CN100524848C - 包括光提取改型的发光二极管及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

发光二极管包括一个有第一和第二相对面的衬底，该衬底对预定波长范围内的光辐射是透明的，并被构图以在横截面内确定从第一面向第二面伸展进入衬底的多个支座。第二面上的二极管区这样设定：当在二极管区施加电压时，发射预定波长范围内的光进入衬底。在二极管区上、与衬底相对的安装支架被配置成支持二极管区，使得当在二极管区施加电压时，从二极管区发射进入衬底的光是从第一面发出。衬底的第一面可以包括在衬底内确定多个三角形支座的多个槽。槽可以包括锥形侧壁和/或斜面的底层。衬底的第一面也可以包括通孔阵列。通孔可以包括锥形侧壁和/或底层。

Description

包括光提取改型的发光二极管及其制作方法
一些临时申请专利的交叉引用
本申请请求在2001年2月1日提出的、序列号为60/265,707的、标题为“Light Emitting Diode With Optically TransparentSilicon Carbide Substrate(有光学透明碳化硅衬底的发光二极管)”的临时申请，和在2001年7月23日提出的、序列号为60/307,235的、标题为“Light Emitting Diodes Including Modifications forLight Extraction and Manufacturing Methods Therefor(包括光提取改型的发光二极管及其制作方法)”的临时申请的利益，它们两者的内容在此作为参考完整引入，如同在此处完全陈述。
技术领域
本发明涉及微电子器件和其制作方法，更具体而言，涉及发光二极管(LED)及其制作方法。
背景技术
发光二极管广泛用于消费和商业应用。本领域的技术人员众所周知，发光二极管通常包括在微电子衬底上的二极管区。微电子衬底包括，例如，砷化镓，磷化镓和它们的合金，碳化硅和/或蓝宝石。LED的不断发展已经产生高效和机械坚固的光源，该光源能够覆盖和超出可见光范围的光谱。这些特性结合固态器件潜在的长工作寿命，可以使多种新的显示应用成为可能，也可以使LED处于与已经很好确立的白炽灯和荧光灯相竞争的位置。
LED效率的一个测量标准是每流明的成本。对LED，每流明的成本可以是每个LED芯片的制作成本、LED材料内量子效率和耦合或提取器件产生的光的能力的函数。关于光提取问题的评论，可参见1997年Academic Press(科学出版社)Stringfellow等人的标题为“HighBrightness Light Emitting Diodes(高亮度发光二极管)”的教科书，特别是Craford的标题为“Overview of Device Issues in High-Brightness Light Emitting Diodes(高亮度发光二极管的器件问题评论)”的第二章，47-63页。
光提取已经由例如与制作二极管区和衬底的材料有关的很多方法实现。例如，在砷化镓和磷化镓材料系统中，厚的p型顶侧窗口层可以用于光提取。因为在砷化镓/磷化镓材料系统中，采用液相和/或汽相外延方法，高的外延生长速率是可能的，因此可以生长p型窗口层。此外，由于p型顶侧窗口层的电导率也可以得到电流传播。有高腐蚀速率和高腐蚀选择性的化学腐蚀也可以被用于去除至少部分衬底，如果该衬底是光学吸收的话。分布式布拉格反射器(distributed Braggreflector)也已经在吸收衬底和二极管区之间生长，以对发射区和吸收区去耦合。
其它的光提取方法可以包括使二极管区和/或衬底机械成形或形成纹理。然而，仍然希望提供进一步改善提取效率的其它光提取技术。此外，也希望增加LED芯片的面积，从约0.1mm2至较大的面积，从而提供较大的LED。不幸的是，对更高的功率/强度和/或其它应用，当芯片尺寸按比例增大时，这些成形技术的有效性不再保持。
最近很多开发兴趣和商业活动已经聚焦到在碳化硅内或上制造的LED，因为这些LED能在可见光谱的蓝/绿光部分发射光。例如见，Edmond等人的、标题为“Blue Light-Emitting Diode With HighExternal Quantum Efficiency(高外量子效率的蓝光发射二极管)”的美国专利5,416,342，已转让给本申请的受让人，其内容在此作为参考完整引入，如同在此处完全陈述。对包括碳化硅衬底上的基于氮化镓的二极管的LED也有兴趣，因为这些器件也可以高效率发光。例如见，授予Linthicum等人的、标题为“Pendeoepitaxial GalliumNitride Semiconductor Layers On Silicon Carbide Substrates”的美国专利6,177,688，其内容在此作为参考完整引入，如同在此处完全陈述。
在这样的碳化硅LED或碳化硅上的氮化镓LED中，难以采用通常的光提取技术。例如，因为相对低的氮化镓生长速率，所以难以使用厚的p型窗口层。同样，虽然这样的LED可以从使用Bragg反射器和/或衬底去除技术中受益，但在衬底和氮化镓二极管区之间难以制作反射器，和/或难以腐蚀去掉至少部分碳化硅衬底。
Edmond的、标题为“Method of Production of light EmittingDiodes(发光二极管的生产方法)”的美国专利4,966,862，已转让给本申请的受让人，其内容在此作为参考完整引入，如同在此处完全陈述，描述了一种方法，在半导体材料的单一衬底上制造多个发光二极管。该方法用于多种结构，其中衬底包括同种半导体材料的外延层，该外延层依序包括p型和n型材料层，其间确定一个p-n结。以预定图案腐蚀外延层和衬底，以确定单个二极管的前体，腐蚀足够深以便在外延层中形成相互刻划每个二极管前体里的p-n结的台面。从外延层的边缘和在台面之间，衬底被刻槽到预定深度，以便确定衬底内的二极管前体的侧面部份，同时在槽下面保留足够的衬底用于保持它的机械稳定性。欧姆接触被加到外延层和衬底上，并且一绝缘材料层形成在二极管前体上。绝缘层覆盖那些没有被欧姆接触覆盖的外延层部分、与台面相邻的衬底的一个表面的任何部分和衬底的侧面部分。结果，每个二极管的衬底的结部分和侧面部分除通过欧姆接触以外与电接触绝缘。当二极管互相隔离时，它们通常与结边缘一起能够向下安装在导电环氧树脂内，而不关心环氧树脂将短路所得到的二极管。见美国专利4,966,862的摘要。
Carter，Jr.的、标题为“High Efficiency Light EmittingDiodes From Bipolar Gallium Nitride(双极氮化镓高效发光二极管)”的美国专利5,210,051，已转让给本申请的受让人，其内容在此作为参考完整引入，如同在此处完全陈述，描述了一种本征的、基本未掺杂的单晶氮化镓的生长方法，施主浓度为7×1017cm3或更小。该方法包括把氮源引入到含有生长表面的反应室里，同时把镓源引入到同一反应室，同时引导氮原子和镓原子到将生长氮化镓的生长表面上。该方法还包括，同时保持生长表面在足够高的温度以提供给撞击生长表面的镓原子和氮原子足够的表面迁移率，以到达并移动到适当的晶格位置，从而建立良好的结晶性，建立有效附着系数，从而在生长表面上生长氮化镓的外延层，但是反应室中氮元素的分压又足够低，使得在反应室的其它环境条件下，达到与那些氮元素对氮化镓的热平衡气压，从而使氮化镓中的氮损失最小，使形成的外延层中氮空位最少。见美国专利5,210,051的摘要。
根据上述讨论，期望对LED有改进的光提取技术，特别是由碳化硅制作的LED、由碳化硅的氮化镓制作的LED和/或有相对大面积的LED。
发明内容
根据本发明的一些实施例的发光二极管包括，有第一和第二相对面的一衬底，该衬底对预定波长范围的光辐射是透明的，衬底被构图以在横截面中确定从第一面向第二面伸入衬底的多个支座(pedestal)。此处采用的术语“透明“，是指元件，例如衬底、层或区，允许预定波长范围里的一些或全部光学辐射通过它，也就是说，不是不透明的。当在二极管区上施加电压时，第二面上的二极管区被配置成发射预定波长范围的光进入衬底。在其它的实施例中，在二极管区上、与衬底相对的安装支架被配置成支持二极管区，当在二极管区上施加电压时，使得从二极管区发射进入衬底的光就从第一面发出。在一些实施例中，在有支座的透明衬底上的发光二极管倒装在安装支架上，有与安装支架相邻的二极管区，与安装支架相对的衬底，用于通过衬底的光发射。在其它实施例中，在有支座的透明衬底上的发光二极管安装在安装支架上，衬底与安装支架相邻，二极管区与安装支架相对。这样，也可以提供一种非倒装芯片安装。
在本发明的其它实施例中，反射器也提供在安装支架和二极管区或衬底之间。反射器也可以这样设定：当在二极管区上施加电压时，把从二极管区发射的光反射回去，并通过二极管区，通过衬底，从支座发出。在其它实施例中，在二极管区和反射器之间也可以提供透明电极。在另外的其它实施例中，在反射器和安装支架之间可以提供焊剂预成型件和/或其它焊接区，和/或与第一面相邻与二极管区相对，可以提供光学元件，例如窗口或透镜。在另外的其它实施例中，二极管区包括外围部分和至少一个由外围部分包围的中央部分，发光二极管还包括在二极管区上的至少一个电极，它是限定在至少一个中央部分之内，并不伸到外围部分上。可以理解，中央部分不一定要在二极管区的中央。
在本发明的其它实施例中，LED的衬底和/或二极管区的接触结构包括透明欧姆区，反射器，阻挡区和焊接区。透明欧姆区提供电接触和/或电流扩展。反射器至少反射一些入射辐射，并且也可以提供电流扩展。阻挡区保护反射器和/或欧姆区。焊接区把LED封装焊接到安装支架。在一些实施例中，透明欧姆区和反射器的功能可以合并成单一的欧姆和反射器区。根据本发明的实施例，接触结构也可以与常规的碳化硅LED、碳化硅上的氮化镓LED和/或其它LED一起使用。
在本发明的其它实施例中，衬底的第一面可以其中包括至少一个槽，它在衬底里确定多个支座，例如三角形支座。这些槽可以包括锥形侧壁和/或斜面底层。衬底的第一和第二面可以是正方形的周界，和/或衬底的第一面可以形成纹理。发光二极管还可以包括多个发射区和/或在二极管区上的电极，其中相应的一个是限定在相应的一个支座内，并且不伸展到相应的一个支座外面。
在本发明的其它实施例中，衬底的第一面其中包括通孔阵列。通孔可以包括锥形侧壁和/或底层。通孔优选地仅部分通过衬底，但在其它实施例中它们可以全部通过衬底。第一和第二衬底面可以是正方形的周界，和/或第一面形成纹理。发光二极管还可以包括在不覆盖通孔阵列的二极管区上的至少一个电极。
支座和/或通孔阵列也可以与包含碳化硅或非碳化硅衬底的发光二极管一起使用，允许改善从那里的光提取。此外，上述电极也可以与包含非碳化硅衬底的发光二极管一起使用。例如，当衬底的第一面比第二面有较小的面积时，并且二极管区是在第二面上，发射区可以提供在限定在第一面的较小表面面积内的二极管区上。
在本发明的其它实施例中，发光二极管包括一个补偿的、无色的碳化硅衬底，该衬底有第一和第二相对面和在第二面上的基于氮化镓的二极管区，二极管区被配置成当在二极管区上施加电压时发射光进入衬底。根据上述任一个实施例，可以提供安装支架、反射器、接触结构、槽、支座、形成纹理和/或限定的发射区/电极。
相应地，许多上述实施例包括用于从衬底提取至少一些由二极管区发射进入衬底的光的装置的实施例。这些提取装置的实例包括在碳化硅衬底内的补偿掺杂剂以提供无色的碳化硅衬底，对衬底构图以在横截面里确定从第一面向第二面伸展进入衬底的多个支座，和/或许多上述其它实例包括在安装支架，反射器，接触结构，槽，支座，形成纹理和/或限定的发射区/电极。
根据本发明的一些实施例，可以通过形成这样的二极管区来制作发光二极管：在有第一和第二相对面的衬底的第二面上发射在预定波长范围的光，衬底对预定波长范围的光辐射是透明的。在形成二极管区之前、在过程中和/或在之后，对衬底构图以在横截面里确定从第一面向第二面伸展进入衬底的多个支座。在其它实施例中，二极管区是安装在安装衬底上，该安装衬底被配置成支持二极管区，使得当在二极管区上施加电压时从二极管区发射进入衬底的光从第一面发出。在安装之前是在二极管区上形成反射器，使得反射器被配置成当在二极管区上施加电压时，把从二极管区发射的光反射回进入二极管区通过衬底并从第一面发射出。在形成反射器之前，透明欧姆电极也可以形成在与衬底相对的二极管区上。一个阻挡区和/或粘附区也可以在形成反射器后形成。在其它实施例中，安装支架与反射器相邻放置，其间有阻挡区和/或粘附区，LED与安装支架相连接。在其它实施例中，在二极管区上形成电极，电极限定在二极管区的中央部分，而不伸展到外围部分上。
其它方法实施例包括在衬底的第一面内形成多个交叉槽以便在衬底里确定多个支座，例如三角形支座。槽可以包括锥形侧壁和/或斜面底层。衬底的第一面也可以被形成纹理。在二极管区上也可以形成多个电极。在一些实施例中，相应的一个电极是限定在相应的一个支座内，不伸展到相应的一个支座外面。
根据本发明的其它方法实施例，包括在衬底第一面内反应离子腐蚀通孔阵列。通孔可以包括锥形侧壁和/或底层。第一面也可以被形成纹理。在不覆盖通孔阵列的二极管区上可以形成电极。
在第一面内切割多个交叉槽和/或反应离子腐蚀通孔阵列可以用于发光二极管，它包括碳化硅或非碳化硅衬底，以允许改善从那里的光提取。此外，在限定到第一面的比较小表面面积里的二极管区上的发射区的形成也可以用于其它常规发光二极管，以允许改善从那里的光提取。
附图说明
图1-图5是根据本发明的一些实施例的发光二极管的截面图。
图6是对各种掺杂浓度的碳化硅，光吸收与波长的关系曲线图。
图7A是根据本发明的其它一些实施例的发光二极管的顶视图，图7B和图7C是沿图7A中的线7B-7B′的截面图。
图8A是根据本发明的其它一些实施例的发光二极管的顶视图，图8B和图8C是沿图8A中的线8B-8B′的截面图。
图9-图13是根据本发明的其它一些实施例的发光二极管的截面图。
图14A是根据本发明的其它一些实施例的发光二极管沿图14B中的线14A-14A′的截面图，图14B是其底视图。
图15A是根据本发明的其它一些实施例的发光二极管沿图15B中的线15A-15A′的截面图，图15B是其底视图。
图16，图17A和图18是根据本发明的其它一些实施例的发光二极管的截面图。
图17B是根据本发明的其它一些实施例的图17A的顶视图。
图19是制作根据本发明的其它一些实施例的发光二极管的方法流程图。
具体实施方式
下文参照示出本发明优选实施例的附图，完整地描述本发明。然而，本发明可以以很多不同形式来实施，不应该解释为本发明限于此处提及的实施例。更确切地说，提供这些实施例为的是使公开全面完整，将本发明的范围完整地转达给本领域的技术人员。为清楚起见，附图中的一些层或区的厚度被夸大。相同的数字始终表示相同的元件。可以理解，当一个元件，例如一个层、一个区或衬底表示为在另一个元件“上”或伸展到另一个元件“上”，，它可以是直接在另一个元件上或直接伸展到另一个元件上，也可以存在中间元件。相反，当一个元件表示为“直接”在另一个元件“上”或“直接伸展”到另一个元件“上”，，则那里不存在中间元件。此外，这里描述和说明的每个实施例也包括它的互补导电类型的实施例。
现在描述本发明的实施例，通常关于在基于碳化硅的衬底上的基于氮化镓的发光二极管。然而，本技术领域的技术人员可以理解，本发明的很多实施例可以采用不吸收所发射的光的或对所发射光透明的衬底和系数匹配的发光二极管外延层的任何组合。在一些实施例中，衬底的折射率大于二极管的折射率。相应地，这些组合可以包括GaP衬底上的AlGaInP二极管；在GaAs衬底上的InGaAs二极管；在GaAs衬底上的AlGaAs二极管；在SiC衬底上的SiC二极管；在蓝宝石衬底(Al2O3)上的SiC二极管；和/或在氮化镓、碳化硅、氮化铝、氧化锌和/或其它衬底上的基于氮化物的二极管。
图1是根据本发明的一些实施例的发光二极管的截面图。如图1所示，这些发光二极管100包括有相对的第一面110a和第二面110b的碳化硅衬底110，该衬底110对预定波长范围的光辐射是透明的。二极管区170是在第二面110b上，并被配置为当在二极管区(例如在欧姆接触150和160上)施加电压时，发射预定波长范围的光进入对预定波长范围的光辐射透明的碳化硅衬底110。
参照图1，二极管区170包括n型层120，有源区130和p型层140。对p型层140和n型层120分别做欧姆接触150和160，分别形成阳极和阴极。包括n型层120，有源区130和/或p型层140的二极管区170优选包括基于氮化镓的半导体层，包括它的合金，例如铟镓氮化物和/或铝铟镓氮化物。在碳化硅上制作氮化镓对本领域的技术人员是众所周知的，例如，由在上面引入的美国专利6,177,688描述。可以理解，例如包含氮化铝的(一)缓冲层可以提供在n型氮化镓层120和碳化硅衬底110之间，例如在美国专利5,393,993、5,523,589、6,177,688和标题为Vertical Geometry InGaN LightEmitting Diode的序列号为No.09/154,363的申请，它们的内容在此作为参考引入，如同在此完全陈述。
有源区130可以包括n型、p型或本征基于氮化镓材料的单层，另一同质结构，单异质结构，双异质结构和/或量子阱结构，所有这些都是本领域的技术人员熟知的。而且，有源区130可以包括有由一个或多个包层限制的发光层。优选地，n型氮化镓层120包括硅掺杂的氮化镓，p型氮化镓层130包括镁掺杂的氮化镓。另外，有源区130优选包括至少一个铟镓氮化物量子阱。
在一些实施例中，对p型氮化镓层140的欧姆接触150包括铂，镍和/或钛/金。在其它实施例中，可以使用包括例如，铝和/或银的反射欧姆接触。对n型氮化镓层120的欧姆接触160优选地包括铝和/或钛。对p型氮化镓和n型氮化镓形成欧姆接触的其它合适材料可以分别用于欧姆接触150和160。对n型氮化镓和p型氮化镓形成欧姆接触的实例，例如表示在美国专利5,767,581中，它们的内容在此作为参考引入，如同在此完全陈述。
还参照图1，在一些实施例中，衬底110包括对预定波长范围内的光辐射透明的碳化硅衬底。制作对预定波长范围的光辐射透明的碳化硅衬底的一项技术在美国专利5,718,760中描述，该专利转让本发明的受让人，其公开内容在此作为参考引入，如同在此完全陈述。碳化硅衬底110可以包括2H，4H，6H，8H，15R和/或3C多型体。6H和/或4H多型体可以优选用于光电应用。
在其它实施例中，碳化硅衬底110是一种补偿的、无色的碳化硅衬底，正如上面提及的美国专利5,718,760所述。如其中所述，无色的碳化硅可以通过在存在补偿量的p型和n型掺杂剂的情况下碳化硅的升华来制备的。自然存在的碳化硅典型是黑色，这是由于高的杂质含量。常规的微电子碳化硅晶片，根据晶体中受控的掺杂水平，或是半透明的蓝色，或是琥珀色或是绿色。如美国专利5,718,760所述，已经发现，通过仔细控制用低掺杂浓度的n型和p型杂质补偿水平掺杂碳化硅晶体，可以得到无色的碳化硅单晶。特别是，可以期望减小和优选最小化材料中的非故意氮(n型)掺杂，并期望引入低水平的补偿p型掺杂剂，从而产生无色的碳化硅。
如图6所示，4H-SiC由在460nm附近的吸收峰表征。图6表示，减少4H-SiC的掺杂水平，吸收峰会基本减小，结果在460nm附近4H-SiC变为透明。标记4H-HD的曲线表示对近似2.5×1018的净施主浓度掺杂的4H碳化硅的测量的吸收值，而标记4H-LD的曲线表示对近似5×1017的净施主浓度掺杂的4H碳化硅的测量吸收值。进一步减小掺杂水平可以导致更低的吸收水平。标记6H的曲线也表示一个在460nm附近的透明衬底。
根据本发明的一些实施例，例如按照美国专利5,718,760中描述的工艺，和这里引用的参考文献进行生长的无色梨晶(boules)碳化硅，可以切割成许多晶片用于加工。基于氮化镓的外延层可以形成在晶片上，例如，如美国专利6,177,688中描述的，外延层可以被加工以产生如图1中所示的结构。
在有碳化硅衬底的LED中，由于许多理由，以前优选的是避免有源区产生的光进入衬底。例如，虽然碳化硅与砷化镓相比可以是高度透明的，常规碳化硅衬底能够吸收在可见光谱的一部分的光。而且，由于常规碳化硅器件是衬底面向下安装的垂直器件，进入衬底的一些光在它被从器件提取之前能够被反射回来通过衬底，因而增加在衬底中的吸收损耗。反射损耗也可以减小器件的总效率。
氮化镓和碳化硅有相似的折射率。特别是，氮化镓的折射率约2.5，而碳化硅的折射率约2.6-2.7。在那个意义上，氮化镓和碳化硅可以说是光学匹配的。因此，在氮化镓和碳化硅之间的界面上可以出现非常小的内反射。结果，难于阻止在基于氮化镓的层内产生的光进入碳化硅衬底。
通过提供例如根据美国专利5,718,760描述的方法来进行生长补偿的、无色的碳化硅衬底，可以减小可见光在碳化硅衬底内的吸收。本领域的技术人员都知道，由于所谓＂Biedermann效应”，当掺杂增加时，吸收损耗会增加。这样，当掺杂减小并优选最小化时，可以增强从衬底提取可见光，从而改善了器件的总效率。与碳化硅相反，蓝宝石的折射率约1.8。因此，在基于蓝宝石的氮化镓LED中，氮化镓有源层中产生的光的大部分可以不进入衬底而是被反射离开衬底。
在本发明的其它实施例中，可以控制碳化硅衬底的掺杂，使得器件二极管区170中产生的波长范围内的光不被衬底110吸收，虽然可以吸收其它波长的光。因此，碳化硅衬底的吸收特性可以被调节以便通过希望波长的光。例如，可以设计有源区130以便发射在450nm附加的蓝光。可以控制碳化硅衬底110的掺杂，使得波长近似450nm的光线基本上不被衬底110吸收。因此，虽然衬底可能不是完全无色，也可以吸收其它波长，它仍然对感兴趣的波长即在LED区170内产生的波长是透明的。在优选实施例中，控制碳化硅衬底110的禁带宽度和/或掺杂，使得衬底对约390-550nm范围内的光是透明的。
因此，在一些实施例中，衬底110可以认为是一个滤波器，它可以改善由器件输出的光的光谱纯度。例如，本领域的技术人员熟知，基于氮化镓的蓝色LED除产生希望的发射外还可以产生紫外(UV)光谱内不希望的发射。这样的UV发射即使在中等低功率水平也是不希望的，因为它们可以使其中封装LED的塑料材料退化，这可以引起可靠性问题和/或减小寿命。同样知道6H碳化硅吸收UV光。因此，优选的是，通过6H碳化硅衬底提取光，它可以过滤掉不希望的UV发射。
取代如常规做的那样阻止或者抑制光进入衬底，本发明的实施例可以鼓励在二极管区170内产生的光进入衬底110，此处它能最有效地被提取。因此，本发明的一些实施例提供了从衬底提取由二极管区发射进入衬底的至少一些光的装置。相应地，本发明的一些实施例特别适于采用所谓的“倒装芯片”或“倒置”的封装结构，如将结合图2描述的那样。本发明的一些实施例，也可以与常规的“正面向上”或“非倒装芯片”封装一起使用，如将结合图16描述的那样。
现在参照图2，示出根据本发明的实施例的发光二极管的其它实施例。在图2，示出发光二极管200是倒装芯片，或者，利用焊接区220和230倒置安装在安装支架210上，例如热沉上。焊接区220和230可以包括附于二极管区和/或安装支架210的焊剂预成型件，使用常规的焊料回流技术，该焊剂预成型件可被回流以便把欧姆接触150和160附着到安装支架210。其它的焊接区220和230可以包括金、铟和/或铜焊(braze)。如图2所示，倒装芯片或倒置封装结构把碳化硅衬底110向上放置，远离安装支架210，把二极管区170向下放置，与安装支架210相邻。阻挡区(未示出)也可以包括在相应的欧姆接触150，160和相应的熔焊区220，230之间。阻挡区可以包括镍、镍/钒和/或钛/钨。也可以使用其它阻挡区。
还参照图2，如光线250所示，在有源区130内产生的光进入衬底110，从衬底110的第一面110a出去。为了使在有源区130内产生的光容易进入衬底110，可以提供反射器240，它处在有源区130和安装支架210之间，与衬底110相对。反射器240可以处在有源区130和p型层140之间，如图2所示。然而，在反射器240和有源区130和/或p型层140之间也可以有一个或多个中间层。此外，p型层140可以处在反射器240和有源区130之间。也可以提供其它结构，例如下面将结合图16描述的那样。
反射器240可以包括铝镓氮化物(AlGaN)层和/或分布式Bragg反射器，它可以把从有源区130来的光朝向衬底110反射回去。Bragg反射器的设计和制作对本领域的技术人员是熟知的，例如在美国专利6,045,465中描述，它的公开内容在此作为参考引入，如同在此完全陈述。也可以理解，反射器也可能修改来自有源区130本身的光子发射模式，从而使更多的光子跑出器件。也可以使用其它的常规反射器结构。
还参照图2，所示的示例性光线250说明从有源区130内产生的光是如何开始沿离开衬底110的方向传播，但由反射器240反射回来通过衬底110并离开器件200。注意，在图2说明的倒装芯片结构内，光线250在离开器件前仅仅需要通过衬底110一次传播。
根据本发明的实施例的LED 200可以封装在常规的圆屋顶结构280内，它包括光学元件，例如用于光发射的透镜282。整个圆顶结构280可以用作光学元件。阳极引线260和阴极引线270也可以提供外部连接。圆顶结构280可以包括塑料、玻璃和/或其它材料，并且其中也可以包括硅氧烷凝胶体和/或其它材料。
参照图3，通过在碳化硅衬底110的第一面110a上提供阴极欧姆接触160′，并在第一面110a上阴极欧姆接触160′之间提供导线390或其它电连接到外部阴极引线270，也可以将垂直发光二极管300封装在倒装芯片结构内。也可以提供非倒装结构，例如，如下面将结合图16描述的那样。
图4示出根据本发明的实施例的其它LED。在这些LED400中，阳极接触可以包括欧姆和反射区410，它可以包括多个层，包括薄的透明欧姆接触412和反射器414。薄的透明欧姆接触412可以包括铂，优选地应尽可能薄以避免相当大的光吸收。薄的透明欧姆接触412的厚度对于铂透明电极412来说优选在约10
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和约100
Figure C02804417D0030095215QIETU
之间。在其它实施例中，薄的透明欧姆接触412可以包括镍/金，氧化镍/金，氧化镍/铂，钛和/或钛/金，具有有厚度在约10
Figure C02804417D0030095215QIETU
和约100
Figure C02804417D0030095215QIETU
之间。反射器414优选厚于约300
Figure C02804417D0030095215QIETU
，并优选包括铝和/或银。图4的实施例能够提供改善的电流扩展，因为反射器414在薄的透明欧姆接触412的整个表面面积上接触薄的欧姆接触412。因此，如常规器件中的情况一样，电流不需要通过阳极接触410水平传播。因此，可以增强电流扩展。图4的器件400也可以象图2和图3所出的那样封装。也可以采用其它的接触结构，例如，下面将结合图16和图17详细描述的那样。例如，包括例如镍、镍/钒和/或钛/钨的阻挡区155可以被提供在反射器414和焊接区220之间和在欧姆接触160和焊接区230之间。
图5示出了根据本发明的其它实施例的LED。LED500的这些实施例可以通过对衬底110′的至少部分侧壁110c形成斜面或倾斜从而增强从LED的光提取。由于照射斜面侧壁110c的的光入射角通常是比其它情况更接近法线，这样比较少的光可以被反射进入衬底110′。相应地，可以从衬底110′提取光，这可以提高器件的总效率。通过使用常规方法使衬底110′的侧壁110c和/或第一面110a变粗糙或形成纹理，可进一步提高提取效率。
相应地，根据本发明的一些实施例的发光二极管包括衬底和基于氮化镓的二极管区。衬底包括透明的碳化硅单晶用于感兴趣的的发射范围，优选通过升华法制备。衬底可以是在约100μm和约1000μm之间的厚度。由于提高了从衬底提取光，二极管的外部效率可以提高。在根据本发明的一些实施例中，二极管包括反射器，它把二极管区内产生的光反射回衬底中，用于随后从器件提取。反射器可以包括在与衬底相对的有源区上一层折射率相对低的材料(如AlGaN)。作为选择，反射器可以包括在结构内的Bragg反射器和/或在透明欧姆接触上的铝和/或银的涂层。下面将要描述其它实施例。在其它实施例中，衬底侧壁的一部分可以是成锥形和/或变粗糙以提高光提取。根据本发明的一些实施例的二极管可以特别适合使用倒装芯片安装结构。然而，也可以使用非倒装芯片安装。
由上述图1-6描述的本发明的实施例，提供碳化硅衬底的修改，以具体实施用于提取预定波长范围的光的至少一些光的装置，从而允许在碳化硅上的氮化镓LED的倒装芯片或非倒装芯片安装。现在描述本发明的其它实施例，此处对衬底作了各种几何修改，以提供用于从衬底提取至少一些光的装置的其它实施例，以提高提取效率。在制造大面积芯片时，这些衬底修改可以是特别适用，以提供用于从衬底提取至少一些光的装置的其它实施例，允许从衬底内部区提高提取效率。这些提高可以与碳化硅衬底一起使用，如上面结合图1-6一起描述的那样，但是也可以与包括砷化镓、磷化镓、它们的合金和/或蓝宝石的常规衬底一起使用。
图7A是根据本发明的其它实施例的LED的顶视图。根据本发明的其它实施例，图7B和图7C是图7A的LED沿图7A中的线7B-7B′的截面图。
现在参照图7A-7C，这些LED包括分别有第一和第二相对面710a和710b的衬底710，和在衬底710的第二面710b上的二极管区740。衬底710可以是例如，图1-6中所述的碳化硅衬底110，和/或另一种常规的LED衬底。二极管区740可以包括如上面图1-5所示的二极管区170，和/或任何其它的常规二极管区。
也如图7A所示，这些LED700的第一面710a其中包括多个槽720，它在衬底中确定了多个支座730。在图7A中，示出了三角形支座。然而，也可以提供其它多边形或非多边形的支座。如图7B所示，槽720可以包括斜面底层722。然而，也可以包括平面底层。此外，虽然示出槽的侧壁724对第一面710a和第二面710b成直角，但也可以包括锥形侧壁，其中侧壁的横截面的区域优选从衬底710的第一面710a减少到第二面710b。
图7C示出了提供非平面特征的其它实施例。因此，可以使用宽的锯齿切割或其它技术以形成支座730′，该支座730′有锥形和弯曲侧壁724，弯曲底层722′和/或在支座710′内的圆顶形第一面710a′。支座730′的这些实施例由此可以形成透镜状的结构，这可以减小总的内部反射。作为选择，优于弯曲或透镜形的第一面710a′和/或底层722′，可以在第一面710a′或底层722′上形成小面，以进一步增强光提取。腐蚀、锯齿切割、激光切割和/或其它常规技术可以用于产生这些结构。
最后，也如图7A-7C所示，第一和第二面710a、710a′和710b的周界是正方形的。然而，应该理解，可以采用其它形状。例如，也可以使用三角形周界形状的第一和第二面。此外，虽然示出了四个三角形支座730，但也可以使用两个或两个以上支座，优选地，在具有面积例如大于0.1mm2的相对大的芯片中可以使用四个以上的支座。
图8A是根据本发明的其它实施例的LED的顶视图。根据本发明其它实施例，图8B和图8C是图8A的LED沿图8A中的线8B-8B′截面图。
如图8A所示，这些发光二极管800包括具有第一和第二相对面810a和810b的衬底810，以及在第二面810b上的二极管区840。衬底810可以是碳化硅衬底，例如结合图1-6一起描述的碳化硅衬底110，和/或任何其它通常的LED衬底。二极管区840可以是例如图1-5描述的基于氮化镓的二极管区170，和/或其它任何常规二极管区。
如图8A和图8B所示，衬底810包括在第一面810a内的通孔阵列820。优选地，通孔820仅延伸穿过衬底810部分路径，但是在其它实施例中，它们能延伸穿过衬底810全部路径。如图所示，通孔可以包括锥形侧壁824。侧壁824可以是曲线形的或是直线形的。此外，也可以使用垂直于第一面810a和第二面810b的曲线或直线侧壁。通孔820可以有平的，斜面和/或弯曲底层822以提供平截头圆锥体形(frusto-conical)或圆柱形通孔。通孔也可以不包括底层822，而是到达一个点以提供圆锥形通孔。虽然，在图8A和图8B中示出四个完整通孔和十二个部分通孔的阵列，但可以使用二个或多于两个的通孔820，优选地，对例如面积大于0.1mm2的大面积芯片可以包括四个以上的完整通孔820。
如图8B所示，第一面可以是其中包括一个或多个小平面的倾斜第一面810a。在其它实施例中，顶面810a可以被圆角以提供透镜状结构。
正如下面将要详细描述的，图7A-7C的槽720可以在切割芯片之前或之后使用例如与芯片的边成45°角的切片机来制作。可以使用其它技术，包括通过掩模的反应离子腐蚀，激光切割，湿法腐蚀和/或其它技术。图8A-8C的通孔820在切割芯片之前或之后可以使用通过掩模的反应离子腐蚀来制备。
现在描述通过图7A-7C和图8A-8C的LED的光提取。槽720或通孔820可以允许周期性地穿过芯片出现光提取，而不是仅沿着芯片的边缘。因此，它们能够提供大面积芯片的可缩放性(scalability)。这与位于在衬底内切割槽以允许在槽内切割衬底形成明显对比，也与通过LED的二极管区切割的槽形成明显对比。
支座，通孔，侧壁和/或槽可以改善光提取，因为芯片的垂直边通常在光提取中起作用。此外，出于光提取的目的，LED芯片的最好形状可能不是正方形或长方形周界。然而，由于在晶片内封装密度的原因，LED芯片通常有正方形周界。在正方形芯片里，从在大于临界角且小于这个临界角的补角的角的任何方向照射侧壁的光线由于内部反射和随后的吸收通常会损失。圆柱形芯片可以减小内部反射，但是它们的可制造性和封装密度不是良好的。此外，在从远于圆柱形小片中央的点产生的光可以增加产生成切线照射在垂直侧壁上的光。更多的光线由于内部反射和吸收再一次损耗。因而总的小片面积需要比有源中心区面积大，这使得晶片面积使用效率低并导致更高的成本。
相反，根据本发明的一些实施例可以在衬底内形成支座，例如等边或非等边三角形支座730。可以保持最佳的晶片利用。特别是，产生的光线在角度大于临界角时在侧壁724上可以有不多于一次的入射和反射。大于临界角的入射角被反射，但是，在所有情况中的入射光线以小于临界角照射下一墙壁，假设密封材料的折射率是约1.5或更大。因此，不同于具有直角或光滑连续的弧的小片，光线不会全部损失于内部反射和吸收。
具有三角形状的LED与具有同样芯片面积有光滑的垂直侧壁在相同的电流下运行的正方形LED相比，例如可以在光输出方面能够产生15％的提高。此外，锥形侧壁或沟道可以与三角形支座一起使用以便在衬底内获取更多的俘获光。最后，使用与正方形小片成45°角或其它角度的槽切割可以形成的三角形支座，可以允许用标准小片处理和分离技术，但是可以提供非正方形芯片的额外光提取的优点。也可以使用标准边缘成形和小片分离。使用通孔阵列820可以提供类似的效应。
可以理解，图7A-7C和图8A-8C中的LED可以以倒置或以倒装结构安装，如图2-5说明的那样。可以防止用于将LED耦合到安装衬底的银环氧树脂进入槽或通孔，这可能会减少它的效率。在其它实施例中，如果槽和/或通孔与常规的非倒装芯片LED安装一起使用，反射回层(reflective back layer)，例如银或铝，可以形成在衬底的第一面上，使得入射在槽或通孔上的光朝二极管区反射回去并通过二极管区。
现在对焊接区220/230中采用焊剂预成型件提供附加讨论。小面积LED可以要求格外仔细以避免用来粘小片到焊接框架的银环氧树脂接触芯片侧壁和/或导电衬底。这种接触可以形成Schottky二极管，这对垂直LED结构的性能是有害的。Schottky二极管可能分流LED附近的电流，因为它有较低的正向接通电压。在大的芯片上使用银环氧树脂比在小的芯片上可以更容易处理，因为过度分散(over-dispensing)可以不会引起环氧树脂从芯片下面露出来并可能到达二极管区和/或衬底的垂直侧壁。根据本发明的实施例，焊剂预成型件可以形成在或粘附到反射器或其它层上，如下所述的那样。预成型件可以包括低温共熔合金，例如铅-锡，铟-金，金-锡，和/或银-锡焊料。预成型件的形状可以很好确定，并且可以通过在小片粘附过程中使用压力和/或温度来控制向外蠕变。此外，预成型件的热导率可优于银环氧树脂，这对于大功率器件是更有利的。
现在参照图9和图10，也可以提供对衬底进行纹理化。形成纹理可以是在发射波长或更大的量级。例如，如图9所示，LED 900可以包括衬底710的纹理化的第一面710a′。除了或替代纹理化的第一面710a′，还可以提供纹理化的侧壁724′和/或纹理化的底层722′。如图10所示，LED 1000可以包括纹理化的第一面810a′，在第一面上可包含微透镜阵列1010。也可以提供纹理化的侧壁和/或底层。正如结合图9-10的实例描述，形成纹理也可以与此处描述的其它实例一起使用。
对已封装的LED芯片的暴露表面可以优选纹理化而不抛光。常规芯片将抛光的外延侧向上封装，这可以减少从那里的光提取。暴露表面的纹理化能够提供使入射光被透射而不被内部反射的随机概率。可以理解，对衬底背面纹理化需要不妨碍对该衬底面形成欧姆接触。更具体的是，垂直LED可以有一个与有源区的接触，和有一个与纹理化的衬底背面的背部接触。与抛光表面相比，纹理化的侧壁可以提供达到20％或更高的光发射。
图11和12示出了根据本发明的一些实施例的其它LED。图11的LED 1100和图12的LED 1200可以与图7的LED 700和图8的LED 800相对应。然而，在图11和图12的实施例中，增加了透明欧姆接触412和反射器414。薄的透明欧姆接触412能够提高p型氮化镓层的电流扩展，能够对阳极产生欧姆接触，同时优选阻挡减小的光量，更优选是阻挡最小化的光量。
此外，在图11和图12所示的结构中，因为芯片是倒装安装在安装衬底210上的芯片，所以透明欧姆接触412可以比常规氮化物LED中可能的透明欧姆接触更薄，这就允许它更透明。可以提供相对厚的反射器414，反射器414包括例如铝和/或银。反射器414可以提供优良的电流扩展。此外，焊剂预成型件220和/或其它安装区可以用在金属接触155和安装衬底210之间以提供和二极管区的电学和机械连接和热传输，同时避免在产生将导致寄生Schottky接触的二极管区内的短路。可以理解，使用倒装芯片安装二极管，功率耗散不需要通过衬底发生。而且，产生热的二极管区可以与热沉紧密接触，有较低的热阻。在例如结合图16描述的其它实施例中，可以采用非倒装芯片结构安装。也可以理解，透明/反射器电极，焊剂预成型件和/或倒装芯片安装可以与这里描述的本发明的其它实施例一起使用。
图13示出了可以用于提高常规ATON LED中的提取效率的本发明的其它实施例。正如本领域的技术人员所知，ATON LED使用衬底成形，例如在出版的标题为“OSRAM Enhances Brightness of Blue InGaNLEDs”，Compound Semiconductor，Volume7，No.1，20012月，p.7中描述的那样。特别是，如图13所示，常规ATON LED 1300包括衬底1310和二极管区1320。根据本发明的实施例，例如由台面1320a和/或电极1330限定的发射区只包括在二极管区的中央部分内，不在二极管区的周界部分外。电极1330优选是透明电极，可以与发射区1320a同存空间比发射区1320a小。也可以采用用于减小发射区面积的其它技术。
换句话说，衬底1310分别有第一和第二相对面1310a和1310b。第一面1310a比第二面有较小的表面积。二极管区1320是在第二面1310b上面。发射区1320a是包括在二极管区1320内，并且是限定到第一面1310a的较小表面区内。这种结构可以使芯片看起来更象在透镜的焦点上的点光源。通常，在芯片边缘产生的光不能得到成形边缘的更多好处，因为与在芯片中央产生的光相比，更小的发光固体表面与那些表面相互影响。模拟表示，通过从芯片边缘将发射区引入，可以得到约多20％的光输出。由减小发射面积来提高提取效率，这也使光输出对衬底内和在衬底表面上的损失不敏感，因为更多的光能够在初次穿过有源区时逃逸掉。图13的实施例可以用于常规的非倒装芯片封装。可以用于倒装芯片封装的ATON LED的实施例将在下面结合图17描述。
图14A说明减小发射区面积应用于本发明的其它实施例。例如，LED 1400是类似于图7的LED 700，除了根据本发明的实施例提供至少一个减小的发射面积以外。通过与支座730对准的一个或多个导电电极1410可以提供至少一个减小的发射面积。导电电极1410可以包括铂和/或其它材料。例如包括氮化硅的绝缘层1420可以用来阻止与二极管区740的金属接触。互连金属层1430可以是在导电电极1410上和氮化硅层1420上的形成的覆盖层。可以理解，互连层1430也可以作为反射层。作为选择，可以提供一个或多个分开的反射层。图14B是图14A的LED的底视图，示出了导电电极1410和金属层1430。可以理解，在本发明的其它实施例，图13的至少一个台面1320a可以包括在图14A的二极管区740内，以提供至少一个减小的发射面积。此外，减小的发射面积可以和这里描述的本发明的其它实施例一起使用。
因此，可以通过减小发射区面积以便更多的限定在背面成形区的中央部分内来提高LED的效率。对于有均匀发射面积的背面成形器件，与效率较低的芯片成区相比出现更多的发射。相反，在图14A和图14B中，由于发射区或多个发射区是与支座730对准的，可以提供改善的提取效率。因为导电电极1410是互相断开的，所以它们需要与互连导电金属1430相连。如果器件是倒装芯片结合，导电金属1430可以是焊料和/或填银的环氧树脂。如果器件是安装在非倒装芯片结构中，可以包括金属片例如反射器金属条和/或引线连接(wire bond)用于互连。
图15A示出了至少一个减小的发射区域应用于本发明的其它实施例。例如，除了根据本发明的实施例提供至少一个减小的发射区域之外，LED1500类似于图8的LED800。可以由不覆盖通孔820的导电电极1510提供至少一个减小的发射区域。导电电极1510可以包括铂和/或其它材料。例如包括氮化硅的绝缘层1520可以用于阻止在由通孔820确定的区域上的金属接触。图15B是图15A的LED的底视图，示出了导电电极1510和绝缘区1520。如图14A的情况，在其它实施例中，图13的至少一个台面1320a可以包括在图15A的二极管区840内以提供至少一个减小的发射区域。
可以理解，如上面所述，可以使用本发明的实施例来改善基于蓝宝石的氮化物LED以及基于其它材料系统的LED。然而，在基于蓝宝石的氮化物LED中，大部分的光可以俘获高折射率的氮化物二极管区内。对于衬底的折射率高于蓝宝石的折射率的碳化硅，氮化镓、氮化铝、氧化锌和/或其它衬底可以有更大的增益。因此，本发明的实施例并不限于使用碳化硅为衬底。可以理解，当蓝宝石作为衬底时，蓝宝石绝缘层可以使用两个与二极管区的接触，例如图1所示。这些接触需要对准封装中的电连接。如果对暴露侧进行抛光，蓝宝石衬底的透明性可以有利于对准。然而，抛光的暴露表面与形成纹理的表面比较，光提取效率可能更低。
图16是根据本发明的实施例的发光二极管的截面图。图16可以认为与图3类似，除了发光二极管1600是配置成非倒装芯片安装而不是倒装芯片安装以外。此外，也示出了在LED和安装支架之间的其它接触结构，例如安装组件或子安装组件。可以理解，图16的非倒装芯片安装和/或图16的接触结构可以与这里描述的本发明的其它实施例和/或其它的常规LED一起使用。
更具体的，参照图16，发光二极管1600是以非倒装芯片取向安装在安装支架210上，其中碳化硅衬底110与安装支架210相邻，二极管区170是在与安装支架210相对或远离的碳化硅衬底110上面。换句话说，二极管区170朝上，碳化硅衬底110是朝下。已经发现，根据图16示出的本发明的实施例，当使用透明碳化硅衬底110时，从常规非倒装芯片安装的LED提取的光量会增加。在这些实施例中，从二极管区170的有源区130产生的向下进入碳化硅衬底110的光由反射器140反射回来通过碳化硅衬底110。虽然，提取效率可能比图3中的LED300小，但可以得到比不采用透明碳化硅衬底110的常规LED的提取效率大的提取效率。可以理解，有与安装区相邻的透明碳化硅衬底和远离安装区的二极管区的图16的正面朝上安装也可以与其它常规的LED结构一起使用。
还参照图16，描述根据本发明的实施例的接触结构1620。可以理解，这些接触结构1620可以与这里描述的其它实施例一起使用，也可以与其它常规的LED结构一起使用。
如图16所示，接触结构1620包括欧姆区160，反射器140，阻挡区1610，和焊接区230。也提供了顶部欧姆接触150。欧姆接触150/160优选是一层或多层金属透明层，例如薄的铂层，其厚度可以在约10
Figure C02804417D0030095215QIETU
和100
Figure C02804417D0030095215QIETU
之间。可以采用其它的透明欧姆接触150/160。例如，透明氧化物，例如可以采用铟锡氧化物(ITO)，在这种情况下的欧姆接触150/160的厚度可以是几微米或更厚。欧姆接触150/160可以是均匀厚的层，栅结构和/或点结构，例如，如授予Haitz等人的美国专利5,917,202所描述，它们的内容在此作为参考引入，如同在这里完全陈述。欧姆接触150/160优选提供电流扩展，以有利于电流有效和均匀注入到有源区170。当栅结构或点结构用于欧姆接触150/160，如果碳化硅衬底110有适当的匹配电导率，电流扩展可以实现。由于减小的面积覆盖，栅/点欧姆区可以减小或最小化欧姆区内的光吸收。可以理解，欧姆接触150和160的结构不需要相同。
还参照图16，反射器140可以包括例如在约100
Figure C02804417D0030095215QIETU
和约5000
Figure C02804417D0030095215QIETU
之间的反射金属，例如银和/或铝，和/或如已经描述的镜堆(mirrorstack)。也可以理解，欧姆区160和反射器140的功能可以合并成一个单个欧姆和反射器区，例如单层银或铝，能够同时提供电流扩展和反射功能。做为选择，可以使用不同的层作为欧姆区160和反射器140。
还参照图16，也可以提供阻挡区1610，它保护反射器140和/或欧姆区160避免来自下面的小片粘附的扩散和/或尖峰形成。因此阻挡区1610可以保护欧姆区160和/或反射器140的光和/或电完整性。在一些实施例，阻挡区包括在约100
Figure C02804417D0030095215QIETU
和约5000
Figure C02804417D0030095215QIETU
之间的镍镍/钒和/或钛/钨。
最后，还参照图16，提供焊接区230用于粘附半导体LED结构到安装支架210，例如一个安装组件或子安装组件。焊接区230可以是包括例如金，铟，焊料，和/或铜焊的金属层，并可以包括这些和/或其它结构的一个或多个预成型件。在一些实施例中，焊接区230可以包括焊接凸点(solder bump)和/或其它金属凸点，例如铟或金。安装支架210可以包括热沉，表面安装工艺(Surface MountTechnology(SMT))封装，印刷线路板，驱动器集成电路，引线框架和/或其它用于LED的常规安装组件和/或子安装组件。焊接区230可被粘附到安装支架210，使用银环氧树脂，焊料焊接，热焊焊接和/或其它技术。可以理解，图16的接触结构1620的实施例可以与倒装芯片LED和/或其它常规的LED结构一起使用。
图17A是根据本发明的其它实施例的发光二极管的截面图。具体而言，图17A示出常规ATON LED，一个它是倒装芯片安装和/或使用根据本发明的实施例的接触结构。可以使用倒装芯片安装，例如图2所示，和/或接触结构，例如图16说明。
现在参照图17A，LED1700的这些实施例包括透明衬底1310，例如无色的、补偿的碳化硅衬底，和二极管区1320，它是倒装芯片安装在安装支架210上的，使得二极管区1320与安装支架210相邻，并且碳化硅衬底1310远离安装支架210。二极管区1320可以包括减小的发射区域，例如图13的台面区域1320a。
如图17A所示的倒装芯片安装与常规的非倒装芯片安装LED相比，可以提供改善的光提取。例如，在使用碳化硅衬底上的氮化镓区的常规芯片中，在LED有源区内部产生光的大约一半可以实际发射出去。由于总的内部反射和/或吸收损失，剩余的光可以俘获在半导体材料内。其中远离二极管区的碳化硅衬底的第一面的表面积比与二极管区相邻的碳化硅衬底第二面小的这种结构可以提高光提取。然而，发射光的主要部分是入射光和/或通过用吸收金属完全和/或部分覆盖的芯片面，有利于对LED p区和n区的欧姆接触。此外，常规LED把光首先引向下面，这可以引起在LED封装内的光学元件的额外反射和/或由于小片粘附材料的损失。这些现象可以引起额外的光损耗。
明显相反，如图17A说明的本发明的实施例可以使用ATON几何形状和/或其它几何形状，其包括与第二面1310b相比减小了面积的第一面1310a，它是以倒装芯片方式安装到安装支架210以使得二极管区1320与安装支架210相邻，而衬底1310远离安装支架210。
此外，也如图17A所示，使用p型接触结构1740可以得到额外的效率，这结构包括p型欧姆区1742，反射器1744，阻挡区1746和/或焊接区1748。在一些实施例中，p型欧姆区1742可以包括p型欧姆金属，例如镍/金，氧化镍/金，氧化镍/铂，钛和/或钛/金，厚度在约10
Figure C02804417D0030095215QIETU
和约100
Figure C02804417D0030095215QIETU
之间。在一些实施例中，p型欧姆区1742可以包括连续的或不连续的p型欧姆金属，面积覆盖在约10％到约100％之间，厚度在约2
Figure C02804417D0030095215QIETU
到约100
Figure C02804417D0030095215QIETU
之间。对非连续的p型欧姆金属，下面的二极管层的电导率可以与面积覆盖匹配，以提高电流注入二极管有源区的均匀性。
还参照图17A，例如银和/或铝的厚的反射器1744是在欧姆区1742上，与二极管区1320相对。在其它实施例中，欧姆区1742可以是足够厚以使接触电阻低，但又足够薄以减小光吸收。欧姆区150可以等于或小于常规ATON芯片的欧姆金属厚度的一半，以适应光的加倍通过该接触。此外，可以通过合并欧姆和反射器区来呈现电流扩展功能，合并的欧姆和反射器区能够设计成足够厚，以促进二极管区1320内产生的光的有效光学反射，同时提供电流扩展。因此，在二极管区1320内产生的光1726可以反射离开反射器1742，回到衬底1310内。在二极管区内产生的其它光1722能够直接注入衬底1310内。再有其它的光1724可以从衬底的倾斜侧壁射出去。
还参照图17A，倒装芯片安装的LED可以是采用焊接区1748粘贴的小片，焊接区包括金，铟，常规环氧树脂材料，铜焊和/或焊料，并与适当的焊料和/或焊料阻挡区1746例如镍，镍/钒和/或钛钨一起使用。任选的粘附层包括例如钛，也可以被提供在阻挡层1746和焊接区1748之间。也可以理解，通过在半导体表面上提供反射金属，可以得到非常光滑的镜表面，它与头部的相对粗糙表面相比具有相对高的反射率。
还参照图17A，可以使用n型接触结构1730，它包括欧姆/反射器区1732，粘附区1734，阻挡区1736和焊接区1738。欧姆/反射器区1732可以包括n型欧姆材料，例如铝和/或银，约1000
Figure C02804417D0030095215QIETU
厚。这个欧姆/反射器区1732可以作为欧姆接触和反射器层。也可以提供可选择的类似于反射器区1724的任选反射器区。也可以提供任选的粘附区1734，包括例如约1000
Figure C02804417D0030095215QIETU
的钛。也可以提供阻挡区1736。例如也可以使用约1000
Figure C02804417D0030095215QIETU
的铂。最后，也可以使用焊接区1738。例如，可以使用达到1μm或更厚的金，常规引线连接1750可以附在焊接区1738。可以理解，根据特定的应用，区1732，1734，1736或1738中的一个或多个区可以被去掉或与其它区结合。
根据图17A的实施例，倒装芯片安装ATON芯片与常规非倒装芯片ATON几何结构相比能够产生约1.5到1.7倍或更大的提高的辐射量。可以减小在p型电极和/或小片粘附材料中的吸收。可以使用n型接触结构1730，以减小或最小化表面覆盖。因此，在一些实施例中，电极结构1730能够占据碳化硅衬底1310的整个第一面1310a。然而，其它的几何结构也可以使用以减小或最小化表面覆盖。
例如，如图17B所示，n型接触结构1730可以仅包括在第一面1310a上的中央部分1730a。然而，对比较大的芯片尺寸，n型接触结构1730的指1730b也可以用来提供额外的电流扩展。因此，n型接触结构1730可以占据第一面1310的全部区域。在其它实施例中，占据区域可以小于全部区域，但是占据区域可以大于全部区域的10％。在另外的实施例中，可以使用小于区域10％的面积。可以理解，也可以采用中央部分1730a和指1730b的很多其它几何形状结构。
为了提高可缩放性，n型接触结构1730可以是一种互连的栅结构，在表面覆盖和电流扩展阻力方面与下面的半导体材料1310电导率相匹配。通过减小和优选最小化n型接触结构1730的表面覆盖，和使用银和/或铝反射器1732，可以减小和优选最小化全部的n型接触结构1730的吸收。
可以理解，在其它实施例中，n型和p型电极两者可以形成在在芯片侧面上，如授予Chen的美国专利5,952,681所描述的那样。这可以进一步减小n电极的欧姆接触内的光吸收。
可以理解，图17A和图17B的倒装芯片安装和/或接触结构可以与其它有减小面积的第一面的衬底几何形状包括立方形，三角形，金字塔形，切去顶端的金字塔形和/或半球形一起使用。如已经描述的，可以提供以槽、通孔和/或其它图案特征形式的图形化的附加第一面。最后，如已经描述的，也可以使用纹理化和/或粗糙化。也可以使用衬底和/或二极管区的粗糙化。因此，反射器1744可以形成在有意形成粗糙和/或形成图案的二极管区1320上。这种随机粗糙性能够提高光提取和/或减少内部反射。具体图案例如Fresnel透镜，也可以用于对准反射光和/或提高光提取。一旦应用反射器1744，图形化能够形成光学元件。图案的尺寸可以是从LED发出的光的波长的量级。
图18是根据本发明的其它实施例的发光二极管的截面图。具体而言，图18示出了常规ATON LED，包括在其二极管区上的反射器。根据本发明的其它实施例，出乎意料地发现，通过在常规的正面向上的ATON和/或其它LED的二极管区加上反射器，与在其顶表面处的二极管区上没有反射器的常规ATON和/或LED相比，可以增加约10％或更多的亮度。因此，用反射器至少部分阻挡顶表面，实际上可以增加光发射。
更特别地，参照图18，根据这里描述的任何实施例和/或根据常规的ATON和/或其它的LED结构，这些LED 1800包括衬底1310和二极管区1320。根据常规的ATON和/或其它的结构，可以提供n型接触结构1810。作为选择，可以提供一个n型接触结构1810，其包括一个粘附区1812，例如约1000
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的钛，一个阻挡区1814，例如约1000
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的铂，和一个焊接区1816，例如约1μm的金。粘附区1812也能够作为欧姆接触，也可以附加地是反射性的。
还参照图18，可以提供p型接触结构1820。p型接触结构1820包括透明欧姆区1830，它可以与图17A的欧姆层1742类似。也可以包括粘附层1826，它可以与图17A的粘附层1734类似。也可以包括阻挡层1824，它可以与图17A的阻挡层1736类似。也可以包括焊接区1822和导线1840，焊接区1822与图17A的焊接区1738类似，导线1840与图17A的导线1750类似。此外，也可以提供常规的ATON/ITP欧姆接触结构。根据本发明的一些实施例，p型接触结构1820其中包括反射器1828，用于把光反射回去，通过二极管区1320并进入衬底1310。反射器1828可以类似于图17A的反射器1746。如上所述，出乎意料，通过把反射器1828加到ATON和/或其它的LED的顶表面上可以增加亮度，例如是常规的ATON LED亮度的约1.2到约1.3倍之间或更大。
现在参照图19，将要描述根据本发明实施例的LED制作方法。可以理解，图19的一些块可以与图所示出的不同顺序出现，一些块可以同时执行而不是顺序执行。
参照图19的块1910，二极管区形成在碳化硅衬底上。如上所述，优选地，氮化镓二极管区是制作在碳化硅衬底上。在块1920，正如结合图7-12和图14-15一起描述的那样，槽可以通过锯、腐蚀、激光切割、反应离子腐蚀、湿法腐蚀和/或其它切割方法，和/或执行反应离子腐蚀以便在衬底的第一面上形成通孔。可以理解，在衬底上制作二极管区之前和/或在衬底上制作二极管区之后，在块1920可以形成槽和/或通孔。
参照块1930，例如结合图2-5、图11-12和图16-17描述的那样，形成一个接触结构。可以理解，在块1920的形成槽和/或反应离子腐蚀通孔之前可以形成接触结构。
参照块1940，执行切割以分离单个LED芯片。可以理解，如果是制作晶片大小的LED，则不需要执行切割，以及在块1930的形成电极结构之前和/或在块1920的锯槽和/或反应离子腐蚀之前，可以执行切割芯片。
然后参照块1950，例如采用焊剂预成型件和/或其它连接技术，如结合图2-5、图11-12和图16-17描述的那样，二极管连接到安装支架。在块1960，二极管被封装在例如塑料圆顶中，如图2-3和图16中说明的那样。因此可以有效地制作具有高提取效率的LED。
在附图和说明中，已经公开了本发明的典型优选实施例，虽然使用了特定术语，它们仅仅在一般性和描述性意义上使用，而不是出于限制目的，本发明的范围在下列权利要求中提出。

Claims (52)

1.一种发光二极管，包括：
有第一和第二相对面的衬底，该衬底对预定波长范围的光辐射是透明的，并对衬底形成图案以在横截面里确定具有从第一面向第二面方向延伸进入衬底的侧壁的多个支座，其中衬底的第一面包括纹理化的表面；和
在第二面上的二极管区，二极管区被配置成当在二极管区上施加电压时，发射在该预定波长范围的光进入对该预定波长范围的光辐射透明的衬底。
2.根据权利要求1的发光二极管，还包括：
在二极管区上、与衬底相对的安装支架，所述衬底对预定频率范围的光辐射是透明的，该安装支架被配置成支持二极管区，使得在二极管区上施加电压时，从二极管区发射进入对该预定波长范围的光辐射透明的衬底的光，从该多个支座发出。
3.根据权利要求1的发光二极管，还包括：
在第一面上、与二极管区相对的安装支架，该安装支架被配置成支持第一面。
4.根据权利要求2的发光二极管，还包括：
在安装支架和二极管区之间的反射器，该反射器被配置成，在二极管区上施加电压时，把从二极管区发射的光反射回去进入二极管区，通过对该预定波长范围的光辐射透明的衬底，从多个支座发出。
5.根据权利要求3的发光二极管，还包括：
在安装支架和第一面之间的反射器，该反射器被配置成，在二极管区上施加电压时，把从第一面发射的光反射回去进入对该预定波长范围的光辐射透明的衬底。
6.根据权利要求4的发光二极管，还包括：
在二极管区和反射器之间的透明电极。
7.根据权利要求5的发光二极管，还包括在第一面和反射器之间的透明电极。
8.根据权利要求4的发光二极管，其中反射器包括至少一种反射性金属的层。
9.根据权利要求4的发光二极管，还包括：
在反射器和安装支架之间的阻挡区；和
在阻挡区和安装支架之间的焊接区。
10.根据权利要求5的发光二极管，还包括：
在反射器和安装支架之间的阻挡区；和
在阻挡区和安装支架之间的焊接区。
11.根据权利要求9的发光二极管，其中焊接区包括金、铟、焊料和/或铜焊。
12.根据权利要求10的发光二极管，其中：
焊接区包括金、铟、焊料和/或铜焊。
13.根据权利要求1的发光二极管，还包括：
与第一面相邻、与二极管区相对的光学元件。
14.根据权利要求1的发光二极管，其中衬底的第一面其中包括至少一个槽，该槽在横截面内确定衬底内的多个支座。
15.根据权利要求14的发光二极管，其中支座是三角形支座。
16.根据权利要求14的发光二极管，其中槽包括锥形的和/或弯曲的侧壁。
17.根据权利要求14的发光二极管，其中槽包括斜面的和/或弯曲的底层。
18.根据权利要求16的发光二极管，其中槽包括斜面的和/或弯曲的底层。
19.根据权利要求14的发光二极管，其中衬底的第一和第二面包括正方形周界。
20.根据权利要求1的发光二极管，其中衬底的第一面其中包括通孔阵列，该通孔阵列在横截面内确定衬底中的多个支座。
21.根据权利要求20的发光二极管，其中通孔包括锥形的和/或弯曲的侧壁。
22.根据权利要求20的发光二极管，其中通孔包括平面的、斜面的和/或弯曲的底层。
23.根据权利要求21的发光二极管，其中通孔包括平面的、斜面的和/或弯曲的底层。
24.根据权利要求20的发光二极管，其中衬底的第一和第二面包括正方形周界。
25.根据权利要求20的发光二极管，其中通孔阵列包括锥形的和/或弯曲的通孔的阵列。
26.根据权利要求1的发光二极管，其中二极管区包括外围部分，至少一个被外围部分包围的中央部分，和至少一个发射区，该发射区被限定在该至少一个中央部分内且不伸展到外围部分上。
27.根据权利要求1的发光二极管，还包括：
在二极管区上的多个发射区，其中相应的发射区之一限定在相应的支座之一内且不伸展到相应的支座之一的外面。
28.根据权利要求14的发光二极管，还包括：
在二极管区上的多个电极，其中相应的电极之一限定在相应的支座之一内且不伸展到相应的支座之一外面。
29.根据权利要求20的发光二极管，还包括：
在二极管区上的至少一个不覆盖通孔的电极。
30.根据权利要求1的发光二极管，其中衬底包括碳化硅，且其中二极管区包括氮化镓。
31.一种制作发光二极管的方法，包括：
在衬底的第二面上形成二极管区，该二极管区被配置成发射预定波长范围的光，该衬底有第一和第二相对面并对该预定波长范围的光辐射是透明的；和
对衬底构图以便在横截面内确定从第一面向第二面伸展进入衬底的多个支座，
其中衬底的第一面包括纹理化的表面。
32.根据权利要求31的方法，还包括：
把二极管区安装到安装支架上，该安装支架配置成支持二极管区，使得在二极管区上施加电压时，从二极管区发射进入对该预定波长范围的光辐射透明的衬底的光从该多个支座发射出。
33.根据权利要求31的方法，还包括：
把第一面安装到安装支架上。
34.根据权利要求32的方法：
其中安装之前的步骤有，在有第一和第二相对面的衬底的第二面上的二极管区上形成反射器，使得将反射器配置成，当在二极管区上施加电压时，把从二极管区发射的光反射回去进入二极管区，通过衬底，从多个支座发射出；和
其中安装包括把反射器安装在安装支架上，该安装支架被配置成支持二极管区，使得在二极管区上施加电压时，从二极管区发射进入对该预定波长范围的光辐射透明的衬底的光从多个支座发射出。
35.根据权利要求34的方法：
其中形成反射器之前的步骤有，在二极管区上与衬底相对形成透明电极；和
其中形成反射器包括在透明电极上、与二极管区相对形成反射器，使得将反射器配置成，当在二极管区上施加电压时，把从二极管区发射的光反射回去进入二极管区，通过衬底并从多个支座发射出。
36.根据权利要求34的方法，其中反射器包括至少一种反射性金属的层。
37.根据权利要求34的方法，其中安装之前的步骤有：
在反射器上形成阻挡区；和
在阻挡区上形成焊接区；和
其中安装包括把焊接区焊接到安装支架。
38.根据权利要求37的方法，其中焊接区包括金，铟，焊料和/或铜焊。
39.根据权利要求37的方法，其中安装支架包括热沉。
40.根据权利要求31的方法，还包括：
安装与第一面相邻、与二极管区相对的光学元件。
41.根据权利要求31的方法，其中构图包括：
形成至少一个槽进入衬底的第一面之内以便确定衬底内的多个支座。
42.根据权利要求41的方法，其中支座是三角形支座。
43.根据权利要求41的方法，其中槽包括锥形的和/或弯曲的侧壁。
44.根据权利要求41的方法，其中槽包括斜面的和/或弯曲的底层。
45.根据权利要求43的方法，其中槽包括斜面的和/或弯曲的底层。
46.根据权利要求31的方法，其中构图包括：
反应离子刻蚀通孔阵列进入碳化硅衬底的第一面内。
47.根据权利要求46的方法，其中通孔包括锥形的和/或弯曲的侧壁。
48.根据权利要求46的方法，其中通孔包括平面的、斜面的和/或弯曲的底层。
49.根据权利要求47的方法，其中通孔包括平面的、斜面的和/或弯曲的底层。
50.根据权利要求31的方法，其中二极管区包括一外围部分和由外围部分包围的至少一个中央部分，该方法还包括：
在二极管区内形成至少一个发射区，该发射区是设定在至少一个中央部分内而并不延伸到外围部分上。
51.根据权利要求41的方法，还包括：
在二极管区上形成多个电极，相应的电极之一设定在相应的支座之一内而并不延伸到相应的支座之一之外。
52.根据权利要求46的方法，还包括：
在二极管区上形成不覆盖通孔的电极。
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Families Citing this family (539)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001088917A1 (fr) * 2000-05-19 2001-11-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Support d'enregistrement de donnees et son dispositif de reproduction
JP2002222992A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ発光素子、およびｌｅｄ発光装置
US6794684B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-21 Cree, Inc. Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
TWI294699B (en) * 2006-01-27 2008-03-11 Epistar Corp Light emitting device and method of forming the same
US6787435B2 (en) * 2001-07-05 2004-09-07 Gelcore Llc GaN LED with solderable backside metal
US7067849B2 (en) 2001-07-17 2006-06-27 Lg Electronics Inc. Diode having high brightness and method thereof
US7211833B2 (en) * 2001-07-23 2007-05-01 Cree, Inc. Light emitting diodes including barrier layers/sublayers
US6747298B2 (en) * 2001-07-23 2004-06-08 Cree, Inc. Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates
US6740906B2 (en) * 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
EP3078899B1 (en) * 2001-08-09 2020-02-12 Everlight Electronics Co., Ltd Led illuminator and card type led illuminating light source
DE10148227B4 (de) * 2001-09-28 2015-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement
US6949395B2 (en) 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
US7148520B2 (en) 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
US7858403B2 (en) 2001-10-31 2010-12-28 Cree, Inc. Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices
US20030090103A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-15 Thomas Becker Direct mailing device
US7638346B2 (en) 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US20060005763A1 (en) 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US6635503B2 (en) * 2002-01-28 2003-10-21 Cree, Inc. Cluster packaging of light emitting diodes
JP2003282939A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Oki Degital Imaging:Kk 半導体発光装置及びその製造方法
US8294172B2 (en) 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
AU2003263779A1 (en) 2002-07-22 2004-02-09 Cree, Inc. Light emitting diode including barrier layers and manufacturing methods therefor
EP1553641B1 (en) * 2002-08-29 2011-03-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
WO2004027884A1 (en) 2002-09-19 2004-04-01 Cree, Inc. Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
JP4116387B2 (ja) * 2002-09-30 2008-07-09 株式会社東芝 半導体発光素子
US7592636B2 (en) 2002-09-30 2009-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting semiconductor component and method for the production thereof
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
EP1561247B1 (en) * 2002-11-16 2012-07-25 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device and fabrication method thereof
US6943377B2 (en) * 2002-11-21 2005-09-13 Sensor Electronic Technology, Inc. Light emitting heterostructure
KR101045160B1 (ko) * 2002-12-20 2011-06-30 크리 인코포레이티드 자기정렬 반도체 메사와 콘택층을 구비한 반도체 소자형성방법 및 그에 관련된 소자
JP4254266B2 (ja) * 2003-02-20 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR20050113200A (ko) 2003-02-26 2005-12-01 크리, 인코포레이티드 복합 백색 광원 및 그 제조 방법
TWI243488B (en) * 2003-02-26 2005-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electrical contact-area for optoelectronic semiconductor-chip and its production method
KR100964399B1 (ko) * 2003-03-08 2010-06-17 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드 및 이를 채용한 반도체 레이저다이오드 조립체
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
US7141828B2 (en) * 2003-03-19 2006-11-28 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode with a thermally stable multiple layer reflective p-type contact
US7358539B2 (en) * 2003-04-09 2008-04-15 Lumination Llc Flip-chip light emitting diode with indium-tin-oxide based reflecting contacts
US7105861B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7211831B2 (en) * 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US7262550B2 (en) * 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US7098589B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7074631B2 (en) * 2003-04-15 2006-07-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device methods
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US7667238B2 (en) * 2003-04-15 2010-02-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices for liquid crystal displays
US20040259279A1 (en) 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
US7166871B2 (en) * 2003-04-15 2007-01-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting systems
US7274043B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
US7084434B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US6831302B2 (en) * 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US20040211972A1 (en) * 2003-04-22 2004-10-28 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode
EP2270887B1 (en) 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7087936B2 (en) * 2003-04-30 2006-08-08 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an antireflective layer that has a graded index of refraction
US7714345B2 (en) 2003-04-30 2010-05-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having coplanar electrical contacts adjacent to a substrate surface opposite an active region and methods of forming the same
US7531380B2 (en) * 2003-04-30 2009-05-12 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an active region with electrical contacts coupled to opposing surfaces thereof
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
WO2004102686A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-25 Cree, Inc. Led fabrication via ion implant isolation
JP3737494B2 (ja) * 2003-06-10 2006-01-18 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
JP3813599B2 (ja) * 2003-06-13 2006-08-23 ローム株式会社 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法
US7211835B2 (en) * 2003-07-09 2007-05-01 Nichia Corporation Light emitting device, method of manufacturing the same and lighting equipment
TWI312582B (en) * 2003-07-24 2009-07-21 Epistar Corporatio Led device, flip-chip led package and light reflecting structure
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
EP3166152B1 (en) * 2003-08-19 2020-04-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing its substrate
US7675075B2 (en) * 2003-08-28 2010-03-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7501669B2 (en) 2003-09-09 2009-03-10 Cree, Inc. Wide bandgap transistor devices with field plates
US7183587B2 (en) 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
JP2005117020A (ja) * 2003-09-16 2005-04-28 Stanley Electric Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法
JP2007528588A (ja) * 2003-09-16 2007-10-11 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源およびｌｅｄ照明装置
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
WO2005029572A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-31 Tinggi Technologies Private Limited Fabrication of conductive metal layer on semiconductor devices
TWI228272B (en) * 2003-09-19 2005-02-21 Tinggi Technologies Pte Ltd Fabrication of semiconductor devices
KR100799857B1 (ko) * 2003-10-27 2008-01-31 삼성전기주식회사 전극 구조체 및 이를 구비하는 반도체 발광 소자
JP4334321B2 (ja) * 2003-11-05 2009-09-30 シャープ株式会社 窒化物半導体発光ダイオードチップの作製方法
JP3979378B2 (ja) * 2003-11-06 2007-09-19 住友電気工業株式会社 半導体発光素子
US7402837B2 (en) 2003-11-12 2008-07-22 Cree, Inc. Light emitting devices with self aligned ohmic contacts
CA2545628A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-26 Cree, Inc. Methods of processing semiconductor wafer backsides having light emitting devices (leds) thereon and leds so formed
US20050194584A1 (en) * 2003-11-12 2005-09-08 Slater David B.Jr. LED fabrication via ion implant isolation
US20050104078A1 (en) * 2003-11-13 2005-05-19 Ite Compound Semiconductor Corporation Light-emitting diode having chemical compound based reflective structure
KR100647279B1 (ko) * 2003-11-14 2006-11-17 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
WO2005053000A2 (en) * 2003-11-24 2005-06-09 Tyco Electronics Corporation Encapsulated gaas - based laser devices
US7518158B2 (en) * 2003-12-09 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices and submounts
US7450311B2 (en) * 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
US20050133806A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Hui Peng P and N contact pad layout designs of GaN based LEDs for flip chip packaging
US7615689B2 (en) * 2004-02-12 2009-11-10 Seminis Vegatable Seeds, Inc. Methods for coupling resistance alleles in tomato
JP2005228924A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2005268275A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光ダイオード素子
JP2006066868A (ja) 2004-03-23 2006-03-09 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子および固体素子デバイス
US7202181B2 (en) * 2004-03-26 2007-04-10 Cres, Inc. Etching of substrates of light emitting devices
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7326583B2 (en) 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
US7868343B2 (en) * 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
CN1998094B (zh) * 2004-04-07 2012-12-26 霆激技术有限公司 半导体发光二极管上的反射层的制造
KR100549219B1 (ko) * 2004-04-12 2006-02-03 한국전자통신연구원 실리콘 발광소자 및 그 제조방법
US7064356B2 (en) 2004-04-16 2006-06-20 Gelcore, Llc Flip chip light emitting diode with micromesas and a conductive mesh
US6989555B2 (en) * 2004-04-21 2006-01-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Strain-controlled III-nitride light emitting device
US7592634B2 (en) * 2004-05-06 2009-09-22 Cree, Inc. LED fabrication via ion implant isolation
US7573078B2 (en) 2004-05-11 2009-08-11 Cree, Inc. Wide bandgap transistors with multiple field plates
US7550783B2 (en) 2004-05-11 2009-06-23 Cree, Inc. Wide bandgap HEMTs with source connected field plates
US9773877B2 (en) 2004-05-13 2017-09-26 Cree, Inc. Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US20080121917A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-29 The Regents Of The University Of California High efficiency white, single or multi-color light emitting diodes (leds) by index matching structures
US20100289043A1 (en) * 2006-11-15 2010-11-18 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led) through multiple extractors
JP2006024913A (ja) * 2004-06-09 2006-01-26 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極および発光素子
TWI308397B (en) * 2004-06-28 2009-04-01 Epistar Corp Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof
US20060002442A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Kevin Haberern Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures
US7795623B2 (en) * 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
JP4644193B2 (ja) * 2004-07-12 2011-03-02 ローム株式会社 半導体発光素子
US7118262B2 (en) * 2004-07-23 2006-10-10 Cree, Inc. Reflective optical elements for semiconductor light emitting devices
US7557380B2 (en) * 2004-07-27 2009-07-07 Cree, Inc. Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices having reflective bond pads
TWI374552B (en) * 2004-07-27 2012-10-11 Cree Inc Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices and methods of forming
US8728937B2 (en) 2004-07-30 2014-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor chips using thin film technology
JP5305655B2 (ja) * 2004-07-30 2013-10-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 薄膜技術による半導体チップの製造方法および薄膜半導体チップ
US20060038188A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Erchak Alexei A Light emitting diode systems
US20060054919A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-16 Kyocera Corporation Light-emitting element, method for manufacturing the same and lighting equipment using the same
US7476910B2 (en) * 2004-09-10 2009-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7737459B2 (en) * 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
US8174037B2 (en) * 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US8513686B2 (en) * 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US7259402B2 (en) * 2004-09-22 2007-08-21 Cree, Inc. High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode
US7372198B2 (en) 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
US7352006B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
US20060081859A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Shyi-Ming Pan Light emitting semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
US7432536B2 (en) * 2004-11-04 2008-10-07 Cree, Inc. LED with self aligned bond pad
JP4906256B2 (ja) * 2004-11-10 2012-03-28 株式会社沖データ 半導体複合装置の製造方法
JP2008523637A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ
US7322732B2 (en) * 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US8288942B2 (en) * 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
US7863829B2 (en) * 2004-12-30 2011-01-04 Solarone Solutions, Inc. LED lighting system
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US9130114B2 (en) 2005-01-11 2015-09-08 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode (VLED) dice having confinement layers with roughened surfaces and methods of fabrication
US7897420B2 (en) * 2005-01-11 2011-03-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
US7692207B2 (en) * 2005-01-21 2010-04-06 Luminus Devices, Inc. Packaging designs for LEDs
US7170100B2 (en) 2005-01-21 2007-01-30 Luminus Devices, Inc. Packaging designs for LEDs
US7335920B2 (en) * 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
KR101138944B1 (ko) * 2005-01-26 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법
US7939842B2 (en) 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
JP4901117B2 (ja) * 2005-03-04 2012-03-21 株式会社東芝 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
US20060204865A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Luminus Devices, Inc. Patterned light-emitting devices
US20070045640A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
US7803648B2 (en) * 2005-03-09 2010-09-28 Showa Denko K.K. Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof
US11791385B2 (en) 2005-03-11 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Wide bandgap transistors with gate-source field plates
EP2280430B1 (en) 2005-03-11 2020-01-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
US8748923B2 (en) 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7341878B2 (en) 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7195952B2 (en) * 2005-03-22 2007-03-27 Micrel, Inc. Schottky diode device with aluminum pickup of backside cathode
WO2006104935A2 (en) * 2005-03-28 2006-10-05 Goldeneye,Inc. Light emitting diodes and methods of fabrication
JP4244953B2 (ja) * 2005-04-26 2009-03-25 住友電気工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2006324587A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Toshiba Corp 半導体発光素子
WO2006127030A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-30 Cree, Inc. High efficacy white led
CN100585892C (zh) * 2005-05-25 2010-01-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光器件
CN100372137C (zh) * 2005-05-27 2008-02-27 晶能光电（江西）有限公司 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
JP2007005591A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Corp 半導体発光素子
US7800124B2 (en) * 2005-06-30 2010-09-21 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light-emitting device
TWI269467B (en) * 2005-07-01 2006-12-21 Epitech Technology Corp Light-emitting diode
US20070018182A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
US20070030568A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-08 Tohoku University Future Vision Inc. High-reflectance visible-light reflector member, liquid-crystal display backlight unit employing the same, and manufacture of the high-reflectance visible-light reflector member
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
TWI371871B (en) * 2006-12-29 2012-09-01 Ind Tech Res Inst A led chip with micro lens
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
KR100635157B1 (ko) * 2005-09-09 2006-10-17 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
SG130975A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
US7348603B2 (en) * 2005-10-17 2008-03-25 Luminus Devices, Inc. Anisotropic collimation devices and related methods
US7391059B2 (en) 2005-10-17 2008-06-24 Luminus Devices, Inc. Isotropic collimation devices and related methods
US7388233B2 (en) * 2005-10-17 2008-06-17 Luminus Devices, Inc. Patchwork patterned devices and related methods
US20070085098A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 Luminus Devices, Inc. Patterned devices and related methods
US7723154B1 (en) 2005-10-19 2010-05-25 North Carolina State University Methods of forming zinc oxide based II-VI compound semiconductor layers with shallow acceptor conductivities
SG131803A1 (en) * 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
US20070096120A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Gelcore Llc Lateral current GaN flip chip LED with shaped transparent substrate
WO2007065018A2 (en) 2005-12-02 2007-06-07 Crystal Is, Inc. Doped aluminum nitride crystals and methods of making them
KR20070063731A (ko) * 2005-12-15 2007-06-20 엘지전자 주식회사 나노 패턴이 형성된 기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한발광소자
SG133432A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
CN101460779A (zh) 2005-12-21 2009-06-17 科锐Led照明技术公司 照明装置
JP2007173575A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法
US7614759B2 (en) 2005-12-22 2009-11-10 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
JP4942996B2 (ja) * 2005-12-22 2012-05-30 昭和電工株式会社 発光ダイオード
JP2009530798A (ja) 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄから光を導くための独立した光学デバイス
US7442564B2 (en) * 2006-01-19 2008-10-28 Cree, Inc. Dispensed electrical interconnections
JP2007194385A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US7521728B2 (en) * 2006-01-20 2009-04-21 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same
US8264138B2 (en) 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
WO2007083829A1 (en) 2006-01-23 2007-07-26 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
US8101961B2 (en) * 2006-01-25 2012-01-24 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with growth substrates
US20070170596A1 (en) * 2006-01-26 2007-07-26 Way-Jze Wen Flip-chip light emitting diode with high light-emitting efficiency
DE102006015788A1 (de) * 2006-01-27 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US8269236B2 (en) 2006-02-08 2012-09-18 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and fabrication method thereof
JP5019755B2 (ja) * 2006-02-08 2012-09-05 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
KR100682878B1 (ko) * 2006-02-09 2007-02-15 삼성전기주식회사 플립칩형 발광소자
JP5032033B2 (ja) * 2006-02-14 2012-09-26 昭和電工株式会社 発光ダイオード
WO2007094476A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-23 Showa Denko K.K. Light-emitting diode
US7928462B2 (en) * 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
CN101395728B (zh) * 2006-03-10 2011-04-13 松下电工株式会社 发光元件及其制造方法
JP2007288139A (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Sumitomo Chemical Co Ltd モノシリック発光デバイス及びその駆動方法
US9034103B2 (en) 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
US8012257B2 (en) 2006-03-30 2011-09-06 Crystal Is, Inc. Methods for controllable doping of aluminum nitride bulk crystals
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
JP2009534866A (ja) 2006-04-24 2009-09-24 クリー， インコーポレイティッド 横向き平面実装白色ｌｅｄ
US20070257270A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US20070258241A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with non-bonded converging optical element
US7525126B2 (en) * 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US7390117B2 (en) * 2006-05-02 2008-06-24 3M Innovative Properties Company LED package with compound converging optical element
US20070257271A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with encapsulated converging optical element
US20070262341A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Wen-Huang Liu Vertical led with eutectic layer
DE102006023998B4 (de) * 2006-05-22 2009-02-19 Infineon Technologies Ag Elektronische Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
JP2009538531A (ja) * 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および、製造方法
US8033692B2 (en) 2006-05-23 2011-10-11 Cree, Inc. Lighting device
US20070272930A1 (en) * 2006-05-26 2007-11-29 Huan-Che Tseng Light-emitting diode package
WO2007139894A2 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
US8596819B2 (en) 2006-05-31 2013-12-03 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
TWI298555B (en) * 2006-06-05 2008-07-01 Epistar Corp Light emitting device
US7626210B2 (en) * 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
US20080012034A1 (en) * 2006-07-17 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US7915626B1 (en) * 2006-08-15 2011-03-29 Sandia Corporation Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AIGan epitaxial films
SG140473A1 (en) * 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
US7763478B2 (en) * 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
EP3624560A1 (en) 2006-08-23 2020-03-18 IDEAL Industries Lighting LLC Lighting device and lighting method
SG140512A1 (en) * 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
CN101529162B (zh) * 2006-09-23 2012-01-11 绎立锐光科技开发公司 发光二极管的亮度增强方法和装置
KR101262386B1 (ko) 2006-09-25 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법
DE102007021009A1 (de) * 2006-09-27 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
WO2008042351A2 (en) * 2006-10-02 2008-04-10 Illumitex, Inc. Led system and method
KR20090085594A (ko) * 2006-10-05 2009-08-07 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 ＧａＮ 계 ＬＥＤ 칩을 사용하여 이루어지는 발광 장치
JP2013145928A (ja) * 2006-10-05 2013-07-25 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系ＬＥＤチップおよび発光装置
US7847306B2 (en) * 2006-10-23 2010-12-07 Hong Kong Applied Science and Technology Research Insitute Company, Ltd. Light emitting diode device, method of fabrication and use thereof
US20080101062A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Lighting device for projecting a beam of light
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US8283699B2 (en) 2006-11-13 2012-10-09 Cree, Inc. GaN based HEMTs with buried field plates
KR100867529B1 (ko) * 2006-11-14 2008-11-10 삼성전기주식회사 수직형 발광 소자
US9318327B2 (en) * 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
US8110838B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Spatial localization of light-generating portions in LEDs
WO2008073435A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Lead frame for transparent and mirrorless light emitting diode
WO2008073400A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
JP4963950B2 (ja) * 2006-12-12 2012-06-27 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US9178121B2 (en) 2006-12-15 2015-11-03 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for light emitting diodes
TWI322522B (en) * 2006-12-18 2010-03-21 Delta Electronics Inc Electroluminescent device, and fabrication method thereof
JP5082752B2 (ja) 2006-12-21 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子
US20120326185A1 (en) * 2006-12-22 2012-12-27 Epistar Corporation Light emitting device
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
CN107059116B (zh) 2007-01-17 2019-12-31 晶体公司 引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
TWI440210B (zh) 2007-01-22 2014-06-01 Cree Inc 使用發光裝置外部互連陣列之照明裝置及其製造方法
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
CN101652832B (zh) 2007-01-26 2011-06-22 晶体公司 厚的赝晶氮化物外延层
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
US8080833B2 (en) 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8212262B2 (en) * 2007-02-09 2012-07-03 Cree, Inc. Transparent LED chip
US9061450B2 (en) 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
US20080197378A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Hua-Shuang Kong Group III Nitride Diodes on Low Index Carrier Substrates
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
JP5179766B2 (ja) * 2007-03-08 2013-04-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US8110425B2 (en) * 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
CN101276863B (zh) * 2007-03-29 2011-02-09 晶元光电股份有限公司 发光二极管及其制造方法
KR101472963B1 (ko) * 2007-04-04 2014-12-15 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 발광장치 구조체 및 그 제조방법
US8409972B2 (en) * 2007-04-11 2013-04-02 Cree, Inc. Light emitting diode having undoped and unintentionally doped nitride transition layer
US9484499B2 (en) * 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
US20080258130A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
US7910944B2 (en) * 2007-05-04 2011-03-22 Cree, Inc. Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
TWI447933B (zh) * 2007-05-17 2014-08-01 Semi Photonics Co Ltd 具有共熔層之立式發光二極體
US8088220B2 (en) 2007-05-24 2012-01-03 Crystal Is, Inc. Deep-eutectic melt growth of nitride crystals
US20090002979A1 (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Cree, Inc. Light emitting device (led) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
US8042971B2 (en) 2007-06-27 2011-10-25 Cree, Inc. Light emitting device (LED) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
JP5493252B2 (ja) * 2007-06-28 2014-05-14 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2009010248A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Canon Inc 面発光レーザおよびその製造方法
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
CN101743488B (zh) 2007-07-17 2014-02-26 科锐公司 具有内部光学特性结构的光学元件及其制造方法
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
JP5223102B2 (ja) * 2007-08-08 2013-06-26 豊田合成株式会社 フリップチップ型発光素子
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
JP2009081428A (ja) * 2007-09-03 2009-04-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
US7994524B1 (en) 2007-09-12 2011-08-09 David Yaunien Chung Vertically structured LED array light source
DE102008021403A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2009055079A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US7915629B2 (en) 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US9754926B2 (en) 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US8119028B2 (en) 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US9660153B2 (en) 2007-11-14 2017-05-23 Cree, Inc. Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9640737B2 (en) 2011-01-31 2017-05-02 Cree, Inc. Horizontal light emitting diodes including phosphor particles
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
TW200926440A (en) * 2007-12-12 2009-06-16 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting diode and manufacturing method thereof
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US20100133580A1 (en) * 2008-01-02 2010-06-03 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package structure and conductive structure and manufacturing method thereof
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
US8058088B2 (en) 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US8178888B2 (en) * 2008-02-01 2012-05-15 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with high color rendering
WO2009100358A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
US8035984B2 (en) * 2008-03-19 2011-10-11 Ratcliffe William R Substrate structures and methods for electronic circuits
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
CN101919075A (zh) * 2008-03-25 2010-12-15 晶能光电（江西）有限公司 制备大功率led阵列的方法
US7791101B2 (en) * 2008-03-28 2010-09-07 Cree, Inc. Indium gallium nitride-based ohmic contact layers for gallium nitride-based devices
KR20100137524A (ko) * 2008-04-23 2010-12-30 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 발광 다이오드 구조, 램프 장치 및 발광 다이오드 구조를 형성하는 방법
WO2009143226A1 (en) * 2008-05-21 2009-11-26 Lumenz, Inc. Zinc-oxide based epitaxial layers and devices
US9147812B2 (en) * 2008-06-24 2015-09-29 Cree, Inc. Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US20110169015A1 (en) * 2008-08-26 2011-07-14 Honda Motor Co., Ltd. Bipolar semiconductor device and method for manufacturing same
JP5282503B2 (ja) 2008-09-19 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US7955875B2 (en) * 2008-09-26 2011-06-07 Cree, Inc. Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures
TWI370563B (en) * 2008-10-27 2012-08-11 Epistar Corp Vertical ac led
KR101064016B1 (ko) 2008-11-26 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8309973B2 (en) * 2009-02-12 2012-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Silicon-based sub-mount for an opto-electronic device
JP2010199204A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Sony Corp 発光装置およびその製造方法
WO2010101348A1 (ko) * 2009-03-05 2010-09-10 우리엘에스티 주식회사 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100969160B1 (ko) * 2009-03-10 2010-07-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8096671B1 (en) 2009-04-06 2012-01-17 Nmera, Llc Light emitting diode illumination system
US8529102B2 (en) * 2009-04-06 2013-09-10 Cree, Inc. Reflector system for lighting device
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US20100314551A1 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Bettles Timothy J In-line Fluid Treatment by UV Radiation
US20110012141A1 (en) 2009-07-15 2011-01-20 Le Toquin Ronan P Single-color wavelength-converted light emitting devices
US9437785B2 (en) * 2009-08-10 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diodes including integrated backside reflector and die attach
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US9362459B2 (en) 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
WO2011037877A1 (en) 2009-09-25 2011-03-31 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US9435493B2 (en) * 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
TWI401825B (zh) * 2009-11-27 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 發光二極體晶片的固晶方法及固晶完成之發光二極體
US8586963B2 (en) * 2009-12-08 2013-11-19 Lehigh University Semiconductor light-emitting devices having concave microstructures providing improved light extraction efficiency and method for producing same
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US8604461B2 (en) * 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
CN102104090B (zh) * 2009-12-22 2014-03-19 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片固晶方法、固晶的发光二极管及芯片结构
TWI499347B (zh) * 2009-12-31 2015-09-01 Epistar Corp 發光元件
CN102130220B (zh) * 2010-01-13 2014-12-10 晶元光电股份有限公司 光电半导体装置及其制造方法
US8575592B2 (en) * 2010-02-03 2013-11-05 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses
KR101658838B1 (ko) * 2010-02-04 2016-10-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
JP5526848B2 (ja) * 2010-02-17 2014-06-18 ソニー株式会社 情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US9991427B2 (en) * 2010-03-08 2018-06-05 Cree, Inc. Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices
US8508127B2 (en) * 2010-03-09 2013-08-13 Cree, Inc. High CRI lighting device with added long-wavelength blue color
CN102194943B (zh) * 2010-03-16 2013-09-25 吉林大学 p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法
US7829376B1 (en) 2010-04-07 2010-11-09 Lumenz, Inc. Methods of forming zinc oxide based II-VI compound semiconductor layers with shallow acceptor conductivities
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
CN101866999B (zh) * 2010-05-19 2012-09-05 中国科学院半导体研究所 制作ZnO基异质结发光二极管的方法
US8421104B2 (en) * 2010-05-24 2013-04-16 Walsin Lihwa Corporation Light emitting diode apparatus and method for enhancing luminous efficiency thereof
CN102270726A (zh) * 2010-06-01 2011-12-07 华新丽华股份有限公司 发光二极管装置及提高其发光效率的方法
CN105951177B (zh) 2010-06-30 2018-11-02 晶体公司 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长
US20120007117A1 (en) * 2010-07-08 2012-01-12 Andrews Peter S Submount for Electronic Die Attach with Controlled Voids and Methods of Attaching an Electronic Die to a Submount Including Engineered Voids
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US8764224B2 (en) 2010-08-12 2014-07-01 Cree, Inc. Luminaire with distributed LED sources
US9515229B2 (en) 2010-09-21 2016-12-06 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with optical coatings and methods of making same
US8410679B2 (en) 2010-09-21 2013-04-02 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with densely packed phosphor layer at light emitting surface
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102130248A (zh) * 2010-10-08 2011-07-20 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光装置及其制造方法
DE202011111091U1 (de) * 2010-11-18 2019-08-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtemittierender Diodenchip mit Elektrodenfeld
US9520536B2 (en) * 2010-11-18 2016-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad
US8723185B2 (en) * 2010-11-30 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reducing wafer distortion through a high CTE layer
JP5002703B2 (ja) * 2010-12-08 2012-08-15 株式会社東芝 半導体発光素子
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
TWI446577B (zh) * 2010-12-23 2014-07-21 Ind Tech Res Inst Ｌｅｄ晶圓之接合方法、ｌｅｄ晶粒之製造方法及ｌｅｄ晶圓與基體之接合結構
US8589120B2 (en) 2011-01-28 2013-11-19 Cree, Inc. Methods, systems, and apparatus for determining optical properties of elements of lighting components having similar color points
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US9831220B2 (en) * 2011-01-31 2017-11-28 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9053958B2 (en) 2011-01-31 2015-06-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9673363B2 (en) 2011-01-31 2017-06-06 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9401103B2 (en) 2011-02-04 2016-07-26 Cree, Inc. LED-array light source with aspect ratio greater than 1
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US10098197B2 (en) 2011-06-03 2018-10-09 Cree, Inc. Lighting devices with individually compensating multi-color clusters
CN103415935B (zh) * 2011-03-14 2016-09-14 皇家飞利浦有限公司 具有重新分布用于倒装芯片安装的垂直接触件的led
US8680556B2 (en) 2011-03-24 2014-03-25 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US9263636B2 (en) * 2011-05-04 2016-02-16 Cree, Inc. Light-emitting diode (LED) for achieving an asymmetric light output
US8921875B2 (en) 2011-05-10 2014-12-30 Cree, Inc. Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods
US8814621B2 (en) 2011-06-03 2014-08-26 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US8906263B2 (en) 2011-06-03 2014-12-09 Cree, Inc. Red nitride phosphors
US8729790B2 (en) 2011-06-03 2014-05-20 Cree, Inc. Coated phosphors and light emitting devices including the same
US8747697B2 (en) 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
CN102299215A (zh) * 2011-06-13 2011-12-28 协鑫光电科技（张家港）有限公司 发光二极管与其制造方法
US8957430B2 (en) 2011-06-15 2015-02-17 Cree, Inc. Gel underfill layers for light emitting diodes
US10319881B2 (en) 2011-06-15 2019-06-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Device including transparent layer with profiled surface for improved extraction
US9741899B2 (en) 2011-06-15 2017-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US8525190B2 (en) 2011-06-15 2013-09-03 Cree, Inc. Conformal gel layers for light emitting diodes
US9337387B2 (en) 2011-06-15 2016-05-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US10522714B2 (en) 2011-06-15 2019-12-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US9142741B2 (en) 2011-06-15 2015-09-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US9666764B2 (en) * 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
US8686429B2 (en) * 2011-06-24 2014-04-01 Cree, Inc. LED structure with enhanced mirror reflectivity
US9653643B2 (en) * 2012-04-09 2017-05-16 Cree, Inc. Wafer level packaging of light emitting diodes (LEDs)
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US8684569B2 (en) 2011-07-06 2014-04-01 Cree, Inc. Lens and trim attachment structure for solid state downlights
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
JP2014525146A (ja) 2011-07-21 2014-09-25 クリー インコーポレイテッド 発光デバイス、パッケージ、部品、ならびに改良された化学抵抗性のための方法および関連する方法
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US9343641B2 (en) * 2011-08-02 2016-05-17 Manutius Ip, Inc. Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process
CN103066177A (zh) * 2011-10-19 2013-04-24 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒
US8426227B1 (en) * 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
US8333860B1 (en) 2011-11-18 2012-12-18 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a micro device
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
TW201322489A (zh) * 2011-11-29 2013-06-01 Genesis Photonics Inc 發光二極體元件及覆晶式發光二極體封裝元件
CN103137816B (zh) * 2011-12-03 2015-09-30 清华大学 发光二极管
CN103137812B (zh) * 2011-12-03 2015-11-25 清华大学 发光二极管
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US9318669B2 (en) 2012-01-30 2016-04-19 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
TWI515929B (zh) * 2012-04-24 2016-01-01 新世紀光電股份有限公司 發光角度收斂之圖案化基材及發光二極體元件
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US9437783B2 (en) 2012-05-08 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) contact structures and process for fabricating the same
JP2013236010A (ja) 2012-05-10 2013-11-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
CN102769082B (zh) * 2012-07-02 2015-04-29 杭州士兰明芯科技有限公司 图形化衬底及其形成方法及用于制作所述衬底的掩膜版
JP5421442B1 (ja) * 2012-09-26 2014-02-19 株式会社東芝 窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体素子及び窒化物半導体ウェーハの製造方法
TWM450831U (zh) * 2012-11-23 2013-04-11 Helio Optoelectronics Corp 具有散熱單元之高亮度發光二極體燈具結構
KR20140095395A (ko) * 2013-01-24 2014-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 발광장치
US9316382B2 (en) 2013-01-31 2016-04-19 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for connecting light emitting diode (LED) modules
US9039746B2 (en) 2013-02-08 2015-05-26 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable melatonin suppression effects
US9030103B2 (en) 2013-02-08 2015-05-12 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable scotopic / photopic ratio
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US9055643B2 (en) 2013-03-13 2015-06-09 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods of forming
WO2014151264A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Crystal Is, Inc. Planar contacts to pseudomorphic electronic and optoelectronic devices
US9306138B2 (en) * 2013-04-08 2016-04-05 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light emitting diode packaging structure
US9105807B2 (en) * 2013-04-22 2015-08-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor optical emitting device with grooved substrate providing multiple angled light emission paths
US8896008B2 (en) 2013-04-23 2014-11-25 Cree, Inc. Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes
US9847411B2 (en) 2013-06-09 2017-12-19 Cree, Inc. Recessed field plate transistor structures
US9679981B2 (en) 2013-06-09 2017-06-13 Cree, Inc. Cascode structures for GaN HEMTs
US9755059B2 (en) 2013-06-09 2017-09-05 Cree, Inc. Cascode structures with GaN cap layers
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
TWI514621B (zh) 2013-06-14 2015-12-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體結構
KR20160032236A (ko) * 2013-07-19 2016-03-23 코닌클리케 필립스 엔.브이. 광학 요소를 가지며 기판 캐리어를 갖지 않는 ｐｃ ｌｅｄ
US9240528B2 (en) 2013-10-03 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with high scotopic/photopic (S/P) ratio
TWI550909B (zh) 2014-03-21 2016-09-21 A flip chip type light emitting diode and a method for manufacturing the same, and a flip chip type structure thereof
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
US10622522B2 (en) * 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
US10477636B1 (en) 2014-10-28 2019-11-12 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having multiple light sources
WO2016073678A1 (en) 2014-11-06 2016-05-12 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with trench beneath a top contact
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
US10431568B2 (en) 2014-12-18 2019-10-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
CN113130725A (zh) 2015-03-31 2021-07-16 科锐Led公司 具有包封的发光二极管和方法
WO2016176625A1 (en) 2015-04-30 2016-11-03 Cree, Inc. Solid state lighting components
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US10074635B2 (en) 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
EP4246227A3 (en) * 2015-09-25 2023-12-13 Materion Corporation High optical power light conversion device using an optoceramic phosphor element with solder attachment
CN108369977B (zh) 2015-10-01 2021-06-15 克利公司 低光学损失倒装芯片固态照明设备
WO2017127461A1 (en) 2016-01-18 2017-07-27 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
JP2017135246A (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
JP7083230B2 (ja) * 2016-05-10 2022-06-10 ローム株式会社 半導体発光素子
KR102554474B1 (ko) * 2016-07-13 2023-07-10 엘지이노텍 주식회사 맥박 센서
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
WO2018052902A1 (en) 2016-09-13 2018-03-22 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10804251B2 (en) 2016-11-22 2020-10-13 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, components and methods
DE102016122810A1 (de) * 2016-11-25 2018-05-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil mit einem lichtemittierenden halbleiterchip
US10439114B2 (en) 2017-03-08 2019-10-08 Cree, Inc. Substrates for light emitting diodes and related methods
US10686158B2 (en) 2017-03-31 2020-06-16 Innolux Corporation Display device
EP3382754B1 (en) * 2017-03-31 2021-06-30 InnoLux Corporation Display device
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
TWI780195B (zh) 2017-08-03 2022-10-11 美商克里公司 高密度像素化發光二極體晶片和晶片陣列裝置以及製造方法
US11101248B2 (en) 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11107857B2 (en) 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10361349B2 (en) 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
US10734560B2 (en) 2017-11-29 2020-08-04 Cree, Inc. Configurable circuit layout for LEDs
US11031527B2 (en) 2018-01-29 2021-06-08 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11923481B2 (en) 2018-01-29 2024-03-05 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11387389B2 (en) 2018-01-29 2022-07-12 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
US10573543B2 (en) 2018-04-30 2020-02-25 Cree, Inc. Apparatus and methods for mass transfer of electronic die
US11024785B2 (en) * 2018-05-25 2021-06-01 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages
US11101410B2 (en) 2018-05-30 2021-08-24 Creeled, Inc. LED systems, apparatuses, and methods
US10453827B1 (en) 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
EP3776674A1 (en) 2018-06-04 2021-02-17 Cree, Inc. Led apparatuses, and method
US10964866B2 (en) 2018-08-21 2021-03-30 Cree, Inc. LED device, system, and method with adaptive patterns
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
KR102601950B1 (ko) * 2018-11-16 2023-11-14 삼성전자주식회사 Led 소자, led 소자의 제조 방법 및 led 소자를 포함하는 디스플레이 장치
US10879441B2 (en) 2018-12-17 2020-12-29 Cree, Inc. Interconnects for light emitting diode chips
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
JP7323763B2 (ja) 2018-12-27 2023-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US10985294B2 (en) 2019-03-19 2021-04-20 Creeled, Inc. Contact structures for light emitting diode chips
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
US10971650B2 (en) 2019-07-29 2021-04-06 Lextar Electronics Corporation Light emitting device
US11094848B2 (en) 2019-08-16 2021-08-17 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip structures
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
US11817526B2 (en) 2019-10-29 2023-11-14 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-LED chips and chip array devices
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
KR20210143452A (ko) 2020-05-20 2021-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods
US20230361249A1 (en) * 2022-05-05 2023-11-09 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip structures with electrically insulating substrates and related methods

Family Cites Families (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3894919A (en) 1974-05-09 1975-07-15 Bell Telephone Labor Inc Contacting semiconductors during electrolytic oxidation
JPS5216192A (en) 1975-07-30 1977-02-07 Hitachi Ltd Luminous diode and its producing method
US4037241A (en) 1975-10-02 1977-07-19 Texas Instruments Incorporated Shaped emitters with buried-junction structure
FR2394894A1 (fr) 1977-06-17 1979-01-12 Thomson Csf Dispositif de prise de contact sur un element semiconducteur
JPS546787A (en) 1977-06-17 1979-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Luminous element
JPS56131977A (en) 1980-03-19 1981-10-15 Sanyo Electric Co Ltd Manufacture of gan light emitting diode
FR2488049A1 (fr) 1980-07-31 1982-02-05 Bouley Jean Source lumineuse a jonction semiconductrice, notamment source-laser, utilisant des diodes schottky, et procede de fabrication
DE3041358A1 (de) 1980-11-03 1982-06-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lichtreflektirender ohmscher kontakt fuer bauelemente
JPS61110476A (ja) 1984-11-02 1986-05-28 Nec Corp 赤外発光ダイオ−ド
JPH01225377A (ja) 1988-03-04 1989-09-08 Mitsubishi Cable Ind Ltd Ｌｅｄアレイ
US5187547A (en) 1988-05-18 1993-02-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Light emitting diode device and method for producing same
US4918497A (en) 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
JP2704181B2 (ja) 1989-02-13 1998-01-26 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
US5087949A (en) 1989-06-27 1992-02-11 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with diagonal faces
US5338994A (en) 1989-07-20 1994-08-16 General Electric Company Method and apparatus for achieving current balance in parallel connected switching devices
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
JP2593960B2 (ja) 1990-11-29 1997-03-26 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子とその製造方法
JP3160914B2 (ja) 1990-12-26 2001-04-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
JPH04264781A (ja) * 1991-02-20 1992-09-21 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオードアレイ
JP2666228B2 (ja) 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5309001A (en) * 1991-11-25 1994-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode having a surface electrode of a tree-like form
US5349211A (en) * 1992-03-26 1994-09-20 Nec Corporation Semiconductor infrared emitting device with oblique side surface with respect to the cleavage
JPH0690021A (ja) 1992-09-08 1994-03-29 Sharp Corp 炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオード
JP2728190B2 (ja) 1993-02-05 1998-03-18 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子
EP0622858B2 (en) 1993-04-28 2004-09-29 Nichia Corporation Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JPH07235729A (ja) 1994-02-21 1995-09-05 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
US5585648A (en) 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
US5627851A (en) * 1995-02-10 1997-05-06 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitting device
JP3557011B2 (ja) 1995-03-30 2004-08-25 株式会社東芝 半導体発光素子、及びその製造方法
US5513204A (en) * 1995-04-12 1996-04-30 Optical Concepts, Inc. Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
JPH08321660A (ja) 1995-05-25 1996-12-03 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子
JP3832877B2 (ja) * 1995-07-26 2006-10-11 日亜化学工業株式会社 セラミックスｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JPH0982587A (ja) 1995-09-08 1997-03-28 Hewlett Packard Co <Hp> 非方形電子チップの製造方法
JPH0992878A (ja) 1995-09-25 1997-04-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
US5917202A (en) 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
JPH09232632A (ja) 1995-12-22 1997-09-05 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
ID16181A (id) 1995-12-25 1997-09-11 Sony Corp Alat semi konduktor dengan permukaan terbelah
US5718760A (en) 1996-02-05 1998-02-17 Cree Research, Inc. Growth of colorless silicon carbide crystals
US5846694A (en) * 1996-02-13 1998-12-08 The Regents Of The University Of California Microminiature optical waveguide structure and method for fabrication
JP3617565B2 (ja) 1996-02-16 2005-02-09 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
US5760479A (en) 1996-02-29 1998-06-02 Texas Instruments Incorporated Flip-chip die attachment for a high temperature die to substrate bond
US5779924A (en) 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
JP3341576B2 (ja) 1996-03-27 2002-11-05 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
DE19632627A1 (de) * 1996-08-13 1998-02-19 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Licht aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterkörpers
US6031243A (en) * 1996-10-16 2000-02-29 Geoff W. Taylor Grating coupled vertical cavity optoelectronic devices
JP3087831B2 (ja) 1996-11-27 2000-09-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP2907170B2 (ja) 1996-12-28 1999-06-21 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
JP3309953B2 (ja) 1997-02-21 2002-07-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザダイオード
JPH10256604A (ja) 1997-03-11 1998-09-25 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
EP0871049A1 (en) * 1997-04-11 1998-10-14 Hewlett-Packard Company Semiconductor device
JP3769872B2 (ja) 1997-05-06 2006-04-26 ソニー株式会社 半導体発光素子
US6229160B1 (en) 1997-06-03 2001-05-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
EP1014455B1 (en) * 1997-07-25 2006-07-12 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US6121637A (en) 1997-10-03 2000-09-19 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with increased luminous power
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JP3130292B2 (ja) 1997-10-14 2001-01-31 松下電子工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JPH11121803A (ja) 1997-10-16 1999-04-30 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US6015719A (en) 1997-10-24 2000-01-18 Hewlett-Packard Company Transparent substrate light emitting diodes with directed light output
JP3356034B2 (ja) 1997-11-14 2002-12-09 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
GB2331625B (en) 1997-11-19 2003-02-26 Hassan Paddy Abdel Salam led Lamp
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
JPH11220168A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
US6091085A (en) 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
JP3707279B2 (ja) 1998-03-02 2005-10-19 松下電器産業株式会社 半導体発光装置
JP2958451B1 (ja) 1998-03-05 1999-10-06 工業技術院長 熱電変換材料及びその製造方法
US6046465A (en) 1998-04-17 2000-04-04 Hewlett-Packard Company Buried reflectors for light emitters in epitaxial material and method for producing same
US6500257B1 (en) 1998-04-17 2002-12-31 Agilent Technologies, Inc. Epitaxial material grown laterally within a trench and method for producing same
WO1999056504A1 (en) 1998-04-29 1999-11-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Circuit arrangement for a semiconductor light source
US6936859B1 (en) * 1998-05-13 2005-08-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
JP3736181B2 (ja) 1998-05-13 2006-01-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP3531475B2 (ja) 1998-05-22 2004-05-31 日亜化学工業株式会社 フリップチップ型光半導体素子
JPH11340576A (ja) 1998-05-28 1999-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体デバイス
US6194742B1 (en) 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
US6013719A (en) * 1998-06-15 2000-01-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Applications of low melt viscosity polytetrafluorethylene
CN1287637C (zh) 1998-07-01 2006-11-29 皇家菲利浦电子有限公司 电路装置和装有这种电路装置的信号灯
US6504180B1 (en) * 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
US6097041A (en) 1998-08-24 2000-08-01 Kingmax Technology Inc. Light-emitting diode with anti-reflector
JP2000077713A (ja) 1998-08-27 2000-03-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子
US6169294B1 (en) 1998-09-08 2001-01-02 Epistar Co. Inverted light emitting diode
US6884644B1 (en) 1998-09-16 2005-04-26 Cree, Inc. Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices
US6459100B1 (en) 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
US6803243B2 (en) 2001-03-15 2004-10-12 Cree, Inc. Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices
US6204523B1 (en) 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6177688B1 (en) 1998-11-24 2001-01-23 North Carolina State University Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates
JP2000195827A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Oki Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄアレイチップおよびその製造方法ならびにダイシング装置
JP2000252230A (ja) 1998-12-28 2000-09-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
RU2142661C1 (ru) 1998-12-29 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный некогерентный излучатель
US6065854A (en) * 1999-01-07 2000-05-23 Integrated Systems Engineering Inc. LED modular display system
US6201264B1 (en) 1999-01-14 2001-03-13 Lumileds Lighting, U.S., Llc Advanced semiconductor devices fabricated with passivated high aluminum content III-V materials
JPH11261109A (ja) 1999-01-18 1999-09-24 Toshiba Corp 窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置
US6320206B1 (en) 1999-02-05 2001-11-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
US6222207B1 (en) 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
US6133589A (en) 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6139166A (en) 1999-06-24 2000-10-31 Lumileds Lighting B.V. Luminaire having beam splitters for mixing light from different color ' LEDs
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
CN1292493C (zh) * 1999-12-03 2006-12-27 美商克立股份有限公司 藉由内部及外部光学组件之使用而加强发光二极管中的光放出
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
DE10006738C2 (de) * 2000-02-15 2002-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3975388B2 (ja) 2000-04-07 2007-09-12 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
JP4024994B2 (ja) 2000-06-30 2007-12-19 株式会社東芝 半導体発光素子
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
DE10112542B9 (de) 2001-03-15 2013-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optisches Bauelement
US6630689B2 (en) 2001-05-09 2003-10-07 Lumileds Lighting, U.S. Llc Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa
US6455878B1 (en) 2001-05-15 2002-09-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP3912044B2 (ja) 2001-06-06 2007-05-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
US6740906B2 (en) 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding

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