CN101055387A - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示装置，能够提高开口率。该液晶显示装置包括液晶显示板，该液晶显示板具有第1基板、第2基板、以及夹持于上述第1基板和上述第2基板之间的液晶，上述第1基板具有有源元件、形成于较上述有源元件上层的第1绝缘膜、设置于较上述第1绝缘膜上层的第1电极、设置于较上述第1电极上层的第2绝缘膜、以及设置于较上述第2绝缘膜上层的像素电极，上述液晶显示板包括具有透射部和反射部的多个子像素，上述像素电极在上述透射部和上述反射部共用，上述第1电极，在上述透射部和上述反射部各自独立，上述像素电极，通过形成于在上述透射部和上述反射部各自独立的上述第1电极的间隙的接触孔，与上述有源元件电连接。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置，尤其涉及IPS方式的半透射型液晶显示装置。
背景技术
作为便携设备用的显示器，使用在1个子像素内具有透射部和反射部的半透射型液晶显示装置。
在这些半透射型液晶显示装置中，采用对夹持于一对基板之间的液晶在与一对基板的基板平面垂直的方向施加电场来驱动液晶的纵电场方式。为了使透射部和反射部的特性相应，在透射部和反射部设置台阶，并在偏振片和液晶层之间设置相位差片。
作为液晶显示装置，IPS方式的液晶显示装置是公知的，在该IPS方式的液晶显示装置中，在相同基板上形成像素电极(PIX)和对置电极(CT)，对其间施加电场使液晶在基板平面内旋转，从而进行明暗的控制。因此，具有从斜向观察画面时显示图像的浓淡不反转这样的特征。为了有效利用该特征，例如在下述专利文献1等中提出了使用IPS方式的液晶显示装置构成半透射型液晶显示装置的方案。
但是，如上述专利文献1所述，在使用IPS方式的液晶显示装置构成半透射型液晶显示装置时，例如存在透射部为常黑时反射部为常白，在透射部和反射部明暗倒转这样的问题。
为了解决上述问题，本申请人已经对具有新的像素结构的半透射型液晶显示装置提出了申请。(参照下述专利文献2)
在该已经提出了申请的半透射型液晶显示装置中，作为各子像素的像素结构，是相对于在透射部和反射部共用的像素电极，使对置电极在透射部和反射部各自独立，分别施加不同的基准电压(对置电压或共用电压)，从而防止在透射部和反射部明暗倒转。
此外，在该已经提出了申请的半透射型液晶显示装置中，透射部为常黑特性(在不施加电压的状态下为黑显示)，反射部为常白特性(在不施加电压的状态下为白显示)。
在IPS方式的液晶显示装置中，像素电极(PIX)被设置在一对基板的一个基板的液晶侧。此时，在对置电极(CT)处开孔，在其中形成接触孔，通过接触孔对像素电极(PIX)施加驱动电压。(参照下述专利文献3)
与本发明相关的现有技术如下所述。
专利文献1：日本特开2003-344837号公报
专利文献2：日本特愿2005-322049
专利文献3：日本特开2002-328385号公报
发明内容
但是，在上述专利文献2所述的液晶显示装置中，为了对配置于1个基板的液晶侧的像素电极(PIX)施加驱动电压，如上述专利文献3那样，当在对置电极(CT)开孔，在其中形成接触孔时，非显示部增加，透射率降低。
即，在已经提出了申请的半透射型液晶显示装置中，当采用以往的布局形成用于对像素电极(PIX)施加驱动电压的接触孔时，成为非显示部增加、透射率降低的原因。
本发明正是为解决上述现有技术的问题点而完成的，本发明的目的在于，提供一种在液晶显示装置中能够提高开口率的技术。
本发明的上述及其他目的和特征，将通过本说明书的记载及附图得以清楚。
如下所述，简单地说明在本申请所公开的发明中有代表性的内容的概要。
(1)一种液晶显示装置，包括液晶显示板，该液晶显示板具有第1基板、第2基板、以及夹持于上述第1基板和上述第2基板之间的液晶，上述第1基板具有有源元件、形成于较上述有源元件上层的第1绝缘膜、设置于较上述第1绝缘膜上层的多个第1电极、设置于较上述第1电极上层的第2绝缘膜、以及设置于较上述第2绝缘膜上层的像素电极，其中：上述像素电极，通过形成于上述多个第1电极之间的间隙的接触孔，与上述有源元件电连接。
(2)在技术方案(1)中，上述第1绝缘膜具有形成于上述多个第1电极之间的间隙的第1接触孔，上述第2绝缘膜形成于上述第1电极和上述像素电极之间、以及上述第1接触孔内，在上述第1接触孔内的上述第2绝缘膜上形成有第2接触孔，上述像素电极通过上述第2接触孔与上述有源元件电连接。
(3)一种液晶显示装置，包括液晶显示板，该液晶显示板具有第1基板、第2基板、以及夹持于上述第1基板和上述第2基板之间的液晶，上述第1基板具有有源元件、形成于较上述有源元件上层的第1绝缘膜、设置于较上述第1绝缘膜上层的第1电极、设置于较上述第1电极上层的第2绝缘膜、以及设置于较上述第2绝缘膜上层的像素电极，其中：上述液晶显示板具有多个子像素，上述多个子像素中的1个子像素具有透射部和反射部，在上述1个子像素内，上述像素电极在上述透射部和上述反射部共用，在上述1个子像素内，上述第1电极被分成在上述透射部和上述反射部各自独立的上述透射部的上述第1电极、和上述反射部的上述第1电极，对上述透射部的上述第1电极施加与上述反射部的上述第1电极不同的电压，在上述1个子像素内，上述像素电极，通过形成于上述透射部的上述第1电极和上述反射部的上述第1电极的间隙的接触孔，与上述有源元件电连接。
(4)在技术方案(3)中，上述第1绝缘膜，具有形成于上述透射部的上述第1电极和上述反射部的上述第1电极的间隙的第1接触孔，上述第2绝缘膜，形成于上述第1电极和上述像素电极之间、以及上述第1接触孔内，在上述第1接触孔内的上述第2绝缘膜上形成有第2接触孔，上述像素电极通过上述第2接触孔与上述有源元件电连接。
(5)在技术方案(3)或(4)中，上述像素电极具有连接部、形成于连接部两侧的上述透射部用的梳齿电极、以及上述反射部用的梳齿电极，在上述连接部的区域形成有上述接触孔，上述连接部通过上述接触孔与上述有源元件电连接。
(6)在技术方案(5)中，具有设置于上述第1绝缘膜的下层并与上述有源元件电连接的影像线，上述影像线的形成有上述像素电极的上述连接部的部分形成为宽幅，当从与上述液晶显示板正交的方向将上述影像线和上述像素电极投影到上述第1基板上时，上述影像线的上述宽幅部分与上述像素电极的上述连接部的端部重合。
(7)在技术方案(1)～(6)任意一项中，在上述第1电极的形成上述间隙的边的、形成有上述接触孔的部分具有凹部。
(8)在技术方案(1)～(7)任意一项中，通过上述像素电极、上述第1电极以及上述第2绝缘膜形成保持电容。
(9)在技术方案(1)～(8)任意一项中，上述像素电极是透明电极。
(10)在技术方案(1)～(9)任意一项中，上述第1电极是透明电极。
(11)在技术方案(1)～(9)任意一项中，上述第1电极是反射电极。
(12)在技术方案(1)～(9)任意一项中，上述第1电极是透明电极和反射电极。
(13)在技术方案(1)～(12)任意一项中，上述第1电极是对置电极，通过由上述第1电极和上述像素电极产生的电场驱动上述液晶。
如下所述，简单地说明由本申请所公开的发明中有代表性的内容取得的效果。
根据本发明的液晶显示装置，能够提高开口率。
附图说明
图1A是表示本发明的实施例1的半透射型液晶显示装置的子像素的电极结构的俯视图。
图1B是仅取出图1所示的像素电极、对置电极和反射电极来表示的图。
图2是表示沿图1A的A-A’连接线的剖面结构的要部剖视图。
图3是表示沿图1A的B-B’连接线的剖面结构的要部剖视图。
图4是表示沿图1A的C-C’连接线的剖面结构的要部剖视图。
图5是表示沿图1A的E-E’连接线以及图1A的F-F’连接线的剖面结构的要部剖视图。
图6是表示本发明的实施例1的半透射型液晶显示装置的液晶显示板的等效电路的图。
图7是表示图6所示的子像素((PXL)(n，k))的电压波形的图。
图8是表示本发明的实施例2的半透射型液晶显示装置的子像素的电极结构的俯视图。
图9是表示作为本发明的前提的半透射型液晶显示装置的子像素的电极结构的俯视图。
图10是表示在作为本发明的前提的半透射型液晶显示装置中，对透射部的对置电极和反射部的对置电极施加的基准电压的图。
图11是表示现有技术的在延长线上进行布局时，半透射型液晶显示装置的子像素的电极结构的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。
在用于说明实施例的所有附图中，对具有相同功能的部件标注相同的附图标记，省略其反复的说明。
[作为本发明的前提的半透射型液晶显示装置]
图9是表示作为本发明的前提的半透射型液晶显示装置(以下称作在先发明)的子像素的电极结构的俯视图。
在图9中，30是构成透射型液晶显示板的透射部，31是构成反射型液晶显示板的反射部。
在先发明中，在1个子像素内像素电极(PIX)是共用的，但对置电极(CT)在透射部30和反射部31各自独立。即，对置电极(CT)被分成透射部用对置电极和反射部用对置电极这两个部分。并且，在反射部31的对置电极(CT)上形成有反射电极(RAL)。
在图9中，图示了用共用的电极构成相邻的2条显示线中的1条显示线(具有图9中用A示出的子像素的显示线)的反射部31的对置电极(CT)、和另1条显示线(具有图9中用B示出的子像素的显示线)的透射部30的对置电极(CT)的情况。图9的箭头C表示扫描方向。
并且，如图10所示，在先发明中，在1个子像素内，对透射部30的对置电极(CT)和反射部31的对置电极(CT)施加不同的基准电压。
例如，在图9中用A示出的子像素中，对透射部30的对置电极(CT)施加高电平(以下称作H电平)的基准电压(V-CT-H)，对反射部31的对置电极(CT)施加低电平(以下称作L电平)的基准电压(V-CT-L)。
此外，在该图9中用A示出的子像素中，对像素电极(PIX)施加在透射部30观察时为负极性、在反射部31观察时为正极性的影像电压(V-PX)。在此所说的负极性是指像素电极(PIX)的电位比对置电极(CT)的电位低，不管像素电极(PIX)的电位比0V大还是小。同样，在此所说的正极性是指像素电极(PIX)的电位比对置电极(CT)的电位高，不管像素电极(PIX)的电位比0V大还是小。
同样，在图9中用B示出的子像素中，对透射部30的对置电极(CT)施加L电平的基准电压(V-CT-L)；对反射部31的对置电极(CT)施加H电平的基准电压(V-CT-H)。此外，在该图9中用B示出的子像素中，对像素电极(PIX)，施加在透射部30观察时为正极性、在反射部31观察时为负极性的影像电压(V-PX)。
在此，对像素电极(PIX)施加的影像电压(V-PX)是H电平的基准电压(V-CT-H)与L电平的基准电压(V-CT-L)之间的电位。
因此，在图9中用A、B示出的子像素中，在透射部30，像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差(图10的Va)变大，在反射部31，像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差(图10的Vb)变小。
由此，当施加了图10所示的电位时，在透射部30，由于像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差Va较大，所以变得明亮。此时，在反射部31，由于像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差Vb较小，所以同样变得明亮。
并且，在透射部30，当使像素电极(PIX)的电位(影像信号的电位)变化成与图10不同的电位，进一步增大像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差Va时，在反射部31，像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差Vb进一步变小，所以透射部30和反射部31都变得更明亮。
相反地，在透射部30，当使像素电极(PIX)的电位(影像信号的电位)变化成与图10不同的电位，减小像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差Va时，在反射部31，像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差Vb变大，所以透射部30和反射部31都变暗。
这样，在先发明中，在1个子像素内，将对置电极(CT)分成透射部用对置电极和反射部用对置电极这两个部分，对透射部30的对置电极(CT)和反射部31的对置电极(CT)分别施加相反极性的基准电压(在此所说的相反极性是指当1个为H电平时另1个为L电平)，所以能够防止在透射部30和反射部31明暗倒转。即，在先发明中，尽管透射部30为常黑、反射部31为常白，但通过研究对反射部31的对置电极(CT)施加的电压，解决了明暗倒转的问题。
[实施例1]
图1A是表示本发明的实施例1的半透射型液晶显示装置的子像素的电极结构的俯视图。
图1B是仅取出图1A所示的像素电极、对置电极、反射电极来表示的图。在图1B中，用A、B的虚线框表示的部分分别表示1个子像素。
如图1B所示，在本实施例中，在1个子像素内像素电极(PIX)也是共用的，而对置电极(CT)在透射部30和反射部31各自独立。即，对置电极(CT)被分成透射部用对置电极和反射部用对置电极这两个部分。并且，在反射部31的对置电极(CT)上形成有反射电极(RAL)。
在图1B中，图示了用共用的电极构成相邻的2条显示线中的1条显示线(具有图1B中用A示出的子像素的显示线)的反射部31的对置电极(CT)、和另1条显示线(具有图1B中用B示出的子像素的显示线)的透射部30的对置电极(CT)的情况。此外，图1B中箭头C表示扫描方向。
像素电极(PIX)由连接部53、形成于连接部53两侧的透射部用梳齿电极51以及反射部用的梳齿电极52构成。并且，在连接部53的区域形成有后述的接触孔。
此外，在对置电极(CT)的相对的边上形成有用于形成接触孔的凹部54。
图2是表示沿图1A的A-A’连接线的剖面结构的要部剖视图。图3是表示沿图1A的B-B’连接线的剖面结构的要部剖视图。图4是表示沿图1A的C-C’连接线的剖面结构的要部剖视图。图5是表示沿图1A的E-E’连接线以及图1A的F-F’连接线的剖面结构的要部剖视图。
在图5中，(a)表示沿图1A的E-E’连接线的剖面结构、即透射部30的剖面结构，(b)表示沿图1A的F-F’连接线的剖面结构、即反射部31的剖面结构。
以下，使用图5说明本实施例的半透射型液晶显示装置的整体结构。
在本实施例中，夹着含有液晶分子(LC)的液晶层地设有一对玻璃基板(SUB1，SUB2)。在此，玻璃基板(SUB2)的主表面侧成为观察侧。
在透射部30的玻璃基板(SUB2)侧，从玻璃基板(SUB2)向液晶层依次形成有黑矩阵(未图示)及滤色片(FIR)、绝缘膜18、取向膜(OR2)。
反射部31的玻璃基板(SUB2)侧的结构，除了在绝缘膜18与取向膜(OR2)之间形成有台阶形成层(MR)之外，与透射部30相同。在此，在玻璃基板(SUB2)的外侧形成有偏振片(POL2)。
此外，在透射部30的玻璃基板(SUB1)侧，从玻璃基板(SUB1)向液晶层依次形成有层间绝缘膜(11～16)、对置电极(CT)、层间绝缘膜17、像素电极(PIX)以及取向膜(OR1)。
反射部31的玻璃基板(SUB1)侧的结构，除了在对置电极(CT)与层间绝缘膜17之间形成有反射电极(RAL)之外，与透射部30相同。在此，在玻璃基板(SUB1)的外侧也形成有偏振片(POL1)。
在图2～图5中，D是影像线(也称作源极线或漏极线)，G是扫描线(也称作栅极线)，Poly-Si是半导体层，DD是薄膜晶体管的源极电极，CH1～CH3是接触孔，EFS是电力线。
像素电极(PIX)和对置电极(CT)例如由ITO(Indium Tin Oxide氧化铟锡)等透明导电膜构成。
此外，对置电极(CT)形成为面状，并且，像素电极(PIX)和对置电极(CT)隔着层间绝缘膜17而重叠，由此形成保持电容。
台阶形成层(MR)用于调整反射部的液晶层(LC)的单元间隙长度(d)，以使反射部31的光的光路长成为相当于λ/4波长板的光路长。此外，反射电极(RAL)例如由铝(Al)的金属膜构成，但不限于此，例如也可以是下层为钼(Mo)、上层为铝(Al)的两层结构。
如本实施例那样，当在1个子像素内，在透射部30和反射部31分割对置电极(CT)时，由于相互施加的电压不同，所以在相对的对置电极(CT)的间隙(或切缝)10产生像素电极(PIX)不能控制的电场。
这是因为，例如在黑显示时，在相对的对置电极(CT)的间隙10附近的透射部30出现漏光部位，结果，降低了透射部30的对比度。
因此，使像素电极(PIX)覆盖在相对的对置电极(CT)的间隙10上，从而即使在相对的对置电极(CT)的间隙10，也能够用像素电极(PIX)和相对的对置电极(CT)之间的电场来控制液晶的驱动，能够抑制漏光。
若要电连接位于对置电极(CT)下侧的薄膜晶体管的源极电极(DD)和位于对置电极(CT)上侧的像素电极(PIX)，则需要在对置电极(CT)开设开口，在其中形成用于连接薄膜晶体管的源极电极(DD)和像素电极(PIX)的接触孔(CH3)。
由于接触孔(CH3)的表面倾斜而使液晶取向紊乱，结果，基于电场的液晶驱动效率低，需要极力减少其占有面积(非效率显示区域B(AREA(B))。此外，即使在相对的对置电极(CT)的间隙10上，由于电场较弱，液晶驱动效率低，所以需要减少其占有面积(非效率显示区域A(AREA(A))。
因此，通过将相对的对置电极(CT)的间隙10用作形成接触孔(CH3)所必须的对置电极(CT)的开口，能够减少液晶驱动效率较低的部位的占有面积，能够在实质上提高开口率。
图11表示现有技术的在延长线上进行布局时，半透射型液晶显示装置的子像素的电极结构的俯视图。
通过比较图1A和图11可知，在本实施例中，将非效率显示区域B(AREA(B))和(非效率显示区域A(AREA(A))组合而成的非效率显示区域小于现有技术的在延长线上进行布局时的非效率显示区域。
说明图2～5中各部分的制造方法。(1)之前的工序与通常相同，因此省略。
(1)层间绝缘膜15：为了形成影像线(D)，在形成(AL)材料并进行图案加工后，通过CVD将SiN膜形成为200nm的厚度。
(2)层间绝缘膜16：在形成层间绝缘膜15后，涂敷感光性树脂，以绘有所希望图案的光掩模为掩模进行曝光，用碱性显影液部分地除去抗蚀剂。此时，除去相当于接触孔(CH2)的部位的抗蚀剂。
能够利用树脂的烧结条件来控制基板表面的凹凸，在本实施例中，为了使除接触孔部以外的基板表面大致平坦，设定为230℃、60分钟。
并且，层间绝缘膜16的膜厚在烧结后约为1.8μm(像素电极表面平坦部(除接触孔部以外))。
(3)对置电极(CT)：在溅射形成非晶ITO(77nm)后，涂敷感光性抗蚀剂。以绘有所希望图案的光掩模为掩模进行曝光，用碱性显影液部分地除去抗蚀剂(使用正性抗蚀剂时，曝光的部分被除去)。用ITO蚀刻液(例如乙二酸)在掩模上除去抗蚀剂图案。在本实施例中，为使接触孔(CH3)位于相对的对置电极之间而对图案进行了研究。
然后，用抗蚀剂剥离液(例如MEA(单乙醇胺))除去抗蚀剂。最后，利用在对下一工序形成的反射电极(RAL；AlSi/MoW)进行加工时所使用的酸液，实施230℃、60分钟的热处理使其结晶，使得非晶ITO不溶化。
(4)反射电极(RAL)：以MoW(50nm)、AlSi(150nm)的顺序溅射形成后，涂敷感光性抗蚀剂。以绘有所希望图案的光掩模为掩模进行曝光，用碱性显影液部分地除去抗蚀剂(使用正性抗蚀剂时，曝光的部分被除去)。用ITO蚀刻液(例如乙二酸)在掩模上除去抗蚀剂图案。
然后，用抗蚀剂剥离液(例如MEA(单乙醇胺))除去抗蚀剂。在本实施例中，为了在接触孔(CH3)附近仅1个对置电极(CT)形成反射电极(RAL)而对抗蚀剂图案进行了研究。
(5)层间绝缘膜17：采用与层间绝缘膜16相同的方法形成。但是，在本实施例中，在接触孔(CH2)的内侧也形成层间绝缘膜17，在该层间绝缘膜17上开孔，利用其图案加工下层的层间绝缘膜15来形成接触孔(CH3)。层间绝缘膜15的加工是用(SF6+O2)或CF4气体来进行干蚀刻。
(6)像素电极(PIX)：在溅射形成ITO(77nm)后，涂敷感光性抗蚀剂。以绘有所希望图案的光掩模为掩模进行曝光，用碱性显影液部分地除去抗蚀剂(使用正性抗蚀剂时，曝光的部分被除去)。用ITO蚀刻液(例如乙二酸)在掩模上除去抗蚀剂图案。然后，用抗蚀剂剥离液(例如MEA(单乙醇胺))除去抗蚀剂。像素电极是以梳齿状的图案形成在对置电极(CT)上的。
图6表示本实施例的半透射型液晶显示装置的液晶显示板的等效电路。
在图6中，Dn、Dn+1、Dn+2分别表示第n条、第(n+1)条、第(n+2)条影像线，Gm、Gm+1分别表示第m条、第(m+1)条扫描线，CTk、CTk+1、CTk+2分别表示第k个、第(k+1)个、第(k+2)个对置电极，A表示1个子像素，CLCT表示透射部30的液晶电容，CLCR表示反射部31的液晶电容。
影像线(D)延伸的方向、与扫描线(G)、对置电极(CT)延伸的方向交叉或正交。此外，对置电极(CT)被配置成条状。
薄膜晶体管(TFT)的源极电极连接于影像线(D)，通过薄膜晶体管(TFT)对像素电极(PIX)提供影像线(D)的电压。
薄膜晶体管(TFT)的栅极电极连接于扫描线(G)，扫描线(G)使薄膜晶体管(TFT)导通/截止。
在本实施例中，在1个子像素内，在透射部30和反射部31像素电极(PIX)是共用的，但对置电极(CT)不同，且其电位也不同。
通过使扫描线(Gm)的电压成为H电平，薄膜晶体管(TFT)导通，影像电位被写入到像素电极(PIX(n，k))。
在扫描线(Gm)的电压成为L电平后，在H电平期间被写入的电压，也通过设于子像素(PXL)内的保持电容，一直保持到在下一帧中扫描线(Gm)成为H电平为止。如上所述，保持电容由形成为面状的对置电极(CT)、像素电极(PIX)、形成于对置电极(CT)和像素电极(PIX)之间的层间绝缘层17构成。
对置电极(CTk)和对置电极(CTk+1)的电压电平各自不同，例如对置电极(CTk)为H电平时，对置电极(CTk+1)成为L电平(其中，扫描线(Gm)即将成为H电平之前除外)。
透射部30的液晶分子(LC)由对置电极(CTk)与像素电极(PIX(n，k))的电位差驱动，反射部31的液晶分子(LC)由对置电极(CTk+1)与像素电极(PIX(n，k))的电位差驱动。
在本实施例中，这样地控制对透射部30和反射部31各自的液晶分子施加的电压。
图7表示图6所示的子像素((PXL)(n，k))的电压波形。在图7中，Va表示透射部30的像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差，Vb表示反射部31的像素电极(PIX)与对置电极(CT)之间的电位差。此外，H表示1水平扫描期间，V表示1垂直扫描期间(帧时间)。
在本实施例中，设透射部30的单元间隙长度为4μm，透射部30的延迟(retardation)(Δn·d)为320nm，设反射部31的单元间隙长度为2.4μm，反射部31的延迟(Δn·d)为192nm。在此，Δn为液晶的各向异性折射率(在本实施例中，Δn＝0.08)，d为液晶单元间隙长度。此外，液晶是使用正性液晶。
使上侧偏振片(POL2)的偏振轴与液晶的初始取向轴(摩擦轴)一致而为75度，使下侧偏振片(POL1)的偏振轴与上侧偏振片(POL2)的偏振轴一致而为165度，使透射部30为常黑显示。75°、165°用以水平方向(扫描线(G)的延伸方向)为0°沿逆时针旋转测得的角度表示。
透射部30和反射部31都是上述的轴设定，因此，从玻璃基板(SUB2)侧入射、在反射电极(RAL)反射的光，在没有对液晶施加电场时，在其光路中不能由液晶来改变偏振状态，所以通过上侧偏振片(POL2)。即，使反射部31为常白显示。
在图像质量方面，优选使透射部31和反射部31的显示装态一致。即，优选在透射部30进行黑显示时，反射部31也进行黑显示，在透射部30进行白显示时，反射部31也进行白显示。
因此，在透射部30和反射部31共用像素电极(PIX)，将对置电极(CT)分成透射部30的对置电极(CT)和反射部31的对置电极(CT)这两个部分，从而分别控制透射部30和反射部31的液晶驱动。
图5是表示在透射部30的像素电极(PIX)(51)和对置电极(CT)不产生电场，而仅在反射部31的像素电极(PIX)(52)和对置电极(CT)产生电场，从而实现了使透射部30和反射部31都进行黑显示的情况的图。
[实施例2]
图8是表示本发明的实施例2的半透射型液晶显示装置的子像素的电极结构的俯视图。
在本实施例中，如图8的DW所示，在使影像线(D)的间隙10、像素电极(PIX)的连接部53的区域局部变粗这一点上，与图1A所示的上述实施例1的半透射型液晶显示装置不同。
以下，以与上述实施例1的半透射型液晶显示装置的不同点为中心说明本实施例的半透射型液晶显示装置。
如上述实施例1所述，在做成用像素电极(PIX)覆盖相对的对置电极(CT)的间隙10的结构时，在相对的对置电极(CT)的间隙10，像素电极(PIX)的连接部53横向(扫描线(G)的延伸方向)延伸，所以与相邻的子像素的连接部53接近。
由此，在与相邻的子像素的像素电极(PIX)、或与相邻的子像素的对置电极(CT)之间产生电场，在透射部30有可能出现漏光。
因此，在本实施例中，如图8的DW所示，使影像线(D)的像素电极(PIX)的连接部53的区域局部变粗，来防止上述漏光。即，通过配置于对置电极(CT)下侧的影像线(D)的宽幅部分(DW)来遮挡透射光，防止漏光。
以上，基于上述实施例具体说明了本发明人所提出的发明，但本发明不限于上述实施例，不言而喻，在不脱离其要旨的范围内可以进行各种变更。

Claims (20)

1.一种液晶显示装置，包括液晶显示板，该液晶显示板具有第1基板、第2基板、以及夹持于上述第1基板和上述第2基板之间的液晶，上述第1基板具有有源元件、形成于较上述有源元件上层的第1绝缘膜、设置于较上述第1绝缘膜上层的多个第1电极、设置于较上述第1电极上层的第2绝缘膜、以及设置于较上述第2绝缘膜上层的像素电极，其中：
上述像素电极，通过形成于上述多个第1电极之间的间隙的接触孔，与上述有源元件电连接。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1绝缘膜具有形成于上述多个第1电极之间的间隙的第1接触孔，
上述第2绝缘膜形成于上述第1电极和上述像素电极之间、以及上述第1接触孔内，
在上述第1接触孔内的上述第2绝缘膜上形成有第2接触孔，
上述像素电极通过上述第2接触孔与上述有源元件电连接。
3.一种液晶显示装置，包括液晶显示板，该液晶显示板具有第1基板、第2基板、以及夹持于上述第1基板和上述第2基板之间的液晶，上述第1基板具有有源元件、形成于较上述有源元件上层的第1绝缘膜、设置于较上述第1绝缘膜上层的第1电极、设置于较上述第1电极上层的第2绝缘膜、以及设置于较上述第2绝缘膜上层的像素电极，其中：
上述液晶显示板具有多个子像素，
上述多个子像素中的1个子像素具有透射部和反射部，
在上述1个子像素内，上述像素电极在上述透射部和上述反射部共用，
在上述1个子像素内，上述第1电极被分成在上述透射部和上述反射部各自独立的上述透射部的上述第1电极、和上述反射部的上述第1电极，对上述透射部的上述第1电极施加与上述反射部的上述第1电极不同的电压，
在上述1个子像素内，上述像素电极，通过形成于上述透射部的上述第1电极和上述反射部的上述第1电极的间隙的接触孔，与上述有源元件电连接。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1绝缘膜，具有形成于上述透射部的上述第1电极和上述反射部的上述第1电极的间隙的第1接触孔，
上述第2绝缘膜，形成于上述第1电极和上述像素电极之间、以及上述第1接触孔内，
在上述第1接触孔内的上述第2绝缘膜上形成有第2接触孔，
上述像素电极通过上述第2接触孔与上述有源元件电连接。
5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述像素电极具有连接部、形成于连接部两侧的上述透射部用的梳齿电极、以及上述反射部用的梳齿电极，
在上述连接部的区域形成有上述接触孔，
上述连接部通过上述接触孔与上述有源元件电连接。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于：
具有设置于上述第1绝缘膜下层并与上述有源元件电连接的影像线，
上述影像线的形成有上述像素电极的上述连接部的部分形成为宽幅，
当从与上述液晶显示板正交的方向将上述影像线和上述像素电极投影到上述第1基板上时，上述影像线的上述宽幅部分与上述像素电极的上述连接部的端部重合。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
在上述第1电极的形成上述间隙的边中的、形成有上述接触孔的部分具有凹部。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
通过上述像素电极、上述第1电极以及上述第2绝缘膜形成保持电容。
9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述像素电极是透明电极。
10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1电极是透明电极。
11.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1电极是反射电极。
12.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1电极是透明电极和反射电极。
13.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1电极是对置电极，通过由上述第1电极和上述像素电极产生的电场驱动上述液晶。
14.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
在上述第1电极的形成上述间隙的边中的、形成有上述接触孔的部分具有凹部。
15.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
通过上述像素电极、上述第1电极以及上述第2绝缘膜形成保持电容。
16.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述像素电极是透明电极。
17.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1电极是透明电极。
18.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1电极是反射电极。
19.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1电极是透明电极和反射电极。
20.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
上述第1电极是对置电极，通过由上述第1电极和上述像素电极产生的电场驱动上述液晶。
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Free format text: FORMER NAME: APAN DISPLAY EAST, INC.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Chiba County, Japan

Patentee after: Japan Display East Inc.

Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: Hitachi Displays, Ltd.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Tokyo port xixinqiao Japan three chome 7 No. 1

Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: Japan Display East Inc.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20071017

Assignee: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Assignor: JAPAN DISPLAY Inc.|Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Contract record no.: 2013990000688

Denomination of invention: Liquid crystal display device

Granted publication date: 20090603

License type: Common License

Record date: 20131016

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231211

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee after: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY CORPORATION OF AMERICA

Address before: Tokyo port xixinqiao Japan three chome 7 No. 1

Patentee before: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.