CN100526871C

CN100526871C - 湿度传感器的检查装置以及调节湿度传感器的传感器特性的方法

Info

Publication number: CN100526871C
Application number: CNB2006100598059A
Authority: CN
Inventors: 板仓敏和; 矶贝俊树
Original assignee: Denso Corp; Nippon Soken Inc
Current assignee: Denso Corp; Soken Inc
Priority date: 2005-03-08
Filing date: 2006-03-07
Publication date: 2009-08-12
Anticipated expiration: 2026-03-07
Also published as: CN1831525A; FR2883071A1; US7213441B2; JP2006250579A; DE102006010777B4; US20070169535A1; DE102006010777A1; US7673493B2; US20060201232A1

Abstract

一种用于检查湿度传感器(100)的检查装置，所述湿度传感器(100)具有集成在一个芯片中的传感器部分(160)和电路部分(170)。所述检查装置包括：容纳晶片(W)的检查室(222)，晶片(W)中多个湿度传感器(100)设置成晶片状态的传感器芯片；接触电路部分(170)的电极焊盘的探针(226a)；电连接到探针(226a)以检查湿度传感器(100)的测试器(210)；以及控制检查室(222)的温度和湿度的温度—湿度控制部分(230)。

Description

湿度传感器的检查装置以及调节湿度传感器的传感器特性的方法

技术领域

本发明涉及一种检查晶片状态下的湿度传感器的检查装置、以及调节晶片状态下的湿度传感器的传感器特性的方法。

背景技术

现有地，例如在美国专利6037793中披露了一种检查传感器中IC芯片的传感器特性和电特性(电性能)的检查装置。这里，作为传感器芯片的IC芯片形成在半导体晶片上。

检查装置包括装半导体晶片的检查室(即，探针室)、作为接触件接触IC芯片的电极焊盘(pad)的探针(即，探针卡的探针)、以及检查IC芯片电特性的测试器。此装置执行作为探测测试(probing test)的电特性检查，从而检查IC芯片的质量。

当IC芯片是传感器时，不但执行检查传感器电特性的探测测试，而且执行检查传感器的传感器特性的传感器特性测试。根据传感器特性测试，调节传感器的特性。一般地，此传感器特性测试和传感器特性调节是在传感器封装之后进行的。优选地，在传感器制造工艺的较早步骤进行传感器特性测试和传感器特性调节。这是因为，当在较早步骤中去除传感器的废品时，减少了传感器制造的时间损失和/或降低了传感器制造成本。废品是根据传感器特性测试和传感器特性调节确定的。

因此，考虑在成为传感器芯片的晶片上进行传感器特性测试和传感器特性调节。特别是，传感器部分以及处理来自传感器部分的信号的电路部分集成在一个IC芯片中，从而一个IC芯片提供传感器。晶片包括多个IC芯片，并且晶片被分成多个芯片，从而提供每一个传感器。但是，当传感器是湿度传感器时，需要在湿度不同和温度不同的多个温度-湿度条件下检查和调节传感器特性。这里，传感器特性包括例如传感器的灵敏度、灵敏度的温度依赖性(即，温度特性)、传感器的偏移(offset)和偏移的温度依赖性(即，温度特性)。甚至传感器中的传感器部分和电路部分集成在一个芯片中，美国专利6037793中披露的检查装置不能在晶片分成传感器之前的晶片状态下检查传感器的传感器特性。

发明内容

考虑到上述问题，本发明的一个目的是提供一种检查晶片状态下的传感器的检查装置。本发明的另一个目的是提供一种调节晶片状态下的湿度传感器的传感器特性的方法。

检查装置检查传感器部分和电路部分集成在一个芯片中的湿度传感器。传感器部分能检测气氛的湿度，电路部分电连接到传感器部分，从而电路部分能处理传感器部分的检测信号。检查装置包括：容纳晶片的检查室，晶片中多个湿度传感器设置成晶片状态的传感器芯片；探针，作为接触件接触电路部分的电极焊盘，其中探针设置在检查室中；测试器，用于检查湿度传感器在晶片状态的电性能，其中测试器电连接到探针以检查湿度传感器；以及温度—湿度控制部分，用于控制检查室的温度和湿度。

在上述检测装置中，由于温度—湿度控制部分将检查室中的温度和湿度控制在预定温度—湿度条件，因此测试器不但执行探测测试，而且执行传感器特性测试。由此降低湿度传感器的制造成本。并且，通过同时执行传感器特性测试以及探测测试，进一步降低湿度传感器的制造成本。

并且，检查装置检查传感器部分和电路部分集成在一个芯片中的湿度传感器。传感器部分能检测气氛的湿度，电路部分电连接到传感器部分，从而电路部分能处理传感器部分的检测信号。检查装置包括：容纳晶片的多个检查室，晶片中多个湿度传感器设置成晶片状态的传感器芯片；探针，作为接触件接触电路部分的电极焊盘，其中探针设置在检查室中；测试器，用于检查湿度传感器在晶片状态的电性能，其中测试器电连接到探针以检查湿度传感器。每个检查室具有不同温度和不同湿度，并且晶片依次从一个检查室输送到另一个检查室，从而测试器在不同温度—湿度条件下检查晶片状态下的湿度传感器。

在上述检查装置中，晶片从一个检查室输送到另一个检查室。这样，有效地检查了湿度传感器的传感器特性。由此降低湿度传感器的制造成本。并且，由于预先控制每个检查室具有预定温度和预定湿度，从而缩短启动测试的等待时间。因此，可以在短时间内检查很多传感器。

并且，提供一种调节湿度传感器的传感器特性的方法。湿度传感器具有集成在一个芯片中的传感器部分和电路部分。传感器部分能检测气氛的湿度，电路部分电连接到传感器部分，从而电路部分能处理传感器部分的检测信号。方法包括以下步骤：将晶片周围的温度和湿度控制到预定温度-湿度条件，在晶片分成多个传感器芯片之前晶片中多个湿度传感器设置成晶片状态的传感器芯片；测量预定温度-湿度条件下湿度传感器的电性能；以及根据湿度传感器的电性能测量结果调节湿度传感器的灵敏度、灵敏度的温度特性、偏移和偏移的温度特性。

在上述方法中，即使在湿度传感器处于晶片状态下，即，即使晶片未分割成多个传感器芯片，也可以不但执行探测测试，而且执行传感器特性测试。并且，根据测试结果，调节湿度传感器的传感器特性。由此降低湿度传感器的制造成本。

附图说明

参考附图，在下面的详细描述中，本发明的上述和其它目的、特征和优点将变得更加清楚。在附图中：

图1A是表示根据本发明第一实施例的、作为检查目标的湿度传感器的平面示意图，图1B是所述传感器沿图1A中线IB—IB的部分剖视图；

图2是表示一个晶片的平面图，其中布置有多个湿度传感器；

图3是表示根据第一实施例的检查装置的示意图；

图4是表示根据本发明第二实施例的检查装置的部分放大示意图；以及

图5是解释根据本发明第一和第二实施例的修改的检查装置的示意图。

具体实施方式

(第一实施例)

作为本发明第一实施例的检查装置的检查目标的湿度传感器100表示在图1A和1B中。传感器100形成为半导体晶片中的一个芯片。在图1A中省去了电路部分的表示，电极和连线是部分透明地表示。

在将晶片分成多个IC芯片之前，需要判断IC芯片是否是废品并根据作为电特性测试的探测测试选择作为无缺陷产品的IC芯片。特别是，通过检查装置检查在晶片状态下作为传感器芯片的IC芯片，判断构成IC芯片的诸如晶体管和电阻器的电部件是否正常形成没有缺陷，电部件是否正常起到无缺陷产品电路的功能。

当IC芯片是传感器时，需要进行检测传感器的传感器特性的传感器特性测试。根据传感器特性测试结果，需要调节传感器的传感器特性。其中，对传感器特性处于可调节范围的传感器进行调节。将传感器特性超出可调节范围或不可能调节的传感器选定为传感器特性失效，即废品。因此，优选的是，在传感器制造工艺的较早步骤中进行调节和传感器特性测试。当在较早步骤中去除传感器的废品时，减少了传感器制造的时间损失和/或降低了制备成本。

但是，在传感器部分和电路部分单独形成的传统湿度传感器中，在将具有多个传感器部分的晶片分成多个传感器芯片以及将每个传感器芯片装在具有电路部分的电路板上之后，进行传感器特性测试。另一方面，在此实施例中，考虑到上述困难，按下述方式形成湿度传感器100。

如图1B所示，传感器100包括半导体基底110，例如由硅制成。氧化硅膜120作为绝缘膜形成在基底110的顶表面上。在氧化硅膜120上形成一对检测电极131、132。电极131、132是彼此分开的，并设置在氧化硅膜120的同一平面上。并且，每个电极131、132彼此相对。

每个电极131、132的形状是梳状的。但是，电极131、132的形状可以有不同的形状。

检测电极131、132可以由连线材料例如铝、铜、金、铂和多晶硅制成。特别是，连线材料通过气相沉积法、溅射法等方法沉积在半导体基底110上。接着，通过光刻法将连线材料膜制成梳状图案。在此实施例中，检测电极131、132用铝制成。

在氧化硅膜120上形成一对参考电极133、134。每个参考电极133、134彼此分开并布置在氧化硅膜120的同一平面上。并且，每个参考电极133、134彼此相对。参考电极133、134具有与检测电极131、132相同的图案，并且用与检测电极131、132相同的材料制成。

在基底110上形成氮化硅膜140作为保护膜，覆盖检测电极131、132和参考电极133、134。通过等离子CVD法或类似方法在基底110上沉积氮化硅膜140。氮化硅膜140在基底110的每个部分具有均匀厚度。当检测电极131、132和参考电极133、134对水具有充分的耐蚀性时，不需要保护膜，即氮化硅膜140。在图1A中，未表示氮化硅膜140。

在氮化硅膜140上形成具有吸湿性的湿度敏感膜150，覆盖检测电极131、132以及检测电极131、132之间的间隙。湿度敏感膜150例如由聚酰亚胺聚合物制成。湿度敏感膜150的形成方式是，通过旋转涂层法或印刷法在基底110上施加聚酰亚胺聚合物，接着加热和硬化聚酰亚胺。湿度敏感膜150的湿气吸收/释放受温度影响，即湿气的吸收/释放特性取决于温度，从而传感器的输出也取决于温度。特别是，传感器的灵敏度和传感器的偏移量取决于温度。

在湿度传感器100中，当潮气，即水分子渗透到湿度敏感膜150时，湿度敏感膜150的相对介电常数随着渗透到膜150中的湿气量而变化。这是因为湿气，即水分子具有大的相对介电常数。因此，检测电极131、132之间形成的电容器的电容量变化。此电容器包括作为一部分介电部件的湿度敏感膜150。另一方面，参考电极133、134没有湿度敏感膜150。因此，参考电极133、134之间形成的电容器的电容量基本不变，或者变化很小。湿度敏感膜150中的水分量对应于传感器100周围的湿度。因此，湿度是根据检测电极131、132的电容与参考电极133、134的电容之差检测的。其中，检测电极131、132和湿度敏感膜150提供检测部分161，参考电极133、134提供基准部分162。检测部分161和基准部分162提供传感器部分160。

如图1A所示，检测电极131、132和参考电极133、134分别具有电极焊盘131a、132a、133a、134a，作为与外部电路的连接终端。每个焊盘131a、132a、133a、134a形成在电极131、132、133、134的一端。检测电极131、132和参考电极133、134通过电极焊盘131a、132a、133a、134a连接到具有C—V转换电路(未图示)的电路部分170。如图1B所示，电路部分170包括CMOS晶体管171和类似的元件。传感器部分160的电容变化在电路部分170中处理。电路部分的检测电路公开在日本专利申请2003—28824，其申请人与本发明申请人相同。

具有传感器部分160和电路部分170的湿度传感器100形成为晶片W中的IC芯片。晶片W具有形成湿度传感器100的多个IC芯片。这样，在基底110上形成传感器部分160和电路部分170。晶片W中的湿度传感器100可以在不分成单个芯片的情况下进行测试和调节。这里，湿度传感器100是小型化的。并且，湿度传感器可以由传统的材料制成，从而利用传统的半导体生产线形成传感器100。由此使传感器100的制造成本变低。

湿度传感器100在晶片W状态下的传感器特性，即未分割成芯片的湿度传感器100，通过检查装置200检查。检查装置200表示在图3中。检查装置200包括测试器210和探针装置220。

探针装置220包括装载部分221、探针部分222、控制部分223和显示部分224。装载部分221输送装在盒C中的晶片W。探针部分222测量从装载部分221输送过来的晶片W的电性能。控制部分223独立地控制装载部分221和探针部分222。显示部分224的功能是作为操作控制部分223的操作面板，以及显示信息。探针部分222提供检测室，即检查室。

测试器210中包括计算机。测试器210执行检验和选择传感器100中的IC以及晶片W中的湿度传感器100的传感器特性测试的探测测试。并且，测试器210根据传感器特性测试结果执行传感器特性的调节。特别是，测试器210包括设置在测试器210上的测试头211。测试头211在测试器210执行测试时电连接到探针卡226。探针卡226装在探针部分222的顶板225上。在测试器210被维修或类似情况下，测试头211与探针部分222分离。这样，信号通过测试头211和探针卡226在测试器210与晶片W的湿度传感器100之间传送。

装载部分221装有根据晶片缺口预先对齐晶片W的副卡盘(未图示)。当晶片W从装载部分221输送到探针部分222时，通过装载部分221中的副卡盘预先对齐晶片W。

探针部分222包括主卡盘227、驱动件228和对齐件229。主卡盘227利用真空吸引和安装晶片W。驱动件228沿X、Y、Z和θ方向移动主卡盘227。通过操作驱动件228，对齐件229将主卡盘227上的晶片W的位置相对于探针卡226的探针226a对齐。置于主卡盘227上的晶片W的湿度传感器100的电极焊盘(未图示)与探针卡226的探针226a彼此对齐，从而通过驱动件228和对齐件229将电极焊盘和探针226a电连接在一起。

此外，探针装置220包括温度—湿度控制部分230，用于控制探针部分222内部的湿度和温度。

温度—湿度控制部分230将具有通过温度—湿度控制部分230控制的预定温度和预定湿度的气体输送到探针部分222内部。此外，温度—湿度控制部分230保持探针部分222内的压力恒定，或者温度—湿度控制部分230替换探针部分222中的气体。具体地，根据控制部分223的信号，温度—湿度控制部分230将调节到预定温度和预定湿度的气体供应到探针部分222内部。温度—湿度控制部分230改变供应到探针部分222内的气体的温度和湿度，使其具有不同条件，即不同温度和不同湿度。并且，温度—湿度控制部分230停止向探针部分222供应气体。这里，温度—湿度控制部分230通过公知的分流法、公知的两温度法或公知的两压力法控制气体的温度和湿度。

温度—湿度检测部分231检测探针部分222的温度和湿度。当温度—湿度检测部分231输出的温度信号和湿度信号满足预定的温度—湿度条件时，此预定的温度—湿度条件设定为具有预定的边界，即在预定范围内，控制部分223操作驱动件228和对齐件229。这里，预定边界的误差例如在1％内。主卡盘227上的晶片W的湿度传感器100的电极焊盘与探针卡226的探针226a在预定位置对齐，从而使湿度传感器100的电极焊盘和探针226a彼此电接触。

下面解释湿度传感器100的传感器特性调节。这里，同时执行探测测试和传感器特性测试。

首先调节作为一个传感器特性的传感器100的灵敏度。在灵敏度调节步骤中，温度保持不变，湿度变化成不同条件。具体地，温度—湿度控制部分230将探针部分222的温度和湿度大致控制到第一条件，例如，温度25℃和湿度50％RH。测试器210检测湿度传感器100的输出，即，测试器210检测传感器特性，从而执行传感器特性测试。接着，测试器210向湿度传感器100发送信号，以将湿度传感器100的输出控制到预定值，例如，当输出范围在0V到5V之间时，控制在2.5V±1.0V。这样，大致调节了传感器100的偏移。此传感器特性测试提供了探测测试。因此，当测试器210确定传感器是废品时，即具有IC缺陷，则在此时结束传感器100的测试。

接着，温度—湿度控制部分230顺序地将探针部分222的温度和湿度控制到第二条件和第三条件。这里，第二条件是，例如，温度25℃和湿度20％RH；第三条件是，例如，温度25℃和湿度80％RH。在每种条件下，测试器210检测传感器100的输出。根据第二条件下和第三条件下传感器特性测试的结果，测试器210计算湿度传感器100的灵敏度。接着，测试器210将信号发送到湿度传感器100，调节传感器100的灵敏度。具体地，例如，将调节数据写在传感器100的电路部分170的EPROM中。

优选地，温度—湿度控制部分230再次将探针部分222的温度和湿度控制在第一条件。此时，将传感器100的输出微调到2.5V。这样，执行传感器100偏移的微调。

接着，调节传感器100灵敏度的温度相关性，即温度特性。在温度特性的调节步骤，将湿度保持不变，将温度变化到不同条件。具体地，温度—湿度控制部分230将探针部分222的温度和湿度顺序控制在第四条件和第五条件。这里，第四条件是，例如，温度5℃和湿度80％RH；第五条件是，例如，温度45℃和湿度80％RH。在每种条件下，测试器210检测传感器100的输出。根据第四和第五条件下传感器特性测试的结果，测试器210计算湿度传感器100的温度特性。接着，测试器210将信号发送到湿度传感器100，调节传感器100灵敏度的温度特性。具体地，例如，将调节数据写在传感器100的电路部分170的EPROM。

这里，当测试器210根据每种条件下的传感器特性测试确定传感器是废品，即，具有IC缺陷时，则在此时结束传感器100的测试。具体地，当传感器100的传感器特性不可调节或超出可调节范围时，将此传感器100确定为传感器特性失效，即，废品。

通过使用检查湿度传感器100的检查装置200以及通过使用调节传感器100的传感器特性调节方法，即使在传感器100置于晶片W中，即在晶片状态而没有分割成IC芯片，也能执行探测测试以及传感器特性测试。这里，传感器特性测试是灵敏度测试、灵敏度的温度特性测试、偏移测试和偏移的温度特性测试。根据这些测试，调节湿度传感器100的传感器特性。因此，降低传感器100的制造成本。

并且，由于一部分传感器特性测试提供探测测试，因此也减少测试时间，即测量时间，从而降低传感器100的制造成本。

在此实施例中，灵敏度以及灵敏度的温度特性是由温度—湿度控制部分230在探针部分222中的温度和湿度的五个条件下进行检测和调节。另外，灵敏度可以在具有相同温度和不同湿度的两个条件下检测和调节，灵敏度的温度特性可以在相同湿度和不同温度的两个条件下检测和调节。具体地，当检测和调节灵敏度的温度特性时，可以将两个不同条件中的一个设置成与检测和调节灵敏度时的两个条件中的一个相同。在这种情况下，可以使用三个不同条件调节灵敏度和灵敏度的温度特性。这样，缩短了检测和调节时间。

在此实施例中，测试器210根据传感器特性测试调节传感器100的灵敏度和灵敏度的温度特性。但是，特性调节装置可以另外地形成在检查装置200中。特性调节装置根据测试器210检测的传感器特性调节灵敏度、灵敏度的温度特性、偏移和偏移的温度特性。

(第二实施例)

根据本发明第二实施例的检查装置200表示在图4中。图4是表示检查装置200中的探针卡226的部分放大图。探针卡226通过固定装置(未图示)固定在接触环232底侧。接触环232和探针卡226电连接到弹簧销233。接触环232也用另外的固定装置(未图示)固定在顶板225上。

传感器100电性能的检测和测试如下所述。测试头211压力接触接触环232的顶侧，使测试头211和接触环232电连接弹簧销233。接着，升高主卡盘227，从而探针226a接触晶片W中的湿度传感器100的电极焊盘。这样，测试器210检测传感器100的电性能，即探测测试。具体地，在上述接触条件下通过测试器210执行传感器特性测试和传感器特性调节。

当根据第一实施例检查装置200包括温度—湿度控制部分230时，需要长时间将探针部分222的温度和湿度稳定在温度—湿度条件的预定范围内，例如，在误差±1％内。另一方面，根据本发明第二实施例的检查装置200还包括气体供应部分234，用于在检测传感器特性时将气体吹到晶片W上。具体地，气体供应部分234吹入预定温度和预定湿度的气体，与探针部分222将设置的温度和湿度条件相同。图4表示一部分气体供应部分234，此气体供应部分234穿过接触环232和探针卡226，从而气体供应部分234将气体吹到晶片W上。

因此，由于具有预定温度和预定湿度的气体直接吹到晶片W上，即使探针部分222的温度和湿度在比预定界限宽的较宽界限内，例如，误差在3％以内，也能精确地检测传感器特性。这样，减少了启动传感器特性测试的等待时间。

只要气体供应部分234能吹入预定温度和预定湿度的气体，气体供应部分234可以具有与图4所示部分不同的其它结构。

(修改)

只要检查装置200能在晶片W分成IC芯片之前，在湿度传感器100周围环境的不同温度和不同湿度的多个条件下测量湿度传感器100在晶片状态下的电性能，检查装置200就可以具有与图3和图4所示装置不同的其它结构。另外，湿度传感器100包括传感器部分160和电路部分170，它们集成在一个芯片中。优选地，检查装置200根据电性能的测量结果调节传感器100的传感器特性，所述传感器特性是灵敏度、灵敏度的温度特性、偏移和偏移的温度特性。

虽然检查装置200包括一个探针部分222作为检查晶片W的检查室，但检查装置200可以具有多个探针部分222，如图5所示。在图5中，每个探针部分222分别具有不同温度和不同湿度。图5中的检查装置200包括四个探针部分222。在这种情况下，晶片W从第一探针部分222输送到第四探针部分222。这样，检测和调节了传感器特性，使传感器制造成本降低。并且，分别将多个探针部分222预先控制到预定温度和预定湿度。这样，缩短启动测试的等待时间。因此，可以在短时间内测试很多传感器100。

虽然湿度传感器100具有梳状电极131、132，但只要传感器100包括检测湿度的传感器部分160和处理来自传感器部分160的检测信号的电路部分170、以及传感器部分160和电路部分170集成在一个芯片中并且电连接在一起，则湿度传感器100可以具有其它结构。这里，在根据此实施例的湿度传感器100中，传感器部分160和电路部分170可以容易地集成在一个芯片中。

本发明提供以下的代表性方面。

另外，温度—湿度控制部分可以将气体供应到检查室，所述气体具有预定温度和预定湿度，温度—湿度控制部分可以用所述气体替换检查室的空气。另外，装置还可以包括：气体供应部分，用于在测试器检查湿度传感器的电性能时，将具有预定温度和预定湿度的气体吹到检查室的晶片。另外，所述装置还可以包括：传感器特性控制部分，用于根据湿度传感器的电性能检查结果调节湿度传感器的灵敏度、灵敏度的温度特性、偏移和偏移的温度特性。并且，传感器特性控制部分由测试器提供。

另外，在测试器检查湿度传感器的电性能时，温度—湿度控制部分可以控制检查室的压力恒定。

另外，可以在不同温度—湿度条件下多次执行控制晶片周围温度和湿度的步骤以及测量湿度传感器的电性能的步骤，从而在调节步骤调节湿度传感器的灵敏度、灵敏度的温度特性、偏移和偏移的温度特性。并且，所述不同温度—湿度条件可以包括具有相同温度和不同湿度的两个条件以及具有相同湿度和不同温度的两个条件。另外，测量湿度传感器电性能的步骤可以包括晶片状态的湿度传感器探测测试。

虽然参考本发明优选实施例已经描述了本发明，但应该理解的是，本发明并不限于这些优选实施例和结构。本发明覆盖各种修改和等同配置。另外，虽然给出了优选的不同组合和配置，但其它组合和配置，包括或多、或少或者仅是单独一个元件，也包括在本发明的精神和范围内。

Claims

1.一种用于检查湿度传感器(100)的检查装置，所述湿度传感器(100)具有集成在一个芯片中的传感器部分(160)和电路部分(170)，其中，传感器部分(160)能检测气氛的湿度，电路部分(170)电连接到传感器部分(160)，从而电路部分(170)能处理传感器部分(160)的检测信号，所述检查装置包括：

容纳晶片(W)的检查室(222)，晶片(W)中多个湿度传感器(100)设置成晶片状态的传感器芯片；

探针(226a)，作为接触件接触电路部分(170)的电极焊盘，其中探针(226a)设置在检查室(222)中；

测试器(210)，用于检查湿度传感器(100)在晶片状态的电性能，其中测试器(210)电连接到探针(226a)以检查湿度传感器(100)；以及

温度—湿度控制部分(230)，用于控制检查室(222)中的温度和湿度；

其中，所述温度—湿度控制部分(230)将所述检查室(222)控制在不同的温度和湿度条件下；

所述测试器(210)在所述不同的温度和湿度条件下检查湿度传感器(100)在晶片状态的电性能。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

温度—湿度控制部分(230)能将气体供应到检查室(222)中，所述气体具有预定温度和预定湿度，并且

温度—湿度控制部分(230)用所述气体替换检查室(222)中的空气。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

气体供应部分(234)，用于在由测试器(210)检查湿度传感器(100)的电性能时将具有预定温度和预定湿度的气体吹到检查室(222)中的晶片(W)。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

传感器特性控制部分(210)，用于根据湿度传感器(100)的电性能检查结果调节湿度传感器(100)的灵敏度、灵敏度的温度特性、偏移和偏移的温度特性。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于：

传感器特性控制部分(210)由测试器(210)提供。

6.如权利要求1—5中的任一项所述的装置，其特征在于：

湿度传感器(100)的传感器部分(160)包括基底(110)、一对梳状电极(131、132)和湿度敏感膜(150)，

梳状电极(131、132)设置在基底(110)上、彼此相对、彼此分开、并彼此交错，使每个梳状电极(131、132)的梳齿彼此啮合；

湿度敏感膜(150)覆盖梳状电极(131、132)以及梳状电极(131、132)之间的间隙；

梳状电极(131、132)在梳状电极(131、132)之间形成具有电容的电容器；以及

所述电容随着气氛的湿度而变化。

7.如权利要求1—5中的任一项所述的装置，其特征在于：

在由测试器(210)检查湿度传感器(100)的电性能时，温度—湿度控制部分(230)能控制检查室(222)中的压力恒定。

8.一种用于检查湿度传感器(100)的检查装置，所述湿度传感器(100)具有集成在一个芯片中的传感器部分(160)和电路部分(170)，其中，传感器部分(160)能检测气氛的湿度，电路部分(170)电连接到传感器部分(160)，从而电路部分(170)能处理传感器部分(160)的检测信号，所述检查装置包括：

容纳晶片(W)的多个检查室(222)，晶片(W)中多个湿度传感器(100)设置成晶片状态的传感器芯片；

测试器(210)，用于检查湿度传感器(100)在晶片状态的电性能，其中测试器(210)电连接到探针(226a)以检查湿度传感器(100)；其中

每个检查室(222)具有不同温度和不同湿度；以及

晶片(W)依次从一个检查室(222)输送到另一个检查室，从而测试器(210)在不同温度—湿度条件下检查晶片状态下的湿度传感器(100)。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括：

10.如权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括：

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于：

传感器特性控制部分(210)由测试器(210)提供。

12.如权利要求8—11中的任一项所述的装置，其特征在于：

所述电容随着气氛的湿度而变化。

13.如权利要求8—11中的任一项所述的装置，其特征在于：

14.一种调节湿度传感器(100)的传感器特性的方法，所述湿度传感器(100)具有集成在一个芯片中的传感器部分(160)和电路部分(170)，其中，传感器部分(160)能检测气氛的湿度，电路部分(170)电连接到传感器部分(160)，从而电路部分(170)能处理传感器部分(160)的检测信号，所述方法包括以下步骤：

将晶片(W)周围的温度和湿度控制到预定温度-湿度条件，在晶片(W)分成多个传感器芯片之前晶片(W)中多个湿度传感器(100)设置成晶片状态的传感器芯片；

在预定温度-湿度条件下测量湿度传感器(100)的电性能；以及

根据湿度传感器(100)的电性能测量结果调节湿度传感器(100)的灵敏度、灵敏度的温度特性、偏移和偏移的温度特性；

其中，在不同温度—湿度条件下多次执行控制晶片(W)周围温度和湿度的步骤以及测量湿度传感器(100)的电性能的步骤，从而在调节步骤中调节湿度传感器(100)的灵敏度、灵敏度的温度特性、偏移和偏移的温度特性。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于：

所述不同温度—湿度条件包括具有相同温度和不同湿度的两个条件以及具有相同湿度和不同温度的两个条件。

16.如权利要求14—15中的任一项所述的方法，其特征在于：

所述电容随着气氛的湿度而变化。

17.如权利要求14—15中的任一项所述的方法，其特征在于：

测量湿度传感器(100)电性能的步骤包括晶片状态的湿度传感器(100)的探测测试。