CN100373602C - 一种用于气冷式散热装置的散热片结构和方法 - Google Patents
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Abstract
一种用于从集成电路装置中吸热的增强型散热系统和方法，包括具有上方和下方外表面区域的传热芯。系统还包括具有径向延伸散热片的第一阵列的第一传导环。第一传导环与上方表面区域热耦合。传热芯包括第一阵列，下方外表面区域的大小足以在将散热装置安装在集成电路装置上时允许将元器件安装在母板上并围绕着集成电路装置。
Description
技术领域
本发明大体上涉及一种用于集成电路组件的散热系统和方法，更具体地涉及一种从集成电路装置中散热的系统和方法。
背景技术
集成电路装置、微处理器和其它有关的计算机部件的功率变得越来越大且性能增强，导致了从这些部件中产生的热量增多。这些部件的封装元件和集成电路装置的尺寸降低或保持相同，然而每单位体积、质量、表面积或任何其它度量的这些元器件所散发出的热量不断增加。在现有的封装技术中，散热器通常包括一块平的基板，其一侧安装于集成电路装置上。散热器还包括位于另一侧上的垂直于平基板的散热片阵列。通常来说，集成电路装置(热源)的底面积比散热器的平基板的底面积小得多。散热器的平基板具有较大的底面积，与和母板相接触的集成电路装置相比，平基板需要占用更多的母板面积。较大尺寸的基板使得不与集成电路装置直接接触的基板的最外部分的温度比与集成电路装置直接接触的基板部分的温度低得多。此外，由于与计算机相关的设备的功率变得越来越大，因此在设备中和母板上设置了更多元器件，其进一步需要更多的母板面积。另外，现有技术的散热器设计的基板和与之相连的集成电路装置处于相同层位。因此，散热器的平基板结构通常占用了比安装于母板上的集成电路装置所占用的更大的母板面积。结果，较大底面积的基板妨碍了将其它母板元器件如低成本的电容安装到微处理器的周围或其上。因此，在设计集成电路安装和封装装置时，必须考虑到由许多这种集成电路产生的大量热量以及对母板面积的越来越多的需求。
出于上述原因以及本领域的技术人员在阅读并理解了此说明书后将清楚的下述其它原因，在本领域中需要一种增强型散热装置和方法，其可节约母板面积并允许将电子元器件安装到微处理器周围或其上。
发明内容
本发明提出一种增强型散热装置，包括：传热芯，其中所述传热芯具有实心主体和一轴线，并且所述传热芯具有平行于所述轴线的分开上方和下方外表面区域；和具有径向延伸散热片的第一阵列的第一传导环，所述阵列与所述传热芯的上方外表面区域热耦合，其中第一传导环具有第一外径和第一深度，所述第一外径和第一深度足以提供在第一传导环之下的足够空间，使得在将所述装置安装在集成电路装置上时，可将元器件紧邻地安装在所述下方外表面区域的周围且位于所述第一传导环的下方。
本发明提出一种增强型散热装置，包括：传热芯，其中所述传热芯具有上方和下方外表面区域；具有径向延伸散热片的第一阵列的第一传导环，所述阵列与所述传热芯的上方外表面区域热耦合；该第一阵列包括第一多个折叠片，所述第一多个折叠片包括处于连续带中的多个交错的深、浅折叠部分，使得所述交错的深、浅折叠部分围绕着所述上方外表面区域，其中第一传导环具有第一外径和第一深度，所述第一外径和第一深度足以提供在第一传导环之下的足够空间，使得在将所述装置安装在集成电路装置上时，可将元器件紧邻地安装在所述下方外表面区域的周围且位于所述第一传导环的下方。
本发明提出一种增强型散热装置，包括：传热芯，其中所述传热芯具有上方和下方外表面区域；具有径向延伸散热片的第一阵列的第一传导环，所述第一阵列与所述传热芯的上方外表面区域热耦合；以及与所述下方外表面区域热耦合的第二传导环，其中所述第一传导环具有第一外径，所述第二传导环具有第二外径，所述第二外径小于所述第一外径，所述第二外径的大小足以允许在将所述装置安装在集成电路装置上时能将元器件紧邻地安装在所述第二传导环的周围且位于所述第一传导环的下方。
本发明提出一种散热系统，包括：
具有正面和背面的集成电路装置，所述正面设置在所述背面的相反侧，所述正面与具有元器件的电路板相连；
增强型散热装置，其包括：
与所述集成电路装置的背面相连的传热芯，所述传热芯具有上方和下方芯表面区域，所述上方和下方芯表面区域分别具有第一和第二长度；和
具有第一多个折叠片的第一传导环，所述第一多个折叠片与所述上方芯表面区域热耦合，所述第一多个折叠片围绕着所述上方芯表面区域，所述第一传导环的第一长度足以允许将元器件安装在所述电路板上并处于所述第一传导环的下方。
本发明提出一种散热系统，包括：
具有正面和背面的集成电路装置，所述正面设置在所述背面的相反侧，所述正面与具有元器件的电路板相连；
增强型散热装置，其包括：
与所述集成电路装置的背面相连的传热芯，所述传热芯具有上方和下方芯表面区域，所述上方和下方芯表面区域分别具有第一和第二长度；和
具有第一多个折叠片的第一传导环，所述第一多个折叠片与所述上方芯表面区域热耦合，所述第一多个折叠片围绕着所述上方芯表面区域，所述第一传导环的第一长度足以允许将元器件安装在所述电路板上并处于所述第一传导环的下方，其中所述传热芯还包括基体，所述基体与所述下方芯表面区域紧邻，所述基体和所述集成电路装置的背面具有重合的底面积，使得所述集成电路装置、基体、第一多个折叠片和传热芯的温度在操作期间彼此接近，从而增强了从所述集成电路装置的传热；和
具有第二多个折叠片的第二传导环，所述第二多个折叠片与所述下方芯表面区域热耦合，所述第二传导环具有第二直径，所述第一传导环具有第一直径，所述第二直径小于所述第一直径，并足以允许将元器件安装在所述电路板上且位于所述第一传导环的下方；及
热传输媒介，其中所述传热芯还具有设置在所述基体的相对侧并与所述上方芯表面区域紧邻的顶面，所述热传输媒介与所述顶面相连，使得由所述热传输媒介引入到所述第一多个折叠片上的冷却介质的流向增强了从所述集成电路装置中排热。
本发明提出一种用于形成可从安装于已装配印制电路板上的集成电路装置中排热的增强型散热装置的方法，包括：
形成具有上方和下方芯表面区域的传热芯；形成径向延伸散热片的第一阵列；从所形成的第一阵列中形成第一传导环，其中所述第一传导环具有第一直径；和将所述第一传导环与所述上方芯表面区域相连，使得所述下方芯表面区域在所述第一传导环下方具有足够的空间，从而允许在安装到所述集成电路装置上时可将元器件安装在所述集成电路装置的周围。
本发明提出一种用于形成可从安装于已装配印制电路板上的集成电路装置中排热的增强型散热装置的方法，包括：形成具有上方和下方芯表面区域的传热芯；形成径向延伸散热片的第一阵列；从所形成的第一阵列中形成第一传导环，其中所述第一传导环具有第一直径；和将所述第一传导环与所述上方芯表面区域相连，使得所述下方芯表面区域在所述第一传导环下方具有足够的空间，从而允许在安装到所述集成电路装置上时可将元器件安装在所述集成电路装置的周围；形成径向延伸散热片的第二阵列；从所形成的第二阵列中形成第二传导环，其中所述第二传导环具有第二直径，所述第二直径小于所述第一直径的一半；和将所述第二传导环与所述下方芯表面区域相连，使得所述第二直径的大小足以允许将元器件安装在所述集成电路装置的周围并处于所述第一传导环的下方。
附图说明
图1是连接在位于已装配母板上的微处理器上的现有技术的散热器的立体图。
图2是根据本发明的增强型散热装置的一个实施例的立体图。
图3是显示了连接在位于已装配母板上的微处理器上的图2所示增强型散热装置的立体图。
图4是形成图2所示散热装置的代表性方法的流程图。
具体实施方式
在实施例的下述详细介绍中，将参考描述了本发明及其实施的附图。在所有的图中，相似的标号表示基本上类似的元件。这些实施例被充分详细地介绍，以使本领域的技术人员可以实施本发明。也可采用其它的实施例，在不脱离本发明的范围的前提下可进行结构上、逻辑上和电子上的变化。另外应当理解，虽然本发明的各实施例不相同，然而它们并不相互排斥。例如，在一个实施例中介绍的一个特定特征、结构或特性可包括在其它的实施例中。因此，下述详细介绍并无限制意义，本发明的范围只由所附权利要求及其等效设置的全部范围来限定。
本申请介绍了一种增强型散热装置，其可将电子元器件安装在微处理器上，同时通过采用当前可得的大批量制造技术来保持较高的性能和成本效率。
图1显示了安装在已装配母板130的微处理器120上的现有技术的散热器110的立体图100。在图1中还显示了安装在散热器110周围和母板130上的低成本的电容140。
现有技术的散热器100具有平的基板150，其包括从平基板150上垂直地延伸出的散热片160的阵列。散热器110的这种结构采用了平基板110，以及用于从微处理器120中散热的散热片160的阵列。采用图1所示的现有技术的散热器110来增加散热通常需要扩大平基板150和/或散热片160的阵列的表面积。这又导致占用了更多的母板面积。通常来说，微处理器120(热源)具有比图1所示散热器110的平基板150的结构更小的底面积。平基板150的较大底面积使得平基板150的最外部分(不与集成电路装置直接接触的部分)具有比与集成电路装置直接接触的基板150的部分低得多的温度。因此，现有技术的带有较大平基板150的散热器110并不能有效地从集成电路装置中散热。此外，封装元件和集成电路装置的尺寸在减小，而由这些元器件产生的热量却在增加。现有技术的散热器110的结构使得散热片160的阵列延伸到平基板150的边缘以从集成电路装置中吸热。而且，现有技术的散热器110需要增大散热片160阵列的尺寸来增强散热。为了在侧向上扩大散热片160，平基板150的尺寸必须加大。扩大平基板150的尺寸占用了更多的母板面积。在系统封装密度增加且形成连续的更高性能的集成电路装置的情况下，占用更多的母板面积通常来说并不是可行的选择。而且，现有技术的散热器110和于其上的集成电路装置处于相同层位。从图1中可看出，安装在微处理器120上的现有技术的散热器110的平基板150的结构通常妨碍了其它母板元器件如低成本的电容140安装在微处理器120的周围。
图2是根据本发明的增强型散热装置200的一个实施例的立体图。图2所示的此增强型散热装置200包括传热芯210和第一传导环220。另外，图2所示的传热芯210具有上方外表面区域230和下方外表面区域240。第一传导环220包括径向延伸的散热片250的第一阵列。包括径向延伸散热片250的第一阵列的第一传导环220与传热芯210的上方外表面区域230热耦合。图2还显示了与传热芯210的下方外表面区域240热耦合的可选的第二传导环290。
传热芯具有轴线260。在一些实施例中，上方外表面区域230和下方外表面区域240与轴线260平行。传热芯210还具有基体270。在一些实施例中，基体270设置成使其紧邻于下方外表面区域240并与轴线260正交。上方外表面区域230和下方外表面区域240与轴线260同心。
第一传导环220与上方外表面区域热耦合，使得在将装置200安装在集成电路装置上时，可将元器件紧邻地安装在下方外表面区域的周围且位于第一传导环下方。在一些实施例中，元器件可安装在集成电路装置上而不会与装置200形成机械干涉。
传热芯210可以是实心体。此实心体可以为圆柱形、锥形、方形、矩形，或者是任何其它便于安装在集成电路装置上并将第一传导环220与上方外表面区域230相连的类似形状。传热芯210可包括热传输媒介，例如一个或多个热管、液体、热虹吸管，或者其它可增强从集成电路装置中散热的热传输媒介。包括传热芯210和第一传导环220在内的装置200可由例如铝、铜或其它可从集成电路装置中散热的材料制成。
径向延伸散热片250的第一阵列可由第一多个折叠片构成。第一多个折叠片也可由连续带所形成的交错的深、浅折叠部分280和285构成，使得这些交错的深、浅折叠部分280和285围绕在上方外表面区域230周围。浅折叠部分具有第一深度，深折叠部分具有第二深度，并且第一深度小于第二深度。传热芯210具有多个平行于轴线260并围绕着上方外表面区域230的槽287。第一多个折叠片与多个槽287相连。
第一传导环220具有第一外径，第二传导环290具有第二外径。第二外径小于第一外径。第一传导环220具有第一深度，第二传导环290具有第二深度。具有第一和第二深度的第一和第二外径的大小足以在将装置安装在集成电路装置上时允许将元器件安装在集成电路装置的周围并与之紧邻。
第二传导环290具有径向延伸散热片292的第二阵列。径向延伸散热片的第二阵列与传热芯210的下方外表面区域240热耦合。第二阵列包括第二多个折叠片。第二多个折叠片可与图2所示的第一多个折叠片类似地由连续带的多个交错的深、浅折叠部分构成。
图3是显示了连接在位于已装配母板130上的微处理器120上的图2所示散热装置200的立体图300。在图3所示的示例性实施例中，微处理器120具有正面340和背面330。正面340设置在背面330的相反侧。正面340连接在具有元器件如低成本电容140和其它这种电子元器件的已装配母板130上。增强型散热装置200的如图2所示的基体270连接在微处理器120的背面330上。从图3中可以看出，包括第一多个折叠片250和第二多个折叠片292在内的第一传导环220和第二传导环290的大小足以允许将安装于装配母板130上的低成本电容140安装在微处理器120的周围。还可以看出，低成本电容140处于第一传导环220下方并围绕着第二传导环290。
另外，从图3中可看出，第一传导环220比第二传导环290更大，因而增加了散热速率，而且不会使散热装置200的基体270所占用的底面积增大到超过微处理器120的背面330占用的底面积。散热装置200的基体270和微处理器120的背面330的相重合的底面积使得基体270和微处理器120的背面330具有相同的传热速率。这又增加了基体270和微处理器120的背面330之间的传热效率。
传热芯210还具有位于基体270对面的顶面275。在一些实施例中，顶面275与轴线260正交并紧邻于第二传导环290。在顶面275上可连接热传输媒介，以便沿图2所示的方向引入传热介质297如空气，从而增强了散热装置200的散热。热传输媒介295如热管或其它媒介可包括于传热芯210中，以进一步增强散热装置200的传热。
图4是大致显示了形成可从安装于已装配印制电路板上的集成电路装置中排热的增强型散热装置的方法400的流程图。图4所示的方法400始于操作410，其用于形成具有上、下芯表面区域的传热芯。下一操作420需要形成径向延伸散热片的第一阵列。下一操作430用于从所形成的径向延伸散热片的第一阵列中形成具有第一直径的第一传导环。下一操作440需要将第一传导环连接在上方芯表面区域上，使得下方芯表面区域具有位于第一传导环下方的足够空间，从而允许将元器件安装在下方芯表面区域的周围并与之紧邻。
在一些实施例中，形成径向延伸散热片的第一阵列还包括形成第一传导带，从第一传导带中形成深、浅折叠部分的第一交错系列，并从所形成的深、浅折叠部分的第一交错系列中形成第一传导环。
在一些实施例中，方法400还包括形成径向延伸散热片的第二阵列，并从所形成的第二阵列中形成具有第二直径的第二传导环。另外，第二传导环与传热芯的下方芯表面区域相连，使得第二直径足以允许将元器件安装在集成电路装置周围。在一些实施例中，形成径向延伸散热片的第二阵列还包括形成第二传导带，从第二传导带中形成深、浅折叠部分的第二交错系列，并从所形成的深、浅折叠部分的第二交错系列中形成第二传导环。第二传导环的第二直径小于第一传导环的第一直径。
在一些实施例中，增强型散热装置由传热材料制成，例如铜、铝或任何其它可从集成电路装置中排热的这种材料。在一些实施例中，传热芯可包括热传输媒介，例如一个或多个热管、液体、热虹吸管，或者其它适于增强从集成电路装置中排热的类似热传输媒介。结论
上述装置和方法提供了一种采用径向延伸散热片的阵列的增强型散热装置，其可允许将电子元器件安装在装有此散热装置的集成电路装置的周围，同时通过采用当前可得的大批量制造技术来保持较高的性能和成本效率。
Claims (30)
1.一种增强型散热装置，包括：
传热芯，其中所述传热芯具有实心主体和一轴线，并且所述传热芯具有平行于所述轴线的分开上方和下方外表面区域；和
具有径向延伸散热片的第一阵列的第一传导环，所述阵列与所述传热芯的上方外表面区域热耦合，其中第一传导环具有第一外径和第一深度，所述第一外径和第一深度足以提供在第一传导环之下的足够空间，使得在将所述装置安装在集成电路装置上时，可将元器件紧邻地安装在所述下方外表面区域的周围且位于所述第一传导环的下方。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传热芯还具有基体，所述基体设置成与所述轴线正交并紧邻于所述下方外表面区域。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述上方和下方外表面区域与所述轴线同心。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述元器件可安装在所述集成电路装置上而不会与所述装置形成机械干涉。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传热芯具有从包括圆柱形、锥形、方形和矩形的组中选出的外形状。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传热芯和径向延伸散热片的第一阵列由从包括铝、铜的组中选出的材料制成。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一阵列包括第一多个折叠片。
8.一种增强型散热装置，包括：
传热芯，其中所述传热芯具有上方和下方外表面区域；
具有径向延伸散热片的第一阵列的第一传导环，所述阵列与所述传热芯的上方外表面区域热耦合；该第一阵列包括第一多个折叠片，所述第一多个折叠片包括处于连续带中的多个交错的深、浅折叠部分，使得所述交错的深、浅折叠部分围绕着所述上方外表面区域，其中第一传导环具有第一外径和第一深度，所述第一外径和第一深度足以提供在第一传导环之下的足够空间，使得在将所述装置安装在集成电路装置上时，可将元器件紧邻地安装在所述下方外表面区域的周围且位于所述第一传导环的下方。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述浅折叠部分具有第一深度，所述深折叠部分具有第二深度，所述第一深度小于所述第二深度。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述传热芯具有多个平行于所述轴线并围绕着所述上方外表面区域的槽，所述第一多个折叠片与所述多个槽相连。
11.一种增强型散热装置，包括：
传热芯，其中所述传热芯具有上方和下方外表面区域；
具有径向延伸散热片的第一阵列的第一传导环，所述第一阵列与所述传热芯的上方外表面区域热耦合；以及
与所述下方外表面区域热耦合的第二传导环，其中所述第一传导环具有第一外径，所述第二传导环具有第二外径，所述第二外径小于所述第一外径，所述第二外径的大小足以允许在将所述装置安装在集成电路装置上时能将元器件紧邻地安装在所述第二传导环的周围且位于所述第一传导环的下方。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第二传导环具有径向延伸散热片的第二阵列，所述第二阵列与所述传热芯的下方外表面区域相连。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第二阵列包括第二多个折叠片。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第二多个折叠片包括：
处于连续带中且围绕着所述下方外表面区域的多个交错的深、浅折叠部分。
15.一种散热系统，包括：
具有正面和背面的集成电路装置，所述正面设置在所述背面的相反侧，所述正面与具有元器件的电路板相连；
增强型散热装置，其包括：
与所述集成电路装置的背面相连的传热芯，所述传热芯具有上方和下方芯表面区域，所述上方和下方芯表面区域分别具有第一和第二长度；和
具有第一多个折叠片的第一传导环，所述第一多个折叠片与所述上方芯表面区域热耦合，所述第一多个折叠片围绕着所述上方芯表面区域，所述第一传导环的第一长度足以允许将元器件安装在所述电路板上并处于所述第一传导环的下方。
16.根据权利要求15所述的系统，其特征在于，所述传热芯还包括基体，所述基体与所述下方芯表面区域紧邻，所述基体和所述集成电路装置的背面具有重合的底面积，使得所述集成电路装置、基体、第一多个折叠片和传热芯的温度在操作期间彼此接近，从而增强了从所述集成电路装置的传热。
17.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：
热传输媒介，其中所述传热芯还具有设置在所述基体的相对侧并与所述上方芯表面区域紧邻的顶面，所述热传输媒介与所述顶面相连，使得由所述热传输媒介引入到所述第一多个折叠片上的冷却介质的流向增强了从所述集成电路装置中排热。
18.根据权利要求15所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：
具有第二多个折叠片的第二传导环，所述第二多个折叠片与所述下方芯表面区域热耦合，所述第二传导环具有第二直径，所述第一传导环具有第一直径，所述第二直径小于所述第一直径，并足以允许将元器件安装在所述电路板上且位于所述第一传导环的下方。
19.一种散热系统，包括：
具有正面和背面的集成电路装置，所述正面设置在所述背面的相反侧，所述正面与具有元器件的电路板相连；
增强型散热装置，其包括：
与所述集成电路装置的背面相连的传热芯，所述传热芯具有上方和下方芯表面区域，所述上方和下方芯表面区域分别具有第一和第二长度；和
具有第一多个折叠片的第一传导环，所述第一多个折叠片与所述上方芯表面区域热耦合，所述第一多个折叠片围绕着所述上方芯表面区域，所述第一传导环的第一长度足以允许将元器件安装在所述电路板上并处于所述第一传导环的下方，其中所述传热芯还包括基体，所述基体与所述下方芯表面区域紧邻，所述基体和所述集成电路装置的背面具有重合的底面积，使得所述集成电路装置、基体、第一多个折叠片和传热芯的温度在操作期间彼此接近，从而增强了从所述集成电路装置的传热；和
具有第二多个折叠片的第二传导环，所述第二多个折叠片与所述下方芯表面区域热耦合，所述第二传导环具有第二直径，所述第一传导环具有第一直径，所述第二直径小于所述第一直径，并足以允许将元器件安装在所述电路板上且位于所述第一传导环的下方；及
热传输媒介，其中所述传热芯还具有设置在所述基体的相对侧并与所述上方芯表面区域紧邻的顶面，所述热传输媒介与所述顶面相连，使得由所述热传输媒介引入到所述第一多个折叠片上的冷却介质的流向增强了从所述集成电路装置中排热。
20.根据权利要求19所述的系统，其特征在于，所述集成电路装置为微处理器。
21.根据权利要求19所述的系统，其特征在于，所述传热芯具有从包括圆柱形、锥形、方形和矩形的组中选出的外形状。
22.一种用于形成可从安装于已装配印制电路板上的集成电路装置中排热的增强型散热装置的方法，包括：
形成具有上方和下方芯表面区域的传热芯；
形成径向延伸散热片的第一阵列；
从所形成的第一阵列中形成第一传导环，其中所述第一传导环具有第一直径；和
将所述第一传导环与所述上方芯表面区域相连，使得所述下方芯表面区域在所述第一传导环下方具有足够的空间，从而允许在安装到所述集成电路装置上时可将元器件安装在所述集成电路装置的周围。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，形成所述径向延伸散热片的第一阵列还包括：
形成第一传导带；
从所述第一传导带中形成深、浅折叠部分的第一交错系列；和
从所形成的深、浅折叠部分的第一交错系列中形成第一传导环。
24.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，在形成传热芯步骤中，所述传热芯具有从包括圆柱形、锥形、方形和矩形的组中选出的外形状。
25.一种用于形成可从安装于已装配印制电路板上的集成电路装置中排热的增强型散热装置的方法，包括：
形成具有上方和下方芯表面区域的传热芯；
形成径向延伸散热片的第一阵列；
从所形成的第一阵列中形成第一传导环，其中所述第一传导环具有第一直径；和
将所述第一传导环与所述上方芯表面区域相连，使得所述下方芯表面区域在所述第一传导环下方具有足够的空间，从而允许在安装到所述集成电路装置上时可将元器件安装在所述集成电路装置的周围；
形成径向延伸散热片的第二阵列；
从所形成的第二阵列中形成第二传导环，其中所述第二传导环具有第二直径，所述第二直径小于所述第一直径的一半；和
将所述第二传导环与所述下方芯表面区域相连，使得所述第二直径的大小足以允许将元器件安装在所述集成电路装置的周围并处于所述第一传导环的下方。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，形成所述径向延伸散热片的第二阵列还包括：
形成第二传导带；
从所述第二传导带中形成深、浅折叠部分的第二交错系列；和
从所形成的深、浅折叠部分的第二交错系列中形成第二传导环。
27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将集成电路装置连接到所述传热芯上。
28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，所述集成电路装置包括微处理器。
29.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，所述传热芯、第一传导环和第二传导环由传热材料制成。
30.根据权利要求29所述的方法，其特征在于，所述传热芯、第一传导环和第二传导环由从包括铝、铜的组中选出的材料制成。
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