CN101855586A - 具有与机械及电功能分离的光学功能的微机电装置 - Google Patents

具有与机械及电功能分离的光学功能的微机电装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101855586A
CN101855586A CN200880023131A CN200880023131A CN101855586A CN 101855586 A CN101855586 A CN 101855586A CN 200880023131 A CN200880023131 A CN 200880023131A CN 200880023131 A CN200880023131 A CN 200880023131A CN 101855586 A CN101855586 A CN 101855586A
Authority
CN
China
Prior art keywords
active electrode
layer
mems device
substrate
reflecting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200880023131A
Other languages
English (en)
Inventor
克拉伦斯·徐
威廉·卡明斯
布莱恩·J·加利
利奥尔·科格特
董明皓
董叶俊
姜志伟
丹尼斯·恩迪施
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm MEMS Technologies Inc
Original Assignee
Qualcomm MEMS Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm MEMS Technologies Inc filed Critical Qualcomm MEMS Technologies Inc
Publication of CN101855586A publication Critical patent/CN101855586A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0035Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
    • B81B3/0051For defining the movement, i.e. structures that guide or limit the movement of an element
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • G02B26/023Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light comprising movable attenuating elements, e.g. neutral density filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04Optical MEMS
    • B81B2201/047Optical MEMS not provided for in B81B2201/042 - B81B2201/045
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0128Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on electro-mechanical, magneto-mechanical, elasto-optic effects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133621Illuminating devices providing coloured light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3433Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices
    • G09G3/3466Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices based on interferometric effect
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3696Generation of voltages supplied to electrode drivers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making

Abstract

本发明提供一种微机电(MEMS)装置(1300),其包含衬底(20)、所述衬底(20)上的可移动元件(1340)及所述可移动元件(1340)上的激活电极(142)。所述可移动元件(1340)包含可变形层(1302)及反射元件(1314)。所述可变形层(1302)与所述反射元件(1314)间隔开。

Description

具有与机械及电功能分离的光学功能的微机电装置
相关申请案的交叉参考
本申请案为2005年4月22日申请的美国专利申请案第11/112,734号的部分接续申请案,其主张2004年9月27日申请的美国临时申请案第60/613,486号及2004年9月27日申请的美国临时申请案第60/613,499号的权利,所述申请案的全文被以引用的方式并入本文中。
背景技术
微机电系统(MEMS)包含微机械元件、激活器和电子装置。可使用沉积、蚀刻和/或其它蚀刻掉衬底和/或已沉积材料层的部分或者添加层以形成电装置和机电装置的微加工工艺来产生微机械元件。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。如本文所使用,术语干涉式调制器或干涉式光调制器指的是一种使用光学干涉原理选择性地吸收且/或反射光的装置。在某些实施例中,干涉式调制器可包括一对导电板,其中之一或两者可能整体或部分透明且/或具有反射性,且能够在施加适当电信号时进行相对运动。在特定实施例中,一个板可包括沉积在衬底上的固定层,另一个板可包括通过气隙与固定层分离的金属薄膜。如本文更详细描述,一个板相对于另一个板的位置可改变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉。这些装置具有广范围的应用,且在此项技术中,利用且/或修改这些类型装置的特性使得其特征可被发掘用于改进现有产品和创建尚未开发的新产品,将是有益的。
发明内容
本发明的系统、方法及装置各自具有若干方面,所述方面的任何单一方面均不单独负责其所希望的属性。在不限制本发明的范围的情况下,现将简洁地论述其较突出的特征。在考虑了此论述之后,且尤其在阅读了题为“具体实施方式”的章节之后,将理解本发明的特征如何提供优于其它显示器装置的优点。
在某些实施例中,一种微机电(MEMS)装置包括衬底、所述衬底上的可移动元件及所述可移动元件上的激活电极。所述可移动元件包括可变形层及反射元件。所述可变形层与所述反射元件间隔开。
在某些实施例中,一种微机电(MEMS)装置包括用于移动所述装置的一部分的装置、用于支撑移动装置的装置及用于激活所述移动装置的装置。所述激活装置位于所述移动装置上。所述移动装置包括用于变形的装置及用于反射的装置。所述变形装置与所述反射装置间隔开。
在某些实施例中,一种制造微机电(MEMS)装置的方法包括:在衬底上形成第一牺牲层、在所述第一牺牲层上形成反射元件、在所述反射元件上形成第二牺牲层、在所述第二牺牲层上形成可变形层、在所述可变形层上形成第三牺牲层、在所述第三牺牲层上形成激活电极,及移除所述第一、所述第二及所述第三牺牲层。所述可变形层以机械方式耦合到所述反射元件。
在某些实施例中,一种调制光的方法包括提供包括衬底、所述衬底上的可移动元件及激活电极的显示器元件。所述可移动元件包括可变形层及反射元件。所述可变形层与所述反射元件间隔开。所述激活电极位于所述可移动元件上。所述方法进一步包括将电压施加到所述激活电极。所述电压对所述可移动元件产生吸引力,从而使所述可移动元件远离所述衬底移动。
附图说明
图1是描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图,其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于释放位置,且第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置。
图2是说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。
图3是图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜位置对所施加电压的图。
图4是可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行和列电压的说明。
图5A说明图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示器数据的一个示范性帧。
图5B说明可用于写入图5A的帧的行和列信号的一个示范性时序图。
图6A和图6B是说明包括多个干涉式调制器的视觉显示器装置的实施例的系统框图。
图7A是图1的装置的横截面。
图7B是干涉式调制器的替代实施例的横截面。
图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的横截面。
图7D是干涉式调制器的又一替代实施例的横截面。
图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的横截面。
图8为说明产生的光的光谱特性的实例干涉式调制器的侧横截面图。
图9为若干实例干涉式调制器的镜的反射率对波长的图解说明。
图10为说明可由包含红、绿及蓝干涉式调制器的实例集合的彩色显示器产生的颜色的色度图。
图11为实例多状态干涉式调制器的侧横截面图。
图12A到图12C为另一实例多状态干涉式调制器的侧横截面图。
图13A为具有与电功能及机械功能分离的光学功能的MEMS装置的实例实施例的横截面图。
图13B为在激活状态下的图13A的MEMS装置的横截面图。
图13C为具有与电气功能及机械功能分离的光学功能的MEMS装置的另一实例实施例的横截面图。
图14A为具有与电功能及机械功能分离的光学功能的MEMS装置的又一实例实施例的横截面图。
图14B及图14C为在激活状态下的图14A的MEMS装置的横截面图。
图15A及图15B为具有与电功能及机械功能分离的光学功能的MEMS装置的激活电极的实施例的放大横截面图。
图16A为具有与电功能及机械功能分离的光学功能的MEMS装置的再一实例实施例的横截面图。
图16B及图16C为在激活状态下的图16A的MEMS装置的横截面图。
图17A到图17H示意性说明用于形成具有与电功能及机械功能分离的光学功能的MEMS装置的实施例的一系列实例处理步骤。
图18A到图18G示意性说明用于形成具有与电功能及机械功能分离的光学功能的MEMS装置的另一实施例的一系列实例处理步骤。
图19A到图19D示意性说明用于形成具有与电功能及机械功能分离的光学功能的MEMS装置的又一实施例的一系列实例处理步骤。
具体实施方式
以下详细描述针对本发明的某些特定实施例。然而,本发明可以许多不同方式实施。在本描述内容中参看了附图,附图中所有相同部分用相同标号表示。如从以下描述中将了解,所述实施例可实施在经配置以显示不论运动(例如,视频)还是固定(例如,静止图像)的且不论文字还是图画的图像的任何装置中。更明确地说,预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联,所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如,里程表显示器等)、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如,车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如,一件珠宝上的图像显示器)。具有与本文中描述的装置类似的结构的MEMS装置也可用于例如电子切换装置的非显示器应用中。此外,本文中的所有图已经绘制来描绘某些元件之间的关系,且因此为高度图解性的且不应被考虑为按比例的。
在某些实施例中,提供安置在可移动元件的反射元件及可变形层上的激活电极。所述激活电极不处于光学路径中,此允许其包括非透明导体且较厚,从而改进功率消耗。在一些实施例中,所述可变形层而非反射表面接触MEMS装置的固定部分,这又减小了静摩擦、弹簧常数、静电力及电容器面积,因此启用快速且低功率操作。在一些实施例中,表面粗糙化及其它抗静摩擦特征可形成于激活电极与可变形层之间,而并不影响光学性能,因为所述特征不处于光学路径中。在一些实施例中,在激活之后,反射表面并不接触任何事物,从而允许其大体上平滑且平坦,而无静摩擦危险。在一些实施例中,将第二激活电极提供于可移动元件下或可变形层与反射表面之间,使得反射表面在至少三个状态下稳定。
图1中说明包括干涉式MEMS显示器元件的一个干涉式调制器显示器的实施例。在这些装置中,像素处于明亮状态或黑暗状态。在明亮(“接通”或“开启”)状态下,显示器元件将入射可见光的大部分反射到用户。当在黑暗(“断开”或“关闭”)状态下时,显示器元件将极少的入射可见光反射到用户。依据实施例而定,可颠倒“接通”和“断开”状态的光反射性质。MEMS像素可经配置以主要在选定颜色下反射,除了黑与白之外,其还允许彩色显示。
图1是描述视觉显示器的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图,其中每一像素包括MEMS干涉式调制器。在一些实施例中,干涉式调制器显示器包括这些干涉式调制器的一行/列阵列。每一干涉式调制器包含一对反射层,其定位成彼此相距可变且可控制的距离以形成具有至少一个可变尺寸的谐振光学腔。在一个实施例中,可在两个位置之间移动所述反射层之一。在第一位置(本文中称为松弛位置)中,可移动反射层定位成距固定部分反射层相对较大的距离。在第二位置(本文中称为激活位置)中,可移动反射层定位成更紧密邻近所述部分反射层。视可移动反射层的位置而定,从所述两个层反射的入射光相长地或相消地进行干涉,从而为每一像素产生全反射状态或非反射状态。
图1中像素阵列的所描绘部分包含两个相邻干涉式调制器12a和12b。在左侧干涉式调制器12a中,说明可移动反射层14a处于距包含部分反射层的光学堆叠16a预定距离处的松弛位置中。在右侧干涉式调制器12b中,说明可移动反射层14b处于邻近于光学堆叠16b的激活位置中。
如本文所引用的光学堆叠16a和16b(统称为光学堆叠16)通常包括若干熔合层(fused layer),所述熔合层可包含例如氧化铟锡(ITO)的电极层、例如铬的部分反射层和透明电介质。因此,光学堆叠16是导电的、部分透明且部分反射的,且可通过(例如)将上述层中的一个或一个以上层沉积到透明衬底20上来制造。部分反射层可由为部分反射的多种材料(例如,各种金属、半导体及电介质)形成。部分反射层可由一个或一个以上材料层形成,且层中的每一者可由单一材料或材料的组合形成。
在一些实施例中,光学堆叠16的层经图案化成为多个平行条带,且如下文中进一步描述,可在显示器装置中形成行电极。可移动反射层14a、14b可形成为沉积金属层(一层或多层)的一系列平行条带(与行电极16a、16b垂直),所述金属层沉积在柱18和沉积于柱18之间的介入牺牲材料的顶部上。当蚀刻去除牺牲材料时,可变形金属层14a、14b通过所界定的气隙19而与光学堆叠16a、16b分离。例如铝的高度导电且反射的材料可用于反射层14,且这些条带可在显示器装置中形成列电极。
在不施加电压的情况下,间隙19保留在可移动反射层14a与光学堆叠16a之间,其中可移动反射层14a处于机械松弛状态,如图1中像素12a所说明。然而,当将电位差施加到选定的行和列时,形成在相应像素处的行电极与列电极的交叉处的电容器变得带电,且静电力将所述电极拉在一起。如果电压足够高,那么可移动反射层14变形且被迫抵靠光学堆叠16。光学堆叠16内的介电层(在此图中未图示)可防止短路并控制层14与16之间的分离距离,如图1中右侧的像素12b所说明。不管所施加的电位差的极性如何,表现均相同。以此方式,可控制反射像素状态对非反射像素状态的行/列激活在许多方面类似于常规LCD和其它显示技术中所使用的行/列激活。
图2到图5说明在显示器应用中使用干涉式调制器阵列的一个示范性工艺和系统。
图2是说明可并入有本发明各方面的电子装置的一个实施例的系统框图。在所述示范性实施例中,所述电子装置包含处理器21,其可为任何通用单芯片或多芯片微处理器(例如ARM、
Figure G2008800231314D00061
Pentium
Figure G2008800231314D00062
PentiumPentium
Figure G2008800231314D00064
Figure G2008800231314D00065
Pro、8051、
Figure G2008800231314D00066
Power
Figure G2008800231314D00067
),或任何专用微处理器(例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列)。如此项技术中常规的做法,处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除了执行操作系统外,所述处理器可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序,包含网络浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
在一个实施例中,处理器21还经配置以与阵列驱动器22通信。在一个实施例中,所述阵列驱动器22包含将信号提供到显示器阵列或面板30的行驱动器电路24和列驱动器电路26。在图2中以线1-1展示图1中说明的阵列的横截面。对于MEMS干涉式调制器来说,行/列激活协议可利用图3中说明的这些装置的滞后性质。可能需要(例如)10伏的电位差来促使可移动层从松弛状态变形为激活状态。然而,当电压从所述值减小时,可移动层在电压降回10伏以下时维持其状态。在图3的示范性实施例中,可移动层直到电压降到2伏以下时才完全松弛。因此,在图3中所说明的实例中,存在约3到7V的电压范围,在所述范围内,装置在松弛状态或激活状态中均是稳定的。此窗口在本文中称为“滞后窗口”或“稳定窗口”。对于具有图3的滞后特性的显示器阵列来说,可设计行/列激活协议使得在行选通期间,已选通行中待激活的像素暴露于约10伏的电压差,且待松弛的像素暴露于接近零伏的电压差。在选通之后,所述像素暴露于约5伏的稳态电压差使得其维持在行选通使其所处的任何状态中。在此实例中,每一像素在被写入之后经历3-7伏的“稳定窗口”内的电位差。此特征使图1中说明的像素设计在相同的施加电压条件下在激活或松弛预存在状态下均是稳定的。因为干涉式调制器的每一像素(不论处于激活还是松弛状态)本质上是由固定反射层和移动反射层形成的电容器,所以可在滞后窗口内的一电压下维持此稳定状态而几乎无功率消耗。本质上,如果所施加的电压是固定的,那么没有电流流入像素中。
在典型应用中,可通过根据第一行中所需组的激活像素断言所述组列电极来产生显示帧。接着将行脉冲施加到行1电极,从而激活对应于所断言的列线的像素。接着改变所述组已断言列电极以对应于第二行中所需组的激活像素。接着将脉冲施加到行2电极,从而根据已断言的列电极而激活行2中的适当像素。行1像素不受行2脉冲影响,且维持在其在行1脉冲期间被设定的状态中。可以连续方式对整个系列的行重复此过程以产生帧。通常,通过以每秒某一所需数目的帧的速度连续地重复此过程来用新的显示器数据刷新且/或更新所述帧。用于驱动像素阵列的行和列电极以产生显示帧的广泛种类的协议也是众所周知的且可结合本发明使用。
图4、图5A和图5B说明用于在图2的3×3阵列上形成显示帧的一个可能的激活协议。图4说明可用于使像素展示出图3的滞后曲线的一组可能的列和行电压电平。在图4实施例中,激活像素涉及将适当列设定为-Vbias,且将适当行设定为+ΔV,其分别可对应于-5伏和+5伏。释放像素是通过将适当列设定为+Vbias,且将适当行设定为相同的+ΔV,从而在像素上产生零伏电位差而实现的。在行电压维持在零伏的那些行中,不管列处于+Vbias还是-Vbias,像素在任何其最初所处的状态中均是稳定的。同样如图4中所说明,将了解,可使用具有与上述电压的极性相反的极性的电压,例如,激活像素可涉及将适当列设定为+Vbias,且将适当行设定为-ΔV。在此实施例中,释放像素是通过将适当列设定为-Vbias,且将适当行设定为相同的-ΔV,从而在像素上产生零伏电位差而实现的。同样如图4中所说明,将了解,可使用具有与上述电压的极性相反的极性的电压,例如,激活像素可涉及将适当列设定为+Vbias,且将适当行设定为-ΔV。在此实施例中,释放像素是通过将适当列设定为-Vbias,且将适当行设定为相同的-ΔV,从而在像素上产生零伏电位差而实现的。
图5B是展示施加到图2的3×3阵列的一系列行和列信号的时序图,所述系列的行和列信号将产生图5A中说明的显示器布置,其中被激活像素为非反射的。在对图5A中说明的帧进行写入之前,像素可处于任何状态,且在本实例中所有行均处于0伏,且所有列均处于+5伏。在这些所施加的电压的情况下,所有像素在其既有的激活或松弛状态中均是稳定的。
在图5A的帧中,像素(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)和(3,3)被激活。为了实现此目的,在行1的“线时间(line time)”期间,将列1和2设定为-5伏,且将列3设定为+5伏。因为所有像素均保留在3-7伏的稳定窗口中,所以这并不改变任何像素的状态。接着用从0升到5伏且返回零的脉冲选通行1。这激活(1,1)和(1,2)像素且释放(1,3)像素。阵列中其它像素均不受影响。为了视需要设定行2,将列2设定为-5伏,且将列1和3设定为+5伏。施加到行2的相同选通接着将激活像素(2,2)且松弛像素(2,1)和(2,3)。同样,阵列中其它像素均不受影响。通过将列2和3设定为-5伏且将列1设定为+5伏来类似地设定行3。行3选通设定行3像素,如图5A中所示。在对帧进行写入之后,行电位为零,且列电位可维持在+5或-5伏,且接着显示器在图5A的布置中是稳定的。将了解,可将相同程序用于数十或数百个行和列的阵列。还将应了解,用于执行行和列激活的电压的时序、序列和电平可在上文所概述的一般原理内广泛变化,且上文的实例仅为示范性的,且任何激活电压方法均可与本文描述的系统和方法一起使用。
图6A和图6B是说明显示器装置40的实施例的系统框图。显示器装置40可为(例如)蜂窝式电话或移动电话。然而,显示器装置40的相同组件或其稍微变化形式也说明例如电视和便携式媒体播放器的各种类型的显示器装置。
显示器装置40包含外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48和麦克风46。外壳41通常由所属领域的技术人员众所周知的多种制造工艺的任一者形成,所述工艺包含注射模制和真空成形。另外,外壳41可由多种材料的任一者制成,所述材料包含(但不限于)塑料、金属、玻璃、橡胶和陶瓷,或其组合。在一个实施例中,外壳41包含可去除部分(未图示),所述可去除部分可与其它具有不同颜色或含有不同标记、图画或符号的可去除部分互换。
如本文中所描述,示范性显示器装置40的显示器30可为包含双稳态显示器(bi-stable display)在内的多种显示器的任一者。在其它实施例中,如所属领域的技术人员众所周知,显示器30包含例如如上所述的等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD的平板显示器,或例如CRT或其它电子管装置的非平板显示器。然而,出于描述本实施例的目的,如本文中所描述,显示器30包含干涉式调制器显示器。
图6B中示意说明示范性显示器装置40的一个实施例的组件。所说明的示范性显示器装置40包含外壳41且可包含至少部分封围在所述外壳41中的额外组件。举例来说,在一个实施例中,示范性显示器装置40包含网络接口27,所述网络接口27包含耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21,处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如,对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45和麦克风46。处理器21也连接到输入装置48和驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28且耦合到阵列驱动器22,所述阵列驱动器22进而耦合到显示器阵列30。根据特定示范性显示器装置40设计的要求,电源50将功率提供到所有组件。
网络接口27包含天线43和收发器47使得示范性显示器装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。在一个实施例中,网络接口27也可具有某些处理能力以减轻对处理器21的要求。天线43是所属领域的技术人员已知的用于发射和接收信号的任何天线。在一个实施例中,所述天线根据IEEE 802.11标准(包含IEEE 802.11(a)、(b)或(g))来发射和接收RF信号。在另一实施例中,所述天线根据蓝牙(BLUETOOTH)标准来发射和接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下,所述天线经设计以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在无线手机网络内通信的已知信号。收发器47预处理从天线43接收到的信号,使得处理器21可接收所述信号并进一步对所述信号进行处理。收发器47还处理从处理器21接收到的信号使得可经由天线43从示范性显示器装置40发射所述信号。
在一替代实施例中,收发器47可由接收器代替。在又一替代实施例中,网络接口27可由可存储或产生待发送到处理器21的图像数据的图像源代替。举例来说,所述图像源可为数字视频光盘(DVD)或含有图像数据的硬盘驱动器,或产生图像数据的软件模块。
处理器21大致上控制示范性显示器装置40的全部操作。处理器21接收例如来自网络接口27或图像源的压缩图像数据的数据,并将所述数据处理成原始图像数据或处理成易被处理成原始图像数据的格式。处理器21接着将已处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常是指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。举例来说,这些图像特性可包含颜色、饱和度和灰度级。
在一个实施例中,处理器21包含微控制器、CPU或逻辑单元以控制示范性显示器装置40的操作。调节硬件52通常包含放大器和滤波器,以用于将信号发射到扬声器45,且用于从麦克风46接收信号。调节硬件52可为示范性显示器装置40内的离散组件,或可并入在处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据,并适当地重新格式化所述原始图像数据以供高速发射到阵列驱动器22。具体来说,驱动器控制器29将原始图像数据重新格式化为具有类似光栅的格式的数据流,使得其具有适于在显示器阵列30上进行扫描的时间次序。接着,驱动器控制器29将已格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常与系统处理器21关联而作为独立的集成电路(IC),但可以许多方式实施这些控制器。其可作为硬件嵌入处理器21中,作为软件嵌入处理器21中,或与阵列驱动器22完全集成在硬件中。
通常,阵列驱动器22从驱动器控制器29接收已格式化的信息且将视频数据重新格式化为一组平行波形,所述波形以每秒多次的速度被施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百且有时数千个引线。
在一个实施例中,驱动器控制器29、阵列驱动器22和显示器阵列30适用于本文描述的任意类型的显示器。举例来说,在一个实施例中,驱动器控制器29是常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如,干涉式调制器控制器)。在另一实施例中,阵列驱动器22是常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如,干涉式调制器显示器)。在一个实施例中,驱动器控制器29与阵列驱动器22集成。此实施例在例如蜂窝式电话、手表和其它小面积显示器的高度集成系统中是普遍的。在又一实施例中,显示器阵列30是典型的显示器阵列或双稳态显示器阵列(例如,包含干涉式调制器阵列的显示器)。
输入装置48允许用户控制示范性显示器装置40的操作。在一个实施例中,输入装置48包含例如QWERTY键盘或电话键区的键区、按钮、开关、触敏屏幕或压敏或热敏薄膜。在一个实施例中,麦克风46是用于示范性显示器装置40的输入装置。当使用麦克风46将数据输入到所述装置时,用户可提供声音命令以便控制示范性显示器装置40的操作。
电源50可包含此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说,在一个实施例中,电源50是例如镍镉电池或锂离子电池的可再充电电池。在另一实施例中,电源50是可再生能源、电容器或太阳能电池,包含塑料太阳能电池和太阳能电池涂料。在另一实施例中,电源50经配置以从壁式插座接收功率。
在某些实施例中,如上文中所描述,控制可编程性驻存在驱动器控制器中,所述驱动器控制器可位于电子显示器系统中的若干位置中。在某些实施例中,控制可编程性驻存在阵列驱动器22中。所属领域的技术人员将了解,上述优化可实施在任何数目的硬件和/或软件组件中且可以各种配置实施。
根据上文陈述的原理而操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛变化。举例来说,图7A-7E说明移动镜结构的五个不同实施例。图7A是图1的实施例的横截面,其中金属材料条带14沉积在垂直延伸的支撑件18上。在图7B中,可移动反射材料14在系链(tether)32上仅在隅角处附接到支撑件。在图7C中,可移动反射层14从可包括柔性金属的可变形层34悬置下来。所述可变形层34直接或间接地连接到围绕可变形层34的周边的衬底20。这些连接在本文中称为支柱。图7D中说明的实施例具有支柱插塞42,可变形层34搁置在所述支柱插塞42上。如图7A-7C所示,可移动反射层14保持悬置在间隙上方,但可变形层34并不通过填充可变形层34与光学堆叠16之间的孔而形成所述支柱。而是,支柱由平坦化材料形成,其用于形成支柱插塞42。图7E中说明的实施例是基于图7D中展示的实施例,但也可适于与图7A-7C中说明的实施例以及未图示的额外实施例的任一者一起发挥作用。在图7E中所示的实施例中,已使用金属或其它导电材料的额外层来形成总线结构44。这允许信号沿着干涉式调制器的背面进行路由,从而消除许多原本可能必须形成在衬底20上的电极。
在例如图7中所示的那些实施例的实施例中,干涉式调制器充当直接观看装置,其中从透明衬底20的前侧观看图像,所述侧与上面布置有调制器的一侧相对。在这些实施例中,反射层14以光学方式遮蔽在反射层的与衬底20相对侧的干涉式调制器的部分,其包含可变形层34。这允许对遮蔽区域进行配置和操作而不会消极地影响图像质量。此遮蔽允许图7E中的总线结构44,其提供使调制器的光学性质与调制器的机电性质分离的能力,例如,寻址或由所述寻址引起的移动。这种可分离的调制器结构允许选择用于调制器的机电方面和光学方面的结构设计和材料且使其彼此独立而发挥作用。此外,图7C-7E中所示的实施例具有源自反射层14的光学性质与其机械性质脱离的额外益处,所述益处由可变形层34执行。这允许用于反射材料14的结构设计和材料可在光学性质方面得以优化,且用于可变形层34的结构设计和材料可在所需的机械性质方面得以优化。
上述干涉式调制器的实施例在反射状态(其产生白光或由镜14与光学堆叠16的部分反射层之间的距离确定的彩色光)或在非反射(例如,黑)状态中的一者下操作。在其它实施例中,例如,在美国专利第5,986,796号中揭示的实施例,可移动镜14可经定位于相对于光学堆叠16中的部分反射层的位置范围处以使谐振间隙19的大小发生变化,且因此使反射光的颜色发生变化。
图8为说明将通过将可移动镜14定位于位置111-115的范围处而产生的光的光谱特性的实例干涉式调制器12的侧横截面图。如上所论述,行与列电极之间的电位差使可移动镜14偏转。调制器12包含充当列电极的氧化铟锡(ITO)导电层102。在实例调制器12中,镜14包含行电极。
在一个实施例中,将例如氧化铝(Al2O3或“矾土”)的材料的介电层106定位于形成光学堆叠16的反射表面的部分反射材料104(例如,包括铬)的层上。如以上参考图1所论述,介电层106抑制短路且当镜14偏转时控制镜14与部分反射层104之间的分离距离。形成于镜14与部分反射层104之间的光学腔因此包含介电层106。已为了方便地说明调制器12的目的而选择图8中的物品的相对大小。因此,此类距离及厚度未按比例,且并不希望表示调制器12的任一特定实施例。
图9为具有各种介电层106厚度的若干实例光学堆叠16的反射率对波长的图解说明。水平轴表示入射于光学堆叠上的可见光的波长范围。垂直轴表示在特定波长下的作为入射光的百分比的每一光学堆叠16的反射率。在光学堆叠16不包含介电层106的实施例中,包含铬层的光学堆叠16的反射率大致为75%。包含包括100
Figure G2008800231314D00111
厚矾土层的介电层106的光学堆叠16导致大致65%的反射率,且包含包括200
Figure G2008800231314D00112
厚矾土层的介电层104的光学堆叠16导致大致55%的反射率。如所展示,在这些特定实施例中,反射率并不根据波长而变化。因此,通过调整Al2O3层106的厚度,可在可见光谱上始终如一地控制光学堆叠16的反射率以允许选择干涉式调制器12的特定性质。在某些实施例中,介电层106包括具有约50
Figure G2008800231314D00113
与250
Figure G2008800231314D00114
之间的厚度的Al2O3层。在某些其它实施例中,介电层106包括具有约50与100
Figure G2008800231314D00116
之间的厚度的Al2O3层及具有约400
Figure G2008800231314D00117
与2,000
Figure G2008800231314D00118
之间的厚度的块体SiO2层。
如上所论述,调制器12包含形成于镜14与光学堆叠16的反射表面之间的光学腔。光学腔的特性距离或有效光学路径长度L确定光学腔19及(因此)干涉式调制器12的谐振波长λ。干涉式调制器12的谐振波长λ大体对应于由调制器12反射的光的察觉的颜色。在数学上,距离L=1/2×N×λ,其中N为整数。给定谐振波长λ因此由具有λ/2(N=1)、λ(N=2)、3λ/2(N=3)等的距离L的干涉式调制器12反射。整数N可被称作反射光的干涉的“级(order)”。如本文中所使用,调制器12的级还指当镜14处于至少一个位置中时由调制器12反射的光的级N。举例来说,第一级红色干涉式调制器12可具有约325nm的距离L,其对应于约650nm的波长λ。因此,第二级红色干涉式调制器12可具有约650nm的距离L。通常,较高级调制器12反射较窄波长范围上的光,且因此产生较饱和的有色光。
注意,在某些实施例中,距离L大体上等于镜14与部分反射层104之间的距离。在镜14与部分反射层104之间的空间仅包括具有大致1的折射率的气体(例如,空气)的情况下,有效光学路径长度大体上等于镜14与部分反射层104之间的距离L。在包含具有大于一的折射率的介电层106的实施例中,通过选择镜14与部分反射层104之间的距离且通过选择介电层106或镜14与部分反射层104之间的任何其它层的厚度及折射率,光学腔19经形成以具有所要的光学路径长度。在一个实施例中,镜14可经偏转到一位置范围内的一个或一个以上位置以输出对应范围的颜色。举例来说,行与列电极之间的电压电位差可经调整以使镜14偏转到相对于部分反射层104的位置范围中的一者。一般来说,通过调整电压的镜位置的最大控制电平在镜14的路径的未偏转位置附近(例如,对于较小偏转,例如,在从镜14的未偏转位置的最大偏转的约1/3内的偏转)。
可移动镜14的特定群组的位置111-115中的每一者在图8中由从部分反射层104延伸到指示位置111-115的箭头点的线表示。因此,距离111-115经选择以计及介电层106的厚度及折射率。当可移动镜14偏转到位置111-115中的每一者(每一者对应一不同距离L)时,调制器12将具有对应于正由调制器12反射的入射光的不同颜色的不同光谱响应的光输出到观看位置101。此外,在位置111处,可移动镜14足够靠近部分反射层104(例如,小于约200
Figure G2008800231314D00121
优选地小于约100
Figure G2008800231314D00122
),使得可忽略干涉效应,且调制器12充当大体上同等地反射入射的可见光的大体上所有颜色(例如,如白光)的镜。引起宽带镜效应,因为距离L对于可见带内的光学谐振来说太小了。镜14因此仅充当关于可见光的反射表面。
随着间隙19增加到位置112,调制器12展现出灰影,因为镜14与部分反射层104之间的增加的间隙19距离减小镜14的反射率。在位置113处,距离L为使得腔19以干涉方式操作,但大体上不反射光的可见波长,因为谐振波长在可见范围之外,从而产生黑色。
随着距离L进一步增加,调制器12的峰值光谱响应移动到可见波长内。因此,当可移动镜14处于位置114处时,调制器12反射蓝光。当可移动镜14处于位置115处时,调制器12反射绿光。当可移动镜14处于未偏转位置116处时,调制器12反射红光。
在使用干涉式调制器12设计显示器过程中,调制器12可经形成使得增加反射光的色饱和度。饱和度指彩色光的色调的强度。高度饱和的色调具有鲜艳的强烈颜色,而较不饱和的色调显得较暗淡且呈灰色。举例来说,产生很窄的波长范围的激光产生高度饱和光。相反,典型的白炽光灯泡产生可具有减小饱和度的红或蓝色的白光。在一些实施例中,调制器12经形成而使距离L对应于较高级干涉(例如,第二级或第三级),以增加反射的颜色光的饱和度。
实例彩色显示器包含红、绿及蓝显示器元件。通过使由红、绿及蓝元件产生的光的相对强度发生变化,可在此显示器中产生其它颜色。例如红、绿及蓝的原色的混合物由人眼察觉为其它颜色。在色系中的红、绿及蓝的相对值可被称作关于人眼的红、绿及蓝光敏感部分的刺激的三色值。一般来说,原色越饱和,则可由显示器产生的颜色范围越大。在其它实施例中,显示器可包含具有界定就原色的集合来说不同于红、绿及蓝的其它色系的颜色集合(例如,红、黄及蓝;洋红、黄及青)的调制器12。
图10为说明可由包含两组实例红、绿及蓝干涉式调制器的彩色显示器产生的颜色的色度图。水平及垂直轴界定色度坐标系统,在所述坐标系统上可描绘光谱三色值。明确地说,点120说明由实例红、绿及蓝干涉式调制器12反射的光的颜色。白光由点122指示。从每一点120到白光的点122的距离(例如,在白光的点122与绿光的点120之间的距离124)指示由对应的调制器12产生的光的饱和度。由三角迹线126包围的区域对应于可通过混合在点120处产生的光而产生的颜色的范围。此颜色范围可被称作显示器的“色域”。
点128指示另一组实例调制器12的光谱响应。如由比点120与点122之间的距离小的点128与白点122之间的距离指示,对应于点128的调制器12产生比对应于点120的调制器12所产生的光不饱和的光。迹线130指示可通过混合点128的光而产生的颜色的范围。如在图10中所示,迹线126包围比迹线130所包围的面积大的面积,其图解说明显示器元件12的饱和度与显示器的色域的大小之间的关系。
在反射显示器中,使用此类饱和的干涉式调制器12产生的白光倾向于具有对观看者的相对低强度,因为仅小范围的入射波长经反射以形成白光。相比之下,反射宽带白光(例如,大体上所有入射波长)的镜具有较大强度,因为反射了较大范围的入射波长。因此,使用原色的组合以产生白光来设计反射显示器导致显示器的颜色饱和度及色域与由显示器输出的白光的亮度之间的折衷。
图11为可在一种状态下产生高度饱和彩色光且在另一状态下产生相对强烈的白光的实例多状态干涉式调制器140的侧横截面图。实例调制器140因此从输出的白光的亮度去耦颜色饱和度。调制器140包含定位于两个电极102与142之间的可移动镜14。调制器140还包含形成于镜14的相对侧上作为柱18的第二组柱18a。
在某些实施例中,镜14及部分反射层104中的每一者可为界定执行不同于反射光的功能的反射器或反射部件的层的堆叠的部分。举例来说,在图11的实例调制器中,镜14由例如铝的导电且反射材料的一个或一个以上层形成。因此,镜14还可充当导体。类似地,部分反射层104可由反射材料的一个或一个以上层及导电材料的一个或一个以上层形成,使得执行电极102的功能。此外,镜14及部分反射层104中的每一者还可包含具有其它功能(例如,控制影响镜14的偏转的机械性质)的一个或一个以上层。在一个实施例中,可移动镜14从额外可变形层(例如,结合图7C到图7E所描述)悬置。
在包含反射红、绿及蓝光的调制器12的一个实施例中,将不同的反射材料用于反射不同颜色的调制器12的镜14,使得改进此类调制器12的光谱响应。举例来说,在经配置以反射红光的调制器12中,可移动镜14可包含金。
在一个实施例中,可将介电层144、144a定位于导体142的任一侧上。介电层144a及106有利地抑制镜14的导电部分与调制器140的其它部分之间的电短路。在一个实施例中,部分反射层104及电极102共同地形成反射部件。
在某些实施例中,部分反射层104与未经驱动位置中的可移动镜14之间的距离对应于其中调制器140为非反射性或“黑”的光学路径长度L。在某些实施例中,部分反射层104与可移动镜14(当朝向部分反射层104驱动时)之间的光学路径长度L对应于其中调制器140反射白光的光学路径长度L。在示范性实施例中,部分反射层104与可移动镜14(当朝向导体142驱动时)之间的距离对应于其中调制器140反射例如红、蓝或绿等颜色的光的光学路径长度L。在某些实施例中,未经驱动的可移动镜14与部分反射层104之间的距离L大体上等于未经驱动的可移动镜14与电极142之间的距离L。可认为此类实施例是定位于单一可移动镜14周围的两个调制器。
当无或有小的电压电位差被施加于镜14与电极102或电极142之间时,镜14并不相对于部分反射层104而偏转以界定对应于未经驱动的状态的第一光学路径长度。当将第一电压电位差施加于镜14与电极102之间时,镜14朝向部分反射层104偏转以界定对应于第一经驱动状态的第二光学路径长度。在此第一经驱动状态下,可移动镜14比在未经驱动状态下靠近部分反射层104。当将第二电压电位差施加于镜14与电极142之间时,镜14远离部分反射层104偏转以界定对应于第二经驱动状态的第三光学路径长度。在此第二经驱动状态下,可移动镜14比在未经驱动状态下远离部分反射层104。在某些实施例中,通过将电压电位差施加于镜14与电极102之间及镜14与电极142之间,实现第一经驱动状态及第二经驱动状态中的至少一者。在某些实施例中,第二电压差经选择以提供镜14的所要偏转。
如在图11中所说明,在第一经驱动状态下,镜14偏转到由虚线159指示的位置。在示范性调制器140中,此第一经驱动状态下的镜14与部分反射层104之间的距离对应于介电层106的厚度。在示范性调制器140中,镜14充当此经驱动位置中的宽带镜,其大体上反射光的所有可见波长。因此,当由宽带白光照明时,调制器140产生宽带白光。
在第二经驱动状态下,镜14偏转到由虚线158指示的位置。在示范性调制器140中,此距离对应于例如蓝光的光的颜色。在未经驱动状态下,镜14经如图11中所示定位。在未偏转位置中,镜14与部分反射层104间隔开一距离,使得大体上无可见光被反射,例如,“断开”或非反射状态。因此,调制器140界定具有至少三个离散状态的干涉式调制器。在其它实施例中,在三个状态下的可移动镜14的位置可经选择使得按需要产生不同的颜色集合,包含黑与白。
在一个实施例中,光经由衬底20进入调制器12且被输出到观看位置141。在另一实施例中,在图11中说明的层的堆叠经颠倒,其中层144最靠近衬底20,而非层102。在某些此类实施例中,可经由堆叠的与衬底20相对的侧而非经由衬底20来观看调制器12。在一个此实施例中,二氧化硅层形成于ITO层102上以电隔离ITO层102。
如上所指出,在调制器140中具有用于输出白光的单独状态从调制器的影响白色输出的亮度的性质去耦调制器的控制颜色饱和度的性质的选择。调制器140的距离及其它特性可因此经选择以提供高度饱和的颜色,而不影响在第一状态下产生的白光的亮度。举例来说,在示范性彩色显示器中,红、绿及蓝调制器140中的一者或一者以上可经形成具有对应于较高干涉级的光学路径长度。
可使用此项技术中已知且例如以上关于调制器12描述的光刻技术来形成调制器140。举例来说,可通过将一个或一个以上铬层沉积于大体上透明的衬底20上来形成部分反射层104。可通过将例如ITO的透明导体的一个或一个以上层沉积于衬底20上来形成电极102。导体层经图案化为平行条带,且可形成电极的列。可移动镜14可形成为沉积于柱18及沉积于柱18之间的插入的牺牲材料的顶部上的沉积的金属层的一系列平行条带(例如,经大体上正交于列电极102而定向)。经由上述层中的一者或一者以上的通孔可经提供使得蚀刻剂气体(例如,在牺牲层包括钼的实施例中的二氟化氙(XeF2))可到达牺牲层。当牺牲材料被蚀刻掉时,可变形金属层与光学堆叠分离开一气隙。可将例如铝的高度导电且反射材料用于可变形层,且这些条带可形成显示器装置中的行电极。通过将柱18a沉积于可移动镜14上、将插入牺牲材料沉积于柱18a之间、将例如铝的一个或一个以上导体层沉积于柱18a的顶部上且将导电层沉积于牺牲材料上,可形成导体142。当牺牲材料被蚀刻掉时,导电层可充当电极142,其与镜14分离第二气隙。气隙中的每一者提供一腔,镜14可在所述腔中移动以实现上述状态中的每一者。
如在图11中进一步地说明,在示范性调制器140中,导电性镜14连接到阵列控制器152的行驱动器154。在示范性调制器140中,导体102及142连接到列驱动器156中的单独的列。在一个实施例中,通过根据参看图3及图4描述的方法将适当的电压电位差施加于镜14与列导体102及142之间来选择调制器140的状态。
图12A到图12C说明提供两个以上状态的另一示范性干涉式调制器150。在示范性调制器150中,光学堆叠16包含反射层及导电层两者,使得执行图11的电极102的功能。导电层142还可由第二介电层144a保护且由经由第二组支撑件18a维持于可移动镜14上的某一距离的支撑表面148支撑。
图12A说明调制器150的未经驱动的状态。如同图11的调制器140,图12A到图12C的示范性调制器150的镜14可朝向介电层104偏转(例如,向下),如在图12B中说明的经驱动状态下,且可在反向或相反的方向上偏转(例如,向上),如在图12C中所说明。此“向上”偏转的状态可被叫作“反向经驱动状态”。
如所属领域的技术人员应了解,可以许多方式实现此反向经驱动状态。在一个实施例中,经由使用可在向上方向上静电拉动镜14的额外电荷板或导电层142,实现所述反向经驱动状态,如在图12C中所描绘。示范性调制器150包含基本上为围绕单一可移动镜14对称定位的两个干涉式调制器的调制器。此配置允许光学堆叠16的导电层及导电层142中的每一者在相反方向上吸引镜14。
在某些实施例中,在克服可在镜14紧密接近或接触介电层106时而发展的静电力(静电摩擦)过程中,额外导电层142可用作电极。这些力可包含范德瓦尔斯(van derWaals)力或静电力,以及如由所属领域的技术人员所了解的其它可能性。在一个实施例中,施加到光学堆叠16的导电层的电压脉冲可使可移动镜14进入到图12B的“正常”经驱动状态。类似地,可将下一个电压脉冲施加到导电层142以吸引可移动镜14远离光学堆叠16。在某些实施例中,施加到导电层142的此电压脉冲可用以通过朝向反向经驱动状态驱动可移动镜14来加速可移动镜14从图12B中所说明的经驱动的状态恢复回到图12A中所说明的未经驱动的状态。因此,在某些实施例中,调制器150可在仅两个状态(图12A的未经驱动的状态及图12B的经驱动的状态)下操作,且可将导电层142用作电极来帮助克服摩擦力。在一个实施例中,可每当调制器150从图12B的经驱动的位置改变到图12A的未经驱动的位置时如上所述地驱动导电层142。
如所属领域的技术人员应了解,在每一实施例中并非需要所有这些元件。举例来说,如果在此类实施例的操作中,向上偏转(例如,如在图12C中所展示)的精确的相对量不相关,则导电层142可经定位于距可移动镜14的各种距离处。因此,可能不存在对支撑元件18a、介电层144a或单独的支撑表面148的需要。在这些实施例中,可移动镜14向上偏转得有多远未必重要,而重要地为导电层142经定位以在适当时间吸引镜14,例如,以扯开调制器12。在其它实施例中,如图12C中所示的可移动镜14的位置可导致干涉式调制器150的更改且理想的光学特性。在这些实施例中,在向上方向上的可移动镜14的偏转的精确距离可在改进装置的影响质量过程中相关。
如所属领域的技术人员应了解,用以产生层142、144a及支撑表面148的材料不必分别类似于用以产生对应的层102、104及20的材料。举例来说,光不必穿过层148。另外,如果导电层142经定位于可移动镜14不可到达的其变形的向上位置中,则调制器150可不包含介电层144a。另外,施加到导电层142及可移动镜14的电压可因此基于以上差异而不同。
如所属领域的技术人员应了解,经施加以将可移动镜14从图12B的经驱动状态驱动回到图12A的未经驱动的状态的电压可与用以将可移动镜14从图12A的未经驱动的状态驱动到图12C的向上或反向经驱动状态所需的电压不同,因为导电层142与可移动镜14之间的距离在两个状态下可不同。此类要求可视所要的应用及偏转量而定,且可由所属领域的技术人员鉴于本发明来确定。
在一些实施例中,将力施加于导电层142与可移动镜14之间的力的量或持续时间为使得其仅增加干涉式调制器150在经驱动状态与未经驱动的状态之间转变的速率。由于可将可移动镜14吸引到导电层142或光学堆叠16的导电层(所述导电层位于可移动镜14的相对侧上),所以可提供很简短的驱动力来使可移动镜14与相对层的相互作用变弱。举例来说,在可移动镜14经驱动以与光学堆叠16相互作用时,到相对的导电层142的能量脉冲可用以使可移动镜14与光学堆叠16的相互作用变弱,从而使得可移动镜14较易于移动到未经驱动的状态。
在某些实施例中,MEMS装置包括衬底、在所述衬底上的可移动元件及激活电极。所述可移动元件包括可变形层及与所述可变形层间隔开的反射元件。如上所述,在某些实施例中,使可移动元件的光学性质与可移动元件的机械性质相分离(例如,通过提供可变形层及反射元件)。在某些此类实施例中,通过将激活电极定位于可移动元件上,使可移动元件的光学性质与可移动元件的电性质以及可移动元件的机械性质相分离。
图13A说明在未激活(或“松弛”)状态下的MEMS装置1300的实施例。MEMS装置1300包括在衬底20上的可移动元件1340。可移动元件1340包括可变形层1302及具有反射表面1301的反射元件1314。MEMS装置1300进一步包括在可移动元件1340上的激活电极142。在某些实施例中,可变形层1302由静电力吸引朝向激活电极142,静电力将可变形层1302朝向激活电极142拉动。反射元件1314以机械方式耦合到可变形层1302,使得随着可变形层1302朝向激活电极142移动,反射元件1314的反射表面1301移动一相对于且远离第一反射表面104的对应距离,在一些实施例中,第一反射表面104形成于衬底20上。反射表面1301的移动“接通”或“断开”MEMS装置1300,如上所述。通过从光学功能去耦电功能,可移动元件1340的电作用部分的面积可经减小以小于可移动元件1340的光学部分的面积。
图13B说明在激活状态下的图13A的MEMS装置1300。通过将电压施加到激活电极142而产生的静电吸引力作用于可变形层1302上。可移动元件1340通过在朝向激活电极142的方向(如由箭头1320指示)上移动来对吸引力作出响应。可变形层1302的上表面接触MEMS装置1300的固定部分(例如,绝缘层144a),从而挡止可移动元件1340的移动。
MEMS装置1300进一步包括在衬底20与可变形层1302之间的第一支撑结构(或“柱”)18、在可变形层1302与激活电极142之间的第二支撑结构18a及绝缘层106、144a。其它配置也是可能的。举例来说,虽然所说明的实施例具有由支撑结构18支撑的可变形层1302,但其它实施例也是可能的(例如,如在图7C到图7E中所说明,如下所述)。对于另一实例,在一些实施例中,可省略绝缘层106、144a中的一者或两者。
MEMS装置1300进一步包括光学层(第一反射层)104。在某些实施例中,衬底20包括光学层104(例如,在第一反射层104形成于衬底20上的实施例中)。从反射元件反射入射于反射元件1314上的光。入射光及反射光传播穿过光学层104,但不传播穿过激活电极142(例如,因为激活电极142经定位于反射元件1314上)。因此,与干涉式调制器140、150相对照,MEMS装置1300不具有在光学路径中的电极。
在一些实施例中,可移动元件1340包括连接元件1318,其将可变形层1302与反射元件1314以机械方式耦合在一起。在连接元件1318导电且将可变形层1302与反射元件1314电耦合在一起的实施例中,任何建立于反射元件1314上的电位可经由可变形层1302放电。此放电可减小可在不同电位下从两个导体(例如,反射元件1314及第一反射层104)产生的发弧。在某些实施例中,可移动元件1340进一步包括连接元件1319,如在图13A到图13C中示意性地说明。连接元件1319可为绝缘的(例如,包括SiO2、Al2O3)或导电的(例如,包括镍、铝等)。连接层1319为导电的某些实施例可有利地减小反射元件1314的弯曲及/或倾斜(例如,在用于可变形层1302及反射元件1314的材料具有不同内应力及/或热膨胀系数的实施例中,连接元件1319可减小及/或吸收应力)。
MEMS装置1300进一步包括包括第一层1308及反射层1309的黑掩模1310。入射于黑掩模1310上的光在区1311中在反射层1309与第一反射层104之间反射,且因此由MEMS装置1300吸收,而非被反射。因此,MEMS装置1300的包括黑掩模1310的部分对MEMS装置1300的观看者来说显现为黑色。黑掩模还可用于MEMS装置1300的其它部分中,例如,以防止光的不合需要的调制及/或使不调制光的区的反射比最小化,从而改进对比率。
如在图13A中所说明,在某些实施例中,当无电压施加到激活电极142时,衬底20的顶表面1306与反射元件1314间隔开。在某些替代实施例中,当无电压施加到激活电极142时,衬底20的顶表面1306与反射元件1314接触。图13C说明可变形层1302经配置使得可移动元件1340在松弛状态下负“发射”(例如,朝向衬底20)的MEMS装置1305的实施例。举例来说,可变形层1302与支撑结构18及/或支撑结构18a之间的残余应力可经设计使得在牺牲层的移除后可变形层1302向下偏转。图13C的MEMS装置1305的激活状态可大体上与图13B中所描绘相同。
MEMS装置的响应时间与导体的电阻与电容的乘积成比例。包括在可移动元件1340上的激活电极142的MEMS装置可有利地减小电阻及/或电容,从而减少响应时间。减少响应时间可增加屏幕刷新速率且增强时间调制。除了减少响应时间之外,减小MEMS装置的电容可减少MEMS装置的功率消耗。
在激活电极102处于MEMS装置的光学路径中的实施例(例如,如在图8中所描绘)中,其包括对光透明的材料,例如(但不限于)ITO、ZnTO、氧化铟锌(IZO)及氧化铟(IO)。一般来说,与不透明导体相比,透明导体具有不良的电阻,对于包括透明激活电极102的MEMS装置,此可导致不良的功率耗散及高的电时间常数。然而,可移动元件1340上的激活电极142不处于光学路径中,此允许激活电极142包括不透明导体,例如,铝、铜、银、金等以及透明导体。包括不透明激活电极142的某些MEMS装置可有利地具有比包括透明激活电极102的MEMS装置低的功率耗散及/或短的电响应时间,因为不透明导体可具有比透明导体低的电阻。
例如ITO的某些透明导体对高温工艺敏感,使得在形成激活电极102后,MEMS装置的最大处理温度受到限制。举例来说,在大约350℃及更高的温度下,ITO降级,从而增加包括ITO的激活电极102的电阻率。因此,通常不对包括ITO的结构执行某些工艺(例如,大于350℃的化学气相沉积(CVD))。然而,包括可移动元件1340上的激活电极142的MEMS装置可具有包括可承受高温处理的多种导体的激活电极142,其增加对于MEMS装置的组件的处理灵活性。举例来说,可在高温下执行某些沉积。对于另一实例,某些沉积工艺可为CVD而非物理气相沉积(PVD)(例如,溅镀),此可增强沉积保形性及均匀性。此外,在激活电极142处于可移动元件1340上的某些实施例中,可在制造过程的末期来形成激活电极142(例如,在已执行高温工艺后)。
光学路径中的激活电极102的厚度受到限制,以便避免不利地影响MEMS装置的光学性质,但可移动元件1340上的激活电极142可具有多种厚度,因为其不处于光学路径中。举例来说,增加激活电极142的厚度可有利地增加导电率,从而减少响应时间及/或MEMS装置的功率消耗。此外,厚激活电极142使得能够使用替代沉积方法(例如,涂布、喷墨印刷、可印刷导体),其可降低制造成本。
在激活电极102处于MEMS装置的光学路径中使得其朝向衬底20拉动镜14的实施例中,镜14大体接触衬底20的顶表面1306(例如,衬底20上的绝缘层106的顶表面),其中衬底20的顶表面1306充当针对镜14的移动的“挡止件”。在镜14的反射表面及衬底20的顶表面1306平坦(例如,以增强色域)的实施例中,表面之间的静摩擦可不利地影响其接触的MEMS装置的操作。例如表面粗糙化及抗静摩擦层的某些特征可用以减小此静摩擦,但那些特征可不利地影响MEMS装置的光学性能。然而,可移动元件1340上的激活电极142允许MEMS装置1300的配置使得可移动元件1340的一部分接触激活电极142且充当针对可移动元件1340的移动的挡止件,而非衬底20的顶表面1306充当挡止件。可移动元件1340的部分接触激活电极142处的界面可有利地适于减小静摩擦,而不影响光学性能,因为其不处于光学路径中。举例来说,绝缘层144a的表面构形可经粗糙化以减少接触点的数目,或者抗静摩擦层可形成于激活电极142上。
透明激活电极102大体处于镜14的整个反射表面下(例如,如在图8中所描绘),使得通过将电压施加到激活电极102而产生的静电力足以激活MEMS装置。因此,在MEMS装置的电容器包括镜14及激活电极102的实施例中,电容器的面积及MEMS装置的电容高。在使用较大镜14(例如,以增强填充因数)的实施例中,MEMS装置可具有甚至更高的电容。电容器包括激活电极142及可变形层1302的上表面的部分(例如,如在图13A中所描绘)的MEMS装置1300可有利地减小电容器的面积且减小MEMS装置1300的电容。
电容器包括激活电极142及可变形层1302的上表面的部分(例如,如在图13A中所描绘)的MEMS装置1300还可有利地减小用以操作MEMS装置的机械力且减小可变形层1302的某些尺寸,因为机械功能至少部分与光学功能分离。在MEMS装置的激活电极142处于可变形层1302与反射元件1314之间且充当针对可变形层1302或反射元件1314的挡止件的某些实施例中,接触面积可比反射表面1301的面积小。较小的接触面积导致较少的静摩擦,因此可使用较低机械力,从而允许减小可变形层1302的尺寸。在电容器包括可变形层1302及激活电极142的实施例中,可变形层1302的减小的尺寸可减小电容器的面积,且因此有利地减小MEMS装置1300的电容及功率消耗。
在激活电极102处于光学路径中的实施例中,MEMS装置的第一与第二反射层之间的距离可忽略(例如,小于约100
Figure G2008800231314D00211
)的高反射率宽带白是不可能的,当绝缘层106如此的薄时,在激活电极102与镜14之间可发生电短路。在激活电极102处于光学路径中的实施例中,MEMS装置的第一与第二反射层之间的距离处于约90nm与110nm之间(例如,约100nm)的低反射率黑也是不可能的,因为绝缘层106减小反射率(例如,如以上关于图9所描述)。
在图8中所说明的实施例中,镜14通过绝缘层106而与激活电极102及第一反射层104电绝缘,如上所述。在MEMS装置包括可移动元件1340上的激活电极142的某些实施例中,绝缘层106可任选地从MEMS装置加以消除,例如,在反射元件1314不接触衬底20的顶表面1306(例如,当松弛状态处于衬底20的顶部上时,如由图13A的MEMS装置1300描绘)的实施例及反射元件1314接触第一反射层104(例如,归因于负发射,如由图13C的MEMS装置1300描绘)的实施例中。绝缘层106的消除允许反射元件1314的反射表面1301与第一反射层104分离一可忽略的距离(例如,小于约100
Figure G2008800231314D00212
或触碰)。反射性MEMS装置的每一界面引起一些反射,因此无绝缘层106的实施例可比包含绝缘层106的实施例产生更好的颜色(例如,更好的黑色)。通过将反射元件1314的反射表面1301与第一反射层104间隔开约100
Figure G2008800231314D00213
与100nm之间,可在无时间调制的情况下产生灰色。
再次参看图13C,松弛状态可产生高反射率宽带白色(例如,通过触碰第一反射层104或与第一反射层104间隔小于约100
Figure G2008800231314D00221
)、低反射率黑色(例如,通过与第一反射层104间隔约100nm)、灰色(例如,通过与第一反射层104间隔约100
Figure G2008800231314D00222
与100nm之间)或彩色(例如,黄、红、蓝等)。
在MEMS装置1300经配置使得反射元件1314与第一反射层104接触或几乎接触使得产生宽带白色的实施例中,反射元件1314与第一反射层104优选地处于同一电位下以便减小其间的可引起发弧的任何静电力或电场。在某些实施例中,反射元件1314与第一反射层104经由可变形层1302电通信,使得其处于同一电位下。在某些实施例中,反射元件1314与可变形层1302电绝缘(例如,使用介电连接元件1319),且第一反射层104也电绝缘,使得其处于同一电位下。为了减小反射元件1314与第一反射层104之间的静摩擦(在其接触的实施例中),可将导电特征(例如,凸块)施加到第一反射层104及/或反射表面1301,但此类特征可负面地影响MEMS装置的光学性能。
在某些实施例中,MEMS装置包括可移动元件上的激活电极142及第二激活电极。如上所述,可移动元件通过大体在第一方向上移动来对施加到可移动元件上的激活电极142的电压作出响应。可移动元件通过大体在大体上与第一方向相反的第二方向上移动;来进一步对施加到第二激活电极的电压作出响应。MEMS装置因此能够稳定地产生至少三个颜色:在松弛状态下的第一颜色、在第一方向上的在激活状态下的第二颜色及在第二方向上的在激活状态下的第三颜色。
图14A说明包括衬底20上的可移动元件1440的MEMS装置1400。可移动元件1440包括可变形层1302及与可变形层1302间隔开且具有反射表面1301的反射元件1314。MEMS装置1400进一步包括可移动元件1440上的激活电极142及处于可变形层1302与反射元件1314之间的第二激活电极902。在图14A中,第二激活电极902由支撑结构18支撑。在某些替代实施例中,第二激活电极902由其它支撑结构(例如,与支撑结构18间隔开)支撑。然而,某些此类实施例可通过占据MEMS装置的可更有利地用于反射元件1314的部分而减小MEMS装置的填充因数。
在可变形层1302与反射元件1314电通信(例如,归因于导电连接元件1418及/或其间的导电连接元件(未图示))的实施例中,可变形层1302与反射元件1314处于同一电位下。在某些此类实施例中,当将电压施加到第二激活电极902时,第一方向(例如,朝向反射元件1314)上的第一吸引力作用于可移动元件1440的第一部分(例如,可变形层1302)上,且第二方向(例如,远离反射元件1314)上的第二吸引力作用于可移动元件1440的第二部分(例如,反射元件1314)上。在某些其它此类实施例中,当将电压施加到第二激活电极902时,第一方向(例如,远离反射元件1314)上的第一吸引力作用于可移动元件1440的第一部分(例如,反射元件1314)上,且第二方向(例如,朝向反射元件1314)上的第二吸引力作用于可移动元件1440的第二部分(例如,可变形层1302)上。所述第二方向大体上与所述第一方向相反。在第一吸引力大于第二吸引力的实施例中,可移动元件1440通过大体在第一方向上(例如,在大体垂直于衬底20的方向上)移动来对第一及第二吸引力作出响应。
图14B说明在第一激活状态下的图14A的MEMS装置1400的实施例。第一吸引力作用于可变形层1302上且第二吸引力作用于反射元件1314上。可移动元件1340通过大体在第一方向上(例如,在大体垂直于衬底20的方向上,如由箭头1420说明)移动来对第一及第二吸引力作出响应。可变形层1302的下表面接触MEMS装置1400的固定部分(例如,第二激活电极902)。在某些此类实施例中,在激活状态下,反射元件1314不接触衬底20的顶表面1306(例如,绝缘层106的顶表面1306或第一反射层104的顶表面1306)。其它实施例也是可能的。举例来说,在可变形层1302的下表面接触MEMS装置1400的固定部分之前,反射元件1314的反射表面1301可接触MEMS装置1400的固定部分(例如,衬底20的顶表面1306)。
图14C说明在第二激活状态下的图14A的MEMS装置1400的实施例。可移动元件1440通过在朝向激活电极142的方向(如由箭头1422指示)上移动来对通过将电压施加到激活电极142而产生的吸引力作出响应。可变形层1302的上表面接触MEMS装置1400的固定部分(例如,绝缘层144a)。在某些实施例中,在激活状态下,反射元件1314不接触第二激活电极902。其它实施例也是可能的。举例来说,在可变形层1302接触MEMS装置1400的固定部分之前,反射元件1314的上表面可接触MEMS装置1400的固定部分(例如,第二激活电极902)。
为了确保响应于施加于第二激活电极902与可移动元件1440之间的电压的位移大体上仅发生于可移动元件1440中(例如,归因于可变形层1302的变形)且大体上不在第二激活电极902中,则第二激活电极902优选地为硬性或刚性。层的硬度与层的厚度的立方成比例。在某些实施例中,第二激活电极902具有使得其大体上不变形的厚度。举例来说,在第二激活电极902包括铝的实施例中,激活电极可具有为可变形层1302的厚度约2.15倍大的厚度。应了解,其它尺寸(例如,长度及宽度)也可影响第二激活电极902的刚性。
再次参看图14A,在某些实施例中,在松弛状态下,可变形层1302与第二激活电极902分离一距离D1,且反射元件1314与第二激活电极902分离一与距离D1不同的距离D2。利用两个导电层之间的电位差的两个导电层之间的静电力与两个导电层之间的距离成反比。因此,第二激活电极902与可移动元件1440的一部分之间的距离越小,则作用于可移动元件1440的所述部分上的静电力的量值越大。如果距离D2大于距离D1,则作用于可变形层1302上的每单位面积的静电力大于作用于反射元件1314上的每单位面积的静电力。在某些此类实施例中,将电压施加到第二激活电极902将使可移动元件1440朝向衬底20移动。如果距离D1大于距离D2,则作用于反射元件1314上的每单位面积的静电力大于作用于可变形层1302上的每单位面积的静电力。在某些此类实施例中,将电压施加到第二激活电极902将使可移动元件1440远离衬底20移动。在包括激活电极142(其使可移动元件1440远离衬底20移动)的实施例中,距离D2优选地大于距离D1,使得激活电极142、902引起在不同方向上的偏转。
在某些实施例中,距离D1、D2之间的百分比差大于约5%、大于约10%、大于约15%或大于约20%。应通过某些其它因数来平衡距离D1、D2之间的差,例如,光学干涉性质(例如,反射颜色)及MEMS装置的厚度,其还视距离D1、D2而定。一旦存在一定量的不平衡(即,距离D1、D2之间的合适的差),则将电压施加到第二激活电极902将会将可移动元件1440的具有较短距离的部分吸引向激活电极902,从而减小所述距离,同时还增加与可移动元件1440的具有较大距离的部分的距离。因此,即使在具有少量不平衡(例如,归因于在约10%下的距离差)的实施例中,静电力可合适地引起可移动元件1440的激活。
与第二激活电极902与可移动元件1440的第一及第二部分之间的距离无关,静电力可至少部分由屏蔽激活电极902与可移动元件1440之间的电压差的至少一部分的导电层减小。举例来说,屏蔽可移动元件1440的第一部分而不受第二激活电极902影响可使静电力更大体上作用于可移动元件1440的第二部分上。如果可移动元件1440的至少部分经屏蔽而免受激活电极902影响的第一部分包括反射元件1314,则将电压施加到第二激活电极902将使可移动元件1440朝向衬底20移动。如果可移动元件1440的至少部分经屏蔽而免受激活电极902影响的第一部分包括可变形层1302,则将电压施加到第二激活电极902将使可移动元件1440远离衬底20移动。在包括激活电极142(其使可移动元件1440远离衬底20移动)的实施例中,以下详细描述的第二导电层1558优选地处于第一导电层1552的一侧上,使得激活电极142、902引起在不同方向上的偏转。在某些此类实施例中,屏蔽可减小包括MEMS装置1400的显示器装置的厚度,因为不必存在距离D1、D2之间的差,但屏蔽也可能增加设计复杂性及制造成本。
图15A说明第二激活电极902包括包含导电层1552及绝缘层1554的多层堆叠的实施例的一部分。在某些实施例中,导电层1552包括电压所施加到的导电材料,且绝缘层1554将所要的刚性提供到第二激活电极902,且提供电绝缘以抑制第二激活电极902与可移动元件1440之间的短路。举例来说,大于约1,500厚的SiO2层足够刚性。在某些替代实施例中,导电层1552包括电压所施加到的导电材料,且将所要的刚性提供到第二激活电极902,且绝缘层1554提供电绝缘以抑制第二激活电极902与可移动元件1440之间的短路。在MEMS装置1400经设计使得在激活后可移动元件1440朝向衬底20移动的实施例中,绝缘层1554优选地处于导电层1552上(例如,如在图15A中所说明),因为当MEMS装置1400处于激活状态下时,可变形层1302的下表面可接触第二激活电极902。在MEMS装置1400经设计使得在激活后可移动元件1440远离衬底20移动的实施例中,绝缘层1554优选地处于导电层1552下,因为当MEMS装置1440处于激活状态下时,反射元件1314的上表面可接触第二激活电极902。多层第二激活电极902的其它配置也是可能的。举例来说,第二激活电极902可包括单一刚性的导电材料层,且绝缘层可形成于可变形层1302的下表面及/或反射元件1314的上表面上。其它多层堆叠也是可能的。举例来说,第二激活电极902在导电层1552的与导电层1554相对的侧上可进一步包括第二绝缘层来提供电绝缘以抑制第二激活电极902与可移动元件1440的其它部分之间的短路。
绝缘层1554的厚度包含于从第二激活电极902的导电部分1552到可变形层1302的距离D1(例如,当形成于导电部分1552上时,如在图15A中所描绘)或到反射元件1314的距离D2(例如,当形成于导电部分1552下时)中。在某些实施例中,绝缘层2254经选择以提供所要的介电电容率以修整激活电极902与可移动元件1440之间的静电力。
图15B说明第二激活电极902包括多层堆叠的另一实施例。第二激活电极902包括激活电压所施加到的第一导电层1552、抑制第二激活电极902与可移动元件1440之间的短路的第一绝缘层1554、屏蔽可移动元件1440的层以免受静电力影响的第二导电层1558及使第一导电层1552与第二导电层1558绝缘的第二绝缘层1556。第二导电层1558处于第一导电层1552的与第一绝缘层1554相对的侧上。在MEMS装置1400经设计使得在激活后可移动元件1440朝向衬底20移动的实施例中,第一绝缘层1554处于第一导电层1552上(例如,如在图15B中所说明),因为当MEMS装置1400处于激活状态下时,可变形层1302的下表面可接触第二激活电极902,且第二导电层1558处于第一导电层1552下,因为反射元件1314至少部分通过第二导电层1558屏蔽以免受静电力影响。在MEMS装置1400经设计使得在激活后可移动元件1440远离衬底20移动的实施例中,第一绝缘层1554处于第一导电层1552下,因为当MEMS装置1400处于激活状态下时,反射元件1314的上表面可接触第二激活电极902,且第二导电层1558处于第一导电层1552上,因为可变形层1302至少部分通过第二导电层1558屏蔽免受静电力影响。在某些此类实施例中,包括层1552、1554、1556、1558的第二激活电极902的尺寸(例如,厚度)足够刚性,使得第二激活电极902大体上不变形。其它多层堆叠也是可能的。举例来说,第二激活电极902在第二导电层1558的与第一导电层1552相对的侧上可进一步包括第三绝缘层来提供绝缘以抑制第二激活电极902与可移动元件1440的其它部分之间的短路。
可变形层1302与反射元件1314之间的激活电极902允许MEMS装置1400的配置使得可移动元件1440的一部分接触激活电极902(即,激活电极902充当针对可移动元件1440的移动的挡止件,而非衬底20的顶表面1306或绝缘层144a的下表面充当挡止件)。可移动元件1440的部分接触激活电极902处的界面可有利地适于减小静摩擦,而并不影响光学性能,因为其不处于光学路径中。举例来说,绝缘层1554的表面构形可经粗糙化以减少接触点的数目,或者抗静摩擦层可形成于激活电极902上。对于另一实例,反射元件1314的上表面或可变形层1302的下表面的表面构形可经粗糙化以减少接触点的数目,或者抗静摩擦层可形成于反射元件1314的上表面或可变形层1302的下表面上。
静电力是归因于电位差。在可移动元件1440包括绝缘连接元件(未图示)的实施例中,当可变形层1302的电位不为零时,反射元件1314的电位可约为零。在某些此类实施例中,响应于施加到激活电极902的电压的作用于可变形层1302上的静电力可选择性地大于响应于施加到激活电极902的电压的作用于反射元件1314上的静电力。因此,可移动元件1440可经配置以响应于施加到第二激活电极902的电压朝向衬底20激活。此外,电容器(例如,处于第二激活电极902与可变形层1302之间)的面积可有利地小,从而比大电容器(例如,光学路径中处于反射元件与激活电极之间)需要较少的时间来放电,此可减少响应时间。然而,在反射元件1314与可变形层1302或其它结构电绝缘的实施例中,反射元件1314可变得带电,从而自身产生静电力。在一些实施例中,反射元件1314经涂布(例如,用塑料)以选择性地耗散静电放电。
当将电压施加到第二激活电极902时,静电力作用于可移动元件1440上。作为响应,如果可变形层1302上的吸引力大于反射元件1314上的吸引力,则可变形层1302朝向第二激活电极902弯曲。反射元件1314以机械方式耦合到可变形层1302,使得当可变形层1302朝向第二激活电极902移动时,反射元件1314相对于衬底20且朝向衬底20移动对应的距离。MEMS装置1400的固定部分充当针对可移动元件1440的移动的挡止件。
在某些实施例(例如,可变形层1302的下表面接触第二激活电极902的实施例)中,激活电极902包括固定部分(例如,如在图14B中所说明)。在某些此类实施例中,绝缘层106为任选的,因为可移动元件1440不接触衬底20的顶表面1306。在MEMS装置包括光学路径中的激活电极104及绝缘层106且在激活状态下镜14接触绝缘层106的顶表面的上述某些实施例中,接触区包含介电层。为了避免将电荷截留于介电层中,可交替地切换施加到激活电极104及镜14的电压的极性。切换极性耗散电荷,但消耗功率。然而,在MEMS装置1400不包括绝缘层106且在激活状态下反射元件1314的反射表面1301接触第一反射层104的顶表面1306的某些实施例中,接触有利地无电场。因此,施加到第二激活电极902及可移动元件1440的电压可保持相同,这有利地节省功率。
在一些实施例中,绝缘层1554使可移动元件1440与第二激活电极902绝缘。在一些实施例中,形成于可变形层1302的下表面上的绝缘层(未图示)使可移动元件1440与第二激活电极902绝缘。在某些替代实施例中,衬底20的顶表面1306包括固定部分。在一些实施例中,绝缘层106使可移动元件1440与第一反射层104绝缘。
如上所述,可移动元件1440通过大体在第一方向上移动来对施加到激活电极142的电压作出响应。在激活电极142提供使可移动元件1440远离衬底20移动的力的实施例中,第二激活电极902经配置使得当将电压施加到第二激活电极902时,可移动元件1440朝向衬底20移动(例如,通过比反射元件1314更靠近可变形层1302来定位第二激活电极902,通过用导电层1558屏蔽反射元件1314等)。
例如,针对上述电性质,第二激活电极902优选地包括非透明导电材料。第二激活电极902经定位于反射元件1314的反射表面1301上,使得第二激活电极902不处于MEMS装置1400的光学路径中,因此其可包括不透明导电材料。因此,MEMS装置1400能够有快速的响应时间及低功率消耗。
在某些实施例中,MEMS装置包括处于可变形层1302与反射元件1314之间的激活电极902及第二激活电极。如上所述,可移动元件通过大体在第一方向上移动来对施加到可变形层1302与反射元件1314之间的激活电极902的电压作出响应。可移动元件通过大体在大体上与第一方向相反的第二方向上移动来进一步对施加到第二激活电极的电压作出响应。MEMS装置因此能够稳定地产生至少三个颜色:在松弛状态下的第一颜色、在第一方向上的在激活状态下的第二颜色及在第二方向上的在激活状态下的第三颜色。在一些实施例中,可移动元件1440上的激活电极142可表征为“第二”激活电极(例如,如在图14A到图14C中所说明)。
图16A说明包括衬底20上的可移动元件1640的MEMS装置1600。可移动元件1640包括可变形层1302及具有反射表面1301的反射元件1314。MEMS装置1600进一步包括在可变形层1302与反射元件1314之间的激活电极902,且光学堆叠20包括第二激活电极102。在图16A中,第二激活电极102形成于衬底20上。
图16B说明在第一激活状态下的图16A的MEMS装置1600的实施例。可移动元件1640的由第一吸引力作用的第一部分包括可变形层1302,且可移动元件1640的由第二吸引力作用的第二部分包括反射元件1314。可移动元件1640通过大体在第一方向上(例如,在大体垂直于衬底20的方向上,如由箭头1620说明)移动来对第一及第二吸引力作出响应。在某些实施例中,在激活状态下,反射元件1314的上表面接触MEMS装置1600的固定部分(例如,激活电极902)(例如,如在图16B中所说明)。在某些替代实施例中,可变形层1302的上表面接触MEMS装置1600的固定部分(例如,在可移动元件1640上的层)。
图16C说明在第二激活状态下的图16A的MEMS装置1600的实施例。当将电压施加到第二激活电极102时,静电力作用于可移动元件1440上。作为响应,可变形层1302朝向第二激活电极102。反射元件1314以机械方式耦合到可变形层1302,使得随着可变形层1302朝向第二激活电极102移动,反射元件1314相对于且朝向第二激活电极102移动对应的距离。可移动元件1640通过在朝向第二激活电极102的方向(如由箭头1622指示)上移动来对通过将电压施加到第二激活电极102而产生的吸引力作出响应。在某些实施例中,在激活状态下,反射元件1314接触MEMS装置1600的固定部分(例如,衬底20的顶表面1306)(例如,如在图16C中所说明)。在某些替代实施例中,可变形层1302的下表面接触MEMS装置1600的固定部分(例如,激活电极902)。在某些此类实施例中,在激活状态下,反射元件1314不接触衬底20的顶表面1306(例如,绝缘层106的顶表面1306或第一反射层104的顶表面1306)。在激活电极902提供使可移动元件1640远离衬底20移动的力的实施例中,第二激活电极102经配置使得当将电压施加到第二激活电极102时,可移动元件1640朝向衬底20移动。
包括第一及第二激活电极的MEMS装置的其它实施例也是可能的。举例来说,MEMS装置可包括在包括可变形层1302及反射元件1314的可移动元件上的第一激活电极142及在可移动元件下的第二激活电极102。另外,虽然未在图14A、图15A及图16A中描绘,但MEMS装置的某些部分可与某些其它部分电通信。举例来说,反射元件1314及/或可变形层1302可与第一反射层104电通信。
图17A到图17H说明制造图13A的MEMS装置1300的方法的实例实施例。图17A中说明的MEMS结构1700包含衬底20(例如,包括玻璃、塑料)、第一反射层104(例如,包括铬)、任选绝缘层106(例如,包括SiO2及/或Al2O3)、第一牺牲层1702及具有反射表面1301的反射元件1314(例如,包括铝)。如上所论述,在一些实施例中,可省略绝缘层106。在一些实施例中,在松弛状态下,第一牺牲层1702的厚度影响MEMS装置1300的颜色。
在某些实施例中,一个或一个以上孔口1704穿过反射元件1314而形成以允许较容易地蚀刻第一牺牲层1702。反射元件1314与衬底20的顶表面1306之间的距离量与反射元件1314与衬底20的顶表面1306之间的腔中的流体(例如,空气)的量成比例。在反射元件1314不接触衬底20的顶表面1306的MEMS装置1300的某些实施例中,反射元件1314与衬底20的顶表面1306之间的距离变得很小。举例来说,在可产生高反射率宽带白色(例如,因为距离小于约100
Figure G2008800231314D00291
)的实施例中,距离通常较小。在移动(例如,松弛)期间,某些此类小距离可影响反射元件914周围的流体(例如,空气)的流动,因为一些流体可能不具有足够的空间来在反射元件1314的侧边移动且可替代地可变得被压缩在反射元件1314与衬底20的顶表面1306之间。在某些实施例中,在移动(例如,松弛)期间,反射元件1314中的孔口1704为占据反射元件1314与衬底20的顶表面1306之间的腔的流体提供额外路径以从反射元件1314下流动到反射元件1314上。因此,至少一个孔口1704可增加MEMS装置1300的速度。然而,反射元件1314的包括所述至少一个孔口1704的部分是不反射的,这减小MEMS装置1300的填充因数。
在其中反射元件1314不接触衬底20的顶表面1306的实施例中,反射元件1314的反射表面1301优选地大体上平滑且平坦,例如,以增加色域。在一些实施例中,通过在平滑且平坦的第一牺牲层1702(例如,包括光致抗蚀剂)上形成反射元件1314或通过在反射元件1314的形成之前抛光第一牺牲层1702(例如,包括钼),使反射表面1301大体上平滑且平坦。在其中反射元件1314接触衬底20的顶表面1306(例如,100nm厚绝缘层106的顶表面1306以产生黑色,或第一反射层104的顶表面1306以产生宽带白色)的实施例中,反射元件1314的反射表面1301也可为平滑且平坦的,但在此类实施例中考虑静摩擦的可能效应(例如,通过添加绝缘或导电性凸块)。
在某些实施例中,通过将第一牺牲层1702用作第一层1308且将用于反射元件1314的材料用作反射层1309,形成黑色掩模1310。在某些替代实施例中,使用一个或一个以上其它层形成黑色掩模1310。在一些实施例中,MEMS装置不包括黑色掩模。
图17B说明在第二牺牲层1706(例如,包括钼)已形成于反射元件1314上之后的图17A的MEMS结构1700。第二牺牲层1706将反射元件1314与可变形层1302间隔开。第二牺牲层1706可包括与第一牺牲层1702相同的材料或与第一牺牲层1702不同的材料。在一些实施例中,第二牺牲层1706的形成会形成穿过第二牺牲层1706的孔口1710。在绝缘或其它层已形成于反射元件1314的上表面上的实施例中,孔口1710可允许在无额外图案化步骤的情况下移除所述层。
图17C说明在已形成支撑结构18之后的图17B的MEMS装置1700。在包括黑色掩模1310的实施例中,支撑结构18可形成于黑掩模1310周围以与导电层1309绝缘。在某些替代实施例中,在第二牺牲层1706之前形成支撑结构18。
图17D说明在连接元件1319已形成于第二牺牲层1706上且至少部分在孔口1710中之后的图17C的MEMS装置1700。连接元件1319经由孔口1710以机械方式耦合到反射元件1314。在某些替代实施例中,在连接元件1319之后形成支撑结构18。
图17E说明在可变形层1302(例如,包括镍)已形成于支撑结构18、连接元件1319及第二牺牲层1706上之后的图17D的MEMS结构1700。可变形层1302由连接元件1318经由连接元件1319以机械方式耦合到反射元件1314。在某些实施例中,一个或一个以上孔口1303经形成穿过可变形层1302以允许第二牺牲层1706的较容易的蚀刻。
图17F说明在第三牺牲层1708(例如,包括钼)已形成于可变形层1302上之后的图17E的MEMS结构1700。第三牺牲层1708将可变形层1302与激活电极142间隔开。第三牺牲层1708可包括与第一牺牲层1702及第二牺牲层1706中的一者或两者相同的材料或与第一牺牲层1702及第二牺牲层1706中的一者或两者不同的材料。在某些实施例中,在激活状态下,第二牺牲层1706及第三牺牲层1708的厚度影响MEMS装置1300的颜色。
图17G说明在支撑结构18a在可变形层1302上、绝缘层144a在第三牺牲层1708上及激活电极142在绝缘层144a上的形成之后的图17F的MEMS结构1700。在一些替代实施例中,在第三牺牲层1708之前形成支撑结构18a。在某些实施例中,在形成绝缘层144a(例如,通过沉积SiO2且图案化SiO2)的同时形成支撑结构18a。在一些实施例中,激活电极142及绝缘层144a包括至少一个孔口1316以允许第三牺牲层1708的较容易的蚀刻。
图17H说明在已移除第一牺牲层1702、第二牺牲层1706及第三牺牲层1708之后的图17G的MEMS结构1700,其产生图13A的MEMS装置1300。在牺牲层1702、1706、1708各自包括钼的实施例中,可(例如)通过用XeF2进行蚀刻将其移除。在牺牲层包括光致抗蚀剂的实施例中,可(例如)通过灰化(例如,通过用O2及/或H2O进行蚀刻)来将其移除。图17A中说明的孔口1704帮助蚀刻剂移除在反射元件1314下的第一牺牲层1702。图17E中说明的孔口1303帮助蚀刻剂移除在可变形层1302下的第二牺牲层1706。图17G中说明的孔口1316帮助蚀刻剂移除在激活电极142下的第三牺牲层1708。在移除所述牺牲层之后,可移动元件1340可响应于施加到激活电极142的电压而移动。
图18A到图18G说明制造图14A的MEMS装置1400的方法的实例实施例。图18A说明在第二激活电极902在第二牺牲层1706上形成之后的图17B的MEMS结构1700。如上所述,第二激活电极902可包括多层堆叠。在此类实施例中,第二激活电极902的形成可包括一系列图案化步骤(例如,对于多层堆叠中的每一层,沉积、掩模形成、蚀刻及掩模移除)或包括多个蚀刻的单一图案化步骤(例如,多层堆叠中的每一层的沉积、掩模形成、多层堆叠中的每一层的蚀刻、掩模移除)。其它序列也是可能的(例如,多层堆叠中的每一层的沉积、掩模形成、多层堆叠中的顶层的蚀刻及将一个或一个以上上部层用作一个或一个以上下部层的掩模)。多层堆叠的层的厚度可变化,但所得第二激活电极902优选地足够刚性,使得其大体上不变形。
在可移动元件1440经配置以在将电压施加到第二激活电极902后朝向衬底20移动的实施例中,绝缘层1554可形成于第二激活电极902的导电部分1552的顶部上,在该处,进行与可变形层1302的下表面的接触(例如,如在图15A及图15B中所说明)。在某些此类实施例中,第二激活电极902的顶表面可经粗糙化以减少接触点的数目以便减小与可变形层1302的静摩擦。其它层(例如,抗静摩擦层)还可形成于第二激活电极902的顶部上。
图18B说明在第三牺牲层1808(例如,包括钼)已形成于第二激活电极902上之后的图18A的MEMS结构1800。第三牺牲层1808将第二激活电极902与可变形层1302间隔开。第三牺牲层1808可包括与第一牺牲层1702及第二牺牲层1706中的一者或两者相同的材料或与第一牺牲层1702及第二牺牲层1706中的一者或两者不同的材料。在一些实施例中,第三牺牲层1808的形成会形成穿过第三牺牲层1808的孔口1810。在绝缘或其它层已形成于反射元件1314的上表面上的实施例中,孔口1810可允许在无额外图案化步骤的情况下移除此类层。
图18C说明在已形成支撑结构18之后的图18B的MEMS装置1800。第二激活电极902的一部分优选地经暴露使得所述激活电极902可以机械方式耦合到支撑结构18。在某些实施例中,支撑结构18包括第二激活电极902的一个或一个以上层(例如,以允许电选路)。
图18D说明在可变形层1302(例如,包括镍)已形成于支撑结构18及第三牺牲层1808上之后的图18C的MEMS结构1800。可变形层1302由连接元件1418以机械方式耦合到反射元件1314。在某些实施例中,连接元件可形成于连接元件1418与反射元件1314之间。
图18E说明在第四牺牲层1812(例如,包括钼)已形成于可变形层1302上之后的图18D的MEMS结构1800。第四牺牲层1812将可变形层1302与激活电极142间隔开。第四牺牲层1812可包括与第一牺牲层1702、第二牺牲层1706、第三牺牲层1808中的一者或一者以上相同的材料或与第一牺牲层1702、第二牺牲层1706、第三牺牲层1808中的一者或一者以上不同的材料。
图18F说明在支撑结构18a在可变形层1302上、绝缘层144a在第四牺牲层1812上及激活电极142在绝缘层144a上的形成之后的图18E的MEMS结构1800。在一些替代实施例中,在第三牺牲层1808之前形成支撑结构18a。在一些实施例中,在形成绝缘层144a(例如,通过沉积SiO2且图案化SiO2)的同时形成支撑结构18a。在一些实施例中,激活电极142及绝缘层144a包括至少一个孔口1316以允许第四牺牲层1812的较容易的蚀刻。
图18G说明在已移除第一牺牲层1702、第二牺牲层1706、第三牺牲层1808及第四牺牲层1812之后的图18F的MEMS结构1800,其产生图14A的MEMS装置1400。在所述牺牲层的移除后,可移动元件1440可响应于施加到激活电极142及第二激活电极902的电压而移动。
图19A到图19D说明制造图16A的MEMS装置1600的方法的实例实施例。图19A说明在已形成支撑结构18之后的图18A的MEMS结构1800,但孔口1710尚未形成于第二牺牲层1706中。
在可移动元件1640经配置以在将电压施加到激活电极902后远离衬底20移动的实施例中,绝缘层1554可形成于激活电极902的导电部分1552的底部上,在该处,进行与反射元件914的上表面的接触。在某些此类实施例中,激活电极902的底表面可经粗糙化以减少接触点的数目,以便减小与反射元件914的静摩擦。其它层(例如,抗静摩擦层)还可形成于激活电极902的底部上。
图19B说明在第三牺牲层1808(例如,包括钼)已形成于激活电极902上之后的图19A的MEMS结构1900。第三牺牲层1808将第二激活电极902与可变形层1302间隔开。第三牺牲层1808可包括与第一牺牲层1702及第二牺牲层1706中的一者或两者相同的材料或与第一牺牲层1702及第二牺牲层1706中的一者或两者不同的材料。在一些实施例中,第三牺牲层1808的形成会形成穿过第二牺牲层1706及第三牺牲层1808的孔口1810。在绝缘或其它层已形成于反射元件1314的上表面上的实施例中,孔口1810可允许在无额外图案化步骤的情况下移除所述层。在一些替代实施例中,在第三牺牲层1808之前形成支撑结构18a。
图19C说明在可变形层1302(例如,包括镍)已形成于支撑结构18及第三牺牲层1808上之后的图19C的MEMS结构1900。可变形层1302由连接元件1418以机械方式耦合到反射元件1314。
图19D说明在已移除第一牺牲层1702、第二牺牲层1706及第三牺牲层1808之后的图19C的MEMS结构1900,其产生图16A的MEMS装置1600。在所述牺牲层的移除后,可移动元件1640可响应于施加到激活电极902及第二激活电极102的电压而移动。
虽然以上详细描述已展示、描述且指出本发明适用于各种实施例的新颖特征,但应理解,所属领域的技术人员可在并不脱离本发明的精神的情况下对所说明的装置或过程的形式及细节进行各种省略、替代及改变。如将认识到,可在并不提供本文中所阐明的所有特征及益处的形式内体现本发明,因为一些特征可与其它特征分离地使用或实践。本发明的范围由所附的权利要求书而非由前文的描述指示。属于所述权利要求书的均等物的意义及范围内的所有改变均将包括于其范围内。

Claims (27)

1.一种微机电(MEMS)装置,其包括:
衬底;
所述衬底上的可移动元件,所述可移动元件包括可变形层及反射元件,所述可变形层与所述反射元件间隔开;以及
所述可移动元件上的激活电极。
2.根据权利要求1所述的MEMS装置,其进一步包括光学层,其中入射于所述反射元件上的光被从所述反射元件反射,所述入射光及所述反射光传播穿过所述光学层且不传播穿过所述激活电极。
3.根据权利要求2所述的MEMS装置,其中所述衬底包括所述光学层。
4.根据权利要求1所述的MEMS装置,其中当无电压被施加到所述激活电极时,所述衬底的顶表面与所述反射元件间隔开。
5.根据权利要求1所述的MEMS装置,其中当无电压被施加到所述激活电极时,所述衬底的顶表面与所述反射元件接触。
6.根据权利要求1所述的MEMS装置,其进一步包括所述可变形层与所述反射元件之间的第二激活电极。
7.根据权利要求6所述的MEMS装置,其中所述可移动元件通过大体上在第一方向上移动来对施加到所述可移动元件上的所述激活电极的电压作出响应,且其中所述可移动元件通过大体上在第二方向上移动来对施加到所述第二激活电极的电压作出响应,所述第二方向大体上与所述第一方向相反。
8.根据权利要求1所述的MEMS装置,其中所述衬底包括第二激活电极。
9.根据权利要求1所述的MEMS装置,其中固定元件充当针对所述可移动元件的移动的挡止件,所述固定元件位于所述可变形层与所述反射元件之间。
10.根据权利要求1所述的MEMS装置,其进一步包括:
显示器;
处理器,其经配置以与所述显示器通信,所述处理器经配置以处理图像数据;以及
存储器装置,其经配置以与所述处理器通信。
11.根据权利要求10所述的MEMS装置,其进一步包括经配置以将至少一个信号发送到所述显示器的驱动器电路。
12.根据权利要求11所述的MEMS装置,其进一步包括经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。
13.根据权利要求10所述的MEMS装置,其进一步包括经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。
14.根据权利要求13所述的MEMS装置,其中所述图像源模块包括接收器、收发器及发射器中的至少一者。
15.根据权利要求10所述的MEMS装置,其进一步包括经配置以接收输入数据并将所述输入数据传送到所述处理器的输入装置。
16.一种微机电(MEMS)装置,其包括:
用于移动所述装置的一部分的装置,所述移动装置包括用于变形的装置及用于反射的装置,所述变形装置与所述反射装置间隔开;
用于支撑移动装置的装置;以及
用于激活所述移动装置的装置,所述激活装置位于所述移动装置上。
17.根据权利要求16所述的MEMS装置,其中所述支撑装置包括衬底。
18.根据权利要求16所述的MEMS装置,其中所述移动装置包括可移动元件。
19.根据权利要求16所述的MEMS装置,其中所述变形装置包括可变形层。
20.根据权利要求16所述的MEMS装置,其中所述反射装置包括反射元件。
21.根据权利要求16所述的MEMS装置,其中所述激活装置包括激活电极。
22.一种制造微机电(MEMS)装置的方法,所述方法包括:
在衬底上形成第一牺牲层;
在所述第一牺牲层上形成反射元件;
在所述反射元件上形成第二牺牲层;
在所述第二牺牲层上形成可变形层,所述可变形层以机械方式耦合到所述反射元件;
在所述可变形层上形成第三牺牲层;
在所述第三牺牲层上形成激活电极;以及
移除所述第一、第二及第三牺牲层。
23.根据权利要求22所述的方法,其进一步包括在形成所述第一牺牲层之前在所述衬底上形成光学层。
24.根据权利要求22所述的方法,其中在移除所述第一、第二及第三牺牲材料之后,当无电压被施加到所述激活电极时所述反射元件与所述衬底间隔开。
25.根据权利要求22所述的方法,其进一步包括对所述可变形层施加偏压,其中在移除所述第一、第二及第三牺牲材料之后,当无电压被施加到所述激活电极时所述反射元件接触所述衬底。
26.一种通过根据权利要求22所述的方法制造的MEMS装置。
27.一种调制光的方法,所述方法包括:
提供显示器元件,所述显示器元件包括衬底、所述衬底上的可移动元件及激活电极,所述可移动元件包括可变形层及反射元件,所述可变形层与所述反射元件间隔开,所述激活电极位于所述可移动元件上;以及
将电压施加到所述激活电极,所述电压对所述可移动元件产生吸引力,从而致使所述可移动元件远离所述衬底移动。
CN200880023131A 2007-07-02 2008-06-24 具有与机械及电功能分离的光学功能的微机电装置 Pending CN101855586A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/772,777 US7944599B2 (en) 2004-09-27 2007-07-02 Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US11/772,777 2007-07-02
EP08075221A EP2012166A3 (en) 2007-07-02 2008-03-28 Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
GB080752215 2008-03-28
PCT/US2008/068063 WO2009006120A1 (en) 2007-07-02 2008-06-24 Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101855586A true CN101855586A (zh) 2010-10-06

Family

ID=39767205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880023131A Pending CN101855586A (zh) 2007-07-02 2008-06-24 具有与机械及电功能分离的光学功能的微机电装置

Country Status (7)

Country Link
US (3) US7944599B2 (zh)
EP (1) EP2012166A3 (zh)
JP (3) JP5074588B2 (zh)
KR (3) KR20100039383A (zh)
CN (1) CN101855586A (zh)
TW (3) TW201509790A (zh)
WO (1) WO2009006120A1 (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102778752A (zh) * 2011-05-12 2012-11-14 株式会社日本显示器东 显示装置
CN102798975A (zh) * 2011-05-24 2012-11-28 株式会社日本显示器东 显示装置
CN102874737A (zh) * 2011-07-12 2013-01-16 法国原子能与替代能委员会 微系统及/或纳米系统类型的装置及其制造方法
CN103959131A (zh) * 2011-11-30 2014-07-30 皮克斯特隆尼斯有限公司 并入有电荷消散表面的机电系统显示设备
CN104246577A (zh) * 2012-04-06 2014-12-24 高通Mems科技公司 具有rgb吸收器的多状态imod
CN105612439A (zh) * 2013-08-20 2016-05-25 英特尔公司 一种包含mems装置的显示设备
CN105702167A (zh) * 2014-12-09 2016-06-22 乐金显示有限公司 可变形装置及其制造方法
CN106707643A (zh) * 2017-01-03 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其驱动方法和显示装置
CN106707415A (zh) * 2015-11-18 2017-05-24 财团法人工业技术研究院 可调式光学装置
CN107561683A (zh) * 2017-09-15 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示基板及其控制方法、显示装置

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7612932B2 (en) * 2004-09-27 2009-11-03 Idc, Llc Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7884989B2 (en) * 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
US7460292B2 (en) * 2005-06-03 2008-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator with internal polarization and drive method
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7835061B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7629197B2 (en) * 2006-10-18 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator
US8115987B2 (en) * 2007-02-01 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Modulating the intensity of light from an interferometric reflector
US7742220B2 (en) * 2007-03-28 2010-06-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops
US7715085B2 (en) 2007-05-09 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643202B2 (en) * 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7782517B2 (en) * 2007-06-21 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Infrared and dual mode displays
US7630121B2 (en) 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7813029B2 (en) 2007-07-31 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices and methods for enhancing color shift of interferometric modulators
US8072402B2 (en) * 2007-08-29 2011-12-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics
US7773286B2 (en) * 2007-09-14 2010-08-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Periodic dimple array
US7847999B2 (en) * 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
JP5478493B2 (ja) * 2007-09-17 2014-04-23 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 半透明/半透過の発光干渉デバイス
US20090078316A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Qualcomm Incorporated Interferometric photovoltaic cell
JP5302322B2 (ja) * 2007-10-19 2013-10-02 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一体型光起電力を有するディスプレイ
US8058549B2 (en) * 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
WO2009055393A1 (en) * 2007-10-23 2009-04-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adjustably transmissive mems-based devices
US20090293955A1 (en) * 2007-11-07 2009-12-03 Qualcomm Incorporated Photovoltaics with interferometric masks
TWI418850B (zh) * 2007-11-09 2013-12-11 尼康股份有限公司 微致動器、光學設備、顯示裝置、曝光裝置及設備製造方法
US8941631B2 (en) * 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US7715079B2 (en) * 2007-12-07 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices requiring no mechanical support
RU2485626C2 (ru) * 2007-12-21 2013-06-20 Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк. Многопереходные фотогальванические элементы
US8164821B2 (en) 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) * 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US8305342B2 (en) * 2008-03-27 2012-11-06 Edward Pakhchyan Plasma addressed micro-mirror display
US7612933B2 (en) * 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US7898723B2 (en) * 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7969638B2 (en) * 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
US7746539B2 (en) * 2008-06-25 2010-06-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for packing a display device and the device obtained thereof
US7768690B2 (en) 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US8023167B2 (en) * 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7859740B2 (en) * 2008-07-11 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control
US7782522B2 (en) * 2008-07-17 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Encapsulation methods for interferometric modulator and MEMS devices
US7855826B2 (en) 2008-08-12 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices
US8358266B2 (en) * 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
WO2010044901A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell
US20100096011A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High efficiency interferometric color filters for photovoltaic modules
US8270056B2 (en) * 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
KR20120090772A (ko) * 2009-05-29 2012-08-17 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 조명장치 및 그의 제조방법
US8270062B2 (en) * 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
US8488228B2 (en) * 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
US8421481B2 (en) * 2009-10-20 2013-04-16 Analog Devices, Inc. Detection and mitigation of particle contaminants in MEMS devices
WO2011079826A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Shanghai Lexvu Opto Microelectronics Technology Co., Ltd A tri wavelength diffraction modulator and a method for modulation
US20110169724A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric pixel with patterned mechanical layer
WO2011126953A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same
EP2606485A1 (en) 2010-08-17 2013-06-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Actuation and calibration of a charge neutral electrode in an interferometric display device
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
WO2012088011A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-28 Pixtronix, Inc. Systems and methods for mems light modulator arrays with reduced acoustic emission
US20120194897A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backside patterning to form support posts in an electromechanical device
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US8643936B2 (en) * 2011-05-04 2014-02-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices and methods for achieving non-contacting white state in interferometric modulators
US20130100518A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Tuning movable layer stiffness with features in the movable layer
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
US20130335312A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integration of thin film switching device with electromechanical systems device
US20140071139A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Imod pixel architecture for improved fill factor, frame rate and stiction performance
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof
KR101941167B1 (ko) 2012-11-13 2019-01-22 삼성전자주식회사 광 스위칭 소자, 이를 포함한 영상 표시 장치 및 그 제조 방법
US9170421B2 (en) 2013-02-05 2015-10-27 Pixtronix, Inc. Display apparatus incorporating multi-level shutters
US9632307B2 (en) * 2013-03-13 2017-04-25 Snaptrack, Inc. MEMS shutter assemblies for high-resolution displays
US20140264655A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Invensense, Inc. Surface roughening to reduce adhesion in an integrated mems device
US9250350B2 (en) * 2013-06-12 2016-02-02 Halliburton Energy Services, Inc. Systems and methods for downhole magnetic field measurement
US9291740B2 (en) * 2013-06-12 2016-03-22 Halliburton Energy Services, Inc. Systems and methods for downhole electric field measurement
US9372338B2 (en) 2014-01-17 2016-06-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Multi-state interferometric modulator with large stable range of motion
CN104933081B (zh) * 2014-03-21 2018-06-29 阿里巴巴集团控股有限公司 一种搜索建议提供方法及装置
JP6608203B2 (ja) * 2015-07-13 2019-11-20 キヤノン株式会社 面発光レーザ、情報取得装置及び撮像装置
JP6608202B2 (ja) * 2015-07-13 2019-11-20 キヤノン株式会社 面発光レーザ、情報取得装置及び撮像装置
JP7269882B2 (ja) 2016-11-20 2023-05-09 ユニスペクトラル リミテッド 調整可能なmemsエタロン・デバイス
KR102413192B1 (ko) 2017-11-03 2022-06-24 삼성전자주식회사 Nbti 또는 pbit를 모니터링하는 테스트 회로
US10830787B2 (en) * 2018-02-20 2020-11-10 General Electric Company Optical accelerometers for use in navigation grade environments
US11256083B2 (en) * 2018-12-27 2022-02-22 Texas Instruments Incorporated MEMS electrostatic actuator with linearized displacements
CN111787190B (zh) * 2019-04-03 2021-11-19 宁波舜宇光电信息有限公司 潜望式摄像模组及多摄模组
US11705200B2 (en) * 2020-06-10 2023-07-18 National University of Singapore and Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Family Cites Families (636)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
US2590906A (en) 1946-11-22 1952-04-01 Farrand Optical Co Inc Reflection interference filter
US2677714A (en) 1951-09-21 1954-05-04 Alois Vogt Dr Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode
US3247392A (en) 1961-05-17 1966-04-19 Optical Coating Laboratory Inc Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared
DE1288651B (de) 1963-06-28 1969-02-06 Siemens Ag Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
FR1603131A (zh) 1968-07-05 1971-03-22
US3653741A (en) 1970-02-16 1972-04-04 Alvin M Marks Electro-optical dipolar material
US3813265A (en) 1970-02-16 1974-05-28 A Marks Electro-optical dipolar material
US3728030A (en) 1970-06-22 1973-04-17 Cary Instruments Polarization interferometer
US3725868A (en) 1970-10-19 1973-04-03 Burroughs Corp Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications
US3679313A (en) 1970-10-23 1972-07-25 Bell Telephone Labor Inc Dispersive element for optical pulse compression
JPS4946974A (zh) 1972-09-11 1974-05-07
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US3886310A (en) 1973-08-22 1975-05-27 Westinghouse Electric Corp Electrostatically deflectable light valve with improved diffraction properties
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
US4196396A (en) 1976-10-15 1980-04-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback
US4389096A (en) 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
US4445050A (en) 1981-12-15 1984-04-24 Marks Alvin M Device for conversion of light power to electric power
US4663083A (en) 1978-05-26 1987-05-05 Marks Alvin M Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics
US4228437A (en) 1979-06-26 1980-10-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror
JPS5688111A (en) 1979-12-19 1981-07-17 Citizen Watch Co Ltd Liquid crystal display device with solar battery
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1981-10-15 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
DE3109653A1 (de) 1980-03-31 1982-01-28 Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena "resonanzabsorber"
US4421381A (en) 1980-04-04 1983-12-20 Yokogawa Hokushin Electric Corp. Mechanical vibrating element
US4377324A (en) 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
FR2506026A1 (fr) 1981-05-18 1982-11-19 Radant Etudes Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence
NL8103377A (nl) 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4571603A (en) 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4497974A (en) 1982-11-22 1985-02-05 Exxon Research & Engineering Co. Realization of a thin film solar cell with a detached reflector
US4482213A (en) 1982-11-23 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs
US4498953A (en) 1983-07-27 1985-02-12 At&T Bell Laboratories Etching techniques
JPS60159731A (ja) 1984-01-30 1985-08-21 Sharp Corp 液晶表示体
US5633652A (en) 1984-02-17 1997-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Method for driving optical modulation device
US4566935A (en) 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4560435A (en) 1984-10-01 1985-12-24 International Business Machines Corporation Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization
US4615595A (en) 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US4655554A (en) 1985-03-06 1987-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor
US5172262A (en) 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
JPS6282454U (zh) 1985-11-13 1987-05-26
GB2186708B (en) 1985-11-26 1990-07-11 Sharp Kk A variable interferometric device and a process for the production of the same
US4705361A (en) 1985-11-27 1987-11-10 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5835255A (en) 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
GB8610129D0 (en) 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
GB8621438D0 (en) 1986-09-05 1986-10-15 Secr Defence Electro-optic device
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
JPS63194285A (ja) 1987-02-06 1988-08-11 シャープ株式会社 カラ−表示装置
US4822993A (en) 1987-02-17 1989-04-18 Optron Systems, Inc. Low-cost, substantially cross-talk free high spatial resolution 2-D bistable light modulator
NL8701138A (nl) 1987-05-13 1988-12-01 Philips Nv Electroscopische beeldweergeefinrichting.
DE3716485C1 (de) 1987-05-16 1988-11-24 Heraeus Gmbh W C Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe
WO1988009917A1 (fr) 1987-06-04 1988-12-15 Walter Lukosz Procede de modulation optique et de mesure
US4857978A (en) 1987-08-11 1989-08-15 North American Philips Corporation Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization
US4900136A (en) 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
GB2210540A (en) 1987-09-30 1989-06-07 Philips Electronic Associated Method of and arrangement for modifying stored data,and method of and arrangement for generating two-dimensional images
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4856863A (en) 1988-06-22 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Optical fiber interconnection network including spatial light modulator
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
US4925259A (en) 1988-10-20 1990-05-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Multilayer optical dielectric coating
JP2700903B2 (ja) 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
US4982184A (en) 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US4973131A (en) 1989-02-03 1990-11-27 Mcdonnell Douglas Corporation Modulator mirror
KR100202246B1 (ko) 1989-02-27 1999-06-15 윌리엄 비. 켐플러 디지탈화 비디오 시스템을 위한 장치 및 방법
US5192946A (en) 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US5214420A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator projection system with random polarity light
US5287096A (en) 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US5446479A (en) 1989-02-27 1995-08-29 Texas Instruments Incorporated Multi-dimensional array video processor system
US5214419A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Planarized true three dimensional display
US5206629A (en) 1989-02-27 1993-04-27 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and memory for digitized video display
US5162787A (en) 1989-02-27 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface
US5170156A (en) 1989-02-27 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated Multi-frequency two dimensional display system
US5079544A (en) 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5272473A (en) 1989-02-27 1993-12-21 Texas Instruments Incorporated Reduced-speckle display system
US4900395A (en) 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5381253A (en) 1991-11-14 1995-01-10 Board Of Regents Of University Of Colorado Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation
US5124834A (en) 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5037173A (en) 1989-11-22 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Optical interconnection network
JP2910114B2 (ja) 1990-01-20 1999-06-23 ソニー株式会社 電子機器
US5500635A (en) 1990-02-20 1996-03-19 Mott; Jonathan C. Products incorporating piezoelectric material
CH682523A5 (fr) 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
GB9012099D0 (en) 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for multicolour imaging
US5216537A (en) 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
DE69113150T2 (de) 1990-06-29 1996-04-04 Texas Instruments Inc Deformierbare Spiegelvorrichtung mit aktualisiertem Raster.
US5142405A (en) 1990-06-29 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Bistable dmd addressing circuit and method
US5099353A (en) 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5083857A (en) 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5018256A (en) 1990-06-29 1991-05-28 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5153771A (en) 1990-07-18 1992-10-06 Northrop Corporation Coherent light modulation and detector
US5062689A (en) 1990-08-21 1991-11-05 Koehler Dale R Electrostatically actuatable light modulating device
US5526688A (en) 1990-10-12 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Digital flexure beam accelerometer and method
US5192395A (en) 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5044736A (en) 1990-11-06 1991-09-03 Motorola, Inc. Configurable optical filter or display
US5602671A (en) 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
US5331454A (en) 1990-11-13 1994-07-19 Texas Instruments Incorporated Low reset voltage process for DMD
JPH04276721A (ja) 1991-03-04 1992-10-01 Fuji Photo Film Co Ltd 液晶表示素子
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5136669A (en) 1991-03-15 1992-08-04 Sperry Marine Inc. Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element
DE4108966C2 (de) 1991-03-19 1994-03-10 Iot Entwicklungsgesellschaft F Elektro-optischer interferometrischer Lichtmodulator
CA2063744C (en) 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
US5142414A (en) 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
US5179274A (en) 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5287215A (en) 1991-07-17 1994-02-15 Optron Systems, Inc. Membrane light modulation systems
US5170283A (en) 1991-07-24 1992-12-08 Northrop Corporation Silicon spatial light modulator
US5240818A (en) 1991-07-31 1993-08-31 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing a color filter for deformable mirror device
US5168406A (en) 1991-07-31 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Color deformable mirror device and method for manufacture
US5254980A (en) 1991-09-06 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system controller
US5358601A (en) 1991-09-24 1994-10-25 Micron Technology, Inc. Process for isotropically etching semiconductor devices
US5315370A (en) 1991-10-23 1994-05-24 Bulow Jeffrey A Interferometric modulator for optical signal processing
US5563398A (en) 1991-10-31 1996-10-08 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator scanning system
CA2081753C (en) 1991-11-22 2002-08-06 Jeffrey B. Sampsell Dmd scanner
US5233385A (en) 1991-12-18 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated White light enhanced color field sequential projection
US5233456A (en) 1991-12-20 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Resonant mirror and method of manufacture
US5228013A (en) 1992-01-10 1993-07-13 Bik Russell J Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays
US6381022B1 (en) 1992-01-22 2002-04-30 Northeastern University Light modulating device
CA2087625C (en) 1992-01-23 2006-12-12 William E. Nelson Non-systolic time delay and integration printing
US5296950A (en) 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5231532A (en) 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
US5212582A (en) 1992-03-04 1993-05-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatically controlled beam steering device and method
DE69310974T2 (de) 1992-03-25 1997-11-06 Texas Instruments Inc Eingebautes optisches Eichsystem
JPH05281479A (ja) 1992-03-31 1993-10-29 Nippon Steel Corp 表示装置
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JPH07508856A (ja) 1992-04-08 1995-09-28 ジョージア テック リサーチ コーポレイション 成長基板から薄膜材料をリフトオフするためのプロセス
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
TW245772B (zh) 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
JPH0651250A (ja) 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
US5638084A (en) 1992-05-22 1997-06-10 Dielectric Systems International, Inc. Lighting-independent color video display
JPH06214169A (ja) 1992-06-08 1994-08-05 Texas Instr Inc <Ti> 制御可能な光学的周期的表面フィルタ
US5818095A (en) 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5345328A (en) 1992-08-12 1994-09-06 Sandia Corporation Tandem resonator reflectance modulator
US5293272A (en) 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US5327286A (en) 1992-08-31 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Real time optical correlation system
US5325116A (en) 1992-09-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Device for writing to and reading from optical storage media
US5296775A (en) 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Cooling microfan arrangements and process
US5659374A (en) 1992-10-23 1997-08-19 Texas Instruments Incorporated Method of repairing defective pixels
CA2113213C (en) 1993-01-11 2004-04-27 Kevin L. Kornher Pixel control circuitry for spatial light modulator
FI96450C (fi) 1993-01-13 1996-06-25 Vaisala Oy Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7830587B2 (en) 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US5461411A (en) 1993-03-29 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Process and architecture for digital micromirror printer
JP3524122B2 (ja) 1993-05-25 2004-05-10 キヤノン株式会社 表示制御装置
US5559358A (en) 1993-05-25 1996-09-24 Honeywell Inc. Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom
DE4317274A1 (de) 1993-05-25 1994-12-01 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung oberflächen-mikromechanischer Strukturen
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5489952A (en) 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5673139A (en) 1993-07-19 1997-09-30 Medcom, Inc. Microelectromechanical television scanning device and method for making the same
US5365283A (en) 1993-07-19 1994-11-15 Texas Instruments Incorporated Color phase control for projection display using spatial light modulator
US5510824A (en) 1993-07-26 1996-04-23 Texas Instruments, Inc. Spatial light modulator array
US5526172A (en) 1993-07-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
US5581272A (en) 1993-08-25 1996-12-03 Texas Instruments Incorporated Signal generator for controlling a spatial light modulator
US5552925A (en) 1993-09-07 1996-09-03 John M. Baker Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates
FR2710161B1 (fr) 1993-09-13 1995-11-24 Suisse Electronique Microtech Réseau miniature d'obturateurs de lumière.
US5457493A (en) 1993-09-15 1995-10-10 Texas Instruments Incorporated Digital micro-mirror based image simulation system
US5629790A (en) 1993-10-18 1997-05-13 Neukermans; Armand P. Micromachined torsional scanner
US5526051A (en) 1993-10-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Digital television system
US5497197A (en) 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5459602A (en) 1993-10-29 1995-10-17 Texas Instruments Micro-mechanical optical shutter
US5452024A (en) 1993-11-01 1995-09-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system
US5517347A (en) 1993-12-01 1996-05-14 Texas Instruments Incorporated Direct view deformable mirror device
CA2137059C (en) 1993-12-03 2004-11-23 Texas Instruments Incorporated Dmd architecture to improve horizontal resolution
US5583688A (en) 1993-12-21 1996-12-10 Texas Instruments Incorporated Multi-level digital micromirror device
US5448314A (en) 1994-01-07 1995-09-05 Texas Instruments Method and apparatus for sequential color imaging
US5500761A (en) 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
FI94804C (fi) 1994-02-17 1995-10-25 Vaisala Oy Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä
US5444566A (en) 1994-03-07 1995-08-22 Texas Instruments Incorporated Optimized electronic operation of digital micromirror devices
US5665997A (en) 1994-03-31 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices
GB9407116D0 (en) 1994-04-11 1994-06-01 Secr Defence Ferroelectric liquid crystal display with greyscale
US8014059B2 (en) 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US6710908B2 (en) 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7550794B2 (en) 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7852545B2 (en) 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US8081369B2 (en) 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7826120B2 (en) 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US6040937A (en) 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7619810B2 (en) 1994-05-05 2009-11-17 Idc, Llc Systems and methods of testing micro-electromechanical devices
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7776631B2 (en) 1994-05-05 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and method of forming a MEMS device
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7297471B1 (en) 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US7839556B2 (en) 1994-05-05 2010-11-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7800809B2 (en) 1994-05-05 2010-09-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US20010003487A1 (en) 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
EP0686934B1 (en) 1994-05-17 2001-09-26 Texas Instruments Incorporated Display device with pointer position detection
US5497172A (en) 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
US5673106A (en) 1994-06-17 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Printing system with self-monitoring and adjustment
US5920418A (en) 1994-06-21 1999-07-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diffractive optical modulator and method for producing the same, infrared sensor including such a diffractive optical modulator and method for producing the same, and display device including such a diffractive optical modulator
US5454906A (en) 1994-06-21 1995-10-03 Texas Instruments Inc. Method of providing sacrificial spacer for micro-mechanical devices
US5499062A (en) 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
US5485304A (en) 1994-07-29 1996-01-16 Texas Instruments, Inc. Support posts for micro-mechanical devices
US5636052A (en) 1994-07-29 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. Direct view display based on a micromechanical modulation
JP3363606B2 (ja) 1994-08-05 2003-01-08 三洋電機株式会社 光起電力モジュール
US5703710A (en) 1994-09-09 1997-12-30 Deacon Research Method for manipulating optical energy using poled structure
US6053617A (en) 1994-09-23 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Manufacture method for micromechanical devices
US5619059A (en) 1994-09-28 1997-04-08 National Research Council Of Canada Color deformable mirror device having optical thin film interference color coatings
US6560018B1 (en) 1994-10-27 2003-05-06 Massachusetts Institute Of Technology Illumination system for transmissive light valve displays
US5650881A (en) 1994-11-02 1997-07-22 Texas Instruments Incorporated Support post architecture for micromechanical devices
FR2726960B1 (fr) 1994-11-10 1996-12-13 Thomson Csf Procede de realisation de transducteurs magnetoresistifs
US5552924A (en) 1994-11-14 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated Micromechanical device having an improved beam
US5474865A (en) 1994-11-21 1995-12-12 Sematech, Inc. Globally planarized binary optical mask using buried absorbers
JPH08153700A (ja) 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
US5610624A (en) 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5550373A (en) 1994-12-30 1996-08-27 Honeywell Inc. Fabry-Perot micro filter-detector
US5726480A (en) 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
US5567334A (en) 1995-02-27 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method for creating a digital micromirror device using an aluminum hard mask
US5610438A (en) 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US5636185A (en) 1995-03-10 1997-06-03 Boit Incorporated Dynamically changing liquid crystal display timekeeping apparatus
US5535047A (en) 1995-04-18 1996-07-09 Texas Instruments Incorporated Active yoke hidden hinge digital micromirror device
US5784190A (en) * 1995-04-27 1998-07-21 John M. Baker Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates
US7898722B2 (en) 1995-05-01 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with restoring electrode
US5641391A (en) 1995-05-15 1997-06-24 Hunter; Ian W. Three dimensional microfabrication by localized electrodeposition and etching
US5661592A (en) 1995-06-07 1997-08-26 Silicon Light Machines Method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve
US6849471B2 (en) 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
US6046840A (en) 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US6124851A (en) 1995-07-20 2000-09-26 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
KR100213026B1 (ko) 1995-07-27 1999-08-02 윤종용 디엠디 및 그 제조공정
US5661591A (en) 1995-09-29 1997-08-26 Texas Instruments Incorporated Optical switch having an analog beam for steering light
US6324192B1 (en) 1995-09-29 2001-11-27 Coretek, Inc. Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same
US5739945A (en) 1995-09-29 1998-04-14 Tayebati; Parviz Electrically tunable optical filter utilizing a deformable multi-layer mirror
GB9522135D0 (en) 1995-10-30 1996-01-03 John Mcgavigan Holdings Limite Display panels
JPH09127551A (ja) 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
US7907319B2 (en) 1995-11-06 2011-03-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with optical compensation
US5740150A (en) 1995-11-24 1998-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Galvanomirror and optical disk drive using the same
US5999306A (en) 1995-12-01 1999-12-07 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it
US5825528A (en) 1995-12-26 1998-10-20 Lucent Technologies Inc. Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator
JP3799092B2 (ja) 1995-12-29 2006-07-19 アジレント・テクノロジーズ・インク 光変調装置及びディスプレイ装置
US5638946A (en) 1996-01-11 1997-06-17 Northeastern University Micromechanical switch with insulated switch contact
US5751469A (en) 1996-02-01 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for an improved micromechanical modulator
US6114862A (en) 1996-02-14 2000-09-05 Stmicroelectronics, Inc. Capacitive distance sensor
US6624944B1 (en) 1996-03-29 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Fluorinated coating for an optical element
US5710656A (en) 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5793504A (en) 1996-08-07 1998-08-11 Northrop Grumman Corporation Hybrid angular/spatial holographic multiplexer
US5838484A (en) 1996-08-19 1998-11-17 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator with linear operating characteristic
US5912758A (en) 1996-09-11 1999-06-15 Texas Instruments Incorporated Bipolar reset for spatial light modulators
GB9619781D0 (en) 1996-09-23 1996-11-06 Secr Defence Multi layer interference coatings
FI108581B (fi) 1996-10-03 2002-02-15 Valtion Teknillinen Sähköisesti säädettävä optinen suodin
US5771116A (en) 1996-10-21 1998-06-23 Texas Instruments Incorporated Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control
US7929197B2 (en) 1996-11-05 2011-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7830588B2 (en) 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US7471444B2 (en) 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
US6028689A (en) 1997-01-24 2000-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-motion micromirror
US5786927A (en) 1997-03-12 1998-07-28 Lucent Technologies Inc. Gas-damped micromechanical structure
US6034752A (en) 1997-03-22 2000-03-07 Kent Displays Incorporated Display device reflecting visible and infrared radiation
US6384952B1 (en) 1997-03-27 2002-05-07 Mems Optical Inc. Vertical comb drive actuated deformable mirror device and method
EP0877272B1 (en) 1997-05-08 2002-07-31 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to spatial light modulators
EP0879991A3 (en) 1997-05-13 1999-04-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illuminating system
US6480177B2 (en) 1997-06-04 2002-11-12 Texas Instruments Incorporated Blocked stepped address voltage for micromechanical devices
US5808780A (en) 1997-06-09 1998-09-15 Texas Instruments Incorporated Non-contacting micromechanical optical switch
US6239777B1 (en) 1997-07-22 2001-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device
US5870221A (en) 1997-07-25 1999-02-09 Lucent Technologies, Inc. Micromechanical modulator having enhanced performance
US5867302A (en) 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
KR19990016714A (ko) 1997-08-19 1999-03-15 윤종용 다면 영상 디스플레이형 배면 투사 프로젝트 장치
US6031653A (en) 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
US5994174A (en) 1997-09-29 1999-11-30 The Regents Of The University Of California Method of fabrication of display pixels driven by silicon thin film transistors
US6028690A (en) 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
EP0969306B1 (en) 1998-01-20 2005-05-11 Seiko Epson Corporation Optical switching device and image display device
JPH11211999A (ja) 1998-01-28 1999-08-06 Teijin Ltd 光変調素子および表示装置
US5914804A (en) 1998-01-28 1999-06-22 Lucent Technologies Inc Double-cavity micromechanical optical modulator with plural multilayer mirrors
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6100861A (en) 1998-02-17 2000-08-08 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel display with improved color gamut
US6195196B1 (en) 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US6262697B1 (en) 1998-03-20 2001-07-17 Eastman Kodak Company Display having viewable and conductive images
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6097145A (en) 1998-04-27 2000-08-01 Copytele, Inc. Aerogel-based phase transition flat panel display
US5943158A (en) 1998-05-05 1999-08-24 Lucent Technologies Inc. Micro-mechanical, anti-reflection, switched optical modulator array and fabrication method
US6160833A (en) 1998-05-06 2000-12-12 Xerox Corporation Blue vertical cavity surface emitting laser
WO1999059101A2 (en) 1998-05-12 1999-11-18 E-Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
US6282010B1 (en) 1998-05-14 2001-08-28 Texas Instruments Incorporated Anti-reflective coatings for spatial light modulators
US6046659A (en) 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
US6323982B1 (en) 1998-05-22 2001-11-27 Texas Instruments Incorporated Yield superstructure for digital micromirror device
US6147790A (en) 1998-06-02 2000-11-14 Texas Instruments Incorporated Spring-ring micromechanical device
US6295154B1 (en) 1998-06-05 2001-09-25 Texas Instruments Incorporated Optical switching apparatus
US6496122B2 (en) 1998-06-26 2002-12-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Image display and remote control system capable of displaying two distinct images
GB2341476A (en) 1998-09-03 2000-03-15 Sharp Kk Variable resolution display device
US6113239A (en) 1998-09-04 2000-09-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Projection display system for reflective light valves
US6242989B1 (en) 1998-09-12 2001-06-05 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising a multi-port variable capacitor
JP4074714B2 (ja) 1998-09-25 2008-04-09 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6323834B1 (en) 1998-10-08 2001-11-27 International Business Machines Corporation Micromechanical displays and fabrication method
JP3919954B2 (ja) 1998-10-16 2007-05-30 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6171945B1 (en) 1998-10-22 2001-01-09 Applied Materials, Inc. CVD nanoporous silica low dielectric constant films
US6288824B1 (en) 1998-11-03 2001-09-11 Alex Kastalsky Display device based on grating electromechanical shutter
JP2000147262A (ja) 1998-11-11 2000-05-26 Nobuyuki Higuchi 集光装置及びこれを利用した太陽光発電システム
US6335831B2 (en) 1998-12-18 2002-01-01 Eastman Kodak Company Multilevel mechanical grating device
US6358021B1 (en) 1998-12-29 2002-03-19 Honeywell International Inc. Electrostatic actuators for active surfaces
US6215221B1 (en) 1998-12-29 2001-04-10 Honeywell International Inc. Electrostatic/pneumatic actuators for active surfaces
US6188519B1 (en) 1999-01-05 2001-02-13 Kenneth Carlisle Johnson Bigrating light valve
US6242932B1 (en) 1999-02-19 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Interposer for semiconductor components having contact balls
JP3864204B2 (ja) 1999-02-19 2006-12-27 株式会社日立プラズマパテントライセンシング プラズマディスプレイパネル
US6606175B1 (en) 1999-03-16 2003-08-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multi-segment light-emitting diode
US6449084B1 (en) 1999-05-10 2002-09-10 Yanping Guo Optical deflector
US6323987B1 (en) 1999-05-14 2001-11-27 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Controlled multi-wavelength etalon
US6201633B1 (en) 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6862029B1 (en) 1999-07-27 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Color display system
US6331909B1 (en) 1999-08-05 2001-12-18 Microvision, Inc. Frequency tunable resonant scanner
US6525310B2 (en) 1999-08-05 2003-02-25 Microvision, Inc. Frequency tunable resonant scanner
US6335235B1 (en) 1999-08-17 2002-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6960305B2 (en) 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US6741383B2 (en) 2000-08-11 2004-05-25 Reflectivity, Inc. Deflectable micromirrors with stopping mechanisms
US6549338B1 (en) 1999-11-12 2003-04-15 Texas Instruments Incorporated Bandpass filter to reduce thermal impact of dichroic light shift
US6552840B2 (en) 1999-12-03 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated Electrostatic efficiency of micromechanical devices
US6545335B1 (en) 1999-12-27 2003-04-08 Xerox Corporation Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits
US6674090B1 (en) 1999-12-27 2004-01-06 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in active
US6548908B2 (en) 1999-12-27 2003-04-15 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices
JP2001249287A (ja) 1999-12-30 2001-09-14 Texas Instr Inc <Ti> 双安定マイクロミラー・アレイを動作させる方法
US6519073B1 (en) 2000-01-10 2003-02-11 Lucent Technologies Inc. Micromechanical modulator and methods for fabricating the same
CA2397806C (en) 2000-01-21 2009-05-05 Flex Products, Inc. Optically variable security devices
US6307663B1 (en) 2000-01-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Spatial light modulator with conformal grating device
US6407851B1 (en) 2000-08-01 2002-06-18 Mohammed N. Islam Micromechanical optical switch
JP2001221913A (ja) 2000-02-08 2001-08-17 Yokogawa Electric Corp ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計
GB2359636B (en) 2000-02-22 2002-05-01 Marconi Comm Ltd Wavelength selective optical filter
EP1185972A1 (en) 2000-02-24 2002-03-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device comprising a light guide
US6836366B1 (en) 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6665109B2 (en) 2000-03-20 2003-12-16 Np Photonics, Inc. Compliant mechanism and method of forming same
US6747775B2 (en) 2000-03-20 2004-06-08 Np Photonics, Inc. Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same
US6698295B1 (en) 2000-03-31 2004-03-02 Shipley Company, L.L.C. Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer
US6400738B1 (en) 2000-04-14 2002-06-04 Agilent Technologies, Inc. Tunable Fabry-Perot filters and lasers
US7008812B1 (en) 2000-05-30 2006-03-07 Ic Mechanics, Inc. Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation
US6466190B1 (en) 2000-06-19 2002-10-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible color modulation tables of ratios for generating color modulation patterns
US6473274B1 (en) 2000-06-28 2002-10-29 Texas Instruments Incorporated Symmetrical microactuator structure for use in mass data storage devices, or the like
FR2811139B1 (fr) 2000-06-29 2003-10-17 Centre Nat Rech Scient Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde integre
TW535024B (en) 2000-06-30 2003-06-01 Minolta Co Ltd Liquid display element and method of producing the same
KR100840827B1 (ko) 2000-07-03 2008-06-23 소니 가부시끼 가이샤 광학 다층 구조체, 광학 절환 장치 및 화상 디스플레이
EP1172681A3 (en) 2000-07-13 2004-06-09 Creo IL. Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US6456420B1 (en) 2000-07-27 2002-09-24 Mcnc Microelectromechanical elevating structures
US6853129B1 (en) 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
US6778155B2 (en) 2000-07-31 2004-08-17 Texas Instruments Incorporated Display operation with inserted block clears
US6867897B2 (en) 2003-01-29 2005-03-15 Reflectivity, Inc Micromirrors and off-diagonal hinge structures for micromirror arrays in projection displays
JP2002062490A (ja) 2000-08-14 2002-02-28 Canon Inc 干渉性変調素子
US6635919B1 (en) 2000-08-17 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated High Q-large tuning range micro-electro mechanical system (MEMS) varactor for broadband applications
US6376787B1 (en) 2000-08-24 2002-04-23 Texas Instruments Incorporated Microelectromechanical switch with fixed metal electrode/dielectric interface with a protective cap layer
US6643069B2 (en) 2000-08-31 2003-11-04 Texas Instruments Incorporated SLM-base color projection display having multiple SLM's and multiple projection lenses
JP4304852B2 (ja) 2000-09-04 2009-07-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 非平面液晶表示素子及びその製造方法
US6466354B1 (en) 2000-09-19 2002-10-15 Silicon Light Machines Method and apparatus for interferometric modulation of light
GB2371119A (en) 2000-09-25 2002-07-17 Marconi Caswell Ltd Micro electro-mechanical systems
US6714565B1 (en) 2000-11-01 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Optically tunable Fabry Perot microelectromechanical resonator
US6556338B2 (en) 2000-11-03 2003-04-29 Intpax, Inc. MEMS based variable optical attenuator (MBVOA)
US6859218B1 (en) 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
CN1474954A (zh) 2000-11-22 2004-02-11 鲍尔半导体公司 光调制装置及系统
US6433917B1 (en) 2000-11-22 2002-08-13 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
US6647171B1 (en) 2000-12-01 2003-11-11 Corning Incorporated MEMS optical switch actuator
US7307775B2 (en) 2000-12-07 2007-12-11 Texas Instruments Incorporated Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US6847752B2 (en) 2000-12-07 2005-01-25 Bluebird Optical Mems Ltd. Integrated actuator for optical switch mirror array
US6906847B2 (en) 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
CA2430741A1 (en) 2000-12-11 2002-06-20 Rad H. Dabbaj Electrostatic device
US6614576B2 (en) 2000-12-15 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices
US20020149834A1 (en) * 2000-12-22 2002-10-17 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
DE10064616C2 (de) 2000-12-22 2003-02-06 Ovd Kinegram Ag Zug Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie
US6775174B2 (en) 2000-12-28 2004-08-10 Texas Instruments Incorporated Memory architecture for micromirror cell
US6625047B2 (en) 2000-12-31 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Micromechanical memory element
WO2002058089A1 (en) 2001-01-19 2002-07-25 Massachusetts Institute Of Technology Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications
JP2002221678A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Seiko Epson Corp 光スイッチングデバイス、その製造方法および画像表示装置
WO2002079853A1 (en) 2001-03-16 2002-10-10 Corning Intellisense Corporation Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture
US20020167072A1 (en) 2001-03-16 2002-11-14 Andosca Robert George Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture
JP2002277771A (ja) 2001-03-21 2002-09-25 Ricoh Co Ltd 光変調装置
US6661561B2 (en) 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
US6630786B2 (en) 2001-03-30 2003-10-07 Candescent Technologies Corporation Light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance
GB0108309D0 (en) 2001-04-03 2001-05-23 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix array devices with flexible substrates
US6526197B2 (en) * 2001-04-09 2003-02-25 Adc Telecommunications, Inc. MEMS optical balanced path switch
US20020149850A1 (en) 2001-04-17 2002-10-17 E-Tek Dynamics, Inc. Tunable optical filter
US6600587B2 (en) 2001-04-23 2003-07-29 Memx, Inc. Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure
US6657832B2 (en) 2001-04-26 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes
US6465355B1 (en) 2001-04-27 2002-10-15 Hewlett-Packard Company Method of fabricating suspended microstructures
GB2375184A (en) 2001-05-02 2002-11-06 Marconi Caswell Ltd Wavelength selectable optical filter
FR2824643B1 (fr) 2001-05-10 2003-10-31 Jean Pierre Lazzari Dispositif de modulation de lumiere
US6800210B2 (en) 2001-05-22 2004-10-05 Reflectivity, Inc. Method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants
US6598985B2 (en) 2001-06-11 2003-07-29 Nanogear Optical mirror system with multi-axis rotational control
US6822628B2 (en) 2001-06-28 2004-11-23 Candescent Intellectual Property Services, Inc. Methods and systems for compensating row-to-row brightness variations of a field emission display
DE60230673D1 (de) 2001-07-05 2009-02-12 Ibm Mikrosystemschalter
KR100853131B1 (ko) * 2001-07-10 2008-08-20 이리다임 디스플레이 코포레이션 전자 기기 구동 방법 및 장치
JP3740444B2 (ja) 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP4032216B2 (ja) 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
US6594059B2 (en) 2001-07-16 2003-07-15 Axsun Technologies, Inc. Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof
KR100452112B1 (ko) 2001-07-18 2004-10-12 한국과학기술원 정전 구동기
US6862022B2 (en) 2001-07-20 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for automatically selecting a vertical refresh rate for a video display monitor
US6589625B1 (en) 2001-08-01 2003-07-08 Iridigm Display Corporation Hermetic seal and method to create the same
US6600201B2 (en) 2001-08-03 2003-07-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems with high density packing of micromachines
US6632698B2 (en) 2001-08-07 2003-10-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS
US6661562B2 (en) 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Optical modulator and method of manufacture thereof
GB2381834B (en) * 2001-09-07 2004-08-25 Avon Polymer Prod Ltd Noise and vibration suppressors
US7015457B2 (en) 2002-03-18 2006-03-21 Honeywell International Inc. Spectrally tunable detector
US20030053078A1 (en) 2001-09-17 2003-03-20 Mark Missey Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators
WO2003028059A1 (en) 2001-09-21 2003-04-03 Hrl Laboratories, Llc Mems switches and methods of making same
US6866669B2 (en) 2001-10-12 2005-03-15 Cordis Corporation Locking handle deployment mechanism for medical device and method
US7004015B2 (en) 2001-10-25 2006-02-28 The Regents Of The University Of Michigan Method and system for locally sealing a vacuum microcavity, methods and systems for monitoring and controlling pressure and method and system for trimming resonant frequency of a microstructure therein
US6870581B2 (en) 2001-10-30 2005-03-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single panel color video projection display using reflective banded color falling-raster illumination
CN100550429C (zh) 2001-11-09 2009-10-14 图恩斯通系统公司 具有触头和支座凸块的mems器件及其相关方法
US6761950B2 (en) 2001-12-07 2004-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Information recording medium and method for producing the same
JP2003177336A (ja) 2001-12-11 2003-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置
JP3893421B2 (ja) 2001-12-27 2007-03-14 富士フイルム株式会社 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置
US6959990B2 (en) 2001-12-31 2005-11-01 Texas Instruments Incorporated Prism for high contrast projection
JP3806038B2 (ja) 2002-01-07 2006-08-09 富士写真フイルム株式会社 画像処理システム及び撮像装置
US6791735B2 (en) 2002-01-09 2004-09-14 The Regents Of The University Of California Differentially-driven MEMS spatial light modulator
US6608268B1 (en) 2002-02-05 2003-08-19 Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. Proximity micro-electro-mechanical system
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
AU2003207186A1 (en) 2002-02-15 2003-09-04 Bridgestone Corporation Image display unit
US6643053B2 (en) 2002-02-20 2003-11-04 The Regents Of The University Of California Piecewise linear spatial phase modulator using dual-mode micromirror arrays for temporal and diffractive fourier optics
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
WO2003075617A1 (fr) 2002-03-01 2003-09-12 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif emetteur lumiere et affichage utilisant ce dispositif et dispositif de lecture
US7145143B2 (en) 2002-03-18 2006-12-05 Honeywell International Inc. Tunable sensor
US6768555B2 (en) 2002-03-21 2004-07-27 Industrial Technology Research Institute Fabry-Perot filter apparatus with enhanced optical discrimination
US6965468B2 (en) 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
AU2003219354A1 (en) 2002-04-11 2003-10-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier, method of manufacturing a carrier and an electronic device
US20030202264A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Weber Timothy L. Micro-mirror device
US6972882B2 (en) 2002-04-30 2005-12-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with light angle amplification
US6954297B2 (en) 2002-04-30 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
US20040212026A1 (en) 2002-05-07 2004-10-28 Hewlett-Packard Company MEMS device having time-varying control
JP2003340795A (ja) 2002-05-20 2003-12-02 Sony Corp 静電駆動型mems素子とその製造方法、光学mems素子、光変調素子、glvデバイス及びレーザディスプレイ
JP3801099B2 (ja) 2002-06-04 2006-07-26 株式会社デンソー チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
DE10228946B4 (de) 2002-06-28 2004-08-26 Universität Bremen Optischer Modulator, Display, Verwendung eines optischen Modulators und Verfahren zur Herstellung eines optischen Modulators
US6741377B2 (en) 2002-07-02 2004-05-25 Iridigm Display Corporation Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same
US6738194B1 (en) 2002-07-22 2004-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Resonance tunable optical filter
US6822798B2 (en) 2002-08-09 2004-11-23 Optron Systems, Inc. Tunable optical filter
TW544787B (en) 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
JP4057871B2 (ja) 2002-09-19 2008-03-05 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
US7508566B2 (en) 2002-09-19 2009-03-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Switchable optical element
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
KR100512960B1 (ko) 2002-09-26 2005-09-07 삼성전자주식회사 플렉서블 mems 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 mems 무선 마이크로폰
US6986587B2 (en) 2002-10-16 2006-01-17 Olympus Corporation Variable-shape reflection mirror and method of manufacturing the same
JP4347654B2 (ja) 2002-10-16 2009-10-21 オリンパス株式会社 可変形状反射鏡及びその製造方法
US7085121B2 (en) 2002-10-21 2006-08-01 Hrl Laboratories, Llc Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters
FR2846318B1 (fr) 2002-10-24 2005-01-07 Commissariat Energie Atomique Microstructure electromecanique integree comportant des moyens de reglage de la pression dans une cavite scellee et procede de reglage de la pression
US6747785B2 (en) 2002-10-24 2004-06-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. MEMS-actuated color light modulator and methods
US6666561B1 (en) 2002-10-28 2003-12-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Continuously variable analog micro-mirror device
US7370185B2 (en) 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US6909589B2 (en) 2002-11-20 2005-06-21 Corporation For National Research Initiatives MEMS-based variable capacitor
US6844959B2 (en) 2002-11-26 2005-01-18 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
US6958846B2 (en) 2002-11-26 2005-10-25 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
US6741503B1 (en) 2002-12-04 2004-05-25 Texas Instruments Incorporated SLM display data address mapping for four bank frame buffer
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
TW594155B (en) 2002-12-27 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd Optical interference type color display and optical interference modulator
TW559686B (en) 2002-12-27 2003-11-01 Prime View Int Co Ltd Optical interference type panel and the manufacturing method thereof
JP2004212680A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子アレイ及びその製造方法
JP2004212638A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び平面表示素子
US6808953B2 (en) 2002-12-31 2004-10-26 Robert Bosch Gmbh Gap tuning for surface micromachined structures in an epitaxial reactor
US7002719B2 (en) 2003-01-15 2006-02-21 Lucent Technologies Inc. Mirror for an integrated device
JP2004219843A (ja) 2003-01-16 2004-08-05 Seiko Epson Corp 光変調器、表示装置及びその製造方法
US20040140557A1 (en) 2003-01-21 2004-07-22 United Test & Assembly Center Limited Wl-bga for MEMS/MOEMS devices
US20040147056A1 (en) 2003-01-29 2004-07-29 Mckinnell James C. Micro-fabricated device and method of making
TW557395B (en) 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
US7205675B2 (en) 2003-01-29 2007-04-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-fabricated device with thermoelectric device and method of making
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
JP2004235465A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Tokyo Electron Ltd 接合方法、接合装置及び封止部材
US7436573B2 (en) 2003-02-12 2008-10-14 Texas Instruments Incorporated Electrical connections in microelectromechanical devices
US7459402B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Texas Instruments Incorporated Protection layers in micromirror array devices
US6903487B2 (en) 2003-02-14 2005-06-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with increased mirror tilt
TW200417806A (en) 2003-03-05 2004-09-16 Prime View Int Corp Ltd A structure of a light-incidence electrode of an optical interference display plate
US6844953B2 (en) 2003-03-12 2005-01-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
TWI405196B (zh) 2003-03-13 2013-08-11 Lg Electronics Inc 光學記錄媒體及其缺陷區域管理方法及其裝置
KR100925195B1 (ko) 2003-03-17 2009-11-06 엘지전자 주식회사 대화형 디스크 플레이어의 이미지 데이터 처리장치 및처리방법
JP2004286825A (ja) 2003-03-19 2004-10-14 Fuji Photo Film Co Ltd 平面表示装置
US6913942B2 (en) 2003-03-28 2005-07-05 Reflectvity, Inc Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices
TWI226504B (en) 2003-04-21 2005-01-11 Prime View Int Co Ltd A structure of an interference display cell
TWI224235B (en) 2003-04-21 2004-11-21 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW594360B (en) 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW567355B (en) 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US7358966B2 (en) 2003-04-30 2008-04-15 Hewlett-Packard Development Company L.P. Selective update of micro-electromechanical device
US7447891B2 (en) 2003-04-30 2008-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator with concentric control-electrode structure
US6853476B2 (en) 2003-04-30 2005-02-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control circuit for a micro-electromechanical device
US7072093B2 (en) 2003-04-30 2006-07-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical interference pixel display with charge control
US6741384B1 (en) 2003-04-30 2004-05-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Control of MEMS and light modulator arrays
US6829132B2 (en) 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
US7400489B2 (en) 2003-04-30 2008-07-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and a method of driving a parallel-plate variable micro-electromechanical capacitor
WO2004099629A2 (en) 2003-05-01 2004-11-18 University Of Florida Vertical displacement device
US6819469B1 (en) 2003-05-05 2004-11-16 Igor M. Koba High-resolution spatial light modulator for 3-dimensional holographic display
JP4075678B2 (ja) 2003-05-06 2008-04-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
US7218499B2 (en) 2003-05-14 2007-05-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control circuit
JP4338442B2 (ja) 2003-05-23 2009-10-07 富士フイルム株式会社 透過型光変調素子の製造方法
TW591716B (en) 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US6917459B2 (en) 2003-06-03 2005-07-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. MEMS device and method of forming MEMS device
US6811267B1 (en) 2003-06-09 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Display system with nonvisible data projection
TWI223855B (en) 2003-06-09 2004-11-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices
JP2007027150A (ja) 2003-06-23 2007-02-01 Hitachi Chem Co Ltd 集光型光発電システム
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
FR2857153B1 (fr) 2003-07-01 2005-08-26 Commissariat Energie Atomique Micro-commutateur bistable a faible consommation.
US6862127B1 (en) 2003-11-01 2005-03-01 Fusao Ishii High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same
US7190380B2 (en) 2003-09-26 2007-03-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Generating and displaying spatially offset sub-frames
JP3786106B2 (ja) 2003-08-11 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 波長可変光フィルタ及びその製造方法
US7173314B2 (en) 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TWI251712B (en) 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TWI305599B (en) 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TW200506479A (en) 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TW593127B (en) 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US20050057442A1 (en) 2003-08-28 2005-03-17 Olan Way Adjacent display of sequential sub-images
TWI230801B (en) 2003-08-29 2005-04-11 Prime View Int Co Ltd Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
JP3979982B2 (ja) 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI232333B (en) 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US7027204B2 (en) 2003-09-26 2006-04-11 Silicon Light Machines Corporation High-density spatial light modulator
US6982820B2 (en) 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US20050068583A1 (en) 2003-09-30 2005-03-31 Gutkowski Lawrence J. Organizing a digital image
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US6861277B1 (en) 2003-10-02 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming MEMS device
JP2005121906A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 反射型光変調アレイ素子及び露光装置
US7198873B2 (en) * 2003-11-18 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations
TW200524236A (en) 2003-12-01 2005-07-16 Nl Nanosemiconductor Gmbh Optoelectronic device incorporating an interference filter
US7142346B2 (en) 2003-12-09 2006-11-28 Idc, Llc System and method for addressing a MEMS display
US7161728B2 (en) 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
ATE552521T1 (de) 2003-12-19 2012-04-15 Barco Nv Breitbandige reflektive anzeigevorrichtung
WO2005089098A2 (en) 2004-01-14 2005-09-29 The Regents Of The University Of California Ultra broadband mirror using subwavelength grating
TWI235345B (en) 2004-01-20 2005-07-01 Prime View Int Co Ltd A structure of an optical interference display unit
JP2005235403A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 有機・el表示装置
TWI256941B (en) 2004-02-18 2006-06-21 Qualcomm Mems Technologies Inc A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
TW200530669A (en) 2004-03-05 2005-09-16 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI261683B (en) 2004-03-10 2006-09-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference reflective element and repairing method thereof
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
JP4581453B2 (ja) 2004-03-29 2010-11-17 ソニー株式会社 Mems素子、光学mems素子、回折型光学mems素子、並びにレーザディスプレイ
JP2005308871A (ja) 2004-04-19 2005-11-04 Aterio Design Kk 干渉カラーフィルター
US7245285B2 (en) 2004-04-28 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pixel device
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
EP1598704B1 (en) * 2004-05-17 2009-12-02 FUJIFILM Corporation Pattern forming method
KR20070020284A (ko) 2004-06-10 2007-02-20 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 광 밸브
US7787170B2 (en) 2004-06-15 2010-08-31 Texas Instruments Incorporated Micromirror array assembly with in-array pillars
US7075700B2 (en) 2004-06-25 2006-07-11 The Boeing Company Mirror actuator position sensor systems and methods
TWI233916B (en) 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
US7872790B2 (en) 2004-07-09 2011-01-18 University Of Cincinnati Display capable electrowetting light valve
TWI270722B (en) 2004-07-23 2007-01-11 Au Optronics Corp Dual-side display panel
CA2575314A1 (en) 2004-07-29 2006-02-09 Idc, Llc System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US7126741B2 (en) 2004-08-12 2006-10-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator assembly
US7372348B2 (en) 2004-08-20 2008-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing
ATE397759T1 (de) 2004-09-01 2008-06-15 Barco Nv Prismenanordnung
KR100648310B1 (ko) * 2004-09-24 2006-11-23 삼성전자주식회사 영상의 휘도 정보를 이용한 색변환장치 및 이를 구비하는디스플레이 장치
US8102407B2 (en) 2004-09-27 2012-01-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
WO2006035698A1 (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Dueller Corporation シート状集光器及びこれを用いた太陽電池シート
US7535466B2 (en) 2004-09-27 2009-05-19 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US8124434B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US20060066596A1 (en) 2004-09-27 2006-03-30 Sampsell Jeffrey B System and method of transmitting video data
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7130104B2 (en) 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7612932B2 (en) * 2004-09-27 2009-11-03 Idc, Llc Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7184202B2 (en) 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
CN1755498A (zh) 2004-09-27 2006-04-05 Idc公司 光子微机电系统和结构
US7898521B2 (en) 2004-09-27 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for wavelength filtering
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7369296B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7586484B2 (en) 2004-09-27 2009-09-08 Idc, Llc Controller and driver features for bi-stable display
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7527995B2 (en) 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7920135B2 (en) 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US7679627B2 (en) 2004-09-27 2010-03-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controller and driver features for bi-stable display
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US20060176241A1 (en) 2004-09-27 2006-08-10 Sampsell Jeffrey B System and method of transmitting video data
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7692839B2 (en) * 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7554714B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7719500B2 (en) 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
JP4384005B2 (ja) 2004-10-15 2009-12-16 株式会社東芝 表示装置
CN101048839B (zh) 2004-10-27 2010-11-17 爱普科斯公司 电子设备
US20080068697A1 (en) 2004-10-29 2008-03-20 Haluzak Charles C Micro-Displays and Their Manufacture
US20060132927A1 (en) 2004-11-30 2006-06-22 Yoon Frank C Electrowetting chromatophore
TW200628877A (en) 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
US7521666B2 (en) 2005-02-17 2009-04-21 Capella Microsystems Inc. Multi-cavity Fabry-Perot ambient light filter apparatus
US7675665B2 (en) 2005-02-23 2010-03-09 Pixtronix, Incorporated Methods and apparatus for actuating displays
US7405852B2 (en) 2005-02-23 2008-07-29 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US7884989B2 (en) 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
US7460292B2 (en) 2005-06-03 2008-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator with internal polarization and drive method
US7184195B2 (en) 2005-06-15 2007-02-27 Miradia Inc. Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator
EP2495212A3 (en) 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
JP2009503565A (ja) 2005-07-22 2009-01-29 クアルコム,インコーポレイテッド Memsデバイスのための支持構造、およびその方法
KR101423321B1 (ko) 2005-07-22 2014-07-30 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 지지 구조물들을 가지는 전자기계 장치들 및 그 제조방법들
WO2007013939A1 (en) 2005-07-22 2007-02-01 Qualcomm Incorporated Support structure for mems device and methods therefor
DE102005046156B3 (de) 2005-09-27 2007-05-31 Siemens Ag Vorrichtung mit Funktionselement und Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung
JP4641478B2 (ja) 2005-09-27 2011-03-02 キヤノン株式会社 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置
US7834829B2 (en) 2005-10-03 2010-11-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Control circuit for overcoming stiction
US8574823B2 (en) 2005-10-05 2013-11-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-level layer
US7513327B1 (en) 2005-10-13 2009-04-07 Kent Peterson System for converting a recreational vehicle
GB0521251D0 (en) 2005-10-19 2005-11-30 Qinetiq Ltd Optical modulation
US7760197B2 (en) 2005-10-31 2010-07-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fabry-perot interferometric MEMS electromagnetic wave modulator with zero-electric field
JP2007167998A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Toshiba Corp 梁構造を有する装置、および半導体装置
US7417746B2 (en) 2005-12-29 2008-08-26 Xerox Corporation Fabry-perot tunable filter systems and methods
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7652814B2 (en) 2006-01-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device with integrated optical element
US7550810B2 (en) 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
WO2007110928A1 (ja) 2006-03-28 2007-10-04 Fujitsu Limited 可動素子
US7477440B1 (en) 2006-04-06 2009-01-13 Miradia Inc. Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7527996B2 (en) 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US20070249078A1 (en) 2006-04-19 2007-10-25 Ming-Hau Tung Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7623287B2 (en) 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7417784B2 (en) 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7405863B2 (en) 2006-06-01 2008-07-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports
US7321457B2 (en) 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7566664B2 (en) 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
US7684106B2 (en) * 2006-11-02 2010-03-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Compatible MEMS switch architecture
US7535621B2 (en) 2006-12-27 2009-05-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications
US7569488B2 (en) 2007-06-22 2009-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter
US7630121B2 (en) * 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
EP2181355A1 (en) 2007-07-25 2010-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mems display devices and methods of fabricating the same
US7813029B2 (en) 2007-07-31 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices and methods for enhancing color shift of interferometric modulators
US20090078316A1 (en) 2007-09-24 2009-03-26 Qualcomm Incorporated Interferometric photovoltaic cell
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
US20090293955A1 (en) 2007-11-07 2009-12-03 Qualcomm Incorporated Photovoltaics with interferometric masks
RU2485626C2 (ru) 2007-12-21 2013-06-20 Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк. Многопереходные фотогальванические элементы
US7898723B2 (en) 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7768690B2 (en) 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US8023167B2 (en) 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7782522B2 (en) 2008-07-17 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Encapsulation methods for interferometric modulator and MEMS devices
US7719754B2 (en) 2008-09-30 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Multi-thickness layers for MEMS and mask-saving sequence for same
WO2010044901A1 (en) 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell
US20100096011A1 (en) 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High efficiency interferometric color filters for photovoltaic modules
US20120105385A1 (en) 2010-11-02 2012-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical systems apparatuses and methods for providing rough surfaces
US20120134008A1 (en) 2010-11-30 2012-05-31 Ion Bita Electromechanical interferometric modulator device
US20120162232A1 (en) 2010-12-22 2012-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of fabrication and resultant encapsulated electromechanical device
US20120188215A1 (en) 2011-01-24 2012-07-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical devices with variable mechanical layers
US20120194897A1 (en) 2011-01-27 2012-08-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backside patterning to form support posts in an electromechanical device

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102778752A (zh) * 2011-05-12 2012-11-14 株式会社日本显示器东 显示装置
CN102798975A (zh) * 2011-05-24 2012-11-28 株式会社日本显示器东 显示装置
CN102874737A (zh) * 2011-07-12 2013-01-16 法国原子能与替代能委员会 微系统及/或纳米系统类型的装置及其制造方法
CN103959131B (zh) * 2011-11-30 2017-07-11 追踪有限公司 并有电荷消散表面的机电系统显示设备
CN103959131A (zh) * 2011-11-30 2014-07-30 皮克斯特隆尼斯有限公司 并入有电荷消散表面的机电系统显示设备
TWI479193B (zh) * 2011-11-30 2015-04-01 Pixtronix Inc 結合電荷消散表面之裝置及減小靜電引力之方法
CN104246577A (zh) * 2012-04-06 2014-12-24 高通Mems科技公司 具有rgb吸收器的多状态imod
CN105612439A (zh) * 2013-08-20 2016-05-25 英特尔公司 一种包含mems装置的显示设备
CN105612439B (zh) * 2013-08-20 2019-06-18 英特尔公司 一种包含mems装置的显示设备
CN105702167B (zh) * 2014-12-09 2018-09-14 乐金显示有限公司 可变形装置及其制造方法
US10193099B2 (en) 2014-12-09 2019-01-29 Lg Display Co., Ltd. Transformable device and method of manufacturing the same
CN105702167A (zh) * 2014-12-09 2016-06-22 乐金显示有限公司 可变形装置及其制造方法
CN106707415A (zh) * 2015-11-18 2017-05-24 财团法人工业技术研究院 可调式光学装置
CN106707415B (zh) * 2015-11-18 2020-08-11 财团法人工业技术研究院 可调式光学装置
US11137590B2 (en) 2015-11-18 2021-10-05 Industrial Technology Research Institute Tunable optical device
CN106707643A (zh) * 2017-01-03 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其驱动方法和显示装置
CN106707643B (zh) * 2017-01-03 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其驱动方法和显示装置
CN107561683A (zh) * 2017-09-15 2018-01-09 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示基板及其控制方法、显示装置
US10679573B2 (en) 2017-09-15 2020-06-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel structure, display substrate and control method thereof, display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5622797B2 (ja) 2014-11-12
US8289613B2 (en) 2012-10-16
JP2012230407A (ja) 2012-11-22
KR20140111711A (ko) 2014-09-19
JP2010532499A (ja) 2010-10-07
TW201509790A (zh) 2015-03-16
US20080013145A1 (en) 2008-01-17
TWI357884B (en) 2012-02-11
TW201136823A (en) 2011-11-01
TW200911677A (en) 2009-03-16
JP5728608B2 (ja) 2015-06-03
US9001412B2 (en) 2015-04-07
KR20100039383A (ko) 2010-04-15
WO2009006120A8 (en) 2010-02-04
EP2012166A2 (en) 2009-01-07
US20110188109A1 (en) 2011-08-04
TWI474963B (zh) 2015-03-01
US20130069958A1 (en) 2013-03-21
EP2012166A3 (en) 2011-09-21
WO2009006120A1 (en) 2009-01-08
JP5074588B2 (ja) 2012-11-14
KR20150017772A (ko) 2015-02-17
US7944599B2 (en) 2011-05-17
JP2014209262A (ja) 2014-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101855586A (zh) 具有与机械及电功能分离的光学功能的微机电装置
CN101802677B (zh) 一种微机电装置及其制造方法
CN101688975B (zh) 具有与机械及电功能分离的光学功能的微机电装置
KR101173197B1 (ko) 다중 상태 간섭 광 변조를 위한 방법 및 기기
KR101142058B1 (ko) 디스플레이에서 컬러를 처리하는 방법 및 기기
KR101236432B1 (ko) 디스플레이에서의 컬러를 조절할 수 있는 디스플레이 장치 및 이러한 디스플레이 장치의 제조 방법
CN101305308B (zh) 微机电装置的扩散阻挡层
CN102426405B (zh) 用于干涉式调制器阵列的导电总线结构
KR101254159B1 (ko) 디스플레이의 컬러를 조작하는 방법 및 기기
CN101978302A (zh) 具有间隔层的机电装置
CN101688973A (zh) 红外线及双模式显示器
CN101755232A (zh) 微机电系统显示器装置及其制造方法
CN101027592B (zh) 具有减小的电容的显示元件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20160601

C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned