CN101180702A - 具有第一和第二基底的微等离子体装置 - Google Patents

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Abstract

一种微等离子体放电装置(90)和阵列的制造方法。所述方法应用了从半导体装置的制造中汲取的技术，例如化学处理和光刻，从而生产出廉价的装置的阵列。在第一基底(14)上沉积交叉电极(16，18)。通过激光微机加工、蚀刻、或通过化学(湿法或干法)蚀刻在第二基底(34)内形成空腔并且所述第二基底(34)覆盖于所述电极阵列上。设置内部电极间距和电极宽度，使得在各空腔在下面具有至少一对电极从而激励在所述空腔内的等离子放电。因而避免了精确对准两个基底的要求。

Description

具有第一和第二基底的微等离子体装置
技术领域
本发明涉及微等离子体装置和这样的装置的阵列，具体地，涉及制造和激励微等离子体装置的方法。
背景技术
微等离子体阵列具有一些应用，最著名的是在显示器、生物医疗诊断和环境传感方面。在这些装置中，在小尺寸(典型地小于等于500μm)的空腔内通过用DC、射频、AC或脉冲电压激励相邻或在空腔内的电极而产生电场。如果在空腔内产生的峰值场强度超过门限值，则在填充空腔的放电气体或蒸汽中点火微等离子体放电。该放电在一或多个波长上发光。
无论微等离子体阵列的想象的应用如何，这些阵列相对于其它竞争技术的成功将取决于随着阵列发光表面积、发光的功率输出和阵列寿命的增大而使制造成本最小化。因而，非常希望一种简化大(＞几cm2)的微等离子体装置阵列的制造的方法和结构。
发明内容
在本发明的第一实施例中，提供了一种微等离子体装置阵列的制造方法。所述方法包括在第一基底上形成多个电极，并且在第二基底中形成多个空腔。第二基底放置在或密封在具有电极的第一基底上。所述电极配置为激励在各空腔内的气体或蒸汽中的微等离子体放电。在本发明的具体实施例中，在电极上形成介电层，并且电极可以激励在空腔内的微等离子体放电而不与阵列中的空腔或在各空腔内的气体或蒸汽物理接触。在本发明的另一实施例中，空腔可以填充以放电气体并且覆盖第二基底使得各个空腔密封。在本发明的具体实施例中，在介电层上形成另外的保护层。
在本发明的又一具体实施例中，空腔可以形成于阵列之内并且电极可以形成为相互交叉的阵列。可以设置电极的间距和宽度使得在各空腔下放置至少两个电极指。在这种方式中，第二基底与电极阵列的对准不是至关重要的并且可以减小制造成本。
附图说明
参考附图，参照下列详细描述，将更容易理解本发明的前述特征，其中：
图1示出了根据本发明实施例的微等离子体阵列装置的示意俯视图；
图2示出了图1的装置的示意截面图；并且
图3是本发明另一实施例的截面图。
具体实施方式
在本发明的某些实施例中，提供了制造微等离子体放电装置的阵列的方法。所述方法汲取了在制造例如集成电路的半导体装置和微机电(“MEM”)系统中所使用的技术。提供了例如硅或玻璃晶片的第一基底，并且在基底上通过例如金属沉积而形成电极。在电极上沉积介电层并，且在介电层上可以沉积不导电的保护层。提供可以是从例如FoturanTM的光敏玻璃或其它类似材料的切割的第二基底，并且在所述基底内通过激光显微机械加工或光刻和化学蚀刻或其它本领域技术人员熟知的技术形成微放电空腔(微空腔)。随后第二基底结合在包括第一基底的分层结构上。空腔可以填充以气态放电介质，所述介质可以包括一种气体、二或多种气体，气体或蒸汽、或气体和金属卤化物盐，后者当所述阵列工作并且自然加热时放出蒸汽。不透气的透明罩可以结合在第二基底的顶部。在装置的空腔内通过电激励共面电极(即如果介电层和保护层之一存在或都存在则施加时变电压，如果都不存在则施加AC或DC电压)。这种制造这样的微等离子体放电阵列的方法的优点是允许廉价地生产产生高强度发光的大阵列。另外，激励微等离子体的电极与微空腔和在微空腔中的放电物理隔离。这种布置的优点是明显地延长了电极的寿命，因为放电没有像在传统装置中那样通过离子轰击或溅射而腐蚀电极。
图1和2示出了根据本发明实施例制造的包括多个微放电空腔12的微放电阵列10。在图1中，主发光方向是图平面的出射方向，尽管部分发光的方向是第二基底的平面。此外，方向为射入图1的平面的光线可以或者被保护层顶部的反射涂层反射，或者透射过透明基底，在透明基底上构图由氧化铟锡形成的电极。氧化铟锡在可见光范围内是透明的，因而允许可见光透射过电极阵列。在图2的侧视图中，主发光方向是朝向图的顶端。在该实施例中各个空腔12是圆柱形的，但是所述空腔不局限于是圆柱形的并且可以形成为各种几何形状。此外，微空腔实际上可以布置为任何图案，不只是图1的Fresnel图案。
提供了第一基底14，第一基底14可以是硅晶片。该基底还可以从III-V族半导体材料中选择。在又一实施例中，所述基底可以是塑料、玻璃、陶瓷、或其它固体材料，在其上可以形成剩下的结构。绝缘层28，例如二氧化硅、氮化硅、或其它介电材料形成于第一基底上。(注意层28可以改善第一基底的介电特性)。在绝缘层28上通过例如薄膜金属沉积而形成电极16、18。任何各种沉积技术(例如溅射、蒸发、化学气相沉积、电镀等)可以用于生产不必是金属膜的电极。也可以接受其它导电材料(半导体、有机物等)。介电层30形成于避免电极之间的电击穿的电极上并且将电极16、18和微放电物理隔离。介电层30可以从各种著名的材料，例如聚酰亚胺、氮化硅、或二氧化硅中选择。包括坚固的介电材料例如氧化镁的保护层32可以沉积在介电层30上。此外，对于在非腐蚀性气体中或阵列寿命不是主要的关注因素的情形下的放电，可以分配给层32和/或30。如同在该描述中和在任何所附权力要求中，“层”可以在单步骤或多步骤(例如沉积)中形成并且一层或结构可以被形成或层叠在另一结构或层之上而不直接相邻于或接触其它的结构或层。还应注意，电极16、18仅在图2中示出了直接在各个微空腔下面的情形，但是如下所述，电极等间隔地在绝缘层28的表面上并且一些电极可以布置在其中不存在微空腔的第二基底34的部分下面。
如在图2中所示出的，微空腔12的阵列10在第二基底34之内形成，第二基底34可以是例如ForturanTM的光可界定玻璃。空腔可以通过激光微机加工或化学蚀刻或其它本领域的现有技术形成。第二基底34结合，或简单地放置在保护层32上。空腔可以填充以放电气体，例如原子稀有气体、N2、和稀有气体-卤素供体气体混合物(例如Ne/Kr/F2或Xe/HCl)。可以选择气体压力和气体混合物成分从而优化希望的辐射种类的数量密度。相互交叉的电极16、18形成提供激励的电极对，从而在放电空腔12内产生时变电磁场。驱动电极的电压波形可以是AC、RF、微波或脉冲(两极、单极等)。如果层30和32缺失，则微放电可以被DC激励。由于至少在微放电腔内产生的峰值场强度必须足以在空腔内产生在气体中的等离子体放电，所以层30和32薄，优选是几微米。较厚的层减小了微空腔内的电场强度，由此使得更加难于在微空腔内产生放电。在各空腔内的峰值场强度可以通过选择本领域已知的介电层的材料(及其厚度)、电极的宽度和间距、和空腔尺寸和几何而处理。本领域的技术人员显见，尽管在图1中示出的电极是典型交叉阵列的形式，但是也可以是其它的电极布置从而在空腔内产生需要的峰值场强度。尽管在图1中未示出，但是可以连接电极16、18从而通过电接触垫11控制电路，并且阵列本身可以形成部分集成电路。空腔在截面上可以是圆柱形的并且位于电极阵列上方。空腔可以具有其它几何。例如，空腔75可以是近乎正方形或矩形截面，并且位于电极阵列上方。
用在希望的频谱区(可见光、紫外、红外、或两或更多的区)内透明的材料，例如在可见光、近红外和紫外线范围的玻璃、石英、或蓝宝石，或在红外范围的ZnSe、KBr等制成的窗口35(图2)可以结合或另外密封到基底34。由对所关注的波长透明的物质制成的窗口35在微放电腔12内密封放电介质36(蒸汽或气体)。
在图1的实施例中，中央微空腔(像素)22和微放电的环20和24通过由当时变电势施加到电极16、18时的电极所产生的电磁场激励。但是，图1和2的电极可以被重新布置(或介电膜可以选择性地沉积在一个电极阵列的部分上)，从而允许对第二子阵列的电连接与第一子阵列交叉而不出现电短路，使得仅有最外面的环20或最中心的像素22或中间环24(或其组合)被激励。用这种方式，环20-24可以被分别控制。在本发明的另外的实施例中，可以使用更多微空腔环并且通过例如两或更多组电极而被独立控制。替代地，微空腔可以以包括微空腔的线和行的矩形图案布置。在上述的方式中(使用介电质隔离电连接)，可以激励单独的微空腔的线或行。此外，如较早所述，微空腔不必以环形布置。微空腔的布置不局限于具体的图案。
其中产生微放电的微放电腔12的直径的尺寸下限由几个因素确定，其中之一是用于形成微放电腔的微制造技术。尽管微空腔(对于当前生产的原型阵列)是圆柱形或矩形截面并且具有75或100μm的特性尺寸，但是制造小得多(＜10μm)或大尺寸的微等离子体装置可以伴随以众所周知的微制造技术。如上所述，单个的微放电腔的截面不必是环形的，而是可以假设为任何希望的形状。尽管上述其中形成了微放电腔的基底是ForturanTM，但是可光界定玻璃、各种各样材料可以根据应用而用于该基底。例如，蓝宝石、石英、玻璃环氧、其它类型的玻璃、或各种体介电质可以用在本发明的其它实施例中。
在本发明的具体实施例中，制造交叉电极使得交叉电极阵列的间距(相邻电极的中心对中心间距)比各个微等离子体空腔的直径小。因为消除了精确对齐电极阵列和微空腔阵列的需要从而明显简化了结构的组装，所以该布置尤为有利。对齐这两个阵列是潜在的问题，由于微空腔阵列和电极阵列(包括第一基底、第一介电体、和保护和第二介电层)可以单独地制造，但是必须随后以这样的方式结合使得在交叉阵列中的两个相邻的电极直接坐落在阵列中各个微空腔的下面。如果恰当地选择相邻电极之间的间距和电极的宽度(即匹配“装载”到驱动电极的AC、RF或脉冲电源的电极，以及允许一交叉阵列的“循环”比各个微等离子体放电腔的直径小)，则结合两片组件的工艺就不重要并且各个微等离子体放电空腔在其下面将具有至少一对电极。例如，如果微空腔具有大约100μm的直径并且在交叉阵列中的电极的间距和宽度都是20μm，则在各个微空腔后面将有至少两个电极。
在本发明的另一实施例中，如在图3中示意地所示，提供了相似于图2所示的装置的装置结构90。但是电极层92(“第三电极”)沉积在背离电极阵列(16、18)的第二基底的表面上。对该电极层92制造电连接并且或者直接接地或者通过电容器96(对于AC操作)接地。电容器96可以是分立元件或以在第三电极92的顶部上的另一介电层以及接地的另一电极的形式分布。第三电极92的存在是为了在微空腔中成形电场并且消耗可以在第二基底的表面上建立的电荷。第三电极的另外的功能(如果需要)是用作栅极，通过该栅极电子可以在AC电压波形的两个半循环期间被抽出。如果提供，安装在隔离体97上的荧光屏98，则从微放电抽出的电子前进离开微空腔并且可以撞击该荧光屏98，由此使得图3的结构适于发光或用于显示器。
本发明的其它实施例完全分配给介电层和保护层，并且允许第二基底(具有空腔)直接覆盖在电极阵列上。
上面已经描述了根据本发明的包括交叉电极阵列的微等离子体放电装置。在本发明的其它实施例中，本领域的技术人员显见，可以使用其它的电极布置从而产生具有足够峰值强度的场从而点火在空腔内的微等离子体放电。相似地，当然，显然本发明不仅局限于上述详细描述的其它方面。在不偏离所附权利要求中所界定的本发明的精神和范围的前提下，本领域的技术人员显见本发明的各种变化和改进。

Claims (15)

1.一种装置，包括：
第一基底(14)；
在所述第一基底上形成的多个电极(16、18)；和
包括多个空腔的第二基底(34)，所述第二基底位于所述电极上方，使得电极配置为激励在各个空腔内的微等离子体放电。
2.根据权利要求1的装置，还包括在所述电极上形成的介电层(30)。
3.根据权利要求2的装置，还包括在所述介电层上形成的保护层(32)。
4.根据权利要求2的装置，其中配置所述电极使得电极不与任何空腔直接物理接触。
5.根据权利要求1的装置，其中各空腔填充以气体并且所述第二基底被封装，使得填充的气体保持在各个空腔之内。
6.根据权利要求5的装置，其中在希望的频谱区透明的窗口(35)结合到所述第二基底，并且所述第二基底结合到所述第一基底。
7.根据权利要求1的装置，其中所述电极配置为激励在空腔的第一子集内的放电，而不激励空腔的第二子集，并且激励第二子集内放电而不激励第一子集。
8.根据权利要求1的装置，其中所述电极相互交叉。
9.根据权利要求8的装置，其中所述电极的宽度和间隔是这样的，使得至少两个电极充分地位于各个空腔下面。
10.根据权利要求9的装置，还包括在所述电极上形成的介电层，使得所述电极不与任何空腔直接物理接触。
11.根据权利要求1的装置，其中所述第二基底的特性由接近电极的面和电极远侧的面决定，还包括位于第二基底的远侧面上的漏极(94)。
12.根据权利要求11的装置，还包括布置为接收由漏极提取的电子的荧光屏。
13.一种制造微等离子体装置的方法，包括：
提供第一基底；
在所述第一基底上形成多个电极；
在第二基底上形成多个空腔；并且
将所述第二基底放置在所述多个电极上，使得配置所述电极从而激励各空腔内的微等离子体放电。
14.一种根据权利要求12的方法，还包括在所述电极上形成介电层。
15.一种根据权利要求13的方法，还包括用气体填充各空腔并且封装所述第二基底，使得所述在各空腔内填充的气体被保持。
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Publications (1)

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CN (1) CN101180702A (zh)
WO (1) WO2006052509A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101794699A (zh) * 2010-03-23 2010-08-04 山东大学 可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法
CN109346518A (zh) * 2018-09-26 2019-02-15 西安交通大学 一种微腔等离子体晶体管及其制备方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6695664B2 (en) * 2001-10-26 2004-02-24 Board Of Trustees Of The University Of Illinois Microdischarge devices and arrays
US7372202B2 (en) * 2004-04-22 2008-05-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Phase locked microdischarge array and AC, RF or pulse excited microdischarge
US7573202B2 (en) * 2004-10-04 2009-08-11 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Metal/dielectric multilayer microdischarge devices and arrays
US7385350B2 (en) 2004-10-04 2008-06-10 The Broad Of Trusstees Of The University Of Illinois Arrays of microcavity plasma devices with dielectric encapsulated electrodes
US7477017B2 (en) 2005-01-25 2009-01-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois AC-excited microcavity discharge device and method
US7502109B2 (en) * 2005-05-17 2009-03-10 Honeywell International Inc. Optical micro-spectrometer
US7642720B2 (en) * 2006-01-23 2010-01-05 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Addressable microplasma devices and arrays with buried electrodes in ceramic
US7615926B2 (en) * 2006-06-12 2009-11-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Low voltage microcavity plasma device and addressable arrays
JP5399901B2 (ja) 2006-07-26 2014-01-29 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ 埋込み周囲電極マイクロキャビティプラズマデバイスアレイ、電気的相互接続及び形成方法
US8952612B1 (en) 2006-09-15 2015-02-10 Imaging Systems Technology, Inc. Microdischarge display with fluorescent conversion material
FR2915311B1 (fr) * 2007-04-17 2011-01-07 Saint Gobain Lampe plane a decharge.
EP2153454B1 (en) 2007-05-16 2013-04-24 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Arrays of microcavity plasma devices and electrodes with reduced mechanical stress
WO2009055807A1 (en) 2007-10-25 2009-04-30 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Microchannel laser having microplasma gain media
US8179032B2 (en) * 2008-09-23 2012-05-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Ellipsoidal microcavity plasma devices and powder blasting formation
US9659737B2 (en) 2010-07-29 2017-05-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Phosphor coating for irregular surfaces and method for creating phosphor coatings
TWI510142B (zh) * 2013-06-06 2015-11-21 Univ Tamkang Micro plasma device
AU2012304203A1 (en) * 2011-09-01 2014-03-20 University Of South Australia Patterning method
KR101417273B1 (ko) * 2012-05-22 2014-08-06 광운대학교 산학협력단 대기압 플라즈마 소스
US9390894B2 (en) * 2013-09-24 2016-07-12 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Modular microplasma microchannel reactor devices, miniature reactor modules and ozone generation devices
KR101671625B1 (ko) * 2014-04-24 2016-11-02 광운대학교 산학협력단 플로팅 ｄｂｄ 플라즈마 소스

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3487254A (en) 1969-01-16 1969-12-30 Perkin Elmer Corp Alloy for hollow cathode lamp
US3697797A (en) 1971-01-25 1972-10-10 Sperry Rand Corp Process for manufacturing cold cathode gas discharge devices and the product thereof
US3793552A (en) 1972-07-19 1974-02-19 Gen Electric High temperature photoelectric gas multiplication ultraviolet ray sensor
GB1473849A (en) 1973-09-28 1977-05-18 Mullard Ltd Glow-discharge display device
US3970887A (en) 1974-06-19 1976-07-20 Micro-Bit Corporation Micro-structure field emission electron source
US4060748A (en) 1976-07-23 1977-11-29 Hughes Aircraft Company Surface breakdown igniter for mercury arc devices
NL184589C (nl) 1979-07-13 1989-09-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenbundel en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
US4459636A (en) 1981-12-24 1984-07-10 S&C Electric Company Electrical connectors for capacitors, improved capacitors and assemblies thereof using same
US4638218A (en) * 1983-08-24 1987-01-20 Fujitsu Limited Gas discharge panel and method for driving the same
EP0146383B1 (en) 1983-12-20 1992-08-26 Eev Limited Apparatus for forming electron beams
DE3538175C2 (de) 1984-11-21 1996-06-05 Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstromes und ihre Verwendung
US4672624A (en) 1985-08-09 1987-06-09 Honeywell Inc. Cathode-block construction for long life lasers
US4728864A (en) * 1986-03-03 1988-03-01 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories AC plasma display
US4992703A (en) 1986-04-14 1991-02-12 North American Philips Corp. Metal halide lamp with dual starting electrodes and improved maintenance
KR900008794B1 (ko) 1986-06-11 1990-11-29 티 디 케이 가부시끼가이샤 방전 램프장치
US4843281A (en) * 1986-10-17 1989-06-27 United Technologies Corporation Gas plasma panel
US4988918A (en) 1988-06-23 1991-01-29 Toshiba Lighting And Technology Corporation Short arc discharge lamp
US5013902A (en) 1989-08-18 1991-05-07 Allard Edward F Microdischarge image converter
US5055979A (en) 1990-01-08 1991-10-08 Bhk, Inc. Gas discharge light source
US5062116A (en) 1990-05-17 1991-10-29 Potomac Photonics, Inc. Halogen-compatible high-frequency discharge apparatus
KR920004143B1 (ko) * 1990-07-04 1992-05-25 삼성전관 주식회사 플라즈마 표시소자
US5200973A (en) 1991-06-07 1993-04-06 Honeywell Inc. Toroidal cathode
US5438343A (en) 1992-07-28 1995-08-01 Philips Electronics North America Corporation Gas discharge displays and methodology for fabricating same by micromachining technology
JP2653008B2 (ja) 1993-01-25 1997-09-10 日本電気株式会社 冷陰極素子およびその製造方法
US5387805A (en) 1994-01-05 1995-02-07 Metzler; Richard A. Field controlled thyristor
JP2792531B2 (ja) 1994-07-27 1998-09-03 東芝ライテック株式会社 表示用発光素子
US5686789A (en) 1995-03-14 1997-11-11 Osram Sylvania Inc. Discharge device having cathode with micro hollow array
US5626772A (en) * 1995-03-20 1997-05-06 Philips Electronics North America Corporation Plasma addressed liquid crystal display with etched plasma channels
US5926496A (en) 1995-05-25 1999-07-20 Northwestern University Semiconductor micro-resonator device
US5723945A (en) * 1996-04-09 1998-03-03 Electro Plasma, Inc. Flat-panel display
US6082294A (en) 1996-06-07 2000-07-04 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Method and apparatus for depositing diamond film
US6016027A (en) 1997-05-19 2000-01-18 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Microdischarge lamp
JPH11238488A (ja) 1997-06-06 1999-08-31 Toshiba Lighting & Technology Corp メタルハライド放電ランプ、メタルハライド放電ランプ点灯装置および照明装置
KR100573047B1 (ko) * 1997-08-19 2006-04-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 가스방전패널
US5990620A (en) 1997-09-30 1999-11-23 Lepselter; Martin P. Pressurized plasma display
US6433480B1 (en) 1999-05-28 2002-08-13 Old Dominion University Direct current high-pressure glow discharges
US6825606B2 (en) * 1999-08-17 2004-11-30 Lg Electronics Inc. Flat plasma display panel with independent trigger and controlled sustaining electrodes
US6597120B1 (en) * 1999-08-17 2003-07-22 Lg Electronics Inc. Flat-panel display with controlled sustaining electrodes
US6459201B1 (en) * 1999-08-17 2002-10-01 Lg Electronics Inc. Flat-panel display with controlled sustaining electrodes
US6563257B2 (en) 2000-12-29 2003-05-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Multilayer ceramic microdischarge device
US6541915B2 (en) 2001-07-23 2003-04-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High pressure arc lamp assisted start up device and method
US6695664B2 (en) 2001-10-26 2004-02-24 Board Of Trustees Of The University Of Illinois Microdischarge devices and arrays
US6815891B2 (en) 2001-10-26 2004-11-09 Board Of Trustees Of The University Of Illinois Method and apparatus for exciting a microdischarge
US6828730B2 (en) 2002-11-27 2004-12-07 Board Of Trustees Of The University Of Illinois Microdischarge photodetectors
US7235493B2 (en) 2004-10-18 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Low-k dielectric process for multilevel interconnection using mircocavity engineering during electric circuit manufacture

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101794699A (zh) * 2010-03-23 2010-08-04 山东大学 可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法
CN109346518A (zh) * 2018-09-26 2019-02-15 西安交通大学 一种微腔等离子体晶体管及其制备方法
CN109346518B (zh) * 2018-09-26 2020-10-27 西安交通大学 一种微腔等离子体晶体管及其制备方法

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