CN101652028B - 埋入式结构及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种埋入式电路板结构及其形成方法。上述埋入式电路板结构包括基材、位于基材上的第一图案化导体层并选择性暴露此基材、覆盖第一图案化导体层与基材的第一介电层、位于第一介电层中的焊盘开口，以及位于焊盘开口中并暴露出第一图案化导体层的通孔，其中第一介电层的外表面实质上是光滑表面。

Description

埋入式结构及其形成方法
技术领域
本发明涉及埋入式结构及其形成方法。特别是涉及一种埋入式电路板结构，其内壁上有较平坦的表面。
背景技术
电路板是电子装置中一种重要的元件。电路板的功能是用来界定在固体表面上的预定图案。在电子装置不断追求尺寸缩小的趋势下，电路板上导线的线宽与导线之间的距离于是变得越来越小。
就目前的技术而言，有两种符合需求的方法以形成此等电路板。第一种称为转印法，将图案化线路转印至介电层上。另外一种方法则是使用激光方式将基材图案化，来定义镶嵌形式的结构，再使用导电材料来填满在基材上所形成的凹穴，以完成埋入式结构。
一般说来，基材的表面要先经过活化，才能使得导电材料成功地填满在基材上的凹穴中，通常是使用无电极电镀技术。更有甚者，还有一种基材的材料是不需要先经过无电极电镀技术的活化步骤，就可以让导电材料填入基材上的凹穴中。
图1-4例示一种形成埋入式结构的已知方法。如图1所示，首先，提供基材101。第一图案化铜层110位于基材101上，并暴露出部分的基材101。第一介电层120则覆盖第一图案化铜层110以及基材101。
再来，如图2所示，将第一介电层120图案化以形成焊盘开口122、通孔121以及邻接焊盘开口122的沟槽123，其中盲孔121暴露出部分的第一图案化铜层110。由于第一图案化铜层110所暴露出的表面可能还留有胶渣，而且会妨碍后续形成的电性连接品质，因此会进行清孔步骤，如图3所示，以移除第一图案化铜层110所暴露出表面可能还留有的胶渣，以有利于后续形成的电性连接。可以使用等离子体或是氧化剂，例如过锰酸盐来执行此等清孔除胶渣的步骤。除了移除所有留在第一图案化铜层110所暴露出表面上的残渣外，清孔步骤也会侵蚀第一介电层120的表面，包括通孔121、焊盘开口122以及沟槽123的侧壁，在第一介电层120上形成了粗糙的表面。如果此等粗糙的表面再进一步进行铜沉积步骤时，如图4所示，在过分粗化的表面下具有活化基粒的待镀表面反而容易在铜层130上形成不要的瘤状物131，而使孔壁铜层130千疮百孔，并因此减损了铜层130的品质，同时元件的信赖度表现不增反减。更有甚者，沟槽123的粗糙表面使得电路崎岖，并造成信号损失。铜层130的不良品质危及埋入式结构100、电路板与其所制得的电子装置的可靠度。
因此，需要一种具有更佳表面平整度的埋入式结构以及一种新颖制造方法，以提供一种具有良好可靠度的电路板。
发明内容
本发明于是提出一种在侧壁上具有较为光滑平整表面的新颖埋入式结构以及制作此等埋入式结构的方法。由于本发明埋入式结构的侧壁上具有更为光滑平整的表面，当一层的铜沉积在本发明埋入式结构的侧壁上时，可以将铜层上瘤状物的形成机率减到最小，进而增进本发明埋入式结构的可靠度。此外，在本发明的实施例中，本发明的埋入式结构具有实质上平整又光滑的外表面。
本发明首先提出一种埋入式结构。本发明的埋入式结构包括基材、位于基材上的第一图案化导体层并选择性暴露此基材、第一介电层覆盖第一图案化导体层与基材、位于第一介电层中的焊盘开口，与位于焊盘开口中并暴露第一图案化导体层的通孔，其中焊盘开口与通孔一起定义出埋入式结构，通孔的侧壁还进一步具有粗糙度C、焊盘开口的侧壁具有粗糙度B，而第一介电层的外表面具有实质上平坦的粗糙度A。其中，粗糙度A、粗糙度B及粗糙度C三者彼此不同。
本发明又提出一种形成埋入式电路结构的方法。在本发明形成埋入式电路结构的方法中，首先提供具有图案化导体层位于其上的基材。其次，形成第一介电层以覆盖第一图案化导体层与基材。之后，形成第一有机膜层以覆盖第一介电层。继续，形成穿过第一介电层与第一有机膜层并暴露第一图案化导体层的通孔。再来，进行第一清洁步骤以粗化通孔的侧壁，或是清除残留于第一图案化导体层上的胶渣。然后，图案化第一介电层与第一有机膜层，以在第一介电层中形成与通孔重叠的焊盘开口。焊盘开口与通孔一起定义出埋入式电路结构。第一介电层的外表面具有粗糙度A，焊盘开口的侧壁具有粗糙度B，通孔的侧壁具有粗糙度C。其中，粗糙度A、粗糙度B及粗糙度C三者彼此不同。
本发明又提出另一种形成埋入式电路结构的方法。在本发明另一种形成埋入式电路结构的方法中，首先提供具有图案化导体层位于其上的基材。其次，形成第一介电层以覆盖第一图案化导体层与基材。之后，形成第一有机膜层以覆盖第一介电层。继续，形成穿过第一介电层与第一有机膜层并暴露第一图案化导体层的通孔。再来，进行第一清洁步骤以粗化通孔的侧壁及/或清除残留于第一图案化导体层上的胶渣。然后，移除第一有机膜层。接着，进行第二清洁步骤以清理第一图案化导体层。随后，形成第二有机膜层以覆盖第一介电层。接下来，图案化第一介电层与第二有机膜层，以在第一介电层中形成与通孔重叠的焊盘开口。焊盘开口与通孔一起定义出埋入式电路结构。第一介电层的外表面具有粗糙度A，焊盘开口的侧壁具有粗糙度B，通孔的侧壁具有粗糙度C。其中，粗糙度A、粗糙度B及粗糙度C三者彼此不同。
由于本发明新颖的埋入式结构在清洁步骤之后，经过图案化步骤以定义出焊盘开口或是选择性地定义出沟槽，本发明埋入式结构的内壁则具有较为光滑平整的表面，同时还避免了清洁步骤对内壁表面的破坏。此等清洁步骤一方面可以促进第一图案化导体层的电性连接，另一方面又使得通孔中的内连线，亦即内部电性连接，对于通孔的内壁具有优选的亲和性，其亦可以第二清洁步骤继之而更加强化。倘若此等清洁步骤过之或不及，皆属不希望的情形。
再者，本发明还会减少铜瘤状物的形成，并在当后续的铜层沉积在本发明埋入式结构的内壁上时，更能增进本发明埋入式结构的可靠度。此外，本发明埋入式结构还由于第一有机膜层/第二有机膜层的保护，会进一步具有实质上光滑的外表面。
附图说明
图1-4例示一种形成埋入式结构的已知方法。
图5例示本发明埋入式结构的实施例。
图6-15例示本发明用以形成埋入式电路结构的方法实施例。
图16例示本发明沟槽可能的多种构造相异的形状。
附图标记说明
100：埋入式结构            101：基材
110：第一图案化铜层        120：第一介电层
121：通孔                  122：焊盘开口
123：沟槽                  130：铜层
131：瘤状物
200：埋入式结构            201：基材
210：第一图案化导体层      211：胶渣
214：内连线                220：第一介电层
221：通孔                  222：焊盘开口
223：沟槽                  224：外表面
230：第二导体层            240：第三图案化导体层
250、250’：有机膜层
具体实施方式
本发明提供一种新颖的埋入式结构以及制作一种埋入式电路结构的方法。由于本发明的埋入式结构在清洁步骤之后才经过图案化步骤，所以本发明埋入式结构的内壁具有较为平坦的表面，还会减少铜瘤状物的形成。并由于此等较为平坦的表面，在后续铜层的沉积品质，更增进了本发明埋入式结构的可靠度。还有，本发明埋入式结构还因为制造过程中的第一有机膜层/第二有机膜层的保护，会进一步具有实质上光滑的外表面。
本发明首先提供一种埋入式结构。图5例示本发明埋入式结构的实施例。如图5所示，本发明的埋入式结构200包括基材201、第一图案化导体层210、第一介电层220、通孔221与焊盘开口222。基材201通常为用于电路板的非导电性材料。
第一导体层210形成于基材201上，以覆盖基材201，并选择性地暴露出基材201。第一导体层210可以包括例如铜或是铝的金属。此外，第一导体层210还被图案化，以定义预定的电路而成为第一图案化导体层210。
位于第一图案化导体层210上的为覆盖基材201与第一图案化导体层210的第一介电层220。第一介电层220的外表面224为实质上光滑的。例如，第一介电层220的外表面224具有粗糙度A。粗糙度A可以使用参数Ra值来表示。定义此参数Ra的细节部份，请参考JIS B 0601-1982的规定。若使用参数Ra值来表示粗糙度A时，粗糙度A小于0.5μm。
在本发明的具体实施例中，第一介电层220可以进一步包括多个触媒颗粒，其中触媒颗粒可以是包括金属错合物颗粒、金属螯合物颗粒、金属氧化物颗粒或是金属氮化物颗粒，例如锰、铬、钯、铂、铝、锌、铜、银、金、镍、钴、铑、铱、铁、钨、钒、钽、钛其中之一或前述材料的任意组合的错合物、螯合物、氧化物或氮化物。举例而言，这些触媒颗粒例如是氧化铜、氮化铝、钴钼双金属氮化物(Co2Mo3Nx)颗粒或钯金属颗粒。一但活化以后，例如使用激光，第一介电层220的活化表面可以辅助另一导电层的沉积。
形成焊盘开口222在第一介电层220之上。此外，通孔221还形成在焊盘开口222之中，从俯视角度来观察，焊盘开口222形成包围通孔221。通孔221暴露出位于下方的第一图案化导体层210，使得通孔221与焊盘开口222一起定义出本发明埋入式结构200的电路图样。另外，第一介电层220还包括非包围通孔221并选择性与通孔221相通的沟槽223，如图5所示。沟槽223可能赋有多种构造相异的形状，如图16所示。
类似地，沟槽223的内壁具有粗糙度B，焊盘开口222的侧壁具有粗糙度B，而通孔的内壁具有粗糙度C。若使用参数Ra值来表示，粗糙度B则介于0.2μm与1.5μm之间。同样地，若使用参数Ra值来表示，粗糙度C则介于0.5μm与5.0μm之间。同时，粗糙度A、粗糙度B及粗糙度C三者彼此不同。粗糙度A、粗糙度B及粗糙度C三者之间彼此的关系为C＞B＞A。
在本发明的另一具体实施例中，第二导体层230则会填满通孔221、焊盘开口222与选择性形成的沟槽223，以形成本发明的埋入式电路结构。第二导体层230通常包括金属，例如铜或是铝，其可以由无电电镀工艺(electroless plating)来形成。若是第一介电层220包括金属错合物颗粒、金属螯合物颗粒、金属氧化物颗粒或是金属氮化物颗粒时，当形成于第一介电层220内壁的活化表面，即会作为用于第二导体层230的晶种层。
基材201包括用于电性连接第一图案化导体层210与第三图案化导体层240的内连线214以及第三图案化导体层240，如图5所示。第三图案化导体层240通常包括金属，例如铜或是铝。
为了要达成第一介电层220的外表面224为实质上光滑的表面，在本发明又一具体实施例中，埋入式电路结构可以包括覆盖第一介电层220并选择性暴露通孔221、焊盘开口222与选择性形成的沟槽223的有机膜层250，以保护第一介电层220的外表面224。有机膜层250可以是亲水性高分子，使得必要时可以用水洗去。例如，此等亲水性高分子的特性官能基可以包括羟基(-OH)、酰胺基(-CONH2)、磺酸基(-SO3H)、羧基(-COOH)其中之一的官能基团，或者前述各官能基团的任意组合。或者，有机膜层250亦可以是疏水性高分子。例如，此等疏水性高分子的特性官能基可以包括甲基丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、烯丙树脂、聚丙烯酸树脂、聚醚树脂、聚烯烃树脂、聚酰胺树脂或聚硅氧烷树脂其中之一的官能基团，或者前述各官能基团的任意组合。
本发明又提供形成埋入式电路结构的方法，并更进一步用来形成埋入式电路结构。请参考图6-15，其例示本发明用以形成埋入式电路结构的方法实施例。如图6所示，首先提供基材201，其中基材201具有第一图案化导体层210位于其上，且第一图案化导体层210选择性的暴露基材201。然后形成第一介电层220以覆盖第一图案化导体层210与基材201。基材201通常为用于电路板的非导电性材料。基材201包括用于电性连接第一图案化导体层210与第三图案化导体层240的内连线214与第三图案化导体层240，如图6所示。第一图案化导体层210或是第三图案化导体层240通常包括金属，例如铜或是铝。
在本发明的具体实施态样中，第一介电层220可以进一步包括多个触媒颗粒，其中触媒颗粒可以是包括金属错合物颗粒、金属螯合物颗粒、金属氧化物颗粒或是金属氮化物颗粒，例如锰、铬、钯、铂、铝、锌、铜、银、金、镍、钴、铑、铱、铁、钨、钒、钽、钛其中之一或是前述材料的任意组合的错合物、螯合物、氧化物或氮化物。一但使用例如激光活化以后，第一介电层220的活化表面，可以辅助另一导电层的沉积。
其次，如图7所示，形成第一有机膜层250，以覆盖第一介电层220。因此，第一有机膜层250即会保护第一介电层220的外表面224，免于任何不希望的损伤。第一有机膜层250可以包括亲水性高分子，使得在必要时可以用水洗去。例如，此等亲水性高分子的特性官能基可以包括羟基(-OH)、酰胺基(-CONH2)、磺酸基(-SO3H)、羧基(-COOH)其中之一的官能基团，或者前述各官能基团的任意组合。
或者，第一有机膜层250可以包括疏水性高分子。例如，此等疏水性高分子的特性官能基可以包括甲基丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、烯丙树脂、聚丙烯酸树脂、聚醚树脂、聚烯烃树脂、聚酰胺树脂、聚硅氧烷树脂其中之一官能基团，或者前述各官能基团的任意组合。
第一介电层220的外表面224具有原始的粗糙度A，例如，实质上为光滑。可以使用参数Ra值来表示粗糙度A。若以参数Ra值来表示时，粗糙度A小于0.5μm。
然后，如图8所示，在第一介电层220与第一有机膜层250之中形成至少一个通孔221。通孔221穿透第一介电层220与第一有机膜层250以暴露出位于下方的第一图案化导体层210。可以使用激光来移除部份的第一介电层220与部份的第一有机膜层250来形成至少一个通孔221。
再来，进行第一清洁步骤来清除暴露出的第一图案化导体层210表面的残余胶渣。如前所述，由于一些胶渣211会散布在暴露出的第一图案化导体层210的表面，并因此妨碍后续的电性连接品质，所以一个清洁步骤是需要的，如图9所示。第一清洁步骤可以包括使用能量性粒子，例如等离子体，或是使用氧化剂，例如过锰酸盐。如前所述，除了会清除散布在第一图案化导体层210暴露出表面的所有胶渣211之外，清洁步骤还会侵蚀第一介电层220与第一有机膜层250的内壁，留下了第一介电层220与第一有机膜层250都有受侵蚀的内表面，亦即，粗化的表面，如图9所示。然而，由于第一有机膜层250的保护与屏蔽，第一介电层220的外表面224即免受清洁步骤所造成的伤害，并维持其原始的粗糙度A，例如，实质上为光滑。
以下的步骤，为需视第一图案化导体层210所暴露出表面的品质情况而选择性地进行另一清洁步骤。换言之，当第一图案化导体层210所暴露出表面的情况不需要进一步的清洁，同时第一有机膜层250还保留在第一介电层220表面上，即可以略过以下的另一清洁步骤。
如果第一有机膜层250包括亲水性高分子，第一有机膜层250就可以用水洗去，如图10所示。继续进行第二清洁步骤，例如微蚀(micro-etching)，以再次清理暴露出的第一图案化导体层210表面，如图11所示。第二清洁步骤可以包括使用某些氧化剂，例如过硫酸钠加上硫酸，或是过氧化氢加上硫酸，或是仅使用稀硫酸本身。
在第二清洁步骤完成后，再次形成第二有机膜层250’以覆盖第一介电层220与通孔221，如图12所示。若在未进行前述的第二清洁步骤，以及未去除第一有机膜层250时，则第一有机膜层250即成为第一有机膜层250’。在以下的叙述中，皆统称为有机膜层250’。
有机膜层250’可以保护第一介电层220的外表面224即免受任何不希望的伤害。有机膜层250’可以包括亲水性高分子，使得必要时可以用水洗去。例如，此等亲水性高分子的特性官能基可以包括羟基(-OH)、酰胺基(-CONH2)、磺酸基(-SO3H)、羧基(-COOH)其中之一官能基团，或者前述各官能基团的任意组合。
或者，有机膜层250’可以包括疏水性高分子。例如，此等疏水性高分子的特性官能基可以包括甲基丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、烯丙树脂、聚丙烯酸树脂、聚醚树脂、聚烯烃树脂、聚酰胺树脂、聚硅氧烷树脂其中之一官能基团，或者前述各官能基团的任意组合。
无论是否要进行第二清洁步骤，如图13所示，之后将第一导体层210与有机膜层250’图案化以形成焊盘开口222，并同时强化通孔221，以及选择性形成沟槽223。焊盘开口222环绕通孔221，或是换句话说，焊盘开口222与通孔221重叠。焊盘开口222与通孔221一起定义出本发明的埋入式电路结构。
与焊盘开口222相比，沟槽223并不环绕通孔221，但可选择性地与通孔221相连接。同理，焊盘开口222与选择性形成的沟槽223，可以使用激光来移除部份的第一介电层220与部份的第一有机膜层250’来达成。当形成了焊盘开口222与沟槽223时，则沟槽223的内壁具有粗糙度B，焊盘开口222的侧壁具有粗糙度B。若使用参数Ra值来表示，粗糙度B则介于0.2μm与1.5μm之间。
在形成焊盘开口222与选择性形成的沟槽223时，会同时强化通孔221，而通孔221的内壁具有不同的粗糙度，即为粗糙度C。若使用参数Ra值来表示，粗糙度C则介于0.5μm与5.0μm之间。其中，粗糙度A、粗糙度B、粗糙度C三者彼此不同。甚至，粗糙度A、粗糙度B、粗糙度C三者之间彼此存在关联性。例如，为粗糙度C＞粗糙度B＞粗糙度A。
如果第一介电层220包括多个触媒颗粒，其中触媒颗粒可以是包括金属错合物、金属螯合物、金属氧化物或金属氮化物，形成焊盘开口222与选择性形成的沟槽223时会同时活化此等金属错合物、金属螯合物、金属氧化物或是金属氮化物。例如使用激光活化以后，形成的第一介电层220的活化表面即可辅助另一导电层的沉积。
为了要形成本发明的埋入式电路结构，如图14所示，进行第一沉积步骤，使于通孔221、焊盘开口222与沟槽223之中形成第二导体层230。其中，第一沉积步骤可以为无电电镀工艺。如果第一介电层220包括多个触媒颗粒，其中触媒颗粒可以是包括金属错合物颗粒、金属螯合物颗粒、金属氧化物颗粒或金属氮化物颗粒，并于形成焊盘开口222与沟槽223的过程中活化，第一介电层220的活化表面可视为作为无电电镀工艺时的晶种层。第二导体层230可以包括例如铜或是铝的金属。此外，还可依实际需求，选择性地再进行第二沉积步骤，例如电镀工艺，使得第二导体层230填入通孔221、焊盘开口222与沟槽223之中。由于在清洁步骤后才形成焊盘开口222与沟槽223的内壁，或是同时强化了通孔221，在是在较为平坦的表面上减少形成铜瘤状物的发生，则可得到优选电性连接品质的导体层。
另外，可以选择性地保留或者移除有机膜层250’，当选择移除有机膜层250’后的第一介电层220表面为实质上光滑，如图15所示。例如，当有机膜层250’是亲水性高分子时，有机膜层250’就可以利用水洗的方式移除。
综前所述，由于本发明的埋入式电路结构在第一清洁步骤之后，才经过图案化步骤，本发明的通孔、焊盘开口与沟槽的内壁于是具有较为光滑平整的表面，且该光滑平整的表面也会减少形成铜瘤状物的发生，使得后续的铜层沉积在本发明埋入式结构的侧壁上时，可得到优选电性连接品质的导体层。
以上所述仅为本发明的实施例，然其并非用以限定本发明，凡依本发明权利要求所做的等同变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (43)

1.一种埋入式结构，其特征在于，包括：
基材；
第一图案化导体层，位于该基材之上并选择性暴露该基材；
第一介电层，覆盖该第一图案化导体层与该基材，其中该第一介电层具有粗糙度A的实质上光滑的外表面；
焊盘开口，位于该第一介电层之中，其中该焊盘开口的侧壁具有粗糙度B；以及
通孔，位于该焊盘开口中并暴露该第一图案化导体层，其中该焊盘开口与该通孔一起定义出该埋入式结构，该通孔的侧壁具有粗糙度C，且粗糙度A、粗糙度B和粗糙度C三者彼此不同，粗糙度C＞粗糙度B＞粗糙度A。
2.如权利要求1所述的埋入式结构，其特征在于，其中该基材包括第三图案化导体层与内连线，其中该内连线用以电性连接该第一图案化导体层与该第三图案化导体层。
3.如权利要求1所述的埋入式结构，其特征在于，还包括：
沟槽，位于该第一介电层之中，该沟槽的内壁具有粗糙度B。
4.如权利要求1所述的埋入式结构，其特征在于，还包括：
第二导体层，填满该通孔、该焊盘开口以形成埋入式电路结构。
5.如权利要求1所述的埋入式结构，其特征在于，其中该第一介电层包括多个触媒颗粒，其中该触媒颗粒为选自于由金属错合物颗粒、金属螯合物颗粒、金属氧化物颗粒以及金属氮化物颗粒所组成的群组。
6.如权利要求1所述的埋入式结构，其特征在于，其中该粗糙度A的参数Ra值小于0.5μm。
7.如权利要求1所述的埋入式结构，其特征在于，其中该粗糙度B的参数Ra值为介于0.2μm与1.5μm之间。
8.如权利要求1所述的埋入式结构，其特征在于，其中该粗糙度C的参数Ra值为介于0.5μm与5.0μm之间。
9.如权利要求1所述的埋入式结构，其特征在于，还包括：
有机膜层，覆盖该第一介电层并选择性暴露该通孔与该焊盘开口。
10.一种形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，包括：
提供基材，其中该基材具有第一图案化导体层位于其上；
形成第一介电层，以覆盖该第一图案化导体层与该基材；
形成第一有机膜层，以覆盖该第一介电层；
形成通孔，穿透该第一介电层与该第一有机膜层，并暴露出该第一图案化导体层；
进行第一清洁步骤，以粗化该通孔的侧壁与清除该第一图案化导体层的残余胶渣；以及
图案化该第一介电层与该第一有机膜层，以在该第一介电层中形成与该通孔重叠的焊盘开口，使得该第一介电层的外表面具有粗糙度A、该焊盘开口的侧壁具有粗糙度B及该通孔的侧壁具有粗糙度C，其中该焊盘开口与该通孔一起定义出该埋入式电路结构，而粗糙度A、粗糙度B、粗糙度C三者彼此不同，粗糙度C＞粗糙度B＞粗糙度A。
11.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该基材包括第三图案化导体层与内连线，其中该内连线用以电性连接该第一图案化导体层与该第三图案化导体层。
12.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，还包括：
形成位于该第一介电层中的沟槽，其中该沟槽的内壁具有粗糙度B。
13.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，还包括：
进行第一沉积步骤以形成第二导体层，填入该通孔与该焊盘开口。
14.如权利要求13所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第一沉积步骤为无电电镀工艺。
15.如权利要求13所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，还包括：
进行第二沉积步骤，使得该第二导体层填满该通孔与该焊盘开口。
16.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第一介电层包括多个触媒颗粒，其中该触媒颗粒为选自由金属错合物颗粒、金属螯合物颗粒、金属氧化物颗粒以及金属氮化物颗粒所组成的群组。
17.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第一有机膜层包括亲水性高分子。
18.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第一有机膜层包括疏水性高分子。
19.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第一清洁步骤为选自由等离子体与氧化剂所组成的群组。
20.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中图案化该第一介电层的方法为使用激光。
21.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该粗糙度C的参数Ra值为介于0.5μm与5.0μm之间。
22.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该粗糙度B的参数Ra值为介于0.2μm与0.5μm之间。
23.如权利要求10所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，还包括：
移除该第一有机膜层，而留下该第一介电层的实质上光滑的表面。
24.如权利要求23所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该粗糙度A的参数Ra值小于0.5μm。
25.一种形成埋入式电路结构的方法，包括：
提供基材，其中该基材具有第一图案化导体层位于其上；
形成第一介电层，以覆盖该第一图案化导体层与该基材；
形成第一有机膜层，以覆盖该第一介电层；
形成通孔，穿过该第一介电层与该第一有机膜层，并暴露出该第一图案化导体层；
进行第一清洁步骤，以粗化该通孔的侧壁与清除该第一图案化导体层的残余胶渣；
移除该第一有机膜层；
进行第二清洁步骤，以清理该第一图案化导体层；
形成第二有机膜层，以覆盖该第一介电层；
图案化该第一介电层与该第二有机膜层，以在该第一介电层中形成与该通孔重叠的焊盘开口，使得该第一介电层的外表面具有粗糙度A、该焊盘开口的侧壁具有粗糙度B及该通孔的侧壁具有粗糙度C，其中该焊盘开口与该通孔一起定义出该埋入式电路结构，而粗糙度A、粗糙度B、粗糙度C三者彼此不同，粗糙度C＞粗糙度B＞粗糙度A。
26.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该基材包括第三图案化导体层与内连线，其中该内连线用以电性连接该第一图案化导体层与该第三图案化导体层。
27.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，还包括：
形成位于该第一介电层中的沟槽，其中该沟槽的内壁具有粗糙度B。
28.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，还包括：
进行第一沉积步骤以形成第二导体层，填入该通孔与该焊盘开口。
29.如权利要求28所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第一沉积步骤为无电电镀工艺。
30.如权利要求28所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，还包括：
进行第二沉积步骤，使得该第二导体层填满该通孔与该焊盘开口。
31.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第一介电层包括多个触媒颗粒，其中该触媒颗粒为选自由金属错合物颗粒、金属螯合物颗粒、金属氧化物颗粒以及金属氮化物颗粒所组成的群组。
32.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第一有机膜层包括亲水性高分子。
33.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第一有机膜层包括疏水性高分子。
34.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中形成该通孔的方法为使用激光。
35.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中进行该第一清洁步骤的方法为使用等离子体。
36.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第二清洁步骤的方法为使用氧化剂。
37.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第二有机膜层包括亲水性高分子。
38.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该第二有机膜层包括疏水性高分子。
39.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中图案化该第一介电层的方法为使用激光。
40.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该粗糙度C的参数Ra值为介于0.5μm与5.0μm之间。
41.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该粗糙度B的参数Ra值为介于0.2μm与0.5μm之间。
42.如权利要求25所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，还包括：
移除该第二有机膜层，而留下该第一介电层的实质上光滑的表面。
43.如权利要求42所述的形成埋入式电路结构的方法，其特征在于，其中该粗糙度A的参数Ra值小于0.5μm。
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