CN101447495A - 图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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- CN101447495A CN101447495A CNA2008101755925A CN200810175592A CN101447495A CN 101447495 A CN101447495 A CN 101447495A CN A2008101755925 A CNA2008101755925 A CN A2008101755925A CN 200810175592 A CN200810175592 A CN 200810175592A CN 101447495 A CN101447495 A CN 101447495A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 145
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 118
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 95
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910000086 alane Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000586 desensitisation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14667—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
Abstract
一种图像传感器，包括：包括像素区和外围电路区的半导体衬底；在像素区和外围电路上布置的包括金属布线的层间绝缘膜；以及在像素区的层间绝缘膜上设置的光电二极管和上部电极。此外，图像传感器包括：在包括上部电极和外围电路区的层间绝缘膜的半导体衬底上设置的保护层，该保护层在与光电二极管的侧壁相对应的区域中具有坡状部分；通道孔，该通道孔设置在保护层上以便选择性地暴露上部电极和外围电路区中的金属布线；以及在包括通道孔的保护层上设置的上部布线。
Description
本申请要求第10-2007-0121897号(于2007年11月28日递交)韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明总的来说涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种改良的图像传感器及其制造方法。
背景技术
图像传感器是用来将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器可以分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器或者CMOS图像传感器。CMOS图像传感器通过在单位像素中形成光电二极管和MOS晶体管来使用开关方式(switching mode)顺序检测每个单位像素(unit pixel)的电信号以实现图像。这样的CMOS图像传感器具有一种结构，在该结构中用于接收和将光信号转换为电信号的光电二极管区和用于处理该电信号的晶体管水平地布置在半导体衬底上和/或上方。按照水平CMOS图像传感器，在衬底上和/或上方水平地形成相互邻近的光电二极管和晶体管，从而要求用于形成光电二极管的额外区域。
发明内容
本发明实施例涉及一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器及其制造方法可以提供晶体管电路与光电二极管的垂直集成。
本发明实施例涉及一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器及其制造方法使分辨率(resolution)和灵敏度(sensitivity)都最大化。
本发明实施例涉及一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器及其制造方法通过晶体管电路与光电二极管的垂直集成可以获得100％的填充系数(fill factor)。
本发明实施例涉及一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器及其制造方法通过垂直集成可以在相同的像素尺寸下最大化灵敏度。
本发明实施例涉及一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器对于各个单位像素都具有复杂的电路，但不降低灵敏度。
本发明实施例涉及一种图像传感器及其制造方法，当实现光电二极管的单位像素时，该图像传感器及其制造方法通过增加单位像素中的光电二极管的表面区域来最大化光敏度(light sensitivity)。
本发明实施例涉及一种图像传感器及其制造方法，当采用垂直型光电二极管时，该图像传感器及其制造方法提高了随后的工艺步骤(process steps)。
本发明实施例涉及一种图像传感器，该图像传感器可以包括下列中的至少一个：包括像素区和外围电路区的半导体衬底；在像素区和外围电路区上和/或上方布置的包括金属布线的层间绝缘膜；在像素区的层间绝缘膜上和/或上方设置的光电二极管和上部电极；在包括上部电极和外围电路区的层间绝缘膜的半导体衬底上和/或上方设置的保护层，该保护层在与光电二极管的侧壁相对应的区域中具有坡状部分；通道孔(via hole)，该通道孔(via hole)设置在保护层上和/或上方以便选择性地暴露上部电极以及外围电路区的金属布线；以及在包括通道孔的保护层上和/或上方设置的上部布线。
本发明实施例涉及一种图像传感器，该图像传感器可以包括下列中的至少一个：包括像素区和外围电路区的半导体衬底；在像素区和外围电路区上方形成的包括下部金属布线的层间绝缘膜；下部电极，形成在层间绝缘膜上方的像素区中并电连接至在像素区中形成的下部金属布线；在层间绝缘膜和下部电极上方的像素区中形成的光电二极管；在光电二极管上方的像素区中形成的上部电极；在包括上部电极和层间绝缘膜的半导体衬底上方的像素区和外围电路区中形成的保护层，该保护层在与光电二极管的侧壁相对应的区域中具有坡状部分；通道孔，该通道孔形成在保护层中以暴露上部电极和外围电路区中的下部金属布线；以及在包括通道孔的保护层上方形成的上部布线。
本发明实施例涉及一种制造图像传感器的方法，该方法可以包括下列步骤中的至少之一：在半导体衬底上和/或上方形成像素区和外围电路区；在像素区和外围电路区上和/或上方形成包括多个金属布线的层间绝缘膜；在像素区的层间绝缘膜上和/或上方形成光电二极管和上部电极；在包括上部电极和外围电路区的层间绝缘膜的半导体衬底上和/或上方形成保护层(protective layer)以使该保护层在与光电二极管的侧壁相对应的区域中具有坡状部分；在保护层中形成通道孔以便选择性地暴露上部电极和外围电路区的金属布线；以及然后在包括通道孔的保护层上和/或上方形成上部布线。
本发明实施例涉及一种装置，该装置可以包括下列中的至少一个：具有像素区和外围电路区的半导体衬底；在像素区和外围电路区中形成的层间绝缘膜；贯穿像素区和外围电路区中的层间绝缘膜形成的下部金属布线；下部电极，该下部电极形成在层间绝缘膜上方的像素区中并电连接至下部金属布线；在层间绝缘膜和下部电极上方的像素区中形成的光电二极管，该光电二极管包括在下部电极上方形成的本征层(intrinsic layer)以及在本征层上方形成的导电层(conducting layer)；在光电二极管上方的像素区中形成的上部电极；在上部电极上方的像素区中和在层间绝缘膜上方的外围电路区中形成的保护层；在保护层中形成的第一通道孔，该第一通道孔暴露部分上部电极；在保护层中形成的第二通道孔，该第二通道孔暴露外围电路区中的下部金属布线；以及上部布线，该上部布线形成在包括通道孔的保护层上方并电连接至上部电极和下部金属布线。
本发明实施例涉及一种制造图像传感器的方法，该方法可以包括下列步骤中的至少之一：设置具有像素区和外围电路区的半导体衬底；在像素区和外围电路区中的半导体衬底上方形成层间绝缘膜，该层间绝缘膜包括贯穿层间绝缘膜的多个下部金属布线；形成下部电极，该下部电极形成在层间绝缘膜上方的像素区中并电连接至在像素区中形成的下部金属布线；同时在层间绝缘膜上方的像素区中形成上部电极和在层间绝缘膜和下部电极上方的像素区中形成光电二极管；在包括上部电极和外围电路区中的层间绝缘膜的半导体衬底上方形成保护层，其中该保护层在与光电二极管的侧壁相对应的区域中具有坡状部分；在保护层中形成通道孔以便暴露上部电极和外围电路区中的金属布线；以及然后在包括通道孔的保护层上方形成上部布线。
附图说明
实例图1至图18示出根据本发明实施例的图像传感器及制造图像传感器的过程。
具体实施方式
如实例图1至图7所示，一种根据本发明实施例的制造图像传感器的方法可以包括在半导体衬底100上和/或上方形成第一层间绝缘膜111和第二层间绝缘膜112，其中第一层间绝缘膜111和第二层间绝缘膜112各自包括金属布线121和金属布线122。半导体衬底100包括像素区A和外围电路区B。在像素区A中，晶体管电路可以形成在单位像素中以便连接至随后形成的光电二极管并将接收到的光电荷(optical charge)转换为电信号。例如，晶体管电路可以是3Tr、4Tr和5Tr中的任意一种。在外围电路区B中，晶体管电路可以被形成用来顺序检测像素区A中的每个单位像素的电信号以实现图像。在像素区A和外围电路区B上和/或上方可以形成第一层间绝缘膜111、第二层间绝缘膜112、金属布线121和金属布线122，以使它们连接至电源线或者信号线。第一层间绝缘膜111和第二层间绝缘膜112可以由多个层形成。
多个金属布线121和金属布线122可以被形成穿透第一层间绝缘膜111和第二层间绝缘膜112。形成于像素区A中的金属布线121被形成用于每一个单位像素，以连接晶体管电路和光电二极管。形成外围电路区B的金属布线122以使金属布线122连接至晶体管电路。层间绝缘膜111和层间绝缘膜112可以由氧化膜或者氮化膜形成。金属布线121和金属布线122可以由各种导电材料形成，其中导电材料包括金属、金属合金或者硅化物，也就是铝、铜、钴或钨。
在像素区A的金属布线121上和/或上方形成下部电极130。下部电极130可以由诸如Cr、Ti、TiW和Ta的金属形成。因此，下部电极130可以电连接至金属布线121，该金属布线121被形成用于每个单位像素。当然，可以不形成下部电极130。也可以在外围电路区B的金属布线122上形成下部电极130。
在包括下部电极130的层间绝缘膜111上和/或上方形成光电二极管层140。光电二极管层140还形成在外围电路区B的第二层间绝缘膜112上和/或上方以接收来自外部的入射光，将该入射光转换为电信号并存储该电信号。为了这个目的，可以使用IP二极管。IP二极管由一种结构形成，在该结构中金属、本征非晶硅层(intrinsicamorphous silicon layer)和P型非晶硅层被联结在一起。IP二极管是具有一种结构的光二极管(optical diode)，在该结构中，为纯半导体(pure semiconductor)的本征非晶硅层被联结在P型硅层和金属之间。在P型硅层和金属之间形成的整个本征非晶硅层成为损耗区(depletion region)，其有利于电荷(electrical charge)的产生和存储。根据本发明实施例，IP二极管被用作光电二极管，而该二极管的结构可以是P-I-N结构、N-I-P结构或I-P结构。根据本发明实施例，本征非晶硅层将被称为本征层，而P型非晶硅层将被称为导电型导电层。参照实例图1和图2，将更详细地描述光电二极管140的形成。
如实例图1所示，在包括下部电极130的层间绝缘膜111和层间绝缘膜112上和/或上方形成包括本征层I和导电型导电层P的光电二极管层140。例如，在包括下部电极130的层间绝缘膜111和层间绝缘膜112上和/或上方形成本征层I。根据本发明实施例，本征层I可以用作I-P二极管的本征层。本征层I可以由本征非晶硅组成，并通过化学气相沉积(CVD)、PECVD或者类似工艺形成。例如，可以使用硅烷气(silane gas)(SiH4)或类似物通过PEVCD以一定的厚度来由非晶硅形成本征层I，其中上述一定的厚度在比导电型导电层P的厚度大大约10倍至1000倍之间的范围内。存在厚度差异是因为本征层I的厚度越大，PIN二极管的损耗区就越大，从而使其有利于存储和产生大量的光电荷。此外，可以在形成本征层I之前形成n型导电型导电层。
然后，在包括本征层I的半导体衬底100上和/或上方形成导电型导电层P。根据本发明实施例，导电型导电层P可以用作I-P二极管的P层。意味着，导电型导电层P可以是P型导电型导电层，但是不限于此。例如，可以使用P掺杂非晶硅来形成导电型导电层P，但是不限于此。导电型导电层P可以通过化学气相沉积(CVD)、PECVD或类似工艺来形成。例如，可以使用气体混合物通过PEVCD来由P掺杂非晶硅形成导电型导电层P，其中气体混合物为诸如BH3和B2H6中的至少一种与硅烷气(SiH4)的混合。
然后在由本征层I和导电型导电层P组成的光电二极管层140上和/或上方形成上部电极层150。上部电极层150可以由具有突出的光传输性(light transmission)和高导电性的透明电极形成。例如，上部电极层150可以由铟锡氧化物(indium tin oxide)(ITO)、镉锡氧化物(cadmium tin oxide)(CTO)和氧化锌(ZnO2)中的任意一种形成。然后在上部电极层150上和/或上方形成相应于像素区A的光刻胶图样500。
如实例图2所示，然后使用光刻胶图样500作为刻蚀掩膜来刻蚀光电二极管层140和上部电极层150，从而仅在像素区A中同时形成光电二极管140和上部电极151，而暴露外围电路区B中的金属布线122和层间绝缘膜112。如上提到的，像素区A和光电二极管140形成垂直集成，从而使光电二极管140的填充系数达到100％的级别。由于光电二极管140和上部电极151形成在像素区A中的层间绝缘膜111上和/或上方，所以在上部电极151的最上表面与外围电路区B中的层间绝缘膜112的最上表面之间产生梯状部分(stepped portion)D。此外，上部电极151和光电二极管140的侧壁可以与外围电路区B中的层间绝缘膜112的最上表面形成直角或者锐角。根据本发明实施例，与光电二极管140的侧壁和层间绝缘膜112的最上表面接触的拐角区(corner region)形成梯状部分。当产生了梯状部分，则在通过随后的工艺形成上部布线180时，很难在该梯状部分中沉积金属材料。尤其是，在形成过程中上部布线180可能发生中断(interruption)。根据本发明实施例，为了避免这种情况，在光电二极管140和上部电极151的侧壁上形成隔离件(spacer)。
如实例图3所示，在包括光电二极管140和上部电极151的层间绝缘膜111和层间绝缘膜112上和/或上方形成绝缘层160。绝缘层160可以由氧化膜、氮化膜和氮化物氧化物膜(nitride oxide film)中的任意一种来形成。通过PVD工艺，绝缘层160可以在大约50℃至250℃之间范围内的温度下由低温氧化膜形成。因为绝缘层160形成在包括上部电极151的整个层间绝缘膜112上和/或上方，所以该绝缘层160以均匀的厚度形成在上部电极151和光电二极管140的侧壁上和/或上方。因此，绝缘层160可以具有与上部电极151和外围电路区B的层间绝缘膜112成比例的梯状部分。
如示例图4所示，通过在绝缘层160的整个表面上实施刻蚀工艺，在光电二极管140和上部电极151的侧壁上形成隔离件161。例如，通过使用CxFy气体的等离子刻蚀(plasma etching)可以形成隔离件161。由于通过在绝缘层160的整个表面上实施刻蚀工艺来形成隔离件161，所以该隔离件161朝着上部电极151和光电二极管140的下部的方向可以具有更宽的区域，以便形成具有坡状(sloped shape)。因此，隔离件161的坡状侧壁表面163可以与外围电路区B中的层间绝缘膜112的最上表面形成具有钝角。隔离件161只在光电二极管140和上部电极151的侧壁上形成，以便暴露外围电路区B中的金属布线122和层间绝缘膜112。
如实例图5所示，在包括光电二极管140、上部电极151和隔离件161的层间绝缘膜111和层间绝缘膜112上和/或上方形成保护层170。保护层170可以由与隔离件161相同的材料来形成。例如，通过PVD工艺，保护层170可以在大约50℃至250℃之间范围内的温度下由低温氧化膜形成。可以形成保护层170以使其在包括上部电极151和隔离件161的层间绝缘膜111和层间绝缘膜112上和/或上方具有均匀的厚度。保护层170可以被形成具有在像素区A中形成的第一部分，在外围电路区B中形成的第二部分和将第一和第二部分相互连接的第三部分。因为保护层170的第一部分形成在上部电极151上和/或上方，所以保护层170的第一部分的最上表面所在的平面位于保护层170的第二部分的最上表面所在的平面之上。此外，由于在隔离件161上和/或上方形成的保护层170的第三部分沿着隔离件161的坡状侧壁表面163形成，所以该第三部分形成为坡状部分173。保护层170的坡状部分173可以被形成具有比隔离件161的坡状侧壁表面163小的坡度。
如实例图6所示，在保护层170中形成用于暴露上部电极151和金属布线122的第一通道孔171和第二通道孔172。第一通道孔171选择性地暴露上部电极151的表面，而第二通道孔172暴露外围电路区B的金属布线122。在保护层170上和/或上方形成光刻胶图样之后，可以通过刻蚀工艺来选择性地形成第一通道孔171和第二通道孔172。
如实例图7所示，然后在包括第一通道孔171和第二通道孔172的保护层170上和/或上方形成上部布线180，该上部布线180通过第一通道孔171和第二通道孔172电连接至上部电极151和外围电路区B的金属布线122。通过在金属材料上实施溅射(sputtering)或者CVD工艺，可以在保护层170上和/上方以均匀的厚度沉积上部布线180。还可以在与光电二极管140和外围电路区B中的层间绝缘膜112的梯状部分相对应的保护层170上和/或上方均匀地形成上部布线180。意味着，在隔离件161的坡状侧壁表面163上和/或上方形成的保护层170的坡状部分173与层间绝缘膜112的最上表面形成钝角，从而保证很宽的空间(间隔，space)。因此，可以形成上部布线180以使其沿着第一通道孔171、坡状部分173和第二通道孔172相继地连接至保护层170。此外，上部布线180可以暴露像素区A中的保护层170的第一部分的一部分，而覆盖外围电路区B中的保护层170的第二部分。在像素区A中的保护层170的第一部分上和/或上方形成至少一个滤色器(color filter)和至少一个微透镜。
因此，如实例图7所示，根据本发明的实施例的图像传感器可以包括具有像素区A和外围电路区B的半导体衬底100。在像素区A中，形成包括光电二极管的单位像素。在外围电路区B中，形成外围区的信号处理电路。在半导体衬底100上和/或上方布置包括金属布线121和金属布线122的层间绝缘膜111和层间绝缘膜112。层间绝缘膜111形成在像素区A上和/或上方，而层间绝缘膜112形成在外围电路区B上和/上方。
形成用于每个单位像素的金属布线121以便使该金属布线121连接至像素区A的电路。金属布线122可以连接至外围电路区B的信号处理电路。在像素区A的层间绝缘膜111上和/或上方设置下部电极130，以使该下部电极130分别连接至像素区A的金属布线121。在包括下部电极130的像素区A的层间绝缘膜111上和/或上方设置光电二极管140和上部电极151。光电二极管140包括本征层I和导电型导电层P。可以只在光电二极管140的上部表面上和/或上方形成上部电极151。光电二极管140和上部电极151的侧壁具有相对于外围电路区B的层间绝缘膜112的表面的高梯状部分(high stepped portion)。光电二极管140和上部电极151的侧壁可以垂直于外围电路区B的层间绝缘膜112的最上表面。
在光电二极管140和上部电极151侧壁上和/或上方设置隔离件161。隔离件161可以由低温氧化膜形成。隔离件161具有坡状侧壁表面163，该坡状侧壁表面163的厚度朝着光电二极管140的下部的方向逐渐增加。因此，由于隔离件161，光电二极管140的侧壁可以具有相对于外围电路区B的层间绝缘膜112的表面的坡状形状。意味着，隔离件161的侧壁和层间绝缘膜112的最上表面形成钝角，从而保证很宽的空间。
在包括上部电极151、光电二极管140、隔离件161和层间绝缘膜112的半导体衬底100的像素区A和外围电路区B上和/或上方形成保护层170。保护层170可以由低温氧化膜形成。形成保护层170以覆盖所有上部电极151、光电二极管140、隔离件161和层间绝缘膜112。相应于隔离件161的保护层170的最上表面形成具有与隔离件161的坡状侧壁163相对应的坡状部分173。因此，在与光电二极管140的侧壁相对应的梯状部分中形成的保护层170与层间绝缘膜112的最上表面形成钝角，从而保证很宽的空间。在保护层170中形成第一通道孔171和第二通道孔172，该第一通道孔171和第二通道孔172用来选择性地暴露上部电极151和外围电路区B的金属布线122。
在包括第一通道孔171和第二通道孔172的保护层170上和/上方设置上部布线180。上部布线180相继地形成在保护层170的表面上和/上方。从而，上部布线180通过第一通道孔171连接至上部电极151且通过第二通道孔172连接至外围电路区B的金属布线122。由于保护层170的坡状部分173，与光电二极管140的侧壁和层间绝缘膜112的表面的梯状部分相对应的上部布线180可以无中断地相继形成。
根据本发明实施例，可以获得晶体管电路和光电二极管的垂直集成，从而通过在半导体衬底上和/或上方形成IP结构的光电二极管来使填充系数达到100％。此外，可以通过在光电二极管上和/或上方形成由低温氧化膜形成的保护层来保护光电二极管的表面。此外，通过防止在形成上部布线的过程中出现中断，可以最大化器件的可靠性，其中，上部布线通过隔离件来形成，该隔离件具有在光电二极管和上部电极的侧壁上和/或上方形成的坡状侧壁。
实例图8至图14示出根据本发明实施例的图像传感器及制造图像传感器的方法。在解释图像传感器及制造图像传感器的方法的过程中，相同参考标号和术语用于与实例图1至图7中示出和描述的部件相同的部件。
如实例图8所示，在具有像素区A和外围电路区B的半导体衬底100上和/或上方布置包括金属布线121和金属布线122的层间绝缘膜111和层间绝缘膜112。在像素区A中的层间绝缘膜111上和/或上方形成下部电极130，并使该下部电极130分别电连接至金属布线121。然后在包括下部电极130的层间绝缘膜111上和/或上方形成光电二极管层140和上部电极层150。形成层间绝缘膜111、层间绝缘膜112、金属布线121、金属布线122、下部电极130、光电二极管层140和上部电极层150的过程与实例图1至图7所示出和描述的过程一致，因此，这里将省略其描述。
在像素区A中的上部电极层150上和/或上方形成光刻胶图样500。光刻胶图样500可以覆盖在像素区A中的那部分上部电极层150，且暴露在外围电路区B中的那部分上部电极层150。可以通过与实例图1至图7所示和所描述的过程相同的过程来形成光刻胶图样500。
如实例图9所示，通过使用光刻胶图样500作为刻蚀掩膜在上部电极层150和光电二极管层140上实施第一刻蚀工艺来在光刻胶图样500的侧壁上形成隔离件510。可以通过使用CxFy气体来实施第一刻蚀工艺。在第一刻蚀工艺中，上部电极层150和光电二极管层140应该相对于光刻胶图样500维持高选择比率(high selectionratio)。例如，上部电极层150与光刻胶图样500可以具有1:10的选择比率。然后，上部电极层150和光电二极管层140没有被刻蚀，但是在光刻胶图样500的侧壁上和/或上方沉积了产生自CxFy气体的碳聚合物(carbon polymer)。从而，在光刻胶图样500的侧壁上和/或上方形成基于聚合物(polymer-based)的隔离件510。形成隔离件510以便该隔离件的表面区域从其上部至其下部逐渐增加。
如实例图10所示，使用光刻胶图样500和隔离件510作为刻蚀掩膜来在上部电极层150和光电二极管层140上实施第二刻蚀工艺。可以在第一刻蚀工艺之后，接着完成第二刻蚀工艺。意味着，可以在原地(insitu)实施第一刻蚀工艺和第二刻蚀工艺。可以使用HBr和Cl2气体来实施第二刻蚀工艺。
如实例图11所示，作为第二刻蚀工艺的结果，在像素区A中形成了光电二极管241和上部电极251，在外围电路区B中暴露了层间绝缘膜112和金属布线122。因为在第二刻蚀工艺中光刻胶图样500和隔离件510被用作刻蚀掩膜，所以光电二极管层140的侧壁可以被刻蚀为具有与隔离件510相同的形状。因此，光电二极管241的侧壁可以具有坡状表面243，该坡状表面243与层间绝缘膜112的最上表面形成钝角。
如实例图12所示，然后在包括上部电极251和光电二极管241的层间绝缘膜111和层间绝缘膜112上和/或上方形成保护层270。保护层270可以由氧化膜、氮化膜和氮化物氧化物膜中的任意一种形成。通过PVD工艺，保护层270可以在大约50℃至250℃之间范围内的温度下由低温氧化膜形成。在包括上部电极251的层间绝缘膜112的整个部分上和/或上方均匀地形成保护层270。保护层270可以具有与光电二极管241的坡状侧壁243相对应的坡状部分273。坡状部分273可以具有比光电二极管241的坡状侧壁表面243缓的坡度。
如实例图13所示，在保护层270上和/或上方形成光刻胶图样之后，通过实施刻蚀工艺，在保护层270上和/或上方形成暴露上部电极251和金属布线122的第一通道孔271和第二通道孔272。第一通道孔271选择性地暴露上部电极251的表面，而第二通道孔272暴露外围电路区B的金属布线122。
如实例图14所示，然后在包括第一通道孔271和第二通道孔272的保护层270上和/或上方形成上部布线280。通过第一通道孔271和第二通道孔272，上部布线280电连接至上部电极251和外围电路区B的金属布线122。通过在金属材料上实施溅射或者CVD工艺，可以在保护层270上和/或上方以均匀的厚度沉积上部布线280。因为上部布线280形成在具有坡状部分273的保护层270上和/或上方，所以上部布线280可以以均匀的厚度形成。光电二极管241的坡状侧壁表面243与外围电路区B的层间绝缘膜112的最上表面形成钝角。由于在包括光电二极管241和层间绝缘膜112的整个半导体衬底100上和/或上方形成保护层270，所以可以减缓光电二极管241和层间绝缘膜112的梯状部分。此外，由于光电二极管241的坡状侧壁表面243，保护层270的坡状部分273与层间绝缘膜112的最上表面形成钝角。因此，通过保护层270的坡状部分273来保证很宽的空间是可能的，依次地，可以形成上部布线280以使其沿着包括第一通道孔271和第二通道孔272的保护层270的表面连接。此外，上部布线280可以暴露像素区A中的保护层270的第一部分，而覆盖外围电路区B中的其他部分。在像素区A的保护层270上和/或上方，可以形成至少一个滤色器和至少一个相应的微透镜。
因此，如实例图14所示，根据本发明实施例的图像传感器可以包括层间绝缘膜111和层间绝缘膜112，该层间绝缘膜111和层间绝缘膜112包括在具有像素区A和外围电路区B的半导体衬底100上和/或上方形成的金属布线121和金属布线122。形成用于每个单位像素的金属布线121以使该金属布线121连接至像素区A的电路。金属布线122可以连接至外围电路区B的信号处理电路。在像素区A的层间绝缘膜111上和/或上方设置下部电极130，该下部电极130分别电连接至像素区A的金属布线121。在包括下部电极130的像素区A的层间绝缘膜111上和/或上方设置具有坡状侧壁表面243的光电二极管241和上部电极251。光电二极管241包括本征层I和导电型导电层P。坡状侧壁表面243与外围电路区B的层间绝缘膜112的最上表面形成钝角。因此，在光电二极管241的坡状侧壁表面243和层间绝缘膜112的最上表面的梯状部分中保证了很宽的空间。
在包括上部电极251、光电二极管241和层间绝缘膜112的半导体衬底100上和/或上方形成保护层270。保护层270包括与光电二极管241的坡状侧壁表面243相对应的坡状部分273。在梯状部分中形成的保护层270的坡状部分273与层间绝缘膜112的最上表面形成钝角，从而保证很宽的空间，其中保护层270的坡状部分273与光电二极管241的坡状侧壁表面243相对应。在保护层270上和/或上方形成第一通道孔271和第二通道孔272，该第一通道孔271和第二通道孔272用于选择性地暴露上部电极251和外围电路区B的金属布线122。在包括第一通道孔271和第二通道孔272的保护层270上和/或上方布置上部布线280。上部布线280通过第一通道孔271电连接至上部电极251并且通过第二通道孔272电连接至外围电路区B的金属布线122。在保护层270的坡状部分273上和/或上方形成的部分上部布线280允许无中断地形成上部布线280。
实例图15至图18示出了根据本发明实施例的图像传感器及其制造图像传感器的方法。在解释图像传感器及制造图像传感器的方法的过程中，相同的参考标号和术语用于表示与实例图1至图7中所示出和描述的部件相同的部件。
如实例图15所示，在具有像素区A和外围电路区B的半导体衬底100上和/或上方布置包括金属布线121和金属布线122的层间绝缘膜111和层间绝缘膜112。在相应于像素区A的层间绝缘膜111上和/或上方形成下部电极130，以使该下部电极130分别电连接至金属布线121。在相应于像素区A的层间绝缘膜111上/或上方形成光电二极管140和上部电极151。可以暴露外围电路区B的层间绝缘膜112和金属布线122。由于在像素区A的层间绝缘膜111上和/或上方形成光电二极管140和上部电极151，所以包括光电二极管140和上部电极151的组合厚度的梯状部分具有第一高度D1，该第一高度D1在上部电极151和外围电路区B的层间绝缘膜112之间产生。然后在上部电极151、光电二极管140和层间绝缘膜112上和/或上方形成保护膜375。保护膜375可以由氧化膜、氮化膜和氮化物氧化物膜中的任意一种形成。通过PVD工艺，保护膜375可以在大约50℃至250℃之间范围内的温度下由低温氧化膜形成。在外围电路区B中形成的部分保护膜375可以具有第二高度D2，该第二高度D2大于光电二极管140和上部电极151的梯状部分的第一高度D1。因此，保护膜375被形成用来覆盖所有上部电极151、光电二极管140和层间绝缘膜112。
接下来，在保护膜375上实施湿法刻蚀工艺。可以使用诸如HF或BOE的化学溶液来湿法刻蚀保护膜375。通过调整注入的化学溶液剂量和刻蚀时间，可以实施刻蚀工艺直到保护膜375具有在大约10
至1000之间范围内的残留厚度。然后，可以使用该湿法刻蚀方法来各向同性(isotropically)地刻蚀保护膜375。
如实例图16所示，湿法刻蚀工艺在光电二极管140、上部电极151、层间绝缘膜111和层间绝缘膜112上和/或上方形成保护层370。保护层370被形成用来覆盖所有的上部电极151、光电二极管140、层间绝缘膜111和层间绝缘膜112。由于通过湿法刻蚀来各向同性地刻蚀保护膜375，所以与光电二极管的侧壁相对应的保护层370的侧壁可以具有坡状侧壁部分373。保护层370的坡状侧壁部分373可以被形成以使坡状侧壁部分373与外围电路区B的层间绝缘膜112的最上表面呈钝角。
如实例图17所示，在保护层370上和/或上方形成用于暴露上部电极151和金属布线122的第一通道孔371和第二通道孔372。第一通道孔371选择性地暴露上部电极151的表面，而第二通道孔372暴露外围电路区B的金属布线122。在保护层370上和/或上方形成光刻胶图样之后，通过刻蚀工艺可以形成第一通道孔371和第二通道孔372。
如示例图18所示，然后在包括第一通道孔371和第二通道孔372的保护层370上和/或上方形成上部布线380，并且通过第一通道孔371和第二通道孔372，该上部布线380电连接至上部电极151和外围电路区B的金属布线122。通过在金属材料上实施溅射或者CVD工艺，可以在保护层370上和/或上方以均匀的厚度沉积上部布线380。因为在具有坡状部分373的保护层370的表面上和/或上方形成上部布线380，所以上部布线380可以相继地形成。与光电二极管140的侧壁相对应的保护层370具有坡状侧壁部分373，并因此与外围电路区B的层间绝缘膜112的最上表面形成钝角，从而保证很宽的空间。形成上部布线380以使其沿着包括第一通道孔371和第二通道孔372的保护层370的表面相继地连接。上部布线380可以暴露像素区A中的保护层370的表面的一部分。因此，在像素区A的保护层370上和/或上方，可以形成至少一个滤色器和至少一个相应的微透镜。
因此，如实例图18所示，根据本发明实施例的图像传感器可以包括层间绝缘膜111和层间绝缘膜112，该层间绝缘膜111和层间绝缘膜112包括在具有像素区A和外围电路区B的半导体衬底100上和/或上方布置的金属布线121和金属布线122。形成用于每个单位像素的金属布线121以使金属布线121连接至像素区A的电路，并且可以电连接至外围电路区B的信号处理电路。在像素区A的层间绝缘膜111上和/或上方设置下部电极130，该下部电极130分别电连接至像素区A的金属布线121。在包括下部电极130的像素区A的层间绝缘膜111上和/或上方设置光电二极管140和上部电极151。光电二极管140包括本征层I和导电型导电层P。可以只在光电二极管140上和/或上方形成上部电极151。从而，光电二极管140和上部电极151的侧壁具有梯状部分，该梯状部分垂直于外围电路区B的层间绝缘膜112的最上表面。
在包括上部电极151、光电二极管140和层间绝缘膜112的半导体衬底100上和/或上方形成保护层370。形成保护层370以覆盖所有的上部电极151、光电二极管140和层间绝缘膜112。形成与光电二极管140和上部电极151相对应的保护层370以使保护层370具有相应于梯状部分的坡状侧壁部分373，这种坡状侧壁部分373以钝角形成，从而保证很宽的空间。在保护层370上/或上方形成第一通道孔371和第二通道孔372，该第一通道孔371和第二通道孔372用于选择性地暴露上部电极151和外围电路区B的金属布线122。在包括第一通道孔371和第二通道孔372的保护层370上和/或上方设置上部布线380。在保护层370的表面上和/或上方可以相继地形成上部布线380，并且该上部布线380通过第一通道孔371连接至上部电极151并通过第二通道孔372连接至外围电路区B的金属布线122。由于在保护层370上/或上方形成坡状侧壁部分373，所以与光电二极管140的侧壁和层间绝缘膜112的最上表面的梯状部分相对应的上部布线380可以无中断地相继形成。
尽管本文中描述了多个实施例，但是应该理解，本领域技术人员可以想到多种其他修改和实施例，他们都将落入本公开的原则的精神和范围内。更特别地，在本公开、附图、以及所附权利要求的范围内，可以在主题结合排列的排列方式和/或组成部分方面进行各种修改和改变。除了组成部分和/或排列方面的修改和改变以外，可选的使用对本领域技术人员来说也是显而易见的选择。
Claims (20)
1.一种图像传感器，包括：
半导体衬底，包括像素区和外围电路区；
包括下部金属布线的层间绝缘膜，形成在所述像素区和所述外围电路区上方；
下部电极，形成于所述层间绝缘膜上方的像素区中且电连接至在所述像素区中形成的所述下部金属布线；
光电二极管，形成于所述层间绝缘膜和所述下部电极上方的所述像素区中；
上部电极，形成于所述光电二极管上方的所述像素区中；
保护层，形成于包括所述上部电极和所述层间绝缘膜的所述半导体衬底上方的所述像素区和所述外围电路区中，所述保护层在与所述光电二极管的所述侧壁相对应的区域中具有坡状部分；
通道孔，形成于所述保护层中以暴露所述上部电极和在所述外围电路区中的所述下部金属布线；以及
上部布线，形成于包括所述通道孔的所述保护层上方。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光电二极管的所述侧壁具有坡状表面。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，隔离件形成在所述光电二极管的所述侧壁上。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述保护层和所述隔离件由相同的材料形成。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述保护层的所述坡状部分与所述外围电路区中的所述层间绝缘膜的所述最上表面呈钝角。
6.一种制造图像传感器的方法，包括：
设置具有像素区和外围电路区的半导体衬底；
在所述像素区和所述外围电路区中的半导体衬底上方，形成包括多个下部金属布线的层间绝缘膜，所述多个金属布线穿透所述层间绝缘膜；
形成下部电极，所述下部电极形成在所述层间绝缘膜上方的所述像素区中并且所述下部电极电连接至在所述像素区中形成的所述下部金属布线；
同时在所述层间绝缘膜上方的所述像素区中形成上部电极以及在所述层间绝缘膜和所述下部电极上方的所述像素区中形成光电二极管；
在包括所述上部电极和所述外围电路区中的所述层间绝缘膜的所述半导体衬底上方形成保护层，其中，所述保护层在与所述光电二极管的侧壁相对应的区域中具有坡状部分；
在所述保护层中形成通道孔以暴露所述上部电极和所述外围电路区中的所述金属布线；以及然后
在包括所述通道孔的所述保护层上方形成上部布线。
7.根据权利要求6所述方法，其中，形成保护层包括：
在所述光电二极管的所述侧壁上形成隔离件；以及然后
在包括所述隔离件的所述层间绝缘膜上方形成所述保护层。
8.根据权利要求7所述方法，其中，所述隔离件由与所述保护层相同的材料形成。
9.根据权利要求6所述方法，其中，同时形成所述上部电极和所述光电二极管包括：
在包括所述层间绝缘膜的所述半导体衬底上方形成光电二极管层和上部电极层；
在所述像素区中的所述上部电极层上方形成光刻胶图样；
在所述光刻胶图样的所述侧壁上形成隔离件；以及然后
使用所述光刻胶图样和所述隔离件作为刻蚀掩膜来刻蚀所述光电二极管层和所述上部电极层。
10.根据权利要求9所述方法，其中，形成隔离件包括使用CxFy气体。
11.根据权利要求9所述方法，其中，刻蚀所述光电二极管层和所述上部电极层包括使用HBr和Cl2中的一种。
12.根据权利要求6所述方法，其中，形成所述保护层包括：
在包括所述上部电极和所述外围电路区中的所述层间绝缘膜的所述半导体衬底上方形成保护膜；以及然后
在所述保护膜上实施湿法刻蚀工艺。
13.根据权利要求12所述方法，其中，在所述湿法刻蚀工艺中，使用BOE和HF化学溶液中的一种。
14.一种装置，包括：
半导体衬底，具有像素区和外围电路区；
层间绝缘膜，形成于所述像素区和所述外围电路区中；
下部金属布线，所述下部金属布线被形成贯穿所述像素区和所述外围电路区中的所述层间绝缘膜；
下部电极，形成于所述层间绝缘膜上方的所述像素区中，且电连接至所述下部金属布线；
光电二极管，形成于所述层间绝缘膜和所述下部电极上方的所述像素区中，所述光电二极管包括形成于所述下部电极上方的本征层和形成于所述本征层上方的导电层；
上部电极，形成于所述光电二极管上方的所述像素区中；
保护层，形成于所述上部电极上方的所述像素区中和所述层间绝缘膜上方的所述外围电路区中；
第一通道孔，形成于所述保护层中并暴露所述上部电极的一部分；
第二通道孔，形成于所述保护层中并暴露所述外围电路区中的所述下部金属布线；以及
上部布线，形成于包括所述通道孔的所述保护层上方，且电连接至所述上部电极和所述下部金属布线。
15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述外围电路区中的所述保护层的一部分在与所述光电二极管的所述侧壁相对应的区域中呈坡状。
16.根据权利要求14所述的装置，其中，所述外围电路区中的所述保护层在与所述光电二极管的所述侧壁相对应的区域中具有坡状部分，所述坡状部分与所述层间绝缘膜的最上表面形成钝角。
17.根据权利要求14所述的装置，进一步包括在所述光电二极管的所述侧壁上的所述外围电路区中形成的隔离件，其中，所述隔离件具有坡状侧壁，所述坡状侧壁相对于所述层间绝缘膜的最上表面形成钝角。
18.根据权利要求14所述的装置，其中，所述光电二极管具有坡状部分，所述坡状部分相对于所述层间绝缘膜的最上表面形成钝角。
19.根据权利要求14所述的装置，其中，所述上部电极层由铟锡氧化物(ITO)、镉锡氧化物(CTO)和氧化锌(ZnO2)中的一种组成。
20.根据权利要求14所述的装置，其中，所述本征层包括本征非晶硅层，而所述导电层包括P型非晶硅层，所述本征非晶硅层以在比所述P型非晶硅层的厚度大大约10至1000倍之间范围内的厚度形成。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070121897 | 2007-11-28 | ||
| KR1020070121897A KR100935771B1 (ko) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR10-2007-0121897 | 2007-11-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101447495A true CN101447495A (zh) | 2009-06-03 |
| CN101447495B CN101447495B (zh) | 2011-05-18 |
Family
ID=40668975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101755925A Expired - Fee Related CN101447495B (zh) | 2007-11-28 | 2008-11-07 | 图像传感器及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7808066B2 (zh) |
| KR (1) | KR100935771B1 (zh) |
| CN (1) | CN101447495B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103794617A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-05-14 | 友达光电股份有限公司 | 发光二极管显示面板及其制作方法 |
| WO2021102836A1 (zh) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 感光器件及其制作方法与装置、硅衬底及其制作方法与装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8796804B2 (en) * | 2008-04-22 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Forming sensing elements above a semiconductor substrate |
| US9142586B2 (en) | 2009-02-24 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad design for backside illuminated image sensor |
| US8531565B2 (en) * | 2009-02-24 | 2013-09-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Front side implanted guard ring structure for backside illuminated image sensor |
| WO2011027745A1 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | ローム株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
| US8933527B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Elevated photodiodes with crosstalk isolation |
| JP5728451B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2015-06-03 | 富士フイルム株式会社 | 有機固体撮像素子およびその製造方法 |
| US9082870B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-07-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and apparatus of packaging semiconductor devices |
| CN104051384B (zh) * | 2013-03-13 | 2017-09-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件的封装方法和装置 |
| US9859326B2 (en) * | 2014-01-24 | 2018-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof |
| JPWO2015125443A1 (ja) * | 2014-02-19 | 2017-03-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 受光デバイスおよびその製造方法 |
| US10037912B2 (en) | 2016-12-14 | 2018-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR102619669B1 (ko) | 2016-12-30 | 2023-12-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| WO2023189040A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光電変換素子及び撮像素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5936261A (en) * | 1998-11-18 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Elevated image sensor array which includes isolation between the image sensors and a unique interconnection |
| JP3414343B2 (ja) | 1999-11-26 | 2003-06-09 | 日本電気株式会社 | イメージセンサ及びその製造方法 |
| US6759262B2 (en) | 2001-12-18 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Image sensor with pixel isolation system and manufacturing method therefor |
| KR100825808B1 (ko) * | 2007-02-26 | 2008-04-29 | 삼성전자주식회사 | 후면 조명 구조의 이미지 센서 및 그 이미지 센서 제조방법 |
-
2007
- 2007-11-28 KR KR1020070121897A patent/KR100935771B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-10-12 US US12/249,933 patent/US7808066B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-07 CN CN2008101755925A patent/CN101447495B/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2021102836A1 (zh) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 感光器件及其制作方法与装置、硅衬底及其制作方法与装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101447495B (zh) | 2011-05-18 |
| KR20090055131A (ko) | 2009-06-02 |
| KR100935771B1 (ko) | 2010-01-06 |
| US7808066B2 (en) | 2010-10-05 |
| US20090134485A1 (en) | 2009-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110518 Termination date: 20131107 |