成。这种情形中，驱动电路可以通过FPC等连接到像素部分1303上。
源侧驱动电路1304和栅侧驱动电路1305的数目和排列不限于图8A所示的结构。
参考符号1306指FPC，来自包括控制器的IC的信号或源电压通过它提供给像素部分1303、源侧驱动电路1304和栅侧驱动电路1305。
图8B是图8A中点划线包围的部分的放大图，其中FPC1306和第二衬底1301互相连接。图8C是沿着图8B中线A-A’得到的横截面图。
在第二衬底1301和第三衬底1302之间提供导线1310、其延伸以便于向像素部分1303提供信号或源电压、源侧驱动电路1304和栅侧驱动电路1305。为FPC1306提供终端1311。
注意，1314指干燥材料，有防止有助于退化的诸如氧或水的材料进入OLED(没有图示)的作用。
第二衬底1301和在第二衬底1301与延伸的导线1310之间提供的诸如绝缘膜的各种膜用激光束等部分地除去，以提供接触孔1313。因而，多个延伸的导线1310通过接触孔1313暴露，并通过具有各向异性的导电树脂1312分别连接到终端1311上。
虽然给出了一个实例，其中延伸的导线从图8A-8C中的第二衬底的侧面部分地暴露，但是本发明不限于此。另外，延伸的导线可以从第三衬底1302的侧面部分地暴露。
图9A给出图8A所示处于弯曲状态的发光装置。由于实施方案3中说明的发光装置的第二衬底和第三衬底都有柔韧性，发光装置可以弯曲到图9A所示的一定程度。这样，这种发光装置有广泛的应用范围，这是因为它能用于具有弯曲表面的显示器、橱窗等。而且，不仅实施方案3中说明的发光装置，而且实施方案4中说明的发光装置能同样地弯曲。
图9B是图9A所示发光装置的横截面图。在第二衬底1301和第三衬底1302之间形成多个元件。这里，TFT 1320a、1320b和1320c和OLED 1322分别给出。虚线1323代表第二衬底1301和第三衬底1302之间的中心线。
第二衬底用塑料膜1324通过密封膜1321覆盖。第三衬底也用塑料膜1324通过密封膜1321覆盖。
密封膜1321包括与塑料膜1324接触的无机绝缘膜1321a、与无机绝缘膜1321a接触的有机绝缘膜1321b和与有机绝缘膜1321b接触的无机绝缘膜1321c。
其次，将说明实施方案4所说明的发光装置到FPC的连接。图10是横截面图，其给出实施方案4所说明的发光装置与FPC互相连接的部分。
用于延伸的导线1403在第三衬底1401上提供。
在第三衬底1401与延伸的导线1410之间提供的诸如绝缘膜的各种膜用激光束等部分地除去，以提供接触孔。因而，延伸的导线1403通过接触孔暴露，并通过具有各向异性的导电树脂1406电连接到包括在FPC 1404中的终端1405上。
虽然给出了一个实例，其中延伸的导线1403通过除去在图10中的延伸导线1403上提供的部分绝缘膜部分地暴露，但是本发明不限于此。另外，延伸的导线1403可以从第三衬底1401的侧面部分地暴露。
注意，有可能与实施方案1-2组合来实现实施方案5。
[实施方案6]
实施方案6中，说明本发明的发光装置的制造方法的实例。
图11A中，由涂敷的氧化硅膜(SOG)构成的第一接合层502在第一衬底501上形成，具有100-500nm(本实施方案中是300nm)。虽然本实施方案中玻璃衬底用作第一衬底501，另外可以用石英衬底、硅衬底、金属衬底或陶瓷衬底。任何材料能用于第一衬底501，只要它对以后的制造步骤中的处理温度有抵抗力。
作为形成SOG膜的方法，碘溶液通过旋涂加到SOG溶液中，然后干燥以从中释放出碘。然后，在大约400℃进行热处理以形成SOG膜。本实施方案中，形成具有100nm厚度的SOG膜。形成SOG膜作为第一接合层502的方法不限于上述方法。有机SOG和无机SOG都可以用作SOG；能用任何SOG，只要它能在以后的步骤中用氟化氢除去。重要的是通过溅射或CVD法形成不希望被除去的氧化硅膜，以具有精细结构，以便于当第一接合层要用氟化氢除去时提供高的选择比。
其次，用低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或蒸发法在第一接合层502上形成由铝构成的保护膜。本实施方案中，用溅射法在第一接合层502上形成由铝构成的保护膜503，具有200nm的厚度。
虽然本实施方案中铝用作保护膜503的材料，本发明不限于此。重要的是选择这样的材料，其不随着第一接合层502的除去而除去，且在除了除去保护膜503的步骤之外的工艺中不被除去。而且，重要的是这种材料在除去保护膜503的步骤中不允许其它膜和衬底的除去。当除去第一接合层502以剥落第一衬底501时，保护膜503用来保护在第一衬底501上形成的元件。
其次，在保护膜503上形成元件(图11B)。图11B中，驱动电路中的TFT 504a和504b作为代表元件给出。
本实施方案中，TFT 504a是n沟道TFT，而TFT 504b是p沟道TFT。TFT 504a和TFT 504b形成CMOS。
TFT 504a包括在保护膜503上形成的第一电极550、所形成的以便于覆盖第一电极550的绝缘膜551、所形成的以便于与绝缘膜551接触的半导体膜552、所形成的以便于与半导体膜552接触的绝缘膜553、和与绝缘膜553接触的第二电极554。
TFT 504b包括第一电极560、所形成的以便于覆盖第一电极560的绝缘膜551、所形成的以便于与绝缘膜551接触的半导体膜562、所形成的以便于与半导体膜562接触的绝缘膜553、和与绝缘膜553接触的第二电极564。
在保护膜503上提供终端507，其与第一电极550和560同时形成。
然后，形成绝缘膜565以便于覆盖TFT 504a和504b。通过穿过绝缘膜565、551和553形成的接触孔形成与半导体膜552和终端570接触的导线571、与半导体膜552和562接触的导线572、和与半导体膜562接触的导线573。
尽管没有图示，OLED在绝缘膜565上形成。形成绝缘膜574以便于覆盖导线571，572和573，绝缘膜574和OLED。优选的是绝缘膜574在其形成后具有更平的表面。绝缘膜574不是必须形成。
其次，如图11C所示，第二衬底510通过第二接合层509接合到第一衬底上。本实施方案中，塑料衬底用作第二衬底510。更具体地，具有10μm或更厚的厚度的树脂衬底，例如，由PES(聚醚砜，polyethersulfone)、PC(聚碳酸酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯，polyethyleneterephthalate)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯polyethylenenaphthalate)构成的衬底能用作第二衬底510。
作为第二接合层509的材料，必须使用当第一接合层在以后的步骤中要被除去时能提供高的选择比的材料。典型地，能用由树脂构成的绝缘膜。尽管本实施方案中用聚酰亚胺，还能用丙烯基、聚酰胺或环氧树脂。当从OLED观察时第二接合层509放在观察者一侧(发光装置使用者的一侧)的情形中，材料需要有透光性。
其次，如图11D所示，第一接合层502用氢氟酸除去。本实施方案中，第一和第二衬底501和510，形成于其间的所有元件和整个衬底浸入缓冲的氢氟酸(HF/NH4F＝0.01-0.2，例如，0.1)中以便于除去第一接合层502。
由于不希望被除去的氧化硅膜由通过溅射或CVD法形成的薄(fine)膜构成，只有第一接合层用氢氟酸除去。
本实施方案的情形中，第一接合层502从其暴露的边缘部分逐渐地刻蚀。当第一接合层502完全除去时，第一衬底501和保护膜503彼此分开。第一接合层502除去之后，TFT和OLED，其每一个都包括薄膜的叠层，保留在第二衬底510上。
大衬底不优选地作为第一衬底501，这是因为从边缘完全除去第一接合层502所需的时间随着第一衬底尺寸的增加而变长。因而，理想的是本实施方案对于具有3英寸或更短(优选的，1英寸或更短)对角线的第一衬底501实施。
其次，如图12A所示，除去保护膜503。本实施方案中，用磷酸类的刻蚀剂通过湿刻除去铝构成的保护膜503以便于暴露终端507和第一电极550和560。
然后，如图12B所示，形成由具有各向异性的导电树脂构成的第三接合层513。通过第三接合层513，第三衬底512附连到终端570和第一电极550和560暴露的一侧。
本实施方案中，塑料衬底用作第三衬底512。更具体地，具有10μm或更厚的厚度的树脂衬底，例如，由PES(聚醚砜，polyethersulfone)、PC(聚碳酸酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯，polyethyleneterephthalate)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯，polyethylenenaphthalate)构成的衬底能用作第三衬底512。
作为第三接合层513，可使用由树脂(典型地，聚酰亚胺、丙烯基、聚酰胺或环氧树脂)构成的绝缘膜。当从OLED观察时第三接合层513放在观察者一侧的情形中，材料需要有透光性。
然后，通过第三衬底512用激光束等形成接触孔。铝蒸发到第三衬底512上形成接触孔的部分和其附近，由此在第三衬底512的各个表面上形成终端580和581，其彼此之间电连接。形成终端580和581的方法不限于上述结构。
在第三衬底512上形成的终端580通过第三接合层513电连接到与第一电极550和560同时形成的终端570上。
用这种方式，能得到插在塑料衬底510和512之间的柔性发光装置。对于第二衬底510和第三衬底512使用同样的材料，衬底510和512具有同样的热扩散系数。结果是，衬底510和512几乎不受由温度的变化引起的压应力的影响。
如图12C所示，所形成的以便于与第三接合层513接触但不与包括在FPC 590中的终端591和第三衬底512接触的终端581通过由具有各向异性的导电树脂构成的第四接合层592彼此连接。
其次，如图12C所示，OLED面板用其中淀积了密封膜520的塑料膜521密封。当执行密封时，密封膜520安排在塑料膜521和OLED(图中没有给出)之间。
本实施方案中，作为密封膜520，从塑料膜521的侧面形成无机绝缘膜520a、有机绝缘膜520b和无机绝缘膜520c。
根据本实施方案制造的发光装置允许不受塑料衬底耐热性的限制的条件下采用半导体的元件(例如TFT)的制造。这样，能得到具有非常高性能的发光装置。
虽然本实施方案中，用氢氟酸除去由SOG构成的第一接合层502，本发明不限于这种结构。第一接合层502和材料和除去方法能够由实施本发明的人适当地确定。重要的是确定第一接合层的材料和除去方法从而不希望除去的第一接合层502以外的衬底、元件和膜不随着第一接合层502的除去而除去，且不影响发光装置的运转。而且，还有重要的是第一接合层502的材料不允许它在第一接合层502的除去步骤之外的工艺中的除去。
例如，通过激光束的照射全部或部分蒸发的有机材料能用作第一接合层502。此外，理想的是，使用具有激光束吸光率的材料，例如彩色或黑色材料(例如，含黑色素的树脂材料)，从而在使用来自YAG激光器的二次谐波的情形中激光束只被第一接合层502充分地吸收。使用在元件形成步骤中的热处理中不蒸发的第一接合层502。
第一、第二和第三接合层的每一层可以是单层或多层。非晶硅膜或DLC膜可以提供在接合层和衬底之间。
第一接合层502可以由非晶硅膜形成，在以后的步骤中，第一衬底可以用激光束在第一接合层502上的照射剥落。该情形中，为了便于第一衬底的剥落，优选的是用含大量氢的非晶硅膜。非晶硅膜中所含的氢通过激光束的照射蒸发，从而第一衬底能容易地剥落。
作为激光束，可以用脉冲振荡或连续波准分子激光、YAG激光或YVO4激光。激光束通过第一衬底照射到第一接合层上，以便于只蒸发第一接合层来剥落第一衬底。因而，作为第一衬底，优选的是用具有大于第二和第三衬底的厚度的衬底，其至少允许照射的激光束穿过，典型的是具有透光性的衬底，例如，玻璃衬底、石英衬底等。
本发明中，为了允许激光束穿过第一衬底，有必要适当地选择激光束和第一衬底的类型。例如，当石英衬底用作第一衬底时，使用YAG激光(基波(1064nm)、二次谐波(532nm)、三次谐波(355nm)和四次谐波(266nm))或准分子激光(波长：308nm)以形成线形光束，其依次被允许穿过石英衬底。要注意的是准分子激光束不穿过玻璃衬底。因而，当玻璃衬底用作第一衬底时，YAG激光的基波、二次谐波或三次谐波，优选地，二次谐波(波长：532nm)用于形成线形光束，其依次被允许穿过玻璃衬底。
另外，可以用通过在第一接合层上喷射流体(加压液体或气体)分离第一衬底的方法(典型地，水喷射法)或该方法的组合。
在第一接合层由非晶硅膜构成的情形中，第一接合层可以用联氨除去。
另外，可以用美国专利5,821,138中说明的通过刻蚀分离第一衬底的方法。具体地，涂敷的氧化硅膜(SOG)可以用作第一接合层，其用氟化氢除去。这种情形中，重要的是通过溅射或CVD法形成不希望被除去的氧化硅膜，以具有精细结构，从而当第一接合层要用氟化氢除去时氧化硅膜提供高的选择比。
用这种结构，即使具有非常薄厚度，具体地，50-300μm，优选地150-200μm的衬底用作第二和第三衬底，也能得到具有高度可靠性的发光装置。用传统已知的制造设备很难在如此薄的衬底上形成元件。然而，由于元件是随着接合到第一衬底上形成的，能无须任何设备的改变而使用利用了厚衬底的制造设备。
随着包括多层绝缘膜的密封膜的使用，有可能有效地抑制由湿气或氧的渗入引起的退化。而且，防止了裂纹由于衬底弯曲而出现。结果是，能实现具有增强的柔韧性的发光装置。
本实施方案能通过与实施方案1或2自由地组合来实现。
[实施方案7]
本实施方案中，将详细说明形成排列在像素部分周围的驱动电路(源信号线驱动电路和栅信号线驱动电路)的TFT和像素部分的方法。本实施方案中，关于驱动电路，为了简要说明只给出作为基本单元的CMOS电路。
首先，如图13A所示，在由诸如以CORNING公司的#7059玻璃和#1737玻璃代表的硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃等的玻璃形成的第一衬底5000上形成由非晶硅膜形成并具有100-500nm(优选地300nm)厚度的第一接合层5001。第一接合层5001用低压热CVD法、等离子体CVD法、溅射法或蒸发法形成。本实施方案中，第一接合层5001用溅射法形成。
其次，在第一接合层5001上形成由诸如氧化硅膜、氮氧化硅膜或氧化氮硅(silicon nitride oxide)膜的绝缘膜形成的基础膜5002。当除去第一接合层5001以剥落衬底5000时，基础膜5002有保护在衬底5000上形成的元件的作用。例如，形成通过等离子体CVD法用SiH4、NH3和N2O形成的并具有10-200nm(优选的50-100nm)厚度的氧化氮硅膜。类似地，由SiH4和N2O形成的并具有50-200nm(优选的100-150nm)厚度的氢化的氧化氮硅膜叠放在其上。本实施方案中，基础膜5002有双层结构，但是也可以作为上述绝缘膜之一的单层膜、或具有多于两层的上述绝缘膜的叠层膜形成。
由通过在具有非晶结构的半导体膜上进行激光晶化或已知的热晶化得到的结晶半导体膜形成岛状半导体层5003-5006。这些岛状半导体层5003-5006每个都有25-80nm(优选地30-60nm)的厚度。结晶半导体膜的材料上没有限制，但是结晶半导体膜优选地由硅、锗硅(SiGe)合金等形成。
当结晶半导体膜要用激光晶化法制造时，使用脉冲振荡型或连续发光型准分子激光器、YAC激光器和YVO4激光器。当使用这些激光器时，优选的是使用一种方法，其中从激光发射装置照射的激光束通过光学系统会聚成线形，然后照射到半导体膜上。由操作者适当地选择晶化条件。当使用准分子激光器时，脉冲振荡频率设为300Hz，激光能量密度设为100-400mJ/cm2(典型地200-300mJ/cm2)。当使用YAG激光器时，通过用其二次谐波，脉冲振荡频率优选地设为30-300kHz，激光能量密度优选地设为300-600mJ/cm2(典型地350-500mJ/cm2)。会聚成线形并具有100-1000μm、例如400μm宽度的激光束照射到整个衬底面上。这时，线形光束的重叠百分比设为50-90％。
其次，形成覆盖岛状半导体层5003-5006的栅绝缘膜5007。栅绝缘膜5007通过等离子体CVD法或溅射法由含硅的绝缘膜形成，并具有40-150nm的厚度。本实施方案中，栅绝缘膜5007由120nm厚度的氧化氮硅膜形成。然而，栅绝缘膜不限于这种氧化氮硅，而可以是包含其它并具有单层或叠层结构的绝缘膜。例如，当用氧化硅膜时，TEOS(四乙基正硅烷)和O2用等离子体CVD法混合，反应压力设定为40Pa，衬底温度设定为300-400℃，用于放电的高频(13.56MHz)功率密度设定为0.5-0.8W/cm2。这样，氧化硅膜能通过放电形成。用这种方法制造的氧化硅膜然后通过在400-500℃热退火作为栅绝缘膜能得到优选的性能。
在栅绝缘膜5007上形成用于形成栅电极的第一导电膜5008和第二导电膜5009。本实施方案中，由Ta形成具有50-100nm厚度的第一导电膜5008，由W形成具有100-300nm厚度的第二导电膜5009。
Ta膜通过溅射法形成，Ta靶用Ar溅射。这个情形中，当适量的Xe和Kr添加到Ar中时，Ta膜的内应力被释放，能防止剥落这层膜。α相Ta膜的电阻率大约是20μΩcm，这个Ta膜能用于栅电极。然而，β相Ta膜的电阻率大约是180μΩcm，不适于栅电极。当作为Ta膜的基础预先形成具有接近Ta的α相的晶体结构并具有大约10-50nm的厚度的氮化钽以形成α相的Ta膜时，能容易地得到α相的Ta膜。
用溅射法以W作为靶形成W膜。另外，W膜还能通过热CVD法用六氟化钨(WF6)形成。任何情形中，有必要减少电阻率以用这种膜作为栅电极。理想的是设定W膜的电阻率等于或小于20μΩcm。当W膜的晶粒在尺寸上增加时，W膜的电阻率能减小。然而，当W膜中有许多诸如氧等的杂质元素时，结晶受到妨碍，电阻率得到提高。因此，在溅射法的情形中，使用纯度99.9999％或99.99％的W靶，通过当膜要被形成时充分地小心不把杂质从气相混入W膜中来形成W膜。这样，能实现9-20μΩcm的电阻率。
本实施方案中，由Ta形成第一导电膜5008，由W形成第二导电膜5009。然而，本发明不限于这种情形。这些导电膜中的每一个还可以由选自Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu的元素或有这些元素作为主要成分的化合物材料或合金材料形成。另外，还可以使用以掺杂了诸如磷的杂质元素的多晶硅膜为代表的半导体膜。本实施方案所示的之外的其它方案的组合的实例包括：第一导电膜5008由氮化钽(TaN)形成、第二导电膜5009由W形成的组合；第一导电膜5008由氮化钽(TaN)形成、第二导电膜5009由Al形成的组合；第一导电膜5008由氮化钽(TaN)形成、第二导电膜5009由Cu形成的组合。
其次，由抗蚀剂形成掩膜5010，并实施用于形成电极和导线的第一刻蚀工艺。本实施方案中，使用ICP(诱导耦合等离子)刻蚀法，CF4和Cl2与用于刻蚀的气体混合。500W的RF(13.56MHz)功率在1Pa的压力下加载到线圈型电极上，从而产生等离子体。100W的RF(13.56MHz)功率也加载到衬底侧(样品台)，并提供基本上负的自偏压。当CF4和Cl2混合时，W膜和Ta膜刻蚀到同样的程度。
在上述刻蚀条件下，通过使抗蚀剂形成的掩膜的形状成为合适的形状、用加到衬底侧的偏压的作用，第一和第二导电层的末端部分形成为锥型。锥型部分的角度设为15-45℃。优选的是增加刻蚀时间10-20％，以便于在栅绝缘膜上不留下残余物的情况下实施刻蚀。由于氧化氮硅膜与W膜的选择比范围是2-4(典型地是3)，氧化氮硅膜的暴露面可以用过刻蚀(over-etching)工艺刻蚀大约20-50nm。这样，由第一和第二导电层形成的第一形状的导电层5011-5016(第一导电层5011a-5016a和第二导电层5011b-5016b)用第一刻蚀工艺形成。栅绝缘膜5007中不用第一形状的导电层5011-5016覆盖的区域刻蚀大约20-50nm，从而形成减薄的区域。(见图13A)。
然后，通过实施第一掺杂工艺加入给予n型导电性的杂质元素。掺杂方法可以是离子掺杂法或离子注入法。离子掺杂法在剂量设为1×1013-5×1014原子/cm2、和加速电压设为60-100keV的的条件下实施。属于15族的元素，典型地磷(P)或砷(As)用作给予n型导电性的杂质元素。然而，这里用磷(P)。该情形中，导电层5011-5015作为对于给予n型导电性的杂质元素的掩膜，第一杂质区域5017-5025以自对准的方式形成。给予n型导电性的杂质元素在1×1020-1×1021原子/cm2的浓度范围内的加入到第一杂质区5017-5025中。(见图13B)。
其次，如图13C所示不除去抗蚀剂掩膜进行第二刻蚀工艺。W膜用CF4、Cl2和O2选择性地刻蚀。用第二刻蚀工艺形成第二形状的导电层5026-5031(第一导电层5026a-5031a和第二导电层5026b-5031b)。栅绝缘膜5007中不用第二形状的导电层5026-5031覆盖的区域另外刻蚀大约20-50nm，从而形成减薄的区域。
使用CF4和Cl2的混合气体的W膜和Ta膜的刻蚀中的刻蚀反应能从产生的自由基或离子类型的蒸气压和反应产物选定。当比较W和Ta的氯化物和氟化物的蒸气压时，作为W的氟化物的WF6的蒸气压非常高，其它WCl5、TaF5和TaCl5的蒸气压彼此近似地相等。因此，W膜和Ta膜都用CF4和Cl2的混合气体刻蚀。然而，当适量的O2加入到该混合气体中时，CF4和O2反应，变成CO和F，从而产生大量的F自由基或F离子。结果是，氟化物具有高蒸气压的W膜的刻蚀速度增加。与此相反，当F增加时对于Ta膜刻蚀速度的增加相对较小。由于Ta与W相比容易氧化，Ta膜的表面通过加入O2氧化。由于没有Ta的氧化物与氟或氯化物反应，Ta膜的刻蚀速度进一步减小。因此，有可能在W膜和Ta膜之间的刻蚀速度上造成差别，从而W膜的刻蚀速度能设定得比Ta膜的更高。
如图14A所示，然后实施第二掺杂工艺。这种情形中，给予n型导电性的杂质元素通过将剂量减少到低于第一掺杂工艺、以小于第一掺杂工艺的剂量和高加速电压掺杂。例如，加速电压设为70-120keV，剂量设为1×1013原子/cm2。这样，在图13B中的岛状半导体层形成的第一杂质区内部形成新的杂质区。在掺杂时，第二形状的导电层5026-5030用作对于杂质元素的掩膜，实施掺杂从而杂质元素还加入到第一导电层5026a-5030a下侧的区域。这样，形成第三杂质区5032-5041。第三杂质区5032-5036包含具有平缓的浓度梯度的磷(P)，其符合第一导电层5026a-5030a的锥形部分中的厚度梯度。在与第一导电层5026a-5030a的锥形部分重叠的半导体层中，第一导电层5026a-5030a的锥形部分的中心周围的杂质浓度略低于边缘的杂质浓度。然而，这个差别非常细微，贯穿半导体层保持了几乎同样的杂质浓度。
然后如图14B所示进行第三刻蚀处理。CHF6用作刻蚀气体，采用反应性离子刻蚀(RIE)。通过第三刻蚀处理，部分地刻蚀第一导电层5026a-5030a的锥形部分，以减少第一导电层与半导体层重叠的区域。这样形成的是第三形状导电层5037-5042(第一导电层5037a-5042a和第二导电层5037b-5042b)。在此点，栅绝缘膜5007没有被第三形状导电层5037-5042覆盖的区域进一步刻蚀并减薄大约20-50nm。
通过第三刻蚀处理形成杂质区5032-5036。分别与第一导电层5037a-5042a重叠的第三杂质区5032a-5036a，和每个都在第一杂质区和第三杂质区之间形成的第二杂质区5032b-5036b。
如图14C所示，具有与第一导电类型相反导电类型的第四杂质区5043-5054在用于形成p沟道TFT的岛状半导体层5004-5006中形成。第三形状导电层5038b和5041b用作阻挡杂质元素的掩膜，杂质区以自对准的方式形成。在此点，用于形成n沟道TFT的岛状半导体层5003和5005以及导线部分5042用抗蚀剂掩膜5200完全覆盖。杂质区5043-5054已经以不同的浓度掺杂了磷。杂质区5043-5054通过离子掺杂用硼烷(B2H6)掺杂，从而在每个区域中硼烷对磷占优，且每个区域包含2×1020-2×1021原子/cm2浓度的杂质元素。
通过上述步骤，杂质区在各自的岛状半导体层中形成。与岛状半导体层重叠的第三形状导电层5037-5041作为栅电极起作用。参考编号5042作为岛状源信号线起作用。
除去抗蚀剂掩膜5200后，实施激活加入到岛状半导体层中杂质元素的步骤以控制导电类型。这个工艺通过使用用于炉退火的炉子的热退火方法实施。另外，可以应用激光退火法或迅速热退火法(RTA法)。在热退火法中，这个工艺在其中氧浓度等于或小于1ppm且优选地等于或小于0.1ppm的氮气氛中400-700℃、典型地500-600℃的温度下实施。本实施方案中，热处理在500℃的温度进行4小时。当用在第三形状导电层5037-5042中的导线材料不耐热时，优选的是在形成夹层绝缘膜(有硅作为主要成分)等之后进行激活以保护导线。
另外，热处理在包含3-100％的氢的气氛中300-450℃的温度下实施1-12小时，从而岛状半导体层被氢化。这个步骤要用热激活的氢终止半导体层中的悬挂键。也可以实施等离子体氢化(使用等离子体激活的氢)作为氢化的另一种方法。
其次，如图15A所示，由氧化氮硅膜形成第一夹层绝缘膜5055到100-200nm厚。在第一夹层绝缘膜上由有机绝缘材料形成第二夹层绝缘膜5056。之后，通过第一夹层绝缘膜5055、第二夹层绝缘膜5056和栅绝缘膜5007形成接触孔。对每条导线(包括连接导线和信号线)5057-5062、和5064形成图形并且被形成，对将与连接导线5062接触的像素电极5063形成图形并且被形成。
具有有机树脂为材料的膜用作第二夹层绝缘膜5056。聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸、BCB(苯并环丁烯，benzocyclobutene)等能用作这种有机树脂。特别是，由于第二夹层绝缘膜5056主要用于平面化而提供，在平整膜上极好的丙烯酸是优选的。本实施方案中，形成具有能充分平整由TFT引起的水平差的厚度的丙烯酸膜。其膜厚优选地设为1-5μm(进一步优选地设为2-4μm)。
在接触孔的形成中，形成到达n型杂质区5017、5018、5021和5023或p型杂质区5043-5054的接触孔、到达电流提供线(没有说明)的接触孔、和到达栅电极(没有说明)的接触孔。
另外，对三层结构的叠层膜以所需的形状形成图形，并用作导线(包括连接导线和信号线)5057-5062和5064。在这种三层结构中，厚度100[nm]的Ti膜、厚度300[nm]的含Ti的铝膜、和厚度150[nm]的Ti膜用溅射法连续形成。然而，也可以用另外的导电膜。
本实施方案中，厚度110nm的ITO膜形成为像素电极5063，并被形成图形。通过这样排列像素电极以致于这个像素电极与连接电极5062接触并与该连接导线5062重叠来造成接触。另外，还可以用通过把2-20％氧化锌(ZnO)与氧化铟混合提供的透明导电膜。该像素电极5063变成OLED的阳极。(见图15A)
如图15B所示，其次形成含硅并具有500nm厚度的绝缘膜(本实施方案中是氧化硅膜)。形成第三夹层绝缘膜5056，其中在对应于像素电极5063的位置形成开口。当形成开口时，开口的侧壁能用湿刻法容易地锥形化。当开口的侧壁不够平缓时，由水平差引起的有机发光层的退化变成值得注意的问题。
其次，有机发光层5066和阴极(MgAg电极)5067在不暴露于大气中时用真空蒸发法连续地形成。有机发光层5066有80-200nm的厚度(典型地，100-120nm)，阴极5067有180-300nm的厚度(典型地，200-250nm)。
这个工艺中，有机发光层根据对应红色的像素、对应绿色的像素和对应兰色的像素顺序地形成。这种情形下，由于有机发光层对溶液没有充分地抵抗力，代替光刻技术，有机发光层必须对每种颜色个别地形成。因而，优选的是用金属掩膜覆盖除了所需像素之外的部分，从而有机发光层只在所需的部分有选择地形成。
就是说，首先放置用于覆盖除了对应于红色的像素之外的所有部分的掩膜，用该掩膜选择性地形成用于发红光的有机发光层。其次，放置用于覆盖除了对应于绿色的像素之外的所有部分的掩膜，用该掩膜选择性地形成用于发绿光的有机发光层。其次，类似地放置用于覆盖除了对应于兰色的像素之外的所有部分的掩膜，用该掩膜选择性地形成用于发兰光的有机发光层。这里，用不同的掩膜，但是代替地可以重复地使用一个掩膜。
这里，使用用于形成对应于RGB的三种OLED的系统。然而，可以使用其中发白光的OLED与滤色器组合的系统、其中发兰光或兰绿光的OLED与荧光物质(荧光颜色转换介质：CCM)组合的系统、利用透明电极使分别对应于R、G和B的OLED与阴极(对面电极)重叠的系统等。
已知的材料可用作有机发光层5066。考虑到驱动电压，有机材料优选地用作已知的材料。例如，包括空穴注入层、空穴输运层、发光层和电子注入层的四层结构优选地用于有机发光层。
其次，使用金属掩膜阴极5067形成包括开关TFT的象素(在同一条线上的像素)上，在象素TFT中，栅电极连接到同样栅信号线上。本实施方案用MgAg作为阴极5067但不限于此。其它已知的材料可以用于阴极5067。
最后，形成由树脂形成并具有300nm厚度的平面化膜5068。实际上，平面化膜5068起着保护有机发光层5066不受潮的作用等。然而，OLED的可靠性能够通过形成平面化膜5068进一步提高。
这样，完成了图15B所示的状态。尽管图中没有给出，根据实施方案3的制造方法，提供密封膜的第二衬底用第二接合层接合到平面化膜5068上。此外，下列的步骤能根据实施方案样式1所示的方法来执行。根据实施方案4中的制造方法，提供密封膜的第二衬底用第二接合层接合到平面化膜5068上。此外，下列的步骤能根据实施方案样式2所示的方法来执行。
在本实施方案中形成发光装置的工艺中，为了电路构造和工艺中的过程的方便，源信号线由作为栅电极的材料的Ta和W形成，栅信号线由作为源和漏电极的导线材料的铝形成。然而，还可以用不同的材料。
本实施方案中的发光装置通过在除了像素部分之外的驱动电路部分中排列最佳结构的TFT具有非常高的可靠性和改善了的工作性能。另外，在晶化工艺中，通过添加诸如Ni的金属催化剂还能改善结晶度。这样，源信号线驱动电路的驱动频率能设为10MHz或更高。
首先，具有用于减少热载流子注入以便于尽可能地不减小运转速度的结构的TFT用作形成驱动电路部分的CMOS电路的n沟道型TFT。这里，驱动电路包括以线顺序驱动的移位寄存器、缓冲器、电平转移电路、锁存器，以点顺序驱动的传输门等。
本实施方案的情形中，n沟道型TFT的有源层包括源区、漏区、通过栅绝缘膜与栅电极重叠的重叠LDD区(Lov区)、通过栅绝缘膜与栅电极不重叠的偏移(offset)LDD区(Loff区)、和沟道形成区。
由CMOS电路的p沟道型TFT中的热载流子注入造成的退化几乎可忽略。因而，没有必要在这个n沟道型TFT中特别地形成LDD区。然而，类似于n沟道型TFT，LDD区能作为热载流子防范措施而形成。
另外，当CMOS用于通过沟道形成区双向流过电流时、即其中源和漏区的作用互相交换的CMOS电路用在驱动电路中时，对于构成CMOS电路的n沟道型TFT优选的是形成LDD区从而沟道形成区夹在LDD区之间。作为其实例，给出用在点顺序驱动中的传输门。当需要用来尽可能地减小关态电流值的CMOS电路用在驱动电路中时，形成CMOS电路的n沟道型TFT优选地有Lov区。用在点顺序驱动中的传输门也作为一个实例同样地给出。
而且，根据本实施方案所示的工艺，光掩膜的数目能减少，其是制造发光装置所需要的。结果是，工艺减少了，这有助于制造成本的减少和生产量的增加。
注意，有可能与实施方案1-5组合来实现实施方案7。
[实施方案8]
实施方案8中，将说明根据本发明使用反转型TFT的发光装置的结构。
图16是给出根据本发明的发光装置的截面视图。在柔性第二衬底602和第三衬底672上形成密封膜601。密封膜601包括无机绝缘膜601a、有机绝缘膜601b和无机绝缘膜601c。
在柔性第二衬底602和第三衬底672之间，形成TFT、OLED和其它元件。本实施方案中，包括在驱动电路610中的TFT604a和包括在像素部分611中的TFT604b和604c作为代表实例给出。
OLED 605包括像素电极640、有机发光层641和阴极642。
TFT 604a包括栅电极613和614、所形成的以便于与栅电极613和614接触的绝缘膜612、和所形成的以便于与绝缘膜612接触的半导体膜615。TFT604b包括栅电极620和621、所形成的以便于与栅电极620和621接触的绝缘膜612、和所形成的以便于与绝缘膜612接触的半导体膜622。TFT604c包括栅电极630、所形成的以便于与栅电极630接触的绝缘膜612、和所形成的以便于与绝缘膜612接触的半导体膜631。
尽管给出了一个实例，其中反转交错型TFT用在根据实施方案3制造的发光装置中，这个实施方案的结构不限于此。反转交错型TFT可以用在根据实施方案4制造的发光装置中。
实施方案8能与实施方案1-5自由组合来实施。
[实施方案9]
实施方案9中，将说明其中接合层通过向其上喷射流体除去的实例。
作为喷射流体的方法，能用从物体上的喷嘴喷射高压水流的方法(称作水喷射法)或在物体上喷射高压气流的方法。在水喷射法的情形中，可以用有机溶剂、酸溶液或碱性溶液代替水。作为气流，可以用空气、氮气、二氧化碳气或稀有气体。而且，还可以用从这些气体得到的等离子体。重要的是根据接合层的材料和不希望除去的衬底和膜的材料选择适当的流体，从而这类膜和衬底不随着接合层的除去而除去。
作为接合层，用多孔硅层或加入了氢、氧、氮或稀有气体的硅层。使用多孔硅层的情形中，非晶硅膜或多晶硅膜可以受到阳极氧化以向其提供所用的孔隙。
图17给出接合层通过水喷射法的除去。在衬底1601和1602之间提供OLED 1604。OLED 1604用绝缘膜1603覆盖。
在衬底1601和OLED 1604之间提供绝缘膜1605和接合层1606。接合层1606与衬底1601接触。尽管在图17中只有OLED代表性地给出，通常在绝缘膜1605和1603之间还提供TFT和其它元件。
接合层1606可以有0.1-900μm(优选地，0.5-10μm)的厚度。实施方案9中，具有1μm的厚度的SOG膜用作接合层1606。
流体1607从喷嘴1608喷射到接合层1606上。为了将流体1607有效地喷射到接合层1606的整个暴露的部分，建议当围绕垂直于衬底1601的中心线旋转接合层1606时，如图17箭头所示，喷射流体。
被施加了1×107-1×109Pa(优选地，3×107-5×108Pa)的压力的流体1607从喷嘴1608喷射到接合层1606的暴露部分上。由于样品旋转，流体1607沿着接合层1606的暴露表面喷射。
当发自喷嘴1608的流体喷射到接合层1606时，接合层由于其脆性造成的冲击而破裂，然后被除去或化学除去。结果是，接合层1606破裂或被除去以使衬底1601和绝缘膜1605互相分离。在通过破裂接合层1606实现分离的情形中，留下的接合层可以用刻蚀除去。
作为流体1607，可以用诸如水、有机溶剂、酸溶液或碱溶液。另外，还可以用空气、氮气、二氧化碳气或稀有气体。而且，还可以用从这些气体得到的等离子体。
实施方案9能与实施方案1-8组合来实施。
[实施方案10]
本实施方案中，外发光量子效率通过使用有机发光材料得到明显的改善，能通过所述有机发光材料采用来自三重态激子的磷光来发光。结果是，OLED的功率消耗能减少，OLED的寿命能延长，且OLED的重量能减轻。
下面是一个用三重态激子改善外发光量子效率的报导(T.Tsutsui，C.Adachi，S.Saito，Photochemical processes inorganized Molecular Systems，ed.K.Honda，(Elesvier Sci.Pub.，Tokyo，1991，p.437.)
上述文章中报导的有机发光材料(香豆素染料)的分子式如下表示。
Figure C0214122700431
(M.A.Baldo，D.F.O’Brien，Y.You，A.Shoustikov，S.Sibley，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Nature 395(1998)p.151)
上述文章中报导的有机发光材料(Pt配合物)的分子式如下表示。
Figure C0214122700441
(M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrows，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，75(1999)p.4.)
(T.Tsutsui，M.-J.Yang，M.Yahiro，K.Nakamura，T.Watanabe，T.Tsuji，Y.Fukuda，T.Wakimoto，S.Mayaguchi，Jpn，Appl.Phys.，38(12B)(1999)L1502)
上述文章中报导的有机发光材料(Ir配合物)的分子式如下表示。
如上所述，如果来自三重态激子的磷光能投入实际应用，它原则上能实现使用来自单重态激子的荧光的情形的三到四倍的外发光量子效率。
根据本实施方案的结构能与实施方案1-9的任何结构的组合自由地实现。
[实施方案11]
有机发光材料构成的膜通常用喷墨法、旋涂法或蒸发法形成。实施方案11中，将说明除了上述方法之外的形成有机发光层的方法。
本实施方案中，用组成有机发光材料的分子组装分散于其中的溶胶溶液(也称作溶胶)，通过溅射在惰性气体气氛下在衬底上形成包含有机发光材料的分子组装的膜。有机发光材料作为颗粒存在，每个都是几个分子在液体中的组装。
图18给出有机发光层650在惰性气体中(本实施方案是氮气)通过从喷嘴喷射合成物的形成。合成物通过在甲苯中分散作为有机发光材料的铱配合物三(2-苯基吡啶)铱(tris(2-phenypyridine)iridium)(Ir(ppy)3)和作为基质(host)的有机发光材料bathocupuroine(BCP)(下面称作基质材料)得到。
图18中，用掩膜651选择性地形成有机发光层650以具有25-40nm的厚度。铱配合物和BCP都溶于甲苯。
实际上，有些情形中有机发光层用在单层形式中而其它情形中其用在多层形式中。在有机发光层具有多层结构的情形中有机发光层650的形成之后另一个(其它)有机发光层在以类似的方式形成。这种情形中，所有淀积的有机发光层合起来称作有机发光层。
本实施方案的膜形成方法不管液体中的有机发光材料处于任何状态都允许膜形成。特别地，该方法允许高质量的有机发光层用很难溶解的有机发光材料形成。而且，由于通过使用载体气体喷射含有机发光材料的液体形成膜，可以在很短的时间周期内实现膜形成。更进一步，本实施方案中，掩膜用于形成具有所需图形的膜，从而膜形成通过掩膜的开口进行。此外，为了充分地使用昂贵的有机发光材料，有可能收集粘在掩膜上的有机发光材料用于重复使用。
因为不能使用对溶剂具有高溶解度的有机发光材料，喷墨法和旋涂法有局限。因为不能使用在蒸发之前分解的有机材料，蒸发法有局限。然而，本实施方案的膜形成方法不受上述限制的影响。
作为适于本实施方案的膜形成方法的有机发光材料的实例，给出二羟基喹啉并吖啶(quinacridon)、三(2-苯基吡啶)铱(tris(2-phenylpyridine)iridium)、7二苯基-1，10菲罗啉(bathocuproine)、聚(1，4-亚苯基亚乙烯基(poly(1，4-phenylenevinylene))、聚(1，4-萘亚乙烯基(poly(1，4-naphthalenevinylene))、聚(2-苯基-1，4-亚苯基亚乙烯基)(poly(2-phenyl-1，4-phenylenevinylene)、聚噻吩(polythiophene)、聚(3-苯基噻吩)(poly(3-phenylthiophene))、聚(1，4-亚苯基)(poly(1，4-phenylene))、聚芴(poly(2，7-fluorene))。
实施方案11的结构能与实施方案1-10的任何一个自由组合实施。
[实施方案12]
本实施方案给出实施方案12中通过本发明得到的发光装置的像素部分更详细的说明。像素部分的顶部结构示于图19A，而其电路图示于图19B。共同的参考符号用在图19A和图19B中以便交叉引用。
开关TFT802有连接到源导线815的源、连接到漏导线805的漏和得自栅导线803的栅电极804a和804b。漏导线805电连接到电流控制TFT806的栅电极807。电流控制TFT806有电连接到电流供给线816的源并有电连接到漏导线817的漏。漏导线817电连接到周虚线表明的像素电极818。参考编号814指EL元件。
这里在819表示的区域中形成存储电容器。存储电容器819由电连接到电流供给线816的半导体膜820、与栅绝缘膜在同一层上的绝缘膜(没有图示)和栅电极807组成。由栅电极807、与第一夹层绝缘膜同样的层(没有图示)和电流供给线816组成的电容器也可以用作存储电容器。
本实施方案12能与实施方案1-11组合。
[实施方案13]
本实施方案参考图20给出发光装置的电路结构的实例。本实施方案所示的电路结构用于数字驱动。根据本实施方案的结构有源侧驱动电路901、像素部分906和栅侧驱动电路907。
源侧驱动电路901配备有移位寄存器902、锁存器(A)903、锁存器(B)904和缓存器905。在模拟驱动的情形中，提供取样电路(转移门)代替锁存器(A)和(B)。栅侧驱动电路907配备有移位寄存器908和缓冲器909。然而，缓冲器909不总是必须提供。
本实施方案中，像素部分906包括多个像素，其每一个配备有OLED。优选的是OLED的阴极电连接到电流控制TFT的漏上。
源侧驱动电路901和栅侧驱动电路907由根据实施方案2-4得到的n沟道TFT或p沟道TFT组成。
虽然没有示出，可以穿过像素部分906在栅侧驱动电路907对面加入另一个栅侧驱动电路。这个情形中，两个栅侧驱动电路有同样的结构并共有一个栅导线，从而另一个能代替损坏的一个发送栅信号以使得像素部分正常工作。
本实施方案能与实施方案1-12组合。
[实施方案14]
由于是自发光，使用发光元件的发光装置比液晶显示装置在亮的部位有更高的可见度和更宽的视角。因而，发光装置能用于各种电子设备的显示单元。
作为采用根据本发明制造的发光装置的电子设备的实例给出的是视频相机、数码相机、护目镜式显示器(头戴式显示器)、导航系统、音频再现装置(诸如汽车音响或音响部件)、膝上计算机、游戏机、便携式信息终端(诸如移动式计算机、蜂窝电话、便携式游戏机和电子图书)、以及装备有记录媒介的图象再现装置(具体地，带有能在诸如数字视频盘(DVD)的记录媒介上再现数据的显示装置的装置)。宽视角对于便携式信息终端特别重要，这是因为当看它们的屏幕时屏幕经常倾斜。因而，对于便携式信息终端优选的是采用使用所述发光元件的发光装置。这些电子设备具体的实例示于图21A-21D。
图21A给出数字静止相机，其组成包括主体2101、显示单元2102、图象接收单元2103、操作键2104、外连接端口2105、快门2106等。根据本发明制造的发光装置能用于显示单元2102。
图21B给出可移动计算机，其组成包括主体2301、显示单元2302、开关2303、操作键2304、红外端口2305等。根据本发明制造的发光装置能用于显示单元2302。
图21C给出护目镜式显示器(头戴式显示器)，其组成包括主体2501、显示单元2502、和臂单元2503。根据本发明制造的发光装置能用于显示单元2502。
图21D给出便携式电话，其组成包括主体2701、外壳2702、显示单元2703、声音输入单元2704、声音输出单元2705、操作键2706、外连接端口2707、天线2708等。根据本发明制造的发光装置能用于显示单元2703。如果显示单元2703在黑背景上显示白字母，则蜂窝电话耗电更少。
如果将来发自有机材料的光亮度提高，则通过透镜等放大含图象信息的输出光并投影该光，发光装置能用在前投式或背投式投影仪中。
这些电子设备现在以提高的频率显示通过诸如Internet和CATV(电缆电视)的电子通讯线发送的信息，具体地，动画信息。由于有机材料有非常快的响应速度，所述发光装置适用于动画显示。
在发光装置中，发光部分耗电，因而优选的是以需要更少发光部分的方式显示信息。当在便携式信息终端、特别是主要显示文字信息的声音再现装置和蜂窝电话的显示单元中使用发光装置时，优选的是如此驱动装置以便于不发光的部分形成背景，发光的部分形成文字信息。
如上所述，本发明的发光装置的应用范围如此之广以致于其适用于任何领域的电子设备。本实施方案的电子设备能采用实施方案1-13所示的任何发光装置。
[实施方案15]
用在OLED中的有机发光材料粗略地分为小分子量材料和高分子量材料。本发明的发光装置能采用小分子量有机发光材料和高分子量有机发光材料。
小分子量有机发光材料通过蒸发形成为膜。这就使得很容易形成叠层结构，并通过层叠诸如空穴输运层和电子输运层的不同功能的膜提高效率。
小分子量有机发光材料的实例包括喹啉作为配体的铝配合物(Alq3)和三苯胺衍生物(TPD)。
另一方面，高分子量有机发光材料在物理上比小分子量材料更坚固，并增强了元件的耐久性。而且，高分子量材料能通过涂敷形成为膜，因而元件的制造相对容易。
使用高分子量有机发光材料的发光元件的结构基本上与使用小分子量有机发光材料的发光元件的结构一样，有阴极、有机发光层和阳极。当有机发光层由高分子量有机发光材料形成时，两层结构在已知的结构中是通用的。这是因为用高分子量材料形成叠层结构不象用小分子量有机发光材料的情形那么困难。具体地，使用高分子量有机发光材料的元件有阴极(Al合金)、发光层、空穴输运层和阳极(ITO)。在使用高分子量有机发光材料的发光元件中，Ca可以用作阴极材料。
发自元件的光的颜色由元件发光层的材料决定。因而，发所需颜色光的发光元件能通过选择合适的材料形成。能用来形成发光层的高分子量有机发光是基于聚对亚苯基亚乙烯基(ployparaphenylenevinylene)的材料、基于聚对亚苯基的材料、基于聚噻吩的材料或基于聚芴的材料。
基于聚对亚苯基亚乙烯基(ployparaphenylene vinylene)的材料是聚(对亚苯基亚乙烯基)(ploy(paraphenylene vinylene))(以PPV表示)的衍生物，例如，聚(2，5-二烷氧基-1，4亚苯基亚乙烯基)(poly(2，5-dialkoxy-1，4phenylene vinylene))(以RO-PPV表示)、聚(2-(2’-乙基-六氧基-5-甲氧基-1，4-亚苯基亚乙烯基(poly(2-(2’-ethyl-hexoxy)-5-metoxy-1，4-phenylenevinylene))(以MEH-PPV表示)、和聚(2-(二烷氧基苯基-1，4亚苯基亚乙烯基)(以ROPh-PPV表示)。
基于聚对亚苯基的材料是聚对亚苯基(以PPP表示)的衍射物，例如，聚(2，5-二烷氧基-1，4亚苯基)(以RO-PPP表示)和聚(2，5-二六氧基-1，4-亚苯基)。
基于聚噻吩的材料是聚噻吩(以PT表示)的衍生物，例如，聚(3-烷基噻吩)(以PAT表示)、聚(3-己基噻吩)(以PHT表示)、聚(3-环己基噻吩)(以PCHT表示)、聚(3-环己基-4-甲基噻吩)(以PCHMT表示)、聚(3，4-二环己基噻吩)(以PDCHT表示)、聚[3-(4-辛基苯基)-噻吩](以POPT表示)、和聚[3-(4-辛基苯基)-2，2二噻吩)](以PTOPT)表示。
基于聚芴的材料是聚芴(以PF表示)的衍生物，例如，聚(9-9-二烷基芴)(以PDAF)和聚(9-9二辛基芴)(以PDOT表示)。
如果由能输运空穴的高分子量有机发光材料形成的层夹在阳极和发光的高分子量有机发光材料之间，则空穴自阳极的注入得到改善。该空穴输运材料通常与受体材料一起溶于水，溶液通过旋涂等涂敷。由于空穴输运材料不溶于有机溶剂，其膜能与上述发光的有机发光材料形成叠层。
能输运空穴的高分子量有机发光材料通过把PEDOT与作为受体材料的樟脑磺酸(camphor sulfonic acid)(以CSA表示)混合得到。也可以用作为受体材料的聚苯乙烯磺酸(以PSS表示)和聚苯胺(以PANI)的混合物。
本实施方案的结构可以与实施方案1-14的任何结构自由地组合。
根据本发明，上面形成了OLED的整个衬底在真空中用具有密封膜的塑料膜密封，由此增加防止由于湿气和氧引起的OLED的退化并增加OLED稳定性的作用。本发明因而能提供高度可靠的发光装置。
本发明具有包括多个无机绝缘膜的叠层结构，即使无机绝缘膜中的一个破裂了，余下的无机绝缘膜有效地防止湿气和氧进入有机发光层。因为有多个无机绝缘膜的叠层结构，即使多个无机绝缘膜的质量在无机绝缘膜的形成过程中由于低温而退化，本发明也能有效地防止湿气和氧进入有机发光层。
如果在内应力上比无机绝缘膜小的有机绝缘膜插入在无机绝缘膜之间，整个绝缘膜的内应力能得到释放。比起具有与夹有有机绝缘膜的无机绝缘膜的总厚度一样的厚度的单层无机绝缘膜，由内应力引起的破裂在夹有有机绝缘膜的无机绝缘膜中发生的次数更少。
因此，即使夹有有机绝缘膜的无机绝缘膜的总厚度等于单层无机绝缘膜的厚度，夹有有机绝缘膜的无机绝缘膜在防止湿气和氧进入有机发光层上比单层无机绝缘膜更有效。而且，夹有有机绝缘膜的无机绝缘膜对于防止由内应力引起的破裂是有力的。

Claims (47)

1.一种发光装置，所述发光装置包括：
第一塑料衬底；
第二塑料衬底；
在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间形成的发光元件；
覆盖第一塑料衬底和第二塑料衬底的多个绝缘膜；和
覆盖多个绝缘膜的塑料膜，
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
2.根据权利要求1的发光装置，其中该多个绝缘膜的每一个包括：
覆盖第一塑料衬底和第二塑料衬底的第一绝缘膜；
覆盖第一绝缘膜的第二绝缘膜；和
覆盖第二绝缘膜的第三绝缘膜；
其中第一绝缘膜和第三绝缘膜包括无机绝缘膜，且
第二绝缘膜包括有机绝缘膜。
3.根据权利要求1和2中任何一个的发光装置，其中第二塑料衬底是柔性的。
4.根据权利要求1和2中任何一个的发光装置，其中第二塑料衬底包括选自包括聚醚砜、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的一个。
5.一种发光装置，所述发光装置包括：
塑料衬底；
在塑料衬底上形成的发光元件；
覆盖塑料衬底和发光元件的多个绝缘膜；
覆盖多个绝缘膜的塑料膜；以及
塑料膜中的干燥剂；
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
6.根据权利要求5的发光装置，其中该多个绝缘膜的每一个包括：
覆盖第一绝缘膜的第二绝缘膜；
覆盖第二绝缘膜的第三绝缘膜；以及
覆盖第三绝缘膜的塑料膜，
其中第一绝缘膜和第三绝缘膜包括无机绝缘膜，且
第二绝缘膜包括有机绝缘膜。
7.根据权利要求2和6中任何一个的发光装置，其中第一绝缘膜和第三绝缘膜中至少一个包括选自包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝和氮氧化硅铝中的一个。
8.根据权利要求2和6中任何一个的发光装置，其中第二绝缘膜包括选自包括聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯、环氧树脂、聚乙烯、聚四氟乙烯、聚苯乙烯、聚(p-亚苯基亚乙烯基)、聚氯乙烯、和基于聚对苯二甲撑的树脂中的一个。
9.根据权利要求1的发光装置，其中第一塑料衬底是柔性的。
10.根据权利要求1和5中任何一个的发光装置，其中塑料膜是柔性的。
11.根据权利要求5的发光装置，其中塑料衬底包括选自包括聚醚砜、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的一个。
12.根据权利要求1和5中任何一个的发光装置，其中塑料膜包括选自包括聚酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氟乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸乙二醇酯、和尼龙中的一个。
13.根据权利要求1和5中任何一个的发光装置，其中发光装置至少被引入选自包括视频相机、数码相机、护目镜式显示器、个人计算机、和便携式电话中的一个。
14.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
将夹有发光元件的第一塑料衬底和第二塑料衬底放入袋状塑料膜中，该塑料膜的内部用多个绝缘膜的层覆盖；
排除袋状塑料膜的气体；以及
关闭袋状塑料膜的口，
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
15.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
将具有在塑料衬底上形成有发光元件的塑料衬底放入袋状塑料膜中，该塑料膜的内部用多个绝缘膜的层覆盖；
排除袋状塑料膜的气体；以及
关闭袋状塑料膜的口，
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
16.根据权利要求14和15中任何一个制造发光装置的方法，其中塑料膜包括选自包括聚醚砜、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的一个。
17.根据权利要求14和15中任何一个制造发光装置的方法，其中塑料膜包括选自包括聚酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氟乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸乙二醇酯、和尼龙中的一个。
18.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
在第一衬底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件；
形成第二绝缘膜以便于覆盖发光元件；
用第二粘合层把第二衬底接合到第二绝缘膜上；
除去第一粘合层以除去第一衬底并暴露第一绝缘膜；
用第三粘合层把第三衬底接合到第一绝缘膜上；
提供袋状塑料膜，其中多个绝缘膜层叠在袋状塑料膜的内部从而层叠的多个绝缘膜覆盖第二衬底和第三衬底；
排除袋状塑料膜的气体；以及
关闭袋状塑料膜的口，
其中第二衬底和第三衬底包括塑料，并且
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
19.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
在第一衬底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件、薄膜晶体管、和导线线路；
形成第二绝缘膜以便于覆盖发光元件、薄膜晶体管、和导线线路；
用第二粘合层把第二衬底接合到第二绝缘膜上；
除去第一粘合层以除去第一衬底并暴露第一绝缘膜；
用第三粘合层把第三衬底接合到第一绝缘膜上；
除去部分第二衬底、第二绝缘膜和第二粘合层以暴露部分导线线路；
用各向异性导电树脂将导线线路的暴露部分与柔性印刷电路的终端电连接；
提供袋状塑料膜，其中多个绝缘膜层叠在袋状塑料膜的内部从而层叠的多个绝缘膜覆盖第二衬底和第三衬底；
排除袋状塑料膜的气体；以及
关闭袋状塑料膜的口，
其中第二衬底和第三衬底包括塑料，并且
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
20.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
在第一衬底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件、薄膜晶体管、和导线线路；
形成第二绝缘膜以便于覆盖发光元件、薄膜晶体管、和导线线路；
用第二粘合层把第二衬底接合到第二绝缘膜上；
除去第一粘合层以除去第一衬底并暴露第一绝缘膜；
用第三粘合层把第三衬底接合到第一绝缘膜上；
除去部分第三衬底、第一绝缘膜和第三粘合层以暴露部分导线线路；
用各向异性导电树脂将导线线路的暴露部分与柔性印刷电路的终端电连接；
提供袋状塑料膜，其中多个绝缘膜层叠在袋状塑料膜的内部从而层叠的多个绝缘膜覆盖第二衬底和第三衬底；
排除袋状塑料膜的气体；以及
关闭袋状塑料膜的口，
其中第二衬底和第三衬底包括塑料，并且
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
21.根据权利要求18-20中任何一个制造发光装置的方法，其中通过在第一粘合层上喷射流体除去第一粘合层。
22.根据权利要求18-20中任何一个制造发光装置的方法，其中第一粘合层包含硅。
23.根据权利要求22制造发光装置的方法，其中氟化卤素用于除去第一粘合层。
24.根据权利要求18-20中任何一个制造发光装置的方法，其中第一粘合层包含涂敷的氧化硅膜。
25.根据权利要求24制造发光装置的方法，其中氟化氢用于除去第一粘合层。
26.根据权利要求18-20中任何一个制造发光装置的方法，其中激光用于除去第一粘合层。
27.根据权利要求26制造发光装置的方法，其中激光发自从包括脉冲振荡型或连续波型准分子激光器、YAG激光器和YVO4激光器中选出的一种激光器。
28.根据权利要求26制造发光装置的方法，其中激光是选自包括YAG激光器的基波、二次谐波和三次谐波中的一种激光。
29.根据权利要求18-20中任何一个制造发光装置的方法，其中第二衬底和第三衬底中至少一个包括选自包括聚醚砜、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一个。
30.根据权利要求18-20中任何一个制造发光装置的方法，其中塑料膜包括选自聚酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氟乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸乙二醇酯、和尼龙中的一个。
31.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
在第一衬底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件；
形成第二绝缘膜以便于覆盖发光元件；
用第二粘合层把第二衬底接合到第二绝缘膜上；
除去第一粘合层以除去第一衬底并暴露第一绝缘膜；
用第三粘合层把第三衬底接合到第一绝缘膜上；
除去第二粘合层以除去第二衬底并暴露第二绝缘膜；
提供袋状塑料膜，其中多个绝缘膜层叠在袋状塑料膜的内部从而层叠的多个绝缘膜覆盖第二绝缘膜和第三衬底；
排除袋状塑料膜的气体；以及
关闭袋状塑料膜的口，
其中第三衬底包括塑料，并且
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
32.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
在第一衬底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件、薄膜晶体管、和导线线路；
形成第二绝缘膜以便于覆盖发光元件、薄膜晶体管、和导线线路；
用第二粘合层把第二衬底接合到第二绝缘膜上；
除去第一粘合层以除去第一衬底并暴露第一绝缘膜；
用第三粘合层把第三衬底接合到第一绝缘膜上；
除去第二粘合层以除去第二衬底并暴露第二绝缘膜；
除去部分第二绝缘膜以暴露部分导线线路；
用各向异性导电树脂将导线线路的暴露部分与柔性印刷电路的终端电连接；
提供袋状柔性塑料膜，其中多个绝缘膜层叠在内部从而层叠的多个绝缘膜覆盖第二绝缘膜和第三衬底；
排除袋状塑料膜的气体；以及
关闭袋状塑料膜的口，
其中第三衬底包括塑料，并且
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
33.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
在第一衬底上形成第一粘合层；
在第一粘合层上形成第一绝缘膜；
在第一绝缘膜上形成发光元件、薄膜晶体管、和导线线路；
形成第二绝缘膜以便于覆盖发光元件、薄膜晶体管、和导线线路；
用第二粘合层把第二衬底接合到第二绝缘膜上；
除去第一粘合层以除去第一衬底并暴露第一绝缘膜；
用第三粘合层把第三衬底接合到第一绝缘膜上；
除去第二粘合层以除去第二衬底并暴露第二绝缘膜；
除去部分第三衬底、第一绝缘膜、和第三粘合层以暴露部分导线线路；
用各向异性导电树脂将导线线路的暴露部分与柔性印刷电路的终端电连接；
提供袋状柔性塑料膜，其中多个绝缘膜层叠在袋状塑料膜的内部从而层叠的多个绝缘膜覆盖第二绝缘膜和第三衬底；
排除袋状塑料膜的气体；以及
关闭袋状塑料膜的口，
其中第三衬底包括塑料，并且
其中所述多个绝缘膜包括多个无机绝缘膜和夹在所述无机绝缘膜中的有机绝缘膜。
34.根据权利要求31-33中任何一个制造发光装置的方法，其中第一粘合层和第二粘合层中至少一个通过向其上喷射流体除去。
35.根据权利要求31-33中任何一个制造发光装置的方法，其中第一粘合层包含硅。
36.根据权利要求35制造发光装置的方法，其中氟化卤素用于除去第一粘合层。
37.根据权利要求31-33中任何一个制造发光装置的方法，其中第一粘合层包含涂敷的氧化硅膜。
38.根据权利要求37制造发光装置的方法，其中氟化氢用于除去第一粘合层。
39.根据权利要求31-33中任何一个制造发光装置的方法，其中通过照射激光束除去第一粘合层和第二粘合层中至少一个。
40.根据权利要求39制造发光装置的方法，其中激光发自从包括脉冲振荡型或连续波型准分子激光器、YAG激光器和YVO4激光器中选出的一种激光器。
41.根据权利要求39制造发光装置的方法，其中激光是选自包括YAG激光器的基波、二次谐波和三次谐波中的一种激光。
42.根据权利要求31-33中任何一个制造发光装置的方法，其中第三衬底包括选自包括聚醚砜、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的一个。
43.根据权利要求31-33中任何一个制造发光装置的方法，其中塑料膜包括选自聚酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氟乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸乙二醇酯、和尼龙中的一个。
44.根据权利要求31-33中任何一个的发光装置，其中多个绝缘膜中至少一个包括选自包括聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、环氧树脂、聚乙烯、聚四氟乙烯、聚苯乙烯、苯并环丁烯、聚(p-亚苯基亚乙烯基)、聚氯乙烯、和基于聚对苯二甲撑的树脂中的一个。
45.根据权利要求14，15，18-20，和31-33中任何一个的制造发光装置的方法，其中发光装置至少被引入选自包括视频相机、数码相机、护目镜式显示器、个人计算机、和便携式电话中的一个。
46.根据权利要求1、2、5、6之一的发光装置，其中所述有机绝缘膜的内应力小于所述多个无机绝缘膜的内应力。
47.根据权利要求14、15、18-20和31-33之一的发光装置，其中所述有机绝缘膜的内应力小于所述多个无机绝缘膜的内应力。
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