CN101228013B - 用来将材料粘合在一起的方法和组合物 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种将一个层粘合到基片上的方法,特征是通过在所述层和所述基片之间存在一种组合物而限定第一界面和第二界面,所述组合物与所述层形成共价键,使用共价键、离子键和范德华力中的一种或多种与所述基片相结合。以这种方式,确保所述层与所述组合物的粘合力的强度大于用预定粘合机理(即不包括共价键合的粘合机理)的所述层与组合物的粘合力。本发明还涉及用来将第一材料和第二材料粘合起来的组合物。该组合物的特征是包含:多官能活性化合物,该化合物包含主链基团以及第一和第二官能团;交联剂以及催化剂。所述第一官能团对第一光化能量敏感,形成交联分子,使所述交联分子的子集与所述第一材料相连。第二官能团对第二光化能量敏感,与所述第二材料相结合,所述第二光化能量不同于所述第一光化能量。
Description
关于联邦资助的研究或开发的声明
美国政府在本发明中享有已付清许可证,在限定的情况下有权要求本专利所有人以合理的条件授予他人许可证,所述合理的条件是根据国家标准学会(National Institute of Standards)(NIST)ATP裁决所裁决的70NANB4H3012的条款提供的。
发明背景
本发明范围总体上涉及结构的纳米级制造(nano-fabrication)。更具体地说,本发明涉及一种方法,该方法能够将不同的材料粘合在一起,其适用于压印光刻工艺(imprint lithographic process)。
纳米级制造涉及制造非常小的结构,例如具有1纳米或以上的数量级特征的结构。用于纳米级制造的一种前景看好的工艺被认为是压印光刻工艺。压印光刻工艺的例子在许多文献中有详细描述,如登记为美国专利申请10/264960、题为“Method and a Mold to Arrange Features on a substrate to Replicate Featureshaving Minimal Dimensional Variability”的美国公开专利申请2004-0065976;登记为美国专利申请10/264926、题为“Method ofForming a Layer on a substrateto Facilitate Fabrication of Metrology Standards”的美国公开专利申请2004-0065252;登记为美国专利申请10/235314、题为“Method and a Mold toArrange Features on a substrate to Replicate Features having MinimalDimensional Variability”的美国公开专利申请2004-0046271;上述专利均转让给本发明的受让人。
参见图1,在压印光刻后面的基本原理是在基片上形成浮雕图案,基片尤其起蚀刻掩模的作用,因此在基片中形成一种对应于所述浮雕图案的图形。用来形成浮雕图案的系统10包括其上承载基片12的平台11,和具有模具16的模板14,模具16上有图形形成表面18。图形形成表面18可基本上是光滑的和/或平坦的,或者可以形成图形,这样在其中形成一个或多个凹处。模板14与压印头20相连,以便于模板14移动。连接流体分配系统22,使该系统能选择位置与基片12流体连通,以便在基片上沉积可聚合材料24。连接能量28的供应源26,使能量28沿路径30传递。对压印头20和平台11分别进行布置,以调整模具16与基片12,使它们处于叠加状态,并位于路径30中。使压印头20和平台11中的任何一个或两者变化模具16与基片12之间的距离,以确定出在它们两者之间的注入可聚合材料24的所需体积。
一般在确定模具16与基片12之间的所需体积之前,先将可聚合材料24置于基片12上。然而,也可以在得到所需体积后将可聚合材料24注入该体积。在所需体积被注入可聚合材料24之后,能量供应源26产生能量28,该能量引起可聚合材料24固化和/或交联,形成的聚合物材料的形状与基片表面25和模具表面18的形状相一致。此工艺的控制通过处理器32调整,该处理器与平台11、压印头20、流体分配系统22和能量供应源26之间处于数据通信状态,根据存储在存储器34中的计算机可读程序操作。
在可聚合材料中精确形成图案的一个重要特性是减少(若不能防止的话)聚合物材料粘合到模具上,同时确保适当粘合到基片上。这种现象称作择优脱模与粘合性。以这种方式,记录在聚合物材料中的图案就不会在分离模具的过程中发生变形。现有技术试图在模具表面上使用脱模层来改善脱模特性。脱模层通常是疏水的和/或具有低表面能。脱模层粘合在模具上。提供脱模层能改善脱模特性。这可通过它将由于分离模具引起的记录在聚合物材料中的图案变形减至最小而看出。在本讨论中,把这种类型的脱模层称作预先脱模层,即固化到模具上的脱模层。
另一种试图改进脱模性的现有技术参见Bender等,在Multiple Imprinting inUV-based Nanoimprint Lithography:Related Material Issues,MicroelectronicEngeering,61-62(2002),第407-413页中的描述。具体说来,Bender等采用含有预先脱模层的模具,和经过氟处理的可UV固化材料。为此,将可UV固化层施加在基片上,具体方法是旋涂200厘泊的可UV固化流体,形成可UV固化层。可UV固化层富含氟基团,以改进脱模性。
因此,需要改进压印光刻工艺所用模具的择优脱模和粘合性。
发明概述
本发明提供了一种将一层粘合到基片上的方法,特征是通过在所述层和所述基片之间存在一种组合物而限定第一界面和第二界面,所述组合物与所述层形成共价键,使用共价键、离子键和范德华力中的一种或多种与所述基片相结合。以这种方式,确保所述层与所述组合物的粘合力的强度大于具有预定粘合机理(即不包括共价键合的粘合机理)的所述层与组合物的粘合力。本发明还涉 及用来将第一材料和第二材料粘合起来的组合物。该组合物的特征是包含:多官能活性化合物,该化合物包含主链基团以及第一和第二官能团;交联剂以及催化剂。所述第一官能团对第一光化能量敏感,形成交联分子,使得所述交联分子的子集与所述第一材料相连。第二官能团对第二光化能量敏感,与所述第二材料相结合,所述第二光化能量不同于所述第一光化能量。本文描述了这些实施方式和其它的实施方式。
本发明提供了一种将一层粘合到压印光刻基片上的方法,所述方法包括:
通过在所述层和所述压印光刻基片之间存在一种组合物而限定第一界面和第二界面,所述第一界面限定在所述层和所述组合物之间,所述第二界面限定在所述压印光刻基片和所述组合物之间,所述第一界面包括共价键,所述第二界面包括将所述组合物粘合于所述压印光刻基片的机理,
其中,所述组合物包含:多官能活性化合物,该化合物包含第一和第二官能团;所述第一官能团对第一光化能量敏感,形成交联分子,使所述交联分子的子集与所述层相连以形成所述第一界面,并且所述第二官能团对第二光化能量敏感,所述第二光化能量不同于所述第一光化能量以形成所述第二界面。
附图简述
图1是根据现有技术的光刻系统的平面简图;
图2是根据本发明模板和设置在基片上的压印材料的正视简图;
图3是图2所示的模板和基片的正视简图,图中显示所述压印材料是在所述层上形成图形并固化的;
图4是接触压印材料的模板的截面图,说明在固化的压印材料和模板之间形成弱的边界薄层;
图5是图2所示的压印材料液滴的详图,显示液滴分成富含表面活性剂的区域和缺少表面活性剂的区域;
图6是用旋涂技术沉积的压印材料层的详图,显示该层分成富含表面活性剂的区域和缺少表面活性剂的区域;
图7是与固化压印材料接触的模板的截面图,压印材料如图5或图6所示沉积,形成在包括底涂层的基片上;
图8是根据本发明一个实施方式,可用来形成图2、3和7中所示的底涂层的组合物的一种组分的化学结构的平面图;
图9是根据本发明的第二个实施方式,可用来形成图2、3和7中所示的底涂层的组合物的一种组分的化学结构的平面图;
图10是根据本发明的第三个实施方式,可用来形成图2、3和7中所示的底涂层的组合物的一种组分的化学结构的平面图;
图11是根据本发明的第四个实施方式,可用来形成图2、3和7中所示的底涂层的组合物的一种组分的化学结构的平面图。
发明详述
参见图1和2,根据本发明,模具36可用于系统10,并且可限定具有基本光滑或平坦外形的表面(未示出)。或者,模具36可包含由许多间隔的凹处38和凸起40确定的特征结构。所述许多特征结构确定了原始图案,该原始图案形成将要形成在基片42上的图案的基础。基片42可包括裸晶片或带有配置在其上的一层或多层的晶片,其中一层显示为底涂层45。因此,模具36与基片42之间的距离“d”减小。这样,模具36上的特征结构可压印到基片42的适合区域,如位于表面44上呈现基本平坦外形的部分上的压印材料中。应当理解,压印材料可采用任何已知技术沉积,例如旋涂、浸涂等。但是,在本实例中,压印材料以许多间隔的离散液滴46的形式沉积在基片42上。压印材料可由组合物形成,该组合物可发生选择性聚合和交联,以在其中记录原始图案,限定记录的图案。
具体说来,记录在压印材料中的图案是部分通过与模具36的相互作用例如电相互作用、磁相互作用、热相互作用、机械相互作用等产生的。在本实例中,模具36与压印材料机械接触,将液滴36铺展开,在表面44上产生压印材料的连接的形成体50。在一种实施方式中,减小距离“d”,使压印材料的子部分52进入并填充凹处38。为了促进填充凹处38,在模具36与液滴46接触之前,模具36和液滴46之间的气氛被氦气饱和,或者完全抽空,或者是部分抽空的氦气气氛。
压印材料具有必要的性质,使之完全填充凹处38,同时用压印材料的连接的形成体覆盖表面44。在本实施方式中,当达到所需的、通常也是最小距离“d”之后,压印材料与凸起40叠加的子部分54保留。这种作用为形成体50提供了厚度t1的子部分52和厚度t2的子部分54。厚度“t1”和“t2”可以是任何所需的厚度,具体取决于应用。然后,通过使形成体50受到合适的固化剂,例如光化能量(如宽带紫外能量、热能等,取决于压印材料)的作用使形成体50固化。这会引起压印材料聚合和交联。整个过程可在环境温度和压力下进行,或者在具有所需温度和压力的环境受控室中进行。照这样,形成体50固化后,其侧面56具有与模具36的表面58的形状相一致的形状。
参见图1、2和3,从所采用的独特的形成图形工艺来看,压印材料的特性对于使基片42有效地形成图形是重要的。例如,需要压印材料具有某些特性, 以便快速而均匀地填充模具36的特征结构,这样所有的厚度t1基本上一致,并且所有的厚度t2基本上一致。为此,需要根据所用沉积工艺来确定压印材料的粘度,以获得前述特性。如上所述,压印材料可采用各种技术沉积在基片42上。若将压印材料沉积成许多离散的间隔的液滴46,则要求形成压印材料的组合物具有较低的粘度,例如在0.5-20厘泊(cP)之间。考虑到压印材料同时铺展和形成图形,随后通过辐射将图案固化成形成体50,要求组合物能够湿润基片42和/或模具36的表面,并且避免在聚合之后接着形成坑或洞。若用旋涂技术沉积压印材料,则要求使用粘度较高的材料,例如粘度大于10厘泊,通常为数百至数千厘泊,所述粘度测定在不含溶剂的情况下进行。
除了前述特性(称作液相特性)之外,还需要组合物赋予压印材料某些固相特性。例如,形成体50固化之后,压印材料需要具有择优粘合和脱模特性。具体说来,制备压印材料的组合物要有助于为形成体50提供与基片42的择优粘合性和对模具36的择优脱模性。这样,由分离模具36引起的尤其因为形成体50的撕裂、拉伸或其他结构性破坏等而造成记录的图案发生变形的可能性就会减少。
形成提供前述特性的压印材料的组合物的组成组分可以不同,这是因为基片42是由许多不同材料形成的。结果,表面44的化学组成随着形成基片42的材料变化。例如,基片42可由硅、塑料、砷化镓、碲化汞及其复合材料形成。如上所述,基片42可包含一层或多层(图中显示为底涂层45),例如介电层、金属层、半导体层、平面化层等,形成体50在这些层上形成。为此,底涂层45可以使用任何合适的技术沉积在晶片47上,例如化学气相沉积、旋涂法等。另外,底涂层45可由任何合适的材料如硅、镓等形成。另外,模具36可由若干材料形成,例如热解法二氧化硅、石英、氧化铟锡金刚石状碳、MoSi、溶胶—凝胶等。
用来形成形成体50的示例性主体材料如下:
主体压印材料
丙烯酸异冰片酯
丙烯酸正己酯
二丙烯酸乙二醇酯
2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮
丙烯酸酯组分,即丙烯酸异冰片酯(IBOA)具有以下结构:
它约占主体材料重量的47%,但其含量可以在20%-80%范围内(含端值)。结果,形成体50的机械性能主要由IBOA造成。IBOA的一个示例性来源是美国宾夕法尼亚州爱克斯顿(Exton)的萨托莫(Sartomer)公司的名为SR 506的产品。
组分丙烯酸正己酯(n-HA)具有以下结构:
它约占主体材料重量的25%,但其含量可以在0%-50%范围内(含端值)。n-HA既为形成体50提供柔性,也用来降低现有技术的主体材料的粘度,使得液态主体材料的粘度在2-9厘泊的范围内(含端值)。n-HA组分的一个示例性来源是美国威斯康辛州密尔沃基的阿尔德瑞奇化学品公司(Aldrich Chemical)。
交联组分二丙烯酸乙二醇酯具有以下结构:
它约占主体材料重量的25%,其含量可在10%-50%范围内(含端值)。EGDA还影响模量和刚性的形成,并在主体材料的聚合过程中有助于n-HA和IBOA的交联。
引发剂组分2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮可以商品名达洛克(DAROCUR) 1173从在美国纽约州特瑞镇(Tarrytown)的希巴特殊化学品公司(CibaSpecialty Chemicals)购得,它具有以下结构:
它约占主体材料重量的3%,其含量也可在1%-5%范围内(含端值)。使得引发剂对其敏感的光化能量是中压汞灯产生的宽带紫外能量。以这种方式,引发剂促进主体材料的组分交联和聚合。
但是,将Frank Xu和Michael N.Miller列为发明人、在2005年2月28日提交 的题为″减少一致性区域和模具之间的粘合性的组合物(Composition to ReduceAdhesion Between a Conformable Region and a Mold)″的同时待审的美国专利申请号11/068,171中,揭示了上文讨论的所需的择优粘合和脱模性可通过如图3和图4所示在模具36、表面58和形成体50之间形成弱的边界层,薄层60而获得。在压印材料固化之后,薄层60得以保留。因此,模具36和形成体50之间的粘合力很小。为此,发现使用包括几种组合物之一的组合物用于压印材料是有益的,例如上述的主体压印材料(BULK IMPRINTING MATERIAL),以及包含低表面能基团的组分,这些组分被称为表面活性剂组分,在将Frank Xu和Michael N.Miller列为发明人、在2005年2月28日提交的题为″减少一致性区域和模具之间的粘合性的组合物(Composition to Reduce Adhesion Between a ConformableRegion and a Mold)″的同时待审的美国专利申请号11/068,171中详细描述,该文献通过参考结合于此。
参见图5,在沉积压印材料之后,表面活性剂组分上升,在一段时间之后,上升到空气-液体界面,提供具有材料分化浓度的压印材料的液滴146。在第一部分,液滴146包括浓度高于第二部分的表面活性剂组分,该组分称作富含表面活性剂组分(SCR)子部分136,而第二部分称作缺少表面活性剂组分(SCD)子部分137。SCD子部分137位于表面44与SCR子部分136之间。一旦压印材料固化,SCR子部分136即可减弱模具36与压印材料之间的粘合力。具体说来,表面活性剂组分具有不同的两端。当压印材料处于液相,即可聚合时,不同的两端之一对包含在压印材料中包含的主体材料具有亲和性。另一端具有含氟组分。
参见图4和图5,由于对主体材料的亲和性,表面组分取向,因此含氟组分从由压印材料和周围环境限定的空气-液体界面伸出。
在压印材料固化的时候,第一部分压印材料形成薄层60′,第二部分压印材料,即显示为形成体50的聚合材料固化。薄层60位于形成体50和模具36之间。薄层60是由于含氟组分存在于并位于SCR子部分136而形成的。薄层60防止模具36与形成体50之间形成强的粘合力。具体说来,形成体50具有相对的第一面62和第二面64。面62以第一粘合力粘合到模具36上,面64以第二粘合力粘合到基片42上。薄层60造成第一粘合力小于第二粘合力。结果,模具36容易从形成体50上移除,同时将变形和/或分离模具36所需的力减至最小。虽然示出的形成体50具有被形成图形的面62,但应当理解,面62即使不是平坦的,也可以是光滑的。
此外,若需要,可以在形成体50与基片42之间形成薄层60。例如,可以通过在模具36上施加压印材料,然后使基片42与在模具36上的压印材料接触来实现这一点。这样,可以说形成体50将位于薄层60与主体,例如模具36或基片42之间,在该模具36或基片42上沉积可聚合材料。应当理解,若采用旋涂技术沉积压印材料,材料可类似地出现分化浓度,如图6所示SCR子部分236和SCD子部分237。分化所需时间取决于若干因素,包括组合物中的分子大小和组合物的粘度。当组合物的粘度低于20厘泊时,组合物浓度出现上述分化所需时间仅为数秒。但当材料的粘度为数百厘泊时,可能需要数秒至数分钟的时间。
但是已经发现,所述薄层60可能不是均匀的。薄层60的一些区域比其它的区域薄,在一些极端情况下,在模板表面极小的百分比范围内可能不存在薄层60,因此模板36与形成体50相接触。薄层60有较薄的区域以及不存在薄层60的结果是,可能发生形成体50的变形和/或从基片42脱层。具体来说,在分离模具36的时候,形成体50受到分离作用力FS。分离作用力FS是由于施加在模具36上的拉力FP,以及由于薄层60减小而造成的形成体50和模具36之间的粘合力,例如范德华力产生的。由于薄层60的存在,分离作用力FS的大小通常小于形成体50和基片42之间的粘合力FA的大小。但是,通过减少或不存在薄层60,局部的分离作用力FS可以接近局部的粘合力FA的大小。局部作用力表示在薄层60的特定区域存在的作用力,在本实例中其为薄层60的很薄区域附近或薄层60基本不存在的区域的局部作用力。这导致形成体50变形和/或从基片42脱层。
对于图7,在存在底涂层45的情况下,由于存在两个界面66和68,情况变得更为复杂。在第一界面66处,在底涂层45和形成体50之间存在第一粘合力F1。在第二界面68,在底涂层45和晶片47之间存在第二粘合力F2。需要分离作用力FS的大小小于粘合作用力F1和F2。然而,由于如上所讨论的薄层60厚度变化或薄层60不存在,分离作用力FS可能类似或接近粘合力F1和F2中一个或两个的大小。这可能会造成形成体50从底涂层45脱层,底涂层45从晶片47脱层,或者两种情况皆有。
本发明通过由一种材料形成底涂层45,即使不能避免上述脱层问题,也可以减小此问题,由于薄层起伏,所述材料使得第一和第二界面的第一F1和F2粘合力分别大于分离作用力F3的可能性增大。因此,底涂层45由在界面66(即在底涂层45和形成体50之间),以及在界面66、底涂层45和晶片47之间形成强的粘合的组合物形成。在本实例中,在第一界面66处底涂层45和形成体50之间的粘合 是共价键合的结果,即在用来形成底涂层45的组合物和用来形成形成体50的组合物之间存在共价键。所述底涂层45和晶片47之间的粘合可通过各种机理中的任意一种来实现。这些机理可包括用来形成底涂层45的组合物与用来形成晶片47的材料之间形成共价键。作为替代共价键或除共价键外,可以在用来形成底涂层45的组合物和用来形成晶片47的材料之间形成离子键。作为替代共价键和/或离子键或两者,或除共价键和/或离子键或两者外,用来形成底涂层45的组合物与用来形成晶片47的材料之间的粘合可通过相互的范德华力来实现。
这是通过由包含多官能活性化合物的组合物形成底涂层45来完成的,所述多官能活性化合物即为以下通式表示的包含两个或更多个官能团的化合物:
(1)X′——R——X
式中R,R′,R″和R是连接基团,x,y,z是与之连接的基团的平均重复数。这些重复单元可以是无规分布的。基团X和X′表示官能团,通常理解为官能团X不同于官能团X′。对官能团X和X′中的一种,例如X′进行选择,以完成与用来形成基片42的材料的交联反应,以便通过与其形成共价键、离子键和/或范德华力而与之结合。
对余下官能团X和X′中的一种,例如X进行选择,以完成与用来形成形成体50的材料的交联反应,从而在它们之间形成共价键。确定X基团的官能度,以便在形成体50的聚合过程中发生交联。因此,对官能团X的选择取决于用来形成形成体50的材料的特性,需要官能团X能够与用来形成形成体50的组合物的官能团反应。例如,如果形成体50由丙烯酸酯单体形成,则X可以由丙烯酸类官能团、乙烯醚官能团或烷氧基官能团,和/或能够与形成体50中的丙烯酸类基团共聚的官能团组成。因此,X官能团对紫外光化能量作出响应,发生交联反应。
官能团X′还可参与底涂层45的交联和聚合反应。通常,X′官能团对一种光化能量(该能量不同于使X官能团交联反应所响应的光化能量)作出响应,促进聚合和交联反应。本实例中的X′官能团对于所受到的热能作出响应,促进底涂层45中的分子交联。通常,对官能团X′进行选择,以通过以下三种机理促进与基片42的交联反应:1)直接与用来形成基片42的材料反应;2)与具有与基片42反应的交联剂的连接官能团的交联剂分子反应;3)底涂层45聚合和交联,因此可以形 成足够长度的分子链,连接在形成体50和基片42之间。
参见图7和图8,可用来在由主体材料形成的形成体50的存在下形成底涂层45的示例性多官能活性化合物包括丙烯酸-β-羧乙基酯,其可购自美国佐治亚州士麦那(Smyrna)的UCB化学品公司(UCB Chemicals),产品名为β-CEA。β-CEA是具有以下结构的脂族化合物:
X′官能团70提供了羧基官能团。X官能团72提供了丙烯酸酯官能团。官能团70和72与主链组分74的不同端相连。
参见图7和图9,另一种可用来在由主体材料形成的形成体50的存在下形成底涂层45的多官能活性化合物包括芳族双酚化合物,其可购自美国佐治亚州士麦那(Smyrna)的UCB化学品公司(UCB Chemicals),产品名为尔毕克瑞3605(Ebecryl 3605),其具有以下结构:
X′官能团76提供了环氧官能团。X官能团78提供了丙烯酸酯官能团。官能团76和78连接在主链组分80的不同端。
参见图7和图10,另一种可用来在由主体材料形成的形成体50的存在下形成底涂层45的多官能活性化合物包括芳族化合物,其可购自美国纽约州斯科内科塔迪(Schenectady)的斯科内科塔迪国际有限公司(Schenectady InternationalInc.),其产品名为埃索拉德501(Isorad 501),具有以下结构:
式中x和y是表示无规分布的重复单元的整数。X′官能团82提供羧酸官能度。X官能团84提供丙烯酸酯官能度。官能团82和84与主链组分86的不同端连接。
参见图7和图11,除了与形成体50发生交联反应以外,官能团X可产生自由基,所述自由基可以在用来形成形成体50的组合物固化期间,促进其聚合。因此,所述官能团X将会在形成体50受到光化能量(例如宽带紫外能)辐照的时候促进其聚合。包括这些性质的一个示例性的多官能活性化合物是购自美国纽约州特瑞镇(Tarrytown)的希巴特殊化学品公司(Ciba Specialty Chemicals)的光引发剂,其商品名为伊加科尔2959(Igacure 2959),具有以下结构:
X′官能团90提供了羟基官能度。X官能团92提供了引发剂类的官能度。具体来说,对受到宽带紫外能辐照作出响应,官能团X发生α-裂解,产生苯甲酰类自由基。所述自由基促进用来形成形成体50的组合物的自由基聚合。官能团90和92与主链组分94的不同端连接。
形成了几种组合物,其包括一些上述的多官能活性化合物,以确定界面66和68的粘合强度。下面是包含多官能活性化合物的示例性组合物:
组合物1
β-CEA
DUV30J-16
其中在组合物1中DUV30J-16约有100克,β-CEA约有0.219克。DUV30J-16是底部减反射涂层,BARC,购自美国密苏里州罗拉(Rolla)的布鲁尔科学公司(Brewer Science),其包含93%的溶剂以及7%的非溶剂活性组分。DUV30J-16包含酚醛树脂,其交联剂可与羧酸官能团反应。认为DUV30J-16不会与形成体50形成共价键。在另一个组合物中,β-CEA用交联剂、催化剂和埃索拉德501代替。交联剂和催化剂均购自美国新泽西州,西帕特森(West Patterson)的西特克工业有限公司(Cytec Industries,Inc.)。所述交联剂的产品名为赛麦尔303ULF(Cymel303ULF)。赛麦尔303ULF的一种主要组分是六甲氧基甲基-三聚氰胺(HMMM)。所述HMMM的甲氧基官能团可以参与许多缩合反应。催化剂的产品名为赛凯特4040(Cycat 4040),提供以下组合物:
组合物2
DUV30J-16
埃索拉德501
赛麦尔303ULF
赛凯特4040
组合物2中约有100克DUV30J-16,组合物2中有0.611克埃索拉德501,0.175克赛麦尔303ULF和0.008克赛凯特4040。
另一种可用作多官能活性化合物的组合物省去了DUV30J-16。该组合物如下:
组合物3
埃索拉德501
赛麦尔303ULF
赛凯特(Cycat)
PM乙酸酯(PM Acetate)
组合物3包含约77克埃索拉德501,22克赛麦尔303ULF和1克赛凯特4040。将埃索拉德501,赛麦尔303ULF和赛凯特混合。然后将埃索拉德501,赛麦尔303ULF和赛凯特的混合物加入约1900克PM乙酸酯。PM乙酸酯是由乙酸-2-(1-甲氧基)丙酯组成的溶剂的产品名,其购自美国田纳西州,金斯波特(Kingsport)的伊斯特曼化学品公司(Eastman Chemical Company)。
第四种组合物与组合物3相同,其不同之处在于,构成组分的含量。例如,组合物4包含约85.2克埃索拉德501,13.8克赛麦尔303ULF和1克赛凯特4040。将埃索拉德501,赛麦尔303ULF和赛凯特混合起来。然后将埃索拉德501,赛麦尔303ULF和赛凯特的混合物加入约1900克PM乙酸酯中。
第五种组合物与组合物3相同,不同之处在于构成组分的含量。例如,组合物5包含约81克埃索拉德501,18克赛麦尔303ULF和1克赛凯特4040。将埃索拉德501,赛麦尔303ULF和赛凯特混合起来。然后将埃索拉德501,赛麦尔303ULF和赛凯特的混合物加入约1900克PM乙酸酯中。
使用旋涂技术,将上面关于底涂层45讨论的五种组合物、组合物1-5各自沉积在基片42上,沉积时基片以500-4000转/分的速率旋转,以形成具有均匀厚度的基本平滑的(如果不是平面的)层。然后以180℃(摄氏度)的热光化能量对该组合物辐照约2分钟。
上述的五种组合物,组合物1-5,与压印材料一起使用,用来产生界面66和68的粘合力强度的比较数据,用来与完全由DUV30J-16形成的底涂层45上测得的基线相比较,人们不知道后者会与由压印材料形成的形成体50形成共价键。因此,将由主体压印材料形成的形成体50,以及由组合物1-5和基线组合物形成的底涂层45沉积在两片载玻片(未显示)之间,然后固化。各载玻片(未显示)的厚度约为1毫米,横向尺寸为75×25毫米。
在沉积底涂层45和形成体50之前,对载玻片(未显示)进行清洁。具体来说,使各载玻片(未显示)与皮然哈(Piranha)溶液(H2SO4∶H2O2(体积比)=2.5∶1)接触。然后用去离子水淋洗载玻片(未显示),喷洒异丙醇,然后接触流体流(例如氮气流)进行干燥。然后载玻片(未显示)在120℃下烘烤2小时。
使用旋涂技术将底涂层45沉积在两片载玻片的各片(未显示)上,转速高达3000rpm。在载玻片(未显示)上的底涂层45在180℃电热板上加热2分钟。换而言之,组合物1-5,以及基线组合物各自通过受到热能的作用而固化,即聚合并交联。使用上述液滴分配技术得到形成体。具体来说,主体压印材料以许多液滴的形式设置在两片载玻片中之一的底涂层45上。然后通过将两片载玻片(未显示)上的底涂层相互面对,接触主体压印材料,将主体压印材料夹在两底涂层45之间。通常所述两片载玻片(未显示)中一片的纵轴沿着与剩下的载玻片(未显示)的纵轴正交的方向延伸。使用中压紫外汞灯对这两片载玻片辐照强度为20毫瓦/厘米2的光化能(例如宽带紫外波长)40秒,使得主体压印材料固化,即聚合并交联。
为了测量粘合的强度,使用四点弯曲夹具(未显示)进行粘合测试该测量方法类似于以下文献的描述″Measurement of Adhesive Force Between Mold andPhotocurable Resin in Imprint Technology″,Japanese Journal of Applied Physics,第41卷,(2002),第4194-4197页。取最大作用力/负荷作为粘合数值。上下两点的横梁(beam)距离为60毫米。以0.5毫米/分钟的速率施加负荷。使用该测试测得,当底涂层45由基线组合物形成的时候,在6.1磅的作用力下发生分层。当底涂层45由组合物1形成的时候,在出现分层之前达到的分离作用力约为6.5磅。当底涂层45由组合物2形成的时候,在出现分层之前达到的分离作用力约为9.1磅。当底涂层45由组合物3,4或5形成的时候,在出现分层之前,两片载玻片(未显示)中的一片或两片便已损坏(破损)。因此,测得作用力高达11磅而未观察到分层。因此,观察到组合物3,4和5向底涂层45提供了优良操作特性,因为当薄层60具 有人们所不希望有的薄区域或完全不存在的时候,该底涂层45能够有效地防止分层。
上文所述的本发明的实施方式是示例性的。可以在保持在本发明范围内的同时,进行许多改变和改进。例如,主要使用溶剂PM乙酸酯溶解组合物3,4和5的其它构成组分。因此,可将许多常用的光刻胶溶剂用于代替PM乙酸酯,例如二甘醇单乙基醚乙酸酯,甲基戊基酮等。另外,组合物3、4和5中的固体含量(以组合物重量为基准计),即埃索拉德501,赛麦尔303ULF和赛凯特的含量可为0.1-70重量%,更优选为0.5-10重量%,余量由溶剂组成。所述组合物3、4和5各自的固体组分可包含50-99重量%的埃索拉德501,1-50重量%的赛麦尔303ULF,以及0-10重量%的赛凯特4040。因此本发明的范围不应受以上描述的限制,而应当根据所附权利要求书及其全部等价范围来决定。
Claims (20)
1.一种将一层粘合到压印光刻基片上的方法,所述方法包括:
通过在所述层和所述压印光刻基片之间存在一种组合物而限定第一界面和第二界面,所述第一界面限定在所述层和所述组合物之间,所述第二界面限定在所述压印光刻基片和所述组合物之间,所述第一界面包括共价键,所述第二界面包括将所述组合物粘合于所述压印光刻基片的机理,
其中,所述组合物包含:多官能活性化合物,该化合物包含第一和第二官能团;所述第一官能团对第一光化能量敏感,形成交联分子,使所述交联分子的子集与所述层相连以形成所述第一界面,并且所述第二官能团对第二光化能量敏感,所述第二光化能量不同于所述第一光化能量以形成所述第二界面。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述机理选自包括共价键、离子键和范德华力的一组机理。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二界面通过使所述组合物热固化而形成。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述限定第一和第二界面的操作还包括:固化所述组合物,限定固化的组合物,在所述固化的组合物上形成所述的层。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多官能活性化合物的第一官能团与所述层反应,形成所述共价键,所述第二官能团与所述压印光刻基片反应。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述组合物还包含交联剂,其中,所述多官能活性化合物的第一官能团与所述层反应,形成所述共价键,所述第二官能团与所述压印光刻基片和所述交联剂中的一种反应。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多官能活性化合物还包含主链基团,并且所述主链基团包括芳族结构。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一官能团由能够与所述层反应形成所述共价键的丙烯酸酯官能团组成。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述多官能活性化合物还包含主链基团,并且所述主链基团选自由脂族基团和芳族基团组成的一组基团。
10.用来将第一材料和第二材料在压印光刻工序中粘合起来的组合物,该组合物包含:
多官能活性化合物,该化合物包含主链基团以及第一和第二官能团;
催化剂,以及
交联剂,所述第一官能团对第一光化能量敏感,形成交联分子,使所述交联分子的子集与所述第一材料在压印光刻工序中相连,所述第二官能团对第二光化能量敏感,与所述第二材料在压印光刻工序中相结合,所述第二光化能量不同于所述第一光化能量。
11.如权利要求10所述的组合物,其特征在于,所述第一光化能量包括热能。
12.如权利要求10所述的组合物,其特征在于,所述第二光化能包括宽带紫外能。
14.如权利要求10所述的组合物,其特征在于,所述多官能活性化合物具有以下结构:
式中R′,R″和R″′是连接基团,x,y,z是平均重复数。
15.如权利要求14所述的组合物,其特征在于,所述连接基团R′,R″和R″′无规分布在整个所述组合物中。
16.如权利要求10所述的组合物,其特征在于,所述第一官能团通过选自由以下组成的一组机理的粘合机理与所述第一材料结合:共价键、离子键、范德华力。
17.如权利要求10所述的组合物,其特征在于,所述交联剂包括连接官能团,所述第一官能团通过所述交联剂官能团的连接而与所述第一材料相连。
18.如权利要求10所述的组合物,其特征在于,所述第二官能团通过与所述第二材料形成共价键而与之相连。
19.如权利要求10所述的组合物,其特征在于,所述第一官能团选自由以下组成的一组官能团:羧酸基团、环氧基团、羟基和烷氧基基团。
20.如权利要求10所述的组合物,其特征在于,所述第二官能团选自由丙烯酸类基团和乙烯基醚基团组成的一组官能团。
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Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050160934A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Molecular Imprints, Inc. | Materials and methods for imprint lithography |
US7307118B2 (en) * | 2004-11-24 | 2007-12-11 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
US20060108710A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
US7906180B2 (en) * | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
US20060062922A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Molecular Imprints, Inc. | Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor |
US7759407B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-07-20 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for adhering materials together |
US8808808B2 (en) * | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
US8557351B2 (en) * | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
US8846195B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-09-30 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Ultra-thin polymeric adhesion layer |
US8142703B2 (en) * | 2005-10-05 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography method |
US20080110557A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | Molecular Imprints, Inc. | Methods and Compositions for Providing Preferential Adhesion and Release of Adjacent Surfaces |
US9323143B2 (en) * | 2008-02-05 | 2016-04-26 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Controlling template surface composition in nano-imprint lithography |
US8415010B2 (en) * | 2008-10-20 | 2013-04-09 | Molecular Imprints, Inc. | Nano-imprint lithography stack with enhanced adhesion between silicon-containing and non-silicon containing layers |
US8361546B2 (en) * | 2008-10-30 | 2013-01-29 | Molecular Imprints, Inc. | Facilitating adhesion between substrate and patterned layer |
US20100109195A1 (en) | 2008-11-05 | 2010-05-06 | Molecular Imprints, Inc. | Release agent partition control in imprint lithography |
CN102438841A (zh) * | 2009-03-23 | 2012-05-02 | 因特瓦克公司 | 用于图案化介质中的岛与沟槽的比值优化的工艺 |
CN102648438A (zh) * | 2009-08-26 | 2012-08-22 | 分子制模股份有限公司 | 功能性纳米微粒 |
WO2011066450A2 (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-03 | Molecular Imprints, Inc. | Adhesion layers in nanoimprint lithography |
JP2013517943A (ja) | 2010-01-29 | 2013-05-20 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | ナノ粒子を形成するためのナノインプリントリソグラフィプロセス |
JP5218521B2 (ja) | 2010-10-21 | 2013-06-26 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤 |
JP2014505018A (ja) | 2010-11-05 | 2014-02-27 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 二重剥離層を用いる機能性ナノ粒子のナノインプリントリソグラフィ形成 |
CN107075661B (zh) * | 2014-09-26 | 2020-03-17 | 韩国机械研究院 | 形成有多个纳米间隙的基底及其制备方法 |
US9873180B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
US20170066208A1 (en) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10829644B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10754244B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10620539B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10883006B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10134588B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10509313B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10317793B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography |
JPWO2020059603A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2021-09-16 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用積層体、インプリント用積層体の製造方法、パターン形成方法およびキット |
US10780682B2 (en) | 2018-12-20 | 2020-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid adhesion composition, multi-layer structure and method of making said structure |
US11753497B2 (en) | 2021-04-29 | 2023-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photocurable composition |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6667082B2 (en) * | 1997-01-21 | 2003-12-23 | Cryovac, Inc. | Additive transfer film suitable for cook-in end use |
Family Cites Families (207)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3810874A (en) * | 1969-03-10 | 1974-05-14 | Minnesota Mining & Mfg | Polymers prepared from poly(perfluoro-alkylene oxide) compounds |
US3919351A (en) | 1973-08-29 | 1975-11-11 | Ppg Industries Inc | Composition useful in making extensible films |
US4251277A (en) * | 1978-04-24 | 1981-02-17 | Sws Silicones Corporation | Compositions containing thiofunctional polysiloxanes |
JPS573875A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-09 | Tamura Kaken Kk | Photopolymerizable ink composition |
US4617238A (en) | 1982-04-01 | 1986-10-14 | General Electric Company | Vinyloxy-functional organopolysiloxane compositions |
US4544572A (en) | 1982-09-07 | 1985-10-01 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Coated ophthalmic lenses and method for coating the same |
US4514439A (en) * | 1983-09-16 | 1985-04-30 | Rohm And Haas Company | Dust cover |
US4512848A (en) * | 1984-02-06 | 1985-04-23 | Exxon Research And Engineering Co. | Procedure for fabrication of microstructures over large areas using physical replication |
US4517337A (en) * | 1984-02-24 | 1985-05-14 | General Electric Company | Room temperature vulcanizable organopolysiloxane compositions and method for making |
US4552833A (en) | 1984-05-14 | 1985-11-12 | International Business Machines Corporation | Radiation sensitive and oxygen plasma developable resist |
US4614667A (en) | 1984-05-21 | 1986-09-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Composite low surface energy liner of perfluoropolyether |
DE3583707D1 (de) | 1984-06-26 | 1991-09-12 | Asahi Glass Co Ltd | Durchsichtiger schwer schmutzender gegenstand mit niedriger reflexion. |
JPS61116358A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
EP0255303B1 (en) * | 1986-07-25 | 1989-10-11 | Oki Electric Industry Company, Limited | Negative resist material, method for its manufacture and method for using it |
FR2604553A1 (fr) | 1986-09-29 | 1988-04-01 | Rhone Poulenc Chimie | Substrat polymere rigide pour disque optique et les disques optiques obtenus a partir dudit substrat |
US4931351A (en) * | 1987-01-12 | 1990-06-05 | Eastman Kodak Company | Bilayer lithographic process |
US4731155A (en) * | 1987-04-15 | 1988-03-15 | General Electric Company | Process for forming a lithographic mask |
US4808511A (en) * | 1987-05-19 | 1989-02-28 | International Business Machines Corporation | Vapor phase photoresist silylation process |
JPH01163027A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子の成形方法およびその装置 |
US5028366A (en) | 1988-01-12 | 1991-07-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Water based mold release compositions for making molded polyurethane foam |
US5108875A (en) * | 1988-07-29 | 1992-04-28 | Shipley Company Inc. | Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material |
US5439766A (en) | 1988-12-30 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Composition for photo imaging |
US5169494A (en) | 1989-03-27 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fine pattern forming method |
JP3001607B2 (ja) | 1989-04-24 | 2000-01-24 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 二層法における寸法安定な構造転写方法 |
US5028511A (en) | 1989-05-30 | 1991-07-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for preparing a precolored image using photosensitive reproduction element containing a photorelease layer |
US5139925A (en) * | 1989-10-18 | 1992-08-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Surface barrier silylation of novolak film without photoactive additive patterned with 193 nm excimer laser |
US5204381A (en) * | 1990-02-13 | 1993-04-20 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Hybrid sol-gel optical materials |
US5149592A (en) | 1990-05-09 | 1992-09-22 | Avery Dennison Corporation | Ultraviolet radiation curable clearcoat |
JP2586692B2 (ja) | 1990-05-24 | 1997-03-05 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
JP2524436B2 (ja) | 1990-09-18 | 1996-08-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 表面処理方法 |
US6174931B1 (en) * | 1991-02-28 | 2001-01-16 | 3M Innovative Properties Company | Multi-stage irradiation process for production of acrylic based compositions and compositions made thereby |
DE69217574T2 (de) * | 1991-05-17 | 1997-06-12 | Asahi Glass Co Ltd | Oberflächenbehandeltes Substrat |
US5206983A (en) * | 1991-06-24 | 1993-05-04 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method of manufacturing micromechanical devices |
US5242711A (en) | 1991-08-16 | 1993-09-07 | Rockwell International Corp. | Nucleation control of diamond films by microlithographic patterning |
US5458953A (en) | 1991-09-12 | 1995-10-17 | Mannington Mills, Inc. | Resilient floor covering and method of making same |
DE4228853C2 (de) | 1991-09-18 | 1993-10-21 | Schott Glaswerke | Optischer Wellenleiter mit einem planaren oder nur geringfügig gewölbten Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung eines solchen |
JPH0580530A (ja) | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
US5331020A (en) | 1991-11-14 | 1994-07-19 | Dow Corning Limited | Organosilicon compounds and compositions containing them |
US5545367A (en) | 1992-04-15 | 1996-08-13 | Soane Technologies, Inc. | Rapid prototype three dimensional stereolithography |
FR2693727B1 (fr) * | 1992-07-20 | 1994-08-19 | Ceramiques Tech Soc D | Polycondensat organo-minéral et procédé d'obtention. |
US5298556A (en) * | 1992-07-21 | 1994-03-29 | Tse Industries, Inc. | Mold release composition and method coating a mold core |
US5601641A (en) * | 1992-07-21 | 1997-02-11 | Tse Industries, Inc. | Mold release composition with polybutadiene and method of coating a mold core |
US5432700A (en) | 1992-12-21 | 1995-07-11 | Ford Motor Company | Adaptive active vehicle suspension system |
DE69405451T2 (de) * | 1993-03-16 | 1998-03-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines strukturierten Reliefbildes aus vernetztem Photoresist auf einer flachen Substratoberfläche |
US5482768A (en) * | 1993-05-14 | 1996-01-09 | Asahi Glass Company Ltd. | Surface-treated substrate and process for its production |
US5861467A (en) * | 1993-05-18 | 1999-01-19 | Dow Corning Corporation | Radiation curable siloxane compositions containing vinyl ether functionality and methods for their preparation |
US5594042A (en) * | 1993-05-18 | 1997-01-14 | Dow Corning Corporation | Radiation curable compositions containing vinyl ether functional polyorganosiloxanes |
US5380474A (en) * | 1993-05-20 | 1995-01-10 | Sandia Corporation | Methods for patterned deposition on a substrate |
US5389696A (en) * | 1993-09-17 | 1995-02-14 | Miles Inc. | Process for the production of molded products using internal mold release agents |
US5776748A (en) | 1993-10-04 | 1998-07-07 | President And Fellows Of Harvard College | Method of formation of microstamped patterns on plates for adhesion of cells and other biological materials, devices and uses therefor |
US5512131A (en) * | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
US6776094B1 (en) | 1993-10-04 | 2004-08-17 | President & Fellows Of Harvard College | Kit For Microcontact Printing |
US5462700A (en) | 1993-11-08 | 1995-10-31 | Alliedsignal Inc. | Process for making an array of tapered photopolymerized waveguides |
US5417802A (en) * | 1994-03-18 | 1995-05-23 | At&T Corp. | Integrated circuit manufacturing |
US5837314A (en) | 1994-06-10 | 1998-11-17 | Johnson & Johnson Vision Products, Inc. | Method and apparatus for applying a surfactant to mold surfaces |
US5542978A (en) | 1994-06-10 | 1996-08-06 | Johnson & Johnson Vision Products, Inc. | Apparatus for applying a surfactant to mold surfaces |
US5578683A (en) | 1994-06-27 | 1996-11-26 | Avery Dennison Corporation | Crosslinkable graft pressure-sensitive adhesives |
US5523878A (en) * | 1994-06-30 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Self-assembled monolayer coating for micro-mechanical devices |
US5459198A (en) | 1994-07-29 | 1995-10-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Fluoroinfused composites, articles of manufacture formed therefrom, and processes for the preparation thereof |
JP3278306B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2002-04-30 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US5868966A (en) * | 1995-03-30 | 1999-02-09 | Drexel University | Electroactive inorganic organic hybrid materials |
US5849209A (en) | 1995-03-31 | 1998-12-15 | Johnson & Johnson Vision Products, Inc. | Mold material made with additives |
US5820769A (en) | 1995-05-24 | 1998-10-13 | Regents Of The University Of Minnesota | Method for making magnetic storage having discrete elements with quantized magnetic moments |
WO1997007429A1 (en) * | 1995-08-18 | 1997-02-27 | President And Fellows Of Harvard College | Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces |
US5849222A (en) | 1995-09-29 | 1998-12-15 | Johnson & Johnson Vision Products, Inc. | Method for reducing lens hole defects in production of contact lens blanks |
US6468642B1 (en) | 1995-10-03 | 2002-10-22 | N.V. Bekaert S.A. | Fluorine-doped diamond-like coatings |
US6518189B1 (en) * | 1995-11-15 | 2003-02-11 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for high density nanostructures |
US7758794B2 (en) | 2001-10-29 | 2010-07-20 | Princeton University | Method of making an article comprising nanoscale patterns with reduced edge roughness |
US20040036201A1 (en) * | 2000-07-18 | 2004-02-26 | Princeton University | Methods and apparatus of field-induced pressure imprint lithography |
US20040137734A1 (en) | 1995-11-15 | 2004-07-15 | Princeton University | Compositions and processes for nanoimprinting |
US5772905A (en) | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US6482742B1 (en) | 2000-07-18 | 2002-11-19 | Stephen Y. Chou | Fluid pressure imprint lithography |
US6309580B1 (en) | 1995-11-15 | 2001-10-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography |
US5684066A (en) * | 1995-12-04 | 1997-11-04 | H.B. Fuller Licensing & Financing, Inc. | Protective coatings having enhanced properties |
US5942302A (en) * | 1996-02-23 | 1999-08-24 | Imation Corp. | Polymer layer for optical media |
US5725788A (en) * | 1996-03-04 | 1998-03-10 | Motorola | Apparatus and method for patterning a surface |
US5669303A (en) | 1996-03-04 | 1997-09-23 | Motorola | Apparatus and method for stamping a surface |
US6355198B1 (en) * | 1996-03-15 | 2002-03-12 | President And Fellows Of Harvard College | Method of forming articles including waveguides via capillary micromolding and microtransfer molding |
CN1214708A (zh) * | 1996-03-27 | 1999-04-21 | 诺瓦提斯公司 | 使用成孔材料制造多孔聚合物的方法 |
WO1997035906A1 (en) | 1996-03-27 | 1997-10-02 | Novartis Ag | High water content porous polymer |
WO1997036210A1 (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Perfluoroether release coatings for organic photoreceptors |
CA2248162A1 (en) * | 1996-04-04 | 1997-10-02 | Novartis Ag | Process for manufacture of a porous polymer from a mixture |
JP3715021B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2005-11-09 | Jsr株式会社 | 液状硬化性樹脂組成物 |
US5888650A (en) * | 1996-06-03 | 1999-03-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Temperature-responsive adhesive article |
US6204343B1 (en) * | 1996-12-11 | 2001-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Room temperature curable resin |
US5895263A (en) * | 1996-12-19 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Process for manufacture of integrated circuit device |
US5792821A (en) | 1997-01-06 | 1998-08-11 | American Dental Association Health Foundation | Polymerizable cyclodextrin derivatives |
US6156389A (en) | 1997-02-03 | 2000-12-05 | Cytonix Corporation | Hydrophobic coating compositions, articles coated with said compositions, and processes for manufacturing same |
US6495624B1 (en) | 1997-02-03 | 2002-12-17 | Cytonix Corporation | Hydrophobic coating compositions, articles coated with said compositions, and processes for manufacturing same |
US6335149B1 (en) * | 1997-04-08 | 2002-01-01 | Corning Incorporated | High performance acrylate materials for optical interconnects |
US5948470A (en) | 1997-04-28 | 1999-09-07 | Harrison; Christopher | Method of nanoscale patterning and products made thereby |
US6174932B1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-01-16 | Denovus Llc | Curable sealant composition |
US6132632A (en) | 1997-09-11 | 2000-10-17 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for achieving etch rate uniformity in a reactive ion etcher |
US6475704B1 (en) | 1997-09-12 | 2002-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming fine structure |
US6117708A (en) | 1998-02-05 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Use of residual organic compounds to facilitate gate break on a carrier substrate for a semiconductor device |
US6114404A (en) | 1998-03-23 | 2000-09-05 | Corning Incorporated | Radiation curable ink compositions and flat panel color filters made using same |
IL133421A0 (en) * | 1998-04-15 | 2001-04-30 | Etec Systems Inc | Photoresist developer and method of development |
JP3780700B2 (ja) | 1998-05-26 | 2006-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法、パターン形成装置、パターン形成用版、パターン形成用版の製造方法、カラーフィルタの製造方法、導電膜の製造方法及び液晶パネルの製造方法 |
DE19828969A1 (de) | 1998-06-29 | 1999-12-30 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
KR100273172B1 (ko) | 1998-08-01 | 2001-03-02 | 윤덕용 | 아크릴 측쇄에 디옥사스피로환기 유도체를 갖는 화합물을 이용한 포토레지스트 |
US6523803B1 (en) | 1998-09-03 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Mold apparatus used during semiconductor device fabrication |
TWI230712B (en) * | 1998-09-15 | 2005-04-11 | Novartis Ag | Polymers |
US6713238B1 (en) | 1998-10-09 | 2004-03-30 | Stephen Y. Chou | Microscale patterning and articles formed thereby |
US6261469B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-07-17 | Honeywell International Inc. | Three dimensionally periodic structural assemblies on nanometer and longer scales |
US6218316B1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Planarization of non-planar surfaces in device fabrication |
US6238798B1 (en) | 1999-02-22 | 2001-05-29 | 3M Innovative Properties Company | Ceramer composition and composite comprising free radically curable fluorochemical component |
US6334960B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
US6342097B1 (en) * | 1999-04-23 | 2002-01-29 | Sdc Coatings, Inc. | Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate with a matched refractive index and controlled tintability |
DE60001457T2 (de) * | 1999-06-11 | 2003-09-11 | Bausch & Lomb | Linsenformwerkzeuge mit schutzschicht zur herstellung von kontaktlinsen und intraokularlinsen |
US6344105B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-02-05 | Lam Research Corporation | Techniques for improving etch rate uniformity |
US6190929B1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor devices and methods of forming field emission displays |
US6723396B1 (en) | 1999-08-17 | 2004-04-20 | Western Washington University | Liquid crystal imprinting |
WO2001018305A1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-03-15 | Nano-Tex, Llc | Water-repellent and soil-resistant finish for textiles |
US6517995B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
ATE294648T1 (de) * | 1999-12-23 | 2005-05-15 | Univ Massachusetts | Verfahren zur herstellung von submikron mustern auf filmen |
US6696157B1 (en) * | 2000-03-05 | 2004-02-24 | 3M Innovative Properties Company | Diamond-like glass thin films |
KR20010098809A (ko) | 2000-04-25 | 2001-11-08 | 마쯔모또 에이찌 | El 표시 소자의 격벽 형성용 감방사선성 수지 조성물,격벽 및 el 표시 소자 |
US6774183B1 (en) | 2000-04-27 | 2004-08-10 | Bostik, Inc. | Copolyesters having improved retained adhesion |
US6262464B1 (en) | 2000-06-19 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Encapsulated MEMS brand-pass filter for integrated circuits |
JP4740518B2 (ja) | 2000-07-17 | 2011-08-03 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム |
US20050037143A1 (en) * | 2000-07-18 | 2005-02-17 | Chou Stephen Y. | Imprint lithography with improved monitoring and control and apparatus therefor |
US7635262B2 (en) | 2000-07-18 | 2009-12-22 | Princeton University | Lithographic apparatus for fluid pressure imprint lithography |
US7211214B2 (en) * | 2000-07-18 | 2007-05-01 | Princeton University | Laser assisted direct imprint lithography |
US6531407B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Method, structure and process flow to reduce line-line capacitance with low-K material |
US6448301B1 (en) | 2000-09-08 | 2002-09-10 | 3M Innovative Properties Company | Crosslinkable polymeric compositions and use thereof |
AU2001297642A1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-09-04 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
US6503914B1 (en) * | 2000-10-23 | 2003-01-07 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Thienopyrimidine-based inhibitors of the Src family |
KR20020047490A (ko) | 2000-12-13 | 2002-06-22 | 윤종용 | 실리콘을 함유하는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는레지스트 조성물 |
US6783719B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-08-31 | Korry Electronics, Co. | Mold with metal oxide surface compatible with ionic release agents |
KR100970661B1 (ko) | 2001-02-27 | 2010-07-15 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 신규 폴리머, 폴리머 합성 방법 및 포토레지스트 조성물 |
US20020123592A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-05 | Zenastra Photonics Inc. | Organic-inorganic hybrids surface adhesion promoter |
US6387787B1 (en) | 2001-03-02 | 2002-05-14 | Motorola, Inc. | Lithographic template and method of formation and use |
US6664026B2 (en) | 2001-03-22 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing high aspect ratio photolithographic features |
KR100442859B1 (ko) | 2001-04-04 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 실리콘을 함유하는 알킬 비닐 에테르의 중합체로이루어지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트조성물 |
US7011932B2 (en) * | 2001-05-01 | 2006-03-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polymer waveguide fabrication process |
US6737489B2 (en) * | 2001-05-21 | 2004-05-18 | 3M Innovative Properties Company | Polymers containing perfluorovinyl ethers and applications for such polymers |
US6541356B2 (en) * | 2001-05-21 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Ultimate SIMOX |
US6736857B2 (en) | 2001-05-25 | 2004-05-18 | 3M Innovative Properties Company | Method for imparting soil and stain resistance to carpet |
US7141188B2 (en) | 2001-05-30 | 2006-11-28 | Honeywell International Inc. | Organic compositions |
US6610458B2 (en) | 2001-07-23 | 2003-08-26 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Method and system for direct-to-press imaging |
EP1417474B1 (en) | 2001-07-25 | 2021-12-29 | The Trustees Of Princeton University | Nanochannel arrays and their preparation and use for high throughput macromolecular analysis |
US20030054115A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Ralph Albano | Ultraviolet curing process for porous low-K materials |
US6721529B2 (en) * | 2001-09-21 | 2004-04-13 | Nexpress Solutions Llc | Release agent donor member having fluorocarbon thermoplastic random copolymer overcoat |
WO2003035932A1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-05-01 | Minuta Technology Co., Ltd. | Method for forming a micro-pattern on a substrate by using capillary force |
US6790905B2 (en) | 2001-10-09 | 2004-09-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Highly repellent carpet protectants |
US20030080472A1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-01 | Chou Stephen Y. | Lithographic method with bonded release layer for molding small patterns |
US6716767B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-04-06 | Brewer Science, Inc. | Contact planarization materials that generate no volatile byproducts or residue during curing |
JP2005516406A (ja) | 2001-11-07 | 2005-06-02 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 平坦化マイクロエレクトロニクス基板 |
US6649272B2 (en) | 2001-11-08 | 2003-11-18 | 3M Innovative Properties Company | Coating composition comprising fluorochemical polyether silane polycondensate and use thereof |
US6605849B1 (en) | 2002-02-14 | 2003-08-12 | Symmetricom, Inc. | MEMS analog frequency divider |
TWI339680B (en) | 2002-02-19 | 2011-04-01 | Kanto Kagaku | Washing liquid composition for semiconductor substrate |
KR100949343B1 (ko) | 2002-02-19 | 2010-03-26 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 반사방지막 형성 조성물 |
US7455955B2 (en) | 2002-02-27 | 2008-11-25 | Brewer Science Inc. | Planarization method for multi-layer lithography processing |
EP1342736B1 (en) | 2002-02-28 | 2013-05-08 | Merck Patent GmbH | Prepolymer material, polymer material, imprinting process and their Use |
JP2004002702A (ja) | 2002-02-28 | 2004-01-08 | Merck Patent Gmbh | プレポリマー材料、ポリマー材料、インプリンティングプロセスおよびその使用 |
DE10217151A1 (de) | 2002-04-17 | 2003-10-30 | Clariant Gmbh | Nanoimprint-Resist |
US7037639B2 (en) * | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
US6849558B2 (en) * | 2002-05-22 | 2005-02-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Replication and transfer of microstructures and nanostructures |
US6720076B2 (en) * | 2002-05-31 | 2004-04-13 | Omnova Solutions Inc. | In-mold primer coating for thermoplastic substrates |
US20030235787A1 (en) | 2002-06-24 | 2003-12-25 | Watts Michael P.C. | Low viscosity high resolution patterning material |
US7179079B2 (en) * | 2002-07-08 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Conforming template for patterning liquids disposed on substrates |
US6900881B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US6932934B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
US6908861B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
AU2003256654A1 (en) | 2002-07-23 | 2004-02-09 | Pennzoil-Quaker State Company | Hydrophobic surface treatment composition and method of making and using same |
US7027156B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
US7070405B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
US6957608B1 (en) | 2002-08-02 | 2005-10-25 | Kovio, Inc. | Contact print methods |
US6936194B2 (en) | 2002-09-05 | 2005-08-30 | Molecular Imprints, Inc. | Functional patterning material for imprint lithography processes |
US20040065252A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Sreenivasan Sidlgata V. | Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards |
CN1726431A (zh) | 2002-10-21 | 2006-01-25 | 纳米墨水公司 | 纳米级设计结构、其制造方法及设备以及在掩模修复、增强和制造上的应用 |
US7750059B2 (en) | 2002-12-04 | 2010-07-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Polymer solution for nanoimprint lithography to reduce imprint temperature and pressure |
US7241823B2 (en) * | 2002-12-11 | 2007-07-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Radiation curing silicone rubber composition, adhesive silicone elastomer film formed from same, semiconductor device using same, and method of producing semiconductor device |
US20040112862A1 (en) | 2002-12-12 | 2004-06-17 | Molecular Imprints, Inc. | Planarization composition and method of patterning a substrate using the same |
US7365103B2 (en) | 2002-12-12 | 2008-04-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Compositions for dark-field polymerization and method of using the same for imprint lithography processes |
US7452574B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
US20040168613A1 (en) | 2003-02-27 | 2004-09-02 | Molecular Imprints, Inc. | Composition and method to form a release layer |
US6830819B2 (en) | 2003-03-18 | 2004-12-14 | Xerox Corporation | Fluorosilicone release agent for fluoroelastomer fuser members |
JP4651390B2 (ja) | 2003-03-27 | 2011-03-16 | コリア・インスティテュート・オブ・マシナリー・アンド・マテリアルズ | 多重浮彫要素スタンプを利用したuvナノインプリントリソグラフィ法 |
US20040202865A1 (en) | 2003-04-08 | 2004-10-14 | Andrew Homola | Release coating for stamper |
TWI228638B (en) | 2003-06-10 | 2005-03-01 | Ind Tech Res Inst | Method for and apparatus for bonding patterned imprint to a substrate by adhering means |
US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
US20060108710A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
US7307118B2 (en) | 2004-11-24 | 2007-12-11 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
US20050160934A1 (en) | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Molecular Imprints, Inc. | Materials and methods for imprint lithography |
JP2005014348A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版原版及び平版印刷方法 |
US20050084804A1 (en) * | 2003-10-16 | 2005-04-21 | Molecular Imprints, Inc. | Low surface energy templates |
US7122482B2 (en) * | 2003-10-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography |
US20050098534A1 (en) | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of conductive templates employing indium tin oxide |
EP1533657B1 (en) | 2003-11-21 | 2011-03-09 | Obducat AB | Multilayer nano imprint lithography |
US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
US7229732B2 (en) * | 2004-08-04 | 2007-06-12 | Xerox Corporation | Imaging members with crosslinked polycarbonate in charge transport layer |
JP4130668B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2008-08-06 | 富士通株式会社 | 基体の加工方法 |
SG119379A1 (en) * | 2004-08-06 | 2006-02-28 | Nippon Catalytic Chem Ind | Resin composition method of its composition and cured formulation |
US7309225B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-18 | Molecular Imprints, Inc. | Moat system for an imprint lithography template |
US7939131B2 (en) * | 2004-08-16 | 2011-05-10 | Molecular Imprints, Inc. | Method to provide a layer with uniform etch characteristics |
US20060062922A1 (en) | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Molecular Imprints, Inc. | Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor |
US20060081557A1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-20 | Molecular Imprints, Inc. | Low-k dielectric functional imprinting materials |
US20060145398A1 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Release layer comprising diamond-like carbon (DLC) or doped DLC with tunable composition for imprint lithography templates and contact masks |
US20070059211A1 (en) * | 2005-03-11 | 2007-03-15 | The College Of Wooster | TNT sensor containing molecularly imprinted sol gel-derived films |
US8808808B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
US7759407B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-07-20 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for adhering materials together |
US8557351B2 (en) * | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
US8846195B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-09-30 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Ultra-thin polymeric adhesion layer |
US20070042173A1 (en) * | 2005-08-22 | 2007-02-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Antireflection film, manufacturing method thereof, and polarizing plate using the same, and image display device |
-
2005
- 2005-07-22 US US11/187,406 patent/US7759407B2/en active Active
-
2006
- 2006-06-05 CN CN2006800266865A patent/CN101228013B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6667082B2 (en) * | 1997-01-21 | 2003-12-23 | Cryovac, Inc. | Additive transfer film suitable for cook-in end use |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070021520A1 (en) | 2007-01-25 |
US7759407B2 (en) | 2010-07-20 |
CN101228013A (zh) | 2008-07-23 |
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