CN101027593A - 使用剥离处理技术制造干涉式调制器装置的方法 - Google Patents

使用剥离处理技术制造干涉式调制器装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101027593A
CN101027593A CNA2005800321266A CN200580032126A CN101027593A CN 101027593 A CN101027593 A CN 101027593A CN A2005800321266 A CNA2005800321266 A CN A2005800321266A CN 200580032126 A CN200580032126 A CN 200580032126A CN 101027593 A CN101027593 A CN 101027593A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
lift
interferometric modulator
stencil
material layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800321266A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101027593B (zh
Inventor
克拉伦斯·徐
董明孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm MEMS Technologies Inc
Original Assignee
IDC LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IDC LLC filed Critical IDC LLC
Publication of CN101027593A publication Critical patent/CN101027593A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101027593B publication Critical patent/CN101027593B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements

Abstract

本揭示案的实施例包括使用剥离处理技术来制造干涉式装置的方法。在制造干涉式调制器的例如光学堆叠或弯曲层等各种层的过程中使用剥离处理，这有利地避免了与多种材料相关联的个别化的化学物质，所述材料与所述干涉式调制器的每一层相关联。另外，使用剥离处理还允许在可用于制造干涉式调制器的材料和设施两者方面具有更大的选择。

Description

使用剥离处理技术制造干涉式调制器装置的方法
技术领域
本发明的领域涉及微机电系统(MEMS)，包括制造干涉式装置的领域。在某些实施例中，本发明涉及可用于扩展制造干涉式装置可用的可接受材料和设施的数目的制造处理技术。
背景技术
微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激活器和电子元件。可使用沉积、蚀刻和/或其它蚀刻去除衬底和/或已沉积材料层的部分或者添加层以形成电装置和机电装置的微加工工艺来产生微机械元件。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。如本文所使用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器指的是一种使用光学干涉原理选择性地吸收且/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包含一对导电板，其中之一或两者可能整体或部分透明且/或具有反射性，且能够在施加适当的电信号时进行相对运动。在特定实施例中，一个板可包含沉积在衬底上的固定层，且另一个板可包含由气隙与固定层分离的金属薄膜。如本文更详细描述，一个板相对于另一个板的位置可改变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉。这些装置具有较广范围的应用，且在此项技术中，利用且/或修改这些类型装置的特性使得其特征可被发掘用于改进现有产品和创建尚未开发的新产品，将是有益的。
发明内容
本文描述的系统、方法和装置各具有若干方面，其中任何单个方面均不仅仅负责其期望的属性。在不限定本发明范围的情况下，现将简要论述其较突出的特征。考虑此论述之后，且尤其在阅读题为“具体实施方式”的部分之后，将了解本文描述的各种实施例如何提供优于其它方法和显示装置的优点。
一个实施例提供一种制造干涉式调制器的方法，其包括：使用至少第一图案化制造工艺在透明衬底上形成光学堆叠；以及在所述衬底上形成支撑结构。在此实施例中，所述方法还包括使用至少第二图案化制造工艺在所述光学堆叠和支撑结构上形成上镜面层，其中通过所述光学堆叠的至少一个表面、所述支撑结构和所述上镜面层形成腔，其中将上镜面层的一部分移入所述腔中改变了以可控制且可预测的方式从衬底的表面察觉到的光学特性，且其中所述第一和第二制造工艺中的至少一者包括剥离工艺。另一实施例提供由所述方法制成的干涉式调制器。
另一实施例提供一种制造干涉式调制器的方法，其包括在衬底上形成剥离模板；以及在所述剥离模板上且在所述衬底上沉积第一材料层。在此实施例中，所述方法进一步包括在所述第一材料层上沉积第二材料层；以及移除剥离模板以进而在第一材料层上形成包含第二材料层的图案化区域。另一实施例提供由所述方法制成的干涉式调制器。
另一实施例提供一种制造干涉式调制器阵列的方法，其包括：使用剥离模板在衬底上形成多个正性图案化的光学堆叠和多个负性图案化的柱区域；以及在所述负图案化柱区域中形成多个柱结构。另一实施例提供由所述方法制成的干涉式调制器阵列。
另一实施例提供一种制造显示装置的方法，其包括：沉积第一镜面层；在所述第一镜面层上沉积牺牲层；以及在所述牺牲层上形成剥离模板。在此实施例中，所述方法进一步包括在所述剥离模板上沉积第二镜面层；以及移除剥离模板，进而形成第二镜面层的图案化区域，且暴露牺牲层的一部分。另一实施例提供由所述方法制成的显示装置。
另一实施例提供显示面板，其包括由上文所述的方法制成的干涉式调制器阵列。另一实施例提供一种显示装置，其包括所述显示面板，且还包括可与所述显示面板形成电连通的处理器，所述处理器经配置以处理图像数据；以及存储器装置，其与所述处理器形成电连通。
下文更详细地描述这些和其它实施例。
附图说明
现在将参考目的在于说明而非限制本发明的某些实施例的图式(并未按比例绘制)来描述本发明的这些和其它方面。
图1是描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图，其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置，且第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置。
图2是说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统方框图。
图3是图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜面位置对所施加电压的图。
图4是可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行和列电压的说明。
图5A说明图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示数据的一个示范性帧。
图5B说明可用于对图5A的帧进行写入的行和列信号的一个示范性时序图。
图6A和图6B是说明包含多个干涉式调制器的视觉显示装置的实施例的系统方框图。
图7A是图1的装置的横截面。
图7B是干涉式调制器的替代实施例的横截面。
图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的横截面。
图7D是干涉式调制器的又一替代实施例的横截面。
图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的横截面。
图8说明根据一个实施例的用于制造干涉式调制器(例如图1的调制器)的制造工艺的示范性流程图。
图9A和图9B分别说明使用图8的制造工艺实施例部分地制造的干涉式调制器的平面图和横截面图。
图10A和图10B分别说明使用图8的制造工艺实施例部分地制造的干涉式调制器的平面图和横截面图。
图11A和图11B分别说明使用图8的制造工艺实施例部分地制造的干涉式调制器的平面图和横截面图。
图12A说明使用图8的制造工艺实施例的部分地制造的干涉式调制器的平面图，且图12B和图12C说明其横截面图。
图13A和图13B分别说明使用图8的制造工艺实施例部分地制造的干涉式调制器的平面图和横截面图。
图14A和图14B分别说明使用图8的制造工艺实施例部分地制造的干涉式调制器的平面图和横截面图。
图15A说明使用图8的制造工艺实施例部分地制造的干涉式调制器的平面图。
图15B和图15C说明图15A的部分地制造的干涉式调制器的横截面图。
具体实施方式
以下详细描述针对本发明的某些特定实施例。然而，可以多种不同方式实施本发明。
在此描述内容中参考了附图，其中始终用相同的数字标号表示相同的部分。如从以下描述内容中将了解，可在经配置以显示图像(无论是运动中的(例如视频)还是静态的(例如，静止图像)，且无论是文本还是图示)的任何装置中实施所述实施例。更具体地说，期望所述实施例可在多种电子装置中实施，或与多种电子装置相关，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航仪、相机、MP3播放器、可携式摄像机、游戏控制台、腕表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子照片、电子广告牌或标志、投影仪、建筑结构、封装和美学结构(例如，对一件珠宝的图像显示)。还可在非显示器应用(例如在电子切换装置)中使用具有与本文所述的那些结构类似的结构的MEMS装置。
优选实施例涉及将剥离处理方法应用于制造干涉式调制器。
图1中说明包含干涉式MEMS显示元件的一个干涉式调制器显示器实施例。在这些装置中，像素处于亮或暗状态。在亮(“接通”或“打开”)状态下，显示元件将入射可见光的大部分反射到用户。当处于暗(“断开”或“关闭”)状态下时，显示元件将很少的入射可见光反射到用户。依据实施例而定，可颠倒“接通”和“断开”状态的光反射特性。MEMS像素可经配置以主要在选定色彩处反射，从而允许显示除黑和白之外的色彩显示。
图1是描绘视觉显示器的一连串像素中的两个邻近像素的等角视图，其中每个像素均包含MEMS干涉式调制器。在一些实施例中，干涉式调制器显示器包含这些干涉式调制器的行/列阵列。每个干涉式调制器均包括一对反射层，其定位在距彼此可变且可控制的距离处，以形成具有至少一个可变尺寸的谐振光学腔。在一个实施例中，可在两个位置之间移动所述反射层中的一者。在第一位置(本文称为松弛位置)中，可移动反射层定位在距固定的部分反射层相对较大的距离处。在第二位置(本文称为激活位置)中，可移动反射层定位成更接近地邻近部分反射层。视可移动反射层的位置而定，从两个层反射的入射光相长地或相消地进行干扰，从而产生每个像素的整体反射或非反射状态。
图1中的像素阵列的所描绘部分包括两个邻近的干涉式调制器12a和12b。在左边的干涉式调制器12a中，说明可移动反射层14a处于松弛位置，距光学堆叠16a预定距离，所述光学堆叠16a包括部分反射层。在右边的干涉式调制器12b中，说明可移动反射层14b处于邻近光学堆叠16b的激活位置中。
如本文所参考，光学堆叠16a和16b(共同称为光学堆叠16)通常由几个熔合层组成，所述熔合层可包括电极层(例如氧化铟锡(ITO))、部分反射层(例如铬)和透明电介质。因此，光学堆叠16导电，部分透明且部分反射，且可(例如)通过将一个或一个以上上述层沉积到透明衬底20上来制造。在一些实施例中，所述层经图案化成多个平行条带，且如下文进一步所述，可在显示装置中形成行电极。可移动反射层14a，14b可形成为沉积金属层的一连串平行条带(与16a，16b的行电极正交)，所述金属层沉积在柱18和沉积于柱18之间的介入牺牲材料的顶部上。当将牺牲材料蚀刻掉时，可移动反射层14a，14b与光学堆叠16a，16b相隔界定的间隙19。例如铝的具有高度导电性和反射性的材料可用于反射层14，且这些条带可形成显示装置中的列电极。
在无施加电压的情况下，腔19保持在可移动反射层14a与光学堆叠16a之间，其中可移动反射层14a处于机械松弛状态，如图1中的像素12a所说明。然而，当将电位差施加到选定的行和列时，形成于对应像素处的行和列电极的交叉处的电容器被充电，且静电力将所述电极拉到一起。如果电压足够高，那么可移动反射层14发生变形且被迫抵靠光学堆叠16。光学堆叠16内的介电层(此图中未说明)可防止短路并控制层14与16之间的间隔距离，如图1中右边的像素12b所说明。不管所施加的电位差的极性如何，所述行为均是相同的。以此方式，可控制反射状态对非反射像素状态的行/列激活在许多方面与常规LCD和其它显示器技术中所使用的行/列激活类似。
图2到图5B说明在显示器应用中使用干涉式调制器阵列的一个示范性工艺和系统。
图2是说明可并入有本发明的多个方面的电子装置的一个实施例的系统方框图。在示范性实施例中，电子装置包括处理器21，其可为任何通用单芯片或多芯片微处理器，例如ARM、Pentium、Pentium II、Pentium III、Pentium IV、PentiumPro、8051、MIPS、Power PC、ALPHA，或任何专用微处理器，例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列。如在此项技术中常规的做法，处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除执行操作系统之外，处理器还可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包括web浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
在一个实施例中，处理器21还经配置以与阵列驱动器22形成电连通。在一个实施例中，阵列驱动器22包括行驱动器电路24和列驱动器电路26，其两者向显示阵列或面板30提供信号。由图2中的线1-1展示图1中所说明的阵列的横截面。对于MEMS干涉式调制器来说，行/列激活协议可利用图3中所说明的这些装置的滞后特性。其可能需要(例如)10伏的电位差来促使可移动层从松弛状态变形到激活状态。然而，当电压从所述值减小时，可移动层在电压降回到10伏以下时保持其状态。在图3的示范性实施例中，可移动层直到电压下降到2伏以下时才完全松弛。因此在图3中所说明的实例中存在约3V到7V的电压范围，在所述范围内存在所施加电压的窗口，在所述窗口内，装置在松弛或激活状态下均是稳定的。此窗口在本文称为“滞后窗口”或“稳定窗口”。对于具有图3的滞后特性的显示阵列来说，可设计行/列激活协议，使得在行选通期间，选通行中待激活的像素暴露于约10伏的电压差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的电压差。在选通后，像素暴露于约5伏的稳定状态电压差，使得它们保持在行选通将它们置于的任何状态中。在写入后，每个像素均经历在此实例中为3-7伏的“稳定窗口”内的电位差。在激活或松弛预存在状态下，此特征使图1中所说明的像素设计在相同的施加电压条件下均是稳定。由于干涉式调制器的每个像素(无论处于激活状态还是松弛状态)在本质上为由固定和移动的反射层形成的电容器，所以可在几乎无功率消耗的情况下，在滞后窗口内的电压下保持此稳定状态。如果所施加的电位固定，那么实质上无电流流入像素中。
在典型应用中，可通过根据第一行中的所需组的激活像素确认列电极组来创建显示帧。接着，将行脉冲施加到行1电极，从而激活对应于所确认的列线的像素。接着，将所确认组的列电极改变为对应于第二行中的所需组的激活像素。接着，将脉冲施加到行2电极，从而根据所确认的列电极而激活行2中的适当像素。行1像素不受行2脉冲影响，且保持在它们在行1脉冲期间被设定成的状态中。这可能以循序方式对整串行重复此过程以产生帧。通常，通过以每秒某一所需数目的帧的速度连续重复此过程来用新的显示数据刷新和/或更新所述帧。用于驱动像素阵列的行和列电极以产生显示帧的多种协议也是众所周知的，且可结合本发明而使用。
图4、5A和5B说明用于在图2的3×3阵列上产生显示帧的一个可能的激活协议。图4说明可用于显示出图3的滞后曲线的像素的一组可能的列和行电压电平。在图4实施例中，激活像素涉及将适当的列设定为-Vbias，且将适当的行设定为+ΔV，其可分别对应于-5伏和+5伏，通过将适当的列设定为+Vbias且将适当的行设定为同一+ΔV，从而在像素上产生零伏电位差，来实现使像素松弛。在行电压保持在零伏的那些行中，无论列处于+Vbias还是-Vbias，像素均稳定在它们初始处于的任何状态中。如图4中还说明，将了解，可使用与上文所述的那些电压具有相反极性的电压，(例如)激活像素可涉及将适当的列设定为+Vbias，且将适当的行设定为-ΔV。在此实施例中，通过将适当的列设定为-Vbias且将适当的行设定为同一-ΔV，从而在像素上产生零伏电位差，来实现释放所述像素。
图5B是展示施加到图2的3×3阵列的一连串行和列信号的时序图，所述串行和列信号将导致图5A中所说明的显示布置，其中所激活的像素是非反射性的。在写入图5A中所说明的帧之前，像素可处于任何状态，且在此实例中，所有的行均处于0伏，且所有的列均处于+5伏。在这些所施加的电压的情况下，所有的像素均稳定在它们现有的激活或松弛状态中。
在图5A的帧中，激活像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)和(3，3)。为了实现此目的，在行1的“线时间”期间，将列1和2设定为-5伏，且将列3设定为+5伏。这不改变任何像素的状态，因为所有的像素均保持在3-7伏的稳定窗口中。接着，用从0，达到5伏且回到零的脉冲来选通行1。这激活(1，1)和(1，2)像素并松弛(1，3)像素。阵列中的其它像素均不受影响。为了根据需要设定行2，将列2设定为-5伏，且将列1和3设定为+5伏。施加到行2的同一选通将接着激活像素(2，2)，并松弛像素(2，1)和(2，3)。同样，阵列中的其它像素均不受影响。通过将列2和3设定为-5伏，且将列1设定为+5伏，来类似地设定行3。如图5A中所示，行3选通设定行3像素。在写入所述帧后，行电位为零，且列电位可保持在+5伏或-5伏，且显示器接着稳定在图5A的布置中。将了解，同一程序可用于具有数十或数百个行和列的阵列。还将了解，用于实施行和列激活的电压的时序、序列和电平可在上文概述的一般原理内广泛地变化，且上文的实例仅仅是示范性的，且任何激活电压方法都可与本文所述的系统和方法一起使用。
图6A和6B是说明显示装置40的实施例的系统方框图。显示装置40可为(例如)蜂窝式或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其微小变化还说明各种类型的显示装置，例如电视机和便携式媒体播放器。
显示装置40包括外壳41、显示器30、天线43、扬声器44、输入装置48和麦克风46。通常根据所属领域的技术人员众所周知的多种制造工艺(包括注射成型和真空成形)来形成外壳41。另外，外壳41可由多种材料中的任何一种形成，所述材料包括(但不限于)塑料、金属、玻璃、橡胶和陶瓷或其组合。在一个实施例中，外壳41包括可去除部分(未图示)，其可与具有不同色彩或含有不同标志、图片或符号的其它可去除部分互换。
如本文所述，示范性显示装置40的显示器30可为多种显示器中的任何一种，包括双稳态显示器。在其它实施例中，显示器30包括：平板显示器，例如等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD，如上文所述；或非平板显示器，例如CRT或其它显像管装置(tubedevice)，如所属领域的技术人员众所周知。然而，出于描述本实施例的目的，如本文所述，显示器30包括干涉式调制器显示器。
图6B中示意性地说明示范性显示装置40的一个实施例的组件。所说明的示范性显示装置40包括外壳41，且可包括至少部分被封围在所述外壳41中的额外组件。举例来说，在一个实施例中，示范性显示装置40包括网络接口27，所述网络接口27包括耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45和麦克风46。处理器21还连接到输入装置48和驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28，且耦合到阵列驱动器22，阵列驱动器22又耦合到显示阵列30。如特定示范性显示装置40设计所要求，电源50向所有的组件提供电力。
网络接口27包括天线43和收发器47，使得示范性显示装置40可通过网络与一个或一个以上装置通信。在一个实施例中，网络接口27还可具有一些处理能力以减轻对处理器21的要求。天线43可为所属领域的技术人员已知的用于发射和接收信号的任何天线。在一个实施例中，天线根据IEEE 802.11标准(包括IEEE 802.11(a)、(b)或(g))来发射并接收RF信号。在另一实施例中，天线根据BLUETOOTH标准来发射并接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下，将天线设计为接收CDMA、GSM、AMPS或用于在无线手机网络(wireless cell phone network)内通信的其它已知信号。收发器47对从天线43接收到的信号进行预处理，使得它们可由处理器21接收并由处理器21进一步操纵。收发器47还对从处理器21接收到的信号进行处理，使得它们可经由天线43从示范性显示装置40发射。
在替代实施例中，收发器47可被接收器代替。在又一替代实施例中，网络接口27可被图像源代替，图像源可存储或产生待发送到处理器21的图像数据。举例来说，图像源可为含有图像数据的数字视频光盘(DVD)或硬盘驱动器，或产生图像数据的软件模块。
处理器21通常控制示范性显示装置40的总体操作。处理器21接收数据，例如来自网络接口27或图像源的经压缩图像数据，并将数据处理成原始图像数据或处理成容易被处理成原始图像数据的格式。接着，处理器21将经处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常是指识别图像内的每个位置处的图像特征的信息。举例来说，此类图像特征可包括色彩、饱和度和灰度级。
在一个实施例中，处理器21包括微控制器、CPU或逻辑单元以控制示范性显示装置40的操作。调节硬件52通常包括放大器和滤波器，其两者用于将信号发射到扬声器45，或用于从麦克风46接收信息。调节硬件52可为示范性显示装置40内的离散组件，或可并入到处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据，且适当地重新格式化所述原始图像数据以高速传输到阵列驱动器22。具体地说，驱动器控制器29将原始图像数据重新格式化为具有类光栅格式的数据流，使得其具有适合于在显示阵列30上进行扫描的时间顺序。接着，驱动器控制器29将经格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常与系统处理器21相关以作为独立集成电路(IC)，但是可以很多方式来实施此类控制器。它们可作为硬件嵌入处理器21中，作为软件嵌入处理器21中，或与阵列驱动器22完全集成在硬件中。
通常，阵列驱动器22从驱动器控制器29接收经格式化的信息，并将视频数据重新格式化为一组平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到来自显示器的x-y像素矩阵中的数百个且有时数千个引线。
在一个实施例中，驱动器控制器29、阵列驱动器22和显示阵列30适合于本文所述类型的显示器中的任何一种。举例来说，在一个实施例中，驱动器控制器29为常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，干涉式调制器控制器)。在另一实施例中，阵列驱动器22为常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，干涉式调制器显示器)。在一个实施例中，驱动器控制器29与阵列驱动器22集成。此类实施例在例如蜂窝式电话、手表和其它小面积显示器的高度集成系统中较为常见。在又一实施例中，显示阵列30为典型的显示阵列或双稳态显示阵列(例如，包括干涉式调制器阵列的显示器)。
输入装置48允许用户控制示范性显示装置40的操作。在一个实施例中，输入装置48包括键区(例如QWERTY键盘或电话键区)、按钮、开关、触敏屏幕、压敏或热敏薄膜。在一个实施例中，麦克风46为示范性显示装置40的输入装置。当使用麦克风46将数据输入到装置时，用户可提供语音命令，以用于控制示范性显示装置40的操作。
电源50可包括此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说，在一个实施例中，电源50为可再充电电池，例如镍镉电池或锂离子电池。在另一实施例中，电源50为可再生能源、电容器或太阳能电池，包括塑料太阳能电池和太阳能电池涂料，在另一实施例中，电源50经配置以从壁式插座接收电力。
如上文所述，在一些实施中，控制可编程性驻存在驱动器控制器中，驱动器控制器可位于电子显示系统中的几个位置中。在一些情况下，控制可编程性驻存在阵列驱动器22中，所属领域的技术人员将认识到可在任何数目的硬件和/或软件组件且以各种配置实施上文所述的优化。
根据上文所陈述的原理来操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛地改变。举例来说，图7A-7E说明可移动反射层14和其支撑结构的五个不同实施例。图7A是图1的实施例的横截面，其中金属材料条带14沉积在正交延伸的支撑件18上。在图7B中，可移动反射层14在系链(tether)32上仅在角落处附接到支撑件。在图7C中，可移动反射层14从可变形层34悬挂下来，可变形层34可包含柔性材料。可变形层34直接或间接连接到围绕可变形层34的周长的衬底20。这些连接在本文称为支撑柱。图7D中所说明的实施例具有支撑柱插塞42，可变形层34搁置在支撑柱插塞42上。如图7A-7C中，可移动反射层14保持悬挂在腔上方，但可变形层34不通过填充可变形层34与光学堆叠16之间的孔而形成支撑柱。而是，支撑柱由平坦化材料形成，所述平坦化材料用于形成支撑柱插塞42。图7E中所说明的实施例是基于图7D中所示的实施例的，但还可适用于与图7A-7C中所说明的实施例中的任何一者以及未图示的额外实施例合作。在图7E中所示的实施例中，已经使用金属或其它导电材料的外加层来形成总线结构44。这允许信号沿着干涉式调制器的背面进行路由，从而消除了许多原本可能必须形成于衬底20上的电极。
在例如图7中所示的那些实施例的实施例中，干涉式调制器充当直接观看装置，其中从透明衬底20的前侧观看图像，所述前侧与上面布置有调制器的一侧相对。在这些实施例中，反射层14在反射层的与衬底20相对的侧上光学地遮蔽干涉式调制器的一些部分，包括可变形层34。这允许在不负面地影响图像质量的情况下对被遮蔽的区域进行配置和操作。所述遮蔽允许图7E中的总线结构44，其提供使调制器的光学特性与调制器的机电特性(例如定址和由所述定址导致的移动)分离的能力。此可分离的调制器结构允许选择用于调制器的机电方面和光学方面的结构设计和材料且使其彼此独立地起作用。此外，图7C-7E中所示的实施例具有从使反射层14的光学特性与其机械特性解耦中获得的额外益处，所述解耦由可变形层34来执行。这允许用于反射层14的结构设计和材料在光学特性方面被优化，且用于可变形层34的结构设计和材料在所需的机械特性方面被优化。
值得注意的是，虽然干涉式调制器(例如干涉式调制器12a和12b)通常是光学装置，但工业上在其制造过程中使用一般的半导体制造技术。因此，对于许多材料移除技术来说，某些所需的金属或其它材料层可能被认为是“外来物”，常对应于许多外来的或至少不同的化学物质的使用。在某些情况下，引入对应于一个或一个以上所需的外来材料或其它材料的新的移除性化学物质可能会在制造过程中引起负面的连锁反应，或可能会在许多半导体制造设施中完全不可用。
因此，本揭示案的实施例包括一种使用剥离处理技术来制造干涉式装置的方法。术语“剥离处理”包括其广泛普通且习惯的含义，包括导致衬底表面上的图案的界定的制造工艺(无需对材料进行蚀刻以保持在产品中)，其一般可用于图案化例如金的难以蚀刻的金属的几何形状。在剥离处理中，在经图案化的底层材料(例如，光致抗蚀剂)上沉积材料，且接着通过溶解所述底层材料来在选定区域中将其剥离。在剥离处理期间形成的经图案化的底层材料在本文可被称作剥离图案或剥离模板。
根据一实施例，在制造干涉式调制器的各个层(干涉式调制器干涉式调制器12a和12b的例如图1的光学堆叠的层16a、16b和/或可移动层14a、14b)的过程中分别使用剥离处理，这有利地避免了与材料的沉积和图案界定相关的个别化的化学物质，所述材料与所述干涉式调制器的每一层相关。使用剥离处理还可减少制造步骤的数目，进而在成本和通常制造复杂性方面产生功效。另外，使用剥离处理可允许在可用于制造干涉式调制器的材料和设施两者的选择方面具有更大的灵活性。
图8说明用于制造例如图1的干涉式调制器12a和12b的干涉式调制器的至少一部分的制造工艺200的示范性流程图。如图8中所示，制造工艺200包括方框202，其中在商业上可从各种卖主购得的优选为清洁透明的衬底组合件上形成剥离图案。在所说明的实施例中，所述衬底是玻璃，但还可使用例如塑料的其它衬底。在一实施例中，通过沉积可光图案化(photo-patternable)或不可光图案化的例如聚酰亚胺释放层(PiRL)的第一剥离材料来形成剥离图案。接着用光致抗蚀剂覆盖所沉积的第一剥离材料。所述光致抗蚀剂提供图案几何形状，且第一剥离材料和光致抗蚀剂相应地图案化以形成剥离模板。使用通过利用额外的光致抗蚀剂层而进行图案化的PiRL层的处理技术商业上可从(例如)MO，Rolla的Brewer Science公司购得。然而，所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，可使用其它剥离材料。举例来说，可使用例如商业上可从FuturexCorporation购得的可图案化剥离材料的单层可图案化剥离材料来有利地形成剥离图案。剥离模板的厚度优选大于随后沉积在所述剥离模板上的层，以促进溶剂进入和随后的剥离模板的移除。举例来说，在某些实施例中，剥离模板的厚度在从约1,500到约50,000的范围内，且在某些实施例中，可在从约20,000到约30,000的范围内。
制造工艺200还包括方框204，其中形成光学堆叠层。在一实施例中，通过将一个或一个以上材料层沉积在衬底组合件上且沉积在剥离模板上而形成光学堆叠层。剥离处理可用于在光学堆叠中单独形成个别层中的每一者，或优选可用于在光学堆叠内形成多个层。举例来说，在所说明的实施例中，光学堆叠包括导体层、下镜面金属层和介电层。可在光学堆叠上沉积额外的材料层。举例来说，在所说明的实施例中，牺牲层沉积在光学堆叠上，且随后与光学堆叠一起经受剥离处理。整个堆叠中的所述层中的每一层的厚度可以彼此相同，或(如下文所说明)彼此不同。
在一实施例中，导体层为实质上透明的材料，优选包含氧化铟锡(ITO)。通常通过考虑显示器中的行的导电性规格、材料的光学透射质量等来选择透明导体层的厚度。在优选实施例中，透明导体层的厚度在约200埃()到约1000的范围内。举例来说，在所说明的实施例中，透明导体层具有约500的厚度。所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，可有利地使用其它材料(包括氧化锌)来制造导体层。
在一实施例中，下镜面金属层包含铬(Cr)层。通常通过考虑材料的光学透明度或其它光学特征来选择下镜面层的厚度。因此，在优选实施例中，镜面层的厚度优选在约30到约150的范围内以使其变为可部分透射。举例来说，在所说明的实施例中，镜面层具有约70的厚度。因此，在此实施例中，ITO透明导体层的厚度(约500)大于铬镜面层的厚度(约70)。所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，除了Cr之外，或作为Cr的替代，下镜面金属层可包含其它材料，包括钼(Mo)、钛(Ti)和/或钨(W)。
在一实施例中，介电层包含二氧化硅(SiO2)层。通常通过考虑处于偏置位置中的调制器的所需色彩来选择介电层的厚度。因此，在优选实施例中，介电层的厚度在约100到约2,500的范围内。举例来说，在所说明的实施例中，介电层具有约700的厚度。所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，介电层可包括多个子层，在此情况下，所述介电层可被称作介电堆叠。介电层可包括各种介电材料，例如氮化硅(SiN)、氧化铝(Al2O3)和氧化硅(SiOx)，可单独包括其每一者，或包括其组合(例如，在子层中)。
在所说明的实施例中，牺牲层包含钼(Mo)层。通常通过考虑处于未激活位置中的调制器的所需色彩，且通过考虑用于移除牺牲层的制造工艺(例如，干式蚀刻)来选择牺牲层的厚度，如下文将论述。在优选实施例中，牺牲层的厚度在约400到约6,000的范围内。举例来说，在所说明的实施例中，牺牲层具有约2,000的厚度。所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，除了钼之外或作为钼的替代，牺牲层可包括一种或一种以上其它可易于移除的材料，例如硅(Si)、钛(Ti)、钨(W)和锗(G)。
所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，至少部分针对前述光学堆叠层与实质上透明的衬底的粘附力和/或鉴于在形成剥离图案之后剩余碎片的可能性来选择前述光学堆叠层中的某些或所有光学堆叠层。另外，可从可在不实质上负面地影响有机剥离结构的温度下沉积的材料中有利地选择光学堆叠层。举例来说，在一个实施例中，在约250℃或更低的温度下沉积光学堆叠的材料。
制造工艺200还包括方框206，其中使用剥离工艺来使光学堆叠图案化。如根据本文的揭示内容在此项技术中通常所了解的那样，剥离工艺包含使用化学物质，所述化学物质与在(例如)光学堆叠层下形成剥离模板的剥离材料中的某些或所有剥离材料起反应和/或将所述剥离材料溶解。通过移除剥离材料，剥离材料上方的光学堆叠层的材料不再附着，且与废弃的化学物质一起浮离或“剥”离衬底组合件。在光学堆叠上形成的其它层(例如牺牲层)可与光学堆叠一起被剥离。因此，所述剥离工艺通过使用已知的化学物质有利地提供对多个不同的且可能是外来的层的图案化。可以各种方式来实现剥离材料的移除。举例来说，可将剥离材料暴露于液体、气体或汽状剥离化学物质，其与剥离材料起反应和/或将剥离材料溶解，随后进行冲洗以移除不再附着的材料。优选以液体形式来施加剥离化学物质，这在本文被称作湿式蚀刻剥离。
在优选实施例中，剩余的经图案化的层形成例如干涉式调制器12a和12b的调制器的行电极、光学堆叠和牺牲层。
制造工艺200还包括方框208，其中形成例如柱18的支撑结构。举例来说，在所说明的实施例中，柱18的材料包含可图案化或不可图案化的正性或负性光致抗蚀剂。在一个实施例中，沉积最上层光致抗蚀剂，且使用适当对准的光罩来从最上层开始对材料进行图案化。例如化学机械平坦化(CMP)的平坦化技术可用于移除多余的光致抗蚀剂和/或材料。在替代实施例中，可使用后部暴露来对后部光致抗蚀剂进行图案化(衬底组合件优选为透明)，且光学堆叠图案有利地形成适当的对准(遮罩)。在此实施例中，还可使用CMP来移除多余的光致抗蚀剂和/或材料。
所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，特定的CMP工艺可用于修改或改进经平坦化的光致抗蚀剂结构的形状。此外，所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，其它材料可有利地用于所述柱中的某些或所有柱，所述其它材料包括旋涂玻璃(spin-on glass，SOG)、有机平坦化材料等。所属领域的技术人员根据本文的揭示内容还将了解，使用某些材料或工艺可减少或完全消除CMP工艺。举例来说，可对旋涂玻璃进行图案化，且将其简单地留下而不进行整平。这种处理会留下隆起部分，但一般不会实质上改变装置的操作或可靠性。
制造工艺200还包括方框210，其中形成第二剥离图案。所使用的剥离材料可与上文参考方框202和第一剥离图案的形成而论述的材料相同或不同。所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，可选择剥离材料来确保与行电极层对准和/或在形成剥离图案后增加光学堆叠的清洁度。
制造工艺200还包括方框212，其中形成一个或一个以上弯曲层。在一实施例中，通过将一个或一个以上层沉积在部分制造的调制器和剥离材料上而形成弯曲层。根据一个实施例，弯曲层包含镜面层和柔性的金属导体层。在一实施例中，所述镜面层包含铝(Al)层。通常通过考虑材料的反射性和材料的结构完整性(例如，所述材料可为独立式的且应足够厚以承受住制造处理步骤和正常操作的应力)来选择镜面层的厚度。此外，在示范性实施例中，镜面层优选足够厚以具有全反射性。在一实施例中，镜面层的厚度在约80到约1微米的范围内。举例来说，在所说明的实施例中，镜面层具有约300的厚度。所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，除了铝之外或作为铝的替代，镜面层可包括一种或一种以上其它反射性材料，例如银(Ag)或金(Au)。弯曲层可具有导电性、反射性和/或柔性，且因此(例如)单个结构可充当电极层、镜面层和可变形层。在某些实施例中，例如如图7C中所说明，反射层14从可变形层34悬挂下来，其两者均可充当电极层。还可使用各种其它配置。
在一实施例中，弯曲层中的柔性的金属导体层包含镍(Ni)层。通常通过考虑材料的结构完整性和其承受制造处理步骤的能力来选择导体层的厚度。在一实施例中，柔性的金属导体层的厚度在约300到约1微米的范围内。举例来说，在所说明的实施例中，弯曲层中的导体层具有约1000的厚度。所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，除了镍之外或作为镍的替代，导体层可包括一种或一种以上其它导电材料，例如铬、铝和/或铝合金。导体层可包括例如金属氧化物夹层的复合结构。
所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，可至少部分针对前述弯曲层与光学堆叠层的粘附力(或缺乏粘附力)和/或前述弯曲层与支撑结构或柱层的粘附力来选择前述弯曲层中的某些或所有弯曲层。举例来说，参考图1，弯曲层14b的材料优选经选择以使在干涉式调制器12b的所述激活期间弯曲层14b与固定的部分反射层16b的粘附力最小化。另外，可针对彼此的粘附力而选择弯曲层的材料，(例如)以使导体层与镜面层之间的粘附力最大化。
制造工艺200还包括方框214，其中使用剥离工艺来使弯曲层图案化。在优选实施例中，剩余的经图案化的弯曲层形成例如干涉式调制器12a和12b的干涉式调制器的第二镜面层、列电极层和机械层。弯曲层可与镜面层分离地进行图案化，(例如)以形成例如图7C中所说明的配置。剥离处理可用于有利地促进相对较厚的镜面层的图案化。弯曲层优选具有高度导电性且具有抗张应力。弯曲层优选具有内部材料完整性以承受住制造工艺的应力并粘附到平坦化材料。
在一实施例中，剥离模板的移除优选形成所述第二镜面所述的图案化区域，并暴露如图14-15(下文论述)中所说明的底层牺牲层的一部分。此实施例中所说明的剥离处理有利地允许在不蚀刻与最终结构相关的沉积材料的情况下(在此实例中，在不直接蚀刻弯曲层的情况下)，移除弯曲层的多个部分。已发现，采用常规方式蚀刻移除弯曲层的所述部分可能还导致对底层牺牲层进行不合要求的过早蚀刻。
所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，各种额外的处理步骤可有利地移除牺牲层以形成腔(例如，干涉式调制器12a中的腔19(图1))。另外，基于前述内容，所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将了解，通过使用剥离处理，制造工艺200还可用于有利地避免蚀刻兼容性问题以及不同和外来化学物质问题，同时在整个制造工艺期间，尤其在如上文所述的光学堆叠的制造期间，有利地巩固图案形成。制造工艺200还可用于有利地减少处理步骤，且增加层材料和调制器制造商的制造设施的可用性和选择性。
图9A和图9B分别说明根据一实施例的部分制造的干涉式调制器300的平面图和横截面图。如图所示，调制器300包括透明的衬底组合件302、经图案化的剥离材料PiRL304和光致抗蚀剂306，其共同形成剥离模板308。如图9B中所示，通过选择性地过度蚀刻PiRL材料304，剥离材料可有利地形成倒置的梯形或大致的字母“T”形形状。T形形状可有助于促进剥离，因为沉积在T形形状的上部分上的材料与沉积在靠近具有T形形状的基座的衬底上的材料分离。T形形状还可促进将剥离模板308暴露于剥离化学物质。如下文更详细地描述，柱602a将稍后形成于区域312中，且轨道602b(使下电极彼此分离)将稍后形成于区域310中，如图9A中所指示。
图10A和图10B分别说明根据一实施例的部分制造的干涉式调制器400的平面图和横截面图。如图所示，调制器400包括形成于剥离模板308和衬底302两者上的堆叠402。如图10B中所示，堆叠402包含多个材料层，包括ITO层404、Cr层406、介电层408和牺牲Mo层410。如下文参看图15所论述，ITO层404、Cr层406和介电层408最终并入到光学堆叠806中。如上文所述，剥离模板308的厚度优选大于堆叠402的厚度，以促进随后用于移除剥离模板308的化学物质的横向进入。
图11A和图11B分别说明根据一实施例的部分制造的干涉式调制器500的平面图和横截面图。如图所示，调制器500包括已经发生剥离工艺后的经图案化的堆叠402，在剥离工艺期间，移除剥离模板308(连同堆叠402的沉积在剥离模板308上的部分，如图10B中所示)。经图案化的堆叠402包括底层光学堆叠404-408(图10B)。光学堆叠404-408(连同上覆牺牲层410)在其由剥离后剩余的材料形成的意义上被正性地图案化。调制器500还包括通过移除剥离模板308而形成的衬底302上的经负性图案化的区域502a、502b。
图12A说明根据一实施例的部分制造的干涉式调制器600的平面图，且图12B和图12C说明其横截面图。如图所示，调制器600包括支撑结构602a(柱)和602b(轨道)，其通过光罩604借助使用前端对准暴露技术(图12B)暴露于辐射606而形成，或借助使用后端自对准暴露技术(图12C)暴露于辐射606而形成。柱602a和轨道602b结构分别形成于衬底302上的负性图案化区域502a、502b中(图11A和图11B)。
已发现，与直接蚀刻待图案化的材料相比，尤其对于较厚层的移除来说，使用剥离处理来形成负性图案化区域可能较有利。举例来说，通过直接蚀刻工艺形成的负性图案化区域倾向于略微大于上覆的图案化材料(例如，光致抗蚀剂)的尺寸，因为蚀刻剂有底切所述图案化材料的趋势。在希望柱结构占据最小量的空间的实施例中，使用剥离处理会促进上面可形成有柱结构的所需较小的负性图案化区域的形成。因此，在优选实施例中，剥离处理用于在制造干涉式调制器期间形成负性图案化区域，更优选形成其中随后形成有柱结构的负性图案化区域。在许多实施例中，对于在制造干涉式调制器期间形成负性图案化区域来说，湿式蚀刻剥离处理与直接蚀刻(湿式和/或干式)相比尤其有利。
还发现，与直接蚀刻工艺相比，且尤其对于移除位于相对较薄的层下方的相对较厚的层来说，使用剥离处理对移除多个材料层来说可能是有利的。因为不同的材料倾向于以不同的速率来引导蚀刻，由于各层中不同材料的不同横向蚀刻速率的缘故，所以使用各向同性蚀刻剂来移除多个层常导致不规则的侧壁。举例来说，对在较厚的ITO层上包括较薄的铬层的堆叠进行湿式蚀刻可能导致对铬层进行底切，因为向用于移除ITO层的蚀刻剂暴露的时间可能相对较长，以便实现对较厚的ITO层进行的所需程度的蚀刻。因此，在优选实施例中，在制造干涉式调制器期间，使用剥离处理来移除多个材料层。在许多实施例中，对于在制造干涉式调制器期间移除多个材料层来说，湿式蚀刻剥离处理与直接的湿式蚀刻相比尤其有利。
图13A和图13B分别说明根据一实施例的部分制造的干涉式调制器700的平面图和横截面图。应注意，与图12B中所说明的情况相比，横截面图13B是沿着不同的线的。如图所示，调制器700包括经图案化的剥离材料PiRL704和光致抗蚀剂706，其两者共同形成剥离模板708。如图13B中所示，剥离模板708以类似于上文针对形成剥离模板308而描述的方式以大致的T形形状形成于堆叠402上方。
图14A和14B分别说明根据一实施例的部分制造的干涉式调制器800的平面图和横截面图。如图所示，调制器800包括形成于堆叠402上方的弯曲层802、剥离模板708和柱602a。如图14B中所示，弯曲层802可有利地包含Al镜面层804和Ni导体层806。可以各种方式(例如，通过物理气相沉积或溅镀沉积)形成Al镜面层804和Ni导体层806。
图15A说明根据一实施例的干涉式调制器900的平面图，且图15B和图15C说明干涉式调制器900的横截面图。如图所示，在剥离工艺发生后，调制器900包括经图案化的弯曲层802(包括Al镜面层804和Ni导体层806)，在剥离工艺期间，移除剥离模板708(连同弯曲层802的沉积在剥离模板708上的部分，如图14B中所示)。移除剥离模板708导致小孔902、904的形成。图15B和图15C还说明将牺牲层410从堆叠402进行后处理移除，从而形成包括ITO层404、Cr层406和介电层408的光学堆叠806。移除牺牲层410还导致调制器900的腔19的形成。柱602a是经图案化的弯曲层802的支撑结构，且还用于界定腔19。在一实施例中，通过将调制器800暴露于氟化氙(XeF2)(其流经小孔902、904以与Mo牺牲层410进行化学反应，从而导致牺牲层通过干式蚀刻工艺而移除且进而形成腔19)来实现移除。
尽管依据某些优选实施例描述了制造干涉式调制器的工艺的前述实施例，但所属领域的技术人员根据本文的揭示内容将明了其它实施例。举例来说，剥离工艺可有利地应用于光学堆叠中各层或弯曲层中的仅一者、某些或不对其应用剥离工艺。另外，还可使用上文所述的剥离工艺来形成各种干涉式装置结构和形状。举例来说，镜面功能可有利地与弯曲层的机械或柔性功能分离，例如使得实质上为刚性的镜面层14从图7C中所说明的腔19上方的机械层34悬挂下来。可通过常规实验法来确定用于制造所述结构的合适方法，且所述方法可涉及(例如)用于制造镜面层14的第一剥离工艺和用于制造机械层34的第二剥离工艺。所属领域的技术人员还将了解，本文描述为可适合于制造个别干涉式调制器的方法还可适用于制造干涉式调制器阵列。同样，将了解，本文描述为可适合于制造干涉式调制器阵列的方法还可适用于制造个别干涉式调制器。
所属领域的技术人员将了解，可在不脱离本发明的精神的情况下，进行大量和各种修改。因此，应清楚地了解，本发明的形式仅仅是说明性的，且目的不在于限制本发明的范围。

Claims (42)

1.一种制造干涉式调制器的方法，其包含：
使用至少第一图案化制造工艺在透明的衬底上形成光学堆叠；
在所述衬底上形成支撑结构；和
使用至少第二图案化制造工艺在所述光学堆叠和支撑结构上形成上镜面层；
其中通过所述光学堆叠的至少一个表面、所述支撑结构和所述上镜面层形成腔，
其中所述上镜面层的一部分进入所述腔中的移动以可控制且可预测的方式改变从所述衬底的表面察觉到的光学特性，且其中所述第一和第二制造工艺中的至少一者包含剥离工艺。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学堆叠包含导体层、下镜面金属层和介电层中的至少一者。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述光学堆叠包含下镜面金属层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中至少所述下镜面金属层形成行电极。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述光学堆叠上形成所述上镜面层包含在所述光学堆叠与所述上镜面层之间沉积牺牲层。
6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含移除所述牺牲层的至少一部分以形成所述腔。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述剥离工艺包含将所述光学堆叠的至少一部分连同所述牺牲层的至少一部分一起剥离。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述上镜面层包含柔性的金属导体层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中至少所述上镜面层形成列电极。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二制造工艺包含剥离工艺。
11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含形成成像应用。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述成像应用包含平板显示器。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述平板显示器是移动电子装置的一部分。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述成像应用包含手持式计算机、个人数字助理、膝上型计算机、移动电话、手持式视频游戏装置、家用电器、电视机、计时器、电话亭和汽车计算装置中的至少一者。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述剥离工艺包含形成大体上为T形的剥离模板。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述剥离工艺包含使剥离模板图案化。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述使所述剥离模板图案化包含在聚合物上沉积光致抗蚀剂。
18.根据权利要求1所述的方法，其中所述剥离工艺包含湿式蚀刻以移除剥离模板。
19.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述上镜面层上沉积可变形层。
20.根据权利要求19所述的方法，其中在移除牺牲层之后，所述上镜面层从所述可变形层悬挂下来。
21.一种由根据权利要求1所述的方法制成的干涉式调制器。
22.一种包含由根据权利要求1所述的方法制成的干涉式调制器阵列的显示系统。
23.根据权利要求22所述的显示系统，其进一步包含：
处理器，其与所述阵列形成电连通，所述处理器经配置以处理图像数据；和存储器装置，其与所述处理器形成电连通。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其进一步包含经配置以将至少一个信号发送到所述阵列的驱动器电路。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其进一步包含经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。
26.根据权利要求23所述的显示装置，其进一步包含经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中所述图像源模块包含接收器、收发器和发射器中的至少一者。
28.根据权利要求23所述的显示装置，其进一步包含经配置以接收输入数据并将所述输入数据传送到所述处理器的输入装置。
29.一种制造干涉式调制器的方法，其包含：
在衬底上形成剥离模板；
在所述剥离模板上且在所述衬底上沉积第一材料层；
在所述第一材料层上沉积第二材料层；和
移除所述剥离模板以进而在所述第一材料层上形成包含所述第二材料层的图案化区域。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述第一材料层包含氧化铟锡。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述第二材料层包含选自由铬、钼和钛组成的群组的至少一种金属。
32.根据权利要求31所述的方法，其中所述第二材料层包含钼。
33.根据权利要求31所述的方法，其中所述第一材料层的厚度大于所述第二材料层的厚度。
34.根据权利要求29所述的方法，其进一步包含在所述第二材料层上沉积第三材料层。
35.根据权利要求34所述的方法，其中所述第三材料层包含介电材料。
36.根据权利要求34所述的方法，其进一步包含在所述第三材料层上沉积第四材料层。
37.根据权利要求36所述的方法，其中所述第四材料层包含钼。
38.一种由根据权利要求29所述的方法制成的干涉式调制器。
39.一种制造干涉式调制器阵列的方法，其包含：
使用剥离模板在衬底上形成多个正性图案化的光学堆叠和多个负性图案化的柱区域；和
在所述负图案化的柱区域中形成多个柱结构。
40.一种由根据权利要求39所述的方法制成的干涉式调制器阵列。
41.一种制造显示装置的方法，其包含：
沉积第一镜面层；
在所述第一镜面层上沉积牺牲层；
在所述牺牲层上形成剥离模板；
在所述剥离模板上沉积第二镜面层；
移除所述剥离模板，进而形成所述第二镜面层的图案化区域，且暴露所述牺牲层的一部分。
42.一种由根据权利要求41所述的方法制成的显示装置。
CN2005800321266A 2004-09-27 2005-09-02 使用剥离处理技术制造干涉式调制器装置的方法 Expired - Fee Related CN101027593B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61349604P 2004-09-27 2004-09-27
US60/613,496 2004-09-27
US11/155,379 US7553684B2 (en) 2004-09-27 2005-06-17 Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US11/155,379 2005-06-17
PCT/US2005/031693 WO2006036470A1 (en) 2004-09-27 2005-09-02 Method of fabricating interferometric modulator devices using lift-off processing techniques

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101027593A true CN101027593A (zh) 2007-08-29
CN101027593B CN101027593B (zh) 2010-07-21

Family

ID=36099196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800321266A Expired - Fee Related CN101027593B (zh) 2004-09-27 2005-09-02 使用剥离处理技术制造干涉式调制器装置的方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7553684B2 (zh)
JP (1) JP5096151B2 (zh)
KR (1) KR101168647B1 (zh)
CN (1) CN101027593B (zh)
TW (1) TWI387780B (zh)
WO (1) WO2006036470A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102449447A (zh) * 2009-05-29 2012-05-09 Vtt技术研究中心 微机械可调法布里珀罗干涉仪、中间产品及其制造方法
CN101965505B (zh) * 2008-01-21 2013-03-27 西利奥斯技术公司 具有集成的滤波器的波长光谱学设备
CN104597728A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 三星显示有限公司 剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7668415B2 (en) * 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US7553684B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US7710636B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods using interferometric optical modulators and diffusers
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7733552B2 (en) * 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
US7737420B2 (en) * 2007-03-30 2010-06-15 Intel Corporation Pixelated modulation of illumination pupil image
CN101802678B (zh) * 2007-09-17 2014-03-12 高通Mems科技公司 半透明/透射反射型发光干涉式调制器装置
CN101808933B (zh) * 2007-09-28 2013-05-01 高通Mems科技公司 多组件牺牲结构
US7719754B2 (en) * 2008-09-30 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Multi-thickness layers for MEMS and mask-saving sequence for same
JP2013525955A (ja) 2010-04-16 2013-06-20 フレックス ライティング ２，エルエルシー フィルムベースのライトガイドを備える照明デバイス
CN103038568A (zh) 2010-04-16 2013-04-10 弗莱克斯照明第二有限责任公司 包括膜基光导的前照明装置
US9263314B2 (en) * 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
US20120134008A1 (en) * 2010-11-30 2012-05-31 Ion Bita Electromechanical interferometric modulator device
US20130074905A1 (en) * 2011-09-26 2013-03-28 Benyamin Buller Photovoltaic device with reflective stack
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof

Family Cites Families (237)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
DE1288651B (de) 1963-06-28 1969-02-06 Siemens Ag Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
US3616312A (en) 1966-04-15 1971-10-26 Ionics Hydrazine manufacture
FR1603131A (zh) 1968-07-05 1971-03-22
US3653741A (en) 1970-02-16 1972-04-04 Alvin M Marks Electro-optical dipolar material
US3813265A (en) 1970-02-16 1974-05-28 A Marks Electro-optical dipolar material
US3725868A (en) 1970-10-19 1973-04-03 Burroughs Corp Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
US4196396A (en) 1976-10-15 1980-04-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback
US4389096A (en) 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
US4663083A (en) 1978-05-26 1987-05-05 Marks Alvin M Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics
US4445050A (en) 1981-12-15 1984-04-24 Marks Alvin M Device for conversion of light power to electric power
US4190488A (en) 1978-08-21 1980-02-26 International Business Machines Corporation Etching method using noble gas halides
US4228437A (en) 1979-06-26 1980-10-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1981-10-15 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
US4377324A (en) 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
FR2506026A1 (fr) 1981-05-18 1982-11-19 Radant Etudes Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence
NL8103377A (nl) 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4571603A (en) 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4482213A (en) 1982-11-23 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4566935A (en) 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US4615595A (en) 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US4617608A (en) 1984-12-28 1986-10-14 At&T Bell Laboratories Variable gap device and method of manufacture
US5172262A (en) 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4859060A (en) 1985-11-26 1989-08-22 501 Sharp Kabushiki Kaisha Variable interferometric device and a process for the production of the same
US5835255A (en) * 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
GB8610129D0 (en) 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
NL8701138A (nl) 1987-05-13 1988-12-01 Philips Nv Electroscopische beeldweergeefinrichting.
DE3716485C1 (de) 1987-05-16 1988-11-24 Heraeus Gmbh W C Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe
US4900136A (en) 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
JPH0242761A (ja) * 1988-04-20 1990-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス基板の製造方法
US4856863A (en) 1988-06-22 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Optical fiber interconnection network including spatial light modulator
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
JP2700903B2 (ja) * 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
DE68928402T2 (de) 1988-12-27 1998-03-12 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur Entfernung einer Oxidschicht auf einem Substrat
US4982184A (en) 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US5206629A (en) 1989-02-27 1993-04-27 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and memory for digitized video display
US5170156A (en) 1989-02-27 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated Multi-frequency two dimensional display system
US5162787A (en) 1989-02-27 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface
US5272473A (en) 1989-02-27 1993-12-21 Texas Instruments Incorporated Reduced-speckle display system
US5079544A (en) 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5214420A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator projection system with random polarity light
US5214419A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Planarized true three dimensional display
US5287096A (en) 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US5192946A (en) 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US4900395A (en) 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5381253A (en) * 1991-11-14 1995-01-10 Board Of Regents Of University Of Colorado Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation
US5124834A (en) 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5037173A (en) 1989-11-22 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Optical interconnection network
US5500635A (en) * 1990-02-20 1996-03-19 Mott; Jonathan C. Products incorporating piezoelectric material
CH682523A5 (fr) 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
GB9012099D0 (en) 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for multicolour imaging
US5018256A (en) 1990-06-29 1991-05-28 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5142405A (en) 1990-06-29 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Bistable dmd addressing circuit and method
US5099353A (en) 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5216537A (en) 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
EP0467048B1 (en) 1990-06-29 1995-09-20 Texas Instruments Incorporated Field-updated deformable mirror device
US5083857A (en) 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5153771A (en) 1990-07-18 1992-10-06 Northrop Corporation Coherent light modulation and detector
US5192395A (en) 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5044736A (en) 1990-11-06 1991-09-03 Motorola, Inc. Configurable optical filter or display
US5331454A (en) 1990-11-13 1994-07-19 Texas Instruments Incorporated Low reset voltage process for DMD
US5602671A (en) * 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
FR2669466B1 (fr) 1990-11-16 1997-11-07 Michel Haond Procede de gravure de couches de circuit integre a profondeur fixee et circuit integre correspondant.
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5136669A (en) 1991-03-15 1992-08-04 Sperry Marine Inc. Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element
CA2063744C (en) 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
US5142414A (en) 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
FR2679057B1 (fr) 1991-07-11 1995-10-20 Morin Francois Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition.
US5179274A (en) 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5168406A (en) 1991-07-31 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Color deformable mirror device and method for manufacture
US5254980A (en) 1991-09-06 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system controller
US5358601A (en) * 1991-09-24 1994-10-25 Micron Technology, Inc. Process for isotropically etching semiconductor devices
US5233385A (en) 1991-12-18 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated White light enhanced color field sequential projection
US5233456A (en) 1991-12-20 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Resonant mirror and method of manufacture
US5228013A (en) 1992-01-10 1993-07-13 Bik Russell J Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays
US5296950A (en) 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5231532A (en) 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
US5212582A (en) 1992-03-04 1993-05-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatically controlled beam steering device and method
EP0562424B1 (en) 1992-03-25 1997-05-28 Texas Instruments Incorporated Embedded optical calibration system
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
US5401983A (en) * 1992-04-08 1995-03-28 Georgia Tech Research Corporation Processes for lift-off of thin film materials or devices for fabricating three dimensional integrated circuits, optical detectors, and micromechanical devices
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
TW245772B (zh) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
JPH0651250A (ja) * 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
US5818095A (en) * 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5293272A (en) 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US5327286A (en) 1992-08-31 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Real time optical correlation system
US5325116A (en) 1992-09-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Device for writing to and reading from optical storage media
US5296775A (en) 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Cooling microfan arrangements and process
JP3240724B2 (ja) * 1993-02-09 2001-12-25 ソニー株式会社 配線形成方法
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
DE4317274A1 (de) * 1993-05-25 1994-12-01 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung oberflächen-mikromechanischer Strukturen
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5489952A (en) * 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
JPH07106303A (ja) 1993-09-29 1995-04-21 Shibaura Eng Works Co Ltd ドライエッチング装置
US5497197A (en) * 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
JPH07253594A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Fujitsu Ltd 表示装置
US20010003487A1 (en) * 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US6040937A (en) 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7123216B1 (en) * 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US5497172A (en) * 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
JPH07331460A (ja) * 1994-06-02 1995-12-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ドライエッチング方法
US5499062A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
US5610624A (en) * 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
US5567334A (en) * 1995-02-27 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method for creating a digital micromirror device using an aluminum hard mask
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US5641391A (en) * 1995-05-15 1997-06-24 Hunter; Ian W. Three dimensional microfabrication by localized electrodeposition and etching
JP3165348B2 (ja) * 1995-05-18 2001-05-14 ワイエイシイ株式会社 プラズマ処理装置およびその運転方法
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US5963788A (en) * 1995-09-06 1999-10-05 Sandia Corporation Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry
JPH09234672A (ja) * 1996-02-29 1997-09-09 Sony Corp パウダービーム加工機におけるパウダーシール装置
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5884083A (en) * 1996-09-20 1999-03-16 Royce; Robert Computer system to compile non-incremental computer source code to execute within an incremental type computer system
KR100237000B1 (ko) 1996-09-21 2000-01-15 정선종 희생층을 사용한 미소구조체 제조 방법
DE19700290A1 (de) 1997-01-03 1998-07-16 Siemens Ag Mikromechanische Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Halbleiteranordnung
DE69806846T2 (de) * 1997-05-08 2002-12-12 Texas Instruments Inc Verbesserungen für räumliche Lichtmodulatoren
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
JPH1197799A (ja) 1997-09-22 1999-04-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US5972193A (en) * 1997-10-10 1999-10-26 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing a planar coil using a transparency substrate
CN1283369A (zh) * 1997-10-31 2001-02-07 大宇电子株式会社 光学投影系统中的薄膜驱动的反光镜组的制造方法
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
US6016693A (en) * 1998-02-09 2000-01-25 The Regents Of The University Of California Microfabrication of cantilevers using sacrificial templates
JP3441358B2 (ja) 1998-02-26 2003-09-02 日本電信電話株式会社 微小構造体の製造方法
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
EP0951068A1 (en) * 1998-04-17 1999-10-20 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity
US6136630A (en) * 1998-06-04 2000-10-24 The Regents Of The University Of Michigan Method of making a micromechanical device from a single crystal semiconductor substrate and monolithic sensor formed thereby
DE19938072A1 (de) 1998-09-09 2000-03-16 Siemens Ag Verfahren zum selbstjustierenden Herstellen von zusätzlichen Strukturen auf Substraten mit vorhandenen ersten Strukturen
JP4074714B2 (ja) * 1998-09-25 2008-04-09 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
DE19847455A1 (de) 1998-10-15 2000-04-27 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Bearbeitung von Silizium mittels Ätzprozessen
KR100281241B1 (ko) 1998-11-19 2001-06-01 하대규 파라데이 상자의 윗면의 격자면을 변화시켜 플라즈마 식각을하는 방법
US6391675B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-21 Raytheon Company Method and apparatus for switching high frequency signals
US6194323B1 (en) * 1998-12-16 2001-02-27 Lucent Technologies Inc. Deep sub-micron metal etch with in-situ hard mask etch
US6335831B2 (en) * 1998-12-18 2002-01-01 Eastman Kodak Company Multilevel mechanical grating device
US6215221B1 (en) * 1998-12-29 2001-04-10 Honeywell International Inc. Electrostatic/pneumatic actuators for active surfaces
US6537427B1 (en) * 1999-02-04 2003-03-25 Micron Technology, Inc. Deposition of smooth aluminum films
JP3592136B2 (ja) * 1999-06-04 2004-11-24 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドおよびその製造方法と微小電気機械装置の製造方法
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6674563B2 (en) * 2000-04-13 2004-01-06 Lightconnect, Inc. Method and apparatus for device linearization
ATE420454T1 (de) * 1999-08-17 2009-01-15 Tokyo Electron Ltd Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung
US6107177A (en) * 1999-08-25 2000-08-22 Siemens Aktienesellschaft Silylation method for reducing critical dimension loss and resist loss
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6960305B2 (en) * 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US7041224B2 (en) * 1999-10-26 2006-05-09 Reflectivity, Inc. Method for vapor phase etching of silicon
US6548908B2 (en) * 1999-12-27 2003-04-15 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices
US6545335B1 (en) * 1999-12-27 2003-04-08 Xerox Corporation Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits
US6391788B1 (en) 2000-02-25 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Two etchant etch method
US6531945B1 (en) * 2000-03-10 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Integrated circuit inductor with a magnetic core
US7491286B2 (en) * 2000-04-21 2009-02-17 International Business Machines Corporation Patterning solution deposited thin films with self-assembled monolayers
US6329297B1 (en) * 2000-04-21 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Dilute remote plasma clean
US7153717B2 (en) * 2000-05-30 2006-12-26 Ic Mechanics Inc. Encapsulation of MEMS devices using pillar-supported caps
EP1297170B1 (en) * 2000-06-23 2016-03-02 Novozymes A/S Method for stable chromosomal multi-copy integration of genes
EP1720347B1 (en) * 2000-07-03 2010-06-23 Sony Corporation Optical multilayer structure, optical switching device, and image display
EP1172681A3 (en) * 2000-07-13 2004-06-09 Creo IL. Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
US6522801B1 (en) * 2000-10-10 2003-02-18 Agere Systems Inc. Micro-electro-optical mechanical device having an implanted dopant included therein and a method of manufacture therefor
US7268081B2 (en) * 2000-11-02 2007-09-11 California Institute Of Technology Wafer-level transfer of membranes with gas-phase etching and wet etching methods
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
US6791692B2 (en) * 2000-11-29 2004-09-14 Lightwind Corporation Method and device utilizing plasma source for real-time gas sampling
JP2002270575A (ja) 2001-03-13 2002-09-20 Seiko Epson Corp エッチング方法、この方法により製造されたことを特徴とする半導体装置およびエッチング装置
US6794271B2 (en) * 2001-09-28 2004-09-21 Rockwell Automation Technologies, Inc. Method for fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device using a pre-patterned bridge
JP2003001598A (ja) 2001-06-21 2003-01-08 Sony Corp Ｓｉ膜のエッチング方法
US7005314B2 (en) * 2001-06-27 2006-02-28 Intel Corporation Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications
US6617082B2 (en) * 2001-06-29 2003-09-09 Intel Corporation Microelectromechanical system mask
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
JP2003059905A (ja) * 2001-07-31 2003-02-28 Applied Materials Inc エッチング方法、キャパシタの製造方法、および半導体装置
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US20030073302A1 (en) * 2001-10-12 2003-04-17 Reflectivity, Inc., A California Corporation Methods for formation of air gap interconnects
US20030073042A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Cernigliaro George J. Process and materials for formation of patterned films of functional materials
KR100433091B1 (ko) * 2001-10-23 2004-05-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 도전배선 형성방법
US6666979B2 (en) * 2001-10-29 2003-12-23 Applied Materials, Inc. Dry etch release of MEMS structures
US6803160B2 (en) * 2001-12-13 2004-10-12 Dupont Photomasks, Inc. Multi-tone photomask and method for manufacturing the same
US6794119B2 (en) * 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US7027200B2 (en) * 2002-03-22 2006-04-11 Reflectivity, Inc Etching method used in fabrications of microstructures
US6814814B2 (en) * 2002-03-29 2004-11-09 Applied Materials, Inc. Cleaning residues from surfaces in a chamber by sputtering sacrificial substrates
WO2003085728A1 (en) 2002-04-11 2003-10-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier, method of manufacturing a carrier and an electronic device
JP2003305697A (ja) 2002-04-12 2003-10-28 Sony Corp 中空構造体の製造方法
US7029829B2 (en) * 2002-04-18 2006-04-18 The Regents Of The University Of Michigan Low temperature method for forming a microcavity on a substrate and article having same
US6741377B2 (en) * 2002-07-02 2004-05-25 Iridigm Display Corporation Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same
US7071289B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-04 The University Of Connecticut Polymers comprising thieno [3,4-b]thiophene and methods of making and using the same
US20040058531A1 (en) * 2002-08-08 2004-03-25 United Microelectronics Corp. Method for preventing metal extrusion in a semiconductor structure.
US6674033B1 (en) * 2002-08-21 2004-01-06 Ming-Shan Wang Press button type safety switch
JP2004102022A (ja) 2002-09-11 2004-04-02 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
TW544787B (en) * 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
US6905621B2 (en) * 2002-10-10 2005-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for preventing the etch transfer of sidelobes in contact hole patterns
US7064089B2 (en) * 2002-12-10 2006-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus and method for plasma treatment
TW559686B (en) * 2002-12-27 2003-11-01 Prime View Int Co Ltd Optical interference type panel and the manufacturing method thereof
TW594155B (en) * 2002-12-27 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd Optical interference type color display and optical interference modulator
TW557395B (en) * 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
TW200413810A (en) * 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
US20040150915A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 Thomas Fred C. Air bearing surface for a head, and a method of making it
US7514283B2 (en) * 2003-03-20 2009-04-07 Robert Bosch Gmbh Method of fabricating electromechanical device having a controlled atmosphere
US6913942B2 (en) * 2003-03-28 2005-07-05 Reflectvity, Inc Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices
TW567355B (en) * 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US6829132B2 (en) * 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
JP2005005696A (ja) 2003-05-20 2005-01-06 Victor Co Of Japan Ltd リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法及びリッジ導波路型半導体レーザ素子
JP4338442B2 (ja) * 2003-05-23 2009-10-07 富士フイルム株式会社 透過型光変調素子の製造方法
US20050014317A1 (en) * 2003-07-18 2005-01-20 Pyo Sung Gyu Method for forming inductor in semiconductor device
US7173314B2 (en) * 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US20050057442A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-17 Olan Way Adjacent display of sequential sub-images
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US6939472B2 (en) * 2003-09-17 2005-09-06 Reflectivity, Inc. Etching method in fabrications of microstructures
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US7078337B2 (en) * 2003-09-30 2006-07-18 Agere Systems Inc. Selective isotropic etch for titanium-based materials
GB0330010D0 (en) * 2003-12-24 2004-01-28 Cavendish Kinetics Ltd Method for containing a device and a corresponding device
US7256922B2 (en) * 2004-07-02 2007-08-14 Idc, Llc Interferometric modulators with thin film transistors
US7553684B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US8071486B2 (en) 2005-07-18 2011-12-06 Teledyne Dalsa Semiconductor Inc. Method for removing residues formed during the manufacture of MEMS devices

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101965505B (zh) * 2008-01-21 2013-03-27 西利奥斯技术公司 具有集成的滤波器的波长光谱学设备
CN102449447A (zh) * 2009-05-29 2012-05-09 Vtt技术研究中心 微机械可调法布里珀罗干涉仪、中间产品及其制造方法
CN102449447B (zh) * 2009-05-29 2014-06-18 Vtt技术研究中心 微机械可调法布里珀罗干涉仪、中间产品及其制造方法
CN104597728A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 三星显示有限公司 剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法
CN104597728B (zh) * 2013-10-30 2020-05-01 三星显示有限公司 剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070062587A (ko) 2007-06-15
JP2008514991A (ja) 2008-05-08
US7553684B2 (en) 2009-06-30
TW200636285A (en) 2006-10-16
US20060067644A1 (en) 2006-03-30
JP5096151B2 (ja) 2012-12-12
WO2006036470A1 (en) 2006-04-06
CN101027593B (zh) 2010-07-21
KR101168647B1 (ko) 2012-07-27
US20090262412A1 (en) 2009-10-22
TWI387780B (zh) 2013-03-01
US7906353B2 (en) 2011-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101027593B (zh) 使用剥离处理技术制造干涉式调制器装置的方法
CN101228093B (zh) 具有支撑结构的mems装置及其制造方法
US8285089B2 (en) MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
CN101688974B (zh) 衬底上的集成干涉式调制器与太阳能电池
TWI422859B (zh) 微機電系統裝置、干涉式調變器、製作一光學調變器之方法及操作一微機電系統裝置之方法
US8081370B2 (en) Support structures for electromechanical systems and methods of fabricating the same
CN101258101A (zh) 用于在mems装置内形成层以实现锥形边缘的方法
CN101952194A (zh) 具有热膨胀平衡层或加强层的微机电装置
CN101755232A (zh) 微机电系统显示器装置及其制造方法
US20080142347A1 (en) MEMS switches with deforming membranes
US7625825B2 (en) Method of patterning mechanical layer for MEMS structures
CN101808933B (zh) 多组件牺牲结构
CN100547453C (zh) 两侧均具有可观看显示器的反射性显示装置
CN101018735A (zh) 制造独立微结构的方法
CN101023021A (zh) 使用薄膜晶体管生产技术制造反射显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1103448

Country of ref document: HK

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: GAOTONG MEMS SCIENCE AND TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: IDC CO., LTD.

Effective date: 20100531

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20100531

Address after: American California

Applicant after: Qualcomm MEMS Technology Corp.

Address before: American California

Applicant before: IDC LLC

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1103448

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100721

Termination date: 20150902

EXPY Termination of patent right or utility model