CN102360167A - 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法 - Google Patents

曝光装置和曝光方法以及器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102360167A
CN102360167A CN2011103026828A CN201110302682A CN102360167A CN 102360167 A CN102360167 A CN 102360167A CN 2011103026828 A CN2011103026828 A CN 2011103026828A CN 201110302682 A CN201110302682 A CN 201110302682A CN 102360167 A CN102360167 A CN 102360167A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mentioned
liquid
chip bench
immersion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011103026828A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102360167B (zh
Inventor
安田雅彦
正田隆博
金谷有步
长山匡
白石健一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN102360167A publication Critical patent/CN102360167A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102360167B publication Critical patent/CN102360167B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。

Description

曝光装置和曝光方法以及器件制造方法
本分案申请是基于申请号为200480029466.9，申请日为2004年10月12日，发明名称为“曝光装置和曝光方法以及器件制造方法”的中国专利申请的分案申请。更具体说，本分案申请是基于申请号为200910129713.7，申请日为2004年10月12日(分案提交日为2009年3月24日)，发明名称为“曝光装置和曝光方法以及器件制造方法”的分案申请的再次分案申请。
技术领域
本发明涉及经由投影光学系统和液体在基片上曝光图案的曝光装置和曝光方法以及器件制造方法。
背景技术
半导体器件和液晶显示器件等微器件通过将形成在掩模上的图案转印到感光性的基片上的、所谓的光刻法的方法来进行制造。在此光刻法工序中所使用的曝光装置具有支持掩模的掩模台和支持基片的基片台，一边逐次移动掩模台及基片台一边经由投影光学系统将掩模的图案转印到基片上。
由于上述微器件是在基片上重合多层图案而形成，所以在将第2层以下的图案在基片上进行投影曝光之际，精确地进行将已经形成在基片上的图案、与下一将曝光的掩模的图案像对位(位置调整)的对准处理就很重要。作为对准方式有使用投影光学系统作为标记检测系统的一部分的所谓TTL方式和不经由投影光学系统地使用专用的标记检测系统的所谓离轴(off-axis)方式。这些方式不是将掩模与基片直接进行对位而是经由设置在曝光装置内(一般是在基片台上)的基准标记间接地进行对位。其中，在离轴方式中进行计测基线量(信息)的基线(base line)计测，该基线量是规定基片台的移动的坐标系内的上述专用的标记检测系统的检测基准位置与掩模的图案像的投影位置的距离(位置关系)。然后在对基片进行重合曝光之际，例如将形成在作为基片上的曝光对象区域的拍摄区域上的对准标记用标记检测系统进行检测，以求解拍摄区域相对于标记检测系统的检测基准位置的位置信息(偏移)，并通过将基片台从此时的基片台的位置按上述基线量以及用标记检测系统所求出的拍摄区域的偏移量相应进行移动，将掩模的图案像的投影位置与该拍摄区域进行对位，并在该状态下进行曝光。这样一来，就能够使已经形成在基片(拍摄区域)的图案与下一个掩模的图案像重合起来。
可是，近年来，为了适应器件图案的更进一步的高集成化人们希望投影光学系统进一步的高分辨率化。使用的曝光波长越短、或者投影光学系统的数值口径越大则投影光学系统的分辨率(析像清晰度)就越高。为此，曝光装置所使用的曝光波长逐年短波长化，投影光学系统的数值口径也不断增大。而且，虽然现在主流的曝光波长是KrF激态复合物激光器的248nm，但更短波长的ArF激态复合物激光器的193nm也正不断被实用化。另外，在进行曝光之际，聚焦深度(DOF)也与分辨率同样重要。分辨率R及聚焦深度δ分别用以下公式来表示。
R＝k1·λ/NA       ...(1)
δ＝±k2·λ/NA2   ...(2)
这里，λ是曝光波长，NA是投影光学系统的数值口径，k1、k2是加工系数(process coefficient)。根据(1)式、(2)式可知为了提高分辨率R，若使曝光波长λ变短、使数值口径NA变大则聚焦深度δ将变得狭窄。
若聚焦深度δ过于狭窄使基片表面相对于投影光学系统的像面吻合将变得困难，曝光动作时的容限(margin)恐怕就会不足。因而，作为实质上缩短曝光波长且扩展聚焦深度的方法，例如提出了国际公布第99/49504号公报所公开的浸液法(liquid immersion method)。该浸液法是在投影光学系统的下面与基片表面之间用水或有机溶媒等液体充满，利用液体中的曝光光的波长为空气中的1/n(n是液体的折射率通常为1.2～1.6左右)这一事实使分辨率改善，同时将聚焦深度扩大约n倍这样的方法。
可是，在浸液曝光处理中将掩模的图案像与基片上的各拍摄区域精确地进行对位当然也很重要，在经由基准标记间接地进行如上述那样的掩模的图案像与基片的对位的情况下能够精确地进行基线计测及对准处理就很重要。
另外，在基片台上的周围不仅配置基准标记还配置各种传感器等，在使用它们之际需要极力避免液体的泄漏和浸入。另外，由于在基片台的内部浸入液体也有产生麻烦的可能性，所以就有必要防止液体浸入。
发明内容
本发明就是鉴于这样的情形而完成的，目的是提供一种能够抑制液体的泄漏和浸入的曝光装置及曝光方法。另外，以提供一种在浸液曝光中也能够精确地进行对准处理的曝光装置及曝光方法为其目的。进而，以提供一种使用这些曝光装置的器件制造方法及使用这些曝光方法的器件制造方法为其目的。
为了解决上述课题，本发明采用实施方式所示的与图1～图14相对应起来的以下构成。其中，附加于各要素的带括号的符号只不过是该要素的示例，而不是对各要素进行限定。
按照本发明的第1技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光基片的曝光装置(EX)，具备：将图案像投影到基片(P)上的投影光学系统(PL)；保持基片(P)并可以移动的基片台(PST)；检测基片台(PST)上所保持的基片(P)上的对准标记(1)，并且检测被设置于基片台(PST)的基准(PFM)的第1检测系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准(MFM)的第2检测系统(6)，其中，使用第1检测系统(1)不经由液体(LQ)地检测被设置于基片台(PST)的基准(PFM)，并且使用第2检测系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准(MFM)，以求出第1检测系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。
根据本发明，在用第1检测系统检测基片台上的基准之际通过不经由液体地进行检测就能够良好地检测基准而不受液体的温度变化等影响。另外，不需要以适合浸液的方式构成第1检测系统，能够原封不动利用以往的检测系统。而且，在使用第2检测系统检测基片台上的基准之际，与浸液曝光时同样，通过在投影光学系统的像面侧充满液体并经由投影光学系统和液体进行检测，就能够基于该检测结果精确地检测图案像的投影位置。而且，能够基于这些第1、第2检测系统的检测动作中的基片台各自的位置信息，精确地求出作为第1检测系统的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系(距离)的基线量(基线信息)，基于此基线量，在进行针对基片的重合曝光之际也能够精确地对位基片(拍摄区域)与掩模的图案像。
按照本发明的第2技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光基片(P)的曝光装置(EX)，具备：将图案像投影到基片上(P)的投影光学系统(PL)；具有保持基片(P)的基片架(52)，在基片架(52)上保持基片(P)并可以移动的基片台(PST)；检测基片台(PST)上所保持的基片(P)上的对准标记(1)的第1检测系统(5)；以及经由液体(LQ)来检测被设置于基片台(PST)的基准(MFM)的第2检测系统(6)，其中，在使用第2检测系统(6)经由液体(LQ)来检测被设置于基片台(PST)的基准(MFM)时，在基片架(52)上配置有基片(P)或者虚设基片(DP)。
根据本发明，即便在基准上配置了液体的状态下进行检测，通过在基片架上事先配置好基片或者虚设(Dummy)基片就能够防止大量的液体浸入到基片架内部和基片台内部。从而，就能够防止起因于浸入的液体的基片台内部的例如电气设备的故障及漏电、或者基片台内部的各部件的生锈等麻烦的发生。
按照本发明的第3技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光上述基片的曝光装置，具备：将图案像投影到基片(P)上的投影光学系统(PL)；上面没有高度差的基准部件(3)；以及在上述投影光学系统(PL)的端面(2a)与上述基准部件(3)的上面之间用液体充满了的状态下，检测被形成在上述基准部件(3)上的基准(MFM)的检测系统(6)。
根据本发明，由于使基准部件上面没有高度差，所以即便在例如从干燥状态切换到湿润状态之际，在基准部件上的基准标记部分(高度差部分)也难以残留气泡。另外，即便在从湿润状态切换到干燥状态之际，标记部分的液体的残留也得以防止。从而，还能够防止基准部件上的水痕(所谓水印：water mark)的发生。
按照本发明的第4技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光基片(P)的曝光装置(EX)，具备：将图案像投影到基片(P)上的投影光学系统(PL)；具有保持基片(P)的基片架(PSH)，在基片架(PSH)上保持基片(P)并可以移动的基片台(PST)；检测在基片架(PSH)上是否保持着基片(P)或者虚设基片(DP)的检测器(94)；以及依照检测器(94)的检测结果来变更基片台(PST)的可动区域的控制装置(CONT)。
根据本发明，由于依照在基片架上是否保持着基片或者虚设基片来决定基片台的可动区域，所以就能够防止液体附着在基片架的保持面、或者液体浸入到基片台的内部。
按照本发明的第5技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光基片(P)的曝光装置(EX)，具备：将图案像投影到基片(P)上的投影光学系统(PL)；具有保持基片(P)的基片架(PSH)，在基片架(PSH)上保持基片(P)并可以移动的基片台(PST)；供给液体(LQ)的液体供给机构(10)；检测在基片架(PSH)上是否保持着基片(P)或者虚设基片(DP)的检测器(94)；以及基于检测器(94)的检测结果来控制液体供给机构(10)的动作的控制装置(CONT)。
根据本发明，由于依照在基片架上是否保持着基片或者虚设基片来控制液体供给机构的动作，所以就能够防止液体附着在基片架的保持面、或者液体浸入到基片台的内部。
按照本发明的第6技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光基片(P)的曝光装置(EX)，具备：将图案像投影到基片(P)上的投影光学系统(PL)；具有保持基片(P)的基片架(PSH)，在基片架(PSH)上保持基片(P)并可以移动的基片台(PST)；以及只要是在基片架(PSH)上保持着基片(P)或虚设基片(DP)的情况就在基片台(PST)上供给液体(LQ)的液体供给机构(10)。
根据本发明，由于只要是在基片架上保持着基片或虚设基片的情况，液体供给机构就在基片台上供给液体，所以就能够防止液体附着在基片架的保持面、或者液体浸入到基片台内部。
按照本发明的第7技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光上述基片的曝光装置(EX)，具备：将图案像投影到基片上的投影光学系统(PL)；保持上述基片并可以移动的基片台(PST)；以及只要是在上述基片台(PST)上保持着基片(P)或虚设基片(DP)的情况就在上述基片台上形成浸液区域的浸液机构(10)。
根据第7技术方案的曝光装置，由于在基片台上未保持基片或虚设基片的情况下，浸液机构在基片台上不形成浸液区域，所以就有效地防止了液体浸入基片台内部。
按照本发明的第8技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光上述基片的曝光装置(EX)，具备：将图案像投影到基片(P)上的投影光学系统(PL)；具有用于保持上述基片的凹部(60)，和被配置在凹部的周围，与上述凹部所保持的上述基片的表面大致同一个面的平坦部的基片台(PST)；在上述基片台(PST)上的凹部(60)中配置物体(P、DP)，只要是上述物体表面与上述平坦部成为大致同一个面的情况就在上述基片台上形成浸液区域。
根据第8技术方案的曝光装置，在基片台的凹部未收容物体或者物体未可靠地收容于凹部的情况下，在基片台上不形成浸液区域。据此，就有效地防止了液体浸入基片台内部。
按照本发明的第9技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光基片(P)的曝光装置(EX)，具备：将图案像投影到基片(P)上的投影光学系统(PL)；在投影光学系统(PL)的像面侧可以移动的载片台(PST)；检测基片(P)上的对准标记(1)，并且检测被设置于载片台(PST)的基准(PFM)的第1检测系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于载片台(PST)的基准(MFM)的第2检测系统(6)，其中，使用第1检测系统(5)不经由液体(LQ)地检测被设置于载片台的基准(PFM)，并且使用第2检测系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于载片台的基准(MFM)，以求出第1检测系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。
根据本发明的第9技术方案，就能够将基片(拍摄区域)与图案像精确地进行对位。
按照本发明的第10技术方案，提供一种通过经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)投影基片(P)上的图案像来曝光基片(P)的曝光方法，其特征在于：使用第1检测系统(5)检测基片(P)上的对准标记(1)的位置信息；使用第1检测系统(5)检测保持基片(P)的基片台(PST)上的基准(PFM)的位置信息；在利用第1检测系统(5)的对准标记(1)的位置信息的检测和基片台(PST)上的基准(PFM)的位置信息的检测双方完成以后，使用第2检测系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测基片台(PST)上的基准(MFM)；以及基于利用第1检测系统(5)的对准标记(1)的位置信息的检测结果、利用第1检测系统(5)的基片台(PST)上的基准(PFM)的位置信息的检测结果、和利用第2检测系统(6)的基片台(PST)上的基准(MFM)的位置信息的检测结果，求出第1检测系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的关系，并且进行图案像与基片(P)的对位，分别在基片(P)上的多个拍摄区域(S1～S20)上依次投影图案像进行曝光。
根据该曝光方法，由于首先通过不经由液体地用第1检测系统检测基片上的对准标记而求得基片上的多个拍摄区域的位置信息，接着不经由液体地检测基片台上的基准并求得其位置信息，接着通过在投影光学系统的像面侧充满液体并经由投影光学系统和液体用第2检测系统检测基片台上的基准而求得图案像的投影位置，在精确地求出作为第1检测系统的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系(距离)的基线量以后，在投影光学系统与基片之间充满液体并对基片进行浸液曝光，所以能够减少在投影光学系统的像面侧不充满液体的干燥状态和在投影光学系统的像面侧充满液体的湿润状态的切换次数，能够提高生产能力。另外，由于连续进行利用第1检测系统的基准的检测动作和利用第2检测系统的经由投影光学系统及液体的基准的检测动作，所以就能够回避利用第2检测系统的基准的检测动作时的检测状态相对于利用第1检测系统的基准的检测动作时的检测状态变动较大而无法精确地计测作为第1检测系统的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系的基线量之类的麻烦。而且，在用第1检测系统检测基片台上的基准之际通过不经由液体地进行检测就能够良好地检测基准而不受液体的温度变化等影响。另外，不需要以适合浸液的方式构成第1检测系统，能够原封不动利用以往的检测系统。而且，在使用第2检测系统检测基片台上的基准之际，与浸液曝光时同样，通过在投影光学系统的像面侧充满液体并经由投影光学系统和液体进行检测，就能够基于该检测结果精确地检测图案像的投影位置。而且，能够基于这些第1、第2检测系统的检测动作中的基片台各自的位置信息，精确地求出作为第1检测系统的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系(距离)的基线量，基于此基线量，在进行对于基片的重合曝光之际也能够将基片(拍摄区域)与掩模的图案像精确地对位。
按照本发明的第11技术方案，提供一种通过经由液体(LQ)将图案像投影到基片(P)上来曝光上述基片的曝光方法，包括：用第1检测器(5)检测基准(MFM)和设置了基片架(PSH)的基片台(PST)所保持的上述基片上的对准标记；在上述基片架(PSH)上配置了上述基片(P)或虚设基片(DP)的状态下，用第2检测器(6)经由液体检测上述基准；以及基于第1及第2检测器(5、6)的检测结果将基片与图案像对位，用图案像来曝光基片。
根据按照本发明的第11技术方案的曝光方法，由于在用第2检测器经由液体来检测设置于基片台的基准之际，在基片架上配置有上述基片或虚设基片，所以液体浸入基片台内部就有效地得以防止。
按照本发明的第12技术方案，提供一种通过经由液体将图案像投影到可以移动的基片台(PST)的基片架(PSH)所保持的基片上来曝光上述基片的曝光方法，包括以下步骤：检测在上述基片架(PSH)上是否保持着上述基片(P)或者虚设基片(DP)；以及依照检测结果来设定上述基片台(PST)的可动区域。
根据按照本发明的第12技术方案的曝光方法，在检测出在上述基片台未保持上述基片或者虚设基片的情况下，将基片台的可动区域设定成例如液体向基片台内部的浸入被防止。
按照本发明的第13技术方案，提供一种通过经由液体将图案像投影到可以移动的基片台(PST)所保持的基片(P)上来曝光上述基片(P)的曝光方法，包括以下步骤：检测在上述基片台(PST)上是否保持着上述基片(P)或者虚设基片(DP)；以及依照检测结果来判断是否在上述基片台上形成浸液区域。
根据按照本发明的第13技术方案的曝光方法，由于在检测出在上述基片台未保持上述基片或者虚设基片的情况下，例如向基片台上的液体供给被中止，所以液体向基片台内部的浸入就得以防止。
在本发明中，提供一种以使用上述记载的曝光装置为特征的器件制造方法。另外在本发明中，提供一种以使用上述记载的曝光方法为特征的器件制造方法。
根据本发明，由于能够在将图案像的投影位置与基片(拍摄区域)精确进行了对位的状态下进行浸液曝光处理，所以能够制造可发挥所希望性能的器件。另外，能够用可抑制液体泄漏和浸入的曝光装置来制造所希望性能的器件。
附图说明
图1是表示本发明曝光装置的一实施方式的概略构成图。
图2是表示液体供给机构及液体回收机构的概略构成图。
图3是表示液体供给机构及液体回收机构的概略平面图。
图4是基片台的平面图。
图5(a)及(b)是表示基准部件的图。
图6是表示本发明曝光方法的一实施方式的流程图。
图7是表示涉及本发明的基片台的其他实施方式的示意图。
图8是表示涉及本发明的基片台的其他实施方式的示意图。
图9是表示具备虚设基片的待机地点的曝光装置的一实施方式的平面图。
图10(a)及(b)是表示涉及本发明的基片台的其他实施方式的示意图。
图11(a)及(b)是用于说明涉及本发明的基片台的移动轨迹的图。
图12是用于说明涉及本发明的基片台的移动轨迹的图。
图13(a)及(b)是用于说明涉及本发明的液体供给机构的动作的图。
图14是表示半导体器件的制造工序的一例的流程图。
具体实施方式
下面，一边参照附图一边就本发明的曝光装置进行说明，但本发明并不限定于此。
图1是表示本发明曝光装置的一实施方式的概略构成图。在图1中，曝光装置EX具备：支持掩模M的掩模台MST，支持基片P的基片台PST，用曝光束EL对掩模台MST所支持的掩模M进行照明的照明光学系统IL，将用曝光束EL所照明的掩模M的图案像对基片台PST所支持的基片P进行投影曝光的投影光学系统PL，以及对曝光装置EX整体的动作进行总括控制的控制装置CONT。
本实施方式的曝光装置EX是为了使曝光波长实质性变短以提高分辨率，同时使焦点深度实质性变广而应用了浸液法的浸液曝光装置，具备：在基片P上供给液体LQ的液体供给机构10和回收基片P上的液体LQ液体回收机构20。在本实施方式中在液体LQ上使用纯水。曝光装置EX至少在将掩模M的图案像转印到基片P上期间，借助于从液体供给机构10供给的液体LQ在包含投影光学系统PL的投影区域AR1的基片P上的至少一部分(局部地)形成浸液区域(liquid immersion area)AR2。具体而言，曝光装置EX在投影光学系统PL前端部(end portion)的光学元件2与基片P的表面(曝光面)之间充满液体LQ，并经由此投影光学系统PL与基片P之间的液体LQ以及投影光学系统PL将掩模M的图案像投影到基片P上，由此对基片P进行曝光。
这里，在本实施方式中，以作为曝光装置EX使用一边将掩模M与基片P沿在扫描方向(规定方向)上相互不同的方向(逆方向)进行同步移动一边将在掩模M上所形成的图案曝光到基片P的扫描型曝光装置(所谓扫描步进曝光装置：scanning stepper)的情况为例来进行说明。在以下的说明中，设在水平面内掩模M与基片P的同步移动方向(扫描方向、规定方向)为X轴方向，设在水平面内与X轴方向正交的方向为Y轴方向(非扫描方向)，设垂直于X轴及Y轴与投影光学系统PL的光轴AX一致的方向为Z轴方向。另外，将绕X轴、Y轴及Z轴的回转(倾斜)方向分别设为θX、θY及θZ方向。此外，这里所说的「基片」包含在半导体晶片上涂敷了抗蚀剂(resist)的情况，「掩模」包含在基片上形成经过缩小投影的设备图案的网线(reticle)。
照明光学系统IL用曝光束EL对掩模台MST所支持的掩模M进行照明，具有曝光用光源、使从曝光用光源射出的光束的照度均一化的光学集成器、对来自光学集成器的曝光束EL进行聚光的聚光镜、中继透镜系统、将利用曝光束EL的掩模M上的照明区域设定成狭缝状的可变视场光圈等。掩模M上的规定照明区域由照明光学系统IL用均一的照度分布的曝光束EL进行照明。作为从照明光学系统IL射出的曝光束EL，例如使用从水银灯射出的紫外区的辉线(g线、h线、i线)及KrF激态复合物激射光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)，或ArF激态复合物激射光(波长193nm)以及F2激射光(波长157nm)等真空紫外光(VUV光)等。在本实施方式中使用ArF激态复合物激射光。如上述那样，本实施方式中的液体LQ为纯水，即便曝光束EL为ArF激态复合物激射光也可以透过。另外，紫外区的辉线(g线、h线、i线)以及KrF激态复合物激射光(波长248nm)等的远紫外光(DUV光)也可以透过纯水。
掩模台MST保持掩模M并可以移动，可以在垂直于投影光学系统PL的光轴AX的平面内、即在XY平面内进行2维移动以及可沿θZ方向进行微小回转。掩模台MST由线性马达等掩模台驱动装置MSTD进行驱动。掩模台驱动装置MSTD由控制装置CONT进行控制。在掩模台MST上设置有与掩模台MST一起移动的移动镜50。另外，在与移动镜50相对的位置上设置有激光干涉仪51。掩模台MST上的掩模M的2维方向的位置以及回转角度由激光干涉仪51实时地进行计测，计测结果被输出到控制装置CONT。控制装置CONT通过基于激光干涉仪51的计测结果驱动掩模台驱动装置MSTD来进行掩模台MST所支持的掩模M的定位。
投影光学系统PL以规定的投影倍率β将掩模M的图案对基片P进行投影曝光，由包含设置于基片P侧前端部的光学元件(透镜)2的多个光学元件所构成，这些光学元件用镜筒PK进行支持。在本实施方式中，投影光学系统PL是投影倍率β为例如1/4或者1/5的缩小系统。此外，投影光学系统PL还可以是等倍系统及扩大系统中的某一个。另外，投影光学系统PL既可以是包含反射元件和折射元件的反射折射型的投影光学系统，也可以是仅包含反射元件的反射型的投影光学系统。另外，本实施方式的投影光学系统PL前端部的光学元件2设置成相对于镜筒PK可以拆装(更换)。另外，前端部的光学元件2自镜筒PK露出，浸液区域AR2的液体LQ与光学元件2接触。据此，由金属组成的镜筒PK的腐蚀等就得以防止。
光学元件2用氟石(萤石)形成。由于氟石与纯水的亲和性较高，所以就能够使液体LQ粘附在光学元件2的液体接触面2a的大致全部面上。即、在本实施方式中由于供给与光学元件2的液体接触面2a的亲和性较高的液体(水)LQ，所以光学元件2的液体接触面2a与液体LQ的粘附性较高。光学元件2也可以是与水的亲和性较高的石英(水晶)。另外还可以对光学元件2的液体接触面2a实施亲水化(亲液化)处理，以使与液体LQ的亲和性更高。
另外，曝光装置EX具有聚焦检测系统4。聚焦检测系统4具有发光部4a和受光部4b，由发光部4a经由液体LQ对基片P表面(曝光面)从斜方向投射检测光，在受光部4b接受其反射光。控制装置CONT控制聚焦检测系统4的动作，同时基于受光部4b的受光结果来检测基片P表面相对于规定基准面的在Z轴方向上的位置(聚焦位置)。另外，通过求得基片P表面中的多个各点处的各聚焦位置，聚焦检测系统4还能够求出基片P的倾斜方向的姿态。此外，作为聚焦检测系统4的构成，例如能够使用日本专利公开特开平8-37149号公报中所公开的构成。另外，聚焦检测系统4还可以不经由液体地对基片P的表面投射检测光。
基片台PST保持基片P并可以移动，具备经由基片架PSH保持基片P的Z载片台52和支持Z载片台52的XY载片台53。XY载片台53被支撑在基座54上。基片台PST由线性马达等基片台驱动装置PSTD进行驱动。基片台驱动装置PSTD由控制装置CONT进行控制。此外，不言而喻也可以将Z载片台和XY载片台一体地进行设置。通过驱动基片台PST的XY载片台53，来控制基片P的XY方向上的位置(与投影光学系统PL的像面实质上平行方向的位置)。
在基片台PST(Z载片台52)上设置有与基片台PST一起相对于投影光学系统PL进行移动的移动镜55。另外，在与移动镜55相对的位置设置有激光干涉仪56。基片台PST上的基片P的2维方向的位置以及回转角度由激光干涉仪56实时地进行计测，计测结果被输出到控制装置CONT。控制装置CONT基于激光干涉仪56的计测结果，在用激光干涉仪56所规定的2维坐标系内经由基片台驱动装置PSTD驱动XY载片台53，由此进行基片台PST所支持的基片P的X轴方向及Y轴方向上的定位。
另外，控制装置CONT通过经由基片台驱动装置PSTD驱动基片台PST的Z载片台52，来控制Z载片台52所保持的基片P的Z轴方向上的位置(聚焦位置)以及θX、θY方向上的位置。即、Z载片台52根据基于聚焦检测系统4的检测结果的、来自控制装置CONT的指令进行动作，控制基片P的聚焦位置(Z位置)及倾斜角度使基片P的表面(曝光面)匹配经由投影光学系统PL及液体LQ所形成的像面。
在基片台PST(Z载片台52)上设置辅助板57以包围基片P。辅助板57具有与基片架PSH所保持的基片P的表面大致同一高度的平面。这里，在基片P的边缘与辅助板57之间有0.1～2mm程度的间隙，由于液体LQ的表面张力使液体LQ几乎不会流入该间隙，即便在对基片P的周缘附近进行曝光的情况下，也能够通过辅助板57在投影光学系统PL的下方保持液体LQ。此外，基片架PSH既可以是与基片台PST(Z载片台52)不同的部件，还能够与基片台PST(Z载片台52)一体地进行设置。
在投影光学系统PL前端附近设置有检测基片P上的对准标记1或者设置于Z载片台52上的基准部件3上的基片侧基准标记PFM的基片对准系统5。另外，在掩模台MST的附近设置有经由掩模M和投影光学系统PL检测设置在Z载片台52上的基准部件3上的掩模侧基准标记MFM的掩模对准系统6。此外，作为基片对准系统5的构成，例如能够使用在日本专利公开特开平4-65603号公报中所公开的构成。另外在基片对准系统5末端(terminal end)的光学元件(最靠近基片P、基片台PST的光学元件)的周围设置有疏液性(liquid-repellent)的盖子(未图示)以防止液体的附着。另外，基片对准系统5末端的光学元件的表面用疏液性的材料进行覆膜，不仅液体LQ的附着得以防止，即便液体附着在末端的光学元件操作者也可容易地将其擦掉。另外，在基片对准系统5末端的光学元件和保持该光学元件的金属物体之间配置有用于防止液体浸入的V形环等的密封部件。另外，作为掩模对准系统6的构成，例如能够使用日本专利公开特开平7-176468号公报所公开的构成及日本专利公开特开昭58-7823号公报所公开的构成。
液体供给机构10为了形成浸液区域AR2而在基片P上供给规定的液体LQ，具备：可送出液体LQ的液体供给装置11，和经由供给管12连接到液体供给装置11、并具有将从此液体供给装置11送出的液体LQ供给到基片P上的供给口的供给喷嘴13。供给喷嘴13接近基片P的表面进行配置。
液体供给装置11具备收容液体LQ的容器及加压泵等，经由供给管12及供给喷嘴13在基片P上供给液体LQ。另外，液体供给装置11的液体供给动作由控制装置CONT进行控制，控制装置CONT可以控制利用液体供给装置11的对于基片P上的每单位时间的液体供给量。另外，液体供给装置11具有液体LQ的温度调整机构，将与收容装置的腔室内的温度大致相同温度(例如23℃)的液体LQ供给到基片P上。此外，未必非要在曝光装置EX中具备用于供给液体LQ的容器或加压泵，还能够利用设置有曝光装置EX的工厂等的设备。
液体回收机构20具备回收基片P上的液体LQ并接近基片P的表面所配置的回收喷嘴23和经由回收管22连接到此回收喷嘴23的液体回收装置21。液体回收装置21具备例如真空泵等真空系统(吸引装置)以及收容所回收的液体LQ的容器等，经由回收喷嘴23及回收管22来回收基片P上的液体LQ。液体回收装置21的液体回收动作由控制装置CONT进行控制，控制装置CONT可控制利用液体回收装置21的每单位时间的液体回收量。此外，未必非要在曝光装置EX中具备用于回收液体LQ的真空系统或容器，还能够利用设置有曝光装置EX的工厂等的设备。
图2是表示曝光装置EX的投影光学系统PL的前端部、液体供给机构10以及液体回收机构20附近的正面图。在扫描曝光时，掩模M的一部分图案像被投影到投影光学系统PL前端的光学元件2正下方的投影区域AR1，掩模M相对于投影光学系统PL在-X方向(或者+X方向)以速度V进行移动，与其取得同步基片P经由XY载片台53在+X方向(或者-X方向)以速度β×V(β为投影倍率)进行移动。然后，在对一个拍摄区域的曝光结束后，通过基片P的步进使下一拍摄区域移动到扫描开始位置，下面，以步进扫描(step-and-scan)方式依次进行对于各拍摄区域的曝光处理。在本实施方式中，进行设定以沿基片P的移动方向流过液体LQ。
图3是表示投影光学系统PL的投影区域AR1、在X轴方向上供给液体LQ的供给喷嘴13(13A～13C)和回收液体LQ的回收喷嘴23(23A、23B)的位置关系的图。在图3中，投影光学系统PL的投影区域AR1的形状为在Y轴方向细长的矩形状，为了沿X轴方向夹着该投影区域AR1在+X方向侧配置有3个供给喷嘴13A～13C，在-X方向侧配置有2个回收喷嘴23A、23B。然后，供给喷嘴13A～13C经由供给管12连接到液体供给装置11，回收喷嘴23A、23B经由回收管22连接到液体回收装置21。另外，以将供给喷嘴13A～13C和回收喷嘴23A、23B旋转了大致180°的位置关系配置有供给喷嘴15A～15C和回收喷嘴25A、25B。供给喷嘴13A～13C和回收喷嘴25A、25B在Y轴方向交互排列，供给喷嘴15A～15C和回收喷嘴23A、23B在Y轴方向交互排列，供给喷嘴15A～15C经由供给管16连接到液体供给装置11，回收喷嘴25A、25B经由回收管26连接到液体回收装置21。
然后，在朝箭头Xa所示的扫描方向(-X方向)使基片P移动来进行扫描曝光的情况下，使用供给管12、供给喷嘴13A～13C、回收管22以及回收喷嘴23A、23B，借助于液体供给装置11及液体回收装置21来进行液体LQ的供给及回收。即，在基片P朝-X方向移动之际，液体LQ经由供给管12及供给喷嘴13(13A～13C)从液体供给装置11被供给到基片P上，同时液体LQ经由回收喷嘴23(23A、23B)及回收管22被回收到液体回收装置21，液体LQ在-X方向进行流动以充满投影光学系统PL与基片P之间。另一方面，在朝箭头Xb所示的扫描方向(+X方向)使基片P移动来进行扫描曝光的情况下，使用供给管16、供给喷嘴15A～15C、回收管26及回收喷嘴25A、25B，借助于液体供给装置11及液体回收装置21来进行液体LQ的供给以及回收。即，在基片P朝+X方向移动之际，液体LQ经由供给管16及供给喷嘴15(15A～15C)从液体供给装置11被供给到基片P上，同时液体LQ经由回收喷嘴25(25A、25B)及回收管25被回收到液体回收装置21，液体LQ在+X方向进行流动以充满投影光学系统PL与基片P之间。这样，控制装置CONT使用液体供给装置11及液体回收装置21沿基片P的移动方向将液体LQ流向与基片P的移动方向相同的方向。在此情况下，由于例如从液体供给装置11经由供给喷嘴13所供给的液体LQ，伴随向基片P的-X方向的移动被引入投影光学系统PL与基片P之间这样进行流动，所以即便液体供给装置11的供给能量较小也能够在投影光学系统PL与基片P之间容易地供给液体LQ。然后，通过依照扫描方向来切换使液体LQ流动的方向，在沿+X方向或-X方向的哪个方向扫描基片P的情况下都能够用液体LQ充满投影光学系统PL与基片P之间，并能够获得较高的分辨率及较广的聚焦深度。
图4是从上方观看基片台PST的Z载片台52的概略平面图。在矩形状的Z载片台52的相互垂直的2个侧面配置有移动镜55，在Z载片台52的大致中央经由未图示的基片架PSH保持着基片P。在基片P的周围如上述那样设置着具有与基片P的表面大致相同高度的平面的辅助板57。然后，在基片P上使作为曝光对象区域的多个拍摄区域S1～S20呈矩阵状进行设定，附随于各拍摄区域S1～S20分别形成有对准标记1。此外，虽然在图4中各拍摄区域相互邻接这样来图示，但实际上相互隔离，对准标记1设置在作为该隔离区域的划线上。
在Z载片台52的1个拐角设置有基准部件3。在基准部件3上由基片对准系统5检测出的基准标记PFM和由掩模对准系统6检测出的基准标记MFM以规定的位置关系隔开配置。在基准部件3的基材(basematerial)上使用玻璃板部件等光学部件，通过在其基材上例如用相互不同的材料(光反射率不同的材料)进行图案形成，而形成基准标记PFM、MFM。然后，基准标记PFM、MFM没有高度差地进行形成，基准部件3的表面大致平坦。从而，基准部件3的表面还能够起到作为聚焦检测系统4的基准面的作用。
图5是表示基准部件3的图，图5(a)是平面图，图5(b)是图5(a)的沿箭头A-A的截面图。基准部件3具有由玻璃板部件等组成的基材33和在该基材33上经过图案形成的具有相互不同的光反射率的第1材料31及第2材料32。在本实施方式中第1材料31由光反射率较低的氧化铬(Cr2O3)所构成，第2材料32由光反射率高于氧化铬的铬(Cr)所构成。而且，呈十字状形成的基准标记PFM、MFM由氧化铬所形成，其周围用铬围住这样来配置，进而在其外侧的区域还配置有氧化铬。此外作为将使用的材料并不限定于上述材料的组合，例如还可以用铝构成第1材料，用铬构成第2材料。然后，基准标记PFM、MFM的上面(upper suface)就成为无高度差地形成的无高度差标记。
为形成这样的无高度差标记，例如在基材33上通过蒸镀(汽相淀积：vapor deposition)等设置了氧化铬膜以后，通过蚀刻处理(etchingprocess)等在氧化铬膜的规定区域形成槽。然后，在上述槽的内部设置了铬以后，通过CMP处理(化学、机械方式的研磨处理)等对上表面进行研磨处理，由此就能够形成由氧化铬及铬组成的无高度差标记。此外，通过在基材33上形成槽并在该槽中埋入了铬或者氧化铬以后，进行研磨处理，也能够形成无高度差标记。或者，通过在基材33上涂布由于光处理(或者热处理)而变质的感光材等材料，并将光(或者热)接触与将形成的基准标记相应的区域以使该区域变质(变色等)，也能够形成无高度差标记。或者，通过基材33的铬膜的蒸着等形成标记，并用石英等光透过性材料涂敷于其上，由此也能够使基准部件3上面无高度差化(平坦化)。
基准部件3的上面之中、包含基准标记PFM、MFM的至少一部分区域为疏液性(疏水性)。在本实施方式中是基准部件3的上面全部区域为疏液性。另外，在本实施方式中，基准部件3的上面通过实施附与疏液性的疏液化处理而成为疏液性。作为疏液化处理，例如可列举使用了具有疏液性的材料的涂敷处理。作为具有疏液性的材料例如可列举氟类化合物及硅化合物、或者丙烯类树脂及聚乙烯等合成树脂。另外，用于表面处理的薄膜既可以是单层膜也可以是由多个层组成的膜。
此外，通过使用具有疏液性的材料作为形成基准标记MFM、PFM的上述第1、第2材料31、32，也能够使基准部件3的上面具有疏液性。另外，通过在第1玻璃板部件上利用铬等规定的材料形成基准标记，在其上重叠第2玻璃板部件，并用第1、第2玻璃板部件夹着由上述铬等组成的基准标记，也能够形成具有平坦的(无高度差的)上面的基准部件。在此情况下，只要对第2玻璃板部件实施疏液化处理即可，所以能够顺利地进行疏液化处理。
此外，虽然在这里，基准标记PFM、MFM被形成为十字状，但其形状并不限于十字状，还可使用对各检测系统最佳的标记形状。另外，虽然基准标记PFM、MFM被强调而得以图示，但实际上具有数μm程度的线宽。另外，在作为掩模对准系统6使用日本专利公开特开昭58-7823号公报所公开的系统的情况下，在基准部件3上形成光透过部作为基准标记MFM。在此情况下还希望在基准部件3的光透过部埋入石英等光透过性的材料、或者用光透过性的材料涂敷基准部件3的上面等等，使基准部件3的上面无高度差化。另外，虽然如上述那样基准部件3的上面作为聚焦检测系统4的基准面来使用，但也可以将聚焦检测系统4的基准面与基准部件3分开设置在Z载片台52上。另外，基准部件3和辅助板57还可以一体地进行设置。
其次，一边参照图6的流程图一边就使用上述的曝光装置EX将掩模M的图案对基片P曝光的过程的一例进行说明。
在Z载片台52的基片架PSH上装入基片P，并使基片P保持在该基片架PSH(参照图1)。然后，在从液体供给机构10进行液体LQ的供给以前，在基片P上没有液体LQ的状态下首先进行计测处理。控制装置CONT为了使投影光学系统PL的光轴AX沿图4的波线箭头C行进，一边监视激光干涉仪56的输出一边移动XY载片台53。在其移动途中，基片对准系统5不经由液体LQ地依次检测附随于拍摄区域S1～S20形成在基片P上的多个对准标记1(步骤SA1)。
这里，在基片对准系统5进行对准标记的检测时XY载片台53被停止，基片对准系统5进行对准标记1的检测时的基片台PST的位置通过激光干涉仪56进行计测。其结果由激光干涉仪56所规定的坐标系内的各对准标记1的位置信息得以计测。使用基片对准系统5及激光干涉仪56检测出的对准标记1的位置信息的检测结果被输出到控制装置CONT。此外，在本实施方式的基片对准系统5中采用使基片台PST静止并在标记上照射来自卤素灯的白色光等照明光，借助于摄像元件在规定的摄像视场内摄像所得到的标记的图像，并通过图像处理计测标记的位置的FIA(Field Image Alignment)方式。
另外，基片对准系统5在由激光干涉仪56所规定的坐标系内具有检测基准位置，对准标记1的位置信息作为与该检测基准位置的偏差来进行检测。
这里，在本实施方式中例如通过日本专利公开特开昭61-44429号公报所公开那样的、所谓EGA(Enhanced Global Alignment)方式来求出拍摄区域S1～S20的位置信息。为此，控制装置CONT指定在基片P上所形成的多个拍摄区域S1～S20之中的至少三个区域(EGA拍摄区域)，并使用基片对准系统5来检测附随于各拍摄区域的对准标记1。此外，基片对准系统5也可以检测基片P上的全部对准标记1。
另外，在该XY载片台53的移动中，由聚焦检测系统4不经由液体LQ地检测出基片P的表面信息。聚焦检测系统4检测经由投影光学系PL和液体LQ所形成的图案像的成像面与基片P表面的偏差。利用聚焦检测系统4的表面信息的检测对基片P上的全部拍摄区域S1～S20逐个进行，使检测结果与基片P的扫描方向(X轴方向)的位置对应起来存储到控制装置CONT中。此外，利用聚焦检测系统4的表面信息的检测也可以只对一部分拍摄区域进行。
其次，控制装置CONT基于对准标记1的位置信息的检测结果通过运算处理(EGA处理)求出基片P上的多个拍摄区域S1～S20各自的位置信息(步骤SA2)。
在EGA方式中，在使用基片对准系统5检测出步骤SA1中所指定的附随于上述EGA拍摄区域的对准标记1的位置信息(坐标位置)以后，基于该检测值与设计值通过最小二乘法等统计运算并决定与基片P上的拍摄区域S1～S20的排列特性(位置信息)有关的误差参数(偏移、比例、回转、正交度)。然后，基于此被决定的参数的值对基片P上的全部拍摄区域S1～S20校正其设计上的坐标值。据此，基片对准系统5的检测基准位置与基片台PST所载置的基片P上的各拍摄区域的位置关系就得以决定。即、控制装置CONT能够从激光干涉仪56的输出得知基片P上的各拍摄区域相对于基片对准系统5的检测基准位置位于何处。
当基片P的对准标记1的检测以及基片P的表面信息的检测结束，控制装置CONT移动XY载片台53以使基片对准系统5的检测区域定位于基准部件3上。基片对准系统5无液体地检测基准部件3上的基准标记PFM，以检测由激光干涉仪56所规定的坐标系内的基准标记PFM的位置信息(步骤SA3)。
通过使用基片对准系统5检测出基准标记PFM的位置信息，就检测出由激光干涉仪56所规定的坐标系内的基片对准系统5的检测基准位置与基准标记PFM的位置关系。
在使用了基片对准系统5的对准标记1的位置信息的检测和Z载片台52上的基准标记PFM的位置信息的检测双方完成以后，控制装置CONT移动XY载片台53以使得能够通过掩模对准系统6来检测基准部件3上的基准标记MFM。由于掩模对准系统6经由投影光学系统PL来观察基准标记MFM，所以投影光学系统PL的前端部与基准部件3相对置。这里，控制装置CONT开始利用液体供给机构10及液体回收机构20的液体LQ的供给及回收，用液体LQ充满投影光学系统PL前端部的光学元件2前端面与基准部件3的上面之间以形成浸液区域。此外，虽然希望浸液区域AR2仅形成在基准部件3上，但既可以跨过基准部件3和辅助板57而形成，也可以跨过基准部件3、辅助板57和基片P而形成。
其次，控制装置CONT通过掩模对准系统6经由掩模M、投影光学系统PL以及液体LQ进行基准标记MFM的检测(步骤SA4)。
由此，经由投影光学系统PL和液体LQ使用基准标记MFM检测出XY平面内的掩模M的图案像的投影位置信息，由激光干涉仪56所规定的坐标系内的图案像的投影位置与基准标记MFM的位置关系得以计测。此外，在本实施方式的掩模对准系统6中采用对标记照射光，对用CCD相机等所摄像的标记的图像数据进行图像处理以检测标记位置的VRA(Visual Reticle Alligment)方式。
控制装置CONT求解作为基片对准系统5的检测基准位置与图案像的投影位置之间隔(位置关系)的基线量(步骤SA5)。
具体而言，从步骤SA3中所求出的基片对准系统5的检测基准位置与基准标记PFM的位置关系、步骤SA4中所求出的图案像的投影位置与基准标记MFM的位置关系以及预先确定的基准标记PFM(基准部件3a)与基准标记MFM(基准部件3b)的位置关系，来决定由激光干涉仪56所规定的坐标系内的图案像的投影位置与基片对准系统5的检测基准位置的位置关系(基线量)。
当如以上那样的计测处理结束，控制装置CONT停止利用液体供给机构10的向基准部件3上的液体LQ的供给动作。另一方面，控制装置CONT以规定期间继续利用液体回收机构20的基准部件3上的液体LQ的回收动作。然后，上述规定期间经过以后，控制装置CONT停止利用液体回收机构20的回收动作。这样一来，基准部件3上的液体LQ就被回收。此外，优选的构成是基准部件3与辅助板57一体地设置，基准部件3b和基片P经由辅助板57以大致相同的高度进行连续，在此情况下，就能够在投影光学系统PL的像面侧保持了液体LQ的状态下将液体LQ的浸液区域从基准部件3上移动到基片P上，而不用停止液体供给机构10的液体供给动作。
其次，控制装置CONT在使投影光学系统PL与基片P对置的状态下，控制装置CONT驱动液体供给机构10及液体回收机构20，开始针对基片P上的液体供给动作及基片P上的液体回收动作。据此，在投影光学系统PL与基片P之间形成浸液区域AR2。然后，在基片P上形成了浸液区域AR2以后，基片P的多个拍摄区域分别被依次投影图案像以进行浸液曝光(步骤SA6)。
更具体而言，基于步骤SA2中所求出的各拍摄区域相对于基片对准系统5的检测基准位置的位置信息以及步骤SA5中所求出的基片对准系统5的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系(基线量)，一边移动XY载片台53使基片P上的各拍摄区域S1～S20与图案像对位，一边进行各拍摄区域的浸液曝光处理。
在扫描曝光基片P上的各拍摄区域S1～S20之际，使用在前述的计测处理中所求出的各信息进行曝光处理。即、基于步骤SA2中所求出的拍摄区域的排列(位置信息)，使各拍摄区域在图案像的投影位置进行对位后依次曝光。此外，虽然也可以实行用基片对准系统5逐次检测基片P上的各拍摄区域内的对准标记1并对该拍摄区域进行重合曝光的、所谓的逐片(die-by-die)方式，但在此情况下，在基片P的拍摄区域的曝光中在基片P上配置液体LQ，在利用基片对准系统5的对准标记1的检测中基片P上不配置液体LQ并反复动作，所以优选的构成是如本实施方式那样预先求出拍摄区域的排列(位置信息)，并根据该求出的排列逐次移动基片P。
另外，在针对各拍摄区域S1～S20的扫描曝光中，基于液体LQ供给前所求出的基片P的表面信息，调整基片P表面与经由液体LQ所形成的像面的位置关系而不使用聚焦检测系统4。此外，既可以在液体LQ供给前不求出基片P的表面信息、而在扫描曝光中经由液体LQ检测基片P表面与像面的位置关系来进行调整，也可以进行两者。
当基片P上的各拍摄区域S1～S20的扫描曝光结束，控制装置CONT停止利用液体供给机构10的液体供给。另一方面，控制装置CONT在停止了利用液体供给机构10的液体供给以后，以规定时间继续液体回收机构20的驱动。据此，基片P上的液体LQ就被回收。此外，在回收基片P上的液体LQ之际，也可以一边驱动基片台PST使基片P与液体回收机构20的回收喷嘴23相对地进行移动一边回收液体LQ。
在基片P的曝光完成以后，将别的基片P’保持在基片台PST上进行曝光之际，能够使基片P’的拍摄区域与掩模的图案像的投影位置进行对位，而不用进行基片台PST上的基准标记PFM、MFM的位置信息的检测。在此情况下，在使别的基片P’保持在Z载片台52上的基片架PSH以后，使用基片对准系统5来检测附随设置于拍摄区域的对准标记1的位置信息。据此，与先前被曝光的基片P同样利用EGA处理求得基片各拍摄区域相对于对准系统5的检测基准位置的位置信息。据此，就能够使投影光学系统PL与基片P’相对置，使基片P’上的各拍摄区域与图案像对位，在基片P’的各拍摄区域曝光图案像。
这样，在顺次曝光多个基片P(P’)之际，就不需要每当别的基片P’被保持在Z载片台52(基片架PSH)上就进行用于求解基线量的基准标记PFM、MFM的检测动作，通过检测Z载片台52所保持的(装载的)基片P’上的对准标记1的位置信息，基于先前所求出的基线量移动基片P’，就能够效率良好地高精度地将基片P’与图案像进行对位。而且，用于求解基线量的基准标记PFM、MFM的检测动作在每个预先设定的基片处理枚数或每当更换掩模时等、每个规定期间进行即可。
如以上所说明那样，在用基片对准系统5检测Z载片台52上的基准标记PFM之际，通过不经由液体LQ地进行检测就能够良好地检测基准标记PFM而不受液体LQ的温度变化等影响。另外，不需要以适合浸液的方式构成基片对准系统5，能够原封不动利用以往的检测系统。然后，在使用掩模对准系统6检测Z载片台52上的基准标记MFM之际，与浸液曝光时同样，通过在投影光学系统PL的像面侧充满液体LQ并经由投影光学系统PL和液体LQ进行检测，就能够基于该检测结果精确地检测图案像的投影位置。而且，能够基于这些基片对准系统5及掩模对准系统6的检测动作中的基片台PST各自的位置信息，精确地求出作为基片对准系统5的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系(距离)的基线量，基于此基线量，在进行针对基片P的重合曝光之际也能够精确地对位基片P(拍摄区域S1～S20)与掩模M的图案像。
在本实施方式中，在基准标记MFM(基准部件3)上配置了液体LQ的状态下由掩模对准系统6进行标记检测，但在该检测动作中在Z载片台52的基片架PSH上配置有基片P。据此，即便假设液体LQ从基准部件3上流出，也能够防止液体LQ浸入到基片架PSH内部和基片台PST内部。另外，即便在浸液区域AR2超出辅助板57的内侧边缘的情况下，也能够防止液体LQ浸入到基片架PSH内部和基片台PST内部。从而，就能够防止起因于浸入的液体LQ的基片台PST内部的例如电气设备的故障及漏电、或者基片台PST内部的各部件的生锈等麻烦的发生。
另外，如上述那样，在本实施方式中在检测基准部件3上的基准标记PFM、MFM之际，在基准部件3上配置液体LQ的湿润状态(wetstate)和不配置液体LQ的干燥状态(dry state)进行切换，但如参照图5所说明那样，由于使形成在基准部件3上的基准标记PFM、MFM没有高度差，所以即便在例如从干燥状态切换到湿润状态之际，在基准部件3上的液体LQ中的标记部分也难以生成气泡。另外，在为了从湿润状态切换到干燥状态而从基准部件3上回收液体LQ之际，也能够良好地回收液体LQ并不会使液体LQ残留于标记部分。特别是在本实施方式中由于基准部件3的上面为疏液性，所以就能够更加良好地回收液体LQ。从而，例如掩模对准系统6就能够精确地进行基准标记MFM的检测而不会受气泡等的影响。基片对准系统5就能够精确地进行基准标记PFM的检测而不会受残留的液体LQ的影响。
可是，在本实施方式中，在用基片对准系统5检测基准标记PFM之际，在基准部件3上不配置液体LQ，而在用掩模对准系统6检测基准标记MFM之际则在基准部件3上配置液体LQ。而且，是分别(非同时地)检测掩模侧基准标记MFM和基片侧基准标记PFM的构成，但在基准部件3上基准标记PFM与基准标记MFM充分隔离，基准标记PFM部分不暴露于液体LQ的情况下，也可以不将基准标记PFM设为无高度差标记。另外，也可以将掩模侧基准标记MFM与基片侧基准标记PFM形成于各自不同的基准部件。在此情况下，通过如本实施方式那样非同时地检测掩模侧基准标记MFM和基片侧基准标记PFM，就不需要在形成了基准标记PFM的基准部件上形成浸液区域。从而，不仅不需要进行基准标记PFM的无高度差化等浸液对应，还能够防止水印(water mark)等发生。
在本实施方式中，构成如下：首先通过不经由液体LQ地用基片对准系统5检测基片P上的对准标记1而求得基片P上的多个拍摄区域S1～S20的位置信息(步骤SA1、SA2)，接着不经由液体LQ地检测基片台PST上的基准标记PFM(步骤SA3)，接着通过在投影光学系统PL的像面侧充满液体LQ经由投影光学系统PL和液体LQ用掩模对准系统6检测基准标记MFM而求得图案像的投影位置(步骤SA4)，在精确地求出作为基片对准系统5的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系(距离)的基线量以后(步骤SA5)，对基片P进行浸液曝光(步骤SA6)。即、在上述步骤SA1～步骤SA3中，在投影光学系统PL的像面侧不充满液体LQ，而在步骤SA4～步骤SA6中在投影光学系统PL的像面侧充满液体LQ的构成。通过这样进行处理，就能够减少在投影光学系统PL的像面侧不充满液体LQ的干燥状态和在投影光学系统PL的像面侧充满液体LQ的湿润状态的切换次数，因此能够提高生产能力(throughput)。例如在从湿润状态切换到干燥状态的情况下，就需要在切换后除去例如残存于基准部件3的上面等的液体LQ的作业，但若切换次数增加则该液体除去作业的次数也就变多而使处理效率低下。但是，通过减低切换次数就能够提高生产能力。
通过在用基片对准系统5进行了基准标记PFM的检测以后(步骤SA3)，进行基片P上的对准标记1的检测(步骤SA1、SA2)，接着在用掩模对准系统6经由投影光学系统PL及液体LQ进行了基准标记MFM的检测以后(步骤SA4、SA5)，对基片P进行浸液曝光处理(步骤SA6)，也能够与前述的本实施方式同样地减少干燥状态和湿润状态的切换次数。另一方面，由于如本实施方式那样，连续进行利用基片对准系统5的基准标记PFM的检测动作和利用掩模对准系统6的经由投影光学系统PL及液体LQ的基准标记MFM的检测动作，所以就能够回避利用掩模对准系统6的基准标记MFM的检测动作时的检测状态相对于利用基片对准系统5的基准标记PFM的检测动作时的检测状态变动较大而无法精确地计测作为基片对准系统5的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系的基线量之类的麻烦。例如，就有由于起因于进行载片台驱动的线性马达的停止时和驱动时的发热量的差异等的曝光装置环境的热变动，而发生投影光学系统PL与对准系统5的位置关系的物理变动、对准系统5的光学特性的变动以及进行基片台PST的位置计测的激光干涉仪56的计测光路上的环境(温度)变动等的可能性。在此情况下，若利用基片对准系统5的基准标记PFM的检测动作时与利用掩模对准系统6的基准标记MFM的检测动作时的时间间隔较大，就有由于上述热变动而发生无法精确地计测基线量的麻烦的可能性。但是，通过如本实施方式那样连续进行利用基片对准系统5的基准标记PFM的检测动作和利用掩模对准系统6的基准标记MFM的检测动作就能够回避上述麻烦。
此外，在图6的流程图所示的对准顺序中，在不经由液体地检测基片P上的对准标记1(步骤SA1)，进行了EGA处理(步骤SA2)以后，不经由液体地进行基准标记PFM的检测(步骤SA3)，进而在其后经由投影光学系统PL和液体执行基准标记MFM的检测(步骤SA4)，但也可以改换步骤SA2和步骤SA3。在此情况下，虽然基准标记PFM与基准标记MFM的检测间隔比图6的顺序将多少变长，但由于与图6的顺序同样可以进行较少次数的液体的供给、回收动作，所以在生产能力这一点上有利。另外虽然在上述的实施方式中，分开设置基准标记PFM和基准标记MFM，但也可以用基片对准系统5和掩模对准系统6来检测一个基准标记。进而，也可以在执行基准标记PFM的无液体的检测和基准标记MFM的经由液体的检测求出了基线量以后，检测基片P上的对准标记1。
图7及8是表示本发明的别的实施方式的示意图。图7表示在基片P上配置有投影光学系统PL的状态，图8表示在基准部件3上配置有投影光学系统PL的状态。在图7及8中，在Z载片台52上形成有用于在基片架PSH上配置基片P的凹部60，并且形成有用于配置基准部件3的凹部61。然后，使被配置于凹部60的基片P的上面、被配置于凹部61的基准部件3的上面和Z载片台52的上面大致成为一面这样来进行设置。通过这样处理，经由液体LQ来检测基准部件3上的基准标记MFM，故即便在从图7所示的状态成为图8所示的状态的情况下，也能够在投影光学系统PL的像面侧保持了液体LQ的状态下将基片台PST沿XY方向进行移动。当然，在从图8所示的状态成为图7所示的状态的情况下也能够在投影光学系统PL的像面侧保持了液体LQ的状态下将基片台PST沿XY方向进行移动。另外，在经由液体LQ来检测基准部件3上的基准标记MFM的情况下，被认为根据基准部件3上所形成的液体LQ的浸液区域的大小，在基准标记MFM的检测动作中将发生基准部件3上的浸液区域的一部分(端部)被配置在配置着基片架PSH的凹部60中的状况，但通过在凹部60的基片架PSH上配置好基片P，就能够防止液体LQ向凹部60内部浸入。另外，通过配置基片P就能够使凹部60平坦，并能够防止起因于凹部(台阶部)的浸液区域的干扰。此外，除了将形成了基准标记的基准部件3埋设于Z载片台52的凹部61的构成以外，还可以不设置凹部61而在Z载片台52的上面直接形成基准标记。
此外，在上述实施方式，采用在检测了基片P上的对准标记1以后，进行利用掩模对准系统6的基准标记MFM的检测的顺序，因此在利用掩模对准系统6的经由液体LQ的基准标记MFM的检测动作中，用于制造器件的基片P就配置于基片架PSH。但是，还有单独计测基线量的情况，和采用在基线量的计测后将基片P装在基片架PSH上的顺序等的可能性。在此情况下，当然还可以将虚设基片DP配置在基片架PSH上。这里，虚设基片DP具有与器件制造用的基片P大致相同的形状及大小。另外虚设基片DP还可以用与基片P相同的材料、例如硅来形成，但是只要没有因与液体LQ的接触而造成的污染物的洗提(溶出)等就能够将各种材料用于虚设基片DP。在此情况下，在将虚设基片DP配置在基片架PSH上的状态下，由掩模对准系统6进行经由投影光学系统PL及液体LQ的基准标记MFM的检测。接着，由基片对准系统5没有液体LQ地进行基准标记PFM的检测，以计测基线量。在该基片对准系统5的检测动作之前或之后，虚设基片DP从基片架PSH卸下，并且器件制造用的基片P被装在基片架PSH上。然后，在基片P上的对准标记1由基片对准系统5检测出以后，基于基片P上的对准标记1的位置信息和基线量，进行基片P上的拍摄区域与图案像的对位，以进行浸液曝光。
图9是示意性地表示具备保管上述虚设基片DP的虚设基片用库70A的、曝光装置EX的一例的平面图。在图9中曝光装置EX被设置于腔室装置CH的内部。腔室装置CH的内部通过空调系统被维持于规定的环境(温度、湿度)。基片台PST在腔室装置CH的内部在规定的可动范围SR可以移动地设置。在曝光装置EX上连接有搬运基片P的搬送装置80。在搬送装置80上经由接口部IF连接有具有对基片P涂布感光材料的功能和将曝光处理完毕的基片P进行显影的功能的涂布显影器C/D(coater/developer)。搬送装置80具备保持基片P并进行搬运的第1臂部81及第2臂部82。第1、第2臂部81、82分别一边由导向部81A、82A进行引导一边进行移动。第1、第2臂部81、82及导向部81A、82A设置在第2腔室装置CH2的内部。用涂布显影器C/D涂布了感光材料的曝光处理前的基片P通过第1臂部81及第2臂部82被搬送到曝光装置EX的腔室装置CH内部。基片台PST在曝光处理前的基片P通过第2臂部82装入时被移动到基片更换位置RP。在基片更换位置RP装入了基片P的基片台PST移动到处于投影光学系统PL之下方的曝光处理位置EP。另外，保持已结束曝光处理的基片P的基片台PST移动到基片更换位置RP。曝光处理完毕的基片P在基片更换位置RP通过第2臂部82(或者其他臂部)被卸下，并通过第1臂部81(或者其他臂部)经由接口部IF被搬运到涂布显影器C/D。
然后，在将虚设基片DP配置于基片架PSH时，控制装置CONT例如使用第2臂部82自设置于腔室装置CH的内部的作为虚设基片DP的待机地点的虚设基片用库70A取出虚设基片DP，在基片更换位置RP装在基片台PST的基片架PSH上。然后，在基片架PSH上保持了虚设基片DP的状态下，控制装置CONT进行如上述那样的例如利用掩模对准系统6的经由投影光学系统PL及液体LQ的基准标记MFM的检测。
另外，在经由上述液体LQ的检测处理结束了以后，将虚设基片DP自基片台PST卸下时，首先，控制装置CONT使用液体回收机构20等进行附着、残留在虚设基片DP上的液体LQ的除去作业。然后，控制装置CONT将保持实施了液体除去处理的虚设基片DP的基片台PST移动到基片更换位置RP。然后，控制装置CONT使用第2臂部82(或者其他臂部)自基片台PST卸下虚设基片DP，并收纳于作为虚设基片DP的待机地点的虚设基片用库70A。
此外，虽然在本实施方式中，虚设基片用库70A被设置于收容曝光装置EX的腔室装置CH的内部，但也可以如图9中、附图标记70B所示那样、将虚设基片用库设置于例如收容搬送装置80的第2腔室装置CH2的内部。或者，还可以将虚设基片用库配置在涂布显影器C/D的内部。
此外，虚设基片DP最好是具有疏液性。在本实施方式中，虚设基片DP经过疏液化处理而具有疏液性。作为疏液化处理，例如可列举使用了具有疏液性的材料的涂敷处理。作为具有疏液性的材料例如可列举氟类化合物及硅化合物、或者丙烯类树脂及聚乙烯等合成树脂。另外，用于表面处理的薄膜既可以是单层膜也可以是由多个层组成的膜。
另外，虚设基片DP的疏液性时效性地进行劣化。因此，还可以依照该疏液性的劣化来更换虚设基片DP。另外，也可以用疏液性的材料(例如、氟类的材料或丙烯酸)来形成虚设基片DP。
图10是表示其他实施方式的示意图。如图10所示在Z载片台52(基片台PST)上形成凹部60，并在该凹部60的内部配置具有与凹部60相应的形状的基片架PSH，还可以在Z载片台52内部设置将基片架PSH进行升降的升降装置63。然后，在利用掩模对准系统6的经由液体LQ的基准标记MFM的检测动作时，如图10(a)所示那样升降装置63将基片架PSH上升，使Z载片台52的上面与基片架PSH的上面成为一面。这样一来还能够防止为了经由液体LQ计测基准标记MFM而形成在基准部件3上的浸液区域的液体LQ浸入到载片台52(基片台PST)内部等麻烦的发生。而且，在为了进行浸液曝光而使器件制造用的基片P保持于基片架PSH之际，通过如图10(b)所示那样升降装置63将基片架PSH下降，设置用于配置基片P的凹部60。此外，在载置基片P之际液体LQ附着在基片架PSH上的情况下，将已附着的液体LQ除去或者回收后对基片P进行载置为好。
此外，虽然在上述的实施方式中，在经由投影光学系统PL和液体LQ检测基片台PST上的基准标记MFM时，将基片P、虚设基片DP保持于基片架PSH，以防止液体LQ浸入到Z载片台52内部，但并不限于基准标记MFM的检测，希望在Z载片台52(基片台PST)上的各种计测传感器的使用时等、在Z载片台52(基片台PST)上面的周边部形成浸液区域AR2时，将基片P或虚设基片DP保持在基片架PSH上或者使用如图10那样的构成以防止液体LQ向Z载片台52(基片台PST)内部浸入。
可是，如上述那样，用于求解基线量的基准标记PFM、MFM的检测动作，在每个预先设定的基片处理枚数或每当更换掩模M时等、每个规定期间进行即可。而且，在上述的实施方式中，通过在将基片P装在基片架PSH上前单独计测基线量时等，在基片架PSH上保持好虚设基片DP，就能够防止液体LQ浸入到基片架PSH内部及基片台PST内部。另一方面，在计测基线量时，通过在将曝光处理完毕的基片P保持于基片架PSH而不是将虚设基片DP保持于基片架PSH的状态下，进行用于求解基线量的基准标记PFM、MFM的检测动作，也能够防止液体LQ浸入到基片架PSH内部及基片台PST内部。而且，在结束了基线量的计测以后，卸下该曝光处理完毕的基片P即可。即、在结束了基片P的曝光以后，在将该曝光处理完毕的基片P保持在基片台PST上的状态下进行利用基片对准系统5的基片台PST上的基准标记PFM的位置信息的检测和利用掩模对准系统6的基片台PST上的基准标记MFM的位置信息的检测，在基于该基准标记PFM、MFM的位置信息的检测结果求出了基线量以后，将该曝光处理完毕的基片P自基片台PST搬出，由此就能够防止液体LQ浸入到基片架PSH内部及基片台PST内部。
此外，还考虑在将曝光处理前的基片P保持于基片架PSH的状态，进行用于求解基线量的基准标记PFM、MFM的检测动作的构成。但是，在经由液体LQ检测基准标记MFM时等，液体LQ附着于曝光处理前的基片P上的对准标记1的可能性变高。由于检测基片P上的对准标记1的基片对准系统5构成为不经由液体LQ地(干燥状态)进行检测，所以在用基片对准系统5检测曝光处理前的基片P上的对准标记1时，若在对准标记1上附着有液体LQ则将招致检测精度的劣化。从而，最好是在检测用于求解基线量的基准标记PFM、MFM时使基片架PSH所保持的基片P为曝光处理后的基片P。
此外，即便在Z载片台52(基片台PST)上未配置基准部件和各种计测传感器等计测部件的情况下，也希望在Z载片台52(基片台PST)上形成浸液区域AR2时，将基片P或虚设基片DP保持在基片架PSH上或者使用如图10那样的机构以防止液体LQ向Z载片台52(基片台PST)内部浸入。
进一步说，不论Z载片台52(基片台PST)上有无基准部件和各种计测传感器等计测部件，都希望在Z载片台52(基片台PST)的凹部60未用基片P或虚设基片DP等覆盖时，禁止在Z载片台52(基片台PST)上形成浸液区域AR2。
例如，在Z载片台52(基片台PST)的凹部60未用基片P或虚设基片DP等覆盖的情况下，控制装置CONT能够禁止利用液体供给机构10的液体供给或者限制Z载片台52(基片台PST)在XY平面内的移动范围，以使投影光学系统PL的光学元件2与Z载片台52(基片台PST)不对置。
此外，虽然由于控制装置CONT总括控制着曝光装置EX整体的动作，所以能够判断基片P或虚设基片DP等是否覆盖着Z载片台52(基片台PST)的凹部60，但还能够如后述那样使用检测基片P或虚设基片DP等是否覆盖着的检测器。
另外，在用基片对准系统5检测基片P上的对准标记1时，希望如上述那样处于液体LQ未配置(未附着)在基片P上的对准标记1上的状态。在基片台PST上所装入的曝光处理前的基片P通过供给喷嘴13下方或回收喷嘴23下方、或者投影光学系统PL的光学元件2下方时，供给喷嘴13及回收喷嘴23或者光学元件2上所残留、附着的液体LQ有可能在基片P上滴下或者飞散。而且，若该滴下的液体LQ被配置(附着)于基片P上的对准标记1上，则基片对准系统5无法进行对准标记1的计测并发生计测错误，即便能够计测也会使对准标记1的像及波形信号失真而误计测，而产生对准计测精度劣化等麻烦。
或者，还考虑一边在基片台PST上之中与该基片台PST所保持的基片P不同的位置(例如辅助板57上或Z载片台52的上面上)形成浸液区域AR2，一边由基片对准系统5不经由液体LQ地计测基片P上的对准标记1的构成。或者，还考虑一边在基片P上的一部分(局部地)形成浸液区域AR2一边在该浸液区域AR2的外侧由基片对准系统5不经由液体LQ地检测对准标记1的构成。在此情况下，若液体LQ从浸液区域AR2飞散、或者液体LQ的回收未充分进行，也将发生在基片P上的对准标记1上配置了液体LQ的状态下该对准标记1被基片对准系统5进行计测的麻烦。
因而，控制装置CONT决定基片台PST的移动轨迹以使配置在基片对准系统5的检测区域以前的基片P上的对准标记1不通过供给喷嘴13及回收喷嘴23或者投影光学系统PL的光学元件2下方。然后控制装置CONT一边基于所决定的移动轨迹移动基片台PST一边使用基片对准系统5对基片P上的多个对准标记1分别顺次进行计测。
图11是用于说明对基片P上的多个对准标记1分别用基片对准系统5顺次进行计测时的动作的图。在图11中，在投影光学系统PL的光学元件2的附近配置有供给喷嘴13及回收喷嘴23，在这些光学元件2、供给喷嘴13以及回收喷嘴23的+X侧配置有基片对准系统5。当在这样的位置关系下使用基片对准系统5对基片P上的多个对准标记1分别顺次进行计测时，控制装量CONT首先如图11(a)所示那样将附随于被设置在基片P上的最靠-X侧的拍摄区域的对准标记1配置在基片对准系统5的检测区域，并用基片对准系统5来计测该对准标记1。例如控制装置CONT将附随于基片P上的拍摄区域S10或S11(参照图4)等的对准标记1配置在基片对准系统5的检测区域。在以下的说明中，将首先被计测的上述对准标记1称为“第1对准标记”。
这里，控制装置CONT在基片更换位置RP(参照图9)将曝光处理前的基片P装到基片台PST上以后，将基片P上的第1对准标记1配置于基片对准系统5的检测区域时，移动基片台PST以使基片P上的多个对准标记1之中、至少作为基片对准系统5的计测对象的对准标记1不通过供给喷嘴13及回收喷嘴23、或者光学元件2下方。据此，第1对准标记1不通过供给喷嘴13等下方地被配置在基片对准系统5的检测区域。从而，就能够防止在第1对准标记1上配置了从供给喷嘴13等滴下的液体LQ的状态下该第1对准标记1被基片对准系统5进行计测的麻烦。
在第1对准标记1的检测结束以后，控制装置CONT将基片台PST向-X侧移动，将比第1对准标记1还靠+X侧设置的第2对准标记1(例如附随于拍摄区域S12或S9等的对准标记1)配置在基片对准系统5的检测区域。这里，由于控制装置CONT决定基片台PST的移动轨迹以使作为计测对象的对准标记1不通过供给喷嘴13等下方到达基片对准系统5的检测区域，所以在基片P被装入基片台PST以后，直到该基片P上的第2对准标记1被配置在基片对准系统5的检测区域期间，第2对准标记1不通过供给喷嘴13等下方。从而，就能够防止在第2对准标记1上配置从供给喷嘴13等滴下的液体LQ的麻烦。此外，已经被基片对准系统5计测的第1对准标记1也可以通过供给喷嘴13等下方。
以下同样如此，如图11(b)所示，控制装置CONT将比第2对准标记1还靠+X侧设置的第3、第4对准标记1顺次配置在基片对准系统5的检测区域进行计测。以上的动作通过控制装置CONT一边用激光干涉仪56监视基片台PST的位置一边基于曝光方法控制基片台驱动装置PSTD来进行。
此外，虽然在这里是控制装置CONT将基片台PST移动到-X侧，在基片对准系统5的检测区域上从基片P上的-X侧的对准标记1到+X侧的对准标记1顺次进行配置，但在基片对准系统5设置在投影光学系统PL的-X侧的情况下，基片台PST被移动到+X侧。另外，检测对准标记1的顺序并不限于沿X轴方向的顺序。另外，如上述那样，不需要将设置在基片P上的多个对准标记1全部用基片对准系统5来进行检测。从而，不是基片对准系统5的计测对象的对准标记1也可以不通过供给喷嘴13等下方。总而言之，只要作为配置在基片对准系统5的检测区域以前的计测对象的对准标记1不通过供给喷嘴13等下方即可。
如以上所说明那样，由于控制装置CONT依照基片对准系统5与供给喷嘴13(以及回收喷嘴23、光学元件2)的位置关系，来决定用于在基片对准系统5的检测区域上配置对准标记1的基片台PST的移动轨迹，所以就能够防止在用基片对准系统5所计测的对准标记1上起因于通过供给喷嘴13等下方而附着液体LQ的麻烦。从而，由于基片对准系统5计测液体LQ已被附着的状态的对准标记1的麻烦得以防止，所以就能够防止计测错误及误计测。从而，就能够使曝光装置EX的运转率改善，并高度维持曝光精度。
此外，在参照图11所说明的实施方式时，也可以在投影光学系统PL的像面侧保持了液体LQ的状态下进行利用基片对准系统5的对准标记1的检测。在此情况下，虽然在基片台PST(Z载片台52)上面、或者跨越基片台PST上面和基片P表面、或者在基片P表面形成浸液区域AR2，但如由图11也可明白那样，由于控制装置CONT决定基片台PST的移动轨迹以在基片P的对准标记1接触到浸液区域AR2的液体LQ(参照图1)以前用基片对准系统5进行检测，所以能够防止基片对准系统5计测液体LQ已被附着的状态的对准标记1的麻烦。
此外，虽然在这里是配置在基片对准系统5的检测区域以前的基片P上的对准标记1不通过供给喷嘴13等下方，但也可以决定基片台PST的移动轨迹以使被配置在基片对准系统5的检测区域以前的基准标记PFM不通过供给喷嘴13等下方。这样，并不限于对准标记1及基准标记PFM，通过决定基片台PST的移动轨迹以使在干燥状态下所计测的基片台PST上的标记(计测对象)不通过有可能使液体LQ滴下的部件下方，就能够提高不经由液体LQ的标记计测精度。
此外，虽然在上述的实施方式中，就将基片台PST从基片更换位置RP移动到投影光学系统PL附近(曝光处理位置EP)时，或进行基片P上的多个对准标记1时的基片台PST的移动轨迹进行了说明，但最好是在计测了基准部件3上的基准标记PFM、MFM以后，在计测基片P上的对准标记1时等基片P上的对准标记1也不通过供给喷嘴13等下方，这样来决定基片台PST的移动轨迹。例如，在图12中，在使用掩模对准系统6经由液体LQ来计测基准部件3上的基准标记MFM时，控制装置CONT在基准部件3上已形成浸液区域AR2的状态下计测基准标记MFM。然后，在基准标记MFM的经由液体LQ的计测结束以后，控制装置CONT使用液体回收机构20等来回收基准部件3上的液体LQ。之后，控制装置CONT在基片对准系统5的检测区域配置基片P上的对准标记1时，一边监视激光干涉仪56的输出一边移动XY载片台53以使供给喷嘴13等沿图12的虚线箭头K行进。然后，控制装置CONT在基片对准系统5的检测区域配置第1对准标记1(例如附随于拍摄区域S10的对准标记1)。在此情况下，由于用基片对准系统5所计测以前的对准标记1不通过供给喷嘴13等下方，所以从供给喷嘴13等滴下的液体LQ不会附着。
此外，在对准标记1上附着液体而成为检测错误的情况下，与在对准标记1上附着异物而发生检测错误的情况同样，既可以中止该对准标记的检测，取而代之检测其附近的对准标记，也可以将该基片P本身作为不合格基片来处理。
另外，还可以将用基片对准系统5在干燥状态下检测基片P上的对准标记时所得到的标记像和信号波形预先存储起来，在实际用基片对准系统5检测对准标记1时所得到的标记像和/或信号波形，与存储着的数据大不相同的情况下，判断为在基片对准系统5末端的光学元件和对准标记的至少一方附着有液体，并输出检测错误以催促操作者等擦掉所附着的液体等。
同样，还可以将用基片对准系统5在干燥状态下计测基准标记PFM时所得到的标记像和信号波形存储起来，在基线量的计测等时实际用基片对准系统5基准标记PFM的所取得的标记像和/或信号波形与存储着的数据大不相同的情况下，判断为在基片对准系统5末端的光学元件和基准标记PFM的至少一方附着有液体，并输出检测错误以催促操作者等擦掉所附着的液体等。
此外，所存储的标记像和信号波形既可以在曝光装置EX内使用基片对准系统5进行取得，也可以在曝光装置EX之外进行取得。
另外，在图12所示的基片台PST上设置有例如日本专利公开特开昭57-117238号公报所公开的照度不匀传感器400和例如日本专利公开特开2002-14005号公报所公开的空间像计测传感器500。而且，考虑在这些计测用传感器400、500上形成了浸液区域AR2的状态下经由液体LQ进行计测处理。在此情况下也是控制装置CONT在结束了利用传感器400、500的计测处理以后，使用液体回收机构20等进行液体回收。而且，在将基片P上的对准标记1配置在基片对准系统5的检测区域时，控制装置CONT决定基片台PST的移动轨迹以使作为基片对准系统5的计测对象的基片P上的对准标记1不通过供给喷嘴13等下方。
图13是表示本发明其他实施方式的示意图。在图13(a)中曝光装置EX具备用于在基片架PSH上吸附保持基片P的吸附保持机构90。吸附保持机构90具备分别设置在基片架PSH的上面的多个位置的吸附孔91和经由流路92分别连接到这些多个吸附孔91的真空系统93。控制装置CONT通过驱动真空系统93经由吸附孔91对基片架PSH的上面所载置的基片P的背面进行真空吸附保持。
与吸附保持机构90的流路92或者真空系统93的压力有关的信息被压力检测器94进行监视。压力检测器94能够基于与所检测的压力有关的信息来检测在基片架PSH上是否保持着基片P(或者虚设基片DP)。即、压力检测器94在利用吸附保持机构90的吸附动作被执行，压力不低下的情况下，判断为在基片架PSH上未保持基片P，在压力降低了的情况下则判断为在基片架PSH上保持着基片P。另外，压力检测器94的检测结果及判断结果被输出到控制装置CONT。
在液体供给机构10的供给管12的途中设置有使供给管12的流路开闭的阀门14。阀门14的动作被控制装置CONT所控制。
如图13(a)所示那样，当基片P被保持在基片架PSH上时，如上述那样压力检测器94能够基于与压力有关的信息检测出在基片架PSH上保持着基片P。然后，在压力检测器94检测出基片P时，控制装置CONT基于压力检测器94的检测结果(判断结果)对液体供给机构10发出可以供给液体的指令。
另一方面，如图13(b)所示，当基片P未被保持在基片架PSH上时，压力检测器94能够基于与压力有关的信息检测出在基片架PSH上未保持基片P。然后，在压力检测器94未检测出基片P时，控制装置CONT基于压力检测器94的检测结果(判断结果)对液体供给机构10发出不可供给液体的指令。接受到控制装置CONT的指令的液体供给机构10例如通过阀门14关闭供给管12的流路。这样控制装置CONT停止利用液体供给机构10的液体供给。
如上述那样，在基片P或者虚设基片DP未保持于基片架PSH的状态下，若形成浸液区域AR2或者利用液体供给机构10的液体供给被执行，就有在基片架PSH内部和基片台PST内部浸入液体LQ的可能性，例如若液体LQ浸入基片台PST内部则会使之生锈或者在配置于内部的电气设备和滑动部发生故障，修复将需要许多时间。或者，若在基片架PSH的保持面存留液体LQ，将会发生液体LQ经由吸附孔91流入真空系统93的麻烦。另外，若液体LQ附着于基片架PSH的保持面，还会发生在基片P被载置时该液体LQ作为润滑膜发挥功能，将基片P在相对于所希望的位置偏离了的状态下进行保持的麻烦。因而，如本实施方式那样，通过依照基片P或者虚设基片DP是否保持于基片架PSH来控制液体供给机构10的动作，就能够防止液体LQ附着在基片架PSH的保持面，或者液体浸入到基片台PST的内部。而且，在基片P或者虚设基片DP未保持于基片架PSH时，通过控制装置CONT停止利用液体供给机构10的液体供给，就能够防止液体浸入基片台PST的内部等。
此外，虽然在本实施方式中，基于压力检测器94的检测结果来判断基片P或者虚设基片DP是否保持在基片架PSH上，但也可以在基片台PST和/或基片架PSH上设置例如接触式的基片有无传感器，并基于其检测结果来控制液体供给机构10的动作。或者，还可以使用前述的聚焦检测系统4来判断基片P或者虚设基片DP是否保持在基片架PSH上，并基于该结果来控制液体供给机构10的动作。另外，还可以在基片P(或者虚设基片DP)未保持于基片架PSH时，禁止Z载片台52(基片台PST)向供给喷嘴13及回收喷嘴23或者光学元件2的下方移动以使得浸液区域AR2不形成在Z载片台52(基片台PST)上。
另外，控制装置CONT还可以依照压力检测器94的检测结果来变更基片台PST的可动区域。如参照图13所说明的实施方式那样，在基片P(或者虚设基片DP)未保持于基片架PSH时，即便停止了利用液体供给机构10的液体供给，也有残留、附着在供给喷嘴13及回收喷嘴23或者投影光学系统PL的光学元件2的液体LQ滴下，并浸入基片架PSH内部和基片台PST内部的可能性。在此情况下也将发生引起基片台PST内部的电气设备的漏电、使其生锈、或液体LQ经由吸附孔91流入真空系统93、或者在基片架PSH的保持面滴下的液体LQ作为润滑膜发挥功能，而在相对于所希望位置偏离了的状态下保持基片P等麻烦。因而，控制装置CONT依照检测基片P是否保持在基片架PSH上的检测器94的检测结果来变更基片台PST的可动区域。
具体而言，在基片P(或者虚设基片DP)未保持于基片架PSH时，换言之、在压力检测器94未检测出基片P时，控制装置CONT将基片台PST的可动区域设为基片架PSH不位于供给喷嘴13及回收喷嘴23、或者光学元件2下方的区域。而且，控制装置CONT在基片P未保持于基片架PSH的情况下，一边监视激光干涉仪56的输出一边移动基片台PST以使得基片架PSH不通过供给喷嘴13等下方。这样一来，即便假设液体LQ从供给喷嘴13等滴下，也能够防止液体LQ浸入基片架PSH的内部和基片台PST的内部等。
此外，虽然在上述的实施方式中，当在基片台PST上形成浸液区域AR2时，开始从供给喷嘴13供给液体LQ，但还能够不是回收在不同于基片台PST的规定物体与投影光学系统PL之间所保持的液体，将形成在该规定物体上的浸液区域AR2移动到基片台PST上，由此在基片台PST上形成浸液区域AR2。
此外，虽然在上述的实施方式中，不经由液体地检测基片P上的对准标记1及基准标记PFM，而基准标记MFM的检测则经由液体执行，但有关基准部件3表面的疏液化、基准部件3上面的无高度差化、虚设基片DP的使用等的发明，既可适用于采用了能够同时检测基准标记PFM和基准标记MFM这样的构成的情况，也可适用于经由液体检测基片P上的对准标记1及基准标记PFM这样的情况。诸如能够同时检测基准标记PFM和基准标记MFM这样的构成的曝光装置，例如在日本专利公开特开平4-45512号(对应美国专利第5,138,176)等中得以披露，在本国际申请所指定或选定的国家的法令所允许的范围内，援引它们的公开内容并作为本文记载的一部分。
另外，当在基准部件3上能够分离浸液区域和非浸液区域进行形成的情况下，还可以如日本专利公开特开平4-45512号公报所公开那样，采用能够同时进行基准标记PFM的无液体的检测和基准标记MFM的有液体的检测这样的构成。在此情况下，例如在图6所示的对准顺序中，由于能够同时进行步骤SA3和步骤SA4，所以在生产能力这一点上有利。再进一步，不言而喻在基片对准系统5经由液体检测基片P上的对准标记1和基准标记PFM的构成的情况下，还可以如日本专利公开特开平4-45512号公报所公开那样，采用能够同时进行基准标记PFM的检测和基准标记MFM的检测这样的构成。
另外，虽然在上述的实施方式中，在基准部件上设置基准标记PFM和基准标记MFM这两个基准标记，但还可以使用单一的基准标记(基准)来进行步骤SA3和步骤SA4。
如上述那样，本实施方式中的液体LQ使用了纯水。纯水在半导体制造工厂等中能够容易地大量获得，同时还具有没有对于基片P上的光致抗蚀剂(光刻胶)或光学元件(透镜)等的不良影响的优点。另外，纯水没有对于环境的不良影响，同时不纯物的含有量极低，所以还能够期待对基片P的表面以及设置于投影光学系统PL的前端面的光学元件的表面进行洗净的作用。此外在从工厂等供给的纯水的纯度较低的情况下，还可以使曝光装置持有超纯水制造器。
而且，纯水(水)相对于波长为193nm程度的曝光束EL的折射率n被认为在大致1.44左右，在利用ArF激态复合物激射光(波长193nm)作为曝光束EL的光源的情况下，在基片P上以1/n、即约134nm程度被短波长化并得到较高的分辨率。进而，聚焦深度与空气中相比被扩大约n倍、即约1.44倍程度，所以在能够确保与在空气中使用的情况同程度的聚焦深度即可的情况下，就能够使投影光学系统PL的数值口径进一步增加，在这一点上分辨率也将改善。
此外，在如上述那样使用了浸液法的情况下，有时投影光学系统的数值口径NA就为0.9～1.3。在这样投影光学系统的数值口径NA变大的情况下，由于在历来作为曝光束所用的随机偏振光中有时成像性能因偏振效果而恶化，所以希望使用偏振照明。在此情况下，进行在掩模(网线)的线与间隔(line-and-space)图案的线图案的长度方向(纵向)经过调整的直线偏振照明，以使得从掩模(网线)的图案射出许多S偏振分量(沿线图案的长度方向的偏振方向成分)的衍射光为好。由于在投影光学系统PL和基片P表面所涂布的抗蚀剂之间用液体充满的情况、与在投影光学系统PL和基片P表面所涂布的抗蚀剂之间用空气(气体)充满的情况相比，有助于对比度提高的S偏振分量的衍射光在抗蚀剂表面的透过率变高，所以即便在投影光学系统的数值口径NA超过1.0这样的情况下也能够获得较高的成像性能。另外，若将相移(相位移动)掩模和诸如日本专利公开特开平6-188169号公报所公开的在线图案的长度方向经过调整的斜入射照明法(尤其是偶极照明法)等适宜组合则更有效果。
另外，不仅是在掩模(网线)的线图案的长度方向经过调整的直线偏振照明(S偏振照明)，如日本专利公开特开平6-53120号公报所公开那样在以光轴为中心的圆的切线(圆周)方向进行直线偏振的偏振照明法和斜入射照明法的组合亦有效果。特别是不仅是掩模(网线)的图案在规定的某一方向延伸的线图案，在沿多个不同方向延伸的线图案混合存在的情况下，同样如日本专利公开特开平6-53120号公报所公开那样，通过并用在以光轴为中心的圆的切线方向进行直线偏振的偏振照明法和带状照明法，即便在投影光学系统的数值口径NA较大的情况下也能够获得较高的成像性能。
在本实施方式中在投影光学系统PL前端安装有光学元件2，并能够借助于其透镜进行投影光学系统PL的光学特性、例如像差(球面像差、彗形像差等)的调整。此外，作为安装于投影光学系统PL前端的光学元件，也可以是在投影光学系统PL的光学特性调整中所用的光学片。或者还可以是可透过曝光束EL的平行平面板。通过将与液体LQ接触的光学元件设为比透镜廉价的平行平面板，即使在曝光装置EX的搬运、组装、调整时等，在该平行平面板附着使投影光学系统PL的透射系数、基片P上的曝光束EL的照度以及照度分布的均一性降低的物质(例如硅类有机物等)，仅在供给液体LQ之前更换该平行平面板即可，比起将与液体LQ接触的光学元件设为透镜的情况具有其更换成本变低之类的优点。即，由于起因于通过曝光束EL的照射而从抗蚀剂发生的飞散粒子、或者液体LQ中的不纯物的附着等而弄脏与液体LQ接触的光学元件的表面，所以需要定期地更换该光学元件，通过将该光学元件设为廉价的平行平面板，与透镜相比就能够使更换部件的成本变低，且能够使更换所要的时间变短，还能够抑制维修成本(运行成本)的上升和生产能力的低下。
此外，在因液体LQ的流动所产生的投影光学系统PL前端的光学元件与基片P之间的压力较大的情况下，还可以不是可更换该光学元件而是牢固地固定光学元件以使其不会因该压力而活动。
此外，虽然在本实施方式在投影光学系统PL和基片P表面之间是用液体LQ充满的构成，但也可以是例如在基片P的表面安装了由平行平面板组成的盖玻璃的状态下充满液体LQ的构成。
另外，虽然应用了上述浸液法的曝光装置是将投影光学系统PL的末端光学元件2的射出侧的光路空间用液体(纯水)充满后对晶片基片P进行曝光的构成，但还可以如国际公开第2004/019128号所披露那样，将投影光学系统PL的末端光学元件2的入射侧的光路空间也用液体(纯水)进行充满。
此外，虽然本实施方式的液体LQ是水，但也可以是水以外的液体，例如，在曝光束EL的光源为F2激光器的情况下，由于该F2激射光不透过水，所以作为液体LQ还可以是可透过F2激射光(激光束)的例如过氟化聚醚(PFPE)及氟类油等氟类流体。在该情况下，在与液体LQ接触的部分通过用包含例如氟的极性较小的分子构造的物质形成薄膜来进行亲液化处理。另外，作为液体LQ，除此以外还可以使用具有对于曝光束EL的透过性且折射率尽可能高、对在投影光学系统PL和基片P表面所涂敷的光致抗蚀剂稳定的液体(例如洋杉油：cedaroil)。在此情况下表面处理亦依照所用的液体LQ的极性来进行。
此外，作为上述各实施方式的基片P，不仅是半导体器件制造用的半导体晶片，还可适用显示器件用的玻璃基片或、薄膜磁头用的陶瓷基片、或者在曝光装置中所用的掩模或网线的原版(合成石英、硅晶片)等。
作为曝光装置EX，除了同步移动掩模M与基片P对掩模M的图案进行扫描曝光的步进扫描(step-and-scan)方式的扫描型曝光装置(scanning stepper)以外，还能够适用于在使掩模M与基片P静止的状态下对掩模M的图案进行总括曝光，使基片P依次步进移动的步进重复(step-and-repeat)方式的投影曝光装置(stepper)。另外，本发明还能够适用于在基片P上将至少两个图案部分地重叠进行转印的步进缝合(step-and-stitch)方式的曝光装置。
另外，本发明还能够适用于具备将晶片等被处理基片分别进行载置并可在XY方向上独立地移动的两个载片台的双工作台(twin-stage)式的曝光装置。双工作台式的曝光装置的构造及曝光动作，例如在日本专利公开特开平10-163099号以及日本专利公开特开平10-214783号(对应美国专利6,341,007；6,400,441；6,549,269以及6,590,634)、日本专利公布特表2000-505958号(对应美国专利5,969,441)或者美国专利6,208,407中得以披露，在本国际申请所指定或选定的国家的法令所允许的范围内，援引它们的公开内容并作为本文记载的一部分。
在具备两个载片台的双工作台式的曝光装置中，有时独立地设置进行基片曝光的曝光位置(exposure station)和进行基片上的拍摄区域的对位的对准位置(alignmen station)。在此情况下，为了生产能力提高，在第1载片台上的基片在曝光位置被曝光时，第2载片台上的基片在对准位置被对准。然后，在第2载片台上的基片经过对准以后，第2载片台移动到曝光位置，在对准位置经过了对位的基片在曝光位置被进行曝光。此时，第2载片台上的基片在对准位置求解在前述实施方式所说明过的相对于设置在基片台上的基准标记的相对位置，然后在第2载片台被移动到曝光位置时，在曝光位置也将基准标记作为基准来决定成像位置。从而，在前述实施方式所说明过的基准标记在双工作台式的曝光装置中在曝光及对准位置上得以有效利用。
另外，虽然在上述的实施方式中采用在投影光学系统PL与基片P之间局部地用液体充满的曝光装置，但在曝光对象的基片的表面全体用液体覆盖的浸液曝光装置中也可以适用本发明。曝光对象的基片的表面全体用液体覆盖的浸液曝光装置的构造及曝光动作例如在日本专利公开特开平6-124873号公报、日本专利公开特开平10-303114号公报、米国专利第5,825,043号等中详细进行了记载，在本国际申请所指定或选定的国家的法令中所允许的范围内，援引该文献的记载内容并作为本文记载的一部分。
另外，本发明还能够适用于具备：保持晶片等被处理基片并可以移动的曝光工作台；和包括各种基准部件和计测传感器等计测部件的计测工作台的曝光装置。在此情况下，能够将在上述的实施方式中配置于基片台PST的基准部件和各种计测传感器的至少一部分配置在计测工作台上。具备曝光工作台和计测工作台的曝光装置例如在日本专利公开特开平11-135400号中进行了记载，在本国际申请所指定或选定的国家的法令中所允许的范围内，援引该文献的记载内容并作为本文记载的一部分。
作为曝光装置EX的种类，并不限于在基片P上曝光半导体元件图案的半导体元件制造用的曝光装置，在液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置和用于制造薄膜磁头、摄像元件(CCD)或者网线或掩模等的曝光装置等中也能够广泛适用。
在基片台PST或掩模台MST中使用线性马达的情况下，也可以使用利用了空气轴承的空气浮起型以及利用了劳伦兹力或者电抗力的磁悬浮型中的某一种。另外，各工作台PST、MST既可以是沿导轨移动的类型，也可以是不设置导轨的无导向类型。在工作台中利用线性马达的例子在美国专利5,623,853以及5,528,118中进行了公开，在本国际申请所指定或选定的国家的法令中所允许的范围内，分别援引这些文献的记载内容并作为本文记载的一部分。
作为各工作台PST、MST的驱动机构，还可以使用将二维配置了磁铁的磁铁单元和二维配置了线圈的电枢单元对置，并通过电磁力来驱动各工作台PST、MST的平面马达。在该情况下，将磁铁单元和电枢单元中的某一方连接到工作台PST、MST，将磁铁单元和电枢单元的另一方设置于工作台PST、MST的移动面侧即可。
为了使因基片台PST的移动而发生的反作用力不传给投影光学系统PL，也可以使用框架部件以机械方式释放到地面(大地)。该反作用力的处理方法，例如，在美国专利5,528,118(日本专利公开特开平8-166475号公报)中详细地进行了公开，在本国际申请所指定或选定的国家的法令中所允许的范围内，援引此文献的记载内容并作为本文记载的一部分。
为了使因掩模台MST的移动而发生的反作用力不传给投影光学系统PL，也可以使用框架部件以机械方式释放到地面(大地)。该反作用力的处理方法，例如，在美国专利第5,874,820(日本专利公开特开平8-330224号公报)中详细地进行了公开，在本国际申请所指定或选定的国家的法令中所允许的范围内，援引此文献的公开内容并作为本文记载的一部分。
如以上那样，本申请实施方式的曝光装置EX通过组装包含本申请专利要求的范围中列举的各构成要素的各种子系统以确保规定的机械精度、电气精度、光学精度来进行制造。为了确保这些各种精度，在此组装前后，对于各种光学系统进行为了达到光学精度的调整、对于各种机械系进行为了达到机械精度的调整、对于各种电气系统进行为了达到电气精度的调整。从各种子系统到曝光装置的组装工序，包含各种子系统相互的机械连接、电气电路的配线连接、气压电路的配管连接等。不言而喻在从此各种子系统到曝光装置的组装工序之前，有各子系统各自的组装工序。一旦各种子系统向曝光装置的组装工序结束，就进行综合调整，确保作为曝光装置整体的各种精度。此外，曝光装置的制造最好是在管理了温度以及清洁度等的清洁室中进行。
半导体器件等的微器件，如图14所示经过以下步骤来进行制造，即，进行微器件的功能、性能设计的步骤201；制作基于该设计步骤的掩模(网线)的步骤202；制造作为器件的基材的基片的步骤203；通过前述实施方式的曝光装置EX将掩模的图案在基片上进行曝光的曝光处理步骤204；器件组装步骤(包含切割工序、键合工序、封装工序)205以及检查步骤206等。
产业上的可利用性
根据本发明，就能够精确地进行对准处理，所以就可以精度良好地在基片上形成所希望的图案。另外，还能够防止液体向基片台的内部等浸入。

Claims (26)

1.一种经由液体将曝光光照射到基片上，由此来曝光上述基片的曝光装置，其特征在于具备：
具有保持上述基片的基片架，在上述基片架上保持上述基片并可移动的基片台；
供给液体的液体供给机构；
检测在上述基片架上是否保持着基片或者虚设基片的检测器；以及
基于上述检测器的检测结果来控制上述液体供给机构的动作的控制装置。
2.按照权利要求1所述的曝光装置，其特征在于还具备：
用于在基片架上吸附基片的基片吸附保持机构，
上述检测器是与基片吸附保持机构流体连接的压力检测器。
3.一种经由液体将曝光光照射到基片上，由此来曝光上述基片的曝光装置，其特征在于具备：
具有保持上述基片的基片架，在上述基片架上保持基片并可移动的基片台；以及
只要是在上述基片架上保持着基片或虚设基片的情况就在上述基片台上供给液体的液体供给机构。
4.一种经由液体将曝光光照射到基片上，由此来曝光上述基片的曝光装置，其特征在于具备：
保持上述基片并可移动的基片台；以及
只要是在上述基片台上保持着基片或虚设基片的情况就在上述基片台上形成浸液区域的浸液机构。
5.按照权利要求4所述的曝光装置，其特征在于：
上述基片台在其所保持的基片或虚设基片的周围具有与其所保持的基片或虚设基片的表面大致同一个面的平坦部。
6.按照权利要求5所述的曝光装置，其特征在于还具备：
被配置在上述基片台的平坦部的计测部件；以及
在上述计测部件上的至少一部分形成了浸液区域的状态下，检测来自上述计测部件的光的检测系统。
7.按照权利要求1、3及4中任一项所述的曝光装置，其特征在于还具备：
收容虚设基片的虚设基片库。
8.一种经由液体将曝光光照射到基片上，由此来曝光上述基片的曝光装置，其特征在于：
具有用于保持上述基片的凹部和被配置在上述凹部的周围、与上述凹部所保持的上述基片的表面大致同一个面的平坦部的基片台；以及
在上述基片台上的凹部中配置物体，只要是上述物体表面与上述平坦部成为大致同一个面的情况就在上述基片台上形成浸液区域。
9.按照权利要求8所述的曝光装置，其特征在于：
上述物体包含基片或虚设基片。
10.按照权利要求8所述的曝光装置，其特征在于还具备：
在上述凹部中未配置上述物体的情况下，禁止在上述基片台上形成浸液区域的控制装置。
11.按照权利要求9所述的曝光装置，其特征在于还具备：
为了形成上述浸液区域而供给液体的浸液机构，
上述控制装置在上述凹部中未配置上述物体的情况下，中止利用上述浸液机构的液体供给。
12.按照权利要求9所述的曝光装置，其特征在于：
上述控制装置在上述凹部中未配置上述物体的情况下，控制上述基片台的移动以使得上述基片台从被照射曝光光的区域离开。
13.一种器件制造方法，使用权利要求1、3、4及8中任一项所述的曝光装置。
14.一种经由液体将曝光光照射到可移动的基片台所保持的基片上，由此来曝光上述基片的曝光方法，其特征在于包括以下步骤：
检测在上述基片台上是否保持着上述基片或者虚设基片；以及
依照上述检测结果来判断是否在上述基片台上形成浸液区域。
15.一种器件制造方法，使用权利要求14所述的曝光方法。
16.一种经由基片上的液体将与规定图案相应的曝光光照射到上述基片上，由此来曝光上述基片的曝光装置，其特征在于具备：
保持上述基片并进行移动的载物台装置，
其中，具有应对上述液体向上述载物台装置内浸入的浸入应对功能。
17.按照权利要求16所述的曝光装置，其特征在于：
上述载物台装置具有保持上述基片的基片架，
上述浸入应对功能包括当在上述基片架上配置着虚设基片时，在上述载物台装置上配置液体的功能。
18.按照权利要求17所述的曝光装置，其特征在于还具备：
检测出在上述基片架上配置着上述虚设基片的检测器，
上述浸入应对功能包括依照上述检测器的检测结果来控制液体向上述载物台装置上的配置的功能。
19.按照权利要求17所述的曝光装置，其特征在于还具备：
可将液体供给到上述载物台装置上的液体供给机构，
上述浸入应对功能当在上述基片架上配置着上述虚设基片时使液体供给机构供给液体。
20.按照权利要求17所述的曝光装置，其特征在于还具备：
可在上述载物台装置上形成浸液区域的形成机构，
上述浸入应对功能当在上述基片架上配置着上述虚设基片时使上述形成机构形成上述浸液区域。
21.按照权利要求17所述的曝光装置，其特征在于：
上述载物台装置具有保持上述基片的基片架，
上述浸入应对功能包括当在上述基片架上未配置上述基片及上述虚设基片时，在上述载物台装置上不配置液体的功能。
22.按照权利要求17所述的曝光装置，其特征在于：
浸入应对功能包括当在上述基片架上配置着上述基片或者虚设基片时、和在上述基片架上未配置上述基片或者虚设基片时，改变上述载物台装置的位置控制的功能。
23.按照权利要求16所述的曝光装置，其特征在于：
上述载物台装置具有保持上述基片的基片架，
上述浸入应对功能包括当液体被配置在上述载物台装置上时，将上述基片或者虚设基片配置在上述基片架上的功能。
24.按照权利要求16所述的曝光装置，其特征在于还具备：
可将液体供给到上述载物台装置上的液体供给机构，
上述浸入应对功能包括依照上述载物台装置的位置控制来控制上述液体供给机构的功能。
25.按照权利要求16所述的曝光装置，其特征在于还具备：
可将液体供给到上述载物台装置上的液体供给机构，
上述浸入应对功能包括在上述液体供给机构将液体供给到上述载物台装置上时、和上述液体供给机构未将液体供给到上述载物台装置上时，改变上述载物台装置的位置控制的功能。
26.一种器件制造方法，包括如下步骤：
使用权利要求16至25中任一项所述的曝光装置将与器件图案相应的曝光光照射到上述基片上。
CN201110302682.8A 2003-10-09 2004-10-12 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法 Expired - Fee Related CN102360167B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-350628 2003-10-09
JP2003350628 2003-10-09
JP2004-045103 2004-02-20
JP2004045103 2004-02-20

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800294669A Division CN100485862C (zh) 2003-10-09 2004-10-12 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102360167A true CN102360167A (zh) 2012-02-22
CN102360167B CN102360167B (zh) 2015-01-07

Family

ID=34436914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110302682.8A Expired - Fee Related CN102360167B (zh) 2003-10-09 2004-10-12 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法

Country Status (10)

Country Link
US (5) US8130361B2 (zh)
EP (6) EP2937734B1 (zh)
JP (9) JP5136565B2 (zh)
KR (8) KR101183851B1 (zh)
CN (1) CN102360167B (zh)
HK (4) HK1094090A1 (zh)
IL (1) IL174854A (zh)
SG (3) SG10201508288RA (zh)
TW (4) TWI598934B (zh)
WO (1) WO2005036624A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI828021B (zh) * 2020-12-22 2024-01-01 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 用於修復微影光罩缺陷之方法和裝置以及執行修復微影光罩缺陷的方法之電腦程式載體

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200509205A (en) * 2003-05-23 2005-03-01 Nippon Kogaku Kk Exposure method and device-manufacturing method
TWI598934B (zh) * 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
JP4843503B2 (ja) * 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
EP3208658B1 (en) 2004-02-04 2018-06-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
KR101555707B1 (ko) 2005-04-18 2015-09-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
CN100462845C (zh) * 2005-11-11 2009-02-18 台湾积体电路制造股份有限公司 具有晶圆密封机构的改良型浸润式微影系统及其方法
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
JP4704221B2 (ja) * 2006-01-26 2011-06-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7978308B2 (en) * 2006-05-15 2011-07-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201809913A (zh) * 2006-09-01 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
JP2008283052A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Toshiba Corp 液浸露光装置および半導体装置の製造方法
JP5266855B2 (ja) * 2008-04-21 2013-08-21 日本電気株式会社 光学式外観検査装置
TW200944946A (en) * 2008-04-28 2009-11-01 Nanya Technology Corp Exposure system
JP2009295933A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Canon Inc ダミー露光基板及びその製造方法、液浸露光装置、並びに、デバイス製造方法
US8290240B2 (en) * 2008-06-11 2012-10-16 Sirona Dental Systems Gmbh System, apparatus, method, and computer program product for determining spatial characteristics of an object using a camera and a search pattern
NL2002998A1 (nl) * 2008-06-18 2009-12-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
JP2012004490A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び基板搬送方法
US9083863B2 (en) 2012-04-20 2015-07-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Alignment system for a digital image capture device
US9162880B2 (en) 2012-09-07 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Mass transfer tool
US9217917B2 (en) * 2014-02-27 2015-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Three-direction alignment mark
JP6506153B2 (ja) * 2015-10-27 2019-04-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 変位検出装置および変位検出方法ならびに基板処理装置
JP6207671B1 (ja) * 2016-06-01 2017-10-04 キヤノン株式会社 パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法
JP6307730B1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-11 株式会社新川 半導体装置の製造方法、及び実装装置
WO2018094668A1 (zh) * 2016-11-24 2018-05-31 深圳市大疆创新科技有限公司 水泵的清洁方法、水泵动力组件及农业无人机的加药装置
JP2018116036A (ja) * 2017-01-13 2018-07-26 株式会社エンプラス マーカ搭載用ユニット
KR102161185B1 (ko) * 2017-02-24 2020-09-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판의 진공 프로세싱을 위한 장치, 기판의 진공 프로세싱을 위한 시스템, 및 진공 챔버에서의 기판 캐리어 및 마스크 캐리어의 운송을 위한 방법
US11550234B2 (en) 2018-10-01 2023-01-10 Asml Netherlands B.V. Object in a lithographic apparatus
NL2023907A (en) 2018-10-05 2020-05-06 Asml Netherlands Bv Gas Mixing For Fast Temperature Control On the Cooling Hood
KR102227885B1 (ko) * 2020-06-02 2021-03-15 주식회사 기가레인 패턴 정렬 가능한 전사 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US20010019401A1 (en) * 2000-02-29 2001-09-06 Nobuyuki Irie Exposure apparatus, microdevice, photomask, and exposure method
CN1349252A (zh) * 2000-08-23 2002-05-15 索尼株式会社 图案检查设备,和使用其的曝光设备控制系统

Family Cites Families (225)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) * 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS587823A (ja) 1981-07-06 1983-01-17 Hitachi Ltd アライメント方法およびその装置
US4410563A (en) 1982-02-22 1983-10-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Repellent coatings for optical surfaces
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
US4650983A (en) * 1983-11-07 1987-03-17 Nippon Kogaku K. K. Focusing apparatus for projection optical system
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
US4617057A (en) 1985-06-04 1986-10-14 Dow Corning Corporation Oil and water repellent coating compositions
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62266846A (ja) * 1986-05-15 1987-11-19 Canon Inc ウエハ検出装置
JPS62298728A (ja) 1986-06-18 1987-12-25 Fujitsu Ltd 照度測定装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5117254A (en) * 1988-05-13 1992-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH0294540A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Canon Inc 基板着脱装置
JP3033135B2 (ja) 1990-06-13 2000-04-17 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP2897355B2 (ja) * 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP3031993B2 (ja) * 1990-11-05 2000-04-10 株式会社東芝 Ｘ線露光装置
US6503567B2 (en) 1990-12-25 2003-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transparent substrate and method of manufacturing the same
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
US5243195A (en) * 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
US5689339A (en) * 1991-10-23 1997-11-18 Nikon Corporation Alignment apparatus
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3198309B2 (ja) 1992-12-10 2001-08-13 株式会社ニコン 露光装置、露光方法およびワーク処理方法
JPH06232379A (ja) 1993-02-01 1994-08-19 Sharp Corp 固体撮像素子
JP3412704B2 (ja) * 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
TW417158B (en) * 1994-11-29 2001-01-01 Ushio Electric Inc Method and device for positioning mask and workpiece
JP3387075B2 (ja) * 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
AU5067898A (en) 1996-11-28 1998-06-22 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
KR100197885B1 (ko) * 1996-12-23 1999-06-15 윤종용 노광설비의 기준마크 보호장치
EP0890136B9 (en) 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3817836B2 (ja) * 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1149504A (ja) 1997-07-29 1999-02-23 Toshiba Eng Co Ltd 廃活性炭と水との分離装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
AU2549899A (en) 1998-03-02 1999-09-20 Nikon Corporation Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device
WO1999048192A1 (fr) * 1998-03-19 1999-09-23 Nikon Corporation Moteur plat, etage, dispositif d'exposition et son procede de fabrication, et dispositif et procede permettant de fabriquer lesdits elements
JP3602720B2 (ja) * 1998-04-27 2004-12-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6498582B1 (en) 1998-06-19 2002-12-24 Raytheon Company Radio frequency receiving circuit having a passive monopulse comparator
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
DE69930398T2 (de) 1999-09-20 2006-10-19 Nikon Corp. Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren
US6549277B1 (en) * 1999-09-28 2003-04-15 Nikon Corporation Illuminance meter, illuminance measuring method and exposure apparatus
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP2001267400A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Kyocera Corp ウエハ支持部材
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
JP4579376B2 (ja) 2000-06-19 2010-11-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
EP1186959B1 (en) * 2000-09-07 2009-06-17 ASML Netherlands B.V. Method for calibrating a lithographic projection apparatus
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002289514A (ja) * 2000-12-22 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
TW530334B (en) * 2001-05-08 2003-05-01 Asml Netherlands Bv Optical exposure apparatus, lithographic projection tool, substract coating machine, and device manufacturing method
EP1256843A1 (en) * 2001-05-08 2002-11-13 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating a lithographic apparatus
US20040253809A1 (en) 2001-08-18 2004-12-16 Yao Xiang Yu Forming a semiconductor structure using a combination of planarizing methods and electropolishing
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
JP3448812B2 (ja) * 2002-06-14 2003-09-22 株式会社ニコン マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法
WO2004019128A2 (en) 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) * 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101382738B (zh) * 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
KR101157002B1 (ko) * 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN1717776A (zh) * 2002-12-10 2006-01-04 株式会社尼康 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP4645027B2 (ja) 2002-12-10 2011-03-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
EP1429190B1 (en) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
JP4364805B2 (ja) 2002-12-19 2009-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上にスポットを照射する方法及び装置
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
DE10303902B4 (de) * 2003-01-31 2004-12-09 Süss Microtec Lithography Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske
US7090964B2 (en) * 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
SG2012050829A (en) * 2003-04-10 2015-07-30 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
JP4650413B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-16 株式会社ニコン 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
SG185136A1 (en) 2003-04-11 2012-11-29 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
KR101225884B1 (ko) 2003-04-11 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI282487B (en) 2003-05-23 2007-06-11 Canon Kk Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101728664B1 (ko) * 2003-05-28 2017-05-02 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI347741B (en) * 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1491956B1 (en) * 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP2853943B1 (en) * 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
US20050007596A1 (en) 2003-07-11 2005-01-13 Wilks Enterprise, Inc. Apparatus and method for increasing the sensitivity of in-line infrared sensors
SG109000A1 (en) * 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145643B2 (en) * 2003-08-07 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
TWI263859B (en) * 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR20170070264A (ko) 2003-09-03 2017-06-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
EP1519230A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1519231B1 (en) * 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005136374A (ja) * 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4524601B2 (ja) * 2003-10-09 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7352433B2 (en) * 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005050324A2 (en) 2003-11-05 2005-06-02 Dsm Ip Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
WO2005059654A1 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
DE602005008707D1 (de) 2004-01-14 2008-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Catadioptrisches projektionsobjektiv
KR101295439B1 (ko) 2004-01-16 2013-08-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
JP4843503B2 (ja) 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
WO2005074606A2 (en) 2004-02-03 2005-08-18 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070165198A1 (en) 2004-02-13 2007-07-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7513802B2 (en) 2004-03-23 2009-04-07 Leviton Manufacturing Company, Inc. Lamp base adapter
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7712905B2 (en) 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US20060244938A1 (en) 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101199076B1 (ko) 2004-06-04 2012-11-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US20010019401A1 (en) * 2000-02-29 2001-09-06 Nobuyuki Irie Exposure apparatus, microdevice, photomask, and exposure method
CN1349252A (zh) * 2000-08-23 2002-05-15 索尼株式会社 图案检查设备,和使用其的曝光设备控制系统

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI828021B (zh) * 2020-12-22 2024-01-01 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 用於修復微影光罩缺陷之方法和裝置以及執行修復微影光罩缺陷的方法之電腦程式載體

Also Published As

Publication number Publication date
IL174854A (en) 2013-11-28
EP3432073A8 (en) 2019-02-20
US10209623B2 (en) 2019-02-19
US20160313650A1 (en) 2016-10-27
JP2010087531A (ja) 2010-04-15
KR101832713B1 (ko) 2018-02-27
JP6036791B2 (ja) 2016-11-30
EP3432073A1 (en) 2019-01-23
KR101613062B1 (ko) 2016-04-19
TW200514138A (en) 2005-04-16
JP5765285B2 (ja) 2015-08-19
JP2019035983A (ja) 2019-03-07
KR101183850B1 (ko) 2012-09-18
CN102360167B (zh) 2015-01-07
SG10201702204YA (en) 2017-05-30
JP2016014901A (ja) 2016-01-28
TWI553701B (zh) 2016-10-11
EP2937734A1 (en) 2015-10-28
KR101261774B1 (ko) 2013-05-07
TWI598934B (zh) 2017-09-11
JP2011181937A (ja) 2011-09-15
JP6304190B2 (ja) 2018-04-04
JP2018028692A (ja) 2018-02-22
EP1672680A4 (en) 2008-08-06
SG147431A1 (en) 2008-11-28
US9063438B2 (en) 2015-06-23
US9383656B2 (en) 2016-07-05
JP5299465B2 (ja) 2013-09-25
EP2937734B1 (en) 2016-12-28
EP2284614A3 (en) 2013-10-30
JP2014103404A (ja) 2014-06-05
KR20160044595A (ko) 2016-04-25
EP2284614A2 (en) 2011-02-16
JP2012142606A (ja) 2012-07-26
KR101523456B1 (ko) 2015-05-27
EP1672680A1 (en) 2006-06-21
KR20140097387A (ko) 2014-08-06
KR20110131307A (ko) 2011-12-06
JP2015039036A (ja) 2015-02-26
US20150227058A1 (en) 2015-08-13
KR20060120651A (ko) 2006-11-27
WO2005036624A1 (ja) 2005-04-21
EP2284614B1 (en) 2015-03-04
IL174854A0 (en) 2006-08-20
TW201738932A (zh) 2017-11-01
KR20130105932A (ko) 2013-09-26
KR20120064136A (ko) 2012-06-18
HK1164462A1 (zh) 2012-09-21
TWI376724B (zh) 2012-11-11
HK1259349A1 (zh) 2019-11-29
US20190155168A1 (en) 2019-05-23
EP1672680B1 (en) 2012-12-19
JP2017004029A (ja) 2017-01-05
HK1214373A1 (zh) 2016-07-22
HK1094090A1 (en) 2007-03-16
SG10201508288RA (en) 2015-11-27
JP5136565B2 (ja) 2013-02-06
EP3206083B1 (en) 2018-06-20
US20060187432A1 (en) 2006-08-24
TW201612951A (en) 2016-04-01
EP3410216A1 (en) 2018-12-05
KR20130006719A (ko) 2013-01-17
EP3206083A1 (en) 2017-08-16
US20120120381A1 (en) 2012-05-17
TW201243910A (en) 2012-11-01
KR101183851B1 (ko) 2012-09-18
JP5811169B2 (ja) 2015-11-11
KR101476903B1 (ko) 2014-12-26
JP6332395B2 (ja) 2018-05-30
US8130361B2 (en) 2012-03-06
KR20180021920A (ko) 2018-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102360167B (zh) 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法
TWI619148B (zh) 曝光裝置、元件製造方法
CN102163005B (zh) 投影曝光装置、器件制造方法以及光学部件
KR101166007B1 (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법
US9599907B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101264936B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101342303B1 (ko) 노광 장치 및 그 부재의 세정 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 그리고 디바이스 제조 방법
US7914972B2 (en) Exposure method and device manufacturing method
KR101505756B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
US8885142B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101342330B1 (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US9013673B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101510059B (zh) 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法
WO2005106930A1 (ja) 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2011066412A (ja) リソグラフィ装置、カバープレート、およびデバイス製造方法
CN1890779B (zh) 曝光装置、曝光方法和器件制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1164462

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1164462

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150107

Termination date: 20191012