CN101443924B - 利用多层含硅密封剂制备发光器件的方法以及使用该方法制备的发光器件 - Google Patents

利用多层含硅密封剂制备发光器件的方法以及使用该方法制备的发光器件 Download PDF

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Abstract

本文公开了一种制备LED发光器件的方法以及使用该方法制备的发光器件。所述方法包括：通过使LED与第一密封剂或第一可光聚合的组合物接触，然后使所述第一密封剂与第二可光聚合的组合物接触，从而形成与LED接触的多层密封剂，所述第一密封剂为有机硅凝胶、硅橡胶胶料、有机硅液、有机基硅氧烷、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚磷腈、溶胶-凝胶组合物。每种可光聚合的组合物包含含硅的树脂和含金属的催化剂，所述含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团。施加具有700nm或更小波长的光化辐射，以开始在所述含硅的树脂内的硅氢化反应。

Description

利用多层含硅密封剂制备发光器件的方法以及使用该方法制备的发光器件
相关专利申请的交叉引用
本申请要求提交于2006年5月17日的美国临时申请No.60/747516的优先权，该临时申请以引用的方式并入本文。 
技术领域
本公开涉及制备发光器件的方法，并且更具体地讲，涉及制备具有发光二极管(LED)和多层含硅密封剂的发光器件的方法。 
背景技术
可以多种构造来制备LED发光器件，多种所述构造可结合一或两条导电金属线材，该导电金属线材将半导体或LED晶粒连接至LED包装基座中的电极。线材与电极和/或LED晶粒的结合点已知是LED发光器件的故障点，因此，必须小心处理器件以避免破坏引线键合。通常用透明的有机树脂封装LED晶粒，这种方法既能增加从晶粒中提取的光量也能保护晶粒免受物理破坏。 
一般来讲，存在着对于可用作LED发光器件密封剂的透明有机树脂的需求。为了加快制造(缩短时间)并降低器件总成本，希望获得具有相对快速固化机制的树脂。 
发明内容
本文公开了一种制备发光器件的方法。在一个方面，该方法包括：提供发光二极管；以及形成与发光二极管接触的多层密封剂，其中形成多层密封剂包括：使发光二极管与第一密封剂接触，该第一密封剂包括有机硅凝胶、硅橡胶胶料、有机硅液、有机基硅氧烷、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚磷腈、或溶胶-凝胶组合物；使第一密封剂与可光聚合的 组合物接触，该可光聚合的组合物包括含硅的树脂和含金属的催化剂，含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；并且施加具有700nm或更小波长的光化辐射，以开始在含硅的树脂内的硅氢化反应，从而形成第二密封剂。 
在另一方面，该方法包括：提供发光二极管；以及形成与发光二极管接触的多层密封剂，其中形成多层密封剂包括：使发光二极管与第一可光聚合的组合物接触，该可光聚合的组合物包括第一含硅的树脂和第一含金属的催化剂，第一含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；并且使第一可光聚合的组合物与第二可光聚合的组合物接触，该第二可光聚合的组合物包括第二含硅的树脂和第二含金属的催化剂，第二含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；以及施加具有700nm或更小波长的光化辐射，以开始在第一和第二含硅的树脂内的硅氢化反应，从而分别形成第一和第二密封剂。 
在又一个方面，该方法包括：提供发光二极管；以及形成与发光二极管接触的多层密封剂，其中形成多层密封剂包括：使发光二极管与第一可光聚合的组合物接触，该第一可光聚合的组合物包括第一含硅的树脂和第一含金属的催化剂，第一含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；并且使第一可光聚合的组合物与第二可光聚合的组合物接触，该第二可光聚合的组合物包括第二含硅的树脂和第二含金属的催化剂，第二含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；并且使第二可光聚合的组合物与第三可光聚合的组合物接触，该第三可光聚合的组合物包括第三含硅的树脂和第三含金属的催化剂，第三含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；以及施加具有700nm或更小波长的光化辐射，以开始在第一、第二、和第三含硅的树脂内的硅氢化反应，从而分别形成第一、第二和第三密封剂。 
本文所公开的方法提供的LED发光器件具有多种优点。通过对材料的适当选取，可对第一和第二密封剂的特性分别进行调节以便为器 件提供改善的光化学稳定性和热稳定性、抗物理缺陷性、延长的使用寿命、和提高的光学效率。 
本发明的这些方面以及其它方面在下面的具体实施方式中将显而易见。然而，在任何情况下上述发明内容都不应理解为是对受权利要求书保护的主题的限制，该主题仅受所附权利要求的限定，在专利申请过程中可以对其进行修正。 
附图说明
图1为本领域已知的LED发光器件的示意图。 
图2和图3为如本文所公开的示例性LED发光器件的示意图。 
具体实施方式
图1示出了LED发光器件10，其中LED晶粒用密封剂进行封装。LED晶粒11安装在金属化触体12a上，该触体设置在反射杯14的基底13上。LED晶粒11在其底表面上有一个电触点并且在其上表面有另一个电触点，后者通过引线键合15连接到独立的金属化触体12b。可将电源(未示出)连接到金属化触体以便为LED晶粒供能。密封剂16封装LED晶粒。 
LED发光器件的已知故障模式(例如图1中所示模式)为：当器件经受多个加热和冷却循环(在超过130℃的温度下加热，然后冷却至环境温度)后发生断线。当采用具有高模量和高热膨胀系数的密封剂时，重复的热循环可使引线键合受应力影响，并且该应力可能最终导致器件故障。此类密封剂的例子为环氧树脂。对于此类问题的一种解决方法是使用低模量、弹性体、凝胶状或液体状的硅密封剂，或者甚至使用分子量很高的液体材料，例如封装芯片和引线键合的硅橡胶胶料。然而，这些材料还会遇到其它问题，包括在组装、运输或电路板组装过程中易碎的表面容易损坏，以及在密封剂表面上增多了灰尘的吸附。
为软内层提供硬外层的一种方法即为软凝胶有机硅提供形状合适的硬外壳，该硬外壳可使用注塑成型工艺单独形成。然而，这种外壳增加了包装过程的成本和复杂性，例如，需要至少一个另外的拾取和放置操作。此外，大多数注塑成型的塑料的折射率都显著高于大多数光稳定有机硅材料的折射率(聚二甲基硅氧烷的折射率为约1.4)。因此，包装的使用寿命稳定性必须与光学效率相权衡。 
图2示出了示例性LED发光器件20，该器件包括用多层密封剂封装的LED晶粒。LED晶粒21安装在金属化触体22a上，该触体设置在反射杯24的基底23上。LED晶粒21在其底表面上有一个电触点并且在其上表面有另一个电触点，后者通过引线键合25连接到独立的金属化触体22b。可将电源(未示出)连接到金属化触体以便为LED晶粒供能。分别包含第一和第二密封剂26和27的多层密封剂封装LED晶粒。 
该多层密封剂具有几个优点。通过对材料的适当选取，可对第一和第二密封剂的特性分别进行调节。例如，可将第一密封剂设计为保护第二密封剂免受LED晶粒产生的高热和光的影响。(LED晶粒温度可高于125℃。)也可选择第一密封剂使得它比第二密封剂软，或使其具有相对于第二密封剂较低的模量或粘度。这些特性可有助于减少器件热循环过程中引线键合上的应力的量，使得对引线键合的破坏降到最低。可选择第二密封剂使得其提供硬外表面，该硬外表面可抗刮擦和其它类型的物理缺陷，这些物理缺陷可能会影响器件所发射的光的光学特性。也可以选择第二密封剂使得可减轻现在的商用密封剂所共有的灰尘吸附问题。另一个优点是第一和第二密封剂还可被用于提高器件的光学效率，例如，如果第一密封剂的折射率大于第二密封剂的折射率。 
在一个实施例中，该方法包括：提供发光二极管；以及形成与发 光二极管接触的多层密封剂，其中形成多层密封剂包括：使发光二极管与第一密封剂接触，该第一密封剂包括有机硅凝胶、硅橡胶胶料、有机硅液、有机基硅氧烷、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚磷腈或溶胶-凝胶组合物；使第一密封剂与可光聚合的组合物接触，该可光聚合的组合物包括含硅的树脂和含金属的催化剂，含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；并且施加具有700nm或更小波长的光化辐射，以开始在含硅的树脂内的硅氢化反应，从而形成第二密封剂。 
第一密封剂的适用材料包括热稳定、光化学稳定、本质上透光和无色的材料。本文中，热稳定是指材料在长时间暴露于热的情况下、尤其是相对于有色的或吸收光的降解产物的形成来说，不发生化学降解。本文中，光化学稳定是指材料在长时间暴露于光化辐射的情况下、尤其是相对于有色的或吸收光的降解产物的形成来说，不发生化学降解。 
第一密封剂可以是软材料，即比第二密封剂软。软材料包括有机硅凝胶或非活性或活性液体或凝胶材料，这些材料是光稳定并且热稳定的，对引线键合施加的应力极小甚至不施加应力。第一密封剂可包含含有有机基硅氧烷的液体、凝胶、弹性体或非弹性固体。优选的液体材料是非功能性有机硅液和硅橡胶胶料、通过照射形成粘度的固化有机硅液、由低分子量液体制成的硅橡胶胶料(其使用紫外光灯照射而固化并且链式延伸至凝胶状材料(即无交联))以及固化的有机硅凝胶。如本文所用，液体是指与凝胶(不流动)相比容易流动的材料。第一密封剂层也可包含无色可溶的聚酰亚胺(如US5,750,641中所述)、聚磷腈、聚硅氧烷和溶胶-凝胶组合物。在一个实施例中，第一密封剂包含有机硅凝胶、硅橡胶胶料、有机硅液、有机基硅氧烷、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚磷腈或溶胶-凝胶组合物。例如，第一密封剂可包含有机基硅氧烷，并且有机基硅氧烷包含三甲基甲硅氧基封端的聚二甲基硅氧烷。
第二密封剂包含含硅密封剂，该含硅密封剂是有利的，因为它具有热稳定性和光化学稳定性。含硅密封剂在本领域中是已知的。这些组合物通常包含有机基硅氧烷，该有机基硅氧烷通过在键合到有机基硅氧烷组分上的硅烷醇基团间进行酸催化的缩合反应或通过在纳入脂肪族不饱和基团以及硅键合的氢的(键合到有机基硅氧烷组分上的)基团之间进行金属催化的硅氢化反应而固化。首先，固化反应相对较慢，有时完成反应会需要数小时。其次，期望的固化程度常常要求温度显著超过室温。例如，美国专利申请公开US2004/0116640A1公布此类组合物“...优选地通过在约120℃至180℃下加热约30至180分钟进行固化”(...preferably cured by heating at about120to180℃for about30to180minutes)。 
第二密封剂由如U.S.7,192,795B1中所述的可光聚合的组合物形成。该可光聚合的组合物包含有机基硅氧烷组合物，该有机基硅氧烷组合物通过在纳入脂肪族不饱和基团以及硅键合的氢的(键合到有机基硅氧烷组分上的)基团之间进行金属催化的硅氢化反应而固化。然而，本文所用的含金属的催化剂可通过光化辐射进行活化。使用辐射活化的硅氢化反应来固化组合物的优点包括：(1)能够固化密封的组合物，而不会让LED晶粒、LED上附接的基底或者包装或体系中存在的任何其它材料受到可能的有害温度的影响；(2)能够配制具有长使用寿命(也称为槽池寿命或储存寿命)的单组分密封组合物；(3)能够按照使用者的要求迅速固化密封制剂；以及(4)能够通过避免热固化型硅氢化反应组合物通常所需的双组分配方需求来简化配方工艺。 
第二密封剂可以为弹性体或非弹性固体的形式，并且是热稳定和光化学稳定的。可光聚合的组合物包含可通过快速固化机制(如数秒到少于30分钟)进行固化的含硅的树脂，以加快制备时间并降低总成本。 
含硅的树脂可包括单体、低聚物、聚合物或它们的混合物。它包 含硅键合的氢以及脂肪族不饱和基团，因此可进行硅氢化反应(即在一个碳-碳双键或三键上加入一个硅键合的氢)。硅键合的氢以及脂肪族不饱和基团可存在或可不存在于同一分子中。此外，脂肪族不饱和基团可直接或可不直接与硅键合。 
合适的含硅的树脂的实例在(例如)美国专利No.6,376,569(奥克斯曼(Oxman)等人)、4,916,169(波德曼(Boardman)等人)、6,046,250(波德曼等人)、5,145,886(奥克斯曼等人)、6,150,546(巴兹(Butts))，以及美国专利申请No.2004/0116640(三好(Miyoshi))中公开。优选的含硅的树脂包含有机基硅氧烷(即，硅氧烷)，所述有机基硅氧烷包含有机聚硅氧烷。这类树脂通常包含至少两种组分，其中一种具有硅键合的氢，另一种具有脂肪族不饱和基团。然而，硅键合的氢以及烯属不饱和基团可以共存于同一分子中。 
在一个实施例中，含硅的树脂可包含具有至少两个与分子中硅原子键合的脂肪族不饱和基团(例如烯基或炔基)位点的硅氧烷组分，以及具有至少两个与分子中硅原子键合的氢原子的有机氢硅烷和/或有机氢聚硅氧烷组分。优选的是含硅的树脂同时包含两种组分，以含硅脂肪族不饱和基团作为基体聚合物(即组合物中的主要有机基硅氧烷组分)。优选的含硅的树脂是有机聚硅氧烷。这类树脂通常包含至少两种组分，其中至少一种包含脂肪族不饱和基团，同时其中至少一种包含硅键合的氢。此类有机聚硅氧烷在本领域中是已知的，并在诸如US3,159,662(艾诗比(Ashby))、US3,220,972(拉莫诺兹(Lamoreauz))、US3,410,886(乔伊(Joy))、US4,609,574(柯瑞克(Keryk))、US5,145,886(奥克斯曼等人)以及US4,916,169(波德曼等人)的美国专利中公开。如果单树脂组分同时包含脂肪族不饱和基团以及硅键合的氢，则可固化的单组分有机聚硅氧烷树脂是可能存在的。 
优选的是，含有脂肪族不饱和基团的有机聚硅氧烷是线性、环状或支链的有机聚硅氧烷，含有化学式为
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2的单元，其中：R1是一价、直链、支链或环状、未取代或取代的烃基，其不含有脂肪族不饱和基团，而含有1至18个碳原子；R2是一价烃基，其含有脂肪族不饱和基团和2至10个碳原子；a为0、1、2、或3；b为0、1、2、或3；并且a+b的和为0、1、2、或3；条件是每个分子中平均存在至少一个R2。 
含有脂肪族不饱和基团的有机聚硅氧烷在25℃下的平均粘度优选为至少5mPa.s。 
合适的R1基团的例子有：烷基，诸如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、正己基、环己基、正辛基、2，2，4-三甲基戊基、正癸基、正十二烷基、和正十八烷基；芳基，诸如苯基或萘基；烷芳基，诸如4-甲苯基；芳烷基，诸如苄基、1-苯乙基、和2-苯乙基；以及取代烷基，诸如3，3，3-三氟正丙基、1，1，2，2-四氢全氟正已基、和3-氯正丙基。在一个实施例中，至少20摩尔％的R1基团为芳基、芳烷基、烷芳基或它们的组合。在另一个实施例中，R1基团为甲基、苯基或它们的组合。 
合适的R2基团的例子有：烯基，诸如乙烯基、5-己烯基、1-丙烯基、烯丙基、3-丁烯基、4-戊烯基、7-辛烯基、和9-癸烯基；以及炔基，诸如乙炔基、炔丙基和1-丙炔基。在本发明中，具有脂肪族碳-碳多键的基团包含具有脂环族碳-碳多键的基团。 
含有硅键合的氢的有机聚硅氧烷优选地为线性、环状或支链的有机聚硅氧烷，含有化学式为R1 aHcSiO(4-a-c)/2的单元，其中：R1如上文所定义；a为0、1、2、或3；c为0、1、或2；并且a+c的和为0、1、2、或3；条件是每个分子中平均存在至少1个硅键合的氢。在一个实施例中，至少90摩尔％的R1基团为甲基。在另一个实施例中，R1基团为甲基、苯基、或它们的组合。
含有硅键合的氢的有机聚硅氧烷在25℃下的平均粘度优选为至少5mPa.s。 
同时含有脂肪族不饱和基团以及硅键合的氢的有机聚硅氧烷优选同时含有化学式为R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2以及R1 aHcSiO(4-a-c)/2的单元。在这些化学式中，R1、R2、a、b以及c的定义与上文相同，条件是每个分子中存在平均至少1个含有脂肪族不饱和基团以及1个硅键合的氢原子的基团。 
在含硅的树脂(尤其是有机聚硅氧烷树脂)中，硅键合的氢原子与脂肪族不饱和基团的摩尔比范围可以是0.5至10.0摩尔/摩尔，优选地为0.8至4.0摩尔/摩尔，更优选地为1.0至3.0摩尔/摩尔。 
对于一些实施例，在上述的有机聚硅氧烷树脂中，其中相当一部分的R1基优选地为苯基或其它芳基、芳烷基或烷芳基，因为与所有R1基都是(例如)甲基的材料相比，包含这些基团能够使材料具有更高的折射率。 
本发明所公开的方法涉及波长小于或等于700纳米(nm)的光化辐射的用途。因此，本发明所公开的方法在避免有害温度这方面尤其有利。本发明所公开的方法优选地涉及温度低于120℃、更优选地温度低于60℃、还更优选地温度为25℃或更低的光化辐射应用。 
本发明所公开的方法中所用的光化辐射包括波长小于或等于700nm的广泛范围内的光，包括可见光以及紫外光，但是优选的是，光化辐射具有600nm或更小的波长，并且更优选地为200至600nm，甚至更优选地为250至500nm。优选的是，光化辐射的波长为至少200nm，更优选的是至少250nm。 
对含硅的树脂施加一段时间的足量光化辐射以形成至少部分固化 的密封剂。部分固化的密封剂是指，硅氢化反应中消耗至少5摩尔％的脂肪族不饱和基团。优选地，对含硅的树脂施加一段时间的足量光化辐射以形成基本固化的密封剂。基本固化的密封剂是指，由于硅键合的氢与脂肪族不饱和物质之间发生了光活化的加成反应，反应前反应物质中大于60摩尔％的脂肪族不饱和基团被消耗。优选的是，此类固化在少于30分钟的时间内发生，更优选的是少于10分钟，甚至更优选的是少于5分钟。在某些实施例中，此类固化可在几秒内发生。 
光化辐射源的实例所包括的范围非常广泛。这些辐射源包括卤钨灯、氙弧灯、汞弧灯、白炽灯、荧光灯、激光器、和外部LED照明器。在某些实施例中，光化辐射源为LED晶粒，例如，施加光化辐射包括激发LED晶粒。 
本发明所公开的组合物也包括含金属的催化剂，该催化剂能够通过辐射活化的硅氢化反应来固化封装的材料。这些催化剂在本领域中是已知的，通常包括贵金属(诸如铂、铑、铱、钴、镍、以及钯)的络合物。含贵金属催化剂的优选地包含铂。本发明所公开的组合物还可包括助催化剂。 
多种这类催化剂在(例如)美国专利No.6,376,569(奥克斯曼等人)、4,916,169(波德曼等人)、6,046,250(波德曼等人)、5,145,886(奥克斯曼等人)、6,150,546(巴兹)、4,530,879(扎那克(Drahnak))、4,510,094(扎那克)、5,496,961(道斯(Dauth))、5,523,436(道斯)、4,670,531(艾克伯格(Eckberg))以及国际专利公开No.WO95/025735(明拿连)中公开。 
某些优选的含铂催化剂选自由下列络合物组成的组：Pt(II)β-二酮络合物(诸如美国专利No.5,145,886(奥克斯曼等人)中公开的络合物)、(η5-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物(诸如美国专利No.4,916,169(波德曼等人)以及美国专利No.4,510,094(扎那克)中 公开的络合物)、以及C7-20-芳基取代的(η5-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物(诸如美国专利No.6,150,546(巴兹)中公开的络合物)。 
以足以有效加速硅氢化反应的用量来使用此类催化剂。封装材料中包含此类催化剂的量在每百万份封装材料的组合物中优选的是至少1份，更优选的是至少5份。封装材料中包含此类催化剂的量在每百万份封装材料的组合物中优选的是不大于1000份金属，更优选的是不大于200份金属。 
在另一个实施例中，本文所公开的方法包括：提供发光二极管；以及形成与发光二极管接触的多层密封剂，其中形成多层密封剂包括：使发光二极管与第一可光聚合的组合物接触，该可光聚合的组合物包括第一含硅的树脂和第一含金属的催化剂，第一含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；并且使第一可光聚合的组合物与第二可光聚合的组合物接触，该第二可光聚合的组合物包括第二含硅的树脂和第二含金属的催化剂，第二含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；以及施加具有700nm或更小波长的光化辐射，以开始在第一和第二含硅的树脂内的硅氢化反应，从而分别形成第一和第二密封剂。第一密封剂可以比第二密封剂软。 
第一和第二可光聚合的组合物可以是上述的可光聚合的组合物。在这种情况下，可将它们按顺序分配至LED包装，接着同时进行固化以减少分配和固化第一层材料的处理时间，然后分配和固化第二层材料。由于使用如U.S.7,192,795B1所述的光固化有机硅可在短时间实现固化，光固化有机硅也可改善此逐步固化机制的处理时间。 
一般来讲，可选择用于第一和第二可光聚合的组合物的材料以使得第一密封剂比第二密封剂较软。所述“较软”是指受到机械外力时，第一密封剂比第二密封剂更容易变形。例如，第一密封剂可具有较低 的杨氏弹性模量或较低的邵氏硬度。可通过对第一和第二含硅的树脂进行适当选择来获得较软的第一密封剂。例如，可通过使其具有比第二密封剂低的交联密度而获得较软的第一密封剂。这可以通过减少沿第一含硅的树脂的主链上的硅键合的氢的数量，以及/或者通过增加交联之间链段的分子量来实现。较软的第一密封剂也可以通过各个可光聚合的组合物中所用的具体含金属的催化剂来获得。例如，如果使用相同的含金属的催化剂，则可以通过使第一可光聚合的组合物中含有较少的催化剂来获得较软的第一密封剂。如果使用相同的含硅的树脂，则可以通过使第一可光聚合的组合物中含有较少的活性催化剂来获得较软的第一密封剂。 
对于本文所述的实施例，可选择用于第一和第二密封剂的材料以获得期望的折射率。例如，第一和第二密封剂具有基本相同的折射率。对于另一个实例，第一密封剂可具有大于第二密封剂的折射率。从发光芯片到第一密封剂到第二密封剂，最后到空气，折射率逐渐降低，由于光损失的最小化(由于菲涅耳反射和吸收)，使得可从包装进行更有效的光提取。如果密封剂具有不同的折射率，则可以在界面处形成具有折射率渐变薄层，这是由高折射率和低折射率材料的相互扩散造成的。相互扩散的程度将取决于材料的化学性质、固化机制和固化率。 
具体可用的构造包括(1)具有第一密封剂和第二密封剂的LED，其中第一密封剂与半导体晶粒和引线键合接触，第二密封剂设置在第一密封剂顶部，其中第一密封剂具有比第二密封剂高的折射率；(2)具有第一含硅密封剂和第二密封剂的LED，其中第一含硅密封剂与半导体晶粒和引线键合接触，第二密封剂设置在第一密封剂顶部，其中第一密封剂具有比第二密封剂高的折射率，并且第一密封剂为液体、凝胶、纯胶料或很软的弹性体；以及(3)具有第一含硅密封剂和第二密封剂的LED，其中第一含硅密封剂与半导体晶粒和引线键合接触，第二密封剂设置在第一密封剂顶部，其中第一密封剂具有基本上与第二密封剂相 同的折射率，并且第一密封剂为液体、凝胶、纯胶料或很软的弹性体。另一个实施例为两层(液体/凝胶层到固体层)的双层构造，其中第一密封剂是顶部用活性固体层密封的非活性或活性的液体或凝胶材料。 
含硅的树脂对紫外线的折射率优选地为至少1.34。在一些实施例中，含硅的树脂的折射率优选地为至少1.50。 
在另一个实施例中，可使用第三密封剂。在这种情况下，第二密封剂可具有大于第三密封剂的折射率。尤其可用的构造包括：(4)具有第一含硅密封剂和第二密封剂的LED，其中第一含硅密封剂与半导体晶粒和引线键合接触，第二密封剂设置在第一密封剂顶部，其中第一密封剂具有比第二密封剂高的折射率并且第一密封剂为液体、凝胶、纯胶料或很软的弹性体，并且包括设置在第二密封剂上的第三密封剂，其中第二密封剂的折射率大于第三密封剂的折射率。 
第一和/或第二密封剂可包含一种或多种添加剂，该添加剂选自由下列物质组成的组：非吸收性金属氧化物颗粒、半导体颗粒、无机发光材料、敏化剂、抗氧化剂、颜料、光引发剂、催化剂抑制剂、以及它们的组合。如果使用，这些添加剂的量应足以产生所需效果。 
如上所述，可期望第一密封剂具有大于第二密封剂的折射率。这可以通过包含高折射率的纳米级颗粒来实现，该纳米级颗粒可以是或可以不是表面改性的。可根据需要选择纳米级颗粒以使得其不会为密封剂引入颜色或散射。 
可采用在LED发射频宽上基本透明的非吸收性金属氧化物和半导体颗粒。例如，与密封剂混合的非吸收性金属氧化物和/或半导体颗粒的1mm厚圆盘可吸收圆盘上不超过30％的入射光。在其它情况下，该混合物可吸收圆盘上不超过10％的入射光。非吸收性金属氧化物以及半导体颗粒的例子包括，但不限于Al2O3、ZrO2、TiO2、V2O5、ZnO、SnO2、 ZnS、SiO2以及它们的混合物，以及其它足够透明的非氧化物陶瓷材料，诸如半导体材料(包括ZnS、CdS以及GaN等材料)。可对颗粒进行表面处理以改善密封剂中的分散性。这种表面处理用化学物质的例子包括硅烷、硅氧烷、羧酸、膦酸、锆酸盐、钛酸盐等。施加这种表面处理化学物质的技术是已知的。二氧化硅(SiO2)具有相对较低的折射率，但可将其用于某些应用，例如，用于由较高折射率材料制成的颗粒的薄层表面处理，使得使用有机硅烷进行表面处理更为容易。就这一点而言，所述颗粒可包含这样一类物质：其由一种材料构成核心，而在该核心上沉淀有另一种材料。 
如果使用，封装材料中包含的非吸收性金属氧化物以及半导体颗粒的量优选为不大于85重量％(基于封装材料的总重量)。优选的是，封装材料中包含的非吸收性金属氧化物以及半导体颗粒的量为至少10重量％，更优选地为至少45重量％(基于封装材料的总重量)。通常，粒度在1纳米至1微米之间，优选地为10纳米至300纳米，更优选地为10纳米至100纳米。该粒度是指平均粒度，其中所述粒度是指颗粒的最长维度，对球形颗粒来说即是直径。本领域的技术人员可以理解的是，金属氧化物和/或半导体颗粒的体积％以单峰分布的球形颗粒的情况来考虑，不能超过74体积％。 
封装材料内能够可选地包含无机发光材料以调整LED发出的光的颜色。如本文所述，无机发光材料由光致发光材料组成。该荧光材料可以是无机颗粒、有机颗粒或有机分子或者是它们的组合。合适的无机颗粒包含掺杂质的石榴石(诸如YAG:Ce以及(Y，Gd)AG:Ce)、铝酸盐(诸如Sr2Al14O25:Eu以及BAM:Eu)、硅酸盐(诸如SrBaSiO:Eu)、硫化物(诸如ZnS:Ag、CaS:Eu以及SrGa2S4:Eu)、氧代硫化物、氧代氮化物、磷酸盐、硼酸盐以及钨酸盐(诸如CaWO4)。这些材料的形式可以是常规无机发光材料粉末或纳米颗粒无机发光材料粉末。另一类合适的无机颗粒是所谓的量子点无机发光材料，用半导体纳米颗粒制成，包括：Si、Ge、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、PbS、 PbSe、PbTe、InN、InP、InAs、AlN、AlP、AlAs、GaN、GaP、GaAs以及它们的组合。一般来讲，每个量子点的表面都将至少部分地被有机分子覆盖，从而防止附聚以及提高与粘合剂的相容性。在一些情况下，半导体量子点可由核壳构造内数层不同的材料组成。合适的有机分子包含荧光染料，诸如美国专利No.6,600,175(巴扎(Baretz)等人)列出的那些荧光染料。优选那些显示具有良好耐久性以及稳定光学性质的荧光材料。无机发光材料层可由单层或多层中不同类型的无机发光材料混合组成，每层含有一种或多种无机发光材料。无机发光材料层中的无机无机发光材料颗粒可具有不同的粒度(例如直径)，并且可被分开，使得沿掺入它们的硅氧烷层的横截面上的平均粒度是不均匀的。如果使用，封装材料中包含的无机发光材料颗粒的量优选为不大于85重量％，并且为至少1重量％(基于封装材料的总重量)。无机发光材料用量将根据含无机发光材料的硅氧烷层厚度以及所需发光颜色进行调整。 
封装材料可选地包含敏化剂，以在给定引发辐射的波长下加快固化过程(或硅氢化反应)的总体速率和/或使引发辐射的最佳有效波长变得更长。可用的敏化剂包括(例如)多环芳族化合物以及含有酮发色团的芳族化合物(诸如美国专利No.4,916,169(波德曼等人)以及美国专利No.6,376,569(奥克斯曼等人)中公开的那些化合物)。可用的敏化剂的实例包括、但不限于：2-氯噻吨酮、9，10-二甲基蒽、9，10-二氯蒽、以及2-乙基-9，10-二甲基蒽。如果使用，封装材料中包含的此类敏化剂的量在每百万份组合物中优选地不超过50,000重量份，更优选地不超过5000重量份。如果使用，封装材料中包含的此类敏化剂的量在每百万份组合物中优选地为至少50重量份，更优选地为至少100重量份。 
封装材料可选地包含光引发剂，以加快固化过程(或硅氢化反应)的总体速率。可用的光引发剂包括(例如)α-二酮或α-酮醛的单缩酮以及酮醇以及它们相应的醚(诸如美国专利No.6,376,569(奥克斯曼 等人)中公开的那些)。如果使用，封装材料中包含的此类光引发剂的量在每百万份组合物中优选地不超过50,000重量份，更优选地不超过5000重量份。如果使用，封装材料中包含的此类光引发剂的量在每百万份组合物中优选地为至少50重量份，更优选地为至少100重量份。 
封装材料可选地包含催化剂抑制剂，以进一步延长组合物的可用储存寿命。催化剂抑制剂在本领域中是已知的，并且包括诸如以下的材料：炔醇(例如参见美国专利No.3,989,666(涅米(Niemi))以及No.3,445,420(库库谢德(Kookootsedes)等人))、不饱和羧酸脂(例如参见美国专利No.4,504,645(麦兰松(Melancon))、No.4,256,870(艾克伯格(Eckberg))、No.4,347,346(艾克伯格)以及No.4,774,111(罗(Lo)))以及某些烯属硅氧烷(例如参见美国专利No.3,933,880(伯格斯崇(Bergstrom))、No.3,989,666(涅米)、以及No.3,989,667(李(Lee)等人))。如果使用，封装材料中包含的此类催化剂抑制剂的量优选地不超过含金属的催化剂的量(基于摩尔数)。 
可通过第一密封剂的形状和结构，来改进LED发光器件的发光。图3示出了示例性LED发光器件30，该发光器件包括用多层密封剂封装的LED晶粒，其中第一密封剂被成型为晶粒上方的小透镜。LED晶粒31安装在金属化触体32a上，该触体设置在反射杯34的基底33上。LED晶粒31在其底表面上有一个电触点并且在其上表面有另一个电触点，后者通过引线键合35连接到独立的金属化触体32b。可将电源(未示出)连接到金属化触体以便为LED晶粒供能。分别包含第一和第二密封剂36和37的多层密封剂封装LED晶粒。 
在图3所示的实施例中，可利用晶粒上方的小透镜缩小从包装中发射出的光分布。通过控制树脂的流变和湿润特性和/或通过有机单层处理来控制包装材料的表面能，可以使密封剂内层成形。第一密封剂36可具有相对较高的折射率。
本文所述的多层密封剂用于包括LED的发光器件。就这一点而言，LED是指发射光(无论是可见光、紫外光还是红外光)的二极管。它包括标志为“LED”的封装半导体器件，无论是常规型还是超辐射品种。垂直腔体表面发射激光二极管是LED的另一种形式。“LED晶粒”是LED的最基本形态，即通过半导体晶片加工工艺制成的单个元件或芯片的形态。元件或芯片可包括适于向器件供电的应用能量的电触点。该元件或芯片的各层以及其它功能元件通常以晶片级形成，成品晶片最终被切成单个元件，以形成大量LED晶粒。 
本文所述的含硅材料可用于多种LED，包括单色和和无机发光材料LED(其中通过荧光磷光体将蓝光或紫外光转换为其它颜色的光)。也可将其用于封装以多种构造包装的LED，包括但不限于，以陶瓷或聚合物封装进行表面安装的LED，此安装方式可以具有或可以不具有反射杯；安装在电路板上的LED；和安装在塑性电子基底上的LED。 
LED发射光可以是LED源能够发射的并且在电磁光谱的紫外光到红外光部分范围内的任何光，这取决于半导体层的组成以及结构。光化辐射源是LED本身时，LED发射光优选地在350-500nm的范围内。本文所述的含硅材料尤其可用于表面安装和侧面安装的LED包装，其中密封剂被固化在反射杯内。它们还尤其可用于包括顶部引线键合(与倒晶封装构造相反)的LED设计。另外，含硅材料可用于不具有反射杯的表面安装LED，并且可用于对连接到多种基底上的表面安装LED阵列进行封装。 
本文所述的含硅材料耐热并且耐光降解(耐泛黄)，因此，尤其适用于白色光源(即白光发光器件)。在其构造中采用LED的白色光源可具有两种基本构造。在一个基本构造中，本文称之为直接发射LED，白色光是通过不同颜色的LED的直接发射产生的。实例包括红色LED、绿色LED和蓝色LED的组合，以及蓝色LED和黄色LED的组合。在另一个基本构造中，本文称之为基于无机发光材料的LED激 发光源(PLED)，单一的LED产生窄波长范围的光，所述光射入并且激发无机发光材料材料以产生可见光。无机发光材料可包含不同无机发光材料材料的混合物或组合，并且通过该无机发光材料发射的光可包含分布于可见光波长范围内的多个窄发射谱线，使得在人的肉眼看来，发射的光基本上是白色。 
PLED的一个实例是蓝色LED，所述蓝色LED照射将蓝色光同时转化为红光以及绿光波长的无机发光材料。一部分蓝色激发光不被无机发光材料吸收，这部分残余的蓝色激发光与无机发光材料发出的红光以及绿光结合。PLED的另一个实例是紫外光(UV)LED，它照射无机发光材料，该无机发光材料吸收紫外光并且将其转换为红光、绿光以及蓝光。R1基团较小并且具有最小紫外光吸收(例如甲基)的有机聚硅氧烷对于紫外光发光二极管是优选的。对本领域的技术人员来说，显而易见的是，无机发光材料对光化辐射的竞争性吸收将减少光引发剂对光的吸收，从而减缓固化，甚至在系统构建不完善的情况下阻止固化。 
LED可具有封装在其内的光学元件，如美国专利申请No.11/383916(代理人案卷号no.62129US002)和US2006/0189013A1中所述，所述专利包含的全部公开内容以引用的方式并入本文。 
实例
在陶瓷封装中安装蓝光LED晶粒
使用基于水的卤化物助焊剂(苏必利尔熔融制造公司(SuperiorFlux&Mfg)，Superior号30)将Cree XT晶粒(克里公司(Cree Inc.)，部件号C460XT290-0119-A)粘结在Kyocera包装中(美国京瓷公司(Kyocera America，Inc.)，部件号KD-LA2707-A)。通过使用1密耳金线材来引线键合(库力索法实业公司，4524数字系列手动引线键合器(Kulicke and Soffa Industries，Inc.4524Digital Series Manual WireBonder))Cree XT晶粒以完成LED器件的制备。封装前，使用OL770 光谱辐射计(光电实验公司(Optronics Laboratories，Inc.))在20mA的恒定电流下对每个器件进行测试。LED的峰值发射波长为约460nm。 
制剂
使用以下制剂： 
F-1：10.00g Dow Corning6-3495中间体(Dow Corning6-3495intermediate)+1.00g Dow Corning SYLGARD184固化剂(Dow CorningSYLGARD184Curing Agent)+100μL每1.00mL甲苯中含有33mg(MeCp)PtMe3的溶液，准备在棕色瓶中。 
F-2：10.00g Dow Corning6-3495中间体(Dow Corning6-3495intermediate)+0.25g Dow Corning SYLGARD184固化剂(Dow CorningSYLGARD184Curing Agent)+100μL每1.00mL甲苯中含有33mg(MeCp)PtMe3的溶液，准备在棕色瓶中。 
F-3：10.00g Dow Corning6-3495中间体(Dow Corning6-3495intermediate)+0.10g Dow Corning SYLGARD184固化剂(Dow CorningSYLGARD184Curing Agent)+100μL每1.00mL甲苯中含有33mg(MeCp)PtMe3的溶液，准备在棕色瓶中。 
F-4：具有约10,000cps粘度的Aldrich37，840-2三甲基甲硅氧基封端的聚二甲基硅氧烷。 
实例1
为了论证具有软内层和硬外层的密封剂的构想，首先对在直径约1cm的瓶盖中固化的样本进行评估。按照表1中所述的顺序将上述制剂的不同组合置于该瓶盖内，并且将样本在在XX-15型UVPBlak-Ray灯(UVPBlak-Ray Lamp Model XX-15)下照射10分钟，该灯配有两个16英寸的Philips TUV15W/G15T8灯泡，主发射波长为254nm。将所得的已固化有机基硅氧烷的塞状物从瓶盖中移除，然后对其上表面和 下表面的固化和表面粘性进行评价。观察结果描述于表1中。 
对照物
在具有LED晶粒的陶瓷包装中放入约2mg F-1。将未固化的密封剂在XX-15型UVP Blak-Ray灯下照射10分钟，该灯配有两个16英寸的Philips TUV15W/G15T8灯泡，主发射波长为254nm。使用镊子的顶端进行探查，确定已固化的密封剂为弹性体并且已固化。使用OL770光谱辐射计测量LED的效率，测得LED的效率从封装前的11.3％增加至封装后的13.8％。 
表1
  
实例 工序 固化后的观察结果
1a 6滴F-1 已固化，并且上下表面无粘性
1b 6滴F-2 已固化，但上下表面均有粘性
1c 6滴F-3 已固化液体材料，具有比F-3稍高的粘度，使得用刮刀对其探查时是粘稠的
1d 3滴F-2，然后3滴F-1 上表面已固化并且无粘性，下表面已固化但有粘性
1e 3滴F-3，然后3滴F-1 上表面已固化并且无粘性，下表面未固化的液体层具有比F-3稍高的粘度
1f 3滴F-4，然后3滴F-1 上表面已固化并且无粘性，下表面为未固化的液体层
实例2
在具有LED晶粒的陶瓷包装中，在晶粒和引线键合的上方滴一小滴F-2，接着在杯的顶部滴入F-1。将样本在XX-15型UVP Blak-Ray灯下照射10分钟，该灯配有两个16英寸的Philips TUV15W/G15T8灯泡，主发射波长为254nm。使用镊子的顶端进行探查，确定已固化密封剂的外层为硬弹性体并且已固化。使用OL770光谱辐射计测量LED的效率，测得LED的效率从封装前的11.8％增加至封装后的 16.0％。 
实例3
在具有LED晶粒的陶瓷包装中，在晶粒和引线键合的上方滴一小滴F-3，接着在杯的顶部滴入F-1。将样本在XX-15型UVP Blak-Ray灯下照射10分钟，该灯配有两个16英寸的Philips TUV15W/G15T8灯泡，主发射波长为254nm。使用镊子的顶端进行探查，确定已固化密封剂的外层为硬弹性体并且已固化。使用OL770光谱辐射计测量LED的效率，测得LED的效率从封装前的11.5％增加至封装后的15.3％。 
实例4
在具有LED晶粒的陶瓷包装中，在晶粒和引线键合的上方滴一小滴F-4，接着在杯的顶部滴入F-1。将样本在XX-15型UVPBlak-Ray灯下照射10分钟，该灯配有两个16英寸的Philips TUV15W/G15T8灯泡，主发射波长为254nm。使用镊子的顶端进行探查，确定已固化密封剂的外层为硬弹性体并且已固化。使用OL770光谱辐射计测量LED的效率，测得LED的效率从封装前的11.3％增加至封装后的14.5％。 
实例5
在具有LED晶粒的陶瓷包装中，在晶粒和引线键合的上方放入一小片General Electric SE-30硅橡胶胶料。使该纯胶料在晶粒和引线键合上方的包装底部流动和平稳几个小时，接着在杯的顶部加入F-1。使具有未固化双层密封剂的LED包装在XX-15型UVP Blak-Ray灯下照射10分钟，该灯配有两个16英寸的Philips TUV15W/G15T8灯泡，主发射波长为254nm。使用镊子的顶端进行探查，确定已固化密封剂的外层为硬弹性体并且已固化。使用OL770光谱辐射计测量LED的效率，测得LED的效率从封装前的10.9％增加至封装后的13.7％。
实例6
将10.00g乙烯基硅氧烷基体聚合物H2C＝CH-SiMe2O-(SiMePhO)20-SiMe2-CH＝CH2(烯烃毫克当量重量＝1.455g)和1.64g硅氧烷交联剂HMe2SiO-(SiMeHO)5-(SiMePhO)5-SiMe2H(Si-H毫克当量重量＝0.159g)的第一混合物与10.00g乙烯基硅氧烷基体聚合物H2C＝CH-SiMe2O-(SiMe2O)100-SiMe2-CH＝CH2(烯烃毫克当量重量＝3.801g)和0.56g硅氧烷交联剂HMe2SiO-(SiMeHO)20-(SiMe2O)20-SiMe2H(Si-H毫克当量重量＝0.142g)的第二混合物制备在两个35mL的棕色瓶中。通过将15.6mg CpPtMe3溶解在1.00mL CH2Cl2中制备催化剂储液，然后将115μL和105μL此溶液的等分试样分别加入两份硅氧烷聚合物混合物中。观察到垂直折射率梯度：第一制剂的折射率为1.50，并且第二制剂的折射率为1.40，其中每种混合物均相当于1.5的C＝C/Si-H官能度比率并且含有约100ppm的铂。首先在蓝光LED包装(史丹利公司(Stanley))中放入约1mg的第一制剂，接着放入约1mg的第二制剂。立即将该LED包装在紫外灯(365nm)下照射1分钟。使用刮刀的顶端探查密封剂的表面，确认材料已完全固化并且为弹性体。相对于使用较高或较低折射率有机硅的单一密封剂封装的LED包装，双层密封剂的输出光得到了增强。 
实例7
将10.00g乙烯基硅倍半氧烷基体聚合物(H2C＝CH-SiO3/2)2-(PhSiO3/2)18(烯烃毫克当量重量＝1.242g)和1.92g硅氧烷交联剂HMe2SiO-(SiMeHO)5-(SiMePhO)5-SiMe2H(Si-H毫克当量重量＝0.159g)的第一混合物准备在35mL的棕色瓶中。将10.00g乙烯基硅氧烷基体聚合物H2C＝CH-SiMe2O-(SiMePhO)20-SiMe2-CH＝CH2(烯烃毫克当量重量＝1.455g)和1.64g硅氧烷交联剂HMe2SiO-(SiMeHO)5-(SiMePhO)5-SiMe2H(Si-H毫克当量重量＝0.159g)的第二混合物与10.00g乙烯基硅氧烷基体聚合物H2C＝CH-SiMe2O-(SiMe2O)100-SiMe2-CH＝CH2(烯烃毫克当量重量 ＝3.801g)和0.56g硅氧烷交联剂HMe2SiO-(SiMeHO)20-(SiMe2O)20-SiMe2H(Si-H毫克当量重量＝0.142g)的第三混合物制备在两个35mL的棕色瓶中。通过将15.6mg CpPtMe3溶解在1.00mL CH2Cl2中制备催化剂储液，然后将120μL、115L和105μL此溶液的等分试样分别加入三份硅氧烷聚合物混合物中。观察到垂直折射率梯度：第一制剂的折射率为1.55，第二制剂的折射率为1.50，并且第三制剂的折射率为1.40。每种混合物均相当于1.5的C＝C/Si-H官能度比率并且含有约100ppm的铂。首先在蓝光LED包装(史丹利公司)中放入约1mg的第一制剂，接着放入约1mg的第二制剂，然后放入约1mg的第三制剂。将该LED在紫外灯(365nm)下照射1分钟。使用刮刀的顶端探查密封剂的表面，确认材料已完全固化并且为弹性体。相对于使用单一有机硅制剂封装的LED包装，三层密封剂的输出光得到了增强。 
在不脱离本发明范围和精神的前提下，本发明的各种修改和更改对于本领域的技术人员来说将是显而易见的。应当理解，本发明并非意图通过本文所述的示例性实施例和实例进行不当地限制，并且这些实例和实施例仅在本发明范围内以举例的方式提出，仅受本文所述的权利要求书的限制。

Claims (38)

1.一种制备发光器件的方法，所述方法包括：
提供发光二极管；以及
形成与所述发光二极管接触的多层密封剂，其中形成所述多层密封剂包括：
使所述发光二极管与第一密封剂接触，所述第一密封剂包含有机硅凝胶、硅橡胶胶料、有机硅液、有机基硅氧烷、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚磷腈、或溶胶-凝胶组合物；
使所述第一密封剂与可光聚合的组合物接触，所述可光聚合的组合物包含含硅的树脂和含金属的催化剂，所述含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；以及
施加具有700nm或更小波长的光化辐射，以开始在所述含硅的树脂内的硅氢化反应，从而形成第二密封剂。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一密封剂包含有机基硅氧烷，所述有机基硅氧烷包含三甲基甲硅氧基封端的聚二甲基硅氧烷。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅键合的氢和所述脂肪族不饱和基团存在于相同的分子中。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅键合的氢和所述脂肪族不饱和基团存在于不同的分子中。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述可光聚合的组合物包含有机基硅氧烷。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述可光聚合的组合物包含具有下式单元的有机基硅氧烷：
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
其中：
R1为一价、直链、支链或环状、未取代或取代的烃基，所述烃基不含脂肪族不饱和基团并具有1至18个碳原子；
R2为一价烃基，该一价烃基具有脂肪族不饱和基团以及2至10个碳原子；
a为0、1、2、或3；
b为0、1、2、或3；并且
a+b的和为0、1、2、或3；
条件是每个分子中平均存在至少一个R2。
7.根据权利要求6所述的方法，其中至少20摩尔％的所述R1基团为芳基、芳烷基、烷芳基、或它们的组合。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述可光聚合的组合物包含具有下式单元的有机基硅氧烷：
R1 aHcSiO(4-a-c)/2
其中：
R1为一价、直链、支链或环状、未取代或取代的烃基，所述烃基不含脂肪族不饱和基团并具有1至18个碳原子；
a为0、1、2、或3；
c为0、1、或2；并且
a+c的和为0、1、2、或3；
条件是每个分子中平均存在至少一个硅键合的氢。
9.根据权利要求8所述的方法，其中至少90摩尔％的所述R1基团为甲基。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅键合的氢和所述脂肪族不饱和基团以0.5至10.0的摩尔比存在。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述含金属的催化剂选自由以下物质组成的组：Pt(II)β-二酮络合物、(η5-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物和C7-20-芳基取代的(η5-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述可光聚合的组合物包含一种或多种添加剂，所述添加剂选自由下列物质组成的组：非吸收性金属氧化物颗粒、半导体颗粒、无机发光材料、敏化剂、抗氧化剂、颜料、光引发剂、催化剂抑制剂、以及它们的组合。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一密封剂具有大于所述第二密封剂的折射率。
14.根据权利要求1所述的方法，其中施加光化辐射包括激发所述发光二极管。
15.一种制备发光器件的方法，所述方法包括：
提供发光二极管；以及
形成与所述发光二极管接触的多层密封剂，其中形成所述多层密封剂包括：
使所述发光二极管与第一可光聚合的组合物接触，所述第一可光聚合的组合物包含第一含硅的树脂和第一含金属的催化剂，所述第一含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；以及
使所述第一可光聚合的组合物与第二可光聚合的组合物接触，所述第二可光聚合的组合物包含第二含硅的树脂和第二含金属的催化剂，所述第二含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；以及
施加具有700nm或更小波长的光化辐射，以开始在所述第一和第二含硅的树脂内的硅氢化反应，从而分别形成第一和第二密封剂。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一含硅的树脂的所述硅键合的氢和所述脂肪族不饱和基团存在于相同的分子中。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一含硅的树脂的所述硅键合的氢和所述脂肪族不饱和基团存在于不同的分子中。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一可光聚合的组合物包含有机基硅氧烷。
19.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一可光聚合的组合物包含具有下式单元的有机基硅氧烷：
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
其中：
R1为一价、直链、支链或环状、未取代或取代的烃基，所述烃基不含脂肪族不饱和基团并具有1至18个碳原子；
R2为一价烃基，该一价烃基具有脂肪族不饱和基团以及2至10个碳原子；
a为0、1、2、或3；
b为0、1、2、或3；并且
a+b的和为0、1、2、或3；
条件是每个分子中平均存在至少一个R2。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述R1基团为甲基、苯基、或它们的组合。
21.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一可光聚合的组合物包含具有下式单元的有机基硅氧烷：
R1 aHcSiO(4-a-c)/2
其中：
R1为一价、直链、支链或环状、未取代或取代的烃基，所述烃基不含脂肪族不饱和基团并具有1至18个碳原子；
a为0、1、2、或3；
c为0、1、或2；并且
a+c的和为0、1、2、或3；
条件是每个分子中平均存在至少一个硅键合的氢。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述R1基团为甲基、苯基、或它们的组合。
23.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一含硅的树脂的所述硅键合的氢和所述脂肪族不饱和基团以0.5至10.0的摩尔比存在。
24.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一含金属的催化剂选自由以下物质组成的组：Pt(II)β-二酮络合物、(η5-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物和C7-20-芳基取代的(η5-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物。
25.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一可光聚合的组合物包含一种或多种添加剂，所述添加剂选自由下列物质组成的组：非吸收性金属氧化物颗粒、半导体颗粒、无机发光材料、敏化剂、抗氧化剂、颜料、光引发剂、催化剂抑制剂、以及它们的组合。
26.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二含硅的树脂的所述硅键合的氢和所述脂肪族不饱和基团存在于相同的分子中。
27.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二含硅的树脂的所述硅键合的氢和所述脂肪族不饱和基团存在于不同的分子中。
28.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二可光聚合的组合物包含有机基硅氧烷。
29.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二可光聚合的组合物包含具有下式单元的有机基硅氧烷：
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
其中：
R1为一价、直链、支链或环状、未取代或取代的烃基，所述烃基不含脂肪族不饱和基团并具有1至18个碳原子；
R2为一价烃基，该一价烃基具有脂肪族不饱和基团以及2至10个碳原子；
a为0、1、2、或3；
b为0、1、2、或3；并且
a+b的和为0、1、2、或3；
条件是每个分子中平均存在至少一个R2。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述R1基团为甲基、苯基、或它们的组合。
31.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二可光聚合的组合物包含具有下式单元的有机基硅氧烷：
R1 aHcSiO(4-a-c)/2
其中：
R1为一价、直链、支链或环状、未取代或取代的烃基，所述烃基不含脂肪族不饱和基团并具有1至18个碳原子；
a为0、1、2、或3；
c为0、1、或2；并且
a+c的和为0、1、2、或3；
条件是每个分子中平均存在至少一个硅键合的氢。
32.根据权利要求31所述的方法，其中所述R1基团为甲基、苯基或它们的组合。
33.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二含硅的树脂的所述硅键合的氢和所述脂肪族不饱和基团以0.5至10.0的摩尔比存在。
34.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二含金属的催化剂选自由以下物质组成的组：Pt(II)β-二酮络合物、(η5-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物和C7-20-芳基取代的(η5-环戊二烯基)三(σ-脂肪族)铂络合物。
35.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二可光聚合的组合物包含一种或多种添加剂，所述添加剂选自由下列物质组成的组：非吸收性金属氧化物颗粒、半导体颗粒、无机发光材料、敏化剂、抗氧化剂、颜料、光引发剂、催化剂抑制剂、以及它们的组合。
36.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一密封剂具有大于所述第二密封剂的折射率。
37.根据权利要求15所述的方法，其中施加光化辐射包括激发所述发光二极管。
38.一种制备发光器件的方法，所述方法包括：
提供发光二极管；以及
形成与所述发光二极管接触的多层密封剂，其中形成所述多层密封剂包括：
使所述发光二极管与第一可光聚合的组合物接触，所述第一可光聚合的组合物包含第一含硅的树脂和第一含金属的催化剂，所述第一含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；以及
使所述第一可光聚合的组合物与第二可光聚合的组合物接触，所述第二可光聚合的组合物包含第二含硅的树脂和第二含金属的催化剂，所述第二含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；以及
使所述第二可光聚合的组合物与第三可光聚合的组合物接触，所述第三可光聚合的组合物包含第三含硅的树脂和第三含金属的催化剂，所述第三含硅的树脂包含硅键合的氢和脂肪族不饱和基团；以及
施加具有700nm或更小波长的光化辐射，以开始在所述第一、第二和第三含硅的树脂内的硅氢化反应，从而分别形成第一、第二、和第三密封剂。
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Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4634810B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-16 信越化学工業株式会社 シリコーン封止型ｌｅｄ
EP2067176B1 (en) * 2006-08-09 2015-04-01 Panasonic Corporation Light-emitting diode
US8092735B2 (en) 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
WO2008100991A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-21 3M Innovative Properties Company Led devices having lenses and methods of making same
US20090065792A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
US7960192B2 (en) * 2007-09-14 2011-06-14 3M Innovative Properties Company Light emitting device having silicon-containing composition and method of making same
KR101180216B1 (ko) * 2008-04-17 2012-09-05 도시바 마테리알 가부시키가이샤 백색 발광 장치, 백라이트, 액정 표시 장치 및 조명 장치
JP2010013503A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Showa Highpolymer Co Ltd 硬化性樹脂組成物およびオプトデバイス
US7892868B2 (en) * 2008-08-20 2011-02-22 Genius Electronic Optical Co., Ltd. LED packaging method using a screen plate
US8360617B2 (en) * 2008-11-25 2013-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting system including LED with glass-coated quantum-dots
KR20100087851A (ko) * 2009-01-29 2010-08-06 삼성전자주식회사 발광 유닛, 이의 제조 방법 및 발광 유닛을 포함하는 광원 장치
US7993941B2 (en) * 2008-12-05 2011-08-09 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor package and method of forming Z-direction conductive posts embedded in structurally protective encapsulant
WO2010099350A2 (en) * 2009-02-25 2010-09-02 California Institute Of Technology Low cost bonding technique for integrated circuit chips and pdms structures
US9599591B2 (en) 2009-03-06 2017-03-21 California Institute Of Technology Low cost, portable sensor for molecular assays
DE102009002231A1 (de) * 2009-04-06 2010-10-07 Wacker Chemie Ag Bei Raumtemperatur selbsthaftende Pt-katalysierte additions-vernetzende Siliconzusammensetzungen
KR20110030014A (ko) * 2009-09-17 2011-03-23 주식회사 동진쎄미켐 발광다이오드의 밀봉 방법 및 이에 의해 밀봉된 발광다이오드
EP2330644B1 (en) * 2009-12-03 2016-03-09 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus, and method of manufacturing the same
KR101028313B1 (ko) * 2009-12-03 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR100976461B1 (ko) 2009-12-30 2010-08-17 제일모직주식회사 봉지재용 투광성 수지 및 이를 포함하는 전자 소자
KR101030019B1 (ko) 2009-12-31 2011-04-20 제일모직주식회사 봉지재용 투광성 수지 및 이를 포함하는 전자 소자
TW201145597A (en) * 2010-01-28 2011-12-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device package
US8643200B2 (en) 2010-05-12 2014-02-04 Cheil Indistries, Inc. Resin composition and transparent encapsulant formed using the same, and electronic device including the encapsulant
CN102074641A (zh) * 2010-07-23 2011-05-25 宁波市瑞康光电有限公司 一种led封装方法、led和led照明装置
JP5767062B2 (ja) * 2010-09-30 2015-08-19 日東電工株式会社 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
CN102005445A (zh) * 2010-09-30 2011-04-06 福建中科万邦光电股份有限公司 Led光源模块封装结构
US8552454B2 (en) 2010-11-29 2013-10-08 Epistar Corporation Light-emitting device and light mixing device
CN102588816B (zh) * 2011-01-07 2017-12-01 晶元光电股份有限公司 发光装置、混光装置及发光装置的制造方法
CN102646761B (zh) * 2011-02-21 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装制程
KR20120097697A (ko) * 2011-02-25 2012-09-05 삼성전자주식회사 발광 다이오드
CN102683542B (zh) * 2011-03-15 2014-12-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
CN102692592B (zh) * 2011-03-22 2014-08-27 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管测试方法及在该方法中使用的发光二极管型材
US8455898B2 (en) * 2011-03-28 2013-06-04 Osram Sylvania Inc. LED device utilizing quantum dots
DE102011100028A1 (de) * 2011-04-29 2012-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
KR101212654B1 (ko) * 2011-05-20 2012-12-14 (주)라이타이저코리아 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법
EP2732204B1 (en) * 2011-07-14 2019-01-09 Vitrulux Limited Liability Company Light-emitting diode lamp
TW201307460A (zh) * 2011-08-01 2013-02-16 W Green Technology Corp Sa 具特定區段波長匹配折射率之材料組成物
JP2013084889A (ja) * 2011-09-30 2013-05-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
KR101686572B1 (ko) 2011-10-21 2016-12-15 삼성전자 주식회사 발광 소자
KR101869246B1 (ko) * 2012-01-13 2018-07-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN102544328A (zh) * 2012-01-20 2012-07-04 江苏索尔光电科技有限公司 一种led封装件
EP2812738B1 (en) * 2012-02-09 2016-10-12 Dow Corning Corporation Gradient polymer structures and methods
EP2858803B1 (de) * 2012-06-11 2018-08-29 Momentive Performance Materials GmbH Verfahren zur herstellung von kunststoff-verbundformkörpern
DE102012106984A1 (de) * 2012-07-31 2014-02-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102012215514A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls und LED-Modul
EP2896658A4 (en) * 2012-09-14 2015-09-02 Yokohama Rubber Co Ltd HARDENABLE RESIN COMPOSITION
WO2014052937A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Osram Sylvania Inc. Polycyclic polysiloxane composition and led containing same
JP5851970B2 (ja) * 2012-10-29 2016-02-03 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物、並びにこれを用いたシリコーン積層基板とその製造方法、及びｌｅｄ装置
JP5869462B2 (ja) * 2012-11-02 2016-02-24 信越化学工業株式会社 光半導体封止用硬化性組成物及びこれを用いた光半導体装置
JP6192025B2 (ja) * 2012-11-28 2017-09-06 エルジー・ケム・リミテッド 発光ダイオード
JP2014107447A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Nitto Denko Corp 封止シート、光半導体装置およびその製造方法
JP6387355B2 (ja) 2012-12-21 2018-09-05 ダウ シリコーンズ コーポレーション 層状ポリマー構造及び方法
TWI616489B (zh) * 2013-02-18 2018-03-01 可應用於發光二極體元件之聚矽氧烷組合物、基座配方及其發光二極體元件
JP6191453B2 (ja) * 2013-12-27 2017-09-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE112015001546T5 (de) 2014-03-31 2017-01-05 Osram Sylvania Inc. Wellenlängenkonversionszusammensetzungen, Wellenlängenkonverter und Einrichtungen damit
CN104037276A (zh) * 2014-06-24 2014-09-10 合肥工业大学 一种具有梯度折射率的多层结构白光led器件及其封装方法
KR102224233B1 (ko) * 2014-08-05 2021-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비하는 조명 시스템
TWI559463B (zh) * 2014-10-31 2016-11-21 矽品精密工業股份有限公司 封裝結構及其製法
CN105720173A (zh) * 2014-12-17 2016-06-29 日东电工株式会社 覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法
CN106189251A (zh) * 2015-05-29 2016-12-07 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 应用于半导体封装的有机硅组合物及其应用
DE102015223449A1 (de) * 2015-11-26 2017-06-01 Robert Bosch Gmbh Elektrische Vorrichtung mit einer Umhüllmasse
JP6642145B2 (ja) * 2016-03-14 2020-02-05 信越化学工業株式会社 付加一液加熱硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物の硬化物の製造方法
TWI643363B (zh) * 2016-10-20 2018-12-01 晶元光電股份有限公司 波長轉換元件、其製造方法及發光裝置
CN106520050A (zh) * 2016-10-26 2017-03-22 安徽飞达电气科技有限公司 一种电容器灌封材料
JP2019003978A (ja) * 2017-06-12 2019-01-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
DE102017211727A1 (de) * 2017-07-10 2019-01-10 Tridonic Jennersdorf Gmbh Gebondete LED-Chips in einer Polymermatrix
US11600754B2 (en) * 2018-11-29 2023-03-07 Lumileds Llc Light-emitting device and method of packaging the same

Family Cites Families (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE553159A (zh) * 1955-12-05
US3159662A (en) * 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Addition reaction
US3220972A (en) * 1962-07-02 1965-11-30 Gen Electric Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst
NL131800C (zh) * 1965-05-17
US3410886A (en) * 1965-10-23 1968-11-12 Union Carbide Corp Si-h to c=c or c=c addition in the presence of a nitrile-platinum (ii) halide complex
NL129346C (zh) * 1966-06-23
US3814730A (en) * 1970-08-06 1974-06-04 Gen Electric Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes
US3715334A (en) * 1970-11-27 1973-02-06 Gen Electric Platinum-vinylsiloxanes
US3989666A (en) * 1974-12-02 1976-11-02 Dow Corning Corporation Crosslinker-platinum catalyst-inhibitor and method of preparation thereof
US3933880A (en) * 1974-12-02 1976-01-20 Dow Corning Corporation Method of preparing a platinum catalyst inhibitor
US3989667A (en) * 1974-12-02 1976-11-02 Dow Corning Corporation Olefinic siloxanes as platinum inhibitors
US4256870A (en) * 1979-05-17 1981-03-17 General Electric Company Solventless release compositions, methods and articles of manufacture
US4435259A (en) * 1981-02-02 1984-03-06 Pitney Bowes Inc. Radiation curable composition of vinyl polysiloxane and hydrogen polysiloxane with photosensitizer
US4347346A (en) * 1981-04-02 1982-08-31 General Electric Company Silicone release coatings and inhibitors
US4501637A (en) 1981-06-12 1985-02-26 Motorola, Inc. LED having self-aligned lens
US4421903A (en) * 1982-02-26 1983-12-20 General Electric Company Platinum complex catalysts
US4530879A (en) * 1983-03-04 1985-07-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation activated addition reaction
USRE33289E (en) * 1983-07-07 1990-08-07 General Electric Company Transparent membrane structures
US4647331A (en) 1983-07-29 1987-03-03 Motorola, Inc. Method for assembling an electro-optical device
US4504645A (en) * 1983-09-23 1985-03-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Latently-curable organosilicone release coating composition
US4510094A (en) * 1983-12-06 1985-04-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Platinum complex
US4600484A (en) * 1983-12-06 1986-07-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Hydrosilation process using a (η5 -cyclopentadienyl)tri(σ-aliphatic) platinum complex as the catalyst
US4603215A (en) 1984-08-20 1986-07-29 Dow Corning Corporation Platinum (O) alkyne complexes
US4585669A (en) * 1984-09-28 1986-04-29 General Electric Company Novel dual cure silicone compositions
US4587137A (en) * 1984-09-28 1986-05-06 General Electric Company Novel dual cure silicone compositions
US4613215A (en) * 1984-10-09 1986-09-23 Orion Industries, Inc. Mounting bracket for rear view mirror with spring detent
US4609574A (en) * 1985-10-03 1986-09-02 Dow Corning Corporation Silicone release coatings containing higher alkenyl functional siloxanes
US4705765A (en) * 1985-12-19 1987-11-10 General Electric Company Hydrosilylation catalyst, method for making and use
US4670531A (en) * 1986-01-21 1987-06-02 General Electric Company Inhibited precious metal catalyzed organopolysiloxane compositions
US4774111A (en) * 1987-06-29 1988-09-27 Dow Corning Corporation Heat-curable silicone compositions comprising fumarate cure-control additive and use thereof
US5145886A (en) * 1988-05-19 1992-09-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation activated hydrosilation reaction
US4916169A (en) * 1988-09-09 1990-04-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Visible radiation activated hydrosilation reaction
CA2015481C (en) 1989-05-18 1996-05-14 Robert William Filas Devices featuring silicone elastomers
US5063102A (en) * 1989-12-01 1991-11-05 Dow Corning Corporation Radiation curable organosiloxane gel compositions
US5310581A (en) * 1989-12-29 1994-05-10 The Dow Chemical Company Photocurable compositions
US6376569B1 (en) * 1990-12-13 2002-04-23 3M Innovative Properties Company Hydrosilation reaction utilizing a (cyclopentadiene)(sigma-aliphatic) platinum complex and a free radical photoinitiator
US6046250A (en) * 1990-12-13 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Hydrosilation reaction utilizing a free radical photoinitiator
US5122943A (en) * 1991-04-15 1992-06-16 Miles Inc. Encapsulated light emitting diode and method for encapsulation
US5213864A (en) * 1991-12-05 1993-05-25 At&T Bell Laboratories Silicone encapsulant
US5313365A (en) * 1992-06-30 1994-05-17 Motorola, Inc. Encapsulated electronic package
JPH0629577A (ja) * 1992-07-10 1994-02-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子の製造方法
DE4242469A1 (de) * 1992-12-16 1994-06-23 Wacker Chemie Gmbh Katalysatoren für Hydrosilylierungsreaktionen
US5328974A (en) * 1993-05-06 1994-07-12 Wacker Silicones Corporation Platinum catalyst and a curable organopolysiloxane composition containing said platinum catalyst
US5639845A (en) * 1993-06-10 1997-06-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for the preparation of a fluorine-containing organopolysiloxane
TW262537B (zh) * 1993-07-01 1995-11-11 Allied Signal Inc
FR2717481B1 (fr) 1994-03-18 1996-06-28 Rhone Poulenc Chimie Nouveaux complexes du platine utiles, notamment, comme catalyseurs d'hydrosilylation photoactivables et procédé en faisant application.
DE4423195A1 (de) * 1994-07-01 1996-01-04 Wacker Chemie Gmbh Triazenoxid-Übergangsmetall-Komplexe als Hydrosilylierungskatalysatoren
US6099783A (en) * 1995-06-06 2000-08-08 Board Of Trustees Operating Michigan State University Photopolymerizable compositions for encapsulating microelectronic devices
JP3141373B2 (ja) * 1996-01-18 2001-03-05 日亜化学工業株式会社 光電装置
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US5750641A (en) * 1996-05-23 1998-05-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Polyimide angularity enhancement layer
US5777433A (en) * 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
JP3417230B2 (ja) * 1996-09-25 2003-06-16 信越化学工業株式会社 型取り母型用光硬化性液状シリコーンゴム組成物
US5895228A (en) * 1996-11-14 1999-04-20 International Business Machines Corporation Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6319425B1 (en) * 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6150546A (en) * 1999-05-03 2000-11-21 General Electric Company Irradiation-curable silicone compositions, photo-active platinum (IV) compounds, and method
JP3503131B2 (ja) * 1999-06-03 2004-03-02 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
US6664318B1 (en) * 1999-12-20 2003-12-16 3M Innovative Properties Company Encapsulant compositions with thermal shock resistance
CA2405962A1 (en) * 2000-06-01 2001-12-06 Chen Tienteh Imaging media containing heat developable photosensitive microcapsules
JP4239439B2 (ja) * 2000-07-06 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 光学装置およびその製造方法ならびに光伝送装置
JP2002033520A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP2002232018A (ja) 2000-11-28 2002-08-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 紫外光源の作製方法および紫外光源部品並びに光学装置の作製方法
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
JP2003234509A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
DE10213294B4 (de) * 2002-03-25 2015-05-13 Osram Gmbh Verwendung eines UV-beständigen Polymers in der Optoelektronik sowie im Außenanwendungsbereich, UV-beständiges Polymer sowie optisches Bauelement
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US6908682B2 (en) * 2002-09-12 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Photocured silicone sealant having improved adhesion to plastic
US6717362B1 (en) * 2002-11-14 2004-04-06 Agilent Technologies, Inc. Light emitting diode with gradient index layering
JP2004186168A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物
CN100528517C (zh) * 2002-12-13 2009-08-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 复制品光学元件的制造方法以及通过该方法获得的复制品光学元件
CN102281659B (zh) * 2002-12-26 2014-06-04 株式会社半导体能源研究所 发光装置和制造发光装置的方法
US7157839B2 (en) * 2003-01-27 2007-01-02 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources utilizing total internal reflection
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US6806658B2 (en) * 2003-03-07 2004-10-19 Agilent Technologies, Inc. Method for making an LED
TW200427111A (en) * 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device
KR100767604B1 (ko) 2003-03-22 2007-10-18 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
KR101148332B1 (ko) * 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
JP2004359756A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd Ｌｅｄ用封止剤組成物
US6921929B2 (en) * 2003-06-27 2005-07-26 Lockheed Martin Corporation Light-emitting diode (LED) with amorphous fluoropolymer encapsulant and lens
TW200509329A (en) * 2003-08-26 2005-03-01 Yung-Shu Yang LED package material and process
JP4908736B2 (ja) * 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4503271B2 (ja) * 2003-11-28 2010-07-14 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーン積層体の製造方法
JP2005167091A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光半導体装置
KR100585916B1 (ko) * 2004-03-30 2006-06-01 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
JP4300418B2 (ja) * 2004-04-30 2009-07-22 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
JP2006049533A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd 樹脂封止発光ダイオード装置及び封止方法
US20060035092A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resin composition for sealing LED elements and cured product generated by curing the composition
JP2006089528A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Nippon Shokubai Co Ltd Ｌｅｄ封止剤、それを含む発光ダイオードおよび硬化性組成物
US7304425B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with compound optical element(s)
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7314770B2 (en) 2004-11-18 2008-01-01 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7192795B2 (en) * 2004-11-18 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7405433B2 (en) * 2005-02-22 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Semiconductor light emitting device
US20060186428A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Tan Kheng L Light emitting device with enhanced encapsulant adhesion using siloxane material and method for fabricating the device
US20060189013A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 3M Innovative Properties Company Method of making LED encapsulant with undulating surface
JP4623282B2 (ja) * 2005-03-10 2011-02-02 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4876426B2 (ja) * 2005-04-08 2012-02-15 日亜化学工業株式会社 耐熱性及び耐光性に優れる発光装置
US20070092737A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20070092736A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
WO2007050483A2 (en) * 2005-10-24 2007-05-03 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US7595515B2 (en) * 2005-10-24 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US20070269586A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US20070273282A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Gelcore Llc Optoelectronic device

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