CN101273446A - 用于连接层的方法，相应的器件和有机发光二极管 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于借助通过热压形成的接合层将多个分别包含至少一种可热连接的材料的层相连的方法，其中这些层的至少一个层序列具有半导体材料；本发明还涉及一种相应地制造的器件。此外，本发明提出了一种用于制造有机发光二极管的方法和一种有机发光二极管，其借助热压被封装在两个覆盖层之间。

Description

用于连接层的方法，相应的器件和有机发光二极管

本发明涉及一种用于连接层的方法，特别是在制造发射辐射的半导体器件和有机发光二极管时用于连接层的方法，借助该方法制造的发射辐射的器件，特别是发射辐射的半导体器件，以及有机发光二极管。

在制造发射辐射的器件、特别是使用薄层技术的半导体器件以及有机发光二极管(所谓的OLED)时，使用合适的接合技术具有决定性的作用。

在发射辐射的半导体器件上使用薄层技术尤其在制造具有红外光谱、紫外光谱或者可见光谱的发光二极管时，以及在制造激光二极管(垂直腔面发射激光器或者垂直外腔面发射激光器)时是适合的。

薄层发光二极管芯片例如在US 6,878,563 B2、WO 02/13281 A1和EP0905797 A2中进行了描述。

以薄层技术制造发射辐射的半导体器件设计为：首先在外延衬底上施加所希望的半导体结构。随后必须将外延层转移到支承体(替换衬底)上。在转移时，外延的半导体异质结构借助接合技术与替换衬底连接。随后将外延衬底去除。

除了接合技术的机械强度，另外的参数也具有决定性的作用。大多数情况下，光电子层必须导电或者导热地与替换支承体耦合。因此，金属连接在此是特别适合的。

迄今，大多数情况下，带有替换衬底的半导体异质结构通过焊接(共晶接合)或者粘接来连接。优选的是通过焊接的金属连接，因为该连接由于其导电性和导热性而更为适合。然而，例如在焊接工艺中形成的金属熔化物会侵蚀相邻的功能金属层，譬如反射层或者电接触部。因此，合适的阻挡层必须将接合区可靠地与功能层或者功能区分开。然而，使用这种阻挡层并非没有缺点。阻挡层会导致焊料的去湿(Entnetzung)，并且由此导致粘性损失。因此，大多数情况下，使用焊接的接合技术要求昂贵的层结合和材料结合。

而在制造有机发光二极管时使用接合技术涉及该器件的必要的封装。大多数情况下，有机发光二极管具有必须通过封装来保护免受环境影响的材料。为此，通常通过接合技术将一层与其它盖状的层相连，由此将实际的有机发光二极管结构密封地封装在层之间。

粘合技术，如其通常在制造有机发光二极管时所使用的那样，特色在于简单的处理工艺步骤。然而，该技术不是在所有情况中都达到所希望的持久性或者密封性。

本发明的任务在于，以简单的和低成本的方式和方法来提出一种用于改进层的连接的可能性以及相应地制造的器件。

本发明通过独立权利要求的特征来解决该任务。

本发明的有利的实施形式和改进方案是从属权利要求的主题。

所要求保护的方法包括接合技术或者连接技术，特别是借助该技术来制造金属连接。通过使用热压方法，可以在避免金属熔化的情况下制造金属连接。特别地，要连接的金属层不会出现瞬间的液态。由此得到简化的层构造、低成本的制造方法以及可精确限定的接合或者连接区。

在有机发光二极管的情况下，可以通过所要求保护的方法来实现对部件的密封的、持久的封装。此外，在那里可以激活存在于封装内的、不可蒸发的吸气材料。

在制造发射辐射的薄层半导体器件时，设计了将半导体材料和替代衬底通过至少一个金层以所要求保护的方法借助热压来连接(热压连接)。因为半导体材料要借助金层以电学方式或者热学方式耦合到替代衬底上，所以两个连接件(Verbindungspartner)中的至少一个具有朝向接合区的电接触面。半导体材料以及替代衬底都可以在朝向接合区的表面上具有另外的功能层，如反射层、势垒层、阻挡层和/或增附层。

在衬底之后或者设置于其上的层之后，同样如半导体材料之后以及设置于其上的层之后，朝着接合区或者连接区的方向分别设置有金层。这两个金层接触，并且借助带有预先给定参数的热压接合成共同的接合层。共同的由金构成的接合层有利地具有100nm到5μm的总厚度。本发明的优选的实施形式针对所处理的晶片具有500nm到2.5μm的总厚度。通常，在接合步骤之前，两个单个的金层也可以具有非对称的厚度分布。也就是说，不同厚度的金层可以接合成共同的连接层。

下层厚或者上层厚通过可以制造平坦的、共同的连接层的方式来限定。上层厚还在技术上经济地限定，因为太厚的层是不必要的，而且昂贵。

在连接高度平滑的表面时，例如连接未被处理的硅晶片时，具有小于10nm的厚度的单侧施加的金层已经足以实现与在另外的连接件上的另一金层的金属连接。

接合步骤优选在高于200℃的温度范围中进行。通常，例如设置500℃作为温度范围的上边界，然而该边界也可以更高。合乎目的的温度范围尤其是从单个连接件的层序列的组成中得出。在基于氮化铟镓(GaInN)的发射辐射的薄层薄膜芯片中，合乎目的的温度范围大约在350℃到400℃之间。在基于铝镓铟磷(AlGaInP)的发射辐射的薄层薄膜芯片中，优选350℃到500℃之间的温度范围是合乎目的的。在此，这些温度应当在10秒到10分钟之间作用到连接件上。更短的时间通常不能够建立足够的连接，而更长的作用时间会引起半导体异质结构的损伤以及另外的功能层的损伤。此外，过长的作用时间导致更大的循环时间，并且由此在制造时导致更低的生产率。

在热压时所使用的压力应该在1×10⁵帕斯卡至2×10⁷帕斯卡之间，其中两个连接件借助该压力被挤压。在具有100mm的直径和具有结构化导致(strukturbedingt)的50％的接触面的、被处理的晶片的情况下，有利地应当使用例如1,000至100,000牛顿的力。

本发明的另一有利的实施形式设计了，在金层和半导体材料之间或者在金层和替代衬底之间，分别设置至少一个选自增附层、反射层、阻挡层或者势垒层、接触层和/或缓冲层的功能层。

在此，增附层特别是用于将接合工艺之前施加的金层牢固地并且同时与替代衬底或者半导体材料或者另外的功能层相连。

在制造发射辐射的半导体器件时，反射层特别是提高了在与反射层对置的光耦合输出面上的光耦合输出。

阻挡层特别是用于防止或者减小在热压方法期间通过层的离子传输。

接触层特别是用于改进不同层序列的电接触或者热接触。缓冲层适合于使层序列的各个层的不同格栅结构(不同的格栅常数)相互匹配。

本发明的另一有利的实施形式设计了，热压方法不仅被用于将两个金层连接到共同的接合区，而且替代简单的金层使用带有设置在其间的阻挡层的金层和铝层构成的多层构造。由此，可以同时利用铝的延展性以及金层的惰性。铝的可塑性在建立表面的材料配合(stoffschluessig)的连接时有帮助，而金的惰性在连接大的面时，使得使用超声焊接过程或者摩擦运动变得多余。此外，使用铝层能够实现进一步的成本降低。例如由钨(W)或者钛钨(TiW)构成的阻挡层防止形成金和铝的不希望的金属间相(intermetallischer Phasen)，这种金属间相常常导致称为“Purpurpest(紫痕)”的可靠性风险。

本发明的另一有利的实施形式设计了，热压方法没有如摩擦运动或者超声焊接过程的方法步骤。在本发明的该有利的实施形式中，半导体层或者替代衬底承受较小的机械负荷。由此，可以更好地保护半导体层序列免受毁坏。由此，接合技术很大程度上局限于施加压力和作用升高的温度。

根据所述的方法制造的器件由此具有更简单的层构造，并且由此通常也更低成本地被制造。此外，这种器件在接合区中通常具有更小的电阻，并且同时具有更高的导热能力。因为在根据本发明的器件中，没有如在其中通过焊接进行衬底转移的器件中所形成的那样出现金属熔化，所以相邻的金属层(如可能的反射层或者电接触部)被保护而免受损坏。

借助根据本发明的方法，也可以处理整个晶片。由此形成的半成品关于结合区方面具有与已经针对根据本发明制造的器件所描述的类似的优点。

本发明的范围还包括有机发光二极管(OLED)的封装。在该有机发光二极管的内部通常有多层构造-所谓的OLED结构。大多数情况下，在阳极和阴极的接触层之间的地方设置有发射辐射的聚合物或者发射辐射的小分子构成的层，以及设置有电子空穴导电的聚合物或者电子空穴导电的小分子构成的层。这些层序列必须被密封地封装，特别是以便保护免受环境影响。

特别是有机聚合物，以及OLED的接触层，易受大气气体和湿气作用的侵蚀。另一方面，OLED的接触层可以具有碱土金属，其由于其高的反应性而应当有利地被密封封装。为此，它们通常被封装在透明的覆盖层之间。这种覆盖层的常见的材料是玻璃或者不同的聚合材料或者塑料。有利的是，这些材料对发射辐射的聚合物或者小分子的发射波长是透明的。

在根据本发明的方法中，覆盖层通过热压彼此相连(热接合)，使得有机发光二极管的整个层序列都被封装。

当两个层(在其间设置了有机发光二极管结构)的至少之一对于发射辐射的小分子或者发射辐射的聚合物的发射波长是透明的时，形成了有机发光二极管的封装的另一有利的实施形式。

本发明的一种优选的实施形式设计了，在两个覆盖层的对置的部分区域上施加另外的材料或者施加借助热压彼此相连的材料的连接层序列。这些材料特别是具有金或者其它惰性材料。然而在另外的实施形式中，也使用如下的连接层序列：这些连接层序列具有多个带有不同材料和功能的层。

为了封装有机发光二极管，本发明的另一有利的实施形式设计了：连接层序列具有至少一个金层、铝层、绝缘层、增附层、阻挡层和/或接触层。通过绝缘层，例如防止了在有机发光二极管的阳极和阴极之间的电短路。

在使用由金层、铝层和阻挡层构成的层序列时，铝的延展性结合金的惰性可以被用于借助热压来建立牢固的接合，而在此不会由于金和铝之间的接触出现所谓的紫痕。增附层尤其引起在层序列内的均匀的润湿。

接触层能够实现对在覆盖层和连接层序列内部被封装的OLED的接触。

该方法的另一有利的实施形式为OLED的封装设计了：在两个覆盖层之间封装了多个有机发光二极管结构，并且被封装的OLED结构随后被分割。该方法的该实施形式能够实现以低成本且有效率的方式和方法来实现制造多个有机发光二极管。

按照根据本发明的方法制造的有机发光二极管(OLED)由于所使用的热压方法而具有改进的密封封装，并且可以成本低廉地制造。通过借助金属连接的改进的密封封装，这种有机发光二极管通常具有更长的寿命。此外，有机发光二极管结构在接合步骤期间仅仅短时间地经受较高的温度。

本发明的另外的优点和有利的改进方案在下面从附图中所描述的实施例中得出。其中：

图1示出了在制造多个薄层半导体器件时，用于应用在根据本发明的方法中的可能的层构造，

图2示出了用于制造根据本发明的薄层半导体器件的另外的层构造，

图3示出了用于制造根据本发明的半导体器件的第三层构造，

图4示出了用于使用在根据本发明的方法中的、连接层的另一层构造的实施例，

图5示出了用于制造多个封装好的有机发光二极管的方法的示意性视图。

在附图中的视图是示意性的，并且并非按比例绘出。

图1在部分图1A)中示出了用于根据本发明的方法的、在替代衬底上的层序列的一种有利的实施形式。在此，在支承体或者替代衬底5上，例如在锗支承体、陶瓷支承体、金属片或者任意的半导体晶片上首先施加金层4作为接触层。本发明包括所有导电的材料作为接触层，以应用在该方法中。

接触层4之后是阻挡层3。这种阻挡层可以具有钛和钨构成的合金(TiW)或者钛钨和氮构成的合金(TiW:N)。此外，由镍构成的阻挡层或者由镍结合由钛钨氮(Titanwolframstickstoff)构成的合金所构成的阻挡层也是可能的。在TiW:N合金内，钛原子和钨原子通常没有被完全氮化。所说明的合金可以具有不同浓度的单个合金成分。在此，合金成分的浓度取决于根据本发明的方法的参数。这些阻挡层的厚度也取决于方法参数，例如取决于工艺温度和作用持续时间以及热压方法的压力。

阻挡层3之后是增附层2。这种增附层可以具有钛、钛和铂的层序列或者铬层。该增附层之后设置有连接层1a。该方法通常设置金层作为连接层。金层1a的厚度可以是2000nm。其它实施形式也可以设置，替代简单的金层使用由多个层构成的层序列。

在图1B)中在生长衬底9上并排设置了多个类似的半导体发光二极管结构，其中只有一个结构具有参考标记。生长衬底9可以是任意的半导体晶片，特别是砷化镓晶片。在生长衬底9上制造LED结构时，首先以常用的方法沉积未进一步详细示出的发光二极管结构8。例如，这可以是基于AlGaInP(铝镓铟磷)的发光二极管结构，然而也可以是任意其它可能的发光二极管结构。在此，发光二极管结构8具有根据功能构建的半导体层序列。这些层序列可以包括有源层、掺杂层、缓冲层和另外的层。

各个发光二极管结构8之后设置有接触层7。根据本发明的接触层可以例如由金锗合金(Au:Ge)构成。

这些接触层7之后又设置有阻挡层6。层序列可以具有钛钨、氮化钛钨、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、铌(Nb)、镍层或者这些材料的组合作为阻挡层。阻挡层6之后又分别设置有连接层1b。这些连接层1b由金构成，或者本身又具有由金层、阻挡层和另外的层(优选可延展的金属层)构成的层序列。由金构成的连接层的厚度在该实施例中为大约100nm。

在根据本发明的方法中，部分图1A)和1B)的层序列以连接层1a、1b的侧相互接触，并且随后通过热压彼此接合。在该接合步骤之后，生长衬底9被去除，并且单个的发光二极管结构被例如通过锯割来分割。由此，形成了本发明范围中的器件。

在热压的接合步骤中，两个层序列在高压下被相互挤压。在处理具有100mm的直径以及发光二极管结构的覆盖率为大约50％的晶片时，在此在接合步骤期间必须使用至少为1,000牛顿的力。稳定的过程通过5,000至100,000牛顿之间的力来实现。

在两个层结构被挤压时，该装置被加热到200℃到500℃之间的温度。在此有利的是，在基于氮化镓铟的发光二极管结构情况下，设计350℃到400℃的温度范围，并且在铝镓铟磷发光二极管结构的情况下，设计350℃到500℃之间的温度范围。在使用具有紧接着的、如图1A)中所示的金层4的锗支承体5的情况下，应当将工艺温度限制为360℃。

所使用的工艺温度至少作用到连接件上持续10秒钟，而更好地为超过1分钟。该方法的特别优选的实施形式设计了，温度作用到连接件上2分钟至10分钟。工艺温度的作用持续时间的上限通过对生产能力(生产率)的要求或者通过半导体层结构的要求来给出。太长的作用时间会影响或者甚至损坏层结构。

图2示出了用于根据本发明的方法的层序列的另一有利的实施形式。在部分图2A)中，在替代衬底22之后朝着以后的接合区方向设置了连接层21a。替代衬底可以由半导体晶片、金属片或者陶瓷支承体构成。特别优选的是，替代衬底22可以由钼片构成。连接层21a通常是金层，但是也可以是至少一个金层与另外的阻挡层以及另外的金属层的组合构成。

在部分图1B)中示出了用于根据本发明的方法的、用于制造薄膜半导体器件或者薄层晶片半成品的层序列的一个实施形式。在此，在生长衬底25之后设置有至少一个未被详细示出的半导体结构24，其中该生长衬底例如由半导体材料、特别是半导体晶片例如砷化镓晶片或者蓝宝石晶片构成。半导体结构24可以具有发光二极管结构或者任意其它的半导体器件的结构。例如，这可以是基于氮化镓铟(GaInN)的发光二极管结构。

在该半导体层结构之后设置有由银(Ag)构成的增附层23，其中该半导体层结构具有掺杂层、有源层、接触层和/或反射层。在该增附层23之后又设置有连接层21b。根据本发明的方法优选通常制造由金(Au)构成的连接层21b，但是连接层甚至也可以具有自己的层结构。这样，这些层结构可以由多个金属层和/或至少一个阻挡层构建。

部分图2A)和2B)的层序列在根据本发明的方法中借助热压来彼此接合。在此，在高压下使用工艺温度，该工艺温度在工艺持续时间上作用于层结构上。通过这种方式，在热压步骤中形成了接合区，而不会导致金属熔化。在该接合区内，特别是在使用金的情况下，导致各金属微晶越过原来的接合边界再结晶，使得在热压之后，不再能够识别出明显的接合边界。由此，不仅保证了良好的导热连接而且保证了良好的导电连接。此外，两个层序列牢固地彼此接合。

图3在部分图3A)和3B)中示出了用于借助热压使用在根据本发明的接合方法中的层序列的实施形式。在此，在部分图3A)中，在替代衬底35上设置了中间层34，其例如可以具有铝，其中该替代衬底例如可以是由半导体材料以及尤其是锗晶片构成的晶片，或者是陶瓷支承体或者金属片。

在该中间层34上设置了阻挡层33，该阻挡层例如可以由钛钨合金构成。在该阻挡层33上设置了增附层32，其例如包含铂。该增附层32之后跟随着例如由金构成的连接层31a。

在部分图3B)中所示的层序列中，在例如由砷化镓(GaAs)构成的生长衬底30上，设置了例如包含SiN_x的反射层39，该反射层具有硅氮化合物。该反射层之后跟随着接触层38，其附加地具有反射功能。该接触层38例如由金锌合金(Au:Zn)构成或者包含金锌合金(Au:Zn)，其可以具有100nm至3μm之间的厚度。替代地，接触层具有金和锗构成的合金(Au:Ge)。该接触层38也作为两种合金的组合来制造，和/或附加地具有作为反射器的功能。

该接触层38之后设置了阻挡层37。该阻挡层例如由钛钨合金或者钛钨氮合金构成。在该阻挡层37之后设置了增附层36。增附层36例如由钛或者由铂构成，或者甚至具有由钛和铂构成的层序列。在该增附层36之后设置了优选由金构成的连接层31b。

连接层31b和31a例如由金构成，但是也可以具有由不同的材料构成的层序列和阻挡层。金属层在此例如借助PVD或者CVD来涂覆，但是也可以附加地具有在层序列内的、由金属粉末构成的中间层。除了由砷化镓构成的生长衬底30之外，层30也可以具有半导体层序列，其中半导体层序列甚至又可以具有功能层，如有源层、掺杂层、接触层、反射层和缓冲层。

在此，将基于砷化镓化合物的功能半导体层序列转移到由锗构成的替代衬底上是特别有利的，因为锗的热膨胀非常好地与砷化镓的热膨胀匹配，并且因此在热应变的情况下形成较少的内部张力。连接层31a和31b在根据本发明的方法中通过热压彼此接合。

在根据本发明的方法的一种优选的实施形式中，根据部分图1A)和1B)的层序列在340℃的工艺温度下以6.5kN的力彼此挤压3分钟。替代衬底侧的层序列在此具有1000nm的金层，并且生长衬底侧的层序列具有1200nm的金层层厚。这两个金层或者连接层31a和31b在第一尝试中通过使用上面所提及的工艺温度来接合。在此。在具有100mm直径的晶片的整个面上出现均匀的连接。特别地，在超声检验和其它检验中，没有可见的接合界面。金属层的颗粒被均匀地越过界面被再结晶，使得在此在接合区域中不会出现空腔、缩孔或者微孔。

图4在部分图4A)和4B)中分别示出了在根据本发明的方法中用于连接层的层序列以及相应的器件。在此，分别在铝层44a、44b上施加钛钨合金和/或钛钨氮合金和/或镍构成的阻挡层42a、42b。在这些阻挡层42a、42b上分别施加金层41a、41b。这些连接层在根据本发明的方法中通过热压彼此接合。

在此结合金的惰性利用了铝的延展性或可塑性。然而，这种连接层的可能的实施形式并非仅限于铝或金，而是可以是所有的具有类似的延展特性的金属或者具有类似的惰性的贵金属。

连接层的这种构造能够实现热压，该热压特别是没有超声焊接过程或者摩擦过程。如果这些连接层或者层序列在根据本发明的方法中彼此接合，则形成了最内部的层(例如金层41a、41b)的金属连接，而不会转变为液态的金属熔化物。连接层在高压下以及高达500℃的工艺温度下彼此挤压，由此导致最内部的层的惰性材料或者金的金属微晶再结晶。形成了牢固的和持久的连接。

图5示出了用于根据本发明的用于制造或者封装有机发光二极管(OLED)的方法的层的构造。在部分图5A)中示出了通过热压之前的装置的示意性截面图。部分图5A)特别是示出了两个覆盖层52a、52b，它们通过热压方法持久地彼此相连，其中由此将有机发光二极管结构53持久地封装。

这些覆盖层52a、52b优选至少部分地由透明的材料构成。该材料例如具有玻璃或者不同的聚合物。此外，这些层可以在朝向接合区的侧上具有另外的功能层。这例如是用于有机发光二极管结构53的阳极或者阴极的接触层。每个有机发光二极管结构53都分别有两个连接层结构51a位于侧面，这些连接层结构本身分别在对置的层上又与作为连接件的连接层结构51b相对。

连接层结构51a、51b由金构成，或者也具有可延展的并且惰性的金属的层以及阻挡层构成的组合。特别有利的是，这些连接层由金构成，或者由例如在图4中所给出的层结构构成。此外，连接层结构特别是具有附加的功能层。增附层或者绝缘层属于这种功能层，它们使这两个要连接的覆盖层彼此电绝缘。附加地，覆盖层52a、52b可以具有特别构建的光耦合输出面或者光耦合输入面。在一种根据本发明的方法中，连接层结构51a、51b借助热压彼此相连。在此，可以选择已经提及的工艺参数。

部分图5B)示出了这种装置的俯视图。在此，在矩形的格栅中将多个有机发光二极管结构53设置在两个透明的片52之间。在优选的实施形式中，这些片具有0.4×0.5m²的大小。如果这些覆盖层或者片52通过热压方法连接，并且由此将各个有机发光二极管结构53封装，随后可以将这些发光二极管结构分割。在优选的实施形式中，这些被分割的OLED具有大约3×5cm²的大小。

分割分别沿着在部分图5A)中所示的虚线来进行。这些线在那里标记出了所谓的“划痕框架(Ritzrahmen)”的走向。延伸至部分图5A)的虚线示出了在连接层结构51a和51b之间的分离线或者划痕框架的走向。

关于根据本发明的、用于封装有机发光二极管的连接方法，有利的是可以使用所有在说明书中所说明的工艺参数和特征。同样，连接层51、51b可以具有由所有在本发明的说明书中所说明类型的层构成的层序列。

Claims (18)

1.一种用于借助接合层将多个层序列相连的方法，所述接合层是通过热压形成的，所述多个层序列分别包含至少一种可热连接的材料，其中这些层序列的至少一个层序列具有半导体材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，金属、特别是金作为可热连接的材料被热压缩。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，半导体材料具有外延地结构化的层序列，该层序列主要由III-V-半导体材料构成。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，半导体材料具有薄膜芯片，特别是薄层发光二极管。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，层序列具有替代衬底，替代衬底和半导体材料分别具有金层，并且这些金层借助热压被连接成共同的接合层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，金层具有不同的厚度。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在第一金层和半导体材料之间，或者在第二金层和替代衬底之间分别设置了选自以下组的至少一个功能层：该组由增附层、反射层、阻挡层、势垒层、接触层和缓冲层构成。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，从接合区出发来看，在至少一个具有惰性材料的层之后设置有阻挡层和具有可延展的金属的层，特别是具有铝的层。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，热压方法没有如摩擦运动或者超声焊接过程的方法步骤。

10.一种器件，其具有半导体材料和根据权利要求1至9中的任一项所述的接合层。

11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，至少一个连接件在部分区域中具有用于电接触的接触面。

12.一种半成品，特别是晶片，其具有半导体材料和根据权利要求1至9中的任一项所述的接合层。

13.一种用于制造有机发光二极管的方法，其特征在于，选自以下组中的至少一个元素借助热压被封装在两个覆盖层之间：该组由阳极、阴极、发射辐射的聚合物、电子空穴导电的聚合物、发射辐射的小分子以及电子空穴导电的小分子构成。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，两个覆盖层的至少之一具有透明的材料。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，在两个覆盖层的部分区域上施加了另外的材料或者施加了借助热压彼此相连的材料的层序列。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，层序列具有以下组中的至少一个元素：该组由元素金层、铝层、绝缘层、增附层、阻挡层以及接触层构成。

17.根据权利要求13至16中任一项所述的方法，其特征在于，在两个覆盖层之间设置了多个有机发光二极管结构，并且这些结构在封装之后被分割。

18.一种有机发光二极管(OLED)，其根据权利要求13至17中的任一项来制造。

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