CN100463106C - 半导体设备及其清洁单元 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体设备及其清洁单元，特别涉及一种半导体设备，用以处理一晶圆，包括一平台、一流体供应单元以及一清洁单元。平台支撑该晶圆。流体供应单元提供一第一流体，其中，该流体供应单元可以于一第一位置以及一第二位置之间移动。清洁单元提供一清洁气体。其中，当该流体供应单元位于该第一位置时，该流体供应单元朝该晶圆提供该第一流体，当该流体供应单元位于该第二位置时，该清洁单元朝该流体供应单元的表面吹送该清洁气体，以清洁该流体供应单元的表面。本发明所述的半导体设备及其清洁单元，周期性的从该流体供应单元的表面移除污染物，借此，可避免晶圆遭受污染，提高产品的良率。
Description
技术领域
本发明是有关于一种清洁单元，特别是有关于一种用于清洁半导体设备的流体供应单元的清洁单元。
背景技术
图1a是显示已知的半导体设备1，包括一旋转盘13、一管路17以及一喷嘴16。该喷嘴16连接该管路17。一晶圆W置于该旋转盘13之上，且该喷嘴16以及该管路17对该晶圆W提供一化学流体。参照图1b，当该化学流体18施加于该晶圆W之上时，该旋转盘13旋转该晶圆W，该晶圆W表面的化学流体18受到离心力而飞溅。飞溅的化学流体18附着于该管路17的表面。参照图1c，随着该化学流体18在该管路17的表面累积，该化学流体(污染物)18会滴在晶圆W之上。且由于累积于管路17表面的化学流体18一般会老化变质或是含有微粒，因此当该化学流体18从管路17的表面滴在晶圆W之上时，会污染该晶圆W。
发明内容
本发明即为了欲解决已知技术的问题而提供的一种半导体设备，用以处理一晶圆，包括一平台、一流体供应单元以及一清洁单元。平台支撑该晶圆。流体供应单元提供一第一流体，其中，该流体供应单元可以于一第一位置以及一第二位置之间移动。清洁单元提供一清洁气体。其中，当该流体供应单元位于该第一位置时，该流体供应单元朝该晶圆提供该第一流体，当该流体供应单元位于该第二位置时，该清洁单元朝该流体供应单元的表面吹送该清洁气体，以清洁该流体供应单元的表面。
本发明所述的半导体设备，其中，该清洁单元包括一腔体，一进气口以及一排气口，该进气口以及该排气口均设于该腔体之中，当该流体供应单元位于该第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中，该清洁气体从该进气口朝该流体供应单元的表面吹送，以清洁该流体供应单元表面，该清洁气体并从该排气口离开该腔体。
本发明所述的半导体设备，其中，该清洁单元更包括一负压管路，连接该排气口。
本发明所述的半导体设备，其中，该腔体包括一入口，该流体供应单元通过该入口而于该第一位置以及该第二位置之间移动。
本发明所述的半导体设备，其中，该排气口设于该腔体的上部。
本发明所述的半导体设备，其中，该清洁单元更包括一排液口以及一排液管，该排液口设于该腔体之中，该排液管连通该排液口。
本发明所述的半导体设备，其中，该排液口设于该腔体的底部。
本发明所述的半导体设备，其中，该排液口为长条形。
本发明所述的半导体设备，其中，该腔体包括一防静电材料。
本发明所述的半导体设备，其中，该清洁单元包括一腔体，多个进气口以及一排气口，所述进气口以及该排气口均设于该腔体之中，当该流体供应单元位于该第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中，该清洁气体从所述进气口朝该流体供应单元的表面吹送，以移除该流体供应单元表面的污染物，该清洁气体并从该排气口离开该腔体。
本发明所述的半导体设备，其中，所述进气口是以矩阵的形式排列于该腔体的底部。
本发明所述的半导体设备，其中，该半导体设备清洁该晶圆。
本发明所述的半导体设备，其中，该半导体设备在该晶圆上涂布一光致抗蚀剂层。
本发明另提供一种清洁单元，用以清洁一半导体设备的一流体供应单元，该清洁单元包括：一腔体；至少一进气口，设于该腔体之中；以及一排气口，设于该腔体之中，其中，当该流体供应单元位于一第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中，一清洁气体从该进气口朝该流体供应单元的表面吹送，以移除该流体供应单元表面的污染物，该清洁气体并从该排气口排出该腔体。
本发明所述的清洁单元，其中，该清洁单元更包括一排液口以及一排液管，该排液口设于该腔体之中，该排液管连通该排液口，该腔体中的污染物是经过该排液口以及该排液管排出于腔体。
本发明周期性的从该流体供应单元的表面移除污染物，借此，可避免晶圆遭受污染，提高产品的良率。
附图说明
图1a是显示已知的半导体设备；
图1b是显示污染物累积于已知半导体设备的表面的情形；
图1c是显示污染物污染晶圆的情形；
图2a是显示本发明的第一实施例，其中一第一管路、一第二管路以及一第三管路位于一第一位置；
图2b是显示本发明的第一实施例，其中第一管路、第二管路以及第三管路位于一第二位置；
图2c是显示一清洁单元清洁该第一管路、第二管路以及第三管路；
图3是显示本发明的第二实施例；
图4是显示本发明的第三实施例；
图5是显示本发明的第四实施例；
图6a是显示本发明的第五实施例，其中一第四管路位于一第一位置；
图6b是显示本发明的第五实施例，其中该第四管路位于一第二位置。
具体实施方式
图2a是显示本发明第一实施例的半导体设备100，其包括一平台102、一流体供应单元110以及一清洁单元120。一晶圆101由该平台102支撑以及旋转。该流体供应单元110包括一第一管路111、一第二管路112、一第三管路113以及一枢转元件114。该第一管路111、该第二管路112以及该第三管路113连接于该枢转元件114。该清洁单元120包括一腔体121、一进气口122、一排气口123以及一排液口125。该排气口123连接于一负压管路124，该排液口125连接一排液管126。该腔体包括一入口127。
当该第一管路111、该第二管路112以及该第三管路113位于一第一方位A1时，该第一管路111朝该晶圆101提供干燥氮气1111，该第二管路112朝该晶圆101提供去离子水1121，该第三管路113朝该晶圆101提供蚀刻剂1131，借以处理该晶圆101。
在该第一实施例中，该半导体设备100湿蚀刻该晶圆，借以在干蚀刻制程之后，移除该晶圆表面的聚合物。
如图2b所显示的，在处理完该晶圆之后，该第一管路111、该第二管路112以及该第三管路113移动(或旋转)通过入口127到达一第二位置A2，该第二位置A2位于该腔体121之中，此时，该第一管路111、该第二管路112以及该第三管路113的表面附着有污染物103。
参照图2c，该进气口122朝该第一管路111、该第二管路112以及该第三管路113吹送干燥空气以移除污染物103。接着，腔体121中的空气经过该排气口123以及该负压管路124而排出。该污染物103从该第一管路111、该第二管路112以及该第三管路113被移至该腔体121的底部，并经过该排液口125被排出于该腔体121之外。
该清洁单元120是由防静电材料所构成。
本发明周期性的从该流体供应单元的表面移除污染物，借此，可避免晶圆遭受污染，提高产品的良率。
图3是显示本发明第二实施例的半导体设备100’，其包括一平台102、一流体供应单元110以及一清洁单元120。晶圆由该平台102支撑以及旋转。该流体供应单元110包括一第一管路111、一第二管路112、一第三管路113以及一枢转元件114。该第一管路111、该第二管路112以及该第三管路113连接于该枢转元件114。该清洁单元120包括一腔体121、多个进气口122’、一排气口123以及一排液口125。该排气口123连接于一负压管路124，该排液口125连接一排液管126。该腔体包括一入口127。
在本发明的第二实施例中，所述进气口122’是以矩阵排列的方式设于该腔体121的底部，以提供一均匀的流场。
图4是显示本发明第三实施例的半导体设备100”，其包括一平台102、一流体供应单元110以及一清洁单元120。晶圆由该平台102支撑以及旋转。该流体供应单元110包括一第一管路111、一第二管路112、一第三管路113以及一枢转元件114。该第一管路111、该第二管路112以及该第三管路113连接于该枢转元件114。该清洁单元120包括一腔体121、多个进气口122’、一排气口123以及一排液口125’。该排气口123连接于一负压管路124，该排液口125’连接一排液管126。该腔体包括一入口127。在该第三实施例中，该排液口125’呈长条形以收集并排出该污染物。
图5是显示本发明第四实施例的半导体设备100”’，其包括一平台102、一流体供应单元110以及一清洁单元120。晶圆由该平台102支撑以及旋转。该流体供应单元110包括一第一管路111、一第二管路112、一第三管路113以及一枢转元件114。该第一管路111、该第二管路112以及该第三管路113连接于该枢转元件114。该清洁单元120包括一腔体121、多个进气口122’、一排气口123’以及一排液口125’。该排气口123’连接于一负压管路124，该排液口125’连接一排液管126。该腔体包括一入口127。
在该第四实施例中，该排气口123’位于该腔体121的顶部以提供一均匀的流场。
图6a是显示本发明第五实施例的半导体设备200，其包括一平台102、一流体供应单元210以及一清洁单元120。一晶圆101由该平台102支撑以及旋转。该流体供应单元210包括一第四管路211以及一枢转元件214。该第四管路211连接于该枢转元件214。该清洁单元120包括一腔体121、一进气口122、一排气口123以及一排液口125。该排气口123连接于一负压管路124，该排液口125连接一排液管126。该腔体包括一入口127。
当该第四管路211位于一第一位置A1时，该第四管路211朝该晶圆101提供光致抗蚀剂2111，以在该晶圆101上涂布一光致抗蚀剂层。
在该第五实施例中，该半导体设备200在该晶圆上涂布一光致抗蚀剂层。
参照图6b，当该第四管路211位于腔体121中的一第二位置A2时，该进气口122朝该第四管路211吹送一干燥空气，以从该第四管路211的表面移除污染物103。该腔体121中的空气接着从该排气口123以及该负压管路124排出。该污染物103被移至该腔体121的底部，并经过该排液口125而排出。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
附图中符号的简单说明如下：
1：半导体设备
13：旋转盘
16：喷嘴
17：管路
18：化学流体
100、100’、100”、100”’、200：半导体设备
101：晶圆
102：平台
103：污染物
110：流体供应单元
111：第一管路
1111：氮气
112：第二管路
1121：去离子水
113：第三管路
1131：蚀刻剂
114：枢转元件
120：清洁单元
121：腔体
122、122’：进气口
123、123’：排气口
124：负压管路
125、125’：排液口
126：排液管
127：入口
210：流体供应单元
211：第四管路
214：枢转元件
Claims (15)
1.一种半导体设备，其特征在于，用以处理一晶圆，该半导体设备包括：
一平台，支撑该晶圆；
一流体供应单元，提供一第一流体，其中，该流体供应单元可以于一第一位置以及一第二位置之间移动；以及
一清洁单元，提供一清洁气体，
其中，当该流体供应单元位于该第一位置时，该流体供应单元朝该晶圆提供该第一流体，当该流体供应单元位于该第二位置时，该清洁单元朝该流体供应单元的表面吹送该清洁气体，以清洁该流体供应单元的表面。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，该清洁单元包括一腔体，一进气口以及一排气口，该进气口以及该排气口均设于该腔体之中，当该流体供应单元位于该第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中，该清洁气体从该进气口朝该流体供应单元的表面吹送，以清洁该流体供应单元表面，该清洁气体并从该排气口离开该腔体。
3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，该清洁单元更包括一负压管路，连接该排气口。
4.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，该腔体包括一入口，该流体供应单元通过该入口而于该第一位置以及该第二位置之间移动。
5.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，该排气口设于该腔体的上部。
6.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，该清洁单元更包括一排液口以及一排液管，该排液口设于该腔体之中，该排液管连通该排液口。
7.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，该排液口设于该腔体的底部。
8.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，该排液口为长条形。
9.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，该腔体包括一防静电材料。
10.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，该清洁单元包括一腔体，多个进气口以及一排气口，所述进气口以及该排气口均设于该腔体之中，当该流体供应单元位于该第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中，该清洁气体从所述进气口朝该流体供应单元的表面吹送，以移除该流体供应单元表面的污染物，该清洁气体并从该排气口离开该腔体。
11.根据权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，所述进气口是以矩阵的形式排列于该腔体的底部。
12.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，该半导体设备清洁该晶圆。
13.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，该半导体设备在该晶圆上涂布一光致抗蚀剂层。
14.一种清洁单元，其特征在于，用以清洁一半导体设备的一流体供应单元，该清洁单元包括：
一腔体；
至少一进气口，设于该腔体之中；以及
一排气口，设于该腔体之中，其中，当该流体供应单元位于一第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中，一清洁气体从该进气口朝该流体供应单元的表面吹送，以移除该流体供应单元表面的污染物，该清洁气体并从该排气口排出该腔体。
15.根据权利要求14所述的清洁单元，其特征在于，该清洁单元更包括一排液口以及一排液管，该排液口设于该腔体之中，该排液管连通该排液口，该腔体中的污染物是经过该排液口以及该排液管排出于腔体。
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