CN101273458A - 增强模式ⅲ族氮化物场效应晶体管 - Google Patents

增强模式ⅲ族氮化物场效应晶体管 Download PDF

Info

Publication number
CN101273458A
CN101273458A CNA2005800069256A CN200580006925A CN101273458A CN 101273458 A CN101273458 A CN 101273458A CN A2005800069256 A CNA2005800069256 A CN A2005800069256A CN 200580006925 A CN200580006925 A CN 200580006925A CN 101273458 A CN101273458 A CN 101273458A
Authority
CN
China
Prior art keywords
current
iii group
gate electrode
layer
iii
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800069256A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101273458B (zh
Inventor
罗伯特·比克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies North America Corp
Original Assignee
International Rectifier Corp USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Rectifier Corp USA filed Critical International Rectifier Corp USA
Publication of CN101273458A publication Critical patent/CN101273458A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101273458B publication Critical patent/CN101273458B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66431—Unipolar field-effect transistors with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
    • H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
    • H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
    • H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
    • H01L29/32—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
    • H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
    • H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
    • H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1066—Gate region of field-effect devices with PN junction gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds

Abstract

Ⅲ族氮化物开关包括一个带凹槽的栅极接触，来产生一个名义上截止的、或者是一个增强模式的器件。通过提供一个带凹槽的栅极接触，当栅电极不活跃而阻止器件中的电流时，形成在两个Ⅲ族氮化物材料界面上的导通沟道被阻断。该栅电极可以是一个肖特基接触或者是一个绝缘的金属接触。两个栅电极可以被提供来形成一个具有名义上截止特性的双向开关。形成在栅电极上的凹槽具有倾斜的侧面。该栅电极以很多几何形状来形成，与器件的载流电极相连接。

Description

增强模式Ⅲ族氮化物场效应晶体管
相关申请的交叉引用
[0001]本申请是基于美国临时申请，并且要求了它的权利，其申请号是No.60/538795，申请日是2004年1月23日，名称是基于蚀刻栅极的增强模式场效应晶体管，因此本申请要求了其优先权并且将参考它的内容合为一体进行公开。
发明的背景
技术领域
[0002]一般来说，本发明涉及一类基于III族氮化物材料的场效应晶体管，并且更特别是一种增强模式的场效应晶体管。
背景技术
[0003]目前已知III族氮化物半导体目前显示出大于2.2MV/cm的大的介质击穿电场。III族氮化物异质结结构也可以承载极高的电流，这使得由III族氮化物系材料制造的器件在功率应用方面表现卓越。
[0004]一般来说，基于III族氮化物材料器件的发展目标是高功率-高频率的应用，比如移动电话基站的发射器。为这些类型应用制造的器件是基于一般的器件结构，这些器件结构显示出高电子迁移率，并参考了多种器件，诸如异质结场效应晶体管(HFET)，高电子迁移率晶体管(Highelectron mobility transistor)(HEMT)或调制掺杂型场效应晶体管(MODFET)。典型地，这些类型的器件在典型范围是2-100GHz的高频率下运行时，可以经受100V的高电压。可以对这些类型的器件进行变更以作多种应用，但典型地是通过对压电极化场的使用以产生一种二维电子气(2DEG)进而操作这些器件，该二维电子气被允许具有非常低电阻损耗的非常高电流密度的传输。在这些常规的III族氮化物HEMT器件中，2DEG形成于铝镓氮(AlGaN)和氮化镓(GaN)材料的界面上。由于AlGaN/GaN界面的特性和在界面形成的2DEG，由III族氮化物材料系统中形成的器件名义上趋向导通或者作为耗尽型的器件。位于AlGaN/GaN层界面的2DEG的高电子迁移率允许III族氮化物器件，比如HEMT器件，在没有栅极电位应用的情况下导电。先前制造的HEMT器件名义上导通的特性限制了其在功率管理上的适用性。在能够用III族氮化物HEMT器件安全地控制功率以前，观测到名义上导通的功率器件的局限在于需要具有一个被充电并可供使用的控制电路。因此，期待发明一种名义上截止的III族氮化物HEMT器件以便在开启和其他模式期间避免电流传导的问题。
[0005]那些允许具有低电阻损耗高电流密度III族氮化物HEMT器件的一种缺点在于在应变AlGaN/GaN系统中只能获得有限的厚度。这些类型材料的晶格结构的差异产生了一种的应变，该应变能够导致薄膜生长的位移，以产生不同的层。例如，这导致了势垒层中的泄漏水平很高。一些先前的设计集中在降低AlGaN层的平面内晶格常数至接近松弛点，来降低位移的产生和泄漏。然而，这些设计没有提到解决有限厚度的问题。
[0006]另一种解决方案是增加绝缘层来防止泄漏问题。绝缘层的增加可以降低通过势垒层的泄漏，并且用于这个目的的典型层是氧化硅，氮化硅，蓝宝石，或其他绝缘体，置于AlGaN和金属栅极层之间。这种类型的器件经常参考自一种金属绝缘物半导体异质结构场效应晶体管(MISHFET)，并且具有一些没有绝缘层的传统器件所没有的优点。
[0007]虽然附加的绝缘层能够形成较厚的应变的AlGaN/GaN系统，但是由于GaN/绝缘体界面上电子产生的散射效应，由附加绝缘层产生的限制层导致了较低的载流量。同时，附加的绝缘层可以允许较厚的应变的AlGaN/GaN系统的构成。同样，AlGaN层和绝缘体之间的附加界面还导致界面陷阱状态的产生，减缓了器件的响应。氧化物的附加厚度，加上两层之间的附加界面，也导致了使用更大的栅极驱动电压来开关该器件。
[0008]常规器件的设计使用氮材料来获得名义上的截止器件，该器件依靠该附加绝缘体作为限制层，并且可能减少或消除顶部的AlGaN层。然而，由于GaN/绝缘体界面处的散射，这些器件典型地具有较低的载流量。
[0009]因此，需要生产一种名义上截止的HEMT开关器件或者是一种具有低泄漏特性的场效应晶体管(FET)、该FET还具有较少的界面和层，但仍能经得起高电压和并产生具有低电阻损耗的高电流密度。目前，通过许多技术使用GaN和AlGaN合金来制备平面型器件，这些技术包括包括MOCVD(金属有机化学汽相沉积)以及分子束外延(MBE)和氢化物汽相外延(HVPE)。
[0010]氮化镓材料系统中的材料可以包括氮化镓(GaN)及其合金，比如氮化镓铝(AlGaN)，氮化镓铟(InGaN)和氮化镓铟铝(InAlGaN)。这些材料是具有相对宽的直接带隙的半导体化合物，该带隙能够允许高能电子跃迁的发生。氮化镓材料已经被形成在许多不同的衬底上，包括碳化硅(SiC)，蓝宝石和硅。硅衬底是容易得到的并且相对不贵，并且硅处理技术已经发展得很完善。
[0011]然而，在硅衬底上形成氮化镓材料来制造半导体器件出现了挑战，这些挑战来自于硅和氮化镓之间的晶格常数，热膨胀和带隙的不同。
[0012]伴随GaN和传统衬底材料之间的晶格不匹配问题在涉及GaN和GaN合金的材料层结构中依然是普遍的。例如，GaN和AlGaN材料具有晶格结构，该结构有足够大的差异从而在层间产生界面应变，形成压电极化。在许多先前的器件中，将由压电极化产生的场进行控制以变更器件的特性。AlGaN/GaN层结构中铝含量的改变趋向于改变材料之间的晶格不匹配，从而获得不同的器件特性，诸如获得改善了的电导率或绝缘势垒。
[0013]一种类型的器件能够从一个名义上截止的FET器件的实现中获得很大的好处，该器件就是一个能够作为半导体器件实现的双向开关。许多申请通过双向开关的实现来获得很大的改善，所述双向开关是作为增强模式器件，这是有潜力的。目前，双向器件有些复杂并且典型地是由分立集成电路(IC)器件组成。虽然名义上导通的III族氮化物双向开关对在许多应用中有优势，但是将更喜欢把名义上截止，或者是增强模式的器件用于应用的变化，包括电机驱动和功率转换系统。
发明内容
[0014]依据本发明，提供了一种名义上截止或者增强模式的FET器件，该器件在III族氮化物材料体系中实现，该器件可以通过栅极偏压的应用来开启。根据本发明的FET包括一个形成在底部III族氮化物材料上的顶部III族氮化物材料。这两个III族氮化物材料具有不同的平面内晶格常数或者不同的带隙。根据本发明的FET能够承载高电流，这归因于III族氮化物材料体系的性质，其中压电和自发极化场对形成2DEG做出贡献，该2DEG允许高载流子迁移率和大的电流通过量。
[0015]根据本发明的一个方面，该器件包括一种变更，这种变更产生作用从而改变2DEG密度，这样，当其栅极没有应用偏压时该器件是截止的。优选的变更是在一个III族氮化物材料(最好是顶部的III族氮化物材料)中，在栅极下面形成一个凹槽，但可以是一个离子注入区，一个扩散区，氧化，或者氮化。在一个优选的实施例中，该变更形成在顶部III族氮化物材料中。然而，根据本发明的器件可以包括在底部III族氮化物材料中的一个变更。
[0016]依照本发明的一个优选的实施方式，形成一个具有凹槽栅极的名义上截止的开关，以便允许在栅电压应用时，在栅极下方形成一个2DEG。当没有电压应用到栅极因此2DEG不能导通时，这个变更改变了该2DEG的密度，但是当在栅极应用偏压时，该2DEG恢复并且具备导通的能力。
[0017]与本发明优选的实施方式一致，提供了一个由氮化镓材料层组成的FET器件及操作方法，例如生长在GaN上的AlGaN，并且包括两个源/漏电极和一个栅电极。
[0018]有利地是，覆面层和接触层可以生长在有源区域上方或下方。其他已知的用于生成电极，绝缘层等的工艺也可应用在本发明中。
[0019]根据本发明的一个特性，提供一个好的GaN绝缘体界面来改善载流能力，而不是在有源区提供附加的绝缘层或结构。没有附加的绝缘层，当在2DEG中的电子被累积起来的时候，这里描述的异质界面的外延特性导致这些电子的迁移率更高量级。
[0020]根据本发明的另一个实施方式，在III族氮化物材料体系中实现的名义上截止的双向开关提供了一个AlGaN/GaN界面为2DEG的形成提供位置。AlGaN层中围绕栅极接触的区域被蚀刻掉，以便消除局部的2DEG，从而获得增强模式器件。依照本发明的一个特性，栅电极与任一个源电极是等距的，该源电极为双向开关形成载流路径。
[0021]根据本发明的另一个实施方式，提供了一个具有双栅极的双向开关，其中一个栅电极与一个源电极配对来获得一个具有多栅极的双向开关。根据本发明的一个特性，将栅极周围区域中的AlGaN层蚀刻掉从而形成一个增强模式器件，其中AlGaN/GaN层之间的2DEG被局部消除。
[0022]根据本发明的另一个实施方式，一种在III族氮化物材料体系中构造FET的方法，提供用补偿GaN层覆盖衬底，该补偿GaN层由AlGaN覆盖，并且随后覆盖掺杂的GaN层。可以将该掺杂的GaN层进行蚀刻并且形成源/漏电极。将该AlGaN层蚀刻，以便在层界面处的2DEG中形成障碍，成为一个名义上截止的开关。例如可以通过绝缘层形成栅电极，并利用适当的材料将其金属化，例如钛钨(TiW)。也通过绝缘体层来形成源/漏极接触并对其进行金属化处理以便提供适当的接触。
[0023]III族氮化物半导体材料体系中的大介质击穿场允许构造名义上截止的功率器件，该器件具有减少了尺寸的隔开区域。该材料体系也允许制备器件，该器件与已知相似额定电压的器件相比具有减少了的阻抗特性器件的产生。在这里讨论的GaN/AlGaN器件的情况下，与垂直的几何相似物相比较，在额定电压大约是300V时，平面器件在阻抗特性方面有大约100倍的变更。
[0024]III族氮化物高电子迁移率晶体管(HEMT)器件可以利用对称特性来允许名义上截止的双向开关的制造，该开关可以在不牺牲晶片面积的情况下阻断两个方向的电压。由于这个相对传统开关仅在单方向上阻断电压的优点，一个双向开关可以代替四个单方向开关，并且可以获得相同的总阻抗。
[0025]根据本发明，名义上截止的双向开关的双栅极设计允许器件中电压隔开区域(standoff region)的共用。在双栅极设计共享电压支架区域的位置，用来制造具有双栅极的增强模式双向开关的晶片面积就可以大大降低。
[0026]本发明的另一个优点，例如，一对名义上截止的双向开关可以在单一半导体结构内实现，从而形成一个具有公共漏极的双向半桥电路。双向半桥设置在很多应用中都是有用的，包括电机驱动系统和功率转换器以及其他已知的功率控制应用。例如，许多名义上截止的双向开关可以通过单一器件来实现，从而产生一个三相桥电路，一个全桥电路或者一个半桥电路。另外，也可以将根据本发明的器件合并到肖特基桥中。
[0027]依照本发明的一个具体实施方式，一个具有栅极，源极和漏极区域的名义上截止的器件由使用一个两层AlGaN/GaN材料来确定，从而生成一个III族氮化物HEMT器件。源极和漏极可以根据已知的方法来形成，包括离子注入，蚀刻移除源极和漏极上的势垒区域以及低阻抗欧姆接触形成工艺的应用。
[0028]该器件的特征还在于栅极接触的低泄漏和来自势垒层的高击穿场。因此，该器件与常规绝缘体相比，像SiO2和SiN，提供了一个更大的介电常数。GaN材料的高临界场允许薄层经得起高电压而不发生介质击穿。GaN材料的介电常数大约是10，比SiO2强2.5倍。
[0029]本发明的其他特征和优点将参考附图从以下对其的描述中变得清楚。
附图说明
[0030]图1是一个局部形成III族氮化物器件的剖面图
[0031]图2展示了图1中器件的蚀刻栅极区域
[0032]图3展示了图2中的器件具有一个栅极接触
[0033]图4是根据本发明的绝缘栅极III族氮化物器件的剖面图
[0034]图5是与本发明一致的具有双栅极的III族氮化物器件的剖面图
[0035]图6是局部形成III族氮化物器件的剖面图说明了根据本发明的一种工艺
[0036]图7至11说明了根据本发明的器件中的栅极结构的变化
具体实施方式
[0037]在GaN材料器件的构造中，许多因素对该器件的功能和性能产生影响。III族氮化物材料中巨大的晶格不匹配，以及很强的压电和极化效应对III族氮化物异质结器件的电特性有重大影响。到目前为止，几乎所有已报告的基于GaN的HEMT均使用具有合金成分的应变的GaN-AlGaN结，将这些结的接合处设计成降低应变，以此来避免位错，而这种位错可能会成为器件长期不稳定的原因。已提出多种器件和体系，用于构建异质结器件，从而控制晶格不匹配以及GaN-AlGaN结的应变。特别将这些器件设计成利用压电和自发极化效应的优点，并且从而使器件长期不稳定最小化。
[0038]典型地，GaN/AlGaN HEMT器件具有三个端子，包括栅极，漏极和源极端子，用来控制电功率流。施加在栅极端子上的电位控制电流，使其通过导电沟道从漏极端子流向源极端子。该导电沟道由两种不同半导体材料之间的至少一个异质界面来确定。
[0039]当AlGaN/GaN材料组成HEMT中的半导体材料时，以及使用AlGaN作为势垒层时，出现了由AlGaN的自发极化特性产生的压电电荷及已知作为压电极化场的应变诱导特性。在构建HEMT器件中，对这些场形成的控制导致其具有不同的特性，这些特性根据这些器件如何表现其特点使GaN基HEMT器件适合范围更宽的应用。
[0040]由GaN材料形成的典型HEMT器件包括一个置于沟道层上的AlGaN势垒层，以便诱导一个2DEG，该2DEG在沟道中产生高浓度电子，从而因此增加该沟道的导电特性。由于形成在GaN/AlGaN层界面的2DEG的存在，根本上，形成的HEMT是名义上导通的，这是因为沟道的存在允许源极和漏极之间的导通。
[0041]现在参考图1，将本发明中器件形成的最初阶段描述为器件10。器件10包括一个衬底12，一个绝缘的GaN层14和有源AlGaN层16。欧姆接触18形成在AlGaN层16之上作为由此形成的HEMT器件中源极和/或漏极端子之间的连接。GaN/AlGaN界面15形成一个具有2DEG的导电沟道，该2DEG允许欧姆接触18之间有电流。
[0042]器件10中的GaN层14具有一个比AlGaN层16大的平面内晶格常数。很明显的是，只要界面允许形成一个供电流导通的沟道，那么可以使用其他III族氮化物材料来形成器件10。衬底12是一个绝缘衬底，但可以是高电阻的，并且典型地是由熟知的材料形成的，比如碳化硅，硅，蓝宝石和其他熟知的衬底材料。
[0043]参考图2和图3，根据本发明的器件包括一个变体，该变体的功能是改变2DEG的密度，因此该器件变成名义上截止的，也就是说2DEG是阻断的。在本发明的优选实施方式中，将一个凹槽20蚀刻在AlGaN层16中。凹槽20包括倾斜的侧壁22，但是不必依照任何特定的几何图形来构造。凹槽20允许将一个栅极接触30沉积在与AlGaN层16和GaN层14之间界面十分接近的地方。栅极接触30由肖特基金属组成，例如，在由2DEG建立的沟道中，作为电流的控制端子。通过将栅极接触30沉积在凹槽20中，栅极接触下方的2DEG被消除，从而阻断器件31中的载流沟道。在一个不活跃的状态中，器件31在欧姆接触18之间不导电，因为由2DEG建立的载流沟道在栅极接触30下方被阻断。当电压应用于栅极30，以重建2DEG并在欧姆接触18之间提供载流沟道时，可操作器件31从而在欧姆接触18载流。在一个实施例中，施加在栅极接触30上的使器件31导通的电压比阈值电压具有更大的正向电压，该阈值电压与应用于由欧姆接触18形成的载流电极上的最大电压有关。
[0044]栅极接触30可以由位于AlGaN层16之上，沉积在凹槽20中的肖特基金属组成。由以上可知，只要层16的平面内晶格常数小于层14的平面内晶格常数，AlGaN层16就可以由任意III族氮化物材料层替换。
[0045]对于欧姆接触18和栅极接触30，器件31可以用很多不同的几何图形来构建。例如，栅极接触30可以是一个围绕欧姆接触18的肖特基接触。也可以将栅极接触30形成于围绕欧姆接触18的一部分，其具有缺口或蚀刻区域这些缺口或区域形成用来限制器件31中特定方向或者特定区域的电流量。欧姆接触18和作为肖特基接触的栅极接触30也可以在空间上相互隔开不同的距离，从而增加或减少击穿电压和开启电阻参数。
[0046]栅极接触30下方的凹槽20阻止了栅极接触下方2DEG的形成，导致栅极接触下方的钳位电流。通过在AlGaN层16上提供一个带凹槽的栅极接触，将器件31的电流电压特性进行改变从而获得一个名义上截止而不是名义上导通的器件。因此，器件31运行于增强模式，而不是耗尽模式，并且允许使用器件31作为高功率开关，该开关在启动时不需要补偿，以便当控制电路系统中加电的时候避免导通。另外，由于器件31是增强模式的器件，也可以将器件31用于控制启动时的功率输出。也就是，器件31也可以用作为一个逻辑功率元件在启动和普通运行时控制功率流。
[0047]现在参考图4，本发明中另一个实施方式显示了作为器件41的本发明的一个替代的实施方式。器件41与器件31实质上是相似的，除了栅极接触40是由绝缘层42上的导电材料形成的。因此，栅极接触是绝缘接触而不是肖特基接触，并且能包括任意形式的金属导体来对栅极进行操作。对器件41的操作与对器件31的操作实质上是相同的，栅极40下的2DEG被阻断来形成一个名义上截止的器件。应用于栅极接触40的电压造成栅极接触40下面2DEG的形成，这个电压比应用于任何欧姆接触18上的电压大，并且器件41可以在欧姆接触18之间传导电流。绝缘层42也允许获得良好的密封和减少的泄漏。
[0048]现在参考图5，本发明的另一个实施方式被描述为器件56。器件56是一个具有两个栅电极50，52的双向场效应晶体管。如器件31和41，栅极50和52形成在AlGaN层16的凹槽中来提供一个名义上截止的开关。也就是说，栅电极50和52各自局部阻断栅极接触下方的2DEG，从而阻断由界面15提供的导通沟道。当两个栅极接触50，52被触发时，允许载流电极54，55之间的导通。例如，两栅极接触50，52获得的电位比任意电流承载电极54，55的大，以便在栅电极50，52下形成2DEG，从而在电极54，55之间形成完整的导通沟道。
[0049]通过绝缘层51，53栅极接触50，52与AlGaN层16绝缘，并且这两个接触可由任何导电材料组成。换句话说，栅极接触50，52可以是肖特基金属接触，与器件31中的栅极接触30相似。在这种情况下，由任意具有比层14小的平面内晶格常数III族氮化物材料组成的栅极接触50，52将能够与AlGaN层16直接接触。
[0050]双向器件56提供电极54，55之间平衡的电流传导，当其与各自的栅极接触50，52的间隔维持相等时。换句话说，通过在电极54和栅极接触50之间形成与电极55和栅极接触52之间相等距离的方式，能够平衡击穿电压，导通电阻及其他开关特性，这样不论电流是从电极54流向电极55还是相反，器件56的运行实质上是相同的。有源栅极是指表示通过高于阈值电压的电压对栅极进行操作，从而使开关转换状态。有源栅极还是指表示在一个名义上截止的器件中该栅极处于允许电流导通的状态。
[0051]栅极接触50，52二者被触发以便允许电流从电极54，55流入/出。如果栅极接触50，52二者或其中之一没有被触发，在电极54，55之间就没有电流。因此，双向器件56作为一个逻辑功率与门来操作，其中仅当两个“输入”都是有效时开关才是有源的，也就是栅极接触50，52是有源的。器件56因此可以被用作功率逻辑器件，对于启动时和普通运行条件下的功率控制是特别有用的。另外，通过对故障事件的检测和功率控制，可以使用器件56响应来对故障条件进行侦测或响应。
[0052]现在参考图6，描述了用于制造器件60的工艺，可以使用该工艺用来加工形成器件56。将一个光致抗蚀剂层62应用于62III族氮化物势垒层16上，并将开口64，65形成在光致抗蚀剂层62上。开口64，65具有倾斜的侧壁来允许一个蚀刻工序从而将倾斜的几何图形转移到III族氮化物势垒层16上。图2中描述的倾斜的侧壁22可以根据该工艺来形成。典型地，III族氮化物势垒层16由AlGaN组成，同时与光致抗蚀剂层62和开口64，65一起使用一个适当的蚀刻工艺从而确定了具有倾斜侧壁的层16中的凹槽。
[0053]欧姆接触，肖特基接触，绝缘层和金属接触的构建根据该工艺来执行。另外，钝化层和覆盖层可以应用在这里描述的增强模式晶体管中，还应用用于形成载流电极和栅极接触的工艺从而提供一个完成的器件。
[0054]由于器件56包括两个栅极接触50，52，因此产生的双向开关具有一个共享的漂移区，从而允许器件56具有一个减小的尺寸。由于器件56在尺寸上减小了，减小的开启阻抗也可以实现。
[0055]典型地，用于建造器件31，41和56的III族氮化物材料特征上相对常规材料展示出更好的阻断特性，因此由该材料建造的器件，在保持运行参数值时，相对常规材料建造的尺寸更小。由于器件31，41和56相对常规器件可以更小的尺寸来实现而执行相当的功能，所以减小的开启阻抗可以被实现来获得改善的功率效率。
[0056]另外，电极54，55可以由一个低阻抗欧姆接触工序来形成，来进一步变更器件56的工作特性。
[0057]虽然这里描述的优选的变更是一个形成在III族氮化物材料栅极下方的凹槽，但是根据本发明的器件变化可以是一个离子注入区域，一个扩散区域，氧化，或氮化。
[0058]同样，在优选的实施例中，该变更形成在III族氮化物材料的顶部。然而，依照本发明的器件可以包括一个在III族氮化物材料底部的变更。例如，离子可以被注入到GaN层中想要得到变化的2DEG的位置，并且然后AlGaN层可以生长在GaN层上。
[0059]现在参考图7，依照一个变体，根据本发明的器件可以包括一个离子注入区70。离子注入区70包括晶格缺陷，该缺陷用于阻断连接结构和其下方的2DEG。在显示的例子中，离子注入区70可以形成在凹槽20下方。然而凹槽20，不是必需的。
[0060]现在参考图8，在另一个变体中，栅极绝缘体42可以被忽略。
[0061]下面参考图9，栅极绝缘体42可以被一个P型GaN层72代替。应当指出的是，区域70可以被消除。还应当知道，参照示于图9中变体的器件不需要凹槽20。
[0062]下面参考图10，在另一个变体中，P型GaN层72可以被清除，并且代替AlGaN16中区域74的可以被氧化，氮化，或者是用掺杂剂来扩散。同样，该变体中的凹槽20也可以被忽略。
[0063]这种变更不必形成在AlGaN16中。相反，它可以形成在GaN14内部。例如，参考图11，依照本发明的器件可以包括一个形成在栅电极40下方GaN14中的P掺杂区域76。区域76掺杂了P型掺杂剂。通过AlGaN16，标准注入和退火工序可以被用来形成区域76，或者区域76可以被形成在GaN14内，并且然后被另一层GaN覆盖，然后是AlGaN。用来形成区域76的P型掺杂剂可以是镁，铁，铬，锌，镁或锌，它们将会是优选的掺杂剂。
[0064]虽然本发明已经描述了其中相对特殊的实施例，但是许多其他变化和变更以及其他应用相对本领域技术来说是显而易见的。因此，更好的是本发明不能由这里具体公开的内容来限制，仅能由附加的权利要求来限制。

Claims (19)

1. 一种增强模式III族氮化物器件，包括：
形成在第一III族氮化物材料和第二III族氮化物材料之间界面的导通沟道，这二种III族氮化物材料具有不同的平面内晶格常数或不同的带隙；
耦合至沟道的载流电极，以承载沟道电流；
耦合至沟道并且可操作的栅电极，以影响传导通道从而允许或者禁止传导沟道中的电流传导；和
形成于III族氮化物层中的一个上的变更，这样当栅电极不活跃的时候，界面上的传导沟道被阻断。
2. 根据权利要求1的器件，变更形成在第一III族氮化物材料中。
3. 根据权利要求1的器件，其中变更形成在第二III族氮化物材料中。
4. 根据权利要求1的器件，其中的栅极是一个肖特基接触。
5. 根据权利要求1的器件，进一步包括栅电极和一个III族氮化物层之间的绝缘层。
6. 根据权利要求1的器件，其中变更可以是凹槽，离子注入区域，扩散，氧化，或者是氮化。
7. 根据权利要求5的器件，其中栅电极是导电材料。
8. 根据权利要求1的器件，其中导电沟道是由二维电子气形成的。
9. 根据权利要求1的器件，其中的变更是一个具有倾斜边的凹槽。
10. 根据权利要求1的器件，其中的变更是一个具有变化浓度曲线的注入区域。
11. 根据权利要求1的器件，其中的载流电极为一个III族氮化物层提供欧姆接触。
12. 根据权利要求1的器件，进一步包括置于栅电极和一个III族氮化物材料之间的第三III族氮化物材料。
13. 根据权利要求1的器件，进一步包括与沟道耦合的第二电流承载电极用来承载沟道电流，其中通过该沟道，电流能够在两个载流电极之间流动。
14. 根据权利要求1的器件，进一步包括一个与沟道耦合的第二栅电极，用来允许或阻止沟道的导通。
15. 根据权利要求13的器件，进一步包括一个与沟道耦合的第二栅电极，用来允许或阻止沟道中的电流导通。
16. 根据权利要求15的器件，其中每一个栅电极与相应的载流电极间隔开。
17. 根据权利要求16的器件，其中栅电极和载流电极之间的间距对每一个栅电极和相应的载流电极来说实质上是恒定的。
18. 根据权利要求1的器件，其中的第一III族氮化物材料是AlGaN，第二III族氮化物材料是GaN。
19. 一种用于选择性地允许电流的半导体器件，包括：
一个衬底；
一个衬底上的GaN层；
一个GaN层上的AlGaN层；
一种形成在AlGaN层上的变更，用来阻断形成在AlGaN层和GaN层之间界面上的导通沟道；和
一个形成在凹槽中的栅电极，用于控制导通沟道从而允许或阻止沟道中的电流导通。
CN2005800069256A 2004-01-23 2005-01-24 增强模式ⅲ族氮化物场效应晶体管 Expired - Fee Related CN101273458B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US53879504P 2004-01-23 2004-01-23
US60/538,795 2004-01-23
US11/040,657 US7382001B2 (en) 2004-01-23 2005-01-21 Enhancement mode III-nitride FET
US11/040,657 2005-01-21
PCT/US2005/002267 WO2005070009A2 (en) 2004-01-23 2005-01-24 Enhancement mode iii-nitride fet

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101273458A true CN101273458A (zh) 2008-09-24
CN101273458B CN101273458B (zh) 2010-09-08

Family

ID=34810540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800069256A Expired - Fee Related CN101273458B (zh) 2004-01-23 2005-01-24 增强模式ⅲ族氮化物场效应晶体管

Country Status (7)

Country Link
US (4) US7382001B2 (zh)
JP (2) JP4909087B2 (zh)
KR (1) KR100796043B1 (zh)
CN (1) CN101273458B (zh)
DE (1) DE112005000223T5 (zh)
TW (1) TWI257172B (zh)
WO (1) WO2005070009A2 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102354705A (zh) * 2008-12-22 2012-02-15 三垦电气株式会社 半导体装置
CN103053083A (zh) * 2010-09-15 2013-04-17 松下电器产业株式会社 直流连接装置
CN103348480A (zh) * 2011-01-31 2013-10-09 宜普电源转换公司 用于氮化镓晶体管的离子植入及自行对准栅极结构
CN103579330A (zh) * 2012-07-23 2014-02-12 三星电子株式会社 氮化物基半导体器件及其制造方法
CN104091835A (zh) * 2014-06-17 2014-10-08 中国科学院半导体研究所 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法
CN107946187A (zh) * 2012-01-25 2018-04-20 住友化学株式会社 氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管
CN109461655A (zh) * 2018-09-21 2019-03-12 中国电子科技集团公司第五十五研究所 具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法
CN112531025A (zh) * 2019-09-17 2021-03-19 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管

Families Citing this family (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7465997B2 (en) * 2004-02-12 2008-12-16 International Rectifier Corporation III-nitride bidirectional switch
JP2005243727A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4744109B2 (ja) * 2004-07-20 2011-08-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
US7692298B2 (en) * 2004-09-30 2010-04-06 Sanken Electric Co., Ltd. III-V nitride semiconductor device comprising a concave shottky contact and an ohmic contact
JP4986406B2 (ja) * 2005-03-31 2012-07-25 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
JP4705412B2 (ja) * 2005-06-06 2011-06-22 パナソニック株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP4712459B2 (ja) * 2005-07-08 2011-06-29 パナソニック株式会社 トランジスタ及びその動作方法
US8183595B2 (en) * 2005-07-29 2012-05-22 International Rectifier Corporation Normally off III-nitride semiconductor device having a programmable gate
JP4751150B2 (ja) * 2005-08-31 2011-08-17 株式会社東芝 窒化物系半導体装置
JP2007095858A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Toshiba Ceramics Co Ltd 化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイス
JP2007149794A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界効果トランジスタ
US8044432B2 (en) * 2005-11-29 2011-10-25 The Hong Kong University Of Science And Technology Low density drain HEMTs
US7972915B2 (en) * 2005-11-29 2011-07-05 The Hong Kong University Of Science And Technology Monolithic integration of enhancement- and depletion-mode AlGaN/GaN HFETs
US7932539B2 (en) * 2005-11-29 2011-04-26 The Hong Kong University Of Science And Technology Enhancement-mode III-N devices, circuits, and methods
JP4705481B2 (ja) * 2006-01-25 2011-06-22 パナソニック株式会社 窒化物半導体装置
JP4705482B2 (ja) * 2006-01-27 2011-06-22 パナソニック株式会社 トランジスタ
JP2007220895A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体装置およびその製造方法
DE112007000667T5 (de) * 2006-03-20 2009-01-29 International Rectifier Corp., El Segundo Vereinigter Gate-Kaskoden-Transistor
US7408208B2 (en) * 2006-03-20 2008-08-05 International Rectifier Corporation III-nitride power semiconductor device
JP5147197B2 (ja) * 2006-06-06 2013-02-20 パナソニック株式会社 トランジスタ
US8399911B2 (en) * 2006-06-07 2013-03-19 Imec Enhancement mode field effect device and the method of production thereof
JP2007329350A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US7541640B2 (en) * 2006-06-21 2009-06-02 Flextronics International Usa, Inc. Vertical field-effect transistor and method of forming the same
JP5228291B2 (ja) * 2006-07-06 2013-07-03 日産自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP5036233B2 (ja) * 2006-07-06 2012-09-26 シャープ株式会社 半導体スイッチング素子および半導体回路装置
US7504679B2 (en) * 2006-07-20 2009-03-17 International Rectifier Corporation Enhancement mode GaN FET with piezoelectric gate
JP4755961B2 (ja) * 2006-09-29 2011-08-24 パナソニック株式会社 窒化物半導体装置及びその製造方法
JP5126733B2 (ja) * 2006-09-29 2013-01-23 独立行政法人産業技術総合研究所 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP5186096B2 (ja) 2006-10-12 2013-04-17 パナソニック株式会社 窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法
JP5261923B2 (ja) * 2006-10-17 2013-08-14 サンケン電気株式会社 化合物半導体素子
US8203376B2 (en) * 2006-11-20 2012-06-19 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for driving the same
US7863877B2 (en) * 2006-12-11 2011-01-04 International Rectifier Corporation Monolithically integrated III-nitride power converter
JP2008153748A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 双方向スイッチ及び双方向スイッチの駆動方法
JP4712683B2 (ja) * 2006-12-21 2011-06-29 パナソニック株式会社 トランジスタおよびその製造方法
JP2008211172A (ja) * 2007-01-31 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7838904B2 (en) * 2007-01-31 2010-11-23 Panasonic Corporation Nitride based semiconductor device with concave gate region
US20080203433A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Sanken Electric Co., Ltd. High electron mobility transistor and method of forming the same
US8455920B2 (en) * 2007-05-23 2013-06-04 International Rectifier Corporation III-nitride heterojunction device
US8148718B2 (en) * 2007-05-31 2012-04-03 The Regents Of The University Of California Low voltage transistors
WO2009001529A1 (ja) * 2007-06-22 2008-12-31 Panasonic Corporation プラズマディスプレイパネル駆動装置及びプラズマディスプレイ
US20090050939A1 (en) * 2007-07-17 2009-02-26 Briere Michael A Iii-nitride device
US8502323B2 (en) * 2007-08-03 2013-08-06 The Hong Kong University Of Science And Technology Reliable normally-off III-nitride active device structures, and related methods and systems
JP4775859B2 (ja) * 2007-08-24 2011-09-21 シャープ株式会社 窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置
JP4514063B2 (ja) * 2007-08-30 2010-07-28 古河電気工業株式会社 Ｅｄ型インバータ回路および集積回路素子
WO2009036266A2 (en) * 2007-09-12 2009-03-19 Transphorm Inc. Iii-nitride bidirectional switches
US20090072269A1 (en) * 2007-09-17 2009-03-19 Chang Soo Suh Gallium nitride diodes and integrated components
JP2009071220A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US7999288B2 (en) 2007-11-26 2011-08-16 International Rectifier Corporation High voltage durability III-nitride semiconductor device
FR2924271B1 (fr) 2007-11-27 2010-09-03 Picogiga Internat Dispositif electronique a champ electrique controle
JP5433214B2 (ja) * 2007-12-07 2014-03-05 パナソニック株式会社 モータ駆動回路
JP5032965B2 (ja) * 2007-12-10 2012-09-26 パナソニック株式会社 窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法
JP2009164158A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
US8063616B2 (en) * 2008-01-11 2011-11-22 International Rectifier Corporation Integrated III-nitride power converter circuit
US9048302B2 (en) * 2008-01-11 2015-06-02 The Furukawa Electric Co., Ltd Field effect transistor having semiconductor operating layer formed with an inclined side wall
US8659275B2 (en) * 2008-01-11 2014-02-25 International Rectifier Corporation Highly efficient III-nitride power conversion circuit
US7965126B2 (en) * 2008-02-12 2011-06-21 Transphorm Inc. Bridge circuits and their components
US8076699B2 (en) * 2008-04-02 2011-12-13 The Hong Kong Univ. Of Science And Technology Integrated HEMT and lateral field-effect rectifier combinations, methods, and systems
US8519438B2 (en) 2008-04-23 2013-08-27 Transphorm Inc. Enhancement mode III-N HEMTs
US8289065B2 (en) 2008-09-23 2012-10-16 Transphorm Inc. Inductive load power switching circuits
US20100084687A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 The Hong Kong University Of Science And Technology Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors
US7898004B2 (en) 2008-12-10 2011-03-01 Transphorm Inc. Semiconductor heterostructure diodes
JP5487615B2 (ja) * 2008-12-24 2014-05-07 サンケン電気株式会社 電界効果半導体装置及びその製造方法
EP2380198A1 (de) * 2009-01-07 2011-10-26 Microgan Gmbh Selbstsperrender schalter
JP2010238752A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5564815B2 (ja) * 2009-03-31 2014-08-06 サンケン電気株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8742459B2 (en) * 2009-05-14 2014-06-03 Transphorm Inc. High voltage III-nitride semiconductor devices
US8728884B1 (en) * 2009-07-28 2014-05-20 Hrl Laboratories, Llc Enhancement mode normally-off gallium nitride heterostructure field effect transistor
JP5595685B2 (ja) * 2009-07-28 2014-09-24 パナソニック株式会社 半導体装置
US8390000B2 (en) 2009-08-28 2013-03-05 Transphorm Inc. Semiconductor devices with field plates
JP5530682B2 (ja) * 2009-09-03 2014-06-25 パナソニック株式会社 窒化物半導体装置
KR101632314B1 (ko) * 2009-09-11 2016-06-22 삼성전자주식회사 전계 효과형 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20110032845A (ko) 2009-09-24 2011-03-30 삼성전자주식회사 전력 전자소자 및 그 제조방법
US8138529B2 (en) 2009-11-02 2012-03-20 Transphorm Inc. Package configurations for low EMI circuits
US8389977B2 (en) 2009-12-10 2013-03-05 Transphorm Inc. Reverse side engineered III-nitride devices
US8816497B2 (en) * 2010-01-08 2014-08-26 Transphorm Inc. Electronic devices and components for high efficiency power circuits
US8802516B2 (en) 2010-01-27 2014-08-12 National Semiconductor Corporation Normally-off gallium nitride-based semiconductor devices
US8624662B2 (en) 2010-02-05 2014-01-07 Transphorm Inc. Semiconductor electronic components and circuits
JP2011171640A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Sanken Electric Co Ltd 窒化物半導体装置及びその製造方法
JP5895170B2 (ja) 2010-02-23 2016-03-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ２線式交流スイッチ
US20110210377A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Infineon Technologies Austria Ag Nitride semiconductor device
US9105703B2 (en) * 2010-03-22 2015-08-11 International Rectifier Corporation Programmable III-nitride transistor with aluminum-doped gate
JP5666157B2 (ja) * 2010-03-26 2015-02-12 パナソニック株式会社 双方向スイッチ素子及びそれを用いた双方向スイッチ回路
US9263439B2 (en) * 2010-05-24 2016-02-16 Infineon Technologies Americas Corp. III-nitride switching device with an emulated diode
JP5776143B2 (ja) * 2010-07-06 2015-09-09 サンケン電気株式会社 半導体装置
JP5751404B2 (ja) * 2010-08-23 2015-07-22 サンケン電気株式会社 半導体装置
US8124505B1 (en) * 2010-10-21 2012-02-28 Hrl Laboratories, Llc Two stage plasma etching method for enhancement mode GaN HFET
US8853709B2 (en) 2011-07-29 2014-10-07 Hrl Laboratories, Llc III-nitride metal insulator semiconductor field effect transistor
KR102065115B1 (ko) * 2010-11-05 2020-01-13 삼성전자주식회사 Ｅ-모드를 갖는 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101204609B1 (ko) * 2010-12-09 2012-11-23 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
US8742460B2 (en) 2010-12-15 2014-06-03 Transphorm Inc. Transistors with isolation regions
US8643062B2 (en) 2011-02-02 2014-02-04 Transphorm Inc. III-N device structures and methods
US8786327B2 (en) 2011-02-28 2014-07-22 Transphorm Inc. Electronic components with reactive filters
US8957454B2 (en) 2011-03-03 2015-02-17 International Rectifier Corporation III-Nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayer transition modules
US8772842B2 (en) 2011-03-04 2014-07-08 Transphorm, Inc. Semiconductor diodes with low reverse bias currents
US8716141B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Transphorm Inc. Electrode configurations for semiconductor devices
US20120274366A1 (en) 2011-04-28 2012-11-01 International Rectifier Corporation Integrated Power Stage
US8546849B2 (en) 2011-05-04 2013-10-01 International Rectifier Corporation High voltage cascoded III-nitride rectifier package utilizing clips on package surface
US8853706B2 (en) 2011-05-04 2014-10-07 International Rectifier Corporation High voltage cascoded III-nitride rectifier package with stamped leadframe
US8853707B2 (en) 2011-05-04 2014-10-07 International Rectifier Corporation High voltage cascoded III-nitride rectifier package with etched leadframe
US9281388B2 (en) 2011-07-15 2016-03-08 Infineon Technologies Americas Corp. Composite semiconductor device with a SOI substrate having an integrated diode
US9087812B2 (en) 2011-07-15 2015-07-21 International Rectifier Corporation Composite semiconductor device with integrated diode
WO2015047421A1 (en) 2013-09-30 2015-04-02 Hrl Laboratories, Llc Normally-off iii-nitride transistors with high threshold-voltage and low on-resistance
JP5985162B2 (ja) * 2011-08-15 2016-09-06 富士電機株式会社 窒化物系半導体装置
US8901604B2 (en) 2011-09-06 2014-12-02 Transphorm Inc. Semiconductor devices with guard rings
US9257547B2 (en) 2011-09-13 2016-02-09 Transphorm Inc. III-N device structures having a non-insulating substrate
US8796738B2 (en) 2011-09-21 2014-08-05 International Rectifier Corporation Group III-V device structure having a selectively reduced impurity concentration
JP5784441B2 (ja) * 2011-09-28 2015-09-24 トランスフォーム・ジャパン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8598937B2 (en) 2011-10-07 2013-12-03 Transphorm Inc. High power semiconductor electronic components with increased reliability
US9209176B2 (en) 2011-12-07 2015-12-08 Transphorm Inc. Semiconductor modules and methods of forming the same
EP2608269A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-26 Imec Quantum well transistor, method for making such a quantum well transistor and use of such a quantum well transistor
US9165766B2 (en) 2012-02-03 2015-10-20 Transphorm Inc. Buffer layer structures suited for III-nitride devices with foreign substrates
US8648643B2 (en) 2012-02-24 2014-02-11 Transphorm Inc. Semiconductor power modules and devices
JP6054620B2 (ja) * 2012-03-29 2016-12-27 トランスフォーム・ジャパン株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
US9093366B2 (en) 2012-04-09 2015-07-28 Transphorm Inc. N-polar III-nitride transistors
US9337332B2 (en) 2012-04-25 2016-05-10 Hrl Laboratories, Llc III-Nitride insulating-gate transistors with passivation
US9184275B2 (en) 2012-06-27 2015-11-10 Transphorm Inc. Semiconductor devices with integrated hole collectors
US8803246B2 (en) 2012-07-16 2014-08-12 Transphorm Inc. Semiconductor electronic components with integrated current limiters
US9379102B2 (en) 2012-07-19 2016-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device
KR101927408B1 (ko) * 2012-07-20 2019-03-07 삼성전자주식회사 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
CN102881716A (zh) * 2012-09-27 2013-01-16 电子科技大学 一种场致隧穿增强型hemt器件
JP6091941B2 (ja) * 2012-09-27 2017-03-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
TWI567930B (zh) 2012-11-19 2017-01-21 台達電子工業股份有限公司 半導體裝置
FR2998709B1 (fr) * 2012-11-26 2015-01-16 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un transistor a heterojonction de type normalement bloque
FR2998713B1 (fr) * 2012-11-26 2015-01-16 Commissariat Energie Atomique Transistor bidirectionnel en courant a haute mobilite electronique optimise
DE102012223833A1 (de) 2012-12-19 2014-06-26 Robert Bosch Gmbh Bidirektional sperrender Halbleiterschalter und zugehörige Leistungsschaltstufe in einem Fahrzeug
US9093530B2 (en) * 2012-12-28 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of FinFET
CN105164811B (zh) 2013-02-15 2018-08-31 创世舫电子有限公司 半导体器件的电极及其形成方法
US9087718B2 (en) 2013-03-13 2015-07-21 Transphorm Inc. Enhancement-mode III-nitride devices
US9245993B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Transphorm Inc. Carbon doping semiconductor devices
US9059076B2 (en) 2013-04-01 2015-06-16 Transphorm Inc. Gate drivers for circuits based on semiconductor devices
JP6326638B2 (ja) 2013-04-25 2018-05-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置
JP6111821B2 (ja) 2013-04-25 2017-04-12 三菱電機株式会社 電界効果トランジスタ
EP2799852A1 (en) * 2013-04-29 2014-11-05 Stichting IMEC Nederland 2DEG-based sensor and device for ECG sensing
FR3005202B1 (fr) * 2013-04-30 2016-10-14 Commissariat Energie Atomique Procede de formation d'une zone implantee pour un transistor a heterojonction de type normalement bloque
WO2014190069A1 (en) 2013-05-21 2014-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Enhancement-mode transistors with increased threshold voltage
WO2015006111A1 (en) 2013-07-09 2015-01-15 Transphorm Inc. Multilevel inverters and their components
US9443938B2 (en) 2013-07-19 2016-09-13 Transphorm Inc. III-nitride transistor including a p-type depleting layer
FR3011981B1 (fr) * 2013-10-11 2018-03-02 Centre National De La Recherche Scientifique - Cnrs - Transistor hemt a base d'heterojonction
JP5742912B2 (ja) * 2013-10-25 2015-07-01 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
KR102163725B1 (ko) * 2013-12-03 2020-10-08 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
US9123791B2 (en) 2014-01-09 2015-09-01 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device and method
US10276712B2 (en) 2014-05-29 2019-04-30 Hrl Laboratories, Llc III-nitride field-effect transistor with dual gates
US9543940B2 (en) 2014-07-03 2017-01-10 Transphorm Inc. Switching circuits having ferrite beads
US9590494B1 (en) 2014-07-17 2017-03-07 Transphorm Inc. Bridgeless power factor correction circuits
US9318593B2 (en) 2014-07-21 2016-04-19 Transphorm Inc. Forming enhancement mode III-nitride devices
US9536967B2 (en) 2014-12-16 2017-01-03 Transphorm Inc. Recessed ohmic contacts in a III-N device
US9536966B2 (en) 2014-12-16 2017-01-03 Transphorm Inc. Gate structures for III-N devices
JP6637065B2 (ja) 2015-03-13 2020-01-29 トランスフォーム インコーポレーテッド 高電力回路のためのスイッチングデバイスの並列化
US9812532B1 (en) 2015-08-28 2017-11-07 Hrl Laboratories, Llc III-nitride P-channel transistor
US9871067B2 (en) * 2015-11-17 2018-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Infrared image sensor component
EP3378097A4 (en) 2015-11-19 2019-09-11 HRL Laboratories, LLC NITRIDE-III FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH DOUBLE TRIGGER
WO2017123999A1 (en) 2016-01-15 2017-07-20 Transphorm Inc. Enhancement mode iii-nitride devices having an al(1-x)sixo gate insulator
TWI762486B (zh) 2016-05-31 2022-05-01 美商創世舫科技有限公司 包含漸變空乏層的三族氮化物裝置
US10319648B2 (en) 2017-04-17 2019-06-11 Transphorm Inc. Conditions for burn-in of high power semiconductors
US10332876B2 (en) 2017-09-14 2019-06-25 Infineon Technologies Austria Ag Method of forming compound semiconductor body
US10879368B2 (en) 2017-10-17 2020-12-29 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Transistor with multi-metal gate
US10833063B2 (en) 2018-07-25 2020-11-10 Vishay SIliconix, LLC High electron mobility transistor ESD protection structures
TWI811394B (zh) * 2019-07-09 2023-08-11 聯華電子股份有限公司 高電子遷移率電晶體及其製作方法
US20230078017A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-16 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device incorporating a substrate recess
WO2023189039A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 ローム株式会社 窒化物半導体装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4615102A (en) * 1984-05-01 1986-10-07 Fujitsu Limited Method of producing enhancement mode and depletion mode FETs
JPH0194676A (ja) * 1987-10-06 1989-04-13 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH03196532A (ja) * 1989-12-25 1991-08-28 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタとその製造方法
US5349214A (en) * 1993-09-13 1994-09-20 Motorola, Inc. Complementary heterojunction device
US5411902A (en) * 1994-06-06 1995-05-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Process for improving gallium arsenide field effect transistor performance using an aluminum arsenide or an aluminum gallium arsenide buffer layer
JPH10223901A (ja) * 1996-12-04 1998-08-21 Sony Corp 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
EP0974160A1 (en) * 1998-02-09 2000-01-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Process of manufacturing a semiconductor device including a buried channel field effect transistor
US6107649A (en) * 1998-06-10 2000-08-22 Rutgers, The State University Field-controlled high-power semiconductor devices
JP2000195871A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sony Corp 半導体装置とその製造方法
JP2000277724A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Nagoya Kogyo Univ 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
US6342411B1 (en) * 1999-09-03 2002-01-29 Motorola Inc. Electronic component and method for manufacture
US6586781B2 (en) * 2000-02-04 2003-07-01 Cree Lighting Company Group III nitride based FETs and HEMTs with reduced trapping and method for producing the same
JP3751791B2 (ja) * 2000-03-28 2006-03-01 日本電気株式会社 ヘテロ接合電界効果トランジスタ
US6521961B1 (en) * 2000-04-28 2003-02-18 Motorola, Inc. Semiconductor device using a barrier layer between the gate electrode and substrate and method therefor
JP4022708B2 (ja) * 2000-06-29 2007-12-19 日本電気株式会社 半導体装置
JP4186032B2 (ja) * 2000-06-29 2008-11-26 日本電気株式会社 半導体装置
US6515316B1 (en) * 2000-07-14 2003-02-04 Trw Inc. Partially relaxed channel HEMT device
US6992319B2 (en) * 2000-07-18 2006-01-31 Epitaxial Technologies Ultra-linear multi-channel field effect transistor
KR20030027017A (ko) * 2000-08-10 2003-04-03 오세미 인코포레이티드 집적형 트랜지스터 디바이스
US6690042B2 (en) * 2000-09-27 2004-02-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor
JP4220683B2 (ja) * 2001-03-27 2009-02-04 パナソニック株式会社 半導体装置
US6849882B2 (en) * 2001-05-11 2005-02-01 Cree Inc. Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer
US6646293B2 (en) * 2001-07-18 2003-11-11 Motorola, Inc. Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates
TW200305283A (en) * 2001-12-06 2003-10-16 Hrl Lab Llc High power-low noise microwave GaN heterojunction field effet transistor
WO2003071607A1 (fr) * 2002-02-21 2003-08-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. Transistor a effet de champ gan
JP3951743B2 (ja) * 2002-02-28 2007-08-01 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3733420B2 (ja) 2002-03-01 2006-01-11 独立行政法人産業技術総合研究所 窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ
US20040021152A1 (en) * 2002-08-05 2004-02-05 Chanh Nguyen Ga/A1GaN Heterostructure Field Effect Transistor with dielectric recessed gate
US6830945B2 (en) * 2002-09-16 2004-12-14 Hrl Laboratories, Llc Method for fabricating a non-planar nitride-based heterostructure field effect transistor
JP4479222B2 (ja) * 2002-11-22 2010-06-09 沖電気工業株式会社 化合物半導体層の表面処理方法及び半導体装置の製造方法
JP2004273486A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US7449728B2 (en) * 2003-11-24 2008-11-11 Tri Quint Semiconductor, Inc. Monolithic integrated enhancement mode and depletion mode field effect transistors and method of making the same
US7045404B2 (en) * 2004-01-16 2006-05-16 Cree, Inc. Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof
US7550781B2 (en) * 2004-02-12 2009-06-23 International Rectifier Corporation Integrated III-nitride power devices
US7465997B2 (en) * 2004-02-12 2008-12-16 International Rectifier Corporation III-nitride bidirectional switch

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102354705B (zh) * 2008-12-22 2015-01-14 三垦电气株式会社 半导体装置
CN101789445B (zh) * 2008-12-22 2012-10-10 三垦电气株式会社 半导体装置
CN102354705A (zh) * 2008-12-22 2012-02-15 三垦电气株式会社 半导体装置
US8476677B2 (en) 2008-12-22 2013-07-02 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US8188515B2 (en) 2008-12-22 2012-05-29 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor device
CN103053083A (zh) * 2010-09-15 2013-04-17 松下电器产业株式会社 直流连接装置
CN103348480A (zh) * 2011-01-31 2013-10-09 宜普电源转换公司 用于氮化镓晶体管的离子植入及自行对准栅极结构
CN103348480B (zh) * 2011-01-31 2016-11-16 宜普电源转换公司 用于氮化镓晶体管的离子植入及自行对准栅极结构
CN107946187A (zh) * 2012-01-25 2018-04-20 住友化学株式会社 氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管
CN107946187B (zh) * 2012-01-25 2022-01-11 住友化学株式会社 氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管
CN103579330A (zh) * 2012-07-23 2014-02-12 三星电子株式会社 氮化物基半导体器件及其制造方法
CN104091835A (zh) * 2014-06-17 2014-10-08 中国科学院半导体研究所 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法
CN109461655A (zh) * 2018-09-21 2019-03-12 中国电子科技集团公司第五十五研究所 具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法
CN109461655B (zh) * 2018-09-21 2022-03-11 中国电子科技集团公司第五十五研究所 具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法
CN112531025A (zh) * 2019-09-17 2021-03-19 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管
US11784238B2 (en) 2019-09-17 2023-10-10 United Microelectronics Corp. High electron mobility transistor
CN112531025B (zh) * 2019-09-17 2024-01-30 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管

Also Published As

Publication number Publication date
CN101273458B (zh) 2010-09-08
WO2005070009A3 (en) 2007-11-22
US20110275183A1 (en) 2011-11-10
US8546206B2 (en) 2013-10-01
TW200531277A (en) 2005-09-16
JP2007534163A (ja) 2007-11-22
WO2005070009A2 (en) 2005-08-04
KR20060110003A (ko) 2006-10-23
US20080248634A1 (en) 2008-10-09
US7382001B2 (en) 2008-06-03
US20060060871A1 (en) 2006-03-23
JP2008270847A (ja) 2008-11-06
KR100796043B1 (ko) 2008-01-21
TWI257172B (en) 2006-06-21
JP4909087B2 (ja) 2012-04-04
US20140030858A1 (en) 2014-01-30
US8871581B2 (en) 2014-10-28
DE112005000223T5 (de) 2007-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101273458B (zh) 增强模式ⅲ族氮化物场效应晶体管
US10312131B2 (en) Semiconductor devices with back surface isolation
US8043906B2 (en) Method of forming a III-nitride selective current carrying device including a contact in a recess
US9502550B2 (en) High electron mobility semiconductor device and method therefor
TWI640095B (zh) 增強型ｉｉｉ族氮化物元件
JP4812292B2 (ja) トレンチ構造を有するｉｉｉ族窒化物半導体装置
US7649215B2 (en) III-nitride device passivation and method
US20090072269A1 (en) Gallium nitride diodes and integrated components
GB2564482A (en) A power semiconductor device with a double gate structure
JP2007526633A (ja) Ｉｉｉ族窒化膜双方向スイッチ
KR20150092708A (ko) 반도체 장치
US10211305B2 (en) Normally-off hetrojunction transistor with high threshold voltage
WO2020107754A1 (zh) 一种提高GaN增强型MOSFET阈值电压的外延层结构及器件制备
US9391179B2 (en) Vertical GaN JFET with low gate-drain capacitance and high gate-source capacitance
KR101559111B1 (ko) 양방향 스위칭 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: California, USA

Patentee after: Infineon Technologies Americas Corp.

Address before: California, USA

Patentee before: INTERNATIONAL RECTIFIER Corp.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100908

Termination date: 20220124

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee