CN100410698C - 光学元件的制造方法 - Google Patents

光学元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100410698C
CN100410698C CNB2006100739019A CN200610073901A CN100410698C CN 100410698 C CN100410698 C CN 100410698C CN B2006100739019 A CNB2006100739019 A CN B2006100739019A CN 200610073901 A CN200610073901 A CN 200610073901A CN 100410698 C CN100410698 C CN 100410698C
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical element
manufacture method
wire grating
element according
metallide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2006100739019A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1825146A (zh
Inventor
熊井启友
泽木大辅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1825146A publication Critical patent/CN1825146A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100410698C publication Critical patent/CN100410698C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/30Polarising elements
    • G02B5/3025Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022Electroplating of selected surface areas using masking means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/02Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors

Abstract

本发明提供了一种在基板上具有多个金属线栅的光学元件的制造方法,其特征在于,采用电解电镀法制造所述金属线栅。这样,本发明的光学元件的制造方法,能制造比较廉价且大批量生产性高的偏光镜等。

Description

光学元件的制造方法
技术领域
本发明涉及光学元件的制造方法,特别是可见光谱用线栅偏光镜的制造方法。
背景技术
近来,已经研发出各种光学元件,例如有效透过特定偏振光光线,同时有效反射正交的偏振光光线的宽带域宽度线栅偏光镜等(专利文献1等)。
现在,为了形成了金属压花图案,已经实用化的无机偏光镜在基板上形成抗蚀图案之后,通过RIE(Reactive Ion Etching)等进行干法蚀刻。然而,压花形状为纳光谱级(nano-order)时必须严格控制蚀刻参数,从而难以高成品率制造精度良好的偏光镜。为此,寻求一种比较廉价且大批量生产性高的制造高精度偏光镜等光学元件的方法。
专利文献1:特表2003-502708号公报
此外,在US-A-5483387中公开了一种作为现有技术的方法,该方法包括形成1000埃厚度的Ti-Cu-Ti的基底金属的步骤,其具有极底的透射率。因此,该基底金属必须被除去。这是一种复杂的方法,此外,在该对比文件中所公开的方法的尺寸处于微米级,假如用来制造纳米级的在透明基板上具有包括多个金属线的金属线栅的光学元件,移除基底金属将是困难的,所以这种方法不适于大规模生产。
发明内容
本发明要解决的问题要点就是上述现有技术所涉及的问题要点。
因而,本发明的目的是提供一种比较廉价且大批量生产性高的偏光镜等光学元件的制造方法。
本发明的目的通过权利要求1所定义的所述方法来实现,本发明的实施方式在从属权利要求中提出。
本发明涉及一种光学元件的制造方法,在透明基板(11)上形成具有多个金属线栅的光学元件,包括:在所述基板上形成透明电极层(12);在所述透明电极层上形成多个平行肋的抗蚀图案(13);使用电解电镀工序在所述抗蚀图案的所述肋之间生长金属层(14)以及剥离所述抗蚀图案,制造所述金属线栅。
优选的,其中所述透明电极层是ITO或ZnO。
优选的,其中通过电解电镀工序生长的所述金属层至少包括铝,假如铝被电沉积,具有AlCl3和有机氯化物的混合盐的溶液的电镀浴具被用于电沉积。
优选的,通过执行所述电解电镀工序形成所述金属线栅的第一层,此后至少一次重复所述电解电镀工序或非电解电镀工序,来形成多层金属线栅作为所述金属线栅。
优选的,通过使用从包括Al、Ag和Au的组中选择的两种或者两种以上的金属来形成多成分金属线栅作为所述金属线栅。
优选的,其中制造可见光谱用偏光镜作为所述光学元件。
根据本发明,因为采用电解电镀法制造光学元件中的金属线栅,所以可以比较廉价且大批量生产性高地得到高精度偏光镜等光学元件。而且,能够容易制造多元系以及多层的金属线栅,材料选择范围广。
附图说明
图1为示出可见光谱用偏光镜的制造方法的一个例子的工序图。
图2为示出用于实施电解电镀法的电镀浴具的概略图。
图3为示出可见光谱用偏光镜的制造方法的其他例子的工序图。
图4为具有由两种金属构成的7层线栅的可见光谱用偏光镜的一个例子。
具体实施方式
下面通过列举作为本发明优选实施方案的实施例,对本发明所涉及的光学元件的制造方法进行说明。而且,本发明并不受这样实施例的任何局限。
实施例1
图1中,示出了该实施例涉及的可见光谱用偏光镜的制造工序。
(1)透明电极层的成膜
如图1(a)中所示,在石英等玻璃基板11上形成透明电极层(ITO等)膜12。
(2)形成抗蚀图案
如图1(b)中所示,在透明电极层12上,通过通常方法形成抗蚀图案13。抗蚀图案13形成为多个平行的肋状,从而形成凹部沟槽。
(3)电解电镀
接着,如图1(c)中所示,采用电解电镀在由抗蚀图案13形成的凹部中生长由Al构成的金属层14。作为电解电镀条件,采用从得到大批量生产性高、精度高的偏光镜这一观点出发所希望的条件。此外,作为在此进行的电解电镀法的一个例子,可以列举通过采用图2中示出的电镀浴具20进行电沉积方法等。
如图2中所示,电镀浴具20包括:AlCl3和有机氯化物的混合盐构成的溶液21;由用于电沉积(electrodeposition)Al的基板构成的阴极22;和由Al构成的阳极23。
在此,作为溶液21的混合盐中有机氯化物可以列举例如BPC(1-butylpyridinium chloride)、EMIC(1-ethyl-3-methylimidazolium chloride)等。
构成阴极22的基板就是用于电沉积Al的基板,如前所述,在石英等玻璃基板11上形成透明电极层(ITO等)膜12,进一步可以使用具有规定抗蚀图案13(图2中未示出)的基板。
虽然构成阳极23的材料不特别局限为具有导电性的材料,但是优选与电沉积的金属为同一材料。因而,在该实施例中,作为阳极,优选与阴极相同使用由Al组成的金属。而且,阳极不局限于上述这种金属,可以使用碳等具有导电性的材料。
此外,作为电极沉积条件的一个例子,可以列举电流密度:5~30mA·cm-2、浴温度:20~25℃、通电量:10~50C·cm-2、电极之间的距离:1~10cm等。
(4)抗蚀剂剥离,形成线栅
生成金属层14之后,如图1(d)中所示,剥离抗蚀图案13,制造金属线栅15。由此,作为具有金属线栅15的高精度光学元件的偏光镜10可以廉价且大批量生产性好地制作。
实施例2
图3中,示出了该实施例中涉及的可见光谱用偏光镜的制造工序的其他例子。
(1)透明电极层的成膜
如图3(a)中所示,在石英等玻璃基板31上形成透明电极层(ITO、ZnO等)膜32。
(2)形成抗蚀图案
如图3(b)中所示,在透明电极层32上,用通常的方法形成抗蚀图案33。抗蚀剂33形成多个平行的肋状,从而形成凹部沟槽。
(3)电解电镀,形成第一层金属线栅
接着,如图3(c)中所示,采用电解电镀在由抗蚀剂33形成的凹部中生长第一层金属层34。作为电解电镀条件,采用从得到大批量生产性高、精度高的偏光镜这一观点出发所希望的条件。此外,作为在此进行的电解电镀法的一个例子,可以列举通过使用实施例1中详细描述的电镀浴具进行电沉积的方法(图2)。通过该电解电镀生长金属层34,从而形成第一层金属线栅35。
(4)形成多层线栅
如图3(d)中所示,通过电解电镀形成第一层金属线栅35之后,反复进行至少一次电解电镀或无电解电镀直到构成所希望的层为止。由此,形成由所希望的层构成的金属线栅36。而且,在图3(d)中,虽然示出了Al和Ag等金属种类不同的两层结构的金属线栅36,但是金属的种类和层数不受特别地限制。
(5)抗蚀剂剥离
如图3(e)中所示,剥离抗蚀剂33,作为具有金属线栅36的高精度光学元件的偏光镜30可以廉价且大批量生产性好地制作。
实施例3
接着,示出了作为通过电解电镀法生长的金属使用Al、Ag两种金属、通过电解电镀法形成7层结构的线栅的实施例。图4示出了通过该实施例的制造方法形成的具有由两种金属构成的线栅(叠层合金)的可见光谱用偏光镜的一个例子。图4(a)为实施例3中涉及的偏光镜的立体图,图4(b)为图4(a)中偏光镜的X-X方向横截面图。
该实施例所涉及的偏光镜的制造方法除了通过作为由电解电镀法生长的金属使用Al和Ag两种金属而形成交替的7层金属层之外,还包括与上述实施例1和2相同的工序。因而,在该实施例3中没有特别详细描述的地方,适当地适用上述实施例1和2中说明了的事项。
在该实施例中,在玻璃基板41上设置的透明电极层42上设置了抗蚀剂之后,用Al和Ag交替地进行电解电镀。由此,在剥离抗蚀剂之后,如图4中所示,作为具有交替层叠形成了Al和Ag的多个金属线栅(多元系且多层金属线栅)43的高精度光学元件的偏光镜40,可以廉价且大批量生产性好的容易得到。
变形例
虽然本发明适当地提供了所述各实施方案、实施例,但是不局限于这些实施方案、实施例,在不脱离本发明权利要求所定义的本发明的范围内可以进行各种变形。
作为用于形成金属线栅的金属除了Al、Ag以外,还可以适当地使用Au,而且也可以混合它们使用。其他的,也可以使用Al和Ag的固溶体和金属间化合物。
作为光学元件,实施例中,虽然制造了可见光谱用偏光镜,但是本发明也可以适用于衍射光栅等。
(产业上的可利用性)
本发明作为比较廉价且大批量生产性高的偏光镜等光学元件的制造方法,具有产业利用的可能性。

Claims (6)

1. 一种光学元件的制造方法,在透明基板(11)上形成具有多个金属线栅的光学元件,
包括:
在所述基板上形成透明电极层(12);
在所述透明电极层上形成多个平行肋的抗蚀图案(13);
使用电解电镀工序在所述抗蚀图案的所述肋之间生长金属层(14);以及
剥离所述抗蚀图案,制造所述金属线栅。
2. 根据权利要求1所述的光学元件的制造方法,其中所述透明电极层是ITO或ZnO。
3. 根据权利要求1或2所述的光学元件的制造方法,其中通过电解电镀工序生长的所述金属层至少包括铝,在电沉积铝时,具有AlCl3和有机氯化物的混合盐的溶液的电镀浴具被用于电沉积。
4. 根据权利要求1或2所述的光学元件的制造方法,通过执行所述电解电镀工序形成所述金属线栅的第一层,此后至少一次重复所述电解电镀工序或非电解电镀工序,来形成多层金属线栅作为所述金属线栅。
5. 根据权利要求1或2所述的光学元件的制造方法,通过使用从包括Al、Ag和Au的组中选择的两种或者两种以上的金属来形成多成分金属线栅作为所述金属线栅。
6. 根据权利要求1或2所述的光学元件的制造方法,其中制造可见光谱用偏光镜作为所述光学元件。
CNB2006100739019A 2005-02-21 2006-02-14 光学元件的制造方法 Expired - Fee Related CN100410698C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005044293A JP4479535B2 (ja) 2005-02-21 2005-02-21 光学素子の製造方法
JP2005044293 2005-02-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1825146A CN1825146A (zh) 2006-08-30
CN100410698C true CN100410698C (zh) 2008-08-13

Family

ID=36096248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100739019A Expired - Fee Related CN100410698C (zh) 2005-02-21 2006-02-14 光学元件的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7608474B2 (zh)
EP (1) EP1693691A1 (zh)
JP (1) JP4479535B2 (zh)
KR (1) KR100760744B1 (zh)
CN (1) CN100410698C (zh)
TW (1) TW200634359A (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5141320B2 (ja) * 2008-03-17 2013-02-13 株式会社村田製作所 ワイヤーグリッド用金属板、自立型ワイヤーグリッド及びワイヤーグリッド用金属板の製造方法
CN100573204C (zh) * 2008-04-30 2009-12-23 京东方科技集团股份有限公司 偏振片制造方法
JPWO2012017774A1 (ja) * 2010-08-02 2013-10-03 日本電気株式会社 偏光子及び発光装置
KR20140030382A (ko) 2012-08-27 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150029817A (ko) * 2013-09-10 2015-03-19 삼성디스플레이 주식회사 편광판, 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조방법
US10550490B2 (en) * 2015-05-22 2020-02-04 Versitech Limited Transparent conductive films with embedded metal grids
CN105866876B (zh) * 2016-06-14 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种偏光层的制备方法、显示基板组件、显示面板
CN106324742A (zh) * 2016-10-08 2017-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 金属线栅偏光片的制作方法
US10139538B2 (en) * 2016-11-22 2018-11-27 Moxtek, Inc. Wire grid polarizer with high reflectivity on both sides
CN107203017A (zh) * 2017-07-06 2017-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 纳米线栅偏光片的制作方法
US20190011770A1 (en) * 2017-07-06 2019-01-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method of manufacturing nanowire grid polarizer

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3291871A (en) * 1962-11-13 1966-12-13 Little Inc A Method of forming fine wire grids
US5483387A (en) * 1994-07-22 1996-01-09 Honeywell, Inc. High pass optical filter
EP0985510A1 (en) * 1998-02-05 2000-03-15 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Article with rough surface, process for producing the same, and composition therefor
US20040125449A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Sales Tasso R. Grid polarizer with suppressed reflectivity
US20040264350A1 (en) * 2003-06-25 2004-12-30 Sharp Kabushiki Kaisha Polarizing optical element and display device including the same

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB648257A (en) 1946-11-16 1951-01-03 Ferenc Okolicsanyi Improvements in or relating to the conversion of electrical signals into luminous images and vice versa
GB702851A (en) 1949-04-22 1954-01-27 Fernseh Gmbh Improvements in or relating to processes for the production of multi-apertured thin foil members
US2942120A (en) * 1955-12-12 1960-06-21 Rca Corp Electroluminescent storage device
JPS6034742B2 (ja) * 1976-02-20 1985-08-10 ミノルタ株式会社 光学的ロ−パスフイルタ−
US4771017A (en) * 1987-06-23 1988-09-13 Spire Corporation Patterning process
US4915463A (en) * 1988-10-18 1990-04-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Multilayer diffraction grating
JP2856778B2 (ja) * 1989-09-07 1999-02-10 株式会社東芝 半導体装置の配線構造
US5327285A (en) * 1990-06-11 1994-07-05 Faris Sadeg M Methods for manufacturing micropolarizers
US5119231A (en) * 1990-06-15 1992-06-02 Honeywell Inc. Hybrid diffractive optical filter
CA2572786A1 (en) 1997-04-04 1998-10-15 University Of Southern California Method for electrochemical fabrication including etching to remove flash
KR100326535B1 (ko) * 1999-02-09 2002-03-25 구자홍 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 그 제조방법
US6336753B1 (en) * 1999-01-20 2002-01-08 Sony Corporation Optical device, a fabricating method thereof, a driving method thereof and a camera system
US6631022B1 (en) * 1999-05-28 2003-10-07 Sony Corporation Optical device, a fabrication method thereof, a driving method thereof and a camera system
US6288840B1 (en) * 1999-06-22 2001-09-11 Moxtek Imbedded wire grid polarizer for the visible spectrum
US6122103A (en) 1999-06-22 2000-09-19 Moxtech Broadband wire grid polarizer for the visible spectrum
JP4427837B2 (ja) 1999-09-03 2010-03-10 住友化学株式会社 ワイヤーグリッド型偏光光学素子
US6243199B1 (en) 1999-09-07 2001-06-05 Moxtek Broad band wire grid polarizing beam splitter for use in the visible wavelength region
US6812276B2 (en) * 1999-12-01 2004-11-02 General Electric Company Poly(arylene ether)-containing thermoset composition, method for the preparation thereof, and articles derived therefrom
GB0005883D0 (en) 2000-03-13 2000-05-03 Lowe John M Electro-plating apparatus and a method of electoplating
TW575786B (en) 2000-03-14 2004-02-11 Takashi Nishi Exposure controlling photomask and production method thereof
US6392792B1 (en) * 2000-12-05 2002-05-21 The Regents Of The University Of California Method of fabricating reflection-mode EUV diffraction elements
WO2002068183A1 (fr) 2001-02-28 2002-09-06 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Article presentant une forme de surface predefinie et son procede de preparation
US6532111B2 (en) * 2001-03-05 2003-03-11 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
US6813077B2 (en) * 2001-06-19 2004-11-02 Corning Incorporated Method for fabricating an integrated optical isolator and a novel wire grid structure
US6510200B1 (en) * 2001-06-29 2003-01-21 Osmic, Inc. Multi-layer structure with variable bandpass for monochromatization and spectroscopy
KR100912920B1 (ko) 2001-09-05 2009-08-20 니폰 제온 가부시키가이샤 다층 회로 기판, 수지 기재 및 그의 제조 방법
JP3862009B2 (ja) 2001-09-05 2006-12-27 日本ゼオン株式会社 多層回路基板の製造方法
JP2004062148A (ja) * 2002-06-04 2004-02-26 Canon Inc 光学部品及びその製造方法
JP2004045672A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Canon Inc 偏光分離素子およびそれを用いた光学系
US7022210B2 (en) * 2002-08-01 2006-04-04 Rockwell Scientific Licensing, Llc Locally-distributed electrode and method of fabrication
US6665119B1 (en) * 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
US7268946B2 (en) * 2003-02-10 2007-09-11 Jian Wang Universal broadband polarizer, devices incorporating same, and method of making same
JP2004335710A (ja) 2003-05-07 2004-11-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR100959751B1 (ko) 2003-05-13 2010-05-25 삼성전자주식회사 금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터
JP4386413B2 (ja) * 2003-08-25 2009-12-16 株式会社エンプラス ワイヤーグリッド偏光子の製造方法
TWI223103B (en) * 2003-10-23 2004-11-01 Ind Tech Res Inst Wire grid polarizer with double metal layers
JP2005172844A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Enplas Corp ワイヤグリッド偏光子
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
US7304719B2 (en) * 2004-03-31 2007-12-04 Asml Holding N.V. Patterned grid element polarizer
US7227145B2 (en) * 2004-07-01 2007-06-05 Lockheed Martin Corporation Polarization and wavelength-selective patch-coupled infrared photodetector
US7480017B2 (en) * 2004-09-17 2009-01-20 Radiant Images, Inc. Microdisplay
JP2008522226A (ja) * 2004-11-30 2008-06-26 アグーラ テクノロジーズ インコーポレイテッド 大規模ワイヤ・グリッド偏光子の応用および作製技術
KR100783467B1 (ko) * 2006-02-24 2007-12-07 삼성전기주식회사 내부 관통홀을 가지는 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
KR100863570B1 (ko) * 2006-12-19 2008-10-15 삼성전자주식회사 와이어 그리드 편광자의 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3291871A (en) * 1962-11-13 1966-12-13 Little Inc A Method of forming fine wire grids
US5483387A (en) * 1994-07-22 1996-01-09 Honeywell, Inc. High pass optical filter
EP0985510A1 (en) * 1998-02-05 2000-03-15 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Article with rough surface, process for producing the same, and composition therefor
US20040125449A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Sales Tasso R. Grid polarizer with suppressed reflectivity
US20040264350A1 (en) * 2003-06-25 2004-12-30 Sharp Kabushiki Kaisha Polarizing optical element and display device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006227515A (ja) 2006-08-31
KR100760744B1 (ko) 2007-09-21
US7608474B2 (en) 2009-10-27
EP1693691A1 (en) 2006-08-23
JP4479535B2 (ja) 2010-06-09
TW200634359A (en) 2006-10-01
CN1825146A (zh) 2006-08-30
US20060185983A1 (en) 2006-08-24
KR20060093278A (ko) 2006-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100410698C (zh) 光学元件的制造方法
US20060177952A1 (en) Process to make nano-structurated components
CN101918617B (zh) 制造金属微结构的方法和通过该方法获得的微结构
CN1734737A (zh) 金属间弹簧结构
KR20100103434A (ko) 전기 주조를 위한 몰드 및 상기 몰드를 제조하는 방법
CN107164788B (zh) 掩膜板及其制作方法
EP1562229A3 (en) Method for manufacturing metal structures having different heights
CN100576410C (zh) 金属和碳纳米管或碳纤维薄膜发射阵列阴极及其制作方法
CN106782741A (zh) 一种基于纳米压印的柔性透明导电膜及其制备方法
CN106410064B (zh) Oled掩模板的制作方法
KR20180069921A (ko) 텍스쳐화 표면을 금속화하는 방법
CN106011969B (zh) 镍基上金纳米颗粒阵列及其制备方法
CN113555452B (zh) 一种太阳能电池金属电极及其制备方法
CN103842861B (zh) 用于纳米压印的模具的制造方法
KR20100103433A (ko) 전기 주조를 위한 몰드 및 상기 몰드를 제조하는 방법
CN204325516U (zh) 复合掩膜板、复合掩膜板组件
CN103066170B (zh) 一种纳米级图形化衬底的制造方法
KR101303988B1 (ko) 산화아연 나노로드를 이용한 금속 나노구조체 제조방법 및 그 응용
CN107111200A (zh) 用于电致变色设备的导电支件、包含所述导电支件的电致变色设备及其制造法
CN103022281B (zh) 一种纳米级图形化衬底的制造方法
Kure-Chu et al. Facile fabrication of ordered multi-tiered hierarchical porous alumina nanostructures with multiple and fractional ratios of pore interval toward multifunctional nanomaterials
WO2006112696A2 (en) Method for electroforming a studded plate and a copy die, electroforming die for this method, and copy die
CN114016127A (zh) 金刚石结构图形的构建方法
KR101851314B1 (ko) 다층 그래핀 복합시트의 제조 방법
TW554056B (en) Formation method of fiber array base surface soldering layer

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080813

Termination date: 20140214