CN100449661C - 使用导电聚合物的薄膜电容器 - Google Patents

使用导电聚合物的薄膜电容器 Download PDF

Info

Publication number
CN100449661C
CN100449661C CNB028217896A CN02821789A CN100449661C CN 100449661 C CN100449661 C CN 100449661C CN B028217896 A CNB028217896 A CN B028217896A CN 02821789 A CN02821789 A CN 02821789A CN 100449661 C CN100449661 C CN 100449661C
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
substrate
layer
film capacitor
pentoxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB028217896A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1578993A (zh
Inventor
P·库马
H·乌伦哈特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Starck GmbH
Original Assignee
HC Starck GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HC Starck GmbH filed Critical HC Starck GmbH
Publication of CN1578993A publication Critical patent/CN1578993A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100449661C publication Critical patent/CN100449661C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/36—Accumulators not provided for in groups H01M10/05-H01M10/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/48—Conductive polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/10—Metal-oxide dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/06—Electrodes for primary cells
    • H01M4/08—Processes of manufacture
    • H01M4/10—Processes of manufacture of pressed electrodes with central core, i.e. dollies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/14—Electrodes for lead-acid accumulators
    • H01M4/16—Processes of manufacture
    • H01M4/20—Processes of manufacture of pasted electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/032—Materials
    • H05K2201/0329—Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09763—Printed component having superposed conductors, but integrated in one circuit layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors

Abstract

本发明涉及一种薄膜电容器，该电容器包含(a)衬底，(b)第一聚合物薄膜，包括导电聚合物的第一聚合物薄膜位于衬底上，(c)五氧化物层，该层选自由五氧化二钽、或五氧化二铌及其混合物构成的组且位于第一聚合物薄膜表面上，(d)第二聚合物薄膜，包括导电聚合物的第二聚合物薄膜位于五氧化物层的表面上。

Description

使用导电聚合物的薄膜电容器
技术领域
本发明涉及用作电容器的薄膜叠层。
背景技术
众所周知在电子电路中使用电容器。印刷电路板(PCB)具有使用悬吊在板上或板下的辊轧成形或粉末/电解电容器的限制。可以直接粘结到或集成到具有适当电参数和稳定性的板的平板电容器是合乎需要。因而，本发明的目的是提供这样一种电容器。
已经发现通过包括五氧化二钽或五氧化二铌的交替层以及导电聚合物薄膜如H.C.Starck有限公司的
Figure C0282178900041
line的聚噻吩-基聚合物的电容器可以满足该目的。有利地，可以使用多种类型的薄导电聚合物薄膜。
发明内容
本发明涉及一种薄膜电容器，包括(a)衬底，(b)第一聚合物薄膜，包括位于衬底上的导电聚合物，(c)五氧化物层，该层选自由五氧化二钽、或五氧化二铌及其混合物构成的组且位于第一聚合物薄膜表面上，(d)第二聚合物薄膜，包括位于五氧化物层表面上的导电聚合物。
附图说明
参考以下的描述和所附的权利要求将更好的理解本发明的这些及其他特点、方面以及优点。
图1示意地示出了根据本发明制造电容器的实施例；
图2是这种电容器的图片；
图3中的10A和10B示意地示出了具有三层氧化物阵列的聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)氧化膜(baytron)的串联和并联连接。
具体实施方式
本发明涉及一种薄膜电容器，包括(a)衬底，(b)第一聚合物薄膜，包括位于衬底上的导电聚合物，(c)五氧化物层，该层选自由五氧化二钽、或五氧化二铌及其混合物构成的组且位于第一聚合物薄膜表面上，(d)第二聚合物薄膜，包括位于五氧化物层表面上的导电聚合物。
衬底可以是任意衬底，当根据本发明使用时，能够使所得的薄膜电容用于它想要的应用中。一般，该衬底是非导电衬底且可以选自如乙烯基聚合物、烯烃聚合物或聚酯聚合物材料。衬底的厚度一般至少约0.01mm。根据应用衬底的厚度可以广泛地变化。在一个实施例中，厚度范围约0.01至约1mm。
聚合物薄膜可以包括任意导电聚合物，当根据本发明使用时，能够使所得的薄膜电容用于它想要的使用中。适合的导电聚合物的例子包括聚苯胺-基聚合物、聚吡咯-基聚合物、聚氧化乙烯-基聚合物、聚噻吩-基聚合物、以及其混合物或共聚物。这些聚合物是公知的。
特别有利的导电聚合物包括可以从HC.Star k有限公司获得的BAYTRON
Figure C0282178900051
导电聚合物。优选导电聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)，如美国专利5,035,926所述，在此完整引入。这种聚合物优选通过混合溶液中的相应单体与有机溶剂如异丙醇或乙醇中保持的铁(III)p-甲苯磺酸盐人工合成。当聚合时，通过用水清洗除去存在的铁盐沉淀物。在聚(苯乙烯磺酸)用作胶质胶体稳定剂的情况下导电聚合物也可以提供作为水溶液。通常，这些导电聚合物显示出高电导率、高薄膜透明度、高稳定性以及容易处理。这些聚合物的应用范围包括但是不局限于塑料的抗静电涂层、玻璃的抗静电涂层、电容器电极(钽和铝)、印刷电路板(PCBs)的通孔电镀以及聚合物发光二极管显示器。
一种这种聚噻吩优选的聚合物，“Baytron P”是显示出良好粘附性的水聚合物分散体。如有必要，通过添加粘合剂可以提高粘附性。这种水分散体容易涂敷到塑料和玻璃表面，例如通过印刷或喷射，且是水基的且因此是环保的。
导电聚合物通常与用于涂敷的适当粘合剂相结合。适当粘合剂的实例包括但是不局限于聚乙酸乙烯酯、聚碳酸脂、聚乙烯丁酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈。聚氯乙烯、聚丁二烯、聚异戊二烯、聚醚、聚酯、硅树脂、吡咯/丙烯酸酯、醋酸乙烯酯/丙烯酸酯。乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇。
根据应用，导电聚合物薄膜的厚度通常至少约50纳米，优选范围为约100纳米至约10微米。
在一个实施例中，本发明涉及一种薄膜电容器，包括(a)衬底，(b)位于衬底表面上的第一聚合物导电层以及(c)从第一聚合物层延伸的多个五氧化物层/聚合物导电层的交替层，其中五氧化物层的总数是n，聚合物导电层的总数是n+1，其中n优选为1至30的范围。在另一个实施例中，每个元件可以具有2至20层(一般导电薄膜层比氧化层多)。对这种层叠的每个有效电容器可以进行串联或并联连接。优选地，整个薄膜叠层在不导电衬底如乙烯基、石蜡或聚酯薄膜之上。
在一个实施例中，每个导电薄膜约为一微米的厚度且通过印刷、喷射或由液体或溶液前体的其他湿法涂敷。在另一个实施例中，每个Ta、Nb-氧化膜约为一微米的厚度以及由液体或蒸气前体通过反应物理汽相淀积(PVD)或化学方法涂敷。另外地可以涂敷Ta或Nb以及原地氧化。
这样制造的电容器优于巳知的Ta2O5/Cu/Ta2O5/Cu…叠层，其中在环境湿度的影响下，该叠层将不易受影响而退化。此外短叠层(氧化物和聚合物各2-4层)可以是透明的。
参考附图。图1示意地示出了按本发明制造的电容器10的实施例。聚合物衬底12(例如，MylarTMfilm)涂有一微米的聚噻吩导体层14，随后用100纳米五氧化二钽薄膜16覆盖，然后覆盖另一个一微米的导体层18。银连接焊盘20涂敷到层14和18。这种电容器被制造。它在五伏下被测试，该电容器表现出每平方厘米的氧化物区域面积约350纳法的电容量。
图2是具有指示图1层的参考标记的这种电容器的照片。示出了1厘米，1英寸(2.54厘米)标记。导电层14的圆的直径约为2.75英寸(6.98厘米)。
在一个实施例中，可以用与导电层交替的1-30层氧化层制造电容器。如有必要，衬底薄膜12可以具有硅酮敷层且在构成电容器之后被除去。同样可以涂敷传送外敷层以将电容器粘附到新的衬底。在其他实施例中，可以制造超过30层氧化层的电容器。
图3中的10A和10B示意地示出了具有串联和并联的导电薄膜(Baytron)-氧化物阵列的电容器10A、10B，该阵列具有三个氧化层16，26和36以及四个导电薄膜14，18，24和28，每层约为一微米。
本发明的薄膜电容器一般通过下面三个步骤制造：(i)在衬底上涂敷包括导电聚合物的聚合物薄膜(ii)涂敷五氧化物层、五氧化二钽、或五氧化二铌或其混合物到聚合物导电层，以及(iii)在五氧化物层上涂敷第二导电聚合物。根据希望的元件层的数目可以重复该处理步骤。
当使用水溶液中的聚噻吩-基聚合物时，通过任意适当的方法如印刷、带涂敷、敷、旋涂或浸渍涂敷在衬底上铺开溶液。在涂敷溶液之后，需要干燥步骤以蒸发载流子溶剂。有某些情况下添加某些附加的溶剂和/或粘合剂到Baytron P溶液是有利的，这增加薄膜与衬底的粘附力。
当希望执行原地聚合和在该层上制造聚合的导电薄膜时，单体和氧化剂溶液被混合到一种溶液中。该溶液需要在衬底上展开，可以通过任意巳知的湿法(如印刷、带涂敷、旋涂、浸渍涂敷)来完成。在溶液涂敷之后，需要干燥步骤以蒸发载流子溶剂。然后清洗所得的聚台物膜，以除去在聚合过程中形成的任何盐类。
建立超薄的但是致密的以及高介质氧化膜的方法包括但是不局限于：
(a)例如，Ta、Nb靶的反应溅射或激光或EB扫描加热的物理汽相淀积(PVD)方法，以形成作为淀积的氧化物；
(b)溅射氧化物靶，以将氧化物传送到薄膜衬底(或传送到先前放置的导电层顶部)；
(c)通过任意巳知的方法用Ta、Nb薄膜涂敷并阳极氧化它(通过电解或化学阳极氧化)。在此情况下该薄膜将被部分氧化，且未氧化的部分变为邻近导电层的部分。
尽管已参考某些优选方案详细描述了本发明，但是其他变化是可能的。因此，附加的权利要求的精神和范围不应该限于其中包含的方案的描述。

Claims (18)

1、一种薄膜电容器，包括：
(a)衬底，
(b)第一聚合物薄膜，包括位于衬底上的导电聚合物，
(c)五氧化物层，该层选自由五氧化二钽、或五氧化二铌及其混合物构成的组且位于第一聚合物薄膜表面上，
(d)第二聚合物薄膜，包括位于五氧化物层表面上的导电聚合物。
2、如权利要求1的薄膜电容器，其中衬底选自由乙烯基聚合物、烯烃聚合物、聚酯及其混合物构成的组。
3、如权利要求1的薄膜电容器，其中第一聚合物薄膜和第二聚合物薄膜选自由聚苯胺聚合物、木素-磺酸聚合物、聚吡咯聚合物、噻吩-基聚合物及其混合剂构成的组。
4、如权利要求1的薄膜电容器，其中第一聚合物薄膜具有100纳米至10微米的厚度范围。
5、如权利要求1的薄膜电容器，其中五氧化物层具有10至100纳米的厚度范围。
6、如权利要求1的薄膜电容器，其中衬底具有至少0.01毫米的厚度。
7、如权利要求1的薄膜电容器，其中第一聚合物薄膜或第二聚合物薄膜选自由聚噻吩-基聚合物、聚苯胺-基聚合物、聚吡咯-基聚合物、聚氧化乙烯-基聚合物及其混合物或共聚物构成的组。
8、一种薄膜电容器，包括：(a)衬底，(b)位于衬底表面上的第一聚合物导电层以及(c)在第一聚合物导电层上层叠的多个五氧化物层/聚合物导电层的交替层，其中五氧化物层的总数是n，聚合物导电层的总数是n+1。
9、如权利要求8的薄膜电容器，其中n的范围从1至30。
10、如权利要求8的薄膜电容器，其中电容器具有串联连接。
11、如权利要求8的薄膜电容器，其中电容器具有并联连接。
12、如权利要求8的薄膜电容器，其中衬底为，由选自由乙烯基聚合物、烯烃聚合物、聚酯聚合物以及其混合物构成的组的材料构成的不导电衬底。
13、如权利要求8的薄膜电容器，其中衬底选自由乙烯基聚合物、烯烃聚合物、聚酯及其混合物构成的组。
14、如权利要求8的薄膜电容器，其中至少一种聚合物导电层选自由聚苯胺-基聚合物、聚吡咯-基聚合物、聚氧化乙烯-基聚合物、聚噻吩-基聚合物及其混合物或共聚物构成的组。
15、一种用于制造薄膜电容器的方法，包括：
(a)在衬底上涂敷第一导电聚合物，形成第1聚合物导电层，即为第一聚合物薄膜，
(b)在上述(a)步得到的聚合物导电层上涂敷一层五氧化二钽、或五氧化二铌或其混合物，以及
(c)在五氧化物层上涂敷第二导电聚合物，形成第2聚合物导电层，即为第二聚合物薄膜，由此形成薄膜电容器。
16、如权利要求15的方法，其中形成的薄膜电容器包括：
(a)衬底，
(b)第一聚合物薄膜，包括位于衬底上的导电聚合物，
(c)五氧化物层，该层选自由五氧化二钽、或五氧化二铌及其混合物构成的组且位于第一聚合物薄膜表面上，
(d)第二聚合物薄膜，包括位于五氧化物层表面上的导电聚合物。
17、如权利要求15的方法，其中薄膜电容器包括(a)衬底，(b)位于衬底表面上的第一聚合物导电层以及(c)在第一聚合物导电层上层叠的多个五氧化物层/聚合物导电层的交替层，其中五氧化物层的总数是n，聚合物导电层的总数是n+1。
18、如权利要求15的方法，其中第一聚合物薄膜和第二聚合物薄膜选自由聚苯胺-基聚合物、聚吡咯-基聚合物、聚氧化乙烯-基聚合物、聚噻吩-基聚合物以及其混合物或共聚物构成的组。
CNB028217896A 2001-11-03 2002-11-01 使用导电聚合物的薄膜电容器 Expired - Fee Related CN100449661C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US33771901P 2001-11-03 2001-11-03
US60/337,719 2001-11-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1578993A CN1578993A (zh) 2005-02-09
CN100449661C true CN100449661C (zh) 2009-01-07

Family

ID=23321725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028217896A Expired - Fee Related CN100449661C (zh) 2001-11-03 2002-11-01 使用导电聚合物的薄膜电容器

Country Status (17)

Country Link
US (2) US6731495B2 (zh)
EP (1) EP1444710B1 (zh)
JP (1) JP4328909B2 (zh)
KR (1) KR100974771B1 (zh)
CN (1) CN100449661C (zh)
AT (1) ATE446583T1 (zh)
BR (1) BR0213858A (zh)
CA (1) CA2465269A1 (zh)
DE (1) DE60234114D1 (zh)
IL (2) IL161634A0 (zh)
MX (1) MXPA04004147A (zh)
NZ (1) NZ532671A (zh)
PL (1) PL369208A1 (zh)
RU (1) RU2318263C2 (zh)
UA (1) UA77459C2 (zh)
WO (1) WO2003041096A1 (zh)
ZA (1) ZA200403225B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9932358B2 (en) 2015-05-21 2018-04-03 Capacitor Science Incorporated Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
US9941051B2 (en) 2015-06-26 2018-04-10 Capactor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US9978517B2 (en) 2016-04-04 2018-05-22 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10153087B2 (en) 2016-04-04 2018-12-11 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
CN106575573B (zh) * 2014-05-12 2019-03-19 柯帕瑟特科学有限责任公司 能量储存器件及其制造方法
US10305295B2 (en) 2016-02-12 2019-05-28 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system
US10319523B2 (en) 2014-05-12 2019-06-11 Capacitor Sciences Incorporated Yanli dielectric materials and capacitor thereof
US10340082B2 (en) 2015-05-12 2019-07-02 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
US10347423B2 (en) 2014-05-12 2019-07-09 Capacitor Sciences Incorporated Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor
US10566138B2 (en) 2016-04-04 2020-02-18 Capacitor Sciences Incorporated Hein electro-polarizable compound and capacitor thereof
US10636575B2 (en) 2016-02-12 2020-04-28 Capacitor Sciences Incorporated Furuta and para-Furuta polymer formulations and capacitors
US10872733B2 (en) 2016-04-04 2020-12-22 Capacitor Sciences Incorporated YanLi material and dielectric and capacitor thereof

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
UA77459C2 (en) 2001-11-03 2006-12-15 Thin-film capacitor and a method for producing the capacitor
US7079377B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-18 Joachim Hossick Schott Capacitor and method for producing a capacitor
US7256982B2 (en) * 2003-05-30 2007-08-14 Philip Michael Lessner Electrolytic capacitor
GB0323733D0 (en) * 2003-10-10 2003-11-12 Univ Heriot Watt Conductive polymer
DK1524678T3 (da) * 2003-10-17 2009-11-02 Starck H C Gmbh Elektrolytkondensatorer med polymere yderlag
JP2005268672A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Mitsubishi Electric Corp 基板
JP2007194592A (ja) * 2005-12-20 2007-08-02 Tdk Corp 誘電体素子とその製造方法
US7612727B2 (en) * 2005-12-29 2009-11-03 Exatec, Llc Antenna for plastic window panel
WO2007123752A2 (en) * 2006-03-31 2007-11-01 Aculon, Inc. Solid electrolytic capacitors
JP2008181091A (ja) * 2006-12-26 2008-08-07 Nitto Denko Corp 光学積層体およびそれを用いた液晶パネル
US8461681B2 (en) * 2007-04-27 2013-06-11 Medtronic, Inc. Layered structure for corrosion resistant interconnect contacts
US8141556B2 (en) * 2007-04-27 2012-03-27 Medtronic, Inc. Metallization with tailorable coefficient of thermal expansion
US8264359B2 (en) * 2007-10-10 2012-09-11 Kovio, Inc. High reliability surveillance and/or identification tag/devices and methods of making and using the same
US8357858B2 (en) 2008-11-12 2013-01-22 Simon Fraser University Electrically conductive, thermosetting elastomeric material and uses therefor
CN103000379B (zh) * 2012-10-18 2016-04-20 中国科学院化学研究所 一种提高全固态电储能器件充电效率的方法
WO2014144538A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Gottlieb Stacey Fingernail system for use with capacitive touchscreens
RU2540934C1 (ru) * 2013-10-15 2015-02-10 Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" Датчик для контроля процесса пропитки наполнителя полимерным связующим
AU2015343211A1 (en) * 2014-11-04 2017-04-27 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage devices and methods of production thereof
US10037850B2 (en) * 2014-12-18 2018-07-31 3M Innovative Properties Company Multilayer film capacitor
US10026553B2 (en) 2015-10-21 2018-07-17 Capacitor Sciences Incorporated Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor
US10395841B2 (en) 2016-12-02 2019-08-27 Capacitor Sciences Incorporated Multilayered electrode and film energy storage device
US10163575B1 (en) 2017-11-07 2018-12-25 Capacitor Sciences Incorporated Non-linear capacitor and energy storage device comprising thereof
WO2019199484A1 (en) 2018-04-13 2019-10-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a vapor-deposited barrier film
WO2019199485A1 (en) 2018-04-13 2019-10-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an adhesive film
KR102412561B1 (ko) 2018-04-13 2022-06-23 교세라 에이브이엑스 컴포넌츠 코포레이션 순차적으로 증착된 내부 전도성 폴리머 필름을 포함하는 고체 전해 커패시터
DE112019005962T5 (de) 2018-11-29 2021-08-12 Avx Corporation Festelektrolytkondensator, der eine sequentiell aufgedampfte dielektrische Schicht enthält
CN110845728B (zh) * 2019-11-07 2020-12-29 江南大学 一种导电高分子/五氧化二铌异质结的制备方法及其应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3819990A (en) * 1971-12-29 1974-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin-film capacitor and method for the fabrication thereof
JPH05114532A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Yoshiyasu Sasa 積層コンデンサ
JPH09283389A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd コンデンサおよびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5126921A (en) * 1990-07-06 1992-06-30 Akira Fujishima Electronic component and a method for manufacturing the same
JPH0547588A (ja) * 1991-08-21 1993-02-26 Rubikon Denshi Kk 薄膜コンデンサ及びその製造方法
US5978207A (en) * 1996-10-30 1999-11-02 The Research Foundation Of The State University Of New York Thin film capacitor
CA2289239C (en) * 1998-11-23 2010-07-20 Micro Coating Technologies Formation of thin film capacitors
DE69931334T2 (de) * 1998-12-22 2007-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Flexibler Dünnfilmkondensator und Herstellungsverfahren
EP1170797A3 (en) * 2000-07-04 2005-05-25 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film capacitor element and electronic circuit board on which thin-film capacitor element is formed
JP3624822B2 (ja) 2000-11-22 2005-03-02 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
JP2002252143A (ja) * 2000-12-21 2002-09-06 Alps Electric Co Ltd 温度補償用薄膜コンデンサ及び電子機器
UA77459C2 (en) 2001-11-03 2006-12-15 Thin-film capacitor and a method for producing the capacitor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3819990A (en) * 1971-12-29 1974-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin-film capacitor and method for the fabrication thereof
JPH05114532A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Yoshiyasu Sasa 積層コンデンサ
JPH09283389A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd コンデンサおよびその製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10347423B2 (en) 2014-05-12 2019-07-09 Capacitor Sciences Incorporated Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor
US10347424B2 (en) 2014-05-12 2019-07-09 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage device and method of production thereof
CN106575573B (zh) * 2014-05-12 2019-03-19 柯帕瑟特科学有限责任公司 能量储存器件及其制造方法
US10319523B2 (en) 2014-05-12 2019-06-11 Capacitor Sciences Incorporated Yanli dielectric materials and capacitor thereof
US10685782B2 (en) 2014-05-12 2020-06-16 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
US10340082B2 (en) 2015-05-12 2019-07-02 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
US9932358B2 (en) 2015-05-21 2018-04-03 Capacitor Science Incorporated Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
US10672561B2 (en) 2015-06-26 2020-06-02 Capacitor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US10854386B2 (en) 2015-06-26 2020-12-01 Capacitor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US9941051B2 (en) 2015-06-26 2018-04-10 Capactor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US10305295B2 (en) 2016-02-12 2019-05-28 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system
US10636575B2 (en) 2016-02-12 2020-04-28 Capacitor Sciences Incorporated Furuta and para-Furuta polymer formulations and capacitors
US9978517B2 (en) 2016-04-04 2018-05-22 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10672560B2 (en) 2016-04-04 2020-06-02 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10153087B2 (en) 2016-04-04 2018-12-11 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10707019B2 (en) 2016-04-04 2020-07-07 Capacitor Science Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10872733B2 (en) 2016-04-04 2020-12-22 Capacitor Sciences Incorporated YanLi material and dielectric and capacitor thereof
US10566138B2 (en) 2016-04-04 2020-02-18 Capacitor Sciences Incorporated Hein electro-polarizable compound and capacitor thereof

Also Published As

Publication number Publication date
RU2318263C2 (ru) 2008-02-27
MXPA04004147A (es) 2004-09-06
DE60234114D1 (de) 2009-12-03
CN1578993A (zh) 2005-02-09
BR0213858A (pt) 2004-08-31
IL161634A (en) 2010-11-30
US6912113B2 (en) 2005-06-28
ATE446583T1 (de) 2009-11-15
CA2465269A1 (en) 2003-05-15
RU2004116913A (ru) 2005-10-27
WO2003041096A1 (en) 2003-05-15
NZ532671A (en) 2006-02-24
PL369208A1 (en) 2005-04-18
ZA200403225B (en) 2005-04-29
KR20040064697A (ko) 2004-07-19
JP2005509283A (ja) 2005-04-07
UA77459C2 (en) 2006-12-15
US20030103319A1 (en) 2003-06-05
IL161634A0 (en) 2004-09-27
EP1444710A1 (en) 2004-08-11
US6731495B2 (en) 2004-05-04
EP1444710B1 (en) 2009-10-21
US20040173873A1 (en) 2004-09-09
JP4328909B2 (ja) 2009-09-09
KR100974771B1 (ko) 2010-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100449661C (zh) 使用导电聚合物的薄膜电容器
Kim et al. The preparation and characteristics of conductive poly (3, 4-ethylenedioxythiophene) thin film by vapor-phase polymerization
CN101023138B (zh) 导电性组合物及其制造方法、抗静电涂料、抗静电膜、抗静电涂膜、滤光器、光信息记录媒体、电容器及其制造方法
US7671849B2 (en) Input device comprising thiophene derivative polymer and process for producing the same
WO2007058119A1 (ja) 導電性樹脂組成物、それを用いてなる導電性フィルム、及びそれを用いてなる抵抗膜式スイッチ
EP1003179B1 (en) A method for preparing a conductive polythiophene layer at low temperature
JP2010114066A (ja) 有機導電性高分子塗布液、有機導電性高分子膜、導電体、及び抵抗膜式タッチパネル
JP4491098B2 (ja) 低温で導電性ポリチオフェン層を形成するための方法
US6333145B1 (en) Method for preparing a conductive polythiophene layer at low temperature
CA2088826A1 (en) Coating agent for plastic films
CN103131137A (zh) 导电聚合物组合物、导电聚合物材料、导电基板、电极和固体电解电容器
JP2006291032A (ja) 導電性フィルム
AU2002340360A1 (en) Thin film capacitor using conductive polymers
JPS62140410A (ja) 金属化プラスチツクフイルムコンデンサ
JPS63269415A (ja) 透明複合導電体の製造方法
NZ541932A (en) Thin film capacitor using conductive polymers
WO2007137581A1 (en) A method for attaching an electrically conductive polymer to a rigid, semi-rigid or flexible polymer substrate and products obtained by the method
CN111883370B (zh) 一种不对称的印刷超级电容器及其制备方法
JPH02290008A (ja) 金属化プラスチックフィルムコンデンサ
KR101778816B1 (ko) 인쇄 가능한 극성 스위치
CN108292715A (zh) 利用图案化遮蔽膜的oled装置制造方法
JPS60257011A (ja) パタン状に導電性を有する高分子フイルムの製造方法
JP2003313317A (ja) π共役系高分子自立膜及びその製造方法、並びにπ共役系高分子自立膜を用いた太陽電池及び積層体
CZ32526U1 (cs) Přepisovatelný elektronický rezistivní paměťový element
JPS62134918A (ja) 有機積層フイルムコンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1072659

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1072659

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090107

Termination date: 20141101

EXPY Termination of patent right or utility model