CN101004528A - 电泳指示显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电泳显示器，其具有一对被微胶体层隔开的基板；以及多个像素，形成在至少一个基板上的行栅极线和列数据线的交叉处，其中，至少一个所述基板在被接触以改变在任意所述像素处的所述基板之间的间隔时足够柔软；多条感测信号线，与数据线平行而形成；以及感测信号处理单元，与感测信号线连接，用于感测在任意所述像素处的所述基板之间的电容的改变。

Description

电泳指示显示器
相关申请的交叉参考
本申请要求于2006年1月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2006-0005344号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及电泳指示显示器。
背景技术
电泳指示显示器(EPD)是一种用于电子书的平板显示器，其包括两个具有相对的场生成电极的显示平板，在这两个显示平板之间的是包括了由带电的白色和黑色颜料粒子组成的电子墨水的微胶体(microcapsule)。施加到相对电极的电压使得带电的黑色和白色颜料粒子移动到具有与这些粒子相反极性的电极，从而显示图像。
EPD具有高反射率和高对比度，并且与液晶显示器(LCD)不同，它并不依赖于视角，所以它可以像在纸上一样容易地显示图像。同样，由于具有黑色和白色的双稳态特征，EPD能够不必持续施加电压而维持图像，所以功耗很低。另外，由于LCD所需的偏振器、定向层、和液晶都不是必需的，所以EPD比LCD便宜。
近来，通常将触摸屏面板(TSP)作为输入单元，其读取用户触摸点的坐标。一般地，为了向EPD提供触摸屏功能，将触摸面板堆叠成附着到EPD的表面上。然而，这样的结构倾向于产生由于在电泳显示面板和触摸屏之间光透射的不均衡而导致浮动的图像映象。
发明内容
本发明提供了一种EPD，其具有在两个面板之间用于实现显示器以及触摸板功能的微胶体层。平行于显示器的数据线形成多条感测信号线。当用手指或其它物体触摸EPD的特定像素时，微胶体层的盒间隙改变导致像素电容的改变。通过使在扫描当前像素行之前两行的栅极线时出现的数据信号为像素电容器充电来检测给定像素的电容的改变，并且在扫描当前像素之前的行的栅极线时，读取电荷。当扫描对于当前像素行的栅极线时，通过用于显示当前图像的当前数据信号为像素电容充电。
EPD通过以下步骤制造，该步骤包括：在基板上形成栅极线以及第一、第二和第三栅电极；形成用于覆盖栅极线的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成第一、第二和第三半导体；在栅极绝缘层和第一到第三半导体的下面形成数据线，与栅极线交叉，并且包括第一到第三源电极和第一到第三漏电极；形成平行于数据线的感测信号线；形成钝化层，用于覆盖数据线和感测信号线，并且具有用于露出第一和第二漏电极以及第三源电极的接触孔；以及在钝化层上形成像素电极，与第一和第二漏电极以及第三源电极连接以形成薄膜晶体管(TFT)阵列面板。
栅极线可以包括：当前栅极线，用于将选通信号传递到相应的像素；在前栅极线，用于将选通信号传递到在前的像素；以及在前栅极线之前的栅极线，用于将选通信号传递到在前像素之前的像素。
根据实施例，用于制造EPD的方法还包括：形成相对显示面板，在其上形成有共电极；在共电极上形成微胶体层；以及将其上形成有微胶体层的相对显示面板附着到TFT阵列面板，其中，微胶体层包括多个微胶体，形成为带正电和带负电的颜料粒子。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述可以更好地理解本发明以上和其它的目的和特征，其中：
图1是示意性地示出根据本发明示例性实施例的电泳指示显示器的视图。
图2示出了EPD的等效电路。
图3是根据本发明示例性实施例的EPD的布局图。
图4是图3中的EPD沿III-III线截取的截面图。
图5、图7、图9和图11是用于根据本发明示例性实施例的图3中的EPD的制造方法的中间步骤的布局图。
图6是图5中根据本发明示例性实施例的EPD沿V-V线截取的截面图。
图8是图7中根据本发明示例性实施例的EPD沿VII-VII线截取的截面图。
图10是图9中根据本发明示例性实施例的EPD沿IX-IX线截取的截面图。
图12是图11中根据本发明示例性实施例的EPD沿XI-XI截取线的截面图。
具体实施方式
为了使多个层和区域清晰，放大了附图中层的厚度。贯穿整个说明书，相同的参考标号表示相同的元件。当提到将诸如层、膜、区域、或板的任一部件置于另一个部件上时，这意味着该部件直接位于另一部件上或位于另一部件的上方，具有至少一个中间部件。另一方面，如果提到将任一部件直接置于另一个部件之上，则意味着在这两个部件之间没有中间部件。
图1是示意性地示出根据本发明示例性实施例的电泳指示显示器(EPD)的视图。如图1所示，EPD包括：下部面板100，具有下部基板110和形成在下部基板110上的像素电极190；上部面板200，面对下部面板100，并且包括上部基板210和形成在上部基板210上的共电极270；以及微胶体层3，夹置在下部面板100和上部面板200之间，并且包括多个微胶体31，微胶体包括带正电的白色颜料粒子32和带负电的黑色颜料粒子33。
图2示出了根据本发明示例性实施例的EPD的等效电路。如图2所示，EPD包括多条信号线121、171、和172以及与信号线121、171、和172连接并基本上呈矩阵排列的多个像素(PX)。信号线包括：多条栅极线121(Gn、Gn-1、和Gn-2)，用于传送选通信号(或扫描信号)；多条数据线171，用于传送数据信号；以及多条感测信号线172，用于输出感测信号。栅极线121基本沿行方向延伸并且彼此平行，并且数据线171和感测信号线172基本上沿列方向延伸并且彼此平行。
每个像素(PX)均包括开关晶体管(Qs)、蓄电晶体管(condensing transistor)(Qc)、输出晶体管(Qo)、微胶体电容器(Cmc)、和存储电容器(Cst)。如果需要可以省略存储电容器(Cst)。开关晶体管Qs包括控制端、输入端、和输出端。控制端与当前的栅极线121(Gn)连接，输入端与数据线171连接，以及输出端与微胶体电容器(Cmc)和存储电容器(Cst)连接。
微胶体电容器(Cmc)使用下部面板100的像素电极190和上部面板200的共电极270作为两个端子。夹置在两个电极190和270之间的微胶体层3充当介电材料。像素电极190与开关晶体管Qs连接，以及共电极270形成在上部基板210的整个表面上，并接收共电压(Vcom)。作为微胶体电容器(Cmc)的辅助的存储电容器(Cst)形成为设置在下部面板100处的附加信号线，并且存储电容器与像素电极190重叠，在它们之间夹置有绝缘体。将诸如共电压(Vcom)等的预定电压施加到存储电容器(Cst)。
微胶体电容器(Cmc)根据对应于微胶体层3的盒间隙(cell gap)(d)的变化而改变它的值。设置蓄电晶体管(Qc)和输出晶体管(Qo)以读取胶体容量的任何改变。
蓄电晶体管(Qc)包括控制端、输入端、和输出端。控制端与置于在前栅极线(Gn-2)之前的栅极线连接，输入端与数据线171连接，以及输出端与像素电极190连接。输出晶体管(Qo)也包括控制端、输入端、和输出端。控制端与在前的栅极线(Gn-1)连接，输入端与像素电极190连接，以及输出端与感测信号线172连接。
每条感测信号线172均与感测信号处理单元173连接。感测信号处理单元173通过将根据蓄电晶体管(Qc)和输出晶体管(Qo)的操作而施加到感测信号线172的信号与参考电压进行比较来感测在相应像素位置处的盒间隙(d)是否改变。
在EPD中，当栅极导通信号通过选通信号被顺序地施加到多条栅极线121时，数据信号被施加到数据线171以在像素电极190和共电极270的两端之间产生电位差。因此，置于微胶体层3中的带电白色颜料粒子32和黑色颜料粒子33分别移动到具有相反极性的电极，从而形成图像。
如图4所示，当用手指或其它物体80触摸EPD的特定像素时，微胶体层3的盒间隙(d)发生变化。微胶体层3的所改变的盒间隙(d’)导致相应像素的电容的改变。触摸屏功能可通过读取作为电信号的像素电容的变化来实现。
当栅极导通信号被施加到在前栅极线(Gn-2)之前的栅极线时，蓄电晶体管(Qc)导通，并且将施加到在前像素之前的像素(即，位于在前像素之前的像素)的数据电压充入相应像素的微胶体电容器(Cmc)中。在这种情况下，由于在相应像素的微胶体电容器(Cmc)中所充的电荷(Q)量是统一的，并且电荷量是由电容和数据电压的乘积定义的，所以当相应像素的盒间隙被诸如触摸单元的挤压单元改变时，电容根据微胶体层3的盒间隙(d)的变化而改变，因此，在相应像素的微胶体电容器(Cmc)中所充的数据电压也发生了改变。
当栅极导通信号被施加到在前栅极线(Gn-1)时，输出晶体管(Qo)导通，并且在相应像素中所充的数据电压(下文中称为“像素电压”)被施加到感测信号线172，以将其输入到感测信号处理单元173。感测信号处理单元173将施加到感测信号线172的像素电压与参考电压进行比较，以感测在相应像素位置处的盒间隙(d)是否有改变。
当将栅极导通信号施加到当前的栅极线(Gn)时，开关晶体管(Qs)导通，并且施加到相应像素的数据电压作为像素电压充给相应像素的微胶体电容器(Cmc)。为了读取相应像素的盒间隙的变化，栅极导通信号被施加到在前栅极线(Gn-2)之前的栅极线，以临时将数据电压充入相应的像素中，该数据电压已经充入在前像素之前的像素中。然而，与成帧时间相比，这种情况发生在很短的时间内，因此肉眼很难识别。
因而，在根据本发明示例性实施例的EPD中，形成输出晶体管(Qo)和蓄电晶体管(Qc)而没有触摸面板，以根据盒间隙的改变来识别像素电压的改变，进而实现触摸屏功能。
现在将参考图3和图4详细描述图1和图2中所示的EPD的详细结构。图3是根据本发明示例性实施例的EPD的布局图，以及图4是图3中EPD沿线III-III截取的截面图。
在由透明玻璃或塑料制成的绝缘基板110上形成多条栅极线121，即显示信号线。栅极线121传输选通信号并且主要沿水平方向延伸。每条栅极线121均包括：第一到第三栅电极124a、124b、和124c，其向上突出或向下突出；以及端部129，其具有用于与不同的层或外部驱动电路连接的较大面积。此处，出于解释的目的，有差别地示出栅极线121、在前栅极线121’和在前栅极线之前的栅极线121”。
第一栅电极124a从当前栅极线121向上突出，第二栅电极124b从在前栅极线之前的栅极线121”向下突出，并且第三栅电极124c从在前栅极线121’向下突出。
栅极线121可由诸如铝(Al)或铝合金的铝族金属、诸如银(Ag)或银合金的银族金属、诸如铜(Cu)或铜合金的铜族金属、诸如钼(Mo)或钼合金的钼族金属、铬(Cr)、钽(Ta)、和钛(Ti)等制成。栅极线121可具有多层结构，该多层结构包括两个导电层(未示出)，每一个具有不同的物理特性。在具有两个导电层的多层结构中，一个导电层可由具有低电阻率的金属制成，诸如铝族金属、银族金属、或铜族金属，以减小电压降。另一导电层可由不同材料制成，即，相对于ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)具有良好的物理、化学、和电接触特性的材料，诸如钼族金属、铬、钽、或钛。这一组合的较好实例可包括下部铬层和上部铝(合金)层的组合以及下部铝(合金)层和上部钼(合金)层的组合。另外，栅极线121可以由各种其他金属或导体制成。
栅极线121的侧面向下部基板110的表面倾斜，且优选地，倾斜角度在大约30°到80°的范围内。由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121上。由氢化非晶硅(a-Si)或多晶硅制成的第一到第三半导体岛形成在栅极绝缘层140上。第一到第三半导体岛154a、154b、和154c分别设置在第一到第三栅电极124a、124b、和124c上。
第一到第三欧姆接触岛163a、163b、163c、165a、165b、和165c形成在第一到第三半导体岛154a、154b、和154c上。第一到第三欧姆接触岛163a、163b、163c、165a、165b、和165c可以由诸如n+氢化非晶硅的材料制成，在该n+氢化非晶硅中，掺杂有高浓度的n型杂质，诸如磷、或硅化物。第一到第三欧姆接触岛163a、163b、163c、165a、165b、和165c成对地设置在第一到第三半导体岛154a、154b、和154c上。
第一到第三半导体岛154a、154b、和154c和第一到第三欧姆接触岛163a、163b、163c、165a、165b、和165c的每一个侧面也向下部基板110的表面倾斜，并且倾斜角在大约30°到80°的范围内。
在第一到第三欧姆接触岛163a、163b、163c、165a、165b、和165c以及栅极绝缘层140上形成多条数据线171、多个第一和第二漏电极175a和175b、多个第三源电极173c、以及多条感测信号线172。
每条数据线171均传送数据信号并且主要沿垂直方向延伸，以与栅极线121交叉。每条数据线171均包括向第一和第二栅电极124a和124b延伸的第一和第二源电极173a和173b、以及具有较大面积以与不同层或外部驱动电路连接的端部179。每个第二源电极173b与在每条栅极线121上形成的每个第二栅电极124b部分重叠，并且每个第二漏电极175b从一个像素向下一个像素延伸。
感测信号线172形成为与数据线171平行，并且包括向第三栅电极124c延伸的第三漏电极175c。
第一栅电极124a、第一源电极173a、和第一漏电极175a连同第一半导体岛154a一起构成了开关TFT，并且开关TFT的沟道形成在第一源电极173a和第一漏电极175a之间的第一半导体岛154a处。同样，第二栅电极124b、第二源电极173b、和第二漏电极175b连同第二半导体岛154b一起构成了蓄电晶体管Qc，以及第三栅电极124c、第三源电极173c、和第三漏电极175c连同第三半导体岛154c一起构成了输出晶体管Qo。
优选地，数据线171、感测信号线172、以及第一到第三漏电极175a、175b和175c由诸如钼、铬、钽、钛、及其合金的难熔金属制成，并且可以具有多层结构，该多层结构包括难熔金属层(未示出)和低电阻导电层(未示出)。多层结构的实例可包括：由下部铬或钼(合金)层和上部铝(合金)层组成的双层；以及由下部钼(合金)层、中间铝(合金)层、和上部钼(合金)层组成的三层。此外，数据线171以及第一到第三漏电极175a、175b、和175c可由各种其他金属或导体制成。优选地，数据线171、感测信号线172、以及第一到第三漏电极175a、175b、和175c的每一个侧面也以大约30°到80°的倾斜角向下部基板110的表面倾斜。
第一到第三欧姆接触岛163a、163b、163c、165a、165b、和165c仅出现在上部第一到第三半导体岛154a、154b、和154c与下部数据线171和第一到第三漏电极175a、175b、和175c之间，并且降低了它们之间的接触电阻。半导体岛154a、1 54b、和154c包括露出部分，例如源电极173a、173b、和173c与漏电极175a、175b、和175c之间的部分，这些露出部分没有被数据线171以及漏电极175a、175b、和175c覆盖。
钝化层180形成在数据线171、漏电极175a、175b、和175c、以及半导体岛154a、154b、和154c的露出部分上。钝化层180由非有机绝缘体或有机绝缘体形成，并且其表面可被平坦化。非有机绝缘体可为例如氮化硅或氧化硅。有机绝缘体可具有感光性并且它的介电常数优选约为4.0或更小。钝化层180可具有包括下部无机层和上部有机层的双层结构，使得它不会对半导体岛154a、154b、和154c的露出部分产生损害，同时维持了有机层良好的绝缘特征。
钝化层180包括：多个用于分别露出数据线171的端部179的接触孔182、185a、185b、和185c、第一和第二漏电极175a和175b、以及第三源电极173c，并且多个用于露出栅极线121的端部129的接触孔181也形成在钝化层180和栅极绝缘层140中。
多个像素电极190以及多个接触辅助部81和82形成在钝化层180上。它们可由诸如ITO或IZO的透明导电材料、或诸如铝、银、铬、或其合金的反射性金属制成。
像素电极190通过接触孔185a、185b、和185c与第一和第二漏电极175a和175b以及第三源电极173c物理及电连接。
在像素电极190上方以面对的方式形成上部基板210，并且在上部基板210的整个表面的上方形成共电极270。其中设置有多个微胶体31的微胶体层3形成在像素电极190与共电极270之间。
数据电压是由第一漏电极175a施加的，并且当像素电极190接收数据电压时，它与接收共电压的上部显示面板200的共电极270一起产生电场，从而设置在两个电极190和270之间的微胶体层3中的带电的白色和黑色颜料粒子32和33，可分别向具有相反极性的电极移动，以形成图像。
将施加到在前像素之前的像素的数据电压通过第二漏电极175b施加到像素电极190，并且当像素电极190接收数据电压时，它连同共电极270一起充有数据电压。
从第三漏电极175c充入相应像素中的数据电压被施加到感测信号线172，以将其输入到感测信号处理单元173。接下来，感测信号处理单元173将已施加到感测信号线172的像素电压与参考电压进行比较，以检查在相应像素位置处的盒间隙(d)是否发生变化。
参考图5到图12以及图3和图4描述根据本发明另一实施例的EPD的制造方法。首先，如图5和图6所示，将由诸如铝(Al)或铝合金的铝族金属、诸如银(Ag)或银合金的银族金属、诸如铜(Cu)或铜合金的铜族金属、诸如钼(Mo)或钼合金的钼族金属、铬(Cr)、钽(Ta)、和钛(Ti)等制成的导电层通过溅射沉积在由透明玻璃制成的下部基板110上，然后进行湿蚀刻或干蚀刻来形成包括多个栅电极124a、124b、和124c以及端部129的栅极线121。
接下来，如图7和图8所示，连续堆叠具有大约1500～5000厚度的栅极绝缘层140、具有大约500～2000厚度的本征非晶硅层、以及具有大约300～600厚度的非本征非晶硅层的三层。然后，杂质(非本征)非晶硅层和本征非晶硅层通过光刻法被蚀刻，以在栅极绝缘层140上形成多个杂质半导体岛150。
以下，如图9和图10所示，通过诸如溅射的方法将由诸如铝(Al)或铝合金的铝族金属、诸如银(Ag)或银合金的银族金属、诸如铜(Cu)或铜合金的铜族金属、诸如钼(Mo)或钼合金的钼族金属、铬(Cr)、钽(Ta)、和钛(Ti)等制成的导电层沉积成1500～3000的厚度，然后被图样化以形成包括多个源电极173a、173b、和173c、以及端部179的多条数据线171、以及多个漏电极175a、175b、和175c。
随后，将没有被数据线171以及漏电极175a、175b、和175c覆盖的杂质半导体岛150的露出部分去除，以完成多个欧姆接触岛163a、163b、163c、165a、165b、和165c，并且露出下部本征半导体岛154a、154b、和154c。
然后，如图11和图12所示，涂覆钝化层180，然后通过光刻法蚀刻钝化层，以形成用于露出数据线171的端部179以及一部分第一和第二电极175a和175b、和源电极173c的多个接触孔182、185a、185b、和185c，并且也形成用于露出位于栅极线121的端部129上的栅极绝缘层140的多个接触孔181的一部分。
接下来，如图3和图4所示，通过溅射堆叠具有大约400～500厚度的IZO膜或ITO膜，然后通过光刻法将其蚀刻，以在钝化层180、栅极线121的端部129的露出部分、第一和第二漏电极175a和175b、和第三源电极173c、以及数据线171的端部179的露出部分上形成多个像素电极190以及多个接触辅助部81和82。
此后，在上部基板210的上部形成有共电极270和微胶体层3的上部面板200层压在像素电极190上。
根据本发明示例性实施例的EPD能够在不使用触摸面板的情况下，通过形成输出晶体管和蓄电晶体管，来方便地根据盒间隙的变化识别像素电极的变化，从而实现触摸屏的功能。
虽然已结合被认为是实用的示例性实施例来描述本发明，但是应该了解，各种改变和等效配置对本领域的技术人员来说将显而易见，并且可在不脱离本发明的精神和范围的条件下，做出各种改变和等效配置。

Claims (14)

1.一种电泳显示器，具有一对被微胶体层隔开的基板、在至少一个所述基板上的行栅极线和列数据线的交叉处形成的多个像素，所述电泳显示器包括：
至少一个所述基板，当被触摸以改变在任意所述像素处的所述基板之间的间隔时足够柔软；
多条感测信号线，平行于所述数据线而形成；以及
感测信号处理单元，与所述感测信号线连接，用于感测在任意所述像素处的所述基板之间的电容的改变。
2.根据权利要求1所述的电泳显示器，其中，所述微胶体层包括多个微胶体，形成为带正电和带负电的颜料粒子。
3.根据权利要求2所述的电泳显示器，还包括多个开关元件，连接到所述数据线和栅极线的交叉处的所述像素。
4.根据权利要求3所述的电泳显示器，其中，相应的所述开关元件连接到所述栅极线、所述数据线和所述感测线。
5.根据权利要求4所述的电泳显示器，其中，所述栅极线被顺序扫描，并且所述开关元件是TFT。
6.根据权利要求5所述的电泳显示器，其中：
连接到当前像素的第一TFT用于通过在扫描所述当前像素行之前两行的所述栅极线时出现的所述数据信号来向所述像素电容充电；
连接到所述当前像素的第二TFT用于在扫描所述当前像素之前的行的所述栅极线时读取在所述当前像素上的电荷；以及
连接到所述当前像素的第三TFT用于通过在扫描所述当前像素行的所述栅极线时出现的所述数据信号来向所述当前像素充电，以显示所述当前图像。
7.一种电泳显示器的制造方法，包括：
在基板上形成多条栅极线；
形成用于覆盖所述栅极线的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成半导体层；
在所述栅极绝缘层上形成与所述栅极线正交的多条数据线；
形成平行于所述数据线的多条感测信号线；
形成用于覆盖所述数据线和所述感测信号线的钝化层，所述钝化层具有用于露出部分所述半导体层的接触孔；以及
形成与所述半导体层的所述露出部分连接的像素电极，以形成连接到相应的所述栅极线的第一、第二和第三薄膜晶体管。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述栅极线包括：
当前栅极线，用于将选通信号传送到当前像素；
在前栅极线，用于将选通信号传送到在前像素；以及
所述在前栅极线之前的栅极线，用于将选通信号传送到所述在前像素之前的像素。
9.根据权利要求8所述的方法，其中：
在所述当前像素处的所述薄膜晶体管中的第一个薄膜晶体管具有连接到当前栅极线的电极；
在所述当前像素处的所述薄膜晶体管中的第二个薄膜晶体管具有连接到所述在前栅极线的电极；以及
在所述当前像素处的所述薄膜晶体管中的第三个薄膜晶体管具有连接到所述在前栅极线之前的栅极线的电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其中：
所述薄膜晶体管中的所述第一个薄膜晶体管具有连接到所述数据线的电极。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述薄膜晶体管中的所述第二个薄膜晶体管具有连接到所述感测信号线的电极。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述薄膜晶体管中的所述第三个薄膜晶体管也具有连接到所述数据线的电极。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，形成在所述在前像素处的薄膜晶体管具有延伸到所述当前像素的电极。
14.根据权利要求8所述的方法，其中：
形成相对显示面板，在所述相对显示面板上形成有共电极；
在所述共电极上形成微胶体层；以及
将在其上形成有微胶体层的所述相对显示面板附着至TFT阵列面板，其中，所述微胶体层包括形成为带正电和带负电的颜料粒子的多个微胶体。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101308309B (zh) * 2007-05-17 2010-11-17 元太科技工业股份有限公司 电子墨水显示面板
CN102004363A (zh) * 2009-08-26 2011-04-06 三星电子株式会社 触摸感应电泳显示器件
CN102902125A (zh) * 2010-07-05 2013-01-30 友达光电股份有限公司 可触压输入的显示装置及其方法
CN101750833B (zh) * 2008-12-17 2014-07-09 乐金显示有限公司 包括触摸面板的电泳显示设备
CN104201106A (zh) * 2014-08-26 2014-12-10 湖南普照爱伯乐平板显示器件有限公司 一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI374376B (en) * 2008-03-26 2012-10-11 Raydium Semiconductor Corp Touch sensing device and touch sensing apparatus
JP5206250B2 (ja) * 2008-05-02 2013-06-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置および電子機器
US7955890B2 (en) * 2008-06-24 2011-06-07 Applied Materials, Inc. Methods for forming an amorphous silicon film in display devices
US20100045630A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Qualcomm Incorporated Capacitive MEMS-Based Display with Touch Position Sensing
KR101534191B1 (ko) 2008-10-15 2015-07-06 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 구동 방법
CN101930143B (zh) * 2009-06-24 2018-04-27 上海天马微电子有限公司 电子墨水显示面板及其形成方法
US8149496B2 (en) * 2009-12-22 2012-04-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated touch for IMOD displays using back glass
KR101114762B1 (ko) * 2010-02-05 2012-02-29 삼성전자주식회사 컬러 전자 종이 키패드 장치
CN101866236B (zh) * 2010-03-26 2012-09-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有触摸功能的电子纸显示装置
KR101764415B1 (ko) * 2010-10-29 2017-08-16 삼성디스플레이 주식회사 터치패널 일체형 평판표시장치
TWI463121B (zh) * 2012-04-02 2014-12-01 Htc Corp 力量感測器及用於用戶辨識模組卡接觸腳之檢測器
TW201350974A (zh) * 2012-06-08 2013-12-16 Inv Element Inc 增加觸控位置準確度之內嵌式觸控顯示面板系統
CN103616971B (zh) * 2013-11-22 2016-08-17 合肥京东方光电科技有限公司 触摸感应电路及其方法、面板和触摸感应显示装置
FR3035724A1 (fr) * 2015-04-28 2016-11-04 Commissariat Energie Atomique Capteur comprenant des pixels a detection capacitive
KR102618540B1 (ko) 2016-07-25 2023-12-27 삼성전자주식회사 마찰 전기 노트

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6980196B1 (en) 1997-03-18 2005-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Printable electronic display
JP2000047266A (ja) 1998-07-27 2000-02-18 Sony Corp 電気泳動表示装置と情報表示システム
EP1196814A1 (en) * 1999-07-21 2002-04-17 E Ink Corporation Use of a storage capacitor to enhance the performance of an active matrix driven electronic display
JP2001117069A (ja) 1999-08-06 2001-04-27 Minolta Co Ltd 表示装置及び該表示装置に用いられる表示パネル
KR20010111265A (ko) * 1999-12-24 2001-12-17 모리시타 요이찌 액정장치
US6683333B2 (en) * 2000-07-14 2004-01-27 E Ink Corporation Fabrication of electronic circuit elements using unpatterned semiconductor layers
JP3925080B2 (ja) 2000-12-01 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 電子ブック、それに用いる電子ペーパの製造方法
US7106307B2 (en) * 2001-05-24 2006-09-12 Eastman Kodak Company Touch screen for use with an OLED display
JP4785300B2 (ja) * 2001-09-07 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動型表示装置、表示装置、及び電子機器
CN1555507A (zh) 2001-09-18 2004-12-15 �ʼҷ����ֵ��ӹɷ����޹�˾ 电泳有源矩阵显示器件
JP2003280050A (ja) * 2002-03-22 2003-10-02 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
CA2391745C (en) * 2002-06-25 2012-08-14 Albert Mark David Touch screen display using ultra-thin glass laminate
TW589596B (en) * 2002-07-19 2004-06-01 Au Optronics Corp Driving circuit of display able to prevent the accumulated charges
US7205983B2 (en) 2002-08-01 2007-04-17 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Touch sensitive display device
JP4337439B2 (ja) 2002-08-22 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 電気泳動装置、電子機器
WO2004023440A2 (en) 2002-09-06 2004-03-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Touch sensing display
CN101118362A (zh) * 2002-12-16 2008-02-06 伊英克公司 电光显示器的底板
JP2004317624A (ja) 2003-04-14 2004-11-11 Canon Inc 電気泳動表示装置
KR100951351B1 (ko) * 2003-04-22 2010-04-08 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시장치
KR20060017537A (ko) 2003-06-11 2006-02-23 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전기 영동 디스플레이 유닛
CN1823360A (zh) * 2003-07-15 2006-08-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 电泳显示装置
EP1665010A2 (en) * 2003-08-11 2006-06-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. A touch sensitive display
JP2005107246A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Seiko Epson Corp 反射型表示装置
JP4665386B2 (ja) 2003-10-03 2011-04-06 凸版印刷株式会社 マイクロカプセル型電気泳動式表示パネル及びその製造方法
JP2007507737A (ja) * 2003-10-03 2007-03-29 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電気泳動ディスプレイユニット
KR100970958B1 (ko) * 2003-11-04 2010-07-20 삼성전자주식회사 터치 스크린 기능을 갖는 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
US7548291B2 (en) * 2003-11-12 2009-06-16 Lg Display Lcd Co., Ltd. Reflective type liquid crystal display device and fabrication method thereof
JP2005173709A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 表示装置
US7132796B2 (en) * 2003-12-30 2006-11-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd Organic electroluminescent device and method of fabricating the same
KR20050112878A (ko) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치
US7564615B2 (en) * 2004-12-14 2009-07-21 Electronics And Telecommunications Research Institute Color electrophoretic display
JP4483639B2 (ja) * 2005-03-18 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置とその駆動方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101308309B (zh) * 2007-05-17 2010-11-17 元太科技工业股份有限公司 电子墨水显示面板
CN101750833B (zh) * 2008-12-17 2014-07-09 乐金显示有限公司 包括触摸面板的电泳显示设备
CN102004363A (zh) * 2009-08-26 2011-04-06 三星电子株式会社 触摸感应电泳显示器件
CN102004363B (zh) * 2009-08-26 2014-11-26 三星显示有限公司 触摸感应电泳显示器件
CN102902125A (zh) * 2010-07-05 2013-01-30 友达光电股份有限公司 可触压输入的显示装置及其方法
CN104201106A (zh) * 2014-08-26 2014-12-10 湖南普照爱伯乐平板显示器件有限公司 一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管

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