CN101142743A - 用于毫微制造业的夹具系统 - Google Patents

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CN101142743A CNA2006800030918A CN200680003091A CN101142743A CN 101142743 A CN101142743 A CN 101142743A CN A2006800030918 A CNA2006800030918 A CN A2006800030918A CN 200680003091 A CN200680003091 A CN 200680003091A CN 101142743 A CN101142743 A CN 101142743A
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B·-J·乔伊
A·切罗拉
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Abstract

本发明涉及一种夹具系统,包括,一主体,具有一伸出一销钉的表面和具有一限定在其内部的直通通道,以及由围绕着该突起的一接触面限定的一个在该销钉和该接触面之间的沟槽,和其它的部分。在一进一步的实施例里,该主体包括大量的突起。

Description

用于毫微制造业的夹具系统
关于联邦政府赞助研究或开发的声明
美国政府拥有本发明的一个已支付费用的特许和在有限特定情况下的权利,即规定专利的所有者在合理条款的框架下发放许可证给其他的人,该合理条款是由国防部高级研究计划代理处(DARPA)判定的N66001-01-1-8964和N66001-02-C-8011条款。
背景技术
本发明的领域通常涉及设备的毫微制造。特别地,本发明涉及一种夹具系统,以在一印刻平版印刷工艺中有助于从一平铺在一基层的固化层上剥离一模板。
毫微制造包括制造非常小的构件,例如具有属于纳米或更小的尺寸级别的构件。毫微制造已经产生了相当大影响的一个领域是集成电路加工。当半导体加工工业持续地努力实现更大的产量、同时增加布置于一片基材的单位面积上的电路数量,毫微制造变得愈加重要了。毫微制造提供了更卓越的过程控制,同时允许所形成地构件的最小特征尺寸的缩减量增加。毫微制造应用的其他发展领域包括生物工艺学、光学技术、机械系统等等。
典型的毫微制造技术通常是作为印刻平版印刷被提到。典型的印刻平版印刷过程在众多的出版物中被详细描述,例如美国申请号为10/264,960、公布号为2004/0065976、题目为“在一基板上布置特征以复制具有最小空间可变性的构件的方法和模具”的专利申请;美国申请号为10/264,926、公布号2004/0065252、题目为“在一基板上成型一覆层从而便于制造度量衡标准的方法”的专利申请;和美国申请号为10/235,314、公布号2004/0046271、题目为“用于印刻平版印刷工艺的功能性图案材料”的专利申请,以上所有权利均被归于本发明的受让人名下。
在前述每一美国公布专利申请里公开的基本的印刻平版印刷技术包括:在一聚合层里形成一浮雕图案,并将与该浮雕图案相对应的一图案转印到-下层基板。为此,采用与该基板间隔开的一模板,在该模板和该基板之间呈现有可成型液体。该液体被固化而形成一固化层,该固化层里记录有一图案,该图案与该模板接触该液体的表面形状相符。该模板从该固化层分离,使得模板和基板分开。然后对该基板和该固化层进行转印处理,转印到基板里一个与固化层里的模板图案相对应的浮雕图像。希望提供一种从固化层分离模板的改良方法。
发明内容
本发明涉及一种夹具系统,包括:主体,该主体具有伸出有销钉的表面并具有限定在其内部的直通通道;以及围绕着突起的一接触面(1and),在该销钉和该接触面之间限定有沟槽。在一个进一步的实施例里,该主体包括多个突起。该夹具系统的结构允许改变夹持力。本发明涉及一种将包括在模板里的模具从一布置在基板上的固化层上分离的方法。该方法包括:向模板提供一分离力,从该层上分离模板;促进基板上的局部变形以减小完成分离所需的分离力。可以确信,通过减小分离力,对记录层的损坏能被降到最小。可以确信,本夹具系统减少了所需的分离力并导致分离过程中对记录层的损坏最小。这些以及其他的实施例下面被更充分地描述。
附图说明
图1是现有技术中与布置在基板上的印刻层接触的模板的横截面图;
图2是根据本发明的一个实施方式的正从布置在基板上的印刷层分离的模板的横截面图;
图3是根据本发明的第二实施方式的正从布置在基板上的印刷层分离的模板的横截面图;
图4是根据本发明的被安装到一模板座上的模板的横截面图;
图5是根据本发明所提供的晶片夹的第一实施例的俯视图,该晶片夹具有不同的真空部分;
图6是根据本发明所提供的晶片夹的第二实施例的俯视图,该晶片夹具有不同的真空部分;
图7是根据本发明所提供的晶片夹的第三实施例的俯视图,该晶片夹具有不同的真空部分;
图8是图3所示晶片夹和基板的侧视图,属于根据一替代实施例的释放示意图;
图9是图2所示一晶片夹的实施例的俯视图;
图10是图9所示晶片夹沿10-10线的横截面图;
图11是图10所示其上布置有基板的晶片夹的横截面图;
图12是图2所示晶片夹的第二实施例的横截面图,该晶片夹上布置有基板;
图13是与分布于基板上的印刷层接触的模板的横截面图,其中该基板受到一推力;
图14是一简化的俯视平面图,该图显示出具有许多局部地布置并用于施加推力的空气喷嘴的模板;
图15是一简化的俯视平面图,该图显示出具有许多排成阵列并用于施加推力的空气喷嘴的模板;
图16是一简化的俯视平面图,该图显示出模板,该模板具有许多分布其中的沟槽从而便于释放位于模板和印刻层之间的空气;
图17是图16所示模板的侧视图;
图18是一简化的俯视平面图,该图显示出模板,该模板具有许多分布其中的孔从而便于释放位于一模板和一印刷层之间的空气;以及
图19是图17所示模板的侧视图。
具体实施方式
参见图1,该图显示出模板10与印刻层12接触。典型地,模板10可以包括熔融石英,印刷层12可以由本领域所知的任何材料形成。典型的用于印刷材料12的成份在以下美国专利申请中公开:申请号10/763,885,申请日2003年1月24日,发明名称为“用于印刻平版印刷的材料和方法”,该申请结合于此作为参考。印刻层12可位于基板14之上,基板14具有与之相关联地厚度“t”。基板14实质上可以由任何材料形成,包括硅、熔融石英、金属或典型的与集成电路制造相联系的复合材料。模板10包括表面16,该表面上布置有多个构件,所述多个构件包括多个突起18和凹部20。多个突起18和凹部20形成一准备转印到印刻层12中的图案,在那里形成一浮雕图像。更特别地,模板10与印刻层12接触,使得印刻层12的材料进入并充满多个凹部20,使印刻层12形成有越过模板10地表面16的邻接结构,其中典型的,模板10和印刻层12周围的气体可以是饱和的氦气。模板10可以与印刻头11相连接。该印刻头11适于沿着X,Y和/或Z轴移动,由此通过沿着Z轴移动模板10远离基板14而产生分离力FS。为此,当印刻头11进行移动时,基板14通常相对于Z轴保持在固定的位置。
印刻层12可由一种感光材料形成,从而当暴露于一光化学成分时,上述材料聚合并交联,从而形成固化材料。该光化学成分包括紫外波、热能、电磁能、可见光等等。该光化学成分的作用为本领域的普通技术人员所知,而且通常依赖于形成印刻层12的材料。
在模板10与其接触且印刻层12填满了多个凹部20之后,印刻层12凝固。此后,将模板10从印刻层12分离。这样,浮雕图像被记录进印刻层12,具有与模板10的图案一致的图案。
从固化的印刻层12分离模板10是通过向模板10施加一力FS来完成的。该分离力FS足够大,从而克服模板10与固化的印刻层12之间的粘着力以及基板14对张紧(变形)的阻力。可以确信,部分基板14的变形可便于从固化的印刻层12上分离模板10。晶片夹22可以利用任何数量公知的应变力Fc在分离期间保持基板14,例如静电力、磁力、真空力等等。结果,分离力FS的方向通常与应变力Fc的方向相反。典型地,晶片夹22被一平台23支承以便沿着X、Y和/或Z轴移动。一典型的印刻平版印刻系统以商品名IMPRIOTM100出售,可从德克萨斯奥斯汀(Austin,Texas)的分子印有限公司(MolecularImprints,Inc.)得到。
如图1所示,基板14的张紧(变形)量是分离力FS作用的结果,并通常导致张紧区24的形成,在该张紧区,基板14与晶片夹22间隔开距离d。张紧区24通常邻近印刻层12与模板10接触的区域形成,该区域被称为处理区。
然而,人们希望将实现模板10和固化的印刻层12的分离所必需的分离力FS的值减到最小。例如,减小分离力FS的值便于校直工序,从而使模板10和基板14可以适当地对准,也允许增加模板图案面积相对总模板面积的比率。加之,将实现模板10和固化的印刻层12的分离所必需的分离力FS的值减到最小减少了包括模板10、基板14以及固化的印刻层12结构构成的几率。
此外,基板14的变形在张紧区24内形成势能,在从固化的印刻层12分离模板10时,该势能可转变为动能。特别地,从固化的印刻层12分离模板10之后,基板14上的分离力FS接近零。应变力Fc和构成基板14的材料的弹力引起张紧区24向夹具22加速,这样张紧区24通常与晶片夹22碰撞。可以相信,张紧区24与晶片夹22的该碰撞对基板14和形成其上的固化的印刻层12具有危及结构的整体性安全的有害作用。这使得将模板10和基板14之间的对准产生了问题。
如图2所示,本发明削弱了(如果不能防止的话)上述与从固化的印刻层12分离模板10相关的有害作用。这是通过减少对于一给定的基板14、模板10以及固化的印刻层12,完成分离模板10和固化的印刻层12所必需的分离力FS的值而实现。为此,晶片夹122被构造成用于控制基板14的张紧(变形)量,特别是在分离期间。晶片夹122从多个独立产生的力F1和F2产生一应变力Fc。这便于生成具有一方向和数值可变并横穿基板14的应变力Fc。例如,变力F2的值可以远小于夹持力F1的数值。结果,当模板10承受一分离力FS时,夹持力F1可与基板14的一非张紧区26联系在一起,变力F2与基板14的一张紧区24联系在一起。
在这个例子中,力F1和F2都是沿着与分离力FS完全相反的方向。分离力FS可由模板所连接的一印刻头11的移动产生,如上关于图1所述。加之,图2所示晶片夹122可被一平台23支撑,如上关于图1所述。然而,应当注意到,通过保持模板10在Z轴上位置固定,并且利用平台23沿着远离模板10的Z轴方向移动基板14,也可产生分离力FS。可选择地,分离力FS也可由沿着Z轴彼此相反地移动模板10和基板14产生。然而,为了本讨论的目的,本发明探讨以下情况:移动印刻头11,使得模板10沿着Z轴远离基板14移动,同时基板相对Z轴保持固定。
应当注意到,力F1和F2事实上可具有期望的任何数值,只要当上述部分承受分离力FS时,基板14位于张紧区24以外的部分仍保持在晶片夹122上。例如,变力F2的值可接近零。作为变力F2的值远小于夹持力F1的值的结果,从固化的印刻层12分离模板10所需的分离力FS的值可减小。更特别地,确定变力F2的值以便于基板14上与模板10重叠的部分响应分离力FS的张紧(变形),该部分被称为张紧区24。
如图3所示,可选择地,应变力Fc可以在基板14上变化,使得变力F2的方向可与夹持力F1的方向相反、与分离力FS的方向相同。变力F2的值可等于、大于或小于夹持力F1的值。这样,通过变力F2推动张紧区24远离晶片夹122可便于产生的基板14的局部变形。这可以与存在的分离力FS有关或无关。
如上所述,在当前的例子里,夹持力F1的作用是在承受分离力FS时,在晶片夹122上保持基板14。作为变力F2的方向与分离力FS的方向基本相同的结果,从固化的印刻层12分离模板10所需的分离力FS的值可减小。
此外,作为变力F2的方向与分离力FS的方向基本相同的结果,变力F2可减少(如果不能消除的话)张紧区24对模板10的碰撞。更特别地,第二变力F2可降低速度,并因此降低将模板10从固化的印刻层12分离之后向晶片夹122传送的张紧区24的动能。如此,张紧区24停靠着晶片夹122的反向移动而不会过度地危及上述结构整体性的安全。
在模板10从固化的印刻层12分离之后,变力F2的数值和方向可变。例如,变力F2可具有与夹持力F1同样的数值和方向。此外,变力F2的数值和方向的改变在一段时间里可以是线性改变,使得具有一与夹持力F1相反方向的变力F2的值接近零。变力F2达到零之后,就改变方向并慢慢增加到与夹持力F1的数值和方向相同。结果,基板14可承受力F2的梯度,该力的梯度使张紧区24缓慢地减速和并逐步增加以将基板14紧固地固定到晶片夹122。因此,可以避免基板14响应于与晶片夹122的接触而产生的一个突然减速,即一次冲击,同时使与晶片夹122的碰撞力最小。
如上关于图2所述,在模板10从固化的印刻层12分离之前,变力F2的方向可以与分离力FS的方向基本相反。然而,如上关于图3所述,在模板10从固化的印刻层12分离时,变力F2的方向可以与分离力FS的方向基本相同。
如图1和4所示,为更容易从固化的印刻层12分离模板10,模板10可承受一弯曲力FB。更特别地,可沿着模板10的一中心区28、以及沿一与图1所示分离力FS的方向相反的方向施加弯曲力FB。如上面探讨的那样,弯曲力FB可与应变力Fc的值和方向的变化协同或独立于该变化地施加。为此,可将模板10附连到一模板夹上,该模板夹被公开于美国专利申请中,该申请的申请号为10/999,898,申请日为2004年11月30日,转让给本专利申请的受让人且发明人为Cherala等人,将该申请结合于此作为参考。
该模板夹包括一主体31,具有一居中的直通通道33,直通通道一侧被一熔融硅酸盐板35及一垫圈36密封。直通通道33周围是一凹部37和垫圈38。适当地将模板10放置于主体31上可密封直通通道33以形成腔室,同时也密封凹部以形成围绕该中心室的第二室。该中心室和该第二室中每一个可各自设有所期望的相向的加压过道40和41。通过给第二室减压和给中心室增压,弯曲力FB可被施加到模板10上,而不会将其从主体31上移开。
如图1、5和6所示,为了沿基板14改变应变力Fc的数值和方向,可采用上述的晶片夹122。此外,可通过分阶段以及重复进行的过程来进行以下的实施例,其中一个典型的分阶段以及重复进行的过程在一美国专利申请中被公开,该申请的公布申请号为2004/0008334,申请号为10/194,414,转让给本申请的受让人,该申请结合于此作为参考。
为此,晶片夹122可被配置为提供多个分散的真空部分30A-30Z。为了本发明的目的,多个真空部分30A-30Z的每一个被限定为提供一个或多个的具有标准的数值和方向的夹持力。举例来说,可以有与分散的真空部分30A-30Z之一向关联的一个应变力Fc,或是有若干夹持力,每个夹持力的方向和数值基本相同。真空部分30A-30Z的数量、尺寸和形状可根据几个因素变化。加之,所述多个真空部分30A-30Z中任一个的尺寸和形状可以与多个真空部分30A-30Z中的其余真空部分不同。例如,一个或多个的真空部分的尺寸和/或形状可以与区域24的尺寸和/或形状相同。结果,多个真空部分30A-30Z中的每一个可具有许多的形状之一,包括任何多边形,所示的正方形,还有在图6中以130表示的圆形或230表示的环形。加之,真空部分可以包括任一个或多个不规则形状330,如图7所示。
如图5-7所示,尽管限定在一共同的晶片夹122上的多个的真空部分中的每一个可能都具有一共同的形状和尺寸,但这不是必需的。因此晶片夹222可以限定不规则的真空部分330,连同一六边形的真空部分430,一长方形的真空部分530,一圆形的真空部分130,和一环形的真空部分230一起。
如图2、5、7和8所示,多个真空部分30A-30Z中的每一个可被个别地编址,使得不同的夹持力可与多个真空部分30A-30Z联系在一起。这样,期望的夹持力的位置,举例来说,F1和/或F2可以非常精确地被确定。然而,希望改变与多个真空部分30A-30Z相关联的应变力FC,从而使得基板14可以沿着一延伸穿过基板14全部面积的轴。为此,所述多个真空部分30A-30Z的邻近的行定义了一应变力微分ΔFc。例如,真空部分30D,30I,30O,30U,30Z,30J,30P,30V可产生变力F2,该变力小于由其余真空部分30A,30B,30C,30E,30F,30G,30H,30K,30L,30M,30N,30Q,30R,30S,30T,30W,30X和30Y所产生的夹持力F1。这使基板14能够围绕A轴弯曲,由真空部分30D,30I,30O,30U和30Z组成的第一行和由真空部分30C,30H,30N,30T和30Y组成的第二行之间所限定的力微分ΔFc有利于这一弯曲。
如图9和10所示,为了提供具有上述真空特征的晶片夹122和/或222,晶片夹122和222由不锈钢或铝一体形成,并具有多个间隔开的销钉32和33,在销钉之间限定了多个过道36。尽管被显示为具有一圆形横截面,多个销钉32和33每一个实质上可以具有所期望的任何截面形状,包括多边形,且典型地具有3毫米的节距。所述多个销钉中的一个或若干个是中空的,如图11所示,这些中空销钉限定从过道35延伸出的直通通道34,并以面向基板14的开口为终端。以上被作为销钉32表示,销钉具有典型的大约1毫米直径的、用来防止基板124与之重叠部分弯曲的直通通道。
尽管每个销钉32被显示为与一共同的过道35保持流体连通,但这并不是必需的。更合适地,多个销钉32中的每一个的直通通道34可单独编址,使得每单位时间通过其的流体的体积和方向与通过其余销钉32的直通通道34的流体流动无关。这可通过以下方式实现:将一个或多个销钉32设置成与一个过道流体连通,而这一过道不同于与其余的销钉流体连通的过道。在一进一步的实施例里,直通通道34可包括一阶梯结构。所述多个销钉32可被一接触面37围绕,基板14被放置于该接触面上。过道36典型地经过孔40与一共同的过道39保持流体连通。
如图10和11所示,基板14被流体流经过道36和/或直通通道34所产生的应变力FC保留在晶片夹122上。为此,过道35与压力控制系统41保持流体连通,过道39与压力控制系统43保持流体连通。压力控制系统41和43都在与其数据通信的处理器45的控制下被操作。为此,处理器可以包括被该处理器运行的计算机可读编码以完成图2-11提到的流体流动。在被放置到晶片夹122上之后,基板14面对着晶片夹122的一个表面47抵靠着销钉32和33。在存在应变力FC且缺少分离力FS的情况下,直通通道34面向基板14的一端被抵靠着销钉32和33的表面47充分地密封。作为表面47密封的结果,直通通道34和过道36之间没有流体流动。
在分离力FS的作用下,与固化的印刻层12重叠的表面47的一部分从销钉32和/或33分离出来。为了减小完成分离所需的分离力FS而使分离容易,销钉32被布置在晶片夹122的整个面积上。选择流经直通通道34的流体,使得变力F2小于夹持力F1。典型地,通过操作压力控制系统43处于全真空状态而产生夹持力F1。当变力F2在一压力状态下被施加时,该变力具有足够的大小去产生一分布于张紧区24和晶片夹122之间体积上的大约为200kPa的压力。这通常引起基板14在张紧区24处大约10微米的移动。作为密封被破坏的一个结果,直通通道34被置于与过道39之间经过过道36和孔40的流体连通中。这进一步减少了与张紧区24重叠的应变力FC的值,因此减小了从印刻层分离模板10所需的分离力FS,因为这有利于区域24内基板14的张紧/变形。
如图12所示,在一替代的实施例里,晶片夹322可以具有前述的真空特征,而无需销钉32和33。为此,晶片夹322的表面49包括多个孔50和52,孔50和52可被设置为具有一通过其的流体流动,流动的数值和方向可以与流经其余的孔50和52的流体流动无关。孔典型地具有-3毫米的节距和-2毫米的直径,足以减少基板14与之重叠部分弯曲的可能性。
在本例中,孔50与一共同的过道53保持流体联系,孔52与一共同的过道55保持流体联系。应变力FC由流经多个间隔开的孔50和52中的一个或多个的流体产生。在分离之前,多个间隔开的孔50和52中的一部分可以有流体以第一流速流过,该流速为为0sccm或更大。如果分离力FS出现,流体可以以区别于第一流速的流速通过孔50和52。特殊地,流体通过孔50和52的流速可响应于分离力FS的存在而改变。典型地,上述流速的变化被局限于与张紧区24重叠的孔50和52。该流速的变化典型地足以减少应变力FC的值。同样地,该流速的变化典型地只影响通过一个孔52或孔50的流体。例如,通过与张紧区24重叠的孔52的流速改变,从而使得因此产生的应变力FC减少。该通过孔50的流速保持基本稳定。
如图2所示,为了进一步便于从印刻层12分离模板10,印刻层可以包括当暴露于预定波长时产生一气体副产品的材料。如美国专利6,218,316所披露的,该专利结合于此作为参考。该气体副产品能够在位于印刻层12与模具平表面之间的界面产生局部的压力。该局部的压力能够便于将模板10从印刻层12分离。有利于产生气体副产品的辐射波长可包括这些波长:157nm,248nm,257nm以及308nm,或它们的组合。产生气体副产品后,应当迅速地着手分离模板10,使得对印刻层12的损害减到最小。进一步,位于模板10和印刻层12之间的气体副产品会从模板10和印刻层12之间泄漏,这是不希望的。此外,从印刻层12分离模板10应该是与印刻层12相垂直,以将印刻层12的变形减到最小。
如图13所示,为了进一步辅助从印刻层12分离模板10,可以在模板10和基板14之间使用一推力FP。特殊地,该推力FP可被加到基板14上不与模板10重叠的最靠近基板14的区域上。该推力FP通过从模板10移开基板14使得分离模板10更容易。为此,推力FP被沿着与分离力FS方向相反的方向定向;因此,可减小实现分离所需的分离力FS的值。该推力FP可由局部地排列的多个空气喷嘴62来施加,如图14所示,或者由排列成阵列162的多个空气喷嘴来施加,如图15所示。应用到多个空气喷嘴中的气体包括但不局限于氮气(N2)。该推力FP可单独施加或是与应变力FC的变化协同而施加,如上关于图2-12的讨论。
如图2,16和17所示,为了进一步辅助从印刻层12分离模板10,模板10可包括多个沟槽38,用来减少模板10和印刻层12之间真空密封的影响。沟槽66有利于当模板10和印刻层12接触时释放位于模板10和印刻层12之间的空气,从而减少模板10和印刻层12之间真空密封的影响。结果,分离力FS的值可被减小,这正是所期望的。
如图18和19所示,在另一实施例里,模板10可包括多个孔68,其中,所述多个孔68类似于沟槽66地起作用,使得孔68起作用而减少模板10和印刻层12之间真空密封的影响。
上述本发明的实施例是示范性的。可以对以上历数的公开内容做许多改变和修正,仍在发明的保护范围内。本发明的保护范围应当,并因此不仅关于以上记述被确定,而应改为关于所附权利要求及其等价物的全部范围被确定。

Claims (20)

1.一种夹具系统,包括:
主体,该主体具有伸出销钉的表面和具有一限定在其内部的直通通道,以及
接触面,该接触面围绕着所述突起,限定了一个位于所述突起和所述接触面之间的沟槽。
2.如权利要求1所述的夹具系统,其特征在于,所述表面还包括形成于其中的孔,该孔从第一过道伸出并与该第一过道保持流体连通,所述直通通道与第二过道保持流体连通。
3.如权利要求1所述的夹具系统,其特征在于,还包括若干附加的销钉,所述销钉和所述若干附加的销钉限定了多个销钉,所述多个销钉的一个子集中的每一个销钉包括所述直通通道。
4.如权利要求3所述的夹具系统,其特征在于,所述子集包括所有的所述多个销钉。
5.如权利要求1所述的夹具系统,其特征在于,还包括若干附加的销钉,所述销钉和所述若干附加的销钉限定了被分类为第一和第二子集的多个销钉,与所述第一子集相关联的每一个销钉是实心的,以及与所述第二子集相关联的每一个销钉包括所述直通通道。
6.如权利要求1所述的夹具系统,其特征在于,还包括若干附加的销钉,所述销钉和所述若干附加的销钉限定了被分类为第一和第二子集的多个销钉,与所述第一子集相关联的每一个销钉是实心的,以及与所述第二子集相关联的每一个销钉包括所述直通通道并与一公共过道保持流体连通。
7.如权利要求1所述的夹具系统,其特征在于,所述表面还包括形成其中的孔,该孔从第一过道延伸出并与其保持流体连通,所述直通通道与第二过道保持流体连通,并且还包括:与所述第一过道保持流体连通的第一压力控制系统,以产生在所述沟槽内的第一流体流;和与所述第二过道保持流体联系的第二压力控制系统,以产生通过所述直通通道的第二流体流。
8.如权利要求1所述的夹具系统,其特征在于,还包括第一和第二压力控制系统和若干附加的销钉,所述销钉和所述若干附加的销钉限定了多个销钉,与所述多个销钉的一子集相关联的每一个销钉包括所述直通通道并与第一过道保持流体连通,所述表面包括与第二过道保持流体连通的孔,所述第一压力控制系统与所述第一过道保持流体连通,以在所述直通通道内产生第一流体流,以及第二压力控制系统与所述第二过道保持流体连通,以产生流经所述孔的第二流体流。
9.如权利要求1所述的夹具系统,其特征在于,还包括压力控制设备和若干附加的销钉,所述销钉和所述若干附加的销钉限定了多个间隔开的销钉,在这些销钉之间形成若干附加的沟槽,所述接触面围绕着所述多个销钉以限定所述沟槽,所述沟槽和所述若干附加的沟槽限定了多个沟槽,所述压力控制设备与所述多个沟槽和所述多个销钉保持流体连通,从而向所述晶片夹提供多个具有预定形状的真空部分。
10.一种夹具系统,包括:
主体,该主体具有第一和第二过道以及表面,多个开口邻近于所述表面形成,所述开口的第一子集与所述第一过道保持流体连通,所述开口的第二子集与所述第二过道保持流体连通;以及
压力控制设备,该压力控制设备与所述第一和第二过道保持流体连通,以产生通过所述多个开口的流体流,流经所述第一子集中的开口的所述流体所具有的特性不同于流经所述第二子集中的开口的所述流体所具有的特性,从而在所述表面的区域上提供不同的夹持力。
11.如权利要求10所述的夹具系统,其特征在于,所述开口被排列在所述区域上,以提供给所述晶片夹多个真空部分,真空部分具有选自一组形状的形状,所述一组形状实际上包括多边形和圆形。
12.如权利要求10所述的夹具系统,其特征在于,所述主体还包括从所述表面伸出的多个销钉,所述多个销钉中与所述多个销钉的一个子集相关联的每一个销钉包括从过道延伸出的直通通道并以所述多个开口之一作为终端。
13.如权利要求10所述的夹具系统,其特征在于,不包括在所述子群内的所述开口是形成于所述表面内的孔。
14.如权利要求10所述的夹具系统,其特征在于,所述多个开口是形成于所述表面内的孔。
15.如权利要求10所述的夹具系统,其特征在于,所述主体还包括从所述表面延伸出的多个销钉,具有所述多个销钉的第一子集,所述第一子集中的每一个销钉包括从所述第一和第二过道之一延伸出的直通通道并以所述多个开口之一作为终端,还具有所述多个销钉的第二子集,所述第二子集中的销钉是实心的。
16.一种夹具系统,包括:
主体,其中形成有孔,多个间隔开的销钉从所述表面伸出,与第一子集相关联的每一个销钉是实心的,与第二子集相关联的每一个销钉包括一直通通道并与第一过道保持流体连通,孔从第二过道延伸出并与表面保持流体连通,在所述多个销钉之间形成多个沟槽;
第一压力控制系统,该第一压力控制系统与所述第一过道保持流体连通;以及
第二压力控制系统,该第二压力控制系统与所述第二过道保持流体连通,所述第一和第二压力控制系统被设计成产生通过所述多个直通通道和所述孔的流体流,从而在所述表面的区域上提供不同的夹持力。
17.如权利要求16所述的夹具系统,其特征在于,所述多个销钉被排列在所述表面上,以提供给所述晶片夹多个真空部分,这些中空部分响应于所述流体流而具有预定形状。
18.如权利要求17所述的夹具系统,其特征在于,所述形状选自一组实际包括环形、多边形和圆形的形状。
19.如权利要求16所述的夹具系统,其特征在于,所述流体流被确定,使得在所述直通通道和所述多个沟槽的每一个之间的流体连通响应于所述多个销钉中与所述直通通道相关联的一个销钉上停靠有基板而停止。
20.如权利要求16所述的夹具系统,其特征在于,与所述直通通道相关联的流体流沿与穿过所述孔的所述流体流相反的方向移动。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012083578A1 (zh) * 2010-12-22 2012-06-28 青岛理工大学 整片晶圆纳米压印的装置和方法.
CN102203671B (zh) * 2008-10-24 2013-07-17 分子制模股份有限公司 压印工艺的分离阶段中的应变和动力学控制
CN103843111A (zh) * 2011-09-28 2014-06-04 富士胶片株式会社 纳米压印装置,纳米压印方法,变形压印器件和变形压印方法
US11187979B2 (en) 2016-11-11 2021-11-30 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002006902A2 (en) 2000-07-17 2002-01-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
US20080160129A1 (en) 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US7179079B2 (en) * 2002-07-08 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Conforming template for patterning liquids disposed on substrates
US7019819B2 (en) 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US7641840B2 (en) * 2002-11-13 2010-01-05 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
US8334967B2 (en) * 2004-05-28 2012-12-18 Board Of Regents, The University Of Texas System Substrate support system having a plurality of contact lands
WO2005119802A2 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support system and method
US7785526B2 (en) * 2004-07-20 2010-08-31 Molecular Imprints, Inc. Imprint alignment method, system, and template
US20070164476A1 (en) * 2004-09-01 2007-07-19 Wei Wu Contact lithography apparatus and method employing substrate deformation
US20060177532A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method to control extrusion of a liquid from a desired region on a substrate
US20060177535A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template to facilitate control of liquid movement
US7636999B2 (en) * 2005-01-31 2009-12-29 Molecular Imprints, Inc. Method of retaining a substrate to a wafer chuck
US7798801B2 (en) 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
WO2006084118A2 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template and method to facilitate control of liquid movement
JP4773729B2 (ja) * 2005-02-28 2011-09-14 キヤノン株式会社 転写装置およびデバイス製造方法
JP4596981B2 (ja) * 2005-05-24 2010-12-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ インプリント装置、及び微細構造転写方法
US20070035717A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 Wei Wu Contact lithography apparatus, system and method
US7803308B2 (en) 2005-12-01 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Technique for separating a mold from solidified imprinting material
EP1957249B1 (en) 2005-12-08 2014-11-12 Canon Nanotechnologies, Inc. Method and system for double-sided patterning of substrates
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
US20070231422A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. System to vary dimensions of a thin template
JP4814682B2 (ja) * 2006-04-18 2011-11-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造パターンの転写方法及び転写装置
JP4854383B2 (ja) * 2006-05-15 2012-01-18 アピックヤマダ株式会社 インプリント方法およびナノ・インプリント装置
US8215946B2 (en) * 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
DE102006024524A1 (de) * 2006-05-23 2007-12-06 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Infrarotstrahlung reflektierendes, transparentes Schichtsystem
CN101808808B (zh) 2007-09-28 2013-05-01 东丽株式会社 微细形状转印片的制造方法和制造装置
US8945444B2 (en) * 2007-12-04 2015-02-03 Canon Nanotechnologies, Inc. High throughput imprint based on contact line motion tracking control
US20100015270A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Molecular Imprints, Inc. Inner cavity system for nano-imprint lithography
JP2010067796A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Canon Inc インプリント装置
US8309008B2 (en) * 2008-10-30 2012-11-13 Molecular Imprints, Inc. Separation in an imprint lithography process
CN102438841A (zh) * 2009-03-23 2012-05-02 因特瓦克公司 用于图案化介质中的岛与沟槽的比值优化的工艺
JP4940262B2 (ja) * 2009-03-25 2012-05-30 株式会社東芝 インプリントパターン形成方法
US8851133B2 (en) * 2009-03-31 2014-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus of holding a device
US8913230B2 (en) * 2009-07-02 2014-12-16 Canon Nanotechnologies, Inc. Chucking system with recessed support feature
US8802747B2 (en) * 2009-08-26 2014-08-12 Molecular Imprints, Inc. Nanoimprint lithography processes for forming nanoparticles
JP2013503057A (ja) * 2009-08-26 2013-01-31 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 機能ナノ粒子
US20110084417A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Molecular Imprints, Inc. Large area linear array nanoimprinting
JP5438578B2 (ja) 2010-03-29 2014-03-12 富士フイルム株式会社 微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置
KR20130073890A (ko) 2010-04-27 2013-07-03 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 나노임프린트 리소그래피를 위한 기판/주형의 분리 제어
WO2012061753A2 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Molecular Imprints, Inc. Nanoimprint lithography formation of functional nanoparticles using dual release layers
JP5875250B2 (ja) 2011-04-28 2016-03-02 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及びデバイス製造方法
EP2718465B1 (en) 2011-06-09 2022-04-13 Illumina, Inc. Method of making an analyte array
CN106941084B (zh) * 2011-08-12 2020-05-19 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于接合衬底的装置和方法
KR20140069207A (ko) * 2011-09-23 2014-06-09 1366 테크놀로지 인코포레이티드 기판 수송, 공구 레이다운, 공구 텐셔닝 및 공구 철수를 포함한, 열유동성 재료 피복에서 공구에 의해 패턴을 형성하는 기판의 취급, 가열 및 냉각 방법 및 장치
US8778849B2 (en) 2011-10-28 2014-07-15 Illumina, Inc. Microarray fabrication system and method
DE102012111114B4 (de) * 2012-11-19 2018-10-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Halbleiterbearbeitungsvorrichtung und -verfahren
WO2014145360A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Nanonex Corporation Imprint lithography system and method for manufacturing
WO2014145826A2 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Nanonex Corporation System and methods of mold/substrate separation for imprint lithography
JP6315963B2 (ja) * 2013-12-09 2018-04-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び物品の製造方法
KR102410997B1 (ko) * 2014-08-19 2022-06-22 루미리즈 홀딩 비.브이. 다이 레벨 레이저 리프트-오프 동안 기계적 손상을 감소시키기 위한 사파이어 콜렉터
US10620532B2 (en) * 2014-11-11 2020-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Imprint method, imprint apparatus, mold, and article manufacturing method
EP3295479B1 (en) * 2015-05-13 2018-09-26 Lumileds Holding B.V. Sapphire collector for reducing mechanical damage during die level laser lift-off
US10191368B2 (en) 2015-11-05 2019-01-29 Board Of Regents, The University Of Texas System Multi-field overlay control in jet and flash imprint lithography
JP6774178B2 (ja) * 2015-11-16 2020-10-21 キヤノン株式会社 基板を処理する装置、及び物品の製造方法
EP3211662A1 (en) * 2016-02-23 2017-08-30 Nokia Technologies Oy An apparatus and associated methods
JP2016149578A (ja) * 2016-05-11 2016-08-18 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法
TWI672212B (zh) * 2016-08-25 2019-09-21 國立成功大學 奈米壓印組合體及其壓印方法
WO2018224218A1 (en) * 2017-06-06 2018-12-13 Asml Netherlands B.V. Method of unloading an object from a support table
JP6995530B2 (ja) 2017-08-29 2022-01-14 キヤノン株式会社 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置及び物品の製造方法
WO2019094421A1 (en) 2017-11-10 2019-05-16 Applied Materials, Inc. Patterned chuck for double-sided processing
CN110065935B (zh) * 2018-01-24 2024-04-02 清华大学 胶带装置
CN110065936B (zh) * 2018-01-24 2024-04-02 清华大学 胶带装置
KR102434811B1 (ko) 2018-02-20 2022-08-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척
NL2023097B1 (en) * 2019-05-09 2020-11-30 Suss Microtec Lithography Gmbh Stamp replication device and method for producing a holding means for a stamp replication device as well as a stamp
JP2023040497A (ja) * 2021-09-10 2023-03-23 キヤノン株式会社 保持装置、保持装置の吸着異常を判定する方法、リソグラフィー装置、及び、物品の製造方法

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL177721B (nl) * 1977-03-14 1985-06-03 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een kunststofinformatiedrager met gelaagde structuur alsmede een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL7710555A (nl) * 1977-09-28 1979-03-30 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van informatie bevattende platen.
DE3110341C2 (de) 1980-03-19 1983-11-17 Hitachi, Ltd., Tokyo Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes
US4551192A (en) 1983-06-30 1985-11-05 International Business Machines Corporation Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography
US4506184A (en) 1984-01-10 1985-03-19 Varian Associates, Inc. Deformable chuck driven by piezoelectric means
US4559717A (en) 1984-02-21 1985-12-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Flexure hinge
DE3719200A1 (de) * 1987-06-09 1988-12-29 Ibm Deutschland Optische speicherplatte und verfahren zu ihrer herstellung
US4932358A (en) 1989-05-18 1990-06-12 Genus, Inc. Perimeter wafer seal
US5331371A (en) 1990-09-26 1994-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure method
JPH0521584A (ja) 1991-07-16 1993-01-29 Nikon Corp 保持装置
JP2867194B2 (ja) 1992-02-05 1999-03-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5466146A (en) * 1992-06-29 1995-11-14 Fritz; Michael L. Hydroforming platen and seal
JPH06244269A (ja) 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
DE4408537A1 (de) 1994-03-14 1995-09-21 Leybold Ag Vorrichtung für den Transport von Substraten
US5573877A (en) * 1994-03-15 1996-11-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exposure method and exposure apparatus
US5515167A (en) 1994-09-13 1996-05-07 Hughes Aircraft Company Transparent optical chuck incorporating optical monitoring
US5563684A (en) 1994-11-30 1996-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Adaptive wafer modulator for placing a selected pattern on a semiconductor wafer
US6482742B1 (en) * 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
US5900062A (en) 1995-12-28 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Lift pin for dechucking substrates
US20030179354A1 (en) 1996-03-22 2003-09-25 Nikon Corporation Mask-holding apparatus for a light exposure apparatus and related scanning-exposure method
JPH10172897A (ja) 1996-12-05 1998-06-26 Nikon Corp 基板アダプタ,基板保持装置及び基板保持方法
US6019166A (en) 1997-12-30 2000-02-01 Intel Corporation Pickup chuck with an integral heatsink
US6304424B1 (en) 1998-04-03 2001-10-16 Applied Materials Inc. Method and apparatus for minimizing plasma destabilization within a semiconductor wafer processing system
US6198616B1 (en) 1998-04-03 2001-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system
US6965506B2 (en) 1998-09-30 2005-11-15 Lam Research Corporation System and method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
JP4204128B2 (ja) 1999-01-18 2009-01-07 東京応化工業株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
US6160430A (en) 1999-03-22 2000-12-12 Ati International Srl Powerup sequence artificial voltage supply circuit
US6220561B1 (en) 1999-06-30 2001-04-24 Sandia Corporation Compound floating pivot micromechanisms
WO2001011431A2 (en) 1999-08-06 2001-02-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of holding semiconductor wafers for lithography and other wafer processes
US6809802B1 (en) 1999-08-19 2004-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
US6589889B2 (en) 1999-09-09 2003-07-08 Alliedsignal Inc. Contact planarization using nanoporous silica materials
US6512401B2 (en) 1999-09-10 2003-01-28 Intel Corporation Output buffer for high and low voltage bus
US6313567B1 (en) 2000-04-10 2001-11-06 Motorola, Inc. Lithography chuck having piezoelectric elements, and method
JP2001358056A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Canon Inc 露光装置
US6696220B2 (en) 2000-10-12 2004-02-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro-and nano-imprint lithography
CN100504598C (zh) 2000-07-16 2009-06-24 得克萨斯州大学系统董事会 用于平版印刷工艺中的高分辨率重叠对齐方法和系统
AU2001286573A1 (en) 2000-08-21 2002-03-04 Board Of Regents, The University Of Texas System Flexure based macro motion translation stage
US6718630B2 (en) 2000-09-18 2004-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for mounting components on substrate
US6790763B2 (en) 2000-12-04 2004-09-14 Ebara Corporation Substrate processing method
US6898064B1 (en) 2001-08-29 2005-05-24 Lsi Logic Corporation System and method for optimizing the electrostatic removal of a workpiece from a chuck
US6771372B1 (en) 2001-11-01 2004-08-03 Therma-Wave, Inc. Rotational stage with vertical axis adjustment
US6736408B2 (en) 2002-01-25 2004-05-18 Applied Materials Inc. Rotary vacuum-chuck with venturi formed at base of rotating shaft
US7060774B2 (en) 2002-02-28 2006-06-13 Merck Patent Gesellschaft Prepolymer material, polymer material, imprinting process and their use
US6759180B2 (en) 2002-04-23 2004-07-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of fabricating sub-lithographic sized line and space patterns for nano-imprinting lithography
US7019819B2 (en) 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US7641840B2 (en) * 2002-11-13 2010-01-05 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
US6980282B2 (en) 2002-12-11 2005-12-27 Molecular Imprints, Inc. Method for modulating shapes of substrates
TW570290U (en) * 2003-05-02 2004-01-01 Ind Tech Res Inst Uniform pressing device for nanometer transfer-print
US6951173B1 (en) 2003-05-14 2005-10-04 Molecular Imprints, Inc. Assembly and method for transferring imprint lithography templates
US6805054B1 (en) 2003-05-14 2004-10-19 Molecular Imprints, Inc. Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes
TW571087B (en) 2003-06-02 2004-01-11 Chen-Hung He Method and system for monitoring the mold strain in nanoimprint lithography technique
US20050160934A1 (en) 2004-01-23 2005-07-28 Molecular Imprints, Inc. Materials and methods for imprint lithography
US6879191B2 (en) 2003-08-26 2005-04-12 Intel Corporation Voltage mismatch tolerant input/output buffer
JP4090416B2 (ja) 2003-09-30 2008-05-28 日東電工株式会社 粘着テープ付ワークの離脱方法及び離脱装置
US7023238B1 (en) 2004-01-07 2006-04-04 Altera Corporation Input buffer with selectable threshold and hysteresis option
US7259833B2 (en) 2004-05-28 2007-08-21 Board Of Regents, The Universtiy Of Texas System Substrate support method
WO2005119802A2 (en) 2004-05-28 2005-12-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support system and method
KR101939525B1 (ko) * 2004-12-15 2019-01-16 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7635263B2 (en) 2005-01-31 2009-12-22 Molecular Imprints, Inc. Chucking system comprising an array of fluid chambers
US20060177532A1 (en) 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method to control extrusion of a liquid from a desired region on a substrate
US7798801B2 (en) 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
US7636999B2 (en) 2005-01-31 2009-12-29 Molecular Imprints, Inc. Method of retaining a substrate to a wafer chuck
US20060177535A1 (en) 2005-02-04 2006-08-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template to facilitate control of liquid movement
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102203671B (zh) * 2008-10-24 2013-07-17 分子制模股份有限公司 压印工艺的分离阶段中的应变和动力学控制
WO2012083578A1 (zh) * 2010-12-22 2012-06-28 青岛理工大学 整片晶圆纳米压印的装置和方法.
US8741199B2 (en) 2010-12-22 2014-06-03 Qingdao Technological University Method and device for full wafer nanoimprint lithography
CN103843111A (zh) * 2011-09-28 2014-06-04 富士胶片株式会社 纳米压印装置,纳米压印方法,变形压印器件和变形压印方法
US11187979B2 (en) 2016-11-11 2021-11-30 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method

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