CN100461382C - 用于集成电路管芯的封装 - Google Patents

用于集成电路管芯的封装 Download PDF

Info

Publication number
CN100461382C
CN100461382C CNB2004800083598A CN200480008359A CN100461382C CN 100461382 C CN100461382 C CN 100461382C CN B2004800083598 A CNB2004800083598 A CN B2004800083598A CN 200480008359 A CN200480008359 A CN 200480008359A CN 100461382 C CN100461382 C CN 100461382C
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit package
flange
package according
lead
framework
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB2004800083598A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1842911A (zh
Inventor
迈克尔·齐默尔曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IQLP LLC
Original Assignee
Quantum Leap Packaging Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Quantum Leap Packaging Inc filed Critical Quantum Leap Packaging Inc
Publication of CN1842911A publication Critical patent/CN1842911A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100461382C publication Critical patent/CN100461382C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4817—Conductive parts for containers, e.g. caps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/047—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/325—Material
    • H01L2224/32505—Material outside the bonding interface, e.g. in the bulk of the layer connector
    • H01L2224/32506—Material outside the bonding interface, e.g. in the bulk of the layer connector comprising an eutectic alloy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/163—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/16315—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24132—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including grain, strips, or filamentary elements in different layers or components parallel

Abstract

一种用于容纳半导体或其它集成电路器件(“管芯”)的电路封装，包括高铜凸缘、一个或多个高铜引线以及模塑到凸缘和引线的液晶聚合物框架。凸缘包括楔形榫形沟槽或其它框架保持部件，该保持部件与模塑的框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分形成冻结在框架保持部分中或其周围的键。引线包括一个或多个引线保持部件以与框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分冻结在这些引线保持部件中或其相邻处。框架包括阻止湿气渗透并使其热膨胀系数(CTE)与引线和凸缘的热膨胀系数相匹配的化合物。将框架设计为能承受管芯附着温度。在将管芯附着到凸缘之后，将盖子超声焊接到框架。

Description

用于集成电路管芯的封装
相关申请的交叉参考
该申请要求2003年1月29日申请的U.S临时申请No.60/443,470的优先权，将其内容并入这里以作参考。
关于联邦资助研究和开发的声明
不适用
发明背景
该申请涉及用于集成电路的电路封装，更具体地讲，涉及包括金属凸缘和高温热塑性框架的电路封装。
半导体和其他集成电路器件(有时称之为“芯片”或“管芯”)通常被安装在电路封装的内部以保护管芯并有助于管芯与印刷电路板、热沉等的电、机械以及热连接。一般的电路封装包括基部(一般称之为“金属小块”或“凸缘(flange)”)、保护性绝缘外壳和穿过外壳延伸的引线。在外壳内侧，引线被直接或更为一般地通过布线电键合到管芯上的接触部分(contact)。
保护性外壳由诸如塑料或陶瓷的电介质材料制成并且附着到凸缘上以密封管芯和布线并保护它们不受水蒸气和其它大气气体的侵扰。尽管一些外壳被模塑成一体组件，但是大部分保护性外壳包括两部分，即一组侧壁(一个“框架”)和一个盖子。框架和管芯附着到凸缘的顺序根据框架的材料而变化，更具体地讲，根据材料在不变形或不以其它方式损伤的情况下能够承受的最高温度来变化。
用于高功率管芯的电路封装一般包括通常通过共熔焊接(eutectic soldering)将管芯附着到其上的金属凸缘。凸缘一般设置安装部件，例如螺丝孔或狭槽，通过安装部件可以将电路封装安装到例如热沉上。在使用中，凸缘从管芯向热沉导热。
用于将管芯附着到凸缘的高温可以损坏塑料或使塑料变形，然而陶瓷材料能够承受该高温。因此，采用陶瓷框架的电路封装可以在附着管芯之前进行组装。然后例如通过环氧树脂将盖子附着到框架上。
为了与陶瓷框架的热膨胀系数相匹配，用于这些框架的凸缘一般由铜钨合金通过粉末冶金学渗透工艺制成。该工艺非常昂贵，并且最后所得到的合金的导热率受到限制。通过使用通过在叠层工艺之后的渗透工艺制造的铜-钼-铜叠层凸缘可以获得提高的导热率，然而这些工艺非常昂贵。
或者，可以在附着框架和盖子之前将管芯附着到凸缘上。该方法使得低温塑料能够用于框架，然而，用于将框架粘接到凸缘和盖子上的粘合剂表现得并不令人满意。这些粘合剂通常产生有缺陷的密封或允许在使用电路封装期间出现缝隙。此外，电路封装的用户不喜欢在将管芯附着到凸缘之后清点凸缘、框架和盖子并组装这些组件。
发明内容
本发明提供一种件数(piece-count)少、成本低的电路封装，该电路封装可以承受高管芯附着温度并且可以在不使用粘合剂的情况下为管芯提供密封的气腔。该电路封装设计采用大量机械部件和组合物以获得该密封性和耐热性。该组合还提供了一种与常规电路封装相比展现出更好的导电性和导热性以及机械完整性的电路封装。
该电路封装包括两部分：凸缘/框架/引线组合以及盖子。引线延伸穿过敞口框架的侧壁。凸缘包括由框架包围的管芯附着区。沿着凸缘与框架之间的边界以及引线与框架之间的边界在框架内侧施加封条(seal)。制定用于框架(热塑性，优选液晶聚合物)和封条(优选环氧树脂)的材料使其承受管芯粘接温度。一旦将管芯附着到凸缘并且将管芯电键合到引线，则将盖子焊接到框架以密封管芯周围的气腔。
电路封装的凸缘、框架和引线包括一个或多个不使用粘合剂而保持电路封装的机械完整性的结构部件。这些部件在它们各自的连接处将凸缘和引线机械地锁定到框架上。
在一个实施例中，凸缘限定包围管芯附着区的框架保持部件。例如，该保持部件可以是包括楔形榫或其它底切横截面形状的沟槽或脊。例如通过注模法将热塑性框架模塑到凸缘上。在模塑期间，框架的一部分形成冻结在保持部件内或周围的键(key)，从而将框架机械地固定到凸缘上。
在另一实施例中，每一引线包括一个或多个引线保持部件以将引线固定到框架上。在模塑操作期间，还将框架模塑在引线周围，该引线从框架外部、穿过框架侧壁延伸到气腔区域中。
一个引线保持部件限定至少一个贯穿引线的孔。在模塑期间，一些框架热塑性流经该孔，然后冻结在该孔内，从而将引线锁定在框架内。
另一引线保持部件在位于气腔区内的引线端部上或在该端部附近设置钩边、脊或其它结构。该结构不与引线共面。在模塑期间，一些框架热塑性靠着该结构面朝外的部分冻结，由此产生防止引线从框架中拉出的机械挡板。
凸缘、框架和引线的组合物提供匹配的热膨胀系数(CTE)，由此减小这些部件之间的各连接处的应力。这些组合物还通过凸缘提供良好的导热性并通过引线和凸缘提供良好的导电性。在一个实施例中，将凸缘制造成具有高的铜含量，而添加有少量的锆、银或其它材料。在另一实施例中，将引线制造成具有高的铜含量，而添加有少量的铁、磷、锌和/或其它材料。在又一实施例中，框架中的石墨薄片形成湿气阻挡层。这些石墨薄片和其它粘合剂使框架的CTE与凸缘的CTE相匹配。可以在框架和/或盖子的外部或内部涂敷任意的膜以进一步减小渗透到气腔中的湿气。
附图的简要描述
通过下面参考附图而对本发明实施例进行的详细说明，本发明的这些和其它特征、优点、方案和实施例对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：
图1是根据本发明一个实施例的没有盖子的电路封装的透视图；
图2是图1的电路封装具有粘接到其上的盖子时的透视图；
图3是诸如用于制造图1的电路封装的引线框架条的顶视图；
图4A是在已经将框架和凸缘模塑到其上之后的图3的引线框架条的顶视图；
图4B是图4A中示出的一条中的一个引线框架的透视图；
图5A是图1的电路封装的一部分的剖面图；
图5B是图1的电路封装的选择实施例的一部分的剖面图；
图6A-C是示出其制造的三个阶段的图1的电路封装的凸缘的横截面图；
图7A-D是粘接到图1的电路封装的凸缘的管芯的示意图；
图8A是图1的电路封装的引线的详细透视图；
图8B是图1的电路封装的几个选择实施例的横截面图；
图9是图1的电路封装的一部分框架的示意性横截面图；
图10是示出封条的图1的电路封装的一部分的放大图；
图11A和11B是示出图10的封条的两个实施例的图1的电路封装的横截面图；
图12是示出适合用作图10、11A和11B的封条的材料的一个实施例的粘度与剪切速率之间的关系的曲线图；
图13A是用于图1的电路封装的盖子的透视图；
图13B是根据一个实施例的图13A的盖子的一部分的横截面图；以及
图14是制造图1的电路封装的工艺流程图。
本发明的详细说明
本发明提供一种件数少的电路封装，其可以承受高管芯附着温度并且可以在不使用粘合剂的情况下为管芯提供密封的气腔。图1示出根据本发明一个实施例的示例性的电路封装100。为了清晰，示出没有盖子的电路封装100。电路封装100包括：凸缘102、框架104以及两条引线106和108。框架104将引线106和108与凸缘102彼此电绝缘。例如通过低熔点焊料114，将管芯110附着到管芯附着区112。虽然通常可以将两个或多个管芯附着到管芯附着区112中，但是为了清晰，图1仅示出一个管芯。
低熔点焊料114将管芯110电键合到凸缘102。低熔点焊料114还从管芯110向凸缘102导热。在使用中，一般通过穿过狭槽116和118延伸的螺栓(未示出)将凸缘102安装到热沉(未示出)。例如通过布线120和122将管芯110电键合到引线106和108。优选将这些布线120和122超声键合到引线106和108。虽然示出一个管芯和两条引线106和108，但是可以使用更多的管芯和/或引线。图2示出在将盖子200附着到其上之后的电路封装100，如下面更为详细地说明。
电路封装体100采用大量的机械部件和组合物以将管芯密封在气腔内并承受高温。如先前所述，该结合还能够使电路封装100展现出提高的导电性和导热性以及机械完整性。下面的说明首先综述电路封装100的制造工艺。然后是凸缘102及其制造的详细说明。随后是引线106和108、用于框架104的液晶聚合物的组合物、施加在框架104内侧的封条、盖子200以及电路封装100的制造工艺的详细说明。
制造综述
与常规电路封装相似，将根据本发明的电路封装100优选制造成条状或制造在卷轴上。图3示出诸如引线框架302和304的引线框架条300。每一引线框架包括两个引线，例如在306和308处示出的那些。在一个实施例中，当引线框架条300被冲压或蚀刻时，产生贯穿引线306和308的孔。这些孔的例子在310处示出。这些孔310用于将框架锁定到引线306和308，如下所述。
在制作引线框架条300之后，优选通过注模法将框架模塑到引线框架条的每一个引线框架。图4A示出在已经将诸如框架400的框架模塑到引线框架之后的引线框架条300A。图4B示出一个完整的引线框架404。可以将引线框架单独地或以带状或卷状的形式提供给随后的制造者，该制造者将管芯附着到所述引线框架上。
凸缘
凸缘102形成基部，将本电路封装的其它部件附着到其上。另外，凸缘102一般从管芯向热沉导热并将管芯的一个端子电键合到电路板。凸缘102优选由高铜合金(至少大约50％的铜)制成，以提供高导电性和导热性并承受在管芯附着温度下的退火。合金优选包括至少一种痕量金属。虽然其它的高铜比率是可以接受的，但是凸缘102优选包括至少大约98％的铜和大约0.05％与大约1.5％之间的锆。凸缘102更为优选地包括大约99.9％的铜和大约0.1％的锆。凸缘102优选电镀有大约100微英寸的镍以形成扩散阻挡层以及大约65微英寸的金以有助于将管芯110焊接到凸缘。
或者，凸缘102包括至少大约99.5％的铜和大约0.085％的银，尽管其它高铜比率也是可以接受的。锆优于银，因为使用锆制造的合金比使用银制造的合金含有更高的铜含量且因此提供更好的导热性和导电性。铜锆合金为凸缘提供的导热性优于现有技术的铜钨和铜-钼-铜凸缘的导热性，这使得采用这种凸缘或附着到这种凸缘的管芯的电路封装能够比现有技术的封装消耗更多的功率。另外，铜锆合金具有高于大部分高铜合金的退火温度，并且经受更小的由于加热到管芯附着温度而引起的翘曲。
如先前所述，优选通过注模法将框架104模塑到凸缘102。作为该模塑的结果，将框架附着到凸缘102上，尽管该附着一般有缺陷并且由于焊接和管芯操作的加热而断裂。为了克服该问题，凸缘102优选机械部件以便使框架104和凸缘机械互锁。
该部件在图5A中示出，图5A是上面参考图1所讨论的电路封装100的一部分的剖面图。凸缘102限定用于使框架104和凸缘机械互锁的框架保持部件500。当将框架104模塑到凸缘102时，一些框架材料流入到框架保持部件500中，然后在其中冻结，形成键502。框架保持部件500具有一种横截面轮廓，而键502具有互补的轮廓。这样，冻结的键502机械地与框架保持部件500互锁，由此防止将框架104从凸缘102拉出，而不需要在框架与凸缘之间添加粘合剂。
框架保持部件500包括至少一个底切部分。在横截面中，保持部件500优选为楔形榫形状，其限定两个底切部分504和506。其它诸如T、L或棒棒糖形状等横截面形状是可以接受的。
虽然图5A中示出的框架保持部件500被压在凸缘102的相邻表面下方，但是框架保持部件可以选择地处于相邻表面之上，如图5B中所示。可选择的凸缘102A限定处于相邻表面之上的框架保持部件500A。当将框架104A模塑到凸缘102A时，一些框架材料流到框架保持部件500A的底切部分504A和506A的周围并在其下方冻结。在这种情况下，框架104A限定处于框架104A内的键502A。
回到图5A，通过一系列渐进性冲压在凸缘102中形成框架保持部件500。图6A-C示出框架保持部件500在制造的各个阶段中的横截面。图6A示出在制造框架保持部件500之前的凸缘坯体(blank)102B。
图6B示出在凸缘坯体中精压(coin)出第一矩形截面沟槽600之后的凸缘坯体102C。该精压操作在沟槽600中产生壁602和604。沟槽600优选为大约0.02英寸宽(尺寸A)且优选为大约0.02英寸深(尺寸B)。
图6C示出在第一沟槽600上精压出第二矩形截面沟槽606之后的凸缘102。第二精压操作使壁602和604(图6B)变形，导致它们在沟槽顶部附近轻微塌陷。变形的壁602A和604A形成上述底切504和506，参考图5A。第二沟槽600优选为大约0.05英寸宽(尺寸D)且优选为0.01英寸深(尺寸C)。最终的楔形榫形状具有大约0.007英寸(尺寸E)的较小尺寸，留出大约0.0065英寸(尺寸F)的突出部分。对于用于框架104的(下面说明的)液晶聚合物，该突出部分(F)优选为至少大约0.005英寸。
所有这些尺寸可以根据凸缘102的大小、材料和温度、框架104的大小、材料和温度、凸缘与框架之间的连接处的期望强度、成本或本领域普通技术人员熟知的其它因素来改变。
凸缘102还包括机械部件以确保凸缘与热沉之间的良好的传热连接。通常用机器将热沉加工成在一个表面上是平的。为了在电路封装与热沉之间提供良好的导热连接，应该紧挨着该平面平放电路封装，其间没有间隙。
(上述)所执行的用来制造框架保持部件500的冲压操作可以使凸缘102的底部变形，由此阻碍电路封装紧挨着热沉平放。为了改善该变形，优选在冲压操作之后研磨(1ap)凸缘102的底部。另外或可选择地，增加厚度(图5中的尺寸G)优选至大约0.125英寸，可以减小由冲压操作引起的变形量并可以消除对研磨凸缘102的底部的需要。
当将管芯焊接到凸缘时，管芯110与凸缘102之间的热膨胀系数的不同可以使凸缘变形。图7A-D示意性地示出这一情况。图7A示出具有平底700的凸缘102D和还没有焊接到凸缘上的管芯110。焊料114A还没有被熔化。铜/锆凸缘的CTE近似为17ppm/℃，而硅管芯的CTE近似为2.8ppm/℃。随着加热管芯110和凸缘102D以便将管芯焊接到凸缘，管芯和凸缘膨胀。
稍后，在图7B中示出，随着管芯110和凸缘102D冷却，低熔点焊料114B突然变硬，但是凸缘和管芯继续冷却并收缩。低熔点焊料114B非常硬且不十分柔软。因此，凸缘102D的顶表面702的收缩受管芯110的约束，该管芯110具有远远小于凸缘的CTE。结果，凸缘102D的顶表面702比底表面700收缩得要少，导致底表面具有凹形，这会在将凸缘安装到热沉时留下间隙。
为了抵消在焊接之后凸缘102具有凹形的趋势，优选使凸缘在焊接之前为轻微凸的形状。图7C示出在将管芯110焊接到凸缘之前的凸缘。假定凸缘102的底表面704为其凸度(尺寸H)大于将由焊接引入的凹度的量的形状。在一个实施例中，底表面704在凸缘的长度上凸起至少大约0.0001英寸。在另一实施例中，底表面704凸起在大约0.0005英寸与大约0.0010英寸之间。该量根据各种因素而被改变，例如使用的焊接技术、焊接到凸缘的管芯的数量、大小和设置、凸缘的长度、宽度和厚度以及凸缘的组合物。常规的凸缘一般为大约0.040或0.062英寸厚。优选为大约0.125英寸的凸缘厚度(图5A中的尺寸G)可以减小由焊接引起的变形量。尽管诸如砂纸打磨、弯曲、铸造或锻造等其它工艺是可以接受的，但是优选通过精压工艺来赋予底表面凸度。
图7D示出在将管芯已经焊接到凸缘且二者冷却之后的凸缘102。底表面704优选具有略微凸起的形状。当将凸缘102安装到热沉上时，通过向凸缘安装螺丝而施加的力(如箭头706和708所表示的)使凸缘紧挨着热沉变平并在凸缘与热沉之间产生良好的传热连接。
如先前所述，凸缘102包括一般为平面的管芯附着区112，将管芯110焊接、环氧或以别的方式附着到该管芯附着区112上。管芯附着区112优选平坦至每英寸在大约0.001英寸内，且更为优选地每英寸在大约0.0005英寸内，以有助于管芯110与管芯附着区之间的良好的低熔点焊料连接。另外，为了共熔焊接，管芯附着区表面粗糙度优选小于大约30微英寸。凸缘102的底部的表面粗糙度优选小于大约64微英寸，以便有助于形成与热沉的良好的导热接触。如果使用诸如环氧树脂的粘合剂来将管芯110粘着到管芯附着区112，则管芯附着区优选平坦至在大约每英寸0.005英寸内并平滑至在大约64微英寸内。
如前所述，凸缘102还包括安装狭槽116和118。或者，凸缘可以包括带有螺纹或没有螺纹的安装孔。在这些情况下，可以通过穿过这些开口延伸的螺栓或其它扣件将凸缘102安装到热沉或其它基板上。或者，可以将凸缘焊接到热沉或其它基板上，避免了对安装孔的需要。
引线
如上面参考图1所述，优选通过注模法将框架104模塑到凸缘102以及引线106和108。在模塑操作期间，优选将框架104模塑在引线106和108的周围，所述引线106和108从框架外部、穿过框架侧壁延伸到气腔区中。作为该模塑的结果，框架附着到引线106和108，尽管该附着通常是有缺陷的并且会由于焊接和管芯操作的加热而断裂。为了克服该问题，各引线106和108优选包括一个或多个引线保持部件以便将引线固定到框架104上。
一个引线保持部件限定至少一个贯穿各引线的孔310，如图8中所示。如前所述，当冲压或蚀刻引线框架300(图3)时，孔310形成在引线106和108中。优选，各引线106和108包括设置成直线的多个优选为矩形的孔310，其中框架104将接触引线。在模塑期间，一些框架热塑性流进孔310中，然后冻结在其中，由此将引线106或108机械锁定在框架104内并防止引线从框架拉出，而不需要在引线与框架之间添加粘结剂。如图5A所示，孔310优选由框架104完全覆盖。
引线106和108的导电性有助于电路封装100的总体性能。引线106或108的导电率与引线的横向、即近似垂直于电流流经引线的方向的横截面面积成比例。由于孔310减小该横截面面积(参见图8中的线B-B)，所以可以选择孔的数量、设置、大小和形状以便最小化引线106和108的有效导电率的损耗。如果最终得到的引线满足设计标准，优选地，孔310最多可以将引线的横截面面积减小大约25％，尽管该减小可以更大。
矩形孔310最大化可以冻结和锁定引线106和108的框架热塑性的量，同时最小化引线导电率的减小。优选调整矩形孔310的较长尺寸使其与电流流经引线106和108的方向平行。取决于框架104的侧壁厚度，孔310可以为正方形。
图8中示出的另一引线保持部件在位于气腔区中的引线的端部上或在该端部附近设置钩状或弯曲(下文共同称作“钩状”)边缘800、脊、凹陷或其它结构。该结构与引线不共面。如可以在图5A中看到的那样，在模塑期间，一些热塑性冻结在该结构的面朝外的部分中或靠着该结构的面朝外的部分冻结，由此产生防止引线106从框架104拉出的机械挡板。在冲压引线框架300(图3)时，在引线106和108中形成钩状边缘800、脊或其它结构。虽然钩状边缘800对于该引线保持部件为优选实施例，但是可以采用其他的形状。在图8B中的800A-F横截面中示出一些可接受的形状的例子。
如先前参考图1所讨论的那样，引线106和108用于将管芯110电连接到电路板等。引线106和108由高铜合金(至少50％的铜)制成，以提供良好的导电性并与框架104的CTE相匹配。高铜引线提供高于现有技术引线的导电率，现有技术的引线一般包括42％的镍和55％的铁(通常称之为合金42)。另外，引线106和108优选被电镀大约100微英寸的镍以形成扩散阻挡层和大约65微英寸的金以有助于布线键合或引线焊接引线。
引线106和108优选由大约2.1％与大约2.6％之间的铁、大约0.015％与大约0.15％之间的磷、大约0.05％与大约0.2％之间的锌与余量(balance)铜的合金构成。然而，这些材料的其他比率是可以接受的。更加优选地，引线106和108由大约97.5％的铜、大约2.35％的铁、大约0.3％的磷以及大约0.12％的锌构成。可以从OlinCorporation获得UNS编号为C19400的这种合金。
对于引线106和108，许多可选组合物是可以接受的。一种这样的选择包括大约99.9％的铜和大约0.1％的锆。可以从Olin公司获得UNS编号为C15100的这种合金。然而，这些材料的其他比率是可以接受的。例如，由大约0.05％与大约0.15％之间的锆与余量铜构成的合金也是可以接受的。
用于引线106和108的另一种可选组合物包括大约1％与大约2％之间的铁、大约0.01％与大约0.035％之间的磷、大约0.3％与大约1.3％之间的钴、大约0.1％与大约1％之间的锡以及余量铜。在该组合物中铜的优选量为97％。可以从OlinCorporation获得UNS编号为C19500的这种合金。
用于引线106和108的另一种可选组合物包括大约0.3％与大约1.2％之间的铁、大约0.1％与大约0.4％之间的磷、大约0.01％与大约0.2％之间的镁、以及余量铜。在该可选组合物中优选配方为大约0.6％的铁、大约0.2％的磷、大约0.05％的镁和大约99％的铜。可以从OlinCorporation公司获得UNS编号为C19700的这种合金。
用于引线106和108的另一种可选组合物包括大约1.7％与大约2.3％之间的锡、大约0.1％与大约0.4％之间的镍、高达大约0.15％的磷以及余量铜。可以从Mitsubishi Electric Corporation获得UNS编号为C50710的这种合金。
用于引线106和108的又一种可选组合物包括大约0.05％与大约1.5％之间的铁、大约0.025％与大约0.04％之间的磷以及余量铜。可以从Kobe Steel，Ltd.获得UNS编号为C19210的这种合金。
用于引线106和108的再一种可选组合物包括大约0.5％与大约0.15％之间的铁、大约0.5％与大约1.5％之间的锡、大约0.01％与大约0.035％之间的磷以及余量铜。可以从Mitsubishi Shinto Company，Ltd.获得UNS编号为C19520的这种合金。
用于引线106和108的另一种可选组合物包括在大约0.15％与大约0.4％之间的铬、大约0.01％与大约0.4％之间的钛、大约0.02％与大约0.07％之间的硅以及余量铜。可以从Wieland Werke获得UNS编号为C18070的这种合金。
用于引线106和108的另一种可选组合物包括大约0.8％与大约1.8％之间的镍、大约0.15％与大约0.35％之间的硅、大约0.01％与大约0.05％之间的磷以及余量铜。可以从Poong San Metal Corporation获得UNS编号为C19010的这种合金。
用于引线106和108的另一种可选组合物包括大约2.0％与大约4.8％之间的镍、大约0.2％与大约1.4％之间的硅、大约0.05％与大约0.45％之间的镁以及余量铜。在该可选组合物中优选配方为大约3.0％的镍、大约0.65％的硅、大约0.15％的镁和大约96.2％的铜。可以从Olin Corporation获得UNS编号为C70250的这种合金。
用于引线106和108的另一种可选组合物包括大约0.3％与大约0.4％之间的铬、大约0.2％与大约0.3％之间的锡、大约0.15％与大约0.25％之间的锌以及余量铜。可以从Furukawa Electirc获得UNS编号为EFTEC-64T的这种合金。
用于引线106和108的另一种可选组合物包括大约2.7％与大约3.7％之间的镍、大约0.2％与大约1.2％之间的硅、大约0.1％与大约0.5％之间的锌以及余量铜。可以从Kobe Steel，Ltd.获得UNS编号为KLF-25的这种合金。
用于引线106和108的另一种可选组合物包括大约1.9％与大约2.9％之间的镍、大约0.2％与大约0.6％之间的硅、大约0.1％与大约0.2％之间的磷以及余量铜。可以从Mitsubishi Electric Corporation获得UNS编号为MF224的这种合金。
框架
如上所述，参考图5A，框架104由注模的热塑性制成并且模塑到凸缘102以及引线106和108。凸缘102的材料优选包括可以承受管芯附着温度(对于AuSn焊接为280-330℃，或对于AuSi焊接为390-420℃)的液晶聚合物(LCP)。常规的LCP在大约300℃与大约330℃之间的温度下熔化。框架104优选包括基础树脂和化合物以升高其熔化温度、调节其热膨胀系数(CTE)并减小其湿气渗透率。为了简便，这里，将包括树脂和化合物的框架104的材料称为“热塑性配混料(thermoplastic compound)”或“框架材料”。
可接受的树脂的一个例子为包括对羟基苯甲酸、双酚和邻苯二甲酸(phathalic acid)的一种。另一种可接受的组成(formulation)包括p-羟基苯甲酸(HBA)和6-羟基-2-萘甲酸(HNA)的共聚物。其它可接受的组成包括HBA、4-4-双酚(BP)和对苯二酸(TA)的三元聚合物(terapolymer)。
图9是示出热塑性配混料中的一些化合物的框架104的示意性横截面图。优选向LCP中添加填料粒子以改变其CTE以更接近地匹配引线106和108的CTE(近似17ppm/℃)并破坏框架102中的热塑性配混料的各向异性。优选将框架材料的CTE调整在引线106和108的CTE的大约60％内。可以以大约30％至大约40％的浓度，向LCP添加诸如云母的直径优选为大约2至3微米的矿物圆球900。这种合成物具有大约7ppm/℃至22ppm/℃的CTE。
优选向LCP中添加石墨以减小湿气渗透。该石墨优选为通常是平的石墨薄片904(图9中示出的边缘上)，然而，诸如球或大块的其它形式的石墨也是可以接受的。另外，石墨薄片904在注入等期间可以略微弯曲，而不显著改变它们的效果。术语“通常是平的石墨薄片”包括已经变形的这种薄片。
石墨薄片904优选形成层，所述层优选大体平行于框架104的外表面，由此产生用于湿气渗透的曲折路径906。即使所述层不与外表面平行，石墨的存在也阻止湿气渗透。石墨薄片904还调节LCP的CTE以便更加接近地匹配引线106和108的铜合金。框架材料含有大约10％与大约70％之间的石墨薄片，优选在大约40％与50％之间。
作为石墨薄片的替换物，可以向LCP中添加玻璃纤维1202以增加硬度并调整最终得到的热塑性配混料的CPE。在该实施例中，框架材料优选含有大约30％与大约50％之间的玻璃纤维。
作为另一种石墨薄片的替换物，或者与石墨薄片一起，可以向LCP中添加其他的化合物，例如铁粉基吸收剂、分子筛过滤器(沸石)和氧化钙(CaO)。从Sud-Chemie，Inc.可获得适合的沸石。
在注模之前，框架材料优选被预干燥，优选小于大约0.008％的湿气含量。另外，注入时间应该保持得较短，优选小于大约0.2秒。压注量(injection shot)规模应该保持得较小，优选小于大约2克，以最小化在注入模桶中的热塑性配混料的滞留时间。在注入位置的闸门优选限制热塑性配混料的流动，由此增加热塑性配混料上的切力(shear)，以便为聚合物链和石墨薄片904定方位。优选将热塑性配混料注入在框架104的拐角处或者在引线106与108之间。为了最小化最终得到的框架上的应力量，在模塑操作期间，优选保持大约250℉的最小模塑温度。
优选向框架104的外表面涂敷湿气阻挡膜，以进一步减小湿气渗透。或者，将该膜涂敷到框架104的内部。可接受的材料包括从PPGIndustries可获得的商标为Bairocade的胺基环氧树脂、聚合物-A1膜和聚合物-陶瓷膜。
封条
框架保持部件500(图5A)和引线保持部件800(图8A)提供良好的阻止湿气和大气渗透的机械连接。另外，框架104优选包括减小该渗透的构件和外部或内部膜。为了进一步减小渗透，如图10中示出，优选将封条1000和1002沿着框架104的边缘施加在框架104内侧，其中框架与引线106和108接触且其中框架与凸缘102接触。如图11A中的横截面所示，封条1002有效地阻止凸缘102与框架104之间的渗透并阻止框架104与引线108之间的渗透。或者，如图11B中所示，可以使用两个封条1002A和1002B来代替一个封条1002。
为了促进密封剂与框架材料的良好粘接，优选在涂敷密封剂之前清洗框架材料。如本领域所公知的，其中氧为主要介质的等离子体清洗产生可接受的结果。或者，可以使用溶剂或通过蚀刻来清洗框架材料。优选使用0.008英寸内径(ID)的针来分配用于封条1000的材料，并且优选使用0.010英寸ID的针来分配用于封条1002的材料。当然，根据所期望的珠子(bead)的尺寸，可以使用其它针尺寸。为了最小化密封剂中的气泡，使用正位移螺旋泵来向针泵压密封剂。
密封剂材料优选在大约0.95每秒的剪切速率下具有大约58Pa.s与大约128Pa.s之间的粘度，而在大约9.5每秒的剪切速率下具有大约12Pa.s与大约30Pa.s之间的粘度。图12包含示出粘度与剪切速率之间的优选关系的曲线1200。在高剪切速率下，优选低粘度，以便于可以快速分配材料。然而，在低剪切速率下优选高粘度，以便于一次性分配材料，而不运转。
该材料优选具有大约3Pa.s与大约7.4Pa.s之间的卡森粘度(casonviscosity)。材料的触变指数优选在大约3.5与大约4.6之间。
用于封条1000和1002的合适材料包括环氧树脂、硅树脂和保形涂料。合适的密封剂包括大约40％与大约60％之间的溶剂(诸如醋酸2-丁酯)和大约40％与大约60％之间的环氧树脂或有机硅树脂。例如，环氧树脂可以为双酚A或环状脂肪族环氧树脂。适合的硬化剂包括胺硬化剂。或者，封条可以由从Cookson Electronics可获得的Paralyne D或Parylene HT制成。
盖子
在将管芯110附着到凸缘102并电键合到引线106和108之后将盖子200附着到框架104。适合的盖子200显示在图13A和13B中。优选使用频率在大约50kHz与大约60kHz之间以及振幅小于大约100微米(更优选小于60微米)的焊接信号将盖子200优选地超声焊接到框架104。或者，盖子200可以被激光焊接或热焊接到框架104。
已经不使用常规的超声塑胶焊接技术来将盖子密封到电路封装上，因为这些常规技术使用较低的焊接频率，这产生会损坏安装在电路封装中的布线键合组件的较高振幅。本发明的较高的焊接频率产生较低的振幅，且因此不损伤布线键合组件。通常，使用环氧树脂粘合剂将盖子粘接到电路封装上。有利的是，可以在远远小于环氧树脂固化时间(近似2小时)的时间(近似250msec.)内完成超声焊接。
优选在盖子200与框架104之间存在干涉配合，以至于盖子和框架的部分在超声焊接期间熔化并熔合在一起。如图13B中的横截面所示，盖子200优选包括与框架104熔化并熔合在一起的边缘1300。盖子200优选由与框架104相同的材料制成，如上所述。另外，优选向盖子200涂敷湿气阻挡膜，如上面关于框架104所述。
制造细节
上面已经详细说明了电路封装100的凸缘102、框架104、引线106与108和盖子200的细节，包括用于制造这些部件的材料和工艺。图14包含示出工艺的简单流程图，可以通过其制造和使用电路封装100。
在1400，制作用于引线106和108的第一高铜合金。在1402，通过在1400制造的第一高铜合金来制作引线框架。在1404，在引线框架300中冲孔、蚀刻或以其它方式制作孔310，以产生一个引线保持部件。在1406，在引线框架300上卷曲、弯曲、冲压或蚀刻引线106和108的端部以产生另一引线保持部件800。
在1408，制作用于凸缘102的第二高铜合金。在1410，通过在1408制造的第二高铜合金制作凸缘102。在1412，通过渐进型冲压工艺在凸缘102中精压框架保持部件500。可选择地，在1414，研磨凸缘102的底部。在1416，使凸缘102的底部变得凸起。
在1418，向液晶聚合物中添加石墨薄片、云母和/或玻璃纤维以制造框架材料。在1420，干燥框架材料。在1422，将框架104模塑到凸缘102以及引线106和108上。
在1424，清洗框架104和凸缘102的内表面，即气腔区。在1426，涂敷密封剂，以密封框架104与凸缘102之间的边界以及框架与引线106和108之间的边界。
在1428，将管芯110附着到凸缘102。在1430，将管芯110超声布线键合到引线106和108。在1432，将盖子200超声焊接到框架104。
虽然已经参考优选实施例说明了本发明，但是本领域技术人员会理解并意识到可以作出各种改变，同时仍保持在本发明的精神和范围内，如在附属权利要求书中所述。例如，可以使用环氧树脂或其它粘合剂将低功率管芯粘接到凸缘上，而不是焊接到其上。此外，如本领域所公知的，合金一般含有少量杂质，以至于本文中所述的组分不必总计为100％。
虽然已经在高铜凸缘102的背景下说明了框架保持部件500和凸缘底部的凸度H，但是这些创新也适用于常规的凸缘和由其它材料制成的凸缘。虽然已经在高铜引线的背景下说明了引线保持部件310、800和它们各自的替换物，但是这些创新也适用于常规的引线和由其它材料制成的引线。虽然在电路封装100的背景下说明了框架材料，但是该材料可以有利地用于其它情况，例如那些需要可以承受高温的材料。框架材料的其它应用的例子包括在印刷电路版(PCB)中的高温绝缘板和用于电子元件、电缆、PCB等的插座。

Claims (66)

1.一种电路封装，包括：
凸缘；
至少一条引线；以及
塑模到所述凸缘和所述至少一条引线上的框架，所述框架还包括具有键轮廓的键，使得所述凸缘限定具有与所述键轮廓互补的互锁轮廓的互锁部件，且其中所述键与所述互锁部件紧密接触；其中：
所述至少一条引线延伸穿过所述框架；并且
所述框架包括熔化温度大于340℃的热塑性材料。
2.根据权利要求1所述的电路封装，其中，所述互锁轮廓为楔形榫形状。
3.根据权利要求1所述的电路封装，其中，所述互锁轮廓为T形。
4.根据权利要求1所述的电路封装，其中，所述互锁轮廓为L形。
5.根据权利要求1所述的电路封装，其中，所述互锁部件为所述凸缘中的沟槽。
6.根据权利要求1所述的电路封装，其中，所述互锁部件高于所述凸缘表面。
7.根据权利要求1所述的电路封装，其中：
所述至少一条引线限定至少一个从该引线穿过的孔；以及
所述框架的热塑性材料的一部分延伸穿过该孔。
8.根据权利要求7所述的电路封装，其中所述至少一个孔为矩形。
9.根据权利要求7所述的电路封装，其中所述至少一个孔包括多个孔。
10.根据权利要求7所述的电路封装，其中，在所述至少一条引线的经过所述至少一个孔的横向横截面中，所述至少一个孔的横截面面积小于或等于所述至少一条引线的横截面面积的25％。
11.根据权利要求1所述的电路封装，其中：
所述至少一条引线包括接近其一个端部的保持部件，该保持部件具有面朝外的部分；其中
所述热塑性框架材料的一部分与该保持部件的所述面朝外的部分邻接。
12.根据权利要求11所述的电路封装，其中所述保持部件为钩状边缘。
13.根据权利要求11所述的电路封装，其中所述保持部件为脊。
14.根据权利要求11所述的电路封装，其中所述保持部件包括沟槽。
15.根据权利要求1所述的电路封装，其中：
所述至少一条引线包括接近于其一端部的保持部件；其中
所述热塑性框架材料的一部分与该保持部件邻接。
16.根据权利要求15所述的电路封装，其中所述保持部件为钩状边缘。
17.根据权利要求15所述的电路封装，其中所述保持部件为脊。
18.根据权利要求15所述的电路封装，其中所述保持部件为沟槽。
19.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述凸缘包括凸起的底表面。
20.根据权利要求19所述的电路封装，其中所述底表面的凸度为至少0.0001英寸。
21.根据权利要求19所述的电路封装，其中所述底表面的凸度在0.0005与0.0010英寸之间。
22.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述凸缘包括至少50％的铜。
23.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述凸缘包括至少90％的铜。
24.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述凸缘包括至少98％的铜。
25.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述凸缘包括铜和选自包括锆和银的组中的至少一种材料的合金。
26.根据权利要求25所述的电路封装，其中所述合金包含至少98％的铜。
27.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述凸缘包括：
在0.05％与1.5％之间的锆；以及
至少98.5％的铜。
28.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述凸缘包括：
在0.05％与1.5％之间的锆；以及
余量铜。
29.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述凸缘包括：
085％的银；以及
至少99.9％的铜。
30.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述至少一条引线包括至少50％的铜。
31.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述至少一条引线包括至少97％的铜。
32.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述至少一条引线包括铜和选自包括铁、磷、锌、锆、钴、锡、镁、镍、铬、钛和硅的组中的至少一种材料的合金。
33.根据权利要求32所述的电路封装，其中该合金包含至少97％的铜。
34.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述至少一条引线包括：
在2.1％与2.6％之间的铁；
在0.015％与0.15％之间的磷；
在0.05％与0.2％之间的锌；以及
余量铜。
35.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述热塑性材料为液晶聚合物。
36.根据权利要求35所述的电路封装，其中所述液晶聚合物包括：
对羟基苯甲酸；
双酚；以及
邻苯二甲酸。
37.根据权利要求35所述的电路封装，其中所述液晶聚合物包括：
p-羟基苯甲酸；以及
6-羟基-2-萘甲酸的共聚物。
38.根据权利要求35所述的电路封装，其中所述液晶聚合物包括
组成为羟基苯甲酸、4-4-双酚和对苯二酸的三元聚合物。
39.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述热塑性材料的热膨胀系数是在所述至少一条引线的膨胀系数的60％之内。
40.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述热塑性材料具有7ppm/℃与22ppm/℃之间的热膨胀系数。
41.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述热塑性材料包括30％与45％之间的直径在2微米与3微米之间的云母球。
42.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述热塑性材料包括30％与50％之间的玻璃纤维。
43.根据权利要求1所述的电路封装，其中所述热塑性材料包括多个石墨薄片。
44.根据权利要求43所述的电路封装，其中所述热塑性材料包括10％与70％之间的石墨薄片。
45.根据权利要求43所述的电路封装，其中所述热塑性材料包括40％与50％之间的石墨薄片。
46.根据权利要求44所述的电路封装，其中所述石墨薄片形成多层。
47.根据权利要求46所述的电路封装，其中所述石墨薄片被定向为与所述框架的外表面平行。
48.根据权利要求1所述的电路封装，进一步包括附着到所述框架的热塑性材料盖子。
49.根据权利要求48所述的电路封装，其中所述凸缘、所述框架和所述盖子限定一个气腔。
50.根据权利要求48所述的电路封装，其中将所述盖子焊接到所述框架。
51.根据权利要求48所述的电路封装，其中所述热塑性材料包括液晶聚合物。
52.根据权利要求51所述的电路封装，还包括附着到所述凸缘并电键合到所述至少一条引线的半导体管芯。
53.根据权利要求51所述的电路封装，其中所述热塑性材料包括多个石墨薄片。
54.根据权利要求53所述的电路封装，其中所述热塑性材料包括10％与70％之间的石墨薄片。
55.根据权利要求53所述的电路封装，其中所述热塑性材料包括40％与50％之间的石墨薄片。
56.根据权利要求1所述的电路封装，还包括附着到所述凸缘并电键合到所述至少一条引线的半导体管芯。
57.根据权利要求1所述的电路封装：
其中所述框架包括与所述凸缘表面相邻的边缘；以及
还包括沿着所述边缘的至少一部分附着到所述框架和所述凸缘的封条。
58.根据权利要求57所述的电路封装，其中所述封条包括环氧树脂。
59.根据权利要求57所述的电路封装，其中所述封条包括硅树脂。
60.根据权利要求1所述的电路封装：
其中所述框架包括与所述至少一条引线的第一表面相邻的第一边缘；以及
还包括沿着所述第一边缘的至少一部分附着到所述框架和所述至少一条引线的第一封条。
61.根据权利要求60所述的电路封装：
其中所述框架包括与所述至少一条引线的第二表面相邻的第二边缘；以及
还包括沿着所述第二边缘的至少一部分附着到所述框架和所述至少一条引线的第二封条。
62.根据权利要求61所述的电路封装：
其中所述框架包括与所述凸缘的表面相邻的第三边缘；以及
还包括沿着所述第三边缘的至少一部分附着到所述框架和所述凸缘的第三封条。
63.根据权利要求62所述的电路封装，其中所述封条包括环氧树脂。
64.根据权利要求62所述的电路封装，其中所述封条包括硅树脂。
65.根据权利要求62所述的电路封装，其中所述封条包括具有以下参数的材料：
3.5与4.6之间的触变系数；
7.4与3Pa.s之间的卡森粘度；
在0.95每秒的剪切速率下的在58与125Pa.s之间的粘度；以及
在9.5每秒的剪切速率下的在12与30Pa.s之间的粘度。
66.根据权利要求1所述的电路封装，还包括所述框架表面上的湿气阻挡膜。
CNB2004800083598A 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装 Expired - Lifetime CN100461382C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US44347003P 2003-01-29 2003-01-29
US60/443,470 2003-01-29

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101886211A Division CN101447439A (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装
CN2008101886300A Division CN101436572B (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装
CN2008101886298A Division CN101434737B (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1842911A CN1842911A (zh) 2006-10-04
CN100461382C true CN100461382C (zh) 2009-02-11

Family

ID=32825334

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101886300A Expired - Lifetime CN101436572B (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装
CNB2004800083598A Expired - Lifetime CN100461382C (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装
CNA2008101886211A Pending CN101447439A (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装
CN2008101886298A Expired - Lifetime CN101434737B (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101886300A Expired - Lifetime CN101436572B (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101886211A Pending CN101447439A (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装
CN2008101886298A Expired - Lifetime CN101434737B (zh) 2003-01-29 2004-01-29 用于集成电路管芯的封装

Country Status (8)

Country Link
US (6) US6867367B2 (zh)
EP (1) EP1627419A4 (zh)
JP (3) JP4780718B2 (zh)
KR (1) KR101025079B1 (zh)
CN (4) CN101436572B (zh)
CA (1) CA2514515C (zh)
SG (4) SG157957A1 (zh)
WO (1) WO2004068558A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104517926A (zh) * 2013-09-26 2015-04-15 恩智浦有限公司 半导体器件引线框架

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1548905A4 (en) * 2002-09-30 2006-08-09 Sanyo Electric Co ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
US7298046B2 (en) * 2003-01-10 2007-11-20 Kyocera America, Inc. Semiconductor package having non-ceramic based window frame
SG157957A1 (en) * 2003-01-29 2010-01-29 Interplex Qlp Inc Package for integrated circuit die
WO2004090938A2 (en) * 2003-04-02 2004-10-21 Honeywell International Inc. Thermal interconnect and interface systems, methods of production and uses thereof
WO2004109795A2 (en) * 2003-06-06 2004-12-16 Honeywell International Inc. Thermal interconnect system and method of production thereof
JP2005129735A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Fujitsu Media Device Kk 電子部品
US7259460B1 (en) * 2004-06-18 2007-08-21 National Semiconductor Corporation Wire bonding on thinned portions of a lead-frame configured for use in a micro-array integrated circuit package
US20060145317A1 (en) * 2004-12-31 2006-07-06 Brennan John M Leadframe designs for plastic cavity transistor packages
DE102005006281B4 (de) * 2005-02-10 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Hochfrequenzleistungsbauteil mit Goldbeschichtungen und Verfahren zur Herstellung desselben
US20100201003A1 (en) * 2005-03-02 2010-08-12 Dane Thompson Packaging Systems Incorporating Thin Film Liquid Crystal Polymer (LCP) and Methods of Manufacture
JP4797621B2 (ja) * 2005-06-30 2011-10-19 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7280181B2 (en) * 2005-06-30 2007-10-09 Intel Corporation Liquid crystal polymer optical filter carrier
US7848698B2 (en) 2005-07-22 2010-12-07 Appareo Systems Llc Flight training and synthetic flight simulation system and method
US8944822B2 (en) * 2005-07-22 2015-02-03 Appareo Systems, Llc Synchronized video and synthetic visualization system and method
US7336491B2 (en) * 2005-09-06 2008-02-26 Lear Corporation Heat sink
US8120153B1 (en) * 2005-09-16 2012-02-21 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. High-temperature, wirebondless, injection-molded, ultra-compact hybrid power module
US7429790B2 (en) * 2005-10-24 2008-09-30 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor structure and method of manufacture
US7446411B2 (en) * 2005-10-24 2008-11-04 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor structure and method of assembly
US20070175660A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 Yeung Betty H Warpage-reducing packaging design
US9202318B2 (en) 2006-09-25 2015-12-01 Appareo Systems, Llc Ground fleet operations quality management system
US8116922B2 (en) * 2006-09-25 2012-02-14 Appareo Systems, Llc Method for resolving ground level errors in simulations
US7616449B2 (en) * 2006-09-25 2009-11-10 Appareo Systems, Llc Crash-hardened memory device and method of creating the same
US9172481B2 (en) 2012-07-20 2015-10-27 Appareo Systems, Llc Automatic multi-generational data caching and recovery
US9047717B2 (en) 2006-09-25 2015-06-02 Appareo Systems, Llc Fleet operations quality management system and automatic multi-generational data caching and recovery
US8565943B2 (en) * 2006-09-25 2013-10-22 Appereo Systems, LLC Fleet operations quality management system
US7679185B2 (en) * 2006-11-09 2010-03-16 Interplex Qlp, Inc. Microcircuit package having ductile layer
CN101578711A (zh) * 2006-11-09 2009-11-11 跃进封装公司 Led反射性封装体
US20080150064A1 (en) * 2006-12-12 2008-06-26 Zimmerman Michael A Plastic electronic component package
US7608482B1 (en) * 2006-12-21 2009-10-27 National Semiconductor Corporation Integrated circuit package with molded insulation
US7874846B2 (en) * 2007-06-22 2011-01-25 Seagate Technology Llc Hermetically sealed liquid crystal polymer interconnect
US7715211B2 (en) * 2007-07-17 2010-05-11 Tellabs Operations, Inc. Configurable printed circuit board
US8014167B2 (en) * 2007-09-07 2011-09-06 Seagate Technology Llc Liquid crystal material sealed housing
US20090309199A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Keith Richard Barkley Chip package for semiconductor devices
KR100951888B1 (ko) * 2008-06-18 2010-04-12 주식회사 다윈전자 반도체 패키지 구조체
US20100012354A1 (en) * 2008-07-14 2010-01-21 Logan Brook Hedin Thermally conductive polymer based printed circuit board
US20100092790A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-15 Gm Global Technology Operations, Inc. Molded or extruded combinations of light metal alloys and high-temperature polymers
US8288845B2 (en) * 2008-11-14 2012-10-16 Triquint Semiconductor, Inc. Package including proximately-positioned lead frame
US8124447B2 (en) * 2009-04-10 2012-02-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Manufacturing method of advanced quad flat non-leaded package
US8110445B2 (en) * 2009-05-06 2012-02-07 Infineon Technologies Ag High power ceramic on copper package
CN102482428B (zh) * 2009-08-20 2014-12-31 Iqlp有限责任公司 超高温塑料封装以及制造方法
TWI468446B (zh) * 2009-08-21 2015-01-11 Iqlp Llc 超高溫塑膠封裝及製造方法
US8853843B2 (en) 2009-10-14 2014-10-07 Stmicroelectronics, Inc. Modular low stress package technology
US8597984B2 (en) 2009-10-14 2013-12-03 Stmicroelectronics, Inc. Modular low stress package technology
US8639373B2 (en) * 2009-10-14 2014-01-28 Stmicroelectronics, Inc. Modular low stress package technology
US8314487B2 (en) * 2009-12-18 2012-11-20 Infineon Technologies Ag Flange for semiconductor die
US9728868B1 (en) * 2010-05-05 2017-08-08 Cree Fayetteville, Inc. Apparatus having self healing liquid phase power connects and method thereof
CN102271459B (zh) 2010-06-03 2014-09-24 矢崎总业株式会社 布线基板及其制造方法
WO2011155317A1 (ja) * 2010-06-09 2011-12-15 シャープ株式会社 電子機器の放熱構造
JP5679561B2 (ja) * 2011-02-23 2015-03-04 矢崎総業株式会社 樹脂成形品
DE102011004694A1 (de) * 2011-02-24 2012-08-30 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung, insbesondere ein Getriebesteuergerät, mit mindestens einem Deckel zur Kapselung eines Schaltungsträgers
CN102756456B (zh) * 2011-04-27 2015-04-22 无锡华润安盛科技有限公司 用于预塑封引线框的模具以及封装结构
CA2837730C (en) * 2011-06-27 2019-05-07 Eaton Corporation Grounded circuit breaker panel electrical module and method for grounding same
US8916421B2 (en) * 2011-08-31 2014-12-23 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device packaging having pre-encapsulation through via formation using lead frames with attached signal conduits
US9142502B2 (en) 2011-08-31 2015-09-22 Zhiwei Gong Semiconductor device packaging having pre-encapsulation through via formation using drop-in signal conduits
BR112014007550A2 (pt) 2011-09-30 2017-04-11 Saint Gobain Performance Plastics Corp artigo de fluorpolímero processado por fusão e método para processar fluorpolímeros por fusão
US8597983B2 (en) 2011-11-18 2013-12-03 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device packaging having substrate with pre-encapsulation through via formation
US8698291B2 (en) 2011-12-15 2014-04-15 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged leadless semiconductor device
US8824151B2 (en) * 2012-02-13 2014-09-02 Ford Global Technologies, Llc Mounting system for an electronic control module housing in a vehicle
JP5636096B2 (ja) * 2012-03-27 2014-12-03 積水化学工業株式会社 樹脂複合材料
US8906747B2 (en) 2012-05-23 2014-12-09 Freescale Semiconductor, Inc. Cavity-type semiconductor package and method of packaging same
US8803302B2 (en) 2012-05-31 2014-08-12 Freescale Semiconductor, Inc. System, method and apparatus for leadless surface mounted semiconductor package
DE102012022960B4 (de) * 2012-11-23 2021-12-30 Schott Ag Gehäusebauteil, insbesondere für ein Elektronikgehäuse, und Verfahren zur Herstellung eines Gehäusebauteils
EP2854161B1 (en) * 2013-09-26 2019-12-04 Ampleon Netherlands B.V. Semiconductor device leadframe
CN104797075B (zh) * 2014-01-17 2019-02-26 中兴通讯股份有限公司 拱形pcb及其设计方法
JP6305778B2 (ja) * 2014-01-30 2018-04-04 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法
EP3118895B1 (en) * 2014-03-13 2020-04-01 Kyocera Corporation Package for housing an electronic component and electronic device including the package
JP6375584B2 (ja) * 2014-03-31 2018-08-22 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 電子部品搭載用パッケージ
EP3146560A4 (en) * 2014-05-23 2018-04-18 Materion Corporation Air cavity package
CN103978348A (zh) * 2014-05-28 2014-08-13 福清泳贸塑胶有限公司 一种电脑显示器背板左侧基板的加工方法及其结构
CN105990271B (zh) * 2015-02-26 2020-06-05 恩智浦美国有限公司 具有非水平管芯垫及相应引线框的ic封装
JP6397127B2 (ja) * 2015-05-20 2018-09-26 京セラ株式会社 半導体素子パッケージ、半導体装置および実装構造体
CN106486426A (zh) * 2015-08-26 2017-03-08 比亚迪股份有限公司 用于焊接芯片的金属-陶瓷板和在其上焊接芯片的方法
JP6617490B2 (ja) * 2015-09-15 2019-12-11 富士電機株式会社 半導体装置
CN108431682A (zh) * 2015-11-24 2018-08-21 Iqlp有限责任公司 用于高温半导体工艺的液晶聚合物制品
DE102016107958A1 (de) * 2016-04-28 2017-11-02 Herrmann Ultraschalltechnik Gmbh & Co. Kg Stanz-Siegeleinheit und Ultraschallbearbeitungsvorrichtung mit einer solchen
WO2017201260A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Materion Corporation Copper flanged air cavity packages for high frequency devices
KR101663558B1 (ko) 2016-05-23 2016-10-07 제엠제코(주) 패키지 파괴 방지 구조를 갖는 반도체 칩 패키지
JP6612723B2 (ja) * 2016-12-07 2019-11-27 株式会社東芝 基板装置
US10199303B1 (en) * 2017-08-07 2019-02-05 Nxp Usa, Inc. Molded air cavity packages and methods for the production thereof
WO2019034988A1 (en) * 2017-08-15 2019-02-21 Rjr Technologies, Inc. AIR CAVITY HOUSING WITH ENHANCED THERMAL CONDUCTIVITY
US10985092B2 (en) * 2017-09-05 2021-04-20 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device
US10629518B2 (en) 2018-08-29 2020-04-21 Nxp Usa, Inc. Internally-shielded microelectronic packages and methods for the fabrication thereof
US10899474B1 (en) * 2018-09-04 2021-01-26 Dynamic Autonomous Vehicle Technology LLC Portable fleet management system for autonomous aerial vehicles
EP3850657A4 (en) * 2018-09-11 2022-06-15 RJR Technologies, Inc. AIR CAVITY PACKING WITH IMPROVED CONNECTION BETWEEN COMPONENTS
US10674647B1 (en) * 2018-12-10 2020-06-02 Microsoft Technology Licensing, Llc Device structural assemblies
NL2022759B1 (en) * 2019-03-18 2020-09-25 Ampleon Netherlands Bv Electronic package, electronic device, and lead frame
JP7127217B2 (ja) * 2019-06-25 2022-08-29 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 パッケージ、および、パワー半導体モジュールの製造方法
CN111961913B (zh) * 2020-08-28 2022-01-07 河北临泰电子科技有限公司 一种键合引线及其加工工艺
US11574859B2 (en) * 2020-09-28 2023-02-07 Wolfspeed, Inc. Power module having an elevated power plane with an integrated signal board and process of implementing the same
DE102021107318A1 (de) 2021-03-24 2022-09-29 Nidec Motors & Actuators (Germany) Gmbh Motoranordnung mit Nut-Zungen-Deckel-Dichtung
DE102021107317A1 (de) 2021-03-24 2022-09-29 Nidec Motors & Actuators (Germany) Gmbh Motoranordnung mit abgedichtetem Gehäusedeckel
DE102021107319A1 (de) 2021-03-24 2022-09-29 Nidec Motors & Actuators (Germany) Gmbh Abdichtung von elektrischen Durchführungen einer Motoranordnung
JP2023544669A (ja) * 2021-08-30 2023-10-25 アブソリックス インコーポレイテッド パッケージング基板、半導体パッケージ、パッケージング基板の製造方法、及び半導体パッケージの製造方法
CN115547939B (zh) * 2022-12-02 2023-03-17 合肥圣达电子科技实业有限公司 一种小体积大电流功率型陶瓷一体化外壳及制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5700724A (en) * 1994-08-02 1997-12-23 Philips Electronic North America Corporation Hermetically sealed package for a high power hybrid circuit
US5731542A (en) * 1996-05-23 1998-03-24 Motorola, Inc. Apparatus and method for mounting an electronic component to a substrate and method for spray-cooling an electronic component mounted to a substrate
US5792984A (en) * 1996-07-01 1998-08-11 Cts Corporation Molded aluminum nitride packages
US6204448B1 (en) * 1998-12-04 2001-03-20 Kyocera America, Inc. High frequency microwave packaging having a dielectric gap
CN1309815A (zh) * 1998-05-28 2001-08-22 艾利森公司 将集成电路封装固定到热沉上的导热安装布局
US20020005574A1 (en) * 1998-10-08 2002-01-17 Ping Zhou Methods and apparatus for hermetically sealing electronic packages
US6489677B2 (en) * 2000-05-11 2002-12-03 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optical semiconductor device package and optical semiconductor module having the same

Family Cites Families (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3698074A (en) * 1970-06-29 1972-10-17 Motorola Inc Contact bonding and packaging of integrated circuits
US4305897A (en) * 1978-12-28 1981-12-15 Hitachi Chemical Company, Ltd. Packaging process for semiconductors
JPS5826381B2 (ja) 1979-04-28 1983-06-02 信越ポリマ−株式会社 電磁気シ−ルドガスケットおよびその製造方法
US4291815B1 (en) * 1980-02-19 1998-09-29 Semiconductor Packaging Materi Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip
US4343376A (en) * 1980-03-18 1982-08-10 Pioneer Electronic Corporation Vibratory elements for audio equipment
JPS5910244A (ja) * 1982-07-09 1984-01-19 Hitachi Ltd 樹脂封止半導体装置
US4736236A (en) * 1984-03-08 1988-04-05 Olin Corporation Tape bonding material and structure for electronic circuit fabrication
US4607276A (en) * 1984-03-08 1986-08-19 Olin Corporation Tape packages
JPS6132452A (ja) * 1984-07-25 1986-02-15 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ムとそれを用いた電子装置
US4862246A (en) * 1984-09-26 1989-08-29 Hitachi, Ltd. Semiconductor device lead frame with etched through holes
US4791472A (en) * 1985-09-23 1988-12-13 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device using the same
US4767049A (en) * 1986-05-19 1988-08-30 Olin Corporation Special surfaces for wire bonding
US4814943A (en) * 1986-06-04 1989-03-21 Oki Electric Industry Co., Ltd. Printed circuit devices using thermoplastic resin cover plate
US4942452A (en) * 1987-02-25 1990-07-17 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device
US4820568A (en) * 1987-08-03 1989-04-11 Allied-Signal Inc. Composite and article using short length fibers
US4888449A (en) * 1988-01-04 1989-12-19 Olin Corporation Semiconductor package
US4880591A (en) * 1988-04-05 1989-11-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing speaker vibration member
US5151149A (en) * 1988-07-28 1992-09-29 The Entwistle Corporation Apparatus for bonding or melt fusing plastic and plastic matrix composite materials
MY104152A (en) * 1988-08-12 1994-02-28 Mitsui Chemicals Inc Processes for producing semiconductor devices.
US4916523A (en) * 1988-09-19 1990-04-10 Advanced Micro Devices, Inc. Electrical connections via unidirectional conductive elastomer for pin carrier outside lead bond
US4888499A (en) * 1988-10-19 1989-12-19 Ncr Corporation Three input exclusive OR-NOR gate circuit
US5001299A (en) * 1989-04-17 1991-03-19 Explosive Fabricators, Inc. Explosively formed electronic packages
DE4021871C2 (de) * 1990-07-09 1994-07-28 Lsi Logic Products Gmbh Hochintegriertes elektronisches Bauteil
CA2047486C (en) * 1990-07-21 2002-03-05 Shigeru Katayama Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5238638A (en) * 1990-08-16 1993-08-24 The University Of Akron Process for preparing a self-reinforced thermoplastic composite laminate
JP2971637B2 (ja) * 1991-06-17 1999-11-08 富士通株式会社 半導体装置
US5213748A (en) * 1991-06-27 1993-05-25 At&T Bell Laboratories Method of molding a thermoplastic ring onto a leadframe
DE69233801D1 (de) * 1991-07-24 2011-02-17 Denki Kagaku Kogyo Kk Verfahren zur Herstellung eines Schaltungssubstrates mit einem montierten Halbleiterelement
US5343073A (en) * 1992-01-17 1994-08-30 Olin Corporation Lead frames having a chromium and zinc alloy coating
EP0598914B1 (en) * 1992-06-05 2000-10-11 Mitsui Chemicals, Inc. Three-dimensional printed circuit board, electronic circuit package using this board, and method for manufacturing this board
TW332348B (en) * 1992-06-23 1998-05-21 Sony Co Ltd Manufacturing method for solid state motion picture device provides a highly accurate and low cost solid state motion picture device by use of empty package made of resin.
KR0128251Y1 (ko) * 1992-08-21 1998-10-15 문정환 리드 노출형 반도체 조립장치
US5389739A (en) * 1992-12-15 1995-02-14 Hewlett-Packard Company Electronic device packaging assembly
US5436793A (en) * 1993-03-31 1995-07-25 Ncr Corporation Apparatus for containing and cooling an integrated circuit device having a thermally insulative positioning member
JPH0714962A (ja) * 1993-04-28 1995-01-17 Mitsubishi Shindoh Co Ltd リードフレーム材およびリードフレーム
TW270213B (zh) * 1993-12-08 1996-02-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JP2936987B2 (ja) * 1993-12-28 1999-08-23 株式会社日立製作所 半導体装置とその製造方法並びに半導体素子搭載用金属支持板及び放熱板
US5830940A (en) * 1993-12-28 1998-11-03 Toray Industries, Inc. Shaped article of liquid crystalline polymer
US5461774A (en) * 1994-03-25 1995-10-31 Motorola, Inc. Apparatus and method of elastically bowing a base plate
JPH0878605A (ja) * 1994-09-01 1996-03-22 Hitachi Ltd リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置
US6320257B1 (en) * 1994-09-27 2001-11-20 Foster-Miller, Inc. Chip packaging technique
US5808354A (en) * 1994-11-21 1998-09-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Lead frame for a semiconductor device comprising inner leads having a locking means for preventing the movement of molding compound against the inner lead surface
US5586214A (en) * 1994-12-29 1996-12-17 Energy Convertors, Inc. Immersion heating element with electric resistance heating material and polymeric layer disposed thereon
US5708295A (en) * 1995-04-28 1998-01-13 Matsushita Electronics Corporation Lead frame and method of manufacturing the same, and resin sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH0922969A (ja) * 1995-05-02 1997-01-21 Nippon Petrochem Co Ltd 電子部品封止材
US5691689A (en) * 1995-08-11 1997-11-25 Eaton Corporation Electrical circuit protection devices comprising PTC conductive liquid crystal polymer compositions
JP3435925B2 (ja) * 1995-08-25 2003-08-11 ソニー株式会社 半導体装置
US5749746A (en) * 1995-09-26 1998-05-12 Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. Cable connector structure
JPH09107059A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
FR2741191B1 (fr) * 1995-11-14 1998-01-09 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication d'un micromodule, notamment pour cartes a puces
JP2842355B2 (ja) * 1996-02-01 1999-01-06 日本電気株式会社 パッケージ
DE19618631A1 (de) * 1996-05-09 1997-11-13 Teves Gmbh Alfred Vorrichtung zur Messung von Dreh- oder Winkelbewegungen und ein Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung
US5886397A (en) * 1996-09-05 1999-03-23 International Rectifier Corporation Crushable bead on lead finger side surface to improve moldability
US5736432A (en) * 1996-09-20 1998-04-07 National Semiconductor Corporation Lead frame with lead finger locking feature and method for making same
JP2933036B2 (ja) * 1996-11-29 1999-08-09 日本電気株式会社 中空パッケージ
JP3036450B2 (ja) 1997-01-13 2000-04-24 東レ株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物
FR2764115B1 (fr) * 1997-06-02 2001-06-08 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif semiconducteur et procede de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif
US6078125A (en) * 1997-07-22 2000-06-20 Branson Ultrasonics Corp. Ultrasonic apparatus
US5980656A (en) * 1997-07-22 1999-11-09 Olin Corporation Copper alloy with magnesium addition
EP0895287A3 (en) * 1997-07-31 2006-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and lead frame for the same
JP4058172B2 (ja) * 1997-12-02 2008-03-05 株式会社住友金属エレクトロデバイス 光半導体素子収納用パッケージ
US6211463B1 (en) * 1998-01-26 2001-04-03 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Electronic circuit package with diamond film heat conductor
JP3285815B2 (ja) * 1998-03-12 2002-05-27 松下電器産業株式会社 リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2000007797A (ja) 1998-06-23 2000-01-11 Tsutsunaka Plast Ind Co Ltd 軟質ポリ塩化ビニル系防水シート
US6143981A (en) * 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6239480B1 (en) * 1998-07-06 2001-05-29 Clear Logic, Inc. Modified lead frame for improved parallelism of a die to package
JP3051376B2 (ja) * 1998-08-24 2000-06-12 松下電子工業株式会社 リードフレーム及びその製造方法並びにリードフレームを用いた半導体装置
US6281568B1 (en) * 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad
JP2000164788A (ja) * 1998-11-20 2000-06-16 Anam Semiconductor Inc 半導体パッケ―ジ用リ―ドフレ―ムとこれを用いた半導体パッケ―ジ及びその製造方法
US6379795B1 (en) * 1999-01-19 2002-04-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Injection moldable conductive aromatic thermoplastic liquid crystalline polymeric compositions
US6214152B1 (en) 1999-03-22 2001-04-10 Rjr Polymers, Inc. Lead frame moisture barrier for molded plastic electronic packages
US6462413B1 (en) 1999-07-22 2002-10-08 Polese Company, Inc. LDMOS transistor heatsink package assembly and manufacturing method
US7394661B2 (en) * 2004-06-30 2008-07-01 Super Talent Electronics, Inc. System and method for providing a flash memory assembly
KR100403142B1 (ko) * 1999-10-15 2003-10-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
DE29921937U1 (de) * 1999-12-15 2000-03-09 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungshalbleitermodul
US7173336B2 (en) * 2000-01-31 2007-02-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP2001237349A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Matsushita Electric Works Ltd 半導体素子収納用パッケージ
JP3429246B2 (ja) * 2000-03-21 2003-07-22 株式会社三井ハイテック リードフレームパターン及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US7042068B2 (en) * 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US6424031B1 (en) * 2000-05-08 2002-07-23 Amkor Technology, Inc. Stackable package with heat sink
US6353257B1 (en) * 2000-05-19 2002-03-05 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package configuration based on lead frame having recessed and shouldered portions for flash prevention
US6483178B1 (en) * 2000-07-14 2002-11-19 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor device package structure
TW521555B (en) * 2000-08-25 2003-02-21 Hitachi Aic Inc Electronic device sealing electronic element therein and manufacturing method thereof, and printed wiring board suitable for such electronic device
JP3533159B2 (ja) * 2000-08-31 2004-05-31 Ｎｅｃ化合物デバイス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3602453B2 (ja) * 2000-08-31 2004-12-15 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2002076170A (ja) * 2000-09-01 2002-03-15 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法
JP3418373B2 (ja) * 2000-10-24 2003-06-23 エヌ・アール・エス・テクノロジー株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
US6661083B2 (en) * 2001-02-27 2003-12-09 Chippac, Inc Plastic semiconductor package
US6663946B2 (en) * 2001-02-28 2003-12-16 Kyocera Corporation Multi-layer wiring substrate
JP3436253B2 (ja) * 2001-03-01 2003-08-11 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3436254B2 (ja) * 2001-03-01 2003-08-11 松下電器産業株式会社 リードフレームおよびその製造方法
KR100369393B1 (ko) * 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
JP2002314030A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US7034382B2 (en) * 2001-04-16 2006-04-25 M/A-Com, Inc. Leadframe-based chip scale package
US20020180018A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Shermer Charles A. Leadframe locking structures and method therefor
FR2825515B1 (fr) * 2001-05-31 2003-12-12 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur a grille evidee et grille evidee
DE60202468T2 (de) * 2001-06-28 2006-02-16 Microchips, Inc., Bedford Verfahren zum hermetischen versiegeln von mikrochip-reservoir-vorrichtungen
US6511866B1 (en) 2001-07-12 2003-01-28 Rjr Polymers, Inc. Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices
US6657298B1 (en) * 2001-07-18 2003-12-02 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit chip package having an internal lead
ITMI20011965A1 (it) * 2001-09-21 2003-03-21 St Microelectronics Srl Conduttori di un contenitore del tipo no-lead di un dispositivo semiconduttore
US20030178718A1 (en) * 2001-11-05 2003-09-25 Ehly Jonathan P. Hermetically enhanced plastic package for microelectronics and manufacturing process
US6630726B1 (en) * 2001-11-07 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Power semiconductor package with strap
DE10158770B4 (de) * 2001-11-29 2006-08-03 Infineon Technologies Ag Leiterrahmen und Bauelement mit einem Leiterrahmen
JP2003204027A (ja) * 2002-01-09 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US6955941B2 (en) * 2002-03-07 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for packaging semiconductor devices
JP2004059702A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Matsushita Electric Works Ltd 高周波用熱可塑性樹脂組成物及び成形品
US6794738B2 (en) * 2002-09-23 2004-09-21 Texas Instruments Incorporated Leadframe-to-plastic lock for IC package
JP3896324B2 (ja) * 2002-11-28 2007-03-22 ジャパンゴアテックス株式会社 液晶ポリマーブレンドフィルム
JP2004179584A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Toyo Jushi Kk トランジスタパッケージ及びその製造方法
US7091602B2 (en) * 2002-12-13 2006-08-15 Freescale Semiconductor, Inc. Miniature moldlocks for heatsink or flag for an overmolded plastic package
US20040124505A1 (en) * 2002-12-27 2004-07-01 Mahle Richard L. Semiconductor device package with leadframe-to-plastic lock
SG157957A1 (en) * 2003-01-29 2010-01-29 Interplex Qlp Inc Package for integrated circuit die

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5700724A (en) * 1994-08-02 1997-12-23 Philips Electronic North America Corporation Hermetically sealed package for a high power hybrid circuit
US5731542A (en) * 1996-05-23 1998-03-24 Motorola, Inc. Apparatus and method for mounting an electronic component to a substrate and method for spray-cooling an electronic component mounted to a substrate
US5792984A (en) * 1996-07-01 1998-08-11 Cts Corporation Molded aluminum nitride packages
CN1309815A (zh) * 1998-05-28 2001-08-22 艾利森公司 将集成电路封装固定到热沉上的导热安装布局
US20020005574A1 (en) * 1998-10-08 2002-01-17 Ping Zhou Methods and apparatus for hermetically sealing electronic packages
US6204448B1 (en) * 1998-12-04 2001-03-20 Kyocera America, Inc. High frequency microwave packaging having a dielectric gap
US6489677B2 (en) * 2000-05-11 2002-12-03 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optical semiconductor device package and optical semiconductor module having the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104517926A (zh) * 2013-09-26 2015-04-15 恩智浦有限公司 半导体器件引线框架
CN104517926B (zh) * 2013-09-26 2018-05-22 安普林荷兰有限公司 制造半导体器件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010226135A (ja) 2010-10-07
KR101025079B1 (ko) 2011-03-25
WO2004068558A3 (en) 2006-04-20
CN1842911A (zh) 2006-10-04
CN101434737A (zh) 2009-05-20
US20050012186A1 (en) 2005-01-20
CN101434737B (zh) 2011-12-21
WO2004068558A2 (en) 2004-08-12
CN101436572A (zh) 2009-05-20
US7053299B2 (en) 2006-05-30
JP5554634B2 (ja) 2014-07-23
US20050016750A1 (en) 2005-01-27
JP2006522466A (ja) 2006-09-28
SG160192A1 (en) 2010-04-29
US20050012118A1 (en) 2005-01-20
EP1627419A2 (en) 2006-02-22
EP1627419A4 (en) 2011-02-23
WO2004068558B1 (en) 2006-06-01
CA2514515A1 (en) 2004-08-12
JP5554635B2 (ja) 2014-07-23
SG157957A1 (en) 2010-01-29
US20050012080A1 (en) 2005-01-20
US6867367B2 (en) 2005-03-15
KR20050108346A (ko) 2005-11-16
CA2514515C (en) 2010-08-03
US7736573B2 (en) 2010-06-15
CN101436572B (zh) 2012-07-04
US20040184239A1 (en) 2004-09-23
CN101447439A (zh) 2009-06-03
US8728606B2 (en) 2014-05-20
SG158738A1 (en) 2010-02-26
US20100203283A1 (en) 2010-08-12
JP2010239144A (ja) 2010-10-21
JP4780718B2 (ja) 2011-09-28
SG157956A1 (en) 2010-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100461382C (zh) 用于集成电路管芯的封装
KR100806479B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN101375382B (zh) 半导体器件封装及其制造方法
CN101253627B (zh) 电路装置及其制造方法
JPS62198139A (ja) 電力用半導体モジユ−ル及びこのモジユ−ルの製造方法
US5780933A (en) Substrate for semiconductor device and semiconductor device using the same
JP2005191071A (ja) 半導体装置
CN105144373A (zh) 半导体装置
JP2003170465A (ja) 半導体パッケージの製造方法およびそのための封止金型
US20060108672A1 (en) Die bonded device and method for transistor packages
JP5613100B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6022763A (en) Substrate for semiconductor device, semiconductor device using the same, and method for manufacture thereof
JP2008218472A (ja) 半導体装置
JP2001250880A (ja) 金属ベース回路基板と電子モジュールの製造方法
JPH10116937A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: YIDELE ENGINEERED PRODUCTS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: YUEJIN ENCAPSULATION CO.,LTD.

Effective date: 20100122

Owner name: YIDELE QLP CO.,LTD.

Free format text: FORMER OWNER: YIDELE ENGINEERED PRODUCTS CO., LTD.

Effective date: 20100122

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20100122

Address after: American New York

Patentee after: Interplex QLP, Inc.

Address before: Rhode Island USA

Patentee before: Lok Lok engineering products Co.

Effective date of registration: 20100122

Address after: Rhode Island USA

Patentee after: Lok Lok engineering products Co.

Address before: Massachusetts USA

Patentee before: IQLP, LLC

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: IQLP LLC

Free format text: FORMER OWNER: INTERPLEX QLP INC.

Effective date: 20140818

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140818

Address after: Massachusetts USA

Patentee after: IQLP LLC

Address before: American New York

Patentee before: Interplex QLP, Inc.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090211

CX01 Expiry of patent term