CN100456486C - 有机电致发光显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种有机电致发光显示器件，包括：基板，在基板上形成的多个发光部，每个发光部含有有机电致发光元件和与有机电致发光元件连接的薄膜晶体管，其中该有机电致发光元件具有对置的一对电极、含有在一对电极间层叠的有机发光层的有机材料层。有机薄膜晶体管具有对置的源电极和漏电极、为了在源电极和漏电极间形成沟道而层叠的有机半导体膜以及用于将电场施加到源电极和漏电极间的有机半导体膜的栅电极。并且，有机电致发光显示器件包括：在发光部内，防止源电极和漏电极间短路的源漏绝缘膜，保护有机半导体膜的保护绝缘膜以及覆盖有机电致发光元件的一个电极的边缘部分的像素绝缘膜、源漏绝缘膜、保护绝缘膜和像素绝缘膜中至少两种由同一电介质材料构成。

Description

有机电致发光显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机EL显示器件，该有机EL显示器件具有多个发光部规则配置的显示阵列，该发光部由有机EL元件构成，该有机EL元件包括利用电子和空穴的注入以发光的有机化合物材料的电致发光(以下，称为EL)的有机EL材料的薄膜构成的发光层。
背景技术
人们正在关注以矩阵状排列多个有机EL元件而构成的有机EL显示器件的可降低功耗、高显示品质和薄型化的显示器件。
众所周知，有机EL元件作为自发光元件，例如，在形成由铟锡氧化物的所谓ITO构成的透明电极的玻璃板等的透明基板上，层叠有机电子输运层、有机发光层、有机空穴输运层等中至少一层有机材料层和金属电极。通过在透明电极的阳极施加正电压、在金属电极的阴极施加负电压，存储电荷，并且持续地超过元件固有的势垒电压或发光阈值电压时，电流开始流动，利用与此直流几乎成正比的强度进行发光。
作为使用有机EL元件的显示面板，具有简单阵列型显示面板和有源矩阵型显示面板，简单阵列型显示面板以单矩阵状配置有机EL元件，有源矩阵型显示面板附加了由以矩阵状配置的有机EL元件的各晶体管构成的驱动元件。有源矩阵型显示面板与简单的矩阵型显示面板相比，具有低消耗电能，及像素间的交调失真少等优点，特别适用于大的图像显示和高精细度显示。
有源矩阵驱动方式的显示器件是一种在每个发光部通过使用例如由多晶硅构成的薄膜晶体管(TFT)的开关向每个像素供给电流、从而使有机EL元件发光的器件。TFT中，使用MOS-FET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
MOS-TFT中，例如，在玻璃基板上形成由多晶硅构成的两个反向传导区域，在该反向传导区域间的基板表面上顺序设置氧化物SiO2薄膜、金属栅电极，通过由金属栅电极施加的电场，控制传导性。因此，由于在显示基板上需要必须高温处理的多晶硅基板等，在其上需要形成Si等无机材料膜，因此在其制造中需要采用高温处理。
作为显示器件，需要更多的大型显示面板，正在开发低温多晶硅基板。但是，在低温制造该基板时，仍必须进行500℃左右的加热处理。即使这样，在有源矩阵驱动方式的有机EL显示器件的大型显示面板中使用无机材料TFT时，也不能避免显示器件的高价格化。
因此，已经提出了一种具有在对置的一对电极间成膜的由有机材料构成的有机半导体膜的有机TFT。认为使用此有机TFT，就能够驱动有机EL元件。
但是，没有提出具体的有机TFT结构。此外，由有机TFT驱动的有机EL元件中，同时在结构上无缺陷的有机半导体材料、有机材料层15b的耐热性、耐溶剂性、耐湿性等都非常差，因此很难实现实用的有机EL显示面板。
发明内容
因此，在本发明要解决的课题中，作为一个实例，列举出提供一种在公用的基板上形成用比较低的温度就能制造的有机薄膜晶体管和有机EL元件的有机EL显示器件。
本发明的有机EL显示器件，包括基板和在上述基板上形成的多个发光部，每个发光部含有有机电致发光元件和与上述有机电致发光元件连接的有机薄膜晶体管，
上述有机电致发光元件具有对置的一对电极、以及在上述一对电极间层叠的有机发光层，
上述有机薄膜晶体管具有对置的源电极和漏电极、为了在上述源电极和漏电极间能形成沟道而层叠的有机半导体膜、以及用于将电场施加到上述源电极和漏电极间的上述有机半导体膜的栅电极，
上述有机电致发光显示器件特征在于，
在上述发光部内，还配备防止上述源电极和漏电极间短路的源漏绝缘膜、保护上述有机半导体膜的保护绝缘膜、以及覆盖上述有机电致发光元件的一个电极的边缘部分的像素绝缘膜，上述源漏绝缘膜、上述保护绝缘膜和上述像素绝缘膜中至少两种由同一电介质材料构成。
本发明的有机EL显示器件的制造方法，其中该有机EL显示器件包括基板和在上述基板上形成的多个发光部，每个发光部含有有机EL元件和连接上述有机EL元件的有机薄膜晶体管作为含有基板，其特征在于，该方法包括：
形成有机薄膜晶体管的工序，该有机薄膜晶体管具有对置的源电极和漏电极、为了在上述源电极和漏电极间能形成沟道而层叠的有机半导体膜、以及将电场施加到上述源电极和漏电极间的上述有机半导体膜的栅电极，
形成上述有机电致发光元件的工序，该有机电致发光元件具有对置的一对电极、以及在上述一对电极间层叠的有机发光层，以及
绝缘膜形成工序，在上述发光部内，形成防止上述源电极和漏电极间短路的源漏绝缘膜、形成保护上述有机半导体膜的保护绝缘膜以及形成覆盖上述有机电致发光元件的一个电极的边缘部分的像素绝缘膜，
上述源漏绝缘膜、上述保护绝缘膜和上述像素绝缘膜中至少两种由同一电介质材料构成，且利用相同工序形成上述两种绝缘膜。
附图说明
图1为表示根据本发明的实施方式的有机EL显示器件的显示面板结构的方框图。
图2为表示根据本发明的实施方式的有机EL显示器件的发光部的电路图。
图3为表示从根据本发明的实施方式的有机EL器件的发光部显示一侧看到的平面图。
图4为沿图3的线AB的截面图。
图5为根据本发明的实施方式的有机EL显示器件的发光部的有机薄膜晶体管的截面图。
图6为表示根据本发明的另一实施方式的有机EL显示器件的显示面板的发光部的截面图。
图7～14为表示根据本发明的实施方式的有机EL显示器件的显示面板的制造工序的基板的概括部分的放大平面图。
图15为表示根据本发明的另一实施方式的有机EL显示器件的显示面板的发光部的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。
图1表示利用有源矩阵驱动方式的实施方式的有机EL显示器件。显示器件具有显示面板101、地址驱动器110、数据驱动器120和控制器130。
如图1所示，显示面板101包括分别以规定间隔平行形成的n条扫描线SL1～SLn和分别以规定间隔平行形成的m条数据线DL1～DLm，扫描线和数据线隔开规定间隔，以相互成直角的方式被形成。并且，显示面板101包括分别在对应于扫描线和数据线各交点的部分形成的n×m个发光部102。各扫描线的一端连接地址驱动器110，各数据线的一端连接数据驱动器120。
地址驱动器110向扫描线SL1～SLn一条一条地顺序施加电压。
数据驱动器120向数据线DL1～DLm施加用于使发光部102发光的数据电压。
控制器130连接地址驱动器110和数据驱动线120，根据预备供给的图像，控制地址驱动器110和数据驱动器120的工作。
如图2所示，发光部102由选择用晶体管的地址有机TFT 11和驱动用晶体管的驱动有机TFT 12、电容器13、有机EL元件15构成。
在图2中，地址有机TFT 11的栅电极G连接到被供给地址信号的扫描线SL，地址有机TFT 11的漏电极D连接到被供给数据信号的数据线DL。地址有机TFT 11的源电极S连接到驱动有机TFT 12的栅电极G，还连接到电容器13的一个端子。驱动有机TFT 12的源电极S连接到电容器13的另一个端子的同时还连接到电源线VccL。驱动有机TFT
12的漏电极D连接有机EL元件15的阳极，有机EL元件15的阴极连接到公用电极17。
连接到图2表示的电源线VccL和各有机EL元件15的阴极上的公用电极17不与向这些电极供给电能的电压源连接(未图示)。
叙述有关此电路的发光控制工作，首先，在图2中，向地址有机TFT 11的栅电极G供给导通电压，地址有机TFT 11使对应于向源电极S供给的数据的电压的电流从源电极S流向漏电极D。地址有机TFT 11的栅电极G为截止电压时，地址有机TFT 11变为所谓的截止，地址有机TFT 11的漏电极D处于开路状态。因此，地址有机TFT 11的栅电极G为导通电压期间，电容器13充电，并向驱动有机TFT 12的栅电极G供给其电压，在驱动有机TFT 12中，根据其栅电压和源电压，电流从源电极S流向漏电极D，使有机EL元件15发光。此外，地址有机TFT 11的栅电极G为导通电压时，地址有机TFT 11处于开路状态，驱动有机TFT 12通过存储在电容器13的电荷保持栅电极G的电压、维持到下一扫描为止的驱动电流，并且仍维持有机EL元件15的发光。
图3和图4示出了利用本发明的有机TFT驱动的有机EL元件构成的有机EL显示面板的结构。如图3的平面图所示，有机EL显示面板在每个发光部中包括：有机EL元件15，用于驱动它们所需的多个有机TFT例如地址有机TFT 11和驱动有机TFT 12，以及维持数据电压所必需的电容器13。通过在扫描线SL、数据线DL和电源线VccL的各交点附近配置此结构，能够完成像素的发光部。图4示出了图3所示的线AB的截面。
图5示出了地址有机TFT 11和驱动有机TFT 12的结构。如图5所示，有机TFT含有对置的源电极S和漏电极D、为了在源电极和漏电极间形成沟道而层叠的有机半导体构成的有机半导体膜OSF、将电场施加到源电极S和漏电极D间的有机半导体膜SOF的栅电极G，并且还具有使栅电极G与源电极S和漏电极D绝缘的栅绝缘膜GIF。
如图4所示，通过覆盖至少一个栅电极G和晶体管部，形成栅绝缘膜GIF。在栅绝缘膜GIF中，为了对各个晶体管进行布线，设有必要的贯通孔TH。基于对栅绝缘膜GIT的工作且基于对电容器13电介质的工作，就可以同时对同一电介质材料进行成膜。因此，如图4所示，连续地形成栅绝缘膜GIF和电容器13的电介质。
如图4所示，在源电极S和漏电极D的整个表面上，形成源漏绝缘膜SDI。用于防止有机EL元件的公用电极17间的短路。源漏绝缘膜SDI同样也覆盖有机半导体OSF，具有有机半导体膜的有机半导体保护绝缘膜OSP的功能。并且，源漏绝缘膜SDI覆盖有机EL元件15的像素电极15a的边缘部分，具有像素绝缘膜PIF功能。
驱动有机TFT 12与像素电极15a连接。由于有机EL元件的有机材料层15b的膜厚通常为0.1μm级(order)、非常薄，因此像素电极15a的边缘部分容易与公用电极17发生短路。为了防止这种情况，优选设置覆盖像素电极15a的边缘部分的像素绝缘膜。
有机EL元件15由像素电极15a、有机材料层15b和公用电极17形成。虽然通常用空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层等多层来构成有机材料层15b，但也可至少含有发光层。有机材料层15b根据其发光颜色来涂敷划分出每一像素。发光层以外的层存在各色公用层时，不仅每个像素，而且也可与公用电极17一样整体地形成该层。
像素电极15a、公用电极17中至少一个电极，必须具有用于从外部获取EL发光的光的透过性。
根据本发明，能同时形成有机EL显示器件中使用的三个绝缘膜，即源漏绝缘膜SDI、像素绝缘膜PIF、有机半导体保护绝缘膜OSPF中任意两个以上的膜。图4的结构中，同时形成源漏绝缘膜SDI、像素绝缘膜PIF、有机半导体保护绝缘膜OSPF这三个绝缘膜。也能够同时形成其中的两个绝缘膜，就能够同时形成源漏绝缘膜SDI和像素绝缘膜PIF的情况下的如图6所示的结构。在形成有机半导体膜OSF膜前，同时形成源漏绝缘膜SDI和像素绝缘膜PIF，并且在形成有机半导体膜OSF成膜后，形成有机材料保护膜OSPF。
在上述实例中，展示了用于驱动有机EL元件最简单结构的两个晶体管的情况，本发明能够适用于使用三个以上晶体管的元件。
下面，说明本发明的有机EL显示器件的制造方法。
-栅电极的形成-
如图7所示，首先，在玻璃、塑料等的基板1上，形成含有扫描线SL、栅电极G的下部布线图形。形成一个区域，该区域由应与扫描线SL连接的地址有机TFT和应与电源线连接的驱动有机TFT的栅电极G及电容器的一个电极13a所形成。电容器的电极13a的位置，在后面配置应连接的电源线正下方的位置。通过在电源线的正下方设置电容器，就能够更加确保像素面积。
作为扫描线SL和栅电极的材料优选电阻率低的材料，一般使用金属单体或合金。例如，可以使用Al、Ag、Cu、Au、Cr等和含这些金属的合金。膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如溅射法、EB蒸镀法、电阻加热蒸镀法、CVD法、印刷法等。图形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蚀刻法、印刷法、掩膜蒸镀法等。
此外，栅电极能够使用在电阻率这一点上比金属差的导电性高分子。此时，图形形成就能够使用印刷法等低成本的方法。
-栅绝缘膜的形成-
如图8所示，在下部布线图形上，以规定的图形形成栅绝缘膜GIF。在此，利用与栅绝缘膜GIF相同的电介质材料，在其电极13a上同时对电容器的电介质层13b进行成膜。此外，在栅绝缘膜GIF中，设置用于与地址有机TFT和驱动有机TFT的栅电极G相连接的贯通孔TH。在此，为了分别达到栅绝缘膜GIF和电容器的电介质层13b的功能，使其变薄，并且为了确保相交的电源线和扫描线的绝缘，使其变厚，因此就可以在每个多次划分的部分形成膜厚不同的栅绝缘膜的规定图形。
作为栅绝缘膜GIF的材料，可以使用金属氧化物、金属氮化物、金属氟化物等金属化合物，例如Al2O3、SiO2、SiN、SiON等，或绝缘性的聚合物，例如聚酰亚胺等。膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如溅射法、EB蒸镀法、电阻加热蒸镀法、CVD法、印刷法、旋转涂层法等。图形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蚀刻法、印刷法、掩膜蒸镀法等。
-像素电极的形成-
如图9所示，在栅绝缘膜GIF上以规定图形形成作为有机EL元件的阳极即近似矩形的像素电极15a。
在像素电极15a要求透光性的情况下，作为电极材料，一般可使用金属单体和合金的非常薄的半透明膜、金属氧化物等的透明电极。例如，可使用Au、Pd等半透明膜、ITO等的透明电极。对于不要求透光性的情况，作为材料，一般可使用金属单体或合金。例如，可以使用Al、Ag、Cu、Au、Cr等，及含有它们的合金。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如溅射法、EB蒸镀法、电阻加热蒸镀法、CVD法、印刷法等。图形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蚀刻法、印刷法、掩膜蒸镀法等。
-源电极和漏电极的形成-
如图10所示，在像素电极15a或栅绝缘膜GIF上，以规定的布线图形形成地址有机TFT和驱动有机TFT的源电极S及漏电极D，同时形成数据线DL和电源线VccL。夹持像素电极15a而相互平行的数据线DL和电源线VccL，与扫描线SL垂直地形成在栅绝缘膜GIF上。
在此，电源线VccL的一部分作为将电容器的电极13a上的电介质层13b夹持的电容器的另一电极13c，同时被形成薄膜。由于形成的电容器13采用比用于将电能供给电源线VccL的另一条线还要宽的幅度来进行成膜，由于能配置在其电源线的正下方，所以不会压迫像素电极，能够充分确保电容器13的容量。此外，由于相对于驱动有机TFT 12在与地址有机TFT 11相反一侧配置电容器13，驱动有机TFT 12和地址有机TFT 11的布线距离就比在驱动有机TFT 12和地址有机TFT 11间配置电容器13时的布线距离缩短了。因此，能够确保像素电极的面积并且还能够期望地提高电荷的移动速度。
以架设对应的栅电极上的方式形成与电源线VccL连接的驱动有机TFT的源电极S和漏电极D，漏电极D形成为连接到像素电极15a。以架设在对应的栅电极上的方式形成与数据线DL连接的地址有机TFT的漏电极D和源电极S，源电极S形成为通过贯通孔TH与驱动有机TFT的栅电极连接。
源电极和漏电极能够使用在电阻率这点上比金属差的导电性高分子。此时，图形形成就能够使用印刷法等低成本的方法。
作为源电极和漏电极的材料，优选对应于所使用的有机半导体能高效率地注入载流子，且低电阻率的材料。例如，能够使用Au、Pd等。作为数据线DL和电源线VccL的材料，可使用与扫描线SL相同的材料。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如溅射法、EB蒸镀法、电阻加热蒸镀法、CVD法、印刷法等。图形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蚀刻法、印刷法、掩膜蒸镀法等。
此外，源电极和漏电极的材料可与像素电极15a的材料相同，此时，能够在一个工序中形成像素电极15a和源电极及漏电极。并且，对应于材料，能够分别分多次形成上述规定的布线图形。
再有，在本实施方式中，比像素电解15a的形成工序先进行源电极及漏电极的形成工序，也可按相反的顺序进行。
-有机半导体膜的形成-
如图11所示，通过与连接到电源线VccL的驱动有机TFT和连接到数据线DL的地址有机TFT的栅电极的正上方的源电极S、漏电极D及栅绝缘膜GIF相连接，以规定图形形成各有机半导体膜OSF。
作为有机半导体膜OSF的材料，优选载流子的迁移高的材料，可以使用低分子的有机半导体材料、有机半导体聚合物。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如溅射法、EB蒸镀法、电阻加热蒸镀法、CVD法、印刷法、旋转涂层法等。
图形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蚀刻法、印刷法、掩膜蒸镀法等。
-公用绝缘膜(源漏绝缘膜、像素绝缘膜、有机半导体保护绝缘膜)的形成-
如图12所示，以规定的图形，即以覆盖到有机EL元件15的像素电极15a的边缘部分为止，以便暴露像素电极15a的图形，来形成具有源漏绝缘膜SDI、像素绝缘膜PIF及有机半导体保护绝缘膜OSPF功能的公用绝缘膜。
作为公用绝缘膜材料，可以使用金属氧化物、金属氮化物、金属氟化物等金属化合物，例如Al2O3、SiO2、SiN、SiON等，或绝缘性的聚合物，例如聚酰亚胺等。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如溅射法、EB蒸镀法、电阻加热蒸镀法、CVD法、印刷法、旋转涂层法等。图形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蚀刻法、印刷法、掩膜蒸镀法等。
但是，由于中间层的有机半导体膜OSF的材料一般耐热性、耐溶剂性、耐湿性差，因此必须具有在有机半导体膜上形成的公用绝缘膜的形成过程中不能损伤半导体膜的特性。
-有机材料层的形成-
如图13所示，通过公用绝缘膜的开口，在像素电极15a上形成至少含有发光层的有机材料层15b。有机材料层15b除含发光层外，也可含有空穴注入层、空穴输运层、电子输运层、电子注入层等。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如溅射法、EB蒸镀法、电阻加热蒸镀法、CVD法、印刷法、旋转涂层法等。
图形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蚀刻法、印刷法、掩膜蒸镀法等。
-公用电极的形成-
如图14所示，在有机材料层15b上以规定图形形成作为有机EL元件15的阴极的公用电极17。
作为公用电极17的材料，可以使用金属单体或合金，例如，可以使用Al、Ag、Cu、Au、Cr等，及含有它们的合金。
膜的形成方法不介意使用任何方法，像使在上述有机材料层的形成工序中成膜的任何有机材料层不劣化，例如，在各有机材料层的玻璃转移点以下的温度，可以采用例如溅射法、EB蒸镀法、电阻加热蒸镀法、CVD法、印刷法等。
图形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蚀刻法、印刷法、掩膜蒸镀法等。
-其他实施方式-
如图15所示，能够将有机EL元件15与有机TFT 11和12重叠进行配置。对于图15与图6中相同符号表示的构件因相同而省略其说明。此时，优选采用光透射性材料来形成公用电极17。在此结构中，由于增大了有机EL元件15的面积，因此具有开口率高的优点。
形成地址有机TFT 11和驱动有机TFT 12后，去除和像素电极15a的连接部19，形成兼为有机半导体保护绝缘膜OSPF和源漏绝缘膜SDI的平整化层20。由于若有机TFT存在凹凸，则为了使有机EL元件的像素电极15a与公用电极17不容易短路，故平整化层20就必须平滑地覆盖此凹凸。此外，由于中间层的有机半导体材料一般耐热性、耐溶剂性、耐湿性差，因此必须具有在平整化层20的形成过程中不能损伤半导体膜的特性。
形成平整化层20后，与驱动有机TFT 12连接地形成像素电极15a，进一步形成有机材料层15b、公用电极17，完成本发明的有机EL显示器件的显示面板。
根据上述实施方式，采用现实的结构就可以实现有机TFT驱动的有机EL显示面板。并且，在制造方法上，由于在有机物的蒸镀前已预先形成了布线和绝缘膜等光刻工序等所必需的耐热性、耐溶剂性、耐湿性构件，因此就不会损伤由光刻工序等耐热性、耐溶剂性、耐湿性弱的有机物形成的构件。此外，由于能同时形成所必需的绝缘膜中的至少两个，所以可简化工序。
再有，在上述实施方式中，作为发光部内的有机TFT，使用所谓的MIS(金属绝缘半导体)型的有机薄膜晶体管，也可使用SIT(静态感应晶体管)型有机薄膜晶体管来替代MIS型有机薄膜晶体管。

Claims (8)

1、一种有机电致发光显示器件，包括基板和在上述基板上形成的多个发光部，每个发光部含有有机电致发光元件和与上述有机电致发光元件连接的有机薄膜晶体管，
上述有机电致发光元件具有对置的一对电极、以及在上述一对电极间层叠的有机发光层，
上述有机薄膜晶体管具有对置的源电极和漏电极、为了在上述源电极和漏电极间能形成沟道而层叠的有机半导体膜、以及用于将电场施加到上述源电极和漏电极间的上述有机半导体膜的栅电极，
上述有机电致发光显示器件的特征在于，
在上述发光部内，还配备防止上述源电极和漏电极间短路的源漏绝缘膜、保护上述有机半导体膜的保护绝缘膜、以及覆盖上述有机电致发光元件的一个电极的边缘部分的像素绝缘膜，上述源漏绝缘膜、上述保护绝缘膜和上述像素绝缘膜中至少两种由同一电介质材料构成。
2、根据权利要求1中记载的有机电致发光显示器件，其特征在于，包括与上述有机薄膜晶体管连接的电容器，上述有机薄膜晶体管具有使上述栅电极与上述源电极和漏电极绝缘的栅绝缘膜，上述栅绝缘膜由与上述电容器的电介质相同的材料构成。
3、根据权利要求1或2中记载的有机电致发光显示器件，其特征在于，在上述基板上设置多条电源线、扫描线和数据线，在它们的交点附近以矩阵状配置上述发光部。
4、根据权利要求3中记载的有机电致发光显示器件，其特征在于，上述每个发光部设置有与上述扫描线和数据线连接的第1有机薄膜晶体管、与上述电源线和上述有机电致发光元件连接的第2有机薄膜晶体管，上述第1有机薄膜晶体管通过在由与上述栅绝缘膜相同的材料构成的绝缘膜上设置的贯通孔与上述第2有机薄膜晶体管的栅电极进行连接。
5、根据权利要求4中记载的有机电致发光显示器件，其特征在于，在相对于上述第2有机薄膜晶体管与上述第1有机薄膜晶体管的相反一侧，配置上述电容器。
6、根据权利要求4中记载的有机电致发光显示器件，其特征在于，在上述电源线的正下方配置上述电容器。
7、一种有机电致发光显示器件的制造方法，该有机电致发光显示器件包括基板和在上述基板上形成的多个发光部，每个发光部含有有机电致发光元件和与上述有机电致发光元件连接的有机薄膜晶体管，其特征在于，该制造方法包括；
形成有机薄膜晶体管的工序，该有机薄膜晶体管具有对置的源电极和漏电极、为了在上述源电极和漏电极间能形成沟道而层叠的有机半导体膜、以及将电场施加到上述源电极和漏电极间的上述有机半导体膜的栅电极，
形成上述有机电致发光元件的工序，该有机电致发光元件具有对置的一对电极、以及在上述一对电极间层叠的有机发光层，以及
绝缘膜形成工序，在上述发光部内，形成防止上述源电极和漏电极间短路的源漏绝缘膜、形成保护上述有机半导体膜的保护绝缘膜以及形成覆盖上述有机电致发光元件的一个电极的边缘部分的像素绝缘膜，
上述源漏绝缘膜、上述保护绝缘膜和上述像素绝缘膜中至少两种由同一电介质材料构成，且利用相同工序形成上述两种绝缘膜。
8、根据权利要求7中记载的制造方法，其特征在于，在形成上述有机半导体膜后，在未超出上述有机半导体膜的耐热性、耐溶剂性和耐湿性的环境下保存上述有机半导体膜。
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4290953B2 (ja) * 2002-09-26 2009-07-08 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置、有機ｅｌ素子および画像表示装置の製造方法
US7221095B2 (en) * 2003-06-16 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating light emitting device
US7161184B2 (en) 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7224118B2 (en) * 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
JP2007525829A (ja) * 2003-12-22 2007-09-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 不揮発性強誘電体メモリ装置の製造方法及びその方法によって得られるメモリ装置
KR100615211B1 (ko) * 2004-02-26 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101039024B1 (ko) 2004-06-14 2011-06-03 삼성전자주식회사 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
KR100699990B1 (ko) * 2004-06-30 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 능동 구동 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100683675B1 (ko) 2004-06-30 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
KR100603361B1 (ko) 2004-08-05 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
JP4707996B2 (ja) * 2004-11-08 2011-06-22 共同印刷株式会社 フレキシブルディスプレイ及びその製造方法
KR100696479B1 (ko) * 2004-11-18 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100683711B1 (ko) * 2004-11-22 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
TWI248212B (en) * 2004-12-06 2006-01-21 Ritdisplay Corp Organic electroluminescent device, pixel structure, array and driving method thereof
US9076744B2 (en) 2004-12-16 2015-07-07 Siemens Aktiengesellschaft Organic-based electronic component containing pixels
KR101107252B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법
KR101133767B1 (ko) * 2005-03-09 2012-04-09 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US7649217B2 (en) 2005-03-25 2010-01-19 Arash Takshi Thin film field effect transistors having Schottky gate-channel junctions
EP1868246A1 (en) * 2005-03-30 2007-12-19 Pioneer Corporation Organic el display device, organic transistor and methods for manufacturing such organic el display device and organic transistor
EP1866979B1 (en) * 2005-04-05 2016-11-02 Flexenable Limited Pixel driver circuit for active matrix display
GB0506899D0 (en) * 2005-04-05 2005-05-11 Plastic Logic Ltd Multiple conductive layer TFT
US7705346B2 (en) * 2005-06-06 2010-04-27 Xerox Corporation Barrier layer for an organic electronic device
JP5272280B2 (ja) * 2005-06-28 2013-08-28 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイとディスプレイ及び薄膜トランジスタアレイの製造方法
US7989806B2 (en) 2005-06-30 2011-08-02 Creator Technology B.V. Pixel performance improvement by use of a field-shield
US7994711B2 (en) * 2005-08-08 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
KR101137382B1 (ko) 2005-08-26 2012-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 장치
KR101197053B1 (ko) * 2005-09-30 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US10367049B2 (en) 2005-11-04 2019-07-30 Interdigital Ce Patent Holdings Electro-optical element integrating an organic electroluminescent diode and an organic transistor for modulating said diode
KR20070053060A (ko) 2005-11-19 2007-05-23 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
KR100708735B1 (ko) 2005-12-09 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US20070222923A1 (en) * 2005-12-28 2007-09-27 Jian Wang Electronic device having black layers
TWI336953B (en) * 2006-03-29 2011-02-01 Pioneer Corp Organic electroluminescent display panel and manufacturing method thereof
JP2007322869A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Kyushu Univ 表示装置
KR100879294B1 (ko) 2006-06-12 2009-01-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5147215B2 (ja) * 2006-10-31 2013-02-20 株式会社日立製作所 表示素子の画素駆動回路およびこれを利用した表示装置
JP4591451B2 (ja) * 2007-01-10 2010-12-01 ソニー株式会社 半導体装置および表示装置
GB0706653D0 (en) * 2007-04-04 2007-05-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors
KR100815765B1 (ko) 2007-05-15 2008-03-20 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2008300612A (ja) 2007-05-31 2008-12-11 Panasonic Corp 表示装置及びその製造方法
KR101427707B1 (ko) * 2008-02-21 2014-08-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
JP5368013B2 (ja) * 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP5368014B2 (ja) * 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法
US8587002B2 (en) 2011-03-02 2013-11-19 Panasonic Corporation Organic EL panel and method of manufacturing the same
KR101912406B1 (ko) * 2012-04-12 2019-01-07 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치용 백플레인, 상기 백플레인의 제조방법, 및 상기 백플레인을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102009803B1 (ko) * 2012-12-20 2019-08-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자
JP2014145857A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
CN103560211B (zh) * 2013-11-13 2017-04-05 深圳市华星光电技术有限公司 有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件
CN104112758B (zh) * 2014-07-01 2017-02-22 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
WO2017209176A1 (ja) * 2016-06-02 2017-12-07 富士フイルム株式会社 積層体の製造方法、半導体素子の製造方法および積層体
KR102396253B1 (ko) * 2017-06-09 2022-05-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
TWI708104B (zh) * 2018-05-16 2020-10-21 財團法人工業技術研究院 顯示陣列
US11515299B2 (en) 2018-05-16 2022-11-29 Industrial Technology Research Institute Method for manufacturing display array

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0548094A (ja) * 1991-08-15 1993-02-26 Toshiba Corp 有機電界効果型素子
JPH0983040A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH11109890A (ja) * 1997-09-29 1999-04-23 Idemitsu Kosan Co Ltd プラズマアドレス型有機ｅｌ装置
JP2000133464A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
CN1341970A (zh) * 2000-02-28 2002-03-27 株式会社半导体能源研究所 电子装置
CN1355664A (zh) * 2000-10-24 2002-06-26 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其驱动方法
JP2002215065A (ja) * 2000-11-02 2002-07-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US47581A (en) * 1865-05-02 Improved lining for petroleum-barrels
US128515A (en) * 1872-07-02 Improvement in pea-nut and coffee polishers
US5640067A (en) * 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
JP3423909B2 (ja) * 1995-10-09 2003-07-07 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH10319872A (ja) * 1997-01-17 1998-12-04 Xerox Corp アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示装置
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6277679B1 (en) * 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
JP2000269504A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
JP4073107B2 (ja) * 1999-03-18 2008-04-09 三洋電機株式会社 アクティブ型ｅｌ表示装置
TW556357B (en) * 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
TW513753B (en) * 2000-03-27 2002-12-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor display device and manufacturing method thereof
JP3838063B2 (ja) * 2000-09-29 2006-10-25 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の駆動方法
JP2002208486A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Canon Inc 有機電子デバイス
JP4693253B2 (ja) * 2001-01-30 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
JP4302901B2 (ja) * 2001-02-27 2009-07-29 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光体および発光システム
JP4841751B2 (ja) * 2001-06-01 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
US7498084B2 (en) * 2001-09-05 2009-03-03 Sharp Kabushiki Kaisha Macromolecular structure, functional device having the same, transistor, and display apparatus using the same
US7317205B2 (en) * 2001-09-10 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing a semiconductor device
US6812637B2 (en) * 2003-03-13 2004-11-02 Eastman Kodak Company OLED display with auxiliary electrode

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0548094A (ja) * 1991-08-15 1993-02-26 Toshiba Corp 有機電界効果型素子
JPH0983040A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH11109890A (ja) * 1997-09-29 1999-04-23 Idemitsu Kosan Co Ltd プラズマアドレス型有機ｅｌ装置
JP2000133464A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
CN1341970A (zh) * 2000-02-28 2002-03-27 株式会社半导体能源研究所 电子装置
CN1355664A (zh) * 2000-10-24 2002-06-26 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其驱动方法
JP2002215065A (ja) * 2000-11-02 2002-07-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器

Also Published As

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US7042163B2 (en) 2006-05-09
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TWI237518B (en) 2005-08-01

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