CN100452477C - 发光器件的制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 10
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 claims description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 34
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 101
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GIFAOSNIDJTPNL-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-(2-phenylphenyl)naphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 GIFAOSNIDJTPNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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Abstract
本发明提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法,从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法,其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层,并借助于继续蒸发发光材料,同时停止蒸发掺杂剂,而制作由发光材料构成的第二发光层。结果,提高了各个发光层的连续性,从而能够得到优异的发光性能。
Description
技术领域
本发明涉及到发光器件,它具有由夹在阳极与阴极之间的呈现EL(电致发光)的发光材料构成的薄膜(以下称为发光层)组成的元件(以下称为EL元件)。注意,有机EL显示器和有机发光二极管(OLED)包括在本发明的发光器件中。
而且,能够用于本发明中的发光材料包括所有通过单重态激发或三重态激发或二者发光(磷光和/或荧光)的发光材料。
而且,本发明中的掺杂剂是指作为客体被掺入到作为基质的由有机材料构成的薄膜中的有机材料(有机化合物)。典型情况下,掺杂剂是掺入到发光层中用来控制其发光颜色的有机材料。作为掺入发光层的掺杂剂,可以使用经由单重激发或三重激发或二者而发光(磷光和/或荧光)的有机材料。
背景技术
自Eastman Kodak公司公布发光器件利用由有机材料构成的发光层在低驱动电压下发光之后,使用有机材料的发光器件受到了广泛的关注。在Kodak公司的公布中,其特点在于将元件结构制成叠层类型,从而能够降低发光器件的驱动电压。多家公司正对叠层式元件结构进行研发。
图2是本发明人所做试验(比较例)的投影图,因此在提出本发明申请时还不是众所周知的技术。
在图2中,参考号201表示玻璃衬底,202表示由ITO(氧化铟锡)构成的阳极,203表示由PEDOT(聚噻吩)构成的空穴注入层(20nm厚),204表示由STAD(螺旋-三苯胺衍生物)构成的空穴输运层(20nm厚),205表示由α-NPD(4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯)构成的空穴输运层(10nm厚),206表示由SDPVBi(螺旋-联苯乙烯联苯)构成的发光层(10nm厚)(以下称为蓝光发光层),207表示由Alq3(三-8-喹啉-铝络合物)构成的掺有DCM掺杂剂的发光层(10nm厚)(以下将该发光层称为红光发光层),208表示由Alq3构成的发光层(40nm厚)(以下称为绿光),而209表示由Yb(镱)膜构成的阴极。
在此,本发明人借助于同时蒸发(一种从不同的蒸发源同时蒸发不同的材料,从而使各个材料混合的蒸发方法)Alq3和掺杂剂而执行薄膜淀积,从而制作红光发光层207。然后,一旦停止同时蒸发,就仅仅蒸发Alq3,从而制作绿光发光层208。
正常情况下,在具有图2所示叠层结构的EL元件中,蓝、红和绿色被混合到一起以形成白光。然而,如图8所示,在本发明人进行的上述方法中,EL元件发射峰值在600nm附近的颜色,因而不能获得纯白色发光。
发明内容
鉴于上述问题而提出了本发明,且本发明的目的是在形成由有机材料构成的薄膜过程中,当在薄膜中制作含有掺杂剂的层时,提高含有掺杂剂的层和不含有掺杂剂的层的连续性。
典型情况下,本发明的目的在于提供一种方法,来获得具有含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光,从而提供一种制造含有这种优异发光性能的EL元件的发光器件的方法。
本发明人根据上述实验结果对所示EL元件的制造方法进行了各种各样的研究。结果,本发明人得出的结论是,含有掺杂剂的发光层与不含掺杂剂的发光层之间的界面,对EL元件的发光颜色具有重要的影响。换言之,本发明人认为,当不同发光层间的界面处的一致性(连续性)差时,则不可能得到白色发光。
考虑到上述情况,在图2所示的元件结构中,本发明人借助于一起蒸发来进行Alq3和作为掺杂剂的有机材料的薄膜淀积,从而制作红光发光层207。然后在继续蒸发Alq3的情况下,停止蒸发掺杂剂,仅仅蒸发Alq3,从而制作绿光发光层208。
根据本发明制造的EL元件的结构示于图3。在图3中,参考号301表示玻璃衬底,302表示由ITO(氧化铟锡)构成的阳极,303表示由PEDOT(聚噻吩)构成的空穴注入层(20nm厚),304表示由STAD(螺旋-三苯胺衍生物)构成的空穴输运层(20nm厚),305表示由α-NPD(4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯)构成的空穴输运层(10nm厚),306表示由SDPVBi(螺旋-联苯乙烯联苯)构成的发光层(10nm厚)(以下称为蓝光发光层),307表示由Alq3(三-8-喹啉-铝络合物)构成的掺有DCM掺杂剂的发光层(10nm厚)(以下将该发光层称为红光发光层),308表示由Alq3构成的发光层(40nm厚)(以下称为绿光发光层),而309表示由Yb(镱)膜制成的阴极。
图3所示的本发明EL元件结构的特点在于,红光发光层307和绿光发光层308之间的界面不很明显,但它们的接触区域具有极高的一致性(连续性)。由于这种元件结构,致使从被实验的EL元件获得了优异的白色发光。
图1所示曲线是本发明所获得的白光发光的发光特性,其中各个点的横轴表示波长,纵轴表示其亮度(光谱辐射强度)。如图1所示,在400-700nm波长范围内获得了宽的发光特性,因此显然得到了优异的白色发光。
鉴于上述现象,在制作其结构具有含掺杂剂的发光层的EL元件的过程中,本发明人认为连续制作各个发光层而不停止蒸发作为基质的发光材料是可取的。特别是,在借助于在形成发光层的发光材料中掺入掺杂剂来控制EL元件的发光颜色的情况下,本发明人认为即使当停止或开始掺杂剂蒸发时,连续发光材料的蒸发也是可取的。
于是,本发明的制造发光器件的方法的特征在于,借助于蒸发发光材料和掺杂剂以形成发光层,然后继续发光材料的蒸发而停止掺杂剂的蒸发以形成由该发光材料构成的发光层,来制作EL元件。
在本发明的制造发光器件的方法中,其制造方法的进一步特征在于,借助于用蒸发方法形成由发光材料构成的第一发光层,然后在继续蒸发发光材料的情况下蒸发掺杂剂,从而形成由发光材料和掺杂剂构成的第二发光层,来制作EL元件。
利用上述制造EL元件的方法,有可能制造无源矩阵型发光器件或有源矩阵型发光器件,其中能够获得优异的发光性能。
根据本发明的制造发光器件的方法,包含下列步骤:通过从不同的蒸发源蒸发发光材料和掺杂剂而形成第一发光层;以及,通过在继续蒸发发光材料的同时停止蒸发掺杂剂而形成第二发光层。
根据本发明的一种制造发光器件的方法,包含下列步骤:通过从一个蒸发源蒸发发光材料而形成第一发光层;以及,通过在继续蒸发发光材料的同时从所述蒸发源蒸发发光材料并且从另一个蒸发源蒸发掺杂剂而形成第二发光层。
根据本发明的制造发光器件的方法,包含下列步骤:通过从不同的蒸发源蒸发发光材料和掺杂剂而形成红色发光层;以及,通过在继续蒸发发光材料的同时停止蒸发掺杂剂而形成绿色发光层。
根据本发明的一种制造发光器件的方法,包含下列步骤:通过从一个蒸发源蒸发发光材料而形成绿色发光层;以及,通过在继续蒸发发光材料的同时从所述蒸发源蒸发发光材料并且从另一个蒸发源蒸发掺杂剂而形成红色发光层。
根据本发明的一种制造有源阵列发光器件的方法,包括:用蒸发方法在一个衬底上形成包含第一发光材料和掺杂剂的一个红色发光层;通过停止蒸发所述掺杂剂并同时继续蒸发所述第一发光材料,在所述红发光层上形成包含所述第一发光材料的一个绿色发光层;形成包含叠置在所述红色发光层和所述绿色发光层上的第二发光材料的一个兰色发光层;以及,形成一个包含导电聚合物的空穴注入层,其中,通过将分别从所述红色发光层、所述绿色发光层和所述兰色发光层发射的红光、绿光和兰光相混合而得到白光。
根据本发明的一种制造有源阵列发光器件的方法,包括:用蒸发方法在一个衬底上形成包含第一发光材料和掺杂剂的一个绿色发光层;通过停止蒸发所述掺杂剂并同时继续蒸发所述第一发光材料,在所述绿发光层上形成包含所述第一发光材料的一个红色发光层;形成包含叠置在所述红色发光层和所述绿色发光层上的第二发光材料的一个兰色发光层;以及,形成一个包含导电聚合物的空穴注入层,其中,通过将分别从所述红色发光层、所述绿色发光层和所述兰色发光层发射的红光、绿光和兰光相混合而得到白光。
注意,本发明的应用不局限于层叠含有掺杂剂的发光层和不含有掺杂剂的发光层。换言之,当制作由有机材料构成的薄膜时,本发明能够在薄膜中形成含有掺杂剂的层的所有情况下实施。结果,含有掺杂剂的层和不含有掺杂剂的层之间的连续性得到了提高,从而可望改善发光特性、电荷注入或电荷输运特性。
附图说明
从结合附图的下列描述中,本发明的上述和其它的目的和特点将更加明显:
图1示出了EL元件的发光特性(采用本发明的情况);
图2示出了EL元件的结构(采用本发明的情况);
图3示出了EL元件的结构(采用本发明的情况);
图4A-4E示出了发光器件的制造工艺;
图5A-5E示出了发光器件的制造工艺;
图6A-6C示出了发光器件的制造工艺;
图7示出了发光器件所显示图像的替代照片;
图8示出了EL元件的发光特性(不采用本发明的情况);以及
图9A-9F示出了各种电子装置。
具体实施方式
在下述各个实施方案中,将详细解释本发明的实施方案模式。
实施方案1
下面参照图4A-6C来解释本发明的实施方案1。在实施方案1中,将描述同时制造象素部分以及提供在其外围的驱动电路部分的TFT的方法。但为了简化其描述,对于驱动电路,将在各个图中示出作为基本单元的CMOS电路。
首先,如图4A所示,在玻璃衬底500上制作300nm厚的由氮氧化硅薄膜构成的基底膜501。在此,氮氧化硅薄膜被制作成两层,且与玻璃衬底500接触的层的氮浓度被比较高地设定为10-25%重量比。
接着,用等离子体CVD方法,在基底膜501上制作50nm厚的非晶硅薄膜(图中未示出)。然后,根据日本专利公开No.Hei 7-130652公开的结晶技术,使非晶硅薄膜结晶,从而形成结晶硅薄膜502(也称为多晶硅薄膜)。(见图4A)
然后,如图4B所示,结晶硅膜502被图形化,从而形成被加工成小岛形状的半导体膜503-506。(见图4B)
接着,在结晶硅膜502上制作130nm厚的由氧化硅膜构成的保护膜507。然后通过保护层507将硼掺入到半导体膜503-506中。在实施方案1中,用不进行质量分离的等离子体掺杂方法来掺入硼。通过这一工艺,硼在半导体膜503-506中的浓度为1×1015-5×1017原子/cm3。此处掺入的硼被用来调节TFT的阈值电压。(见图4C)
随后,在保护膜507上制作抗蚀剂掩模508a和508b,并通过保护膜507掺入磷。在实施方案1中,磷是用等离子体掺杂方法掺入的。通过此工艺,半导体区(n-型杂质区)509被制作成含有浓度为2×1016-5×1019原子/cm3的磷。(见图4D)
接着,如图4E所示,用等离子体CVD方法,制作栅绝缘膜510以覆盖半导体膜503-506。100nm厚的氮氧化硅被用作栅绝缘膜510。
随后,制作由50nm厚氮化钽(TaN)膜和350nm厚的钽(Ta)膜组成的叠层膜,从而形成栅电极511-515。在此,栅电极512被制作成经由栅绝缘膜510覆盖部分n-型杂质区509。
如图5A所示,用栅电极511-515作为掩模,以自对准方式掺入浓度为1×1016-5×1018原子/cm3的磷。这样形成的杂质区516-523,用浓度为n-型杂质区509浓度的1/2-1/10的磷进行掺杂。
然后,如图5B所示,用栅电极511-515作为掩模,以自对准方式腐蚀栅绝缘膜507。在实施方案1中,使用CHF3气体进行干法腐蚀,从而形成栅绝缘膜524-528。
接着,如图5C所示,制作抗蚀剂掩模,然后掺入硼,使其浓度为3×1020-3×1021原子/cm3,从而形成含有高浓度硼的杂质区530-533。注意,虽然掺杂区530-533中已掺入了磷,但此处掺入的硼的浓度至少是磷浓度的30倍或更高。因此,之前形成的n-型杂质区完全转变为p-型导电,并起p-型杂质区的作用。
然后,如图5D所示,制作抗蚀剂掩模534a-534d,并掺入磷,使其浓度为1×1020-1×1021原子/cm3,从而形成含有高浓度磷的杂质区535-539。要指出的是,在杂质区530-533中,虽然参考号540-543表示的区域中也类似地掺入了磷,但与p型杂质区中的浓度相比,其中的磷浓度足够低,因而不会从p型导电转变为n-型导电。
然后,在清除抗蚀剂掩模534a-534d之后,制作200nm厚的氮氧化硅作为保护膜544,并随后对掺入的磷或硼进行激活。在实施方案1中,借助于在电炉中于550℃温度的氮气氛下进行4小时的热处理来进行激活。在这一热处理过程中,由于结晶过程中使用的镍将沿箭头所示方向移动,故有可能在降低稍后要形成沟道的区域中的镍浓度。此外,在这一热处理之后,在350℃温度的含氢气氛中进行1小时的热处理,从而执行氢化工艺。(见图5E)
接着,如图6A所示,制作第一层间绝缘膜545。在实施方案1中采用500nm厚的氧化硅膜层叠在保护膜544上的结构。然后在第一层间绝缘膜545中制作接触孔,从而形成源引线546-549以及漏引线550-552。要指出的是,在实施方案1中,用连续溅射方法,此电极被制作成具有由60nm厚钽膜、40nm厚氮化钽膜、含2%重量比硅的300nm厚铝膜、以及100nm厚钛膜组成的四层结构的叠层膜。
接着,如图6B所示,制作由有机树脂构成的第二层间绝缘膜553。在实施方案1中,制作厚度为1.5μm的聚丙烯树脂膜作为第二层间绝缘膜553。在第二层间绝缘膜553中形成接触孔以达及漏引线552,从而形成由氧化物导电膜构成的象素电极554。制作厚度为110nm的由氧化铟与氧化锡的化合物构成的氧化物导电膜作为实施方案1中的象素电极554。
然后,在象素电极554的表面上执行臭氧处理。在实施方案1中,借助于在象素电极暴露于氧气的情况下用紫外线照射其表面而执行这一处理。
然后,借助于实施本发明而制作EL层555。在实施方案1中,用叠层结构制作EL层555,其中相继制作由PEDOT(聚噻吩)构成的空穴注入层(20nm厚)、由STAD(螺旋-三苯胺衍生物)构成的空穴输运层(20nm厚)、由SDPVBi(螺旋-联苯乙烯联苯)构成的发光层(10nm厚)、由α-NPD(4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯)构成的空穴输运层(10nm厚)、由Alq3(三-8-喹啉-铝络合物)构成的掺有DCM掺杂剂的发光层(10nm厚)、以及由Alq3构成的发光层(10nm厚)。
注意,在上述结构中,可以用PEDOT代替PAni。掺杂剂也不局限于DCM,而是能够使用任何呈现红色荧光的有机材料。
注意,在本发明中,在制作由Alq3(三-8-喹啉-铝络合物)构成的掺有DCM掺杂剂的发光层之后,在不停止Alq3的蒸发而仅仅停止掺杂剂的蒸发的情况下,制作由Alq3构成的发光层。
本发明能够使由掺杂剂和Alq3构成的发光层(第一发光层)与由Alq3构成的发光层(第二发光层)之间的边界模糊,从而形成图3所示的元件结构。换言之,提高了第一发光层与第二发光层的连续性。本发明设想图1所示的实际测得的数据与图8所示的实际测得的数据之间的差异是各个发光层的连续性差异造成的。
接着,用蒸发方法制作厚度为400nm的由金属膜(具体地说是镱膜)构成的阴极559。这样就完成了图6C所示结构的有源矩阵衬底。在实施方案1中,将紫外线固化树脂膜涂敷到图6C所示的有源矩阵衬底顶部上,然后在将玻璃衬底键合到其上之后,紫外线固化树脂就被固化,从而将元件密封。
再将柔性印刷电路(FPC)固定到有源矩阵衬底,从而完成发光器件。图7示出了根据实施方案1制造的发光器件的显示图象。于是就制造了有源矩阵发光器件,其中获得了满意的白色发光。
实施方案2
制造本发明EL元件的方法,也能够被用于制造无源矩阵发光器件的方法中。本发明不同于熟知的制造无源型发光器件的方法仅仅在于制作EL元件部分。当制作发光层时,若根据本发明制作发光层,则能够获得本发明的效果。
实施方案3
在实施方案1所述的有源矩阵型发光器件中,各个元件由平面TFT构成。但各个元件可以由底部栅极TFT(典型地说是反型TFT)构成。此时,结晶硅膜或非晶硅膜可以被用作有源层。于是,本发明的特征是EL元件的制造工艺,因而对TFT的结构没有限制。
实施方案4
在实施方案1中,呈现红色荧光的已知有机材料可以用作待要掺入发光层中的掺杂剂。此外,也可以使用呈现红色磷光的有机材料。
注意,借助于将其与实施方案1-3的任何一种结构进行组合,能够实现实施方案4的结构。
实施方案5
在实施方案1中,能够用具有降低空穴注入势垒功能的有机材料作为空穴注入层。在实施方案5中,用导电聚合物作为空穴注入层。更具体地说,可以使用掺碘的聚乙炔,并可以用溴代替碘。
注意,借助于将其与实施方案1-4的任何一种结构进行组合,能够实现实施方案5的结构。
实施方案6
在本发明中,利用发光材料作为发光层,其中来自三重激发态的磷光能够被用来发光,这使发光外量子效率得到明显的改善。结果,EL元件的功耗能够降低,寿命能够延长,重量能够减轻。以下描述利用三重激发态改善发光外量子效率的报道(T.Tsutsui,C.Adachi,S.Saito,Photochemical Processes in Organized Molecular Systems,ed.K.Honda,(Elsevier Sci.Pub.,Tokyo,1991)p.437)。
下面示出了上述论文报道的有机材料(香豆素颜料)的分子式:
(化学式1)
(M.A.Baldo,D.F.O’Brien,Y.You,A.Shoustikov,S.Sibley,M.E.Thompson,S.R.Forrest,Nature 395(1998),p.151)
下面示出了上述论文报道的有机材料(Pt络合物)的分子式:
(化学式2)
(M.A.Baldo,S.Lamansky,P.E.Burrrows,M.E.Thompson,S.R.Forrest,Appl.Phys.Lett.,75(1999)p.4),(T.Tsutsui,M.-J.Yang,M.Yahiro,K.Nakamura,T.Watanabe,T.Tsuji,Y.Fukuda,T.Wakimoto,S.Mayaguchi,Jpn.Appl.Phys.,38(12B)(1999)L1502)。
下面示出了上述论文报道的有机材料(Ir络合物)的分子式:
(化学式3)
如上所述,若能够利用来自三重激发态的磷光发射,则理论上能够实现比来自单重激发态的荧光高3-4倍的发光外量子效率。
此实施方案的结构能够与实施方案1-5的任何一种结构进行自由组合。
实施方案7
根据本发明制造的发光器件是自发光型器件,因而比之液晶显示器件,在明亮处所呈现更优异的显示图象可识别性。而且,此发光器件具有更宽广的视角。因此,这种发光器件可以被用于各种各样电子装置的显示部分。
本发明的电子装置有:摄象机、数码相机、风镜式显示器(头戴显示器)、车辆导航系统、声音重放装置(汽车立体音响或立体音响等)、笔记本个人计算机、游戏装置、便携信息终端(诸如移动计算机、手机、便携游戏机、或电子记事本)、以及配备有记录媒质的放象设备(具体地说是诸如数码万能碟盘机(DVD)之类的配备有重放记录媒质中的图象并显示图象的显示部分的装置)。图9A一9F示出了这些电子设备的具体例子。
图9A示出了一种电致发光显示器件,它包含机壳2001、支座2002、和显示部分2003。本发明的发光器件可以用作显示部分2003。这种发光显示器是自发光型的,故无需后照光。显示部分于是能够制得比液晶显示器更薄。
图9B示出了一种录象机,包含主体2101、显示部分2102、声音输入部分2103、操作开关2104、电池2105、和图象接收部分2106。本发明的发光器件可以用作显示部分2102。
图9C示出了一种数码静物相机,包含主体2201、显示部分2202、取景框2203、和操作开关2204。本发明的发光器件可用于显示部分2202。
图9D是一种配备有记录媒质的放象机(具体地说是DVD放象机),包含主体2301、记录媒质(诸如DVD等)2302、操作开关2303、显示部分(a)2304、和显示部分(b)2305。显示部分(a)2304主要用来显示图象信息。显示部分(b)2305主要用来显示字符信息。本发明的发光器件可以用作显示部分(a)2304和显示部分(b)2305。注意,配备有记录媒质的放象机包括诸如游戏机之类的装置。
图9E示出了一种便携式(移动)计算机,包含主体2401、显示部分2402、图象接收部分2403、和操作开关2404、以及存储器插口2405。本发明的发光器件可用于显示器2402。在这种便携式计算机中,信息也能够被记录在其中集成了快速存储器和/或非易失存储器的记录媒质中和/或被重放。
图9F是一种个人计算机,包含主体2501、机壳2502、显示部分2503、和键盘2504。本发明的发光器件可以用作显示部分2503。
而且,上述电子装置常常显示通过诸如互连网和CATV(有线电视)之类的电子通信电路传输的信息,特别是显示移动图象的情况正在增长。有机化合物材料的响应速度是如此之高,以至于上述电子装置适合于显示移动图象。
此外,由于发光器件节省发光部分的功率,故最好显示信息使发光部分尽可能小。因此,当使用主要用于字符信息的显示部分,诸如便携式信息终端,特别是手机或立体声响中的发光器件时,最好将发光器件驱动成由发光部分形成字符信息,而将不发光部分设定为背景。
如上所述,本发明的应用范围极为广阔,可以用于各种领域的电子装置。而且,可以利用自由组合第1-13实施方案的发光器件的结构,来获得本实施方案的电子装置。
借助于实施本发明,能够制造具有呈现优异发光性能的EL元件的发光器件。结果,有可能制造具有明亮显示部分的电子装置。
Claims (10)
1.一种制造有源阵列发光器件的方法,包括:
在一个衬底上形成包含第二发光材料的一个蓝色发光层;
用蒸发方法在所述蓝色发光层上形成包含第一发光材料和掺杂剂的一个红色发光层;
通过停止蒸发所述掺杂剂并同时继续蒸发所述第一发光材料,在所述红发光层上形成包含所述第一发光材料的一个绿色发光层;以及
形成一个包含导电聚合物的空穴注入层,
其中,通过将分别从所述红色发光层、所述绿色发光层和所述兰色发光层发射的红光、绿光和兰光相混合而得到白光。
2.按照权利要求1所述的制造有源阵列发光器件的方法,其中,所述第一发光材料是Alq3(三-8-喹啉-铝络合物)。
3.按照权利要求1所述的制造有源阵列发光器件的方法,其中,所述掺杂剂是是一种有机材料,借助该有机材料可得到荧光。
4.按照权利要求1所述的制造有源阵列发光器件的方法,其中,所述掺杂剂是是一种有机材料,借助该有机材料可得到磷光。
5.按照权利要求1所述的制造有源阵列发光器件的方法,其中,所述有源阵列发光器件被组合到选自摄象机、数码相机、风镜式显示器、车辆导航系统、声音重放系统、笔记本个人计算机、游戏机、便携式信息终端、和放象机的电子装置中。
6.一种制造有源阵列发光器件的方法,包括:
用蒸发方法在一个衬底上形成包含第一发光材料和掺杂剂的一个绿色发光层;
通过停止蒸发所述掺杂剂并同时继续蒸发所述第一发光材料,在所述绿发光层上形成包含所述第一发光材料的一个红色发光层;
在所述红色发光层上形成包含第二发光材料的一个兰色发光层;以及
形成一个包含导电聚合物的空穴注入层,
其中,通过将分别从所述红色发光层、所述绿色发光层和所述兰色发光层发射的红光、绿光和兰光相混合而得到白光。
7.按照权利要求6所述的制造有源阵列发光器件的方法,其中,所述第一发光材料是A1q3(三-8-喹啉-铝络合物)。
8.按照权利要求6所述的制造有源阵列发光器件的方法,其中,所述掺杂剂是是一种有机材料,借助该有机材料可得到荧光。
9.按照权利要求6所述的制造有源阵列发光器件的方法,其中,所述掺杂剂是是一种有机材料,借助该有机材料可得到磷光。
10.按照权利要求6所述的制造有源阵列发光器件的方法,其中,所述有源阵列发光器件被组合到选自摄象机、数码相机、风镜式显示器、车辆导航系统、声音重放系统、笔记本个人计算机、游戏机、便携式信息终端、和放象机的电子装置中。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP140990/00 | 2000-05-12 | ||
JP140990/2000 | 2000-05-12 | ||
JP2000140990 | 2000-05-12 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB011190493A Division CN1197436C (zh) | 2000-05-12 | 2001-05-14 | 发光器件的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1642373A CN1642373A (zh) | 2005-07-20 |
CN100452477C true CN100452477C (zh) | 2009-01-14 |
Family
ID=18648180
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100083221A Expired - Fee Related CN100452477C (zh) | 2000-05-12 | 2001-05-14 | 发光器件的制造方法 |
CNB011190493A Expired - Fee Related CN1197436C (zh) | 2000-05-12 | 2001-05-14 | 发光器件的制造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB011190493A Expired - Fee Related CN1197436C (zh) | 2000-05-12 | 2001-05-14 | 发光器件的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20010051207A1 (zh) |
EP (1) | EP1154498A3 (zh) |
KR (1) | KR20010104215A (zh) |
CN (2) | CN100452477C (zh) |
TW (1) | TWI236157B (zh) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7339317B2 (en) | 2000-06-05 | 2008-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers |
US6864628B2 (en) * | 2000-08-28 | 2005-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound |
TW545080B (en) * | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
SG138466A1 (en) | 2000-12-28 | 2008-01-28 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device |
TW518909B (en) * | 2001-01-17 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device and method of manufacturing same |
CN101397649B (zh) | 2001-02-01 | 2011-12-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置 |
SG118110A1 (en) | 2001-02-01 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting element and display device using the element |
AU2002303084B2 (en) * | 2001-02-02 | 2006-05-25 | Pharmacopiea, Inc. | 3,4-di-substituted cyclobutene-1, 2 -diones as CXC chemokine receptor antagonists |
US20030010288A1 (en) * | 2001-02-08 | 2003-01-16 | Shunpei Yamazaki | Film formation apparatus and film formation method |
TW582121B (en) | 2001-02-08 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
TW550672B (en) | 2001-02-21 | 2003-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Method and apparatus for film deposition |
SG118118A1 (en) * | 2001-02-22 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting device and display using the same |
US6931132B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-08-16 | Harris Corporation | Secure wireless local or metropolitan area network and related methods |
JP2004179142A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
JP3970253B2 (ja) | 2003-03-27 | 2007-09-05 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE10333232A1 (de) * | 2003-07-21 | 2007-10-11 | Merck Patent Gmbh | Organisches Elektrolumineszenzelement |
US7502392B2 (en) | 2003-09-12 | 2009-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser oscillator |
US7449724B2 (en) * | 2003-09-12 | 2008-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
CN100364139C (zh) * | 2003-11-17 | 2008-01-23 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 红光稀土有机配合物电致发光器件的制备方法 |
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KR20010104215A (ko) | 2001-11-24 |
CN1333645A (zh) | 2002-01-30 |
US20010051207A1 (en) | 2001-12-13 |
EP1154498A3 (en) | 2005-11-16 |
EP1154498A2 (en) | 2001-11-14 |
CN1642373A (zh) | 2005-07-20 |
CN1197436C (zh) | 2005-04-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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