CN101673508B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

一种实现高孔径比的发光器件，其中图像的质量几乎不受TFT特性变化的影响。在像素部分中不提供大保持电容Cs，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，并将沟道电容用作Cs。选择沟道长度显著大于沟道宽度，以改善饱和区的电流特性，并且将高VGS作用于驱动TFT以获得期望的漏极电流。因此，驱动TFT的漏极电流几乎不受阈值电压变化的影响。此外，设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，TFT安排在导线下面，从而尽管增加驱动TFT的尺寸也可以避免减小孔径比。在3晶体管像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以进一步增加孔径比。

Description

发光器件
本申请是申请日为2003年1月17日，申请号为03102744.X，发明名称为“发光器件”的申请的分案申请
发明领域
本发明涉及一种电致发光(EL)元件，和驱动通过在基片上形成薄膜晶体管(以下简称TFT)而制造的电子显示器的方法。特别地，本发明涉及一种使用半导体元件(从半导体薄膜形成的元件)的发光器件。本发明还涉及使用该发光器件作为显示单元的电子设备。
本说明书中，所述EL元件包括利用从单态激发子发光(荧光)的元件和利用从三态激发子发光的元件(磷光)。
背景技术
近年来，具有EL元件的发光器件作为自发光元件得到了蓬勃的发展。与液晶显示器件不同，该发光器件是自发光型的。EL元件的结构是在一对电极(阳极和阴极)之间固定着一个EL层。
该发光器件可以包括无源矩阵型和有源矩阵型。此处，有源矩阵型器件适合要求高速运行的应用，以增加像素，同时增加分辨率，以用于电影显示。
在有源矩阵型有机EL面板中的每个像素都备有一个保持电容(CS)，以保持电压。图12A示出一种像素结构的实例，图12B是其等效电路。如专利文献1中所公开的，电容CS往往较大，而有机EL的发光区相应地往往较小。除了电容CS，构成像素的TFT、导线、连接、隔离壁等的形状、数量和排列也成为减小发光区的因素。由于发光区的减小，电流密度就会增加，有机EL元件的可靠性就会严重降低。
(专利文献1)
日本专利公开No.Hei 8-234683
此外，如果开口部分被制作成复杂的形状以尽量增加孔径比，则可能会造成有机EL部分的收缩。此处，EL部分的收缩不是指EL层在物理上收缩的状态，而是EL元件的有效区(EL元件发光的区)从末端部分开始逐渐收缩的状态。也就是说，由于开口部分的形状变得复杂，末端部分的长度相对于造成所述收缩的开口部分增加。
图20示出在有源矩阵型EL显示器件中的像素部分的结构的一种实例。由虚线框2300包围的部分代表一个像素部分，该像素部分包括多个像素。由虚线框2310包围的部分代表一个像素。
栅极信号线(G1、G2、...Gy)连接到像素中包括的开关TFT 2301的栅极，选择信号从栅极信号线驱动电路输入这些栅极信号线。此外，每个像素中包括的开关TFT 2301的源区和漏区之一连接到源极信号线(S1-Sx)，信号从源极信号线驱动电路输入该源极信号线，另一个连接到驱动TFT 2302的栅极。每个像素中包括的驱动TFT 2302的源区和漏区之一连接到电流源线(V1、V2、...Vx)，另一个连接到每个像素中包括的EL元件2304的一个电极。此外，每个像素可以备有电容装置2303，用于在显示期间保持驱动TFT 2302的栅极与源极之间的电压。
EL元件2304具有一个阳极、一个阴极和在该阳极和阴极之间提供的EL层。当EL元件2304的阳极连接到驱动TFT 2302的源区或漏区时，EL元件2304的阳极作为一个像素电极，而其阴极作为反向电极。相反，当EL元件2304的阴极连接到驱动TFT 2302的源区或漏区时，EL元件2304的阴极作为一个像素电极，而其阳极作为反向电极。
在本说明书中，所述反向电极的电势称为反电势。为该反向电极提供反电势的电源称为反电源。像素电极电势与反向电极电势之间的差值为EL驱动电压。该EL驱动电压作用于像素电极与反向电极之间的EL层。
作为用于上述发光器件的梯度显示方法，可以举出模拟梯度系统和数字梯度系统作为例子。
下面描述在模拟梯度系统和数字梯度系统的情况下提供Cs时的值。
在模拟梯度系统的情况下，通常在一个帧周期中将模拟视频信号写入每个像素一次。该模拟视频信号以模拟电压或模拟电流的形式输入像素。在模拟电压的情况下，写入的模拟电压在像素的保持电容中存储一个帧周期(当帧频率为60Hz时，一个帧周期持续16.66毫秒)。在模拟电流的情况下，写入的电流在像素中被一次转换为一个模拟电压。该模拟电压必须保持一个帧周期。
在数字梯度系统的情况下，如上所述，数字视频信号必须在一个帧周期中被多次(n)写入。在4位梯度的情况下，n＝4次或更多次，在6位梯度的情况下，n＝6次或更多次。因此，模拟电压必须保持从一个帧周期划分的子帧中最长的子帧。
下面描述驱动TFT与EL元件之间的关系。
参考图15A，在每个像素中，驱动TFT 1505与EL元件1506串联在电流源线与反向电源线之间。至于流入EL元件1506的电流，图15B中驱动TFT 1505的Vd-Id曲线与EL元件的V-I曲线相交的点成为工作点。电流取决于驱动TFT 1505的源极与漏极之间的电压和EL元件1505的电极之间的电压。
当驱动TFT 1505的栅-源电压(|VGS|)大于源-漏电压(VDS)一个阈值时，驱动TFT 1505工作在线性区(靠恒定电压驱动)。当驱动TFT 1505的栅-源电压(|VGS|)小于源漏电压(VDS)时，驱动TFT 1505工作在饱和区(靠恒定电压驱动)。
当驱动TFT 1505工作在线性区时，即当驱动TFT 1505在工作点的运行包括在线性区时，驱动TFT 1505的|VDS|变得大大小于EL元件1506电极两端的电压(|VEL|)，驱动TFT 1505特征的变化几乎不影响流过EL元件1506的电流。但是，如果EL元件1506的电阻由于温度或老化而变化，则电流会受到影响，并发生改变。例如，当EL元件1506退化，且其电压-电流特性如图16A所示从1601变为1602时，工作点也从1603偏移到1604。此处，当驱动TFT 1505工作在线性区时，流过EL元件1506的电流减小ΔID，同时操作点偏移，因此亮度降低。
另一方面，当驱动TFT 1505工作在饱和区时，尽管EL元件1506的电压-电流特性由于该元件的退化从1611变为1612，驱动TFT 1505的漏电流却如图16B所示保持不变。因此，尽管工作点从1613变为1614，流入EL元件1506的电流仍保持恒定。因此，亮度的变化小于当驱动TFT 1505工作在线性区时的变化。
通过设定驱动TFT的沟道长度和沟道宽度，并选择驱动TFT和EL元件的特性和驱动电压，所有的工作点都可以被置于饱和区。
但是，当驱动TFT 1505工作在饱和区时，流EL元件1506的电流只由TFT的VGS-IDS特性决定。因此，EL元件1506的亮度变化由驱动TFT 1505的特性变化反应。此外，电流在保持期间还受栅-源电压VGS变化的严重影响。饱和区中的漏电流IDS由以下公式表示：
IDS＝β/2×(VGS-|Vth|)2            ---(1)
由于开关TFT 1504的关断漏电流，驱动TFT 1505栅极上的电荷漏入源极信号线1501，驱动TFT的栅-源电压|VGS|相应地导致由于从开关TFT 1504渗漏的电荷所引起的驱动TFT漏电流IDS的改变。因此，必须要一个电容来补偿由于从开关TFT1504渗漏的电荷所引起的驱动TFT栅-源电压VGS的损耗。该电容称为保持电容。保持电容的大小由驱动TFT的VGS-IDS特征与伴随由于退化而导致的EL元件1506亮度变化的电流变化量ΔIEL确定。从公式(1)中可以理解，漏电流IDS与VGS的第二功率成正比变化。因此，漏电流IDS的变化很容易受栅-源电压|VGS|的影响。从ΔIEL可以获得允许驱动TFT 1505的栅-源电压VGS变化的量ΔVGS。保持电容要求的大小可以利用公式(2)和(3)从开关TFT的关断漏电流IOFF和保持时间来确定，
IOFF＝CΔVGS/Δt            ---(2)
Cs＝IOFF×Δt/ΔVGS         ---(3)
其中，Δt是一段很短的时间，而ΔVGS是驱动TFT 1505的栅-源电压的增量。
与每个帧周期执行写入操作多次的数字梯度系统相反，模拟梯度系统允许每帧只执行一次写入操作。因此，保持时间较长，必须要较大的保持电容。
此外，由于上述原因，在像素中，驱动TFT的沟道长度必须保持较长。此外，随着驱动TFT大小的增加，孔径比减小。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，提供了一种发光器件，该器件实现高孔径比，其中，图像的质量几乎不受驱动TFT变化的影响。
为此，本发明采用了下述措施。
在本发明的发光器件中，在像素部分中没有提供大保持电容CS，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，将驱动TFT的栅极与沟道形成区之间的电容(沟道电容)用作保持电容Cs。
参考图18，TFT的栅极1804由栅极1804、源极1807、和漏极1808形成，其间夹着栅极绝缘薄膜1803。因此，栅-源电容1811、1812基本上存在于端子之间和栅极1804、源极1807、以及源区1802a之间，栅-源电容1813、1814基本上存在于栅极1804、漏极1808和漏区1802b之间。
如果导通TFT所必须的栅-源电压作用于TFT的栅极1804和源区1802a之间，则在沟道形成区1809中形成沟道1810，漏电流即可流通。此时，在栅极1804与沟道之间就生成沟道电容1815。
沟道区根据栅极1804、源极1807和漏极1808的电压条件而变化，沟道电容也变化。
下面参考图17描述由于电压条件导致的沟道区变化。此处以P沟道TFT为例进行描述。
参考图17B，当TFT处于关断状态时，在沟道形成区1704中没有形成沟道，沟道电容可以忽略。
接下来参考图17C，当TFT运行于线性区时，在源极和漏极之间的整个区形成沟道1706，带正电的空穴的分布从源极到漏极逐渐呈线性减小。由于在沟道形成区的整个半导体表面上存在带正电的空穴，沟道电容被维持在足够的程度。
接下来参考图17D，当TFT运行于饱和区时，形成沟道1706，但是在漏极侧的半导体表面上没有分布带正电的空穴。但是，在源极侧的半导体表面上分布有带正电的空穴，并且在栅极与源极之间维持有足够大的电容。
此外，在设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，驱动TFT安排在导线的下面，以便即使驱动TFT的尺寸增大时也维持孔径比。此外，在三晶体管型像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以维持孔径比，即以获得简单的开口部分。此处，开关TFT和擦除TFT不必安排为精确的直线。由于增加了孔径比，尽管EL元件保持同样的亮度，仍然可以降低电流密度，且EL元件的退化率也减小。此外，简单的开口部分使得EL元件能够受较小的收缩影响。
下面描述本发明的构造。
本发明的发光器件包括多个具有发光元件的像素，每个像素具有一条源极信号线、一条栅极信号线、一条电流馈线、一个开关晶体管和一个驱动晶体管，其中由驱动晶体管的栅极与沟道形成区之间的电容构成用于保持驱动晶体管的栅-源电压的电容。
本发明的发光器件包括多个具有发光元件的像素，每个像素具有一条源极信号线、一条栅极信号线、一条电流馈线、一个开关晶体管和一个驱动晶体管，其中由驱动晶体管的栅极与源区或驱动晶体管的栅极与漏区之间的电容构成用于保持驱动晶体管的栅-源电压的电容。
本发明的发光器件包括多个具有发光元件的像素，每个像素具有一条源极信号线、第一和第二栅极信号线、一条电流源线、一个开关晶体管、一个擦除晶体管和一个驱动晶体管，其中由驱动晶体管的栅极与沟道形成区之间的电容构成用于保持驱动晶体管的栅-源电压的电容。
本发明的发光器件包括多个具有发光元件的像素，每个像素具有一条源极信号线、第一和第二栅极信号线、一条电流源线、一个开关晶体管、一个擦除晶体管和一个驱动晶体管，其中由驱动晶体管的栅极与源区或驱动晶体管的栅极与漏区之间的电容构成用于保持驱动晶体管的栅-源电压的电容。
本发明的发光器件包括多个具有发光元件的像素，每个像素具有一条源极信号线、一条栅极信号线、一条电流源线、一个开关晶体管和一个驱动晶体管，其中，源极信号线、电流源线、和驱动晶体管排列在与一个隔离薄膜重叠的位置，该隔离薄膜在隔离多个像素的相邻发光区的位置形成。
本发明的发光器件包括多个具有发光元件的像素，每个像素具有一条源极信号线、第一和第二栅极信号线、一条电流源线、一个开关晶体管和一个驱动晶体管，其中，源极信号线、电流源线、和驱动晶体管排列在与一个隔离薄膜重叠的位置，该隔离薄膜在隔离多个像素的相邻发光区的位置形成。
在本发明的发光器件中，开关晶体管和擦除晶体管排列在这样的位置，使得开关晶体管源区的一个点和漏区的一个点，以及擦除晶体管源区的一个点和漏区的一个点排列在全部包括在一条直线上的位置。
在本发明的发光器件中，驱动晶体管被安排在这样一个位置，在该位置其与源极信号线的一部分或电流源线的一部分重叠。
在本发明的发光器件中，形成驱动晶体管的沟道区的半导体层是U形、S形、螺旋形或曲折形的。
在本发明的发光器件中，当驱动晶体管的沟道长度为L，沟道宽度为W时，L×W＞200μm2。
在本发明的发光器件中，当驱动晶体管的栅-源电压为VGS，源-漏电压为VDS，阈值电压为Vth时，该驱动晶体管这样驱动：|VDS|＜|VGS|-|Vth|。
在本发明的发光器件中，当驱动晶体管的栅-源电压为VGS，源-漏电压为VDS，阈值电压为Vth时，该驱动晶体管这样驱动：|VDS|≥|VGS|-|Vth|。
在本发明的发光器件中，驱动晶体管这样驱动：其栅-源电压不小于4V，但不大于14V。
在本发明的发光器件中，当驱动晶体管的沟道长度为L，沟道宽度为W时，L＞5W。
在本发明的发光器件中，当驱动晶体管的沟道长度为L，沟道宽度为W时，发红光、绿光和蓝光的像素中分别包括的驱动晶体管的L/W相互不同。
附图简述
图1A和1B示出根据本发明制造的一种像素部分平面图；
图2A和2B示出根据本发明制造的一种像素部分平面图；
图3A和3B示出根据本发明制造的一种像素部分平面图；
图4A和4B示出根据本发明制造的一种像素部分平面图；
图5A和5B示出根据本发明制造的一种像素部分平面图；
图6A和6B示出根据本发明制造的一种像素部分平面图；
图7A和7B示出根据本发明制造的一种像素部分平面图；
图8A和8B示出根据本发明制造的一种像素部分平面图；
图9A和9B示出将发光器件和外围电路用作电子设备的模块的例子；
图10A和10B示出根据本发明制造的一种像素部分平面图；
图11A和11B示出本发明中的发光器件的结构；
图12A和12B示出根据传统方法设计的2-晶体管型像素；
图13A和13B示出TFT的测量沟道电容；
图14示出测量的TFT漏-源电流IDS的变化；
图15A和15B示出EL元件的工作点；
图16A和16B示出当驱动TFT的工作范围在线性区和饱和区时，对EL元件的亮度的降低和影响。
图17A-17D示出当TFT工作时，靠近沟道的电荷特性；
图18示出TFT每一部分中的电容元件；
图19A-19C包括一个发光器件的顶视图和截面图；
图20示出一个2-晶体管型像素矩阵；
图21A-21H示出可以应用本发明的电子设备的例子；
图22A-22D简化示出制造像素部分的步骤。
优选实施例详述
实施例1
首先，参考图1说明该实施例。此处，发光器件产生全色显示，且其中用于发红光的像素R的驱动TFT的源区或漏区连接到红色电流源线，用于发绿光的像素G的驱动TFT的源区或漏区连接到绿色电流源线，用于发蓝光的像素B的驱动TFT的源区或漏区连接到蓝色电流源线。R、G、B的EL元件的EL材料独立地呈条纹状应用。
图1中，隔离壁覆盖除发光区5007之外的所有区。在隔离壁5020之间，与所述条纹平行构成的隔离壁作为色彩边缘。存在隔离壁作为色彩边缘的地方不能用作发光区。因此，源极信号线5001和电流源线5003排列在隔离壁下面。接着，驱动TFT 5005排列在源极信号线5001下面和电流源线5003下面。此处，它们可以被排列在相邻像素所拥有的源极信号线和电流源线下面。
在本实施例中，驱动TFT的栅极与电流源线的部分重叠。电流源线已经在所有时间被固定在预定电位。因此，驱动TFT的栅极和电流源线可以用作保持电容Cs的一部分。
驱动TFT 5005具有加长的沟道长度和加宽的沟道宽度，从而还作为保持电容，而且抑制特性的变化。但是，一旦将驱动TFT 5005安排在隔离壁下面，用作色彩边缘，则尽管有加长的沟道长度和加宽的沟道宽度，也不会减小孔径比。
实施例2
当用3个晶体管构成像素时，两个晶体管，即开关TFT和擦除TFT，不包括驱动TFT，线性排列，以维持孔径比，从而实现进一步简化的开口部分。近似呈矩形的简单形状的开口部分有助于减小收缩效果。
实施例3
在确定驱动TFT的沟道长度和沟道宽度时，必须尽可能增加沟道长度和沟道宽度，并且当驱动TFT要工作在饱和区时，必须选择沟道长度大于沟道宽度，使得栅-源电压VGS几乎不受阈值电压的影响。一旦增加了沟道长度，驱动TFT的特性在饱和区就会更平滑。此处，如果栅-源电压VGS增加太多，将会产生与驱动TFT的功耗和击穿电压有关的问题。因此，最好调节沟道长度和沟道宽度，使得|VGS|不小于4V，且不大于14V。
根据实施例1-3，驱动TFT的尺寸加大，且沟道长度L相对于沟道宽度W增加，使得有可能使用在饱和区具有良好的均匀电流特性的TFT作为像素的驱动TFT，并防止EL元件的亮度受驱动TFT变化的影响。
此外，保持电容由驱动TFT的沟道电容产生，并安排在发光区之外的一个位置，在该位置，其与隔离壁重叠。因此，可以期望较高的孔径比。
实施例4
R、G、B的EL元件的发光效率通常相互不同。因此，驱动TFT的电流特性完全一样，为了产生电流值之间的不同，要求在驱动TFT的VGS值之间产生不同。因此，当每种R、G、B的EL元件的发光效率差别较大时，VGS值之间的差值可能较大，设置电压可能会很困难。
在这种情况下，最好通过对应于R、G、B发光元件改变驱动TFT的沟道长度/沟道宽度，来调节电流特性。此处，通过在一个范围内调节驱动TFT的沟道长度和沟道宽度，R、G、B发光元件的孔径比完全一样，其中，在所述范围内，驱动TFT不超出用于色彩边缘的隔离壁的区域。而且，通过对应于每种R、G、B发光元件调节沟道长度/沟道宽度的比率，使其增大，可以充分获得沟道电容。
举例
下面描述本发明的工作实例。
例1
图13示出实际测得的栅-源电容和栅-漏电容。栅-源电压VGS维持在-6V，漏-源电压VDS在16V与-16V之间变化。当VDS变为大约-5V或更低时，开始进入饱和区。图13A和13B中的栅-源电容和栅-漏电容的总和为驱动TFT的容量。
当驱动TFT在线性区被驱动时，如图17C所示，在整个半导体表面上形成沟道，并可以维持足够的电容量。
当驱动TFT在饱和区被驱动时，如图17C所示，在漏区一端没有形成沟道，栅-漏电容呈现如图13B所示的近似为0的值。但是，由于在源区一端形成沟道，可以通过如图13A所示的栅-源电容充分补偿电容。因此，当期望在饱和区驱动驱动TFT时，可以通过使用P沟道型驱动TFT来维持足够量的沟道电容。
根据以上所述，在像素中没有形成大的保持电容，高孔径比是通过使用驱动TFT的沟道电容获得的。此外，增加沟道长度与沟道宽度的乘积有助于统一构成驱动TFT的半导体的结晶性变化，从而抑制元件的导通电流Ion的变化。
即使当驱动TFT在饱和区被驱动时，也会发生关于像素中的驱动TFT的VGS-IDS特性变化的问题。在这种情况下，流入EL元件的电流保持不变，但沟道长度被增加到比沟道宽度足够大，从而改善饱和区中的饱和特性。另一方面，增加沟道长度后，作用于EL元件的电流就减少。因此，通过增加栅-源电压VGS来向EL元件提供期望的电流。因此，栅-源电压VGS变为充分大于阈值电压，这几乎不受变化的影响，漏-源电流IDS中的变化进一步减小。由于饱和特性因增加沟道长度而改善，漏-源电流IDS在饱和区几乎保持不变。因此，即使电阻由于EL元件的退化而改变，也可以向EL元件提供几乎相同量的电流。
图14示出增加沟道长度和沟道宽度，且沟道长度相对与沟道宽度充分增加时，TFT的测量电流IDS的变化。
栅-源电压|VGS|固定为5V，漏-源电压|VDS|固定为8V，通过使用多个具有不同沟道长度和沟道宽度的元件测量漏-源电流IDS。从图14可以理解，漏-源电流IDS中的变化可以通过增加沟道形成区的面积(沟道长度×沟道宽度)来抑制。在图14中用5V的|VGS|与8V的相比，发现当VGS远大于Vth时，IDS的变化得以抑制。
例2
下面参考图1描述2晶体管型像素的结构和平面图。
图1的像素由源极信号线5001、栅极信号线5002、电流源线5003、开关TFT 5004、驱动TFT 5005、像素电极5006、和覆盖除发光区5007之外的其它区域的隔离壁。开关TFT 5004的栅极连接栅极信号线5002，其源极端连接源极信号线5001，漏极端连接电流源线5003。此外，驱动TFT 5005的源极端连接电流源线5003，而其漏极端连接像素电极5006。
在覆盖除发光区5007之外的其它区的隔离壁之间，在左右相邻像素之间提供的隔离壁作为色彩边缘，当单独产生R、G、B颜色时，该色彩边缘是必要的。在左右相邻像素之间提供的隔离壁的宽度最好为30μm。
此处，作为色彩边缘的隔离壁不能用作发光区。因此，源极信号线5001和电流源线5003排列在30μm宽的隔离壁下面。接着，驱动TFT5005排列在源极信号线5001和电流源线5003下面。此处，驱动TFT5005可以排列在相邻像素所拥有的源极信号线和电流源线下面。
保持电容可以通过由位于半导体层5014和驱动TFT 5005的栅极5016之间的栅极绝缘薄膜5015产生的沟道电容实现。
此处，保持时间设为1ms，驱动TFT的Ioff由短的保持周期的数字梯度设为1pA，当EL元件的亮度变化一个梯度时，驱动TFT的栅-源电压VGS的变化量ΔVGS设为约0.02V。根据公式(3)，必要的保持电容为50fF。如果栅极绝缘薄膜5015的厚度选择为120nm，具体的介电常数为4，则沟道电容为大约60fF，沟道长度×沟道宽度＝200μm2。这样，为了获得满意的电容，最好沟道长度×沟道宽度＝200μm2或更多。
此外，随着驱动TFT 5005的沟道长度×沟道宽度的增加，元件的变化减小。因此，最好沟道长度和沟道宽度尽可能大。
当驱动TFT 5005在饱和区被驱动时，期望选择沟道长度大于沟道宽度，使得VGS几乎不受阈值电压的影响。此处，期望沟道长度/沟道宽度不小于5。增加沟道长度后，驱动TFT在饱和区的特性可以更平滑。但是，如果栅-源电压VGS增加太多，会出现关于驱动TFT的功耗和击穿电压的问题。因此，最好调节沟道长度和沟道宽度，使|VGS|不小于4V，且不大于14V。
驱动TFT 5005的沟道长度可以通过在由半导体层5014表示的垂直方向上拉直而增加。驱动TFT 5005的沟道长度可以增加，而沟道宽度也可以在一定程度上增加，而不会减小孔径比。
当孔径比高时，EL元件的电流密度减小，从而保证了长寿命。此外，由于开口部分形状简单，收缩效果也减小。
开关TFT 5004在图中是双栅极结构。但是，开关TFT 5004也可以是单栅极结构或具有3个或更多个栅极的多栅极结构。
图2A示出一个半导体层的例子，其图案形状与图1A的半导体层不同。图2B是图2A中沿α-α’的剖面图。半导体层可以在驱动TFT 5105表示的垂直方向上弯曲。由于半导体层这样形成，驱动TFT 5105的沟道长度可以进一步增加，而不会减小孔径比。
图3A示出一个半导体层的例子，其图案形状与图1A的半导体层不同。图3B是图3A中沿α-α’的剖面图。半导体层可以构成为如驱动TFT 5205表示的U形。由于半导体层这样形成，驱动TFT 5205的沟道长度可以进一步增加，且沟道宽度也可以在一定程度上增加，而不会较小孔径比。
图4A示出一个半导体层的例子，其图案形状与图1A的半导体层不同。图4B是图4A中沿α-α’的剖面图。半导体层可以形成为在驱动TFT 5305表示的水平方向上弯曲的形状。此处，“弯曲”的意思是“以弯曲的方式流动”，“弯曲的形状”表示半导体层的形状是弯曲的。由于半导体层这样形成，驱动TFT 5305的沟道长度可以进一步增加，且沟道宽度也可以在一定程度上增加，而不会减小孔径比。
例3
下面参考图5说明3晶体管型像素的结构和平面图。
增加了用于SES驱动的擦除晶体管5506，该擦除晶体管的栅极连接向栅极输入擦除信号的第二栅极信号线5503，源极连接电流源线5504，漏极连接开关TFT 5505的漏极和驱动TFT 5507的栅极。
在3晶体管型像素的情况下，两个TFT，即：开关TFT 5505和擦除TFT 5506线性并排排列在第一栅极信号线5502和第二栅极信号线5503之间。开关TFT 5505的漏区可以与擦除TFT 5506的漏区重叠。此处，开关晶体管和擦除晶体管被安排在这样的位置，使得开关TFT5505源区的一个点和漏区的一个点，以及擦除TFT 5506源区的一个点和漏区的一个点排列在一条直线上。
该排列使得有可能提高孔径比和简化开口部分。
图6A示出一个半导体层的例子，其图案形状与图5A的半导体层不同。图6B是图6A中沿α-α’的剖面图。半导体层可以在驱动TFT 5607表示的垂直方向上弯曲。由于半导体层这样形成，驱动TFT 5607的沟道长度可以进一步增加，而不会减小孔径比。
图7A示出一个半导体层的例子，其图案形状与图5A的半导体层不同。图7B是图7A中沿α-α’的剖面图。半导体层可以构成为如驱动TFT 5707表示的U形。由于半导体层这样形成，驱动TFT 5707的沟道长度可以进一步增加，且沟道宽度也可以在一定程度上增加，而不会较小孔径比。
图8A示出一个半导体层的例子，其图案形状与图5A的半导体层不同。图8B是图8A中沿α-α’的剖面图。半导体层可以形成为由驱动TFT 5807表示弯曲形状。由于半导体层这样形成，驱动TFT 5807的沟道长度可以进一步增加，且沟道宽度也可以在一定程度上增加，而不会减小孔径比。
图10A示出一个半导体层的例子，其图案形状与图5A的半导体层不同。图10B是图10A中沿α-α’的剖面图。驱动TFT的半导体层的大小如5907所示。当只依靠驱动TFT的栅极电容，保持电容不够大时，可以形成保持电容5910。在隔离壁5920下面形成保持电容5910后，可以获得充分大的保持电容，而不会减小孔径比。
在例2和本例中所示结构的像素中，驱动TFT工作在饱和区，以控制作用于EL元件的只依赖于驱动TFT的栅-源电压，而与驱动TFT的源-漏电压无关的电流。在这种情况下，驱动TFT作为电流源。因此，不需要在发光器件的像素部分的外围整体形成电流源电路，或将电流源电路加在外部提供的驱动电路上，这样有助于减小器件的尺寸。
例4
参考图9A，当发光器件包括在诸如移动电话等的电子设备中作为显示单元时，其内置为模块901的形式。此处，模块901表示一种模块，在该模块中，发光器件连接到一个模板，在该模板上安装有驱动发光器件的信号处理LSI、存储器等。
图9B是模块901的方框图。模块901包括电源单元911、信号控制单元912、FPC 913和发光器件914。电源单元911由外部电池供电，构成多个期望的电压，并将其提供给源极信号线驱动电路、栅极信号线驱动电路、发光器件等。信号控制单元912接收视频信号和同步信号，将其转换为各种信号，以便由发光器件901处理，并形成时钟信号等，用于驱动源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路。
本实施例的模块901包括独立形成的发光器件914、电源单元911和信号控制单元912。但是，它们也可以在一个基片上整体形成。
图11详细示出图9所示模块901中包括的发光器件914的结构。
所述发光器件是在模板1001上，用像素部分1003、源极信号线驱动电路1004、栅极信号线驱动电路1005和1006、和FPC 1007等构成。相对的模板1002可以由透明材料如玻璃或金属材料构成。模板1001和相对模板1002之间的间隙用填充剂密封，并且通常填充有干燥剂，以防EL元件被水损坏。
图11B是顶视图。在基片的中央部分安排像素部分1003。在外围安排有源极信号线驱动电路1004、和栅极信号线驱动电路1005和1006。在源极信号线驱动电路1004的外围安排有电流源线1011和反向电极触点1013等。在像素部分的整个表面上形成EL元件的反向电极，并且通过FPC 1007，从反向电极触点1013作用反向电势。用于驱动源极信号线驱动电路1004和栅极信号线驱动电路1005和1006以及电源的信号是通过FPC 1007从外部单元提供的。
用于粘结电极1001和反向电极1002的密封元件1014可以做成为部分与源极信号线驱动电路1004重叠，并且在栅极信号线驱动电路1005和1006上，如图11B所示。这样，发光元件的框架可以变窄。
例5
在例5中，参考图19A-19C描述使用本发明制造发光器件的一种实例。
图19A是一个发光器件的顶视图，该发光器件通过密封一个晶体管基片而形成，在该基片上，借助密封材料提供了一个像素部分。图19B是沿图19A中的A-A’线的剖面图，图19C是沿图19A中的B-B’线的剖面图。
密封部件4009包围像素部分4002、源极信号线驱动电路4003、以及在基片4001上提供的第一和第二栅极信号线驱动电路4004a及4004b。此外，在像素部分4002、源极信号线驱动电路4003、以及第一和第二栅极信号线驱动电路4004a及4004b上提供密封部件4008。这样，像素部分4002、源极信号线驱动电路4003、以及第一和第二栅极信号线驱动电路4004a及4004b就和填充剂4210被基片4001、密封部件4009、和密封部件4008密封在一起。密封部件4009可以与源极信号线驱动电路4003、以及第一和第二栅极信号线驱动电路4004a及4004b的部分重叠。
此外，在基片4001上提供的像素部分4002、源极信号线驱动电路4003、以及第一和第二栅极信号线驱动电路4004a及4004b包括多个TFT。图19B典型地示出源极信号线驱动电路4003中包括的TFT(此处示出一个n沟道TFT和一个p沟道TFT)4201和像素部分4002中包括的TFT 4202。
在驱动TFT 4201和4202上形成层间绝缘薄膜(平整薄膜)4301，在其上形成电气连接TFT 4202的漏区的像素电极(阳极)4203。具有高功函数的透明传导薄膜用作像素电极4203。氧化铟和氧化锡的混合物、氧化铟和氧化锌的混合物、氧化锌、氧化锡、或氧化铟可以用作该透明导电薄膜。此外，也可以使用加入镓的透明导电薄膜。
在像素电极4203上形成绝缘薄膜4302，在像素电极4203上的绝缘薄膜4302中形成开口部分。在该开口部分中，在像素电极4203上形成有机发光层4204。有机发光层4204是利用已知的有机发光材料或无机发光材料形成的。尽管有机发光材料包括低分子系统(单体系统)和高分子系统(聚合体系统)，但两种都可以使用。
有机发光层4204是利用已知的蒸发技术或涂覆技术制成的。该有机发光层可以制成层叠结构，包括一个空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、和电子注入层，或者是单层结构。
在有机发光层4204上，用传导薄膜(典型地，传导薄膜的主要成份是铝、铜、或银，或这些和其它传导薄膜的叠加薄膜)制成具有遮光特性的阴极4205。最好尽可能除去阴极4205和有机发光层4204之间的界面上存在的潮气和氧气。因此，必须采取这样的办法，使得有机发光层4204在氮气或稀有气体环境中形成，且阴极4205在发光层不暴露在氧气或潮气的条件下形成。在本例中，采用了多室系统(群集工具系统)薄膜形成装置，使得可以进行上述的薄膜制造。预定的电压作用于阴极4205。
按照以上所述，形成包括像素电极(阳极)4203、有机发光层4204、和阴极4205的发光元件4303。然后，在绝缘薄膜4302上形成保护模4209，以覆盖发光元件4303。保护模4209可以有效防止氧气、潮气等侵入发光元件4303。
参考标号4005a指出连接电源线的一条拉伸导线，并电气连接第二TFT 4202的源区。拉伸导线4005a经过密封部件4009和基片4001之间，并通过各向异性的传导薄膜4300连接到FPC 4006中包括的FPC导线4301。
密封部件4008可以采用玻璃成份、金属成份(典型地是不锈成份)、陶瓷成份、或塑料成份(包括塑料薄膜)。塑料薄膜可以采用FRP(玻璃纤维强化塑料)板、PVF(乙烯聚合物的氟化物)薄膜、聚酯(Mylar)薄膜、聚酯(polyester)薄膜、或压克力树脂薄膜。此外，可以使用具有这样的结构的薄片：在PVF薄膜与聚酯(Mylar)薄膜之间夹着铝铂。
但是，在发光元件发出的光的辐射方向指向覆盖部件的情况下，覆盖部件必须是透明的。在该情况下，采用透明材料，如玻璃板、塑料板、聚酯(polyester)薄膜、或压克力薄膜。
对于填充剂4103，除了惰性气体如氮气或氩气，还可以使用紫外线硬化的树脂或热硬化的树脂、PVC(聚氯乙稀)、压克力、聚酰亚胺、环氧树脂、硅树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)、或EVA(乙烯基醋酸酯)。在本例中，用氮气作为填充剂。
此外，为了将填充剂4103暴露在吸湿材料(最好是氧化钡)或能够吸收氧气的材料中，在基片4001侧密封部件4008表面上提供一个凹陷部分4007，吸湿材料或能够吸收氧气的材料4207置于其中。然后，为了防止吸湿材料或能够吸收氧气的材料4207扩散，用凹陷覆盖部件4208将吸湿材料或能够吸收氧气的材料保持在凹陷部分4007中。注意，凹陷覆盖部件4208做成细网眼结构，空气和潮气可以穿过，而吸湿材料或能够吸收氧气的材料4207不能穿过。通过提供吸湿材料或能够吸收氧气的材料4207，可以抑制发光元件4303退化。
如图19C所示，在形成像素电极4203的同时，形成与拉伸导线4005a连接的传导薄膜4203a。
各向异性的传导薄膜4300包括传导填充剂4300a。基片4001和FPC 4006经热压缩，使得基片4001上的传导薄膜4203a和FPC 4006上的FPC导线4301通过传导填充剂4003a电气连接。
例6
例6中，参考图22A-22D描述例2和例3中示出的发光器件的制造步骤。尽管此处只给出像素部分的说明，但驱动电路的制造步骤不限于此，所以对其描述在此处省略。
如图22A所示，在由玻璃，如硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃，制成的基片上形成由氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、或氧氮化硅薄膜制成的基底薄膜(未示出)。然后，利用激光晶化方法和已知的热晶化方法结晶一个无定形半导体层。然后，在结晶的半导体层上形成图案，以获得半导体岛2201和2201(图22A)。
形成栅极绝缘薄膜(未示出)以覆盖半导体岛2201和2202。形成栅极的导体薄膜可以由选自Ta、W、Ti。Mo、Al、Cu的元素或主要包括上述元素的合金材料，或主要包括上述元素的混合材料制成。然后，形成期望形状的图案，以获得栅极2203和2204(参考标号2203既表示栅极，又表示栅极信号线)(图22B)。
在其上形成还为了使基片表面平整的绝缘薄膜(未示出)和像素电极2205。在像素电极2205中，在显示表面为上表面的情况下，电极是反射电极，在显示表面为下表面的情况下，电极是透明电极。MgAg等可以用作形成该透明电极的典型材料。在用上述材料形成薄膜后，通过刻图案将像素电极2205做成期望的形状。
形成到达半导体层2201、2202、和栅极2204的开口，以制作导线2207-2209(参考标号2207为源极信号线，2208是电流源线)。导线2209和像素电极2206相互重叠以接触(图22C)。
接着，在相邻的像素之间形成隔离壁，并通过蚀刻打开将作为发光区2210的部分(图22D)。然后，在开口部分上形成EL层，从而完成像素部分。
例7
本发明的发光器件是自发光型的，所以，与液晶显示器件相比，在明亮的地方呈现出所显示图像的更好的可辨认性，并具有更宽的视角。因此，发光器件可以用于各种电子设备中的显示部分。
使用本发明的发光器件的电子设备包括摄像机、数码相机、眼镜型显示器(头戴式显示器)、导航系统、声音重现设备(如车载音频装置和音频机)、膝上型电脑、游戏机、便携式信息终端(如：移动电脑、移动电话、便携式游戏机、以及电子图书)、包括记录介质(具体而言，是能重现记录介质的装置，如数字通用盘(DVD)等，并包括一个显示器，用来显示重现的图像)的图像重现装置等。特别地，在便携式信息终端的情况下，最好使用该发光器件，因为往往要从倾斜的角度观看的便携式信息终端通常要求具有宽视角。图21A-21H分别示出各种电子设备的实例。
图21A示出一种电致发光显示器件，包括一个外套3001、支撑台3002、显示部分3003、扬声器部分3004、视频输入端3005等。本发明可以用于显示部分3003。发光器件是自发光型的，因此，不要求背光。这样，显示部分的厚度可以比液晶显示设备薄。发光器件包括用于显示信息的整个显示器件，如个人计算机、电视广播接收器或广告显示器。
图21B示出一个数码静态照相机，包括主体3101、显示部分3102、图像接收部分3103、操作键3104、外部连接端口3105、快门3106等。本发明的发光器件可以用作显示部分3102。
图21C示出一个膝上型电脑，包括主体3201、外套3202、显示部分3203、键盘3204、外部连接端口3205、指点鼠标3206等。本发明的发光器件可以用作显示部分3203。
图21D示出移动计算机，包括主体3301、显示部分3302、开关3303、操作键3304、红外端口3305等。本发明的发光器件可以用作显示部分3302。
图21E示出一种带有记录介质的便携式图像重现装置(更具体而言，是DVD重现装置)，包括主体3401、外套3402、显示部分A 3403、另一个显示部分B 3404、记录介质(DVD等)读取部分3405、操作键3406、扬声器部分3407等。显示部分A 3403主要用于显示图像信息，显示部分B 3404主要用于显示字符信息。本发明的发光器件可以用作显示部分A 3403和显示部分B 3404。包括记录介质的图像重现装置还包括家庭游戏机等。
图21F示出一个眼镜型显示器(头戴式显示器)，包括主体3501、显示部分3502、支撑臂部分3503等。本发明的发光器件可以用作显示部分3502.
图21G示出一个摄像机，包括主体3601、显示部分3602、外套3603、外部连接端口3604、远程控制接收部分3605、图像接收部分3606、电池3607、声音输入部分3608、操作键3609等。本发明的发光器件可以用作显示部分3602.
图21H示出一个移动电话，包括主体3701、外套3702、显示部分3703、声音输入部分3704、声音输出部分3705、操作键3706、外部连接端口3707、天线3708等。本发明的发光器件可以用作显示部分3703。注意，通过在黑色背景上显示白色符号，移动电话的显示部分3703可以减少功耗。
当将来可以从有机发光材料获得更亮的光时，本发明的发光器件将可以用于正投影机或背投影机，其中，包括输出图像信息的光被透镜等放大，并被投射出来。
前述电子设备更可能用于显示通过远程通讯如互联网、CATV(有线电视系统)等传播的信息，特别可能用于显示移动画面信息。本发明的发光器件适合显示移动画面信息，因为有机发光材料可以呈现较高响应速度。
发光器件的发光部分消耗能量，所以最好以这样的方式显示信息，即：其中的发光部分尽量小。因此，当发光器件用于主要显示字符信息的显示部分时，如移动信息终端的显示部分，更具体而言，如便携式电话或声音重现设备，最好驱动所述发光器件，使得字符信息由发光部分形成，而不发光部分对应于背景。
如上所述，本发明可以不同地用于所有领域中的多种电子设备。而且，本例中的电子设备可以使用例1-例6中的发光器件的任何结构实现。
根据上述发明，驱动TFT的大小增加，且沟道长度L相对于沟道宽度W也增加，使得可以使用在饱和区具有良好均一性的电流特性的TFT作为像素的驱动TFT，并防止EL元件的亮度受驱动TFT变化的影响。此外，保持电容由驱动TFT的沟道电容产生，并安排在一个位置，在该位置，它与发光区以外的隔离臂重叠。因此，可以获得高孔径比。

Claims (36)

1.一种发光器件，包括：
多条源极信号线；
多条电流源线；
多个像素，包括：
多个发光元件，所述多个发光元件的每一个包括一个发光区；和
多个驱动晶体管，该多个驱动晶体管分别对应于多个发光元件；
其中所述源极信号线、电流源线和驱动晶体管被安排在与隔离壁重叠的位置，该隔离壁在隔离像素的相邻发光区的位置处形成，
其中每一个驱动晶体管被安排在每一个驱动晶体管的半导体层与每一个源极信号线的一部分和每一个电流源线的一部分中的至少其中之一重叠的位置处，和
其中每一个驱动晶体管被安排在形成于隔离像素的相邻发光区的位置处的隔离壁的下面并且所述隔离壁覆盖除发光区之外的所有区。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
多个擦除晶体管，所述多个擦除晶体管的每一个对应于所述多个发光元件中的一个。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中形成所述驱动晶体管的沟道区的每个半导体层的形状选自U形、S形、螺旋形和曲折形。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中每个所述驱动晶体管的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中，L×W＞200μm2。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述驱动晶体管的栅-源电压为VGS，源-漏电压为VDS，而阈值电压为Vth，且
其中所述驱动晶体管被这样驱动，即：|VDS|＜|VGS|-|Vth|。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述驱动晶体管的栅-源电压为VGS，源-漏电压为VDS，而阈值电压为Vth，且
其中所述驱动晶体管被这样驱动，，即：|VDS|≥|VGS|-|Vth|，且|VGS|不小于4V但不大于14V。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中每个所述驱动晶体管的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中，L＞5W。
8.根据权利要求1所述的发光器件，
其中所述发光元件发红光、绿光和蓝光中的一种光；
其中每个所述驱动晶体管的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中对应于红光的发光元件的驱动晶体管的L/W、对应于绿光的发光元件的驱动晶体管的L/W和对应于蓝光的发光元件的驱动晶体管的L/W互不相同。
9.一种利用根据权利要求1所述的发光器件的电子设备，
其中该电子设备选自下列设备组：电致发光显示设备、数码静态相机、膝上型电脑、移动计算机、包括记录介质的便携式图像重现装置、眼镜型显示器、摄像机、和移动电话。
10.一种发光器件，包括：
薄膜晶体管，其包括：
半导体层，该半导体层包括位于绝缘表面之上的沟道形成区、源区和漏区；
在所述半导体层之上的栅极绝缘薄膜；和
在所述栅极绝缘薄膜之上的栅极；
在所述栅极和所述栅极绝缘薄膜之上的第一层间绝缘薄膜；
在该第一层间绝缘薄膜之上的源极信号线，该源极信号线与所述半导体层的源区接触；
在该第一层间绝缘薄膜之上的电流源线；
在该第一层间绝缘薄膜之上的像素电极；以及
在该像素电极之上的发光层，
其中所述薄膜晶体管的半导体层与所述源极信号线和所述电流源线中的至少其中一个重叠，和
其中所述第一层间绝缘薄膜形成在薄膜晶体管之上。
11.根据权利要求10所述的发光器件，
其中用于保持所述薄膜晶体管的栅-源电压的电容通过所述薄膜晶体管的栅极和沟道形成区构成，所述栅极绝缘薄膜插入在其间。
12.根据权利要求10所述的发光器件，
其中用于保持所述薄膜晶体管的栅-源电压的电容由以下两种电容中的至少一个构成：一种电容，其包括所述薄膜晶体管的栅极和源区，所述栅极绝缘薄膜在它们之间；另一种电容，其包括所述薄膜晶体管的栅极和漏区，所述栅极绝缘薄膜在它们之间。
13.根据权利要求10所述的发光器件，
其中形成所述薄膜晶体管的沟道区的半导体层的形状选自U形、S形、螺旋形和曲折形。
14.根据权利要求10所述的发光器件，
其中所述薄膜晶体管的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中，L×W＞200μm2。
15.根据权利要求10所述的发光器件，
其中所述薄膜晶体管的沟道长度为L，沟道宽度为W，且
其中，L＞5W。
16.一种利用根据权利要求10所述的发光器件的电子设备，其中该电子设备选自下列设备组：电致发光显示设备、数码静态相机、膝上型电脑、移动计算机、包括记录介质的便携式图像重现装置、眼镜型显示器、摄像机、和移动电话。
17.一种发光器件，包括：
源极信号线；
电流源线；
第一发光元件，所述第一发光元件发红光并且包括发光区；
第二发光元件，所述第二发光元件发绿光并且包括发光区；
第三发光元件，所述第三发光元件发蓝光并且包括发光区；
第一晶体管，所述第一晶体管包括半导体层并电连接于所述第一发光元件；
第二晶体管，所述第二晶体管电连接于所述第二发光元件；
第三晶体管，所述第三晶体管电连接于所述第三发光元件，
其中所述源极信号线、电流源线、以及第一、第二、第三晶体管中的每个晶体管被安排在形成于隔离相邻发光区的位置处的隔离壁的下面，并且，
其中所述电流源线的一部分与相应的晶体管的栅极重叠。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其中所述源极信号线与所述第一晶体管重叠。
19.根据权利要求17所述的发光器件，
其中所述半导体层的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中，L×W＞200μm2。
20.根据权利要求17所述的发光器件，
其中所述第一晶体管的栅-源电压为VGS，所述第一晶体管的源-漏电压为VDS，而所述第一晶体管的阈值电压为Vth，且
其中所述第一晶体管被驱动以满足：|VDS|＜|VGS|-|Vth|。
21.根据权利要求17所述的发光器件，
其中所述第一晶体管的栅-源电压为VGS，所述第一晶体管的源-漏电压为VDS，而所述第一晶体管的阈值电压为Vth，且
其中所述第一晶体管驱动以满足：|VDS|≥|VGS|-|Vth|，且|VGS|不小于4V但不大于14V。
22.根据权利要求17所述的发光器件，
其中所述半导体层的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中，L＞5W。
23.根据权利要求17所述的发光器件，
其中第一至第三晶体管之中的每个晶体管的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中，所述第一晶体管的L/W、所述第二晶体管的L/W和所述第三晶体管的L/W互不相同。
24.根据权利要求17所述的发光器件，
其中所述第二晶体管电连接于所述第一晶体管，以及
所述第三晶体管电连接于所述第一晶体管、第二晶体管和所述电流源线。
25.根据权利要求24所述的发光器件，其中，将所述第二晶体管和所述第三晶体管设置成使得所述第二晶体管的源区中的一点、所述第二晶体管的漏区中的一点、所述第三晶体管的源区中的一点和所述第三晶体管的漏区中的一点位于一条直线上。
26.一种利用根据权利要求17所述的发光器件的电子设备，
其中该电子设备选自下列设备组：电致发光显示设备、数码静态相机、膝上型电脑、移动计算机、包括记录介质的便携式图像重现装置、眼镜型显示器、摄像机、和移动电话。
27.一种发光器件，包括：
源极信号线；
电流源线；
第一发光元件，所述第一发光元件发红光并且包括发光区；
第二发光元件，所述第二发光元件发绿光并且包括发光区；
第三发光元件，所述第三发光元件发蓝光并且包括发光区；
第一晶体管，它包括半导体层并电连接于所述第一发光元件；
第二晶体管，所述第二晶体管电连接于所述第二发光元件；
第三晶体管，所述第三晶体管电连接于所述第三发光元件，
其中所述源极信号线、电流源线以及第一、第二、第三晶体管中的每个晶体管被安排在形成于隔离相邻发光区的位置处的隔离壁的下面，并且，
其中所述源极信号线的一部分与相应的晶体管重叠。
28.根据权利要求27所述的发光器件，其中源极信号线与所述半导体层重叠。
29.根据权利要求27所述的发光器件，
其中所述半导体层的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中，L×W＞200μm2
30.根据权利要求27所述的发光器件，
其中所述第一晶体管的栅-源电压为VGS，所述第一晶体管的源-漏电压为VDS，而所述第一晶体管的阈值电压为Vth，且
其中所述第一晶体管被驱动以满足：|VDS|＜|VGS|-|Vth|。
31.根据权利要求27所述的发光器件，
其中所述第一晶体管的栅-源电压为VGS，所述第一晶体管的源-漏电压为VDS，而所述第一晶体管的阈值电压为Vth，且
其中所述第一晶体管被驱动以满足：|VDS|≥|VGS|-|Vth|，且|VGS|不小于4V但不大于14V。
32.根据权利要求27所述的发光器件，其中所述半导体层的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中，L＞5W。
33.根据权利要求27所述的发光器件，
其中第一至第三晶体管之中的每个晶体管的沟道长度为L，而沟道宽度为W，且
其中，所述第一晶体管的L/W、所述第二晶体管的L/W和所述第三晶体管的L/W互不相同。
34.根据权利要求27所述的发光器件，
其中所述第二晶体管电连接于所述第一晶体管，以及
所述第三晶体管电连接于所述第一晶体管、第二晶体管和所述电流源线。
35.根据权利要求34所述的发光器件，其中，将第二晶体管和第三晶体管设置成使得所述第二晶体管的源区中的一点、所述第二晶体管的漏区中的一点、所述第三晶体管的源区中的一点和所述第三晶体管的漏区中的一点位于一条直线上。
36.一种利用根据权利要求27所述的发光器件的电子设备，
其中该电子设备选自下列设备组：电致发光显示设备、数码静态相机、膝上型电脑、移动计算机、包括记录介质的便携式图像重现装置、眼镜型显示器、摄像机、和移动电话。
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