CN101288187B - 可再生电阻可变绝缘存储器装置及其形成方法 - Google Patents

可再生电阻可变绝缘存储器装置及其形成方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及在电阻可变存储器装置(301)中使用成形底部电极。所述优选锥状的成形底部电极(308)确保所述底部电极的尖端处的绝缘材料(312)的厚度最薄，从而在所述底部电极的所述尖端处产生最大电场。电极(308、310)的配置和存储器元件的结构使得有可能在所述存储器装置中产生具有稳定、一致且可再生切换以及记忆特性的导电路径。

Description

可再生电阻可变绝缘存储器装置及其形成方法
技术领域
本发明涉及使用电阻可变材料形成的随机存取存储器(RAM)装置的领域，且明确地说，涉及用于电阻可变存储器元件的改进结构和制造所述电阻可变存储器元件的方法。
背景技术
电阻可变存储器是具有可通过外部影响改变的电阻特性的RAM。电阻可变存储器单元的基本组件是可变电阻器。所述可变电阻器可经编程以具有高电阻或低电阻(在两态存储器电路中)或任何中间电阻值(在多态存储器电路中)。电阻可变存储器单元的不同电阻值表示存储在电阻可变存储器电路中的信息。电阻可变存储器的优点是电路的简单性、导致较小装置、存储器单元的非易失特性和记忆状态的稳定性。
图1展示常规电阻可变存储器装置的横截面。此电阻可变存储器装置是GRAD型(一个电阻器，一个二极管)存储器装置。其包含衬底100中的字线(N型区)102、多个P+区104和N+区106，其中字线102和P+区104构成二极管。介电层114形成在衬底100上。多个存储器单元107设置在介电层114中，其中每一存储器单元107包含平板底部电极108、平板顶部电极110和电阻膜112，所述电阻膜112可在平板底部电极108与平板顶部电极110之间由一个或一个以上层形成。字线接触通孔116形成在介电层114中。字线接触通孔116的一端电连接到N+区106；另一端电连接到介电层114的表面上的导电线120使得字线102可与外部电路电连接。此外，在介电层114上形成有位线118以用于与存储器单元107的顶部电极110电连接。
常规电阻可变存储器装置的第二实例是图2中说明的1R1T型(一个电阻器，一个晶体管)存储器装置。此装置包含衬底200中的多个N+区202和204。介电层220形成在衬底200上。介电层220包含多个存储器单元207、多个栅极结构(字线)212以及多个接触通孔214和216。每一存储器单元包含平板底部电极206、平板顶部电极208和电阻膜210；所述电阻膜210可由一个或一个以上材料层形成，每一存储器单元设置在相应N+区的表面上。栅极结构212以及N+区202和204构成晶体管。接触通孔214和216分别电连接到栅极结构212和共用线204，使得栅极结构212和共用线204可与外部电路连接。此外，在介电层220上形成有位线218以用于与存储器单元207的平板顶部电极208电连接。
不幸的是，如图1和2中所揭示，在两个平坦金属电极板之间夹置有电阻膜或绝缘氧化物的金属-绝缘体-金属(MIM)结构不提供稳定且可再生切换(reproducibleswitching)且不以受控方式提供记忆特性，因为元件之间的导电路径可在顶部与底部电极之间的电阻膜或绝缘氧化物中任何地方出现。据信元件之间的随机且不可预测的导电路径是由所沉积的膜中随机且不可预测的缺陷部位产生的。
因此，需要一种用于基于电阻切换现象改进和控制电阻可变存储器装置中的电极之间的导电路径以形成大存储器装置阵列的替代设备。
发明内容
本发明涉及在电阻可变存储器装置中使用成形底部电极(shaped bottomelectrode)。所述成形底部电极确保底部电极尖端处的绝缘材料的厚度最薄，因此在底部电极尖端处产生最大电场。电极尖端的小曲率还增强了局部电场。电极的配置和存储器元件的结构使得有可能产生具有稳定、一致且可再生切换以及存储器装置中的记忆特性的导电路径。
从说明本发明的优选实施例的以下详细描述和附图中将了解本发明的额外优点和特征。
附图说明
图1展示常规电阻随机存取存储器装置的横截面。
图2展示另一常规电阻随机存取存储器装置的横截面。
图3说明根据本发明一示范性实施例的存储器装置的局部横截面。
图4说明根据本发明第二示范性实施例的存储器装置的局部横截面。
图5说明根据本发明第三示范性实施例的存储器装置的局部横截面。
图6说明根据本发明一示范性实施例经历形成存储器装置的过程的半导体晶片的横截面图。
图7说明图6所示的处理阶段之后的处理阶段时图6的半导体。
图8说明图7所示的处理阶段之后的处理阶段时图6的半导体。
图9说明图8所示的处理阶段之后的处理阶段时图6的半导体晶片。
图10说明图9所示的处理阶段之后的处理阶段时图6的半导体晶片。
图11说明图10所示的处理阶段之后的处理阶段时图6的半导体晶片。
图12说明根据本发明一示范性实施例经历形成存储器装置的第二过程的半导体晶片的横截面图。
图13说明图12所示的处理阶段之后的处理阶段时图12的半导体。
图14说明根据本发明第二实施例的一示范性实施例经历形成存储器装置的过程的半导体晶片的横截面图。
图15说明图14所示的处理阶段之后的处理阶段时图14的半导体。
图16说明图15所示的处理阶段之后的处理阶段时图14的半导体。
图17说明具有根据本发明形成的存储器元件的基于处理器的系统。
具体实施方式
在以下详细描述中，参看附图，附图形成本发明的一部分并以说明的方式展示其中可实践本发明的特定实施例。充分详细地描述这些实施例是为了使所属领域的技术人员能够实践本发明，且应了解，可利用其它实施例，且可在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出结构、逻辑和电方面的变化。所描述的处理步骤的进程例示本发明的实施例；然而，步骤的次序不限于本文陈述的次序，且如此项技术中已知可改变，必须以特定次序发生的步骤除外。
以下描述中使用的术语“衬底”可包含任何支撑结构，包含(但不限于)塑料、陶瓷、半导体或具有暴露的衬底表面的其它衬底。半导体衬底应理解为包含硅、绝缘体上硅(SOI)、蓝宝石上硅(SOS)、经掺杂和未经掺杂半导体、由基础半导体基底支撑的外延硅层和其它半导体材料结构。当参看以下描述中的半导体衬底或晶片时，可能已利用先前工艺步骤在基础半导体或基底中或上方形成区或结。
现将参看图式阐释本发明，图式说明示范性实施例且其中相同参考标号表示相同部件。
图3中示意性说明根据本发明一实施例的存储器装置301。装置301包含成形底部电极308、顶部电极310、介电层314和成形底部电极308与顶部电极310之间的电阻可变绝缘材料312。在本发明优选实施例中，电阻可变绝缘材料312由电阻可逆材料形成，所述材料例如：巨大磁体电阻薄膜，例如PCMO薄膜(即，Pr0.7Cr0.3MoO3)；具有钙钛矿结构的氧化膜，例如掺杂或未掺杂BaTiO3、SrTiO3或SrZrO3；或氧化膜，例如Nb2O5、TiO2、TaO5和NiO。优选地，电阻可变绝缘材料312为SrTiO3。成形底部电极308和顶部电极310可由例如铂、钛或金等金属或者其它适宜材料(例如，SrRuO3)形成。
现参看图4。图4类似于图3且说明存储器装置303，其中在顶部电极310已形成在衬底300上之前已使电阻可变绝缘材料312平坦化。
现参看图5。图5类似于图3和图4且说明根据本发明第三实施例的存储器装置304，其中底部电极308形成在导电插塞(conductive plug)322上。如上文参看图4所论述，在顶部电极310已形成在衬底300上之前已使电阻可变绝缘材料312平坦化。应了解，可简单地沉积电阻可变绝缘材料312，且接着使顶部电极310形成在电阻可变绝缘材料312上，如上文参看图3所论述。
图6-11描绘根据本发明示范性实施例的存储器装置301的形成。本文描述的动作的任一者均不需要特定次序，那些逻辑上需要先前动作的结果的动作除外。因此，虽然将以下动作描述为以一般次序执行，但所述次序仅是示范性的且可视需要而更改。
图6说明形成在衬底300上的介电层314。可通过例如通过化学气相沉积(CVD)、等离子增强CVD(PECVD)或物理气相沉积(PVD)进行溅镀等任何已知沉积方法来形成介电层314。介电层314可能由例如氧化硅(SiO2)等常规绝缘氧化物、氮化硅(Si3N4)、低介电常数材料及其它材料形成。
掩模316形成在介电层314上。在所说明的实施例中，掩模316是光致抗蚀剂掩模；然而，掩模316可改为是例如金属等任何其它适宜材料。延伸到衬底300的开口313形成在介电层314和掩模316中。开口313可通过此项技术中的已知方法形成，例如通过常规图案化和蚀刻工艺形成。优选地，通过干式蚀刻通孔工艺形成开口313以具有大体垂直侧壁。
如图7所示，开口313的一部分经加宽以在介电层314内形成开口315。开口315在掩模316下方延伸，使得穿过掩模316的开口313小于穿过介电层314的开口315。优选地，使用湿式蚀刻工艺形成开口315。
图8描绘成形底部电极308的形成。导电材料沉积在掩模316上并穿过开口313、315而到达衬底300上，以在掩模316上形成锥状成形底部电极308和导电层341。成形底部电极308可包括例如铂、钛或金等任何导电材料，或者其它适宜材料(例如，SrRuO3)。通过例如蒸发或准直溅镀等物理气相沉积(PVD)工艺来沉积导电材料，但可使用任何适宜的技术。如箭头351所指示，在导电材料的沉积期间使衬底300旋转。另外，如箭头350所指示，在单一方向上沉积导电材料。优选地，如图8中由箭头350的角度所示，相对于衬底300的顶部表面以小于约75度的角度沉积导电材料，但视需要也可以约75度的角度沉积导电材料。
通过使用PVD工艺形成成形底部电极308，可避免在常规化学气相沉积(CVD)插塞工艺中形成电极时出现的接缝或间隙。另外，PVD沉积的材料往往具有比CVD沉积的材料平滑的表面。因此，成形底部电极308可具有比常规电极平滑的表面。
去除导电层341和掩模316，如图9中所说明。这可通过任何适宜的技术来实现。举例来说，可进行化学机械抛光(CMP)步骤，或可根据已知技术使用溶剂剥离工艺。
参看图10，在开口315内以及成形底部电极308周围形成电阻可变绝缘材料层312。电阻可变绝缘材料层312由电阻可逆材料形成，所述材料例如：巨大磁体电阻薄膜，例如PCMO薄膜(即，Pr0.7Cr0.3MoO3)；具有钙钛矿结构的氧化膜，例如掺杂或未掺杂BaTiO3、SrTiO3或SrZrO3；或氧化膜，例如Nb2O5、TiO2、TaO5和NiO。优选地，电阻可变绝缘材料312为SrTiO3。通过例如脉冲激光沉积(PLD)、PVD、溅镀或CVD等已知方法形成电阻可变绝缘材料312。
参看图11，在电阻可变绝缘材料层312上形成第二电极310。第二电极310可包括例如铂、钛或金等任何导电材料，或者其它适宜材料(例如，SrRuO3)。
接着可实行常规处理步骤将存储器装置301电耦合到存储器阵列的各个电路。
图12-13说明根据本发明用于形成存储器元件301的另一示范性实施例。图12-13中说明的实施例类似于图6-11中描述的实施例，只是不需要形成第二开口315(图7)。
如图12所示，将掩模316(其可以是光致抗蚀剂掩模)涂覆在介电层314和衬底300上。延伸到衬底300的开口313形成在介电层314和掩模316中。
可如上文结合图8所描述形成成形底部电极308。导电材料沉积在掩模316上并穿过开口313到达衬底300上，以在掩模316上形成成形底部电极308和导电层341，如图13中所说明。如箭头351所指示，在导电材料的沉积期间使衬底300旋转。另外，如箭头350所指示，在单一方向上沉积导电材料。优选地，如图13中由箭头350的角度所示，相对于衬底300的顶部表面以小于约75度的角度沉积导电材料，但也可以小于约75度的角度沉积导电材料。
接着如上文参看图9-11所论述来处理存储器装置301。接着可实行常规处理步骤将存储器装置301电耦合到存储器阵列的各个电路。
图14-16描绘根据本发明第二示范性实施例的存储器装置303的形成。图14说明如上文参看图6-10或图12-13所陈述处理的存储器装置。
进行CMP步骤以使电阻可变绝缘材料层312平坦化来实现图15所示的结构。在电阻可变绝缘材料层312上形成第二电极310，如图16中所说明。如上文所陈述，第二电极310可包括例如铂、钛或金等任何导电材料，或者其它适宜材料(例如，SrRuO3)。接着可实行常规处理步骤将存储器装置303电耦合到存储器阵列的各个电路。
上文描述的实施例涉及仅若干可能的根据本发明电阻可变存储器元件结构(例如，电阻可变存储器装置)的形成，所述电阻可变存储器元件结构可以是存储器阵列的一部分。然而，必须了解，本发明预期其它存储器结构的形成也在本发明的精神内，所述其它存储器结构可制作成存储器阵列并与存储器元件存取电路一起操作。
图17说明包含使用根据本发明的电阻可变存储器元件(例如，元件301和/或303(分别见图3和4))的存储器电路748(例如，存储器装置)的处理器系统700。处理器系统700(其可以是(例如)计算机系统)通常包括中央处理单元(CPU)744，例如微处理器、数字信号处理器或其它可编程数字逻辑装置，其经由总线752与输入/输出(I/O)装置746通信。存储器电路748通常通过存储器控制器经由总线752与CPU 744通信。
在计算机系统的情况下，处理器系统700可包含外围装置，例如软盘驱动器754和光盘(CD)ROM驱动器756，其也经由总线752与CPU 744通信。存储器电路748优选地构造为集成电路，其包含一个或一个以上电阻可变存储器元件(例如，元件301和/或303)。视需要，存储器电路748可与处理器(例如，CPU 744)组合在单个集成电路中。
虽然已结合当时已知的示范性实施例详细描述本发明，但应容易了解，本发明不限于这些所揭示的实施例。而是，本发明可经修改以包含此前未描述但与本发明的精神和范围匹配的任何数目的变化、更改、替代或等效配置。因此，本发明不应视为受以上描述内容限制，而是仅受所附权利要求书的范围限制。

Claims (51)

1.一种存储器元件，其包括：
衬底；
介电层，其位于所述衬底上方；
第一电极，其形成在所述衬底上并且完全在所述介电层的开口中，所述第一电极的下端大于所述第一电极的上端；
第二电极；以及
电阻可变绝缘层，其在所述第一与第二电极之间并且在所述开口中，其中所述电阻可变绝缘层完全包围所述第一电极，除了所述第一电极的底部表面。
2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层是氧化物层。
3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一电极具有锥状形状。
4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一电极选自由铂、钛、金和SrRuO3组成的群组。
5.根据权利要求3所述的存储器元件，其中所述第一电极是SrRuO3。
6.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第二电极选自由铂、钛、金和SrRuO3组成的群组。
7.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层由氧化膜组成。
8.根据权利要求7所述的存储器元件，其中所述氧化膜包括PCMO薄膜和钙钛矿结构膜。
9.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层是掺杂或未掺杂BaTiO3、SrTiO3或SrZrO3。
10.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述存储器元件是电阻可变存储器装置。
11.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一与第二电极之间的所述电阻可变绝缘层在所述第二电极形成之前被平坦化。
12.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述第二电极形成在沉积态电阻可变绝缘层上。
13.根据权利要求1所述的存储器元件，其进一步包括形成在所述衬底与所述第一电极之间的导电插塞。
14.一种存储器元件，其包括：
衬底；
介电层，其形成在所述衬底上，所述介电层中形成有从所述介电层的上表面到所述衬底的开口；
第一电极，其形成在所述衬底上且完全在所述介电层中的所述开口中，所述第一电极具有锥状结构；
电阻可变绝缘层，其形成在所述第一电极上所述介电层中的所述开口中，其中所述电阻可变绝缘层完全包围所述第一电极，除了所述第一电极的底部表面；以及
第二电极，其形成在所述电阻可变绝缘层上。
15.根据权利要求14所述的存储器元件，其中所述第一电极选自由铂、钛、金和SrRuO3组成的群组。
16.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述第一电极是SrRuO3。
17.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述第二电极选自由铂、钛、金和SrRuO3组成的群组。
18.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层由氧化膜组成。
19.根据权利要求18所述的存储器元件，其中所述氧化膜包括PCMO薄膜和钙钛矿结构膜。
20.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层是掺杂或未掺杂BaTiO3、SrTiO3或SrZrO3。
21.根据权利要求15所述的存储器元件，其中所述电阻可变绝缘层形成在所述介电层上。
22.根据权利要求14所述的存储器元件，其中所述第一与第二电极之间的所述电阻可变绝缘层在所述第二电极形成之前被平坦化。
23.根据权利要求14所述的存储器元件，其中所述第二电极形成在沉积态电阻可变绝缘层上。
24.根据权利要求14所述的存储器元件，其中所述存储器元件是电阻可变存储器元件。
25.根据权利要求14所述的存储器元件，其进一步包括形成在所述衬底与所述第一电极之间的导电插塞。
26.一种处理器系统，其包括：
处理器；以及
衬底；
介电层，其位于所述衬底上方；
第一电极，其形成在所述衬底上并且完全在所述介电层的开口中，所述第一电极的下端大于所述第一电极的上端；
第二电极；以及
电阻可变绝缘层，其在所述第一与第二电极之间并且在所述开口中，其中所述电阻可变绝缘层完全包围所述第一电极，除了所述第一电极的底部表面。
27.根据权利要求26所述的处理器系统，其中所述第一电极具有锥状形状。
28.根据权利要求26所述的处理器系统，其中所述第一电极选自由铂、钛、金和SrRuO3组成的群组。
29.根据权利要求28所述的处理器系统，其中所述第一电极是SrRuO3。
30.根据权利要求26所述的处理器系统，其中所述第二电极选自由铂、钛、金和SrRuO3组成的群组。
31.根据权利要求26所述的处理器系统，其中所述电阻可变绝缘层是掺杂或未掺杂BaTiO3、SrTiO3或SrZrO3。
32.一种形成存储器元件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成介电层；
在所述介电层内形成开口；
形成完全在所述开口中的第一电极使得所述第一电极的下端大于所述第一电极的上端，其中形成所述第一电极包括穿过所述开口沉积导电材料；
在所述第一电极上和所述开口中形成电阻可变绝缘层，其中所述电阻可变绝缘层完全包围所述第一电极，除了所述第一电极的底部表面；以及
形成第二电极，其中所述电阻可变绝缘层形成在所述第一与第二电极之间。
33.根据权利要求32所述的方法，其中形成所述第一电极包括形成具有锥状形状的所述第一电极。
34.根据权利要求32所述的方法，其中形成所述第一电极包括沉积导电材料，以及在相对于衬底的顶部表面以小于75度的角度沉积所述导电材料的同时使所述衬底旋转。
35.根据权利要求34所述的方法，其中在单一方向上沉积所述导电材料，使得所述导电材料在所述衬底上形成锥状结构。
36.根据权利要求32所述的方法，其中所述第一电极由选自由铂、钛、金和SrRuO3组成的群组的材料形成。
37.根据权利要求32所述的方法，其中所述电阻可变绝缘层由掺杂或未掺杂BaTiO3、SrTiO3或SrZrO3形成。
38.根据权利要求37所述的方法，其中所述电阻可变绝缘层通过脉冲激光沉积、物理气相沉积、溅镀或化学气相沉积形成。
39.根据权利要求32所述的方法，其中在所述介电层中形成开口包括：
在所述介电层上形成掩膜层；
在所述介电层和掩膜层内形成所述开口，其中形成所述第一电极包括在沉积所述导电材料的同时使所述衬底旋转，在单一方向上沉积所述导电材料，使得所述导电材料在所述衬底上形成锥状结构，其中相对于所述衬底的顶部表面以小于75度的角度沉积所述导电材料。
40.一种形成存储器元件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成介电层；
在所述介电层内形成开口；
通过在沉积导电材料的同时使所述衬底旋转而在所述开口中沉积所述导电材料，所述导电材料沉积在单一角度方向上，使得所述导电材料在所述衬底上并且完全在所述介电层内的所述开口中形成锥状结构，所述锥状结构是第一电极；
在所述开口中形成电阻可变绝缘层，其中所述电阻可变绝缘层完全包围所述第一电极，除了所述第一电极的底部表面；以及
在所述电阻可变绝缘层上形成第二电极。
41.根据权利要求40所述的方法，其中相对于所述衬底的顶部表面以小于75度的角度沉积所述导电材料。
42.根据权利要求40所述的方法，其中所述第一电极由选自由铂、钛、金和SrRuO3组成的群组的材料形成。
43.根据权利要求40所述的方法，其中所述电阻可变绝缘层由掺杂或未掺杂BaTiO3、SrTiO3或SrZrO3形成。
44.根据权利要求43所述的方法，其中所述电阻可变绝缘层通过脉冲激光沉积、物理气相沉积、溅镀或化学气相沉积形成。
45.根据权利要求40所述的方法，其进一步包括在形成所述第二电极之前使所述电阻可变绝缘层平坦化。
46.一种形成存储器元件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成介电层；
在所述介电层内形成第一开口；
加宽所述介电层内的所述第一开口的一部分以形成第二开口；
穿过所述第一和第二开口沉积导电材料；
在沉积所述导电材料的同时使所述衬底旋转，所述导电材料沉积在单一角度方向上，使得所述导电材料在所述衬底上并且完全在所述介电层的所述开口内形成锥状结构，所述锥状结构是第一电极；
在所述第一和第二开口中形成电阻可变绝缘层，其中所述电阻可变绝缘层完全包围所述第一电极，除了所述第一电极的底部表面；以及
在所述电阻可变绝缘层上形成第二电极。
47.根据权利要求46所述的方法，其中相对于所述衬底的顶部表面以小于75度的角度沉积所述导电材料。
48.根据权利要求46所述的方法，其中所述第一电极由选自由铂、钛、金和SrRuO3组成的群组的材料形成。
49.根据权利要求46所述的方法，其中所述电阻可变绝缘层由掺杂或未掺杂BaTiO3、SrTiO3或SrZrO3形成。
50.根据权利要求49所述的方法，其中所述电阻可变绝缘层通过脉冲激光沉积、物理气相沉积、溅镀或化学气相沉积形成。
51.根据权利要求46所述的方法，其进一步包括在形成所述第二电极之前使所述电阻可变绝缘层平坦化。
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WO (1) WO2007021913A1 (zh)

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697282B1 (ko) 2005-03-28 2007-03-20 삼성전자주식회사 저항 메모리 셀, 그 형성 방법 및 이를 이용한 저항 메모리배열
US7521705B2 (en) 2005-08-15 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Reproducible resistance variable insulating memory devices having a shaped bottom electrode
US7491962B2 (en) * 2005-08-30 2009-02-17 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory device with nanoparticle electrode and method of fabrication
WO2008126365A1 (ja) 2007-03-29 2008-10-23 Panasonic Corporation 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶素子および不揮発性記憶素子アレイ
US7768812B2 (en) 2008-01-15 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices
US8211743B2 (en) 2008-05-02 2012-07-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming non-volatile memory cells having multi-resistive state material between conductive electrodes
US8134137B2 (en) 2008-06-18 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Memory device constructions, memory cell forming methods, and semiconductor construction forming methods
US9343665B2 (en) 2008-07-02 2016-05-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming a non-volatile resistive oxide memory cell and methods of forming a non-volatile resistive oxide memory array
US7795606B2 (en) * 2008-08-05 2010-09-14 Seagate Technology Llc Non-volatile memory cell with enhanced filament formation characteristics
US7772583B2 (en) 2008-08-21 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Memory devices and methods of forming the same
US8227783B2 (en) * 2009-07-13 2012-07-24 Seagate Technology Llc Non-volatile resistive sense memory with praseodymium calcium manganese oxide
US8048755B2 (en) * 2010-02-08 2011-11-01 Micron Technology, Inc. Resistive memory and methods of processing resistive memory
US8427859B2 (en) 2010-04-22 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells
US8289763B2 (en) 2010-06-07 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Memory arrays
US8946046B1 (en) 2012-05-02 2015-02-03 Crossbar, Inc. Guided path for forming a conductive filament in RRAM
US9570678B1 (en) 2010-06-08 2017-02-14 Crossbar, Inc. Resistive RAM with preferental filament formation region and methods
US9012307B2 (en) 2010-07-13 2015-04-21 Crossbar, Inc. Two terminal resistive switching device structure and method of fabricating
US9601692B1 (en) 2010-07-13 2017-03-21 Crossbar, Inc. Hetero-switching layer in a RRAM device and method
US8441835B2 (en) 2010-06-11 2013-05-14 Crossbar, Inc. Interface control for improved switching in RRAM
WO2011156787A2 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Crossbar, Inc. Pillar structure for memory device and method
JP5696378B2 (ja) * 2010-06-15 2015-04-08 ソニー株式会社 記憶装置の製造方法
US8374018B2 (en) 2010-07-09 2013-02-12 Crossbar, Inc. Resistive memory using SiGe material
US8168506B2 (en) 2010-07-13 2012-05-01 Crossbar, Inc. On/off ratio for non-volatile memory device and method
US8569172B1 (en) 2012-08-14 2013-10-29 Crossbar, Inc. Noble metal/non-noble metal electrode for RRAM applications
US8884261B2 (en) 2010-08-23 2014-11-11 Crossbar, Inc. Device switching using layered device structure
US8467227B1 (en) 2010-11-04 2013-06-18 Crossbar, Inc. Hetero resistive switching material layer in RRAM device and method
US8947908B2 (en) 2010-11-04 2015-02-03 Crossbar, Inc. Hetero-switching layer in a RRAM device and method
US9401475B1 (en) 2010-08-23 2016-07-26 Crossbar, Inc. Method for silver deposition for a non-volatile memory device
US8889521B1 (en) 2012-09-14 2014-11-18 Crossbar, Inc. Method for silver deposition for a non-volatile memory device
US8492195B2 (en) 2010-08-23 2013-07-23 Crossbar, Inc. Method for forming stackable non-volatile resistive switching memory devices
US8404553B2 (en) 2010-08-23 2013-03-26 Crossbar, Inc. Disturb-resistant non-volatile memory device and method
US8391049B2 (en) 2010-09-29 2013-03-05 Crossbar, Inc. Resistor structure for a non-volatile memory device and method
US8558212B2 (en) 2010-09-29 2013-10-15 Crossbar, Inc. Conductive path in switching material in a resistive random access memory device and control
US8796661B2 (en) * 2010-11-01 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Nonvolatile memory cells and methods of forming nonvolatile memory cell
US8526213B2 (en) 2010-11-01 2013-09-03 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of programming memory cells, and methods of forming memory cells
US8502185B2 (en) 2011-05-31 2013-08-06 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
USRE46335E1 (en) 2010-11-04 2017-03-07 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
US8088688B1 (en) 2010-11-05 2012-01-03 Crossbar, Inc. p+ polysilicon material on aluminum for non-volatile memory device and method
US9454997B2 (en) 2010-12-02 2016-09-27 Micron Technology, Inc. Array of nonvolatile memory cells having at least five memory cells per unit cell, having a plurality of the unit cells which individually comprise three elevational regions of programmable material, and/or having a continuous volume having a combination of a plurality of vertically oriented memory cells and a plurality of horizontally oriented memory cells; array of vertically stacked tiers of nonvolatile memory cells
US8431458B2 (en) 2010-12-27 2013-04-30 Micron Technology, Inc. Methods of forming a nonvolatile memory cell and methods of forming an array of nonvolatile memory cells
US8930174B2 (en) 2010-12-28 2015-01-06 Crossbar, Inc. Modeling technique for resistive random access memory (RRAM) cells
US8815696B1 (en) 2010-12-31 2014-08-26 Crossbar, Inc. Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique
US8791010B1 (en) 2010-12-31 2014-07-29 Crossbar, Inc. Silver interconnects for stacked non-volatile memory device and method
US9153623B1 (en) 2010-12-31 2015-10-06 Crossbar, Inc. Thin film transistor steering element for a non-volatile memory device
US8791447B2 (en) 2011-01-20 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US8488365B2 (en) 2011-02-24 2013-07-16 Micron Technology, Inc. Memory cells
CN102157692B (zh) * 2011-03-22 2012-08-22 复旦大学 具有尖峰状底电极的有机阻变存储器的制备方法
CN102157688B (zh) * 2011-03-23 2012-07-18 北京大学 一种阻变存储器及其制备方法
US8537592B2 (en) 2011-04-15 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Arrays of nonvolatile memory cells and methods of forming arrays of nonvolatile memory cells
US8450710B2 (en) 2011-05-27 2013-05-28 Crossbar, Inc. Low temperature p+ silicon junction material for a non-volatile memory device
US8394670B2 (en) 2011-05-31 2013-03-12 Crossbar, Inc. Vertical diodes for non-volatile memory device
US9620206B2 (en) 2011-05-31 2017-04-11 Crossbar, Inc. Memory array architecture with two-terminal memory cells
US8619459B1 (en) 2011-06-23 2013-12-31 Crossbar, Inc. High operating speed resistive random access memory
US8659929B2 (en) 2011-06-30 2014-02-25 Crossbar, Inc. Amorphous silicon RRAM with non-linear device and operation
US9627443B2 (en) 2011-06-30 2017-04-18 Crossbar, Inc. Three-dimensional oblique two-terminal memory with enhanced electric field
US9564587B1 (en) 2011-06-30 2017-02-07 Crossbar, Inc. Three-dimensional two-terminal memory with enhanced electric field and segmented interconnects
US8946669B1 (en) 2012-04-05 2015-02-03 Crossbar, Inc. Resistive memory device and fabrication methods
US9166163B2 (en) 2011-06-30 2015-10-20 Crossbar, Inc. Sub-oxide interface layer for two-terminal memory
US9252191B2 (en) 2011-07-22 2016-02-02 Crossbar, Inc. Seed layer for a p+ silicon germanium material for a non-volatile memory device and method
US9729155B2 (en) 2011-07-29 2017-08-08 Crossbar, Inc. Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory
US10056907B1 (en) 2011-07-29 2018-08-21 Crossbar, Inc. Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory
US8674724B2 (en) 2011-07-29 2014-03-18 Crossbar, Inc. Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory
WO2013028376A2 (en) * 2011-08-24 2013-02-28 Rambus Inc. Resistive ram device having improved switching characteristics
US8716098B1 (en) 2012-03-09 2014-05-06 Crossbar, Inc. Selective removal method and structure of silver in resistive switching device for a non-volatile memory device
US9087576B1 (en) 2012-03-29 2015-07-21 Crossbar, Inc. Low temperature fabrication method for a three-dimensional memory device and structure
US9685608B2 (en) 2012-04-13 2017-06-20 Crossbar, Inc. Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory
US8658476B1 (en) 2012-04-20 2014-02-25 Crossbar, Inc. Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device
US8796658B1 (en) 2012-05-07 2014-08-05 Crossbar, Inc. Filamentary based non-volatile resistive memory device and method
US8765566B2 (en) 2012-05-10 2014-07-01 Crossbar, Inc. Line and space architecture for a non-volatile memory device
US9583701B1 (en) 2012-08-14 2017-02-28 Crossbar, Inc. Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation
US10096653B2 (en) 2012-08-14 2018-10-09 Crossbar, Inc. Monolithically integrated resistive memory using integrated-circuit foundry compatible processes
US8946673B1 (en) 2012-08-24 2015-02-03 Crossbar, Inc. Resistive switching device structure with improved data retention for non-volatile memory device and method
KR101922118B1 (ko) * 2012-08-27 2018-11-26 삼성전자주식회사 플렉서블 반도체소자 및 그 제조방법
US9312483B2 (en) 2012-09-24 2016-04-12 Crossbar, Inc. Electrode structure for a non-volatile memory device and method
US9576616B2 (en) 2012-10-10 2017-02-21 Crossbar, Inc. Non-volatile memory with overwrite capability and low write amplification
CN103730571B (zh) * 2012-10-15 2018-07-27 马维尔国际贸易有限公司 在电阻式随机存取存储器单元中形成接触以降低单元编程所需电压的方法和装置
US11068620B2 (en) 2012-11-09 2021-07-20 Crossbar, Inc. Secure circuit integrated with memory layer
US8982647B2 (en) 2012-11-14 2015-03-17 Crossbar, Inc. Resistive random access memory equalization and sensing
US9412790B1 (en) 2012-12-04 2016-08-09 Crossbar, Inc. Scalable RRAM device architecture for a non-volatile memory device and method
CN103035840A (zh) * 2012-12-19 2013-04-10 北京大学 阻变存储器及其制备方法
US9406379B2 (en) 2013-01-03 2016-08-02 Crossbar, Inc. Resistive random access memory with non-linear current-voltage relationship
US9324942B1 (en) 2013-01-31 2016-04-26 Crossbar, Inc. Resistive memory cell with solid state diode
US9112145B1 (en) 2013-01-31 2015-08-18 Crossbar, Inc. Rectified switching of two-terminal memory via real time filament formation
US8934280B1 (en) 2013-02-06 2015-01-13 Crossbar, Inc. Capacitive discharge programming for two-terminal memory cells
US9608204B2 (en) 2013-09-09 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Resistive random access memory and manufacturing method thereof
CN103594622B (zh) * 2013-11-28 2016-10-05 北京大学 高一致性的阻变存储器结构及其制备方法
US10290801B2 (en) 2014-02-07 2019-05-14 Crossbar, Inc. Scalable silicon based resistive memory device
US9245928B2 (en) 2014-03-10 2016-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile memory device
JP2015065459A (ja) * 2014-11-17 2015-04-09 スパンション エルエルシー 不揮発性メモリ用可変抵抗およびその製造方法並びに不揮発性メモリ
GB2561168B (en) * 2017-03-31 2019-08-07 Ucl Business Plc A switching resistor and method of making such a device
CN107221598A (zh) * 2017-04-25 2017-09-29 中国科学院微电子研究所 一种提高rram均一性的方法及rram器件
US11730070B2 (en) 2019-02-27 2023-08-15 International Business Machines Corporation Resistive random-access memory device with step height difference
CN109950394B (zh) * 2019-03-29 2020-05-15 河南大学 无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法
CN111463347A (zh) * 2020-04-08 2020-07-28 电子科技大学 一种制备高性能忆阻器的方法
CN111899916A (zh) * 2020-08-04 2020-11-06 淮南师范学院 性能可变电极及其制备方法
TW202306108A (zh) * 2021-07-19 2023-02-01 聯華電子股份有限公司 電阻式隨機存取記憶體元件及其製造方法
US11812675B2 (en) * 2021-09-21 2023-11-07 International Business Machines Corporation Filament confinement in resistive random access memory

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6036565A (en) * 1996-04-26 2000-03-14 Nec Corporation Method of fabricating a field emmision cold cathode
WO2004017436A3 (de) * 2002-07-26 2004-05-27 Infineon Technologies Ag Nichtflüchtiges speicherelement sowie zugehörige herstellungsverfahren und speicherelementanordnungen

Family Cites Families (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0496215B1 (de) * 1991-01-21 1995-08-30 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Aufbaus mit Hochtemperatursupraleitermaterial
JP2646999B2 (ja) * 1994-04-26 1997-08-27 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極
EP0772698A1 (en) 1994-08-01 1997-05-14 Hehmann, Franz, Dr Selected processing for non-equilibrium light alloys and products
US5869843A (en) * 1995-06-07 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Memory array having a multi-state element and method for forming such array or cells thereof
KR100375428B1 (ko) 1995-11-20 2003-05-17 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체기억장치 및 그 제조방법
JP3079987B2 (ja) 1996-02-28 2000-08-21 日本電気株式会社 電界放出電子源およびその製造方法
US5687112A (en) * 1996-04-19 1997-11-11 Energy Conversion Devices, Inc. Multibit single cell memory element having tapered contact
KR100500520B1 (ko) 1996-08-27 2005-07-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전사 방법 및 액티브 매트릭스 기판 제조 방법
US6147395A (en) * 1996-10-02 2000-11-14 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a small area of contact between electrodes
JP3139541B2 (ja) * 1997-12-01 2001-03-05 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極の製造方法
US6150691A (en) 1997-12-19 2000-11-21 Micron Technology, Inc. Spacer patterned, high dielectric constant capacitor
WO1999036956A1 (en) 1998-01-13 1999-07-22 Applied Materials, Inc. Etching methods for anisotropic platinum profile
US6323132B1 (en) 1998-01-13 2001-11-27 Applied Materials, Inc. Etching methods for anisotropic platinum profile
US6919168B2 (en) 1998-01-13 2005-07-19 Applied Materials, Inc. Masking methods and etching sequences for patterning electrodes of high density RAM capacitors
US6315870B1 (en) 1998-04-10 2001-11-13 University Of Central Florida Method for high flux photocatalytic pollution control
US6280559B1 (en) 1998-06-24 2001-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing color electroluminescent display apparatus and method of bonding light-transmitting substrates
KR20000015469A (ko) * 1998-08-29 2000-03-15 박이순 광중합형 감광성 형광체 페이스트 조성물및 이를 이용한 형광막의 형성방법
US8178435B2 (en) 1998-12-21 2012-05-15 Megica Corporation High performance system-on-chip inductor using post passivation process
US7531417B2 (en) 1998-12-21 2009-05-12 Megica Corporation High performance system-on-chip passive device using post passivation process
US6869870B2 (en) 1998-12-21 2005-03-22 Megic Corporation High performance system-on-chip discrete components using post passivation process
US6674619B2 (en) * 1998-12-22 2004-01-06 Rockwell Automation Technologies, Inc. Method for interrupting an electrical circuit
US6815744B1 (en) * 1999-02-17 2004-11-09 International Business Machines Corporation Microelectronic device for storing information with switchable ohmic resistance
US6297527B1 (en) 1999-05-12 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Multilayer electrode for ferroelectric and high dielectric constant capacitors
US6680900B1 (en) 1999-06-04 2004-01-20 Ricoh Company, Ltd. Optical-pickup slider, manufacturing method thereof, probe and manufacturing method thereof, and probe array and manufacturing method thereof
JP2001158966A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Ebara Corp 金属ないし金属化合物薄膜の作製方法
US6565730B2 (en) 1999-12-29 2003-05-20 Intel Corporation Self-aligned coaxial via capacitors
US6537715B2 (en) 2000-07-28 2003-03-25 Canon Kabushiki Kaisha Toner, image-forming method and process cartridge
CN1196392C (zh) 2000-07-31 2005-04-06 日本特殊陶业株式会社 布线基板及其制造方法
KR100396879B1 (ko) 2000-08-11 2003-09-02 삼성전자주식회사 동일 물질로 이루어진 이중막을 포함하는 다중막으로캡슐화된 캐패시터를 구비한 반도체 메모리 소자 및 그의제조 방법
US6775150B1 (en) 2000-08-30 2004-08-10 Intel Corporation Electronic assembly comprising ceramic/organic hybrid substrate with embedded capacitors and methods of manufacture
JP3664094B2 (ja) 2000-10-18 2005-06-22 株式会社村田製作所 複合誘電体成形物、その製造方法、およびそれを用いたレンズアンテナ
EP1211333A3 (en) 2000-12-01 2003-07-30 Japan Pionics Co., Ltd. Vaporizer for CVD apparatus
US7132666B2 (en) 2001-02-07 2006-11-07 Tomoji Takamasa Radiation detector and radiation detecting element
KR100395766B1 (ko) 2001-02-12 2003-08-25 삼성전자주식회사 강유전체 기억 소자 및 그 형성 방법
US6686659B2 (en) 2001-02-23 2004-02-03 Intel Corporation Selectable decoupling capacitors for integrated circuit and methods of use
WO2002096647A1 (en) 2001-05-25 2002-12-05 Advanced Ceramics Research, Inc. Ceramic components having multilayered architectures and processes for manufacturing the same
KR20030002863A (ko) 2001-06-30 2003-01-09 주식회사 하이닉스반도체 코어를 가진 플러그 구조 상의 강유전체 메모리소자 및 그제조방법
US20030010992A1 (en) 2001-07-16 2003-01-16 Motorola, Inc. Semiconductor structure and method for implementing cross-point switch functionality
US6596054B2 (en) 2001-07-23 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. Method for carbon monoxide reduction during thermal/wet abatement of organic compounds
US6551381B2 (en) 2001-07-23 2003-04-22 Advanced Technology Materials, Inc. Method for carbon monoxide reduction during thermal/wet abatement of organic compounds
JP4524561B2 (ja) 2001-07-24 2010-08-18 セイコーエプソン株式会社 転写方法
US20030034491A1 (en) 2001-08-14 2003-02-20 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object
JP3912058B2 (ja) 2001-08-21 2007-05-09 ソニー株式会社 光ディスクおよびその製造方法
US20030047765A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-13 Campbell Kristy A. Stoichiometry for chalcogenide glasses useful for memory devices and method of formation
CN1244096C (zh) 2001-10-10 2006-03-01 索尼公司 光学透镜、聚光透镜、光学拾取器和光学记录/再现装置
US6800563B2 (en) * 2001-10-11 2004-10-05 Ovonyx, Inc. Forming tapered lower electrode phase-change memories
JP4149161B2 (ja) 2001-12-06 2008-09-10 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法およびパターン製造装置
US6720553B2 (en) 2002-01-17 2004-04-13 Trustees Of The University Of Pennsylvania Tip calibration standard and method for tip calibration
JP2004241396A (ja) * 2002-02-07 2004-08-26 Sharp Corp 抵抗変化素子の製造方法および不揮発性抵抗変化メモリデバイスの製造方法、並びに不揮発性抵抗変化メモリデバイス
US7151273B2 (en) * 2002-02-20 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory
KR100455287B1 (ko) 2002-02-28 2004-11-06 삼성전자주식회사 반도체 장치의 커패시터, 그 제조방법 및 상기 커패시터를채용하고 있는 전자 소자
US6713310B2 (en) 2002-03-08 2004-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Ferroelectric memory device using via etch-stop layer and method for manufacturing the same
US6534326B1 (en) * 2002-03-13 2003-03-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of minimizing leakage current and improving breakdown voltage of polycrystalline memory thin films
US6849868B2 (en) * 2002-03-14 2005-02-01 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for resistance variable material cells
US6670628B2 (en) 2002-04-04 2003-12-30 Hewlett-Packard Company, L.P. Low heat loss and small contact area composite electrode for a phase change media memory device
JP4103497B2 (ja) * 2002-04-18 2008-06-18 ソニー株式会社 記憶装置とその製造方法および使用方法、半導体装置とその製造方法
JP3791509B2 (ja) 2002-06-28 2006-06-28 ソニー株式会社 光再生装置及び光再生方法
WO2004008535A1 (ja) * 2002-07-11 2004-01-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 不揮発性メモリおよびその製造方法
US6850455B2 (en) 2002-08-02 2005-02-01 Unity Semiconductor Corporation Multiplexor having a reference voltage on unselected lines
US6836421B2 (en) 2002-08-02 2004-12-28 Unity Semiconductor Corporation Line drivers that fit within a specified line pitch
US7020006B2 (en) 2002-08-02 2006-03-28 Unity Semiconductor Corporation Discharge of conductive array lines in fast memory
US6906939B2 (en) 2002-08-02 2005-06-14 Unity Semiconductor Corporation Re-writable memory with multiple memory layers
US6831854B2 (en) 2002-08-02 2004-12-14 Unity Semiconductor Corporation Cross point memory array using distinct voltages
US7057914B2 (en) 2002-08-02 2006-06-06 Unity Semiconductor Corporation Cross point memory array with fast access time
US7009909B2 (en) 2002-08-02 2006-03-07 Unity Semiconductor Corporation Line drivers that use minimal metal layers
US6856536B2 (en) 2002-08-02 2005-02-15 Unity Semiconductor Corporation Non-volatile memory with a single transistor and resistive memory element
US6970375B2 (en) 2002-08-02 2005-11-29 Unity Semiconductor Corporation Providing a reference voltage to a cross point memory array
US7067862B2 (en) 2002-08-02 2006-06-27 Unity Semiconductor Corporation Conductive memory device with conductive oxide electrodes
US7079442B2 (en) 2002-08-02 2006-07-18 Unity Semiconductor Corporation Layout of driver sets in a cross point memory array
US6859382B2 (en) 2002-08-02 2005-02-22 Unity Semiconductor Corporation Memory array of a non-volatile ram
US6798685B2 (en) 2002-08-02 2004-09-28 Unity Semiconductor Corporation Multi-output multiplexor
US7042035B2 (en) 2002-08-02 2006-05-09 Unity Semiconductor Corporation Memory array with high temperature wiring
US7326979B2 (en) 2002-08-02 2008-02-05 Unity Semiconductor Corporation Resistive memory device with a treated interface
US7071008B2 (en) 2002-08-02 2006-07-04 Unity Semiconductor Corporation Multi-resistive state material that uses dopants
US6917539B2 (en) 2002-08-02 2005-07-12 Unity Semiconductor Corporation High-density NVRAM
US6834008B2 (en) 2002-08-02 2004-12-21 Unity Semiconductor Corporation Cross point memory array using multiple modes of operation
US6870755B2 (en) 2002-08-02 2005-03-22 Unity Semiconductor Corporation Re-writable memory with non-linear memory element
US6850429B2 (en) 2002-08-02 2005-02-01 Unity Semiconductor Corporation Cross point memory array with memory plugs exhibiting a characteristic hysteresis
AU2003302321A1 (en) 2002-09-12 2004-06-23 The Trustees Of Boston College Metal oxide nanostructures with hierarchical morphology
JP4323257B2 (ja) 2002-09-24 2009-09-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 回路基板の製造方法、回路基板及び回路基板の製造装置
JP3840207B2 (ja) 2002-09-30 2006-11-01 株式会社東芝 絶縁膜及び電子素子
JP2004158717A (ja) 2002-11-07 2004-06-03 Fujitsu Ltd 薄膜積層体、その薄膜積層体を用いた電子装置及びアクチュエータ、並びにアクチュエータの製造方法
JP4187197B2 (ja) * 2002-11-07 2008-11-26 シャープ株式会社 半導体メモリ装置の制御方法
JP4298374B2 (ja) 2002-11-18 2009-07-15 シャープ株式会社 光情報記録媒体、並びに、それを用いた記録方法、再生方法、光情報記録装置、および光情報再生装置
JP4381675B2 (ja) * 2002-11-21 2009-12-09 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法、該半導体装置に係る測定用治具
EP1429307B1 (en) 2002-12-10 2005-06-22 Askk Co.,Ltd. Rotating braille display device
US7230316B2 (en) 2002-12-27 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having transferred integrated circuit
US6965128B2 (en) 2003-02-03 2005-11-15 Freescale Semiconductor, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices
DE602004027214D1 (de) * 2003-02-14 2010-07-01 Fuji Electric Holdings Schaltelement
US6868025B2 (en) 2003-03-10 2005-03-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. Temperature compensated RRAM circuit
US7063984B2 (en) * 2003-03-13 2006-06-20 Unity Semiconductor Corporation Low temperature deposition of complex metal oxides (CMO) memory materials for non-volatile memory integrated circuits
TW200507218A (en) 2003-03-31 2005-02-16 North Corp Layout circuit substrate, manufacturing method of layout circuit substrate, and circuit module
JP2004319049A (ja) 2003-04-18 2004-11-11 Sony Corp 光記録媒体及びこれを用いた光記録再生方法
JP4194504B2 (ja) 2003-05-02 2008-12-10 キヤノン株式会社 画像形成装置及び磁性トナー
KR100773537B1 (ko) * 2003-06-03 2007-11-07 삼성전자주식회사 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
TW589753B (en) 2003-06-03 2004-06-01 Winbond Electronics Corp Resistance random access memory and method for fabricating the same
JP3832659B2 (ja) 2003-06-06 2006-10-11 シャープ株式会社 光情報記録媒体、それを用いた記録方法、再生方法、光情報記録装置、および光情報再生装置
JP4377617B2 (ja) 2003-06-20 2009-12-02 日本特殊陶業株式会社 コンデンサ、コンデンサ付き半導体素子、コンデンサ付き配線基板、および、半導体素子とコンデンサと配線基板とを備える電子ユニット
US6830938B1 (en) 2003-06-24 2004-12-14 Texas Instruments Incorporated Method for improving retention reliability of ferroelectric RAM
JP2005026589A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US7147834B2 (en) 2003-08-11 2006-12-12 The Research Foundation Of State University Of New York Hydrothermal synthesis of perovskite nanotubes
JP4272486B2 (ja) 2003-08-29 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成装置の洗浄方法
WO2005033209A1 (ja) 2003-09-30 2005-04-14 Nippon Shokubai Co., Ltd. 複合誘電体用樹脂組成物および複合誘電体、該誘電体を使用した電気回路基板
JPWO2005041303A1 (ja) * 2003-10-23 2007-04-26 松下電器産業株式会社 抵抗変化素子、その製造方法、その素子を含むメモリ、およびそのメモリの駆動方法
US7059664B2 (en) 2003-12-04 2006-06-13 General Motors Corporation Airflow control devices based on active materials
US6849891B1 (en) 2003-12-08 2005-02-01 Sharp Laboratories Of America, Inc. RRAM memory cell electrodes
JP2005203389A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Sharp Corp 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
DE102004007633B4 (de) * 2004-02-17 2010-10-14 Qimonda Ag Speicherzelle, Halbleiter-Speicherbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle
JP4365737B2 (ja) * 2004-06-30 2009-11-18 シャープ株式会社 可変抵抗素子の駆動方法及び記憶装置
US7791141B2 (en) * 2004-07-09 2010-09-07 International Business Machines Corporation Field-enhanced programmable resistance memory cell
US7374174B2 (en) * 2004-12-22 2008-05-20 Micron Technology, Inc. Small electrode for resistance variable devices
US7208372B2 (en) * 2005-01-19 2007-04-24 Sharp Laboratories Of America, Inc. Non-volatile memory resistor cell with nanotip electrode
US7521705B2 (en) 2005-08-15 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Reproducible resistance variable insulating memory devices having a shaped bottom electrode

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6036565A (en) * 1996-04-26 2000-03-14 Nec Corporation Method of fabricating a field emmision cold cathode
WO2004017436A3 (de) * 2002-07-26 2004-05-27 Infineon Technologies Ag Nichtflüchtiges speicherelement sowie zugehörige herstellungsverfahren und speicherelementanordnungen

Also Published As

Publication number Publication date
KR100954948B1 (ko) 2010-04-27
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US8039300B2 (en) 2011-10-18
US7863595B2 (en) 2011-01-04
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EP1929556A1 (en) 2008-06-11
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EP2429007A2 (en) 2012-03-14
US20070034848A1 (en) 2007-02-15
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WO2007021913A1 (en) 2007-02-22
JP5152674B2 (ja) 2013-02-27

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