CN101498875A - 液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种液晶显示器,根据本发明的液晶显示器包括:第一基底和第二基底,彼此面对;像素电极,设置在第一基底上并且包括第一子像素电极和通过间隙与第一子像素电极分隔开的第二子像素电极;共电极,设置在第二基底上;屏蔽构件,设置在第一基底或第二基底上并且与第一子像素电极和第二子像素电极之间的间隙叠置;取向层,设置在像素电极和共电极中的至少一个上;液晶层,设置在第一基底和第二基底之间。
Description
本申请要求于2008年1月29日提交的第10-2008-0008999号韩国专利申请的优先权,出于所有的目的,该申请通过引用被包含于此,就像在此完整地提出一样。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一,LCD包括提供有场发生电极(例如,像素电极和共电极)的一对面板以及设置在这两个面板之间的液晶(LC)层。当对场发生电极施加电压从而在LC层中产生电场时,LCD显示图像,其中,产生的电场确定LC层中的LC分子的定向,从而调节入射光的偏振。
在垂直取向(VA)模式LCD中,在没有电场的情况下,LC分子的长轴垂直于上面板和下面板,从而可以得到大的对比度和宽的基准视角。
在VA模式LCD中,为了得到宽视角,可以在一个像素中形成LC分子的取向方向彼此不同的多个畴(domain)。
为了实现这个目的,可以在至少一个场发生电极中形成至少一个切口。在该方法中,通过使LC分子相对于在切口的边缘和面对所述边缘的场发生电极之间产生的边缘场垂直取向,可以形成多个畴。
然而,在这种结构中,开口率会下降。另外,设置在开口附近的LC分子可以容易地相对于边缘场垂直取向,而远离开口的设置在畴的中心部分的LC分子会发生随机运动,使得响应速度变慢并且形成相反方向的畴,这会引起出现瞬时余像。
可选地,可以通过向取向层照射光来控制LC分子的取向方向和取向角。在这种光取向方法中,可以不必在场发生电极中形成切口,从而可以增加开口率,并且可以通过在光取向期间产生的预倾角来改进LC分子的响应时间。另一方面,VA模式LCD的侧面可视性会低于正面可视性,为了解决这个问题,已经提出了将一个像素分成两个子像素并且对子像素施加不同电压。
然而,当将光取向方法应用到具有两个子像素的结构时,经过光取向的LC分子的取向方向会与由于LCD的两个子像素之间的间隙中的边缘场产生的LC分子的取向方向不同,从而会在相应部分中产生纹路。这种纹路会降低透射率并且出现斑点,从而会劣化显示特性。
发明内容
本发明提供了一种液晶显示器(LCD),在该LCD中,一个像素被分为两个子像素,并且可以减少由于光取向方法导致的纹路的产生。
本发明的附加特征将在下面的描述中提到,一部分从描述部分将是清楚的,或者可以通过本发明的实践而获知。
本发明公开了一种LCD,该LCD包括:第一基底和第二基底,彼此面对;像素电极,设置在第一基底上,并且包括第一子像素电极和通过间隙与第一子像素电极分隔开的第二子像素电极;共电极,设置在第二基底上;屏蔽构件,设置在第一基底或第二基底上并且与第一子像素电极和第二子像素电极之间的间隙叠置;取向层,设置在像素电极和共电极中的至少一个上;液晶(LC)层,设置在第一基底和第二基底之间。
本发明还公开了一种LCD,该LCD包括:像素电极,包括第一子像素电极和第二子像素电极;共电极,面向像素电极;第一LC层,设置在第一子像素电极和共电极之间;第二LC层,设置在第二子像素电极和共电极之间;屏蔽构件,设置在像素电极下面或者共电极下面,并且与第一子像素电极和第二子像素电极之间的间隙叠置。第一LC层包括液晶分子分别沿着左上方向、左下方向、右上方向和右下方向取向的多个畴,第二LC层包括液晶分子分别沿着左上方向、左下方向、右上方向和右下方向取向的多个畴。
应该理解,前面的概括性描述和后面的详细描述都是示例性和解释性的,意图对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
包含于此、用来提供对本发明的进一步理解并且构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且与描述部分一起用来解释本发明的原理。
图1是根据本发明示例性实施例的LCD的像素的等效电路图。
图2是根据本发明示例性实施例的LCD的布局图。
图3和图4是分别示出图2中示出的LCD中的像素电极和栅极导体的布局图。
图5是沿着图2中的线V-V截取的LCD的剖视图。
图6是根据本发明另一示例性实施例的LCD的布局图。
图7和图8是分别示出图6中的LCD中的像素电极和栅极导体的布局图。
图9是示出图6中的像素电极、栅极导体和LC分子的取向方向的布局图。
图10是根据本发明又一示例性实施例的LCD的布局图。
图11是示出图10中的LCD中的像素电极和屏蔽构件的示意图。
图12是沿着图10中的线XII-XII截取的LCD的剖视图。
图13是根据本发明又一示例性实施例的LCD的布局图。
图14是示出光取向情况下的两个掩模的示意图。
图15是示出利用图14中示出的掩模来照射光的方法的示意图。
图16和图17是示出经历光取向方法的LC分子的取向的示意图。
具体实施方式
在下文中,参照附图来更充分地描述本发明,附图中示出了本发明的实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式来实施,而不应该被理解为限于在此提出的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开是彻底的,并且将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中,为了清晰起见,可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。在附图中,相同的标号用来表示相同的元件。
应该理解,当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或者“连接到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在另一元件或层上或者直接连接到另一元件或层,或者可以存在中间元件或层。相反,当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”或者“直接连接到”另一元件或层时,不存在中间元件或中间层。
[示例性实施例1]
下面将参照图1、图2、图3、图4和图5来详细描述根据本发明示例性实施例的LCD。
图1是根据本发明示例性实施例的LCD的一个像素的等效电路图,图2是根据本发明示例性实施例的LCD的布局图,图3和图4是分别示出图2中的LCD中的像素电极和栅极导体的布局图,图5是沿着图2中的线V-V截取的剖视图。
参照图1,每个像素PX包括一对子像素PXa和PXb,子像素PXa包括:开关元件Qa,连接到栅极线121和相应的数据线171a;LC电容器Clca,连接到开关元件Qa;存储电容器Csta,连接到开关元件Qa和存储电极线131。子像素PXb包括:开关元件Qb,连接到栅极线121和相应的数据线171b;LC电容器Clcb,连接到开关元件Qb;存储电容器Cstb,连接到开关元件Qb和存储电极线131。
每个开关元件Qa和Qb可为包括控制端、输入端和输出端的三端子元件。开关元件Qa和Qb的控制端连接到栅极线121,输入端连接到相应的数据线171a和171b,输出端连接到LC电容器Clca和Clcb以及存储电容器Csta和Cstb。
存储电容器Csta和Cstb用作LC电容器Clca和Clcb的辅助件,存储电容器Csta和Cstb形成在存储电极线131与像素电极(未示出)彼此叠置的位置,其中,在存储电极131和像素电极之间设置有绝缘体,对存储电极线131施加设置电压(例如,共电压Vcom等)。另外,存储电容器Csta和Cstb可以形成在像素电极与紧挨着的前一栅极线叠置的位置,其中,在像素电极和紧挨着的前一栅极线之间设置有绝缘体。
参照图2、图3、图4和图5,根据该示例性实施例的LCD包括薄膜晶体管阵列面板100和共电极面板200以及位于这两个面板之间的LC层3。
首先,将描述薄膜晶体管阵列面板100。
包括多条栅极线121和多条存储电极线131的栅极导体设置在绝缘基底110上。
栅极线121传输栅极信号并且主要在水平方向上延伸。每条栅极线121包括向上突出的多个第一栅电极124a和多个第二栅电极124b以及宽端部129。
存储电极线131传输共电压并且主要在水平方向上延伸。每条存储电极线131设置在两条栅极线121之间并且包括多个存储电极133。
参照图2和图4,每个存储电极133可以具有包括上部、下部、右部和左部的回路形状。存储电极133的上部包括分别向下和向上延伸并且彼此连接的扩展部分134a和扩展部分134b。存储电极133的下部包括分别向上和向下延伸并且没有彼此连接的扩展部分135a和135b。去除具有回路形状的存储电极133的位于扩展部分135a和135b之间的部分。存储电极133的上部和下部比右部和左部宽。
栅极绝缘层140设置在栅极线121和存储电极线131上。
一对第一半导体带(未示出)和第二半导体带(未示出)设置在栅极绝缘层140上。第一半导体带和第二半导体带主要在垂直方向上延伸。第一半导体带包括向第一栅电极124a突出的第一突出部分154a,第二半导体带包括向第二栅电极124b突出的第二突出部分154b。
欧姆接触带(未示出)、第一欧姆接触岛165a和第二欧姆接触岛(未示出)设置在半导体带上。欧姆接触带包括第一突出件163a和第二突出件(未示出),第一突出件163a和第一欧姆接触岛165a在半导体带的第一突出部分154a上设置成一对并且彼此面对,第二突出件和第二欧姆接触岛在半导体带的第二突出部分154b上设置成一对并且彼此面对。
第一数据线171a、第二数据线171b和第一漏电极175a、第二漏电极175b设置在欧姆接触带和栅极绝缘层140上。
第一数据线171a和第二数据线171b在垂直方向上延伸,从而与栅极线121和存储电极线131交叉,并且传输数据电压。第一数据线171a包括向第一栅电极124a延伸的第一源电极173a和具有宽面积的端部179a。第二数据线171b包括向第二栅电极124b延伸的第二源电极173b和具有宽面积的端部179b。第一数据线171a和第二数据线171b可以接收不同的电压。
第一漏电极175a相对于第一栅电极124a与第一源电极173a相对,第二漏电极175b相对于第二栅电极124b与第二源电极173b相对。第一漏电极175a的端部和第二漏电极175b的端部被第一源电极173a和第二源电极173b的弯曲部分部分地包围。
除了第一源电极173a和第一漏电极175a之间的沟道区以及第二源电极173b和第二漏电极175b之间的沟道区之外,半导体带可以具有与第一数据线171a、第二数据线171b以及第一漏电极175a和第二漏电极175b的平面形状基本相同的平面形状。
欧姆接触带设置在半导体带和第一数据线171a、第二数据线171b之间,并且可以具有与第一数据线171a和第二数据线171b的平面形状基本相同的平面形状。第一欧姆接触岛和第二欧姆接触岛设置在半导体带和第一漏电极175a、第二漏电极175b之间,并且具有与第一漏电极175a和第二漏电极175b的平面形状基本相同的平面形状。
可以由无机绝缘材料(例如,氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2))制成的阻挡层160设置在第一数据线171a、第二数据线171b和第一漏电极175a和第二漏电极175b上,滤色器230设置在阻挡层160上。
滤色器230可以是在平行于第一数据线171a和第二数据线171b的方向上沿着列中的像素延伸的红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。可以交替地布置具有红色滤色器的像素、具有绿色滤色器的像素和具有蓝色滤色器的像素。
滤色器230包括多个开口234a、234b、235a和235b。开口234a、234b、235a和235b分别与存储电极133的扩展部分134a、134b、135a和135b叠置。
钝化层180设置在滤色器230上。钝化层180可以由无机绝缘材料(例如,氮化硅或氧化硅)制成,钝化层180可以防止滤色器230翘起并且可以防止化学溶液(例如,蚀刻剂)流入滤色器230。
钝化层180、滤色器230和阻挡层160具有分别暴露第一漏电极175a和第二漏电极175b的多个接触孔185a和185b,钝化层180和阻挡层160具有分别暴露第一数据线171a的端部179a和第二数据线171b的端部179b的多个接触孔182a和182b。钝化层180、阻挡层160和栅极绝缘层140具有分别暴露栅极线121的端部129的多个接触孔181。
像素电极191和多个接触辅助件81、82a和82b设置在钝化层180上。
像素电极191包括彼此分隔开并且其间具有间隙91的一对第一子像素电极191a和第二子像素电极191b。如图2和图3中所示,第一子像素电极191a可以具有四边形形状,第二子像素电极191b包围第一子像素电极191a,并且在第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间具有间隙91。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的间隙91可以具有四边形回路形状,具有四边形回路形状的上述存储电极133与间隙91叠置并且用作屏蔽构件来阻挡第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的光泄漏。
另外,存储电极133的扩展部分134a、134b、135a和135b用作屏蔽构件来覆盖由于光取向引起的纹路,将在后面对此进行详细描述。
另外,存储电极133的扩展部分134a、135a、134b和135b与第一子像素电极191a或者第二子像素电极191b叠置,来形成存储电容器Cst。
这就是说,第一子像素电极191a与存储电极133的扩展部分134a和135a叠置,来形成存储电容器Csta。滤色器230的开口234a和235a设置在第一子像素电极191a与存储电极133的扩展部分134a和135a彼此叠置的位置,从而可以减小存储电容器Csta的绝缘体的厚度,这会增加存储电容。
第二子像素电极191b与存储电极133的扩展部分134b和135b叠置,来形成存储电容器Cstb。滤色器230的开口234b和235b设置在第二子像素电极191b与存储电极133的扩展部分134b和135b彼此叠置的位置,从而可以减小存储电容器Cstb的绝缘体的厚度,这会增加存储电容。
第一栅电极124a、半导体带的第一突出部分154a、第一源电极173a和第一漏电极175a形成第一薄膜晶体管Qa,第一薄膜晶体管Qa经过接触孔185a连接到第一子像素电极191a。第二栅电极124b、半导体带的第二突出部分154b、第一源电极173b和第二漏电极175b形成第二薄膜晶体管Qb,第二薄膜晶体管Qb经过接触孔185b连接到第二子像素电极191b。
按照这种方式,形成一个像素电极191的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分别连接到第一薄膜晶体管Qa和第二薄膜晶体管Qb,从而第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分别通过第一数据线171a和第二数据线171b接收不同的数据电压。可选地,第一子像素电极191a和第二子像素电极191b可以通过一条数据线在不同时间接收单独的数据电压,或者可以仅第一子像素电极191a连接到薄膜晶体管而第二子像素电极191b电容结合到第一子像素电极191a,使得仅第一子像素电极191a接收数据电压,而第二子像素电极191b可以根据第一子像素电极191a的电压变化具有变化的电压。
在这种情况下,第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的面积比偏离大约1:1,第二子像素电极191b大于第一子像素电极191a。可以通过调整第一子像素电极191a的高度来调节第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的面积比。这里,面积相对小的第一子像素电极191a的电压高于面积相对大的第二子像素电极191b的电压。
按照这种方式,由于第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的电压彼此不同,所以施加到第一子像素电极191a和共电极270之间的第一LC电容器Clca的电压与施加到第二子像素电极191b和共电极270之间的第二LC电容器Clcb的电压彼此不同,因此,第一子像素和第二子像素中的LC分子的倾斜角彼此不同。结果,两个子像素的亮度彼此不同。因此,通过适当地调节第一LC电容器Clca和第二LC电容器Clcb的电压,显示器的侧面示出的图像可以近似于显示器的前面示出的图像,这就是说,显示器的侧面的伽玛曲线可以近似接近显示器的前面的伽玛曲线,从而改进侧面可视性。
接触辅助件81、82a和82b分别经过接触孔181、182a和182b连接到栅极线121的端部129以及数据线171a的端部179a和数据线171b的端部179b。接触辅助件81、82a和82b补充栅极线121的端部129、数据线171a的端部179a和数据线171b的端部179b与外部装置(例如,驱动器IC)的粘附,并且保护端部129、179a和179b。
接着,将描述共电极面板200的结构。
阻光构件220设置在绝缘基底210上,保护件250设置在阻光构件220上,共电极270设置在保护件250上。
取向层11和21分别设置在薄膜晶体管阵列面板100和共电极面板200的相对表面上。取向层11和21是垂直取向层,取向层的表面具有根据区域而沿着不同方向倾斜的端部。
LC层3设置在薄膜晶体管阵列面板100和共电极面板200之间。LC层3包括具有负介电各向异性的多个LC分子310。
参照图2和图3,LC层3的设置在第一子像素电极191a和共电极270之间的部分称作第一LC层,LC层的设置在第二子像素电极191b和共电极270之间的部分称作第二LC层。第一LC层和第二LC层的LC分子310在四个不同方向上取向,如箭头所示。这就是说,每个子像素可以包括具有不同取向方向(例如,左上方向、左下方向、右上方向和右下方向)的LC分子的四个畴。这里,箭头的尾部表示LC分子310在取向之前的长轴方向,即,相对于基底的垂直方向,箭头的头部表示LC分子310的取向方向。然而,如果必要,LC分子310的取向方向的数量可以为三个或少于三个、五个或者多于五个。
可以通过将光照射到取向层11和21的光取向方法来形成这种畴。在光取向方法中,光倾斜地照射到垂直取向层,使得形成在取向层表面上的光反应链沿着光照射方向取向,当在各个方向倾斜地照射光时,可以形成多个畴。
下面,将参照图14、图15、图16和图17来描述光取向方法。
图14是示出光取向情况下的两个掩模的示意图,图15是示出通过采用图14中示出的掩模来照射光的方法的示意图,图16和图17是示出经历光取向方法的LC分子的取向的示意图。
参照图14,在光取向情况下采用的掩模可以为包括平行于基底的长边的多个开口10a的第一掩模10或者包括垂直于基底的长边的多个开口20a的第二掩模20。
参照图14中的(a)和图15中的(a),第一掩模10定位在涂敷有取向层11的薄膜晶体管阵列面板100上,以倾斜角照射光(例如,紫外(UV)射线),来执行第一曝光。接着,在与第一曝光的方向相反的方向上倾斜地照射紫外(UV)射线,来执行第二曝光。
这里,通过沿着平行于掩模10的开口10a的长轴的方向(即,图14中的(a)中的上下方向(箭头方向))移动来执行光照射。当不是通过沿着平行于开口10a的长轴的方向移动来执行光照射时,由于光衍射会导致实际被曝光的区域减少,还会减少基底和掩模之间的距离的工艺余量,并且会减小曝光角。可以通过改变基底或者照射光的装置的角度来执行将光倾斜地照射到取向层的表面上的方法。
例如,可以从下侧向上侧用具有倾斜角的光照射像素区的左半部分,可以从上侧到下侧用具有倾斜角的光照射像素区的右半部分。因此,如图16中的(a)和图17中的(a)中所示,可以形成具有相反倾斜方向的LC分子的两个区域。
类似地,参照图14中的(b)和图15中的(b),第二掩模20在涂敷有取向层21的共电极面板200上定位,以倾斜角照射光(例如,UV射线)来执行第三曝光。接着,在与第三曝光的方向相反的方向上倾斜地照射UV射线,来执行第四曝光。
这里,通过沿着平行于掩模20的开口20a的长轴的方向(即,图14的(b)中的左右方向(箭头方向))移动来执行光照射。例如,可以从左侧到右侧用具有倾斜角的光照射像素区的上半部分,可以从右侧到左侧用具有倾斜角的光照射像素区的下半部分,因此,如图16中的(b)所示,可以形成具有相反的倾斜方向的LC分子的两个区域。可选地,可以从右侧向左侧用具有倾斜角的光照射像素区的上半部分,可以从左侧到右侧用具有倾斜角的光照射像素区的下半部分,因此,如图17中的(b)所示,可以形成具有相反的倾斜方向的LC分子的两个区域。
按照这种方式,可以通过相对于取向层的表面倾斜地照射光来得到与沿着均匀方向擦取向层的表面的效果相同的效果。即,根据光照射的方向来确定取向层的表面的取向方向,从而可以通过将一个像素分为多个区域并且对多个区域执行曝光来形成具有不同的预倾斜方向的LC分子的多个畴。
参照图16和图17,当组装具有沿着彼此相反的方向被照射的左半部分和右半部分的薄膜晶体管阵列面板100和具有沿着彼此相反的方向被照射的上半部分和下半部分的共电极面板200时,如图16中的(c)和图17中的(c)所示,可以形成分别在左下方向、左上方向、右下方向和右上方向上取向的四个畴。
在本发明的示例性实施例中,采用光取向方法来在每个子像素中形成具有不同取向方向的四个畴。
另一方面,与本发明的示例性实施例类似,除了光取向的取向方向之外,当一个像素包括两个子像素时,可以通过在第一子像素电极191a的边缘、第二子像素电极191b的边缘和位于第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的间隙91附近的共电极270之间产生的边缘场来确定LC分子的取向方向。因此,因为由光取向确定的LC分子的取向方向与由两个子像素电极之间的间隙91附近产生的边缘场确定的LC分子的取向方向不同,所以在两个子像素电极之间的间隙91附近会产生由于LC分子的不规则布置导致的纹路。
检测到在LC分子向间隙91倾斜的区域中产生纹路,即,在图3中的放置箭头的头部的区域产生纹路。参照图3,在本示例性实施例中产生纹路的位置在第一子像素电极191a的左上部和右下部以及第二子像素电极191b的右上部和左下部。
因此,如图2中所示,在本发明的示例性实施例中,作为屏蔽构件的存储电极133覆盖第一子像素电极191a的左上部和右下部、第二子像素电极191b的右上部和左下部以及间隙91的周围,来覆盖纹路。因此,可以改进透射率,并且可以防止纹路从外部显示为斑点,从而提高显示特性。
在该示例性实施例中,用作屏蔽构件的存储电极设置在与栅极线的层相同的层上,但是不限于此,存储电极可以设置在与数据线的层相同的层上。另外,当存储电极仅用作屏蔽构件时,存储电极可以不设置在与栅极线或数据线的层相同的层上,而是可以设置在与共电极面板200的阻光构件220的层相同的层上。另外,当存储电极设置在与阻光构件的层相同的层上时,阻光构件220可以设置在薄膜晶体管阵列面板100上。
[示例性实施例2]
接着,将参照图6、图7、图8和图9来详细描述本发明的另一示例性实施例。省略了与前面的示例性实施例重复的描述,相同的组成元件用相同的标号表示。
图6是根据本发明另一示例性实施例的LCD的布局图,图7、图8和图9是示出图6中的LCD中的像素电极和栅极导体的布局图。
如前面描述的示例性实施例,该示例性实施例包括薄膜晶体管阵列面板100和共电极面板200以及形成在这两个面板之间的LC层3。
除了本示例性实施例包括与前面描述的示例性实施例的像素电极和存储电极的形状不同的像素电极191和存储电极133之外,薄膜晶体管阵列面板100和共电极面板200的沉积结构与前面描述的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板和共电极面板的沉积结构相同。
参照图6和图7,根据本示例性实施例的像素电极191包括一对第一子像素电极191a和第二子像素电极191b,第一子像素电极191a和第二子像素电极191b被位于它们之间的间隙91分开。
第一子像素电极191a的上边缘和下边缘具有阶梯形状。详细地讲,第一子像素电极191a的左上部向上延伸,右下部向下延伸。第二子像素电极191b包围第一子像素电极191a。
参照图6和图8,存储电极133具有包括上部、下部、左部和右部的四边形回路形状。与前面描述的示例性实施例不同,存储电极133的上部、下部、左部和右部分别具有均匀的宽度,而不包括向上或向下延伸的部分。存储电极133的上部和下部比左部和右部宽,并且省略了下部中的一部分。
参照图6和图9,存储电极133用作屏蔽构件,来阻挡第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的间隙91处的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的光泄漏。
另外,存储电极133的上部和下部覆盖具有阶梯形状的第一子像素电极191a的上边缘和下边缘,使得存储电极133的上部和下部用作屏蔽构件来覆盖在该区域中产生的纹路。
如前面描述的示例性实施例,当LC层的设置在第一子像素电极191a和共电极270之间的部分被称作第一LC层,LC层的设置在第二子像素电极191b和共电极270之间的部分被称作第二LC层时,第一LC层和第二LC层的LC分子310沿着四个不同的方向取向,如箭头所示。即,每个子像素可以包括具有不同取向方向(例如,左上方向、左下方向、右上方向和右下方向)的LC分子的四个畴。这种畴可以通过如上所述的光取向方法来形成。
如上所述,在LC分子的方向向间隙91倾斜的区域中产生纹路,即,第一子像素电极191a的左上部和右下部以及第二子像素电极191b的右上部和左下部,如图9中的箭头的头部所定位的。
在本示例性实施例中,产生纹路的第一子像素电极191a的左上部和右下部延伸,延伸的部分被具有四边形回路形状的存储电极覆盖,来有效地覆盖纹路。
在这种结构中,可以容易地控制滤色器230的开口234a、234b、235a和235b的面积比,从而可以防止视角特性不对称,可以提高透过率,并且可以通过适当地覆盖纹路来提高显示特性。另外,与前面描述的示例性实施例相比,可以提高开口率。
[示例性实施例3]
接着,将参照图10、图11和图12来详细描述本发明的又一示例性实施例。省略了与前面的示例性实施例重复的描述,相同的组成元件用相同的标号表示。
图10是根据本发明又一示例性实施例的LCD的布局图,图11是示出图10中的LCD中的像素电极和屏蔽构件的示意图,图12是沿着图10中的线XII-XII截取的剖视图。
如前面描述的示例性实施例,本示例性实施例包括薄膜晶体管阵列面板100和共电极面板200以及位于这两个面板之间的LC层3。
除了本示例性实施例中滤色器230设置在共电极面板200上之外,薄膜晶体管阵列面板100和共电极面板200的沉积结构与前面示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板和共电极面板的沉积结构几乎相同。另外,在本示例性实施例中省略了前面示例性实施例的存储电极线131,代替的是,与第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的间隙91叠置的屏蔽构件221包含在共电极面板200中。
首先,在薄膜晶体管阵列面板100中,包括第一栅电极124a、第二栅电极124b和宽端部129的栅极线121设置在绝缘基底110上,栅极绝缘层140设置在栅极线121上。
包括第一突出部分154a和第二突出部分154b的半导体带151b设置在栅极绝缘层140上,欧姆接触带161b、第一欧姆接触岛165a和第二欧姆接触岛(未示出)设置在半导体带151b上。
多条第一数据线171a、多条第二数据线171b以及多对第一漏电极175a和第二漏电极175b设置在欧姆接触带和栅极绝缘层140上,钝化层180设置在多条第一数据线171a、多条第二数据线171b以及多对第一漏电极175a和第二漏电极175b上。钝化层180具有分别暴露第一漏电极175a、第二漏电极175b和第一数据线171a的端部179a、第二数据线171b的端部179b的多个接触孔185a、185b、182a和182b,钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅极线121的端部129的接触孔181。
像素电极191和多个接触辅助件81、82a和82b设置在钝化层180上。
像素电极191包括用其间的间隙91来彼此分开的一对第一子像素电极191a和第二子像素电极191b。第一子像素电极191a的上边缘和下边缘可以具有阶梯形状。具体地讲,第一子像素电极191a的左上部向上延伸,右下部向下延伸。第二子像素电极191b包围第一子像素电极191a。
下面,将描述共电极面板200。
多个阻光构件220和多个屏蔽构件221设置在绝缘基底210上。阻光构件220包括与数据线171对应的直部分和与薄膜晶体管对应的扩展部分。每个屏蔽构件221具有包括上部、下部、右部和左部的四边形回路形状,并且有效地覆盖第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的间隙以及第一子像素电极191a的阶梯形部分。
屏蔽构件221的左部和右部分别包括宽部223和窄部224。这里,参照图11,宽部223的宽度W1比窄部224的宽度W2宽大约4μm至7μm。按照这种方式,宽部223可以有效地覆盖在第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的间隙91附近沿着垂直方向产生的纹路。
滤色器230R和230G设置在阻光构件220和屏蔽构件221上,保护件250和共电极270设置在滤色器230R和230G上。
取向层11和21分别设置在薄膜晶体管阵列面板100和共电极面板200的相对表面上,取向层11和21具有通过光取向方法沿着各种方向倾斜的部分。
LC分子310沿着各种方向取向的LC层3设置在薄膜晶体管阵列面板100和共电极面板200之间。
[示例性实施例4]
下面,将参照图13来详细地描述本发明的又一示例性实施例。
图13是根据本发明又一示例性实施例的LCD的布局图。
除了第一子像素电极191a的上边缘的阶梯形部分与第二子像素电极191b的垂直中心线对齐之外,本示例性实施例与示例性实施例2几乎相同。按照这种方式,因为第一子像素电极191a的上边缘的阶梯形部分与第二子像素电极191b的垂直中心线对齐,所以可以有效地覆盖由于不对称产生的纹路。
本领域技术人员应该清楚的是,在不脱离本发明的精神或范围的情况下,可以对本发明进行各种修改和变化。因此,如果对本发明的修改和变化落入权利要求及其等同物的范围内,则本发明意图覆盖这些修改和变化。
Claims (20)
1、一种液晶显示器,包括:
第一基底和第二基底,彼此面对;
像素电极,设置在第一基底上,并且包括第一子像素电极和通过间隙与第一子像素电极分隔开的第二子像素电极;
共电极,设置在第二基底上;
屏蔽构件,设置在第一基底或第二基底上并且与第一子像素电极和第二子像素电极之间的间隙叠置;
取向层,设置在像素电极和共电极中的至少一个上;
液晶层,设置在第一基底和第二基底之间。
2、根据权利要求1所述的液晶显示器,其中,
液晶层包括:
第一液晶层,设置在第一子像素电极和共电极之间;
第二液晶层,设置在第二子像素电极和共电极之间,
其中,第一液晶层和第二液晶层包括具有彼此不同的取向方向的多个畴。
3、根据权利要求2所述的液晶显示器,其中,
屏蔽构件包括:
第一部分,与所述间隙叠置;
第二部分,从第一部分延伸为与第一子像素电极或第二子像素电极叠置。
4、根据权利要求3所述的液晶显示器,其中,
第一子像素电极是四边形,
第二子像素电极包围第一子像素电极。
5、根据权利要求2所述的液晶显示器,其中,
第一子像素电极包括阶梯形部分,
第二子像素电极包围第一子像素电极。
6、根据权利要求5所述的液晶显示器,其中,屏蔽构件的四边形回路形部分覆盖第一子像素电极的阶梯形部分。
7、根据权利要求6所述的液晶显示器,其中,
屏蔽构件具有开口的四边形回路形状。
8、根据权利要求6所述的液晶显示器,其中,
四边形回路包括上部、下部、左部和右部,
上部和下部比左部和右部宽。
9、根据权利要求6所述的液晶显示器,其中,
四边形回路包括上部、下部、左部和右部,
四边形回路的左部和右部中的至少一个包括第一部分和比第一部分宽的第二部分。
10、根据权利要求9所述的液晶显示器,其中,第二部分比第一部分宽4μm至7μm。
11、根据权利要求2所述的液晶显示器,还包括:
第一薄膜晶体管,连接到第一子像素电极;
第二薄膜晶体管,连接到第二子像素电极;
栅极线,连接到第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
数据线,与栅极线交叉,
其中,屏蔽构件设置在与栅极线或数据线的层相同的层上。
12、根据权利要求2所述的液晶显示器,还包括:
阻光构件,设置在第一基底和第二基底中的至少一个上,
其中,屏蔽构件设置在与阻光构件的层相同的层上。
13、根据权利要求2所述的液晶显示器,其中,
通过在不同的方向上对取向层照射光来形成多个畴。
14、根据权利要求13所述的液晶显示器,其中,
取向层包括设置在第一基底上的第一取向层和设置在第二基底上的第二取向层;
第一取向层包括沿着第一方向被照射的第一部分和沿着与第一方向相对的第二方向被照射的第二部分;
第二取向层包括沿着与第一方向交叉的第三方向被照射的第三部分和沿着与第三方向相反的第四方向被照射的第四部分。
15、一种液晶显示器,包括:
像素电极,包括第一子像素电极和第二子像素电极;
共电极,面向像素电极;
第一液晶层,设置在第一子像素电极和共电极之间,第一液晶层包括液晶分子分别沿着左上方向、左下方向、右上方向和右下方向取向的多个畴;
第二液晶层,设置在第二子像素电极和共电极之间,第二液晶层包括液晶分子分别沿着左上方向、左下方向、右上方向和右下方向取向的多个畴;
屏蔽构件,设置在像素电极下面或者共电极下面,并且与第一子像素电极和第二子像素电极之间的间隙叠置。
16、根据权利要求15所述的液晶显示器,其中,
屏蔽构件包括:
第一部分,与所述间隙叠置;
第二部分,从第一部分向上或向下延伸为与第一子像素电极或第二子像素电极叠置。
17、根据权利要求16所述的液晶显示器,其中,
第一子像素电极是四边形;
第二子像素电极包围第一子像素电极。
18、根据权利要求15所述的液晶显示器,其中,
第一子像素电极包括阶梯形部分;
第二子像素电极包围第一子像素电极。
19、根据权利要求18所述的液晶显示器,其中,
屏蔽构件具有覆盖第一子像素电极的阶梯形部分的四边形回路形状。
20、根据权利要求15所述的液晶显示器,还包括:
取向层,设置在像素电极和共电极中的至少一个上,
其中,通过沿着不同方向对取向层照射光来形成第一液晶层和第二液晶层的多个畴。
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