CN101002141B - 生成用于生成掩模版的仿真图像的仿真程序的输入的计算机实现的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了各种计算机实现的方法。一种生成用于仿真程序的输入的计算机实现的方法包括将关于在已部分制造的掩模版上检测到的缺陷的信息与关于指派给所述掩模版邻近所述缺陷的区域的相位的信息相组合。所述相位要在与所述缺陷在其上被形成的层次不同的层次上被添加到掩模版。所述缺陷在所述相位被添加到掩模版之前在掩模版上被检测到。另一种计算机实现的方法包括生成掩模版上的缺陷的仿真图像，其中使用了通过检查所述掩模版的一个层次而生成的关于所述缺陷的信息，并结合关于掩模版的不同层次的信息。

Description

生成用于生成掩模版的仿真图像的仿真程序的输入的计算机实现的方法
发明背景
1.发明领域
本发明一般地涉及生成用于仿真程序的输入或者生成掩模版(reticle)的仿真图像的计算机实现的方法。一些实施方案涉及这样的计算机实现的方法，即，所述方法包括将关于在已部分制造的掩模版上检测到的缺陷的信息与关于指派给所述掩模版邻近所述缺陷的区域的相位的信息相组合。
2.相关技术描述
下面的描述和实施例不因为被包括在本部分中而被认为是现有技术。
半导体制造工艺通常包括多个光刻步骤，以形成半导体器件的各个特征和多个层次。光刻包括将图形转移到在半导体衬底(substrate)上形成的抗蚀剂，所述半导体衬底通常可以被称为晶片。掩模版或掩模(mask)可以被设置在抗蚀剂之上，并且可以具有基本上透明的区和基本上不透明的区，所述基本上透明的区和基本上不透明的区构造成可以被转移到抗蚀剂的图形。例如，掩模版的基本上不透明的区可以保护下面的抗蚀剂区以免暴露给能量源。因此，通过将抗蚀剂的区选择性地暴露给能量源，抗蚀剂可以被图形化，所述能量源诸如紫外光、电子束或x射线源。已图形化的抗蚀剂可以随后被用来在诸如离子注入和蚀刻的后续半导体制造工艺中掩蔽下面的层。因此，抗蚀剂可以基本上阻止下面的层被离子注入或者通过蚀刻被去除，所述下面的层诸如电介质材料或者半导体衬底。
商业上可获得的有几种类型的掩模版。例如，二元掩模版是具有透明或不透明的已图形化区域的掩模版。二元掩模版与相移掩模(PSM)不同，一种类型的所述相移掩模可以包括仅部分透射光的薄膜，并且这些掩模版通常可以被称为半透明(halftone)或嵌入式相移掩模。如果相移性材料被放置在掩模版的交替的明间隔(clear space)上，则掩模版被称为交替式PSM、ALT PSM，或者甚至被称为利文森PSM。被应用到任意布局图形的一种类型的相移性材料被称为衰减型或半透明PSM，所述衰减型或半透明PSM可以通过用可部分透射或“半透明”薄膜代替不透明材料来被制造。三元衰减型PSM是还包括完全不透明特征的衰减型PSM。以上描述的掩模版中的每一种还可以包括保护膜(pellicle)，所述保护膜是将掩模版表面与空气中的颗粒和其他形式的污染密封隔离的光透膜。
用于制作掩模版的工艺与晶片图形化工艺类似。例如，掩模版制作的目标是在基本上透明的衬底(例如玻璃)上的不透明材料(例如相对薄的铬层)中形成图形。具体来说，掩模版制作可以包括诸如图形生成的多个不同步骤，所述图形生成步骤可以包括在光源下移动具有在其上形成的铬层和抗蚀剂层的玻璃衬底，如同快门被移动并且打开一样，以允许准确定形的光图形照射到抗蚀剂上，由此创建期望的图形。
可替换地，掩模版可以用激光或电子束(e-beam)直写曝光来生产(make)。激光曝光允许使用标准的光学抗蚀剂，并且比电子束直写曝光快。另外，购买和操作激光系统也较便宜。直写激光源用声-光调制器(AOM)或数字多反射镜被打开和关上。商业上可获得的直写激光系统的例子是来自加利福尼亚州圣克拉克市的应用材料有限公司(AppliedMaterials，Inc.)的ALTA
Figure S05824690320070124D000021
。直写电子束系统经常被用来制作复杂的掩模版，因为它们产生比激光系统好的线分辨率。商业上可获得的直写电子束系统的例子包括来自Applied Materials的MEBES4500和5000系统。诸如光栅扫描电子束系统、向量扫描电子束系统和准向量/光栅扫描电子束系统的其他曝光类型也是可能的。
在曝光步骤之后，掩模版经显影、检查、蚀刻、剥离和检查操作被处理。掩模版中的缺陷是集成电路制作中产率下降的一个原因。因此，掩模版的检查是掩模版制作工艺中的关键步骤。随着最小图形的大小缩小并且集成电路被设计成具有更高的器件密度，曾经可容忍的缺陷可能不再可接受。例如，单个缺陷可能在步进光刻系统中的每个管芯(die)中被重复，并且可能破坏单管芯缩减式掩模版(reduction reticle)中的每一个管芯。另外，由于VLSI和ULSI级集成电路制作的关键尺寸(critical dimension，CD)预算，掩模版允许的CD预算要求基本上无缺陷并且在尺寸上完美的掩模版。例如，针对这样的集成电路的总体CD预算可能是大致10％或更好，从而导致针对掩模版的CD预算具有约4％的误差容限。
缺陷可能是由掩模版图形的不正确设计和/或在图形生成工艺期间引入到图形中的瑕疵(flaw)导致的。即使设计是正确的，并且图形生成工艺合格地进行，掩模版中的缺陷仍然可能由掩模版制造工艺以及在后续的处理和操作期间被生成。除了缺陷的许多潜在原因以外，缺陷还有许多不同的类型。例如，气泡、划痕、凹痕和裂痕可能是由有缺陷的原始玻璃衬底导致的。不透明材料中的缺陷可以包括在材料中包括颗粒、材料表面中的针孔或空孔，以及诸如氮化物或碳化物的不可见的化学异常，所述缺陷可能导致不规则的局部蚀刻和不期望的图形。诸如抗蚀剂层中的空孔的缺陷可能产生针孔，所述针孔可能导致衰减薄膜中的空孔。另外，抗蚀剂中局部化的特性也可能产生抗蚀剂的特性上的变化，所述抗蚀剂的特性诸如横过掩模版衬底的抗蚀剂溶解性。颗粒物质也可能在掩模版的处理和/或操作期间被引入到掩模版。可能导致无效器件或者将导致管芯在最终晶片检查被报废(reject)的缺陷通常被称为“致命”或“杀伤”缺陷，而其他缺陷通常可以被称为“非致命”缺陷。
有几种方法已经被用来针对缺陷检查掩模版。一种方法包括在第一图形化/处理步骤之后检查并且修理检测到的每一个缺陷。如果检测到太多的缺陷，则该掩模版被报废(即，被废弃)。在这种方法中，没有或很少考虑缺陷的可印刷性(printability)，因为关于缺陷的最终光性质仅存在部分知识。因此，这种方法在掩模版处置(disposition)决定中不考虑各个(individual)缺陷的光刻显著性(significance)。另一种方法包括在第二或最终图形化/处理步骤之后检查并且修理检测到的所有缺陷。在这种方法中，如果检测到太多缺陷或非可修理的缺陷，则掩模版被报废。因为相位缺陷修理非常困难和/或昂贵，并且/或者对周期时间有显著影响，所以在这种方法中，有较大的可能性报废已完成的掩模/掩模版。
在不同的方法中，检查在第二或最终图形化/处理步骤之后进行，并且缺陷对掩模版的印刷图像的影响使用空间图像(aerial image)分析工具被确定。只有在光刻上显著的缺陷被修理。如以上描述的，因为相位缺陷修理非常困难和/或昂贵并且/或者对周期时间有显著影响，所以有较大的可能性报废已完成的掩模/掩模版。在另一种方法中，可以在第二或最终图形化/处理步骤之后使用空间图像检查工具来检查掩模版，并且检测到的缺陷可以被修理。根据定义，这些缺陷应该是在光刻上显著的缺陷。但是，这种方法假定可以获得具有足够灵敏度的空间图像检查工具来符合△关键尺寸(△CD)缺陷标准。这种方法的主要缺点是为了使用空间图像检查工具需要完成所有的图形化和处理步骤，由此需要耗费全周期时间和费用。
因此，人们可能期望获得这样的用于检查和/或评估掩模版上缺陷的方法，即，消除以上描述的方法的缺点中的一个或更多个。
发明内容
下面对计算机实现的方法的各个实施方案的描述不应该以任何方式解读为限制所附的权利要求书的主题。
总的来说，在这里描述的方法基于固定的掩模生产工艺和“前馈”到光刻仿真程序的原位缺陷检查，使用关于潜在缺陷相位信息的先验知识来做出关于缺陷是否应该被修理或不管或者盘片是否应该被报废的判断，所述光刻仿真程序诸如在商业上可从加利福尼亚州圣何塞市的KLA-Tencor获得的PROLITH。“原位”缺陷检查在这里一般被定义为在掩模或掩模版被完成之前进行的检查。先进技术的掩模和掩模版使用多个图形化和处理步骤。例如，相移类型的掩模版使用多个图形化和处理步骤被制造，在所述多个图形化和处理步骤中，透射(transmission)(即，幅度)信息在第一图形化步骤被添加，并且相位信息在第二图形化步骤被添加。基于第二层图形化数据相对第一层图形化数据的空间关系，在第一图形化步骤之后检测到的缺陷在第二图形化步骤之后可能具有或者可能不具有相位成分。总的来说，包含相位成分的缺陷趋向于具有比那些不具有相位成分的缺陷大的光刻显著性。
在掩模生产工艺中尽可能早地确定掩模版的质量是有利的，以最小化周期时间和制作成本。但是，许多分辨率增强技术(RETs)使用相移性掩模版，所述相移性掩模版使用如以上描述的多个图形化和处理步骤被制造。这些多个步骤增加相当多的周期时间和制作费用。因此，人们期望在完成所有图形化和处理步骤之前确定掩模版的质量，从而避免在由于较早的图形化/处理步骤而存在致命缺陷的情况下，添加更多的价值到掩模版。这种确定可能是困难的，因为在第一图形化步骤中生成的缺陷可能具有或可能不具有还未添加到掩模版的相位成分，因为这将发生在较后的图形化/处理步骤中。
在这里描述的方法使用第二层图形化数据来帮助确定掩模版上相位区域的位置，所述掩模版上相位区域的位置可以被前馈到光学光刻仿真程序。并且，基于掩模生产工艺的先验知识和缺陷相对相位图形信息的位置，相位信息可以被指派给缺陷来改善仿真结果的准确性。这种方法可以被实现为多层数据库检查的组成部分(component)，其中来自数据库的相位信息与缺陷的光学图像相叠加，并且被储存到文件，所述文件被用作到光学仿真程序的输入。
在这里描述的方法可以克服先前方法的许多缺点，因为掩模版不需要被完成来估计缺陷的光刻显著性。并且，在这里描述的方法可以以“混合”的管芯到管芯模式来操作，在所述模式中第二层相位数据是数据库生成的，并且被叠加到缺陷的光学图像。在针对某些缺陷类型(例如局部关键尺寸(CD)变化)的检查之后对掩模版的第一层次进行可印刷性评价也是有可能的。
实施方案涉及生成用于仿真程序的输入的计算机实现的方法。所述方法包括将关于在已部分制造的掩模版上检测到的缺陷的信息与关于指派给所述掩模版邻近所述缺陷的区域的相位的信息相组合。所述相位要在与缺陷在其上被形成的层次不同的层次上被添加到掩模版。在一个实施方案中，关于相位的信息包括来自数据库的信息。在另一个实施方案中，关于相位的信息包括关于掩模版制造工艺的信息。
在实施方案中，缺陷在相位被添加到掩模版之前在掩模版上被检测到。在一些实施方案中，缺陷在掩模版制造工艺中的第一图形化步骤之后并且在掩模版制造工艺中的第二图形化步骤之前在掩模版上被检测到。在另外的实施方案中，缺陷在掩模版制造工艺的其中没有相位信息被赋予所述掩模版的步骤中被形成。
在另一个实施方案中，仿真程序使用所述输入来确定缺陷的可印刷性。在进一步的实施方案中，仿真程序使用所述输入来确定缺陷的光刻显著性。以上描述的方法的实施方案中的每一个可以包括在这里描述的任何其他一个或多个步骤。
另一个实施方案涉及生成用于仿真程序的输入的计算机实现的方法。所述方法包括将关于在已部分制造的掩模版上形成的一个或更多个特征的信息与关于指派给所述掩模版的邻近所述一个或更多个特征的区域的相位的信息相组合。所述相位要在与所述一个或更多个特征在其上被形成的层次不同的层次上被添加到掩模版。所述方法的这个实施方案也可以包括在这里描述的任何其他一个或多个步骤。
另一个实施方案涉及一种不同的计算机实现的方法。所述方法包括生成掩模版上的缺陷的仿真图像，其中使用了通过检查所述掩模版的一个层次而生成的关于所述缺陷的信息，并结合关于所述掩模版的不同层次的信息。在一个实施方案中，检查是在掩模版被完全制造之前进行的。在另一个实施方案中，掩模版的所述一个层次包括完全未图形化的掩模版。在不同的实施方案中，检查在掩模版制造工艺中的第一图形化步骤之后并且在掩模版制造工艺中的第二图形化步骤之前进行。
在一个实施方案中，关于掩模版上的不同层次的信息包括来自数据库的信息。在一些实施方案中，所述一个层次包括掩模版的非相移层次。在另一个实施方案中，生成仿真图像的操作包括将相位信息指派给缺陷。
所述方法还可以包括从仿真图像确定缺陷的可印刷性。在另一个实施方案中，所述方法包括从仿真图像确定缺陷的光刻显著性。在另外的实施方案中，所述方法包括从缺陷的仿真图像确定掩模版的工艺窗口(process window)。在进一步的实施方案中，方法包括使用仿真图像来分析缺陷对将使用该掩模版制造的器件的电气影响。
在一些实施方案中，所述方法包括从仿真图像确定掩模版是否应该被报废或者掩模版的额外制造是否应该进行。在另外的实施方案中，所述方法包括从仿真图像确定缺陷是否应该被修理。在另一个实施方案中，所述方法包括基于仿真图像、关于缺陷的信息或者它们的组合，生成用于缺陷的修理工艺配置(recipe)。
在进一步的实施方案中，所述方法包括针对要在检查之后进行的一个或更多个写步骤修改掩模版设计，以校正缺陷。在一个这样的实施方案中，所述方法包括创建用于掩模写工具(writing tool)的文件，所述掩模写工具可以被用来基于修改后的设计进行一个或更多个写步骤。
在另一个实施方案中，所述方法包括基于缺陷的仿真图像、关于缺陷的信息或者它们的组合，确定一个或更多个晶片制作工艺的一个或更多个参数。在另外的实施方案中，所述方法包括基于掩模版中由该缺陷以及通过检查检测到的额外的缺陷创建的关键区域(critical area)，确定工艺控制配置。以上描述的方法的实施方案中的每一个可以包括在这里描述的任何其他一个或多个步骤。
不同的实施方案涉及另一种计算机实现的方法。这种方法包括生成掩模版的一个层次上的一个或更多个特征的仿真图像，其中使用了通过计量生成的、关于所述一个或更多个特征的信息，并结合了关于掩模版上的不同层次的信息。所述不同的层次在计量之前没有被形成在掩模版上。
在一个实施方案中，所述方法包括以不同的光刻工艺参数生成如以上描述的一个或更多个特征的仿真图像，以生成所述一个或更多个特征的额外的仿真图像。这样的实施方案还可以包括从额外的仿真图像确定掩模版的工艺窗口。在另一个实施方案中，所述方法包括使用仿真图像来仿真将使用掩模版印刷在晶片上的器件图形。这样的实施方案还可以包括确定器件图形的电气特性，以及确定从该器件图形形成的器件的电气性能。以上描述的方法的实施方案中的每一个可以包括在此描述的任何其他一个或多个步骤。
进一步的实施方案涉及包括程序指令的载体介质，所述程序指令在处理器上可执行，以执行在这里描述的计算机实现的方法中的一种或更多种。另外的实施方案涉及包括处理器和程序指令的系统，所述程序指令在所述处理器上可执行，以执行在此描述的计算机实现的方法中的一种或更多种。
附图简要说明
受益于下面对优选实施方案的详细描述并且参照附图之后，本领域中的那些技术人员将清楚本发明的进一步的优点，在所述附图中：
图1是图示生成用于仿真程序的输入的计算机实现的方法的一个实施方案的流程图；
图2是图示不同的计算机实现的方法的一个实施方案的流程图；
图3是图示掩模版的部分横截视图的示意图，在所述掩模版中不透明层被形成在衬底上；
图4是图示图3的掩模版的部分横截视图的示意图，在所述掩模版中不透明层被图形化；
图5是图示图4的掩模版的部分横截视图的示意图，所述掩模版具有关于指派给掩模版的不同区域的相位的信息的叠加；
图6是图示图4的掩模版的部分横截视图的示意图，在所述掩模版中相位被添加到掩模版；以及
图7是图示系统的一个实施方案的侧视图的示意图，所述系统可以被用来实施在这里描述方法中的一种或更多种。
尽管本发明容许各种修改和可替换的形式，但是本发明的具体实施方案在附图中以实施例的方式被示出，并且可以在这里被详细地描述。附图可以不按比例绘制。但是，应该理解附图和对本发明的详细描述并不想要将本发明限制为公开的特定形式，并且正相反，本发明要覆盖所有落入如所附的权利要求书定义的本发明的精神和范围内的修改、等同物和替代。
优选实施方案详细描述
如在这里使用的，术语“掩模版”表示掩模版或掩模。掩模版一般包括具有在其上形成的不透明材料层的透明衬底，所述透明衬底诸如玻璃、硼硅酸盐玻璃(borosilicateglass)和熔融石英(fused silica)。掩模版可以包括在不透明材料下形成的额外的材料(诸如附着层)。另外，掩模版可以包括在不透明材料之上形成的额外的材料，所述额外的材料诸如底部抗反射涂层、抗蚀剂和顶部抗反射涂层。不透明材料层可以被图形化来形成衬底上的不透明区。可替换地，不透明区可以用蚀刻到透明衬底中的区来代替。如在这里描述的，掩模版可以包括或者不包括保护膜。
不同类型的掩模版包括，但不仅限于，以上更详细地描述的明场掩模版、暗场掩模版、二元掩模版、相移掩模(PSM)、交替式PSM、衰减型或半透明PSM和三元衰减型PSM。掩模版还可以包括光学邻近校正(OPC)特征。OPC特征被设计为通过降低光学邻近效应来减少使用掩模版印刷的图像的变形。术语“光学邻近效应”一般表示由于掩模版上邻近的其他特征导致的印刷特征的横向尺寸或形状上的变化。可以通过确定由光学邻近效应导致的变形，并且改变掩模版上的特征以补偿这样的变形来降低这样的效应。
除使用诸如“已完全制造的掩模版”的术语另外指出以外，如在这里使用的术语“掩模版”还表示已部分制造的掩模版。换言之，术语“掩模版”和“已部分制造的掩模版”在这里可互换地使用。已部分制造的掩模版可以是已经过掩模版制造工艺中的第一图形化步骤，但是还未经过掩模版制造工艺中的第二图形化步骤的掩模版盘片。如在这里使用的术语“第一图形化步骤”被定义为在相位在另一个图形化步骤中(例如，在“第二图形化步骤”中)被添加到掩模版之前进行的掩模版图形化步骤。在一个这样的实施例中，在第一图形化步骤中没有相位信息被赋予掩模版盘片。而是，在许多掩模版制造工艺中，第一图形化步骤被设计成只将透射(幅度)特性添加到掩模版盘片。另外，术语“第一”和“第二”是相对的术语(即，在第一图形化步骤之前可以进行一个或更多个图形化步骤，并且在第二图形化步骤之后可以进行一个或更多个图形化步骤)。
如在这里使用的，术语“相位”被用来表示掩模版的部分改变透射通过掩模版的该部分的光的相位的程度。例如，掩模版的部分可以被设计成将透射通过掩模版的该部分的光的相位改变180度或另一个固定的度数。可以使用各种不同的“相移性特征”来将相位赋予透射通过掩模版的光。相移性特征可以包括掩模版衬底的被蚀刻部分。可替换地，相移性特征可以包括添加到掩模版的材料，所述材料对掩模版将在其被使用的光波长来说基本上透明。在授予Tanaka等的美国专利No.6,750，000中图示了各种类型的相移性特征和各种制作方法的实施例，所述专利通过引用被包括，如同是在本文中被全部阐述那样。
现在转向附图，图1图示生成用于仿真程序的输入10的计算机实现的方法的一个实施方案。输入可以采取文件的形式或者用于仿真程序的输入的任何其他适当的形式。仿真程序可以是光学仿真程序。例如，仿真程序可以被配置成仿真掩模版的光学性能。仿真程序可以被配置成执行在这里描述的额外的功能。合适的仿真程序的一个特定实施例包括在商业上可从加利福尼亚州圣何塞市的KLA-Tencor获得的PROLITH。但是，仿真程序可以包括在本领域中已知的任何合适的仿真程序。
所述方法包括将关于在已部分制造的掩模版上检测到的缺陷的信息12与关于指派给所述掩模版邻近该缺陷的区域的相位的信息14相组合。相位要在与缺陷在其上被形成的层次不同的层次上被添加到掩模版。换言之，缺陷在相位被添加到掩模版之前在掩模版上被检测到，并且关于该缺陷的信息与关于该相位的信息相组合，所述相位在掩模版检查时还未被添加到掩模版。例如，缺陷可以在掩模版被图形化之前在掩模版上被检测到。换言之，缺陷可以在完全未图形化的掩模版上被检测到。在另一个实施例中，缺陷可以在掩模版制造工艺中的第一图形化步骤之后在掩模版上被检测到。在这个步骤中，没有相位信息被赋予掩模版。换言之，在第一图形化步骤中，仅透射信息被添加到掩模版。在掩模版制造工艺中的在已经进行掩模版检查之后的第二或后续的图形化步骤中，相位被添加到掩模版。如以上详细地阐述的，如在这里使用的术语“第一图形化步骤”表示这样的图形化步骤，即，其后跟随着另一个图形化步骤，在所述另一个图形化步骤中相移性特征被添加到掩模版。在这样的实施方案中，在这里描述的方法中使用的关于相位的信息一般将仅包括关于还未添加到掩模版的相移性特征的信息。
关于相位的信息可以包括来自数据库16的信息。数据库16可以是包括关于掩模版布局的信息的数据库。掩模版的布局可以从电路图形数据库中的数据来确定。掩模版的布局一般包括限定掩模版上的图形中的特征的多个多边形(polygon)。在掩模版具有相移性特征的情况下，数据库可以包括用于掩模版的不同层次的布局。换言之，数据库可以包括用于不同图形化步骤的布局，所述不同图形化步骤在掩模版上被进行来形成掩模版的不同特征。例如，一个布局可以限定将在一个图形化步骤中被添加的透射比(transmittance)特征，并且另一个布局可以限定将在不同的图形化步骤中形成的相移性特征。
代表掩模版的布局的数据可以具有可被如在这里描述的仿真程序和/或处理器读取的任何形式。例如，数据可以以GDSII文件或者掩模版或至少掩模版中缺陷所处的区的其他标准文件描述的形式被提供给仿真程序。数据可以描述一个或更多个特征和与所述特征相关联的空间位置。每个特征还可以包括一个或更多个多边形或者如在这里描述的其他形状，并且掩模版内的空间位置还可以与所述多边形或形状中的每一个相关联。
在不同的实施方案中，关于相位的信息14可以包括关于掩模版制造工艺的信息。这样的信息可以从诸如加工数据库(fab database)的数据库获得。加工数据库可以包括与在加工中进行的工艺中的任何一种相关的信息，诸如工具历史、晶片历史和掩模版历史。加工数据库还可以包括适于在总体加工管理系统中使用的任何数据集合。在针对Lamey等的PCT公开No.WO99/59200和授予Lamey，Jr.等的美国专利No.6,408,219中图示了这样的系统的实施例，所述公开和专利通过引用被包括，如同是在本文中被全部阐述那样。
仿真程序可以被配置成使用如在这里描述的输入。具体来说，所述方法可以生成输入，所述输入可以被仿真程序用来评估掩模版上的一个或多个缺陷，并且具体来说，评估掩模版上的一个或多个缺陷可能如何被将添加到掩模版的相位影响。另外，仿真程序可以使用所述输入来确定还未添加到掩模版的相位将如何影响在掩模版上检测到的一个或多个缺陷或的光学特性。例如，在一个实施方案中，仿真程序使用该输入来确定在添加相位之后缺陷将具有的可印刷性。在另一个实施方案中，仿真程序使用该输入来确定在添加相位之后缺陷将具有的光刻显著性。在图1中示出的方法可以包括这里描述的任何其他一个或多个步骤。
如以上描述的，在图1中示出的方法生成输入，所述输入可以被用来分析缺陷并且/或者做出关于掩模版上的缺陷决定。以类似的方式，以上描述的方法可以被用来生成输入，所述输入可以被用来分析在掩模版上形成的特征和\或做出关于其决定。例如，在一个实施方案中，通过将关于在已部分制造的掩模版上形成的一个或更多个特征的信息与关于指派给掩模版邻近所述一个或多个特征的区域的相位的信息相组合来生成用于仿真程序的输入。相位要在与所述一个或多个特征在其上被形成的层次不同的层次上被添加到掩模版。
在一个实施方案中，特征包括透射改变性特征(例如，铬线)。关于一个或多个特征的信息可以使用在本领域中已知的任何计量技术(例如，扫描电子显微镜(SEM)、散射测量术(scatterometry)等)来生成。另外，关于一个或多个特征的信息可以包括关于所述一个或多个特征的任何可测量的特性(例如，关键尺寸(CD)、侧壁角度、轮廓、位置等)的信息。以这种方式，与以上描述的方法相似，方法可以被用来生成输入，所述输入可以被仿真程序用来评估在掩模版上形成的一个或多个特征，以及这些一个或多个特征可能如何被还未添加到掩模版的相位改变。具体来说，仿真程序可以优选地使用所述输入来分析相位将如何影响将印刷在晶片上的一个或多个特征的图像。例如，仿真程序可以确定在相移性特征被添加到掩模版之后所述一个或多个特征将具有的可印刷性和/或光刻显著性。
图2图示不同的计算机实现的方法的实施方案。在一些实施方案中，所述方法包括掩模版制造工艺中的第一图形化步骤18。第一图形化步骤可以如以上描述的那样进行。在掩模版制造工艺中的第一图形化步骤之后并且在第二图形化步骤之前，对掩模版进行检查20。以这种方式，在掩模版被完全制造之前对掩模版进行检查。因此，检查20通常可以被称为“原位检查”。检查20检测这样的缺陷，所述缺陷是在掩模版上的透射改变性特征的图形化期间和/或之前，以及在相位改变性特征的图形化之前形成的。因此，难以了解在检查20中检测到的缺陷是否因为它们邻近将在掩模版上形成的相移性特征而将具有一些相位改变性性质。足够邻近缺陷而导致它们的相移性性质改变的相移性特征可以包括将在与所述缺陷相同的位置(即，在缺陷“之上”)或者在相对接近所述缺陷(例如靠近所述缺陷)的位置形成的相移性特征。因此，在额外的制作步骤在掩模版上进行之前，了解还未形成的相位改变性特征将如何影响缺陷以及具体来说缺陷的光学特性将是有利的。
如在步骤22处示出的，在图2中示出的方法还包括生成掩模版上的缺陷的仿真图像。仿真图像可以使用在这里描述的仿真程序中的任何一种来生成。另外，仿真图像以与关于晶片上的不同层次的信息组合的方式使用通过检查(20)掩模版的一个层次生成的信息来生成。换言之，仿真图像可以使用根据在图1中图示的方法生成的输入来生成。通过检查20生成的信息可以包括一个或多个缺陷图像，或者包括可以通过掩模版检查生成的任何其他数据。掩模版的所述“一个层次”在这里被定义为在第一图形化步骤期间形成的层次。在一个实施方案中，所述一个层次包括掩模版的非相移层次。换言之，相移性信息可以在检查之后被添加到掩模版。关于晶片上的不同层次的信息可以包括关于还未添加到掩模版的相位的任何信息。具体来说，所述不同层次包括将在后续的图形化步骤中添加到掩模版的相移性层次。关于不同层次的信息可以包括以上描述的信息中的任何一种(例如，来自数据库的信息等)。
生成仿真图像的步骤可以包括将相位信息指派给通过检查20检测到的一个或更多个缺陷。例如，在掩模版上检测到的一个或多个缺陷的位置可以被用来确定在或接近不同层次中的相应位置的所述不同层次的相位信息。在或接近所述相应位置的相位信息可以随后被指派给所述一个或多个缺陷。另外，指派给所述一个或多个缺陷的相位信息可以被用来仿真所述一个或多个缺陷在相移特征在后续的图形化步骤中被添加之后将具有的一个或更多个特性。对应于在掩模版的不同层次上不包括任何相移性特征的位置的缺陷可能在检查和仿真图像两者中具有基本上相同的特性。但是，对应于在不同层次上包括或者邻近相移性特征的位置的缺陷可能在检查和仿真图像中具有基本上不同的特性。
如在步骤24处示出的，一个或多个仿真图像可以被用来确定在掩模版的额外制造之后掩模版上的缺陷将具有的一个或更多个特性，而无需实际进行所述额外的制造步骤。因此，一个或多个仿真图像可以被用来确定关于缺陷的有价值的信息而无需承担额外的制造步骤的费用。例如，所述方法可以包括从仿真图像确定缺陷的可印刷性。缺陷的可印刷性具体表示缺陷将如何印刷在使用该掩模版曝光的晶片上。确定可印刷性的步骤可以包括以一个或更多个光刻工艺参数集合来仿真掩模版的空间图像，所述空间图像将被投影到使用该掩模版曝光的抗蚀剂上。另外，确定可印刷性的步骤可以包括使用一个或更多个光刻工艺参数集合和抗蚀剂模型来仿真最终将在使用掩模版曝光的抗蚀剂中形成的图形。在由Howard等在2004年3月4日递交的、标题为“Methods and Systems for Classifying andAnalyzing Defects on Reticles(用于分类并且分析掩模版上的缺陷的方法和系统)”的美国专利申请No.10/793,599中图示了用于确定掩模版缺陷的可印刷性的方法的实施例，所述申请通过引用被包括，如同是在本文中被全部阐述那样。在这里描述的仿真图像可以被用来代替Howard等描述的缺陷图像。
此外，所述方法可以包括从缺陷的仿真图像来确定掩模版的工艺窗口。例如，所述方法可以包括以横过(across)光刻工艺的工艺窗口的方式来仿真将被投影到抗蚀剂上的空间图像或者将在抗蚀剂中形成的图形。换言之，仿真可以如以上描述的那样进行来确定缺陷的可印刷性，但是以跨越(span)光刻工艺的工艺窗口的光刻工艺参数进行。另外，这样的仿真可以针对整个掩模版或者掩模版的部分进行(例如，不只使用缺陷的仿真图像)。这样的仿真可以使用关于掩模版的信息(例如，关于掩模版上的特征的信息)来进行，所述关于掩模版的信息可以从计量来确定。关于掩模版上的特征的信息可以包括在这里描述的任何其他信息。因此，掩模版可用的工艺窗口可以从仿真图形来确定，并且与为掩模版设计的工艺窗口进行比较。
在另一个实施方案中，在图2中示出的方法可以被用来使用仿真图像来确定在掩模版上检测到的一个或更多个缺陷的光刻显著性。光刻显著性可以是对缺陷如何影响通过使用掩模版的光刻工艺图形化的晶片的度量(measure)。在一些实施方案中，所述方法还可以包括使用仿真图像来确定掩模版上的一个或多个缺陷的设计显著性和/或掩模版上的一个或多个缺陷的总体显著性。设计显著性可以是对缺陷如何影响掩模版的设计的度量。总体显著性可以选自由光刻上和设计上显著、仅光刻上显著、仅设计上显著和不显著组成的组。在由Marella等在2004年7月1日递交的、标题为“Methods and Systems for Inspectionof Wafers and Reticles Using Designer Intent Data(用于使用设计者意图数据来检查晶片和掩模版的方法和系统)”的美国专利申请No.10/883,372中图示了用于确定掩模版缺陷的设计、光刻和/或总体显著性的方法的实施例，所述申请通过引用被包括，如同是在本文中被全部阐述那样。
在另一个实施方案中，所述方法可以包括使用仿真图像来分析缺陷对将使用该掩模版制造的器件的电气影响。分析可以包括，例如，时序和功率分析。例如，缺陷的仿真图像可以被用来仿真将使用该掩模版印刷在晶片上的器件图形。器件图形是在晶片上的器件材料(例如，绝缘材料、传导材料、半导体材料等)中形成的图形，所述器件材料与最终在晶片上不形成器件结构的抗蚀材料形成对比。这样的仿真可以包括将缺陷的仿真图像和关于缺陷的其他信息(例如，掩模版布局数据和/或关于在这里进一步描述的掩模版的一个或更多个特征的信息)用作到用于掩模版和晶片制作工艺(例如，诸如光刻和蚀刻的掩模版制作工艺和晶片制作工艺)的模型的输入。在其他的实施方案中，仿真器件图形的步骤可以仅使用关于掩模版上的一个或更多个特征的信息来进行。这样的信息可以如在这里进一步描述的那样(例如，通过计量)获得。以这种方式，所述方法可以包括生成在蚀刻之后在器件材料中形成的图形的一个或更多个仿真图像。以类似的方式，所述方法可以包括生成在不同工艺之后在器件材料中形成的图形的一个或更多个仿真图像，所述不同工艺诸如沉积、化学机械抛光、清洁和影响晶片上器件材料的特性的任何其他工艺。仿真的器件图形可以随后被分析，以确定器件图形的电气特性。器件图形的电气特性可以随后与所设计的电气特性进行比较，以确定缺陷对器件的电气性能的影响。以类似的方式，电气特性可以与所设计的电气特性进行比较，以确定掩模版的一个或更多个特征对器件的电气性能的影响。
在图2中示出的方法还可以包括做出关于缺陷和/或掩模版的一个或更多个决定(即，缺陷和/或掩模版“处置”)。例如，所述方法可以包括从仿真图像确定缺陷是否应该被修理。决定是否修理缺陷的步骤可以基于曾在步骤24处确定的缺陷的特性中的一个或更多个。例如，如果缺陷将不利地影响掩模版的可印刷性，则缺陷可以被修理。另外，如果缺陷将显著地缩小可用于掩模版的工艺窗口，则缺陷可以被修理。在另一个实施例中，如果缺陷具有光刻、设计或光刻和设计显著性，则缺陷可以被修理。在进一步的实施例中，如果缺陷将不利地影响要使用该掩模版制造的器件的电气性能，则缺陷可以被修理。是否修理缺陷的决定还可以考虑其他变量，所述其他变量诸如在美国No.10/793,599中描述的修理的成本和在修理期间损坏掩模版的风险。并且，如以下描述的，如果缺陷将导致掩模版的相移层中的缺陷，则可以确定缺陷应该在形成相移层之前被修理，这尤其是因为如Smith在美国专利No.6,593,040中描述的，掩模版的相移层中的缺陷可能特别难以修理，所述专利通过引用被包括，如同是在本文中被全部阐述那样。
如果确定一个或多个缺陷应该被修理，则如在步骤26处示出的，所述方法可以包括修理所述一个或多个缺陷。修理缺陷或多个缺陷的步骤可以使用在本领域中已知的任何修理技术或工具来进行。例如，可以使用聚焦离子束(FIB)工具来修理所述一个或多个缺陷。另外，所述缺陷可以单个地(一次一个缺陷)或者集体地(多个缺陷在基本上相同的时间)被修理。集体缺陷修理可以包括，例如，在掩模版的在修理工艺中要保护的部分之上形成材料(例如，抗蚀剂)层，以及去除(例如，蚀刻或清洁)掩模版暴露的部分上的缺陷。
在一些实施方案中，所述方法包括基于一个或多个仿真图像生成修理工艺配置。例如，所述方法可以包括生成可以被修理工具用来修理掩模版上的一个或多个缺陷的数据库。在由Marella在2003年1月15日递交的美国专利申请No.10/342,819中图示了用于闭环缺陷减少的系统和方法的实施例，所述申请通过引用被包括，如同是在本文中被全部阐述那样。在这里描述的方法可以包括在本专利申请中描述的方法中的一个或更多个步骤。
在另一个实施方案中，所述方法包括从仿真图像确定掩模版是否应该被报废或者掩模版的额外制造是否应该进行。掩模版可以因为多种原因被报废(即，被“废弃”)。具体来说，决定报废掩模版还是继续掩模版上的制造可以基于曾在步骤24处确定的掩模版上的一个或多个缺陷的一个或更多个特性。例如，如果掩模版上存在大量将不利地影响掩模版的可印刷性的缺陷，则掩模版可以被废弃。在这样的实施例中，尤其在修理这样大量的缺陷风险太高、太昂贵、太消耗时间和/或太困难的情况下，掩模版可以被废弃。在另一个实施例中，如果掩模版上存在大量具有光刻和/或设计显著性的缺陷，则掩模版可以被报废。如以上描述的，尤其在修理这样的缺陷风险太高、太昂贵、太消耗时间和/或太困难的情况下，掩模版可以被废弃。
基于如以上描述的那样做出的掩模版处置决定，如在步骤28处示出的，所述方法可以包括在掩模版上继续掩模版制造。继续掩模版制造的操作可以包括进行掩模版制造工艺中的第二图形化步骤，如以上进一步描述的，在所述第二图形化步骤中相移性特征或信息可以被添加到掩模版。额外的制造步骤也可以在继续掩模版制造之后在掩模版上进行。在一些实施方案中，所述方法可以包括针对后续写步骤修改掩模版设计，以校正在较早的工艺步骤之后检测到的缺陷，所述写步骤在继续的掩模版制造期间进行。以这种方式，缺陷修理可以在继续的掩模版制造期间有效地进行。在这样的实施方案中，所述方法可以包括基于修改后的掩模版设计创建用于写程序(writer)的文件或格式。例如，修改后的掩模版设计可以被转变为可以被掩模写工具用来将掩模版设计印刷在掩模版上的文件。在一个这样的实施例中，所述方法可以包括将修改后的掩模版设计转变为MEBES作业程式(jobdeck)、GDSII文件或OASIS数据的形式，所述MEBES作业程式、GDSII文件或OASIS数据是用于掩模版写工具的标准文件类型。可替换地，如在步骤30处示出的，所述方法可以包括报废掩模版。
在一些实施方案中，所述方法还可以包括基于关于掩模版上的缺陷的信息，确定晶片制作工艺的一个或更多个参数。在这个步骤中使用的关于缺陷的信息可以包括在步骤22处生成的仿真图像，和/或在步骤24处确定的缺陷的一个或多个特性。晶片制作工艺可以包括，例如，光刻(例如，抗蚀剂曝光和抗蚀剂处理)和蚀刻。通过本方法确定的晶片制作工艺的参数可以包括，例如，用于晶片制作工艺的特定的配置(例如，工艺指令)、特定的晶片制作工具(例如，厂商和/或型号)、用于特定配置和/或特定工具的各个参数。以这种方式，所述方法可以包括基于关于掩模版的缺陷的信息，对晶片制作工艺进行前馈控制。优选地，晶片制作工艺被所述方法改变而考虑所述缺陷(例如，消除缺陷对正在晶片上制造的器件的特性的影响)。
在另一个实施方案中，所述方法可以包括基于掩模版中由缺陷创建的关键区域确定工艺控制配置。例如，如果邻近缺陷的图形被确定由于该缺陷而容易失效，则所述图形位于的区域可以被认为是关键区域，并且可以给予较高的监控优先级。另外，在这里描述的系统和方法可以被用来从仿真取得脆弱特征的位置和描述的输出，以自动地创建用于检查和/或监控这些特征的配置。
在另一个实施方案中，在这里描述的方法包括确定掩模版的不同特征由于掩模版的缺陷而在制作中失效的可能性，以及基于不同特征失效的可能性创建用于控制一个或更多个掩模版和晶片制造工艺的一个或更多个工艺条件的工艺。因此，在这里描述的方法和系统可以被用来创建用于掩模版和器件制造的工艺控制方案。例如，控制工艺可以包括不校正相对鲁棒的特征，但是非常紧密地控制由掩模版的缺陷造成的脆弱的特征。这种信息还可以被用来驱动制作工艺(例如，掩模写工艺)成为图形专用所需要的控制。例如，鲁棒的特征可以具有宽的制作公差，但是脆弱的特征应该具有非常严格的制作工艺。
如以上描述的，在图2中示出的方法包括使用关于要被添加到掩模版的相位的信息来生成在掩模版上检测到的缺陷的仿真图像。以类似的方式，以上描述的方法可以被用来分析在第一图形化步骤之前在掩模版上检测到的缺陷和/或做出关于其的决定。例如，可以进行对未图形化的掩模版的检查。可以随后为未图形化的掩模版的缺陷生成仿真图像。这些图像可以如以上描述的那样被仿真。另外，未图形化的掩模版的缺陷的一个或更多个特性可以如以上描述的那样被确定。这种方法还可以包括从未图形化的掩模版的缺陷的仿真图像来确定掩模版是否应该被报废或者掩模版额外的制造是否应该进行。可以如以上进一步描述的那样做出这样的决定。因此，缺陷可以在未图形化的掩模版中被检测到，并且可以做出关于是否甚至在第一写步骤中使用未图形化掩模版的判断。
在另一个实施方案中，以上描述的方法可以被用来使用关于要被添加到掩模版的相位的信息来分析在掩模版上形成的特征和/或做出关于其决定。例如，在一个实施方案中，不同的计算机实现的方法包括生成掩模版的一个层次上的一个或更多个特征的仿真图像，其中使用了通过计量生成的、关于所述一个或更多个特征的信息，并结合了关于所述掩模版上的不同层次的信息。所述不同的层次在计量之前没有被形成在掩模版上。
在一个实施方案中，特征可以包括以上描述的特征和/或在本领域中已知的任何其他类型的掩模版特征。关于所述一个或多个特征的信息可以包括以上描述的信息。另外关于所述一个或多个特征的信息可以包括关于所述特征的任何可测量特性(例如，CD、侧壁角度、轮廓、位置等)的信息。以这种方式，与以上描述的方法相似，这种方法可以被用来生成特征的仿真图像，所述仿真图像可以被用来确定掩模版上的一个或多个特征的一个或更多个特性(例如，可印刷性、设计错误、一个或更多个特性的中的错误、掩模版制造工艺中的错误等)。具体来说，仿真程序可以优选地使用输入来分析将被添加到掩模版的相位将如何影响将印刷在晶片上的一个或多个特征的图像和/或一个或多个特征的任何其他特性。
图3-6图示在掩模版制作工艺中的不同阶段的掩模版的实施例，所述实施例可以帮助理解以上描述的方法。如在图3中示出的，已部分制造的掩模版32包括衬底34。衬底34可以由诸如玻璃、硼硅酸盐玻璃和熔融石英或在本领域中已知的任何其他材料的透明衬底形成。不透明材料层36被形成在衬底34上。不透明材料层可以包括铬或在本领域中已知的任何其他合适的材料。
如在图4中示出的，不透明材料层36(例如，在第一图形化步骤中)被图形化，以形成不透明特征38。不透明特征将透射比(幅度)信息赋予掩模版。不透明材料层可以使用在本领域中已知的任何方法来被图形化。例如，抗蚀剂层(未示出)可以被形成在不透明材料层上。抗蚀剂层可以被图形化，以选择性地将不透明材料层的部分暴露给蚀刻工艺。蚀刻工艺可以被用来图形化不透明材料层，并且随后抗蚀剂层可以被去除。
如在图4中进一步示出的，缺陷40和42曾在第一图形化步骤中被形成在衬底34上。缺陷40和42可以是，例如，位于掩模版上不希望的位置上多余的铬。多余的、不希望的铬可能由多种机制产生，诸如蚀刻期间的铬重新沉积，或者在不透明材料层中显示为缺陷40和42的抗蚀剂缺陷。
虽然缺陷40和42具有基本上类似的性质(例如，基本上相同的尺寸、形状，以及与特征38邻近)，但是所述缺陷可以基于它们与要在后续的图形化步骤中被添加的相位信息的空间关系，对掩模版具有明显不同的影响。例如，关于将在后续的步骤中被添加到已部分制造的掩模版的相位的信息可以被仿真程序与缺陷和/或掩模版的图像相“叠加”。如在图5中以示意的方式示出的，例如，所期望的相移性特征44的横向尺寸和位置可以被关联到掩模版检查数据中的位置，所述横向尺寸和位置可以随后被仿真程序用来确定相位是否将被添加到邻近缺陷40和42的位置。
如在图5中示出的，缺陷40没有被布置在衬底34上的这样的区域中或者邻近衬底34上的这样的区域，即，相移性特征44中的任何一个被期望形成在所述区域中。但是，缺陷42被布置在区域46中，相移性特征中的一个被期望形成在所述区域46中。因此，仿真程序可以基于缺陷和相移性特征的一个或更多个特性，将相位指派给缺陷42。因为缺陷42的相位最终将与缺陷40的相位不同，所以所述两个缺陷可能具有显著不同的特性(可印刷性、光刻显著性等)。另外，因为在这里描述的方法考虑将在后续的图形化步骤中被赋予缺陷的期望相位，所以该方法可以被用来做出关于一个或多个缺陷和掩模版的更加明智的决定。
如在图6中示出的，相移性特征48可以被形成在掩模版中。在这个实施例中，相移性特征可以通过图形化在图4中示出的掩模版上形成的抗蚀剂(未示出)来暴露衬底34的部分并且蚀刻衬底34的暴露部分来形成。如在图6中进一步示出的，位于掩模版上相移性特征被形成在其中的区域中的缺陷42可能导致相移性特征48中的缺陷50。例如，缺陷42可以阻止相移性特征48在缺陷下的区域中的形成，尤其是在基本上各向异性并且选择性的蚀刻被用来形成相移性特征48时。因此，即使缺陷42它本身被认为是可允许的(从而它不被修理或者不导致掩模版被报废)，该缺陷仍然可能导致相移性特征48中的显著甚至是灾难性的缺陷。
如在授予Smith的美国专利No.6,593,040中详细地阐述的，例如，由于相移性特征中的缺陷的透明性质和/或与衬底材料的类似性，修理它们可能特别困难。因此，在这里描述的方法可以包括确定在一个掩模版图形化步骤之后检测到的缺陷是否可能导致较后的图形化步骤中的缺陷，在所述较后的图形化步骤中相位被添加到掩模版。如果预期在较后的时候缺陷导致会相移性特征中的缺陷，则该缺陷可以被修理。因此，在这里描述的方法可以被有利地用来避免创建掩模版的相移性特征中的缺陷，修理所述相移性特征中的缺陷可能是困难并且昂贵的。
在这里描述的方法可以具有如以上描述的进一步的优势。例如，在这里描述的方法是有利的，因为它们可以被用来在掩模生产工艺中尽可能早地确定掩模版的质量，以最小化周期时间和制作成本。另外，许多分辨率增强技术(RET)使用相移性掩模版，所述相移性掩模版需要如以上描述的多个图形化和处理步骤。这些多个步骤增加相当多的周期时间和制作费用。因此，在这里描述的方法可以被有利地用来在完成所有图形化和处理步骤之前确定掩模版的质量，从而避免在由于较早的图形化/处理步骤而导致存在致命缺陷的情况下，将进一步的价值添加到掩模版。这种确定可能是困难的，因为在第一图形化步骤中生成的缺陷可能具有或者可能不具有还未添加到掩模版的相位分量，因为这将发生在较后的图形化/处理步骤中。因此，在这里描述的方法克服以上描述的先前使用的方法的许多缺点，因为掩模版不需要被完成来估计缺陷的光刻显著性。另外，可能在针对诸如局部CD变化的某些缺陷类型进行检查之后对掩模版的第一层次进行可印刷性评价。
但是，在这里描述的方法使用第二层图形化数据来帮助确定掩模版上相位区域的位置，所述位置可以被前馈到光学光刻仿真程序。并且，基于掩模生产工艺的先验知识和缺陷相对相位图形信息的位置，相位信息可以被指派给所述缺陷来改善仿真结果的准确性。这些方法可以被实现为多层次数据库检查的组成部分，其中来自数据库的相位信息与缺陷的光学图像被相叠加，并且被储存到被用作到光学仿真程序的输入的文件。因此，在这里描述的方法可以以“混合”的管芯到管芯模式来操作，其中第二层相位数据是数据库生成的，并且被叠加到缺陷的光学图像。
实现诸如在这里描述的那些的方法的程序指令可以在载体介质上传输或者被储存在载体介质上。载体介质可以是诸如电线、线缆或无线传输链路的传输介质。载体介质还可以是诸如只读存储器、随机访问存储器、磁或光盘或者磁带的储存介质。
在实施方案中，处理器可以被配置成所述执行程序指令，以根据以上实施方案中的一个或更多个进行计算机实现的方法。处理器可以采取各种形式，包括个人计算机系统、大型计算机系统、工作站、网络应用平台、因特网应用平台、个人数字助理(“PDA”)、电视系统或其他设备。总的来说，术语“计算机系统”可以被广泛地定义来包括具有一个或更多个处理器的任何设备，所述计算机系统执行来自存储介质的指令。
程序指令可以以各种方式中的任何一种来实现，包括基于过程的技术、基于组件的技术和/或面向对象的技术。例如，程序指令可以使用ActiveX控制、C++对象、JavaBeans、微软基础类(“MFC”)或如期望的其他技术或方法来实现。
图7图示可以被用来执行在这里描述的方法中的一种或更多种的系统的一个实施方案。所述系统包括处理器52。所述处理器可以包括在本领域中已知的任何适当的处理器。例如，所述处理器可以是图像计算机、并行处理器或以上描述的另一种处理器。所述系统还包括载体介质54。所述载体介质可以如以上描述的那样配置。例如，载体介质54包括在处理器52上可执行的程序指令56。所述程序指令可以是可执行来进行以上描述的方法的实施方案中的任何一个。所述程序指令可以如以上描述的那样进一步被配置。
在一些实施方案中，所述系统还可以包括掩模版检查和/或计量工具58。掩模版检查和/或计量工具58可以被配置来检测已部分制造的掩模版60上的缺陷(未示出)，和/或测量在已部分制造的掩模版60上形成的特征(未示出)的一个或更多个特性。掩模版检查和/或计量工具58可以被耦合到处理器52。例如，工具58的一个或更多个组件可以通过传输介质(未示出)被耦合到处理器52。所述传输介质可以包括“有线”和“无线”部分。在另一个实施例中，工具58的检测器62可以被配置来生成输出64。所述输出可以通过传输介质(未示出)从检测器62传输到处理器52。另外，工具58的检测器66可以被配置来生成输出68，所述输出68可以通过传输介质(未示出)从检测器66传输到处理器52。在一些实施方案中，输出64和68还可以被传输通过耦合在检测器和处理器之间的一个或更多个电子组件(未示出)。因此，输出64和68从工具58被传输到处理器。输出64和68可以包括检查数据和/或计量数据。程序指令56可以是在处理器上可执行的，以使用输出64和/或68来执行在这里描述的计算机实现的方法中的一种或更多种。
掩模版检查和/或计量工具58包括台70，在检查和/或测量期间掩模版60可以被设置在所述台70上。所述台可以包括在本领域中已知的任何适当机械的或机器人装置。掩模版检查和/或计量工具58还包括光源72。光源72可以包括在本领域中已知的任何合适光源。另外，工具可以包括分束器74，所述分束器74被配置成以大致垂直于掩模版60的上表面的角度将光从光源72引导到掩模版60上。所述分束器可以包括在本领域中已知的任何适当的分束器。可替换地，光源和工具可以被配置，从而光以倾斜的入射角被引导到掩模版60的表面。检测器62被配置来检测从掩模版60的上表面反射的光以及由分束器74透射的光。检测器62还被配置来生成输出64。检测器66被配置来检测由掩模版60透射的光。检测器66还生成输出68。以这种方式，工具58可以被配置为使用反射和/或透射的光来检测掩模版上的缺陷。检测器可以包括在本领域中已知的任何适当的检测器。
虽然在图7中示出了掩模版检查和/或计量工具的一个一般构造，但是可以理解所述工具可以具有在本领域中已知的任何适当构造。例如，所述工具可以包括在商业上可从KLA-Tencor获得的8250、8250-R或8450工具中的一种。另外，所述工具可以具有各种构造，所述各种构造诸如光学成像系统、基于椭圆偏振仪的系统、基于散射仪的系统等或者诸如CD SEM的电子束系统。
通过阅读本说明书，本领域中的那些技术人员可以清楚本发明的各个方面的进一步的修改和可替换的实施方案。例如，提供了生成用于仿真程序的输入或者生成掩模版的仿真图像的计算机实现的方法。因此，本说明书要被解读为仅是图示说明性的，并且是为了教导本领域中的那些技术人员实施本发明的一般方式。可以理解，在这里示出和描述的本发明的形式要被当作当前优选的实施方案。在这里图示和描述的元件和材料可以被替换，部件和工艺可以被颠倒，并且本发明的一些特征可以被独立地使用，在受益于本发明的本说明书之后，本领域中的技术人员将会清楚所有这些。可以对在这里描述的元件做出改变，而不会偏离如在所附的权利要求书中描述的本发明的精神和范围。

Claims (27)

1.一种用于检查掩模版的计算机实现的方法，包括
检测在已部分制造的掩模版上的缺陷；
将关于所述检测到的缺陷的信息与关于指派给所述掩模版邻近所述缺陷的区域的相位的信息相组合，其中所述相位在与所述缺陷在其上被形成的层次不同的层次上被添加到所述掩模版，以及
采用仿真程序处理组合的信息，以生成所述缺陷的仿真图像。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述关于相位的信息包括来自数据库的信息。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述关于相位的信息包括关于掩模版制造工艺的信息。
4.如权利要求1所述的方法，其中，在所述相位被添加到所述掩模版之前，所述缺陷在所述掩模版上被检测到。
5.如权利要求1所述的方法，其中，在掩模版制造工艺中的第一图形化步骤之后并且在所述掩模版制造工艺中的第二图形化步骤之前，所述缺陷在所述掩模版上被检测到；
其中，所述第一图形化步骤在相位在所述第二图形化步骤中被添加到所述掩模版之前进行。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述缺陷在掩模版制造工艺的其中没有相位信息被赋予所述掩模版的步骤中被形成。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述仿真程序使用所述组合的信息来确定所述缺陷的可印刷性。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述仿真程序使用所述组合的信息来确定所述缺陷的光刻显著性。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述检查在所述掩模版被完全制造之前进行。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述缺陷在其上被形成的所述掩模版的所述层次包括完全未图形化的掩模版。
11.如权利要求5所述的方法，其中所述检查在掩模版制造工艺中的第一图形化步骤之后并且在所述掩模版制造工艺中的第二图形化步骤之前进行。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述缺陷在其上被形成的所述层次包括所述掩模版的非相移层次。
13.如权利要求1所述的方法，其中所述生成操作包括将相位信息指派给所述缺陷。
14.如权利要求1所述的方法，还包括从所述仿真图像确定所述缺陷的可印刷性。
15.如权利要求1所述的方法，还包括从所述仿真图像确定所述缺陷的光刻显著性。
16.如权利要求1所述的方法，还包括从所述缺陷的所述仿真图像确定所述掩模版的工艺窗口。
17.如权利要求1所述的方法，还包括使用所述仿真图像来分析所述缺陷对将使用所述掩模版来制造的器件的电气影响。
18.如权利要求1所述的方法，还包括从所述仿真图像确定所述掩模版是否应该被报废或者所述掩模版的额外制造是否应该进行。
19.如权利要求1所述的方法，还包括从所述仿真图像确定所述缺陷是否应该被修理。
20.如权利要求1所述的方法，还包括基于所述仿真图像、关于所述缺陷的所述信息或它们的组合，生成用于所述缺陷的修理工艺配置。
21.如权利要求1所述的方法，还包括针对要在所述检查之后进行的一个或更多个写步骤修改所述掩模版的设计，以校正所述缺陷。
22.如权利要求21所述的方法，还包括创建用于掩模写工具的文件，所述掩模写工具可以被用来基于所述修改后的设计，进行所述一个或更多个写步骤。
23.如权利要求1所述的方法，还包括基于所述缺陷的所述仿真图像、关于所述缺陷的所述信息或它们的组合，确定一个或更多个晶片制作工艺的一个或更多个参数。
24.如权利要求1所述的方法，还包括基于所述掩模版中的由所述缺陷和通过所述检查检测到的额外的缺陷创建的关键区域，确定工艺控制配置。
25.一种用于检查掩模版的计算机实现的方法，包括
计量在已部分制造的掩模版上形成的一个或更多个特征；
将关于所述计量的一个或更多个特征的信息与关于指派给所述掩模版邻近所述一个或更多个特征的区域的相位的信息相组合，其中所述相位在与所述一个或更多个特征在其上被形成的层次不同的层次上被添加到所述掩模版；以及
采用仿真程序处理组合的信息，以生成所述一个或更多个特征的仿真图像。
26.如权利要求25所述的方法，还包括以不同的光刻工艺参数进行所述生成操作，以生成额外的仿真图像，以及从所述额外的仿真图像确定所述掩模版的工艺窗口。
27.如权利要求25所述的方法，还包括使用所述仿真图像来仿真器件图形，所述器件图形使用所述掩模版来印刷在晶片上，确定所述器件图形的电气特性，以及确定从所述器件图形形成的器件的电气性能。
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