CN100464497C - 电子放大器电路 - Google Patents

电子放大器电路 Download PDF

Info

Publication number
CN100464497C
CN100464497C CNB038086360A CN03808636A CN100464497C CN 100464497 C CN100464497 C CN 100464497C CN B038086360 A CNB038086360 A CN B038086360A CN 03808636 A CN03808636 A CN 03808636A CN 100464497 C CN100464497 C CN 100464497C
Authority
CN
China
Prior art keywords
common
control electrode
emitter
base
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB038086360A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1647368A (zh
Inventor
H·K·J·坦多尔勒
M·H·W·范德维斯特罗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NXP BV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of CN1647368A publication Critical patent/CN1647368A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100464497C publication Critical patent/CN100464497C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085—Long tailed pairs
    • H03F3/45089—Non-folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45098—PI types
    • H03F3/45103—Non-folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45484—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45547—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit by using feedforward means
    • H03F3/45582—Measuring at the common emitter circuit of the differential amplifier
    • H03F3/45587—Controlling the active amplifying circuit of the differential amplifier

Abstract

一种包含第一和第二电流支路的放大器电路，每条支路包括一输入晶体管和一共射-共基晶体管。放大器的输入端分别与各电流支路中的输入晶体管的控制电极耦接。共射-共基晶体管的控制极相互耦接。在共射-共基晶体管的控制电极和共用电流源的节点之间提供高频耦合，其目的在于将输入晶体管的主电流通道的终端的共模电压变化基本复制到共射-共基晶体管的控制电极的电压变化上。因此，每个输入晶体管的不同终端处的电压之间的电压差的变化量被基本消除，防止寄生电流从输入晶体管的控制电极流向共射-共基晶体管的主电流通道，从而将减小共模抑制比并因此提高放大器的线性度。

Description

电子放大器电路
技术领域
本发明涉及一种电子放大器电路。
背景技术
PCT专利申请WO01/26216披露了一种差动放大器电路。这种放大器电路具有差动输入连接端和差动输出连接端。该放大器电路包括两条支路，每条支路与输入晶体管和耦接在共用电路及各个差动输出连接端之间的共射-共基晶体管的主电流通道串接。差动输入连接端耦接到两条支路中的输入晶体管的控制电极。
当用作宽频带放大器，以从包含多个相对等强度信号的频带中放大信号时(例如可以放大有线TV信号中的多个电视频道)，对这种放大器的线性度提出了较高的要求。WO01/26126描述了如何通过在高频时保证放大器具有较高的互导(transconductance)以提高线性度的方法，其是通过在较高频率下将输入晶体管和共射-共基晶体管并联的置于每条支路中的耦接来实现的，
已经发现宽频带放大器的共模抑制在确定非线性度时是一个重要的因素。这是由于晶体管产生的差动信号的偶阶互调产物是共模信号。这些偶阶互调产物包括第二阶互调产物，该互调产物可能是最强的互调产物，并且对于宽频带放大器的失真是最为相关的。通过将差动放大器的共模抑制最大化，这些偶阶互调产物对输出的影响将会最小。
发明内容
其中，本发明的一个目的是提高差动放大器的线性度。
其中，本发明的另一个目的是增大差动放大器的共模抑制。
本发明提供了一种放大器电路，包括：
输入连接端；
第一和第二电流支路，每条支路包括一输入晶体管和一共射-共基晶体管，所述输入连接端分别与各电流支路中的输入晶体管的控制电极耦接，共射-共基晶体管的控制电极相互耦接；
共用电流源电路；
输出连接端，其中每个输出连接端通过各个电流支路的共射-共基晶体管和输入晶体管的主电流通道的相继串接线路而被耦接至共用电流源电路；
共射-共基晶体管的控制电极和共用电流源的节点之间的高频耦合，被设置成将输入晶体管的主电流通道的终端的共模电压变化基本复制到共射-共基晶体管的控制电极的电压变化上；以及
与共射-共基晶体管的控制电极耦接的用于对共射-共基晶体管的控制电极进行偏压的偏压电路，该偏压电路包括一高频电流阻塞电路，用于阻止电流从高频耦合流经该偏压电路。
本发明还提供了一种用于放大宽带信号的方法，该方法包括：
将宽带信号输入第一和第二电流支路中的输入晶体管的控制电极，每条电流支路包括一个输入晶体管和一个共射-共基晶体管，所述输入连接端分别耦接于各个电流支路中的输入晶体管的控制电极，共射-共基晶体管的控制电极相互耦接；
从输出连接端输出放大信号，该输出连接端通过各个电流支路的共射-共基晶体管和输入晶体管的主电流通道的相继串接线路而被耦接至共用电流源电路；
至少在宽带信号的频带范围内，将输入晶体管的主电流通道的终端的共模电压变化基本复制到共射-共基晶体管的控制电极的电压变化上；
使用与共射-共基晶体管的控制电极耦接的偏压电路对共射-共基晶体管的控制电极进行偏压；以及
给偏压电路提供一高频电流阻塞电路，用于阻止电流从高频耦合流经该偏压电路。
根据本发明的放大器通过在支路的公共点和支路的共射-共基晶体管的控制电极之间设置高频耦合，来保证在每一个输入晶体管的主电流通道的终端和它的控制电极之间有很小的甚至没有共模电压差。其结果就是，该电路消除了通过支路中的输入晶体管的控制电极和连接输入晶体管的主电流通道与该支路中的共射-共基晶体管的节点之间的电容所产生的增益影响(在双极性输入晶体管情况下主要是密勒(Miller)电容)。这增大了共模抑制并因此提高了线性度。
支路的公共点由一个共用电流源电路馈电。这个电路以共用方式为各支路提供电流。理想情况下，这个共用电流源电路应当是理想电流源，其至少响应于放大频带范围内的电压变化量生成与电流源电路两端的电压无关的电流。但是已经发现即使电流源电路的性能与这种理想电流源相差很远放大器仍然具有较好的线性度。
根据本发明的放大器的一个实施例包括一耦接于支路的共射-共基晶体管的控制电极之间的DC偏压供给电路，该DC偏压供给电路包括一高频阻塞电路。因此，确保流向共射-共基晶体管的高频电流不得不流向这些晶体管的控制电极，从而迫使共射-共基晶体管减小输入晶体管上的共模电压差。
附图说明
下面参照附图对根据本发明的放大器的这些及其他目的和有益方面进行更加详细的说明。
图1所示为一差动放大器。
图2所示作为频率函数的非线性度。
具体实施方式
图1所示为一差动放大器。该放大器包括两条支路10，11。每条支路包括输入晶体管100，110和连接于共用电路120，122，124及输出变压器160之间的共射-共基晶体管104，114的主电流通道串连连接。输入晶体管100，110的控制电极与输入变压器140耦接。虽然图示中给出了对称的输入和输出，但是应当明白通常每个输入变压器和输出变压器的一个终端是接地的，由此产生了不对称的输入与输出。优选的，两个支路的输入晶体管100，110具有彼此基本相等的参数。优选的，共射-共基晶体管104，114也具有彼此基本相等的参数。
一个实施例给出了双极性晶体管100，104，110，114。共用电路包括一个公共节点126，该节点通过各发射极电阻122，124连接至输入晶体管100，110的发射极，并且通过接地阻抗120接地。电源连接端V与共射-共基晶体管104，114的集电极耦合。输入晶体管100，110的控制电极通过输入变压器140以基极电压Vb偏压。反馈电阻106，116将支路10，11的输出端耦接到输入晶体管100，110的控制电极。
共射-共基晶体管104，114的控制电极之间相互耦接，与公共节点126耦接的电容18连接在共射-共基晶体管104，114的控制电极上。共射-共基晶体管104，114的控制电极通过偏压网络192，194，190被偏压。
在工作时，输入变压器140在输入晶体管100，110的控制电极之间提供一输入电压差。这使得流过输入晶体管100，110的主电流通道的电流之间形成了电流差。共用电路120，122，124至少在放大器使用频率范围内用作电流源，为实现上述目的，接地阻抗120至少对于较高的频率具有相对较高的阻值。这可以通过在接地阻抗20中使用一个电感，或者利用接地阻抗中的电流源电路来实现。
共用电路120，122，124产生的电流主要从输入晶体管100，110的主电流通道流出经过共射-共基晶体管104，114的主电流通道流入输出变压器160。共射-共基晶体管104，114用于在支路10，11内的节点102，112处提供一低阻抗，所述节点位于输入晶体管100，110的主电流通道和共射-共基晶体管104，114之间。这个低阻抗减小了输入晶体管100，110的不希望的反馈效应。反馈阻抗106，116可选择的用于调节放大器增益和在输入晶体管100，110的控制电极处的输入阻抗的频率相关性，以便在放大器的输入端提供与之相配的输入阻抗。电流之间的差值在输出变压器160的输出端产生一输出电压。
由于共用电路120，122，124的电流源效应，来自于共用电路120，122，124并流入两个支路10，11的主电流通道的电流之和至少在目标频带范围内是恒定的并且与输入信号无关。由于没有来自于支路10，11外部的其他电流注入，通过支路10，11的所有电流与那些来自共用电路120，122，124的电流成比例，因此来自支路10，11的任意一对相应的电流之和是恒定的并且与输入信号无关。
来自共用电路120，122，124的电流主要从输入晶体管100，110的主电流通道流出沿着共射-共基晶体管104，114的主电流通道流入输出变压器160。电流间的差值在输出变压器160的输出端产生一输出电压。理想情况下，如果输出变压器160的对称性较为理想，则电流的共模成分(和)不会对输出电压造成影响。这对应的是无穷大的共模抑制比。但是实际上，由于不对称性不可避免，所以共模成分(可能会产生一个输出信号。
非线性，特别是第二阶互调制效应通过生成的一个共模成分对输出信号产生影响。这个成分和零值显著不同仅至如此程度，即来自除高阻抗共用电路102、122、124之外的其他电源的输入相关共模电流也流过支路10、11。此类相关电流是通过输入晶体管100，110的基极集电极电容的共用电流。
电容18用于在共射-共基晶体管104，114的控制电极和共用电路122，124，120的共用节点126之间提供一高频耦合。电容18的电容值被选定为至少足够大以使得在放大器使用频带范围内输入晶体管100，110的发射极的共模电压变化量能够基本复制到共射-共基晶体管104，114的控制电极上。一个特别低的电容值能够实现上述目的，其原因在于共射-共基晶体管104，114的控制电极处的电阻值是相对较高的。这使得在一集成电路中累计一电容值成为可能。
由于电容18和共射-共基晶体管104，114的作用，共模电压的变化也能够被复制到位于共射-共基晶体管104，114的主电流通道和输入晶体管100，110之间的节点102，112上。因此，输入晶体管100，110的集电极电压的共模部分和其发射极电压的共模部分基本相等，由于在相关频率下共用接地阻抗120的高阻抗，其又和输入晶体管100，110的控制电极电压的共模部分也基本相同。
由于相同的共模电压，没有共模电流流经输入晶体管100，110的基极-集电极电容(例如通过密勒电容)。实际上，电路对于输入晶体管的控制电极处的共模电压产生了一个阻抗非常高的电路。结果，放大器对于共模电压实现了很高的抑制并且互调产物也得到了抑制。(应当注意，由于电容器18，即使共用电路120，122，144的电流源表现不是很理想，但共模抑制比也是非常高的)。
图2表示作为频率函数的二阶失真的强度曲线图。该强度在竖轴方向上按对数标度进行标示以允许与不同情况下的强度相比较。最顶端的曲线表示没有电容18时放大器的失真。自上的第二条曲线表示加入了电容18时的失真情况。
电容18的功效可以通过基本迫使公共节点126流出的所有电流流过共射-共基晶体管的控制电极而得到提高。为了实现上述目的，偏压电路190，192，194最好包含一电感190，其在相关频率处较共射-共基晶体管104，114的控制电极对信号具有基本更高的阻抗。图2中的自上的第三条曲线表示当一个电感190被加入到偏压电路中并理想地切断所有相关的信号电流时的失真强度。
虽然用图1所示的电路对本发明的原理进行了举例说明，但可以预见的是，在不背离本发明的情况下，可对该电路产生许多改变。例如，双极性晶体管100，104，104，114的部分或全部可以用场效应晶体管替换。每个晶体管可通过并联布置多个晶体管来实现。这种并联布置与单个晶体管具有相同效应以及用于此处的类似配置均被认为由词“晶体管”覆盖。替代变压器160，140用于馈送和/或提取差动输入和输出信号的其他电路也可能被采用。在支路10，11、偏压电路190，192，194或共用电路122，124，120中均可以增加额外的元件。或者也可以从电路中删除部分元件，例如发射极电阻122，124。
通过在共射-共基晶体管104，114的控制电极和完全体现输入晶体管100，110的发射极电压变化量的共用电路122，124，120的节点之间进一步设置电容器，可以替代电容18或对电容18进行补充，从而使共用电路122，124，120中的共模电压被耦接到共模晶体管140，114的控制电极。例如在共射-共基晶体管104，114的控制极和位于发射极电阻122，124及输入晶体管100，110之间的节点之间耦接一对电容器(未示出)。在另一个实施例中T形共用电路120，122，124可以用一个Pi形的电路代替，即在发射极和地以及发射极之间连入阻抗。在这种情况下输入晶体管100，110的发射极和共射-共基晶体管104，114的控制电极之间也可接入电容器。
再者，虽然简单的电容性耦接是优选的，但可以预见的是在目标频带范围内允许共模电压从共用电路120，122，124复制到共射-共基放大晶体管104，114的控制电极的任何耦接均可以达到所期望的减小失真的效果。在一个可供选择的实施例中，可使用一具有增益基本为1的缓冲放大器，该放大器具有与公共点耦接的输入端和与共射-共基晶体管104，114的控制电极耦接的输出端，该公共节点与输入晶体管100，110的发射极耦接。
发射极电阻122，124对于电容器18的功能来说不是必需的，但是可用于调节输入由晶体管100，110的基极代表的阻抗以使其与耦接在输入变压器上的阻抗相匹配，并且提高线性度。在一个非限制性实施例中，发射极电阻的阻值为4欧姆。反馈电阻对于电容器18的功能而言也不是必需的，但是可用于调节放大器的增益(特别是它的频率相关性)以及提高阻抗匹配。在非限制性的实施例中反馈电阻106，116均包含串联布置的在100-10000Pf范围内的电容，1-50nH范围内的电感以及400-1500欧姆范围内的电阻。电容用于DC去耦。电感用于在较高频率下提高增益。电阻类似的用于减小增益的频率相关改变。
因此，通过在一方的公共点和共射-共基晶体管104，114的控制电极之间添加耦合，差分放大器的共模抑制和线性度均得到了改进。

Claims (4)

1.一种放大器电路，其特征在于包括:
输入连接端；
第一和第二电流支路(10，11)，每条支路包括一输入晶体管(100，110)和一共射-共基晶体管(104，114)，所述输入连接端分别与各电流支路(10，11)中的输入晶体管(100，110)的控制电极耦接，共射-共基晶体管(104，114)的控制电极相互耦接；
共用电流源电路(120，122，124)；
输出连接端，其中每个输出连接端通过各个电流支路的共射-共基晶体管(104，114)和输入晶体管的主电流通道的相继串接线路而被耦接至共用电流源电路(120，122，124)；
共射-共基晶体管的控制电极和共用电流源的节点之间的高频耦合(18)，被设置成将输入晶体管的主电流通道的终端的共模电压变化复制到共射-共基晶体管的控制电极的电压变化上；以及
与共射-共基晶体管的控制电极耦接的用于对共射-共基晶体管的控制电极进行偏压的偏压电路，该偏压电路包括一高频电流阻塞电路，用于阻止电流从高频耦合流经该偏压电路。
2.如权利要求1所述的放大器电路，其中所述高频耦合包括一耦接在共射-共基晶体管的控制电极和共用电流源的节点之间的电容，其电容值使输入晶体管的主电流通道的终端的共模电压变化被基本耦接到共射-共基晶体管的控制电极处的电压变化。
3.一种包含权利要求1所述的放大器的宽带高频信号分配系统。
4.一种用于放大宽带信号的方法，其特征在于该方法包括:
将宽带信号输入第一和第二电流支路中的输入晶体管的控制电极，每条电流支路包括一个输入晶体管和一个共射-共基晶体管，所述输入连接端分别耦接于各个电流支路中的输入晶体管的控制电极，共射-共基晶体管的控制电极相互耦接；
从输出连接端输出放大信号，该输出连接端通过各个电流支路的共射-共基晶体管和输入晶体管的主电流通道的相继串接线路而被耦接至共用电流源电路；
至少在宽带信号的频带范围内，将输入晶体管的主电流通道的终端的共模电压变化复制到共射-共基晶体管的控制电极的电压变化上；
使用与共射-共基晶体管的控制电极耦接的偏压电路对共射-共基晶体管的控制电极进行偏压；以及
给偏压电路提供一高频电流阻塞电路，用于阻止电流从高频耦合流经该偏压电路。
CNB038086360A 2002-04-19 2003-04-01 电子放大器电路 Expired - Lifetime CN100464497C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02076546 2002-04-19
EP02076546.7 2002-04-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1647368A CN1647368A (zh) 2005-07-27
CN100464497C true CN100464497C (zh) 2009-02-25

Family

ID=29225691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB038086360A Expired - Lifetime CN100464497C (zh) 2002-04-19 2003-04-01 电子放大器电路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7119615B2 (zh)
EP (1) EP1500190B1 (zh)
JP (1) JP2005523632A (zh)
CN (1) CN100464497C (zh)
AU (1) AU2003215862A1 (zh)
WO (1) WO2003090345A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7592866B2 (en) * 2006-02-17 2009-09-22 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Widebrand differential amplifier including single-ended amplifiers coupled to a four-port transformer
US8362835B2 (en) * 2006-02-17 2013-01-29 Gradual Tech Software L.L.C. Decade bandwidth planar MMIC four port transformer
WO2008126282A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Fujitsu Limited 増幅回路
US7619475B2 (en) * 2008-03-04 2009-11-17 Ralink Technology (Singapore) Corporation Cancellation of common mode oscillation in RF circuits
CN103259553A (zh) 2012-02-17 2013-08-21 Imec公司 一种用于无线电设备的前端系统
US8994451B1 (en) * 2012-04-03 2015-03-31 Rockwell Collins, Inc. RF amplifier
CN105324936B (zh) 2013-07-04 2018-02-23 株式会社村田制作所 功率放大模块
CN103684280B (zh) * 2013-12-12 2016-08-17 复旦大学 0-10m宽频带放大器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3938055A (en) * 1975-01-17 1976-02-10 Aeronutronic Ford Corporation (Formerly Philco-Ford Corporation) High performance differential amplifier
CN1287408A (zh) * 1999-09-02 2001-03-14 深圳赛意法微电子有限公司 互阻放大器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6496069B1 (en) 1999-10-01 2002-12-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Cascode circuit capable of contributing a comparatively low intermodulation distortion in the amplified signals
US6515547B2 (en) * 2001-06-26 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Self-biased cascode RF power amplifier in sub-micron technical field
JP3929031B2 (ja) * 2002-03-28 2007-06-13 松下電器産業株式会社 増幅装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3938055A (en) * 1975-01-17 1976-02-10 Aeronutronic Ford Corporation (Formerly Philco-Ford Corporation) High performance differential amplifier
CN1287408A (zh) * 1999-09-02 2001-03-14 深圳赛意法微电子有限公司 互阻放大器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DIFFRENTIAL AMPLIFIER. IBM TDB Tertel,KG.IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN,Vol.13 No.12. 1997
DIFFRENTIAL AMPLIFIER. IBM TDB Tertel,KG.IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN,Vol.13 No.12. 1997 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1647368A (zh) 2005-07-27
WO2003090345A1 (en) 2003-10-30
JP2005523632A (ja) 2005-08-04
EP1500190B1 (en) 2012-06-13
EP1500190A1 (en) 2005-01-26
US7119615B2 (en) 2006-10-10
US20050140440A1 (en) 2005-06-30
AU2003215862A1 (en) 2003-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4998211B2 (ja) 低雑音増幅器及び差動増幅器
US7439805B1 (en) Enhancement-depletion Darlington device
US8222958B2 (en) Operational amplifier
US10389312B2 (en) Bias modulation active linearization for broadband amplifiers
CN104158497B (zh) 低噪声放大器
CN108429541B (zh) 用于对放大器的线性度进行补偿的前置补偿器
JP2007259409A (ja) 可変利得増幅器
KR20020025701A (ko) 증폭회로
CN104617905A (zh) 射频放大器及射频放大方法
US5559472A (en) Loss compensated gain cell for distributed amplifiers
EP1806839A1 (de) Kaskoden-Differenzverstärker
CN100464497C (zh) 电子放大器电路
US7242253B2 (en) Low noise amplifier
EP0853379B1 (en) Low noise amplifier
CN207442795U (zh) 适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器
US7750734B2 (en) Apparatus and methods for amplifiers
JP4662888B2 (ja) 可変利得増幅器及び差動増幅器
EP1149466B1 (en) Amplifier
CN213990615U (zh) 一种功率放大模块及电路
CN101110576A (zh) 限幅放大器
KR100645012B1 (ko) 차동증폭기
CN106899271B (zh) 一种互补式功率放大器
US20050057309A1 (en) Transistor amplifier
US20220149790A1 (en) Variable gain amplifier circuit and semiconductor integrated circuit
US6600367B2 (en) Low distortion amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NXP CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Effective date: 20070907

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20070907

Address after: Holland Ian Deho Finn

Applicant after: NXP B.V.

Address before: Holland Ian Deho Finn

Applicant before: Koninklijke Philips Electronics N.V.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090225