CN101060157A - 发光二极管封装件及其制造方法 - Google Patents

发光二极管封装件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101060157A
CN101060157A CNA2007100969138A CN200710096913A CN101060157A CN 101060157 A CN101060157 A CN 101060157A CN A2007100969138 A CNA2007100969138 A CN A2007100969138A CN 200710096913 A CN200710096913 A CN 200710096913A CN 101060157 A CN101060157 A CN 101060157A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
base
extension
package body
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007100969138A
Other languages
English (en)
Inventor
韩庚泽
吕寅泰
咸宪柱
宋昌虎
韩盛渊
罗允晟
金大渊
安皓植
朴英衫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of CN101060157A publication Critical patent/CN101060157A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Abstract

本发明提供了一种LED封装件及其制造方法。该LED封装件包括由热和电导体制成的第一和第二引线框架,每个引线框架均包括平坦底座以及从该底座沿相反方向和朝上方向延伸的延伸部。该封装件还包括由树脂制成的封装件主体,并且该封装件主体被构造成环绕第一和第二引线框架的延伸部,以固定第一和第二引线框架,同时露出第一和第二引线框架的下侧表面。该LED封装件进一步包括:发光二极管芯片,设置在第一引线框架的底座的上表面上,且电连接于第一和第二引线框架的底座;以及透明的封装材料,用于封装发光二极管芯片。

Description

发光二极管封装件及其制造方法
优先权要求
本申请要求2006年4月17日向韩国知识产权局提交的第2006-0034706号韩国专利申请的权益,其公开内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管(LED)(更具体地说,涉及一种具有优异热辐射效率的简单结构的LED封装件)及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是用于响应电流施加而产生各种颜色光的半导体器件。从LED中产生的颜色由构成LED的半导体的化学物质决定。与基于灯丝的发光器件相比,这种LED具有各种优点,诸如长使用寿命、低功耗、优良的初始驱动特性、对于震动的高抵抗力、以及对于频繁的电源开/关的高容许度,因此对于LED具有稳定增长的需求。
近来,LED用作需要大输出量的发光器件和大尺寸液晶显示器(LCD)的背光,因此所使用的LED需要特别优异的热辐射能力。
图1和图2示出了安装在电路板上的传统LED封装件。
首先,参照图1,LED封装件1具有散热块(heat slug)3,该散热块用于将LED芯片2安装在其上,同时起到热引导装置的作用。LED芯片2通过一对导线7和一对接线端8接收来自外部电源(未示出)的电力。散热块3的上部(包含LED芯片2)通过通常由硅树脂制成的封装材料5封装,并且透镜6附着在封装材料5上方。壳体4通过一般的模制形成在散热块3周围,以支撑散热块3和接线端8。
图1的这种LED封装件1安装在作为散热器的电路板10上,以构成如图2所示的LED组件。此时,诸如焊料的导热焊盘9介于LED封装件1的散热块3与电路板10的金属热辐射板(未示出)之间,有助于它们之间的热传导。此外,接线端8也通过焊料(未示出)更稳定地连接于电路板的电路图案(未示出)。
如上所述,图1和图2所示的LED封装件1以及具有安装于电路板10上的LED封装件1的LED组件致力于有效的散热(即热辐射)。也就是说,LED封装件1具有散热器,即,直接或通过导热焊盘9与电路板10的热辐射板连接的散热块3,以便吸收和排放由LED芯片2产生的热量。这使得由LED芯片2产生的热量大部分经由散热块3排放到电路板10中,而仅有少量的热量通过LED封装件1的表面(即,通过壳体4或透镜6)排放到空气中。
但是,这种传统的热辐射结构较复杂,且需要很多部件。因此,难以使通过很多部件的组装进行的LED封装件的制造工艺自动化,因此增加了制造时间和成本。
图3是示出了另一传统LED封装件的截面图。
在美国专利申请公布第2005/0057144号的“SEMICONDUCTORLIGHT-EMITTING DEVICE”(于2005年5月17日公开)中提出了图3中所示的LED封装件。在这种LED器件或LED封装件中,杯形的反射框架2安装在其上形成有电路图案3和6的基板1的表面上,并且LED芯片4安装在杯形部分中且电连接于电路图案3。与此同时,参考标号7表示磷光体,参考标号8表示散射体,而参考标号9表示树脂。
具有上述结构的LED封装件比图1中的LED封装件需要的部件数量少,并且可以有利地制造成相对简单的结构。但是,从LED芯片4中产生的热量经由热辐射路径H传递到电路板10(图3中未示出,见图2),从而造成较低的热辐射效率。
发明内容
为了解决现有技术的上述问题,提出了本发明,因此,本发明的一方面在于提供一种可以以简单的结构实现优异热辐射效率的LED封装件。
本发明的另一方面在于提供一种制造可以实现优异热辐射效率的LED封装件的方法。
根据本发明的一方面,本发明提供了一种发光二极管封装件,其包括:第一和第二引线框架,由热和电导体制成,每个引线框架均包括平坦底座(planar base)以及从该底座沿相反方向和朝上方向延伸的延伸部,第二引线框架具有比第一框架小的宽度,且设置成与第一框架隔开预定的间隔;封装件主体,由树脂制成,且构造成环绕第一和第二引线框架的延伸部,以固定第一和第二引线框架,同时露出第一和第二引线框架的下侧表面;发光二极管芯片,设置在第一引线框架的底座的上表面上,且电连接于第一和第二引线框架的底座;以及透明的封装材料,用于封装发光二极管芯片。
在根据本发明的发光二极管封装件中,延伸部的端部位于封装件主体的侧部。
在根据本发明的发光二极管封装件中,第一引线框架的延伸部中的至少一个延伸到封装件主体之外,以形成接线端。
在根据本发明的发光二极管封装件中,封装件主体具有形成在发光二极管芯片周围的凹部,并且突出部以预定宽度形成在该凹部的上端上。在这种情况下,优选地,透明封装材料的一部分填充凹部,而透明封装材料的另一部分以预定曲率突出于突出部的上方。
在根据本发明的发光二极管封装件中,第一和第二引线框架的底座的下侧表面与封装件主体的下侧表面共面。
在根据本发明的发光二极管封装件中,第一和第二引线框架设置成彼此平行。
根据本发明的另一方面,本发明提供了一种制造发光二极管封装件的方法。该方法包括:
将预定厚度的热和电导体制成的板加工成框架结构,该框架结构包括第一和第二引线框架部,每个引线框架部均具有平坦底座以及从该底座沿相反方向延伸的延伸部,第二引线框架部以比第一引线框架部小的宽度形成,且设置成与第一引线框架部隔开预定的间隔;
以如下方式折弯第一和第二引线框架部的延伸部,即,使得底座定位成比延伸部低,从而延伸部从底座沿朝上方向延伸;
注塑模制(injection-molding)树脂,以形成封装件主体,该封装件主体环绕邻近于底座的第一和第二引线框架部的延伸部,并且从而以如下方式固定第一和第二引线框架部,即,使得第一和第二引线框架部的底座的上表面的至少一部分和底表面从封装件主体中露出,并且第一和第二引线框架部的延伸部的远端延伸到封装件主体的侧部之外;
将发光二极管芯片设置在第一引线框架部的底座的露出上表面上,并将发光二极管芯片与第一和第二引线框架部电连接;
用透明封装材料封装发光二极管芯片;以及
切割框架结构的延伸部,以获得发光二极管封装件。
在根据本发明的方法中,形成封装件主体的步骤包括在发光二极管芯片周围形成凹部以及在该凹部的上端上以预定宽度形成突出部。在这种情况下,优选地,封装步骤包括以如下方式分配透明封装材料,即,使得透明封装材料的一部分填充凹部,而透明封装材料的另一部分以预定曲率突出于突出部的上方。
在根据本发明的方法中,形成封装件主体的步骤包括以如下方式形成封装件主体,即,使得第一和第二引线框架的底座的下侧表面与封装件主体的下侧表面共面。
在根据本发明的方法中,形成框架结构的步骤包括以彼此平行的方式形成第一和第二引线框架部。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述,本发明的上述和其它的方面、特征和其它优点将变得更容易理解,附图中:
图1是示出了传统LED封装件的截面透视图;
图2是示出了安装在电路板上的图1所示LED封装件的截面视图;
图3是示出了另一传统LED封装件的截面视图;
图4是示出了根据本发明第一实施例的LED封装件的截面视图;
图5是图4的LED封装件的平面图;
图6是图4的LED封装件的仰视图;
图7是沿图5的线A-A截取的截面视图;
图8是沿图5的线B-B截取的截面视图;
图9是对应于图7的截面视图,示出了具有也起到透镜作用的封装材料的LED封装件;
图10和图11是示出了安装在电路板上的图9的LED封装件的截面视图;
图12是对应于图7的截面视图,示出了具有封装材料和透镜的LED封装件;
图13是示出了根据本发明第二实施例的LED封装件的截面视图;
图14是示出了根据本发明第三实施例的LED封装件的截面视图;
图15至图19是示出了制造根据本发明的LED封装件的逐步式方法的剖视图;
图20是示出了制造根据本发明另一实施例的LED封装件的方法的第一步骤的透视图;
图21是示出了制造根据本发明再一实施例的LED封装件的方法的第一步骤的透视图;以及
图22是示出了根据本发明第四实施例的LED封装件的截面视图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。
根据本发明第一实施例的LED封装件在图4至图8中示出。
根据该实施例的LED封装件100包括一对金属引线框架110和120以及环绕引线框架110和120的绝缘(insular)封装件主体130。
第一引线框架110包括平坦底座112和从底座112的相对端部延伸的一对延伸部114。优选地,底座112设置在尽可能大的区域中,以使得底座具有与后面所描述的作为散热器的电路板(见图10)尽可能大的接触面积。延伸部114以比底座112小的宽度形成,并且延伸部被封装件主体130环绕,以将引线框架110固定于封装件主体130。当然,延伸部114可以以与底座112相同的宽度形成,当后面所描述的封装件主体130具有符合要求的强度等级时,这种情况是优选的。
第二引线框架120以平行于第一引线框架110且与之具有预定间隔的方式而形成,并且包括底座122和一对延伸部124。底座122和延伸部124以相同的宽度形成,但本发明不限于此。
这里,图中示出了延伸部114和124延伸到封装件主体130之外,但本发明不限于此。延伸部114和124的端表面可以与封装件主体130的侧表面共面。
可以参照图16更清楚地理解第一和第二引线框架110和120的结构。即,通过将图16中的框架结构102b的延伸部114b和124b以适当长度切割而获得第一和第二引线框架110和120。
封装件主体130被注塑模制在引线框架110和120周围,以环绕引线框架110和120。此时,封装件主体130具有形成于其中的凹部或或杯形部132,以露出引线框架110和120的底座112和122的中央部分。该杯形部132是用于安装LED芯片140的空间。环形突出部134形成在杯形部132的上部上,并且具有预定的宽度W。
封装件主体130以如下方式形成,即,使得第一和第二引线框架110和120的底座112和122的下侧表面被露出。即,如图6所示,底座112和122的下侧表面通过封装件主体130的下侧表面而露出。
LED芯片140位于第一引线框架110的底座112的上表面上,并且通过导线142电连接至第二引线框架120的底座122。
所示的LED芯片140是所谓的竖直结构LED芯片。关于这种LED芯片,正电极和负电极分别形成在上、下表面上。如图所示,在上表面为通过导线142连接于底座的正电极的情况下,LED芯片通过其下表面中的负电极电连接至第一引线框架110的底座112。可替换地,在其中两个电极均形成于其同一表面上的水平结构LED芯片的情况下,LED芯片可以使用另一导线(未示出)电连接至第一引线框架110的底座112。
当LED芯片140位于底座112上以电连接至底座112和122时,底座112起到将LED芯片140产生的热量传递给后面将描述的电路板160(见图10和图11)的作用以及用于向LED芯片140供应电力的电连接器的作用。
根据本发明的LED封装件100还包括图9所示的透明封装材料150。封装材料150通过将树脂注入杯形部132内而获得,以形成凸起的形状并固化树脂。即,封装材料150不仅封装LED芯片140和导线142,而且还用作将LED芯片140中发射出的光以所需的波束角导向外界的透镜。
此时,根据突出部134的宽度W以及制造封装材料150的树脂的粘度和量来确定用作透镜的封装材料150的部分的高度h。例如,可以调节突出部134的宽度W以及封装材料150的粘度和量,从而以预定曲率形成具有所需高度h的封装材料150。
封装材料150的树脂优选地是凝胶类型的透明弹性体,例如硅树脂。硅树脂不大容易由于短波长的光而招致变化(诸如变黄),并且具有较高的折射率,从而具有优异的光学特性。此外,与环氧树脂不同,硅树脂即使在固化之后仍保持凝胶或弹性体状态,从而更稳定地保护LED芯片140不受热、震动和外界冲击造成的应力的影响。对于透明封装材料150,磷光体和/或散射体可以分散到弹性体中。
现在,将参照图10和图11分析LED封装件100的热辐射操作。
将LED封装件100安装在电路板160上,如图10和图11所示。所示的电路板160包括金属基板162、形成在金属基板162表面上的绝缘膜164、以及形成在绝缘膜164表面上的导电图案166。
当根据本发明的LED封装件100安装在此类电路板160上时,将LED封装件100定位成使得第一和第二引线框架110和120的底座112和122与导电图案166相接触,然后再进行焊料结合。这使得焊料170将第一和第二引线框架110和120的底座112和122与导电图案166结合在一起,进而将表面安装式LED封装件100安装在电路板160上。这里,引线框架110和120的底座112和122通过导电图案166连接至外部电源(未示出),从而向LED芯片140提供电能。
然后,当施加电压时,LED芯片140产生光以及热量。参照图10,产生的热量H通过LED芯片140下方的引线框架底座112排放到金属基板162内。这种热辐射路径与图2和图3所示的现有技术中的热辐射路径相比在长度上变短了,从而提高了热辐射效率。
与此同时,参照图11,从LED芯片140中产生的热量通过引线框架底座112被扩散和辐射。即,一部分热量H1直接向下传递到电路板160,而另一部分热量H2沿底座112散布并被传递到电路板160。同时,其它部分热量H3沿底座112散布并被传递到延伸部114。由于底座112以相对较大的面积形成,所以从LED芯片140中产生的热量通过较大的面积被传递到电路板160。此外,可以理解,延伸部114还有助于提高热扩散效率。
除了用封装材料150-1和透镜154取代图10和图11中的封装材料150的这个特征之外,图12中所示的LED封装件100-1具有与图10和图11相同的结构。透镜154可以由各种透明材料制成,用于将从LED芯片140中发射出的光以所需的波束角导向外界。在图12中,单独制造透镜154,然后通过粘合层152将其粘附于封装材料150-1和突出部134。可替换地,透镜可以通过传递模塑法等形成在封装材料150-1和突出部134的上表面上。
图13以对应于图7的截面视图的方式示出了根据本发明另一实施例的LED封装件。除了第一和第二引线框架110-2和120-2的底座112-2和122-2的下侧表面的相对部位被斜切以形成倾斜表面113和123的这个特征之外,根据该实施例的LED封装件100-2具有与上述LED封装件100、100-1相同的结构。
这种倾斜表面113和123使得外部杂质和湿气可能最终到达芯片140所通过的路径加长和复杂。此外,倾斜表面113和123被封装件主体130的树脂环绕,提高了引线框架底座112-2和122-2与封装件主体130之间的结合和密封质量。
与此同时,倾斜表面113和123可以仅形成在第一和第二引线框架110-2和120-2的底座112-2和122-2的一个部位中,例如,仅形成在与LED芯片140相邻的部位中。
图14以对应于图7的截面视图的方式示出了根据本发明又一实施例的LED封装件。除了在第一和第二引线框架110-3和120-3的底座112-3和122-3的相对部位中形成有阶梯部115和125的这个特征之外,根据该实施例的LED封装件100-3具有与上述LED封装件100、100-1、100-2相同的结构。
与倾斜表面113和123相同,这些阶梯部115和125使得外部杂质和湿气可能最终到达芯片140所通过的路径加长和复杂。此外,阶梯部115和125被封装件主体130的树脂环绕,提高了引线框架底座112-3和122-3与封装件主体130之间的结合和密封质量。
与此同时,根据需要,阶梯部115和125可以仅形成在第一和第二引线框架110-3和120-3的底座112-3和122-3的一个部位中,例如,仅形成在与LED芯片140相邻的部位中。
现在,将参照图15至图19以逐步方式解释根据本发明的制造LED封装件100的方法。
首先,准备预定厚度的金属板或金属片,并通过冲裁或冲切将其制造成图15所示的初步的框架结构102a。该初步的框架结构102a包括周边部104以及形成在周边部104内侧中的第一引线框架部110a和第二引线框架部120a。在框架结构102a经历随后描述的制造步骤之后,第一引线框架部110a将成为上述的第一引线框架110,而第二引线框架部120a将成为上述的第二引线框架120。
第一引线框架部110a包括相对较大面积的底座112以及从底座112的相对端延伸到周边部104的一对延伸部114a。第二引线框架部120a以较窄的条带形状形成在与第一引线框架部110a具有预定间隔的位置处,并且具有连接于周边部104的相对端。
此外,在框架结构102a的角部中形成多个孔H。孔H用来固定或引导框架结构102a。
通过冲压等将图15所示的框架结构102a折弯,以获得图16所示的框架结构102b。
因此,第一引线框架部110b的延伸部114b被折弯成与图8中所示的形状相同的形状。唯一的区别在于图16所示的步骤中的延伸部114b仍旧连接于框架结构102b,而图8所示的延伸部114已独立地分开。
此外,将第二引线框架部120b以如下方式折弯,即,使底座122形成在中部,而延伸部124b形成在底座122的相对端处。
然后,如图17所示,将框架结构102b设置在模子M中,并将树脂注入到模子M内,以形成如图18所示的封装件主体130。封装件主体130的形状与图4至图8所示的形状相同。
之后,将LED芯片140设置在位于封装件主体130的凹部132内部的第一引线框架部110b的底座112上并与之电连接,同时通过导线142电连接于第二引线框架部120b的底座122。LED芯片140以竖直结构示出,但其也可以是水平结构。在这种情况下,LED芯片通过导线电连接于第一引线框架部110b的底座112。
然后,将树脂注入到凹部132内,以形成凸出的形状并固化,从而获得图9所示的封装材料150。然后,沿切割线LT切割延伸部114b和124b,以完成LED封装件100。当然,可以在形成封装材料150之前进行切割。
参照图15至图19所解释的方法是为了获得图9所示的LED封装件100,可以改进该方法,以获得图12所示的LED封装件100-1。即,可以将树脂注入到凹部132中,以形成平坦表面,进而获得平坦封装材料150-1,而透镜154粘接于封装材料150-1上,从而完成图12所示的LED封装件100-1。
此外,可以改进框架结构102b,以获得图13所示的封装件100-2或图14所示的封装件100-3。
例如,如图20所示,当准备框架结构102b时,在底座122-2的底表面的相对部位中沿长度方向形成倾斜表面123。可以在该框架结构102上进行图17至图19所示的步骤,以获得图13所示的封装件100-2。在图20中,为了方便起见,在图中省去了底座122-2的下侧表面中的相对倾斜表面,但倾斜表面的形状与图13所示的形状相同。
此外,取代倾斜表面123,可以形成如图14所示的阶梯部115和125,以获得图14所示的封装件100-3。
使用图21所示的框架阵列板1002可以同时制造多个LED封装件。
该框架阵列板1002通过冲裁或冲切预定厚度的金属板或金属片而获得。在框架阵列板1002中,形成有多个框架结构区域1102,其对应于多个图15所示的框架结构。因此,框架阵列板1002包括多个图15所示的框架结构102a。
分别由框架阵列板1002的周边部1004和中部1104限定框架结构区域1102,并且如果必要的话,可以省去框架阵列板1002中的中部1104。此外,在周边部1004和中部1104中形成孔H,以固定或引导框架阵列板1002。
使用框架阵列板1002可以同时制造多个LED封装件100。
现在将参照图22解释根据本发明又一实施例的LED封装件100-4。
在LED封装件100-4中,延伸部114-4可以延伸到封装件主体130之外,以形成如同图2所示的现有技术中的接线端8。在这种情况下,第一引线框架底座112可以仅起到传递热量的作用或者还可以与延伸部114-4(其为接线端)一起起到电连接的作用。与此同时,两个延伸部114-4均可以延伸到封装件主体130之外,以形成接线端。
通过图15至图19所示的方法也可以容易地制造具有这种结构的LED封装件100-4。
此外,尽管未示出,图4至图8所示的LED封装件100的延伸部124也可以延伸到封装件主体130之外,以形成接线端。
以上所述的本发明使得具有简单结构的LED封装件可以实现优异的热辐射效率。而且,本发明提供了一种方法,用于容易地制造可以实现优异热辐射效率的LED封装件。
虽然结合示例性实施例已经示出并描述了本发明,但对本领域技术人员来说很显然,在不背离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的前提下可以进行修改和变换。

Claims (12)

1.一种发光二极管封装件,包括:
第一和第二引线框架,由热和电导体制成,每个所述引线框架均包括平坦底座以及从所述底座沿相反方向和朝上方向延伸的延伸部,所述第二引线框架具有比所述第一框架小的宽度,且设置成与所述第一框架隔开预定的间隔;
封装件主体,由树脂制成,且构造成环绕所述第一和第二引线框架的所述延伸部,以固定所述第一和第二引线框架,同时露出所述第一和第二引线框架的下侧表面;
发光二极管芯片,设置在所述第一引线框架的所述底座的上表面上,且电连接于所述第一和第二引线框架的所述底座;以及
透明的封装材料,用于封装所述发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述延伸部的端部位于所述封装件主体的侧部。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述第一引线框架的所述延伸部中的至少一个延伸到所述封装件主体之外,以形成接线端。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述封装件主体具有形成在所述发光二极管芯片周围的凹部,并且突出部以预定宽度形成在所述凹部的上端上。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装件,其中,所述透明封装材料的一部分填充所述凹部,而所述透明封装材料的另一部分以预定曲率突出于所述突出部的上方。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述第一和第二引线框架的所述底座的所述下侧表面与所述封装件主体的下侧表面共面。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述第一和第二引线框架设置成彼此平行。
8.一种制造发光二极管封装件的方法,包括以下步骤:
将预定厚度的热和电导体制成的板加工成框架结构,所述框架结构包括第一和第二引线框架部,每个所述引线框架部均包括平坦底座以及从所述底座沿相反方向延伸的延伸部,所述第二引线框架部以比所述第一引线框架部小的宽度形成,且设置成与所述第一引线框架部隔开预定的间隔;
以如下方式折弯所述第一和第二引线框架部的所述延伸部,即,使得所述底座定位成比所述延伸部低,从而所述延伸部从所述底座沿朝上方向延伸;
注塑模制树脂,以形成封装件主体,所述封装件主体环绕邻近于所述底座的所述第一和第二引线框架部的延伸部,并从而以如下方式固定所述第一和第二引线框架部,即,使得所述第一和第二引线框架部的所述底座的上表面的至少一部分和底表面从所述封装件主体中露出,并且所述第一和第二引线框架部的所述延伸部的远端延伸到所述封装件主体的侧部之外;
将发光二极管芯片设置在所述第一引线框架部的所述底座的所述露出上表面上,并将所述发光二极管芯片与所述第一和第二引线框架部电连接;
用透明封装材料封装所述发光二极管芯片;以及
切割所述框架结构的所述延伸部,以获得发光二极管封装件。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述形成封装件主体的步骤包括在所述发光二极管芯片周围形成凹部以及在所述凹部的上端上以预定宽度形成突出部。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述封装步骤包括以如下方式分配所述透明封装材料,即,使得所述透明封装材料的一部分填充所述凹部,而所述透明封装材料的另一部分以预定曲率突出于所述突出部的上方。
11.根据权利要求8所述的方法,其中,所述形成封装件主体的步骤包括以如下方式形成所述封装件主体,即,使得所述第一和第二引线框架的所述底座的所述下侧表面与所述封装件主体的下侧表面共面。
12.根据权利要求8所述的方法,其中,所述形成框架结构的步骤包括以彼此平行的方式形成所述第一和第二引线框架部。
CNA2007100969138A 2006-04-17 2007-04-16 发光二极管封装件及其制造方法 Pending CN101060157A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060034706 2006-04-17
KR1020060034706A KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2006-04-17 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101060157A true CN101060157A (zh) 2007-10-24

Family

ID=38503150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100969138A Pending CN101060157A (zh) 2006-04-17 2007-04-16 发光二极管封装件及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US20070241362A1 (zh)
JP (2) JP4902411B2 (zh)
KR (1) KR100735325B1 (zh)
CN (1) CN101060157A (zh)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101901863A (zh) * 2010-05-04 2010-12-01 高安市汉唐高晶光电有限公司 大功率低光衰高抗静电发光二极管及其制备方法
CN102032485A (zh) * 2009-09-29 2011-04-27 丰田合成株式会社 照明装置
CN102142507A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 株式会社东芝 Led封装
CN102201520A (zh) * 2010-03-26 2011-09-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 Led封装结构及其制造方法
CN102299132A (zh) * 2010-06-22 2011-12-28 松下电器产业株式会社 半导体装置用封装及其制造方法、以及半导体装置
CN102315365A (zh) * 2010-06-29 2012-01-11 松下电器产业株式会社 半导体装置用封装及其制造方法、以及半导体装置
CN102456800A (zh) * 2010-10-18 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其封装方法
CN102077371B (zh) * 2008-11-07 2012-10-31 凸版印刷株式会社 引线框及其制造方法和使用引线框的半导体发光装置
CN102832295A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN103098217A (zh) * 2010-08-10 2013-05-08 科锐公司 具有高效、绝热路径的 led 封装
CN103190009A (zh) * 2010-09-03 2013-07-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及发光装置用封装阵列
CN103426995A (zh) * 2012-05-14 2013-12-04 信越化学工业株式会社 光半导体装置用基板和其制造方法、及光半导体装置和其制造方法
CN103460362A (zh) * 2011-03-29 2013-12-18 罗伯特·博世有限公司 电子模块以及用于制造电子模块的方法
CN103682028A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN104282634A (zh) * 2013-07-02 2015-01-14 精工电子有限公司 半导体装置
CN105576091A (zh) * 2008-09-03 2016-05-11 日亚化学工业株式会社 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
CN105845816A (zh) * 2010-11-02 2016-08-10 大日本印刷株式会社 附有树脂引线框及半导体装置
CN106067511A (zh) * 2010-03-30 2016-11-02 大日本印刷株式会社 带树脂引线框、半导体装置及其制造方法
CN106952990A (zh) * 2016-01-07 2017-07-14 深圳市斯迈得半导体有限公司 一种芯片级led封装装置及其制作工艺
CN107110456A (zh) * 2014-11-13 2017-08-29 标致·雪铁龙汽车公司 车辆照明装置
US9859471B2 (en) 2011-01-31 2018-01-02 Cree, Inc. High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
CN108574035A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 现代自动车株式会社 用于车辆的外部发光二极管封装
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting

Families Citing this family (414)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
KR100764386B1 (ko) 2006-03-20 2007-10-08 삼성전기주식회사 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법
US7909482B2 (en) 2006-08-21 2011-03-22 Innotec Corporation Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement
JP4228012B2 (ja) 2006-12-20 2009-02-25 Necライティング株式会社 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子
JP4205135B2 (ja) 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
US7712933B2 (en) 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
JP4795293B2 (ja) * 2007-03-30 2011-10-19 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101318969B1 (ko) * 2007-03-30 2013-10-17 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
KR101365621B1 (ko) * 2007-09-04 2014-02-24 서울반도체 주식회사 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지
JP2009065002A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Nichia Corp 発光装置
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
JP5041595B2 (ja) 2007-11-06 2012-10-03 東洋ゴム工業株式会社 空気入りタイヤ
KR101488448B1 (ko) 2007-12-06 2015-02-02 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
US8230575B2 (en) 2007-12-12 2012-07-31 Innotec Corporation Overmolded circuit board and method
CN102588774A (zh) 2007-12-21 2012-07-18 3M创新有限公司 薄型柔性电缆照明组件及其制备方法
DE102008003971A1 (de) * 2008-01-11 2009-07-16 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Leuchtdiodenanordnung mit Schutzrahmen
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
DE102008024704A1 (de) 2008-04-17 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
KR100869376B1 (ko) * 2008-05-20 2008-11-19 주식회사 정진넥스텍 발광다이오드 칩 실장용 리드 프레임 어셈블리와 그의 제조방법
WO2010002226A2 (ko) 2008-07-03 2010-01-07 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지 및 그 led 패키지를 포함하는 백라이트 유닛
EP2312658B1 (en) 2008-07-03 2018-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. A wavelength-converting light emitting diode (led) chip and method for fabrication of an led device equipped with this chip
CN101640240A (zh) * 2008-07-28 2010-02-03 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
JP6007891B2 (ja) * 2008-09-09 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP5440010B2 (ja) 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR100888236B1 (ko) 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP2010129923A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Showa Denko Kk 発光部材、発光装置、照明装置、バックライト装置および発光部材の製造方法
JP5428358B2 (ja) * 2009-01-30 2014-02-26 ソニー株式会社 光学素子パッケージの製造方法
US8269248B2 (en) * 2009-03-02 2012-09-18 Thompson Joseph B Light emitting assemblies and portions thereof
KR101055090B1 (ko) * 2009-03-02 2011-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101072200B1 (ko) * 2009-03-16 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8120055B2 (en) * 2009-04-20 2012-02-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source
JP5302117B2 (ja) 2009-06-22 2013-10-02 スタンレー電気株式会社 発光装置の製造方法、発光装置および発光装置搭載用基板
KR101650840B1 (ko) 2009-08-26 2016-08-24 삼성전자주식회사 발광소자 및 이의 제조방법
JP5446843B2 (ja) * 2009-12-24 2014-03-19 豊田合成株式会社 Led発光装置
JP5471244B2 (ja) * 2009-09-29 2014-04-16 豊田合成株式会社 照明装置
TW201128812A (en) 2009-12-01 2011-08-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device
JP5515693B2 (ja) * 2009-12-02 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5010693B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP2011176364A (ja) * 2010-01-29 2011-09-08 Toshiba Corp Ledパッケージ
JP4951090B2 (ja) 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ledパッケージ
US8710525B2 (en) * 2010-03-15 2014-04-29 Nichia Corporation Light emitting device
US8319247B2 (en) * 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
KR101252032B1 (ko) 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR101313262B1 (ko) 2010-07-12 2013-09-30 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법
KR101692410B1 (ko) 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
WO2012014382A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 半導体装置
KR20120027987A (ko) 2010-09-14 2012-03-22 삼성엘이디 주식회사 질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법
WO2012036281A1 (ja) * 2010-09-17 2012-03-22 ローム株式会社 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置
KR20120032329A (ko) 2010-09-28 2012-04-05 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR20120042500A (ko) 2010-10-25 2012-05-03 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120050282A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101182584B1 (ko) * 2010-11-16 2012-09-18 삼성전자주식회사 Led 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20120067153A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
JP2012142426A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp Ledパッケージ及びその製造方法
AU2014200021B2 (en) * 2010-12-28 2015-07-09 Nichia Corporation Light emitting device
EP2660884B1 (en) * 2010-12-28 2019-12-11 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of manufacturing thereof
KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2017-06-16 삼성전자 주식회사 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치
KR101865438B1 (ko) * 2011-02-10 2018-06-07 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 어레이
JP5287899B2 (ja) * 2011-02-23 2013-09-11 凸版印刷株式会社 半導体発光装置用リードフレーム及びその製造方法
JP5781801B2 (ja) * 2011-03-29 2015-09-24 シチズン電子株式会社 Led発光装置
CN102738373B (zh) * 2011-04-11 2014-11-05 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
KR101798884B1 (ko) 2011-05-18 2017-11-17 삼성전자주식회사 발광소자 어셈블리 및 이를 포함하는 전조등
JP5753446B2 (ja) * 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
US8878215B2 (en) * 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
JP2013041950A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Sharp Corp 発光装置
US9397274B2 (en) * 2011-08-24 2016-07-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP2013062393A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Sharp Corp 発光装置
JP2013077813A (ja) * 2011-09-15 2013-04-25 Mitsubishi Chemicals Corp パッケージ及び発光装置
ITTO20111212A1 (it) * 2011-12-23 2013-06-24 Gs Plastics S A S Di Giovanni Gerv Asio & C Led di potenza
KR101903361B1 (ko) 2012-03-07 2018-10-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20130109319A (ko) 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
KR101891257B1 (ko) 2012-04-02 2018-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
KR101907390B1 (ko) 2012-04-23 2018-10-12 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR101887942B1 (ko) 2012-05-07 2018-08-14 삼성전자주식회사 발광소자
CN103427006B (zh) * 2012-05-14 2016-02-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
JP2013239540A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
JP5039242B2 (ja) * 2012-05-21 2012-10-03 株式会社東芝 Ledパッケージ
WO2013186653A1 (en) * 2012-06-12 2013-12-19 Koninklijke Philips N.V. Lead frame light emitting arrangement
DE112013002944T5 (de) 2012-06-13 2015-02-19 Innotec, Corp. Flexibler Hohllichtleiter
KR101891777B1 (ko) 2012-06-25 2018-08-24 삼성전자주식회사 유전체 리플렉터를 구비한 발광소자 및 그 제조방법
KR101978968B1 (ko) 2012-08-14 2019-05-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 발광장치
KR101898680B1 (ko) 2012-11-05 2018-09-13 삼성전자주식회사 나노구조 발광 소자
KR101967836B1 (ko) 2012-12-14 2019-04-10 삼성전자주식회사 3차원 발광 소자 및 그 제조방법
KR101898679B1 (ko) 2012-12-14 2018-10-04 삼성전자주식회사 나노구조 발광소자
KR102011101B1 (ko) 2012-12-26 2019-08-14 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102018615B1 (ko) 2013-01-18 2019-09-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
EP2948709B1 (en) * 2013-01-25 2016-10-05 Koninklijke Philips N.V. Lighting assembly and method for manufacturing a lighting assembly
US20140208689A1 (en) 2013-01-25 2014-07-31 Renee Joyal Hypodermic syringe assist apparatus and method
KR101603207B1 (ko) 2013-01-29 2016-03-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102022266B1 (ko) 2013-01-29 2019-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR101554032B1 (ko) 2013-01-29 2015-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102036347B1 (ko) 2013-02-12 2019-10-24 삼성전자 주식회사 발광소자 어레이부 및 이를 포함하는 발광소자 모듈
KR101958418B1 (ko) 2013-02-22 2019-03-14 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
US9676047B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming metal bonding layer and method of manufacturing semiconductor light emitting device using the same
JP6476567B2 (ja) 2013-03-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9190270B2 (en) 2013-06-04 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-defect semiconductor device and method of manufacturing the same
CN104282819B (zh) * 2013-07-08 2018-08-28 光宝电子(广州)有限公司 倒装式发光二极管封装模块及其制造方法
KR102074950B1 (ko) 2013-08-13 2020-03-02 삼성전자 주식회사 조명 장치, 조명 제어 시스템 및 조명 장치의 제어 방법.
KR20150025264A (ko) 2013-08-28 2015-03-10 삼성전자주식회사 정공주입층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2015065526A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 ソニー株式会社 増幅回路
KR102094471B1 (ko) 2013-10-07 2020-03-27 삼성전자주식회사 질화물 반도체층의 성장방법 및 이에 의하여 형성된 질화물 반도체
KR102098250B1 (ko) 2013-10-21 2020-04-08 삼성전자 주식회사 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR20150046554A (ko) 2013-10-22 2015-04-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 led 구동 장치의 제어 회로
KR102070089B1 (ko) 2013-10-23 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치
US9099573B2 (en) 2013-10-31 2015-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nano-structure semiconductor light emitting device
KR102061696B1 (ko) 2013-11-05 2020-01-03 삼성전자주식회사 반극성 질화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법
KR102223034B1 (ko) 2013-11-14 2021-03-04 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 그를 위한 신호 변환 장치
US9190563B2 (en) 2013-11-25 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanostructure semiconductor light emitting device
KR101423455B1 (ko) 2013-11-28 2014-07-29 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
KR102132651B1 (ko) 2013-12-03 2020-07-10 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075984B1 (ko) 2013-12-06 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
US9725648B2 (en) 2013-12-10 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor and light-emitting device including the same
US9196812B2 (en) 2013-12-17 2015-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same
KR102122363B1 (ko) 2014-01-08 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 광원 구동장치
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR102070093B1 (ko) 2014-01-14 2020-01-29 삼성전자주식회사 차량용 조명 시스템
KR102198693B1 (ko) 2014-01-15 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098591B1 (ko) 2014-01-16 2020-04-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102285786B1 (ko) 2014-01-20 2021-08-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
KR102122358B1 (ko) 2014-01-20 2020-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102188495B1 (ko) 2014-01-21 2020-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조 방법
DE102014101215A1 (de) * 2014-01-31 2015-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement
KR102075986B1 (ko) 2014-02-03 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075987B1 (ko) 2014-02-04 2020-02-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR102098245B1 (ko) 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
KR102145209B1 (ko) 2014-02-12 2020-08-18 삼성전자주식회사 플래시 장치, 영상 촬영 장치, 및 방법
KR102116986B1 (ko) 2014-02-17 2020-05-29 삼성전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102140789B1 (ko) 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR102122362B1 (ko) 2014-02-18 2020-06-12 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075981B1 (ko) 2014-02-21 2020-02-11 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조방법
KR102204392B1 (ko) 2014-03-06 2021-01-18 삼성전자주식회사 Led 조명 구동장치, 조명장치 및 조명장치의 동작방법.
KR102161272B1 (ko) * 2014-03-25 2020-09-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102075994B1 (ko) 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
KR102188497B1 (ko) 2014-03-27 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102145207B1 (ko) 2014-04-17 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR102145205B1 (ko) 2014-04-25 2020-08-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조방법 및 증착 장치의 유지보수방법
KR102188493B1 (ko) 2014-04-25 2020-12-09 삼성전자주식회사 질화물 단결정 성장방법 및 질화물 반도체 소자 제조방법
KR20150138479A (ko) 2014-05-29 2015-12-10 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR102277125B1 (ko) 2014-06-09 2021-07-15 삼성전자주식회사 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102192572B1 (ko) 2014-06-09 2020-12-18 삼성전자주식회사 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치
KR102145208B1 (ko) 2014-06-10 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102171024B1 (ko) 2014-06-16 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102277126B1 (ko) 2014-06-24 2021-07-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
JP6671117B2 (ja) * 2014-07-08 2020-03-25 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
KR102203461B1 (ko) 2014-07-10 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노 구조 반도체 발광 소자
KR102203460B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자의 제조방법
KR102198694B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법
KR102188499B1 (ko) 2014-07-11 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102188494B1 (ko) 2014-07-21 2020-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자 제조방법 및 반도체 발광소자 패키지 제조방법
KR102188500B1 (ko) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
KR102379164B1 (ko) 2014-07-29 2022-03-25 삼성전자주식회사 가스 내부누출 자동 검사 방법 및 led 칩 제조 방법
KR20160015447A (ko) 2014-07-30 2016-02-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 렌즈, 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102212561B1 (ko) 2014-08-11 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자 패키지
KR102223036B1 (ko) 2014-08-18 2021-03-05 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227772B1 (ko) 2014-08-19 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102212559B1 (ko) 2014-08-20 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR102227771B1 (ko) 2014-08-25 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160024170A (ko) 2014-08-25 2016-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102164796B1 (ko) 2014-08-28 2020-10-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227770B1 (ko) 2014-08-29 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160028014A (ko) 2014-09-02 2016-03-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 패키지 제조방법
KR102282141B1 (ko) 2014-09-02 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102198695B1 (ko) 2014-09-03 2021-01-06 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102337405B1 (ko) 2014-09-05 2021-12-13 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160033815A (ko) 2014-09-18 2016-03-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20160034534A (ko) 2014-09-19 2016-03-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102223037B1 (ko) 2014-10-01 2021-03-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102244218B1 (ko) 2014-10-01 2021-04-27 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102224848B1 (ko) 2014-10-06 2021-03-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 제조 방법
KR102244220B1 (ko) 2014-10-15 2021-04-27 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102277127B1 (ko) 2014-10-17 2021-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102227773B1 (ko) 2014-10-21 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광장치
KR102227774B1 (ko) 2014-10-23 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
KR102212557B1 (ko) 2014-11-03 2021-02-08 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102240023B1 (ko) 2014-11-03 2021-04-15 삼성전자주식회사 자외선 발광장치
KR102252993B1 (ko) 2014-11-03 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법
KR20160054073A (ko) 2014-11-05 2016-05-16 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널
KR102227769B1 (ko) 2014-11-06 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR102369932B1 (ko) 2014-11-10 2022-03-04 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 발광장치, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 제조방법
KR102307062B1 (ko) 2014-11-10 2021-10-05 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치
KR20160056167A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법
KR102255214B1 (ko) 2014-11-13 2021-05-24 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102335105B1 (ko) 2014-11-14 2021-12-06 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102282137B1 (ko) 2014-11-25 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102240022B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102372893B1 (ko) 2014-12-04 2022-03-10 삼성전자주식회사 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치
KR102337406B1 (ko) 2014-12-09 2021-12-13 삼성전자주식회사 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252992B1 (ko) 2014-12-12 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102357584B1 (ko) 2014-12-17 2022-02-04 삼성전자주식회사 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252994B1 (ko) 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
KR20160074861A (ko) 2014-12-18 2016-06-29 삼성전자주식회사 광 측정 시스템
KR102353443B1 (ko) 2014-12-22 2022-01-21 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
KR102355081B1 (ko) 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102300558B1 (ko) 2014-12-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 광원 모듈
KR20160083408A (ko) 2014-12-31 2016-07-12 삼성전자주식회사 퓨즈 패키지 및 이를 이용한 발광소자 모듈
KR102345751B1 (ko) 2015-01-05 2022-01-03 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102346798B1 (ko) 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102292640B1 (ko) 2015-03-06 2021-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치
KR102378822B1 (ko) 2015-04-30 2022-03-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치
TWI563620B (en) * 2015-05-12 2016-12-21 Taiwan Green Point Entpr Co Electronic device and method for making the same
US9666754B2 (en) 2015-05-27 2017-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth
US10217914B2 (en) 2015-05-27 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR102323250B1 (ko) 2015-05-27 2021-11-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR20160141301A (ko) 2015-05-29 2016-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
KR102380825B1 (ko) 2015-05-29 2022-04-01 삼성전자주식회사 반도체 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
KR102471271B1 (ko) 2015-06-05 2022-11-29 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102409965B1 (ko) 2015-06-08 2022-06-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 파장 변환 필름 및 그 제조 방법
KR102306671B1 (ko) 2015-06-16 2021-09-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20160149363A (ko) 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102335106B1 (ko) 2015-06-19 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102382440B1 (ko) 2015-06-22 2022-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102300560B1 (ko) 2015-06-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102409961B1 (ko) 2015-06-26 2022-06-16 삼성전자주식회사 광학소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102374267B1 (ko) 2015-06-26 2022-03-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102397910B1 (ko) 2015-07-06 2022-05-16 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR102432859B1 (ko) 2015-07-10 2022-08-16 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈
KR102414187B1 (ko) 2015-07-24 2022-06-28 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈
KR102422246B1 (ko) 2015-07-30 2022-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102369933B1 (ko) 2015-08-03 2022-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102342546B1 (ko) 2015-08-12 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 전류 제어 회로
KR102397907B1 (ko) 2015-08-12 2022-05-16 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102357585B1 (ko) 2015-08-18 2022-02-04 삼성전자주식회사 반도체 자외선 발광소자
KR102476138B1 (ko) 2015-08-19 2022-12-14 삼성전자주식회사 커넥터, 광원모듈 및 이를 이용한 광원모듈 어레이
KR102415331B1 (ko) 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR102397909B1 (ko) 2015-08-27 2022-05-16 삼성전자주식회사 기판 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
KR102443035B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-16 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374268B1 (ko) 2015-09-04 2022-03-17 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102378823B1 (ko) 2015-09-07 2022-03-28 삼성전자주식회사 반도체 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법
KR101666844B1 (ko) 2015-09-10 2016-10-19 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102460072B1 (ko) 2015-09-10 2022-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102427641B1 (ko) 2015-09-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20170033947A (ko) 2015-09-17 2017-03-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102409966B1 (ko) 2015-09-17 2022-06-16 삼성전자주식회사 광원 모듈의 제조방법
KR102430499B1 (ko) 2015-09-22 2022-08-11 삼성전자주식회사 Led 조명의 검사 장치 및 검사 방법
US10230021B2 (en) 2015-09-30 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102374266B1 (ko) 2015-10-02 2022-03-18 삼성전자주식회사 백색 발광 모듈 및 led 조명 장치
KR102391513B1 (ko) 2015-10-05 2022-04-27 삼성전자주식회사 물질막 적층체, 발광 소자, 발광 패키지, 및 발광 소자의 제조 방법
TWI708316B (zh) * 2015-10-07 2020-10-21 新加坡商海特根微光學公司 模製的電路基板
KR102443033B1 (ko) 2015-10-12 2022-09-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102419890B1 (ko) 2015-11-05 2022-07-13 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102417181B1 (ko) 2015-11-09 2022-07-05 삼성전자주식회사 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법
KR102481646B1 (ko) 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102427644B1 (ko) 2015-11-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20170058515A (ko) 2015-11-18 2017-05-29 삼성전자주식회사 조명 제어 시스템 및 그 제어 방법
KR102450574B1 (ko) 2015-11-19 2022-10-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US9793450B2 (en) 2015-11-24 2017-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus having one or more ridge structures defining at least one circle around a common center
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102546654B1 (ko) 2015-12-11 2023-06-23 삼성전자주식회사 조명 시스템, 조명 장치 및 그 제어 방법
KR102601579B1 (ko) 2015-12-16 2023-11-13 삼성전자주식회사 발광소자 실장용 회로 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20170075897A (ko) 2015-12-23 2017-07-04 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102530756B1 (ko) 2016-01-13 2023-05-10 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR102550413B1 (ko) 2016-01-13 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR20170089053A (ko) 2016-01-25 2017-08-03 삼성전자주식회사 수지 도포 장치 및 이를 사용한 발광소자 패키지 제조방법
KR102408721B1 (ko) 2016-01-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102524805B1 (ko) 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102527387B1 (ko) 2016-02-24 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102476137B1 (ko) 2016-02-25 2022-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102263041B1 (ko) 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
US10106666B2 (en) 2016-03-02 2018-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Curable silicone resin composition containing inorganic oxide and optical member using same
KR20170104031A (ko) 2016-03-03 2017-09-14 삼성전자주식회사 패키지 기판 및 발광소자 패키지
KR102435523B1 (ko) 2016-03-10 2022-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102553628B1 (ko) 2016-03-11 2023-07-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102443694B1 (ko) 2016-03-11 2022-09-15 삼성전자주식회사 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자
KR20170106575A (ko) 2016-03-11 2017-09-21 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102365686B1 (ko) 2016-03-16 2022-02-21 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 발광 장치
KR102503215B1 (ko) 2016-03-28 2023-02-24 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
KR102517336B1 (ko) 2016-03-29 2023-04-04 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비한 멀티비전 장치
KR102513080B1 (ko) 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
KR102518368B1 (ko) 2016-04-06 2023-04-13 삼성전자주식회사 조명 장치
KR102480220B1 (ko) 2016-04-08 2022-12-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널
KR20170121777A (ko) 2016-04-25 2017-11-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102534245B1 (ko) 2016-05-04 2023-05-18 삼성전자주식회사 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치
KR20170129983A (ko) 2016-05-17 2017-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102530759B1 (ko) 2016-06-14 2023-05-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR102608902B1 (ko) 2016-06-14 2023-12-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 기판 제조방법
KR102530758B1 (ko) 2016-06-21 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102519668B1 (ko) 2016-06-21 2023-04-07 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102530760B1 (ko) 2016-07-18 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102528559B1 (ko) 2016-07-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 대면적 기판 제조 장치
KR20180015496A (ko) 2016-08-03 2018-02-13 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102476139B1 (ko) 2016-08-03 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102553630B1 (ko) 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102116988B1 (ko) 2016-08-11 2020-06-01 삼성전자 주식회사 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102605585B1 (ko) 2016-08-11 2023-11-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR20180021348A (ko) 2016-08-19 2018-03-02 삼성전자주식회사 발광소자 어레이 및 이를 이용한 광원장치
KR102551353B1 (ko) 2016-08-22 2023-07-04 삼성전자 주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102543179B1 (ko) 2016-08-22 2023-06-14 삼성전자주식회사 발광다이오드 모듈 제조방법
KR102623546B1 (ko) 2016-09-23 2024-01-10 삼성전자주식회사 조명용 렌즈, 조명용 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 조명 장치
JP2017076806A (ja) * 2016-11-28 2017-04-20 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法
KR20180065700A (ko) 2016-12-08 2018-06-18 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102611980B1 (ko) 2016-12-14 2023-12-08 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
KR102652087B1 (ko) 2016-12-16 2024-03-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20180070149A (ko) 2016-12-16 2018-06-26 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
US10164159B2 (en) 2016-12-20 2018-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
KR20180076066A (ko) 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102604739B1 (ko) 2017-01-05 2023-11-22 삼성전자주식회사 반도체 발광 장치
KR102600002B1 (ko) 2017-01-11 2023-11-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102598043B1 (ko) 2017-01-12 2023-11-06 삼성전자주식회사 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
KR20180089117A (ko) 2017-01-31 2018-08-08 삼성전자주식회사 Led장치 및 이를 이용한 led램프
KR20180095397A (ko) 2017-02-17 2018-08-27 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 이를 포함하는 조명 장치 및 led 구동 방법
KR20180098904A (ko) 2017-02-27 2018-09-05 삼성전자주식회사 컴퓨팅 장치 및 컴퓨팅 장치에 포함된 복수의 코어들에 전력을 할당하는 방법
CN106876375A (zh) * 2017-03-28 2017-06-20 山东晶泰星光电科技有限公司 一种集成式rgb‑led显示屏
KR102385571B1 (ko) 2017-03-31 2022-04-12 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102373817B1 (ko) 2017-05-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102430500B1 (ko) 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
KR102450579B1 (ko) 2017-06-05 2022-10-07 삼성전자주식회사 Led램프
KR102389815B1 (ko) 2017-06-05 2022-04-22 삼성전자주식회사 양자점 유리셀 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102369934B1 (ko) 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
JP6680274B2 (ja) 2017-06-27 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及び樹脂付リードフレーム
US10256218B2 (en) 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102549171B1 (ko) 2017-07-12 2023-06-30 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102302593B1 (ko) 2017-07-13 2021-09-15 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 패키지, 및 이의 제조 방법
KR102302592B1 (ko) 2017-07-18 2021-09-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
US10892211B2 (en) * 2017-08-09 2021-01-12 Semtech Corporation Side-solderable leadless package
KR102539962B1 (ko) 2017-09-05 2023-06-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2022-12-09 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 장치
KR102609560B1 (ko) 2017-09-08 2023-12-04 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
US10123386B1 (en) 2017-09-08 2018-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
US10362654B2 (en) 2017-09-08 2019-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
KR20190036856A (ko) * 2017-09-28 2019-04-05 (주)포인트엔지니어링 광디바이스용 단위기판 및 이를 구비한 광디바이스 패키지
US10446722B2 (en) 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device
KR102427637B1 (ko) 2017-09-29 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20190038976A (ko) 2017-10-02 2019-04-10 삼성전자주식회사 임프린트 장치
KR102611981B1 (ko) 2017-10-19 2023-12-11 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102460074B1 (ko) 2017-10-30 2022-10-28 삼성전자주식회사 반도체 패키지 분리 장치
KR102476140B1 (ko) 2017-11-20 2022-12-09 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102430497B1 (ko) 2017-12-07 2022-08-08 삼성전자주식회사 발광소자의 제조 방법
KR102509639B1 (ko) 2017-12-12 2023-03-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR20190070533A (ko) 2017-12-13 2019-06-21 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102477357B1 (ko) 2017-12-14 2022-12-15 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102582424B1 (ko) 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102421729B1 (ko) 2017-12-14 2022-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102518369B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102427640B1 (ko) 2017-12-19 2022-08-01 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102524809B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-24 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102513082B1 (ko) 2017-12-19 2023-03-23 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102542426B1 (ko) 2017-12-20 2023-06-12 삼성전자주식회사 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102601580B1 (ko) 2017-12-20 2023-11-13 삼성전자주식회사 Uwb 센서를 이용한 조명 시스템, 조명 장치 및 조명 제어 방법
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102481647B1 (ko) 2018-01-31 2022-12-28 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR102443027B1 (ko) 2018-03-02 2022-09-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102450150B1 (ko) 2018-03-02 2022-10-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10862015B2 (en) 2018-03-08 2020-12-08 Samsung Electronics., Ltd. Semiconductor light emitting device package
KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
US10499471B2 (en) 2018-04-13 2019-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode lighting module and lighting apparatus including the same
KR102551354B1 (ko) 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US10964852B2 (en) 2018-04-24 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module and LED lamp including the same
KR102573271B1 (ko) 2018-04-27 2023-08-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102550415B1 (ko) 2018-05-09 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 이용한 led 램프
KR102607596B1 (ko) 2018-05-11 2023-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20190137458A (ko) 2018-06-01 2019-12-11 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법
KR102613239B1 (ko) 2018-06-04 2023-12-14 삼성전자주식회사 백색 led 모듈 및 조명 장치
KR102551746B1 (ko) 2018-06-05 2023-07-07 삼성전자주식회사 광원모듈
KR102530068B1 (ko) 2018-06-26 2023-05-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 그 제조 방법
KR102619665B1 (ko) 2018-06-29 2023-12-29 삼성전자주식회사 발광 장치
KR102553265B1 (ko) 2018-07-09 2023-07-07 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102534248B1 (ko) 2018-07-17 2023-05-18 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102653015B1 (ko) 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단
KR102593264B1 (ko) 2018-08-14 2023-10-26 삼성전자주식회사 디스플레이 드라이버 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102617962B1 (ko) 2018-10-02 2023-12-27 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102617089B1 (ko) 2018-11-05 2023-12-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR20200111323A (ko) 2019-03-18 2020-09-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20200112369A (ko) 2019-03-22 2020-10-05 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20200118333A (ko) 2019-04-05 2020-10-15 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 조명 장치
KR20200139307A (ko) 2019-06-03 2020-12-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR20210000351A (ko) 2019-06-24 2021-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210006567A (ko) 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210006538A (ko) 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR20210019335A (ko) 2019-08-12 2021-02-22 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR20210031085A (ko) 2019-09-11 2021-03-19 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR20210034726A (ko) 2019-09-20 2021-03-31 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 그것을 제어하는 메모리 제어기의 에러 정정 방법, 및 그것을포함하는 컴퓨팅 시스템
KR20210048621A (ko) 2019-10-23 2021-05-04 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR20210052626A (ko) 2019-10-29 2021-05-11 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 제조방법
KR20210063518A (ko) 2019-11-22 2021-06-02 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지
KR20210064855A (ko) 2019-11-26 2021-06-03 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20210078200A (ko) 2019-12-18 2021-06-28 삼성전자주식회사 색온도 가변 조명 장치
KR20210097855A (ko) 2020-01-30 2021-08-10 삼성전자주식회사 금속 베이스 배선 기판 및 전자소자 모듈
KR20210099681A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 삼성전자주식회사 3차원 구조 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210102741A (ko) 2020-02-12 2021-08-20 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20210116828A (ko) 2020-03-17 2021-09-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR20210141036A (ko) 2020-05-15 2021-11-23 삼성전자주식회사 광원 패키지 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20210143452A (ko) 2020-05-20 2021-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR20210144483A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 발광 장치 및 운송 수단용 헤드램프
KR20210144485A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20210145590A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자를 포함하는 광원 모듈
KR20210145553A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 발광 소자, 광원 모듈 및 발광 소자 제조 방법
KR20210145587A (ko) 2020-05-25 2021-12-02 삼성전자주식회사 버퍼 구조체를 포함하는 반도체 발광 소자
KR20210158254A (ko) 2020-06-23 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20220034972A (ko) 2020-09-11 2022-03-21 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR20220045832A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220065153A (ko) 2020-11-12 2022-05-20 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR20220068558A (ko) 2020-11-19 2022-05-26 삼성전자주식회사 Led 조명 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220070757A (ko) 2020-11-23 2022-05-31 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220073301A (ko) 2020-11-26 2022-06-03 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220094291A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR20220094991A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 삼성전자주식회사 발광 소자 및 운송 수단용 헤드 램프
KR20220097816A (ko) 2020-12-31 2022-07-08 삼성전자주식회사 Led 조명 장치
KR20220107485A (ko) 2021-01-25 2022-08-02 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220151076A (ko) 2021-05-04 2022-11-14 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR20220169286A (ko) 2021-06-18 2022-12-27 삼성전자주식회사 셀 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치
KR20230079869A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230099316A (ko) 2021-12-27 2023-07-04 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230134363A (ko) 2022-03-14 2023-09-21 삼성전자주식회사 발광 셀 어레이, 헤드램프 구동 장치, 및 헤드램프 제어 시스템

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58122457U (ja) * 1982-02-12 1983-08-20 新電元工業株式会社 半導体装置
JP3472450B2 (ja) * 1997-09-04 2003-12-02 シャープ株式会社 発光装置
EP1089335A4 (en) * 1998-05-20 2002-02-06 Rohm Co Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE
JP3857435B2 (ja) * 1998-08-31 2006-12-13 ローム株式会社 光半導体素子、光半導体素子の実装構造、および光半導体素子群の包装構造
JP2000261039A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Mitsubishi Electric Corp 光源装置
JP3964590B2 (ja) * 1999-12-27 2007-08-22 東芝電子エンジニアリング株式会社 光半導体パッケージ
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
JP2004207678A (ja) 2002-10-30 2004-07-22 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4633333B2 (ja) * 2003-01-23 2011-02-16 株式会社光波 発光装置
JP4265225B2 (ja) 2003-01-24 2009-05-20 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
CN100587560C (zh) * 2003-04-01 2010-02-03 夏普株式会社 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置
JP3966838B2 (ja) * 2003-07-14 2007-08-29 スタンレー電気株式会社 光半導体デバイス
JP2005033028A (ja) * 2003-07-07 2005-02-03 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2005116937A (ja) 2003-10-10 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
JP2005197369A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
JP2005311042A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Lite-On Technology Corp 光電気半導体素子
JP2005317661A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
KR20050117064A (ko) * 2004-06-09 2005-12-14 주식회사 바른전자 광 반사면을 가진 발광다이오드 소자
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP2006222271A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用基板
TWI256737B (en) * 2005-05-19 2006-06-11 Pi-Fu Yang One-block light-emitting device and manufacturing method thereof
JP5103841B2 (ja) * 2005-11-18 2012-12-19 パナソニック株式会社 発光モジュールとそれを用いたバックライト装置
JP2007194526A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105576109B (zh) * 2008-09-03 2018-06-19 日亚化学工业株式会社 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
CN105576091B (zh) * 2008-09-03 2019-03-15 日亚化学工业株式会社 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
CN105576109A (zh) * 2008-09-03 2016-05-11 日亚化学工业株式会社 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
CN105576091A (zh) * 2008-09-03 2016-05-11 日亚化学工业株式会社 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
US8841692B2 (en) 2008-11-07 2014-09-23 Toppan Printing Co., Ltd. Lead frame, its manufacturing method, and semiconductor light emitting device using the same
CN102077371B (zh) * 2008-11-07 2012-10-31 凸版印刷株式会社 引线框及其制造方法和使用引线框的半导体发光装置
CN102032485A (zh) * 2009-09-29 2011-04-27 丰田合成株式会社 照明装置
CN102142507A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 株式会社东芝 Led封装
CN102142507B (zh) * 2010-01-29 2013-12-18 株式会社东芝 Led封装
CN102201520A (zh) * 2010-03-26 2011-09-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 Led封装结构及其制造方法
CN106067511A (zh) * 2010-03-30 2016-11-02 大日本印刷株式会社 带树脂引线框、半导体装置及其制造方法
US9966517B2 (en) 2010-03-30 2018-05-08 Dai Nippon Printing Co., Ltd. LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate
CN101901863A (zh) * 2010-05-04 2010-12-01 高安市汉唐高晶光电有限公司 大功率低光衰高抗静电发光二极管及其制备方法
CN102299132A (zh) * 2010-06-22 2011-12-28 松下电器产业株式会社 半导体装置用封装及其制造方法、以及半导体装置
CN102299132B (zh) * 2010-06-22 2014-03-26 松下电器产业株式会社 半导体装置用封装及其制造方法、以及半导体装置
CN102315365A (zh) * 2010-06-29 2012-01-11 松下电器产业株式会社 半导体装置用封装及其制造方法、以及半导体装置
CN103098217A (zh) * 2010-08-10 2013-05-08 科锐公司 具有高效、绝热路径的 led 封装
CN110071196A (zh) * 2010-08-10 2019-07-30 科锐公司 具有高效、绝热路径的led封装
CN103190009A (zh) * 2010-09-03 2013-07-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及发光装置用封装阵列
CN103190009B (zh) * 2010-09-03 2016-05-25 日亚化学工业株式会社 发光装置及发光装置用封装阵列
CN102456800B (zh) * 2010-10-18 2014-08-27 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其封装方法
CN102456800A (zh) * 2010-10-18 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其封装方法
CN105845816A (zh) * 2010-11-02 2016-08-10 大日本印刷株式会社 附有树脂引线框及半导体装置
US9859471B2 (en) 2011-01-31 2018-01-02 Cree, Inc. High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
CN103460362B (zh) * 2011-03-29 2017-03-01 罗伯特·博世有限公司 电子模块以及用于制造电子模块的方法
CN103460362A (zh) * 2011-03-29 2013-12-18 罗伯特·博世有限公司 电子模块以及用于制造电子模块的方法
CN102832295A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN103426995A (zh) * 2012-05-14 2013-12-04 信越化学工业株式会社 光半导体装置用基板和其制造方法、及光半导体装置和其制造方法
CN103682028A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN104282634A (zh) * 2013-07-02 2015-01-14 精工电子有限公司 半导体装置
CN104282634B (zh) * 2013-07-02 2018-03-30 精工半导体有限公司 半导体装置
CN107110456A (zh) * 2014-11-13 2017-08-29 标致·雪铁龙汽车公司 车辆照明装置
CN107110456B (zh) * 2014-11-13 2020-01-10 标致·雪铁龙汽车公司 车辆照明装置
CN106952990A (zh) * 2016-01-07 2017-07-14 深圳市斯迈得半导体有限公司 一种芯片级led封装装置及其制作工艺
CN108574035A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 现代自动车株式会社 用于车辆的外部发光二极管封装

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007288198A (ja) 2007-11-01
JP2011003935A (ja) 2011-01-06
US8735931B2 (en) 2014-05-27
US8168453B2 (en) 2012-05-01
JP5129847B2 (ja) 2013-01-30
KR100735325B1 (ko) 2007-07-04
US20090197360A1 (en) 2009-08-06
US20110031526A1 (en) 2011-02-10
US20070241362A1 (en) 2007-10-18
JP4902411B2 (ja) 2012-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101060157A (zh) 发光二极管封装件及其制造方法
US7498734B2 (en) Light emitting device with wavelength converted by phosphor
CN101714597B (zh) 用于制造发光二极管封装的方法
US9564567B2 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
CN1825645A (zh) Led外壳及其制造方法
EP2565951B1 (en) Light emitting unit and illuminating apparatus
JP4305896B2 (ja) 高輝度発光装置及びその製造方法
CN100338786C (zh) 半导体发光装置及其制法和半导体发光装置用反射器
CN1744335A (zh) 表面安装型led
CN1617362A (zh) 发光器件和利用该发光器件的发光设备和制造发光器件的方法
CN1913187A (zh) 在导热部分中具有凹部的led封装
CN1825644A (zh) 大功率led外壳及其制造方法
CN1898810A (zh) 用于发光器件的封装
CN1822401A (zh) Led封装框架和具有该led封装框架的led封装
CN1670973A (zh) 高功率led封装
CN1871710A (zh) 采用电表面安装的发光晶片封装
CN1540773A (zh) 带有具有冷却功能的反射器的半导体发光器件
CN101048880A (zh) 包括腔及热沉的固体金属块半导体发光器件安装基板和封装,以及其封装方法
KR101044812B1 (ko) 발광소자 실장용 기판과 그 제조방법, 발광소자 모듈과 그 제조방법, 표시장치, 조명장치 및 교통 신호기
CN1348114A (zh) 制造表面发光的背光装置的方法,和表面发光的背光装置
CN1658736A (zh) 电路装置
CN1287700A (zh) 光模块及其制造方法
CN1197290A (zh) 半导体器件
CN107980182B (zh) 发光装置及其制造方法
CN1795593A (zh) 制造激光器二极管器件的方法,激光器二极管器件的外壳和激光器二极管器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication