CN101882421B - 电子书 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电子书及其驱动方法。该电子书包括：具有电容器和底部栅极晶体管的像素；存储器；以及电路，电容器的两电极间设置有栅极绝缘膜，电路配置为通过使用存储器将多个信号输入到像素中，像素配置为根据该多个信号来表示灰度。灰度的比特被分类为三种比特组，一个帧被分成为三个子帧组。与属于第一比特组的比特对应的子帧被分成为六份，其每两份被布置在每个子帧组中；与属于第二比特组的比特对应的子帧被分成为三份，其每一份被布置在每个子帧组中；与属于第三比特组的比特对应的子帧被布置在子帧组中的任何一个中。这样，在每个子帧组中应用重叠时间灰度法以表示灰度等级。本发明减少了当通过时间灰度法进行显示时出现的伪轮廓线。

Description

电子书

本分案申请是基于申请号为200610074395.5，申请日为2006年4月14日，发明名称为“显示器件、以及所述显示器件的驱动方法和电子设备”的中国专利申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及一种显示器件及其驱动方法，具体而言，本发明涉及一种应用时间灰度法的显示器件。 

背景技术

近年来，其中使用诸如发光二极管(LED)等发光元件形成像素的所谓的自发光显示器件已引起人们的注意。作为用于所述自发光显示器件的发光元件，有机发光二极管(OLED)(也称作“有机EL元件”、电致发光(EL)元件等)已引起人们的注意，并且已被用于EL显示器等。诸如OLED的发光元件是自发光类型的；因此，与液晶显示器相比较，它具有诸如像素能见度更高、无背光、以及响应速度更高等优点。另外，发光元件的亮度受流入该发光元件的电流值控制。 

作为控制所述显示器件的发光灰度的驱动方法，存在数字灰度法和模拟灰度法。在数字灰度法中，通过以数字方式控制使得发光元件被接通/切断以表示灰度等级。另一方面，在模拟灰度法中，存在以模拟方式控制发光元件的发射强度的方法和以模拟方式控制发光元件的发射时间的方法。 

在数字灰度法的情况中，只存在两种状态：发光状态和不发光状态，因此只能表示两个灰度级。因此，通过与另一种方法相组合而实现多个灰度级显示。作为用于实现多个灰度级的方法，在多种情况中使用时间灰度方法。 

作为其中像素的显示状态以数字方式被控制并且结合时间灰度方法以表示灰度等级的显示器，除使用数字灰度法的有机EL显示器以外，还存在一些显示器，诸如等离子体显示器。 

时间灰度法是用于通过控制发光期间的长度和光发射的次数表示灰度等级的方法。也就是说，将一个帧分成多个子帧，每个子帧都诸如通过光发射的次数或发光期间被加权，并且每个灰度级的总权数(光发射的总次数或发光期间的总和)不同，从而表示灰度等级。当使用所述时间灰度法时，已知会产生称作伪轮廓线(pseudo contour)(或假轮廓线)的显示缺陷，因此，已经开始考虑该问题的解决方案(见专利文献1)。 

另外，帧频已被增加以减少伪轮廓线。已有的各种方法中，存在这样一种方法，其中子帧的长度被减小到一半从而使得一个帧中的子帧的数量加倍。这基本与帧频被加倍的情况相同(见专利文献2)。在本说明书中该方法被称作“双倍帧速法”。 

这里，假定5-比特(即5位)显示(32个灰度级)的一种情况。首先，在图43中示出了根据传统时间灰度法的子帧的选择法，即，在每个灰度级下是否每个子帧都用于发光。在图43中，一个帧被分成为5个子帧(SF1到SF5)并且子帧的发光期间的各个长度被设定为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝4、SF4＝8以及SF5＝16；也就是说，每个发光期间的长度都是2的幂。应该注意的是，灰度级1和长度为1的发光期间彼此对应。通过组合这些发光期间，可执行具有32个灰度级(5-比特灰度)的显示。 

这里，描述了查看图43的方法。在o-标记所表示的子帧中执行发光而在x-标记所表示的子帧中不执行发光。通过选择在每个灰度级下执行发光的子帧表示灰度等级。例如，在灰度级为0的情况中，在SF1到SF5中不执行发光。在灰度级为1的情况中，在SF2到SF5中不执行发光而在SF1中执行发光。在灰度级为7的情况中，在SF4和SF5中不执行发光而在SF1到SF3中执行发光。 

接下来，图44中示出了其中双倍帧速法被应用于图43的情况的 一个示例。图43中的每个子帧被分成为两等份，从而形成了10个子帧(SF1到SF10)并且其发光期间的各个长度为SF1＝0.5、SF2＝1、SF3＝2、SF4＝4、SF5＝8、SF6＝0.5、SF7＝1、SF8＝2、SF9＝4、以及SF10＝8。因此，帧频被加倍。 

另外，相似地，也可考虑6-比特(即6位)显示(64个灰度级)的一种情况。图46中示出了其中双倍帧速法被应用于根据图45中所示的时间灰度法的6-比特显示的子帧结构的一个示例。图45中的每个子帧被分成为两等份，从而形成了12个子帧(SF1到SF12)并且其发光期间的各个长度为SF1＝0.5、SF2＝1、SF3＝2、SF4＝4、SF5＝8、SF6＝16、SF7＝0.5、SF8＝1、SF9＝2、SF10＝4、SF11＝8、以及SF12＝16。应该注意的是，灰度级1和长度为1的发光期间彼此对应。与5-比特显示的情况相似，通过选择在每个灰度级下执行发光的子帧表示灰度等级。 

如上所述的，通过将每个子帧分成为两等份，可使得帧频实质上增加到两倍。 

另外，作为用于增加帧频的另一种方法，在专利文献3中已披露了一种方法。 

专利文献3描述了8-比特(即8位)显示(256个灰度级)的一种情况。图47A和47B中示出了这种情况中子帧的选择方法。在8-比特显示的情况中，依照传统时间灰度法，一个帧被分成为8个子帧并且子帧的发光期间的各个长度被设定为1、2、4、8、16、32、64和128，因此每个发光期间的长度都是2的幂。专利文献3中所描述的是其中8个子帧中仅4个子帧按照减小发光期间的顺序被分被分割的一个示例；在图47A中示出了这种情况中子帧的选择方法。 

另外，在专利文献3中描述了这样一个示例，其中，在不是通过将每个发光期间的长度设定为2的幂来表示256个灰度级而是通过使用5个较高位比特中相邻比特之间的差为16的等差级数(诸如1、2、4、8、16、32、48、64和80)来表示256个灰度级的情况中，只有5个子帧按照减小发光期间的顺序被分割。在图47B中示出了这种情况 中子帧的选择方法。 

通过使用上述方法，可实质上增加帧频。 

[专利文献1]日本专利No.2903984 

[专利文献2]日本专利未审定公开号No.2004-151162 

[专利文献3]日本专利未审定公开号No.2001-42818 

然而，甚至在双倍帧速法中，也出现了其中发光期间的选择大大改变的伪轮廓线。

首先，考虑5-比特(即5位)显示的一种情况。使用图44中所示的子帧，假定在像素A中表示灰度级15而在与像素A相邻的像素B中表示灰度级16。在图48A和48B中示出了那种情况中每个子帧中的发光/不发光的状态。这里，图48A示出了在不移动视轴线的前提下仅看到像素A或像素B的情况。在这种情况中没有出现伪轮廓线。这是由于眼睛感觉到与视轴线所经过的亮度的总和一致的亮度。因此，眼睛感觉到像素A中的灰度级为15(＝4+2+1+0.5+4+2+1+0.5)以及像素B中的灰度级为16(＝8+8)。也就是说，眼睛感觉到精确的灰度级。 

另一方面，假定视轴线从像素A移动到像素B或从像素B移动到像素A。在图48B中示出了这种情况。在这种情况中，取决于视轴线的移动，眼睛有时感觉到灰度级为15.5(＝4+2+1+0.5+8)或23.5(＝8+8+4+2+1+0.5)。尽管应该看到灰度级正常为15和16，但是看到了灰度级为15.5或23.5，因此出现了伪轮廓线。 

接着，图49中示出了6-比特显示(64个灰度级)的一种情况。例如，假定在像素A中表示灰度级31而在与像素A相邻的像素B中表示灰度级32。与5-比特显示的情况相似，取决于视轴线的移动，眼睛有时感觉到灰度级为31.5(＝8+4+2+1+0.5+16)或47.5(＝16+16+8+4+2+1+0.5)。尽管应该看到灰度级正常为31和32，但是看到了灰度级为31.5或47.5，因此出现了伪轮廓线。 

另外，在图50A中示出了图47A的情况，而在图50B中示出了图47B的情况。例如，假定在像素A中表示127的灰度级而在与像素A相邻的像素B中表示128的灰度级。与上文中所述的示例相似，取 决于视轴线的移动，所感觉到的灰度级是不同的。例如，在图50A的情况中，眼睛有时感觉到灰度级为121(＝64+32+16+8+1)或134(＝32+16+8+8+4+2+64)。在图50B的情况中，眼睛有时感觉到灰度级为120(＝40+24+32+16+8)或134(＝32+16+8+8+4+2+40+24)。在任意一种情况中，尽管应该看到灰度级正常为127和128，但是也感觉到了具有过宽宽度的灰度级，因此出现了伪轮廓线。 

另外，在双倍帧速法中，子帧的数量增加从而负荷比(其发光期间与一个帧的比例)减小。因此，为了实现与不使用双倍帧速法的情况中相同的平均亮度，施加于发光元件的电压增加因此能量消耗增加，发光元件的可靠性会降低等等。 

发明内容

考虑到前述问题，本发明的一个目的是提供一种具有较少数量子帧并且可减少伪轮廓线显示器件，以及其驱动方法。 

为了解决上述问题，在本发明中提出了如下所述的驱动方法。 

依照本发明，在通过将一个帧分成为多个子帧来表示灰度等级的显示器件的驱动方法中，在灰度等级由n比特(这里n为整数)表示的情况中，每个都由二进制表示的灰度的比特被分类为三种比特组，即，第一比特组、第二比特组、以及第三比特组；一个帧被分成为两个子帧组；与属于第一比特组的比特相对应的a个(这里，a为满足0＜a＜n的整数)子帧被分成为三份或更多份，将其大约每一半布置在所述一个帧的两个子帧组的每个中；与属于第二比特组的比特相对应的b个(这里，b为满足0＜b＜n的整数)子帧被分成为两份，它们中的每份都被布置在所述一个帧的两个子帧组中的每个中；以及与属于第三比特组的比特相对应的c个(这里，c为满足0≤c＜n并且a+b+c＝n的整数)子帧被布置在所述一个帧的两个子帧组中的至少一个中；其中与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序在所述一个帧的两个子帧组之间大致相同；并且对于与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和 与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的全部或部分来说，在所述一个帧的两个子帧组的每个中顺序地加权，从而表示灰度级。这里，“大约一半”是指这样一种情况，即，假定子帧被分成为x份并且x个子帧被分成为分别布置在子帧组中的y个子帧和z个子帧(z＝x-y；y＞z)，z与y的比例(即，z/y)为0.5或更大。也就是说，包括这样一种情况，即，假定子帧被分成为3个，所述子帧被分成为分别布置在子帧组中的一个子帧和两个子帧。当然，它可刚好为一半并且在1≥z/y≥0.5的范围内。最好，它可在1≥z/y≥0.65的范围内，更好地是，在1≥z/y≥0.8的范围内。 

依照本发明，在通过将一个帧分成为多个子帧来表示灰度等级的显示器件的驱动方法中，在灰度等级由n比特(这里n为整数)表示的情况中，每个都由二进制表示的灰度的比特被分类为三种比特组，即，第一比特组、第二比特组、以及第三比特组；一个帧被分成为k(这里，k为满足k≥3的整数)个子帧组；与属于第一比特组的比特相对应的a个(这里，a为满足0＜a＜n的整数)子帧被分成为(k+1)份或更多份，它们被布置在所述一个帧的k个子帧组的每个子帧组中以使其大约包含相同的数量；与属于第二比特组的比特相对应的b个(这里，b为满足0＜b＜n的整数)子帧被分成为k份，它们中的每份都被布置在一个帧的k个子帧组中的每个中；以及与属于第三比特组的比特相对应的c个(这里，c为满足0≤c＜n并且a+b+c＝n的整数)子帧被分成为(k-1)份或更少份或者不分割，并且布置在所述一个帧的k个子帧组中的至少一个中；其中与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序在所述一个帧的k个子帧组之间大致相同；并且对于与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的全部或部分来说，在所述一个帧的k个子帧组的每个中顺序地加权，从而表示灰度级。这里，“大约相同数量”是指这样一种情况，即，对于布置在子帧组中的分割的子帧来说，当所布置的子帧的最大数量为Y而其最小数量为Z时，Z与Y的比例(即，Z/Y)为 0.5或更大。也就是说，包含这样一种情况，即，假定子帧被分成为4个以便于布置在三个子帧组中，所述子帧被分成为分别布置在子帧组中的一个子帧、一个子帧和两个子帧(即，Z＝1，Y＝2)。当然，它也可完全为相同数量并且在1≥Z/Y≥0.5的范围内。最好，它可在1≥Z/Y≥0.65的范围内，更好地是，在1≥Z/Y≥0.8的范围内。 

在本文中，子帧组是指包括多个子帧的组。应该注意的是，当一个帧被分成为多个子帧组时，包含在每个子帧组中的子帧的数量没有限制；然而，每个子帧组最好包括大约相同数量的子帧。另外，每个子帧组中发光期间的长度没有限制；然而，在每个子帧组中发光期间的长度最好大约相等。 

另外，在本说明书中，使用二进制表示的灰度级的比特被分类为三种比特组，即，第一比特组、第二比特组、以及第三比特组。根据与灰度级的每个比特相对应的子帧分割的数量区分这三种比特组。这里，将其如此定义，即，第一比特组为用于包含这样的比特的组，即，与灰度级的所述比特相对应的子帧被分成为大于子帧组数量的数量；第二比特组为用于包含这样的比特的组，即，与灰度级的所述比特相对应的子帧被分成为等于子帧组数量的数量；以及第三比特组为用于包含这样的比特的组，即，与灰度级的所述比特相对应的子帧被分成为小于子帧组数量的数量或者不分割。因此，高位比特(大加权比特)被包含在第一比特组中、中间位比特(中间加权比特)被包含在第二比特组中、以及低位比特(小加权比特)被包含在第三比特组中不是必需的。例如，甚至高位比特如果其子帧被分成为等于子帧组数量的数量的话则被包含在第二比特组中，而如果其子帧被分成为小于子帧组数量的数量的话，该高位比特被包含在第三比特组中。相似地，甚至低位比特如果其子帧被分成为大于子帧组数量的数量的话则被包含在第一比特组中，而如果其子帧被分成为等于子帧组数量的数量的话，低位比特被包含在第二比特组中。 

应该注意的是，子帧的分割是指分割包含在子帧中的发光期间的长度。 

另外，“与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序大致相同”不仅包括正好相配的情况而且还包括与属于第三比特组的比特相对应的子帧被插在与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧之间的情况。 

应该注意的是，依照本发明，对于第一比特组和第二比特组来说，通过在每个子帧组中顺序地增加包含在与属于第一比特组和第二比特组的比特相对应的部分或全部子帧中的发光期间(或者一定时间内的发光次数)来表示灰度等级。也就是说，当灰度级增加时用于执行发光的子帧的数量增加。因此，在用于小灰度级处执行发光的子帧中，在大灰度级也同样执行发光。在本说明书中，这样一种灰度法也被称作“重叠时间灰度法”。应该注意的是，重叠时间灰度法适用于与属于第一比特组和第二比特组的比特相对应的子帧之中其发光期间在每个子帧组中相等的子帧；然而，本发明不局限于此。 

应该注意的是，在本发明中，可使用各种模式的晶体管；因此，所使用的晶体管的种类没有限制。因此，使用以非晶硅或多晶硅为代表的非单晶硅半导体膜的薄膜晶体管(TFT)、使用半导体衬底或SOI衬底形成的MOS晶体管、结型晶体管、双极晶体管、使用诸如ZnO或InGaZnO的化合物半导体的晶体管、使用有机半导体或碳毫微管的晶体管、或其它晶体管都可使用。另外，晶体管可被放在任何种类的衬底上并且衬底的种类没有具体限制。因此，例如，晶体管可被放在单晶衬底、SOI衬底、玻璃衬底、塑料衬底、纸衬底、玻璃纸衬底、石头衬底等上。另外，可使用衬底形成晶体管，之后所述晶体管可被输送到另一个衬底上以便于设在该衬底上。 

应该注意的是，在本发明中，“被连接”是指电连接和直接连接；因此，能够进行电连接的另一个元件(例如，开关、晶体管、电容器、感应器、电阻器或二极管)可被置于本发明所述的结构中的预定连接中。或者，在该布置中不必放入另一个元件。应该注意的是，在不包括电连接的情况下，只有在没有放置能够进行电连接以便于直接连接 的另一个元件的前提下执行连接这样的情况被称作“直接连接”或“以直接的方式被连接”。还应该注意的是，“被电连接”包括被电连接的情况和被直接连接的两种情况。 

应该注意的是，在本说明书中，术语“半导体器件”是指具有包括半导体元件(例如，晶体管或二极管)的电路的器件。而且，半导体器件还可指可通过使用半导体特征发挥作用的每一种器件。另外，“显示器件”是指具有显示元件(例如，液晶元件或发光元件)的器件。另外，显示器件还可指显示板的主体，在所述显示板中，在衬底上形成有每个都包含诸如液晶元件或EL元件的显示元件的多个像素和用于驱动所述像素的外围驱动器电路，显示器件还可包括具有挠性印刷电路(FPC)或印刷线路板(PWB)的显示板。另外，“发光器件”是指具有自发光显示元件(具体如EL元件或用于FED的元件)的显示器件。“液晶显示器件”是指具有液晶元件的显示器件。 

应该注意的是，难以从结构上在晶体管的源极和漏极之间作出区分。另外，其各个电势的高度根据电路的操作可逆转。因此，在本说明书中，没有指定源极和漏极并且可称其为“第一电极”和“第二电极”。例如，当第一电极为源极时，第二电极就为漏极，而当第一电极为漏极时，第二电极就为源极。 

依照本发明，可减少伪轮廓线。因此，提高了图像质量从而可显示出清晰的图像。另外，与传统双倍帧速法相比较提高了负荷比，并且可降低施加于发光元件的电压，从而可降低能量消耗并且可抑制发光元件的退化。 

附图说明

图1是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图2A和2B是示出了在本发明的驱动方法中减少伪轮廓线的原因的图表。 

图3是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的 图表。 

图4是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图5A和5B是示出了在本发明的驱动方法中减少伪轮廓线的原因的图表。 

图6是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图7是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图8是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图9是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图10是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图11是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图12A和12B是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图13A和13B是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图14A和14B是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图15是示出了在本发明的驱动方法中执行gamma(伽马)校正的情况中子帧的选择方法的示例的图表。 

图16A和16B是示出了在本发明的驱动方法中执行gamma校正的情况中灰度级和亮度之间关系的图表。 

图17是示出了在本发明的驱动方法中执行gamma校正的情况中子帧的选择方法的示例的图表。 

图18A和18B是示出了在本发明的驱动方法中执行gamma校正的情况中灰度级和亮度之间关系的图表。 

图19A和19B是示出了在本发明的驱动方法中减少伪轮廓线的原因的示意图。 

图20A和20B是示出了在本发明的驱动方法中减少伪轮廓线的原因的示意图。 

图21是示出了在本发明的驱动方法中子帧的出现顺序的示例的示意图。 

图22是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图23是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图24是示出了在像素的信号写入期间和发光期间彼此分开的情况中的定时图的一个示例的示意图。 

图25是示出了在像素的信号写入期间和发光期间彼此分开的情况中的像素结构的一个示例的示意图。 

图26是示出了在像素的信号写入期间和发光期间未彼此分开的情况中的定时图的一个示例的示意图。 

图27是示出了在像素的信号写入期间和发光期间未彼此分开的情况中的像素结构的一个示例的示意图。 

图28是示出了用于在一个栅电极选择期间中选择两行的定时图的示例的示意图。 

图29是示出了在执行像素的信号擦除操作的情况中定时图的示例的示意图。 

图30是示出了在执行像素的信号擦除操作的情况中像素结构的示例的示意图。 

图31是示出了在执行像素的信号擦除操作的情况中像素结构的示例的示意图。 

图32是示出了在执行像素的信号擦除操作的情况中像素结构的 示例的示意图。 

图33是示出了在执行像素的信号擦除操作的情况中定时图的示例的示意图。 

图34A到34C是示出了使用本发明的驱动方法的显示器件的示例的示意图。 

图35是示出了使用本发明的驱动方法的显示器件的示例的图表。 

图36是示出了使用本发明的驱动方法的显示器件中像素部分的布置的示例的示意图。 

图37是示出了用于控制本发明的驱动方法的硬件的示例的示意图。 

图38是示出了使用本发明的驱动方法的移动电话的示例的视图。 

图39A和39B都是示出了使用本发明的驱动方法的显示板的示例的示意图。 

图40是示出了使用本发明的驱动方法的EL模块的示例的视图。 

图41是示出了使用本发明的驱动方法的EL电视接收机的示例的视图。 

图42A到42H都是示出了本发明的驱动方法应用于其上的电子设备的示例的视图。 

图43是示出了根据传统时间灰度法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图44是示出了传统双倍帧速法所涉及的子帧的选择方法的示例的图表。 

图45是示出了根据传统时间灰度法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图46是示出了传统双倍帧速法所涉及的子帧的选择方法的示例的图表。 

图47A和47B都是示出了传统双倍帧速法所涉及的子帧的选择方法的示例的示意图。 

图48A和48B都是示出了在传统双倍帧速法中产生伪轮廓线的 原因的示意图。 

图49是示出了在传统双倍帧速法中产生伪轮廓线的原因的示意图。 

图50A和50B都是示出了在传统双倍帧速法中产生伪轮廓线的原因的示意图。 

图51是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图52是示出了根据本发明的驱动方法的子帧的选择方法的示例的图表。 

图53是示出了在本发明的驱动方法中执行gamma校正的情况中的子帧的选择方法的示例的图表。 

图54是示出了在依照本发明的驱动方法执行gamma校正的情况中灰度级和亮度之间关系的示意图。 

图55A到55E是示出了可用在本发明中的薄膜晶体管的制造工艺的示例的视图。 

图56A和56B是示出了具有本发明的像素结构的显示板的视图。 

图57是示出了可用于具有本发明的像素结构的显示器件的发光元件的一个示例的示意图。 

图58A到58C都是示出了发光元件的发光结构的视图。 

图59是用于使用滤色器执行全色显示的显示板的剖面图。 

图60A和60B是显示板的局部剖面图。 

图61A和61B是显示板的局部剖面图。 

图62A和62B是显示板的局部剖面图。 

图63A和63B是显示板的局部剖面图。 

图64A和64B是显示板的局部剖面图。 

图65A和65B是显示板的局部剖面图。 

具体实施方式

尽管将参照附图通过实施方式全面地描述本发明，但是应该理 解，对于本领域技术人员来说各种变化和修改将是显而易见的。因此，除非所述变化和修改脱离本发明的范围，否则它们应当被解释为包含在其中。 

(实施方式1) 

在该实施方式中描述的是其中本发明的驱动方法应用于5-比特(即5位)显示(32个灰度级)以及应用于6-比特(即6位)显示(64个灰度级)的示例。 

在该实施方式的驱动方法的示例中，依照传统时间灰度法，与属于第一比特组的比特相对应的子帧被分成为四份，与属于第二比特组的比特相对应的子帧被分成为两份，而与属于第三比特组的比特相对应的子帧未被分割。之后，一个帧被分成为两个子帧组即，前半个和后半个，并且属于第一比特组的被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中。属于第二比特组的被分开的比特中的一个被布置在每个子帧组中，以及属于第三比特组的比特被布置在一个或这两个子帧组中。此时，与属于第一比特组的比特相对应的子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的子帧的出现顺序在两个子帧组之间大致相同。应该注意的是，可认为属于第三比特组的比特未被分开或者它们一度被分成为两份之后结合成一个子帧。应该注意的是，重叠时间灰度法适用于与属于第一比特组和第二比特组的比特相对应的子帧之中其发光期间在每个子帧组中相等的子帧。也就是说，当灰度级增加时用于发光的子帧的数量增加。 

首先，考虑的是5-比特(即5位)显示(32个灰度级)的情况。首先将描述在每个灰度级下子帧的选择方法，即，在每个灰度级下每个子帧是否用于发光。这里，图1示出了在用5比特表示灰度等级的情况中根据本发明的子帧选择方法的示例。在图1中，依照传统时间灰度法(图43)，假定一个比特被分派给第一比特组、两个比特被分派给第二比特组、并且两个比特被分派给第三比特组，SF5被分派给属于第一比特组的比特、SF3和SF4被分派给属于第二比特组的比特、以及SF1和SF2被分派给属于第三比特组的比特。之后，SF5被等分 为4个、SF3和SF4分别被等分为2个、以及SF1和SF2未被分割。接着，属于第一比特组的四个被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中、属于第二比特组的两个被分开的比特中的一个被布置在每个子帧组中，以及属于第三比特组的比特分别被布置在子帧组中。也就是说，属于第一比特组的比特被布置在图1中的SF4、SF5、SF9和SF10中、属于第二比特组的比特被布置在图1中的SF2、SF3、SF7和SF8中、以及属于第三比特组的比特被布置在图1中的SF1和SF6中。因此，子帧的数量变为10个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝4、SF4＝4、SF5＝4、SF6＝2、SF7＝2、SF8＝4、SF9＝4、以及SF10＝4。这里，由于SF3到SF5和SF8到SF10的发光期间的相应长度都为4，因此重叠时间灰度法适用于SF3到SF5和SF8到SF10。 

通过以这种方式分割每个子帧，可将子帧的数量保持为与传统双倍帧速法中相同的数量。因此，帧频可与传统双倍帧速法中的相同，所述帧频可实质上被加倍。 

接下来描述的是表示灰度级的方法即，每个子帧的选择方法的示例。具体地，关于其发光期间的长度相等的子帧，在子帧的选择中最好存在以下规律性。 

首先，将描述应用重叠时间灰度法适用于其上的子帧的示例。关于布置在前面子帧组中的SF3到SF5和布置在后面子帧组中的SF8到SF10，SF3和SF8、SF4和SF9、以及SF5和SF10分别同时发光以使得当灰度级增加时执行发光的子帧的数量也增加。也就是说，在前面的子帧组中，当灰度级增加时SF3、SF4、和SF5被相继增加以便发光。相似地，在后面的子帧组中，当灰度级增加时SF8、SF9、和SF10被相继增加地发光。因此，与相同比特相对应的子帧(SF3和SF8、SF4和SF9、以及SF5和SF10)同时发光。因此，在灰度级为8或更大的情况下SF3和SF8保持发光、在灰度级为16或更大的情况下SF4和SF9保持发光、在灰度级为24或更大的情况下SF5和SF10保持发光。也就是说，在小灰度级下发光的子帧在大灰度级下也 发光。 

接下来，将描述重叠时间灰度法不适用其上的子帧。关于重叠时间灰度法不适用其上的SF1、SF2、SF6、和SF7，选择每个子帧是否发光以表示灰度级。应该注意的是，在每个发光期间的长度都为2的SF2、SF6、和SF7之中，SF2和SF7同时发光。这是由于SF2和SF7是通过将其发光期间为4的子帧分成为两份而形成的。然而，同时发光的子帧不局限于它们；例如，SF2和SF6也可同时发光。 

因此，例如，在表示灰度级2的情况中，在每个发光期间的长度都为2的SF2、SF6、和SF7之中，SF6发光。在表示灰度级4的情况中，在每个发光期间的长度都为2的SF2、SF6、和SF7之中，同时执行发光的SF2和SF7发光。在表示灰度级8的情况中，在每个发光期间的长度都为4的SF3到SF5和SF8到SF10之中，同时执行发光的SF3和SF8发光。在表示灰度级16的情况中，在每个发光期间的长度都为4的SF3到SF5和SF8到SF10之中，SF3、SF4、SF8和SF9发光。在所要表示的灰度级更大的情况中，也相似地选择发光/不发光。 

依照本发明的驱动方法，可减少伪轮廓线。例如，假定在图1中在像素A中表示灰度级15而在像素B中表示灰度级16，在图2A和2B中示出了每个子帧中的发光/不发光。这里，如果视轴线移动的话，根据视轴线的轨迹，眼睛有时感觉到灰度级为15(＝4+4+4+2+1)或16(＝4+2+2+4+4)。图2A示出了这种情况。由于应该看到灰度级正常为15和16，因此可准确地看到它们，由此减少了伪轮廓线。 

接着，图2B示出了急剧地移动视轴线的情况。如果急剧地移动视轴线的话，根据视轴线的轨迹，眼睛有时感觉到灰度级为15(＝4+2+4+4+1)或16(＝4+4+2+4+2)。图2A示出了这种情况。由于应该看到灰度级正常为15和16，因此可准确地看到它们，由此减少了伪轮廓线。 

应该注意的是，尽管每个子帧的发光期间的长度(即，一个时期内发光的次数，即，加权量)为1、2或4，但是本发明不局限于此。 另外，尽管被设定为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝4、SF4＝4、SF5＝4、SF6＝2、SF7＝2、SF8＝4、SF9＝4、以及SF10＝4，但是子帧编号和发光期间长度之间的对应不局限于此。 

另外，每个子帧的选择方法不局限于此。例如，在该实施方式中，在表示灰度级4的情况中，在每个其发光期间的长度都为2的SF2、SF6、和SF7之中，同时执行发光的SF2和SF7发光；然而，SF2和SF6也可发光。 

另外，“与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序大致相同”不仅包括正好相匹配的情况而且还包括与属于第三比特组的比特相对应的子帧被插在与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧之间的情况。因此，即使与属于第三比特组的比特相对应的子帧的位置在前面的子帧组与后面的子帧组之间不同，与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序也是相同的。在图51中示出了其一个示例。在图51中，依照传统时间灰度法(图43)分派给属于第三比特组的比特的SF1和SF2分别被布置在SF3和SF9中。 

应该注意的是，尽管在图1中与属于第三比特组的比特相对应的每个子帧被布置在这两个子帧组的每个中，但是本发明不局限于此，并且其两个子帧也可被布置在这两个子帧组的一个中。例如，图3中示出了其中属于第三比特组的这两个比特被布置在图1中的前面子帧组中的一个示例。在图3中，依照传统时间灰度法(图43)，分派给属于第三比特组的比特的SF1和SF2被布置前面的子帧组中。也就是说，属于第三比特组的比特分别被布置在图3中的SF1和SF2中。 

应该注意的是，发光期间的长度根据灰度级的总数量(比特位数)、子帧的总数量等任意改变。因此，即使发光期间的长度相等，如果灰度级的总数量(比特位数)或子帧的总数量改变的话，实际发光的期间长度(例如，μs的尺寸)也可改变。 

应该注意的是，“发光期间”用于连续地发光的情况并且“发光次 数”用于光线在一定时期内保持闪烁的情况。应用发光次数的典型显示器件为等离子体显示器。应用发光期间的典型显示器件为有机EL显示器。 

接下来，考虑的是6-比特显示(64个灰度级)的情况。这里，图4示出了在用6比特表示灰度等级的情况中根据本发明的子帧选择方法的示例。 

在图4中，依照传统时间灰度法(图45)，假定一个比特被分派给第一比特组、三个比特被分派给第二比特组、以及两个比特被分派给第三比特组，SF6被分派给属于第一比特组的比特、SF3、SF4和SF5被分派给属于第二比特组的比特、以及SF1和SF2被分派给属于第三比特组的比特。之后，SF6被等分为4个、SF3、SF4和SF5分别被等分为2个、以及SF1和SF2未被分割。接着，属于第一比特组的四个被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中、属于第二比特组的两个被分开的比特中的一个被布置在每个子帧组中，以及属于第三比特组的比特分别被布置在子帧组中。也就是说，属于第一比特组的比特被布置在图4中的SF5、SF6、SF11和SF12中、属于第二比特组的比特被布置在图4中的SF2、SF3、SF4、SF8、SF9和SF10中、以及属于第三比特组的比特被布置在图4中的SF1和SF7中。因此，子帧的数量变为12个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝4、SF4＝8、SF5＝8、SF6＝8、SF7＝2、SF8＝2、SF9＝4、SF10＝8、SF11＝8、以及SF12＝8。这里，由于SF4到SF6和SF10到SF12的发光期间的相应长度都为8，因此重叠时间灰度法适用于SF4到SF6和SF10到SF12。 

与5-比特显示的情况相似，依照本发明的驱动方法，可减少伪轮廓线。例如，假定使用图4中所示的子帧在像素A中表示灰度级31而在像素B中表示灰度级32，在图5A和5B中示出了每个子帧中的发光/不发光。这里，如果视轴线移动的话，根据视轴线的轨迹，眼睛有时感觉到灰度级为31(＝8+8+8+4+2+1)或32(＝8+4+2+2+8+8)。图5A示出了这种情况。由于应该看到灰度级正常为31和32，因此可 准确地看到它们，由此减少了伪轮廓线。 

接着，图5B示出了急剧地移动视轴线的情况。如果急剧地移动视轴线的话，根据视轴线的轨迹，眼睛有时感觉到灰度级为27(＝8+4+2+8+4+1)或36(＝8+8+2+8+8+2)。然而灰度级之间的间隙小于(图46中)双倍速度帧法中的情况，因此减少了伪轮廓线。 

应该注意的是，与5-比特显示的情况相似，尽管每个子帧的发光期间的长度(或，一个时期内的发光次数，即，加权量)为1、2、4和8，但是本发明不局限于此。另外，尽管被设定为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝4、SF4＝8、SF5＝8、SF6＝8、SF7＝2、SF8＝2、SF9＝4、SF10＝8、SF11＝8、以及SF12＝8，但是子帧编号和发光期间长度之间的对应不局限于此。另外，子帧的选择方法不局限于此。 

应该注意的是，在该实施方式中，分派给每个比特组的比特的数量不局限于以上所述的示例。然而，最好分别分派给第一比特组和第二比特组至少一个比特。 

例如，图6示出了其中在5-比特显示的情况中，一个比特被分派给第一比特组、三个比特被分派给第二比特组、以及一个比特被分派给第三比特组的一个示例。依照传统时间灰度法(图43)，SF5被分派给属于第一比特组的比特、SF2到SF4被分派给属于第二比特组的比特、以及SF1被分派给属于第三比特组的比特。之后，SF5被分成为4份、SF2到SF4分别被分成为2份、以及SF1未被分割。接着，属于第一比特组的四个被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中、属于第二比特组的两个被分开的比特中的一个被布置在每个子帧组中，以及属于第三比特组的比特被布置在子帧组中的一个中。也就是说，属于第一比特组的比特被布置在图6中的SF5、SF6、SF10和SF11中、属于第二比特组的比特被布置在图6中的SF2到SF4和SF7到SF9中、以及属于第三比特组的比特被布置在图6中的SF1中。因此，子帧的数量变为11个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝1、SF2＝1、SF3＝2、SF4＝4、SF5＝4、SF6＝4、SF7＝1、SF8＝2、SF9＝4、SF10＝4、以及SF11＝4。这里，由于SF4到SF6和SF9到SF11的发 光期间的相应长度都为4，因此重叠时间灰度法适用于SF4到SF6和SF9到SF11。 

另外，例如，图7示出了其中在5-比特显示的情况中，两个比特被分派给第一比特组、一个比特被分派给第二比特组、以及两个比特被分派给第三比特组的一个示例。依照传统时间灰度法(图43)，SF4和SF5被分派给属于第一比特组的比特、SF3被分派给属于第二比特组的比特、以及SF1和SF2被分派给属于第三比特组的比特。之后，SF4和SF5分别被分成为4份、SF3被分成为2份、以及SF1和SF2未被分割。接着，属于第一比特组的四个被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中、属于第二比特组的两个被分开的比特中的一个被布置在每个子帧组中，以及属于第三比特组的比特被分别布置在子帧组中。也就是说，属于第一比特组的比特被布置在图7中的SF3到SF6、和SF9到SF12中、属于第二比特组的比特被布置在图7中的SF2和SF8中、以及属于第三比特组的比特被布置在图7中的SF1和SF7中。因此，子帧的数量变为12个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝2、SF4＝2、SF5＝4、SF6＝4、SF7＝2、SF8＝2、SF9＝2、SF10＝2、SF11＝4、以及SF12＝4。这里，由于SF2到SF4和SF8到SF10的发光期间的相应长度都为2，因此重叠时间灰度法适用于SF2到SF4和SF8到SF10。 

另外，例如，图8示出了其中在5-比特显示的情况中，一个比特被分派给第一比特组、四个比特被分派给第二比特组、以及零比特被分派给第三比特组的一个示例。依照传统时间灰度法(图43)，SF5被分派给属于第一比特组的比特、以及其它的SF1到SF4被分派给属于第二比特组的比特。之后，SF5被分成为4份、其它的SF1到SF4分别被分成为2份。接着，属于第一比特组的四个被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中、属于第二比特组的两个被分开的比特中的一个被布置在每个子帧组中。也就是说，属于第一比特组的比特被布置在图8中的SF5、SF6、SF11和SF12中、以及属于第二比特组的比特被布置在图8中的SF1到SF4和SF7到SF10中。因此，子帧 的数量变为12个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝0.5、SF2＝1、SF3＝2、SF4＝4、SF5＝4、SF6＝4、SF7＝0.5、SF8＝1、SF9＝2、SF10＝4、SF11＝4、以及SF12＝4。这里，由于SF4到SF6和SF10到SF12的发光期间的相应长度都为4，因此重叠时间灰度法适用于SF4到SF6和SF10到SF12。 

应该注意的是，图8的情况似乎是如图6中属于第三比特组的比特被分成分别布置在前一个比特组和后一个比特组中。结果，对于属于第三比特组的比特而言，其帧频似乎实质性地增大。因此，可欺骗人眼以以便可减少伪轮廓线。 

应该注意的是，尽管在该实施方式中最高位比特(最大加权比特)被选择为属于第一比特组的比特，但是属于第一比特组的比特不局限于此，并且任何比特都可被选择为属于第一比特组的比特。相似地，任何比特都可被选择为属于第二比特组或第三比特组的比特。 

例如，图9示出了其中在5-比特显示的情况中，第二最高位比特被选择为属于第一比特组的比特的示例。依照传统时间灰度法(图43)，假定一个比特被分派给第一比特组、两个比特被分派给第二比特组、以及两个比特被分派给第三比特组，与第二最高位比特对应的SF4被分派给属于第一比特组的比特、SF3和SF5被分派给属于第二比特组的比特、以及SF1和SF2被分派给属于第三比特组的比特。之后，SF4被分成为4份、SF3和SF5分别被分成为2份、以及SF1和SF2未被分割。接着，属于第一比特组的四个被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中、属于第二比特组的两个被分开的比特中的一个被布置在每个子帧组中、以及属于第三比特组的比特分别被布置在子帧组中。也就是说，属于第一比特组的比特被布置在图9中的SF3、SF4、SF8和SF9中、属于第二比特组的比特被布置在图9中的SF2、SF5和SF7到SF10中、以及属于第三比特组的比特被布置在图9中的SF1和SF6中。因此，子帧的数量变为10个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝2、SF4＝2、SF5＝8、SF6＝2、SF7＝2、SF8＝2、SF9＝2、以及SF10＝8。这里，由于SF2到SF4和SF7到SF9 的发光期间的相应长度都为2，因此重叠时间灰度法适用于SF2到SF4和SF7到SF9。 

应该注意的是，如图9中所示的示例中，与被分成为与子帧组的数量相同数量的最高位比特相对应的子帧属于第二比特组。 

应该注意的是，尽管该实施方式中所述的是其中与属于第一比特组的比特相对应的子帧被分成为4份的示例，但是与属于第一比特组的比特相对应的子帧的分割数量不局限于此，只要其大于子帧组的数量就可以。也就是说，在子帧组的数量为两个的情况下，分割数量为3个或更多。例如，与属于第一比特组的比特相对应的子帧可被分成为3份并且被布置成使得两个子帧和一个子帧分别被包含在这两个子帧组中。应该注意的是，与属于第一比特组的比特相对应的子帧最好被分成为子帧组数量的倍数；也就是说，当子帧组的数量为两个时，子帧最好被分成为(2×m)份(这里，m为满足m≥2的整数)。这是由于与属于第一比特组的比特相对应的分开的比特可被均匀地布置在子帧组中，从而可避免出现闪烁或伪轮廓线。例如，与属于第一比特组的比特相对应的子帧可被分成为6份。然而，本发明不局限于此。 

应该注意的是，在本实施方式中，尽管与属于第一比特组的比特相对应的所有子帧分别被分成为4份，但是与属于第一比特组的比特相对应的所有子帧的分割数量可不同。在第一比特组中分开的数量可不同。 

例如，图10中示出的是这样一个示例，其中依照传统时间灰度法(图43)，与图7的情况相似，SF4和SF5被分派给属于第一比特组的比特、SF3被分派给属于第二比特组的比特、以及SF1和SF2被分派给属于第三比特组的比特，之后，SF4被分成为4个而SF5被分成为6个，它们被分派给属于第一比特组的比特。首先，SF4被分成为4个并且SF5被分成为6个，它们被分派给属于第一比特组的比特。接着，属于第一比特组的六个被分开的比特中每三个被布置在每个子帧组中、以及属于第一比特组的四个被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中。也就是说，属于第一比特组的六个被分开的比特被布 置在图10中的SF5到SF7和SF12到SF14中，属于第一比特组的四个被分开的比特被布置在图10中的SF3、SF4、SF10和SF11中。因此，子帧的数量变为14个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝2、SF4＝2、SF5＝8/3、SF6＝8/3、SF7＝8/3、SF8＝2、SF9＝2、SF10＝2、SF11＝2、SF12＝8/3、SF13＝8/3以及SF14＝8/3。这里，由于SF2到SF4和SF9到SF11的发光期间的相应长度都为2，因此重叠时间灰度法适用于SF2到SF4和SF9到SF11。 

应该注意的是，在本实施方式中，尽管相对于传统时间灰度法与属于第一比特组的比特相对应的子帧被等分为4个并且与属于第二比特组的比特相对应的子帧被等分为2个，但是子帧的分割宽度不局限于此。子帧也不必被等分。 

例如，在5-比特显示的情况中，依照传统时间灰度法，与属于第二比特组的比特相对应的子帧(SF4)可被分成为使得其发光期间(长度为8)被分成为2份和6份，在图11中示出了其一个示例。在图11中，分派给属于第二比特组的比特的SF4被分成为发光期间为2和发光期间为6，并且其发光期间为2的分割的子帧被布置在SF3中，其发光期间为6的分割的子帧被布置在SF8中。这里，由于图11中SF2和SF3的发光期间的相应长度都为2，因此重叠时间灰度法适用于SF2和SF3。 

应该注意的是，在本实施方式中，与属于第一比特组的比特相对应的以及与属于第二比特组的比特相对应的子帧的出现顺序在这两个子帧组之间是相同的。然而，本发明不局限于在出现顺序上正好相配的情况，并且在这两个子帧组之间，子帧的顺序可以不同。例如，在图1的情况中，SF8和SF9可相互改变，也就是说，可存在这样一种布置，即，SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF9、SF8和SF10。 

应该注意的是，上文中描述的有关于被分派给每个比特组的比特数量(即比特位数)、被选择为属于每个比特组的比特、属于第一比特组的比特的分开数量、子帧的分割宽度、以及子帧的出现顺序的描述可组合使用。 

例如，图12A和12B中所示的是这样的示例，其中在5-比特显示的情况中，两个比特被分派给第一比特组、一个比特被分派给第二比特组、以及两个比特被分派给第三比特组的一个示例，并且依照传统时间灰度法(图43)，属于第一比特组的比特之一在分割宽度方面改变。依照传统时间灰度法(图43)，SF4和SF5被分派给属于第一比特组的比特、SF3被分派给属于第二比特组的比特、以及SF1和SF2被分派给属于第三比特组的比特。之后，SF4和SF5分别被分成为4份。此时，SF4的发光期间(长度为8)被等分为2、2、2和2而SF5的发光期间(长度为16)被分成为2、6、2和6。另外，SF3被分成为两个，而SF1和SF2未被分割。接着，属于第一比特组的四个分开的比特中每两个被布置在这两个子帧组的每个中、属于第二比特组的两个分开的比特中每个被布置在这两个子帧组的每个中、以及属于第三比特组的比特分别被布置在这两个子帧组中。也就是说，在属于第一比特组的比特之中，SF4被分开以便于布置在图12A和12B的SF3、SF4、SF9和SF10中，并且SF5被分成为2、2、6和6的发光期间以便于分别被布置在图12A和12B中的SF5、SF11、SF6和SF12中。另外，属于第二比特组的比特分别被布置在图12A和12B中的SF2和SF8中，属于第三比特组的比特分别被布置在图12A和12B中的SF1和SF7中。因此，子帧的数量变为12个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝2、SF4＝2、SF5＝2、SF6＝6、SF7＝2、SF8＝2、SF9＝2、SF10＝2、SF11＝2、以及SF12＝6。 

这里，将对重叠时间灰度法适用于其上的子帧进行描述。由于图12A和12B中SF2到SF5和SF8到SF11的发光期间的相应长度都为2，因此重叠时间灰度法适用于这些子帧。同时，重叠时间灰度法不必适用于其发光期间相同的所有子帧。例如，重叠时间灰度法可适用于图12A中所示的SF2到SF4和SF8到SF10，或者重叠时间灰度法可适用于图12B中所示的SF2到SF5和SF8到SF11。 

应该注意的是，在本实施方式中，重叠时间灰度法适用于在与属于第一比特组和第二比特组的比特相对应的子帧之中，在每个子帧组 中其发光期间相等的子帧；然而，重叠时间灰度法所适用的子帧不局限于其发光期间相等的子帧。重叠时间灰度法也可适用于其发光期间不同的子帧。 

例如，图52中所示的是其中属于第一比特组的比特改变图1所示情况中的分割宽度的示例。在图52中，依照传统时间灰度法(图43)，与属于第一比特组的比特相对应的SF5被分开以使得其发光期间(长度为16)被分成为3、5、3、和5，并且其发光期间分别为3的比特被布置在图52中的SF4和SF9中，而其发光期间分别为5的比特被布置在图52中的SF5和SF10中。因此，子帧的数量变为10个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝1、SF2＝2、SF3＝4、SF4＝3、SF5＝5、SF6＝2、SF7＝2、SF8＝4、SF9＝3、以及SF10＝5。这里，尽管图52中SF3和SF4之间以及SF8和SF9之间的各个发光期间是彼此不同的，但是重叠时间灰度法也适用于SF3和SF4以及SF8和SF9。 

上文中所述的是使用本发明的驱动方法用5比特或6比特表示灰度等级的情况。以相似的方式，本发明可用于各种数量比特的情况。例如，在用n(这里n为自然数)比特表示灰度等级的情况中，依照传统时间灰度法，子帧的总数为n。另外，与最高位比特相对应的子帧的发光期间的长度为2^n-1。另一方面，相对于传统时间灰度法，假定将被分成为L份(这里L为满足L≥3的整数)的属于第一比特组的比特的数量为a(这里a为满足0＜a＜n的整数)、将被分成为2份的属于第二比特组的比特的数量为b(这里b为满足0＜b＜n的整数)，并且将不被分开的属于第三比特组的比特的数量为c(这里c为满足0≤c＜n并且a+b+c＝n的整数)，依照本发明的驱动方法，子帧的总数至少变为(L×a+2×b+c)。另外，在最高位比特被选择为属于第一比特组的比特并且与该比特相对应的子帧被等分为L个的情况中，在分割之后与该比特相对应的每个子帧的发光期间的长度为(2^n-1/L)。例如，在图1的情况中，由于n＝5、L＝4、a＝1、b＝2以及c＝2，子帧的总数量为(4×1+2×2+2＝)10并且在分割之后与属于第一比特组的比特相对应的子帧的每个发光期间的长度为(2^5-1/4＝) 4。相似地，在图4的情况中，由于n＝6、L＝4、a＝1、b＝3以及c＝2，子帧的总数量为(4×1+2×3+2＝)12并且在分割之后与属于第一比特组的比特相对应的子帧的每个发光期间的长度为(2^6-1/4＝)8。另外，在图7的情况中，由于n＝5、L＝4、a＝2、b＝1以及c＝2，子帧的总数量为(4×2+2×1+2＝)12并且在分割之后与属于第一比特组的比特之中的最高位比特相对应的子帧的每个发光期间的长度为(2^5-1/4＝)4。 

如上所述的，通过使用本发明的驱动方法，在不用增加子帧的数量的情况下可实现减少伪轮廓线、增加显示的灰度级的数量等。 

应该注意的是，可能存在多种表示某一灰度级的子帧选择方法。因此，某一灰度级下子帧的选择方法可依时间或地点而改变。也就是说，子帧的选择方法可根据时间而改变或者可根据像素而改变。另外，子帧的选择方法可根据时间和像素两者而改变。 

例如，为了表示某一灰度级，子帧的选择方法可根据帧编号是奇数编号或是偶数编号而改变。这里，图13A和13B中示出了5-比特显示的情况的一个实施例。例如，在奇数号帧中可通过图13A中所示的子帧的选择方法表示灰度等级而在偶数号帧中可通过图13B中所示的子帧的选择方法表示灰度等级。图13A和13B在用于表示灰度级16和23的子帧的选择方法上不同。另外，在5-比特显示的情况中在灰度级16和23下易于出现伪轮廓线。因此，通过在奇数号帧和偶数号帧之间改变易于出现伪轮廓线的灰度级下的子帧选择方法可减少伪轮廓线。 

应该注意的是，在图13A和13B中改变了易于出现伪轮廓线的灰度级下的子帧的选择方法；然而，也可在任意灰度级下改变子帧的选择方法。 

另外，14A和14B中示出了另一个实施例。在奇数号帧中可通过图14A中所示的子帧的选择方法表示灰度等级而在偶数号帧中可通过图14B中所示的子帧的选择方法表示灰度等级。图14A和14B在SF3和SF8的发光期间的长度上不同，并且子帧的选择方法不同。 

另外，为了表示某一灰度级，子帧的选择方法也可根据像素的行号是奇数还是偶数而改变。或者，为了表示某一灰度级，子帧的选择方法也可根据像素的列号是奇数还是偶数而改变。 

应该注意的是，另一种灰度显示方法可与本发明的驱动方法组合使用。区域灰度法是通过将一个像素分成为多个子像素并且改变发光区域而表示灰度等级的方法。因此，可进一步减少伪轮廓线。 

上文中的描述是针对当灰度级增加时发光期间以线性比例增加的情况作出的。因此，在本实施方式中将描述执行gamma校正的情况。执行gamma(伽马)校正以使得当灰度级增加时发光期间以非线性的方式增加。甚至当亮度(辉度)以线性比例增加时，人眼也不能感觉到亮度以线性比例增加。当亮度(辉度)增加时，人眼不易于感觉到亮度的差异。因此，为了由人眼感觉到亮度的差异，当灰度级增加时需要增加发光期间，也就是说，执行gamma校正。应该注意的是，当灰度级为x并且亮度(辉度)为y时，由以下公式(1)表示具有gamma校正的灰度级和亮度之间的关系。 

[公式1] 

y＝Ax^γ        ......(1) 

注意，A为恒量以使得亮度(辉度)y归一化为0≤y≤1。这里，作为灰度级x的指数的γ是用于表示gamma校正的程度的参数。 

作为用于执行gamma校正的最简单的方法，存在这样一种方法，其中用比实际显示的比特数量(灰度级)更多的比特数量(灰度级)执行显示。例如，在6比特(64个灰度级)显示的情况中，实际上将显示8比特(256个灰度级)。这样，在实际执行显示时，用6比特(64个灰度级)执行显示，以使得灰度级的亮度变为非线性的。因此，可实现gamma校正。 

作为示例，图15中示出了将以6比特进行显示和通过执行gamma校正以5比特进行显示的情况中子帧的选择方法。图15示出了通过执行gamma校正以使得在所有灰度级下满足γ＝2.2而以5比特进行显示情况下的子帧的选择方法。应该注意的是，γ＝2.2是补偿人类大部分 视觉感测特征的数值，甚至当亮度较高时，也可感觉到最合适的亮度差异。在图15中，一直到具有5比特gamma校正的灰度级3，实际通过具有6比特的灰度级0处的子帧的选择方法进行显示。相似地，在具有5比特gamma校正的灰度级4，实际通过具有6比特的灰度级1处的子帧的选择方法进行显示，而在具有5比特gamma校正的灰度级6，实际通过具有6比特的灰度级2处的子帧的选择方法进行显示。图16A和16B是灰度级x和亮度y的图表。图16A示出了所有灰度级下灰度级x和亮度y之间的关系，图16B是示出了较低灰度级下灰度级x和亮度y的图表。因此可根据其中具有5比特gamma校正的灰度级与具有6比特的灰度级相对应的图表进行显示。以这种方式，可实现gamma校正以满足γ＝2.2。 

然而，如图16B中所示的，灰度级0到3、灰度级4和5、以及灰度级6和7分别可通过图15的示例中的相同的亮度进行显示。这是由于在6-比特显示的情况中，由于灰度级数量不足因此不能表示出亮度差异。至于其解决办法，存在以下两种方法。 

第一种方法是增加能够被显示的比特的数量。并非用6比特，而是用7或7以上比特进行显示，最好是用8或8以上比特进行显示。因此，甚至在低灰度级的区域(其亮度较低的区域)也可执行平滑的显示。 

第二种方法是，尽管在低灰度级的区域下不满足γ＝2.2的关系，但是通过线性地改变亮度平滑地显示的方法。在图17中示出了这种情况中的子帧的选择方法。在图17中，直至具有5比特的灰度级17，子帧的选择方法与具有6比特的相同。然而，在具有5比特gamma校正的灰度级18，实际通过在具有6比特的灰度级19处子帧的选择方法执行发光。相似地，在具有5比特gamma校正的灰度级19处，实际通过具有6比特的灰度级21处的子帧的选择方法执行发光，而在具有5比特gamma校正的灰度级20，实际在通过具有6比特的灰度级24处的子帧的选择方法执行发光。图18A和18B是灰度级x和亮度y的示意图。图18A示出了所有灰度级下灰度级x和亮度y之间的 关系，图18B是示出了较低灰度级下灰度级x和亮度y的图表。在低灰度级的区域处，亮度线性地改变。通过如此执行gamma校正，可更平滑地显示较低灰度级。 

也就是说，在低灰度级区域中亮度线性地成比例改变，而在其它灰度级的其它区域中，亮度非线性地改变，从而可更平滑地显示较低灰度级的区域。 

应该注意的是，可通过延长每个子帧的发光期间执行gamma校正。例如，图53示出了在通过延长应用重叠时间灰度法的子帧的发光期间而执行gamma校正的情况中子帧的选择方法。在图53中，在应用重叠时间灰度法的SF4到SF6和SF10到SF12中发光期间增加2。图54是这种情况下灰度级x和亮度y的图表。也可通过这样一种方法执行gamma校正。应该注意的是，在较低灰度级的区域中亮度可线性或非线性地改变。 

应该注意的是，具有5比特gamma校正的灰度级与具有6比特灰度级之间的对应表可任意改变。因此，通过改变对应表，可容易地改变gamma校正的程度(即，γ值)。因此，本发明不局限于γ＝2.2。 

另外，设定了将显示的比特的数量(例如，p比特，这里p为整数)，并且通过多少比特(例如，q比特，这里q为整数)执行gamma校正显示不局限于以上所述的。在其中已执行了gamma校正以后执行显示的情况中，比特的数量p最好尽可能地大以便于平滑地表示灰度等级。然而，如果比特的数量太大的话，也存在不利作用，即，子帧的数量变大了。因此，比特的数量q和比特的数量p最好满足q+2≤p≤q+5。因此，可实现在平滑地表示灰度等级的同时子帧的数量不会增加太多。 

在上文中，描述了表示灰度等级的方法，即，子帧的选择方法。接下来，将描述子帧的出现顺序。尽管这里使用5-比特显示(图1)的情况作为示例，但是本发明不局限于此并且可相似地适于其它附图。 

首先，最基本的一个帧是由SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF8、SF9和SF10按以上顺序构成。依照子帧的这种布置，在 每个子帧组中，最先布置其发光期间最短的子帧，之后按增加发光期间的顺序布置不应用重叠时间灰度法的子帧，然后按发光顺序布置应用重叠时间灰度法的子帧。图1对应于子帧的该出现顺序。 

与之相反，一个帧也可由SF10、SF9、SF8、SF7、SF6、SF5、SF4、SF3、SF2和SF1按以上顺序构成。依照子帧的这种布置，最先布置其发光期间最长的子帧，之后按发光的相反顺序布置应用重叠时间灰度法的子帧，然后按减少发光期间的顺序布置不应用重叠时间灰度法的子帧。 

应该注意的是，适用重叠时间灰度法的子帧可按发光的顺序(例如SF3、SF4和SF5的顺序和SF8、SF9和SF10的顺序)或发光的相反顺序(例如SF5、SF4和SF3的顺序和SF10、SF9和SF8的顺序)被布置。或者，子帧可从中间子帧(例如SF4、SF3和SF5的顺序和SF9、SF8和SF10的顺序)处逐渐发光。 

例如，图19A和19B示出了其中在5-比特显示的情况中按SF1、SF2、SF4、SF3、SF5、SF6、SF7、SF9、SF8和SF10的顺序布置子帧的情况。这里，假定在像素A中表示灰度级15而在像素B中表示灰度级16。这里，如果视轴线移动的话，根据视轴线的轨迹，眼睛有时感觉到灰度级为15(＝4+4+4+2+1)或16(＝4+2+2+4+4)。图19A示出了这种情况。由于应该看到灰度级正常为15和16，因此可准确地看到它们，由此减少了伪轮廓线。 

接着，图19B示出了急剧地移动视轴线的情况。如果急剧地移动视轴线的话，根据视轴线的轨迹，眼睛有时感觉到灰度级为15(＝4+4+2+4+1)或16(＝4+2+4+4+2)。由于应该看到灰度级正常为15和16，因此可准确地看到它们，由此减少了伪轮廓线。 

如上所述的，通过将适用重叠时间灰度法的子帧布置得从中间子帧处逐渐发光可减少伪轮廓线。另外，在从第一帧改变为第二帧时可减少伪轮廓线的出现。也就是说，可减少运动图像伪轮廓线。 

接下来描述的是与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧被插在与属于第一比特组的比特相对应的子帧之间的情况。例 如，存在SF1、SF3、SF4、SF2、SF5、SF6、SF8、SF9、SF7和SF10这样一种顺序，其中与属于第二比特组的比特相对应的SF2被插在与属于第一比特组的比特相对应的SF4和SF5之间，与属于第二比特组的比特相对应的SF7被插在与属于第一比特组的比特相对应的SF9和SF10之间。应该注意的是，用于插入与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧的位置不局限于此。另外，被插入的子帧的数量不局限于此。 

应该注意的是，通过在与属于第一比特组的比特相对应的子帧之间插入与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧，可欺骗人眼以使得伪轮廓线看起来是减少了。 

应该注意的是，在与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧被插在与属于第一比特组的比特相对应的子帧之间的情况中，通过插入其发光期间最接近于与属于第一比特组的比特相对应的子帧的发光期间的子帧可进一步减少伪轮廓线。例如，通过将其发光期间最接近于与属于第一比特组的比特相对应的子帧的发光期间的子帧(总发光期间为8：SF3和SF8)插在SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF8、SF9和SF10的最基本结构中与属于第一比特组的比特相对应的子帧(总发光期间为16：SF4、SF5、SF9、和SF10)之间，可如图19A和19B中所示的那样减少伪轮廓线。 

接下来描述的是与属于第一比特组相对应的子帧之一和与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧之一可相互交换的情况。例如，存在SF1、SF4、SF3、SF2、SF5、SF6、SF9、SF8、SF7和SF10这样一种顺序，其中与属于第一比特组的比特相对应的SF4和与属于第二比特组的比特相对应的SF2相互交换，与属于第一比特组的比特相对应的SF9和与属于第二比特组的比特相对应的SF7相互交换。应该注意的是，用于交换子帧的位置不局限于此。另外，所交换的子帧的数量不局限于此。 

以这种方式，通过相互交换与属于第一比特组的比特相对应的子帧的顺序和与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧的顺 序，可欺骗人眼以使得伪轮廓线看起来是减少了。 

这里，图20A和20B示出了其中在5-比特显示的情况中按SF1、SF4、SF3、SF2、SF5、SF6、SF9、SF8、SF7和SF10的顺序布置子帧的情况。这里，假定在像素A中表示灰度级15而在像素B中表示灰度级16。这里，如果视轴线移动的话，根据视轴线的轨迹，眼睛有时感觉到灰度级为15(＝4+4+2+4+1)或16(＝2+4+2+4+4)。图20A示出了这种情况。由于应该看到灰度级正常为15和16，因此可准确地看到它们，由此减少了伪轮廓线。 

接着，图20B示出了急剧地移动视轴线的情况。如果急剧地移动视轴线的话，根据视轴线的轨迹，眼睛有时感觉到灰度级为15(＝2+4+4+4+1)或16(＝4+4+2+2+4)。由于应该看到灰度级正常为15和16，因此可准确地看到它们，由此减少了伪轮廓线。 

以这种方式，在与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧被插在与属于第一比特组的比特相对应的子帧之间的情况中，或者，在与属于第一比特组的比特相对应的子帧的顺序和与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧的顺序交换的情况中，可首先确定与属于第一比特组的比特相对应的子帧的顺序，并且将与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧插在它们之间，从而确定所有子帧的出现顺序。 

在这种情况下，在每个子帧组中，可按增加发光期间的顺序或按其相反顺序布置与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧。或者，可将子帧布置得从中间子帧处逐渐发光。或者，可全部按随机的顺序布置他们。因此，可欺骗人眼以使得伪轮廓线看起来是减少了。 

应该注意的是，在将与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧插在与属于第一比特组的比特相对应的子帧之间的情况下，插入的子帧的数量没有限制。 

另外，可首先确定与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧的顺序，并且将与属于第一比特组的比特相对应的子帧插在它 们之间，从而确定子帧的出现顺序。 

以这种方式，通过将与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的子帧插在与属于第一比特组的比特相对应的子帧之间，可避免子帧被反常地布置。因此，可欺骗人眼以使得伪轮廓线看起来是减少了。 

作为示例，图21示出了图1情况中子帧的出现顺序的模式示例。 

作为第一模式，存在SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF8、SF9和SF10的顺序。依照子帧的这种布置，在每个子帧组中，最先布置其发光期间最短的子帧，之后按增加发光期间的顺序布置不适用重叠时间灰度法的子帧，然后按发光顺序布置适用重叠时间灰度法的子帧。 

作为第二模式，存在SF10、SF9、SF8、SF7、SF6、SF5、SF4、SF3、SF2和SF1的顺序。依照子帧的这种布置，在每个子帧组中，最先布置其发光期间最长的子帧，之后按发光的反顺序布置适用重叠时间灰度法的子帧，然后按减少发光期间顺序布置不适用重叠时间灰度法的子帧。 

作为第三模式，存在SF1、SF2、SF5、SF4、SF3、SF6、SF7、SF10、SF9和SF8的顺序。依照子帧的这种布置，相对于第一模式，适用重叠时间灰度法的SF3、SF4和SF5的子帧和SF8、SF9和SF10的子帧按发光的反顺序布置。 

作为第四模式，存在SF1、SF2、SF4、SF3、SF5、SF6、SF7、SF9、SF8和SF10的顺序。依照子帧的这种布置，相对于第一模式，适用重叠时间灰度法的SF3、SF4和SF5的子帧和SF8、SF9和SF10的子帧被布置得便于分别从中间子帧逐渐发光。 

作为第五模式，存在SF6、SF7、SF8、SF9、SF10、SF1、SF2、SF3、SF4和SF5的顺序。依照子帧的这种布置，相对于第一模式，前面子帧组中的子帧和后面子帧组中的子帧相互交换。 

作为第六模式，存在SF1、SF3、SF4、SF2、SF5、SF6、SF8、SF9、SF7和SF10的顺序。依照子帧的这种布置，相对于第一模式，与属于第二比特组的比特相对应的子帧之一被插在与属于第一比特组 的比特相对应的子帧之间。 

作为第七模式，存在SF2、SF3、SF4、SF1、SF5、SF7、SF8、SF9、SF6和SF10的顺序。依照子帧的这种布置，相对于第一模式，与属于第三比特组的比特相对应的子帧被插在与属于第一比特组的比特相对应的子帧之间。 

作为第八模式，存在SF1、SF4、SF3、SF2、SF5、SF6、SF9、SF8、SF7和SF10的顺序。依照子帧的这种布置，相对于第一模式，与属于第一比特组的比特相对应的子帧之一和与属于第二比特组的比特相对应的子帧之一相互交换。 

作为第九模式，存在SF4、SF2、SF3、SF1、SF5、SF9、SF7、SF8、SF6和SF10的顺序。依照子帧的这种布置，相对于第一模式，与属于第一比特组的比特相对应的子帧之一和与属于第三比特组的比特相对应的子帧之一相互交换。 

作为第十模式，存在SF2、SF3、SF1、SF4、SF5、SF7、SF8、SF6、SF9和SF10的顺序。依照子帧的这种布置，相对于第一模式，与属于第三比特组的比特相对应的子帧被插在与属于第一比特组的比特相对应的子帧和与属于第二比特组的比特相对应的子帧之间。 

作为第十一模式，存在SF2、SF4、SF3、SF5、SF1、SF7、SF9、SF8、SF10和SF6的顺序。依照子帧的这种布置，与属于第一比特组、第二比特组和第三比特组的比特相对应的子帧按随机顺序布置。 

如作为上述模式的一个示例所述的，最好，在多个子帧组的至少一个中，与属于第一比特组的比特相对应的所有子帧可发光，之后，与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的所有子帧可发光。 

另外，最好，在多个子帧组的至少一个中，与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的所有子帧可发光，之后与属于第一比特组的比特相对应的所有子帧可发光。 

另外，最好，在多个子帧组的至少一个中，与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧中的一个可发光，与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的多个子帧中的至少1个可发光，之后与属于第一 比特组的比特相对应的多个子帧中的另一个可发光。 

另外，最好，在每个子帧组中，与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的多个子帧中的一个可发光，之后，与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧中的至少一个可发光，之后，与属于第二比特组或第三比特组的比特相对应的多个子帧中的另一个可发光。 

应该注意的是，子帧的出现顺序可随时间而改变。例如，子帧的出现顺序可在第一帧与第二帧之间改变。另外，子帧的出现顺序也可随地点而改变。例如，子帧的出现顺序可在像素A与像素B之间改变。或者，子帧的出现顺序可随时间和地点两者而改变。 

(实施方式2) 

实施方式1中所述的是一个帧被分成为两个子帧组的情况。然而，依照本发明的驱动方法，一个帧也可被分成为三个或更多子帧组。因此，在该实施方式中，将针对一个帧被分成为三个或更多子帧组的情况作为一个示例进行描述。应该注意的是，子帧组的数量不局限于2或3，并且可任意确定子帧组的数量。 

依照该实施方式的一个示例，依照传统时间灰度法，首先，与属于第一比特组的比特相对应的子帧被分成为6份、与属于第二比特组的比特相对应的子帧被分成为3份，而与属于第三比特组的比特相对应的子帧未被分割。之后，一个帧被分成为三个子帧组，并且属于第一比特组的被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中。属于第二比特组的被分开的比特中的一个被布置在每个子帧组中，属于第三比特组的比特被布置在这三个子帧组的至少一个中。此时，与属于第一比特组的比特相对应的子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的子帧的出现顺序在子帧组之间大致相同。应该注意的是，可认为属于第三比特组的比特未被分开或者它们一度被分成为三份之后结合成一个子帧。应该注意的是，重叠时间灰度法适用于与属于第一比特组和第二比特组的比特相对应的子帧之中其发光期间在每个子帧组中相等的子帧。 

例如，图22中示出了在5-比特显示的情况中的实施例。在图 22中，依照传统时间灰度法(图43)，假定一个比特被分派给第一比特组、两个比特被分派给第二比特组、以及两个比特被分派给第三比特组，SF5被分派给属于第一比特组的比特、SF3和SF4被分派给属于第二比特组的比特、以及SF1和SF2被分派给属于第三比特组的比特。之后，SF5被等分为6个、SF3和SF4分别被等分为3个、以及SF1和SF2未被分割。接着，属于第一比特组的六个被分开的比特中每两个被布置在每个子帧组中、属于第二比特组的三个被分开的比特中的一个被布置在每个子帧组中，以及属于第三比特组的比特被布置在这三个子帧组的至少一个中。也就是说，属于第一比特组的比特被布置在图22中的SF4、SF5、SF9、SF10、SF13和SF14中、属于第二比特组的比特被布置在图22中的SF2、SF3、SF7和SF8、SF11和SF12中、以及属于第三比特组的比特被布置在图22中的SF1和SF6中。因此，子帧的数量变为14并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝1、SF2＝4/3、SF3＝8/3、SF4＝8/3、SF5＝8/3、SF6＝2、SF7＝4/3、SF8＝8/3、SF9＝8/3、SF10＝8/3、SF11＝4/3、SF12＝8/3、SF13＝8/3、以及SF14＝8/3。这里，由于SF3到SF5、SF8到SF10、和SF12到SF14的发光期间的相应长度都为8/3，因此重叠时间灰度法适用于SF3到SF5、SF8到SF10和SF12到SF14。 

通过以这种方式分割每个子帧，可使得帧频基本被增加三倍以上。 

应该注意的是，尽管每个子帧的发光期间的长度(或，一个时期内的发光次数，即，加权量)不局限于此。另外，子帧编号和发光期间长度之间的对应不局限于此。另外，子帧的选择方法不局限于此。 

应该注意的是，尽管在该实施方式中与属于第三比特组的比特相对应的子帧未被分割，但是也可将他们分成为小于子帧组数量的数量。 

例如，图23中示出了这样一个示例，其中在图22的情况中分派给属于第三比特组的比特的SF1和SF6分别被进一步分成为两份。在图23中，图22中的SF1和SF6分别被进一步分成为两份并且在图23中被布置在SF1、SF6、SF11和SF12中。因此，子帧的数量变为16 个并且子帧的发光期间的相应长度为SF1＝0.5、SF2＝4/3、SF3＝8/3、SF4＝8/3、SF5＝8/3、SF6＝1、SF7＝4/3、SF8＝8/3、SF9＝8/3、SF10＝8/3、SF11＝0.5、SF12＝1、SF13＝4/3、SF14＝8/3、SF15＝8/3、SF16＝8/3。这里，由于SF3到SF5、SF8到SF10、和SF14到SF16的发光期间的相应长度都为8/3，因此重叠时间灰度法适用于SF3到SF5、SF8到SF10和SF14到SF16。应该注意的是，布置有属于第三比特组的分开的比特的子帧组不局限于此。 

应该注意的是，在该实施方式中，将分派给每个比特组的比特数量(即比特位数)不局限于以上所述的示例。然而，最好至少一个比特可被分派给第一比特组和第二比特组的每个中。 

应该注意的是，在该实施方式中，尽管最高位比特被选择为属于第一比特组的比特，但是属于第一比特组的比特不局限于此并且任何比特都可被选择为属于第一比特组的比特。相似地，任何比特都可被选择为属于第二比特组或第三比特组的比特。 

应该注意的是，尽管本实施方式中描述的是其中与属于第一比特组的比特相对应的子帧被分成为6份的示例，但是与属于第一比特组的比特相对应的子帧的分割数量不局限于此。例如，与属于第一比特组的比特相对应的子帧可被分成为5份并且将其布置成在这三个子帧组中分别包含两个子帧、两个子帧以及一个子帧。应该注意的是，与属于第一比特组的比特相对应的子帧最好被分成为子帧组数量的倍数；也就是说，当子帧组的数量为3个时，子帧最好被分成为(3×m)份(这里，m为满足m≥2的整数)。这是由于属于第一比特组的被分开的比特可被均匀地布置在子帧组中以使得可避免闪烁或伪轮廓线。例如，与属于第一比特组的比特相对应的子帧可被分成为9份。然而，本发明不局限于此。 

应该注意的是，尽管在该实施方式中相对于传统时间灰度法分别将与属于第一比特组的比特相对应的所有子帧分成为6份，但是与属于第一比特组的比特相对应的所有子帧的分割数量可不同。第一比特组中的分开数量可不同。与属于第三比特组的比特相似，与属于第三 比特组的比特相对应的所有子帧的分割数量可不同。 

应该注意的是，尽管在该实施方式中相对于传统时间灰度法分别将与属于第一比特组的比特相对应的所有子帧等分为6份并且分别将与属于第二比特组的比特相对应的所有子帧等分为3份，但是子帧的分割宽度不局限于此。子帧也不必被等分。例如，在5-比特显示的情况中，依照传统时间灰度法(图43)与属于第一比特组的比特相对应的子帧(SF5)可被分割成使其发光期间(长度为16)被分成为2、2、4、2、3、3。 

应该注意的是，在该实施方式中，在这三个子帧组中，与属于第一比特组的比特和与属于第二比特组的比特相对应的子帧的出现顺序是相同的。然而，本发明不局限于在出现顺序上正好相配的情况，并且在这三个子帧组中，一些子帧的顺序可为不同的。例如，在图22的情况中SF7和SF8、以及SF11和SF12可相互交换，也就是说，可存在这样一种布置，即，SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF8、SF7、SF9、SF10、SF12、SF11、SF13和SF14。 

应该注意的是，上文中描述的有关于被分派给每个比特组的比特数量、被选择为属于每个比特组的比特、分别属于第一比特组和第三比特组的比特的分开数量、子帧的分割宽度、以及子帧的出现顺序的描述可组合使用。 

应该注意的是，上文中描述的有关于被分派给每个比特组的比特数量、被选择为属于每个比特组的比特、分别属于第一比特组和第三比特组的比特的分开数量、子帧的分割宽度、以及子帧的出现顺序的描述也可应用于子帧组的数量为3个或更多的情况。 

考虑这样一种情况，其中一个帧通常被分成为k(这里k为满足k≥3的整数)个子帧组。在这种情况中，依照传统时间灰度法，与属于第一比特组的比特相对应的子帧被分成为(k+1)或更多份，与属于第二比特组的比特相对应的子帧被分成为k份，而与属于第三比特组的比特相对应的子帧分成为(k-1)或更少份或者未被分割。之后，属于第一比特组的被分开的比特被布置在k个子帧组中以使其包 含大约相同的数量；属于第二比特组的被分开的比特中的每一个被布置在k个子帧组的每个中；以及属于第三比特组的每个比特被布置在这k个子帧组的至少一个中。此时，与属于第一比特组的比特相对应的子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的子帧的出现顺序在这k个子帧组之间大致相同。 

在这种情况下，在由n比特(这里n为整数)表示灰度等级的情况中，依照传统时间灰度法，总子帧数量为n。另外，与最高位比特相对应的子帧的发光期间的长度为2^n-1。另一方面，相对于传统时间灰度法，假设将被分成为L₁(这里L₁为满足L₁≥k+1的整数)份的属于第一比特组的比特数量(即比特位数)为a(这里a为满足0＜a＜n的整数)、将被分成为k份的属于第二比特组的比特的数量为b(这里b为满足0＜b＜n的整数)，并且将被分成为L₂(这里L₂为满足1＜L₂≤k-1的整数)份或者不被分开(即，相当于L₂＝1)的属于第三比特组的比特的数量为c(这里c为满足0≤c＜n并且a+b+c＝n的整数)，依照本发明的驱动方法，子帧的总数为(L₁×a+k×b+L₂×c)。另外，在最高位比特被选择为属于第一比特组的比特并且与该比特相对应的子帧被等分为L₁个的情况中，与该比特相对应的每个分割的子帧的发光期间的长度为(2^n-1/L₁)。例如，在图22的情况中，其中k＝3、n＝5、L₁＝6、L₂＝1、a＝1、b＝2以及c＝2，子帧的总数量为14(＝6×1+3×2+1×2)，与属于第一比特组的比特相对应的每个分割的子帧的发光期间的长度为8/3(＝2^5-1/6)。 

应该注意的是，在本实施方式中进行了如下描述，其中在子帧组的数量方面扩展了实施方式1中所进行的描述。因此，本实施方式可与实施方式1自由组合。 

(实施方式3) 

在该实施方式中，将针对定时图的示例进行描述。尽管图1中的子帧的选择方法用作子帧选择方法的示例，但是本发明不局限于此。本发明可容易地适用于子帧的另一种选择方法、另一数量的灰度级等。 

另外，尽管作为示例，子帧的出现顺序为SF1、SF2、SF3、SF4、 SF5、SF6、SF7、SF9、SF8和SF10这样一种顺序，但是本发明不局限于此并且可适用于另一种顺序。 

首先，图24示出了向像素中写入信号的期间与发光期间相分离的情况中的定时图。首先，在信号写入期间中用于一屏的信号被输入到所有像素中。在该期间中，像素不发出光线。在信号写入期间之后，开始发光期间并且像素发出光线。此时发光期间的长度为1。接着，开始随后的子帧并且在信号写入期间中用于一屏的信号被输入到所有像素中。在该期间中，像素不发光。在信号写入期间之后，开始发光期间并且像素发出光线。此时发光期间的长度为2。 

通过重复上述操作，发光期间的长度按1、2、4、4、4、2、2、4、4和4的顺序布置。 

其中如上所述的向像素写入信号的期间与发光期间相分离的驱动方法最好应用于等离子体显示器。应该注意的是，在驱动方法用于等离子体显示器的情况中，需要用于初始化等的操作；然而，为了简便起见图24中省略了所述操作。 

另外，该驱动方法最好还应用于EL显示器(有机EL显示器、无机EL显示器、包括包含有机材料和无机材料两者的元件的显示器等)、场发射显示器、使用数字微镜装置(DMD)的显示器等。 

图25示出了那种情况中的像素结构。图25中所示的像素包括第一晶体管2501、第二晶体管2503、存储电容器2502、显示元件2504、信号线2505、扫描线2507、第一电源线2506、以及第二电源线2508。 

第一晶体管2501的栅电极与扫描线2507相连接、其第一电极与信号线2505相连接，其第二电极与存储电容器2502的第二电极以及第二晶体管2503的栅电极相连接。第二晶体管2503的第一电极与第一电源线2506相连接，其第二电极与显示元件2504的第一电极相连接。存储电容器2502的第一电极与第一电源线2506相连接。显示元件2504的第二电极与第二电源线2508相连接。 

应该注意的是，第一晶体管用作用于将信号线2505连接于存储电容器2502的第二电极的开关以便于将从信号线2505中输入的信号 输入到存储电容器2502中。 

注意，第二晶体管具有向显示元件2504供应电流的功能。 

下面将描述图25中所示的像素结构的操作。首先，在信号写入期间，使得扫描线2507的电势高于信号线2505的最高电势或第一电源线2506的电势从而选择扫描线2507，以使得第一晶体管2501被接通并且信号从信号线2505被输入到存储电容器2502中。 

注意，在信号写入期间，第一电源线2506和第二电源线2508的相应电势被控制以使其不会向显示元件2504施加电压。例如，第二电源线2508可被设定在浮动状态下。或者，可使得第二电源线2508的电势等于或高于第一电源线2506的电势。因此，可防止显示元件2505在信号写入期间发光。 

接下来，在发光期间，第一电源线2506和第二电源线2508的相应电势被控制以使其向显示元件2504施加电压。例如，可使得第二电源线2508的电势低于第一电源线2506的电势。因此，根据已在信号写入期间保持在存储电容器2502中的信号控制第二晶体管2503的电流，因此电流通过显示元件2504从第一电源线2506流到第二电源线2508，结果显示元件2504发光。 

接着，图26示出了在向像素中写入信号的期间与发光期间不分离的情况中的定时图。在刚好对每一行执行了信号写入操作之后，开始发光期间。 

在某一行中，信号被写入并且预定发光期间结束，之后下一个子帧的信号写入操作开始。通过重复上述操作，发光期间的长度按1、2、4、4、4、2、2、4、4和4的顺序布置。 

因此，即使信号写入操作较缓慢，也可在一个帧中布置许多子帧。 

所述方法最好应用于等离子体显示器。应该注意的是，在驱动方法用于等离子体显示器的情况中，需要用于初始化等的操作；然而，为了简便起见图26中省略了所述操作。 

另外，该驱动方法最好还应用于EL显示器、场发射显示器、使用数字微镜装置(DMD)的显示器等。 

图27示出了那种情况中的像素结构。图27中所示的像素包括第一晶体管2701、第二晶体管2711、第三晶体管2703、存储电容器2702、显示元件2704、第一信号线2705、第二信号线2715、第一扫描线2707、第二扫描线2717、第一电源线2706、以及第二电源线2708。 

第一晶体管2701的栅电极与第一扫描线2707相连接，其第一电极与第一信号线2705相连接，其第二电极与存储电容器2702的第二电极、第二晶体管2711的第二电极以及第三晶体管2703的栅电极相连接。第二晶体管2711的栅电极与第二扫描线2717相连接，并且其第一电极与第二信号线2715相连接。第三晶体管2703的第一电极与第一电源线2706相连接，并且其第二电极与显示元件2704的第一电极相连接。存储电容器2702的第一电极与第一电源线2706相连接。显示元件2704的第二电极与第二电源线2708相连接。 

应该注意的是，为了将从第一信号线2705输入的信号输入到存储电容器2702中，第一晶体管用作用于将第一信号线2705连接于存储电容器2702之第二电极的开关。 

应该注意的是，为了将从第二信号线2715输入的信号输入到存储电容器2702中，第二晶体管用作用于将第二信号线2715连接于存储电容器2702之第二电极的开关。 

注意，第三晶体管具有向显示元件2704供应电流的功能。 

下面将描述图27中所示的像素结构的操作。首先，开始第一信号写入操作。使得第一扫描线2707的电势高于第一信号线2705的最高电势或第一电源线2706的电势从而选择第一扫描线2707，以使得第一晶体管2701被接通并且信号从第一信号线2705中被输入到存储电容器2702中。因此，根据已保持在存储电容器2702中的信号控制第三晶体管2703的电流，因此电流通过显示元件2704从第一电源线2706流到第二电源线2708。结果，显示元件2704变亮。 

在预定发光期间之后，开始下一个子帧的信号写入操作(第二信号写入操作)。使得第二扫描线2717的电势高于第二信号线2715的最高电势或第一电源线2706的电势从而选择第二扫描线2717，以使 得第二晶体管2711被接通并且信号从第二信号线2715被输入到存储电容器2702中。因此，根据已保持在存储电容器2702中的信号控制第三晶体管2703的电流，因此电流通过显示元件2704从第一电源线2706流到第二电源线2708。结果，显示元件2704发光。 

第一扫描线2707和第二扫描线2717可独立地被控制。相似地，第一信号线2705和第二信号线2715可独立地被控制。因此，信号可同时被输入到两行像素中从而可实现图26中的驱动方法。 

注意，也可使用图25的电路实现图26中所示的驱动方法。在图28中示出了这种情况中的定时图。如图28中所示的，一个栅极选择期间被分成为多个期间(图28中为两个)。在分割的选择期间中使得每个扫描线的电势较高，从而选择每个扫描线，以使得与所述期间相对应的信号被输入到第一信号线2705中。例如，在某一个栅极选择期间中，在该期间的前半部分中选择第i行，而在该期间的后半部分中选择第j行。因此，可执行操作，就如同在一个栅极选择期间同时选择了两行一样。 

应该注意的是，在日本专利未审定公开No.2001-324958等中描述了驱动方法的细节，其内容可与本发明结合使用。 

接着，图29示出了在执行擦除像素的信号的操作的情况中的定时图。在每一行中，执行信号写入操作，并且在下一个信号写入操作开始之前擦除像素的信号。因此，可容易地控制发光期间的长度。 

在某一行中，在信号被写入并且预定发光期间结束之后，下一个子帧的信号写入操作开始。在发光期间较短的情况中，执行信号擦除操作以便于强制地形成不发光状态。通过重复上述操作，发光期间的长度按1、2、4、4、4、2、2、4、4和4的顺序布置。 

注意，尽管在图29中在发光期间为1或2的情况下执行信号擦除操作，但是本发明不局限于此。也可在另一个发光期间中执行擦除操作。 

基于此，即使信号写入操作较缓慢也可在一个帧中布置许多子帧。另外，在执行擦除操作的情况中，不必取得用于擦除类似视频信 号的数据，因此也可减小信号线驱动器电路的驱动频率。 

所述驱动方法最好应用于等离子体显示器。应该注意的是，在驱动方法用于等离子体显示器的情况中，需要用于初始化等的操作；然而，为了简便起见图29中省略了所述操作。 

另外，该驱动方法最好还应用于EL显示器、场发射显示器、使用数字微镜装置(DMD)的显示器等。 

图30示出了那种情况中的像素结构。图30中所示的像素包括第一晶体管3001、第二晶体管3011、第三晶体管3003、存储电容器3002、显示元件3004、信号线3005、第一扫描线3007、第二扫描线3017、第一电源线3006、以及第二电源线3008。 

第一晶体管3001的栅电极与第一扫描线3007相连接，其第一电极与信号线3005相连接，其第二电极与存储电容器3002的第二电极、第二晶体管3011的第二电极、以及第三晶体管3003的栅电极相连接。第二晶体管3011的栅电极与第二扫描线3017相连接，并且其第一电极与第一电源线3006相连接。第三晶体管3003的第一电极与第一电源线3006相连接，并且其第二电极与显示元件3004的第一电极相连接。存储电容器3002的第一电极与第一电源线3006相连接。显示元件3004的第二电极与第二电源线3008相连接。 

应该注意的是，为了将从第一信号线3005输入的信号输入到存储电容器3002中，第一晶体管用作用于将信号线3005连接于存储电容器3002的第二电极的开关。 

应该注意的是，为了切断第三晶体管，第二晶体管用作用于将第三晶体管3003的栅电极连接于第一电源线3006的开关。 

注意，第三晶体管具有向显示元件3004供应电流的功能。 

下面将描述图30中所示的像素结构的操作。首先，当信号被写入到像素中时，使得第一扫描线3007的电势高于信号线3005的最高电势或第一电源线3006的电势从而选择第一扫描线3007，以使得第一晶体管3001被接通并且信号从信号线3005被输入到存储电容器3002中。因此，根据已保持在存储电容器3002中的信号控制第三晶 体管3003的电流，因此电流通过显示元件3004从第一电源线3006流到第二电源线3008。结果，显示元件3004发光。 

在要擦除信号的情况中，使得第二扫描线3017的电势高于信号线3005的最高电势或第一电源线3006的电势从而选择第二扫描线3017，以使得第二晶体管3011被接通同时第三晶体管3003被切断。因此，阻止电流通过显示元件3004从第一电源线3006流到第二电源线3008。结果，可提供不发光期间，从而可自由控制发光期间的长度。 

尽管在图30中第二晶体管3011用于提供不发光期间，但是也可使用另一种方法。为了强制地提供不发光期间，阻止电流被供应到显示元件3004。因此，可通过在其中电流通过(经由)显示元件3004从第一电源线3006流到第二电源线3008的路径中的某处布置开关并且控制该开关的接通/切断来提供不发光期间。或者，可控制第三晶体管3003的栅-源电压以便于强制地切断第三晶体管。 

图31示出了与图30中的第三晶体管相对应的晶体管被强制地切断的情况中像素结构的示例。图31中所示的像素包括第一晶体管3101、第二晶体管3103、存储电容器3102、显示元件3104、信号线3105、第一扫描线3107、第二扫描线3117、第一电源线3106、第二电源线3108、以及二极管3111。这里，第二晶体管3103对应于图30中的第三晶体管3003。 

第一晶体管3101的栅电极与第一扫描线3107相连接，其第一电极与信号线3105相连接，其第二电极与存储电容器3102的第二电极、第二晶体管3103的栅电极、以及二极管3111的第二电极相连接。第二晶体管3103的第一电极与第一电源线3106相连接，并且其第二电极与显示元件3104的第一电极相连接。存储电容器3102的第一电极与第一电源线3106相连接。显示元件3104的第二电极与第二电源线3108相连接。二极管3111的第一电极与第二扫描线3117相连接。 

应该注意的是，为了将输入到信号线3105的信号输入到存储电容器3102中，第一晶体管用作用于将信号线3105连接于存储电容器3102的第二电极的开关。 

注意，第二晶体管具有向显示元件3104供应电流的功能。 

注意，存储电容器3102具有保持第二栅电极3103之栅电势的功能。因此，它被连接在第二晶体管3103的栅电极与第一电源线3106之间；然而，本发明不局限于此，只要可保持第二晶体管3103的栅电势就可以。另外，在可使用第二晶体管3103的栅电容等保持第二晶体管3103的栅电势的情况中，可省却存储电容器3102。 

下面将描述图31中所示的像素结构的操作。首先，当信号被写入到像素中时，使得第一扫描线3107的电势高于信号线3105的最高电势或第一电源线3106的电势从而选择第一扫描线3107，以使得第一晶体管3101被接通并且信号从信号线3105中被输入到存储电容器3102中。因此，根据已保持在存储电容器3102中的信号控制第二晶体管3103的电流，因此电流通过显示元件3104从第一电源线3106流到第二电源线3108。结果，显示元件3104发光。 

在要擦除信号的情况中，使得第二扫描线3117的电势高于信号线3105的最高电势或第一电源线3106的电势从而选择第二扫描线3117，以使得二极管3111被接通并且电流从第二扫描线3117流到第二晶体管3103的栅电极。结果，第二晶体管3103被切断。因此，阻止电流通过显示元件3104从第一电源线3106流到第二电源线3108。因此，可提供不发光期间，从而可自由控制发光期间的长度。 

在要保持信号的情况中，使得第二扫描线3117的电势低于信号线3105的最低电势。因此，二极管被切断，从而保持第二晶体管3103的栅电势。 

注意，二极管3111可为任何元件，只要它是具有整流特性的元件就可以。它可为PN二极管、PIN二极管、肖特基二极管或齐纳二极管。 

或者，二极管3111可为以二极管方式连接的晶体管(即其栅电极和漏极被相互连接)。图32为那种情况的电路图。使用以二极管方式的晶体管3211作为擦除二极管3111。应该注意的是，尽管这里N-沟道类型晶体管用作晶体管3211，但是本发明不局限于此。也可使用 P-沟道类型晶体管。 

此外，使用图25中所示的电路作为另一个电路，也可实现图29中所示的驱动方法。图28示出这种情况的定时图。如图28中所示的，一个栅极选择期间被分成为多个期间(图28中为两个)。在每个分割的选择期间中使得扫描线的每个电势较高以选择每个扫描线并且相应的信号(视频信号和用于擦除的信号)被输入到信号线2505中。例如，在一个栅极选择期间中，在该期间的前半部分中选择第i行，而在该期间的后半部分中选择第j行。当选择第i行时，视频信号被输入，而当选择第j行时，用于切断驱动晶体管的信号被输入。因此，可执行操作，就如同在一个栅极选择期间同时选择了两行一样。 

应该注意的是，在日本专利未审定公开No.2001-324958等中描述了驱动方法的细节，其内容可与本发明结合使用。 

另外，本发明一个示例中使用的是这样一个方法，其中依照传统时间灰度法，属于第一比特组的比特被分成为4份、属于第二比特组的比特被分成为2份、属于第三比特组的比特未被分开。因此，负荷比变得高于传统双倍帧速法的负荷比。这是由于通过将属于第一比特组的比特分成为4份，其发光期间最长的子帧的数量(即都不需要擦除操作的子帧的数量)增加了，因此，需要擦除操作的子帧的数量减少了，并且可缩短每个帧的擦除期间。 

例如，图33中示出了在传统双倍帧速法应用于5-比特显示(图44)的情况下执行擦除像素信号的操作的情况中的定时图。将传统双倍帧速法(图33)与本发明的驱动方法(图29)相比较，在传统双倍帧速法(图33)中其发光期间最长的子帧的数量(都不需要擦除操作的子帧的数量)为两个，而在本发明的驱动方法(图29)中为六个。也就是说，本发明的驱动方法中总擦除期间更短。 

以这种方式，依照本发明的驱动方法，负荷比可高于传统双倍帧速法的负荷比，因此可减少施加于发光元件的电压并且可降低能耗。另外，还可抑制发光元件的退化。 

应该注意的是，本实施方式中所述的定时图、像素结构以及驱动 方法为示例并且本发明不局限于此。本发明可适用于各种定时图、像素结构以及驱动方法。 

应该注意的是，子帧的出现顺序可随时间而改变。例如，子帧的出现顺序可在第一帧与第二帧之间改变。另外，子帧的出现顺序也可随地点而改变。例如，子帧的出现顺序可在像素A与像素B之间改变。或者，子帧的出现顺序可随时间和地点两者而改变。 

注意，尽管本实施方式中在一个帧中提供了发光期间、信号写入期间以及非发光期间，但本发明不局限于此。可提供另一种操作期间。例如，也可提供其中施加于显示元件的电压的极性与正常极性相反的期间(即反偏压期间)。通过提供反偏压期间，可提高显示元件的可靠性。注意，本实施方式中所述的像素结构为示例并且本发明不局限于此。另外，形成像素的晶体管的极性也不局限于此。 

注意，可以与实施方式1和实施方式2中所述内容自由组合的方式实施该实施方式3中所述的内容。 

(实施方式4) 

在该实施方式4中，将针对显示器件、信号线驱动器电路、扫描线驱动器电路等的结构以及其操作进行描述。 

如图34A中所示的，显示器件包括像素部分3401、扫描线驱动器电路3402、以及信号线驱动器电路3403。 

扫描线驱动器电路3402顺序地向像素部分3401输出选择信号。在图34B中示出了扫描线驱动器电路3402的结构的一个示例。扫描线驱动器电路包括移位寄存器3404、缓冲电路3405等。时钟信号(G-CLK)、起动脉冲(G-SP)以及反向时钟信号(G-CLKB)被输入到移位寄存器3404中，并且根据这些信号的时限，移位寄存器3404顺序地输出采样脉冲。被输出的采样脉冲在缓冲电路3405中被放大并且通过每个扫描线被输入到像素部分3401中。应该注意的是，在许多情况中，扫描线驱动器电路3402除移位寄存器3404、缓冲电路3405以外还包括电平移位器电路、脉冲宽度控制电路等。 

信号线驱动器电路3403顺序地向像素部分3401输出视频信号。 像素部分3401根据视频信号通过控制发光的状态显示图像。在许多情况中，从信号线驱动器电路3403输入到像素部分3401中的视频信号是电压。也就是说，从信号线驱动器电路3403输入的视频信号(电压)改变布置在每个像素中的显示元件和用于控制该显示元件的元件的各个状态。作为布置在像素中的显示元件的示例，有EL元件、用于FED(场发射显示器)的元件、液晶、DMD(数字微镜装置)等。 

应该注意的是，可布置多个扫描线驱动器电路3402或信号线驱动器电路3403。 

在图34C中示出了信号线驱动器电路3403的结构的一个示例。信号线驱动器电路3403包括移位寄存器3406、第一锁存电路(LAT1)3407、第二锁存电路(LAT2)3408，以及放大器电路3409。放大器电路3409可具有将数字信号转换为模拟信号的功能并且还可具有执行gamma校正的功能。 

另外，像素包括显示元件(诸如EL元件)。还可包括用于向显示元件输出电流(视频信号)的电路，即，电流源电路。 

下面，将简要描述信号线驱动器电路3403的操作。时钟信号(S-CLK)、起动脉冲(S-SP)以及反向时钟信号(S-CLKb)被输入到移位寄存器3406中，并且根据这些信号的时限，移位寄存器3406顺序地输出采样脉冲。 

从移位寄存器3406输出的采样脉冲被输入到第一锁存电路(LAT1)3407。由于视频信号从视频信号线3410中被输入到第一锁存电路(LAT1)3407中，因此视频信号根据采样脉冲的输入时限被保持在每一列中。 

在第一锁存电路(LAT1)3407中直至最后一列保持视频信号都完成之后，从锁存控制线3411中输入锁存脉冲(Latch Pulse)，并且已被保持在第一锁存电路(LAT1)3407中的视频信号在水平回扫期间被一次传输到第二锁存电路(LAT2)3408中。之后，已被保持在第二锁存电路(LAT2)3408中的一行视频信号同时被输入到放大器电路3409中。从放大器电路3409中输出的信号被输入到像素部分 3401中。 

已被保持在第二锁存电路(LAT2)3408中的视频信号被输入到放大器电路3409中，而在视频信号被输入到像素部分3401中时，移位寄存器3406再次输出采样脉冲。也就是说，同时执行两项操作。因此可执行线连续驱动。之后，重复前述操作。 

应该注意的是，替代设在与像素部分3401同一个衬底上的情况，使用外部IC芯片也可形成信号线驱动器电路或其一部分(诸如电流源电路或放大器电路)。 

注意，信号线驱动器电路、扫描线驱动器电路等其结构不局限于图34A到34C中所示的那些。例如，可通过点式连续驱动将信号供应给像素。图35中示出了那种情况的示例。信号线驱动器电路3503包括移位寄存器3504和采样电路3505。采样脉冲从移位寄存器3504中被输出到采样电路3505中。视频信号从视频信号线3506中被输入，并且根据采样脉冲，被输出给像素部分3501。之后信号被顺序地输入到扫描线驱动器电路3502所选择的一行像素中。 

注意，如上所述的，本发明的晶体管可为任何类型的晶体管，并且可被形成在任何衬底上。因此，图34或35中所示的所有电路都可被形成在玻璃衬底、塑料衬底、单晶衬底、或SOI衬底。或者，图34或35中的一部分电路可被形成在某一衬底上，而图34或35中的另一部分电路可被形成在另一个衬底上。也就是说，图34或35中全部电路无需被形成在同一个衬底上。例如，在图34或35中，像素部分和扫描线驱动器电路可使用TFT被形成玻璃衬底上，而信号线驱动器电路(或其一部分)可被形成在单晶衬底上作为IC芯片，之后IC芯片可通过COG(玻璃上芯片)连接被安装在玻璃衬底上。或者，IC芯片可使用TAB(自动载带焊)或印刷的衬底被连接于玻璃衬底上。 

注意，本实施方式的描述对应于使用实施方式1到3中描述的描述。因此，实施方式1到3中的描述也可适用于该实施方式4。 

(实施方式5) 

在本实施方式中，将针对本发明显示器件中的像素设计进行描 述。作为示例，图36是图32中电路结构的设计图。注意，电路图和设计图不限于图32和36。 

图36中所示的像素包括第一晶体管3101、第二晶体管3103、存储电容器3102、显示元件3104、信号线3105、第一扫描线3107、第二扫描线3117、第一电源线3106、第二电源线3108、以及以二极管方式连接的晶体管3211。 

第一晶体管3101的栅电极与第一扫描线3107相连接，其第一电极与信号线3105相连接，其第二电极与存储电容器3102的第二电极、第二晶体管3103的第二电极、以及以二极管方式连接的晶体管3111的第二电极相连接。第二晶体管3103的第一电极与第一电源线3106相连接，并且其第二电极与显示元件3104的第一电极相连接。存储电容器3102的第一电极与第一电源线3106相连接。显示元件3104的第二电极与第二电源线3108相连接。以二极管方式连接的晶体管3211的栅电极与以二极管方式连接的晶体管3211的第二电极相连接，并且其第一电极与第二扫描线3117相连接。 

信号线3105和第一电源线3106由第二配线构成，而第一扫描线3107和第二扫描线3117由第一配线构成。 

在顶部栅极结构的情况中，按以下顺序形成衬底、半导体层、栅绝缘膜、第一配线、层间绝缘膜、以及第二配线。在底部栅极结构的情况中，按以下顺序形成衬底、第一配线、栅绝缘膜、半导体层、层间绝缘膜、以及第二配线。 

注意，本实施方式中所述的内容可与实施方式1到4中所述的内容以自由组合的方式执行。 

(实施方式6) 

本实施方式中描述的是用于控制实施方式1到5中所述的驱动方法的硬件。 

图37是粗略结构图。像素部分3704被布置在衬底3701上。另外，在许多情况中，布置有信号线驱动器电路3706或扫描线驱动器电路3705。除此之外，还可布置电源电路、预充电电路、时限产生电路 等。还存在没有布置信号线驱动器电路3706或扫描线驱动器电路3705的这样一种情况。在这种情况中，未设在衬底3701上的电路在许多情况中被形成在IC上。在许多情况中IC通过COG(玻璃上芯片)被安装在衬底3701上。或者，IC可被安装在用于将外围电路衬底3702连接于衬底3701的连接衬底3707上。 

信号3703被输入到外围电路衬底3702中，并且控制器3708进行控制以使得信号被储存在存储器3709、存储器3710等中。在信号3703为模拟信号的情况下，在许多情况中在执行了模拟-数字转换之后信号3703被储存在存储器3709、存储器3710等中。控制器3708使用储存在存储器3709、存储器3710等中的信号向衬底3701中输出信号。 

为了实现实施方式1到5中所述的驱动方法，控制器3708控制子帧等的出现顺序，并且向衬底3701输出信号。 

注意，本实施方式中所述的内容可与实施方式1到5中所述的内容以自由组合的方式执行。 

(实施方式7) 

在该实施方式中，将参照图55A到55E描述可用于本发明显示器件的薄膜晶体管的制造工艺的示例。注意，在该实施方式中，描述了形成有晶体半导体的顶部栅极薄膜晶体管的制造工艺；然而，可用于本发明的薄膜晶体管不局限于此。例如，也可使用形成有非晶半导体的薄膜晶体管或底部栅极薄膜晶体管。 

首先，基底膜11201被形成在衬底11200上。由硼硅酸钡玻璃、硼硅酸铝等制成的玻璃衬底；硅衬底、塑料衬底或具有热阻的树脂衬底等可用作衬底11200。可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，polyethylene naphthalate)、聚苯醚砜(PES)、压克力、聚酰亚胺等作为塑料衬底或树脂衬底。通过CVD方法、等离子体CVD方法、溅射法、旋涂法等使用包含硅的氧化物或氮化物的叠层或单层形成基底膜11201。通过形成基底膜11201，可防止半导体膜由于来自于衬底11200的污染物而导致退化。 

之后，半导体膜11202被形成在基底膜11201上(见图55A)。可通过溅射法、LPCVD方法、等离子体CVD方法等将半导体膜11202形成得具有25nm到200nm(最好，50nm到150nm)的厚度。在该实施方式中，形成了非晶半导体膜之后使其结晶化。可使用硅或锗作为半导体膜11202的材料；然而，所述材料不局限于此。 

可使用激光结晶方法、热结晶方法、使用促进结晶化的元素(诸如镍等)的热结晶方法作为结晶方法。在不引入促进结晶化的元素的情况中，在用激光照射非晶硅膜之前，通过在500℃在氮气氛中加热一个小时释放出氢气直到包含在非晶硅膜中的氢气浓度变为1×10²⁰原子/立方厘米。这是由于当用激光照射时，包含大量氢气的非晶硅膜被损坏。 

在将用作催化剂的元素引入到非晶半导体膜中的情况中对引入方法没有具体限制，只要催化元素可存在于非晶半导体膜的表面上或内部中就可以。例如，可使用溅射法、CVD方法、等离子体处理方法(包括等离子体CVD方法)、吸附方法、或用于涂覆金属盐溶液的方法。在它们中，使用溶液的方法是优选的，这是由于该方法是简单的，并且在金属元素的浓度控制方面较为容易。此时最好通过在氧气氛中用紫外线照射、热氧化方法、用包含羟基的过氧化氢或臭氧水等的处理形成氧化物膜，以使得水溶液遍布在非晶半导体膜的整个表面上。 

可通过热处理和激光照射的组合执行非晶半导体膜的结晶化，或者通过独立地执行热处理或激光照射多次来完成非晶半导体膜的结晶化。或者，可组合使用激光结晶化和使用金属元素的结晶化。 

之后，使用光刻法步骤在通过结晶化非晶半导体膜而形成的半导体膜11202上制造抗蚀剂掩模，并使用掩模执行蚀刻以形成半导体区域11203。可使用市场上的包含光增敏剂的抗蚀剂材料作为掩模。例如，可使用酚醛清漆树脂(即，典型的正型抗蚀剂)、萘醌二嗪农化合物(即，光增敏剂)、基础树脂(即，负型抗蚀剂)、二苯基硅烷二醇、或酸生成剂。在使用任何材料时，都可通过调节溶剂的浓度、 加入表面活性剂等适当地控制表面张力和粘性。 

注意，在该实施方式的光刻法步骤中，可在涂覆抗蚀剂之前在半导体膜上形成具有大约几纳米厚度的绝缘膜。该步骤可避免半导体膜与抗蚀剂的直接接触并且可阻止杂质进入半导体膜中。 

之后，在半导体区域11203上形成栅绝缘膜11204。注意，在该实施方式中栅绝缘膜具有单层结构，然而，它也可具有两层或多层的叠层结构。在叠层结构的情况中，最好在相同的温度下在同一个腔室中连续地形成绝缘膜，同时在反应气体改变的情况下保持真空。当在保持真空的同时连续地形成绝缘膜时，可防止叠层之间的接触面被污染。 

可适当地使用硅氧化物(SiO_x：x＞0)、硅氮化物(SiN_x：x＞0)、氮氧化硅(SiO_xN_y：x＞y＞0)，氧氮化硅(SiN_xO_y：x＞y＞0)等作为栅绝缘膜11204的材料。注意，为了在较低膜形成温度下形成具有低栅漏电流的致密绝缘膜，稀有气体元素(诸如氩)被包含在反应气体中并且被混合于即将形成的绝缘膜中。在该实施方式中，使用SiH₄和N₂O作为反应气体将硅氧化物膜形成为栅绝缘膜11204，以使其具有10nm到100nm(最好为20nm到80nm)的厚度，例如60nm的厚度。注意栅绝缘膜11204的厚度不局限于该范围。 

之后，在栅绝缘膜11204上形成栅电极11205(见图55B)。栅电极11205的厚度最好在10nm到200nm的范围内。尽管在该实施方式中描述了用于制造具有单栅结构的TFT的方法，但是也可使用具有两个或多个栅电极的多栅结构。通过使用多栅结构，可制造出具有减小的断开状态泄漏电流的TFT。根据应用，可使用诸如银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、碳(C)、铝(Al)、锰(Mn)、钛(Ti)或钽(Ta)等导电元素、包含所述元素作为其主要成分的合金或化合物材料等作为栅电极11205的材料。另外，还可使用其中氧化铟与氧化锡相混合的氧化铟锡(ITO)；其中氧化铟锡(ITO)与氧化硅相混合形成的含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)；其中氧化铟与氧化 锌相混合的氧化铟锌(IZO)；氧化锌(ZnO)；氧化锡(SnO₂)等。注意氧化铟锌(IZO)是通过使用其中ITO与2到20wt％的氧化锌(ZnO)相混合的靶通过溅射形成的透光导电材料。 

之后，使用栅电极11205作为掩模将杂质元素加入到半导体区域11203中。这里，可通过加入例如磷(P)作为杂质元素形成展现n型导电类型的半导体区域，其中包含浓度大约为5×10¹⁹/立方厘米到5×10²⁰/立方厘米的磷。或者，可通过加入例如赋予p型导电类型的杂质元素形成展现p型导电类型的半导体区域。可使用磷(P)、砷(As)、等作为赋予n型导电类型的杂质元素。可使用硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等作为赋予p型导电类型的杂质元素。注意可以低浓度添加杂质元素的LDD(轻掺杂漏极)区域。通过形成LDD区域，可制造出具有减小断开状态泄漏电流的TFT。 

之后形成绝缘膜11206以覆盖栅绝缘膜11204和栅电极11205(见图55C)。可适当地使用硅氧化物(SiO_x：x＞0)、硅氮化物(SiN_x：x＞0)、氮氧化硅(SiO_xN_y：x＞y＞0)，氧氮化硅(SiN_xO_y：x＞y＞0)等作为绝缘膜11206的材料。注意在该实施方式中绝缘膜11206具有单层结构，然而，它也可具有两层或多层的叠层结构。另外，也可在绝缘膜11206上设置一个或多个层间绝缘膜。 

之后，使用光刻法步骤制造抗蚀剂掩模，并且栅绝缘膜11204和绝缘膜11206被蚀刻以形成开口，从而露出已向其中加入杂质元素的半导体区域11203的区域。之后，形成用作电极的导电膜11207以与半导体区域11203电连接(见图55D)。可使用与栅电极11205相同的材料作为所述导电膜的材料。 

之后，使用光刻法步骤制造抗蚀剂掩模(未示出)，并且通过掩模将导电膜11207加工成期望形状以形成源电极11208和漏电极11209(见图55E)。 

注意，在该实施方式中通过等离子体蚀刻(干蚀刻)或湿蚀刻执行蚀刻；然而等离子体蚀刻也适合于处理大尺寸的衬底。使用已向其中适当地加入诸如氦或氩等惰性气体的诸如CF₄、NF₃、SF₆、或CHF₃ 等氟基气体、以Cl₂、BCl₃、SiCl₄、CCl₄等为代表的氯基气体、或氧气作为蚀刻气体。 

通过上述处理，可制造出形成有结晶半导体的顶部栅极的薄膜晶体管。 

注意，本实施方式7中所述的内容可与实施方式1到6中所述的内容以自由组合的方式执行。 

(实施方式8) 

在该实施方式中，将参照图56A和56B等描述根据本发明的显示板。注意，图56A是示出了显示板的顶视图，而图56B是沿线A-A′所截取的图56A的剖面图。显示板包括由虚线表示的信号线驱动器电路(数据线)1101、像素部分1102、第一扫描线驱动器电路(G1线)1103、以及第二扫描线驱动器电路(G2线)1106。显示板还包括密封衬底1104和密封剂1105，由密封剂1105围绕的部分是空间1107。 

注意，配线1108是用于传输将被输入到第一扫描线驱动器电路1103、第二扫描线驱动器电路1106以及信号线驱动器电路1101中的信号的配线，并且从用作外部输入端的FPC(挠性印刷电路)1109中接收视频信号、时钟信号、启动信号等。IC芯片(设有存储器电路、缓冲电路等的半导体芯片)通过COG(玻璃上芯片)等被安装在FPC1109与显示板的接合处。注意，此处仅示出了FPC；然而，印刷线路板(PWB)也可被附于该FPC。本说明书中的显示器件不仅包括显示板本身而且还包括附有FPC或PWB的显示板。另外，还包括其上安装有IC芯片等的显示板。 

接着，将参照图56B描述剖面结构。像素部分1102和其外围驱动器电路(第一扫描线驱动器电路1103、第二扫描线驱动器电路1106和信号线驱动器电路1101)被形成在衬底1110上。这里，示出了信号线驱动器电路1101和像素部分1102。 

注意，信号线驱动器电路1101是由诸如n-沟道晶体管1120或n-沟道TFT1121的单极晶体管构成的。相似地，第一扫描线驱动器电路1103和第二扫描线驱动器电路1106最好由n-沟道晶体管构成。 注意，通过应用本发明的像素结构，可使得像素结构形成有单极晶体管；因此，可制造出单极显示板。在该实施方式中，描述了其中外围驱动器电路结合在衬底上的显示板；然而，本发明不局限于此。全部或部分外围驱动器电路可被形成在IC芯片等中并且通过COG等安装。在这种情况中，驱动器电路无需为单极的，并且可组合使用p-沟道晶体管。 

像素部分1102具有多个电路，每个电路都形成包括切换TFT1111和驱动TFT 1112的像素。注意，驱动TFT 1112的源电极与第一电极1113相连接。形成绝缘体1114使其覆盖第一电极1113的端部分。这里，使用正型感光丙烯酸树脂膜。 

绝缘体1114被形成为在其上端部分或下端部分处具有弯曲表面，以使得其覆盖更为有利。例如，在使用正型感光丙烯酸作为绝缘体1114的材料的情况中，绝缘体1114最好被形成为仅在其上端部分处具有拥有曲率半径(0.2μm到3μm)的弯曲表面。通过光照射在蚀刻剂中变得不可溶的负型或者通过光照射在蚀刻剂中变得可溶的正型也可用作绝缘体1114。 

包含有机化合物的层1116和第二电极1117被形成在第一电极1113上。这里，具有高功函数的材料最好用作用于阳极的第一电极1113的材料。例如，可使用诸如ITO(氧化铟锡)膜、氧化铟锌(IZO)膜、氮化钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜或Pt膜等单层膜；由氮化钛膜和以包含铝作为其主要成分的膜形成的叠层；由氮化钛膜、包含铝作为其主要成分的膜和氮化钛膜形成的的三层结构；等形成第一电极1113。当第一电极1113具有叠层结构时，作为配线时它可具有低电阻并且可形成良好的欧姆接触。另外，第一电极可用作阳极。 

另外，包含有机化合物的层1116是通过使用蒸发掩模的蒸发法或喷墨法形成的。属于元素周期表的第4组的金属络合物用作包含有机化合物的层1116的一部分，此外，可组合使用的材料可为低分子量材料或高分子量材料。另外，作为用作包含有机化合物的层的材料，通常也使用有机化合物的单层或叠层。然而，本实施方式还包括其中 无机化合物用作由有机化合物形成的膜的一部分。而且，还可使用已知的三重态材料。 

作为用于形成在包含有机化合物的层1116上的第二电极(阴极)1117的材料，可使用具有低功函数的材料(Al、Ag、Li、Ca、或其合金诸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF₂或CaN等)。在包含有机化合物的层1116中产生的光通过第二电极(阴极)1117被传输的情况中，其厚度较薄的金属薄膜和透明导电膜(氧化铟和氧化锡的合金(ITO)、氧化铟和氧化锌的合金(In₂O₃-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)形成的叠层最好用作第二电极(阴极)1117。 

通过用密封剂1105将密封衬底1104附着于衬底1110，获得了这样一种结构，其中发光元件1118被设在由衬底1110、密封衬底1104和密封剂1105围绕的空间1107中。注意，还存在这样一种情况，即，空间1107中填充有密封剂1105以及惰性气体(诸如氮或氩)。 

注意，环氧基树脂最好用作密封剂1105。所述材料最好允许尽可能少的湿气和氧发生渗透。除玻璃衬底或石英衬底以外，还可使用FRP(玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、Myler、聚酯、丙烯酸等制成的塑料衬底作为密封衬底1104。 

如上所述，可获得具有本发明像素结构的显示板。 

通过如图56A和56B中所示的那样结合信号线驱动器电路1101、像素部分1102、第一扫描线驱动器电路1103、以及第二扫描线驱动器电路1106可实现显示器件的成本降低。另外在这种情况中，通过使用用于信号线驱动器电路1101、像素部分1102、第一扫描线驱动器电路1103、以及第二扫描线驱动器电路1106的单极晶体管，可简化制造工艺，因此可实现进一步的成本降低。通过将非晶硅应用于用于信号线驱动器电路1101、像素部分1102、第一扫描线驱动器电路1103、以及第二扫描线驱动器电路1106的晶体管的半导体层，可实现更进一步的成本降低。 

注意，显示板的结构不局限于图56A中所示的信号线驱动器电路1101、像素部分1102、第一扫描线驱动器电路1103、以及第二扫描线 驱动器电路1106被结合在一起的结构。还可存在这样一种结构，其中，与信号线驱动器电路1101相对应的信号线驱动器电路被形成在IC芯片上并且通过COG等被安装在显示板上。 

换句话说，仅将要求高速操作的信号线驱动器电路使用CMOS等形成在IC芯片上以降低能耗。另外，通过使用诸如硅晶片等半导体芯片作为IC芯片可实现更高速的操作和更低的能耗。 

这样，通过将扫描线驱动器电路与像素部分相组合可实现成本降低。当由单极晶体管构成该扫描线驱动器电路与像素部分时，可实现进一步的成本降低。如实施方式3中所述的，包含在像素部分中的像素可由n-沟道晶体管构成。而且，通过使用非晶硅用作晶体管的半导体层，可简化制造工艺并且可实现进一步的成本降低。 

因此，可实现高清晰度显示器件的成本降低。另外，通过将具有功能电路(存储器或缓冲器)的IC芯片安装在FPC1109和衬底1110的连接部分上，可有效地利用衬底面积。 

另外，可存在这样一种结构，其中分别与图56A的信号线驱动器电路1101、第一扫描线驱动器电路1103、以及第二扫描线驱动器电路1106相对应的信号线驱动器电路、第一扫描线驱动器电路、以及第二扫描线驱动器电路可被形成在IC芯片上并且通过COG等被安装在显示板上。在这种情况中，可进一步降低高清晰度显示器件的能耗。因此，为了获得具有更低能耗的显示器件，优选使用多晶硅作为像素部分所用的晶体管的半导体层。 

而且，通过使用非晶硅用于像素部分1102中的晶体管的半导体层可实现成本降低。另外，可制造大尺寸的显示板。 

注意，扫描线驱动器电路和信号线驱动器电路不局限于沿像素的行方向和列方向设置。 

接着，在图57中示出了可应用于发光元件1118的发光元件的示例。 

所述发光元件具有这样一种元件结构，其中阳极1202、由空穴注入材料形成的空穴注入层1203、由空穴传输材料形成的空穴传输层 1204、发光层1205、由电子传输材料形成的电子传输层1206、由电子注入材料形成的电子注入层1207、以及阴极1208按上述顺序被层压在衬底1201上。这里，发光层1205仅由一种发光材料制成，然而在某些情况中发光层1205也可由两种或多种材料制成。另外，本发明的元件结构不局限于该结构。 

除图57中所示的各个功能层的叠层结构以外，在元件结构方面还存在广范围的改变，诸如使用高分子量化合物的元件或其中发光层是使用从三重受激态下发射光线的三重态发光材料构成的高效元件。另外，本发明的元件结构还适用于通过用空穴阻挡层控制载流子复合区域以便于将发光区域分成为两个区域等所获得的白光发射元件。 

在图57中所示的本发明元件的制造方法中，空穴注入材料、空穴传输材料和发光材料按所述顺序被蒸发在具有阳极(ITO)1202的衬底1201上。之后，蒸发电子传输材料和电子注入材料，最后通过蒸发形成阴极1208。 

下面将列示适用于空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料和发光材料的合适材料。 

作为空穴注入材料，在有机化合物中，卟啉化合物、酞菁(在下文中称之为“H₂Pc”)、铜酞菁(在下文中称之为“CuPc”)等是有效的。另外，具有比所使用的空穴传输材料更小电离电势值并且具有空穴传输功能的材料也可用作空穴注入材料。还存在化学掺杂的导电高分子量化合物，其中包括掺杂有聚苯乙烯磺酸(在下文中称之为“PSS”)、聚苯胺等的聚(乙烯二氧基噻吩)(在下文中称之为“PEDOT”)。另外，绝缘高分子量化合物在阳极的平面化方面也是有效的，并且通常使用聚酰亚胺(在下文中称之为“PI”)。另外，还使用无机化合物，所述无机化合物包括铝的氧化物(在下文中称之为氧化铝)的超薄膜以及诸如金或铂等金属的薄膜。 

最广泛用作空穴传输材料的材料是芳香族胺基化合物(即具有苯环-氮的键的化合物)、广泛使用的材料包括4，4-bis(二苯胺)-联苯(在下文中称之为“TAD”)、诸如4，4-bis[N-(3-甲基苯基)-N-苯基- 氨基]联苯(在下文中称之为“TPD”)或4，4-bis[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(在下文中称之为“α-NPD”)等其衍生物，除此之外，还包括星爆式芳香族胺化合物，诸如4，4’，4”-三(N，N-二苯胺)-三苯胺(在下文中称之为“TDATA”)或4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺]-三苯胺(在下文中称之为“MTDATA”) 

作为电子传输材料，通常使用金属络合物，其中包括具有喹啉基干或苯并喹啉基干的金属络合物，诸如三(8-羟基喹啉)铝(在下文中称之为“Alq₃”)、BAlq、三(4-甲基-8-喹啉)铝(在下文中称之为“Almq”)或双(10-羟基苯并[H]-喹啉根)铍(在下文中称之为“BeBq”，除此之外，还包括具有唑基或噻唑基配合基的金属络合物，诸如双[2-(2-羟苯基)苯并噁唑]锌(在下文中称之为“Zn(BOX)₂”)或双[2-(2-羟苯基)苯并噻唑]锌(在下文中称之为“Zn(BTZ)₂”)。另外，除金属络合物以外，诸如2-(4-联苯)-5-(4-特-正丁基苯基)-1，3，4-恶二唑(在下文中称之为“PBD”)或(1，3-双[5-(p-特-正丁基苯基)-1，3，4-恶二唑-2-某基]苯(缩写：OXD-7)的oradiazole衍生物、诸如3-(4-特-正丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯)-1，2，4-三唑(缩写：TAZ)或3-(4-特-正丁基苯基)-4-(4-乙烷基苯基)-5-(4-联苯)-1，2，4-三唑(在下文中称之为“p-EtTAZ”)等三唑衍生物、以及诸如红菲绕啉(bathophenanthroline)(在下文中称之为“BPhen”)或BCP等菲绕啉衍生物也具有电子传输特性。 

可使用上述电子传输材料作为电子注入材料。另外，通常使用绝缘体的超薄膜，诸如包含氟化钙、氟化锂、氟化铯等金属卤化物或包含氧化锂的碱金属氧化物。此外，诸如乙酰丙酮锂(在下文中称之为“Li(acac)”即lithium acetyl acetonate)或8-喹啉-锂(在下文中称之为“Liq”)等碱金属络合物也是有效的。 

作为发光材料，除诸如Alq₃、Almq、BeBq、BAlq、Zn(BOX)₂、Zn(BTZ)₂等上述金属络合物以外，各种荧光颜料也是有效的。所述荧光颜料包括：蓝色的4，4-bis(2，2-联苯-乙烯基)联苯、红橙色的4-二氰基乙撑-2-甲基-6-(p-二甲基氨-苯乙烯)-4H-吡喃等。另外， 三重态发光材料也是可行的，所述三重态发光材料主要是以铂或铱为中心金属的络合物。作为三重态发光材料，三(2-苯基吡啶)铱、二(2-(4′-tryl)比啶根合-N，C²′)乙酰丙酮铱(在下文中称之为“acacIr(tpy)₂”：bis(2-(4′-tryl)pyridinato-N，C²′)acetylacetonato铱)、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉-铂等是已知的。 

通过组合具有各个功能的上述材料，可制造出高可靠性发光元件。 

另外，还可使用具有按与图57中相反的顺序层压的层的发光元件。也就是说，在元件结构中，阴极1208、由电子注入材料形成的电子注入层1207、由电子传输材料形成的电子传输层1206、发光层1205、由空穴传输材料形成的空穴传输层1204、由空穴注入材料形成的空穴注入层1203、以及阳极1202被顺序地层压在衬底1201上。 

另外，为了提取发光元件的光线发射，阳极和阴极中的至少一个可为透明的。之后，TFT和发光元件被形成在衬底上。还有包括其中通过与衬底相对的表面提取光发射的顶部发射结构的发光元件、包括其中通过衬底侧上的表面提取光发射的底部发射结构的发光元件、以及包括其中通过与衬底相对的表面和衬底侧上的表面两者提取光线发射的双发射结构的发光元件。 

下面将参照图58A描述具有顶部发射结构的发光元件。 

在衬底1300上，形成有驱动TFT1301，并且第一电极1302被形成得与驱动TFT1301的源电极相接触。包含有机化合物的层1303和第二电极1304被形成在其上。 

注意，第一电极1302是发光元件的阳极，而第二电极1304是发光元件的阴极。也就是说，发光元件被形成在其中包含有机化合物的层1303被夹在第一电极1302与第二电极1304之间的区域中。 

最好使用具有高功函数的材料制成用作阳极的第一电极1302。例如，可使用诸如氮化钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜、或Pt膜等单层膜；由氮化钛膜和包含铝为其主要成分的膜形成的叠层；或由氮化钛膜、包含铝为其主要成分的膜和氮化钛膜形成的三层膜结构等。注意，叠 层结构使得可降低作为配线的电阻、形成良好的欧姆接触、以及用作阳极。通过使用光反射金属膜，可制成不传输光线的阳极。 

最好使用由具有低功函数的材料(Al、Ag、Li、Ca或其合金，诸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF₂、CaN)制成的金属薄膜与透明导电膜(氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等)形成的叠层制成用作阴极的第二电极1304。通过使用上述薄金属膜和透明导电膜，可制成可传输光线的阴极。 

因此，如图58A中的箭头所指示的，可从顶表面提取发光元件的光线。也就是说，在将发光元件应用于图56A和56B中所示的显示板的情况中，光线朝向衬底1110一侧发出。因此，当具有顶部发射结构的发光元件用于显示器件时，传输光线的衬底用作密封衬底1104。 

另外，在提供光学膜的情况中，所述光学膜可被设在密封衬底1104上。 

注意，可使用由具有低功函数的材料(诸如MgAg、MgIn或AlLi)制成的金属膜制成第一电极1302以使其用作阴极。在这种情况中，可使用透明导电膜(诸如氧化铟锡(ITO)膜或氧化铟锌(IZO)膜)制成第二电极1304。因此通过这种结构，可提高顶部发射的透光率。 

下面将参照图58B描述具有底部发射结构的发光元件。由于除其发射结构以外的结构都与图58A相同，因此使用与图58A中相同的附图标记进行描述。 

最好使用具有高功函数的材料制成用作阳极的第一电极1302。例如，可使用透明导电膜(诸如氧化铟锡(ITO)膜或氧化铟锌(IZO)膜)。通过使用透明导电膜，可制成传输光线的阳极。 

可使用由具有低功函数的材料(Al、Ag、Li、Ca或其合金，诸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF₂、CaN)制成的金属膜制成用作阴极的第二电极1304。通过使用上述光线反射金属膜，可制成不传输光线的阴极。 

因此，如图58B中的箭头所指示的，可从底表面提取发光元件的光线。换句话说，在将发光元件应用于图56A和56B中所示的显示板 的情况中，光线朝向衬底1110一侧发出。因此，当具有底部发射结构的发光元件用于显示器件时，传输光线的衬底用作衬底1110。 

另外，在提供光学膜的情况中，所述光学膜可被设在衬底1110上。 

下面将参照图58C描述具有双发射结构的发光元件。由于除其发射结构以外的结构都与图58A相同，因此使用与图58A中相同的附图标记进行描述。 

最好使用具有高功函数的材料制成用作阳极的第一电极1302。例如，可使用透明导电膜(诸如氧化铟锡(ITO)膜或氧化铟锌(IZO)膜)。通过使用透明导电膜，可制成能传输光线的阳极。 

最好使用由具有低功函数的材料(Al、Ag、Li、Ca或其合金，诸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF₂、CaN)制成的金属膜与透明导电膜(氧化铟锡(ITO)、氧化铟和氧化锌的合金(In₂O₃-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)形成的叠层制成用作阴极的第二电极1304。通过使用上述薄金属膜和透明导电膜，可制成能传输光线的阴极。 

因此，如图58C中的箭头所指示的，可从两个表面提取发光元件的光线。换句话说，在将发光元件应用于图56A和56B中所示的显示板的情况中，光线朝向衬底1110一侧和密封衬底1104一侧发出。因此，当具有双发射结构的发光元件用于显示器件时，传输光线的衬底用作衬底1110和密封衬底1104两者。 

另外，在提供光学膜的情况中，所述光学膜可被设在衬底1110和密封衬底1104两者上。 

另外，本发明可应用于通过使用白光发射元件和滤色器实现全色显示的显示器件。

如图59中所示的，在衬底1400上，形成有驱动TFT1401，并且第一电极1403被形成得与驱动TFT1401的源电极相接触。包含有机化合物的层1404和第二电极1405被形成在其上。 

注意，第一电极1403是发光元件的阳极，而第二电极1405是发光元件的阴极。也就是说，发光元件被形成在其中包含有机化合物的 层1404被夹在第一电极1403与第二电极1405之间的区域中。通过图59中所示的结构发出白光。红色滤光器1406R、绿色滤光器1406G和蓝色滤光器1406B分别被设在发光元件上方以实现全色显示。另外，提供了用于分隔这些彩色滤光器的黑色矩阵(也称之为“BM”)1407。 

发光元件的上述结构可组合使用并且可适当地应用于具有本发明像素结构的显示器件。注意，以上所述的显示板的结构以及发光元件仅是示例，并且勿庸置疑本发明的像素结构可应用于具有其他结构的显示器件。 

接下来示出了显示板的像素部分的局部剖面图。 

首先，将参照附图60A、60B、61A和61B描述使用多晶硅(p-Si:H)膜作为晶体管的半导体层的情况。 

这里，例如通过已知的膜形成方法在衬底上形成非晶硅(a-Si)膜作为半导体层。注意，不必将半导体层限制为非晶硅膜，而是可使用具有非晶结构的任何半导体膜(包括微晶半导体膜)。另外，也可使用具有非晶结构的化合物半导体膜，诸如非晶硅锗膜。 

之后，通过激光结晶化方法、使用RTA或退火炉的热结晶化方法、使用促进结晶化的金属元素的热结晶化方法等使得非晶硅膜结晶。勿庸置疑，可通过上述方法的组合执行结晶化。 

作为上述结晶化的结果，在非晶半导体膜中部分地形成了结晶化区域。 

接着，其中结晶度被部分地增强的结晶半导体膜被构图成预期形状以便于从结晶化区域中形成岛状半导体膜。该半导体膜用作晶体管的半导体层。 

如图60A和60B中所示的，在衬底15101上形成基底膜15102，并且半导体层被形成在其上。所述半导体层包括沟道形成区域15103、LDD区域15104、以及用作驱动晶体管15118的源极区或漏极区的杂质区域15105，并且还包括沟道形成区域15106、LDD区域15107、以及用作电容器15119的下部电极的杂质区域15108。注意可对沟道形成区域15103和沟道形成区域15106执行沟道掺杂。 

可使用玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等作为衬底。可使用氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等的单层或其叠层形成基底膜15102。 

栅电极15110和电容器的上部电极15111隔着栅绝缘膜15109被形成在半导体层上。 

形成层间绝缘膜15112使其覆盖驱动晶体管15118和电容器15119。在层间绝缘膜15112中形成有接触孔，配线15113通过所述接触孔与杂质区域15105相接触。形成像素电极15114使其与配线15113相接触，并且形成绝缘体15115使其覆盖像素电极15114的端部分和配线15113；这里，绝缘体15115是使用正型感光丙烯酸树脂膜制成的。之后，包含有机化合物的层15116和相反电极15117被形成在像素电极15114上。发光元件15120被形成在其中包含有机化合物的层15116被夹在像素电极15114和相反电极15117之间的区域中。 

另外，如图60B中所示的，LDD区域中的构成电容器15119下部电极的一部分区域15202可被设置得与上部电极15111重叠。注意与图60A中相同的附图标记用于共同部分，并且省略其描述。 

另外，如图61A中所示的，可提供第二上部电极15301，所述第二上部电极15301以与驱动晶体管15118的杂质区域15105相接触的方式被形成在与配线15113相同的层中。注意，与图15A中相同的附图标记用于共同部分，并且省略其描述。通过将层间绝缘膜15112插在第二上部电极15301与上部电极15111之间来形成第二电容器。另外，第二上部电极15301与杂质区域15108相接触，因此其中栅绝缘膜15102被夹在上部电极15111与沟道形成区域15106之间的第一电容器和其中层间绝缘膜15112被夹在上部电极15111与第二上部电极15301之间的第二电容器以相互平行的方式被连接以便于形成包含第一电容器和第二电容器的电容器15302。电容器15302具有第一电容器和第二电容器的电容的组合电容；因此，可在小区域内形成具有大电容的电容器。也就是说，通过使用本发明的像素结构中的电容器，可进一步改进孔径比。 

或者，可使用图61B中所示的电容器的结构。基底膜16102被形成在衬底16101上，并且半导体层被形成在其上。所述半导体层包括沟道形成区域16103、LDD区域16104、以及用作驱动晶体管16118的源极区或漏极区的杂质区域16105。注意可对沟道形成区域16103执行沟道掺杂。 

可使用玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等作为衬底。可使用氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等的单层或其叠层形成基底膜16102。 

栅电极16107和第一电极16108隔着栅绝缘膜16106形成在半导体层上。 

形成第一层间绝缘膜16109使其覆盖驱动晶体管16118和第一电极16108。在第一层间绝缘膜16109中形成有接触孔，配线16110通过所述接触孔与杂质区域16105相接触。另外，第二电极16111被形成在由与配线16110相同材料制成的相同层中。 

另外，形成第二层间绝缘膜16112使其覆盖配线16110和第二电极16111。在第二层间绝缘膜16112中形成有接触孔，形成像素电极16113使其穿过所述接触孔与配线16110相接触。第三电极16114被形成在由与像素电极16113相同的材料制成的同一层中。因此形成了包括第一电极16108、第二电极16111和第三电极16114的电容器16119。 

包含有机化合物的层16116和相反电极16117被形成在像素电极16113上。发光元件被形成在其中包含有机化合物的层16116被夹在像素电极16113和相反电极16117之间的区域中。 

如上所述的，附图60A、60B、61A和61B中所示的结构可用作使用结晶半导体膜作为其半导体层的晶体管的结构。注意具有图60A、60B、61A和61B中所示的结构的晶体管是具有顶部栅极结构的晶体管的示例。也就是说，LDD区域可与栅电极重叠或者无需与栅电极重叠，或者LDD区域的一部分可与栅电极重叠。另外，栅电极可具有渐缩形状并且LDD区域可以自对准的方式被设在栅电极的渐缩形状 的下面。另外，栅电极的数量不局限于两个。可使用具有三个或更多栅电极的多栅极结构，或者可使用单栅极结构。 

通过使用结晶半导体膜作为包含在本发明像素中的晶体管的半导体层(诸如沟道形成区域、源极区和漏极区)，扫描线驱动器电路和信号线驱动器电路可容易地与像素部分结合在一起。另外，信号线驱动器电路的一部分可与像素部分结合在一起，而其另一部分可被形成在IC芯片上并且通过COG等被安装，如图56A和56B的显示板中所示的。通过这种结构，可降低制造成本。 

接着，图62A和62B是如下显示板的局部剖面图：该显示板使用具有其中栅电极被夹在衬底与半导体层之间的结构的晶体管(即，具有其中栅电极被布置在半导体层下面的底部栅极结构的晶体管)且该显示板作为使用多晶硅(p-Si:H)膜作为其半导体层的晶体管结构。 

基底膜12702被形成在衬底12701上。之后，栅电极12703被形成在基底膜12702上。第一电极12704被形成在由与栅电极相同的材料形成的相同层中。可使用其中加入磷的多晶硅作为栅电极12703的材料。除多晶硅以外，也可使用作为金属和硅的化合物的硅化物。 

之后，形成栅绝缘膜12705使其覆盖栅电极12703和第一电极12704。栅绝缘膜12705是使用氧化硅膜、氮化硅膜等制成的。 

在栅绝缘膜12705上形成半导体层。所述半导体层包括沟道形成区域12706、LDD区域12707、以及用作驱动晶体管12722的源极区或漏极区的杂质区域12708，并且还包括沟道形成区域12709、LDD区域12710、以及用作电容器12723的第二电极的杂质区域12711。注意可对沟道形成区域12706和沟道形成区域12709执行沟道掺杂。 

可使用玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等作为衬底。可使用氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等的单层或其叠层形成基底膜12702。 

形成第一层间绝缘膜12712使其覆盖半导体层。在第一层间绝缘膜12712中形成有接触孔，形成配线12713使其穿过所述接触孔与杂 质区域12708相接触。第三电极12714被形成在由与配线12713相同的材料制成的相同层中。由第一电极12704、第二电极和第三电极12714形成了电容器12723。 

另外，开口12715被形成在第一层间绝缘膜12712中。形成第二层间绝缘膜12716使其覆盖驱动晶体管12722、电容器12723、以及开口12715。像素电极12717穿过接触孔被形成在第二层间绝缘膜12716上。之后，形成绝缘体12718使其覆盖像素电极12717的端部分。例如，可使用正型感光丙烯酸树脂膜。之后，包含有机化合物的层12719和相反电极12720被形成在像素电极12717上，并且发光元件12721被形成在其中包含有机化合物的层12719被夹在像素电极12717和相反电极12720之间的区域中。开口12715被布置在发光元件12721下面；因此，在从衬底一侧提取发光元件12721的光发射的情况中，由于开口12715的存在，可提高发光元件12721的透光度。 

此外，可将第四电极12724形成在由与图62A中的像素电极12717相同的材料制成的相同层中，从而形成图62B中所示的结构。在所述情况中，电容器12725可由第一电极12704、第二电极、第三电极12714和第四电极12724构成。 

接着，将描述使用非晶硅(a-Si:H)膜作为晶体管的半导体层的情况。图63A和63B示出了顶部栅极晶体管的情况，而图64A、64B、65A和65B示出了底部栅极晶体管的情况。 

图63A是使用非晶硅作为其半导体层的顶部栅极晶体管的剖面图。如图63A中所示的，基底膜12802被形成在衬底12801上。另外，像素电极12803被形成在基底膜12802上。另外，第一电极12804被形成在由与像素电极12803相同的材料制成的相同层中。 

可使用玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等作为衬底。可使用氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等的单层或其叠层形成基底膜12802。 

配线12805和配线12806被形成在基底膜12802上，并且像素电极12803的端部分由配线12805覆盖。在配线12805和配线12806上， 分别形成有具有n型导电类型的n型半导体层12807和n型半导体层12808。另外，半导体层12809被形成在基底膜12802上配线12805和配线12806之间，半导体层12809部分地延伸以覆盖n型半导体层12807和n型半导体层12808。注意该半导体层是使用非晶半导体膜(诸如非晶硅(a-Si:H)膜或微晶半导体(μ-Si:H)膜)形成的。之后，栅绝缘膜12810被形成在半导体层12809上，并且绝缘膜12811被形成在由与栅绝缘膜12810相同的材料制成的相同层中，并且还位于第一电极12804上。注意，氧化硅膜、氮化硅膜等被用作栅绝缘膜12810。 

在栅绝缘膜12810上，形成有栅电极12812。另外，第二电极12813被形成在由与栅电极相同的材料制成的相同层中，并且隔着绝缘膜12811位于第一电极12804上。通过将绝缘膜12811夹在第一电极12804与第二电极12813之间构成电容器12819。形成层间绝缘膜12814使其覆盖像素电极12803的端部分、驱动晶体管12818、和电容器12819。 

在层间绝缘膜12814和位于层间绝缘膜12814开口中的像素电极12803的上面，形成有包含有机化合物的层12815和相反电极12816。发光元件12817被形成在其中包含有机化合物的层12815被夹在像素电极12803和相反电极12816之间的区域中。 

图63A中所示的第一电极12804可为图63B中所示的第一电极12820。第一电极12820被形成在由与配线12805和12806相同的材料制成的相同层中。 

图64A和64B是设有使用非晶硅作为其半导体层的底部栅极晶体管的显示板的部分剖面图。 

基底膜12902被形成在衬底12901上。之后，栅电极12903被形成在基底膜12902上。另外，第一电极12904被形成在由与栅电极相同的材料形成的相同层中。可使用其中加入磷的多晶硅作为栅电极12903的材料。除多晶硅以外，也可使用作为金属和硅的化合物的硅化物。 

之后，形成栅绝缘膜12905使其覆盖栅电极12903和第一电极12904。栅绝缘膜12905是使用氧化硅膜、氮化硅膜等制成的。 

半导体层12906被形成在栅绝缘膜12905上。另外，半导体层12907被形成在由与半导体层12906相同的材料形成的相同层中。 

可使用玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等作为衬底。可使用氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等的单层或其叠层形成基底膜12902。 

具有n型导电类型的n型半导体层12908和12909被形成在半导体层12906上，并且n型半导体层12910被形成在半导体层12907上。 

配线12911和12912分别被形成在n型半导体层12908和12909上，并且导电层12913被形成在由与配线12911和12912相同的材料形成的相同层中，位于n型半导体层12910上面。 

这样，第二电极由半导体层12907、n型半导体层12910和导电层12913构成。注意，形成了电容器12920，其中栅绝缘膜12905被夹在第二电极和第一电极12904之间。 

配线12911的一个端部分延伸，并且像素电极12914被形成在延伸的配线12911上。 

形成绝缘体12915使其覆盖像素电极12914的端部分、驱动晶体管12919和电容器12920。 

之后，包含有机化合物的层12916和相反电极12917被形成在像素电极12914和绝缘体12915上。发光元件12918被形成在其中包含有机化合物的层12916被夹在像素电极12914和相反电极12917之间的区域中。 

无需提供作为一部分电容器第二电极的半导体层12907和n型半导体层12910。换句话说，第二电极可仅由导电层12913构成，因此电容器可具有这样一种结构，其中栅绝缘膜被夹在第一电极12904与导电层12913之间。 

注意，可在形成图64A中的配线12911之前形成像素电极12914，因此可形成电容器12922，其中如图64B中所示栅绝缘膜12905被夹 在第一电极12904与由像素电极12914构成的第二电极12921之间。 

注意，图64A和64B示出了倒转错列的沟道蚀刻型晶体管；然而，可使用沟道保护型晶体管。下面将参照图65A和65B描述沟道保护型晶体管的情况。 

图65A中所示的沟道保护型晶体管不同于图64A中所示的沟道蚀刻型晶体管12919之处在于，用作蚀刻掩模的绝缘体13001被设在半导体层12906中的沟道形成区域上。其他共同部分由相同的附图标记表示。 

相似地，图65B中所示的沟道保护型晶体管不同于图64B中所示的沟道蚀刻型晶体管12919之处在于，用作蚀刻掩模的绝缘体13001被设在半导体层12906中的沟道形成区域上。其他共同部分由相同的附图标记表示。 

通过使用非晶半导体膜作为包含在本发明像素中的晶体管的半导体层(诸如沟道形成区域、源极区和漏极区)，可降低制造成本。 

注意，可适用本发明像素结构的晶体管和电容器的结构不局限于上述结构，而是可使用晶体管和电容器的各种结构。 

注意，本实施方式中所述的内容可与实施方式1到7中所述的内容以自由组合的方式执行。 

(实施方式9) 

下面将参照图38描述具有本发明显示器件或在显示部分中使用本发明驱动方法的显示器件的移动电话的结构的示例。 

显示板3810被包含在外壳3800中以便于可拆卸。可根据显示板3810的尺寸适当地改变外壳3800的形状和尺寸。显示板3810固定于其上的外壳3800被装配在印刷电路板3801中以将其组装成模块。 

显示板3810通过FPC3811与印刷电路板3801相连接。在印刷电路板3801上，形成有扬声器3802、麦克风3803、传输和接收电路3804、以及包含CPU、控制器等的信号处理电路3805。所述模块、输入装置3806、以及电池3807被组合并保存在机壳3809和3812中。显示板3810的像素部分被插入以便于从形成在机壳3809中的视窗中 可看到。 

在显示板3810中，使用TFT将像素部分和外围驱动器电路的部分(多个驱动器电路中具有低操作频率的驱动器电路)结合在衬底上，而外围驱动器电路的另一部分(多个驱动器电路中具有高操作频率的驱动器电路)可被形成在IC芯片上。所述IC芯片可通过COG(玻璃上芯片)被安装在显示板3810上。或者可使用TAB(自动载带焊)或印刷电路板将IC芯片连接于玻璃衬底上。注意，图39A示出了如下的显示板结构示例：其中外围驱动器电路的部分与像素部分结合在相同衬底上并且外围驱动器电路的其他部分形成在其上的IC芯片通过COG等被安装。图39A中的显示板包括衬底3900、信号线驱动器电路3901、像素部分3902、扫描线驱动器电路3903、扫描线驱动器电路3904、FPC3905、IC芯片3906、IC芯片3907、密封衬底3908、以及密封剂3909。通过使用上述结构，可降低显示器件的能耗并且可使得移动电话的每次充电后的工作时间更长。另外，可实现移动电话的成本降低。 

另外，通过使用缓冲器转换由扫描线或信号线设定的信号阻抗，可缩短每行像素的写入期间。因此，可提供高清晰度的显示器件。 

另外，为了进一步降低能耗，可在衬底上使用TFT形成像素部分，所有外围驱动器电路可被形成在IC芯片上，并且如图39B中所示的，IC芯片可通过COG(玻璃上芯片)等被安装在显示板上。注意图39B中的显示板包括衬底3910、信号线驱动器电路3911、像素部分3912、扫描线驱动器电路3913、扫描线驱动器电路3914、FPC3915、IC芯片3916、IC芯片3917、密封衬底3918、以及密封剂3919。 

通过使用本发明的显示器件和其驱动方法，可清楚地看到减小了伪轮廓线的图像。因此，甚至可清楚地显示其色调细微地改变的图像，诸如人类皮肤。 

注意，该实施方式中所述的结构是移动电话的示例，但是本发明的显示器件不仅适用于具有上述结构的移动电话而且还适用于具有各 种结构的移动电话。 

注意，本实施方式9中所述的内容可与实施方式1到8中所述的内容以自由组合的方式执行。 

(实施方式10) 

图40示出了其中组合有显示板4001和电路板4002的EL模块。显示板4001包括像素部分4003、扫描线驱动器电路4004、以及信号线驱动器电路4005。在电路板4002上，例如形成有控制电路4006、信号线分割电路4007等。显示板4001和电路板4002通过连接配线4008相互连接。可使用FPC等作为连接配线。 

控制电路4006对应于实施方式6中的控制器3708、存储器3709、存储器3710等。在控制电路4006中主要控制子帧的出现顺序等。 

在显示板4001中，使用TFT将像素部分和一部分外围驱动器电路(多个驱动器电路中具有低操作频率的驱动器电路)结合在衬底上，而外围驱动器电路的另一部分(多个驱动器电路中具有高操作频率的驱动器电路)可被形成在IC芯片上。所述IC芯片可通过COG(玻璃上芯片)被安装在显示板4001上。或者可使用TAB(自动载带焊)或印刷电路板将IC芯片安装在显示板4001上。 

另外，通过使用缓冲器转换由扫描线或信号线设定的信号的阻抗，可缩短每行像素的写入期间。因此，可提供高清晰度的显示器件。 

另外，为了进一步降低能耗，可使用TFT将像素部分形成在衬底上，所有信号线驱动器电路可被形成在IC芯片上，并且IC芯片可通过COG(玻璃上芯片)等被安装在显示板上。 

使用上述EL模块可完成EL TV接收器。图41是示出了EL TV接收器的主要结构的框图。调谐器4101接收视频信号和音频信号。通过视频信号放大器电路4102、用于将从视频信号放大器电路4102中输出的信号转换为与红、绿和蓝每种颜色相对应的彩色信号的视频信号处理电路4103、以及用于将视频信号转换为驱动器电路的输入说明的控制电路4006来处理视频信号。控制电路4006向每个扫描线侧和信号线侧输出信号。在以数字方式驱动的情况中，可使用其中信号分 割电路4007被设在信号线一侧上以便于供应被分成为m块的输入数字信号的这样一种结构。 

由调谐器4101接收的信号之中的音频信号被传输到音频信号放大器电路4104中，并且其输出通过音频信号处理电路4105被提供给扬声器4106。控制电路4107从输入部分4108中接收接收站的控制信息(接收频率)或音量并且将信号传输给调谐器4101和音频信号处理电路4105。 

通过将EL模块合并于机壳中，完成了TV接收器。TV接收器的显示部分形成有EL模块。另外，还可适当地提供扬声器、视频输入终端等。 

当然，本发明不局限于TV接收器，并且可应用于各种用作显示媒介的使用用途，诸如车站、机场等处的信息显示板，或街道上的广告显示板、以及个人电脑的监控器。 

通过使用如上所述的本发明的显示器件和其驱动方法，可清楚地看到减小了伪轮廓线的图像。因此，甚至可清楚地显示其色调细微地改变的图像，诸如人类皮肤。 

注意，本实施方式中所述的内容可与实施方式1到9中所述的内容以自由组合的方式执行。 

(实施方式11) 

使用本发明半导体器件的电子设备的示例如下所述的：诸如摄影机和数码相机等照相机、护目镜型显示器(头配式显示器)、导航系统、声音再现装置(诸如汽车音响或音频部件)、个人电脑、游戏机、便携式信息终端(诸如，移动电脑、移动电话、便携式游戏机或电子书等)、具有储存媒介读出部分的图像再现装置(具体地，一种可再现例如数字通用盘(DVD)的记录媒介并包括能够显示其图像的显示器的装置)等。图42A至42H示出了其具体示例。 

图42A示出了自发光显示器，所述显示器包括机壳4201、支撑部分4202、显示部分4203、扬声器部分4204、音频输入终端4205、等。本发明可用于包含在显示部分4203中的显示器件。另外，依照本 发明，可清楚地看到减小了伪轮廓线的图像，并且可完成图42A中的显示器。由于显示器是自发光类型的，因此所述显示器不需要背光，并且可提供比液晶显示器更薄的显示部分。注意，所述显示器的范畴中包含用于显示信息的所有显示器件，例如，用于个人电脑的显示器件、用于TV广播接收的显示器件、或用于广告显示的显示器件。 

图42B示出了数码静像照相机，包括主体4206、显示部分4207、图像接收部分4208、操作键4209、外部连接端口4210、快门4211等。本发明可用于包含在显示部分4207中的显示器件。另外，依照本发明，可清楚地看到减小了伪轮廓线的图像，并且完成了图42B中的数码相机。 

图42C示出了个人电脑，包括主体4212、机壳4213、显示部分4214、键盘4215、外部连接端口4216、指示鼠标4217等。本发明可用于包含在显示部分4214中的显示器件。另外，依照本发明，可清楚地看到减小了伪轮廓线的图像，并且完成了图42C中的个人电脑。 

图42D示出了移动电脑，包括主体4218、显示部分4219、开关4220、操作键4221、红外端口4222等。本发明可用于包含在显示部分4219中的显示器件。另外，依照本发明，可清楚地看到减小了伪轮廓线的图像，并且完成了图42D中的移动电脑。 

图42E示出了具有存储媒介读出部分的图像再现装置(例如，具体地为DVD再现装置)，包括主体4223、外壳4224、显示部分A4225、显示部分B4226、存储媒介(DVD等)读取部分4227、操作键4228、扬声器部分4229等。显示部分A4225主要显示图像信息，而显示部分B4226主要显示字符信息。本发明可用于包含在显示部分A4225和显示部分B4226中的显示器件。注意，具有存储媒介读出部分的图像再现装置还包括家用游戏机等。另外，依照本发明，可清楚地看到减小了伪轮廓线的图像，并且完成了图42E中的图像再现装置。 

图42F示出了护目镜型显示器(头配式显示器)，包括主体4230、显示部分4231、臂部分4232等。本发明可用于包含在显示部分4231中的显示器件。另外，依照本发明，可清楚地看到减小了伪轮廓线的 图像，并且完成了图42F中所示的护目镜型显示器。 

图42G示出了摄影机，包括主体4233、显示部分4234、外壳4235、外部连接端口4236、远程控制接收部分4237、图像接收部分4238、电池4239、音频输入部分4240、操作键4241等。本发明可用于包含在显示部分4234中的显示器件。另外，依照本发明，可清楚地看到减小了伪轮廓线的图像，并且完成了图42G中的摄影机。 

图42H示出了移动电话，包括主体4242、外壳4243、显示部分4244、音频输入部分4245、音频输出部分4246、操作键4247、外部连接端口4248、天线4249等。本发明可用于包含在显示部分4244中的显示器件。注意，当显示部分4244在黑色背景上显示白色字符时可减小移动电话的电流消耗。另外，依照本发明，可清楚地看到减小了伪轮廓线的图像，并且完成了图42H中的移动电话。 

注意，如果使用具有高亮度的发光材料，本发明可应用于通过透镜等放大并投射包含图像信息的输出光线的前投影仪或后投影仪。 

另外，前述电子设备通常用于显示通过远程通信线路(诸如因特网或CATV(有线电视系统))分布的信息，特别正日益用于显示移动的图像信息。由于发光材料具有非常高的响应速度，因此发光显示器件适合于显示运动图像。 

由于发光部分在发光显示器件中消耗能量，因此最好通过尽可能小的发光部分显示信息。因此，在使用主要显示字符信息的便携式信息终端(具体为移动电话、声音放大装置等)的显示部分中的发光显示器件的情况中，最好驱动发光显示器件，从而在不发光部分用作背景的情况下，通过发光部分形成字符信息。 

如上所述的，本发明的应用范围如此广泛，以致于本发明可应用于各种领域的电子设备。另外该实施方式中的电子设备可使用具有实施方式1到10中所述任意一种结构的显示器件。 

本申请是以2005年4月14日在日本专利局提交的日本专利申请序列号No.2005117610为基础的，所述申请的全部内容以引用方式并入本文。 

Claims (8)

1.一种电子书，包括：

像素，所述像素包括电容器和底部栅极晶体管，所述底部栅极晶体管包括化合物半导体；

存储器；以及

电路，

其中所述电容器包括第一电极和所述第一电极上方的第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间设置有栅极绝缘膜，

所述电路被配置为通过使用所述存储器将多个信号输入到所述像素中，

所述像素被配置为根据所述多个信号来表示灰度，并且

其中用n个比特表示灰度，n为整数，通过如下驱动所述电子书：

将每个都由二进制表示的灰度的比特分类为三种比特组，即，第一比特组、第二比特组以及第三比特组；

将一个帧分成为三个子帧组；

将与属于第一比特组的比特相对应的a个子帧中的每个子帧分成为六份，并且将其每两份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中a为满足0＜a＜n的整数；

将与属于第二比特组的比特相对应的b个子帧中的每个子帧分成为三份，并且将其每一份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中b为满足0＜b＜n的整数；以及

将与属于第三比特组的比特相对应的c个子帧中的每个子帧布置在所述一个帧的三个子帧组中的任何一个中，其中c为满足0＜c＜n并且a+b+c＝n的整数；

其中，与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序在所述一个帧的三个子帧组之间大致相同，并且

对于与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的部分或全部而言，在所述一个帧的三个子帧组的每个中使用重叠时间灰度法。

2.一种电子书，包括：

像素，所述像素包括电容器和底部栅极晶体管，所述底部栅极晶体管包括InGaZnO；

存储器；以及

电路，

其中所述电容器包括第一电极和所述第一电极上方的第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间设置有栅极绝缘膜，

所述电路被配置为通过使用所述存储器将多个信号输入到所述像素中，

所述像素被配置为根据所述多个信号来表示灰度，并且

其中用n个比特表示灰度，n为整数，通过如下驱动所述电子书：

将每个都由二进制表示的灰度的比特分类为三种比特组，即，第一比特组、第二比特组以及第三比特组；

将一个帧分成为三个子帧组；

将与属于第一比特组的比特相对应的a个子帧中的每个子帧分成为六份，并且将其每两份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中a为满足0＜a＜n的整数；

将与属于第二比特组的比特相对应的b个子帧中的每个子帧分成为三份，并且将其每一份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中b为满足0＜b＜n的整数；以及

将与属于第三比特组的比特相对应的c个子帧中的每个子帧布置在所述一个帧的三个子帧组中的任何一个中，其中c为满足0＜c＜n并且a+b+c＝n的整数；

其中，与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序在所述一个帧的三个子帧组之间大致相同，并且

对于与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的部分或全部而言，在所述一个帧的三个子帧组的每个中使用重叠时间灰度法。

3.一种电子书，包括：

像素，所述像素包括电容器和底部栅极晶体管，所述底部栅极晶体管包括非晶InGaZnO；

存储器；以及

电路，

其中所述电容器包括第一电极和所述第一电极上方的第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间设置有栅极绝缘膜，

所述电路被配置为通过使用所述存储器将多个信号输入到所述像素中，

所述像素被配置为根据所述多个信号来表示灰度，并且

其中用n个比特表示灰度，n为整数，通过如下驱动所述电子书：

将每个都由二进制表示的灰度的比特分类为三种比特组，即，第一比特组、第二比特组以及第三比特组；

将一个帧分成为三个子帧组；

将与属于第一比特组的比特相对应的a个子帧中的每个子帧分成为六份，并且将其每两份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中a为满足0＜a＜n的整数；

将与属于第二比特组的比特相对应的b个子帧中的每个子帧分成为三份，并且将其每一份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中b为满足0＜b＜n的整数；以及

将与属于第三比特组的比特相对应的c个子帧中的每个子帧布置在所述一个帧的三个子帧组中的任何一个中，其中c为满足0＜c＜n并且a+b+c＝n的整数；

其中，与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序在所述一个帧的三个子帧组之间大致相同，并且

对于与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的部分或全部而言，在所述一个帧的三个子帧组的每个中使用重叠时间灰度法。

4.根据权利要求1-3中任何一项的电子书，其中所述像素还包括发光元件。

5.一种电子书，包括：

像素，所述像素包括电容器和底部栅极晶体管，所述底部栅极晶体管包括化合物半导体；

存储器；以及

电路，

其中所述电容器包括第一导电层、所述第一导电层上方的半导体层、所述半导体层上方的n型半导体层、以及所述n型半导体层上方的第二导电层，在所述第一导电层和所述半导体层之间设置有栅极绝缘膜，

所述电路被配置为通过使用所述存储器将多个信号输入到所述像素中，

所述像素被配置为根据所述多个信号来表示灰度，并且

其中用n个比特表示灰度，n为整数，通过如下驱动所述电子书：

将每个都由二进制表示的灰度的比特分类为三种比特组，即，第一比特组、第二比特组以及第三比特组；

将一个帧分成为三个子帧组；

将与属于第一比特组的比特相对应的a个子帧中的每个子帧分成为六份，并且将其每两份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中a为满足0＜a＜n的整数；

将与属于第二比特组的比特相对应的b个子帧中的每个子帧分成为三份，并且将其每一份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中b为满足0＜b＜n的整数；以及

将与属于第三比特组的比特相对应的c个子帧中的每个子帧布置在所述一个帧的三个子帧组中的任何一个中，其中c为满足0＜c＜n并且a+b+c＝n的整数；

其中，与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序在所述一个帧的三个子帧组之间大致相同，并且

对于与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的部分或全部而言，在所述一个帧的三个子帧组的每个中使用重叠时间灰度法。

6.一种电子书，包括：

像素，所述像素包括电容器和底部栅极晶体管，所述底部栅极晶体管包括InGaZnO；

存储器；以及

电路，

其中所述电容器包括第一导电层、所述第一导电层上方的半导体层、所述半导体层上方的n型半导体层、以及所述n型半导体层上方的第二导电层，在所述第一导电层和所述半导体层之间设置有栅极绝缘膜，

所述电路被配置为通过使用所述存储器将多个信号输入到所述像素中，

所述像素被配置为根据所述多个信号来表示灰度，并且

其中用n个比特表示灰度，n为整数，通过如下驱动所述电子书：

将每个都由二进制表示的灰度的比特分类为三种比特组，即，第一比特组、第二比特组以及第三比特组；

将一个帧分成为三个子帧组；

将与属于第一比特组的比特相对应的a个子帧中的每个子帧分成为六份，并且将其每两份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中a为满足0＜a＜n的整数；

将与属于第二比特组的比特相对应的b个子帧中的每个子帧分成为三份，并且将其每一份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中b为满足0＜b＜n的整数；以及

将与属于第三比特组的比特相对应的c个子帧中的每个子帧布置在所述一个帧的三个子帧组中的任何一个中，其中c为满足0＜c＜n并且a+b+c＝n的整数；

其中，与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序在所述一个帧的三个子帧组之间大致相同，并且

对于与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的部分或全部而言，在所述一个帧的三个子帧组的每个中使用重叠时间灰度法。

7.一种电子书，包括：

像素，所述像素包括电容器和底部栅极晶体管，所述底部栅极晶体管包括非晶InGaZnO；

存储器；以及

电路，

其中所述电容器包括第一导电层、所述第一导电层上方的半导体层、所述半导体层上方的n型半导体层、以及所述n型半导体层上方的第二导电层，在所述第一导电层和所述半导体层之间设置有栅极绝缘膜，

所述电路被配置为通过使用所述存储器将多个信号输入到所述像素中，

所述像素被配置为根据所述多个信号来表示灰度，并且

其中用n个比特表示灰度，n为整数，通过如下驱动所述电子书：

将每个都由二进制表示的灰度的比特分类为三种比特组，即，第一比特组、第二比特组以及第三比特组；

将一个帧分成为三个子帧组；

将与属于第一比特组的比特相对应的a个子帧中的每个子帧分成为六份，并且将其每两份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中a为满足0＜a＜n的整数；

将与属于第二比特组的比特相对应的b个子帧中的每个子帧分成为三份，并且将其每一份布置在所述一个帧的三个子帧组中的每个中，其中b为满足0＜b＜n的整数；以及

将与属于第三比特组的比特相对应的c个子帧中的每个子帧布置在所述一个帧的三个子帧组中的任何一个中，其中c为满足0＜c＜n并且a+b+c＝n的整数；

其中，与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧以及与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的出现顺序在所述一个帧的三个子帧组之间大致相同，并且

对于与属于第一比特组的比特相对应的多个子帧和与属于第二比特组的比特相对应的多个子帧的部分或全部而言，在所述一个帧的三个子帧组的每个中使用重叠时间灰度法。

8.根据权利要求5-7中任何一项的电子书，其中所述像素还包括发光元件。

Images