CN100394626C - 压电元件及利用该压电元件的触摸屏 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种压电元件及利用该压电元件的触摸屏。压电元件包括一衬底、一在衬底上的下电极，一在下电极上的压电层、及一在压电层上的上电极。上电极包括一共用基部和多个自基部延伸的平行分支。分支以正则区间或间距λ排列。下电极通过压电层面向上电极的分支。压电层的厚度h和分支间距λ确定为满足不等式0.005≤h/λ≤0.1。下电极具有不超过0.1%的小丘出现率。

Description

压电元件及利用该压电元件的触摸屏
技术领域
本发明涉及一种压电元件，以产生或接收表面声波。本发明还涉及一种并入压电元件的表面声波(SAW)触摸屏，该压电元件用作波发生器或接收器。
背景技术
触摸屏或触摸面板被用作数据输入单元，使得用户与用于例如工厂自动化设备、办公室自动化设备或自动测量装置的计算机系统互相作用。众所周知，触摸屏是一种压敏装置，其设计为探测屏幕上例如用户用他或她的手指触摸的一个区域。计算机系统根据通过触摸屏探测到的一个位置信息和其他必需数据，执行所需的数据处理。
近来，表面声波(SAW)触摸屏引起人们注意，其中基于表面声波(SAW)探测被触摸的区域。一种典型的表面声波触摸屏包括一个透明衬底，其具有一探测区域和一包围该探测区域的边缘区域。边缘区域设置有多个压电元件作为波发生器或者波接收器。表面声波触摸屏的例子在日本专利申请公开号JP-A 06-149459和JP-A 10-55240中被公开。
传统用作波发生器或者接收器的压电元件包括以图案装饰在边缘区域上的用于每一个元件的交叉传感器(IDT)和形成在边缘区域上以覆盖IDT的压电层。该IDT包括一对梳状导体，每一个具有规定数目的平行指状电极(导电分支)。一梳状导体的指状电极与另一梳状导体的指状电极交替平行排列。压电层由压电材料形成，其表现出压电效应(应用机械应力导致电极化产生)和反压电效应(应用电压导致机械变形的产生)。
施加交流电压到压电元件的IDT，在毗邻的指状电极间产生电场。因此，由于反压电效应，在压电层中产生机械形变，由此在压电层中产生弹性波。在此过程中，最强的激发波为波长等于IDT指状电极的斜度的波。产生的弹性波沿衬底表面传播，以到达接收波(wave-receiving)的压电元件。在这些波接收器中，由于压电层中的压电效应，IDT的指状电极之间产生交变电场。从而，产生一个电动势，自IDT输出交流电流。
在SAW触摸屏操作中，产生波的压电元件产生表面声波。表面声波经由衬底探测区域传播，通过特定的用作波接收器的压电元件接收。当使手指与探测区域上的一个区域接触时，表面声波的幅度在波经过接触点时降低。探测并分析波的衰减，以定位探测区域中的接触点。
在SAW触摸屏中，压电元件的电-机械转换率应尽可能高，以获得驱动电压的下降和提高探测精度。特别的，通过高电-机械转换率，每一个压电元件能响应施加的电压(当用作波发生器时)有效产生弹性波，或能响应接收的弹性波(当用作波接收器时)有效输出交流电流。在此情形下，对于压电元件输入信号和输出信号之间的插入损失很小，由此实现驱动电压的下降和探测精度的提高。
然而，在传统的SAW触摸屏中，压电元件不具有足够高的电-机械转换率以获得期望的驱动电压的下降和探测精度的提高。
发明内容
在上述情况下提出本发明。因此，本发明的一个目的为提供具有比传统元件更高的电-机械转换率的压电元件。本发明的另一目的为提供一种SAW触摸屏，该SAW触摸屏包括有用作波发生器或者波接收器的压电元件。
根据本发明的第一个方案，提供一种压电元件，包括：一衬底；一压电层，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第一表面面向衬底，压电层厚度为h；一第一电极，置于衬底和压电层的第一表面之间；及一第二电极，与压电层的第二表面接触。第一电极和第二电极其中之一包括一共用基部和多个自该基部延伸的平行分支，分支间彼此被规定间距λ隔开。第一电极和第二电极的另一个包括通过压电层面向分支的部分。厚度h和分支间距λ确定为满足不等式0.005≤h/λ≤0.1。此外，第一电极具有不超过0.1％的小丘出现率。
上面阐明的厚度h和间距λ的设置有利于在压电元件中提供高的电-机械转换率。然而，在已知技术的器件中，由于压电层的厚度h制造的非常小，即使满足上述关系0.005≤h/λ≤0.1，也未能获得足够高的电-机械转换率。据此，根据本发明，第一电极的小丘出现率不超过0.1％。发明人已发现这样低的小丘出现率保证所需的高电-机械转换率，即使当压电层的厚度h非常小的时候(例如在微米量级)。小丘出现率的定义在下面优选实施例的详细说明中描述。
优选地，共用的基部和分支可属于第一电极。
优选地，第一电极可由含有0.1-3.0重量百分比的、选自Ti，Cr，Ni，Cu，Zn，Pd，Ag，Hf，W，Pt和Au组成的集合中的一种金属的铝合金形成。这种设置使得第一电极的小丘出现率等于或小于0.1％。这是因为铝合金具有较纯铝更小的热膨胀系数。
优选地，压电层可由掺Mn的ZnO形成。这种设置有利于防止例如第一电极中包含的Al扩散进入压电层中。因此，压电元件能够维持高的电-机械转换率。
根据本发明的第二个方案，提供一种触摸屏，包括：一衬底，包括一探测区域和一边缘区域，包围该探测区域；一波发生器，设置在该边缘区域，用于在衬底产生表面声波；及一波接收器，设置在该边缘区域，用于接收该表面声波。此外，每一个波发生器和波接收器包括：一压电层，其具有一面向该衬底的第一表面及一相对于该第一表面的第二表面，该压电层厚度为h；一第一电极，设置在该衬底和该压电层的第一表面之间；及一第二电极，与该压电层的第二表面相接触。第一电极和第二电极其中之一包括一共用的基部和多个自该基部延伸的平行分支，分支彼此以间距λ隔开。第一电极和第二电极的另一个包括通过压电层面向分支的部分。如同第一方案的压电元件中一样，厚度h和间距λ确定为满足不等式0.005≤h/λ≤0.1，及第一电极具有不超过0.1％的小丘出现率。
优选地，共用的基部和分支可属于第一电极。第一电极可由含有0.1-3.0重量百分比的、选自Ti，Cr，Ni，Cu，Zn，Pd，Ag，Hf，W，Pt和Au构成的集合中的一种金属的铝合金形成。压电层可由掺Mn的ZnO形成。
本发明的其他特征和优点在如下给出的结合附图的详细描述中将变得很明显。
附图说明
图1为根据本发明第一实施例的压电元件的平面图；
图2为图1沿II-II线的剖面图；
图3为一放大的剖面图，示出了在衬底上的下电极形成的小丘；
图4A-4C示出了图1所示的压电元件的制造过程；
图5为根据本发明第二实施例的压电元件的平面图；
图6为图5沿VI-VI线的剖面图；
图7A-7C示出了图5所示的压电元件的制造过程；
图8为根据本发明第三实施例的触摸屏的平面图；
图9为图8所示的触摸屏的部分放大图；
图10为根据本发明第四实施例的触摸屏的平面图；
图11为图10所示的触摸屏的部分放大图；
图12为包括图1压电元件的SAW滤波器的平面图；及
图13为示出了示例性器件1-2和比较器件1-3的插入损失和小丘出现率之间的关系图。
具体实施方式
以下将结合附图描述本发明的优选实施例。
首先参考图1和图2，示出了根据本发明第一实施例的压电元件X。图1为示出了压电元件X的平面图，而图2为图1沿II-II线的剖面图。压电元件X包括一衬底11、一压电层12及电极13和14，设置该压电元件X用于产生或接收表面声波。
衬底11足够硬，以保证压电元件的完整性，并用作表面声波的传播介质。衬底11由非压电材料如玻璃形成。
压电层12由压电材料制成，因此表现出压电效应(应用机械应力导致电极化产生)和反压电效应(应用电压导致机械变形的产生)。压电材料例如为AlN、ZnO、和掺入Mn的ZnO。压电层12的厚度h例如为1.0-3.0μm。
如图2所示，下电极13设置在衬底11和压电层12之间。根据本发明的实施例，电极13的“小丘出现率”应不超过0.1％，该比率按如下方式定义。参考图3，在衬底S上形成一电极E，以覆盖衬底S表面的给定面积A0。一般电极E是波状的，如图中所示，因此具有不同高度的小丘。在此情况下，首先，通过例如已知的表面高度计算方法计算电极表面的平均高度H0。其次，确定高度H50nm，其比平均高度H0高50nm。假设在给定面积内各小丘被在高度H50nm处的同一水平面截断，每一个小丘的剖面给出一截面积A1。此刻，“小丘出现率”被定义为[各小丘的截面积A1总和]÷[给定面积A0]或者简单表示为(∑A1)/A0。
如图3所示，上述小丘为电极表面相对衬底S的凸起部分，其可能伴随有电极E自衬底的部分脱落。电极E的平均高度H0可通过参照衬底S表面来计算。
可以不总是通过在电极E覆盖的总面积A0上来计算小丘出现率。实际上，在面积A0上仅有限的区域(单位区域)可被选为执行与上述相同的计算。
电极13由金属材料制成，如铝合金。优选地，Al合金含有0.1-3.0重量百分比的、选自Ti，Cr，Ni，Cu，Zn，Pd，Ag，Hf，W，Pt和Au构成的集合中的一种金属。Al合金可含有自该集合中选取的两种或更多种金属。此时，每一种金属浓度在0.1-3.0重量百分比范围内。有利地，由这样的Al合金制成的电极13较纯Al制成的对比电极具有更小的热膨胀系数。由此，电极13上的小丘的出现和增长能够被适当限制，以确保0.1％或更低的小丘出现率。如图1所示，电极13与端子15连接，该端子15具有一自压电层12下凸出的暴露部分。电极13的厚度的范围例如为300-600nm。
如图2所示，在压电层上形成上电极14。电极14具有梳状结构，其具有一共用基部14a和多个分支电极14b(简称“分支14b”)。分支14b自基部14a延伸，且相互平行。分支14b通过压电层12面向下电极13。图1所示的分支14b为笔直的，但本发明不对此限制。例如每一个分支14b可具有一些倾斜或平滑弯曲。
电极14的厚度例如为300-600nm之间。每一个分支14b的宽度d1可为40-60μm，而分支14b的电极间距λ1可为100-150μm。根据本实施例，压电层12的厚度h和分支14b的电极间距λ1确定为满足下列不等式：
0.005≤h/λ1≤0.1
上电极14由导电材料形成，其可为与用于制备下电极13的材料相同。如图1所示，上电极14与端子16相连。
现参考图4A-4C，示出了压电元件X的制造过程。特别地，如图4A所示，电极13与连接至电极13的端子15(图中未示)一起在衬底11的上表面形成。在电极13和端子15形成之前，可对衬底11的上表面进行清洁处理，以抑制易于在下述压电层的形成中引起的电极13上的小丘的出现。在清洁处理中，通过例如采用Ar等离子体反溅射清洁衬底表面。对于反溅射，溅射压力可为0.5Pa，施加的电功率为200W，及溅射时间为1分钟。经过此清洁处理，有可能除去灰尘，该灰尘可以是使得在电极13上出现小丘的核心(core)或沉淀剂。
为设置电极13和端子15，通过例如溅射或气相淀积在衬底11上形成一金属层。在此阶段，衬底11温度被加热至100-200℃之间，以使得金属层在衬底11上的形成在预热条件下进行(此预热的技术重要性将在下面进行描述)。在制备金属层后，在金属层上形成一光致抗蚀图形，以覆盖金属层被转化为电极13和端子15的部分。光致抗蚀图形用作掩膜，使衬底11上的金属层进行蚀刻，以除去金属层未覆盖的部分。因此获得电极13和端子15。
优选地，通过例如使用Ar等离子体反溅射对产生的电极13的表面进行蚀刻，尽管这种表面处理和本发明的优点之间的因果关系仍有待被说明。发明人推测表面处理可有利于除去在电极13上形成的一层氧化膜，这种去除处理可能对电极13上小丘的防止具有一些积极的效果。
电极13和端子15完成之后，在衬底11上形成压电层12，如图4B所示。特别地，通过溅射将压电材料应用到衬底11，以产生压电淀积，其完全覆盖衬底11的上表面。然后采用规定的光致抗蚀图形作为掩膜，对压电淀积进行蚀刻以提供所需的压电层12。
衬底11温度加热至150-200℃之间(其低于用于进行压电层形成处理的典型设定温度)，以用于压电层的形成处理。关于这一点，应注意到在电极13和端子15的形成中，衬底温度加热至100-200℃之间，如前面参考图4A所述。因此，在图4A中示出的先前的处理和图4B中示出的之后处理之间的温差可足够小，特别地，不超过100℃。(这种最大温差确定为是安全的。最大温差至多可为150℃)。采用这样的预防措施，可能防止或减少当压电层形成时电极13的热膨胀。因此，抑制了电极13上小丘的出现或增长。根据本发明，上述温差调整可被用于压电层12的增长率调整或用于溅射气体的压力调整所取代或伴随。
参考图4C，上电极14与连接至电极14的端子16(图中未示出)一起，在压电层12上形成。特别地，通过例如溅射或气相淀积，导电材料被淀积在衬底11和压电层12上。然后，在导电层上形成光致抗蚀图形，以覆盖将转变为电极14和端子16的部分。采用光致抗蚀图形作为掩膜，对导电层进行蚀刻。因此获得电极14和端子16。
根据本发明，电极14和端子16可通过已知的印制技术形成。特别地，例如银浆被应用到衬底11和压电层12，其上设置有规定的掩膜。然后，除去掩膜后，应用的银浆被烧结或退火以蒸发浆中含有的溶剂。因此获得电极14和端子16。
以上述方式制成压电元件X。如参考图4B所描述，压电层12的形成是在防止电极13经历小丘的出现或增长的条件下进行。因此，对于电极13的小丘出现率不超过0.1％。
在压电元件X中，压电层12的厚度h和电极14的分支间距λ1确定为满足不等式0.005≤h/λ1≤0.1。此外，对于电极13小丘的出现率不超过0.1％。由于这两项设置，压电元件X表现出较传统可能有的更高的电机械转化率。
现在参考图5和图6，说明根据本发明第二实施例的压电元件X’。图5示出了元件X’的平面图，而图6为图5沿VI-VI线的剖面图。压电元件X’包括一衬底11，一压电层12，一下电极23和一上电极24，设计用于产生或接收表面声波。第二实施例的元件X’与第一实施例的元件X的不同之处在于：元件X’包括电极23、24以替代电极13、14。第二实施例的衬底11和压电层12与上述第一实施例的相同。
下电极23设置在衬底11和压电层12之间，其具有梳状结构，包括一共用基部23a和自基底23a彼此平行延伸的多个分支23b。在所示的实例中，每一个分支23b是直的。然而根据本发明他们可具有一些倾斜或可平滑弯曲。电极23厚度例如为300-600nm。每一个分支23b的宽度d2可为40-60μm。分支23b之间的间距λ2可为100-150μm。压电层12的厚度h和分支间距λ2确定为满足不等式0.005≤h/λ2≤0.1。电极23与端子25连接，该端子25具有一自压电层12下凸出的暴露部分。
此外在第二实施例，对于电极23的小丘出现率不超过0.1％。电极23由一金属材料如铝合金形成。优选地，Al合金含有0.1-3.0重量百分比的、选自Ti，Cr，Ni，Cu，Zn，Pd，Ag，Hf，W，Pt和Au构成的集合中的一种金属。有利地是，由这种Al合金制成的电极23较纯铝制成的对比电极具有更小的热膨胀系数。由此，能够适当限制电极23上小丘的出现和增长，以确保0.1％或更小的小丘出现率。
上电极24在压电层12上形成。电极24可由与制备下电极采用相同的导电材料制成。电极24的厚度例如为300-600nm。电极24通过压电层12面向下电极的各分支23b，并连接至端子26。
图7A-7C示出了制造压电元件X’的处理过程。参考图7A，下电极23与连接至下电极23的端子25(图中未示)一起在衬底上11形成。如在第一实施例中，优选地，可在电极23和端子25形成之前对衬底11进行表面清洁，以使得在下述压电层的形成中抑制电极23上小丘的出现。
在电极23和端子25的形成中，导电金属材料通过例如溅射或气相淀积被淀积在衬底11上。在此阶段，衬底11被加热至规定温度，如在第一实施例中所进行的，用于防止在电极23上出现小丘。然后形在导电层上形成光致抗蚀图，以覆盖将变为电极23和端子25的部分。采用光致抗蚀图形作为掩膜，对导电层进行蚀刻。因此在衬底11上产生电极23和端子25。优选地，对产生的电极23通过例如反溅射进行表面蚀刻。
然后，如图7B所示，在衬底11上形成压电层12。特别地，压电材料通过溅射被淀积在衬底上。然后，采用规定的光致抗蚀图形作为掩膜，对压电淀积进行蚀刻，以产生所需的压电层12。在压电层12的形成中，衬底被加热至规定温度，如在第一实施例中所进行的，以防止在电极23上出现小丘。
参考图7C，上电极24与连接至电极24的端子26(图中未示出)一起在压电层12上形成。电极24和端子26可以与关于第一实施例的电极14和端子16所描述的相同方式制成。
以上述方式制成的压电元件X’具有如第一实施例中的压电元件X相同的优点。特别地，对于电极23的小丘出现率不超过0.1％。
在压电元件X’中，压电层12的厚度h和电极23的分支间距λ2确定为满足不等式0.005≤h/λ2≤0.1。此外，对于电极23的小丘出现率不超过0.1％。由于这两项设置，压电元件X’表现出较传统可能有的更高的电机械转化率。
现在参考图8和图9，其示出根据本发明的第三实施例的SAW触摸屏Y。触摸屏Y包括一衬底31、一压电层32、下电极33A-33D和上电极34A-34D。为了清楚说明，压电层32以双点链线来描绘。
衬底31为一透明板，表面声波通过该透明板传播。衬底31包括一探测区域31a和边缘区域31b。在图中，探测区域31a和边缘区域31b之间的边界线由虚线来表示。衬底31由非压电材料如玻璃制成，其厚度为0.7-1.1mm。在示出的实例中，探测区域31a为矩形(精确的说是正方形)，但是本发明对此并无限制。探测区域31a被边缘区域31b包围，其中设有波发生器和波接收器(以下将描述)。
压电层32设置在边缘区域31b上，但不在探测区域31a上。压电层32如第一实施例中的压电层12一样，由压电材料形成，因此表现出压电效应和反压电效应。压电层32的厚度h例如为1.0-3.0μm。
下电极33A-33D设置在衬底31和压电层32之间，且具有不超过0.1％的小丘出现率。电极33A-33D由一种金属材料形成，如含有0.1-3.0重量百分比的、选自Ti，Cr，Ni，Cu，Zn，Pd，Ag，Hf，W，Pt和Au构成的集合中的一种金属的铝合金。每个电极33A-33D的厚度例如为300-600nm。电极33A-33D连接至相应的端子35A-35D。如图8中所示，端子35A-35D具有一自压电层32下凸出的暴露部分。
设置在压电层32上的每一个上电极34A-34D具有一梳状电极，其包括一共用基部34a和多个自基部34a延伸的分支34b。如图8所示，相对较长的多数分支34b具有一弯度，而相对较短的其余分支34b沿其整个长度为笔直的。
每一个相对长的分支34b在其弯折处可分为两个局部笔直部分：一内部34b’(靠近探测区域31a)和一外部34b”(远离探测区域31a)。内部34b’与外部34b”成规定角度，以使得两部分34b’，34b”沿不同方向延伸。内部和外部之间所成的角度可取决于限定矩形探测区域31a相邻边的两个长度的比率。在图8和图9的示例中，探测区域31a为正方形，意味着一边长度(例如垂直边)与相邻一边(水平边)的长度的比率为1∶1。此时，内部34b’和外部34b”之间的角度为90度。分支34b通过压电层32面向电极33A-33D。
电极34的厚度例如为300-600nm。参考图9，每一个分支34b的宽度d3例如为40-60μm。分支34b的内部34b’之间的间距λ3和外部34b”之间的间距λ4例如都为100-150μm，如上述的分支间距λ1。每一个电极34中，间距λ3和λ4彼此之间可以相同或不同，其取决于触摸屏Y的工作方式。对于电极34A-34D中的任两个，一个电极的间距λ3及/或间距λ4可与另一个电极的间距λ3及/或间距λ4相同或不同，这取决于触摸屏Y的工作方式。压电层32的厚度h和分支间距λ3确定为满足不等式0.005≤h/λ3≤0.1。同样的，压电层32的厚度h和分支间距λ4确定为满足不等式0.005≤h/λ4≤0.1。
电极34A-34D可与制备电极33A-33D采用相同的导电材料制成。如图8所示，电极34A-34D连接至相应的端子36A-36D。
触摸屏Y包括四个根据本发明的第一实施例制成的压电元件X(XA-XD)。压电元件XA-XD排列在衬底31的边缘区域31b上。如比较图8和图1所示，成对的电极33A-34A(及33B-34B，33C-34C，33D-34D)相应于成对的压电元件X的电极13-14，压电层32相应于压电层12，及衬底31相应于衬底11。此外，端子35A-35D和端子36A-36D分别相应于端子15和端子16。具有四个压电元件X的触摸屏Y可如上述参考图4A-4C相同的过程制造。
在触摸屏Y的工作中，两个互相面对的压电元件XA和XC例如间歇供能，每次仅一个。
对于压电元件XA，交流电压通过端子35A和36A施加到电极33A和34A，以产生波。一旦施加电压，如图8所示，通过元件XA产生两种规定频率的表面声波f1和f2。波f1沿垂直于分支34b的内部34b’的第一方向传播，而波f2沿垂直于分支34b的外部34b”的第二方向传播。
经由衬底31的探测区域31a传播之后，通过压电元件XD的内部34b’接收波f1。因此，波探测信号自元件XD通过端子35D和36D输出。特别地，参考图8，信号的输出始于通过元件XD最上面的内部34b’对波f1的接收，延续至元件XD最下面的内部34b’完成对波f1的接收。
现在说明波f2，其在经由衬底31的探测区域31a传播之后，被压电元件XB的外部34b”接收。因此，波探测信号自元件XB通过端子35B和36B输出。特别地，参考图8，信号的输出始于通过元件XB最上面的内部34b”对波f2的接收，延续至元件XB最下面的内部34b”完成对波f2的接收。
与上述压电元件XA类似，对压电元件XC供能，以如下方式工作。首先，交流电压通过端子35C和36C施加到电极33C和34C，以产生波。一旦施加电压，通过元件XC产生两种规定频率的表面声波f3和f4。波f3沿垂直于分支34b的内部34b’的第三方向传播，而波f4沿垂直于分支34b的外部34b”的第四方向传播。压电元件XC在波探测信号自元件XB、XD的输出过程完成后，立即被供能。
波f3经由衬底31的探测区域31a传播之后，通过压电元件XB的内部34b’接收波f3。因此，波探测信号自元件XB通过端子35B和36B输出。参考图8，信号的输出始于通过元件XB最下面的内部34b’对波f3的接收，延续至元件XB最上面的内部34b’完成对波f3的接收。
波f4经由衬底31的探测区域31a传播之后，通过压电元件XD的外部34b”接收波f4。因此，波探测信号自元件XD通过端子35D和36D输出。信号的输出始于通过元件XD最下面的外部34b”对波f4的接收，延续至元件XD最上面的外部34b”完成对波f4的接收。
当触摸屏Y工作时，上述系列过程(即，从通过元件XA产生波f1，f2到基于接收的波f3、f4从元件XB、XD输出波探测信号)被重复进行。
当例如以手指触摸在工作中的触摸屏Y的探测区域31a的一区域时，波f1-f4当经过被触摸区域时幅度下降。由于表面声波的幅度下降，从元件XB、XD的波探测信号具有较低的输出电平。因此，通过分析波探测信号探测到的电平降低的时限，有可能定位探测区域31a的被触摸区域。
上述触摸屏Y中，压电元件XB、XD可用作波发生器，剩余的元件XA、XC用作波接收器。
触摸屏Y包括作为波发生器或波接收器的压电元件X，该压电元件X具有高电-机械转换率。因此，本发明的触摸屏Y较传统的触摸屏需要一较低的驱动电压。触摸屏Y也能够提供较传统可能提供的更高的探测精度。
图10和11示出了根据本发明第四实施例的触摸屏Y’。触摸屏Y’为一SAW触摸屏，包括一衬底31、一压电层32、下电极43A-43D和上电极44A-44D。触摸屏Y’与上述触摸屏Y的不同之处在于：电极43A-43D和44A-44D代替电极33A-33D和34A-34D。然而，触摸屏Y’的衬底31和压电层32如同在触摸屏Y所采用的一样。
下电极43A-43D排列在衬底31和压电层32之间。这些电极的每一个具有一梳状结构，其包括一共用基部43a和多个自基部43a延伸的分支43b。如图10所示，相对较长的多数分支43b具有一弯度，而相对较短的其余分支43b沿其整个长度为笔直的。
每一个相对长的分支43b在其弯折处可分为两个局部笔直的部分：一内部43b’(靠近探测区域31a)和一外部43b”(远离探测区域31a)。内部43b’与外部43b”成一规定角度，以使得两部分43b’，43b”沿不同方向延伸。内部和外部之间所成的角度可取决于限定矩形探测区域31a相邻边的两个长度的比率。在图10和图11的示例中，探测区域31a为正方形，这意味着一边(例如垂直边)的长度与相邻一边(水平边)的长度的比率为1∶1。此时，内部43b’和外部43b”之间的角度为90度。
电极43的厚度例如为300-600nm。参考图11，每一个分支43b的宽度d4例如为40-60μm。分支43b的内部43b’之间的间距λ5和外部34b”之间的间距λ6例如都为100-150μm，如上述的分支间距λ2。每一个电极43中，间距λ5和λ6彼此之间可以相同或不同，其取决于触摸屏Y’的工作方式。对于电极43A-43D中的任两个，一个电极的间距λ5及/或间距λ6与另一个电极的间距λ5及/或间距λ6可相同或不同，这取决于触摸屏Y’的工作方式。压电层32的厚度h和分支间距λ5确定为满足不等式0.005≤h/λ5≤0.1。同样的，压电层32的厚度h和分支间距λ6确定为满足不等式0.005≤h/λ6≤0.1。
对于下电极43A-43D，小丘的出现率不超过0.1％。电极43A-43D可由含有0.1-3.0重量百分比的、选自Ti，Cr，Ni，Cu，Zn，Pd，Ag，Hf，W，Pt和Au构成的集合中的一种金属的Al合金制成。电极43A-43D的厚度例如为300-600nm。电极43A-43D连接至相应的端子45A-45D。端子45A-45D的每一个具有一自压电层32下延伸的暴露部分。
上电极44A-44D设置在压电层32上，由导电材料形成，该材料可与用以制作下电极43A-43D的材料相同。电极44A-44D的厚度例如为300-600nm。电极44A-44D通过压电层32面向下电极的分支43b。电极44A-44D连接至相应的端子46A-46D。
触摸屏Y’包括四个根据本发明第二实施例的压电元件X’(XA’-XD’)，其设置在衬底31的边缘区域31b。成对的电极43A-44A(及43B-44B，43C-44C，43D-44D)相应于压电元件X’的成对的电极23-24，压电层32相应于压电层12，及衬底31相应于衬底11。此外，端子45A-45D和端子46A-46D分别相应于端子25和端子26。具有四个压电元件X’的触摸屏Y’可如上述参考图7A-7C相同的过程制造。
在触摸屏Y’的工作中，一对压电元件XA’和XC’可用作波发生器，而另一对压电元件XB’和XD’可用作波接收器。这两对的功能可进行交换。触摸屏Y’的波发生器和接收器的工作如同关于对触摸屏Y的描述一样。
触摸屏Y’包括作为波发生器和波接收器的压电元件X’，该压电元件X’具有高电-机械转换率。因此，本发明的触摸屏Y’较传统的触摸屏需要一较低的驱动电压。触摸屏Y’也能够提供较传统可能提供的更高的探测精度。
[示范性器件1]
<SAW滤波器的制造>
参考图12，采用两个第一实施例的压电元件X制成一横向SAW滤波器。如图中所示，压电元件以正常的面对位置排列。
为制作滤波器X，首先，通过溅射在玻璃衬底11上形成一Al合金层(300nm厚)(第一层形成步骤)。对于此步骤采用的Al合金含有2.0重量百分比的铜(Cu)。在溅射中，采用含有2.0重量百分比的Cu的Al合金靶。溅射气体为氩(Ar)及其压力为0.5Pa。放电功率为1kW。然后，采用规定的光致抗蚀图形作为掩膜，对Al合金层进行蚀刻。因此，在衬底11上形成两个面对的电极13和极15。通过使用Ar等离子体反溅射对产生的电极13进行表面蚀刻处理。
然后，通过反应溅射在衬底11上形成厚度为2.2μm的ZnO层(压电层)(第二层形成步骤)。特别地，在ZnO层的形成中，采用烧结的ZnO靶，及Ar和O2气体用作溅射气体。Ar气对O2气的流率比值为4∶1。溅射气体压力为0.3Pa，及放电功率为3kW。在第二层的形成步骤中，加热衬底11，以使其保持在300℃。该层形成过程持续20分钟。此后，采用规定的光致抗蚀图形作为掩膜，对产生的ZnO层进行蚀刻，由此，制成所需的压电层12。
然后，通过溅射在衬底11和压电层12上形成一Al合金层(300nm厚)(第三层形成步骤)。在溅射中，采用含有2.0重量百分比的Cu的Al合金靶(target)。溅射气体为Ar及其压力为0.5Pa。放电功率为1kW。采用规定的光致抗蚀图形作为掩膜，对产生的Al合金层进行蚀刻。因此，获得电极14和端子16。如图12所示，每一个电极14包括一共用基部14a和多个自基部14a延伸的平行分支14b。每一个分支14b的宽度d1为44μm，及分支14b之间的间距λ1为110μm。
根据上述过程，如图12所示制成了规定数目的滤波器。在每一个滤波器中，压电层12的厚度h及分支间距λ1确定为满足不等式0.005≤h/λ1≤0.1。
<小丘出现率的测量>
以下述方式制成的每个采样测量小丘的出现率。首先，在与上述第一层形成步骤相同的条件下，在一玻璃衬底上形成一Al合金层(含有2.0重量百分比的Cu及具有300nm的厚度)。然后，对其上形成有Al合金层的玻璃衬底进行加热处理，使衬底在300℃时加热20分钟。在此需注意这些加热温度和时间与上述对于第二层形成步骤的加热温度和时间相同。以这种方式，在采样中达到了对于SAW滤波器中小丘的出现和增长的基本上相同的条件。对获得的样品进行检查，由此通过一原子力显微镜(AFM)对各采样的Al合金层的表面进行检查，以确定小丘的出现率。结果是对于采样的Al合金层，小丘的出现率为0.01％。这表示对于压电元件X(图12)的电极13的小丘出现率也为0.01％。
<插入损失的测量>
对于如图12所示的SAW滤波器，测量输入信号和输出信号之间的插入损失。结果是滤波器的插入损失为-12dB，其在如图13所示的图表中被画出(见曲线ED1)。横坐标表示小丘出现率(对数标度)，而纵坐标表示插入损失(dB)。
[示范性器件2]
SAW滤波器以与上述示范性器件1相同的过程制成，除了在第一层形成步骤中形成的器件2的Al合金层是由含1.0重量百分比的Cu(注意器件1对应层含有2.0重量百分比的Cu)制成。从而，器件2的电极13由含1.0重量百分比的Cu的Al合金形成。在器件2的滤波器中，压电层12的厚度h为2.2μm，及分支间距λ1为110μm。因此，满足不等式0.005≤h/λ1≤0.1(在本例中，h/λ1＝2.2/110＝0.02)。对于示范性器件2，小丘出现率为0.009％，及插入损失为-11dB。结果绘制在图13的图表中(见曲线ED2)。
[比较器件1-3]
比较SAW滤波器1-3以与上述示范性器件1相同的过程制成，除了在第一层形成步骤中形成的器件1的Al合金层被替代以纯Al层(比较滤波器1)，含1.0重量百分比的Si的Al合金层(比较滤波器2)，或者含0.5重量百分比的Si的Al合金层(比较器件3)。在每一个比较滤波器1-3中，压电层的厚度h为2.2μm，及分支间距λ为110μm(因此，满足不等式0.005≤h/λ≤0.1)。对于玻璃衬底和压电层之间的电极的小丘出现率为30％(比较滤波器1)，0.3％(比较滤波器2)，及0.7％(比较滤波器3)。插入损失为-50dB(比较滤波器1)，-42dB(比较滤波器2)，及-48dB(比较滤波器3)。这些测量在图13的图表中绘制出(见曲线CD1-曲线CD3)。
[示范性器件的评估]
如图13所示，示范性滤波器1和2(小丘出现率≤0.1％)具有较比较滤波器1-3(小丘出现率≥0.1％)更低的插入损失。发明人推测在每一个示范性滤波器中较低的插入损失是由于低的小丘出现率导致的相对高的电-机械转换率。
虽然本发明被如上描述，但显然其可以多种方式修改。这样的修改不视为脱离本发明的精神和范围，并且所有此类对熟悉本领域的技术人员显而易见的修改应包含在下述权利要求的范围内。

Claims (8)

1.一压电元件包括：
一衬底；
一压电层，该压电层具有一第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该第一表面面向衬底，该压电层厚度为h；
一第一电极，置于该衬底和该压电层的第一表面之间；及
一第二电极，与该压电层的第二表面接触；
其中，该第一电极和第二电极其中之一包括一共用基部和多个自该基部延伸的平行分支，这些分支彼此以间距λ隔开，该第一电极和第二电极的另一个包括通过压电层面向分支的部分，
其中，厚度h和间距λ被确定为满足不等式0.005≤h/λ≤0.1，
其中，该第一电极具有不超过0.1％的小丘出现率。
2.如权利要求1所述的压电元件，其中，所述共用基部和分支属于第一电极。
3.如权利要求1所述的压电元件，其中，该第一电极由含有0.1-3.0重量百分比的、选自Ti，Cr，Ni，Cu，Zn，Pd，Ag，Hf，W，Pt和Au构成的集合中的一种金属的铝合金形成。
4.如权利要求3所述的压电元件，其中，该压电层由掺Mn的ZnO形成。
5.一种触摸屏，包括：
一衬底，包括一探测区域和一包围该探测区域的边缘区域；
一波发生器，设置在该边缘区域，用于在该衬底产生表面声波；及
一波接收器，设置在该边缘区域，用于接收表面声波；
每一个波发生器和波接收器包括：
一压电层，该压电层具有一面向衬底的第一表面及一相对于该第一表面的第二表面，该压电层厚度为h；
一第一电极，设置在衬底和该压电层的第一表面之间；及
一第二电极，与该压电层的第二表面相接触；
其中，第一电极和第二电极其中之一包括一共用基部和多个自该基部延伸的平行分支，这些分支彼此以间距λ隔开，该第一电极和第二电极的另一个包括通过该压电层面向分支的部分，
其中，厚度h和间距λ被确定为满足不等式0.005≤h/λ≤0.1，
其中，该第一电极具有不超过0.1％的小丘出现率。
6.如权利要求5所述的触摸屏，其中，所述共用基部和分支属于第一电极。
7.如权利要求5所述的触摸屏，其中，该第一电极由含有0.1-3.0重量百分比的、选自Ti，Cr，Ni，Cu，Zn，Pd，Ag，Hf，W，Pt和Au构成的集合中的一种金属的铝合金形成。
8.如权利要求7所述的触摸屏，其中，该压电层由掺Mn的ZnO形成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103973154A (zh) * 2013-01-28 2014-08-06 北京大学 一种单摩擦表面微型发电机及其制造方法
CN106227382A (zh) * 2016-07-22 2016-12-14 友达光电（苏州）有限公司 触控装置

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8307549B2 (en) * 2001-11-20 2012-11-13 Touchsensor Technologies, Llc Method of making an electrical circuit
JP4052880B2 (ja) * 2002-05-29 2008-02-27 富士通株式会社 タッチパネル装置
JP4052884B2 (ja) * 2002-06-24 2008-02-27 富士通株式会社 タッチパネル装置
JP3970168B2 (ja) 2002-11-19 2007-09-05 富士通株式会社 タッチパネル装置
WO2004105148A1 (ja) * 2003-05-22 2004-12-02 Fujitsu Limited 圧電素子、その製造方法、およびタッチパネル装置
JP4784041B2 (ja) * 2003-11-07 2011-09-28 パナソニック株式会社 タッチパネルを用いた入力装置
US20050248548A1 (en) 2004-04-14 2005-11-10 Masahiro Tsumura Acoustic touch sensor
JP4357389B2 (ja) * 2004-08-20 2009-11-04 富士通株式会社 タッチパネル装置およびその製造方法
JP4527624B2 (ja) 2005-07-22 2010-08-18 株式会社神戸製鋼所 Ａｇ合金反射膜を有する光情報媒体
US7417360B2 (en) * 2005-10-20 2008-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric resonator and method for producing the same
US7830365B2 (en) * 2006-06-07 2010-11-09 Nokia Corporation Sensors
JP4687588B2 (ja) * 2006-07-03 2011-05-25 セイコーエプソン株式会社 タッチパネル装置
US8389883B2 (en) * 2007-12-27 2013-03-05 Byd Co., Ltd. Key-press structure and a method for making the same
US9588683B2 (en) 2008-01-04 2017-03-07 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8947383B2 (en) 2008-01-04 2015-02-03 Tactus Technology, Inc. User interface system and method
US8179377B2 (en) 2009-01-05 2012-05-15 Tactus Technology User interface system
US8922510B2 (en) 2008-01-04 2014-12-30 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9720501B2 (en) 2008-01-04 2017-08-01 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9430074B2 (en) 2008-01-04 2016-08-30 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9552065B2 (en) 2008-01-04 2017-01-24 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9612659B2 (en) 2008-01-04 2017-04-04 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8547339B2 (en) 2008-01-04 2013-10-01 Tactus Technology, Inc. System and methods for raised touch screens
US9298261B2 (en) 2008-01-04 2016-03-29 Tactus Technology, Inc. Method for actuating a tactile interface layer
US9128525B2 (en) 2008-01-04 2015-09-08 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8154527B2 (en) 2008-01-04 2012-04-10 Tactus Technology User interface system
US8243038B2 (en) 2009-07-03 2012-08-14 Tactus Technologies Method for adjusting the user interface of a device
US9367132B2 (en) 2008-01-04 2016-06-14 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9052790B2 (en) 2008-01-04 2015-06-09 Tactus Technology, Inc. User interface and methods
US9760172B2 (en) 2008-01-04 2017-09-12 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8570295B2 (en) 2008-01-04 2013-10-29 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8456438B2 (en) 2008-01-04 2013-06-04 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9274612B2 (en) 2008-01-04 2016-03-01 Tactus Technology, Inc. User interface system
US8179375B2 (en) * 2008-01-04 2012-05-15 Tactus Technology User interface system and method
US9557915B2 (en) 2008-01-04 2017-01-31 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US9063627B2 (en) 2008-01-04 2015-06-23 Tactus Technology, Inc. User interface and methods
US8553005B2 (en) 2008-01-04 2013-10-08 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9423875B2 (en) 2008-01-04 2016-08-23 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface with exhibiting optical dispersion characteristics
CA2678865A1 (en) * 2008-09-17 2010-03-17 No-Burn Investments, L.L.C. Fire retardant composition
US8368657B2 (en) * 2008-12-01 2013-02-05 Freescale Semiconductor, Inc. Touch sensor panel using regional and local electrodes to increase number of sense locations
US8805517B2 (en) * 2008-12-11 2014-08-12 Nokia Corporation Apparatus for providing nerve stimulation and related methods
WO2010078596A1 (en) 2009-01-05 2010-07-08 Tactus Technology, Inc. User interface system
US9588684B2 (en) 2009-01-05 2017-03-07 Tactus Technology, Inc. Tactile interface for a computing device
JP5164930B2 (ja) 2009-06-05 2013-03-21 株式会社ジャパンディスプレイウェスト タッチパネル、表示パネル、および表示装置
CN102483675B (zh) 2009-07-03 2015-09-09 泰克图斯科技公司 用户界面增强系统
US8779307B2 (en) * 2009-10-05 2014-07-15 Nokia Corporation Generating perceptible touch stimulus
EP2517089A4 (en) 2009-12-21 2016-03-09 Tactus Technology USER INTERFACE SYSTEM
WO2011087816A1 (en) 2009-12-21 2011-07-21 Tactus Technology User interface system
US9239623B2 (en) 2010-01-05 2016-01-19 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface
US8619035B2 (en) 2010-02-10 2013-12-31 Tactus Technology, Inc. Method for assisting user input to a device
WO2011133605A1 (en) 2010-04-19 2011-10-27 Tactus Technology Method of actuating a tactile interface layer
WO2011133604A1 (en) 2010-04-19 2011-10-27 Tactus Technology User interface system
JP5355515B2 (ja) 2010-05-06 2013-11-27 株式会社村田製作所 タッチパネル、ならびにタッチ式入力装置およびその制御方法
US8791800B2 (en) 2010-05-12 2014-07-29 Nokia Corporation Detecting touch input and generating perceptible touch stimulus
US9579690B2 (en) * 2010-05-20 2017-02-28 Nokia Technologies Oy Generating perceptible touch stimulus
US8638318B2 (en) * 2010-05-28 2014-01-28 Elo Touch Solutions, Inc. Multi-layer coversheet for saw touch panel
US9030308B1 (en) * 2010-07-02 2015-05-12 Amazon Technologies, Inc. Piezoelectric haptic actuator integration
KR101064648B1 (ko) * 2010-07-29 2011-09-15 엘지이노텍 주식회사 스크롤 투명전극이 형성된 터치패널 및 이를 포함하는 터치윈도우
US9110507B2 (en) 2010-08-13 2015-08-18 Nokia Technologies Oy Generating perceptible touch stimulus
JP5459525B2 (ja) * 2010-10-15 2014-04-02 株式会社村田製作所 タッチ式入力装置およびその制御方法
WO2012054780A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Tactus Technology User interface system
CN103124946B (zh) 2010-10-20 2016-06-29 泰克图斯科技公司 用户接口系统及方法
US20120098756A1 (en) * 2010-10-26 2012-04-26 Flytech Technology Co., Ltd. Touch panel
WO2012090031A1 (en) * 2010-12-31 2012-07-05 Nokia Corporation A display apparatus producing audio and haptic output
FR2978570B1 (fr) * 2011-07-28 2013-08-16 Commissariat Energie Atomique Systeme et procede de detection et de localisation d'une perturbation d'un milieu
JP5905677B2 (ja) 2011-08-02 2016-04-20 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器およびその製造方法
JP6059875B2 (ja) * 2012-02-24 2017-01-11 株式会社アルバック 圧電素子の製造方法
KR101886287B1 (ko) * 2012-03-23 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 터치 패널
US9405417B2 (en) 2012-09-24 2016-08-02 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface and methods
WO2014047656A2 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Tactus Technology, Inc. Dynamic tactile interface and methods
US9170686B2 (en) * 2013-01-10 2015-10-27 Elo Touch Solutions, Inc. Multi-transducer waveguide arrays
CN103226412A (zh) * 2013-04-10 2013-07-31 北京京东方光电科技有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
US9557813B2 (en) 2013-06-28 2017-01-31 Tactus Technology, Inc. Method for reducing perceived optical distortion
US9520036B1 (en) * 2013-09-18 2016-12-13 Amazon Technologies, Inc. Haptic output generation with dynamic feedback control
JP5783346B1 (ja) * 2013-10-04 2015-09-24 株式会社村田製作所 タッチセンサ
US10120478B2 (en) * 2013-10-28 2018-11-06 Apple Inc. Piezo based force sensing
JP6555270B2 (ja) * 2014-10-30 2019-08-07 株式会社村田製作所 受動素子付フィルタ部品および高周波モジュール
US9851848B2 (en) 2015-12-14 2017-12-26 Microsoft Technology Licensing, Llc Touch sensitive device casing
US20180329493A1 (en) * 2017-05-11 2018-11-15 Immersion Corporation Microdot Actuators
KR102453147B1 (ko) * 2017-12-11 2022-10-07 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4456847A (en) * 1982-06-07 1984-06-26 Clarion Company, Ltd. Surface acoustic wave device
CN1296644A (zh) * 1999-03-04 2001-05-23 罗伯特·博施有限公司 压电执行元件
US6590569B1 (en) * 2000-12-19 2003-07-08 Kohji Toda Ultrasonic touch-position sensing device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5452958A (en) 1977-10-04 1979-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
JPH06149459A (ja) 1992-11-02 1994-05-27 Koji Toda 超音波タッチパネル
JPH0818388A (ja) 1993-09-16 1996-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面波フィルタ素子とその製造方法
JPH08130435A (ja) 1994-09-08 1996-05-21 Japan Energy Corp 弾性表面波装置およびその製造方法
US5708461A (en) 1995-01-24 1998-01-13 Elo Touchsystems, Inc. Acoustic touch position sensor using a low-loss transparent substrate
US5591945A (en) * 1995-04-19 1997-01-07 Elo Touchsystems, Inc. Acoustic touch position sensor using higher order horizontally polarized shear wave propagation
JPH1055240A (ja) 1996-08-12 1998-02-24 Koji Toda 超音波タッチパネル
JP3317860B2 (ja) 1996-10-25 2002-08-26 日本電気株式会社 弾性表面波装置ならびにその製造方法
JPH10178330A (ja) 1996-12-17 1998-06-30 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子
US5994817A (en) * 1998-02-13 1999-11-30 Toda; Kohji Ultrasonic touch-position sensing device
JP2001196896A (ja) 2000-01-11 2001-07-19 Seiko Epson Corp 表面弾性波素子
JP2001196895A (ja) 2000-01-11 2001-07-19 Seiko Epson Corp 表面弾性波素子
JP3963081B2 (ja) 2000-04-28 2007-08-22 株式会社村田製作所 表面波装置
JP3829644B2 (ja) 2000-05-01 2006-10-04 株式会社村田製作所 表面波装置、横波トランスデューサー及び縦波トランスデューサーの製造方法
JP3841685B2 (ja) * 2000-05-22 2006-11-01 富士通株式会社 タッチパネル装置
JP2002141768A (ja) 2000-11-02 2002-05-17 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波素子
JP2003037467A (ja) 2001-07-24 2003-02-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
KR100822185B1 (ko) * 2001-10-10 2008-04-16 삼성에스디아이 주식회사 터치 패널
US6906451B2 (en) * 2002-01-08 2005-06-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator
JP3871991B2 (ja) * 2002-09-30 2007-01-24 Ｓｍｋ株式会社 タッチパネル
JP4498205B2 (ja) * 2004-05-06 2010-07-07 キヤノン株式会社 表示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4456847A (en) * 1982-06-07 1984-06-26 Clarion Company, Ltd. Surface acoustic wave device
CN1296644A (zh) * 1999-03-04 2001-05-23 罗伯特·博施有限公司 压电执行元件
US6590569B1 (en) * 2000-12-19 2003-07-08 Kohji Toda Ultrasonic touch-position sensing device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103973154A (zh) * 2013-01-28 2014-08-06 北京大学 一种单摩擦表面微型发电机及其制造方法
CN103973154B (zh) * 2013-01-28 2016-07-06 北京大学科技开发部 一种单摩擦表面微型发电机及其制造方法
CN106227382A (zh) * 2016-07-22 2016-12-14 友达光电（苏州）有限公司 触控装置
CN106227382B (zh) * 2016-07-22 2019-07-05 友达光电（苏州）有限公司 触控装置

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Publication number Publication date
US7176903B2 (en) 2007-02-13
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