CN101071753A - 用于在集成电路上制造窄结构的方法 - Google Patents

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Abstract

一种用以在一具有一上表面的衬底上提供一如相变桥的窄直线的制造方法，包括首先在该衬底上形成第一材料层。接着，在该第一材料层之上施加图案化材料层，并定义一图案。此图案包括一阶壁，其具有一实质上延伸至该第一材料层的侧壁。一侧壁蚀刻掩膜形成于该阶壁之上，并用来在该衬底上定义一直线的第一材料，此直线的宽度实质上由侧壁蚀刻掩膜的宽度决定。

Description

用于在集成电路上制造窄结构的方法
相关申请资料
本发明是美国专利申请No.11/155,067(2005年6月17日申请)的部分继续申请，在此将其整体引入作为本申请案的参考。
联合研究合约的当事人
纽约国际商业机械公司、台湾旺宏国际股份有限公司及德国英飞凌技术公司(Infineon Technologies A.G.)是联合研究合约的当事人。
技术领域
本发明涉及集成电路的制造方法，包括用于在衬底上制造窄结构的方法，此窄结构为如相变材料的窄直线。
背景技术
以相变为基础的存储材料被广泛地应用于读写光盘中。这些材料包括有至少两种固态相，包括如一大部分为非晶态的固态相，以及一大体上为结晶态的固态相。激光脉冲被用于读写光盘中，以在二种相中切换，并读取此种材料在相变之后的光学性质。
如硫属化物及类似材料的此种相变存储材料，可藉由施加其幅度适用于集成电路的电流而致使晶相转换。一般而言，非晶态的特征在于其电阻高于结晶态，此电阻值可轻易测量得到而用来作为指示。这种特性则引发使用可编程电阻材料以形成非易失性存储器电路等关注，此电路可用于随机存取读写。
从非晶态转变至结晶态一般为低电流步骤。从结晶态转变至非晶态(以下称为重置(reset))一般为高电流步骤，其包括一短暂的高电流密度脉冲以融化或破坏结晶结构，其后此相变材料会快速冷却，抑制相变的过程，使得至少部份相变结构得以维持在非晶态。理想状态下，致使相变材料从结晶态转变至非晶态的重置电流幅度应越低越好。欲降低重置所需的重置电流幅度，可藉由减低在存储器中的相变材料组件的尺寸、以及减少电极与此相变材料的接触面积而实现，因此可针对此相变材料组件施加较小的绝对电流值而实现较高的电流密度。
此领域发展的一种方法致力于在一集成电路结构上形成微小孔洞，并使用微量可编程电阻材料填充这些微小孔洞。致力于此种微小孔洞的专利包括：于1997年11月11日公告的美国专利No.5,687,112“Multibit Single Cell Memory Element Having Tapered Contact”、发明人为Ovshinky；于1998年8月4日公告的美国专利No.5,789,277“Method of Making Chalogenide[sic]Memory Device”、发明人为Zahorik等；于2000年11月21日公告的美国专利No.6,150,253“Controllable Ovonic Phase-Change Semiconductor Memory Deviceand Methods of Fabricating the Same”、发明人为Doan等。
因此，优选地是，提供一种具有小尺寸以及低重置电流的存储单元结构，以及提供一种制造此种结构的方法而可满足在制造大尺寸存储元件时严格的工艺变量规格。此外，优选地是，提供一种工艺与结构，其兼容于制造同一集成电路的周边电路。同时，用于在集成电路与其它衬底上制造奈米结构的制造技术也是必须的。
发明内容
在本发明中所述的技术包括一存储元件，其包括具有顶边的第一电极、具有顶边的第二电极、以及在第一与第二电极之间的绝缘构件。此绝缘构件的厚度介于第一电极的顶边与第二电极的顶边之间。一薄膜桥横跨此绝缘构件，并定义一电极间路径于第一与第二电极之间横跨此绝缘构件处。横跨此绝缘构件的电极间路径，其路径长度由绝缘构件的宽度定义。
受到相变的存储材料体积可能相当小，由绝缘构件的宽度(路径长度的X方向)、用以形成桥的薄膜宽度(Y方向)、以及正交至路径长度的桥宽度(Z方向)三者决定。绝缘构件的厚度、以及用以形成桥的薄膜存储材料的厚度，在实施例中由薄膜厚度决定，而此薄膜厚度在用以制造此存储细胞的微影工艺中并不受限制。此桥的宽度亦小于最小特征尺寸F，此最小特征尺寸由在本发明中用于图案化此材料层时所使用的微影工艺界定。本发明描述了用以制造此桥、并定义此存储材料桥的宽度的技术，此技术系根基于形成并使用一侧壁蚀刻掩膜结构。
在此制造方法的一实施方式中，此存储材料桥由一包括有下列步骤的工艺制造：
提供一衬底，其具有一上表面；
在衬底之上形成第一材料层，例如存储材料；
在该第一材料层上形成图案化材料层；
在该图案化材料层中定义一图案，此图案在图案化层中包括一阶壁，该阶壁具有一实质上延伸至第一材料层的侧壁；
在图案化材料中的阶壁之上淀积一侧壁材料，且非等向性地蚀刻侧壁材料以在阶壁之上形成一侧壁蚀刻掩膜，该侧壁蚀刻掩膜具有远离该阶壁的第一侧以及接近该阶壁的第二侧，并在一直线中覆盖该第一材料层，该直线的宽度介于该阶壁的第一侧与第二侧之间、且由淀积在该阶壁的侧壁材料的厚度定义；以及
利用侧壁蚀刻掩膜而针对第一材料层进行蚀刻，以在衬底上定义第一材料直线，此直线的宽度实质上由侧壁蚀刻掩膜的宽度定义。
此侧壁掩膜可被用在多种工艺中，以定义该直线材料的宽度。一例示工艺包括：利用此侧壁蚀刻掩膜的第一侧以及位于图案化材料层中侧壁蚀刻掩膜的第二侧的图案作为组合蚀刻掩膜，而针对第一材料层进行第一蚀刻；以及利用侧壁蚀刻掩膜的第二侧而针对第一材料层的剩余部分进行第二蚀刻，以留下该第一材料的直线。
在另一例示工艺中，此图案化材料从此侧壁蚀刻掩膜的第二侧移除，且接着利用侧壁蚀刻掩膜的第一侧与第二侧而针对第一材料层进行第二蚀刻，以留下该第一材料直线。
在另一替代工艺中，先利用侧壁蚀刻掩膜的第一侧以及位于图案化材料层中侧壁蚀刻掩膜的第二侧的图案作为组合蚀刻掩膜，而针对第一材料层进行第一蚀刻。接着，淀积第二侧壁材料于侧壁蚀刻掩膜之上并进行蚀刻以形成一覆盖侧壁于侧壁蚀刻掩膜之上。此图案化材料接着从侧壁蚀刻掩膜的第二侧移除，而第一材料的剩余部分则会利用侧壁蚀刻掩膜的第二侧而进行蚀刻，以留下第一材料直线。此覆盖侧壁将在第二蚀刻时，保护利用侧壁蚀刻掩膜的第一侧蚀刻而得到的第一材料直线的一侧不受损伤。
本发明所述用来在一存储单元内形成桥的方法，可被用以制造一非常小的桥而用做他用。具有非常微小桥结构的奈米技术组件是利用相变材料以外的材料(例如金属、介电物、有机材料、半导体等)而提供的。
在下面详细说明本发明的结构与方法。本发明内容说明章节目的并非在于定义本发明。本发明由权利要求来进行定义。本发明的实施例、特征、目的及优点等将可通过下列说明的权利要求以及附图而获得充分了解。
附图说明
图1示出了薄膜桥相变存储元素的实施例；
图2是根据一双侧侧壁掩膜过程，示出用以形成窄桥材料的过程的第一步骤；
图3是根据一双侧侧壁掩膜过程，示出用以形成窄桥材料的过程的第二步骤；
图4是根据一双侧侧壁掩膜过程，示出用以形成窄桥材料的过程的第三步骤；
图5是根据一双侧侧壁掩膜过程，示出用以形成窄桥材料的过程的第四步骤；
图6根据一双侧侧壁掩膜程序，示出用以形成窄桥材料的程序的第五步骤；
图7是根据一双侧侧壁掩膜过程，示出用以形成窄桥材料的过程的第六步骤；
图8是根据一双侧侧壁掩膜过程，示出用以形成窄桥材料的过程的第七步骤；
图9A至图9B是根据一双侧侧壁掩膜过程，示出用以形成窄桥材料的过程的第八步骤；
图10A至图10B示出从图5的结构开始进行的第一替代工艺的一步骤；
图11A至图11B示出该第一替代工艺的另一步骤；
图12示出使用侧壁蚀刻掩膜结构的第二替代工艺的一步骤；
图13示出第二替代工艺一步骤，其包括图12所使用的侧壁蚀刻掩膜结构；
图14示出第二替代工艺的一步骤，其包括图13所使用的侧壁蚀刻掩膜结构。
【主要组件符号说明】
10    存储单元
11    存储材料桥
12    第一电极
13    第二电极
14    绝缘构件
12a，13a，14a    上表面
100   衬底
101   材料层
101A  材料层表面
102   牺牲层
103   蚀刻掩膜
104   牺牲层
105   阶壁
106    侧壁材料层
107    侧壁蚀刻掩膜
107A   第一侧
107B   第二侧
108    终点
108A   终点的一侧
109    材料层
110    表面
112    宽覆盖侧壁结构
发明详述
参照图1-14对薄膜保险丝相变存储单元以及用以制造该存储单元与其它窄结构的方法进行详细描述。
图1示出存储单元10的基础结构，其包括在电极层上的存储材料桥11，该电极层包括第一电极12、第二电极13、以及位于第一电极12与第二电极13之间的绝缘构件14。如图所示，第一与第二电极12，13具有上表面12a与13a。相同地，绝缘构件14具有一上表面14a。在例示实施例中，在电极层中的上表面12a，13a，14a定义了一实质上平坦的上表面。该存储材料桥11位于电极层的平坦上表面上，使得位于第一电极与桥11之间的接触以及位于第二电极13与桥11之间的接触位于桥11的底侧。
存取电路的实施可藉由多种不同的配置而接触至第一电极12以及第二电极13，以控制存储单元的操作，进而使得其可被编程来将桥11设定为二固态相之一，藉由使用存储材料而使得此二固态相彼此可逆。举例而言，使用一以硫属化物为基础的相变存储材料，则存储单元可被设定至一相对高电阻态其中此桥位于电流路径内的至少一部份为非晶态，以及被设定为一低电阻态其中此桥在电流路径内的大部分为结晶态。
本领域技术人员了解的是，在例示结构中，该存储材料桥中的活性通道可以非常小，从而降低欲引发相变所需要的电流幅度。
图1说明存储单元10的重要尺寸。活性通道的长度L(X-方向)由绝缘构件14的厚度所定义(在图中称为通道长度)，其介于第一电极12与第二电极13之间。在存储单元的实施例中，藉由控制绝缘构件14的宽度而可控制此长度L。在代表性实施例中，绝缘构件14的宽度可利用薄膜淀积技术以形成一薄侧壁介电层于一电极堆栈的侧面而实现。因此，在此存储单元的实施例中，其具有的通道长度L小于100nm。其它实施例的通道长度L为约40nm或以下。在其它的实施例中，此通道长度为20nm或以下。可以了解的是，通道长度L甚至可低于20nm，视特定应用的需求而可利用如原子层淀积或类似的薄膜淀积技术实现。
相同的，在存储单元的实施例中，桥的厚度T(Y方向)也可非常微小。桥厚度T可利用一薄膜淀积技术在第一电极12、绝缘构件14、以及第二电极13的上表面上实现。因此，在存储单元的实施例中，桥厚度T约为30nm或以下。其它存储单元的实施例则具有桥厚度约为20nm或以下。在其它实施例中，桥的厚度T可为10nm或以下。可以了解的是，桥的厚度T甚至可小于10nm，视特定应用的需求而可使用如原子层淀积等薄膜淀积技术实现，只要此桥的厚度足以实现其作为存储元素的功能即可(亦即具有至少二固态相、且藉由施加一电流或电压于第一与第二电极之间而可逆地转换)。
如图1所示，桥的宽度W(Z方向)亦为非常微小。在优选实施例中，桥的宽度W小于100nm。在某些实施例中，桥的宽度W为约30nm或更小。利用本发明所述的技术，桥的宽度可轻易地为5-30nm。
存储单元的实施例，包括以相变为基础的存储材料，包括以硫属化物为基础的材料以及其它材料，来做为桥11的材料。硫属化物包括下列四元素的任一者：氧(O)、硫(S)、硒(Se)、以及碲(Te)，形成元素周期表上第VI族的部分。硫属化物包括将一硫属元素与一更为正电性的元素或自由基结合而得。硫属化合物合金包括将硫属化合物与其它物质如过渡金属等结合。一硫属化合物合金通常包括一个以上选自元素周期表第六栏的元素，例如锗(Ge)以及锡(Sn)。通常，硫属化合物合金包括下列元素中一个以上的复合物：锑(Sb)、镓(Ga)、铟(In)、以及银(Ag)。许多以相变为基础的存储材料已经被描述于技术文件中，包括下列合金：镓/锑、铟/锑、铟/硒、锑/碲、锗/碲、锗/锑/碲、铟/锑/碲、镓/硒/碲、锡/锑/碲、铟/锑/锗、银/铟/锑/碲、锗/锡/锑/碲、锗/锑/硒/碲、以及碲/锗/锑/硫。在锗/锑/碲合金家族中，可以尝试大范围的合金成分。此成分可以下列特征式表示：
TeaGebSb100-(a+b)。一位研究员描述了最有用的合金是为，在淀积材料中所包含的平均碲浓度远低于70％，典型地低于60％，并在一般型态合金中的碲含量范围从最低23％至最高58％，且最佳介于48％至58％的碲含量。锗的浓度远高于5％，且其在材料中的平均范围从最低8％至最高30％，一般低于50％。最佳地，锗的浓度范围介于8％至40％。在此成分中所剩下的主要成分则为锑。上述百分比为原子百分比，其为所有组成元素加总为100％。(Ovshinky‘112专利，栏10～11)由另一研究者所评估的特殊合金包括Ge2Sb2Te5、GeSb2Te4、以及GeSb4Te7。(Noboru Yamada，”Potential of Ge-Sb-TePhase-change Optical Disks for High-Data-Rate Recording”，SPIE v.3109，pp.28-37(1997))更一般地，过渡金属如铬(Cr)、铁(Fe)、镍(Ni)、铌(Nb)、钯(Pd)、铂(Pt)、以及上述的混合物或合金，可与锗/锑/碲结合以形成一相变合金其包括有可编程的电阻性质。可使用的存储材料的特殊范例，如Ovshinsky‘112专利中栏11-13所述，其范例在此列入参考。
相变合金可在第一结构态与第二结构态之间切换，其中第一结构态是指此材料大体上为非晶固相，而第二结构态是指此材料大体上为结晶固相。这些合金至少为双稳态(bistable)。术语“非晶”用以指一相对较无次序的结构，其比单晶更无次序性，而带有可检测的特征如比结晶态更高的电阻值。术语“结晶”用以指称一相对较有次序的结构，其比非晶态更有次序，因此包括有可检测的特征例如比非晶态更低的电阻值。典型地，相变材料可电切换至完全结晶态与完全非晶态之间所有可检测的不同状态。其它受到非晶态与结晶态的改变而影响的材料特性中包括，原子次序、自由电子密度、以及活化能。此材料可切换成为不同的固态、或可切换成为由两种以上固态形成的混合物，提供从非晶态至结晶态之间的灰阶部分。此材料中的电性质亦可能随之改变。
相变合金可藉由施加一电脉冲而从一种相态切换至另一相态。先前观察指出，一较短、较大幅度的脉冲倾向于将相变材料的相态改变成大体为非晶态。一较长、较低幅度的脉冲倾向于将相变材料的相态改变成大体为结晶态。在较短、较大幅度脉冲中的能量，足够大因此足以破坏结晶结构的键结，同时足够短因此可以防止原子再次排列成结晶态。在没有不适当实验的情形下，可决定特别适用于一特定相变合金的适当脉冲量变曲线。在本文中所描述的一种适用于PCRAM中的材料是Ge2Sb2Te5，并通常被称为GST。亦可使用其它类型的相变材料。
可用于本发明其它实施例中的其它可编程存储材料包括，掺杂N2的GST、GexSby、或其它以不同结晶态转换来决定电阻的物质；PrxCayMnO3、PrSrMnO、ZrOx、或其它使用一电脉冲以改变电阻状态的物质；TCNQ(7，7，8，8-tetracyanoquinodimethane)、PCBM(methanofullerene 6，6-phenyl C61-butyric acid methyl ester)、TCNQ-PCBM、Cu-TCNQ、Ag-TCNQ、C60-TCNQ、以其它物质掺杂的TCNQ、或任何其它聚合物材料其包括有以一电脉冲而控制的双稳态或多稳态电阻态。例如，在某些状态下适用的其它类型的存储材料为一可变电阻极薄氧化物层。
接着简单描述四种电阻存储材料。第一种为硫属化物材料，例如GexSbyTez，其中x∶y∶z＝2∶2∶5，或其它成分为x∶0～5；y∶0～5；z∶0～10。以氮、硅、钛或其它元素掺杂的GeSbTe亦可被使用。
一种用以形成硫属化物材料的例示方法是利用PVD溅镀或磁电管(Magnetron)溅镀方式，其反应气体为氩气、氮气、及/或氦气、压力为1mTorr至100mTorr。此淀积步骤一般在室温下进行。一长宽比为1～5的准直器(collimater)可用以改良其填入表现。为了改善其填入表现，亦可使用数十至数百的直流偏压。另一方面，同时合并使用直流偏压以及准直器也是可行的。
可以选择性地在真空中或氮气环境中进行一淀积后退火处理，以改良硫属化物材料的结晶态。此退火处理的温度典型地介于100℃至400℃，而退火时间则少于30分钟。
硫属化物材料的厚度随着单元结构的设计而定。一般而言，硫属化物的厚度大于8nm者可以具有相变特性，使得此材料呈现至少双稳态的电阻态。
第二种适合用于本发明实施例中的存储材料为巨磁阻(CMR)材料，例如PrxCayMnO3，其中X∶y＝0.5∶0.5，或其它成分为x∶0～1；y∶0～1。包括有锰氧化物的巨磁阻材料亦可被使用。
一用以形成巨磁阻材料的例示方法是利用PVD溅镀或磁电管溅镀方式，其反应气体为氩气、氮气、和/或氦气、压力为1mTorr至100mTorr。此淀积步骤的温度可介于室温至600℃，视后处理条件而定。一长宽比为1～5的准直器(collimater)可用以改良其填入表现。为了改善其填入表现，亦可使用数十至数百的直流偏压。另一方面，同时合并使用直流偏压以及准直器亦是可行的。可施加数十高斯(Gauss)至1特司拉(tesla)之间的磁场，以改良其磁结晶态。
可以选择性地在真空中或氮气环境中进行淀积后退火处理，以改良巨磁阻材料的结晶态。此退火处理的温度典型地介于400℃至600℃，而退火时间则少于2小时。
巨磁阻材料的厚度随着存储单元结构的设计而定。巨磁阻材料的厚度介于10nm至200nm时，可被用作为核心材料。一YBCO(YBACuO3，一种高温超导体材料)缓冲层通常被用以改良巨磁阻材料的结晶态。此YBCO的淀积是在淀积巨磁阻材料之前进行的。YBCO的厚度介于30nm至200nm。
第三种存储材料为双元素化合物，例如NixOy、TixOy、AlxOy、WxOy、ZnxOy、ZrxOy、CuxOy等，其中x∶y＝0.5∶0.5，或其它成分为x∶0～1；y∶0～1。用以形成此存储材料的例示方法是利用PVD溅镀或磁电管溅镀方式，其反应气体为氩气、氮气、和/或氦气、压力为1mTorr至100mTorr，其标靶金属氧化物为如NixOy、TixOy、AlxOy、WxOy、ZnxOy、ZrxOy、CuxOy等。此淀积步骤一般在室温下进行。一长宽比为1～5的准直器可用以改良其填入表现。为了改善其填入表现，亦可使用数十至数百的直流偏压。若有需要时，同时合并使用直流偏压以及准直器亦是可行的。
可以选择性地在真空中或氮气环境中进行淀积后退火处理，以改良金属氧化物内的氧原子分布。此退火处理的温度典型地介于400℃至600℃，而退火时间则少于2小时。
一种替代性的形成方法是利用PVD溅镀或磁电管溅镀方式，其反应气体为氩气/氧气、氩气/氮气/氧气、纯氧、氦气/氧气、氦气/氮气/氧气等，压力为1mTorr至100mTorr，其标靶金属氧化物为如Ni、Ti、Al、W、Zn、Zr、Cu等。此淀积步骤一般在室温下进行。一长宽比为1～5的准直器可用以改良其填入表现。为了改善其填入表现，亦可使用数十至数百的直流偏压。若有需要时，同时合并使用直流偏压以及准直器亦是可行的。
可以选择性地在真空中或氮气环境中进行淀积后退火处理，以改良金属氧化物内的氧原子分布。此退火处理的温度典型地介于400℃至600℃，而退火时间则少于2小时。
另一种形成方法是使用高温氧化系统(例如高温炉管或快速热处理(RTP))进行氧化。此温度介于200℃至700℃、以纯氧或氮气/氧气混合气体，在压力为数mTorr至一大气压下进行。进行时间可从数分钟至数小时。另一氧化方法为电浆氧化。一无线射频或直流电压源电浆与纯氧或氩气/氧气混合气体、或氩气/氮气/氧气混合气体，在压力为1mTorr至100mTorr下进行金属表面的氧化，例如Ni、Ti、Al、W、Zn、Zr、Cu等。此氧化时间为从数秒钟至数分钟。氧化温度为从室温至约300℃，视电浆氧化的程度而定。
第四种存储材料为聚合物材料，例如掺杂有铜、碳六十、银等的TCNQ，或PCBM、TCNQ混合聚合物。一种形成方法是利用热蒸发、电子束蒸发、或原子束磊晶系统(MBE)进行蒸发。一固态TCNQ以及掺杂物丸在一单独室内进行共蒸发。此固态TCNQ以及掺杂物丸置于一钨船或一钽船或一陶瓷船中。接着施加一大电流或电子束，以熔化反应物，使得这些材料混合并淀积于晶圆之上。此处并未使用反应性化学物质或气体。此沉积作用是在压力为10-4Torr至10-10Torr下进行的。晶圆温度介于室温至200℃之间。
可以选择性地在真空中或氮气环境中进行淀积后退火处理，以改良聚合物材料的成分分布。此退火处理的温度典型地介于400℃至600℃，而退火时间则少于2小时。
另一种用以形成一层以聚合物为基础的存储材料的技术是使用一旋转涂布机与经掺杂的TCNQ溶液，转速低于1000rpm。在旋转涂布之后，此晶圆被静置(典型地在室温下，或低于200℃之温度)一足够时间以利于固态的形成。此静置时间可介于数分钟至数天，视温度以及形成条件而定。
图2至图10A及图10B说明一种用以在衬底上形成窄线的技术，其可被用于制造在电极层之上的存储材料桥，如本发明所述。如图2所示，此工艺从提供衬底100(例如一电极层)开始，其上具有材料层101，例如上述的存储材料。一图案化材料的牺牲层102形成于层101之上，此图案化材料为如二氧化硅、氮化硅、多晶硅、或类似材料等。接着施加一层光阻层并进行图案化，以在牺牲层102之上提供一蚀刻掩膜103。在用以制造存储材料桥的一实施例中，此蚀刻掩膜103可被定义其宽度为垂直于页面，且大约等于在电极上的桥的长度。此蚀刻掩膜103被使用于蚀刻牺牲层102时，接着则被剥除以形成如图3的结构，其中层101具有一牺牲层104其图案由蚀刻掩膜103定义，包括一阶壁105其实质上延伸至层101的表面101A。在此工艺的实施例中，衬底100包括如图1所示的电极层，其包括含有氮化钛或其它适合用于材料层101的接触材料的电极。在本发明一工艺的实施方式中，在层101中的材料包括GST，而氮化钛则为一适合的电极材料。层104可包括一电浆增强化学气相淀积二氧化硅层，其厚度为120至200nm的数量级，而其蚀刻化学性质与GST明显不同。层104可包括一抗反射涂布于二氧化硅之上，如先前技术中所周知。任何抗反射层利用蚀刻掩膜103在层104被蚀刻之前先进行蚀刻、或与层104同时进行蚀刻。此电浆增强热二氧化硅可利用C4F8/CO/Ar/O2反应性离子蚀刻工艺而进行蚀刻，其针对层104中的二氧化硅有选择性而较不易蚀刻层101中的GST，并停止于层101。在优选实施例中，由蚀刻所产生的阶壁越垂直越好。
图4显示下一步骤中，一层如氮化硅、二氧化硅或多晶硅的侧壁材料层106形成于经图形化的牺牲层104之上，包括阶壁105、以及过度露出的层101的部分。在上述实施例中，此层106包括氮化硅，其中层104则包括二氧化硅，且层101包括如GST的存储材料。此氮化硅层利用一顺形工艺而淀积，以在阶壁上形成一层，其厚度在20nm的数量级，且优选介于约10至约40nm。若形成较少的顺形层，则层106应淀积至厚度较厚，且过度蚀刻以定义如下所述的侧壁蚀刻掩膜107。
接着，如图5所示，侧壁材料106经选择性非等向性蚀刻以形成侧壁蚀刻掩膜107。在层106中的材料包括氮化硅的实施例中，此蚀刻步骤可利用一CHF3/O2反应性蚀刻方法，而此蚀刻将停止在层101。此侧壁蚀刻掩膜具有远离阶壁的第一侧、以及一接近阶壁的第二侧，而界定了侧壁蚀刻掩膜107的厚度。层101接着利用侧壁蚀刻掩膜中远离阶壁的第一侧而进行蚀刻，以定义层101的终点108。并且停止于衬底100的表面或接近表面处，使得层101的终点108位于侧壁蚀刻掩膜107之下，而延伸超过在图案化的牺牲层104中的阶壁105。当侧壁材料以及层101具有类似的蚀刻化学性质时，可利用与蚀刻侧壁时的相同蚀刻步骤而蚀刻层101，或利用其它蚀刻工艺其选择性地蚀刻层101。在上述层101包括GST且侧壁蚀刻掩膜包括氮化硅的实施例中，可使用一CF4/Ar反应性离子蚀刻工艺而进行蚀刻，并稍微过度蚀刻至氮化钛衬底中。
图6显示下一步骤，其中一材料层109(例如用以形成侧壁蚀刻掩膜107的材料)形成于上述所得结构之上。接着，应用一平面化技术以移除层109中位于牺牲层104上的部分，露出牺牲层104的表面110以进行后续蚀刻步骤，如图7所示。如图所示，层101的终点108位于仍然存在的侧壁蚀刻掩膜之下。当层109所包含的材质与侧壁蚀刻掩膜107相同时，侧壁蚀刻掩膜实质上则与层109剩余的部分相结合。
图8显示针对牺牲层104进行选择性蚀刻的结果，留下侧壁结构107以及层109的剩余部分，且层101延伸至位于层109剩余部分的边缘的侧壁蚀刻掩膜之下。所得的结构提供了一蚀刻掩膜其依赖侧壁蚀刻掩膜的第二侧，而此第二侧系接近层104的图案材料以作为蚀刻步骤的对准用。
图9A至图9B说明了下一步骤，其利用侧壁掩膜技术而形成材料窄线108。图9A为一上视图，显示在移除层101中不被材料109所保护的部分之后，层109、与所示边缘之下包括有终点108且材质与层101相同的细线(事实上在层109的边缘之下，如图9B所示)。
图9B显示一侧视图，其中层101的终点108被衬底100上的材料109保护。利用此种方法，可形成一窄线的材料，例如用于上述存储单元结构中的存储材料桥的窄线，其包括一次微影宽度以及次微影厚度，二者皆可由薄膜厚度定义。此线的宽度实质上由侧壁蚀刻掩膜的宽度定义，并随着蚀刻的垂直度而定。若有下切情形发生，则此线的宽度将更窄。若具有倾斜的蚀刻结果，则此线的宽度可比侧壁蚀刻掩膜宽。
图10A与图10B为一替代工艺中一步骤的平面图与剖面图，其是图5所示的步骤的接续，其中牺牲层104在利用侧壁蚀刻掩膜107的第一侧针对层101进行蚀刻后仍存在。如图10A与图10B所示，在一替代工艺中并未生成如图7所示的层109，而移除层104并留下侧壁蚀刻掩膜107而留下一覆盖层101的终点108的直线。针对牺牲层104所进行的蚀刻可减少侧壁蚀刻掩膜107的高度，如图所示。侧壁蚀刻掩膜107的第二侧107B(接近牺牲层104的阶壁者)现在则可被用以对准层101的蚀刻步骤，并定义由蚀刻步骤之后所残存的层101的终点108所形成的窄结构的第二侧。在层104包括二氧化硅且侧壁蚀刻掩膜包括氮化硅于一GST层之上的实施例中，此方法可包括一C4F8/CO/Ar/O2反应性离子蚀刻。
图11A与图11B为在此替代工艺中下一步骤的平面图与剖面图，其是移除层101中未被侧壁蚀刻掩膜107覆盖的部分后的结果。如图所示，层101的终点108依然位于侧壁蚀刻掩膜107之下。侧壁蚀刻掩膜107中远离层104的阶壁的第一侧107A，用以定义由层101的终点108形成的线段的一侧，且侧壁蚀刻掩膜中接近层104的阶壁的第二侧107B，用以定义由层101的终点108形成的线段的另一侧。
图12至图14说明在另一替代实施例中、利用一侧壁蚀刻掩膜以制造一窄线材料的各步骤。在图12中，材料层101形成于一衬底上且具有图案化的牺牲层104，其上并形成有阶壁105。在下一步骤中，如图13所示，一侧壁蚀刻掩膜107如上所述而形成。侧壁蚀刻掩膜中远离阶壁105的侧用以定义层101的终点部分108的一侧108A。
图14说明下一步骤，其中一宽覆盖侧壁结构112是藉由淀积一较厚层材料(如同用以形成侧壁蚀刻掩膜107的材料)而形成于侧壁蚀刻掩膜107之上，并接着非等向性蚀刻此材料以形成此宽覆盖侧壁结构112。此宽覆盖侧壁结构112延伸至层101的终点的一侧108A之上，并向下延伸至衬底。在后续利用侧壁蚀刻掩膜的第二侧107B以定义此窄线的工艺中，此宽覆盖侧壁结构112用来保护侧边108A不暴露至蚀刻工艺。
虽然本发明已参照优选实施例来加以描述，本领域技术人员了解的是，本发明创作并未受限于其详细描述内容。替换方式及修改样式已于先前描述中所建议，并且其它替换方式及修改样式将为本领域技术人员所能想到。特别是，根据本发明的结构与方法，所有具有实质上相同于本发明的构件结合而实现与本发明实质上相同结果者都不脱离本发明的精神范畴。因此，所有此等替换方式及修改样式意欲落在本发明的由随附权利要求及其均等物所界定的范畴之中。任何在前文中提及的专利申请案以及印刷文本，都被列为本案的参考。

Claims (19)

1、一种制造窄结构的方法，包括：
提供衬底，该衬底具有上表面；
在该衬底上形成第一材料层；
在该第一材料层上形成图案化材料层；
在该图案化材料层中定义一图案，该图案在该图案化材料中包括一阶壁，该阶壁具有一实质上延伸至该第一材料层的侧壁；
在该图案化材料中的该阶壁之上淀积一侧壁材料，并蚀刻该侧壁材料以在该阶壁之上形成一侧壁掩膜，该侧壁蚀刻掩膜具有远离该阶壁的第一侧以及接近该阶壁的第二侧，且在一直线内覆盖该第一材料层，该直线的宽度介于该第一侧与第二侧之间；以及
利用该侧壁蚀刻掩膜而蚀刻该第一材料层，以在该衬底上定义该第一材料的一直线，该直线的宽度实质上由该侧壁蚀刻掩膜的宽度定义。
2、如权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料层的蚀刻步骤包括：
利用该侧壁蚀刻掩膜的第一侧以及在该图案化材料层中的图案作为蚀刻掩膜而针对该第一材料层进行第一蚀刻；
移除该图案化材料；以及
利用该侧壁蚀刻掩膜的第二侧针对该第一材料的剩余部分进行第二蚀刻，以留下该第一材料的该直线。
3、如权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料层的蚀刻步骤包括：
移除该图案化材料；以及
利用该侧壁蚀刻掩膜的第一侧与第二侧而蚀刻该第一材料层，以留下该第一材料的该直线。
4、如权利要求1所述的方法，其中，该第一材料层的蚀刻步骤包括：
利用该侧壁蚀刻掩膜的第一侧以及该图案化材料层中的图案作为蚀刻掩膜来针对该第一材料层进行第一蚀刻；
在该侧壁蚀刻掩膜之上淀积第二侧壁材料，并蚀刻该第二侧壁材料，以在该侧壁蚀刻掩膜之上形成一覆盖侧壁；
移除该图案化材料；以及
利用该侧壁蚀刻掩膜的第二侧而针对该第一材料的剩余部分进行第二蚀刻，以留下该第一材料的该直线。
5、如权利要求1所述的方法，其中，该图案化材料以及该侧壁材料包括具有不同蚀刻化学性质的材料，以允许该图案化材料与该侧壁材料的选择性蚀刻。
6、如权利要求1所述的方法，其中，该第一材料以及该侧壁材料包括具有不同蚀刻化学性质的材料，以允许该第一材料与该侧壁材料的选择性蚀刻。
7、如权利要求1所述的方法，其中，该图案化材料与该侧壁材料包括绝缘材料，且该第一材料包括存储材料。
8、如权利要求1所述的方法，其中，该图案化材料与该侧壁材料包括绝缘材料，且该第一材料包括相变存储材料。
9、如权利要求1所述的方法，其中，该图案化材料与该侧壁材料包括绝缘材料，且该第一材料包括一可编程电阻存储材料。
10、一种用于制造存储元件的方法，包括：
形成衬底，该衬底具有上表面；
在该衬底的上表面之上形成存储材料桥，其中该桥的形成步骤包括：
在该衬底之上形成存储材料层；
在该存储材料层之上形成图案化材料层；
在该图案化材料层中定义一图案，该图案在该图案化材料中包括一阶壁，该阶壁具有一实质上延伸至该存储材料层的侧壁；
在该图案化材料中的该阶壁之上淀积一侧壁材料，并蚀刻该侧壁材料以在该阶壁之上形成侧壁蚀刻掩膜，该侧壁蚀刻掩膜具有远离该阶壁的第一侧以及接近该阶壁的第二侧，且在一直线内覆盖该存储材料层，该直线的宽度介于该第一侧与第二侧之间；以及
利用该侧壁蚀刻掩膜而蚀刻该存储材料层，以在该衬底上定义该存储材料的一直线，该直线的宽度实质上由该侧壁蚀刻掩膜的宽度定义。
11、如权利要求10所述的方法，其中，该存储材料层的蚀刻步骤包括：
利用该侧壁蚀刻掩膜的第一侧以及该图案化材料层中的图案作为蚀刻掩膜，以针对该存储材料进行第一蚀刻；
移除该图案化材料；以及
利用该侧壁蚀刻掩膜的第二侧而针对该存储材料的剩余部分进行第二蚀刻，以留下该存储材料的该直线。
12、如权利要求10所述的方法，其中，该存储材料层的蚀刻步骤包括：
移除该图案化材料；以及
利用该侧壁蚀刻掩膜的第一侧与第二侧而蚀刻该存储材料层，以留下该存储材料的该直线。
13、如权利要求10所述的方法，其中，该存储材料层的蚀刻步骤包括：
利用该侧壁蚀刻掩膜的第一侧与该图案化材料层中的图案作为蚀刻掩膜而针对该存储材料层进行第一蚀刻；
在该侧壁蚀刻掩膜之上淀积第二侧壁材料，并蚀刻该第二侧壁材料以在该侧壁蚀刻掩膜之上形成一覆盖侧壁；
移除该图案化材料；以及
利用该侧壁蚀刻掩膜的第二侧而针对该存储材料的剩余部分进行第二蚀刻，以留下该存储材料的该直线。
14、如权利要求10所述的方法，其中，该图案化材料与该侧壁材料包括具有不同蚀刻化学性质的材料，以允许该图案化材料与该侧壁材料的选择性蚀刻。
15、如权利要求10所述的方法，其中，该存储材料与该侧壁材料包括具有不同蚀刻化学性质的材料，以允许该存储材料与该侧壁材料的选择性蚀刻。
16、如权利要求10所述的方法，其中，该衬底包括第一电极、第二电极、以及在该基衬底表面上介于该第一与第二电极间的绝缘构件，且其中该绝缘构件的宽度为约50nm或以下，该存储材料的该直线的宽度为约50nm或以下，且该直线的厚度为约50nm或以下而与位于该衬底上的该第一与第二电极接触。
17、如权利要求10所述的方法，其中该直线的厚度为约30nm或以下，其宽度为约30nm或以下。
18、如权利要求10所述的方法，其中，该存储材料包括由锗、锑与碲组成的合金。
19、如权利要求10所述的方法，其中，该存储材料包括一合金，该合金包括由下列组中的二者或以上组成的组合物：锗、锑、碲、硒、铟、钛、镓、铋、锡、铜、钯、铅、银、硫与金。
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Families Citing this family (176)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6612695B2 (en) * 2001-11-07 2003-09-02 Michael Waters Lighted reading glasses
US7321130B2 (en) * 2005-06-17 2008-01-22 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change RAM and manufacturing method
US7598512B2 (en) * 2005-06-17 2009-10-06 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change cell with thermal isolation layer and manufacturing method
US7696503B2 (en) 2005-06-17 2010-04-13 Macronix International Co., Ltd. Multi-level memory cell having phase change element and asymmetrical thermal boundary
US8237140B2 (en) * 2005-06-17 2012-08-07 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned, embedded phase change RAM
US7569888B2 (en) * 2005-08-10 2009-08-04 Toshiba America Electronic Components, Inc. Semiconductor device with close stress liner film and method of manufacturing the same
US7450411B2 (en) * 2005-11-15 2008-11-11 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory device and manufacturing method
US7635855B2 (en) 2005-11-15 2009-12-22 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell
US7786460B2 (en) 2005-11-15 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory device and manufacturing method
US7394088B2 (en) 2005-11-15 2008-07-01 Macronix International Co., Ltd. Thermally contained/insulated phase change memory device and method (combined)
US7414258B2 (en) * 2005-11-16 2008-08-19 Macronix International Co., Ltd. Spacer electrode small pin phase change memory RAM and manufacturing method
US7449710B2 (en) 2005-11-21 2008-11-11 Macronix International Co., Ltd. Vacuum jacket for phase change memory element
US7479649B2 (en) 2005-11-21 2009-01-20 Macronix International Co., Ltd. Vacuum jacketed electrode for phase change memory element
CN100524878C (zh) 2005-11-21 2009-08-05 旺宏电子股份有限公司 具有空气绝热单元的可编程电阻材料存储阵列
US7829876B2 (en) 2005-11-21 2010-11-09 Macronix International Co., Ltd. Vacuum cell thermal isolation for a phase change memory device
US7599217B2 (en) * 2005-11-22 2009-10-06 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device and manufacturing method
US7459717B2 (en) 2005-11-28 2008-12-02 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7688619B2 (en) * 2005-11-28 2010-03-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7521364B2 (en) * 2005-12-02 2009-04-21 Macronix Internation Co., Ltd. Surface topology improvement method for plug surface areas
US7642539B2 (en) * 2005-12-13 2010-01-05 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change cell with thermal isolation pad and manufacturing method
US7531825B2 (en) 2005-12-27 2009-05-12 Macronix International Co., Ltd. Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array
US8062833B2 (en) 2005-12-30 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. Chalcogenide layer etching method
US7560337B2 (en) * 2006-01-09 2009-07-14 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US7741636B2 (en) 2006-01-09 2010-06-22 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US7432206B2 (en) * 2006-01-24 2008-10-07 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned manufacturing method, and manufacturing method for thin film fuse phase change ram
US7956358B2 (en) 2006-02-07 2011-06-07 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell with thermal isolation
US7554144B2 (en) 2006-04-17 2009-06-30 Macronix International Co., Ltd. Memory device and manufacturing method
US7928421B2 (en) * 2006-04-21 2011-04-19 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with vacuum spacer
US7608848B2 (en) 2006-05-09 2009-10-27 Macronix International Co., Ltd. Bridge resistance random access memory device with a singular contact structure
US7880160B2 (en) * 2006-05-22 2011-02-01 Qimonda Ag Memory using tunneling field effect transistors
US7423300B2 (en) * 2006-05-24 2008-09-09 Macronix International Co., Ltd. Single-mask phase change memory element
US7820997B2 (en) * 2006-05-30 2010-10-26 Macronix International Co., Ltd. Resistor random access memory cell with reduced active area and reduced contact areas
US7732800B2 (en) 2006-05-30 2010-06-08 Macronix International Co., Ltd. Resistor random access memory cell with L-shaped electrode
US7696506B2 (en) * 2006-06-27 2010-04-13 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with memory material insulation and manufacturing method
US7785920B2 (en) 2006-07-12 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Method for making a pillar-type phase change memory element
JP4865433B2 (ja) * 2006-07-12 2012-02-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7772581B2 (en) 2006-09-11 2010-08-10 Macronix International Co., Ltd. Memory device having wide area phase change element and small electrode contact area
US7504653B2 (en) 2006-10-04 2009-03-17 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device with circumferentially-extending memory element
US7527985B2 (en) * 2006-10-24 2009-05-05 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a resistor random access memory with reduced active area and reduced contact areas
US7863655B2 (en) 2006-10-24 2011-01-04 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cells with dual access devices
KR100843210B1 (ko) * 2006-11-02 2008-07-02 삼성전자주식회사 저항 메모리 소자 및 데이터 기입 방법
US7476587B2 (en) 2006-12-06 2009-01-13 Macronix International Co., Ltd. Method for making a self-converged memory material element for memory cell
US7682868B2 (en) * 2006-12-06 2010-03-23 Macronix International Co., Ltd. Method for making a keyhole opening during the manufacture of a memory cell
US7903447B2 (en) 2006-12-13 2011-03-08 Macronix International Co., Ltd. Method, apparatus and computer program product for read before programming process on programmable resistive memory cell
US8344347B2 (en) 2006-12-15 2013-01-01 Macronix International Co., Ltd. Multi-layer electrode structure
KR20080057094A (ko) * 2006-12-19 2008-06-24 삼성전자주식회사 상변화 메모리 소자와 그 제조 및 동작 방법
US7718989B2 (en) 2006-12-28 2010-05-18 Macronix International Co., Ltd. Resistor random access memory cell device
US7440315B2 (en) * 2007-01-09 2008-10-21 Macronix International Co., Ltd. Method, apparatus and computer program product for stepped reset programming process on programmable resistive memory cell
US7433226B2 (en) * 2007-01-09 2008-10-07 Macronix International Co., Ltd. Method, apparatus and computer program product for read before programming process on multiple programmable resistive memory cell
US7667220B2 (en) * 2007-01-19 2010-02-23 Macronix International Co., Ltd. Multilevel-cell memory structures employing multi-memory with tungsten oxides and manufacturing method
US7663135B2 (en) * 2007-01-31 2010-02-16 Macronix International Co., Ltd. Memory cell having a side electrode contact
US7619311B2 (en) 2007-02-02 2009-11-17 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device with coplanar electrode surface and method
US7701759B2 (en) 2007-02-05 2010-04-20 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device and programming methods
US8138028B2 (en) 2007-02-12 2012-03-20 Macronix International Co., Ltd Method for manufacturing a phase change memory device with pillar bottom electrode
US7884343B2 (en) 2007-02-14 2011-02-08 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with filled sidewall memory element and method for fabricating the same
US7956344B2 (en) 2007-02-27 2011-06-07 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with memory element contacting ring-shaped upper end of bottom electrode
US7786461B2 (en) 2007-04-03 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Memory structure with reduced-size memory element between memory material portions
US8610098B2 (en) * 2007-04-06 2013-12-17 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory bridge cell with diode isolation device
US7755076B2 (en) * 2007-04-17 2010-07-13 Macronix International Co., Ltd. 4F2 self align side wall active phase change memory
TWI381385B (zh) * 2007-05-04 2013-01-01 Macronix Int Co Ltd 具有嵌入式多類型記憶體的記憶體結構
US8513637B2 (en) * 2007-07-13 2013-08-20 Macronix International Co., Ltd. 4F2 self align fin bottom electrodes FET drive phase change memory
TWI402980B (zh) 2007-07-20 2013-07-21 Macronix Int Co Ltd 具有緩衝層之電阻式記憶結構
US7884342B2 (en) 2007-07-31 2011-02-08 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory bridge cell
US7729161B2 (en) 2007-08-02 2010-06-01 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with dual word lines and source lines and method of operating same
US9018615B2 (en) * 2007-08-03 2015-04-28 Macronix International Co., Ltd. Resistor random access memory structure having a defined small area of electrical contact
US7642125B2 (en) 2007-09-14 2010-01-05 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell in via array with self-aligned, self-converged bottom electrode and method for manufacturing
US8178386B2 (en) 2007-09-14 2012-05-15 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell array with self-converged bottom electrode and method for manufacturing
US7919766B2 (en) 2007-10-22 2011-04-05 Macronix International Co., Ltd. Method for making self aligning pillar memory cell device
US7804083B2 (en) 2007-11-14 2010-09-28 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell including a thermal protect bottom electrode and manufacturing methods
US7646631B2 (en) 2007-12-07 2010-01-12 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having interface structures with essentially equal thermal impedances and manufacturing methods
US7768812B2 (en) 2008-01-15 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices
CN101971382B (zh) * 2008-01-16 2013-12-25 Nxp股份有限公司 包括相变材料层的多层结构及其制造方法
US7879643B2 (en) * 2008-01-18 2011-02-01 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with memory element contacting an inverted T-shaped bottom electrode
US7879645B2 (en) 2008-01-28 2011-02-01 Macronix International Co., Ltd. Fill-in etching free pore device
US7906774B2 (en) 2008-02-01 2011-03-15 Industrial Technology Research Institute Phase change memory device
US8158965B2 (en) 2008-02-05 2012-04-17 Macronix International Co., Ltd. Heating center PCRAM structure and methods for making
US8084842B2 (en) 2008-03-25 2011-12-27 Macronix International Co., Ltd. Thermally stabilized electrode structure
US8030634B2 (en) * 2008-03-31 2011-10-04 Macronix International Co., Ltd. Memory array with diode driver and method for fabricating the same
US7825398B2 (en) 2008-04-07 2010-11-02 Macronix International Co., Ltd. Memory cell having improved mechanical stability
US7791057B2 (en) 2008-04-22 2010-09-07 Macronix International Co., Ltd. Memory cell having a buried phase change region and method for fabricating the same
US8211743B2 (en) 2008-05-02 2012-07-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming non-volatile memory cells having multi-resistive state material between conductive electrodes
US8077505B2 (en) 2008-05-07 2011-12-13 Macronix International Co., Ltd. Bipolar switching of phase change device
US7701750B2 (en) * 2008-05-08 2010-04-20 Macronix International Co., Ltd. Phase change device having two or more substantial amorphous regions in high resistance state
US8624214B2 (en) 2008-06-10 2014-01-07 Panasonic Corporation Semiconductor device having a resistance variable element and a manufacturing method thereof
US8415651B2 (en) 2008-06-12 2013-04-09 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having top and bottom sidewall contacts
US8134137B2 (en) 2008-06-18 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Memory device constructions, memory cell forming methods, and semiconductor construction forming methods
US8134857B2 (en) 2008-06-27 2012-03-13 Macronix International Co., Ltd. Methods for high speed reading operation of phase change memory and device employing same
US9343665B2 (en) 2008-07-02 2016-05-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming a non-volatile resistive oxide memory cell and methods of forming a non-volatile resistive oxide memory array
US7932506B2 (en) 2008-07-22 2011-04-26 Macronix International Co., Ltd. Fully self-aligned pore-type memory cell having diode access device
US20100019215A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Macronix International Co., Ltd. Mushroom type memory cell having self-aligned bottom electrode and diode access device
US7888165B2 (en) 2008-08-14 2011-02-15 Micron Technology, Inc. Methods of forming a phase change material
US7903457B2 (en) 2008-08-19 2011-03-08 Macronix International Co., Ltd. Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application
US7834342B2 (en) 2008-09-04 2010-11-16 Micron Technology, Inc. Phase change material and methods of forming the phase change material
US7719913B2 (en) 2008-09-12 2010-05-18 Macronix International Co., Ltd. Sensing circuit for PCRAM applications
US8324605B2 (en) 2008-10-02 2012-12-04 Macronix International Co., Ltd. Dielectric mesh isolated phase change structure for phase change memory
US7897954B2 (en) 2008-10-10 2011-03-01 Macronix International Co., Ltd. Dielectric-sandwiched pillar memory device
US8036014B2 (en) 2008-11-06 2011-10-11 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory program method without over-reset
US8664689B2 (en) 2008-11-07 2014-03-04 Macronix International Co., Ltd. Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline plug and single-crystal semiconductor regions
US8907316B2 (en) 2008-11-07 2014-12-09 Macronix International Co., Ltd. Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline and single crystal semiconductor regions
US7869270B2 (en) 2008-12-29 2011-01-11 Macronix International Co., Ltd. Set algorithm for phase change memory cell
US8089137B2 (en) 2009-01-07 2012-01-03 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit memory with single crystal silicon on silicide driver and manufacturing method
US8107283B2 (en) 2009-01-12 2012-01-31 Macronix International Co., Ltd. Method for setting PCRAM devices
US8030635B2 (en) 2009-01-13 2011-10-04 Macronix International Co., Ltd. Polysilicon plug bipolar transistor for phase change memory
US8064247B2 (en) 2009-01-14 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. Rewritable memory device based on segregation/re-absorption
US8933536B2 (en) 2009-01-22 2015-01-13 Macronix International Co., Ltd. Polysilicon pillar bipolar transistor with self-aligned memory element
US8084760B2 (en) * 2009-04-20 2011-12-27 Macronix International Co., Ltd. Ring-shaped electrode and manufacturing method for same
US8173987B2 (en) 2009-04-27 2012-05-08 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method
US8829646B2 (en) * 2009-04-27 2014-09-09 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit 3D memory array and manufacturing method
US8097871B2 (en) 2009-04-30 2012-01-17 Macronix International Co., Ltd. Low operational current phase change memory structures
US7933139B2 (en) 2009-05-15 2011-04-26 Macronix International Co., Ltd. One-transistor, one-resistor, one-capacitor phase change memory
US7968876B2 (en) 2009-05-22 2011-06-28 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having vertical channel access transistor
US8350316B2 (en) 2009-05-22 2013-01-08 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cells having vertical channel access transistor and memory plane
US8809829B2 (en) 2009-06-15 2014-08-19 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory having stabilized microstructure and manufacturing method
US8406033B2 (en) 2009-06-22 2013-03-26 Macronix International Co., Ltd. Memory device and method for sensing and fixing margin cells
US8363463B2 (en) 2009-06-25 2013-01-29 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory having one or more non-constant doping profiles
US8238149B2 (en) 2009-06-25 2012-08-07 Macronix International Co., Ltd. Methods and apparatus for reducing defect bits in phase change memory
US8198619B2 (en) 2009-07-15 2012-06-12 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell structure
US7894254B2 (en) 2009-07-15 2011-02-22 Macronix International Co., Ltd. Refresh circuitry for phase change memory
US8110822B2 (en) 2009-07-15 2012-02-07 Macronix International Co., Ltd. Thermal protect PCRAM structure and methods for making
US8064248B2 (en) 2009-09-17 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. 2T2R-1T1R mix mode phase change memory array
US8178387B2 (en) 2009-10-23 2012-05-15 Macronix International Co., Ltd. Methods for reducing recrystallization time for a phase change material
US20110101534A1 (en) * 2009-11-04 2011-05-05 International Business Machines Corporation Automated short length wire shape strapping and methods of fabricting the same
TWI418002B (zh) * 2009-12-01 2013-12-01 Xintec Inc 晶片封裝體及其製造方法
US8427859B2 (en) 2010-04-22 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8411477B2 (en) 2010-04-22 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8729521B2 (en) 2010-05-12 2014-05-20 Macronix International Co., Ltd. Self aligned fin-type programmable memory cell
KR101631452B1 (ko) * 2010-06-03 2016-06-17 삼성전자 주식회사 퓨즈 구조체, 상기 퓨즈 구조체를 포함하는 이퓨즈 및 상기 이퓨즈를 포함하는 반도체 소자
US8289763B2 (en) 2010-06-07 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Memory arrays
KR101669261B1 (ko) * 2010-06-14 2016-10-25 삼성전자주식회사 수직 채널 트랜지스터를 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8310864B2 (en) 2010-06-15 2012-11-13 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned bit line under word line memory array
US9082954B2 (en) 2010-09-24 2015-07-14 Macronix International Co., Ltd. PCRAM with current flowing laterally relative to axis defined by electrodes
US8351242B2 (en) 2010-09-29 2013-01-08 Micron Technology, Inc. Electronic devices, memory devices and memory arrays
US8395935B2 (en) 2010-10-06 2013-03-12 Macronix International Co., Ltd. Cross-point self-aligned reduced cell size phase change memory
US8759809B2 (en) 2010-10-21 2014-06-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry comprising nonvolatile memory cells having platelike electrode and ion conductive material layer
US8796661B2 (en) 2010-11-01 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cell
US8526213B2 (en) 2010-11-01 2013-09-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of programming memory cells, and methods of forming memory cells
US8497705B2 (en) 2010-11-09 2013-07-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change device for interconnection of programmable logic device
US8467238B2 (en) 2010-11-15 2013-06-18 Macronix International Co., Ltd. Dynamic pulse operation for phase change memory
US9454997B2 (en) 2010-12-02 2016-09-27 Micron Technology, Inc. Array of nonvolatile memory cells having at least five memory cells per unit cell, having a plurality of the unit cells which individually comprise three elevational regions of programmable material, and/or having a continuous volume having a combination of a plurality of vertically oriented memory cells and a plurality of horizontally oriented memory cells; array of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells
US8431458B2 (en) 2010-12-27 2013-04-30 Micron Technology, Inc. Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells
US8791447B2 (en) 2011-01-20 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US8488365B2 (en) 2011-02-24 2013-07-16 Micron Technology, Inc. Memory cells
US8486743B2 (en) 2011-03-23 2013-07-16 Micron Technology, Inc. Methods of forming memory cells
US8537592B2 (en) 2011-04-15 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US9324422B2 (en) * 2011-04-18 2016-04-26 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Adaptive resistive device and methods thereof
US8497182B2 (en) 2011-04-19 2013-07-30 Macronix International Co., Ltd. Sidewall thin film electrode with self-aligned top electrode and programmable resistance memory
US8994489B2 (en) 2011-10-19 2015-03-31 Micron Technology, Inc. Fuses, and methods of forming and using fuses
US8546231B2 (en) 2011-11-17 2013-10-01 Micron Technology, Inc. Memory arrays and methods of forming memory cells
US9252188B2 (en) 2011-11-17 2016-02-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming memory cells
US8723155B2 (en) 2011-11-17 2014-05-13 Micron Technology, Inc. Memory cells and integrated devices
US8987700B2 (en) 2011-12-02 2015-03-24 Macronix International Co., Ltd. Thermally confined electrode for programmable resistance memory
US9412442B2 (en) 2012-04-27 2016-08-09 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods for forming a nanowire and apparatus thereof
US8765555B2 (en) 2012-04-30 2014-07-01 Micron Technology, Inc. Phase change memory cells and methods of forming phase change memory cells
US9136467B2 (en) 2012-04-30 2015-09-15 Micron Technology, Inc. Phase change memory cells and methods of forming phase change memory cells
US8981330B2 (en) 2012-07-16 2015-03-17 Macronix International Co., Ltd. Thermally-confined spacer PCM cells
US8853665B2 (en) * 2012-07-18 2014-10-07 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions, memory cells, memory arrays and methods of forming memory cells
CN103871882B (zh) * 2012-12-17 2016-09-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体装置及其制造方法
US9553262B2 (en) 2013-02-07 2017-01-24 Micron Technology, Inc. Arrays of memory cells and methods of forming an array of memory cells
EP2973726A4 (en) 2013-03-11 2016-11-30 Crocus Technology Inc MAGNETIC DIRECT ACCESS MEMORY CELLS WITH INSULATING LAYERS
US9214351B2 (en) 2013-03-12 2015-12-15 Macronix International Co., Ltd. Memory architecture of thin film 3D array
US8916414B2 (en) 2013-03-13 2014-12-23 Macronix International Co., Ltd. Method for making memory cell by melting phase change material in confined space
US9484220B2 (en) 2013-03-15 2016-11-01 International Business Machines Corporation Sputter etch processing for heavy metal patterning in integrated circuits
CN104518084B (zh) * 2013-09-29 2017-11-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 相变存储器及其形成方法
US9336879B2 (en) 2014-01-24 2016-05-10 Macronix International Co., Ltd. Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application
US9881971B2 (en) 2014-04-01 2018-01-30 Micron Technology, Inc. Memory arrays
US9559113B2 (en) 2014-05-01 2017-01-31 Macronix International Co., Ltd. SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND
US9362494B2 (en) 2014-06-02 2016-06-07 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells
US9343506B2 (en) 2014-06-04 2016-05-17 Micron Technology, Inc. Memory arrays with polygonal memory cells having specific sidewall orientations
US9159412B1 (en) 2014-07-15 2015-10-13 Macronix International Co., Ltd. Staggered write and verify for phase change memory
TWI559586B (zh) * 2014-12-31 2016-11-21 力晶科技股份有限公司 電阻式隨機存取記憶體及其製造方法
US9672906B2 (en) 2015-06-19 2017-06-06 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with inter-granular switching
US9793323B1 (en) 2016-07-11 2017-10-17 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with high endurance
JP6707428B2 (ja) * 2016-09-16 2020-06-10 デクセリアルズ株式会社 ヒューズエレメント、ヒューズ素子、保護素子
CN108630806A (zh) * 2017-03-17 2018-10-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 相变存储器及其形成方法
CN109614008B (zh) * 2018-12-28 2022-04-12 业成科技（成都）有限公司 双面图案化的方法及触控面板的制造方法
CN113782672B (zh) * 2021-07-23 2023-08-15 北京时代全芯存储技术股份有限公司 制造相变化记忆体的方法与相变化记忆体组件

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3271591A (en) * 1963-09-20 1966-09-06 Energy Conversion Devices Inc Symmetrical current controlling device
US3530441A (en) * 1969-01-15 1970-09-22 Energy Conversion Devices Inc Method and apparatus for storing and retrieving information
IL61678A (en) * 1979-12-13 1984-04-30 Energy Conversion Devices Inc Programmable cell and programmable electronic arrays comprising such cells
US4719594A (en) * 1984-11-01 1988-01-12 Energy Conversion Devices, Inc. Grooved optical data storage device including a chalcogenide memory layer
US4876220A (en) * 1986-05-16 1989-10-24 Actel Corporation Method of making programmable low impedance interconnect diode element
JP2685770B2 (ja) 1987-12-28 1997-12-03 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US5166758A (en) * 1991-01-18 1992-11-24 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable phase change memory
US5534712A (en) * 1991-01-18 1996-07-09 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability
US5177567A (en) * 1991-07-19 1993-01-05 Energy Conversion Devices, Inc. Thin-film structure for chalcogenide electrical switching devices and process therefor
US5166096A (en) 1991-10-29 1992-11-24 International Business Machines Corporation Process for fabricating self-aligned contact studs for semiconductor structures
US5515488A (en) 1994-08-30 1996-05-07 Xerox Corporation Method and apparatus for concurrent graphical visualization of a database search and its search history
US5785828A (en) 1994-12-13 1998-07-28 Ricoh Company, Ltd. Sputtering target for producing optical recording medium
US5869843A (en) * 1995-06-07 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Memory array having a multi-state element and method for forming such array or cells thereof
US5831276A (en) 1995-06-07 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Three-dimensional container diode for use with multi-state material in a non-volatile memory cell
US5789758A (en) * 1995-06-07 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory cell with a plurality of chalcogenide electrodes
US5879955A (en) * 1995-06-07 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells
US6420725B1 (en) * 1995-06-07 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area
JP2808424B2 (ja) * 1995-07-13 1998-10-08 直己 前田 セメント系組成物からなるプレス型の製造方法
US5837564A (en) * 1995-11-01 1998-11-17 Micron Technology, Inc. Method for optimal crystallization to obtain high electrical performance from chalcogenides
US6653733B1 (en) * 1996-02-23 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Conductors in semiconductor devices
US5687112A (en) * 1996-04-19 1997-11-11 Energy Conversion Devices, Inc. Multibit single cell memory element having tapered contact
US6025220A (en) * 1996-06-18 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Method of forming a polysilicon diode and devices incorporating such diode
US5985698A (en) * 1996-07-22 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Fabrication of three dimensional container diode for use with multi-state material in a non-volatile memory cell
US5814527A (en) * 1996-07-22 1998-09-29 Micron Technology, Inc. Method of making small pores defined by a disposable internal spacer for use in chalcogenide memories
US5789277A (en) * 1996-07-22 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method of making chalogenide memory device
US5998244A (en) * 1996-08-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same
US6147395A (en) * 1996-10-02 2000-11-14 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a small area of contact between electrodes
US6087674A (en) * 1996-10-28 2000-07-11 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material
US6015977A (en) * 1997-01-28 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Integrated circuit memory cell having a small active area and method of forming same
US5952671A (en) * 1997-05-09 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Small electrode for a chalcogenide switching device and method for fabricating same
US6031287A (en) * 1997-06-18 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Contact structure and memory element incorporating the same
US6768165B1 (en) * 1997-08-01 2004-07-27 Saifun Semiconductors Ltd. Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping
US7023009B2 (en) * 1997-10-01 2006-04-04 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with improved contacts
US6617192B1 (en) * 1997-10-01 2003-09-09 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with multi-regioned contact
US6034882A (en) * 1998-11-16 2000-03-07 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6351406B1 (en) * 1998-11-16 2002-02-26 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US7157314B2 (en) * 1998-11-16 2007-01-02 Sandisk Corporation Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6177317B1 (en) * 1999-04-14 2001-01-23 Macronix International Co., Ltd. Method of making nonvolatile memory devices having reduced resistance diffusion regions
US6077674A (en) 1999-10-27 2000-06-20 Agilent Technologies Inc. Method of producing oligonucleotide arrays with features of high purity
US6314014B1 (en) * 1999-12-16 2001-11-06 Ovonyx, Inc. Programmable resistance memory arrays with reference cells
US6420216B1 (en) * 2000-03-14 2002-07-16 International Business Machines Corporation Fuse processing using dielectric planarization pillars
US6888750B2 (en) * 2000-04-28 2005-05-03 Matrix Semiconductor, Inc. Nonvolatile memory on SOI and compound semiconductor substrates and method of fabrication
US6420215B1 (en) * 2000-04-28 2002-07-16 Matrix Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory array and method of fabrication
US6501111B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-31 Intel Corporation Three-dimensional (3D) programmable device
US6563156B2 (en) * 2001-03-15 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Memory elements and methods for making same
US6440837B1 (en) * 2000-07-14 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Method of forming a contact structure in a semiconductor device
US6555860B2 (en) * 2000-09-29 2003-04-29 Intel Corporation Compositionally modified resistive electrode
US6567293B1 (en) * 2000-09-29 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Single level metal memory cell using chalcogenide cladding
US6429064B1 (en) * 2000-09-29 2002-08-06 Intel Corporation Reduced contact area of sidewall conductor
US6339544B1 (en) * 2000-09-29 2002-01-15 Intel Corporation Method to enhance performance of thermal resistor device
US6569705B2 (en) * 2000-12-21 2003-05-27 Intel Corporation Metal structure for a phase-change memory device
TW490675B (en) * 2000-12-22 2002-06-11 Macronix Int Co Ltd Control method of multi-stated NROM
US6271090B1 (en) * 2000-12-22 2001-08-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing flash memory device with dual floating gates and two bits per cell
US6627530B2 (en) * 2000-12-22 2003-09-30 Matrix Semiconductor, Inc. Patterning three dimensional structures
US6534781B2 (en) * 2000-12-26 2003-03-18 Ovonyx, Inc. Phase-change memory bipolar array utilizing a single shallow trench isolation for creating an individual active area region for two memory array elements and one bipolar base contact
US6487114B2 (en) * 2001-02-28 2002-11-26 Macronix International Co., Ltd. Method of reading two-bit memories of NROM cell
US6730928B2 (en) * 2001-05-09 2004-05-04 Science Applications International Corporation Phase change switches and circuits coupling to electromagnetic waves containing phase change switches
US6514788B2 (en) * 2001-05-29 2003-02-04 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method for manufacturing contacts for a Chalcogenide memory device
US6613604B2 (en) * 2001-08-02 2003-09-02 Ovonyx, Inc. Method for making small pore for use in programmable resistance memory element
US6589714B2 (en) * 2001-06-26 2003-07-08 Ovonyx, Inc. Method for making programmable resistance memory element using silylated photoresist
US6605527B2 (en) * 2001-06-30 2003-08-12 Intel Corporation Reduced area intersection between electrode and programming element
US6673700B2 (en) * 2001-06-30 2004-01-06 Ovonyx, Inc. Reduced area intersection between electrode and programming element
US6511867B2 (en) * 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Utilizing atomic layer deposition for programmable device
US6586761B2 (en) * 2001-09-07 2003-07-01 Intel Corporation Phase change material memory device
US6861267B2 (en) 2001-09-17 2005-03-01 Intel Corporation Reducing shunts in memories with phase-change material
US6566700B2 (en) * 2001-10-11 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory
US6800563B2 (en) * 2001-10-11 2004-10-05 Ovonyx, Inc. Forming tapered lower electrode phase-change memories
US6545903B1 (en) * 2001-12-17 2003-04-08 Texas Instruments Incorporated Self-aligned resistive plugs for forming memory cell with phase change material
US6512241B1 (en) * 2001-12-31 2003-01-28 Intel Corporation Phase change material memory device
US6867638B2 (en) * 2002-01-10 2005-03-15 Silicon Storage Technology, Inc. High voltage generation and regulation system for digital multilevel nonvolatile memory
JP3796457B2 (ja) * 2002-02-28 2006-07-12 富士通株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US6579760B1 (en) * 2002-03-28 2003-06-17 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned, programmable phase change memory
US6670628B2 (en) * 2002-04-04 2003-12-30 Hewlett-Packard Company, L.P. Low heat loss and small contact area composite electrode for a phase change media memory device
US6864500B2 (en) * 2002-04-10 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Programmable conductor memory cell structure
US6605821B1 (en) * 2002-05-10 2003-08-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Phase change material electronic memory structure and method for forming
US6864503B2 (en) * 2002-08-09 2005-03-08 Macronix International Co., Ltd. Spacer chalcogenide memory method and device
JP4133141B2 (ja) * 2002-09-10 2008-08-13 株式会社エンプラス 電気部品用ソケット
US6992932B2 (en) * 2002-10-29 2006-01-31 Saifun Semiconductors Ltd Method circuit and system for read error detection in a non-volatile memory array
JP4928045B2 (ja) * 2002-10-31 2012-05-09 大日本印刷株式会社 相変化型メモリ素子およびその製造方法
US6744088B1 (en) * 2002-12-13 2004-06-01 Intel Corporation Phase change memory device on a planar composite layer
US6791102B2 (en) * 2002-12-13 2004-09-14 Intel Corporation Phase change memory
US6815266B2 (en) * 2002-12-30 2004-11-09 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. Method for manufacturing sidewall contacts for a chalcogenide memory device
KR100486306B1 (ko) 2003-02-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 셀프 히터 구조를 가지는 상변화 메모리 소자
US7067865B2 (en) * 2003-06-06 2006-06-27 Macronix International Co., Ltd. High density chalcogenide memory cells
US6927410B2 (en) * 2003-09-04 2005-08-09 Silicon Storage Technology, Inc. Memory device with discrete layers of phase change memory material
US6815704B1 (en) * 2003-09-04 2004-11-09 Silicon Storage Technology, Inc. Phase change memory device employing thermally insulating voids
US6937507B2 (en) * 2003-12-05 2005-08-30 Silicon Storage Technology, Inc. Memory device and method of operating same
KR100564608B1 (ko) * 2004-01-29 2006-03-28 삼성전자주식회사 상변화 메모리 소자
US6936840B2 (en) * 2004-01-30 2005-08-30 International Business Machines Corporation Phase-change memory cell and method of fabricating the phase-change memory cell
KR100598100B1 (ko) * 2004-03-19 2006-07-07 삼성전자주식회사 상변환 기억 소자의 제조방법
US7166533B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-23 Infineon Technologies, Ag Phase change memory cell defined by a pattern shrink material process
US7321130B2 (en) * 2005-06-17 2008-01-22 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change RAM and manufacturing method

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