CN101030514B - 等离子显示面板、显示面板的电极埋置介电壁的制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供等离子显示面板、显示面板的电极埋置介电壁的制造方法和等离子显示面板的电极埋置介电壁的制造方法。等离子显示面板包括:前衬底;沿垂直方向与前衬底分开的后衬底;通过绝缘层相互分开的、被设置在前后衬底之间的前放电电极和后放电电极;包围前放电电极和后放电电极的高介电层;放电单元,每个放电单元的至少一部分被高介电层包围;设置在放电单元中的每一个中的磷光体层;和填充在放电单元中的放电气体。
Description
本申请要求在2006年2月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2006-0018869的优先权,在此引入其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及用于显示器的电极埋置介电壁的制造方法,更特别地,涉及具有优良的亮度和放电效率和用于埋置设置在放电单元以外的区域中的电极的介电壁的改进结构的等离子显示面板、显示面板的电极埋置介电壁的制造方法和等离子显示面板的电极埋置介电壁的制造方法。
背景技术
等离子显示面板(PDP)最近已取代了常规的阴极射线管(CRT)显示装置。在PDP中,放电气体被密封在上面形成多个放电电极的两个衬底之间,放电电压被施加,通过由放电电压产生的紫外线以预定的图案形成的磷光体被激发,由此获得希望的图像。
常规的AC表面放电型PDP包括前衬底、设置在前衬底上的保持电极、覆盖保持电极的前介电层、覆盖前介电层的保护层、与前衬底相对的后衬底、设置在后衬底上的相互平行的地址电极、覆盖地址电极的后介电层、在后介电层上形成的阻挡肋(barrier rib)和在后介电层的顶面和阻挡肋的侧面上形成的磷光体层。
但是,在常规的PDP中,保持电极、依次在保持电极上形成的前介电层和保护层存在于从放电空间中的磷光体层发射的可见光线穿过的前衬底上。由于这些因素,存在可见光线的透射率为约60%的问题。
另外,在放电空间的顶面上即在可见光线穿过的前衬底的内侧表面上形成导致放电的保持电极,使得放电从前衬底的内侧表面散开。因此,存在发光效率降低的固有问题。
为了解决该问题,如图1所示,在韩国专利公开公报No.2005-0113533中公开的等离子显示面板(PDP)10包括上阻挡肋40、和以相互分开并包围放电单元50的方式被设置在上阻挡肋40中的上下放电电极43和44,该上阻挡肋40被设置在沿垂直方向相互分开的前衬底20和后衬底30之间,与前衬底20和后衬底30一起限定放电单元50,并由电介质形成。即,上阻挡肋40沿垂直方向被设置在相邻的放电单元50之间(不在放电空间中),并且上下放电电极43和44以相互分开的方式被设置在上阻挡肋40中。
这样,各电极、前介电层和保护层不需要存在于前衬底20上,使得面板的孔径比大大提高。另外,导致放电的上下放电电极43和44被设置在放电空间的侧面上,使得放电面积增加且发光效率提高。保护层49可被施加到上阻挡肋40的侧面上。
地址电极33、覆盖地址电极33的后介电层35、在后介电层35上形成的下阻挡肋37和在后介电层35的顶面上以及在下阻挡肋37的侧面上形成的磷光体层39被设置在后衬底30上。
在这种情况下,在现有技术中,由电介质形成的多个阻挡肋被层叠,使得形成具有上述结构的上阻挡肋40。即,如图2所示,可以以第一阻挡壁部分40a、第二阻挡壁部分40b和第三阻挡壁部分40c被依次层叠在前衬底20的底面上的方式形成一个上阻挡肋40。在这种情况下,第一、第二和第三阻挡壁部分40a、40b和40c由电介质形成。
现在简要说明上阻挡肋40的制造方法。在前衬底20的底面上形成第一阻挡壁部分40a。此后,以印刷的方式在第一阻挡壁部分40a上形成上放电电极43,然后形成第二阻挡壁部分40b以埋置上放电电极43。此后,以印刷的方式在第二阻挡壁部分40b上形成下放电电极44,然后形成第三阻挡壁部分40c以埋置下放电电极44,由此制造用于埋置上下放电电极43和44的上阻挡肋40。在这种情况下,为了分别形成上阻挡肋40的第一阻挡壁部分40a、第二阻挡壁部分40b和第三阻挡壁部分40c,应执行以预定形状对电介质糊剂进行构图的操作,并且应在构图操作中执行焙烧,使得从电介质糊剂必要地去除树脂成分。
但是,焙烧温度超过500℃。由此,用于形成上阻挡肋40的材料的类型受到限制,使得上阻挡肋40可耐受焙烧温度。即,上阻挡肋40的主要成分应为例如作为常规前介电层的材料的PbO、B2O3和SiO2等。这些材料具有8~12的介电常数。因此,上阻挡肋40需要以预定的厚度、例如80~120μm的较大的厚度形成,使得上阻挡肋40的导电率可被适当地设定。因此,上阻挡肋40的成本增加而放电空间减小。
另外,由于上下放电电极43和44是以印刷的方式制造的,因此电极宽度为约例如大于60μm,并因此限制电极宽度变小。另外,电极的厚度不能增加。
上阻挡肋40可以以板形状被制造。在这种情况下,通过使用机钻去除用于与放电空间对应的上阻挡肋40的原始材料的一部分,由此制造上阻挡肋40。使用机钻使得制造时间增加而生产率降低。
发明内容
本发明提供具有这样一种结构的等离子显示面板(PDP),即,在这种结构中,被埋入具有增加的放电空间和较高的透光率的PDP的介电壁中的电极的高度以及埋置电极的介电层的厚度可被调整,并提供PDP的电极埋置介电壁的制造方法和显示面板的电极埋置介电壁的制造方法。
本发明还提供显示面板的电极埋置介电壁的制造方法,其中,电极和埋置电极的介电壁的制造工艺简单、可靠性较高且制造成本降低,以及等离子显示面板的电极埋置介电壁的制造方法。
根据本发明的一个方面,提供一种等离子显示面板,该等离子显示面板包括:前衬底;沿垂直方向与前衬底分开的后衬底;包含前放电电极和后放电电极的电极组,该前放电电极和后放电电极被设置在相互分开的前衬底和后衬底之间,以沿垂直方向相互对应;沿垂直方向被设置在前衬底和后衬底之间的绝缘层,该绝缘层被设置在前放电电极和后放电电极之间;包围前放电电极和后放电电极的高介电层;放电单元,每个放电单元的至少一部分被高介电层包围;设置在放电单元中的每一个中的磷光体层;和填充在放电单元中的放电气体。
绝缘层可包含选自包含聚酰亚胺、FR-6和玻璃纤维增强环氧树脂的组的材料。
绝缘层可具有比高介电层大的抗压缩性能。
高介电层可由具有2~4的介电常数和30~400V/μm的绝缘耐压的材料形成并可具有0.1~0.5mm的厚度。
根据本发明的另一方面,提供一种电极埋置介电壁的制造方法,该介电壁用于通过沿垂直方向相互分开的衬底之间的放电空间中的放电实现图像的显示面板、并在其中以规则的间隔沿垂直方向埋置设置在沿垂直方向的衬底之间的至少两个电极。该方法包括:设置基板;在基板的至少一侧形成由导电材料制成的电极籽层;在电极籽层上形成用于形成电极的抗蚀剂层;通过电镀电极籽层在没有形成抗蚀剂层的区域形成电极;去除基板上的抗蚀剂层和被设置在与抗蚀剂层相同的位置上的部分电极籽层;去除与放电空间对应的部分基板;和用电介质包围电极。
抗蚀剂层可由光敏剂形成,并且可通过使抗蚀剂层曝光和显影,执行与形成电极籽层的电极的位置对应的抗蚀剂层的去除。
电极籽层可在基板的两侧形成,并且,在设置基板和形成抗蚀剂层的步骤之间,该方法还可包括:在基板中形成至少一个通孔;和在通孔的内侧表面上,形成与在基板的顶面和底面上形成的电极籽层中的一个连接的孔对应籽层。
电极籽层可包含选自包含Ni、Cu、Cr和Pd的组的材料。
根据本发明的另一方面,提供一种介电壁的制造方法,该介电壁用于具有上述结构的等离子显示面板并在其中埋置前后放电电极,该方法包括:设置绝缘层;在绝缘层的两侧形成由导电材料制成的电极籽层;在电极籽层的一部分中形成抗蚀剂层,在该部分中没有形成前后放电电极;通过电极籽层的电镀侧,在没有形成抗蚀剂层的区域形成前后放电电极;去除绝缘层的两侧的抗蚀剂层和被设置在与抗蚀剂层相同的位置上的部分电极籽层;去除与放电空间对应的部分绝缘层;和通过高介电层包围绝缘层、电极籽层和前后放电电极并埋置它们。
附图说明
通过参照附图详细说明本发明的示例性实施例,本发明的上述和其它方面和优点将变得更加明显:
图1是常规的等离子显示面板(PDP)的放大透视图;
图2是沿图1的线II-II切取的PDP的断面图;
图3是根据本发明的实施例的PDP的部分切割放大透视图;
图4是图3中所示的PDP的电极组和介电壁的配置的透视图;
图5是沿图3的线V-V切取的PDP的断面图;
图6是沿图3的线VI-VI切取的PDP的断面图;
图7是图4的变更例子的透视图;
图8是表示根据本发明的实施例的显示面板的电极埋置介电壁的制造方法的流程图;
图9~16是图8的各个操作的断面图,即,图9是表示设置基板的操作的断面图;
图10是表示在基板的至少一侧形成由导电材料制成的电极籽层的操作的断面图;
图11A~11C是表示在没有形成电极的位置上形成抗蚀剂层的操作的断面图;
图12是表示在没有形成抗蚀剂层的位置上形成电极的操作的断面图;
图13是表示去除存在于基板上的抗蚀剂层和设置在与抗蚀剂层相同的位置上的电极籽层的操作的断面图;
图14是表示去除与放电空间对应的基板的一部分的操作的断面图;
图15是表示用电介质埋置剩余的基板、电极籽层和电极的操作的断面图;
图16是图15的变更例子的断面图;
图17A~17C是表示当在基板中形成通孔时、图8中所示的方法的一些操作的断面图。
具体实施方式
现在通过参照附图解释本发明的示例性实施例,更详细地说明本发明。
如图3~6所示,PDP 100包含前衬底120、后衬底130、电极组150、至少一个介电(dielectric)壁140、磷光体(phosphor)层139、放电单元160和放电气体(未示出)。
可见光线通过前衬底120射出。因此,前衬底120由透光材料形成。在这种情况下,前衬底120可由透明材料形成。后衬底130沿垂直方向与前衬底120分开。后衬底130的至少一部分可被设置为与前衬底120重迭。
介电壁140被设置在前衬底120和后衬底130之间。在这种情况下,介电壁140可与前衬底120、后衬底130一起限定放电单元160。如图3所示,介电壁140被设置为圆形形状,并且可限定圆形放电单元160。作为替代方案,介电壁140可以以诸如折线(meander)、△、六边形、蜂窝或网格形状的各种其它形状形成。另外,由介电壁140限定的放电单元160可以以各种形状形成。
介电壁140防止出现放电单元160之间的放电,并在放电过程中防止前后放电电极被正离子或电子损坏。介电壁140包含绝缘层142和高介电层144。如下文说明的那样,绝缘层142被设置在前放电电极152和后放电电极153之间,并且高介电层144至少包围前后放电电极152和153。
电极组150被埋入高介层144中。电极组150包含沿垂直方向相互分开的前放电电极152和后放电电极153。
在这种情况下,前放电电极152和后放电电极153可相互交叉(cross)。即,前放电电极152在一行中沿放电单元160延伸,并且后放电电极153可在与前放电电极152所沿的放电单元160的各行交叉的另一行中沿放电单元160延伸。在这种情况下,前放电电极152和后放电电极153中的一个可用作扫描电极,而其另一个可用作公用电极。同时,前放电电极152和后放电电极153中的一个可用作导致地址放电的地址电极。
作为替代方案,如图4所示,前放电电极152和后放电电极153可沿相互平行的一个方向延伸。在这种情况下,如图3所示,地址电极133可延伸使得前放电电极152和后放电电极153相互交叉。在这种情况下,地址电极133导致更易于执行前放电电极152和后放电电极153之间的保持放电的地址放电。具体而言,地址电极133降低激发保持放电的电压。
在这种情况下,地址放电是在扫描电极和地址电极之间出现的放电。如果地址放电被终止,那么正离子在扫描电极上积聚,而电子在公用电极上积聚。结果,可更容易地执行扫描电极和公用电极之间的保持放电。
地址电极133可被设置在后衬底130的一个侧面上并且可被后介电层135埋置。
如上所述,由于电极组150被设置在高介电层144中,因此它们不位于可见光线行进的光路上。因此,不需要考虑可见光线的传播。因此,电极组150的电极不需要由透明的氧化铟锡(ITO)电极形成。电极组150的电极可由作为具有良好导电性的金属的Ag、Cu或Cr形成。因此,可防止由ITO电极导致的画面不均匀性以及制造成本的增加。
另外,与常规的AC型PDP不同,由于电极组150被设置在介电壁140中,因此电极组150不存在于可见光线行进的光路上。因此,可见光线不会由于电极的存在而被截取,并且亮度得到提高。
当脉冲电压被施加到设置在介电壁140中的电极上时,介电壁140通过感生带电粒子感生有益于放电的壁电荷并通过使用存储效应使得能够驱动。介电壁140防止电极组150由于在放电过程中被加速的带电粒子的碰撞被损坏。
阻挡肋137可在后衬底130和介电壁140之间形成。在这种情况下,阻挡肋137可与介电壁140一起分隔放电单元160。阻挡肋137可由包含诸如Pb、B、Si、Al和O等的元素的玻璃成分形成。必要时,玻璃成分可包含诸如ZrO2、TiO2和Al2O3的填充剂和诸如Cr、Cu、Co、Fe和TiO2的颜料。
磷光体层139可被设置在阻挡肋137的侧面上以及后衬底130的上侧。但是,磷光体层139的位置不限于此,并且磷光体层139也可被设置在前衬底120的底面上以及介电壁140的侧面上。另外,虽然另一位置,但磷光体层139可被设置在发射通过放电单元160中的离子的放电产生的UV光线和可见光线的位置上。
保护层148在介电壁140的表面上形成,使得可以通过沿放电单元160的四个侧面在前衬底120内产生的离子与介电壁140的表面之间的交互作用发射二次电子。可以在放电单元160中的每一个内施加保护层148。虽然没有示出,但保护层148也可覆盖介电壁140的后侧。可以通过使用利用MgO等的淀积等设置保护层148。由于保护层148没有被设置在可见光线行进的光路上,因此保护层148也可由具有优良的二次电子发射特性和良好的耐久性的诸如碳纳米管(CNT)的材料形成。
诸如Ne-Xe或He-Xe的放电气体被填充到由前衬底120和后衬底130和介电壁140限定的放电单元160中。
另外,放电单元160可以不具有闭合的断面,放电单元160的断面可被限定为条带形状。但是,如图6所示,更优选放电单元160的断面形成闭合的形状,因为电极被设置在介电肋130中,以环绕放电单元160,使得发生三维放电且放电量可被增加。
磷光体层139可被分类成红色、绿色和蓝色发光磷光体层,使得PDP 100可产生彩色图像。红色、绿色和蓝色发光磷光体层可被设置在放电单元160内并相互混合,使得可形成用于实现彩色图像的单元像素。
高介电层144具有比绝缘层142高的介电常数。因此,当离子由于施加到前放电电极152和后放电电极153上的电压之间的差值移动时,很大一部分离子向设置在前后放电电极152和153的侧面上的高介电层144移动,并且向绝缘层142移动的离子的比率被最小化。因此,在放电空间中被放电的离子的数量增加,使得放电效率提高,并且前放电电极152和后放电电极153之间的间隔可被调整,使得放电特性可被调整。可以防止前后放电电极152和153之间的绝缘层142由于离子溅射受到损坏。
绝缘层142可由抗压缩材料形成。这样,在制造PDP 100时,可以防止前后放电电极152和153中的一个由于重力作用过分接近相邻的放电电极。
在这种情况下,绝缘层142可由有机材料形成。有机材料可包含聚酰亚胺、FR-6或玻璃纤维增强环氧树脂。该材料可被用于形成半导体封装中的引线框的原材料。绝缘层142由有机材料形成的原因之一是,可以在不执行将在后面说明的背衬(backing)工艺的情况下制造前后放电电极152和153以及用于埋置它们的介电壁140。
绝缘层142由有机材料形成,使得制造成本可降低。另外,由于具有柔性,因此有机材料耐受诸如外部冲击的应力。并且,可以通过使用激光钻在有机材料中形成孔,使得生产率可提高。
绝缘层142可形成为0.01~1mm的厚度。
高介电层144可由聚合物材料形成。聚合物具有较高的介电常数,使得其厚度可减小,并且它具有较高的柔性。在这种情况下,高介电层144可具有2~4的介电常数和0.1~0.5mm的厚度。并且,高介电层144具有30~400V/μm的绝缘耐压,使得可以防止较小的厚度的绝缘破坏。高介电层144可由聚合物材料形成的原因之一是,可以在没有将在后面说明的背衬工艺的情况下制造高介电层144。
如图4所示,高介电层144的前后侧可以为平面。作为替代方案,如图7所示,通过使用诸如涂敷的工艺使高介电层144形成为相同的厚度,使得可以根据是否形成电极组150在高介电层144中形成凹痕。
现在说明等离子显示面板100的电极组150和用于埋置电极组的介电壁的制造方法。为了便于解释,将对PDP 100的介电壁进行说明,但本发明不限于此。即,作为其中电子在在沿垂直方向相互分开的衬底之间的放电单元中移动并且实现图像的显示面板,如果显示面板包含沿垂直方向被设置在衬底之间并且其中以规则的间隔沿垂直方向埋置用于移动电子的至少两个电极的电极埋置介电壁140,那么可以使用根据本发明的制造方法。
图8是表示根据本发明的实施例的显示面板的电极埋置介电壁的制造方法。如图8所示,电极埋置介电壁的制造方法包括:设置基板(S10)、在基板的至少一侧形成由金属制成的电极籽(seed)层(S20)、形成其上要形成电极籽层的电极的抗蚀剂层(S30)、通过电镀电极籽层在没有形成抗蚀剂层的区域中形成电极(S40)、去除抗蚀剂层和设置在抗蚀剂层下面的电极籽层(S50)、去除与放电空间对应的基板的一部分(S60)和用电介质埋置基板、电极籽层和电极(S70)。
图9~16是表示显示面板的电极埋置介电壁的制造方法的断面图。现在将参照图9~16说明各个操作。首先,如图9所示,设置基板242。如果根据本发明制造的电极埋置介电壁240(参见图15)是图3~8中所示的PDP 100的电极埋置介电壁140,那么基板242是PDP 100的绝缘层142的原材料层。
基板242是印刷电路板(PCB)的原材料层,并且可由有机材料形成。基板242由有机材料形成,使得介电壁的塑性(ductility)变大,并且基板242不对外部应力敏感,材料成本降低并且制造成本可降低。在这种情况下,基板242可以由选自包含聚酰亚胺、FR-6和玻璃纤维增强环氧树脂的组的至少一种材料形成。用于基板242的材料不限于有机材料,在本发明中包含可用于形成印刷电路板(PCB)的原材料层的诸如陶瓷的材料。
在选择基板242的材料时可考虑介电常数和塑性等。在这种情况下,基板242可具有比后面说明的电介质低的介电常数。这是因为,在电极中产生的向放电空间移动的离子的量可被最大化。另外,基板242可由高抗压缩材料形成。这是因为可以防止处于基板242被放置在电极之间的状态的相邻电极由于诸如重力等的压缩力在规则的间隔相互接近。基板242由有机材料形成,使得基板242的厚度可形成为0.01~1mm的厚度。
此后,如图10所示,在基板242的至少一侧形成由导电材料制成的电极籽层251。电极籽层252可以由金属形成。例如,电极籽层251可由选自包含Ni、Cr、Cu或Pd的组的一种材料形成。
如果电极埋置介电壁240具有与图3~8所示的PDP 100的电极埋置介电壁140相同的结构,那么电极籽层251可在基板242的两侧由导电材料形成。因此,电极252和253(参见图12)可分别被设置在基板242的顶面和底面上。在这种情况下,如果根据本发明制造的电极252和253是PDP 100的电极,那么顶电极籽层251a是前放电电极152的籽层,并且底电极籽层251b可以是后放电电极153的籽层。
此后,如图11A~11C所示,在电极籽层251上不形成电极252和253(参见图12)的位置上形成抗蚀剂层270。在这种情况下,例如,不形成电极252和253的位置意味着在PDP的放电空间和介电阻挡肋中不形成前后放电电极252和253的位置。
抗蚀剂层270由光敏剂形成,并被显影和曝光,使得可以在抗蚀剂层270上形成预定的图案。即如图11A所示,它是其上用光敏剂(抗蚀剂层270)涂敷电极籽层251的基板242的表面,如图11B所示,光敏剂270的其中要形成电极的部分270a和其中不准备形成电极的部分270b中的一个被选择和并暴露在外面,并且,如图11C所示,光敏剂270中的要形成电极的部分被去除。在这种情况下,光敏剂可以是DFR(干膜光致抗蚀剂)。DFR是用于制造诸如PCB或引线框的高密度和高集成度电路板的光敏材料。作为替代方案,光敏剂可由干酪素或其它材料形成。
在这种情况下,当电极250(参见图12)被设置在基板242的两侧时,设置在基板242的顶面上的顶电极籽层251a和设置在基板242的底面上的底电极籽层251b可沿一个方向延伸。作为替代方案,顶电极籽层251a和底电极籽层251b可相互交叉(cross)。
此后,如图12所示,对电极籽层251进行电镀,并在没有形成抗蚀剂层270的区域中形成电极250。
电极250是通过使用电镀工艺形成的,使得电极250的厚度可增加。在图3~8所示的PDP中,埋入介电壁140中的前放电电极152或后放电电极153的厚度为约30μm。但是,当通过使用常规的印刷工艺形成电极时,不是以30μm的厚度一次印刷电极。因此,以10μm的厚度重复执行印刷处理以形成电极。因此,电极的制造工艺变复杂,并且,随着像素数量减少,对于减小电极宽度存在限制。但是,根据本发明,可以一次形成具有30μm的厚度的电极,使得制造工艺简化、制造成本降低,并且可形成具有较高的可靠性的电极。
然后,如图13所示,存在于基板242上的抗蚀剂层270和设置在与抗蚀剂层270相同的位置上的电极籽层251被去除。在这种情况下,抗蚀剂层270被剥除,使得通过使用蚀刻去除露在外面的电极籽层251。
然后,如图14所示,通过使用诸如钻孔机等的穿透装置穿透与放电空间对应的基板242的一部分并将其去除。由于基板242可由诸如有机材料等的PCB用材料形成,因此可以使用激光钻孔形成孔,并且,与使用机钻的情况相比生产率得到提高。
然后,如图15和图16所示,剩余的基板242、电极籽层251和电极250被介电层244埋置。介电层244防止电极被正离子或电子损坏,并且由可感应电荷的电介质形成。在图3~8所示的PDP 100的情况下,介电层是高介电层144。
在这种情况下,介电层244由具有2~4的介电常数和30~400V/μm的绝缘耐压的材料形成。介电层244可形成为包围基板242、电极籽层251和电极250达0.1~0.5mm的厚度。结果,根据本发明制造的介电壁240不需要如上所述被焙烧,使得用于介电层244的各种材料可被选择。因此,与现有技术相比,介电壁的厚度可减小,使得放电空间相对变大、电极之间导电率增加且消耗电压降低。因此,当根据本发明制造的介电壁被用于具有微细像素的显示面板中时,效果增加。
在这种情况下,如图15所示,可以用具有均匀的厚度的介电层244涂敷电极250和基板242。与此不同,如图16所示,介电层244的高度可相同。另外,介电层244可形成为包围与放电空间对应的基板242和电极250。
然后,虽然没有示出,但可以在与放电空间对应的电介质244的至少一侧形成保护层。
在根据本发明的方法中,可以与形成前衬底120(参见图3)和后衬底130(参见图4)的过程分开形成介电壁240。在这种情况下,不在上面实现图像的前衬底120(参见图3)上形成电极150和用于埋置电极150等的介电壁140,使得组合前衬底120和介电壁140所需要的时间减少。
当在基板242的顶面和底面上形成电极籽层251时,要在电极籽层251上分别形成的电极252和253可在同一高度上与外部端子连接。因此,该方法还可包含:如图17A所示的形成贯穿基板242的上下部分的通孔243的操作;和如图17B所示的在通孔243的内侧表面上形成与设置在基板242的顶面和底面上的电极籽层251中的一个连接的孔对应籽层256的操作。在这种情况下,可以通过电镀基板242执行在通孔243的内侧表面上形成孔对应籽层256的操作。
然后,如图17C所示,可通过无电镀(electroless plating)在通孔243内形成电极250。例如,参照图17C,孔对应籽层256可形成为粘附于顶电极籽层251a上,使得位于基板242的上下侧的电极252和253可与各外部端子连接。因此,此后,上电极可沿通孔243延伸到基板242的下侧,并可与外部端子连接。在这种情况下,可在形成通孔243之后、形成孔对应籽层256之前进一步执行焊缝修整工艺,以去除通孔243中的残留物或外来物质。
如上所述,根据本发明,不在在PDP中产生的可见光线穿过的区域中设置电极和用于埋置电极的介电壁,使得面板的透光特性十分优异、功率消耗减少且放电空间增加。因此,PDP的效率提高。
另外,用于埋置电极的介电壁是在没有经过焙烧工艺的情况下形成的,并且被埋入介电壁中的电极是通过电镀工艺形成的,使得用于介电壁的各种材料可被选择、制造成本降低且制造过程简化。
另外,介电壁的厚度减小,使得显示面板的放电空间增加、功率消耗减小且PDP的效率增加。
虽然已参照本发明的示例性实施例特别示出和说明了本发明,但本领域技术人员可以理解,在不背离由下面的权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可以在这里提出各种形式上和细节上的变化。
Claims (16)
1.一种等离子显示面板,包括:
前衬底;
沿垂直方向与前衬底分开的后衬底;
被设置在前衬底和后衬底之间并通过绝缘层相互分开的前放电电极和后放电电极;
包围前放电电极和后放电电极的介电层;
放电单元,每个放电单元的至少一部分被介电层包围;
设置在放电单元中的每一个中的磷光体层;和
填充在放电单元中的放电气体,
其中,绝缘层具有比介电层大的抗压缩性能。
2.根据权利要求1的等离子显示面板,其中,绝缘层包含选自包含聚酰亚胺、FR-6和玻璃纤维增强环氧树脂的组的材料。
3.根据权利要求1的等离子显示面板,其中,介电层由聚合物形成。
4.根据权利要求3的等离子显示面板,其中,介电层由具有2~4的介电常数和30~400V/μm的绝缘耐压的材料形成并具有0.1~0.5mm的厚度。
5.根据权利要求1的等离子显示面板,还包含覆盖放电单元内的介电层的至少一部分的保护层。
6.一种电极埋置介电壁的制造方法,该介电壁用于通过沿垂直方向相互分开的衬底之间的放电空间中的放电实现图像的显示面板、并在其中以规则的间隔沿垂直方向埋置设置在沿垂直方向的衬底之间的至少两个电极,该方法包括:
设置基板;
在基板的至少一侧形成由导电材料制成的电极籽层;
在电极籽层上形成用于形成电极的抗蚀剂层;
通过电镀电极籽层在没有形成抗蚀剂层的区域形成电极;
去除基板上的抗蚀剂层和被设置在与抗蚀剂层相同的位置上的部分电极籽层;
去除与放电空间对应的部分基板;和
用电介质包围电极。
7.根据权利要求6的方法,其中,基板包含选自包含聚酰亚胺、FR-6和玻璃纤维增强环氧树脂的组的材料。
8.根据权利要求6的方法,其中,抗蚀剂层由光敏剂形成,并且通过使抗蚀剂层曝光和显影,执行与形成电极籽层的电极的位置对应的抗蚀剂层的去除。
9.根据权利要求6的方法,其中,电极籽层在基板的两侧形成,并且,
在设置基板和形成抗蚀剂层的步骤之间,该方法还包括:
在基板中形成至少一个通孔;和
在通孔的内侧表面上,形成与在基板的顶面和底面上形成的电极籽层中的一个连接的孔对应籽层。
10.根据权利要求6的方法,其中,电极籽层包含选自包含Ni、Cu、Cr和Pd的组的材料。
11.一种介电壁的制造方法,该介电壁用于等离子显示面板并在其中埋置前后放电电极,该方法包括:
设置绝缘层;
在绝缘层的两侧形成由导电材料制成的电极籽层;
在电极籽层的一部分中形成抗蚀剂层,在该部分中不形成前后放电电极;
通过电极籽层的电镀,在没有形成抗蚀剂层的区域形成前后放电电极;
去除绝缘层的两侧的抗蚀剂层和被设置在与抗蚀剂层相同的位置上的部分电极籽层;
去除与放电空间对应的部分绝缘层;和
通过介电层包围绝缘层、电极籽层和前后放电电极。
12.根据权利要求11的方法,其中,绝缘层包含选自包含聚酰亚胺、FR-6和玻璃纤维增强环氧树脂的组的材料。
13.根据权利要求11的方法,其中,抗蚀剂层由光敏剂形成,并且通过使抗蚀剂层曝光和显影,执行与形成电极籽层的电极的位置对应的抗蚀剂层的去除。
14.根据权利要求11的方法,其中,电极籽层包含选自包含Ni、Cu、Cr和Pd的组的材料。
15.根据权利要求11的方法,其中,介电层由具有2~4的介电常数和30~400V/μm的绝缘耐压的材料形成,并且,
形成介电壁包含用介电层包围绝缘层、电极籽层和前后放电电极达到介电层的0.1~0.5mm的厚度。
16.根据权利要求11的方法,还包括形成覆盖与放电空间邻近的介电层的侧面的至少一部分的保护层。
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