CN101244535B - 抛光仓 - Google Patents

抛光仓 Download PDF

Info

Publication number
CN101244535B
CN101244535B CN2007101632992A CN200710163299A CN101244535B CN 101244535 B CN101244535 B CN 101244535B CN 2007101632992 A CN2007101632992 A CN 2007101632992A CN 200710163299 A CN200710163299 A CN 200710163299A CN 101244535 B CN101244535 B CN 101244535B
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
silicon wafer
polished silicon
platen
polished
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007101632992A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101244535A (zh
Inventor
本杰明·A·邦纳
彼得·麦克雷诺
格雷戈里·E·门克
格沛拉克里西那·B·普拉布
阿南德·N·莱尔
加伦·C·勒温
史蒂文·M·苏尼加
埃里克·S·朗登
亨利·H·奥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN101244535A publication Critical patent/CN101244535A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101244535B publication Critical patent/CN101244535B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • B24B21/06Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces involving members with limited contact area pressing the belt against the work, e.g. shoes sweeping across the whole area to be ground
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • B24B21/12Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces involving a contact wheel or roller pressing the belt against the work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/12Lapping plates for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B24D11/001Manufacture of flexible abrasive materials

Abstract

本发明提供一种抛光物,包括:抛光层片;和所述抛光片中的固体透光窗口,所述固体透光窗口具有主轴和与所述主轴平行延伸的非线性边缘,其中所述非线性边缘包括与所述主轴垂直的多个凸起,该多个平行的凸起和抛光材料的多个凸起互相交错。

Description

抛光仓
本申请是于2007年2月15日提出的中国发明专利申请200710085240.6的分案申请。
相关申请
本申请要求在2006年2月15日申请的申请号为60/773,950的美国临时申请的权益,由此通过参考的方式援引该临时申请的全部内容。
技术领域
本发明涉及半导体器件制造领域。
背景技术
本发明涉及用于化学机械抛光衬底的装置和方法。
通常通过在硅晶圆上顺序沉积导体层、半导体层或者绝缘层形成集成电路。制造步骤包括在构图的停止层上沉积填料层,并对该填料层进行平坦化处理直到暴露停止层为止。例如,可以通过导体层填充绝缘层中的凹槽或者孔。然后抛光该填料层直到保留绝缘层的突起图案。在平坦化以后,在绝缘层突起图案之间保留的导电层部分形成在衬底上的薄膜电路之间提供导电路径的通孔、接点和连线。
化学机械抛光(CMP)是一种可接受的平坦化方法。该平坦化方法通常需要将衬底固定在载体或者研磨头上。该衬底的暴露面靠在旋转研磨垫上。该研磨垫可以是标准研磨垫也可以是固定研磨剂垫。标准垫具有耐用的粗糙表面,而固定研磨剂垫具有保持在容纳媒介中的研磨剂颗粒。承载头对衬底施加可控负载从而使衬底紧靠研磨垫。对研磨垫的表面施加研磨溶液,例如再采用标准垫的情况该研磨浆体包括至少一种化学反应剂和研磨剂颗粒。
有效的CMP工艺不但可以提供较高的抛光速率,而且可以提供光滑(需要小尺寸粗糙度)以及平坦(需要大尺寸粗糙度)的衬底表面。其中抛光速率、光滑度和平坦度由垫和浆体混合物、衬底和垫之间的相对速度和将衬底压再垫上的压力决定。该抛光速率决定抛光层所需的时间,而抛光层所需的时间反过来决定CMP装置的最大产量。
发明内容
在一个方案中,描述一种抛光物。该抛光物包括:具有线性透明部分的线性抛光片,其中所述线性透明部分由在约2.5英寸的半径范围分布而不会破裂的弹性材料形成。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。所述抛光片的上表面与所述线性透明部分的上表面基本共平面。所述线性透明部分由聚亚安酯材料形成。所述材料在肖氏硬度D标尺上具有约60的硬度。所述材料具有约50密耳的厚度。所述线性抛光片的上表面由足够耐受金刚石涂层制具的制造的材料形成。所述线性抛光片的上表面由非固定研磨剂的抛光材料形成。所述线性抛光片包括顶层和底层。所述线性抛光片还包括在所述顶层和底层之间的粘结层。所述抛光片包括抛光层并且所述透明部分成型于所述抛光层。
在另一方案中,描述一种抛光仓。该抛光仓包括:两个辊,送料辊和卷取辊;以及线性抛光片,其中所述线性抛光片的第一端缠绕所述送料辊并且所述线性抛光片的第二端缠绕所述卷取辊。
在一个方案中,描述一种抛光装置。该抛光装置包括:可旋转压盘;驱动机构,用于以线性方向逐渐推进具有抛光表面的抛光片通过所述压盘;在所述压盘上的子垫,用于支撑所述抛光片,所述子垫具有形成于其中的凹槽;以及真空源,所述真空源与所述子垫的凹槽相连接并且配置用于提供足以将部分所述抛光片拉入所述子垫的凹槽中的真空,以在所述抛光表面形成凹槽。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。所述子垫包括多个凹槽。所述凹槽形成为同心圆形、同心椭圆形或螺旋形。所述凹槽形成为平行线或正交线。该抛光装置还包括所述抛光片。所述抛光片在抛光表面中具有多个凹槽。所述抛光片具有宽度和长度,其中所述长度大于所述宽度,并且形成在所述抛光片中的所述多个凹槽包括与所述抛光片的所述长度垂直延伸的凹槽。形成在所述抛光片中的所述多个凹槽包括与所述抛光片的所述长度平行延伸的凹槽。所述子垫比所述抛光片更可压缩。所述子垫可压缩。
在另一方案中,描述一种方法。该方法包括:在具有形成于其中的凹槽的子垫上支撑具有抛光表面的抛光片;以及提供足以将部分所述抛光片拉入所述子垫的凹槽中的真空,以在所述抛光表面形成凹槽。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。该方法可包括旋转支撑所述抛光片的压盘以旋转所述抛光片。该方法可包括使衬底与所述抛光片接触并对该衬底抛光。该方法可包括使所述抛光片与所述压盘脱离,并且以线性方法逐渐推进所述抛光片通过所述压盘的上表面。所述子垫包括多个凹槽。所述凹槽形成为同心圆形、同心椭圆形或螺旋形。
在一个方案中,描述了一种抛光系统。该抛光系统包括:抛光层;以及支撑该抛光层的子垫,所述子垫具有形成于其中的螺旋形凹槽。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。所述子垫由多层材料形成。所述子垫包括聚亚安酯材料的上层和泡沫材料的下层。所述上层具有在约60密耳到100密耳之间的厚度并且所述下层具有在约40密耳到60密耳之间的厚度。所述螺旋形凹槽具有在约35密耳到40密耳之间的深度。所述螺旋形凹槽完全延伸通过所述子垫的上层。所述螺旋形凹槽具有在约35密耳到40密耳之间的深度。所述子垫具有在约150密耳的厚度。所述螺旋形凹槽具有约50密耳的深度和约500密耳的宽度。所述子垫包括多个螺旋形凹槽,并且各螺旋形凹槽起点源自所述子垫的中心。所述子垫比所述抛光层更可压缩。
在另一方案中,描述一种抛光系统。该抛光系统包括:可旋转压盘;驱动机构,用于以线性方向逐渐推进抛光片通过所述压盘;以及在所述压盘上的子垫,用于支撑所述抛光片,所述子垫具有形成于其中的螺旋形凹槽。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。该抛光系统可包括旋转所述压盘的电机和控制所述电机的控制器,所述控制器配置用于使所述压盘以所述螺旋形凹槽的渐增半径的方向旋转。该抛光系统可包括旋转所述压盘的电机和控制所述电机的控制器,所述控制器配置用于使所述压盘以所述螺旋形凹槽的渐减半径的方向旋转。
在一个方案中,描述一种抛光系统。该抛光系统包括:抛光层,所述抛光层具有第一凹槽图案的抛光表面;以及支撑所述抛光层的子垫,所述子垫具有不同于所述第一凹槽图案的第二凹槽图案。
在另一方案中,描述一种抛光物。该抛光物包括:延长的抛光层;以及支撑所述抛光层的透明承载层,所述透明承载层具有延伸进所述抛光层中的孔以在所述抛光层中提供透明窗口的设计。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。所述承载层与所述透明窗口为一个整体。所述承载层与所述透明窗口由聚合物材料形成。所述延长的抛光层具有一长度和一宽,并且所述突起以与所述长度平行的方向延长。所述窗口基本上延伸所述抛光层的整个长度。所述抛光层和所述承载层是粘着在一起的或者焊接在一起的。所述透明窗的暴露出的表面与所述抛光层的暴露出的表面基本上共平面。所述突起的两侧接触所述抛光层的相邻侧。所述承载头横跨抛光层的宽度延伸。所述承载头和所述突起在所述承载层和所述突起之间不具有接缝。
在一个方案中,描述一种方法。该方法包括:在具有凸起的透明部分的承载层上形成抛光层,基保所述透明部分未被所述抛光层覆盖。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。所述形成具有凸起的透明部分的抛光层的步骤包括包括制模、冲模、浇铸、通过压带轮、刀刃或者机械研磨成型中一个或多个。所述在承载层上形成抛光层的步骤包括在所述抛光层的上表面肝胆凹槽。该方法可包括在抛光层上制造承载层之前干燥或者固化抛光层。
在另一方案中,描述一种方法。该方法包括:形成具有突出到抛光层的孔中的突起的透明部分的承载层,其中所述透明部分没有被抛光层覆盖。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。所述形成承载层的步骤包括制造包括承载部分和突起的透明部分的一体块,所述突起的透明部分在抛光层中提供透明窗,其中所述承载部分暴露在主表面上并且与主表面相对的表面被抛光层覆盖,以及透明窗暴露在与抛光层的表面基本上共平面的表面上以及与所述承载部分的主表面基本上共平面的表面上。制造所述块的步骤包括去除覆盖透明窗的抛光层材料。形成承载层的步骤包括制模、冲模、浇铸、通过压带轮、刀刃或者机械研磨成型中一个或多个。该方法可包括在抛光层上制造承载层之前干燥或者固化抛光层。
在一个方案中,描述一种方法。该方法包括:使非固体材料接触抛光材料片的非线性边缘;以及使得所述非固体材料凝固以形成接触抛光材料的非线性边缘的窗口。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。该方法可包括使所述非固体材料接触抛光材料的第二片的非线性第二边缘并且使所述非固体材料凝固形成接触所述抛光材料的第二片的第二非线性边缘的窗口。该方法可包括支撑所述第一片和第二片以在其间具有间隙并且在所述间隙内放置所述非固体材料。所述窗口基本上在抛光垫的整个长度上延伸。所述使非固体材料接触所述抛光材料片的边缘以及抛光材料的所述第二片的第二边缘的步骤包括在所述边缘和所述第二边缘之间注入液体前驱材料。所述凝固的液体前驱材料形成与所述抛光材料的突起交错的多个突起。所述窗口沿主轴延伸。所述非线性边缘包括与主轴垂直的多个突起。所述使非固体材料凝固以形成窗口,该窗口通过类楔形的接合与所述片相配合。所述窗口的暴露出的表面和所述抛光材料的暴露出的表面基本上共平面。通过切割所述抛光材料片或者从大块的抛光材料上割下薄片形成所述抛光材料片。所述窗口在所述抛光片的边缘和所述抛光片的中心之间的抛光片的长度延伸。
在另一方案中,描述一种抛光物。该抛光物包括:抛光片;以及在所述抛光片中的固体透光窗,所述固体透光窗具有主轴以及与所述主轴平行延伸的非线性边缘。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。所述抛光片以一长度和一宽度延长,其中所述长度大于所述宽度,并且所述主轴与所述长度平行。所述窗口延伸基本上所述抛光片的整个长度。所述非线性边缘包括与所述主轴垂直的多个突起。所述多个突起与所述抛光片的突起交错。所述窗口通过类楔形的接合与所述片相配合。所述窗口的暴露出的表面和所述抛光材料的暴露出的表面基本上共平面。
在一个方案中,描述一种抛光装置。该抛光装置包括:压盘;在压盘上的子垫,用于支撑具有抛光表面的抛光片,所述子垫具有形成在内部的凹陷;真空源,与所述子垫的凹陷连接并且用于施加足以将部分抛光片推入所述子垫的凹陷中以在所述抛光表面中产生凹陷的真空;承载头,用于保持衬底靠着所述抛光表面以及举起衬底以离开所述抛光表面;电机,用于在所述抛光表面上移动所述承载头;以及控制器,与所述承载头和所述电机结合并且用于将所述衬底定位在所述抛光表面中的凹陷上方以及使得所述承载头举起所述衬底以离开所述抛光表面。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。所述压盘为可旋转的。该抛光装置可包括驱动装置,用于在压盘上方以直线方向增量地前进所述抛光片。所述控制器配置为在抛光所述衬底的过程中定位所述衬底以离开所述凹陷。所述凹陷含有凹槽。该抛光装置可包括抛光片。所述子垫比所述抛光片更加压缩的。
在一个方案中,描述一种方法。该方法包括:将具有抛光表面的抛光片支撑在具有形成在其中的凹陷的子垫上;向所述凹槽施加足以将部分抛光片推入所述凹陷中以在所述抛光表面中产生凹陷的真空;将所述承载头中的衬底定位在所述抛光表面中的凹陷上方;以及举起所述衬底以离开抛光表面,同时所述衬底定位在所述凹陷上方。
本发明的实施方式包括下列一个或多个特征。该方法可包括旋转支撑所述抛光片的压盘以旋转所述抛光片。该方法可包括以相对于所述子垫直线的方向增量地前进所述抛光片。所述凹陷含有凹槽。
这里所述的实施方式中的一些可以包括下述优点中的一个或多个。线性抛光片中的一体式窗口条能够以柔性并且可折弯的材料制成以允许合成的抛光片以小的弯曲半径通过而在接触面不会断裂、开裂、分层或者劈开。利用凹槽式的子垫支撑线性抛光片可以允许线性片利用抛光表面的凹槽图案同时仍然以小的增量前时。利用具有深凹槽的螺旋凹槽子垫在上覆的垫材料中产生螺旋凹槽图案,其中产生的凹槽图案除了提供局部浆料传输之外还能够执行在压盘上保留浆料或者从压盘上和晶圆上排出浆料和抛光副产品的全面的活动。制造具有一体式窗口条的抛光片将材料的数量减少至两种。另外,抛光片和一体式窗口及承载能够用相似化学特性的材料制成。在抛光片中结合进光学窗口以产生类楔形接合增加了窗口材料和抛光片之间的接触面的机械强度。利用具有支撑线性抛光片特性的子垫使得所述线性片以利用抛光表面中的特性同时仍然以小的增量前进。该子垫的特征能够用于帮助衬底在抛光之后从卡盘上取下。
在如下的附图和说明书中阐述了本发明一个或者多个实施方式的细节。通过说明书和附图以及权利要求书的描述将让本发明的特征、目的和有点更加显而易见。
附图说明
图1所示为化学机械抛光装置的分解透视图;
图2所示为图1的CMP装置的俯视图;
图3A所示为图1的CMP装置的第一抛光台的俯视图;
图3B所示为矩形压盘和抛光阀芯(cartridge)的分解透视示意图;
图3C所示与矩形压盘连接的的抛光阀芯(cartridge)的透视示意图;
图4为固定研磨剂抛光片的截面示意图;
图5为图3A的抛光台的截面示意图;
图6为具有光学终点检测系统的抛光台的截面示意图;
图7为压盘和第二抛光台的抛光垫的截面示意图;
图8为压盘和末级抛光台的抛光垫的截面示意图;
图9A、9B、10A和10B所示为具有整体窗口的抛光片;
图11A-11C所示为具有凹槽的抛光垫;
图12所示为位于矩形压盘上具有凹槽的子垫;
图13所示为设置有凹槽子垫的变形;
图14所示为位于矩形压盘上的抛光垫的侧视图;
图15所示为设置有凹槽子垫的侧视图;
图16-19所示为用于解吸附的图形的表面;
图20-21所示为设置有凹槽子垫和无凹槽的抛光表面;
图22-24所示为用于形成具有窗口的抛光片的方法。
在不同附图中同样的附图标记表示同样的元件。
具体实施方式
参照图1和图2,通过化学机械抛光装置20抛光一个或者多个衬底。典型的抛光装置20包括具有台面23的机械底座22,该底座22支撑一系列的抛光台,抛光台包括第一抛光台25a、第二抛光台25b、末级抛光台25c和传输台27。传输台27可提供多个功能,这些功能包括从加载装置(为示出)上接受单独衬底10、清洗衬底、将衬底加载到承载头上、从承载头上接收衬底、再次清洗衬底,最后将衬底传输回加载装置上。在美国专利No.5,738,574中可以找到类似抛光装置的说明,在此引入该美国专利的全部内容作为参考。
每个抛光台包括可旋转压盘。至少其中一个抛光台,诸如抛光台25a包括设置用于旋转的抛光阀芯102和矩形压盘100。抛光阀芯102包括固定研磨剂抛光材料的线性可推进的片或者带。其他诸如第二抛光台25b、末级抛光台25c的抛光台分别包括抛光垫32和34,各抛光垫均粘附于压盘30上。每个压盘均与压盘驱动发动起(未示出)连接,其中该压盘驱动发动机以每分钟30到200转的速率旋转该压盘,当然也可以采用更低或者更高的转速。假设衬底10为直径为300mm的盘面,则矩形压盘100表面可以为约30英寸,而圆形压盘30和抛光垫32和34直径约为30英寸。
每个抛光台25a、25b和25c还包括凸出于相关抛光表面上部的组合浆体/清洗臂52。每个组合浆体/清洗臂52包括用于向抛光垫表面提供抛光液体、浆体或者清洗液体两个或者多个的浆体供给管。例如,在第一抛光台25a分布在固定研磨剂抛光片上的抛光液体不包括研磨剂颗粒,而在第二抛光台25b分布在标准抛光片上的浆体包括研磨剂颗粒。如果采用第一抛光台25a进行抛光,则分布在该抛光台的抛光垫上的抛光液不包括研磨剂颗粒。通常,提供充足的液体覆盖并浸渍整个抛光垫。每个浆体/清洗臂52还包括用于在抛光和清理周期结束时提供高压清洗的几个喷射嘴(为示出)。
抛光台可以包括光学相关垫调节装置40。包括抛光垫的抛光台,即,抛光台25a包括图中未示出的光学清洗窗口以从抛光片的表面上去除粗砂或者抛光碎片。清洗装置可以包括用于清扫抛光片表面的可旋转刷和/或用于在抛光片表面上喷射压缩清洗液(即,去离子水)的喷嘴。可以连续或者在抛光操作之间操作该清洗装置。此外,该清洗装置可以是静态的,或者可以动态清扫抛光片的整个表面。
而且,光学清洗台45可以设置在抛光台25a和25b之间、抛光台25c和25b之间、抛光台25c和传输台27之间以及传输台27和抛光台25a之间,从而随着光学清洗台45在平台之间移动而清洗衬底。
在典型抛光系统中,通过中心柱62在抛光台上部支撑可旋转多头圆盘传动装置(carousel)60并且该可旋转多头圆盘传动装置(carousel)通过圆盘传动装置电动机组件(未示出)围绕圆盘传动轴64旋转。可旋转多头圆盘传动装置60包括四个以等角度间隔围绕圆盘传动轴64安装在圆盘传动装置支撑板66上的承载头系统。其中的三个承载头系统容纳并保持衬底,并通过将承载头压在平台25a的抛光片以及平台25b和25c的抛光垫上进行抛光。其中一个承载头系统从传输平台27接收衬底并向传输平台转移该衬底。
每个承载头系统包括载体或者承载头80。承载头驱动轴78与承载头旋转电动机76连接(通过去除四分之一圆盘传动装置外壳示出),从而每个承载头能够绕各自的轴独立旋转。此外,每个承载头80在圆盘传动装置支持板66中形成的径向槽72中独立地横向振荡。
承载头可以执行多个机械功能。通常,承载头保持衬底使衬底紧靠抛光表面,在衬底的被表面上均匀分配向下的压力,从驱动轴向衬底转移扭距,并确保在抛光操作器件衬底不会从承载头底部滑出。在1997年5月21日提交美国专利No.6,183,354和6,857,945中可以找到适用承载头的描述,在此引入该美国专利的全部内容作为参考。
参照图3A、3B和3C,抛光阀芯102以可拆卸的方式固定到抛光台25a的矩形压盘100上。抛光阀芯102包括加料辊130、吸收辊(take-up roller)132以及通常由抛光垫材料构成的线性片或者带110。围绕加料辊130缠绕抛光垫的不用的以及新鲜部分120,并且围绕吸收辊132缠绕抛光片的已使用部分122。在矩形压盘100的顶表面140上部已使用部分122和未使用部分120之间延伸用于抛光衬底的抛光片的矩形暴露部分124。
可以旋转矩形压盘100(如在图3A中通过虚线箭头A所示)以旋转抛光片的暴露部分并从而在抛光器件在衬底和抛光片之间提供相对运动。在抛光操作之间,推动抛光片(如在图3A中通过虚线箭头B所示)以暴露抛光片的未使用部分。当抛光材料向前推进时,抛光片110从加料辊130上展开,移动经过矩形压盘100的整个上表面,并通过吸收辊132吸收(如图14中所示)。
参照图4,在某些实施方式中,抛光片110包括两层。上抛光层119由抛光材料形成而下抛光层116,诸如背部层或者承载层由膜形成。上抛光层可以由诸如酚类树脂、聚亚安酯、尿素甲醛、三聚氰胺甲醛树脂、丙烯酸聚氨脂、丙烯酸环氧树脂、乙烷基不饱和化合物(ethylenically unsaturated compound)、具有至少一种对丙烯酸基的氨基塑料衍生物、具有至少一种对丙烯酸基、乙烯基、环氧树脂的异氰尿酸酯衍生物,及它们的混合物。所述抛光片还可以包括装填物,诸如中空的微球体或者空间。下抛光层116为由诸如聚合薄膜材料构成的背部层,例如聚乙烯对苯二酸盐(PET)、纸、布料、金属膜等。在某些实施方式中,两层通过诸如环氧树脂或者粘合剂(例如压敏粘合剂)或者通过焊接的方式粘合在一起。抛光层厚度在10和150千分之一寸之间,诸如在20到80千分之一寸之间,例如在40千分之一寸附近。该抛光层110宽度可以为月20、25或者30英寸。
参照图11A至图11C,在某些实施方式中,抛光片110的上抛光层在顶表面具有凹槽。这些凹槽可以具有任意结构,但是可随着旋转和平移发生改变。该凹槽可以为X槽,如图11B中所示,即,垂直于片运行方向设置的槽,XY槽,如图11A中所示,即垂直且平行于片运行方向的槽,对角槽或者适合的凹槽图案。在图11A至图11B中,箭头指示运行的方向。该凹槽深度可以在约45到5千分之一寸之间诸如在约35和15千分之一寸之间,例如约25千分之一寸。在某些实施方式中,紧密间隔该凹槽以协助弯曲抛光片。
参照图3A、3B和3C,沿抛光片110的长度方向形成透明带118。可以在该片的中心设置该透明带118或者窗口,也就是说,窗口能够运行抛光垫的长度,并且几乎与每个垫边缘等距离,并且该窗口宽度可在约0.2至1英寸之间,例如在约0.4至0.8英寸或为约0.6英寸。该透明带于矩形压盘100中的间隙或者透明窗口154对齐从而提供用于对衬底表面进行终点检测的光学监控。以下将进行详细描述。透明带118的顶表面于抛光片110的抛光部分的顶表面平齐。该结构避免了在透明带118处聚集浆体以及对通过透明带118执行的测量产生不利影响。
加料辊和吸收辊130和132应该比抛光片110的表面略长。辊130和132可以是约20英寸长、直径在2英寸到2.5英寸之间的塑料或者金属柱体。由于抛光片110围绕辊130和132经过许多次,因此透明带118由不易破裂、分层或者不易在垫/带截面处分离的材料形成。理想情况下,该透明带由足以阻挡涂敷金刚石的检测工具的限定条件的材料形成。在某些实施方式中,透明带118与背部层一体形成,即透明带和背部材料由同一材料形成,二者为单独单元。在一些实施方式中,透明带可以模制在抛光层上。在一些实施方式中,透明带118的上表面与抛光片110的上表面基本在同一平面上。
具有透明带的期望特性的一些可买到的材料是Calthane ND 3200聚亚安酯(加利福尼亚长滩Cal Polymers公司)。这种材料是两部分清透且非琥珀色焦化(non-ambering)的尿烷合成橡胶,并且这种材料对350nm或更大波长(在约700nm达可见光光谱的端部)具有至少80%的透射率(对于150密耳厚度的片)。不受任何特定理论的限制,我们相信这种聚亚安酯材料的高透射率(与当前可得的聚亚安酯窗口材料相比)使用基本无内部缺陷的聚亚安酯材料。尽管当前使用于窗口的聚亚安酯通常不需要添加剂,但是这种材料可包括会扩散或者散射光的内部缺陷,例如气泡或者空隙、裂缝或者微域(例如,结晶结构或取向不同的小区域)。通过形成基本无内部缺陷的聚亚安酯,能够实现高光清晰度。在一些实施方式中,透明带118由聚亚安酯材料形成,例如,CalthaneND3200。形成透明带的材料可具有在约50至80(例如60)肖氏D范围的硬度。在一些实施方式中,形成透明带的材料具有在约50密耳至55密耳的厚度。
矩形压盘100包括通过加料边缘142限定的通常为平面的矩形顶表面140、吸收边缘144和两个平行的侧边缘146。在顶表面140中形成槽150(在图3A和3C中用虚线示出)。该槽150通常为沿顶表面140的边缘142-146延伸的矩形图案。经过压盘100的通道152将槽150与真空源200连接(见图5)。当对通道152抽真空时,抛光片110的暴露部分124真空吸附到压盘100的顶表面140上。该真空吸附有助于确保在抛光器件由于衬底和抛光片之间的摩擦导致的横向力不会迫使该抛光片脱离压盘。如上所述,在矩形压盘100的顶表面140中形成缝隙154。在压盘100的顶表面上设置可压缩的子垫300以缓冲衬底对于如图15和17所示的抛光垫的冲击,如图12和14中所示。此外,压盘100可以包括图中未示出的垫板。可以将不同厚度的垫板粘附到压盘上以调节压盘顶表面的垂直位置。该可压缩子垫可以粘附到垫板上。
子垫可以和抛光片分离,即与抛光片不是一个整体或者没有粘合在一起。该子垫300可以由单独材料形成或者可以由多种材料构成的多层形成。由多种材料构成的多层形成的子垫为层叠垫。在一实施方式中,层叠子垫具有层叠在诸如软泡沫的泡沫层上的IC材料层,例如,由位于Delaware的Newark的Rohmand Haas公司出售的SUBA IV。该层叠垫的上层厚度为约40到120千分之一寸之间,诸如60和100千分之一寸之间,例如80千分之一寸。子垫的下层厚度约为30到70千分之一寸之间,诸如约40到60千分之一寸之间,例如约50千分之一寸。
参照图15,子垫300可以具有和抛光层的凹槽一样或者不同的凹槽。参照图13,在子垫300中的凹槽可以为圆形、椭圆形、偏心圆形或者螺旋形。该凹槽可以具有充分的宽度和深度使得在子垫抽真空时,即使叠加的抛光片没有凹槽,该凹槽也可进入抛光片。凹槽可以具有约30至50密耳,例如约35至40密耳的深度。在某些实施方式中,子垫中的凹槽具有比抛光表面的凹槽更大的宽度和/或深度。在某些实施方式中,抛光表面的凹槽图案与子垫的凹槽图案不同。该子垫300可以为圆形、矩形或者适于压盘100应用的任意形状。
参照图20-21,在支撑抛光表面302的由子垫材料构成的一层或者多层中形成凹槽306的图案。通过真空将抛光表面302推入凹槽图案(如垂直箭头所示)。结果是在抛光表面302中形成凹槽图案。该凹槽图案有助于在晶圆和抛光表面302之间进行浆体分布,并且因此提高了抛光装置的工艺特性。因此,在该抛光表面中不需要凹槽。在子垫300中形成凹槽的优点在于网形垫或者线性片能够在抛光表面中显影唤醒或者螺旋凹槽图案并在部改变凹槽图案位置的情况下进行少量推进。
子垫具有不需要抛光层的表面。即,子垫的表面粗糙度或者摩擦系数不必充分满足抛光衬底表面。此外,该抛光垫或者抛光片本身可以不具有更大的结构硬度。子垫提供了该结构硬度。抛光片或者垫的抛光性能收到子垫机械特性的影响。坚硬的子垫和柔软的子垫会对于同一抛光片或者抛光垫提供不同的抛光结果。由于子垫不会向抛光片或者抛光垫磨损那么快。因此,当抛光片改进或者改变时,可以继续使用同一子垫。
如图5所示,将矩形压盘100固定到可旋转压盘底座170上。可以通过几个陷入到压盘底座170的底部的外围螺丝174连接矩形压盘100和压盘底座170。通过螺丝178将第一轴环176连接到压盘底座170的底部以获得环形支撑180的内环。通过一系列螺丝183将第二轴环182连接到台面23上,从而获得环形支撑180的外环。环形支撑180支撑位于台面23上部的矩形压盘100同时允许通过压盘驱动电机旋转压盘。
压盘电机组件184穿过固定支架186螺栓连接到台面23的底部。压盘电机组件184包括具有输出驱动轴190的电机188。输出轴190固定到实心电机壳192上。驱动带194缠绕在电机壳192和轮毂套196周围。轮毂套196通过压盘轮毂198连接到压盘底座170上。因此,电机188可以旋转矩形压盘100。压盘轮毂198与下压盘底座170和轮毂套196形成密封。
气动控制线172延伸经过矩形压盘100以将通道以及槽连接到真空或者压力源上。该气动控制线172可用于真空吸附抛光片以及供电或启动抛光片前进机制,该气动控制线172在1999年4月30日提交的美国专利6,135,859中进一步描述,通过参考的方式援引该美国专利的全部内容。
通过诸如泵或者压力气源的静态气动源200对压盘真空吸附装置施加能量。气动源200通过流体线202与计算机控制阀204连接。计算机控制阀204通过第二流体线206与旋转连接器208连接。该旋转连接器208将气动源200与位于旋转轴中的轴通道210连接,并且连接器214将轴通道210连接到气动线216上。
真空吸附通道152可以经由气动线172穿过矩形压盘100、压盘底座170中的通道220、压盘轮毂198中的垂直通道222以及轮毂套196中的通道224和柔性气动线216连接。采用O圈密封每个通道。
将通用可编程数字计算机280与阀门204、压盘驱动电机188、承载头旋转电机76和承载头径向驱动电机(未示出)适当连接。计算机280可以打开或者关闭阀门204、旋转压盘100、旋转承载头80并沿着缝隙72移动承载头。
参照图6,在压盘100中形成缝隙或者孔154并与抛光片110中的透明带118对齐。设置缝隙154和透明带118从而使得在压盘部分旋转期间不管抛光头的位置如何都可以观察到衬底10。在下部设置光学监控系统并将光学监控系统固定到压盘100上,例如设置在矩形压盘100和压盘底座170之间从而使光学监控系统随着压盘旋转。该光学监控系统包括光源94和监测器96。光源产生光束92,该光束经过缝隙154和透明带118照射在基本10的暴露表面上。
参照图9B和9B,在某些实施方式中,在抛光片110中用于形成透明带118的材料还形成了抛光片110的下层116。参照图9A,在某些实施方式中,透明带118和下层116一起形成。然后通过诸如浇铸的方式在下层116上形成构成抛光层119的材料。如果任意抛光层材料覆盖该透明带118,则在透明带118上部去除该材料。透明带118的暴露表面可与抛光层119的暴露表面在同一平面上。
参照图10A,在某些实施方式中,在下层116以前制造抛光层119。在抛光层119中形成凹陷或者抛光层119由两个分离的构件形成。然后在抛光层119上形成下层116和透明带118。因此透明带118可以和下层116同时形成并且透明带118可以和下层116集成到一起。在下层116与透明带118的接合处可以没有接缝。可以通过制模、冲模、浇铸、通过压带轮、刀刃或者机械研磨成型方式形成抛光层119或者下层116。在某些实例中,允许对首先形成的层进行烘干或者固化。然后在首先形成的层上制造第二层。在某些实施方式中,分别形成所述两层并粘合或者焊接到一起。在任意实施方式中,透明带118从抛光片的顶表面延伸到抛光片的底表面,产生一窗口。抛光层的顶表面基本不存在研磨剂。在形成该表面后或者同时在抛光表面上形成凹槽。透明带118可以不设置凹槽。但是,在某些实施方式中,也可以在透明带118中设置凹槽。在一些实施方式中,窗口延伸抛光层的整个长度。在一些实施方式中,承载层在抛光层的宽度上延伸。
参照图22-24,图22-24示出了在抛光片中形成窗口的替代方法。参照图22,抛光片由适于抛光衬底的材料形成。通过成模、切割或者冲模方式形成抛光片。在抛光片中形成多个楔形开口402、裂缝或者凹槽。通过预定宽度的窗口404分离两个配对楔形。参照图23,将可以干燥、固化或者硬化的材料插入槽中(如箭头所示)。然后干燥、固化或者硬化诸如窗口材料液体前驱物的材料。参照图24,通过窗口材料的突起与抛光材料的突起的交错(未示出),该窗口材料与抛光材料紧密粘合。可以选择窗口材料使得合成的抛光材料平坦而且均匀地磨损并且在不分层的情况下围绕窗口材料弯曲。还需要其他步骤,诸如切割片或者从垫材料的浇铸块上削磨片。窗口可以位于中心并且通常与片边缘等距离或者位于抛光片和中心之间,如图23中所示。窗口可以基本延伸抛光片的整个长度。在一些实施方式中,窗口的表面可以与抛光片的表面基本在同一平面上。
在操作时,CMP装置采用光学监控系统90确定衬底上层的厚度,从而确定从衬底上去除的材料数量,或者确定表面已经变得平坦化的时间。计算机280与光源94和监测器96连接。可以通过旋转连接器208在计算机和光学监控系统之间形成电学耦合。正如在1998年11月2日提交的美国专利No.6,159,073和No.6,280,289中所述,对计算机编程以当衬底覆盖窗口时气动光源,存储来自监测器的测量结果、在输出设备98上显示测量结果,并检测抛光终点,在此引入这些美国专利公开的全部内容作为参考。
在操作时,通过向通道152施加真空将抛光片110或者子垫的暴露部分真空吸附到矩形压板上。通过承载头80降低衬底使衬底和抛光片110接触,并且压板110和承载头80同时旋转一抛光衬底的暴露表面。在抛光后,通过承载头提升衬底使衬底脱离抛光垫。取出通道152上施加的真空。例如,通过向气动线172施加正向气压触发推进装置推进抛光片。可选地,采用正向气压向所述片吹气使所述片脱离压盘并且便于片推进。这样暴露抛光片的新鲜部分。然后将抛光片真空吸附到举行压盘上,并且降低新的衬底使该衬底与抛光片接触。因此,在每个抛光操作之间,抛光片可以逐渐推进。如果抛光台包括清洗装置,则可以在每次抛光操作之间清洗抛光片。
抛光片的推进量依赖于所需的抛光均匀性以及抛光片的特性,但是每次抛光操作推进量应该在0.05英寸到1英寸的范围内,例如0.4英寸。假设抛光片的暴露部分124长度为20英寸并且该抛光片在每次抛光操作推进0.4英寸,则在约50次抛光操作后将更换抛光片的整个暴露部分。
当已经完成对衬底抛光时,该承载头从抛光层去除衬底,即,该承载头从抛光表面上解除对于衬底的吸附。可以通过向承载头的背部吸气(suction)以及提升从抛光表面上去除衬底。由于存在很强的表面张力,因此和平坦晶圆结合的浆体液会为从抛光表面上去除衬底更为困难。
在某些实施方式中,抛光片、抛光垫或者子垫具有诸如槽状图形或者压印图形。在抛光后,衬底的边缘移动到这些图形上部,这里这些图形可以用作解除吸附图形。
参照图16-19,在某些实施方式中,子垫300具有适于帮助衬底解除吸附的图形304。当没有施加压盘真空时,抛光表面302不会遵循子垫中特征图形304的轮廓(图19)。当施加真空时,抛光表面302遵循该图形。在抛光期间衬底没有位于特征图形304的上部。在接触吸附期间,衬底局部位于特征图形的上部。图18-19分别示出抛光期间和接触吸附期间的衬底平面图。
在抛光片中,沿该片的抛光片的中心线、边缘或者边缘与中心线之间形成接触吸附图形。
参照图7,在第二抛光台25b,圆形压盘可以支撑具有粗糙表面262、上层264和下层266的圆形抛光垫32。下层266通过压敏粘合层268黏附到压盘30上。上层264可以比下层266更硬。例如,上层264可以由多微孔聚亚安酯或者混合有填料的聚亚安酯构成位于Delaware的Netwark的Rodel公司可以提供两次抛光垫,其中,上层有IC1000或者IC-1400构成而下层266有SUBA IV构成(IC1000、IC-1400和SUBA IV为Rohm and Haas公司的产品)。在抛光垫32中位于压盘30的间隙36的上部形成透明窗口。
参照图8,在末级抛光台25c,压盘可以支撑通常具有光滑表面272和单独软层274的抛光垫34。层274可以通过压敏粘合层278黏附到压盘30上。层274可以由绒毛多孔合成材料构成。Rohm and Haas公司出售这种适用的软抛光垫,该软抛光垫的商标名称为Politex。可以通过某种图案浮雕或者压印抛光垫32和34从而改善浆体在整个衬底表面上的分布。抛光台25c在其他方面和抛光台25b一样。在抛光垫34中间隙36的上部形成透明窗口279。
在某些实施方式中,圆形抛光垫可以具有一个或者多个螺旋形槽,诸如两个初始相差180度的螺旋形槽,在径向方向上给定槽与槽之间的距离,或者三个、四个或者更多螺旋形槽。
尽管这里描述CMP装置将抛光片真空吸附到压盘上,但是在抛光期间可以采用其他技术将抛光片固定到压盘上。例如,可以通过一系列的夹具将抛光片的边缘夹持到压盘的侧面。
此外,尽管所述辊通过多个插入缝隙的销连接到固定器上,但是存在多个其他将辊以旋转方式连接到压盘上的实施方式。例如,在固定器的内表面上形成凹陷从而与从辊的端面突出的销接合。固定器160可轻微弯曲,并且辊可以和固定器搭扣配合。可选地,在固定器内表面的凹陷由于张力导致可以形成限制辊曲径。可选地,该固定器可以枢轴连接到压盘上,并且一旦在适当位置锁定固定器则辊可以与固定器接合。
此外,尽管所述CMP装置具有一个具有槽状表面的矩形压盘以及两个具有圆形抛光垫的圆形压盘,但是其他结构也是可能的。例如,该装置可以包括一个、两个或者三个矩形压盘。这里所述垫、片以及子垫的实施方式可以适用于连续带、非旋转压盘系统和仅具有一个抛光台的抛光系统。实际上,CMP装置的一个优点在于每个压盘底座170都适于承载矩形压盘或者圆形压盘。在每个矩形压盘上的抛光片可以为固定研磨剂或者非固定研磨剂抛光材料。抛光片可以包括结合在一起的多层。类似地,在圆形压盘上的每个抛光片可以为固定研磨剂或者非固定研磨剂抛光材料。标准抛光垫可以具有单独硬层(例如IC-1000)、单独软层(例如在PolytexTM垫中所述内容)或者两个层叠层(例如,IC-1000/SUBA IV抛光垫结合)。在不同抛光台上采用不同浆体和不同的抛光参数,诸如载体头旋转速率、压盘旋转速率、载体头压力。
CMP装置的一个实施方式可以包括用于主抛光的具有固定研磨剂抛光片的两个矩形压盘,以及用于磨光的具有软抛光垫的圆形压盘。可以选择抛光参数、垫成分以及浆体成分使得第一抛光片的抛光速率大于第二抛光片。
当一起使用子垫和抛光片110时,抛光片110在抛光之间或者抛光期间滑过子垫。
上述的抛光片可以抛光多个晶圆并且可以通过以前未曾用于抛光另一垫的抛光垫的一部分抛光每个晶圆。可选地,抛光片可以逐渐移动,而非在每个衬底抛光工艺之间全长度移动。在抛光随后晶圆的时候,垫磨损将不是一个主要因素,由于每个晶圆基本暴露于同样的抛光垫条件下。所述垫处于稳态的原因在于片移动的距离等于抛光区域的直径。
当抛光片在到达晶圆之前碾压或者摩擦小半径加料辊130时,垂直于抛光片运行方向的抛光片顶表面凹槽有助于抛光片弯曲。如果系统在子垫中有凹槽,该子垫可以在抛光表面中形成临时凹槽,有助于浆体传输以及流过垫的表面。当向子垫施加真空时,该临时凹槽可以更加明显。或者/此外,抛光垫的抛光表面可具有凹槽。
垫或子垫的凹槽可具有螺旋形。螺旋形凹槽可以向抛光表面泵送浆体。螺旋形凹槽从垫或子垫的中心开始朝向外缘向外移动。随着压盘的旋转,螺旋形覆盖接近或者远离该抛光区域的中心。凹槽执行整体操作,即压盘上保持浆体或者转移排放的浆体和/或抛光废弃产物使浆体和/或抛光废弃产物远离压盘以及晶圆。如果向增加螺旋凹槽半径的方向旋转压盘,螺旋形覆盖逐渐向中心移动,将浆体转移到中心。如果向减小螺旋凹槽半径的方向旋转压盘,则已用过的浆体以及废弃产物将以比仅通过离心力更快的速度脱离压盘。具有多个螺旋例如两个螺旋的垫或者子垫比仅具有单独凹槽的情况转移浆体更快。
除了任意浆体传输和抽吸操作,抛光层或者子垫中的螺旋形凹槽还可以控制抛光波动或者均匀地从晶圆表面去除材料。在一些实施方式中,子垫可具有约150密耳的厚度。在一些实施方式中,螺旋凹槽具有约40密耳至60密耳的深度,例如约50密耳,以及约400密耳至600密耳的宽度,例如500密耳。凹槽的高度可为约1英寸。
压盘的替代实施方式可以具有无凹槽的顶表面的中心区域以防止进入凹槽的抛光片的潜在偏差干扰抛光均匀性。
以上已经描述了本发明的多个实施方式。但是,应该理解在不脱离本发明的精神和范围内可以对本发明进行各种变形。因此,其他实施方式包括在如下权利要求的范围之内。

Claims (3)

1.一种抛光物,包括:
抛光片;和
所述抛光片中的固体透光窗口,所述固体透光窗口具有主轴和与所述主轴平行延伸的非线性边缘,其中所述非线性边缘包括与所述主轴垂直的多个凸起,该多个平行的凸起和所述抛光片的多个凸起互相交错。
2.根据权利要求1所述的抛光物,其特征在于,所述抛光片以一长度和一宽度延长,所述长度大于宽度,所述主轴与所述长度平行。
3.根据权利要求2所述的抛光物,其特征在于,所述窗口基本上延伸至所述抛光片的整个长度。
CN2007101632992A 2006-02-15 2007-02-15 抛光仓 Expired - Fee Related CN101244535B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US77395006P 2006-02-15 2006-02-15
US60/773,950 2006-02-15

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100852406A Division CN101058169A (zh) 2006-02-15 2007-02-15 抛光表面

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101244535A CN101244535A (zh) 2008-08-20
CN101244535B true CN101244535B (zh) 2012-06-13

Family

ID=38549354

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101632992A Expired - Fee Related CN101244535B (zh) 2006-02-15 2007-02-15 抛光仓
CNA2007100852406A Pending CN101058169A (zh) 2006-02-15 2007-02-15 抛光表面

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007100852406A Pending CN101058169A (zh) 2006-02-15 2007-02-15 抛光表面

Country Status (5)

Country Link
US (7) US20070197145A1 (zh)
JP (1) JP5339680B2 (zh)
KR (3) KR100882045B1 (zh)
CN (2) CN101244535B (zh)
TW (1) TWI357845B (zh)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070197145A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-23 Applied Materials, Inc. Polishing article with window stripe
CN100537148C (zh) * 2006-11-28 2009-09-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 抛光垫以及化学机械抛光方法
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
US7967661B2 (en) * 2008-06-19 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Systems and pads for planarizing microelectronic workpieces and associated methods of use and manufacture
US20100112919A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Monolithic linear polishing sheet
DE102009030294B4 (de) * 2009-06-24 2013-04-25 Siltronic Ag Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe
US8148266B2 (en) * 2009-11-30 2012-04-03 Corning Incorporated Method and apparatus for conformable polishing
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US8360823B2 (en) * 2010-06-15 2013-01-29 3M Innovative Properties Company Splicing technique for fixed abrasives used in chemical mechanical planarization
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
MY166716A (en) * 2010-11-18 2018-07-18 Cabot Microelectronics Corp Polishing pad comprising transmissive region
DE102011082777A1 (de) * 2011-09-15 2012-02-09 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
US9199354B2 (en) 2012-10-29 2015-12-01 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
US9604339B2 (en) 2012-10-29 2017-03-28 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder
US9233452B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
US9011207B2 (en) 2012-10-29 2015-04-21 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder
US8845394B2 (en) 2012-10-29 2014-09-30 Wayne O. Duescher Bellows driven air floatation abrading workholder
US8998677B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Bellows driven floatation-type abrading workholder
US9039488B2 (en) 2012-10-29 2015-05-26 Wayne O. Duescher Pin driven flexible chamber abrading workholder
US8998678B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Spider arm driven flexible chamber abrading workholder
KR102148050B1 (ko) * 2012-11-06 2020-10-14 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 오프셋 동심형 그루빙 패턴을 갖는 폴리싱 패드, 및 이로써 기판을 폴리싱하는 방법
JP2014113644A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
JP6209088B2 (ja) * 2013-01-25 2017-10-04 株式会社荏原製作所 研磨方法および装置
TWI599447B (zh) 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的cmp拋光墊
US9475168B2 (en) * 2015-03-26 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad window
JP2019528187A (ja) * 2016-08-31 2019-10-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 環状プラテン又は研磨パッドを有する研磨システム
US10864612B2 (en) * 2016-12-14 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing pad and method of using
EP3571009A4 (en) 2017-01-20 2021-01-20 Applied Materials, Inc. THIN PLASTIC POLISHING ARTICLE FOR CMP APPLICATIONS
WO2018142623A1 (ja) * 2017-02-06 2018-08-09 株式会社大輝 ポリッシングバッドの凹部形成方法およびポリッシングパッド
US10926378B2 (en) 2017-07-08 2021-02-23 Wayne O. Duescher Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet
US11717936B2 (en) 2018-09-14 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Methods for a web-based CMP system
TWI686857B (zh) * 2019-07-09 2020-03-01 華邦電子股份有限公司 化學機械研磨製程
US11691241B1 (en) * 2019-08-05 2023-07-04 Keltech Engineering, Inc. Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier
JP7341918B2 (ja) * 2020-02-06 2023-09-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN111673607B (zh) * 2020-04-28 2021-11-26 北京烁科精微电子装备有限公司 一种化学机械平坦化设备
CN111805410A (zh) * 2020-06-01 2020-10-23 长江存储科技有限责任公司 研磨系统
CN114952539B (zh) * 2022-07-27 2022-10-18 新沂市鼎丽塑胶制品有限公司 一种瓶盖表面拉丝处理装置

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1291572A (en) * 1917-06-16 1919-01-14 William A Lorenz Disk-grinding machine.
US1353967A (en) * 1919-10-29 1920-09-28 William A Lorenz Disk grinding-machine
US3994607A (en) * 1974-09-11 1976-11-30 The Furukawa Electric Co., Ltd. Connector for fiber reinforced plastic wire
US5257478A (en) * 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
US5212910A (en) * 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5650039A (en) * 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
JP3264589B2 (ja) * 1994-09-07 2002-03-11 東芝機械株式会社 研磨装置
JP3418467B2 (ja) * 1994-10-19 2003-06-23 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5897424A (en) * 1995-07-10 1999-04-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Renewable polishing lap
US5605760A (en) * 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
US5658190A (en) * 1995-12-15 1997-08-19 Micron Technology, Inc. Apparatus for separating wafers from polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6135856A (en) * 1996-01-19 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for semiconductor planarization
US6074287A (en) * 1996-04-12 2000-06-13 Nikon Corporation Semiconductor wafer polishing apparatus
US5692950A (en) * 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
US5645469A (en) * 1996-09-06 1997-07-08 Advanced Micro Devices, Inc. Polishing pad with radially extending tapered channels
US5899801A (en) * 1996-10-31 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing a substrate from a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
US6379221B1 (en) * 1996-12-31 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically changing a polishing pad in a chemical mechanical polishing system
JPH10225863A (ja) * 1997-02-10 1998-08-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨装置
US6328642B1 (en) * 1997-02-14 2001-12-11 Lam Research Corporation Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing
US5921855A (en) * 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US6146248A (en) * 1997-05-28 2000-11-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ end-point detection and optimization of a chemical-mechanical polishing process using a linear polisher
US6071178A (en) * 1997-07-03 2000-06-06 Rodel Holdings Inc. Scored polishing pad and methods related thereto
JP2001513450A (ja) 1997-08-06 2001-09-04 ローデル ホールディングス インコーポレイテッド 改良研磨パッド及びこれに関連する方法
US6068539A (en) * 1998-03-10 2000-05-30 Lam Research Corporation Wafer polishing device with movable window
US6716085B2 (en) * 2001-12-28 2004-04-06 Applied Materials Inc. Polishing pad with transparent window
US6994607B2 (en) * 2001-12-28 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US6224935B1 (en) * 1999-01-28 2001-05-01 Cornell Research Foundation, Inc. Ordered arrays via metal-initiated self-assembly of ligand containing dendrimers and bridging ligands
US6475070B1 (en) * 1999-02-04 2002-11-05 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet
US6179709B1 (en) * 1999-02-04 2001-01-30 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of linear substrate polishing operations
US6244935B1 (en) * 1999-02-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an advanceable polishing sheet
US6287174B1 (en) * 1999-02-05 2001-09-11 Rodel Holdings Inc. Polishing pad and method of use thereof
US6491570B1 (en) * 1999-02-25 2002-12-10 Applied Materials, Inc. Polishing media stabilizer
US6220942B1 (en) * 1999-04-02 2001-04-24 Applied Materials, Inc. CMP platen with patterned surface
US20040072518A1 (en) * 1999-04-02 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Platen with patterned surface for chemical mechanical polishing
US6296557B1 (en) * 1999-04-02 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for releasably attaching polishing pads to planarizing machines in mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6213845B1 (en) * 1999-04-26 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same
US6135859A (en) * 1999-04-30 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a polishing sheet and a support sheet
US6413873B1 (en) * 1999-05-03 2002-07-02 Applied Materials, Inc. System for chemical mechanical planarization
US6261168B1 (en) * 1999-05-21 2001-07-17 Lam Research Corporation Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns
US6171181B1 (en) * 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
KR20010020059A (ko) * 1999-08-31 2001-03-15 윤종용 화학적 기계적 폴리싱을 위한 폴리싱 패드
US6524164B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
US6454630B1 (en) * 1999-09-14 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Rotatable platen having a transparent window for a chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
US6358130B1 (en) * 1999-09-29 2002-03-19 Rodel Holdings, Inc. Polishing pad
US6428586B1 (en) * 1999-12-14 2002-08-06 Rodel Holdings Inc. Method of manufacturing a polymer or polymer/composite polishing pad
US6561891B2 (en) * 2000-05-23 2003-05-13 Rodel Holdings, Inc. Eliminating air pockets under a polished pad
US6612901B1 (en) * 2000-06-07 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing of web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6656019B1 (en) * 2000-06-29 2003-12-02 International Business Machines Corporation Grooved polishing pads and methods of use
US6540595B1 (en) * 2000-08-29 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Chemical-Mechanical polishing apparatus and method utilizing an advanceable polishing sheet
US6592439B1 (en) * 2000-11-10 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Platen for retaining polishing material
US20020072296A1 (en) * 2000-11-29 2002-06-13 Muilenburg Michael J. Abrasive article having a window system for polishing wafers, and methods
US6632129B2 (en) * 2001-02-15 2003-10-14 3M Innovative Properties Company Fixed abrasive article for use in modifying a semiconductor wafer
US6641470B1 (en) * 2001-03-30 2003-11-04 Lam Research Corporation Apparatus for accurate endpoint detection in supported polishing pads
US6837779B2 (en) * 2001-05-07 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher with grooved belt
US6887136B2 (en) * 2001-05-09 2005-05-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for multi-step chemical mechanical polishing
JP4131632B2 (ja) * 2001-06-15 2008-08-13 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び研磨パッド
JP2003133270A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Jsr Corp 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド
US6811216B2 (en) * 2002-03-04 2004-11-02 Baby Trend Co., Inc. Infant car seat
JP2003273046A (ja) * 2002-03-13 2003-09-26 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨装置及びテープ並びに方法
US6752690B1 (en) * 2002-06-12 2004-06-22 Clinton O. Fruitman Method of making polishing pad for planarization of semiconductor wafers
KR100465649B1 (ko) * 2002-09-17 2005-01-13 한국포리올 주식회사 일체형 연마 패드 및 그 제조 방법
US6913518B2 (en) * 2003-05-06 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Profile control platen
US8066552B2 (en) * 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
US7654885B2 (en) * 2003-10-03 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad
US6986705B2 (en) * 2004-04-05 2006-01-17 Rimpad Tech Ltd. Polishing pad and method of making same
US6979221B1 (en) * 2004-08-13 2005-12-27 Hunter Al G Retainer for securing two connected electrical cords
US20070197145A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-23 Applied Materials, Inc. Polishing article with window stripe

Also Published As

Publication number Publication date
US20090253358A1 (en) 2009-10-08
JP2007227915A (ja) 2007-09-06
US20070197132A1 (en) 2007-08-23
CN101244535A (zh) 2008-08-20
US20070197145A1 (en) 2007-08-23
US7601050B2 (en) 2009-10-13
TWI357845B (en) 2012-02-11
KR100882045B1 (ko) 2009-02-09
US20070197133A1 (en) 2007-08-23
KR20080075468A (ko) 2008-08-18
US20070197147A1 (en) 2007-08-23
US20070197141A1 (en) 2007-08-23
US7841925B2 (en) 2010-11-30
CN101058169A (zh) 2007-10-24
KR20070082573A (ko) 2007-08-21
KR20080075470A (ko) 2008-08-18
JP5339680B2 (ja) 2013-11-13
US20070197134A1 (en) 2007-08-23
US7553214B2 (en) 2009-06-30
TW200734119A (en) 2007-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101244535B (zh) 抛光仓
US7104875B2 (en) Chemical mechanical polishing apparatus with rotating belt
US6394883B1 (en) Method and apparatus for planarizing and cleaning microelectronic substrates
US6932687B2 (en) Planarizing pads for planarization of microelectronic substrates
US8579679B2 (en) Conditioning method and conditioning apparatus for polishing pad for use in double side polishing device
US20060079159A1 (en) Chemical mechanical polish with multi-zone abrasive-containing matrix
CN102689270A (zh) 固结磨料抛光垫及其制备方法
EP1025955B1 (en) Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet
US7374476B2 (en) Method and apparatus for forming a planarizing pad having a film and texture elements for planarization of microelectronic substrates
CN103182676A (zh) 研磨垫、使用该研磨垫的研磨装置及研磨方法
US6540595B1 (en) Chemical-Mechanical polishing apparatus and method utilizing an advanceable polishing sheet
US20030032378A1 (en) Polishing surface constituting member and polishing apparatus using the polishing surface constituting member
KR20110100081A (ko) 화학적 기계적 연마 설비
JP5146927B2 (ja) 長尺研磨パッドの製造方法
JP4888905B2 (ja) 研磨パッドの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: American California

Applicant after: Applied Materials Inc.

Address before: American California

Applicant before: Applied Materials Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120613

Termination date: 20150215

EXPY Termination of patent right or utility model