CN100565784C - 制造设备 - Google Patents

制造设备 Download PDF

Info

Publication number
CN100565784C
CN100565784C CNB031525288A CN03152528A CN100565784C CN 100565784 C CN100565784 C CN 100565784C CN B031525288 A CNB031525288 A CN B031525288A CN 03152528 A CN03152528 A CN 03152528A CN 100565784 C CN100565784 C CN 100565784C
Authority
CN
China
Prior art keywords
evaporation source
chamber
source fixture
manufacturing equipment
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031525288A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1480984A (zh
Inventor
山崎舜平
村上雅一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN1480984A publication Critical patent/CN1480984A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100565784C publication Critical patent/CN100565784C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67236—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations the substrates being processed being not semiconductor wafers, e.g. leadframes or chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Abstract

本发明提供一种蒸发设备和蒸发方法，该蒸发设备是一种膜形成装置，并提供EL层膜厚的优异均匀性、优异生产率和EL材料的提高的利用效率。本发明的特征在于在蒸发期间其中设置封闭蒸发材料的容器的蒸发源固定器可以一定间距相对于衬底移动。此外，膜厚监视器与蒸发源固定器结合在一起，用于移动。此外，通过根据由膜厚监视器检测的值调整蒸发源固定器的移动速度，可以使膜厚均匀。

Description

制造设备
技术领域
本发明涉及一种设有用于淀积可通过蒸发进行淀积的材料(以下称为蒸发材料)的淀积装置的制造设备、以及利用该制造设备执行的发光器件的制造方法，该发光器件具有含有机化合物的层作为发光层。具体地说，本发明涉及一种真空蒸发方法和真空蒸发设备，通过从面向衬底设置的多个蒸发源蒸发蒸发材料而进行淀积。
背景技术
近年来，已经对具有EL元件作为自发光元件的发光器件进行了研究。发光器件一般称为EL显示器或发光二极管(LED)。由于这些发光器件具有如适于移动显示的快响应速度、低压、低功耗驱动等特性，因此包括新一代移动电话和便携式信息终端(PDA)的下一代显示器吸引了人们的注意力。
具有含有机化合物的层作为发光层的EL元件具有如下结构：含有机化合物的层(以下称为EL层)夹在阳极和阴极之间。通过给阳极和阴极施加电场在EL层中产生电致发光。从EL元件获得的光包括从单态激发返回到基态时发射的光(荧光)和在从三态激发返回到基态时发射的光(磷光)。
上述EL层具有以“空穴输送层、发光层、电子输送层”为代表的叠层结构。用于形成EL层的EL材料广义地说分为低分子(单聚物)材料和高分子(多聚物)材料。低分子材料采用蒸发设备进行淀积。
蒸发设备具有安装在衬底上的衬底固定器、封装LE材料的坩埚、蒸发材料、用于防止升华的EL材料上升的挡板、和用于在坩埚中加热EL材料的加热器。然后，被加热器加热的EL材料升华并淀积在滚动的衬底上。此时，为了均匀地淀积，衬底和坩埚之间必须具有至少1m的距离。
根据上述蒸发设备和上述真空蒸发方法，当通过真空蒸发形成EL层时，几乎所有升华的EL材料都粘接到在蒸发设备的淀积室内部的内壁、挡板或粘接防护板(用于防止真空蒸发材料粘接到淀积室的内壁上的保护板)上。因此，在形成EL层时，昂贵的EL材料的利用效率低到约1％或更小，并且发光器件的制造成本非常昂贵。
此外，根据现有技术的蒸发设备，为了提供均匀膜，必须将衬底与蒸发源隔开等于或大于1m的间隔。因此，蒸发设备变的尺寸很大，并延长了用于从蒸发设备的每个淀积室排出气体所需要的时间，因此抑制了淀积速度并降低了产率。而且，当衬底变大时，存在的问题是衬底中间部分和边缘的膜厚容易不同。此外，该蒸发设备是旋转衬底的结构型的，因此该蒸发设备对大面积衬底的处理有限制。
此外，EL材料由于容易被存在的氧或水氧化而导致特性退化问题。然而，在通过蒸发法形成膜时，放入容器(玻璃瓶)中的预定量的蒸发材料被取出并输送给安装在蒸发设备底座内部与要形成膜的物体相对的位置上的容器(代表性的有坩埚、蒸发船形器皿)，并在传送操作中涉及到蒸发材料与氧或水或杂质混合。
此外，当蒸发材料从玻璃瓶输送到容器中时，蒸发材料是通过人手在设有手套等淀积室的预处理室的内部进行输送的。然而，当手套设置在预处理室中时，不能构成真空，因此在大气压力下进行操作，混入杂质的可能性很高。例如，即使在预处理室内部在氮环境下进行传送操作时，也很难将潮气或氧减少到尽可能的少。此外，虽然想到用机械手，由于蒸发材料是粉末形状的，因此很难制造用于进行传送操作的机械手。因此，通过能避免混入杂质的一体封闭系统难以进行形成EL元件的步骤，即从在下电极上形成EL层到形成上电极的步骤。
发明内容
因此，本发明提供一种作为制造装置的蒸发设备和蒸发方法，提高了EL材料的利用效率并均匀地形成优异的膜或提高了形成EL层的生产率。此外，本发明提供一种通过根据本发明的蒸发设备和蒸发方法制造的发光器件以及发光器件的制造方法。
此外，本发明提供一种将EL材料有效地蒸发到大面积衬底上的制造装置，所述大面积衬底例如为320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm或1150mm×1300mm。本发明还提供能为大面积衬底在其蒸发表面上获得均匀膜厚的蒸发设备。
此外，本发明提供能避免杂质混入EL材料中的制造装置。
本发明提供一种以衬底和蒸发源相互相对移动以便实现上述目的为特征的蒸发设备。就是说，本发明的特征在于其上设置封闭蒸发材料的容器501的蒸发源固定器相对于在蒸发设备中衬底以一定间隔移动。此外，膜厚监视器与将要移动的蒸发源固定器结合起来。此外，蒸发源固定器的移动速度根据由膜厚监视器测量的值进行控制，以便获得均匀膜厚。
此外，如图3中的例子所示，即使在挡板503封闭的状态中，通过打开挡板503中的小孔，使从孔(开口部分S 2)倾斜射出的蒸发材料撞击到膜厚监视器上，蒸发速度总是可以测量的。注意对于打开和关闭挡板的方法没有限制。也可使用滑动挡板。封闭蒸发材料的容器501被加热并在蒸发期间保持加热状态。即使在移动之后蒸发源固定器502上没有衬底，仍然进行加热。因此，通过采用挡板503可以消除蒸发材料的浪费。此外，小孔形成在挡板中，因此在容器中可能形成泄漏，因而可防止容器内的压力变成高压。注意孔的开口表面面积S 2小于容器的开口部分表面面积S1。
此外，优选蒸发源固定器在衬底圆周部分可以旋转，以便使膜厚均匀。蒸发源固定器选择的例子示于图2C中。此外，也可以重复进行半旋转，如图2D所示。优选以一定的间距移动蒸发源固定器，以使蒸发材料的升华的边缘(折边)重叠。
此外，主要由于皱缩、由此非发光区膨胀的主要原因是包括被吸收的潮气的少量潮气到达含有有机化合物的层中。因此希望在有源矩阵衬底上形成含有有机化合物的层之前除去残留在设有TFT的有源矩阵衬底中的潮气(包括吸收的潮气)。
本发明通过提供用于均匀地加热多个衬底的热处理室，并在形成含有有机化合物的层之前使用多个片式加热器(通常为护套加热器)在100-250℃的温度下进行真空加热，可以防止或减少褶皱的产生。特别是，当有机树脂材料用作层间绝缘膜或隔板材料时，潮气很容易被有机树脂材料吸收，此外，还有产生除气的风险。因此，在形成含有有机化合物层之前有效地在100-250℃的温度下进行真空加热。
此外，根据本发明，从形成含有有机化合物层并通过在不暴露于周围环境的情况下进行密封的步骤是优选的，以便防止潮气渗入含有机化合物层内。
根据在本说明书公开的本发明的方案，制造设备的特征在于包括：
装载室；
耦合到装载室的传送室；
耦合到传送室的多个膜形成室；
耦合到传送室的处理室；
其中多个膜形成室的每个都耦合到真空排气处理室，用于在膜形成室内部形成真空；
其中多个膜形成室的每个包括：
用于进行掩模和衬底的位置对准的对准装置；
衬底固定装置；
蒸发源固定器；和
用于移动蒸发源固定器的装置；
其中蒸发源固定器包括：
密封蒸发材料的容器；
用于加热容器的装置；和
形成在容器上的挡板；
其中每个处理室耦合到真空排气处理室，用于提供真空状态；
其中多个片式加热器设置在处理室中，以便叠加和打开其间的缝隙；和
其中处理室可以在多个衬底上进行真空加热。
此外，优选在蒸发含有有机化物的层之前进行等离子体处理，以便除去有机物质和潮气。
根据本发明的另一方案，其特征在于制造设备包括：
装载室；
耦合到装载室的传送室；
耦合到传送室的多个膜形成室；
耦合到传送室的处理室；
其中多个膜形成室的每个都耦合到真空排气处理室，用于在膜形成室内部形成真空；
其中多个膜形成室的每个包括：
用于进行掩模和衬底的位置对准的对准装置；
衬底固定装置；
蒸发源固定器；和
用于移动蒸发源固定器的装置；
其中蒸发源固定器包括：
密封蒸发材料的容器；
用于加热容器的装置；和
形成在容器上的挡板；
其中处理室耦合到真空排气处理室，用于提供真空状态；和
其中将氢气、氧气或惰性气体引入在处理室中以产生等离子体。
在上述结构中，该设备的特征在于多个片式加热器设置在传送室中，以便叠加和打开其间的间隙，并且能在多个衬底上进行真空加热的处理室耦合到传送室。采用片式加热器在衬底上均匀地进行真空加热和从衬底除去吸收的潮气可以防止或减少褶皱的产生。
此外，在上述每个结构中用于移动蒸发源固定器的装置的功能是以一定间距在X轴方向移动蒸发源固定器，并以一定间距在y轴方向移动蒸发源固定器。在本发明的蒸发方法中衬底旋转不是必须的，因此可以提供能控制大表面面积衬底的蒸发设备。此外，可以根据本发明形成均匀的蒸发膜，其中蒸发源固定器相对衬底在x轴方向和y轴方向移动。
在本发明的蒸发设备中，在蒸发期间衬底和蒸发源固定器之间的间隙距离缩短到通常等于或小于30cm，优选等于或小于20cm，更优选从5cm到15cm。由此大大提高了蒸发材料的利用效率以及生产率。
上述蒸发设备中的蒸发源固定器包括：容器(通常为坩埚)；通过浸透部件(soaking member)设置在容器外部的加热器；形成在加热器外部的热绝缘层；其中接受上述元件的外壳；围绕外壳外部的冷却管；打开和关闭包括坩埚的开口部分的外壳开口部分的蒸发挡板；和膜厚传感器。注意也可以使用能以加热器固定到其上的状态进行传送的容器。此外，该容器是一个能承高温、高压、和低压的容器，并且通过采用如烧结氮化硼(BN)、烧结氮化硼(BN)的化合物以及氮化铝(AlN)、石英或石墨的材料制造。
此外，提供能在膜形成室内在x轴方向和y轴方向在蒸发源固定器保持在水平状态的情况下移动蒸发源固定器的机构。这里蒸发源固定器以锯齿形方式移动，如图2A和2B中蒸发源固定器的平面中所示。此外，用于蒸发源固定器的移动间距可适当调整到隔板间隔。
注意到蒸发源固定器A、B、C和D开始移动的时间可以是在先前蒸发源固定器已经停止移动之后，和也可以是在先前蒸发源固定器已停止之前，如图2A和2B所示。例如，如果具有空穴输送特性的有机材料设置给蒸发源固定器A，变为发光层的有机材料设置在蒸发源固定器B中，具有电子输送特性的有机材料设置在蒸发源固定器C中，并且变为阴极缓冲器的材料设置在蒸发源固定器D中，然后在相同室内依次层叠这些材料的层。此外，如果在当前蒸发膜已经固化之前下一个蒸发源固定器开始移动，可以在具有叠层结构的EL层中形成其中混合了蒸发材料的每个膜之间的界面中的区域(混合区)。
根据本发明，其中衬底和蒸发源固定器A、B、C和D互相相对移动，衬底和蒸发源固定器之间的距离不必很长，由此可以实现设备最小化。此外，蒸发设备变小，因此可以减少在膜形成室内壁上或蒸发防护屏蔽件上的升华蒸发材料粘接。因此可以不浪费地使用蒸发材料。此外，在本发明的蒸发方法中不必旋转衬底，因此可以提供能处理大表面面积衬底的蒸发设备。此外，根据本发明可以均匀地形成蒸发膜，其中蒸发源固定器在x方向和y方向相对于衬底移动。
此外，在蒸发源固定器中不总是必须提供一个有机化合物或一种类型的有机化合物。也可使用多种类型的材料。例如，除了在蒸发源固定器中提供作为发光有机化合物的一种材料之外，还可以提供用作掺杂剂(掺杂剂材料)的不同有机化合物。优选用于蒸发的有机化合物层有主材料和具有低于主材料的激发能的发光材料(掺杂剂材料)构成。还优选掺杂剂的激发能低于空穴输送区的激发能和低于电子输送层的激发能。因此掺杂剂可用于有效地发射光，同时防止掺杂剂的分子激子扩散。此外，如果掺杂剂是载流子捕获材料，还可以提高载流子复合率。而且，向混合区中添加作为掺杂剂并能将三态激发能转换成光的材料也落入在本发明的范围内。还可以在混合区中提供浓度梯度。
此外，如果在一个蒸发源固定器中提供多种有机化合物，则希望在蒸发期间使用的方向是对角方向，以便在蒸发材料的位置交叉，因而有机化合物互相混合。此外，可以向蒸发源固定器提供四种蒸发材料(例如，作为蒸发材料的两种主材料和作为蒸发材料的两种掺杂剂材料)，以便进行共同蒸发。此外，当像素尺寸很小(或者当每个绝缘体之间的间隙很小时)时，可以通过将容器的内部分成四个单元，并通过适当地从每个单元蒸发而进行共同蒸发，由此精确地进行膜形成。
而且，衬底和蒸发源固定器之间的间距d缩短到通常为等于或小于30cm，并优选为5cm到15cm，因此担心蒸发掩模也被加热。因此希望通过采用具有低热膨胀系数的金属材料形成蒸发掩模，这种材料不会由于受热而变形(例如可采用下列材料：钨、钽、铬、镍、或钼，这些都是高熔点金属；含有这些金属之一的合金金属；不锈钢；Inconel；或Hastelloy)。例如可采用42％镍和58％铁等的低热膨胀合金。此外，为了冷却被加热的蒸发掩模，也可以提供用于使冷却媒体(冷却水或冷却气体)循环经过蒸发掩模的机构。
优选采用等离子体发生装置在膜形成室中产生等离子体，使粘接于掩模上的蒸发物气化，并将气化的蒸发物排出到膜形成室外部，以便清除掉粘接于掩模上的蒸发物。因此在掩模上形成分离电极，并且将高频电源连接到电极之一上。因此优选采用导电材料形成掩模。
注意当在第一电极(阴极或阳极)上选择地形成蒸发膜时使用蒸发掩模，如果在整个表面上形成蒸发膜则不特别需要蒸发掩模。
此外，膜形成室具有用于引入从由Ar、H、F、NF3和O组成的组选择的一种气体或多种气体的气体引入装置以及用于蒸发气化蒸发物的装置。因此根据上述结构，在不将其暴露于周围环境的情况下，在维修期间可以清洗蒸发室的内部。
此外，该设备的特征在于，在每种上述结构中，当x轴方向和y轴方向之间切换时蒸发源固定器旋转。通过旋转蒸发源固定器可以形成均匀膜厚。
此外，该设备的特征在于，在每个上述结构中在挡板中打开开口表面面积S2的孔，其中S2小于容器的开口表面面积S1。通过在挡板中形成小孔，使容器内的压力泄漏，以便不形成高压。
此外，该设备的特征在于在上述每个结构中在蒸发源固定器中形成膜厚监视器。通过根据膜厚监视器测量的值调整蒸发源固定器的移动速度，也可以使膜厚均匀。
此外，在每个上述结构中的惰性气体元素是选自由He、Ne、Ar、Kr和Xe组成的组的一种元素或多种元素。当然，Ar很便宜，因此它是优选的。
此外，在蒸发前将EL材料安装到膜形成室中的工艺、蒸发工艺等可以认为是主要工艺，在这其间，担心如氧和潮气等杂质将会污染被蒸发的EL材料或金属材料。
因此优选在耦合到膜形成室的处理室中提供手套，手套从膜形成室移动到用于每个蒸发源的预处理室，并将蒸发材料装入预处理室的蒸发源中。就是说，提供其中蒸发源移动到预处理室的制造设备。可以在保持膜形成室的清洁度水平的同时设置蒸发源。
此外，褐色玻璃瓶通常用于储存EL材料，并且采用塑料盖密封。其中储存EL材料的容器的密封水平也可以认为是不充分的。
当通过蒸发进行膜形成时取出放在容器(玻璃瓶)中的预定量的蒸发材料，并输送到设置在与要形成膜的物体相对的蒸发设备内的位置上的容器(通常为坩埚或蒸发船)。然而，在传送操作期间存在将混入杂质的风险。就是说，可能被如氧或潮气等杂质污染，这将导致EL元件退化。
例如，可以考虑在设有手套等的预处理室中进行从玻璃瓶向容器的手动传送操作。然而，如果预处理室设有手套，则不能提供真空，并且该操作在周围环境中进行。因此即使在例如氮环境中进行蒸发，也难以尽可能多地除去预处理室内的潮气和氧。可以考虑采用机械手，但是蒸发材料是粉末状的，因此难以制造用于输送操作的机械手。因而，难以制成能避免杂质污染并从在下部电极上形成EL层的步骤到形成上部电极的步骤完全自动化操作的连续封闭系统。
在本发明中，在制造系统中实现了防止杂质污物进入高纯度蒸发材料中，该制造系统直接在设置在蒸发设备中的预定容器中储存EL材料和金属材料，而不用采用常规容器、通常为褐色玻璃瓶等作为储存EL材料的容器。此外，当直接接收EL材料蒸发材料时，还可以在设置在蒸发设备中的预定容器中直接进行升华净化处理(sublimationpurification)，而不用分割和接收获得的蒸发材料。本发明可以处理甚至非常高度净化蒸发材料成为可能，这在将来是希望的。此外，可以在设置在蒸发设备中的预定容器中直接接收金属材料，可以通过电阻加热进行蒸发。
而且，还优选同样地传送其它部件，如膜厚监视器(液晶振荡器等)和挡板，并将它们设置在蒸发设备中而不会暴露于周围环境。
希望采用该蒸发设备的发光器件制造者将用于在设置在蒸发设备中的容器中直接接收蒸发材料的工作委托给制造和/或销售该蒸发材料的材料制造者。
此外，杂质污染的担心取决于由发光器件制造制造者采用的常规传送操作，不管怎样通过材料制造者输送的EL材料是高纯的。EL材料的纯度不能保持，并对它们的纯度有限制。根据本发明，由材料制造者获得的极高纯度的EL材料可以通过发光器件制造者和材料制造者共同协作来保持，尽力减少杂质污物。因此发光器件制造者可以在不降低材料纯度的情况下进行蒸发。
下面采用图6详细介绍传送容器的实施例。用于传送和分成上部分621a和下部分621b的第二容器包括：用于固定设置在第二容器的上部分中的第一容器的固定装置706；用于向固定装置施加压力的弹簧705；设置在第二容器下部分中并成为用于保持第二容器内的减压的气体通道的气体引入口708；固定上部容器621a和下部容器621b的O形环707；和紧固件702。其中封闭净化蒸发材料的第一容器701设置在第二容器内。注意第二容器可由含有不锈钢的材料形成，并且第一容器可以由含有钛的材料形成。
净化蒸发材料被材料制造者封闭在第一容器701中。第二容器的上部分621a和下部分621b通过O形环707连接，并且上部容器621a和下部容器621b通过紧固件702固定。由此将第一容器701封闭在第二容器中。然后通过气体引入部分708减小第二容器内的压力，此外，用氮环境替换其大气环境。然后调整弹簧705，通过固定装置706固定第一容器701。注意在第二容器中还可设置干燥剂。如果第二容器的内部为真空、减压状态、或保持在氮环境中，则可以防止甚至微量的氧和潮气粘接到蒸发材料上。
在这种状态将容器输送给发光器件制造者，并且第一容器701直接安装到处理室中。之后，通过热处理使蒸发材料升华，并进行蒸发膜的形成。
下面参照图4A和4B以及图5A和5B介绍用于在膜形成室中安装第一容器的机构，其中第一容器在第二容器中密封和传送。注意图4A和4B以及图5A和5B是表示在传送期间的第一容器的示意图。
图4A表示安装室805的顶视图。安装室805包括其上设置第一容器701或第二容器的工作台804、蒸发源固定器803和用于输送第一容器的传送装置802。图4B表示安装室的透视图。此外，安装室805设置成与膜形成室806相邻。可以采用用于控制环境的装置通过气体引入口控制安装室的环境。注意，本发明的传送装置不限于图4A和4B中所示的结构，其中第一容器的侧边被夹在当中。还可以采用从第一容器的上部将第一容器夹(拾取)在当中的结构。
在紧固件701松弛的状态第二容器设置在安装室805中的工作台804上。然后通过用于控制环境的装置将安装室805的内部放入减压状态。第二容器达到以下状态：当安装室内的压力等于第二容器内的压力时，它可以打开。然后采用传送装置802除去第二容器的上部分621a，并将第一容器701设置在蒸发源固定器803上。注意，虽然图中未示出，可以适当地提供用于设置被除去的上部分621a的位置。然后蒸发源固定器803从安装室805移动到膜形成室806。
之后，通过设置在蒸发源固定器803中的加热装置使蒸发材料升华，并开始膜形成。当在膜形成期间形成在蒸发源固定器803中的挡板(未示出)打开时，升华的蒸发材料向衬底散射并淀积在其上，由此形成发光层(包括空穴输送层、空穴注入层、电子输送层和电子注入层)。
然后在完成蒸发之后蒸发源固定器803返回到安装室805。然后通过传送装置802将设置蒸发源固定器803中的第一容器701移动到第二容器的下部容器(未示出)，并通过上部容器621a密封。优选在传送期间通过此时组合它们，密封第一容器、上部容器621a和下部容器。在这种状态下，安装室805设置为周围环境压力，从安装室取出第二容器，固定紧固件702，将该组件发送给材料制造者。
下面使用图5A和5B解释用于设置密封在第二容器中的多个第一容器并将它们传送到蒸发源固定器中的机构。这个机构不同于图4A和4B中所示的机构。
图5A示出了安装室905的顶视图。安装室905包括其上设置第一容器或第二容器的工作台904、多个蒸发源固定器903、用于传送第一容器的多个传送装置902以及旋转台907。图5B示出了安装室905的透视图。此外，安装室905设置成与膜形成室906相邻。可以通过气体引入口并采用用于控制环境的装置控制安装室内的大气。
多个第一容器701可通过旋转台907和多个传送装置902设置在多个蒸发源固定器903中，并且在完成膜形成之后可以有效地进行用于从多个蒸发源固定器向工作台904移动多个第一容器的操作。优选此时在传送的第二容器中设置第一容器。
注意旋转台907可具有旋转功能，以便提高当开始蒸发时传送蒸发源固定器和当完成蒸发时传送蒸发源固定器的效率。旋转台907不限于上述结构。旋转台907可具有用于水平移动的功能，并且在设置在第一膜形成室906中的蒸发源固定器靠近的阶段，多个第一容器可通过采用移动装置902设置在蒸发源固定器中。
可以将通过上述蒸发设备形成的蒸发膜中的杂质减少到最小量。如果采用这些类型的蒸发膜完成发光元件，则可实现高可靠性和亮度。此外，根据这种类型的制造系统，由材料制造者密封的容器可以直接安装在蒸发设备中，因此可以防止氧和潮气吸附在蒸发材料上。将来本发明可以处理甚至更高度净化的发光层。此外，通过再次净化其中保持残余蒸发材料的容器可以消除材料浪费。另外，可以回收第一容器和第二容器，由此降低成本。
此外，本发明还减少了每单个衬底的处理时间。如图10所示，设有多个膜形成室的多室制造设备具有用于向第一衬底上进行淀积的第一膜形成室、和用于向第二衬底上进行淀积的第二膜形成室。在每个膜形成室中同时(并列)层叠多个有机化合物层，由此减少了每单个衬底的处理时间。即，从传送室取出第一衬底并将其放在第一膜形成室中，在第一衬底上进行汽相淀积。在这期间，从传送室取出第二衬底并将其放在第二膜形成室中，并在第二衬底上进行汽相淀积。
在图10中的传送室1004a提供六个膜形成室，因此可以将六个衬底放在各个膜形成室中并进行依次和同时进行蒸发。此外，还可以在一个膜形成室的维修期间采用其它膜形成室进行蒸发，而不暂停生产线。
此外，如果在图10中制造全色发光器件，则在不同膜形成室中依次层叠对应颜色R、G和B的空穴输送层、发光层和电子输送层。此外，还可以在相同膜形成室中依次叠置对应颜色R、G和B的空穴输送层、发光层和电子输送层。如果在相同膜形成室中依次叠置对应颜色R、G和B的空穴输送层、发光层和电子输送层，可以采用类似于图2A和2B所示的膜形成装置。即，可以采用其中至少三个或更多个的多个蒸发源固定器设置在一个膜形成室中的蒸发设备。注意，优选采用对应R、G和B的不同蒸发掩模以便避免颜色混合。还优选在汽相淀积之前进行掩模对准，由此只在预定区域形成膜。为了减少掩模数量，可以采用用于R、G和B的同一蒸发掩模。可以在汽相淀积之前通过偏移用于每种颜色的掩模位置而进行掩模对准，由此只在预定区域中形成膜。
此外，本发明不限于其中在同一室中依次叠置空穴输送层、发光层和电子输送层的结构。也可以在多个耦合室中依次叠置空穴输送层、发光层和电子输送层。
此外，虽然前面作为典型例子讨论了结构，其中在阴极和阳极之间叠置和设置作为含有有机化合物的层的三层，即空穴输送层、发光层和电子输送层，本发明不限于这种特殊结构。也可以采用其中在阳极上依次叠置空穴注入层、空穴输送层、发光层和电子输送层的结构。此外，还可以采用其中在阳极上依次叠置空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、和电子注入层的结构。此外，也可以采用两层结构和单层结构。可以向发光层中掺杂荧光颜料等。此外，还可以采用具有空穴输送特性的发光层和具有电子输送特性的发光层作为发光层。而且，这些层可以都用低分子量材料形成，此外，可以采用高分子量材料形成一层或多层。注意，在本说明书总在阴极和阳极之间形成的所有层一般通称为含有有机化合物的层(EL层)。因此上述空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层都包含在EL层的范畴内。此外，含有有机化合物的层(EL层)还含有无机材料如硅。
注意，发光层(EL元件)包括含有有机化合物的层(以下称为EL层)、阳极和阴极，其中在含有有机化合物的层中通过施加电场可以获得发光(电致发光)。关于有机化合物中的发光，有在从单态激发返回到基态时的光发射(荧光)和从三态激发返回到基态时的光发射(磷光)。在本发明中制造的发光器件可以适用于两种光发射。
此外，对本发明的发光器件中的荧光显示器的驱动方法不进行限制。例如，可以采用点顺序驱动法、行顺序驱动法、荧光屏顺序驱动法等。通常，时间灰度标定(scale)驱动法或面积灰度标定驱动法可适当地用作行顺序驱动法。此外，输入到发光器件的源线的图像信号可以是模拟信号或数字信号。驱动电路等可根据图像信号类型适当设计。
而且，本说明书中由阴极、EL层和阳极形成的发光元件称为E1元件。有两种形成EL元件的方法，一种方法是在互相相交形成的两种类型条形电极之间形成E1层(简单矩阵法)，另一种方法是在设置成矩阵形式的并连接到TFT的像素电极和相对电极之间形成EL层(有源矩阵法)。
附图说明
图1是表示本发明的制造设备的示意图；
图2A和2B是表示本发明的蒸发源固定器的移动通道的示意图，图2C和2D是表示蒸发源固定器在衬底圆周部分的移动的示意图；
图3是表示本发明的蒸发源固定器(在其挡板中具有孔)的示意图；
图4A和4B是表示传送到在安装室中的蒸发源固定器的坩埚的示意图；
图5A和5B是表示传送到安装室中的蒸发源固定器的坩埚的示意图；
图6是表示本发明的传送容器的示意图；
图7A和7B是表示蒸发源固定器(一个容器)上的挡板的打开关闭的示意图；
图8A和8B是表示蒸发源固定器(多个容器)上的挡板的打开关闭的示意图；
图9是表示本发明的制造设备的顺序的示意图；
图10是表示本发明(实施例2)的制造设备的示意图；
图11是表示顺序的例子(实施例2)的示意图；
图12A和12B是表示顺序的例子(实施例2)；和
图13是表示多级真空加热室的示意图。
具体实施方式
下面解释本发明的实施方式。
下面采用图7A和7B解释用于在膜形成室内的x方向和y方向移动的蒸发源固定器。
图7A是表示通过连接到电源307的加热装置303并利用处于打开状态的滑动挡板306进行热处理和使容器301中的蒸发材料302蒸发的状态。注意，膜形成监视器305固定到蒸发源固定器304上。可利用处于打开状态的挡板通过调整热处理温度和由电源307进行的蒸发源固定器304的移动速度，可以控制膜厚。
另一方面，图7B表示处于关闭状态的滑动挡板306。打开挡板306中的孔，从孔倾斜射出的材料在指向膜厚监视器305的方向运动。注意，虽然在图7A和7B所示例子中打开了容器301和挡板306a之间的间隙，该间隙可以很窄，或者可以根本没有间隙。即，容器301和挡板306可以紧密接触。即使它们紧密接触，由于小孔打开，因此容器内的压力泄漏。
此外，虽然设有一个容器301的蒸发源固定器的例子示于图7A和7B中，为进行共同蒸发等，在图8A和8B中示出了设有多个容器202的蒸发源固定器。
膜厚监视器201设置在两个容器202的每个中，一个容器相对于固定衬底200倾斜设置，如图8A和8B所示。加热器用作加热装置，并通过电阻加热法进行蒸发。注意，在蒸发期间，通过挡板处于打开状态，蒸发源固定器在衬底下面移动，如8A所示。此外，如果在衬底200下没有蒸发源固定器，则通过关闭具有小孔的挡板204停止蒸发。
上述蒸发源固定器在膜形成室中以锯齿形方式在平面上移动，如图2A和2B所示。
在设有膜形成室的多室制造设备(图1中示出了一个例子)中可以防止潮气进入含有有机化合物的层中。因此在不暴露于周围环境的情况下可以进行从形成含有有机化合物的层直到密封操作的处理。
下面采用所示实施例进一步详细说明具有上述结构的本发明。
在本例中，在图1中示出了其中自动化进行从第一电极直到密封的制造工艺的多室制造设备的例子。
图1示出了多室制造设备，其包括：门100a-100y；提取室119；传送室102、104a、108、114和118；运输室105、107和111；储存室(装载室)101；第一膜形成室106H；第二膜形成室106B；第三膜形成室106G；第四膜形成室106R；第五膜形成室106E；其它膜形成室109(ITO或IZO膜)、110(金属膜)、112(旋涂或喷墨)、113(SiN膜或SiOx膜)、131(溅射室)、和132(溅射室)；用于设置蒸发源的安装室126R、126G、126B、126E和126H；处理室103a(烘焙或O2等离子体、H2等离子体、Ar等离子体)和103b(真空烘焙)；密封室116；掩模储存室124；密封衬底储存室130；盒式室120a和120b；以及底座装载台121。
在图1所示的制造设备中，示出了用于放置衬底的工序，其中预先在衬底上形成薄膜晶体管、阳极(第一电极)和覆盖阳极的边缘部分的绝缘体，并接着制造发光器件。
首先将衬底设置在盒式室120a或盒式室120b中。将大尺寸衬底(例如300mm×360mm)设置在盒式室120a或120b中，同时将标准尺寸的衬底(例如127mm×1270mm)传送给底座装载台121，并将多个衬底设置在底座装载台(例如300mm×360mm)中。
然后将其上形成薄膜晶体管、阳极、和覆盖阳极的边缘部分的绝缘体的衬底传送给传送室118。
此外，优选在形成含有有机化合物的膜之前进行退火，用于除去真空内的气体，以便除去含在衬底中的潮气和其它气体。衬底可以输送到与传送室118耦合的预处理室128，并可以在那里进行退火。
此外，通过采用喷墨法、旋涂法等，膜形成室112可以形成由聚合材料制成的空穴注入层。将聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)的水溶液、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)的水溶液、PTPDES、Et-PTPDEK、PPBA或作为空穴注入层的类似材料涂敷在第一电极(阳极)的整个表面上并焙烧。优选在烘焙室123中进行焙烧。对于通过采用旋涂器等涂覆法形成由聚合材料构成的空穴注入层的情况可以提高水平。对于形成的膜，可以得到满意的膜厚的覆盖率和均匀性。特别是，由于发光器层很均匀，因此可以获得均匀的光发射。在这种情况下，优选在通过涂覆法形成空穴注入层之后和恰好通过蒸发形成膜之前进行真空加热(在100-200℃)。注意，如果存在以下情况则可以在不暴露于周围环境的情况下通过蒸发进行发光层的形成：通过海绵清洗第一电极(阳极)的表面；通过临时在80℃下对通过旋涂形成在整个表面上并具有60nm的膜厚的聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)的水溶液的膜进行焙烧10分钟，然后在200℃下焙烧1小时；和此外，例如，恰好在蒸发之前进行真空加热(在170℃下加热30分钟，然后冷却30分钟)。特别是，通过制成PEDOT/PSS膜厚可以减少不平整性或微小颗粒对ITO膜表面的影响。
此外，如果涂覆在ITO膜上的顶部，则PEDOT/OSS没有良好的可湿性。因此优选在一旦通过旋涂法进行PEDOT/PSS溶液的第一次涂覆之后通过用纯净水清洗，增加可湿性。PEDOT/PSS容器的第二次涂覆可以通过旋涂法进行，并进行烘焙，由此形成具有良好均匀性的膜。注意在一旦进行第一涂覆之后用纯净水清洗衬底对提高表面质量是有效的，并且还对除去微小颗粒等有效果。
此外，如果通过旋涂形成PEDOT/PSS，可以在整个表面上形成膜，因此优选从衬底的边缘表面和周边部分、以及连接到端部、阴极或下部布线等的区域选择地除去PEDOT/PSS。优选通过采用O2灰化等在处理室103a中进行除去步骤。
接着衬底从设有衬底传送机构的传送室118输送到储存室101。在本实施例的制造设备中的储存室101中设置衬底翻转机构，并且可以适当地翻转衬底。优选储存室101耦合到真空排气处理室，并且通过在抽成真空之后引入惰性气体而将储存室101设置为周围环境压力。
然后将衬底传送到耦合到储存室101的传送室102。优选预先对传送室102的内部进行真空排气，并保持在真空，以便其中存在尽可能少的氧和潮气。
此外，磁性悬浮涡轮分子泵、低温泵或干泵可作为真空排气处理室。因此在耦合到储存室的传送室中可以实现10-5到10-6Pa的极限压力。此外，可以控制杂质从泵一侧和从排气系统反向扩散。可引入惰性气体如氮气或稀有气体，以便防止杂质引入设备内。采用在引入设备之前已经通过净化器高度净化过的气体。因此必须提供气体净化器，以便在高度净化之后将气体引入蒸发设备内。可以预先除去含在气体中的氧、潮气和其它杂质，因此可以防止这些杂质进入设备内部。
此外，衬底可以输送到预处理室103a，如果趋于除去形成在不必要部分中的含有有机化合物，则可以选择地除去化合物膜的叠层。处理室103a具有等离子体产生装置，并通过激励选自Ar、H、F、和O的一种气体或多种气体而进行干刻蚀，由此产生等离子体。
此外，优选在蒸发含有有机化合物的膜之前进行真空加热，以便消除褶皱。将衬底传送到预处理室103a，并在真空(等于或低于5×10-3乇(0.665pa)的压力，优选从10-6到10-4Pa)中进行用于除气的退火，以便完全除去含在衬底中的潮气和其它气体。如果有机树脂膜用作层间绝缘膜材料或阻挡材料，特别是，在某些情况下有机树脂材料趋于容易吸收潮气，此外，为除气担心。因此在100-250℃、优选为150℃-200℃的温度下在例如30分钟或更长时间的周期内加热之后，进行30分钟的自然冷却，然后在形成含有有机化合物的层之前进行真空加热，以便除去吸收的潮气。
此外，优选预处理室是多级真空加热室，如图13所示。在图13中，C表示真空室，1表示恒定温度路径，2表示面片式加热器，3表示均匀温度板(片式加热器)，4表示用于加热衬底槽，5表示衬底固定器。通过从面片式加热器2的热传导将热量传输到均匀温度板3，并且加热均匀温度板3。在每个槽4中被加热的待处理衬底被红外光等的热辐射均匀加热。在一个槽4中可以放置一个衬底，就是说在恒定温度路径1中总共有7个衬底。
然后，在上述真空加热之后将衬底从传送室102输送到膜形成室106H(用于HTL和HIL的EL层)，并进行蒸发处理。接着将衬底从传送室102输送到运输室105，此外，在不暴露于周围环境的情况下从运输室105输送到传送室104a。
然后将衬底适当地输送到膜形成室106R(红色EL层)、106G(绿色EL层)、106B(蓝色EL层)以及与传送室104a耦合的106E(用于ETL和EIL的EL层)，并形成成为空穴注入层、空穴输送层和发光层的低分子量有机化合物层。这里将解释膜形成室106R、106G、106B、106E和106H。
可移动的蒸发源固定器安装在每个膜形成室106R、106G、106B、106E和106H中。制备多个蒸发源固定器，并且它们设有其中封闭E1材料的多个容器(坩埚)。蒸发源固定器按照这种状态安装在膜形成室内。
优选采用如下所示的制造系统将EL材料安装到膜形成室内。即，优选采用在其内部由材料制造者预先接受EL材料的容器(通常为坩埚)进行膜形成。此外，优选在不暴露于周围环境的情况下将EL材料安装到容器内。在从材料制造者传送时，优选在它们被密封在第二容器内的状态下将坩埚引入膜形成室内。希望具有分别耦合到膜形成室106R、106G、106B、106E和106H的真空排气装置的安装室126R、126G、126B、126H和126E设置在真空下或惰性气体环境下，并且在真空内、或在惰性气体环境中将坩埚从第二容器取出，然后设置在膜形成室内。因此可防止坩埚和被接收在坩埚内的EL材料被污染。注意还可以在安装室126R、126G、126B、126H和126E中储存金属掩模。
通过适当地选择放在膜形成室106R、106G、106B、106H和106E内的EL材料，可以形成显示单色(具体而言是白色)或全色(具体而言，是红、绿和蓝色)光发射的发光元件。
注意发射白色光的有机化合物层对于发射层具有用于叠层的不同光发射颜色的情况可以粗分为两种。一种是含有三基色即红、绿和蓝色的三波长型，另一种是利用蓝色和黄色之间或蓝绿色和橙色之间的补偿颜色关系的二波长型。如果获得利用三波长型光发射的白色发光元件，则在一个膜形成室内制备多个蒸发源固定器。在第一蒸发源固定器中封闭芳香二胺(TPD)，用于形成白色发光层，在第二蒸发源固定器中封闭p-EtTAZ，用于形成白色发光层，在第三蒸发液固定器中封闭Alq3，用于形成白色发光层。在第四蒸发源固定器中封闭其中添加了奈耳(Nile)红即发射红光的颜料的Alq3，用于形成白色发光层，在第五蒸发源固定器中封闭Alq3。蒸发源固定器按照这种状态安装在每个膜形成室中。然后开始依次移动第一到第五蒸发源固定器，并且在衬底上进行蒸发和层叠。具体而言，TPD由于受热而从第一蒸发源固定器升华，并在整个衬底表面上蒸发。接着P-EtTAZ从第二蒸发源固定器升华，Alq3从第三蒸发源固定器升华，Alq3：奈耳红从第四蒸发源固定器升华，并且Alq3从第五蒸发源固定器升华。升华的材料蒸发在整个衬底表面上。如果之后形成阴极，则可获得发射白色光的元件。
适当层叠含有有机化合物的层之后，和在从输送室104a将衬底输送给运输室107之后，将衬底从运输室107移动到传送室108，所有这些过程都是在不暴露于周围环境的情况下进行的。
接着通过安装在传送室108内的传送机构将衬底传送给膜形成室110，并形成阴极。该阴极是通过采用电阻加热的蒸发法形成的金属膜(由合金如MgAg、MgIn、AlLi、CaN等或位于元素周期表1族或2族的元素和铝通过共同蒸发形成的膜)。阴极还可以采用溅射法在膜形成室132内形成。此外，可以采用溅射法在膜形成室109内形成由透明导电膜(ITO(氧化铟锡合金)、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)制成的膜。
而且，还将衬底传送给耦合到传送室108的膜形成室113，并且可以形成由氮化硅膜或氮氧化硅膜制成的保护膜。由硅制成的靶、由氧化硅制成的靶、或由氮化硅制成的靶设置在膜形成室113内。例如，通过采用由硅制成的靶，并通过使膜形成室内的环境形成为氮环境，或者形成为含有氮气和氩气的环境，可以形成氮化硅膜。
可以通过上述工艺形成具有叠层结构的发光元件。
然后在不暴露于周围环境的情况下将其上形成发光元件的衬底从传送室108输送到运输室111，此外，衬底从运输室111输送给传送室114。接着将其上形成发光元件的衬底从传送室114输送到密封室116。
制备密封室并从外部设置在装载室117中。注意优选预先在真空内进行退火，以便除去杂质如潮气。然后形成密封材料，其中密封衬底粘接到其上形成发光元件的衬底上。此时，在密封室内形成密封材料。然后，将具有形成的密封材料的密封衬底输送给密封衬底储存室130。注意还可以在密封室中在密封衬底上形成干燥剂。注意，虽然这里示出了在密封衬底上形成密封材料的例子，但是本发明不限于这种结构。密封材料还可以形成在具有在其上形成的发光元件的衬底上。
然后在密封室116中将衬底和密封衬底粘接在一起，并利用设置在密封室116内的紫外光辐射机构将UV光照射到粘接的衬底对上，由此设置密封材料。注意，虽然这里紫外光固化树脂用作密封材料，但是本发明不限于使用这种材料。液可以采用其它材料，只要它们是粘接材料即可。
接着将粘接的衬底对从密封室116传送到传送室114，然后从传送室114输送给提取室119并取出。上述通道由图9中的箭头所示。
因此，采用图1所示的制造设备，通过将发光元件完全密封成密封空间而进行处理，并且不会暴露于周围环境。因此可以制造具有高可靠性的发光器件。注意，虽然传送室114和118内的环境在环境压力下从真空到氮气环境重复改变，但是优选在传送室102、104a和108中总是保持真空。
注意，虽然这里未示出，但是可以提供控制装置，用于控制衬底移动到每个处理室的通道，因此实现了完全自动化。
此外，在图1所示的制造设备中还可以形成向上发射型(双侧发射)发光元件。含有有机化合物的层形成在具有作为阳极的透明导电膜(或金属膜(TiN))的衬底上，然后形成透明或半透明阴极(例如，薄金属膜(Al、Ag)和透明导电膜)。
此外，在图1所示的制造设备中还可以形成底部发射型发光元件。含有有机化合物的层形成在具有作为阳极的透明导电膜的衬底上，然后形成由金属膜(Al、Ag)制成的阴极。
此外，本例可以自由地与其它实施方式结合。
本例中将介绍具有不同于实施例1的制造设备的一部分的例子。具体而言，图10中示出了一种制造设备的例子，其包括设有6个膜形成室1006R(红色EL层)、1006G(绿色EL层)、1006B(蓝色EL层)、1006R’(红色EL层)、1006G’(绿色EL层)和1006B’(蓝色EL层)的传送室1004a。
注意图10中与图1相同的部分用相同的参考标记表示。此外，这里为了简明起见省略了与图1相同的部分的说明。
图10中示出了能并行制造金色发光元件的设备的例子。
与实施例1类同，在预处理室130中在衬底上进行真空加热，然后将衬底从传送室102经过运输室105输送到传送室1004a。通过经过膜形成室1006R、1006G和1006B的通道在第一衬底上叠置膜，并通过经过膜形成室1006R’、1006G’和1006B’的通道在第二衬底上叠置膜。因此通过在多个衬底上并行进行蒸发，可提高生产率。接下来的工艺可以根据实施例1进行。可以在形成阴极之后通过进行密封而完成发光器件。
此外，可以在不同膜形成室内叠置R、G和B颜色空穴输送层、发光层和电子输送层，如图11所示，其中示出了从插入衬底到取出衬底的顺序。注意在图11中的每个蒸发之前进行掩模对准，以便只在预定区域中形成膜。优选对于每种不同颜色采用不同掩模，以便防止颜色混合，在这种情况下需要三个掩模。例如，如果处理多个衬底，可以进行下列工序。第一衬底放置在第一膜形成室内，并形成含有发射红光的有机化合物的层。然后取出第一衬底，并放在第二膜形成室中。将第二衬底放在第一膜形成室内，同时在第一衬底上形成含有发绿色光的有机化合物的层，并且在第二衬底上形成含有发射红色光的有机化合物的层。最后将第一衬底放在第三膜形成室内。第二衬底放在第二膜形成室内，然后将第三衬底放在第一膜形成室内，同时在第一衬底上形成含有发射蓝色光的有机化物的层。因此可以依次进行叠置。
此外，还可以在同一膜形成室内叠置R、G和B颜色空穴输送层、发光层和电子输送层，如图12A和12B所示，其中示出了从插入衬底到取出衬底的工序。如果在同一膜形成室内连续叠置R、G和B颜色空穴输送层、发光层和电子输送层，在掩模对准期间通过位移进行掩模定位，可以选择地形成对应R、G和B的三种材料层，如图12B所示。注意参考标记10表示图12B中的衬底，参考标记15表示挡板，参考标记17表示蒸发源固定器，参考标记18表示蒸发材料，和参考标记19表示汽化蒸发材料。示出了对于每个含有有机化合物的层的移动蒸发掩模14的状态。在这种情况下该掩模被共享，并且只用一个掩模。
此外，衬底10和蒸发掩模14设置在膜形成室(未示出)内。此外，可以通过采用CCD摄像机(未示出)确认蒸发掩模14的对准。其中封闭蒸发材料18的容器设置在蒸发源固定器17中。膜形成室11被真空排气到等于或低于5×10-3乇(0.665Pa)、优选从10-6到10-4Pa的真空度。此外，在蒸发期间通过电阻加热使蒸发材料预先升华(气化)，并在蒸发期间通过打开挡板15在衬底10的方向散射。被升华的蒸发材料19向上散射，并通过形成在蒸发掩模中的开口部分选择地蒸发在衬底10上。注意希望膜形成速度、蒸发源固定器的移动速度和挡板的打开和关闭可以由微型计算机控制。因此可以通过蒸发源固定器的移动速度控制蒸发速度。此外，可以在采用设置在膜形成室内的液晶振荡器测量蒸发膜的膜厚的同时进行蒸发。对于通过采用液晶振荡器测量蒸发膜的膜厚的情况，可以测量蒸发在液晶振荡器上的膜的质量的变化，作为谐振频率的变化。在该蒸发设备中，在蒸发期间将衬底10和蒸发源固定器17之间的间隙距离d缩短到通常等于或小于30cm、优选等于或小于20cm、更优选从5到15cm。因此大大提高了蒸发材料利用效率和生产率。此外，提供能在膜形成室内在x方向和y方向移动蒸发源固定器17并使蒸发源固定器保持在水平取向的机构。这里，蒸发源固定器17在平面中以锯齿形方式移动，如图2A和2B所示。
此外，如果共同使用空穴输送层和电子输送层，首先形成空穴输送层，之后采用不同掩模选择地叠置由不同材料制成的发光层，然后叠置电子输送层。这种情况下采用三个掩模。
此外，本例可以与实施例1的实施方式自由组合。
根据本发明，衬底不必旋转，因此可以提供能处理大表面面积衬底的蒸发设备。此外，即使使用大表面面积衬底，也可以提供能获得均匀膜厚的蒸发设备。
而且，根据本发明可以缩短衬底和蒸发源固定器之间的距离，并且可以实现蒸发设备的小型化。该蒸发设备变得较小，因此减少了粘接到膜形成室内的保护屏蔽件的内壁上的被升华蒸发材料的量，并且有效地利用了蒸发材料。
此外，本发明可提供其中依次设置用于进行蒸发处理的多个膜形成室的制造设备。可增加该光发射设备的生产量，只要在多个膜形成室中进行并行处理。
此外，本发明可提供一种制造系统，其中在不暴露于大气的情况下在蒸发设备中可直接安装封闭蒸发材料的容器、膜厚监视器等。根据本发明便于控制蒸发材料，并且可避免杂质混入蒸发材料中。根据这种制造系统，被材料制造者密封的容器可直接安装在蒸发设备中，因此可防止氧和潮气粘接到蒸发材料上，并且将来可以控制甚至更高度净化的发光元件。

Claims (22)

1.一种制造设备，包括：
装载室；
耦合到装载室的传送室；
耦合到传送室的多个膜形成室；
耦合到传送室的处理室；
其中多个膜形成室的每个耦合到真空排气处理室，用于使膜形成室内部形成真空；
其中多个膜形成室的每个包括：
用于进行掩模和衬底的位置对准的对准装置；
衬底固定装置；
蒸发源固定器；和
用于移动蒸发源固定器的装置；
其中蒸发源固定器包括：
密封蒸发材料的容器；
用于加热该容器的装置；和
提供在该容器上的挡板；
其中处理室耦合到真空排气处理室，用于提供真空状态；
其中多个片式加热器设置在处理室中，以便相互重叠并在其间具有缝隙；
其中处理室可以对多个衬底进行真空加热，并且
其中用于移动蒸发源固定器的装置具有以一定间距在x轴方向移动蒸发源固定器的功能，和具有以一定间距在y轴方向移动蒸发源固定器的功能。
2.根据权利要求1的制造设备，其中当在x轴方向和y轴方向之间转换时，蒸发源固定器旋转。
3.根据权利要求1的制造设备，其中在挡板中打开一个孔，它的开口表面面积S2小于所述容器的开口表面面积S1。
4.根据权利要求1的制造设备，其中与蒸发源固定器相邻提供膜厚监视器。
5.一种制造设备，包括：
装载室；
耦合到装载室的传送室；
耦合到传送室的多个膜形成室；
耦合到传送室的处理室；
其中多个膜形成室的每个都耦合到真空排气处理室，用于在膜形成室内部形成真空；
其中多个膜形成室的每个包括：
用于进行掩模和衬底的位置对准的对准装置；
衬底固定装置；
蒸发源固定器；和
用于移动蒸发源固定器的装置；
其中蒸发源固定器包括：
密封蒸发材料的容器；
用于加热该容器的装置；和
提供在该容器上的挡板；
其中处理室耦合到真空排气处理室，用于提供真空状态；和
其中将氢气、氧气和惰性气体中的至少一种气体引入处理室中以产生等离子体，并且
其中用于移动蒸发源固定器的装置具有以一定间距在x轴方向移动蒸发源固定器的功能，和具有以一定间距在y轴方向移动蒸发源固定器的功能。
6.根据权利要求5的制造设备，其中多个片式加热器设置在传送室中，以便相互重叠并在其间具有缝隙，并且能对多个衬底进行真空加热的处理室耦合到传送室。
7.根据权利要求5的制造设备，其中当在x轴方向和y轴方向之间转换时，蒸发源固定器旋转。
8.根据权利要求5的制造设备，其中在挡板中打开一个孔，它的开口表面面积S2小于所述容器的开口表面面积S1。
9.根据权利要求5的制造设备，其中与蒸发源固定器相邻形成膜厚监视器。
10.根据权利要求5的制造设备，其中惰性气体元素包括选自He、Ne、Ar、Kr和Xe的至少一种元素。
11.一种制造设备，包括：
传送室；
耦合到传送室的膜形成室，其中膜形成室包括用于在衬底上方形成电致发光层的蒸发源固定器；以及
耦合到传送室的处理室，其中处理室能够同时对多个衬底进行真空加热，
其中蒸发源固定器包括具有孔的挡板。
12.根据权利要求11的制造设备，其中处理室包括多个片式加热器。
13.根据权利要求11或12的制造设备，其中蒸发源固定器包括加热器。
14.根据权利要求11或12的制造设备，其中与蒸发源固定器相邻提供膜厚监视器。
15.根据权利要求11或12的制造设备，其中电致发光层包括选自由空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层组成的组中的至少一种层。
16.一种制造设备，包括：
传送室；
耦合到传送室的膜形成室，其中膜形成室包括用于在衬底上方形成电致发光层的蒸发源固定器，和用于移动蒸发源固定器的装置；以及
耦合到传送室的处理室，其中处理室能够同时对多个衬底进行真空加热，
其中用于移动蒸发源固定器的装置具有以一定间距在x轴方向移动蒸发源固定器的功能，和具有以一定间距在y轴方向移动蒸发源固定器的功能。
17.根据权利要求16的制造设备，其中处理室包括多个片式加热器。
18.根据权利要求16或17的制造设备，其中当在x轴方向和y轴方向之间转换时，蒸发源固定器旋转。
19.根据权利要求16或17的制造设备，其中蒸发源固定器包括加热器。
20.根据权利要求16或17的制造设备，其中蒸发源固定器包括具有孔的挡板。
21.根据权利要求16或17的制造设备，其中与蒸发源固定器相邻提供膜厚监视器。
22.根据权利要求16或17的制造设备，其中电致发光层包括选自由空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层组成的组中的至少一种层。
CNB031525288A 2002-08-01 2003-08-01 制造设备 Expired - Fee Related CN100565784C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP224760/2002 2002-08-01
JP2002224760 2002-08-01
JP224760/02 2002-08-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1480984A CN1480984A (zh) 2004-03-10
CN100565784C true CN100565784C (zh) 2009-12-02

Family

ID=31972372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031525288A Expired - Fee Related CN100565784C (zh) 2002-08-01 2003-08-01 制造设备

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20040040504A1 (zh)
KR (2) KR100995109B1 (zh)
CN (1) CN100565784C (zh)
TW (1) TWI330382B (zh)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI277363B (en) * 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
CN100459220C (zh) 2002-09-20 2009-02-04 株式会社半导体能源研究所 制造系统以及发光元件的制作方法
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US7333072B2 (en) * 2003-03-24 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP4493926B2 (ja) 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US7211454B2 (en) * 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
US20050223986A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Choi Soo Y Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
CN100581309C (zh) * 2004-04-27 2010-01-13 富士胶片株式会社 有机电致发光元件及其制造方法
US20050284373A1 (en) * 2004-06-25 2005-12-29 Lg Electronics Inc. Apparatus for manufacturing a luminescent device using a buffer cassette
US20090304914A1 (en) * 2006-08-30 2009-12-10 Lam Research Corporation Self assembled monolayer for improving adhesion between copper and barrier layer
US9117860B2 (en) * 2006-08-30 2015-08-25 Lam Research Corporation Controlled ambient system for interface engineering
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
KR100752681B1 (ko) * 2004-11-02 2007-08-29 두산메카텍 주식회사 증착되는 유기박막의 두께를 실시간으로 측정가능한유기박막 증착장치 및 유기박막 증착방법
KR100685431B1 (ko) * 2004-11-26 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증착원
CN101151707B (zh) * 2005-03-30 2012-08-29 松下电器产业株式会社 杂质导入装置和杂质导入方法
JP4789551B2 (ja) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機ｅｌ成膜装置
JP4974504B2 (ja) * 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
US8916232B2 (en) * 2006-08-30 2014-12-23 Lam Research Corporation Method for barrier interface preparation of copper interconnect
JP5417174B2 (ja) * 2006-08-30 2014-02-12 ラム リサーチ コーポレーション 境界面の工学設計のための制御雰囲気システム
KR20080045974A (ko) * 2006-11-21 2008-05-26 삼성전자주식회사 박막 증착장치 및 박막 증착방법
KR100977971B1 (ko) * 2007-06-27 2010-08-24 두산메카텍 주식회사 증착 장치
CN101835922B (zh) * 2007-10-24 2012-05-02 Oc欧瑞康巴尔斯公司 用于制造工件的方法和装置
CN101736293B (zh) * 2008-11-04 2013-02-13 京东方科技集团股份有限公司 用于蒸镀有机电致发光二极管电极的金属装填方法及系统
CN102318040B (zh) * 2009-03-06 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
US20110104398A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 General Electric Company Method and system for depositing multiple materials on a substrate
JP5566669B2 (ja) * 2009-11-19 2014-08-06 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
KR20110096382A (ko) * 2010-02-22 2011-08-30 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 패널의 증착 및 검사 장치와 그것을 이용한 증착 및 검사방법
CN101882669A (zh) * 2010-03-23 2010-11-10 东莞宏威数码机械有限公司 有机发光显示器后段工艺封装组件及封装方法
CN101988190A (zh) * 2010-05-25 2011-03-23 东莞宏威数码机械有限公司 镀膜基片前置处理装置及前置处理方法
JP2012112037A (ja) * 2010-11-04 2012-06-14 Canon Inc 成膜装置及びこれを用いた成膜方法
JP2012186158A (ja) * 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 照明装置及び発光装置の作製方法及び製造装置
KR101338307B1 (ko) * 2011-06-30 2013-12-09 엘아이지에이디피 주식회사 기판검사장치 및 이를 포함하는 ｏｌｅｄ 제조장치
KR101226252B1 (ko) * 2011-06-30 2013-01-25 엘아이지에이디피 주식회사 검사유닛을 포함하는 ｏｌｅｄ 제조장치
KR101810046B1 (ko) * 2012-01-19 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 기상 증착 방법
KR20130129728A (ko) * 2012-05-21 2013-11-29 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 승화 정제 장치 및 방법
JP6181358B2 (ja) * 2012-07-25 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 ベーク処理システム及び有機ｅｌ素子の有機機能膜の積層体の製造方法
WO2014025918A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Applied Materials, Inc Linked vacuum processing tools and methods of using the same
US9971341B2 (en) * 2014-01-06 2018-05-15 Globalfoundries Inc. Crystal oscillator and the use thereof in semiconductor fabrication
US11881391B1 (en) 2014-01-30 2024-01-23 Radiation Monitoring Devices, Inc. Alkali semi-metal films and method and apparatus for fabricating them
US9916958B1 (en) * 2014-01-30 2018-03-13 Radiation Monitoring Devices, Inc. Alkali semi-metal films and method and apparatus for fabricating them
CN103938161A (zh) * 2014-04-29 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 基板蒸镀装置和蒸镀方法
KR102231490B1 (ko) * 2014-09-02 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US10458014B2 (en) 2015-03-24 2019-10-29 Siva Power, Inc. Thin-film deposition methods with thermal management of evaporation sources
CN104793596B (zh) * 2015-04-16 2018-05-22 天津智通机器人有限公司 一种催化剂自动化生产线控制系统
CN104843256A (zh) * 2015-04-16 2015-08-19 天津智通机器人有限公司 一种催化剂干加工生产线
CN112011765B (zh) * 2015-06-18 2022-10-21 佳能特机株式会社 蒸镀装置及其控制方法、以及成膜方法
US10234678B1 (en) * 2016-04-26 2019-03-19 Amazon Technologies, Inc. Fluid dispensing method for electrowetting element manufacture
JP6937549B2 (ja) * 2016-06-10 2021-09-22 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子の製造装置
JP6640759B2 (ja) * 2017-01-11 2020-02-05 株式会社アルバック 真空処理装置
US10720633B2 (en) * 2017-09-15 2020-07-21 Dyson Technology Limited Multilayer electrochemical device
CN109449301B (zh) * 2018-09-19 2021-11-09 云谷（固安）科技有限公司 Oled显示器件的蒸镀方法、oled显示器件及蒸镀设备
CN109609922B (zh) * 2019-01-02 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 薄膜制备装置、方法及系统
KR102184356B1 (ko) * 2019-02-27 2020-11-30 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
WO2020251696A1 (en) * 2019-06-10 2020-12-17 Applied Materials, Inc. Processing system for forming layers

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US197418A (en) * 1877-11-20 Improvement in horseshoes
US1857265A (en) * 1930-08-13 1932-05-10 Neal W Stephens Automatic adjusting attachment for concaves
US2436997A (en) 1937-09-18 1948-03-02 Jacobsen Peter Emil Vilhelm Cardboard box for eggs
US2435997A (en) * 1943-11-06 1948-02-17 American Optical Corp Apparatus for vapor coating of large surfaces
FR2244014B1 (zh) * 1973-09-17 1976-10-08 Bosch Gmbh Robert
US4023523A (en) * 1975-04-23 1977-05-17 Xerox Corporation Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor
US4187801A (en) * 1977-12-12 1980-02-12 Commonwealth Scientific Corporation Method and apparatus for transporting workpieces
DE3330092A1 (de) * 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
JPS61284569A (ja) 1985-06-12 1986-12-15 Koa Corp 眞空蒸着装置
US4897290A (en) * 1986-09-26 1990-01-30 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display
JPH0362515A (ja) 1989-07-28 1991-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空加熱処理装置
US5258325A (en) * 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5429884A (en) * 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JPH0665722A (ja) 1992-08-21 1994-03-08 Anelva Corp 真空蒸着装置
EP0608620B1 (en) * 1993-01-28 1996-08-14 Applied Materials, Inc. Vacuum Processing apparatus having improved throughput
KR100291971B1 (ko) 1993-10-26 2001-10-24 야마자끼 순페이 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5981735A (en) * 1996-02-12 1999-11-09 Cobra Therapeutics Limited Method of plasmid DNA production and purification
US5850071A (en) * 1996-02-16 1998-12-15 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate heating equipment for use in a semiconductor fabricating apparatus
US5764849A (en) * 1996-03-27 1998-06-09 Micron Technology, Inc. Solid precursor injector apparatus and method
JP3539125B2 (ja) 1996-04-18 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
JPH10124869A (ja) 1996-10-14 1998-05-15 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体の製造装置
JP2848371B2 (ja) * 1997-02-21 1999-01-20 日本電気株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US5906857A (en) * 1997-05-13 1999-05-25 Ultratherm, Inc. Apparatus, system and method for controlling emission parameters attending vaporized in a HV environment
US6011904A (en) * 1997-06-10 2000-01-04 Board Of Regents, University Of Texas Molecular beam epitaxy effusion cell
JP3817037B2 (ja) * 1997-07-29 2006-08-30 株式会社アルバック 真空蒸着装置、有機ｅｌ素子の形成方法
JPH1161386A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
JPH11229123A (ja) 1998-02-12 1999-08-24 Casio Comput Co Ltd 蒸着装置
WO1999048337A1 (en) * 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
JP3066007B2 (ja) 1998-06-24 2000-07-17 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
WO2000003560A2 (de) * 1998-07-08 2000-01-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zur herstellung einer gefüllten vertiefung in einer materialschicht, sowie eine durch das verfahren erzeugte integrierte schaltungsanordnung
JP2000040591A (ja) * 1998-07-21 2000-02-08 Sony Corp 有機電界発光素子
US6284052B2 (en) * 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
US6132805A (en) * 1998-10-20 2000-10-17 Cvc Products, Inc. Shutter for thin-film processing equipment
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
US6487252B1 (en) * 1999-01-29 2002-11-26 Motorola, Inc. Wireless communication system and method for synchronization
US6656273B1 (en) 1999-06-16 2003-12-02 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming system
TW504941B (en) * 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP2001081558A (ja) 1999-09-13 2001-03-27 Asahi Optical Co Ltd 成膜装置および成膜方法
JP2001102523A (ja) 1999-09-28 2001-04-13 Sony Corp 薄膜デバイスおよびその製造方法
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
US6830626B1 (en) * 1999-10-22 2004-12-14 Kurt J. Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
DE69935261T2 (de) 1999-12-17 2007-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verbesserte kapselung organischer led-vorrichtungen
US6730929B2 (en) * 1999-12-24 2004-05-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescent device
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6244212B1 (en) * 1999-12-30 2001-06-12 Genvac Aerospace Corporation Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film
US6633121B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
JP4608172B2 (ja) 2000-03-22 2011-01-05 出光興産株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置およびそれを用いた有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2001279429A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4785269B2 (ja) 2000-05-02 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
JP2002002778A (ja) 2000-06-14 2002-01-09 Koji Onuma カットテープにより特定の面形状に引き裂ける包装フィルムの製造方法
JP5159010B2 (ja) 2000-09-08 2013-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
SG125891A1 (en) 2000-09-08 2006-10-30 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing thesame, and thin film forming apparatus
JP2002175878A (ja) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
US6770562B2 (en) 2000-10-26 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
JP4054561B2 (ja) 2000-10-26 2008-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
US6641674B2 (en) * 2000-11-10 2003-11-04 Helix Technology Inc. Movable evaporation device
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP4078813B2 (ja) * 2001-06-12 2008-04-23 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2003002778A (ja) 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
JP3616586B2 (ja) 2001-07-19 2005-02-02 株式会社日本ビーテック 薄膜堆積用分子線源セル
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
EP1369499A3 (en) * 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
JP3927854B2 (ja) * 2002-04-23 2007-06-13 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッド
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
JP4286496B2 (ja) 2002-07-04 2009-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着装置及び薄膜作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100059753A (ko) 2010-06-04
CN1480984A (zh) 2004-03-10
US7820231B2 (en) 2010-10-26
KR100995109B1 (ko) 2010-11-18
TWI330382B (en) 2010-09-11
US20070148351A1 (en) 2007-06-28
TW200402768A (en) 2004-02-16
KR20040012492A (ko) 2004-02-11
US20040040504A1 (en) 2004-03-04
KR100991445B1 (ko) 2010-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100565784C (zh) 制造设备
CN1679375B (zh) 制造系统,发光装置以及含有有机化合物层的制造方法
CN100354452C (zh) 发光器件制作系统和制作方法
CN100468823C (zh) 制造系统、制造方法、操作制造设备的方法及发光器件
CN100550469C (zh) 蒸发方法、蒸发装置及制造发光器件的方法
CN100380575C (zh) 制造装置
CN1723741B (zh) 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法
CN100468809C (zh) 发光器件制造方法及制造发光器件的设备
CN1582071B (zh) 淀积装置和制造装置
KR101006938B1 (ko) 제조 시스템 및 발광장치 제작방법
WO2009021365A1 (fr) Oled et son procédé
JP4368633B2 (ja) 製造装置
CN105968100B (zh) 一种咪唑类衍生物化合物及其制备方法和发光器件
JP2003313655A (ja) 製造装置
JP2004111386A (ja) 製造装置、発光装置、および有機化合物を含む層の作製方法
JP2004288463A (ja) 製造装置
US10833286B2 (en) Encapsulating method for OLED capsule structure, forming method for OLED light-emitting layer, and OLED capsule structure
KR20090073476A (ko) Ｏｌｅｄ 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20091202

Termination date: 20180801