CN100510922C - 液晶显示装置及其制造方法、以及包含其的电视接收机 - Google Patents

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Abstract

当衬底变得更大时，制造时间由于重复薄膜形成和蚀刻而增加；蚀刻剂等的度物处理成本增加；以及材料效率显著降低。改进衬底和由液滴喷射方法形成的材料层之间粘合性的基础薄膜在本发明中形成。另外，本发明的液晶显示装置的制造方法包括不使用光掩模形成制造液晶显示装置所需的以下图案的至少一个步骤：由布线(或电极)图案、绝缘层图案代表的材料层图案；或形成另一个图案的掩模图案。

Description

液晶显示装置及其制造方法、以及包含其的电视接收机
技术领域
本发明涉及一种具有由薄膜晶体管(以下称TFT)组成的电路的半导体装置及一种制造该半导体装置的方法。半导体装置的实例为具有由液晶显示装置代表的电光装置作为其部件之一的电子装置。
在本说明书中，术语半导体装置表示通过利用半导体特性起作用的装置。另外，电光装置、半导体电路和电子装置全部被认为是半导体装置。
背景技术
最近几年中，使用在具有绝缘表面的衬底之上形成的半导体薄膜(厚度为大约几纳米到几百纳米)形成薄膜晶体管(TFT)的技术已经引人注意。薄膜晶体管广泛应用于电子装置，例如IC或电光装置，并且特别以高速发展作为图像显示装置的开关元件。
通常，液晶显示装置被称为图像显示装置。有源矩阵液晶显示装置是主要使用的，因为与无源矩阵液晶显示装置相比，它们可以提供更高清晰度的图像。对于有源矩阵液晶显示装置，通过驱动排列在矩阵中的像素电极在屏幕上产生图像。具体地，通过在选定像素电极和对应于该像素电极的反向电极之间施加电压，对设置在像素电极和反向电极之间的液晶层进行光学调制。该光学调制被观察者识别为图像。
这种有源矩阵型电光装置的应用范围已经扩展，并且需要使该装置得到更高清晰度、更高开口面积比和更高可靠性，以及使屏幕具有更大面积。另外，改进生产率和成本最小化的需求同样增长。
本发明的公开内容
在制造以上有源矩阵电光装置中，重复通过溅射等形成薄膜和通过光刻法形成图案的步骤，由此形成TFT。作为光刻法技术，光掩模被用来形成光致抗蚀剂图案，其将成为用于衬底上的蚀刻工艺的掩模。
在使用这种掩模的情况下，抗蚀剂施加、预焙、曝光、显影、后焙等步骤以及例如涂布和蚀刻的薄膜形成步骤在规定步骤之前/之后进行，以及额外需要抗蚀剂除去、洗涤和干燥等另外的步骤。因此，不能阻止制造工艺变得复杂。
特别地，当要作为基础材料的衬底变得更大时，制造时间由于重复薄膜形成和蚀刻而增加；蚀刻剂等的废物处理成本增加；以及材料效率显著降低。
鉴于以上问题，本发明的一个目的是提供一种电光装置的制造方法，通过其可以降低生产成本。
本发明的液晶显示装置的制造方法包括不使用光掩模形成制造液晶显示装置所需的以下图案的至少一个或多个步骤：由布线(或电极)图案、绝缘层图案代表的材料层图案；或形成另一个图案的掩模图案。
材料层图案通过液滴喷射方法(例如喷墨法)形成。
另外，本发明提供一种在多层布线之间容易获得电连接的技术。
具体地，本发明提供一种使用光刻法不形成具有高纵横比(接触孔的直径与深度的比率)的接触孔的连接多层布线技术。在其中上层布线电连接到下层布线的部分，在下层布线上提供突出物(以下也称为“插塞”或“支柱”)。该突出物可以为圆柱形导电性元件或者通过液滴喷射方法反复施涂的导电性元件堆叠体元件。另外，通过涂布法形成中间层绝缘薄膜之后，该突出物通过蚀刻背材露出。因此，下层布线可以经由该突出物与上层布线电连接。
作为另一种方法，接触孔可以通过液滴喷射方法有选择地形成中间层绝缘薄膜而与中间层绝缘薄膜同时形成。
作为又一种方法，由液态防水有机薄膜形成的突出物在其中上层布线和下层布线之间实现连接的部分中的下层布线上提供。另外，通过涂布形成中间层绝缘薄膜之后，仅除去突出物；因此可以形成接触孔。然后，形成上层布线以便封闭该接触孔。
本发明说明书中公开的一种液晶显示装置包括：包括由液滴喷射方法在预处理区域之上形成的栅极的薄膜晶体管；由液滴喷射方法在该薄膜晶体管漏极之上形成的圆柱形导电薄膜；和连接到该圆柱形导电薄膜的像素电极。
在以上结构中，栅极、漏极或圆柱形导电薄膜含有选自金、银、铜、铂、钯、钨、镍、钽、铋、铅、铟、锡、锌、钛和铝的一种。
在以上结构的每一个中，薄膜晶体管包括非晶半导体或半非晶半导体。
关于本发明说明书中公开的电视接收机，根据权利要求1至3任一项的液晶显示装置包括在显示屏中。
另外，一种制造本发明说明书中公开的液晶显示装置的方法包括以下步骤：通过液滴喷射方法在预处理区域之上形成栅极；在栅极之上形成第一绝缘薄膜；在第一绝缘薄膜之上形成半导体薄膜；在半导体薄膜之上形成掩模；使用掩模使半导体薄膜形成图案；预处理该形成图案的半导体薄膜；通过液滴喷射方法通过形成源极或漏极在预处理半导体薄膜之上形成薄膜晶体管；在源极或漏极之上形成圆柱形导电薄膜；形成第二绝缘薄膜以便覆盖圆柱形导电薄膜和薄膜晶体管；在第二绝缘薄膜之上形成像素电极以便连接到圆柱形导电薄膜；通过液滴喷射方法形成液晶或密封剂；和在减压下贴合反向衬底。
作为另一种在本发明说明书中公开的制造液晶显示装置的方法，包括以下步骤：通过液滴喷射方法在预处理区域之上形成栅极；在栅极之上形成第一绝缘薄膜；在第一绝缘薄膜之上形成半导体薄膜；在半导体薄膜之上形成掩模；使用掩模使半导体薄膜形成图案；预处理该形成图案的半导体薄膜；通过液滴喷射方法通过形成源极或漏极在预处理半导体薄膜之上形成薄膜晶体管；在源极或漏极之上形成圆柱形有机薄膜；形成第二绝缘薄膜以便覆盖圆柱形有机薄膜和薄膜晶体管；除去圆柱形有机薄膜；在第二绝缘薄膜之上形成像素电极以便连接到源极或漏极；通过液滴喷射方法形成液晶或密封剂；和在减压下贴合反向衬底。
在以上结构中，第二绝缘薄膜与圆柱形有机薄膜相斥。另外在以上结构中，圆柱形有机薄膜通过水洗除去。
本发明可以不考虑TFT结构而应用。例如，本发明可以应用于顶栅TFT、底栅(反向交错)TFT和交错TFT。另外，对于单栅TFT、包括多个通道区的多栅TFT没有限制，例如可以使用双栅TFT。
作为TFT的活性层，可以适当地使用非晶半导体薄膜、含有晶体结构的半导体薄膜、含有非晶结构的半导体化合物薄膜。另外，半非晶半导体薄膜是具有非晶结构和晶体结构(包括单晶和多晶)的中间结构，具有能量稳定的第三种形态，以及包括具有短程有序和晶格畸变(也称为微晶半导体薄膜)的晶区的半导体，可以用作TFT的活性层。在半非晶半导体薄膜中，粒径为0.5nm到20nm的晶粒包括在薄膜的至少一个区域中，以及在拉曼光谱中，硅的特征峰迁移到520cm-1波数的较低侧。另外，在半非晶半导体薄膜中，在X射线衍射中观察到衍生自Si晶格的(111)和(220)衍射峰。半非晶半导体薄膜包括至少1原子％氢或卤素作为未结合键(uncombinedhand)(悬挂键)的中和剂。半非晶半导体薄膜通过对硅化物气体进行辉光放电分解(等离子体CVD)制造。作为硅化物，除SiH4之外，可以使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等。硅化物气体可以用H2或者H2和一种或多种稀有气体元素：He、Ar、Kr和Ne稀释。稀释比从2倍到1000倍变化。压力粗略地为0.1Pa到133Pa；电源频率为1MHz到120MHz，优选为13MHz到60MHz；以及衬底加热温度至多为300℃，优选为100℃到250℃。作为薄膜中的杂质元素，例如氧、氮或碳的大气成分杂质优选至多为1×1020原子/cm3，具体地氧浓度为至多5×1019原子/cm3，优选为至多1×1019原子/cm3。应指出，在使用半非晶薄膜作为活性层中的TFT的电场效应迁移率μ为1cm2/Vsec到10cm2/Vsec。
根据本发明，材料层可以不使用光掩模而形成图案；因此材料效率可以改进。另外，制造工艺可以通过省略制造液晶显示装置中的曝光和显影步骤而得到简化。
附图简述
图1A到1E为显示实施方案模式1的附图。
图2A到2E为显示实施方案模式2的附图。
图3A到3D为显示实施方案模式3的附图。
图4A到4E为显示实施方案1的制造步骤的附图。
图5为显示实施方案2的液晶显示装置的剖视图。
图6为显示实施方案3的液晶显示装置的剖视图。
图7为显示实施方案4的液晶显示装置的剖视图。
图8为显示实施方案5的液晶显示装置的剖视图。
图9为显示实施方案6的液晶显示装置的剖视图。
图10为实施方案模式1的像素的俯视图。
图11A到11D表示显过液滴喷射方法施加液晶的透视图和剖视图。(实施方案7)
图12A到12D为显示一种工艺的俯视图。(实施方案7)
图13A和13B各自显示贴合装置和贴合工艺的剖视图。(实施方案7)
图14A和14B各自显示液晶模块的俯视图。(实施方案7)
图15为显示有源矩阵液晶显示装置的剖视图。(实施方案7)
图16A到16C显示一种液滴喷射系统。(实施方案8)
图17为显示一种液滴喷射系统的附图。(实施方案8)
图18为显示一种液滴喷射系统的附图。(实施方案8)
图19A和19B为金属颗粒的剖视图。(实施方案9)
图20A到20C各自显示电镀设备。(实施方案10)
图21A到21C为显示电子装置实例的附图。(实施方案11)
实施本发明的最佳方式
本发明的实施方案模式将描述如下。
实施方案模式1
在此将描述使用反向交错TFT作为开关元件制造有源矩阵液晶显示装置的方法。图1显示制造工艺的剖视图。
首先，在衬底10之上形成基础薄膜11，用来改进与随后将要通过液滴喷射方法形成的材料层的粘合性。基础薄膜11可以薄地形成；因此其可以被认为是基础预处理。光催化剂(二氧化钛(TiO2)、钛酸锶(SrTiO3)、硒化镉(CdSe)、钽酸钾(KTaO3)、硫化镉(CdS)、氧化锆(ZrO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化铁(Fe2O3)、氧化钨(WO3))可以用喷涂施加；另外，有机材料(聚酰亚胺、丙烯酰类或具有包括硅(Si)和氧(O)键的骨架结构，含有氢、氟、烷基和芳烃的至少一种作为取代基的材料)可以通过喷墨法或溶胶凝胶法有选择地施加
光催化剂表示具有光催化作用的材料。当用紫外光区域(波长：等于或低于400nm，优选等于或低于380nm)的光线辐射时，光催化剂被激活。精细图案可以通过喷墨法在光催化剂上喷射包含在溶剂中的导体形成。
例如，TiOx不亲水而亲油，其在用光线辐射之前是疏水剂。光辐射产生光催化活性，TiO2转变为亲水和不亲油，也即抗油。应指出，TiO2可以兼具亲水性和亲油性，这取决于辐照时间长度。
应指出，“亲水性”表示一种情形，其易于用水弄湿，并且具有等于或低于30°接触角。特别地，具有等于或低于5°接触角的情形称为“超级亲水性”。另一方面，“疏水性”表示一种情形，其难以用水弄湿，并且具有等于或大于90°接触角。类似地，“亲油性”表示一种情形，其易于用油弄湿，并且“疏油性”表示难以用油弄湿的情形。应指出，接触角表示由形成面层和在滴落点边缘与液滴相切形成的夹角。
换句话说，用光线辐射的区域(以下称为辐射区域)变成亲水性或超级亲水性(简单地一起称为亲水性)。此时进行光辐射，使得辐射区域的宽度就是布线的所需宽度。其后，包括混入水基溶剂的导电性材料的点通过喷墨法从辐射区域上方喷射到该辐射区域。然后，可以形成在宽度上较小的布线，也即比仅用喷墨法喷射的点直径更窄的布线。这是因为辐射区域被形成为具有所需宽度的布线，然后可以阻止喷射的点在形成表面上扩散。另外，即使在其中点在一定程度上不成直线喷射的情况下，布线也可以沿着辐射区域形成。因此，可以精确控制要形成布线的位置。
在使用水基溶剂的情况下，优选的是添加表面活性剂，以便从喷墨装置的喷嘴流畅地喷射液滴。
在喷射混入油(醇)基溶剂中的导电性材料的情况下，布线可以类似地通过在不用光线辐射的区域(以下称为未辐射区域)上喷射导电性材料以及从未辐射区域上方喷射点到未辐射区域形成。换句话说，其中要形成布线的区域的相对末端，也即围绕其中要形成布线的区域的边缘可以用光线辐射，由此形成辐射区域。因为此时辐射区域为抗油性，包括混入油(醇)基溶剂的导电性材料的点被有选择地在未辐射区域中形成。即进行光辐射，使得未辐射区域的宽度就是布线的所需宽度。
应指出，非极性溶剂或低极性溶剂可以用作油(醇)基溶剂。例如可以使用萜品醇、矿油精、二甲苯、甲苯、乙基苯、均三甲苯、己烷、庚烷、辛烷、癸烷、十二烷、环己烷或环辛烷。
另外，光催化活性可以通过将过渡金属(例如Pd、Pt、Cr、Ni、V、Mn、Fe、Ce、Mo或W)掺杂进光催化物质改善，并且光催化活性可以由可见光区域(波长：400nm到800nm)的光线引起。这是因为过渡金属可以在具有宽带隙的活性光催化剂的禁带内形成新的水平，并且可以使光吸收范围扩展到可见光区域。例如，可以掺杂例如Cr或Ni的受体型，例如V或Mn的给体型，例如Fe的两性型，或者例如Ce、Mo和W的其它型。光的波长可以因此根据光催化物质加以确定。因此，光辐射表示用具有这种使光催化物质发生光催化活化的波长的光线进行辐射。
当光催化物质受热并在真空中或在氢气回流下还原时，在晶体中产生氧缺陷。不掺杂过渡元素，氧缺陷以这种方法起类似于电子给体的作用。特别地，在通过溶胶-凝胶法形成的情况下，光催化物质不能被还原，因为氧缺陷从开始就存在。另外，氧缺陷可以通过掺杂N2等气体形成。
在此，已经说明了在衬底上喷射导电性材料的情况下，实施基础预处理用于改进粘合性的实例。另外，在通过液滴喷射方法在另一个材料层(例如有机层、无机层和金属层)，或由喷射形成的导电层之上形成材料层(例如有机层、无机层和金属层)的情况下，可以形成TiOx薄膜以改进材料层之间的粘合性。因此，在通过由液滴喷射方法喷射导电性材料形成图案的情况下，理想的是在形成导电性材料层之前和之后进行基础预处理，以便改进粘合性。
除了非碱性玻璃衬底，例如用熔法或浮法制造的硼硅酸钡玻璃、硼硅酸铝玻璃或铝硅玻璃之外，衬底10可以使用具有可以承受加工温度等的耐热性的塑料衬底。另外，在反射液晶显示装置的情况下，可以应用具有绝缘层的例如单晶硅的半导体衬底、例如不锈钢的金属衬底、陶瓷衬底等。
接下来，在通过由喷墨法代表的液滴喷射方法施加导电性材料之后，在氧气气氛中进行烘焙，由此形成将是栅极或栅极布线的金属布线12。另外，延伸到末端区域的布线40也类似地形成。虽然未示出，但是还形成用于形成存储电容器的电容电极或电容布线。
作为布线材料，使用金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、钯(Pd)、钨(W)、镍(Ni)、钽(Ta)、铋(Bi)、铅(Pb)、铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、钛(Ti)和铝(Al)；其合金；其分散纳米粒子；或卤化银颗粒的任何一种。特别地，栅极布线优选是低电阻的。因此，优选使用其中金、银或铜的任何一种溶解在或分散在溶剂中的材料，以及考虑到电阻率值，更优选使用具有低电阻的银或铜。但是，在使用银或铜的情况下，可以另外提供阻挡薄膜用于杂质测量。溶剂对应地有例如乙酸丁酯的酯类、例如异丙醇的醇类、例如丙酮的有机溶剂等。通过调节溶剂密度和添加表面活性剂等适当调节表面张力和粘度。
用于液滴喷射方法的喷嘴直径设定为0.02μm到100μm(优选为30μm或更少)，从喷嘴喷射的组合物喷射量优选设定为0.001pl到100pl(优选为10pl或更少)。存在用于液滴喷射方法的按需(on-demand)型和连续型两种类型，两者都可使用。此外，存在使用通过向压电材料施加电压转变的性能的压电系统，和通过设置在喷嘴中的加热器使组合物沸腾以及用喷嘴喷射要用于液滴喷射方法的组合物的加热系统，两者都可使用。目标物和喷嘴喷射口之间的距离优选尽可能靠近，以便使液滴滴在所需位置，其优选设置为0.1mm到3mm(优选为1mm或更少)。当保持相对距离时，喷嘴和目标物之一移动并画出所需图案。另外，在喷射组合物之前，可以在目标物表面上进行等离子体处理。这一点是利用当进行等离子体处理时，目标物的表面变得亲水和憎水。例如，其变得亲合去离子水以及其变得排斥用醇溶解的浆料。
喷射组合物的步骤可以在低压下进行，使得当喷射组合物以及到达目标物上时，组合物的溶剂可以挥发，并且可以省略或缩短后续的干燥和烘干步骤。喷射组合物之后，干燥和烘干步骤之一或两者通过激光辐射、快速热退火、加热炉等在常压或低压下进行。干燥和烘干步骤都是热处理步骤。例如，干燥在100℃进行3分钟以及烘干在200℃到350℃的温度进行15分钟到120分钟。为了使干燥和烘干步骤进行良好，可以加热衬底，温度设置为100℃到800℃(优选为200℃到350℃)，但是取决于衬底的材料等。经过该步骤，组合物中的溶剂被蒸发或者分散剂被化学除去，以及树脂周围固化并收缩，由此加速熔融和熔接。这一点在氧气、氮气或空气气氛下进行。但是，该步骤优选在其中溶剂分解或金属元素分散容易除去的氧气气氛下进行。
随后要由液滴喷射方法形成的金属薄膜的粘合性可以通过形成基础薄膜或通过进行基础预处理得到显著改进。因此，可以得到即使浸入稀氢氟酸(稀释1:100)一或更多分钟，也可以承受，以及可以承受条带粘合性测试的粘合性。
接下来，栅极绝缘薄膜13通过等离子体CVD、溅射或涂布形成，具有单层结构或分层结构。理想地，三层堆叠体具有由氮化硅形成的绝缘层、由二氧化硅形成的绝缘层和由氮化硅形成的绝缘层。另外，双层堆叠体具有由氮化硅形成的绝缘层和由聚酰亚胺形成的绝缘层。应指出，稀有气体元素，例如氩气优选包含在混入要形成的绝缘薄膜的活性气体中。
半导体薄膜14a被形成。半导体薄膜14a用非晶半导体薄膜或半非晶半导体薄膜形成，其使用由硅烷和锗代表的半导体材料气体通过汽相生长或溅射形成。
作为非晶半导体薄膜，非晶硅薄膜通过使用SiH4或SiH4和H2的气体混合物的PCVD获得。另外，作为半非晶半导体薄膜，半导体薄膜通过使用其中SiH4在H2稀释1:3到1:1000的气体混合物、其中Si2H6用GeF4以20:0.9到40:0.9(Si2H6:GeF4)的气体流速稀释的气体混合物或者SiH4和H2的气体混合物的PCVD获得。应指出，优选使用半非晶硅薄膜，因为对于基础可以赋予界面更高的结晶度。
绝缘层16通过等离子体CVD或溅射形成。形成图案可以通过使用由液滴喷射方法形成的掩模蚀刻，或者光刻法进行。使绝缘层16保留在相对栅极的半导体层上，以便用作通道保护层。另外，绝缘层16优选用精细薄膜形成，由此得到纯净表面以及防止半导体层受到例如有机材料、金属材料或水汽的杂质污染。在辉光放电分解法中，通过用例如氩气将硅化物气体稀释100倍到500倍形成的氮化硅薄膜是优选的，因为即使在100℃或更低的沉积温度下，也可以形成精细薄膜。
随后，覆盖绝缘层16的掩模15通过液滴喷射方法形成(图1A)。例如环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰胺树脂或聚氨酯树脂的树脂材料用作掩模15。另外，掩模213通过使用有机材料用液滴喷射方法形成，所述有机材料例如苯并环丁烯、聚对亚苯基二甲基、闪光或发光聚酰亚胺；由例如硅氧烷基聚合物聚合制造的化合物材料；含有水溶性均聚物和水溶性共聚物的复合材料；等等。另外，可以使用含有光敏剂的商用抗蚀材料。例如，可以使用典型的积极型抗蚀剂，例如酚醛清漆树脂和属于光敏剂的萘醌二叠氮化物化合物，消极型抗蚀剂，例如基础树脂、二苯基硅烷二元醇和酸产生剂等。在使用任何一种材料中，通过稀释溶剂浓度或添加表面活性剂等适当控制表面张力和粘度。
接下来，除了用掩模15覆盖的区域之外，用干蚀刻或湿蚀刻除去半导体薄膜14a，使得形成将成为活性层的半导体层14b。
除去掩模15之后，在整个表面之上形成n型半导体薄膜17。在其中提供n型半导体薄膜的情况下，降低半导体薄膜和电极之间的接触电阻，这是优选的。n型半导体薄膜可以根据需要提供。n型半导体薄膜17可以用通过使用硅烷气体和磷化氢气体的PCVD形成的非晶半导体薄膜或半非晶半导体薄膜形成。
接下来，有选择地喷射含有导电性材料(例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝))的组合物，结果形成源极布线和漏极布线18a和18b。连接布线41类似地在末端区域中形成(图1B)。
n型半导体薄膜17通过使用源极布线和漏极布线18a和18b作为掩模以自校正的方式蚀刻，由此形成源极和漏极区19a和19b。因此，完成通道中止TFT30。绝缘层16用作n型半导体薄膜的蚀刻终止物。
接下来，除了末端区域之外的区域通过使用阴影掩模用例如抗蚀剂的树脂覆盖。在末端区域中，布线40的一部分通过使用连接布线41作为掩模蚀刻栅极绝缘薄膜13暴露。由丝网印刷形成的抗蚀剂掩模可以用作代替阴影掩模的蚀刻掩模。另外，可以不覆盖除了末端区域之外的区域，用抗蚀剂蚀刻栅极绝缘薄膜13。但是，存在一些问题，与源极布线和漏极布线18a和18b不重叠的区域的栅极绝缘薄膜被蚀刻，以及半导体层将因为绝缘层16被蚀刻而暴露。
接下来，形成连接延伸到末端区域的布线40和连接布线41的导体42。导体42可以通过印刷或通过液滴喷射方法形成。在使用液滴喷射方法的情况下，有选择地喷射含有导电性材料(例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝))的组合物以形成导体42。
由导电性材料形成的突出物(支柱)20在源极或漏极布线18a的一部分之上形成。通过反复喷射和烘焙含有导电性材料(例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝))的组合物形成堆叠体，结果形成突出物(支柱)20。突出物(支柱)43也以类似方式在连接布线41之上形成。另外，突出物(支柱)20和43可以通过使由溅射形成的金属薄膜形成图案而形成。在这种情况下，突出物(支柱)形状象圆柱。
平坦的中间层绝缘薄膜21通过涂布形成(图1C)。平坦的以及通过涂布形成的中间层绝缘薄膜21表示通过施涂液态组合物形成的中间层绝缘薄膜。对于通过涂布形成的平坦中间层绝缘薄膜，可以使用有机材料，例如丙烯酸或聚酰亚胺；或者在玻璃上旋转(以下也称为SOG)，其是一种通过施涂溶于有机溶剂的绝缘材料以及其后的热处理形成的涂层，例如其中通过烘焙硅氧烷聚合物等形成硅氧烷键的材料。中间层绝缘薄膜21可以用例如由汽相生长方法或溅射，代替涂布形成的二氧化硅薄膜的无机绝缘薄膜形成。另外，通过PCVD或溅射形成氮化硅薄膜作为保护薄膜之后，中间层绝缘薄膜21可以通过涂布形成。
中间层绝缘薄膜21可以通过液滴喷射方法形成。另外，中间层绝缘薄膜21可以在最终烘焙突出物(支柱)20和43之前通过液滴喷射方法形成；因此同时进行其最终烘焙。
在通过涂布或液滴喷射方法形成平坦中间层绝缘薄膜21中，优选的是在用气刀代替刮刀使表面上的微小不规则平面化之后，进行最终烘焙。
通过蚀刻整个表面的背材除去在突出物(支柱)20和43之上的一部分中间层绝缘薄膜，结果暴露突出物(支柱)20和43。另外，中间层绝缘薄膜可以通过化学机械抛光(CMP)以及其后蚀刻整个表面的背材加以研磨；因此可以暴露突出物(支柱)20和43。
与突出物(支柱)20接触的像素电极23在中间层绝缘薄膜22之上形成(图1D)。与突出物(支柱)43接触的末端电极44类似地形成。在制造透射液晶显示装置板的情况下，由含有氧化铟锡(ITO)、含有二氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等的组合物形成的图案可以通过液滴喷射方法或印刷形成，以及烘焙形成像素电极23和末端电极44。在制造反射液晶显示装置板的情况下，像素电极23和末端电极44可以由主要含有例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝)的金属颗粒的组合物通过液滴喷射方法形成。作为另一种方法，透明导电薄膜或反光导电薄膜通过溅射形成；掩模图案通过液滴喷射方法形成；因此，像素电极可以通过多个蚀刻方法形成。应指出，中间层绝缘薄膜22的表面通过蚀刻背材或CMP平面化，结果可以形成平坦的像素电极23。
图10为一部分像素区域的放大俯视图。另外，图10显示形成过程中的像素电极；在左侧像素中形成像素电极，而在右侧像素中不提供像素电极。沿着图10中的实线A-A′得到的剖视图对应于图1D中显示的像素区域的横截面；因此对于对应部分使用相同标记数字。像素区域具有电容布线31、使用栅极绝缘薄膜作为绝缘体的存储电容器、像素电极23以及电容布线31与像素电极重叠。
通过以上步骤，完成用于液晶显示装置板的TFT衬底，其中底部栅(反向交错)TFT和像素电极在衬底10之上形成。
接下来，形成校正层24a以覆盖像素电极23。校正层24a可以通过液滴喷射方法、丝网印刷或胶版印刷形成。随后研磨校正层24a的表面。
反向衬底25具有用着色层26a、光屏蔽层(黑色基质)26b和过涂布层27形成的滤色片；反向电极28用透明电极形成；以及校正层24b位于其上。在此，自液晶29滴落以后，使用具有封闭图案(未示出)的密封剂。另外，粘贴TFT衬底和反向村底之后，可以使用具有开口的密封图案，应用浸渍涂布(泵起方法)，使液晶29通过浸渍涂布由于毛细现象注入。
接下来，液晶29在减压下滴落，以防止气泡进入，以及TFT衬底和反向衬底粘贴在一起。液晶29在封闭的密封图案中滴落一次或几次。扭转向列型(TN)模式主要用作液晶的校准模式。在该模式中，液晶分子的校准方向根据从其入口到出口的光偏振扭转90°。在制造TN液晶显示装置的情况下，校准层在两个衬底上形成；衬底被粘贴在一起，以便使衬底的研磨方向相互垂直。
一对衬底之间的间隙可以通过喷涂球形隔离物、形成由树脂形成的圆柱形隔离物或者将填料混入密封剂加以保持。圆柱形隔离物由含有选自丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺酰胺和环氧树脂的至少一种材料作为主要组分的有机树脂材料；二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的任一种材料；或由许多这些材料组成的无机材料形成。
接下来，分割不必要的衬底。在从一个衬底得到多个板的情况下，分离各板。在从一个衬底得到一个板的情况下，通过粘贴预先切割的反向衬底，可以省略分离步骤。
通过已知方法将FPC 46连接到TFT衬底，其间具有各向异性导电层45。经由以上步骤完成液晶模块(图1E)。另外，根据需要提供光学薄膜。在透射液晶显示装置的情况下，偏振器被分别粘贴到有源矩阵衬底和反向衬底。
如上所述，根据该实施方案模式，通过使用突出物(支柱)20和43省略使用光掩模的光线曝光；因此该方法可以简化以及制造时间可以降低。即使使用五代之后的玻璃衬底，也可以容易地制造液晶显示装置，通过使用液滴喷射方法在衬底上直接形成各种图案，其一边超过1000mm。
在该实施方案模式中，不进行其中使用光掩模的光线曝光方法的方法；但是，一部分图案可以通过使用光掩模的光线曝光完成。
实施方案模式2
在此将显示其中连接方法与实施方案模式1不同的实施例。图2A到2E显示使用反向交错TFT作为开关元件的有源矩阵液晶显示装置制造步骤的剖面图。
首先，根据实施方案模式1中显示的步骤完成与图1A等效的情形。在衬底210之上形成基础薄膜211、金属布线212、延伸到未端区域的布线240。另外，在其上顺序形成栅极绝缘薄膜213、半导体薄膜214a和绝缘层216。通过液滴喷射方法形成覆盖绝缘层216的掩模215(图2A)。
接下来，除了用掩模215覆盖的区域之外，用干蚀刻或湿蚀刻除去半导体薄膜214a，使得形成将成为活性层的半导体层214b。
除去掩模215之后，在整个表面之上形成n型半导体薄膜217。n型半导体薄膜217可以根据需要提供。n型半导体薄膜217可以用通过使用磷化氢气体的PCVD形成的非晶半导体薄膜或半非晶半导体薄膜形成。
接下来，有选择地喷射含有导电性材料(例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝))的组合物，结果形成源极布线和漏极布线218a和218b。连接布线241类似地在末端区域中形成(图2B)。因为漏极布线218b用作像素电极(反射电极)，优选的是使用高度反射的Ag(银)、Al(铝)等。因为通过液滴喷射方法形成像素电极，可以轻易地形成防止反射电极镜面反射的不规则性。通常，形成像素电极之后，通过增加喷砂、蚀刻等步骤使表面具有不规则性，以防止镜面反射以及使反射光散射，由此增强白度。
n型半导体薄膜217通过使用源极布线和漏极布线218a和218b作为掩模以自校正的方式蚀刻，由此形成源极和漏极区219a和219b。因此，完成通道中止TFT 230。绝缘层216用作n型半导体薄膜217的蚀刻终止物。
接下来，除了末端区域之外的区域通过使用阴影掩模用例如抗蚀剂的树脂覆盖。在末端区域中，布线240的一部分通过使用连接布线241作为掩模蚀刻栅极绝缘薄膜213暴露。
接下来，形成连接延伸到末端区域的布线240和连接布线241的导体242。导体242可以通过印刷或通过液滴喷射方法形成。在使用液滴喷射方法的情况下，有选择地喷射含有导电性材料(例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝))的组合物以形成导体242。
接下来，通过液滴喷射方法有选择地形成中间层绝缘薄膜221(图2C)。在像素区域中形成中间层绝缘薄膜，以便覆盖除了随后将为像素电极的部分之外的区域。液滴喷射和烘焙可以重复两次或更多次，以使中间层绝缘薄膜足够厚。在未端区域中提供中间层绝缘薄膜221，使得不覆盖随后将为未端电极的部分。因此，在其中完成连接或不需要绝缘薄膜的地区中不提供中间层绝缘薄膜。因此，形成接触孔是多余的。
中间层绝缘薄膜221可以由可以通过液滴喷射方法施涂的绝缘材料形成；例如可以使用光敏或非光敏有机材料(聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯或光刻胶材料)、硅氧烷、聚硅氮烷或其分层结构。硅氧烷用具有骨架结构，所述骨架结构具有含有至少一个氢作为取代基或含有氟、烷基和芳烃的至少一种的硅(Si)和氧(O)键的聚合物材料形成。聚硅氮烷用属于具有硅(Si)和氮(N)键的聚合物材料的液态材料形成。
接下来，与连接布线241连接的未端电极244通过液滴喷射方法或印刷形成(图2D)。含有氧化铟锡(ITO)、含有二氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等的组合物用作未端电极244。
应指出，未端电极244可以在形成中间层绝缘薄膜221之前形成；或可以通过使用机头，通过其同时喷射各种材料，而与中间层绝缘薄膜221同时形成。另外，只有未端电极244和中间层绝缘薄膜221的烘焙步骤可以共同进行。
通过以上步骤，完成用于反射液晶显示装置板的TFT衬底，其中底部栅(反向交错)TFT和像素电极在衬底210之上形成。
接下来，形成校正层224a以覆盖像素电极218a。校正层224a可以通过液滴喷射方法、丝网印刷或胶版印刷形成。随后研磨校正层224a的表面。
反向衬底225具有用着色层226a、光屏蔽层(黑色基质)226b和过涂布层227形成的滤色片；反向电极228用透明电极形成；以及校正层224b位于其上。在此，自液晶229滴落以后，使用具有封闭图案(未示出)的密封剂。另外，粘贴TFT衬底和反向衬底之后，可以使用具有开口的密封图案，应用浸渍涂布(泵起方法)，使液晶229通过浸渍涂布由于毛细现象注入。
接下来，液晶229在减压下滴落以防止气泡进入，以及TFT衬底和反向衬底粘贴在一起。液晶229在封闭的密封图案中滴落一次或几次。扭转向列型(TN)模式主要用作液晶的校准模式。在该模式中，液晶分子的校准方向根据从其入口到出口的光偏振扭转90°。在制造TN液晶显示装置的情况下，校准层在两个衬底上形成；衬底被粘贴在一起，以便使衬底的研磨方向相互垂直。
一对衬底之间的间隙可以通过喷涂球形隔离物、形成由树脂形成的圆柱形隔离物或者将填料混入密封剂加以保持。圆柱形隔离物由含有选自丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺酰胺和环氧树脂的至少一种材料作为主要组分的有机树脂材料；二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的任一种材料；或由许多这些材料组成的无机材料形成。
接下来，分割不必要的衬底。在从一个衬底得到多个板的情况下，分离各板。在从一个衬底得到一个板的情况下，通过粘贴预先切割的反向衬底，可以省略分离步骤。
通过已知方法将FPC 246连接到TFT衬底，其间具有各向异性导电层245。
经由以上步骤完成液晶模块(图2E)。另外，根据需要提供光学薄膜。在透射液晶显示装置的情况下，偏振器被分别粘贴到有源矩阵衬底和反向衬底。
如上所述，根据该实施方案模式，通过液滴喷射方法有选择地形成中间层绝缘薄膜省略使用光掩模的光线曝光；因此该方法可以简化以及制造时间可以降低。即使使用五代之后的玻璃衬底，也可以容易地制造液晶显示装置，通过使用液滴喷射方法在衬底上直接形成各种图案，其一边超过1000mm。
在该实施方案模式中，不进行其中使用光掩模的光线曝光方法的方法；但是，一部分图案可以通过使用光掩模的光线曝光完成。
实施方案模式3
在此将显示其中连接方法与实施方案模式1不同的实施例。图3A到3D显示使用反向交错TFT作为开关元件的有源矩阵液晶显示装置制造步骤的剖面图。
首先，根据实施方案模式1中显示的步骤完成与图1C等效的情形。在衬底310之上形成基础薄膜311、金属布线312、延伸到未端区域的布线340。另外，在其上顺序形成栅极绝缘薄膜313、半导体薄膜和绝缘层316。通过液滴喷射方法形成覆盖绝缘层316的掩模。接下来，除了用掩模覆盖的区域之外，用干蚀刻或湿蚀刻除去半导体薄膜，使得形成将成为活性层的半导体层314。除去掩模之后，在整个表面之上形成n型半导体薄膜。接下来，有选择地喷射含有导电性材料(例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝))的组合物，结果形成源极布线和漏极布线318a和318b，以及连接布线341。n型半导体薄膜通过使用源极布线和漏极布线318a和318b作为掩模以自校正的方式蚀刻，由此形成源极和漏极区319a和319b。因此，完成通道中止TFT 330。绝缘层316用作n型半导体薄膜的蚀刻终止物。接下来，除了末端区域之外的区域通过使用阴影掩模用例如抗蚀剂的树脂覆盖。在未端区域中，通过使用连接布线341作为掩模蚀刻栅极绝缘薄膜313，使布线340的一部分暴露。另外，形成连接延伸到末端区域的布线340和连接布线341的导体342。
由液态排斥性(疏水、抗油)材料形成的突出物(支柱)通过液滴喷射方法在一部分源极或漏极布线318a之上形成。通过反复喷射和烘焙含有液态排斥性材料(氟基树脂，例如氟烷基硅烷(FAS))的组合物形成堆叠体，结果形成突出物(支柱)320。此外，突出物(支柱)343在连接布线341上形成。突出物(支柱)320和343可由不是液态排斥性的材料形成，以及其后可通过CF4等离子体处理等变成液态排斥性。例如，突出物(支柱)由水溶性树脂，例如聚乙烯醇(PVA)形成之后，可以进行CF4等离子体处理，使突出物(支柱)变成液态排斥性。
另外，通过使用液态排斥性材料可以不进行CF4等离子体处理而形成接触孔。在整个表面之上施涂液态排斥性材料(氟基树脂，例如氟烷基硅烷(FAS))之后，掩模由水溶性树脂，例如聚酰亚胺和聚乙烯醇(PVA)形成。在除了其中形成掩模的区域之外的区域上，通过O2抛光等除去液态排斥性材料，以及除去掩模。在此，只有其中除去掩模的区域为液态排斥性。当其后在整个表面之上施涂绝缘材料时，在其中除去掩模的区域(该区域为液态排斥性)之上不形成绝缘薄膜。因此，可以得到其中只有所需区域暴露的绝缘薄膜。
接下来，形成平坦中间层绝缘薄膜322。平坦薄膜可以通过使用涂布方法得到。另外，中间层绝缘薄膜322可以通过液滴喷射方法形成，以及表面上的微小突出物可以用气刀平面化。对于平坦中间层绝缘薄膜322，可以使用有机材料，例如丙烯酸或聚酰亚胺；或者在玻璃上旋转(以下也称为SOG)，其是一种通过施涂溶于有机溶剂的绝缘材料以及其后的热处理形成的涂层，例如其中通过烘焙硅氧烷聚合物等形成硅氧烷键的材料。
在形成对用于形成中间层绝缘薄膜的溶液为排斥性的突出物(支柱)320和343的情况下，形成中间层绝缘薄膜以不在突出物上形成。
接下来，通过仅除去突出物(支柱)320和343形成接触孔(图3B)。
形成与漏极布线318a连接的像素电极323(图3C)。类似地，形成与连接布线341连接的未端电极344。
在制造透射液晶显示装置板的情况下，由含有氧化铟锡(ITO)、含有二氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等的组合物形成的图案可以通过液滴喷射方法形成，以及烘焙形成像素电极323和末端电极344。
在制造反射液晶显示装置板的情况下，像素电极323和末端电极344可以由主要含有例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝)的金属颗粒的组合物形成。作为另一种方法，透明导电薄膜或反光导电薄膜通过溅射形成，掩模图案通过液滴喷射方法形成；因此，像素电极可以通过组合蚀刻形成。
通过以上步骤，完成用于反射液晶显示装置板的TFT衬底，其中底部栅(反向交错)TFT和像素电极在衬底310之上形成。
接下来，形成校正层324a以覆盖像素电极323。校正层324a可以通过液滴喷射方法、丝网印刷或胶版印刷形成。随后研磨校正层324a的表面。
反向衬底325具有用着色层326a、光屏蔽层(黑色基质)326b和过涂布层327形成的滤色片；反向电极328用透明电极形成；以及校正层324b位于其上。在此，自液晶329滴落以后，使用具有封闭图案(未示出)的密封剂。另外，粘贴TFT衬底和反向衬底之后，可以使用具有开口的密封图案，应用浸渍涂布(泵起方法)，使液晶329通过浸渍涂布由于毛细现象注入。
接下来，液晶329在减压下滴落以防止气泡进入，以及TFT衬底和反向衬底粘贴在一起。液晶329在封闭的密封图案中滴落一次或几次。扭转向列型(TN)模式主要用作液晶的校准模式。在该模式中，液晶分子的校准方向根据从其入口到出口的光偏振扭转90°。在制造TN液晶显示装置的情况下，校准层在两个衬底上形成；衬底被粘贴在一起，以便使衬底的研磨方向相互垂直。
一对衬底之间的间隙可以通过喷涂球形隔离物、形成由树脂形成的圆柱形隔离物或者将填料混入密封剂加以保持。圆柱形隔离物由含有选自丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺酰胺和环氧树脂的至少一种材料作为主要组分的有机树脂材料；二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的任一种材料；或由许多这些材料组成的无机材料形成。
接下来，分割不必要的衬底。在从一个衬底得到多个板的情况下，分离各板。在从一个衬底得到一个板的情况下，通过粘贴预先切割的反向衬底，可以省略分离步骤。
通过已知方法将FPC 346连接到TFT衬底，其间具有各向异性导电层345。经由以上步骤完成液晶模块(图3D)。另外，根据需要提供光学薄膜。在透射液晶显示装置的情况下，偏振器被分别粘贴到有源矩阵衬底和反向衬底。
如上所述，根据该实施方案模式，通过使用液态排斥性的突出物(支柱)343省略使用光掩模的光线曝光；因此该方法可以简化以及制造时间可以降低。即使使用五代之后的玻璃衬底，也可以容易地制造液晶显示装置，通过使用液滴喷射方法在衬底上直接形成各种图案，其一边超过1000mm。
在该实施方案模式中，不进行其中使用光掩模的光线曝光方法的方法；但是，一部分图案可以通过使用光掩模的光线曝光完成。
具有以上结构的本发明将使用以下实施方案详细记述。
实施方案1
该实施方案中将显示使用通道蚀刻TFT制造有源矩阵液晶显示装置的实施例。图4A到4E显示制造步骤的剖面图。
首先，根据实施方案模式1中显示的步骤，在衬底410之上形成基础薄膜411、金属布线412、延伸到未端区域的布线440。另外，在其上形成栅极绝缘薄膜413。
以层状形成半导体薄膜414a和n型半导体薄膜417。半导体薄膜414a用非晶半导体薄膜或半非晶半导体薄膜形成，其使用由硅烷和锗代表的半导体材料气体通过汽相生长或溅射形成。作为非晶半导体薄膜，非晶硅薄膜通过使用SiH4或SiH4和H2的气体混合物的PCVD获得。另外，作为半非晶半导体薄膜，半导体薄膜通过使用其中SiH4在H2稀释1:3到1:1000的气体混合物、其中Si2H6用GeF4以20:0.9到40:0.9(Si2H6:GeF4)的气体流速稀释的气体混合物或者SiH4和H2的气体混合物的PCVD获得。应指出，优选使用半非晶硅薄膜，因为从基础可以赋予界面结晶度。n型半导体薄膜417可以用通过使用硅烷气体和磷化氢气体的PCVD形成的非晶半导体薄膜或半非晶半导体薄膜形成。应指出，可以不暴露于空气而连续形成栅极绝缘薄膜413、半导体薄膜414a和n型半导体薄膜417。通过PCVD由于避免暴露于空气可以防止杂质侵入。
随后，使半导体层形成图案的掩模415通过液滴喷射方法形成(图4A)。例如环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰胺树脂或聚氨酯树脂的树脂材料用作掩模415。在使用任何一种材料中，通过稀释溶剂浓度或添加表面活性剂等适当控制表面张力和粘度。
接下来，除了用掩模415和n型半导体薄膜417覆盖的区域之外，用干蚀刻或湿蚀刻除去半导体薄膜414a，使得形成将成为活性层的半导体层。
为了得到良好的覆盖度，通过液滴喷射方法形成由绝缘材料形成的层或覆盖半导体层边缘的导电性材料416。
通过液滴喷射方法有选择地喷射含有导电性材料(例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝))的组合物形成源极布线和漏极布线418a和418b。
接下来，通过液滴喷射方法形成用于除去一部分半导体层的掩模，所述一部分半导体层与用作其间具有栅极绝缘薄膜413的栅极的金属布线412相重合。n型半导体薄膜419a和419b通过与半导体层414b同时蚀刻形成，所述半导体层414b的一部分已经与用作栅极的金属布线412相重合并且被除去。因此，完成通道蚀刻TFT430。
接下来，除了末端区域之外的区域通过使用阴影掩模用例如抗蚀剂的树脂覆盖。在未端区域中，通过使用连接布线441作为掩模蚀刻栅极绝缘薄膜413，使布线440的一部分暴露(图4B)。由丝网印刷形成的抗蚀剂掩模可以用作代替阴影掩模的蚀刻掩模。
其余步骤可以以与实施方案模式1相似的方式进行。该实施方案具有与实施方案模式1相同的结构，只是除TFT结构之外。
另外，形成连接延伸到末端区域的布线440和连接布线441的导体442。导体442可以通过印刷或通过液滴喷射方法形成。
由导电性材料形成的突出物(支柱)420在源极或漏极布线排流线418a的一部分之上形成。突出物(支柱)443也以类似方式在连接布线连接线441之上形成。
平坦的中间层绝缘薄膜421通过涂布形成(图4C)。中间层绝缘薄膜421可以用例如由汽相生长方法或溅射，代替涂布形成的二氧化硅薄膜的无机绝缘薄膜形成。另外，通过PCVD或溅射形成氮化硅薄膜作为保护薄膜之后，中间层绝缘薄膜421可以通过涂布形成。
中间层绝缘薄膜421可以通过液滴喷射方法形成。另外，中间层绝缘薄膜421可以在最终烘焙突出物(支柱)420和443之前通过液滴喷射方法形成；因此其最终烘焙同时进行。
通过蚀刻整个表面的背材除去在突出物(支柱)420和443之上一部分中间层绝缘薄膜，结果突出物(支柱)420和443暴露。另外，中间层绝缘薄膜可以通过化学机械抛光(CMP)以及其后蚀刻整个表面的背材加以研磨；因此突出物(支柱)420和443可被曝光。
形成像素电极423，与变平坦的中间层绝缘薄膜422上的突出物(支柱)420连接。类似地，形成与突出物(支柱)443连接的末端电极444。在制造透射液晶显示装置板的情况下，由含有氧化铟锡(ITO)、含有二氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等的组合物形成的图案可以通过液滴喷射方法或丝网印刷形成，以及烘焙形成像素电极423和末端电极444。在制造反射液晶显示装置板的情况下，像素电极423和末端电极444可以由主要含有例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝)的金属颗粒的组合物通过液滴喷射方法形成。
通过以上步骤，完成用于液晶显示装置板的TFT衬底，其中底部栅(反向交错)TFT和像素电极在衬底410之上形成。
接下来，形成校正层424a以覆盖像素电极423。校正层424a可以通过液滴喷射方法、丝网印刷或胶版印刷形成。随后研磨校正层424a的表面。
反向衬底425具有用着色层426a、光屏蔽层(黑色基质)426b和过涂布层427形成的滤色片；反向电极428用透明电极形成；以及校正层424b位于其上。在该实施方案中，自液晶429滴落以后，使用具有封闭图案(未示出)的密封剂。另外，粘贴TFT衬底和反向衬底之后，可以使用具有开口的密封图案，应用浸渍涂布(泵起方法)，使液晶429通过浸渍涂布由于毛细现象注入。
接下来，液晶429在减压下滴落，以防止气泡进入，以及TFT衬底和反向衬底粘贴在一起。液晶在封闭的密封图案中滴落一次或几次。
一对衬底之间的间隙可以通过喷涂球形隔离物、形成由树脂形成的圆柱形隔离物或者将填料混入密封剂加以保持。
接下来，分割不必要的衬底。在从一个衬底得到多个板的情况下，分离各板。在从一个衬底得到一个板的情况下，通过粘贴预先切割的反向衬底，可以省略分离步骤。
通过已知方法将FPC 446连接到TFT衬底，其间具有各向异性导电层445。经由以上步骤完成液晶模块(图4E)。另外，根据需要提供光学薄膜。在透射液晶显示装置的情况下，偏振器被分别粘贴到有源矩阵衬底和反向衬底。
在该实施方案模式中，不进行其中使用光掩模的光线曝光方法的方法；但是，一部分图案可以通过使用光掩模的光线曝光完成。例如，如果光掩模用于除去一部分半导体薄膜的形成图案步骤，通过其确定通道区尺寸，那么可以精细地确定该尺寸。
该实施方案可以随意地与实施方案模式1结合。
实施方案2
该实施方案中将显示使用通道蚀刻TFT制造有源矩阵液晶显示装置的实施例。图5显示一种液晶显示装置的剖视图。
因为该实施方案与实施方案模式2相似，除了实施方案模式2中的TFT具有通道停止结构。因此，这里将仅给出简单的解释。
另外，通过实施方案1的步骤可以形成通道蚀刻TFT530。该实施方案包括与实施方案1相似的步骤，除一部分漏极布线的图案用作像素电极(反射电极)之外。
中间层绝缘薄膜521通过如实施方案模式2中的液滴喷射方法有选择地形成。在像素区域中形成中间层绝缘薄膜，以便覆盖除了随后将为像素电极的部分之外的区域。液滴喷射和烘焙可以重复两次或更多次，以使中间层绝缘薄膜足够厚。在未端区域中提供中间层绝缘薄膜221，使得不覆盖随后将为未端电极的部分。因此，在其中完成连接或不需要绝缘薄膜的地区中不提供中间层绝缘薄膜。因此，形成接触孔是多余的。
接下来，与连接布线541连接的未端电极544通过液滴喷射方法或印刷形成。
通过以上步骤，完成用于反射液晶显示装置板的TFT衬底，其中底部栅(反向交错)TFT和像素电极在衬底510之上形成。
因为后续步骤与实施方案模式2相同，所以将仅给出简略说明。形成校正层524a以覆盖像素电极。随后研磨校正层526a的表面。反向衬底525具有用着色层526a、光屏蔽层526b和过涂布层527形成的滤色片；反向电极528用透明电极形成，以及校正层524b位于其上。通过液滴喷射方法形成具有封闭图案的密封剂(未示出)，以便包围与像素区域重叠的部分。接下来，液晶529在减压下滴落，以防止气泡进入，以及TFT衬底和反向衬底粘贴在一起。随后，分离衬底的多余部分。另外，通过已知方法在其间用各向异性导电层545粘贴FPC 546。经由以上步骤可以完成反射液晶模块(图5)。
如上所述，根据该实施方案模式，通过液滴喷射方法有选择地形成中间层绝缘薄膜省略使用光掩模的光线曝光；因此该方法可以简化以及制造时间可以降低。
在该实施方案中，一部分漏极布线图案用作像素电极；因此不要求完成漏极布线和像素电极之间的连接，这使方法简单化。
在该实施方案模式中，不进行其中使用光掩模的光线曝光方法的方法；但是，一部分图案可以通过使用光掩模的光线曝光完成。例如，如果光掩模用于除去一部分半导体薄膜的形成图案步骤，通过其确定通道区尺寸，那么可以精细地确定该尺寸。
该实施方案可以被随意地与实施方案模式1、实施方案模式2或实施方案1结合。
实施方案3
该实施方案中将显示使用通道蚀刻TFT制造有源矩阵液晶显示装置的实施例。图6显示一种根据该实施方案的液晶显示装置的剖视图。
因为该实施方案与实施方案模式3相似，除了实施方案模式3中的TFT具有通道停止结构。因此，这里将仅给出简单的解释。
另外，通过实施方案1的步骤可以在该实施方案中形成通道蚀刻TFT 630。
直到根据实施方案1已经完成形成源极或漏极布线的步骤之后，通过如实施方案模式3中的液滴喷射方法在一部分源极或漏极布线之上形成由液态排斥性(疏水、抗油)材料形成的突出物(支柱)。
接下来，形成平坦中间层绝缘薄膜622。平坦薄膜可以通过使用涂布方法得到。另外，中间层绝缘薄膜622可以通过液滴喷射方法形成，以及表面上的微小不规则可以用气刀平面化。如实施方案模式3中形成中间层绝缘薄膜，使得在对用于形成中间层绝缘薄膜的溶液排斥的突出物上不形成中间层绝缘薄膜。接下来，通过仅除去突出物形成接触孔。另外，形成与漏极布线连接的像素电极623。类似地，形成与连接布线641连接的未端电极644。
在制造透射液晶显示装置板的情况下，由含有氧化铟锡(ITO)、含有二氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等的组合物形成的图案可以通过液滴喷射方法形成，以及烘焙形成像素电极623和末端电极644。
在制造反射液晶显示装置板的情况下，像素电极623和末端电极644可以由主要含有例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝)的金属颗粒的组合物形成。作为另一种方法，透明导电薄膜或反光导电薄膜通过溅射形成，掩模图案通过液滴喷射方法形成；因此，像素电极可以通过组合蚀刻形成。
通过以上步骤，完成用于反射液晶显示装置板的TFT衬底，其中底部栅(反向交错)TFT 630和像素电极623在衬底610之上形成。
因为后续步骤与实施方案模式3相同，所以将仅给出简略说明。形成校正层624a以覆盖像素电极。随后研磨校正层626a的表面。反向衬底625具有用着色层626a、光屏蔽层626b和过涂布层627形成的滤色片；反向电极628用透明电极形成，以及校正层624b位于其上。通过液滴喷射方法形成具有封闭图案的密封剂(未示出)，以便包围与像素区域重叠的部分。接下来，液晶629在减压下滴落，以防止气泡进入，以及TFT村底和反向衬底粘贴在一起。随后，分离衬底的多余部分。另外，通过已知方法在其间用各向异性导电层645粘贴FPC 646。经由以上步骤可以完成液晶模块(图6)。
如上所述，根据该实施方案模式，通过使用液态排斥性的突出物(支柱)省略使用光掩模的光线曝光；因此该方法可以简化以及制造时间可以降低。
在该实施方案模式中，不进行其中使用光掩模的光线曝光方法的方法；但是，一部分图案可以通过使用光掩模的光线曝光完成。例如，如果光掩模用于除去一部分半导体薄膜的形成图案步骤，通过其确定通道区尺寸，那么可以精细地确定该尺寸。
该实施方案可以被随意地与实施方案模式1、实施方案模式3或实施方案1结合。
实施方案4
在该实施方案中，一种制造有源矩阵液晶显示装置的方法使用通过液滴喷射方法制造的交错TFT作为开关元件。图7显示一种根据该实施方案的液晶显示装置的剖面结构。
首先，在衬底710之上形成基础薄膜711，用来改进与随后将通过液滴喷射方法形成的材料层的粘合性。基础薄膜711可以薄地形成；因此其可以被认为是基础预处理。光催化剂(二氧化钛(TiO2)、钛酸锶(SrTiO3)、硒化镉(CdSe)、钽酸钾(KTaO3)、硫化镉(CdS)、氧化锆(ZrO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化铁(Fe2O3)、氧化钨(WO3))可以用喷涂施加；另外，有机材料(聚酰亚胺、丙烯酰类或具有包括硅(Si)和氧(O)键的骨架结构，含有氢、氟、烷基和芳烃的至少一种作为取代基的材料)可通过喷墨法或溶胶凝胶法有选择地施加。
源极布线和漏极布线718a和718b通过液滴喷射方法在基础薄膜711之上形成。另外，在未端区域中形成未端电极。作为形成那些层的材料，可以使用主要含有例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、钯(Pd)、钨(W)、镍(Ni)、钽(Ta)、铋(Bi)、铅(Pb)、铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、钛(Ti)或铝(Al)的金属颗粒的组合物。特别地，源极布线和漏极布线优选是低电阻的。因此，优选使用其中金、银或铜的任何一种溶解在或分散在溶剂中的材料，以及考虑到电阻率值，更优选使用具有低电阻的银或铜。但是，在使用银或铜的情况下，可以另外提供阻挡薄膜用于杂质测量。溶剂对应地有例如乙酸丁酯的酯类、例如异丙醇的醇类、例如丙酮的有机溶剂等。通过调节溶剂密度和添加表面活性剂等适当调节表面张力和粘度。另外，基础层可以如实施方案模式1中形成。
随后，在整个表面之上形成n型半导体层之后，通过蚀刻除去源极布线和漏极布线718a和718b之间的一部分n型半导体层。
接下来，在整个表面之上形成半导体薄膜。半导体薄膜用非晶半导体薄膜或半非晶半导体薄膜形成，其使用由硅烷和锗代表的半导体材料气体通过汽相生长或溅射形成。
接下来，通过液滴喷射方法形成掩模，以及使半导体薄膜和n型半导体层形成图案；由此形成图7中所示的半导体层714和n型半导体层719a和719b。形成半导体层714，以便覆盖源极布线和漏极布线718a和718b。n型半导体层719a和719b插入源极布线和漏极布线718a和718b之间。
具有单层或分层结构的栅极绝缘薄膜通过等离子体CVD或溅射形成。作为特别优选的形式，栅极绝缘薄膜可以形成具有由氮化硅形成的绝缘层、由二氧化硅形成的绝缘层和由氮化硅形成的绝缘层的三层堆叠体。
接下来，掩模通过液滴喷射方法形成，由此使栅极绝缘薄膜713形成图案。
接下来，通过液滴喷射方法形成栅极布线712。作为用于形成栅极布线712的导电性材料，可以使用主要含有例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝)的金属颗粒的组合物。形成延伸到未端区域的栅极布线712，以便与未端区域中的对应未端电极740连接。
由导电性材料形成的突出物(支柱)720在源极布线和漏极布线718a和718b的一部分之上形成。通过反复喷射和烘焙含有导电性材料(例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝))的组合物形成堆叠体，结果形成突出物(支柱)720。突出物(支柱)743也以类似方式在未端电极740之上形成。
平坦的中间层绝缘薄膜通过涂布形成。中间层绝缘薄膜可以用例如由汽相生长方法或溅射，代替涂布形成的二氧化硅薄膜的无机绝缘薄膜形成。另外，通过PCVD或溅射形成氮化硅薄膜作为保护薄膜之后，中间层绝缘薄膜可以通过涂布形成。
另外，中间层绝缘薄膜可以在最终烘焙突出物(支柱)720和743之前通过液滴喷射方法形成；因此其最终烘焙同时进行。
通过蚀刻整个表面的背材除去在突出物(支柱)720和743之上的一部分中间层绝缘薄膜，结果突出物(支柱)720和743曝光。另外，中间层绝缘薄膜可以通过化学机械抛光(CMP)以及其后蚀刻整个表面的背材加以研磨；因此突出物(支柱)720和743可被曝光。
与突出物(支柱)720接触的像素电极723在中间层绝缘薄膜722之上形成。与突出物(支柱)743接触的末端电极744类似地形成。
通过以上步骤，完成用于液晶显示装置板的TFT衬底，其中底部栅(反向交错)TFT713和像素电极723在衬底710之上形成。
因为后续步骤与实施方案模式1相同，所以将仅给出简略说明。形成校正层724a以覆盖像素电极723。随后研磨校正层726a的表面。反向衬底725具有用着色层726a、光屏蔽层726b和过涂布层727形成的滤色片；反向电极728用透明电极形成，以及校正层724b位于其上。通过液滴喷射方法形成具有封闭图案的密封剂(未示出)，以便包围与像素区域重叠的部分。接下来，液晶729在减压下滴落，以防止气泡进入，以及TFT衬底和反向衬底粘贴在一起。随后，分离衬底的多余部分。另外，通过已知方法在其间用各向异性导电层745将FPC 746粘贴到未端电极744。经由以上步骤可以完成反射液晶模块(图7)。
在该实施方案模式中，不进行其中使用光掩模的光线曝光方法的方法；但是，一部分图案可以通过使用光掩模的光线曝光完成。
另外，该实施方案可以随意地与实施方案模式1结合。
实施方案5
该实施方案中将显示使用通道停止TFT制造有源矩阵液晶显示装置的实施例。图8显示一种根据该实施方案的液晶显示装置的剖面图。
因为该实施方案与实施方案模式2相似，除了实施方案模式2中的TFT具有通道停止结构。因此，这里将仅给出简单的解释。
另外，通过实施方案4的步骤可以形成反向TFT 830。该实施方案包括与实施方案4相似的步骤，除一部分漏极布线的图案用作像素电极(反射电极)之外。
接下来，中间层绝缘薄膜821通过如实施方案模式2中的液滴喷射方法有选择地形成。在像素区域中形成中间层绝缘薄膜，以便覆盖除了随后将为像素电极的部分之外的区域。液滴喷射和烘焙可以重复两次或更多次，以使中间层绝缘薄膜足够厚。在未端区域中提供中间层绝缘薄膜821，使得不覆盖随后将为未端电极的部分。因此，在其中完成连接或不需要绝缘薄膜的地区中不提供中间层绝缘薄膜。因此，形成接触孔是多余的。
接下来，与连接布线840连接的未端电极844通过液滴喷射方法或印刷形成。
通过以上步骤，完成用于反射液晶显示装置板的TFT衬底，其中顶部栅(交错)TFT和像素电极在衬底810之上形成。
因为后续步骤与实施方案模式2相同，所以将仅给出简略说明。形成校正层824a以覆盖像素电极。随后研磨校正层826a的表面。反向衬底825具有用着色层826a、光屏蔽层826b和过涂布层827形成的滤色片，反向电极828用透明电极形成，以及校正层824b位于其上。通过液滴喷射方法形成具有封闭图案的密封剂(未示出)，以便包围与像素区域重叠的部分。接下来，液晶829在减压下滴落，以防止气泡进入，以及TFT衬底和反向衬底粘贴在一起。随后，分离衬底的多余部分。另外，通过已知方法在其间用各向异性导电层845粘贴FPC 846。经由以上步骤可以完成反射液晶模块(图8)。
如上所述，根据该实施方案模式，通过液滴喷射方法有选择地形成中间层绝缘薄膜省略使用光掩模的光线曝光；因此该方法可以简化以及制造时间可以降低。
在该实施方案中，一部分漏极布线图案用作像素电极；因此不要求完成漏极布线和像素电极之间的连接，这使方法简单化。
该实施方案可以被随意地与实施方案模式1、实施方案模式2或实施方案4结合。
实施方案6
该实施方案中将显示使用交错TFT制造有源矩阵液晶显示装置的实施例。图9显示一种根据该实施方案的液晶显示装置的剖面图。
因为该实施方案与实施方案模式3相似，除了实施方案模式3中的TFT具有通道停止结构。因此，这里将仅给出简单的解释。
另外，通过实施方案4的步骤可以在该实施方案中形成通道蚀刻TFT 930。
直到根据实施方案4已经完成形成栅极布线的步骤之后，通过如实施方案模式3中的液滴喷射方法在一部分源极布线或漏极布线之上形成由液态排斥性(疏水、抗油)材料形成的突出物(支柱)。
接下来，形成平坦中间层绝缘薄膜922。平坦薄膜可以通过使用涂布方法得到。另外，中间层绝缘薄膜622可以通过液滴喷射方法形成，以及表面上的微小不规则可以用气刀平面化。如实施方案模式3中形成中间层绝缘薄膜，使得在对用于形成中间层绝缘薄膜的溶液排斥的突出物上不形成中间层绝缘薄膜。接下来，通过仅除去突出物形成接触孔。另外，形成与漏极布线连接的像素电极923。类似地，形成与连接布线940连接的未端电极944。
在制造透射液晶显示装置板的情况下，由含有氧化铟锡(ITO)、含有二氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等的组合物形成的图案可以通过液滴喷射方法形成，以及烘焙形成像素电极923和末端电极944。
在制造反射液晶显示装置板的情况下，像素电极923和末端电极944可以由主要含有例如Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或Al(铝)的金属颗粒的组合物形成。作为另一种方法，透明导电薄膜或反光导电薄膜通过溅射形成，掩模图案通过液滴喷射方法形成；因此，像素电极可以通过组合蚀刻形成。
通过以上步骤，完成用于液晶显示装置板的TFT衬底，其中顶部栅(交错)TFT 930和像素电极923在衬底910之上形成。
因为后续步骤与实施方案模式3相同，所以将仅给出简略说明。形成校正层924a以覆盖像素电极。随后研磨校正层926a的表面。反向衬底925具有用着色层926a、光屏蔽层926b和过涂布层927形成的滤色片，反向电极928用透明电极形成，以及校正层924b位于其上。通过液滴喷射方法形成具有封闭图案的密封剂(未示出)，以便包围与像素区域重叠的部分。接下来，液晶929在减压下滴落，以防止气泡进入，以及TFT衬底和反向衬底粘贴在一起。随后，分离衬底的多余部分。另外，通过已知方法在其间用各向异性导电层945粘贴FPC 946。经由以上步骤可以完成液晶模块(图9)。
如上所述，根据该实施方案模式，通过使用液态排斥性突出物(支柱)省略使用光掩模的光线曝光；因此该方法可以简化以及制造时间可以降低。
在该实施方案模式中，不进行其中使用光掩模的光线曝光方法的方法；但是，一部分图案可以通过使用光掩模的光线曝光完成。
该实施方案可以被随意地与实施方案模式1、实施方案模式3或实施方案模式4结合。
实施方案7
在该实施方案中，实施例为通过液滴喷射方法完成液晶施加。在该实施方案中，图11A到11D显示从一个大面积衬底110得到四个板的实施例。
图11A显示通过喷墨法形成的液晶层的剖面图。从喷墨系统116的喷嘴118喷射、喷洒或滴落液晶材料114，以便覆盖用密封剂112包围的像素区域111。喷墨系统116移动到图11A中箭头的方向。应指出，在此移动喷嘴118；但是，可以通过移动村底，同时固定喷嘴形成液晶层。
图11B显示远景图。液晶材料114仅在用密封剂112包围的区域之上有选择地喷射、喷洒或滴落，以及目的表面115相应地移动到喷嘴扫描方向113。
图11C和11D显示图11A中用虚线包围的区域119的放大横截面。当液晶材料114具有高粘度时，其以其中液晶材料的每个液滴彼此相接的方式连续喷射和施涂。另一方面，当液晶材料114的粘度具有低粘度时，如图11D所示，其断续喷射以及滴落液滴。
图11C中，标记数字120表示反向交错TFT，以及标记数字121表示像素电极。像素区域111由在基质中排列的像素电极；连接到该像素电极的开关元件，在此使用反向交错TFT；以及存储电容器(未说明)形成。
以下将参考图12A到12D描述制造面板的工艺流程。
首先，制备第一衬底1035，其中像素区域1034在其绝缘表面之上形成。用以下步骤预处理第一衬底1035：形式校准层、研磨、分散球形隔离物、形成圆柱形隔离物、形成滤色片等。随后，如图12A所示，在惰性气氛中或在减压下，在第一衬底1035之上用分配器或喷墨系统在预定位置形成密封剂1032(包围像素区域1034的图案)。粘度为40Pa·s到400Pa·s的含填料(6μm到24μm直径)的材料用作半透明的密封剂1032。应指出，优选的是选择在要与之连接的液晶1033中不溶的密封剂。光固化丙烯酸树脂或热固性丙烯酸树脂可以用作密封剂1032。另外，由于其简单的密封图案，密封剂1032可以用印刷形成。
随后，液晶1033通过喷墨法施加于由密封剂包围的区域。具有可以通过喷墨法喷射的粘度的已知液晶材料可以用作液晶1033。另外，因为液晶材料的粘度可以通过调节温度控制，所以合适的是通过喷墨法施加液晶。液晶1033的所需量可以储存在由密封剂1032包围的区域中而没有损失。
具有像素区域1034的第一衬底1035和具有反向电极和校准层的第二衬底1031在减压下粘贴在一起，没有气泡混入(图12C)。密封剂1032在此通过热处理或施加紫外线固化，同时衬底粘贴在一起。应指出，除紫外线照射之外，可以进行热处理。
图13A和13B显示在粘贴衬底同时或之后，能够进行紫外线照射或热处理的粘贴设备的实例。
在图13A和13B中，标记数字1041表示第一衬底座，标记数字1042表示第二衬底座，标记数字1044表示窗口，标记数字1048表示下侧测量片，以及标记数字1049表示光源。应指出，图12A到12D中相同的标记数字用于图13A和13B中的对应部分。
底部下侧测量片1048包括固化密封剂的加热器。第二衬底座1042具有窗口1044，使得来自光源1049的紫外线等可以穿过其传播。虽然在此没有说明，通过窗口1044完成第一衬底位置的校准。将为反向衬底的第二衬底1031被隔断成所需尺寸，以及用真空吸盘等固定于第二衬底座1042。图13A显示粘贴之前的状态。
粘贴时，在放下第一和第二衬底座1041和1042之后，第一衬底1035和第二衬底1031粘贴在一起，以及紫外线被用于固化处于其中衬底粘贴在一起的不变状态的密封剂。粘贴之后的状态示于图13B中。
接下来，使用切割机，例如划线器、破碎机或圆锯切割第一衬底1035(图12D)。由此，可以用一个衬底制造四个面板。另外，通过已知方法粘贴FPC。
应指出，第一衬底1035和第二衬底可以由玻璃衬底、石英衬底或塑料衬底形成。
图14A中显示通过以上步骤得到的液晶模块的俯视图。图14B中显示另一个液晶模块的俯视图。
其中活性层含有非晶半导体薄膜的TFT具有大约1cm2/Vsec的低场效应迁移率。因此，用于显示图像的驱动电路用IC芯片形成，以及装配在TAB(胶带自动粘结)或COG(玻璃上芯片)中。
图14A中，标记数字1101表示有源矩阵衬底，标记数字1106表示反向衬底，标记数字704表示像素区域，以及标记数字1105表示FPC。应指出，液晶通过喷墨法在减压下喷射，一对衬底1101和1106用密封剂1107粘贴在一起。
在其中使用包括用半非晶硅薄膜形成的活性层的TFT的情况下，一部分驱动电路可以用TFT形成，由此制造图11B中所示的液晶模块。应指出，不用TFT形成的驱动电路包括IC芯片(未示出)，所述TFT包括用半非晶硅薄膜形成的活性层。
图14B中，标记数字1111表示有源矩阵衬底，标记数字1116表示反向衬底，标记数字1112表示源极信号线驱动电路，标记数字1113表示栅信号线驱动电路，标记数字1114表示像素区域，标记数字1117表示第一密封材料，以及标记数字1115表示FPC。应指出，液晶通过喷墨法在减压下喷射，以及一对衬底1111和1116用第一密封材料1117和第二密封材料粘贴在一起。因为在驱动电路1112和1113中液晶不是必需的，所以液晶仅保持在像素1114中。提供第二密封材料1118以增强整个面板。
得到的液晶模块具有背光1204和光波导1205。有源矩阵液晶显示装置(透射式)通过用盖板1206覆盖液晶模块完成。图6中显示其一部分剖面图。应指出，盖板和液晶模块用粘合剂或有机树脂固定。偏振片1203粘贴到每个有源矩阵衬底和反向衬底，自此该液晶显示装置为透射式。
图15中，标记数字1200表示衬底，1201表示像素电极，1202表示圆柱形隔离物，1207表示密封剂，1220表示具有对应于每个像素的着色层和光屏薄膜的滤色片，1221表示反向电极，1222和1223表示校准层，1224表示液晶层，以及1219表示保护薄膜。
该实施方案可以随意地与实施方案模式1到3以及实施方案1到6的任何一个结合。
实施方案8
在该实施方案中，在图16A到16C中显示用于液滴喷射的系统的实例。图16A为俯视图。图16B显示沿着图16A中的A-A′的剖视图。图16C显示沿着图16A中的B-B′的剖视图。
图16A中，标记数字1601表示衬底，在其上形成薄膜晶体管、像素电极等。该衬底1601固定到衬底段(未示出)。在传送衬底中，衬底沿着箭头方向移动。
液滴喷射系统的机头1603在衬底1601表面上方移动，并喷射含有组合物(形成金属布线或绝缘层的材料)的溶液。衬底通过移动机头1603相对扫描。机头1603吸入容器1605中的溶液以避免阻塞。扫描之前，液滴尺寸等通过在测试阶段1067喷射加以稳定。当得到稳定的液滴时，机头移动到要喷射的衬底之上。
另外，机头1603可以是固定的，以及衬底1601可以移动用于扫描。蒸发(烘焙)喷射的组合物1604和1606的溶剂，形成所需图案(金属布线、绝缘层、掩模等)。
在此，通过简单扫描平行的两个机头1603一次涂布整个表面。但是，机头1603可以往复多于一次，以反复涂布。
另外，在此显示提供含有溶液的容器1605以及测试阶段1607的实例；但是液滴可以排入容器1605直到液滴稳定，而不使用测试阶段1607。
图17显示液滴喷射系统的喷嘴和控制系统的实例。
液滴喷射装置1403的每个机头1405a和1405b连接到控制装置1407，以及机头通过计算机1410控制；由此可以施加预编程图案。图案可以根据在衬底1400上形成的标记1411施加。另外，衬底1400的边缘可以是基线。这种基线通过成像装置1409，例如CCD探测，以及信息通过图像处理装置1409转换成数字信号。转换的数字信号通过计算机识别，以及产生控制信号并发送到控制装置1407。要在衬底1400上形成的图案信息存储在存储介质1408中，控制信号根据信息发送到控制装置1407。由此，液滴喷射装置1403的每个机头1405a和1405b被分别控制。
图17显示其中在垂直于扫描方向的两个管线中排列的机头1405a和1405b的实例。同时，图18显示其中机头在垂直于扫描方向的三个管线中排列，以便处理大衬底的实例。
图18中，标记数字1500表示大衬底，1504表示成像装置，1507表示工作台，1511表示标记，以及1503表示其中要形成面板的区域。材料层的图案通过具有与面板相同宽度的交错或往复机头1505a、1505b和1505c形成。
图18中，在垂直于扫描方向的三个管线中排列的机头1505a、1505b和1505c可以喷射各自材料层的不同材料，或者可以喷射一种材料。当一种材料从三个机头喷射形成要具有图案的中间层绝缘薄膜时，生产率改进。
关于图18中显示的系统，扫描可以通过移动衬底1500同时固定机头完成，或者通过移动机头同时固定衬底1500完成。
该实施方案可以随意地与实施方案模式1到3以及实施方案1到7的任何一个结合。
实施方案9
在该实施方案中，图19A和19B中显示形成金属布线的每种金属颗粒的实例。金属颗粒分散或溶于溶剂；由此金属布线可以通过液滴喷射方法形成。
图19A中所示的金属颗粒包括铜(Cu)组分1701和银(Ag)组分1702。铜用银涂布；由此在形成基础薄膜或进行基础预处理的情况下，可以改善粘合性。另外，铜的不规则表面可以通过用银涂布而变得光滑。
图19B中所示金属颗粒包括铜(Cu)组分1711，银(Ag)组分1712，以及其间提供NiB作为缓冲层1713。提供缓冲层1713以便改善铜(Cu)组分和银(Ag)组分之间的粘合性。
该实施方案可以随意地与实施方案模式1到3以及实施方案1到8的任何一个结合。
实施方案10
图20中显示电镀的一种模式，以及将描述由大母体玻璃衬底得到四个面板的情况。
如图20A所示，例如通过喷墨法以与栅极1303相同的水平施涂Ag，形成用于供给电流的导电薄膜1380。导电薄膜1380可以由不同于栅极的材料形成，或者可以由要用电镀处理的Cu形成。在此，Cu可以优选应用在由Ag形成的栅极上。因此，Cu可以通过电镀均匀地形成。
如图20B所示，衬底1300固定到工作台1384，在衬底之上顺序设置施涂其中溶解金属的溶液的机头1381，洗涤其中溶解金属的溶液的机头1382，以及喷洒干燥气体的机头1383。通过如此设置多个喷嘴，可以得到连续处理以及可以改进生产率。在通过电镀施涂Cu的情况下，硫酸铜和稀硫酸的溶液可以用作其中溶解金属的溶液。氧、氮或其混合物可以用作干燥气体。另外，可以喷洒热气用于加速干燥。
在该情况下，衬底1300沿着箭头方向移动，以及电镀可以在大母体玻璃衬底上进行。衬底1300和机头1381、1382和1383可以相对移动。
在通过电镀施加Cu的情况下，提供Cu使得通过电镀涂布银。因为银是昂贵材料，所以通过如此进行镀铜可以降低生产成本。另外，在制造大液晶面板的情况下，通过如此进行镀铜可以降低导线电阻。
在进行镀铜的情况下，镀铜布线优选用作为阻挡层的氮化硅或NiB涂布。
如图20C所示，衬底1300固定于工作台1384以及倾斜地排列，具有θ角度。角度θ可以为0°<θ<90°，优选，45°<θ<80°。另外，溶液可以用高压以90°<θ<120°的角度从机头1381喷洒。类似地，洗液从机头1382喷洒，气体用高压从机头1383喷洒。在这种情况下，溶液滴液不在衬底1300上流动；因此可以避免溶液的不规则。因为衬底如上倾斜设置，所以即使母体玻璃衬底较大，也可以防止电镀装置较大。
另外，工作台1384包括导体和绝缘体1385。导体之一用作阳极，其它用作阴极。电镀可以通过向它们流通电流进行。工作台1384可以分别具有导体和绝缘体。
镀线具有连续图案；但是优选除去图案的多余部分。例如，图案被切割成每个面板中的隔开的衬底中的各个布线。
电镀可以通过将衬底1300浸入其中溶解金属的溶液中进行。
另外，导电薄膜1302可以通过化学镀围绕栅极形成，所述化学镀由于溶液中金属离子还原而不需要电流。在这种情况下，用于电流流通的导电薄膜1380是多余的。
该实施方案可以随意地与实施方案模式1、实施方案模式2、实施方案模式3或实施方案1至9的任何一个结合。
实施方案11
本发明的液晶显示装置和电子设备包括摄像机、数字照相机、眼罩式显示器(头戴式显示器)、导航系统、音频再现设备(汽车音频、音频部件等)、膝上电脑、游戏机、便携式信息终端(便携式电脑、移动电话、便携式游戏机、电子图书等)、图像再现设备(特别是能够产生记录介质，例如数字多用途磁盘(DVD)以及具有可以显示图像的显示器的设备)等。特别地，优选的是将本发明应用于具有大屏幕的大型电视等。电子设备的特殊实例示于图21A到21C。
图21A为具有22英寸到50英寸大屏幕的大型显示器，包括底板2001、载体2002、显示区域2003和视频输入终端2005。该显示器包括用于个人电脑、TV广播接收等显示信息的一切显示器。即使当使用具有超过1000mm侧边的五代之后的大衬底时，也可以得到相对便宜的大面积显示器。
图21B为笔记本式个人计算机，包括主体2201、底板2202、显示区域2203、键盘2204、外接端口2205、触点鼠标2206等。根据本发明可以得到相对便宜的笔记本式个人计算机。
图21C为具有记录介质(具体地DVD播放器)的便携式图像再现设备，包括主体2401、底板2402、显示区域A2403、显示区域B2404、记录介质(DVD播放器等)读取部分2405、操作键2406、扬声器部分2407等。显示区域A2403主要显示图象信息，而显示区域B2404主要显示文字信息。具有记录介质的图像再现设备包括家庭录象游戏机等。根据本发明可以得到相对便宜的图像再现设备。
如上所述，根据本发明制造的液晶显示装置可以用于任一种电子设备的显示区域。使用根据实施方案模式1至3和实施方案1至8任何一个的结构制造的任一种液晶显示装置可以用于该实施方案的电子设备。
该实施方案可以随意地与实施方案模式1、实施方案模式2、实施方案模式3或实施方案1至10的任何一个结合。
因为通过液滴喷射方法进行多个主要步骤；因此，制造装置的生产成本可以降低。
根据本发明，材料层可以不使用光掩模而形成图案；因此材料效率可以改进。另外，制造工艺可以通过省略制造液晶显示装置中的曝光和显影步骤得到简化。更进一步，即使当使用一个侧边超过1000mm的五代之后的玻璃衬底时，也可以轻易地制造液晶显示装置。

Claims (11)

1.一种液晶显示装置，包括：
薄膜晶体管，包括通过液滴喷射方法形成的栅极；
在薄膜晶体管的漏极之上通过液滴喷射方法形成的圆柱形导电薄膜；和
连接到圆柱形导电薄膜的像素电极，
其中所述圆柱形导电薄膜具有堆叠体的结构。
2.根据权利要求1的液晶显示装置，其中栅极在预处理的区域之上形成。
3.根据权利要求2的液晶显示装置，其中预处理的区域使用光催化剂形成。
4.根据权利要求1的液晶显示装置，其中栅极、漏极和圆柱形导电薄膜的至少一个含有选自金、银、铜、铂、钯、钨、镍、钽、铋、铅、铟、锡、锌、钛和铝的一种。
5.根据权利要求1的液晶显示装置，其中薄膜晶体管包括非晶半导体或半非晶半导体。
6.一种电视接收机，其中电视接收机的显示屏中包括根据权利要求1的液晶显示装置。
7.一种制造液晶显示装置的方法，包括以下步骤：
通过液滴喷射方法形成栅极；
在栅极之上形成第一绝缘薄膜；
在第一绝缘薄膜之上形成半导体薄膜；
在半导体薄膜之上形成掩模；
使用掩模使半导体薄膜形成图案以形成图案化的半导体薄膜；
通过液滴喷射方法通过形成源极和漏极形成使用图案化半导体薄膜的薄膜晶体管；
在源极和漏极之一之上形成圆柱形导电薄膜；
形成覆盖圆柱形导电薄膜和薄膜晶体管的第二绝缘薄膜；和
在第二绝缘薄膜之上形成连接圆柱形导电薄膜的像素电极。
8.一种制造液晶显示装置的方法，包括以下步骤：
通过液滴喷射方法形成栅极；
在栅极之上形成第一绝缘薄膜；
在第一绝缘薄膜之上形成半导体薄膜；
在半导体薄膜之上形成掩模；
使用掩模使半导体薄膜形成图案以形成图案化的半导体薄膜；
通过液滴喷射方法通过形成源极和漏极形成使用图案化半导体薄膜的薄膜晶体管；
在源极和漏极之一之上形成圆柱形有机薄膜；
形成第二绝缘薄膜，使所述圆柱形有机薄膜顶部的表面暴露并覆盖所述薄膜晶体管；和
除去圆柱形有机薄膜；和
在第二绝缘薄膜之上形成连接源极或漏极的像素电极，
其中所述圆柱形有机薄膜对用于形成所述第二绝缘薄膜的溶液是排斥性的。
9.根据权利要求7或8的制造液晶显示装置的方法，其中该方法进一步包括将其中形成栅极的区域预处理的步骤。
10.根据权利要求9的制造液晶显示装置的方法，其中预处理步骤使用光催化剂。
11.根据权利要求8的制造液晶显示装置的方法，其中圆柱形有机薄膜通过水洗除去。
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