CN102637451A - 一种存储器集成电路以及存储器阵列 - Google Patents
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Abstract
在本发明的一个实施例中,提供了一种存储器集成电路,包括:在存储器阵列中有选择地存取存储单元的地址解码器;具有存储启动位和至少一个子通道选择位的位存储电路的模式寄存器;以及控制逻辑。控制逻辑被耦合到多条地址信号线、地址解码器和模式寄存器。响应于启动位和至少一个子通道选择位,控制逻辑选择一条或多条地址信号线以捕捉独立地址信息,从而支持对存储器阵列的独立子通道存储器存取。控制逻辑将独立地址信息耦合到地址解码器中。
Description
本申请是中国国家申请号200610136320.5、名称为“一种存储器集成电路以及存储器阵列”的申请的分案申请。
领域
本发明的实施例通常涉及存储器体系结构,特别是涉及存储控制器和系统存储器之间的存储器通道。
背景信息
在具有一致或一体化的存储器存取的存储器体系结构,有时称为一体化存储器体系结构(UMA)中,处理器以及图形控制器共享系统存储器以降低成本。通常,UMA存储器体系结构可以优化为处理从处理器到系统存储器中的存储请求(读取/写入访问)。典型的UMA存储器体系结构兼顾由图形控制器作出的存储请求。现在,图形性能已经变得更为重要,以支持三维(3D)以及更高分辨率。
在典型的UMA存储器体系结构中,高速缓冲存储器使用固定的六十四(64)字节的高速缓存线来支持由处理器作出的存储请求以及由图形控制器作出的存储请求。UMA存储器体系结构中典型的存储控制器具有一个或两个存储器通道。为了执行读取或写入访问,每一存储器通道与每一存储模块共享一地址总线中的全部地址线。典型的存储器通道中的数据总线通常为六十四(64)位宽,从而从存储器中同时存取给定地址的八(8)个字节的相邻数据。可以取决于所利用的存储器类型以及存储器大小以不同的方式将数据总线的位路由选择至存储器模块。
尽管处理器通常使用从存储器中存取的全部64位相邻数据时,图形控制器通常并非如此。当图形控制器在UMA存储器体系结构中作出存储请求时,多数相邻数据可以被弃除。因此,由典型的UMA存储器体系结构中的图形控制器所发出的存储请求可能不能高效地利用存储器通道的带宽。
附图的简要描述
从下面的详细描述中,本发明的实施例的特征会变得显而易见,其中:
图1A示出可利用本发明实施例的典型计算机系统的框图。
图1B示出可利用本发明实施例的客户机-服务器系统的框图。
图2A示出可利用本发明实施例的第一处理单元的框图。
图2B示出可利用本发明实施例的第二处理单元的框图。
图3A示出与一对存储器通道耦合的存储控制块的高级框图,其中每一存储器通道包括四个存储器子通道。
图3B示出与高速缓冲存储器和包括多个S子通道的一对存储器通道耦合的存储控制块中的存储控制器的详细框图。
图4A是示出使用线性存储器存取在不具有子通道的存储器通道上进行视频显示器上像素到存储器存取的映射的示意图。
图4B是示出在具有两个支持微区块存储存取的子通道的存储器通道上进行视频显示器上像素到存储器存取的映射的示意图。
图4C是示出在具有四个支持微区块存储器存取的子通道的存储器通道上进行视频显示器上像素到存储器存取的映射的示意图。
图5A是示出在64位宽的存储器通道上进行线性64字节存储器存取的示意图。
图5B是示出在一对32位宽的存储器子通道上进行一对32字节存储器存取的独立子通道存储器存取的示意图。
图5C是示出在四个16位宽的存储器子通道上进行四个16字节存储器存取的独立子通道存储器存取的示意图。
图6示出存储器通道的地址信号线位图。
图7A示出与安装于主机印刷电路板的连接器耦合的多芯片存储器模块的框图。
图7B示出嵌入主机印刷电路板上的多个存储器芯片和存储控制器的框图。
图8示出在存储器子通道上支持微区块存储器存取的存储器集成电路的框图。
图9A示出与16位宽的存储器子通道的模式寄存器和16字节的存储器存取耦合的地址过载逻辑电路的示意图。
图9B示出与32位宽的存储器子通道和32字节的存取器存取的模式寄存器耦合的地址过载逻辑电路的示意图。
图9C示出用于32位宽的存储器子通道和32字节存储器存取的调配逻辑电路的示意图。
图9D示出将图9B的地址过载逻辑与图9C的混和逻辑组合在一起用于32位宽的存储器子通道和32字节存储器存取的简化逻辑电路的示意图。
图10示出存储器集成电路用以提供微区块存储器存取的方法的流程图。
附图中相同的参考标记和指定表示提供类似功能的相同元件。
详细说明
为了提供对本发明的透彻理解,在本发明的实施例的以下详细描述中,阐明了多个特定细节。然而,对于所属领域技术人员来说本发明的实施例可以不由这些特定细节而实现是显而易见的。其它例如公知的方法、程序、部件以及电路没有被详细描述,以防不必要地混淆本发明的实施例的各个方面。
集成图形计算机系统的存储效率通常受到高速缓存线大小的限制。通常地,针对图形的理想存储器存取的大小是4到16字节的数据,因为图形处理器一次运算一个或几个像素或纹素(texel)。然而,UMA存储器体系结构针对64字节的高速缓存线进行优化以优化处理器存储效率。通过64字节的高速缓存线,平均来说,由图形控制器发出的存储请求导致大量数据从存储器中取出并且从来不被图形控制器所使用。未使用的数据可以称为过取出。
包括微区块存取的本发明实施例减少了来自图形控制器的存储器请求的过取出,同时保留了具有集成图形控制器的UMA存储器体系结构中的处理器的高速缓冲存储器线的需求。通常,微区块存取包括新的存储器体系结构和新的存储器控制器体系结构。尽管描述了新的存储器控制器体系结构,但本申请集中在支持微区块存取的新的存储器体系结构上。为了支持微区块存取存储器体系结构,新的存储器子系统提供了存储器通道内的独立子通道存储器存取。这些对存储器的独立子通道存储器存取可被称为微区块(micro-tile)或微区块化(micro-tiled)的存储器存取,且通常被称为微区块存取(micro-tiling)。
简言之,微区块存取启动由对存储器的不连续扇区或组块的更小请求所构成的存储请求。微区块存取存储器体系结构允许读取和写入存储取出基于请求者的请求而在大小和结构上改变。为了正确地标识更小的组块,由微区块化存储控制器将附加的地址信息提供给系统存储器。例如,在本发明的一个实施例中,64位宽的存储器通道(物理位宽)可被分成四个16位宽的子通道。在这一实现中,64字节的存储器存取(存储器通道的逻辑字节宽度)由四个不连续的16字节组块构成(假定存储处理是8次阵发传送)。每一子通道使用某些唯一的地址信息。图3A是四个16位的子通道的示例性实现,每一子通道具有某些唯一的地址信息。微区块存储器体系结构的其它实现可改变每一子通道的大小和提供给每一子通道的独立地址线的数目。
存在数种可用来向存储阵列的每一子通道提供附加的独立地址信息的方法,包括:通过从存储控制器到存储集成装置路由选择新型的专用线提供附加的地址线或将存储模块中经过路由选择的未使用的纠错码(ECC)信号线重定为附加的地址线。独立的附加地址信息同样可以在典型的未使用期间内通过过载现有的地址线而提供,该未使用期间例如在当列地址被写入存储集成电路中的存储周期内。在这一情况下,微区块存取支持可以在存储模块中实现并且仍然向现有存储模块实现提供反向兼容性。这些方法可分别使用,或者组合本发明的各个实施例使用,以在所需数目的地址线上提供附加的地址信息,其中地址线包括任何附加的地址线。
在本发明的一个实施例中,附加地址信号线经母板路由到存储器集成电路,以支持微区块存取和微区块存储器存取。新的地址信号线是从存储控制器经母板路由到存储器集成电路装置的专用地址线。在本发明的另一个实施例中,附加地址信号线经母板路由到新连接器,并且具有新引脚分配(引脚引出线)的新存储模块被插入新连接器。
在本发明的又一个实施例中,地址信号过载可以用于传递附加地址以支持微区块存取。典型的动态随机存取存储器(DRAM)集成电路在行地址选通(RAS#)控制信号被断言为低时在地址信号线上接收行地址。当列地址选通(CAS#)控制信号被断言为低时,DRAM集成电路在少量的地址信号线上接收列地址。当通过所有现存的地址信号线发送行地址时,已经观察到时常有较少的列地址通过相同的地址信号线发送。即,使用较少的现存的地址信号线来传递列地址信号。由此,当CAS#控制信号被断言为低时,通过未使用的地址信号线,附加地址信号可被传递到DRAM集成电路。以这个方式,没有任何或仅仅一些附加地址信号线需要被路由选择以支持用于微区块存取的附加寻址能力。
在本发明的另一个实施例中,未使用的纠错编码或奇偶信号线可以被用来递送附加地址以支持微区块存取。在一些存储模块中,纠错编码(ECC)可通过使ECC集成电路监视数据位并使附加存储器存储ECC数据来得到支持。然而,具有ECC的存储模块通常仅仅在更高端的系统中使用,例如服务器,因为它们更加昂贵。在桌面或客户计算机中,其中计算机的数量更多,ECC通常不被支持,因为它是额外的开销。在这些情况下,存储模块的一些引线取消了ECC,或者通常没有使用奇偶性。在没有ECC的存储模块中,未使用的ECC或奇偶引线可被用来传递附加地址,以支持微区块存取。存储模块的其他未使用的未连接(NC)引脚也可用来提供附加独立地址信号线,以支持微区块存取。
在本发明的又一个实施例中,附加的独立地址信令可通过组合由未使用引脚提供的附加地址信号线以及在列地址传送期间过载的地址信号而获得。
在标准的存储器通道中,例如基于双数据率(DDR)DRAM技术的存储器通道,存储器通道的逻辑宽度可被认为是M字节的宽度。数据的一个字节中有八个位。存储器通道的逻辑宽度某种程度上与存储模块的阵发数据传送的长度相关。也就是说,通过使用从基址递增的连续地址,M字节的数据可通过形成一阵发数据传送来连续地存取。通常,要被存取(读取或写入)的字节块的基址是通道的逻辑宽度的整数倍。存储器通道的物理宽度是存储控制器和存储模块之间的数据总线的位宽度。典型的最小阵发长度可以是具有可由地址线的最低有效位设置的起始字节顺序的八个存储周期。使用64位的典型物理宽度,8个存储周期存取存储器通道中的64字节数据。因此,存储器通道的典型逻辑宽度是64字节的数据。
如上所述,存储器通道的逻辑宽度是可以从基址连续传送的字节数目,且存储器通道的物理宽度是存储控制器和存储模块之间的数据总线的位宽度(“WDB”)。微区块化存储系统将存储器通道的逻辑宽度和物理宽度平分为具有更小的逻辑字节宽度和更小的物理位宽度的子通道。
存储器的微区块存取将存储器通道的物理宽度(WDB位)以及存储器通道的逻辑宽度(M字节)分为S个子通道(WSC)。每一子通道具有WSC=WDB/S位的物理宽度以及N=M/S字节的逻辑宽度。因此,对于于每一阵发数据传送,N字节的数据可在每一子通道中的数据线的WSC位上传送。存储器通道可具有在存储器中全部要存取的存储位置TML。每一子通道存取存储器通道的全部存储位置的子集(TSML),其中TSML=TML/S。
存微区块存取存储器中,每一子通道可在彼此独立的存储器通道上存取更小粒度的数据。为了使得它们完全地独立,单独的地址信号线可从存储控制器到每一子通道进行路由选择。为了避免路由选择太多单独的地址信号线,某些地址信号线可跨多个子通道共享,因而可以从一组公用地址中独立地选择出存储位置。因而,呈现给每一子通道的地址具有多个独立的地址位(“I”),其值可以不同于呈现给其它子通道的地址中的相应位。因此,当在每一子通道上传送的数据表示相邻的数据块时,每一子通道上的数据块并非必须从相邻的地址范围内形成。
本发明的实施例可使用于不同的系统中,诸如图1A-1B中所示。现在参照图1A,示出可利用本发明的实施例的典型计算机系统100的框图。计算机系统100A包括:第一处理单元101;输入/输出装置(I/O)102,诸如键盘、调制解调器、打印机、外部存储装置等等;以及监视装置(M)103,例如CRT或图形显示器。监视装置(M)103可以以人们可理解的格式,例如视频或音频格式来提供计算机信息。除了计算机系统,系统100可以是多个不同的电子系统。
现在参照图1B,示出可使用本发明的实施例的客户机服务器系统100B。客户机服务器系统100B包括与网络112耦合的一个或多个客户机110A-110M以及与网络112耦合的服务器114。为了发送或接收信息以及获取对服务器中可能需要的任意数据库和/或应用软件的访问权,客户机110A-110M通过网络112与服务器114通信。客户机110A-110M和服务器114可以作为典型的计算机系统100A的实例。服务器114具有带存储器的处理单元,并且可进一步包括一个或多个盘驱动存储装置。服务器114可使用于存储区域网络(SAN)作为例如网络附连存储器(NAS)装置,且具有盘阵列。服务器114的数据存取可在网络112上与多个客户机110A-110C共享。
现在参照图2A,示出可使用本发明实施例的第一处理单元101A的框图。处理单元101A可包括如图所示耦合在一起的处理器电路201、存储控制块202、外部高速缓冲存储器203E、一个或多个存储器通道204A-204N、图形控制器206以及输入/输出控制器207。处理单元101的处理器电路201、存储控制块202、高速缓冲存储器203E、图形控制器206以及输入/输出控制器207中的两个或多个元件的组合可集成在一起作为单个集成电路。例如,存储控制块202、图形控制器206以及输入/输出控制器207可以集成在一起作为集成电路210。作为另一示例,处理器电路201、存储控制块202、高速缓冲存储器203E、图形控制器206以及输入/输出控制器207可以集成在一起作为集成电路210’。作为又一示例,具有其存储控制器的存储控制块207可集成为处理器电路201。尽管连接在处理器电路201和存储控制块202之间的外部高速缓冲存储器203E被示为是集成电路210’的一部分,但它可以是单独的电路。常常,高速缓冲存储器203E保持在集成电路210’的外部,因为分开制造大存储容量更为有效。
处理器电路201可包括一个或多个执行单元或一个以上的处理器(同样称为核心处理器)作为一多处理器集成电路,例如处理器A-N 201A-201N。处理器电路201的每一处理器可具有一级或多级芯片上或内部高速缓冲存储器203I或共享同一内部高速缓冲存储器。其它级的高速缓冲存储器可在处理器201的外部并且通过接口连接到存储控制器,例如外部高速缓冲存储器203E。处理器电路201同样可以具有芯片上或内部随机存取存储器(RAM)以及芯片上或内部只读存储器(ROM),如同微型计算机可具有的那样。处理器201、它的一个或多个执行单元、以及一级或多级高速缓存可通过存储控制块202由一个或多个存储器通道204A-204N读取或写入数据(包括指令)。
耦合在一个或多个存储器通道204A-204N、处理器201以及图形控制器206之间的存储控制块202可任选地具有其自身的内部高速缓冲存储器203M,或者它可以在外部作为另一级的高速缓冲存储器。存储控制模块202包括一个或多个用于相应的一个或多个存储器通道204A-204N中的每一个的微区块存储控制器MCA-MCN 208A-208N。
一个或多个存储器通道204A-204N中的每一个包括一个或多个存储模块MM1-MMn。每个存储模块包括一个或多个存储集成电路或装置。一个或多个存储集成电路或装置可以是各种类型的存储集成电路,包括动态随机存取存储器(DRAM)电路、静态随机存取存储器(SRAM)电路、或者非易失性随机存取存储器(NVRAM)电路。然而,在本发明的优选实施例中,一个或多个存储集成电路是动态随机存取存储器(DRAM)电路。
一个或多个存储器通道204A-204N中的每一个包括两个或多个存储器子通道。在图2A中,在每一个存储器通道204A-204N中包括四个存储器子通道205A-205D。暂时参考图2B,在每个存储器通道204A-204N中包括两个存储器子通道205A′-205B′。尽管在每一存储器通道中示出了两个和四个存储器子通道,但应该理解的是,存储器通道的其它分割可以是具有包括偶数或奇数个子通道。当存储器通道的逻辑宽度或脉冲串长度增加时尤其如此。
每一存储器通道204A-204N中的一个或多个存储模块MM1-MMn可配置成支持微区块存取。可由存储控制块使用一算法来确定一个或多个存储模块是否支持微区块存取。一个或多个存储模块上所包括的一个或多个存储电路或装置可配置成支持微区块存取。一个或多个存储电路可以是微区块化启动(MTE)的并被指派为支持特定的存储器子通道。一个或多个存储电路可在模式寄存器中包括附加引脚或具有附加位以被微区块化启动并被指派为特定的存储器子通道。在附加引脚由存储电路提供的情况下,外部跨接引脚、跨接电线或微开关(例如,DIP开关)可以用于配置微区块存取支持。在模式寄存器设置在存储电路中的情况下,每一子通道的数据总线的独立部分可以用于向模式寄存器加载适当的加载选通脉冲。
I/O控制器207可与存储控制块202耦合以将数据写入一个或多个存储器通道204A-204N,因而其可由处理器201所存取。处理单元101可进一步包括与I/O控制器207耦合的无线网络接口电路(WNIC)213、有线网络接口电路或卡(NIC)214、通用串行总线(USB)和/或火线(FW)串行接口215、和/或盘驱动器216。无线网络接口电路(WNIC)213诸如通过无线局域网、wifi(IEEE802.11)、蓝牙或其它无线电连接提供与基站无线电单元的无线电连接局域。无线网络互连(WNIC)213包括通过无线电波与基站无线电单元或其它移动无线电单元耦合的天线。NIC214提供以太网有线局域网络连接。USB/FW串行接口215允许系统扩展以包括其它I/O外围设备。盘驱动器216是公知的并且提供了处理器201的可重写存储。盘存储装置216可以是软盘、zip盘、DVD盘、硬盘、可重写光盘、闪存或其它非易失性存储装置的一个或多个。
图形控制器206耦合于存储控制块202以读写数据到一个或多个存储器通道204A-204N。处理器201可向一个或多个存储器通道204A-204N写入数据,从而它可由图形控制器206存取并且可在图形显示器或视频装置上监视。图形显示器217可与图形控制器206耦合。视频接口218可与图形控制器206耦合。视频接口218可以是模拟和/或数字视频接口。
在处理单元101A中,处理器201、I/O控制器207以及图形控制器206可以通过存储控制块202中的存储控制器在一个或多个存储器通道204A-204N中存取数据。存储控制块中的存储控制器分别通过接口连接到存储器通道204A-204N以在系统存储器与处理器201、I/O控制器207和图形控制器206之间读取和写入数据。在将微区块化存储控制器208A-208N分别通过接口连接到存储器通道204A-204N中时,可存在作为存储接口的一部分的地址总线的地址信号线220、数据总线的数据信号线222以及控制和时钟信号线224。与I/O控制器207耦合的输入装置,诸如光盘存储装置216,同样可以向系统存储器读写信息。
通常,数据总线的数据信号线222被分为S个子通道。在图2B中,其中S为四,数据总线的数据信号线222分为四个子通道,如由子通道数据线222A、222B、222C和222D所示并且与相应子通道205A、205B、205C和205D耦合。例如,64位总线被分为四组16位的数据线。在本发明的一个实施例中,当其它地址线从一个子通道与相邻的下一个子通道相独立时,在各子通道中部分地址信号线220可被共享。在本发明的另一个实施例中,地址信号线220可以完全独立为每一子通道。以下进一步描述地址信号线。
现在参考图2B,示出了其中可利用本发明实施例的第二处理单元101B的框图。该第二处理单元101B与第一处理单元101A类似,其中可包括如所示地被耦合在一起的处理器电路201、存储器控制块202、外部高速缓冲存储器203E、一个或多个存储器通道204A-204N、图形控制器206和输入/输出控制器207。为了简单起见,对于类似编号的元件,参考图2A的描述,其描述不在这里重复。然而,如图所示,在第二处理单元101B中,一个或多个存储器通道204A-204N各自被划分到两个子通道205A′和205B′中。即,子通道S的数量是两个。通过子通道数据线222A和222B且与相应的子通道205A′和205B′耦合,如图所示,数据总线的数据信号线222被分成到两个子通道中。例如,六十四位总线可被分成两组三十二位数据线。在本发明的一个实施例中,在每一个子通道中可共享部分地址信号线220,而其它地址信号线是从一个子通道到下一个子通道独立的。在本发明的另一个实施例中,在每个子通道中地址信号线220可以完全独立。
现在参照图3A,示出两个存储器通道的框图。图3A示出与存储器通道0304A和存储器通道1 304B耦合的组合的图形和存储控制器300,也称为主机300。每一个存储器通道0 304A和存储器通道1 304B各自被分成四个子通道305A、305B、305C和305D。每个存储器通道具有独立的微区块存储控制器以支持存储器通道的子通道。每一个存储器通道具有独立的数据总线。例如,假定存储器通道的每一数据总线是总共64位的数据位宽度,每一子通道与数据总线的16位独立组耦合。子通道305A与数据位D15-D0耦合,子通道305B与数据位D31-D16耦合,子通道305C与位D47-D32耦合,以及子通道305D与数据位D63-D48耦合,如图3A中所示。
如上所述,在本发明的一个实施例中,当其它地址线从一个子通道到相邻的下一个子通道独立时,在每一子通道中部分地址信号线可被共享。例如地址信号线310(标示为Axx-A10、BA2-BA0)对全部子通道305A-305D共享。也就是说,每一地址信号线310可被扇出并与每一子通道耦合。相反,地址信号线311A(标示为A9-A6的第一组)独立地耦合于子通道305A。地址信号线311B(标示为A9-A6的第二组)独立地耦合于子通道305B。地址信号线311C(标示为A9-A6的第三组)独立地耦合于子通道305C。地址信号线311D(标示为A9-A6的第四组)独立地耦合于子通道305D。
理想地,设置足够的独立地址线以允许在所分配的存储页面大小粒度内完全的可寻址性。页面大小通常由管理图形存储空间的软件设置。例如考虑在两通道高速缓存线交叉存取的存储子系统中4千字节(KB)的页面大小的分配情况。2KB的页面被映射到每一存储器通道。在这一情况下,五条地址线可用于在存储器的每一物理页面中寻址32条64B的高速缓存线。因此,15条附加的独立地址线对于四个16位子通道的实现应该是理想的。在标示为第一组地址线A10-A6的初始的第一组地址信号线311A之上,这些被示为地址信号线311B-D,其被分别标示为标示为A10-A6的第二、第三和第四组地址线。如果较少的附加独立地址线变为可用,则可由每一子通道寻址的独立地址空间被减少。如果较多的独立地址线变为对每一子通道可用,则可由每一子通道寻址的独立地址空间被增加。为了实现两个32位的子通道,需要具有五条附加的独立地址线。
在本发明的一个实施例中,额外的地址信号线可在存储控制器和子通道之间路由选择,以提供如图3A中所示的独立地址信号线。在本发明的另一实施例中,地址信号可过载到现有的地址线之上。在本发明的又一实施例中,额外的地址信号线的路由选择以及地址信号的过载的组合可用于支持微区块存取。在本发明的再一实施例中,每一子通道可设置有完整的一组独立地址线,而不需要如图3A中所示的共享地址线310。然而,通过避免独立地址信号线的路由选择,使用共享地址信号线310节省了印刷电路板区域。
现在暂时参照图6,示出使用共享和独立的地址位的存储器通道的地址信号线的位图。也就是说,图6是示出物理地址中的地址位的译码的地址位图。向每一子通道提供一组I独立地址位(IAB)以支持微区块存取。可向全部的子通道提供一组零或多个SA共享地址位(SAB)。一组Q子通道选择位(SSB)用于向子通道分配存储请求。一组P子通道数据地址位(SDAB)用于在DRAM存储器内的每一高速缓存线中寻址字节。该组P SDAB位通常是地址信号线图的最低有效位。该组Q SSB位和P SDAB位实际上并不在存储控制器和子通道存储器中路由选择,需要理解的是正在存取的数据块的基址是阵发大小的整数倍。也就是说,P SDAB位可以由存储集成电路,例如由根据双数据率(DDR)存储规范的DRAM装置在内部生成。当图6示出被选为共享的某一地址位和独立地址位时,可以替代地分配其它地址位。也就是说,通常将P子通道数据地址(SDAB)位上的地址位分为SA共享地址(SAB)位以及I独立数据地址(IAB)位是任意的。
现在参照图4A-4C,使用区块化的地址空间示出三角形的理想化的像素图再现图。图4A示出三角形401使用非微区块化存储系统在区块化的地址空间内的光栅化,其中存储系统的逻辑通道宽度是64字节。图4B-4C示出三角形401使用微区块化存储系统在区块化的地址空间内的光栅化。三角形401的光栅化单元是片段402。片段402可表示像素或纹素。区块化的地址空间是,将数据的逻辑二维阵列组织为一组子阵列的空间,从而子阵列内的数据被存储于相邻范围的地址空间中并且因而在存储器中高定位。被线性寻址的数据的逻辑二维阵列不具有这种子阵列;替代地,例如在一行中穿越从左到右地线性寻址片段402的数据,然后从上到下下移到下一行。因此,垂直的相邻片段402可以在存储器中相隔甚远。
和图4A相比,图4B-4C示出了微区块存储器存取如何提供更小存储请求的优点。图4A-4C中的每一个示出了三角形401针对不同存储请求大小的光栅化。
在图4A中,单个的存储请求包括了表示16个片段的数据。每一个单独的方块402表示一个片段,特别地每个片段有32位或4个字节的数据。图4A-4C示出20×20的片段阵列。如图4A中所示,4×4的片段阵列是跨距(span)404,并表示64字节的存储请求。子跨距424在图4C中示为2×2的片段阵列或16字节的存储请求。双倍子跨距414在图4B中示出,它是定址为2×4的片段阵列的32字节的存储请求。
图4A-4C之间的区别示出随着存储请求大小的降低在过取出方面理论上的降低量。在图4A-4C的每一个中,三角形401需要存取相同数目的片段。然而,存储器存取通常传送多于一个片段的数据,从而它可包括表示三角形401内的片段408以及三角形401外的片段406的数据。表示三角形401外的片段406的数据是被过取出的,从而导致存储带宽的低效使用。
在图4A中,64字节的存储器存取传送跨距404的数据,即4x4块片段。例如,跨距404A是第一64字节的存储器存取。跨距404B是第二64字节的存储器存取。例如,考虑到三角形401包括了约57个要再现的像素。对于64字节的存储器存取的情况,需要10个存储器存取来存取三角形内的65个片段。附加的95个片段的数据被存取,但是可能不被使用。
在图4B中,32字节的存储器存取传送双倍子跨距的数据,即2x4块片段或64字节存储器存取的二分之一。例如,双倍子跨距414A是第一32字节的存储器存取。双倍子跨距414B是第二32字节的存储器存取。对于32字节的存储器存取的情况,需要13个存储器存取来存取三角形内的65个片段。附加的47个片段的数据被存取,但是可能不被使用。
在图4C中,16字节的存储器存取传送子跨距的数据,即2x2块片段或64字节存储器存取的四分之一。跨距424A是第一16字节的存储器存取。跨距424B是第二16字节的存储器存取。跨距424C是第三16字节的存储器存取。跨距424D是第四16字节的存储器存取。对于16字节的存储器存取的情况,需要22个存储器存取来存取三角形内的65个片段。附加的13个片段的数据被存取,但是可能不被使用。
考虑另一个示例,其中在图4A、4B和4C的每一个中,三角形401需要65个像素或片段(260字节)显示。在图4A中,存取存储器的约10个跨距,其中包括用于再现三角形401的160个像素或640字节的数据。在图4B中,存取约13个双倍子跨距的数据,其中包括用于再现三角形401的112个像素或448字节的数据。在图4C中,存取约22个子跨距的数据,其中包括用于再现三角形401的88个片段或352字节的数据。因此,与图4A相比,在图4B和4C中,通过实现使用每一存储器通道内的子通道的微区块寻址,减少了过取出的像素或片段406。
如上所述,图4B-4C示出三角形401使用包括存储器子通道的微区块化存储系统在区块化的地址空间内的光栅化。在图4B中,64字节宽的存储器通道可由两个32字节宽的存储器子通道形成。在这种情况下,微区块化存储器存取将两个不连续的32字节存取组合为一个64字节的通道,两个子通道中的每一个用于64字节的总大小。三角形的光栅化导致对存取双倍子跨距414的请求。例如,微区块存储控制器可以将存取双倍子跨距414C和414D的请求组合为一个微区块存储器存取。作为另一个示例,存储控制器可以将存取双倍子跨距414E和414F的请求组合为单个微区块化的存储请求。存取双倍子跨距的请求的其它组合可以形成为单个微区块化的存储请求或通道。在本发明的一个或多个实施例中,组合的子通道通道具有在SA共享址位中共享的地址位模式。
在图4C中,64字节宽的存储器通道可以从四个16字节宽的存储器子通道中形成。在这种情况下,微区块存储器存取将四个不连续的16字节的通道组合为一个64字节的通道,四个子通道中的每一个用于64字节的总大小。三角形的光栅化导致对存取子跨距424的请求。例如,微区块存储控制器可以将存取子跨距424E、424F、424G和424H的请求组合为单个微区块存储器存取。存取子跨距的请求的其它组合可形成为单个微区块存储请求或存取。在本发明的一个或多个实施例中,所组合的子通道存储器存取具有在针对四个存储子通道中的每一个的SA共享地址位中共享的地址位模式。
在理想的情况下,假定可通过微区块事务汇编器(transaction assembler)利用全部的微区块化存储请求来建立没有未用子通道的64B的存储事务。也就是说,微区块存取的效率取决于事务汇编器326A、326B构造完全占用的存储事务的能力。
现在参照图3B,示出包括与系统存储器通道和一个或多个高速缓冲存储器203耦合的微区块化存储控制块300的多通道存储子系统。在存储控制块300内,多通道存储子系统包括针对进入系统存储器的每一存储器通道的微区块存取存储控制器。
在图3B中,提供了两个存储器通道304A和304B。因此,提供了两个微区块存储控制器321A和321B用于相应的存储器通道304A和304B。每一存储器通道304A、304B可由S子通道305A-305S组成。每一子通道305逻辑上是N字节的宽度和B位的宽度。每一存储器通道304逻辑上是M=N*S字节的宽度。
在存储控制块300和高速缓冲存储器203之间是写入数据路径301和读取数据路径302,它们可包括其上可作出读取和写入请求的命令路径或地址路径。在读取事务的情况下,将N字节从存储控制块300通过读取数据路径302返回至高速缓冲存储器203。在写入事务的情况下,将N字节的写入请求从高速缓冲存储器203通过写入数据路径301提供至存储控制块300。当在高速缓冲存储器203和存储控制块300之间作出N字节的读取或写入请求时,请求被描述为2x2区块的阵列以表示像素或纹素的2x2阵列,例如可在四个子通道的情况下使用。
存储控制块300包括通道分配器320、第一存储控制器321A以及第二存储控制器321B。存储控制块300同样与存储器通道0304A和存储器通道1304B耦合。存储器通道0 304A包括“S”个子通道305A-305S。相似地,存储器通道1 304B包括“S”个子通道305A-305S。共享的地址线310将每一存储控制器322耦合到每一子通道305A-305S。独立的地址线311A-311S耦合到相应的子通道305A-305S。每一数据总线子通道部分312A-312S耦合到相应的存储器子通道305A-305S。
每一存储控制器321A和321B分别包括子通道分配器322A-322B、重新排序缓冲器324A-324B以及事务汇编器326A-326B。
对N字节数据(即通道的逻辑宽度)的存储请求被耦合到通道分配器320。通道分配器取决于包括存储器通道的可变性的环境将存储请求分配到存储器通道0 304A或存储器通道1 304B。在通过通道分配器被分配到存储器通道之后,该N字节请求被耦合到相应的存储控制器321A或321B,并且耦合到子通道分配器322A或322B。
子通道分配器322A和322B将N字节的请求分配到子通道305A-305S之一。现在暂时参照图6,标识子通道分配s可以由下述过程所定义:(1)请求地址“A”右移P SDAB位,从而产生新的整数值(其中,)。(2)子通道分配的值“s”是的最低有效Q SSB位(例如,((1<<Q)-1))。
每一微区块存取存储控制器321A-321B分别具有重新排序缓冲器324A-324B。重新排序缓冲器将存储请求重新排序到子通道,从而提高每一存储器通道中的带宽效率。向存储控制器322A或322B输入在地址“A”读取或写入N字节数据块的请求,将其分配到子通道,并且置于重新排序缓冲器中。重新排序缓冲器可以实现为每一子通道的重新排序队列。重新排序缓冲器的其它实现也是可能的。
通过从重新排序缓冲器中选择S个读取请求(每个子通道一个读取请求),事务汇编器326A、326B形成存储读取事务,从而全部的S个请求具有相同的共享地址位。通过从重新排序缓冲器中选择S个写入请求(每个子通道一个写入请求),它形成存储写入事务,从而全部的S个请求具有相同的共享地址位。例如,事务汇编器326A、326B可在存储器通道中从四个16字节的请求(每个子通道一个请求)汇编64字节的事务。
当尝试形成事务时,微区块化控制器中的事务汇编器可能不能发现并发的请求组(每个子通道一个),从而SA共享地址位跨全部子通道相同。在这种情况下,在未发现请求的子通道上不传送数据,或如果数据在该子通道之上传送,则数据可被弃除。
现在参照图5A-5C,示出每一存储器通道500A-500C的示例性字节排序。在图5A中,存储器通道500A具有从0到63编号的64字节的传送大小。64字节的逻辑宽度可按存储器通道的64位物理宽度存取。
在图5B中,存储器通道500B可被分为两个存储器子通道505A和505B,其各自传送64字节传送的二分之一,从而每一子通道传送32字节。对于存储器子通道505A,所存取的存储字节从0到31编号,其是从图5A重新排序的。对于存储器子通道505B,所存取的字节从32到63编号,其是从图5A重新排序的。
在图5C中,存储器通道500C可被分为四个存储器子通道515A、515B、515C和515D,其各自传送64字节传送的四分之一,从而每一子通道传送16字节。存储器子通道515A存取从0到15编号的存储字节,其是从图5A重新排序的。存储器子通道515B存取从16到31的存储字节,其是从图5A重新排序的。存储器子通道515C存取从32到47编号的字节,其是从图5A重新排序的。存储器子通道515D存取从48到63编号的字节,其是从图5A重新排序的。以这种方式,当字节编号被重新排序并分配时,64字节传送跨每一存储器子通道被平分。
现在再参照图6,在本发明的其它实施例中,可以不同地重新排序字节。
如上所述,为了支持微区块存储器存取,当利用Q子通道选择位和P子通道数据地址位来寻址由高速缓存线存取的物理字节时,可利用SA共享地址位连同I独立地址位。对于64字节的高速缓存线,Q子通道选择位和P子通道数据地址位之和为6。
在图6中,我们指定P子通道数据地址位为A0-A8。在图6上,Q子通道选择位标示为A10、A8,以及其间的编号。在图6中,I独立地址位被标示为A9、A10、A16、A18、A24,以及其间的编号。在图6中,SA共享地址位被标示为例如A11、A15、A17、A19、A20、A25、A26和Ax。附加的共享地址位可以在其间使用。
通过I独立地址位,子通道地址在彼此的地址偏移内独立。为了使得子通道完全地彼此独立,可使用从存储控制器到每一子通道的命令和地址的完全复制,但是将显著地增长存储控制器的引脚数、用于输入/输出驱动器的硅区域、和主机印刷电路板或主板所需的布线路由选择区域。代替地,本发明的实施例跨全部子通道共享子通道地址位的一个或多个部分,并允许剩余的I对于每一子通道独立,如图6中所述。I独立地址位的明智选择可因此提供增高的带宽效率,该选择对每一子通道复制I地址信号的成本进行过权衡。
如上所述,I独立地址位可以以不同的方式获得,包括对每一存储器通道路由选择附加的地址位和/或使用地址过载。
现在参照图7,示出了存储模块(MM)710,其是示例性的存储模块MM1-MMn。存储模块710可以是任意的类型,例如单列直插内存组件(SIMM)或例如双列直插内存组件(DIMM)。存储模块710包括与印刷电路板751耦合的存储集成电路芯片(“存储装置”)752。印刷电路板751包括与主机印刷电路板762的边缘连接器760耦合的边缘连接器或边缘连接754。
为了支持存储器的微区块存取,附加的地址线可通过使用印刷电路板751的边缘连接754的引脚引出线的未使用或未连接的引脚而独立地提供到存储集成电路752。边缘连接754的这些未使用或未连接的引脚可用于将附加的独立地址信号线路由到存储集成电路752。在安装到主板752上的相应边缘连接器760中发现相同未用引脚。附加的独立地址信号线763穿过主板762从存储控制块中的存储控制器路由到现有连接器以提供附加的独立地址信息。可以发现多种不同类型的存储模块的边缘连接754的引脚引出线的未使用或未连接引脚。
例如,奇偶性或纠错码(ECC)功能可具有保留为边缘连接754的引脚引出线的一部分的引脚。为了降低用户的存储模块的成本,奇偶性或ECC功能通常保留在存储模块之外,从而保留的信号线和引脚通常变得未使用。也就是说,奇偶性/ECC信号线可以路由到母板的全部边缘连接,但是仅当ECC启动存储模块(例如,双列直插内存组件(DIMM))安装于其中时才使用。存储模块的未使用的现有的ECC线/引脚被重定为独立的地址信号线并用于在非ECC存储模块中实现微区块存取。然而在将ECC线/引脚用于微区块存取的过程中,ECC和微区块存取功能不能在同一时间在存储模块上启动。这一方案在不是通常需要(或要求)奇偶性/ECC启动的环境中很有作用。
作为另一个示例,在边缘连接754的引脚引出线中保留的可任选低态有效的数据信号线经常变为未使用,因为它们是所提供的高态有效的数据信号线的冗余。作为又一个示例,保留在存储模块的边缘连接754的引脚引出线内的可任选测试引脚经常因为未使用该测试模式而变为未使用。
在任何情况下,这些未使用的引脚被重定为独立的地址信号引脚755A-755D,且独立的地址信号线763在主机印刷电路板762中路由选择,独立的地址信号线756A-756D在存储模块710的PCB751中路由到存储集成电路752。
在某些情况下,存储模块710可以进一步包括支持集成电路750,诸如缓冲集成电路(“缓冲”)或纠错控制(ECC)集成电路。然而如上所述,如果ECC不被设置在存储模块710上,则以其它方式被保留用于ECC且未使用的边缘连接754的引脚可用于进入存储器子通道的独立地址线以支持微区块存取。
为了支持存储器子通道的微区块存取和独立寻址,存储模块710上的存储集成电路752可以被分割并且分配给不同的存储器子通道,诸如如图7中所示的四个存储器子通道205A、205B、205C和205D。存储集成电路752的数据I/O通常为4、8或16位的宽度。对于存储器通道的64位物理宽度和每一存储器子通道的16位物理宽度,四个16位宽的存储集成电路752分别被一一分配给四个存储器子通道205A、205B、205C和205D。八个8位宽的存储集成电路752分别被一次两个地分配给四个存储器子通道205A、205B、205C和205D以提供存储器通道的64位物理宽度和每一存储器子通道的16位物理宽度。十六个4位宽的存储集成电路752分别被一次四个地分配给四个存储器子通道205A、205B、205C和205D以提供存储器通道的64位物理宽度和每一存储器子通道的16位物理宽度。
在两个存储器子通道的情况下,四个16位宽的存储集成电路752分别被一次两个地分配给两个存储器子通道,以提供存储器通道的64位物理宽度和每一存储器子通道的32位物理宽度。八个8位宽的存储集成电路752分别被一次四个地分配给两个存储器子通道,以提供存储器通道的64位物理宽度和每一存储器子通道的32位物理宽度。十六个4位宽的存储集成电路752分别被一次八个地分配给两个存储器子通道,以提供存储器通道的64位物理宽度和每一存储器子通道的32位物理宽度。
通过使用存储模块和标准边缘连接器760的边缘连接754的未使用引脚,存储模块710可反向兼容现有的存储子系统。在本发明的另一个实施例中,新的边缘连接754和新的边缘连接器760设置有增加的独立地址信号线,以支持微区块存取存储器。然而在本发明的这个实施例中,具体地设计了存储组件和边缘连接器以支持存储器的微区块存取,且不与现有的系统反向兼容。在本发明的又一个实施例中,存储器集成电路被焊接到母板,而无需使用存储模块710或边缘连接器760。
现在参考图7B,在主机印刷电路板762中嵌入存储器集成电路752(通过直接向其焊接)连同具有微区块化存储控制器208A-208N的存储器控制块202,以及其它部件,其中一部分先前已经被描述并在图2A-2B中例示。以主机印刷电路板762的布线路由区域为代价,独立地址信号线766A-776D可在存储器控制块202中的微区块化存储控制器208A-208N和存储器集成电路752之间路由。这些独立地址信号线766A-776D在不同的存储器子通道205A-205D中没有被跨存储器集成电路752共享。然而,独立地址信号线可在相同的存储器子通道中的一个或多个存储器集成电路752之间共享。
考虑例如图3A,其中在每一存储器通道中发现四个独立的存储器子通道。每一子通道可设置附加的独立的四条地址线以独立地存取每个子通道中的存储区域。地址线311A-311D(标示为A9-A6)在每一子通道内独立。给定现有的一组四条的地址线,要被路由选择的附加地址线的总数是3乘以4或12条独立的地址信号线。当存储器被焊接到母板上时,可以很好地路由附加信号线。或者,在主板上将附加的信号线路由到存储模块可用于在现有的边缘连接器和存储模块的引脚引出线不是完全地被利用时添加独立的地址信令。然而,如果完全使用了该现有连接器的引脚引出线,则没有用于附加线的空间,且该路由附加信号线的方法不容易可行,特别是如果希望反向兼容时。
现在参照图8,示出存储集成电路800的框图。存储集成电路800可被包括在存储模块MM1-MMn内作为一个或多个存储装置752。存储集成电路800包括如图所示耦合在一起的存储阵列801、行地址解码器802、位线预充电/刷新逻辑电路803、列解码器804、读出放大器阵列和写驱动块806、控制器808、地址缓冲器811以及微区块控制逻辑电路812。微区块控制逻辑电路812同样可称为过载逻辑电路(OL)。
控制器808包括具有可被设置/初始化以控制存储集成电路800的总体功能的多个位的模式寄存器810。模式寄存器包括存储位的位存储电路。模式寄存器810的位可通过对地址线820或数据线821施加与加载选通脉冲相应的合适的位设置来进行设置。加载选通脉冲可通过在存储器空置时触发耦合于存储集成电路的控制器808中的一条或多条控制线822而生成。控制器808接收一条或多条控制线822。该一条或多条控制线822可包括行地址选通脉冲RAS#、列地址选通脉冲CAS#、写启动WE#、芯片选择CS#、触排选择BA0、BA1、BA2,或其它标准的存储集成控制输入。
更具体地,模式寄存器810可用于配置用于微区块存储器存取的集成电路800。如以下进一步所述地,模式寄存器810的一个位是微区块启动位。微区块启动位可以为高态有效,且称为MTE位。可选地,微区块启动位可以为低态有效,且称为MTE#。在任一情况下,微区块启动位通常可称为微区块启动位或MTE位。微区块启动位缺省重置为使得装置初始开启或重置时微区块存取被禁止。这允许存储模块710和存储集成电路800在被插入不支持微区块存取的系统之中时反向兼容。模式寄存器810进一步具有一个或多个子通道选择(SCS)位以指示所纳入的存储器可对其分配并寻址的存储器子通道。MTE位和一个或多个SCS位被耦合于微区块控制逻辑电路812。
微区块逻辑电路812耦合于多条地址信号线820,从而通过地址缓冲器811将地址耦合于列地址解码器804和/或行地址解码器802。地址缓冲器811可将地址信号锁存于内部地址信号线上以为地址解码器保持它们。为了支持对存储阵列801的微区块存储器存取,控制逻辑电路812同样耦合于控制器的模式寄存器以接收微区块启动位和至少一个子通道选择位。响应于微区块启动位和至少一个子通道选择位,控制逻辑电路812选择一条或多条地址信号线,通过这些信号线捕捉所分配的预定子通道的独立地址信息。也就是说,仅可向预定的子通道分配地址信号线的子集。控制逻辑电路812选择地址信号线的这个子集以提取独立地址信息。其它地址信号线可用于其它子通道或某些可以是每一子通道中的共享地址信号线。控制逻辑电路812将独立地址信息耦合于列地址解码器804和/或行地址解码器802。由控制逻辑电路选择一条或多条地址信号线可进一步响应于列地址加载信号(CAS#)和事务启动信号。
为了进一步将一个有效位的独立地址信息混入(swizzle)另一有效位的位置,可将附加的控制逻辑电路添加到微区块控制逻辑电路812中或其周围。这提供了某种程度上的线性寻址方法,例如用于启动微区块时的屏幕刷新。
读出放大器阵列和写驱动块806与数据输入/输出(I/O)总线耦合,且可从控制器808接收控制信号以从存储阵列读取数据或向存储阵列801写入数据。读出放大器阵列和写驱动块806通过数据输入/输出(I/O)总线821接收要写入存储阵列801中的数据并且将已经从存储阵列801中读取的数据清除。数据输入/输出(I/O)总线821包括通常为4、8或16位宽的存储集成电路800的双向数据线。
存储阵列801由可组织成多行多列的存储单元构成。存储单元通常是动态随机存取存储器(DRAM)单元,但是可任选地是静态型的随机存取存储器(SRAM)单元或非易失性可编程(NVRAM)型的可重写存储单元。
为了在存储阵列801中寻址一行存储单元,行地址解码器802接收地址线上的行地址并在字线(WL)之一中生成信号。列解码器804同样接收地址线上的列地址并且选择要存取存储单元行内的哪一列。列解码器804实质上选择要存取的存储单元中的位线。在读取访问中,列解码器804起到多路复用器的作用。在写入访问中,列解码器804起到解多路复用器的作用。列地址解码器804响应于共享的列地址信号选择性地存取存储阵列801内的存储单元列,并且如果置位了模式寄存器内的微区块启动位,则列地址解码器804进一步响应于独立子通道列地址信号选择性地存取存储阵列801内的存储单元列。
读出放大器阵列和写驱动块806可包括在读取操作期间确定逻辑1或逻辑0是否已被存储于所存取的存储单元之中的读出放大器。所寻址的存储单元在读取操作期间尝试将逻辑1或逻辑0驱动到所选定的存储阵列的位线。读出放大器在读取操作期间检测逻辑1或逻辑0是否已经由所寻址的存储单元驱动到存储阵列的选定位线。读出放大器阵列和写驱动块806可进一步包括写驱动器,以在写入操作期间将逻辑0或逻辑1驱动到存储阵列的选定位线并且驱动到所寻址的存储单元之中。
预充电/刷新块803与存储阵列801中的位线耦合。预充电/刷新块803可以在读取或写入操作期间在寻址存储单元之前预先处理位线。预充电/刷新块803同样可以在不活动期间内刷新存储在存储阵列801的存储单元中的数据。
在特定的存储周期期间,存储集成电路800中的某些现有的信号线没有被使用并且可在这个时段被重定用于其它目的。例如在CAS(列地址选通脉冲)周期期间,不是全部的地址线都被使用。这些未使用的地址信号线可在CAS周期内重定用途以将附加的地址信息传送给存储模块(例如,DIMM)以及其中的存储集成电路装置。存储控制块202中的存储控制器202在CAS周期期间通过这些未使用的地址信号线发送附加的地址信息。具有添加的微区块控制逻辑电路812和模式寄存器810内的位的存储集成电路800在之前CAS周期内未使用的地址信号线中识别并解码这些过载的信号。
现在参考图9A,示出支持微区块存取的示例性微区块存储控制逻辑电路812A,其与存储集成电路的模式寄存器810A耦合。微区块存储控制逻辑电路812A的示例性实现解码具有在未使用的存储周期,诸如CAS周期内提供的附加地址信息的过载的地址信号线。微区块存储控制逻辑电路812A的示意图假定设置有四个子通道,其中的每一个具有16字节的逻辑宽度以支持微区块存取。
微区块存储控制逻辑电路812A的中心是双四输入多路复用器900,以捕捉独立的地址信息。微区块存储控制逻辑电路812A的双四输入多路复用器900在多用复用的输出(A3’和A4’)中选择性地输出共享的列地址信号或独立的子通道列地址信号。双四输入多路复用器900的输出(A3’和A4’)耦合到列地址解码器的输入。独立的子通道列地址信号是一个或多个已选择由相应的存储器子通道接收的独立列地址信号。
微区块控制逻辑电路812A从存储集成电路的地址引脚中接收地址线。微区块控制逻辑电路812A将地址提供给地址缓冲器以分配到行地址解码器和列地址解码器。存储集成电路的一些地址引脚接收共享的行地址信号、共享的列地址信号、独立的列地址信号或其组合。例如,地址引脚A5-A9和A13在微区块控制逻辑电路812A周围传递,并且可以将共享的行地址信号和/或共享的列地址信号接收到存储器子通道的每一个之中。地址引脚A0-A4和A10-A12耦合到双四输入多路复用器900,并且如果微区块存取被启动,则可接收共享的行地址信号和独立的列地址信号。如果微区块存取未被启动,则耦合到双四输入多路复用器900的地址引脚A3和A4可接收共享的行址号和/或共享的列地址信号。列地址加载选通脉冲引脚CAS#与控制逻辑电路812A耦合以接收列地址加载选通脉冲信号并且选择性地在分配给用于在存储集成电路内捕捉的给定子通道的地址引脚中接收适合的一个或多个独立的列地址信号。列地址加载选通脉冲信号同样可用于接收并捕捉适当的地址引脚的共享列地址信号。
模式寄存器810A可包括三个位存储电路,诸如存储微区块启动(MTE)位、子通道选择位0(SCS0)位和子通道选择位1(SCS1)位的设置的触发电路或存储单元。模式寄存器810A中的这三个位用适当的子通道选择位和微区块启动位编程。在初始化期间,例如开机或重置,从位设置中设置/重置存储集成电路所接收到的这三个位的位设置。当存储集成电路空置,且没有存储器存取在处理之中时,这三个位同样可被设置/重置。位设置也可通过地址或数据信号线接收或响应于由一条或多条耦合到存储集成电路中的控制线输入所生成的加载选通脉冲信号而加载到模式寄存器中。如果微区块存取在存储集成电路中启动,则置位区块启动位MTE。当MTE位为高态有效时,它被设置为高逻辑电平。如果低态有效,则MTE#位设置为逻辑低电平。在图9的示例性控制逻辑电路中,可能在存储器通道内有四个或更少的子通道。SCS0和SCS1位将存储集成电路分配到四个存储器子通道之一。同一存储模块中的其它存储集成电路可被分配到四个存储器子通道的另外一个。
每一子通道的独立地址信息通过现有的地址线,诸如地址线A0-A4和A10-A12在CAS周期内设为可用。在这一示例中,正常使用地址线A3和A4。因此,地址线A0、A1、A2、A10、A11、A12和A13是过载信号线(A13可以是微区块事务启动-以事务为基础指定)。在现有的地址线上过载信号线的这一方法实际上向存储集成电路装置提供了六条附加的地址线(A0-A2和A10-A12),而不使用附加的迹线(即,布线的路由选择)或使用附加的引脚。
微区块存储控制逻辑电路812A被设置于每一存储集成电路中,从而适当的独立子通道地址信息响应于存储在模式寄存器中的子通道选择位而从地址线A0-A4和A10-A12中选择。子通道选择位的设置从模式寄存器810A路由到微区块存储控制逻辑电路812A以控制多路复用器900的输入选择处理。多路复用器900的输出端耦合到地址信号线A3’和A4’。地址信号线A3’和A4’被耦合到地址解码器(例如,列地址解码器804)以在存储阵列内选择存储单元。
微区块控制逻辑电路可在列地址写入访问时间期间,在CAS#是低态有效(“CAS周期”)时过载存储地址信号线A3’和A4’。也就是说,地址位A0、A1、A2、A10、A11和A12通常是在列地址不通过微区块存取被写入存储集成电路时的未使用地址位。地址位A3和A4代替A3’和A4’是用于将列地址写入到存储集成电路的地址位。当地址位通常是在CAS周期期间不通过微区块存取而未使用时,它们可以用于在行地址正被写入到存储集成电路中时,当RAS#是低态有效(“RAS周期”)时在存储集成电路中选择行地址。在这里将它称为地址过载。当A0、A1、A2、A10、A11和A12在图9中图示为在列地址选通脉冲CAS#期间未使用的地址位时,不同的未使用的地址位可被用作过载地址信号线以支持微区块存取。
微区块存储控制逻辑电路812A包括如图示耦合在一起的双四输入多路复用器900、三输入与门903、多个二输入与门904-911以及多个非门912-918。可以很好地理解,与门可通过组合与非门和耦合到与非门的输出端的非门而形成。
双四输入多路复用器900是一对四到一的多路复用器,其中每一个具有耦合在一起的第一选择控制输入S0和耦合在一起的第二选择控制输入S1。第一个四到一多路复用器接收输入1I0-1I3,并且提供响应于选择控制输入S0和S1的输出1Y。第二个四到一多路复用器接收输入2I0-2I3,并且提供响应于选择控制输入S0和S1的输出2Y。如果S0和S1都是逻辑低电平或0,则输入1I0和2I0被多路复用到相应输出1Y和2Y上。如果S0是逻辑高电平或1并且S1是逻辑低电平或0,输入1I1和2I1被多路复用到相应输出1Y和2Y上。如果S0是逻辑低电平或0并且S1是逻辑高电平或1,输入1I2和2I2被多路复用到相应输出1Y和2Y上。如果S0和S1都是逻辑高电平或1,则输入1I3和2I3被多路复用到相应输出1Y和2Y上。
双四输入多路复用器900的第一四输入多路复用器在其相应的1I0-1I3输入接收地址位A3、A0、A1和A2,并且选择它们之一以驱动到在其1Y输出端的地址信号线A3’。第二四输入多路复用器在其相应的2I0-2I3输入接收地址位A4和A10-A12,并且选择它们之一驱动到在其2Y输出端的地址信号线A4’。选择控制输入端S0和S1分别耦合于与门904-905的输出端。
与门903在其输出端生成微区块模式信号(MTM)902A。微区块模式信号902A是高态有效,且在当独立地址信号在耦合到双四输入多路复用器900的过载地址信号线中的适当时间生成。非门912在其耦合到与门903的输入端的输出端处将低态有效的CAS#信号反相为高态有效CAS信号。与门903将CAS信号、MTE位设置(ME)和事务启动信号(TE,地址位A13)逻辑上相与以生成微区块模式信号902A。那就是说,如果由MTE位启动微区块并由TE信号启动事务,则当CAS#变为低电位时生成微区块模式信号(MTM)902A。
微区块模式信号(MTM)902A被耦合到与门904和905的输入端以选通子通道选择位SCS0和SCS1。如果微区块模式信号(MTM)902A因为任意原因而是低电位,则到多路复用器900中的选择控制S0和S1在与门904和905的输出端是逻辑低电平或0。当S0和S1都是逻辑低电平或0时,分别与输入1I0和2I0耦合的地址位A3和A4分别多路复用到相应输出端1Y和2Y处的地址信号线A3’和A4’。位A3和A4仅仅分别传送到信号线A3’和A4’。如果微区块存取不被启动或如果位A3和A4用于诸如行寻址的任何其它目的,则这是缺省条件。
当微区块模式信号(MTM)902A是高态有效时,子通道选择位SCS0和SCS1分别经过与门904和905分别耦合到多路复用器900的选择控制输入端S0和S1。因此,当微区块模式信号(MTM)902A由与门903生成为高态有效时,子通道选择位SCS0和SCS1控制多路复用器900的相应四个输入端到相应输出端的多路复用的选择。有效地设置子通道选择位SCS0和SCS1,即指示存储IC可向其分配的子通道,可确定与多路复用器900耦合的哪一地址位线用于在CAS周期期间捕捉独立地址信号。
子通道选择位SCS0和SCS1的设置将从一个子通道到相邻的下一子通道地变化。对于四个子通道,分别存在四个对于SCS0和SCS1的不同设置。但是注意,被设计为支持四个子通道的微区块控制逻辑电路都可通过仅仅使用对子通道选择位SCS0和SCS1的两个不同设置而容易地减少到支持两个子通道。通过SCS0和SCS1的不同设置,多路复用器900选择不同的地址信号线来在生成微区块模式信号时捕捉独立地址信号。
微区块模式信号(MTM)902A同样分别在与门906-911的第一输入端处耦合到非门913-918。地址信号A0、A1、A2、A10、A11和A12分别耦合到与门906-911的第二输入端。微区块模式信号(MTM)902A分别在与门906-911的输出端A0’、A1’、A2’、A10’、A11’和A12’处有效地选通存储集成电路中地址线A0、A1、A2、A10、A11和A12上的信号。也就是说,当微区块模式信号(MTM)902A是逻辑上的低电平或0时,与门906-911允许地址线A0、A1、A2、A10、A11和A12中的信号传递到输出端A0’、A1’、A2’、A10’、A11’和A12’和地址解码器。当微区块模式信号(MTM)902A是逻辑上的高电平或1时,与门906-911将全部输出A0’、A1’、A2’、A10’、A11’和A12’驱动为逻辑低电平或零。因此,当微区块模式信号(MTM)902A是高态有效以捕捉独立的地址信息时,输出A0’、A1’、A2’、A10’、A11’和A12’不被使用,因为它们全部都被驱动为0。
现在参考图9B,示出了支持微区块存取的模式寄存器810B,其耦合到存储器集成电路中的微区块控制逻辑812B。微区块控制逻辑812B功能上有时与微区块控制逻辑812A类似,但是,可用作低态有效控制信令并支持存储器通道中的两个子通道。已经形成了微区块控制逻辑812B中的电路,以减少通过多路复用器的选择控制输入而选择地址信号线上的独立地址信号的延迟。在有两个存储器子通道要支持的情况下,微区块控制逻辑812B在从中选择要接收信号的地址信号线上接收两组独立地址信号。微区块存储器控制逻辑812B的中心是十六进制的两输入多路复用器901A,用以从地址信号线捕捉独立地址信息。微区块控制逻辑812B中的十六进制的两输入多路复用器901A接收更多且不同的地址信号线,在其上可有选择地接收多组独立的地址信号。即,图6中示出的I独立地址位的数量更大。结果,存储器子通道中的可独立寻址的存储空间更大。
微区块控制逻辑812B被耦合到存储器集成电路的地址引脚,包括地址引脚A0-A8和A10-A13。在CAS周期期间,在这些现有的地址线上,每个子通道的独立地址信息变得可用。微区块控制逻辑在内部地址信号线A3′-A8′上有选择地形成独立子通道地址信号。该内部地址信号线A0′-A8′和A11′-A13′通过地址缓冲器被耦合到地址译码器。响应于RAS#和CAS#选通脉冲信号,该地址缓冲器可以锁存内部地址信号线A0′-A8′和A11′-A13′和A9-10上的地址信号,然后将这些地址信号耦合到地址解码器。如图所示,在未使用存储周期期间,地址引脚A0-A8和A10-A13具有过载地址信号,并被耦合到十六进制的两输入多路复用器901A的输入。地址信号线A3-A8是第一组地址信号线,其上第一组独立地址信号可被耦合到第一个存储器子通道中。地址信号线A0-A2和A11-A13是第二组地址信号线,其上第二组独立地址信号可被耦合到第二存储器子通道中。响应于第一子通道选择位(SCS0)和微区块模式信号(MTM#)902B,微区块控制逻辑812B通常在接收第一存储器子通道的第一组独立地址信号,或者第二存储器子通道的第二组独立地址信号之间选择。所选的那组独立地址信号被提供到十六进制的两输入多路复用器901A的输出。这些独立地址信号被耦合到存储器集成电路中,以独立地寻址由SA共享的地址位形成的一组通用存储器位置中的不同存储器位置,其可被耦合到每个存储器子通道中。
在CAS周期期间,对于每个子通道的独立地址信息在现有的地址线上是可用的,例如地址线A0-A4和A10-A12。在这个例子中,一般使用地址线A3-A8。由此,地址线A0-A2和A10-A12是过载信号线(A13可以是在事务基础上指定的微区块事务启动线)。现有地址线上的过载信号线的这个方法实际上向存储器集成电路装置提供六条附加地址线(A0-A2和A10-A12),而无需使用附加迹线(即,布线路由)或使用附加引脚。
模式寄存器810B可包括两个位存储电路,例如触发器或存储单元,以存储低态有效微区块启动位MTE#和子通道选择位0(SCS0)的设置。模式寄存器接收这两位的位设置。位设置可使用由一个或多个控制信号产生的加载选通脉冲信号加载到模式寄存器中。这三个位可根据位设置而被设置/复位,该位设置由其存储器集成电路在初始化期间(例如加电或复位)接收。这三个位还可在存储器集成电路空闲且期间没有存储器存取时设置/复位。位设置可通过地址或数据信号线接收,且响应于由耦合到存储器集成电路中的一条或多条控制线输入产生的加载选通脉冲信号被加载到模式寄存器中。
模式寄存器810A中的MTE#位和SCS0位用适当的子通道选择位和微区块启动位来编程。如果在存储器集成电路中启动了微区块存取,则该微区块启动位(MTE#),即低态有效信号,可以设置成逻辑低电平。当存储器子系统支持微区块存取时,则微区块启动位被置位。否则,微区块启动位不被置位,以使存储器集成电路反向兼容不支持微区块存取的更老的系统。在图9B的示例性控制逻辑中,存储器通道中有两个可能的子通道。SCS0位将存储器集成电路分配到存储器通道中的两个存储器子通道之一。同一存储模块上的其它存储器集成电路可被分配到另一个存储器子通道。
响应于存储在模式寄存器中的子通道选择位(S),每个存储器集成电路中设置了微区块存储器控制逻辑812B,以使恰当的独立子通道地址信息可从地址信号引脚中选择。子通道选择位的设置从模式寄存器路由到微区块存储器控制逻辑,以控制复用器901A的输入选择处理。
微区块控制逻辑812B包括如图9B中所示耦合在一起的第一个十六进制两输入多路复用器901A、第二个十六进制两输入多路复用器901B、多个与(AND)门906-911、多个反相器913-918和三输入或(OR)门923。很好理解的是,OR门可以通过耦合反相器的输入到与NOR门的输出而形成。前面已经提供了已知的AND门的构成。
第一个十六进制两输入多路复用器901A的输出被耦合到第二个十六进制两输入多路复用器901B中的每个多路复用器的两个输入的第一个中。地址位或信号线A3、A4、A5、A6、A7和A8被耦合到在第二个十六进制两输入多路复用器901B中的每个多路复用器的两个输入的第二个中。第二个十六进制两输入多路复用器901B的输出端被耦合到地址信号线A3′-A8′。地址信号线A3′-A8′与地址解码器耦合(例如,列地址解码器804),以在该存储器阵列中选择存储单元。地址缓冲器可以锁存或寄存该址信号线A3′-A8′以保持状态,以使它们可以通过地址解码器而被解码。
第一个十六进制两输入多路复用器901A使其选择控制S0耦合到子通道选择0(SCS0)位,以使多路复用器901A的输出直接由存储器集成电路的子通道分配控制。以这个方式,所选择的输出可以很好地被固定,以最小化地址信号的传播延迟。第二个十六进制两输入多路复用器901B使选择控制输入S0耦合到三输入OR门923的输出,即低态有效微区块模式(MTM#)信号902B。如果低态有效微区块模式(MTM#)信号902B是逻辑低或零,则微区块存储器存取被启动,从而第一个十六进制两输入多路复用器901A的输出是地址信号线A3′-A8′上的第二个十六进制两输入多路复用器901B的相应逻辑输出。如果微区块存取不被启动,则MTM#为高,从而可选择第二个十六进制两输入多路复用器901B中的每个多路复用器的两个输入的第二个,并且地址信号线A3-A8被耦合到独立子通道列地址线A3′-A8′。在此情况下,第一个十六进制两输入多路复用器901A对地址信号A3-A8没有影响,其被有效地在微区块控制逻辑812B周围路由,且被分别驱动到内部地址线A3′-A8′上。
十六进制两输入多路复用器901A-901B是使选择控制输入S0耦合在一起的六个二到一多路复用器。第一个二到一多路复用器响应于选择控制输入S0接收输入1I0和1I1,并提供输出1Y。第二个二到一多路复用器响应于选择控制输入S0接收输入2I0和2I1并提供输出2Y。第三个二到一多路复用器响应于选择控制输入S0接收输入3I0和3I1并提供输出3Y。第四个二到一多路复用器响应于选择控制输入S0接收输入4I0和4I1和提供输出4Y。第五个二到一多路复用器响应于选择控制输入S0接收输入5I0和5I1和提供输出5Y。第六个二到一多路复用器响应于选择控制输入S0接收输入6I0和6I1和提供输出6Y。如果S0是逻辑低或0,则输入1I0、2I0、3I0、4I0、5I0和6I0被分别驱动到输出1Y、2Y、3Y、4Y、5Y和6Y上。如果S0是逻辑高或1,则输入1I1、2I1、3I1、4I1、5I1和6I1被分别驱动到输出1Y、2Y、3Y、4Y、5Y和6Y上。
如前所述,三输入OR门923在其输出上产生低态有效微区块模式(MTM#)信号902B。在其输入上,三输入OR门923接收微区块启动位MTE#、列地址选通CAS#信号和事务启动位TE#(地址线A10)。如果所有这三个输入都是低逻辑电平或0,则微区块模式(MTM#)信号902B是逻辑低或0,以从过载的地址线有选择地接收独立子通道地址信号。这就要求通过微区块启动位被设置成其有效低电平或0来启动微区块存取;通过地址线A10被设置成逻辑低或0来启动微区块事务;以及列地址通过CAS#控制信号被选通为逻辑低或0被选通到存储器集成电路中。即,所有这些输入信号在控制逻辑812B中都是低态有效的以供微区块存储器存取。如果输入MTE#、CAS#或TE#的任何之一是逻辑高或1,则微区块模式(MTM#)信号902B是逻辑高或1。在微区块模式(MTM#)信号902B是逻辑高或1的情况下,控制逻辑812B的第二个十六进制两输入多路复用器901B正常将地址信号A3-A8递送到内部地址线A3′-A8′上,而无需选择任何独立子通道地址信号信息。需要多于一个的信号来启动微区块存取提供了不会因为仅仅一位信号中的错误而误入微区块模式。
由于微区块模式(MTM#)信号902B是低态有效信号,因此控制逻辑812B中的AND门906-911的操作与控制逻辑812A中的AND门906-911相似,但是门选不同地址信号,并且无需反相器913-918也可这样做。由此,控制逻辑812B中的AND门906-911响应于低态有效的微区块模式(MTM#)信号902B在内部地址线A0′-A2′和A11′-A12′上将地址信号A0-A2和A11-A12分别门选为零。
现在参考图9C,地址调配逻辑930的示意图被示出,其耦合到模式寄存器810C。图9C中示出的地址调配逻辑930用于具有两个存储器子通道的存储器通道。调配控制逻辑可被附加在图9A和9B中示出的过载或微区块控制逻辑812A或812B之前或之后。
简言之,设置了地址调配逻辑930,以使微区块存储控制器可具有某些线性寻址能力,例如是在屏幕刷新期间所需的。地址调配逻辑930有选择地重新排序或调换从存储控制器接收的地址位的有效位。进行这种操作的一种方式是交换位的位置。另一种可完成的方法是有选择地逆置地址位。
地址调配逻辑930包括如图所示耦合在一起的双二输入多路复用器935、或非(NOR)门936和异或(XOR)门937-938。双二输入多路复用器935包括其选择控制输入S0耦合在一起的一对两输入多路复用器,以及从NOR门936输出的调配控制信号(SWZ)932。地址位或引脚A4和A3分别耦合到多路复用器935的1I0和2I0输入并在选择控制输入S0是逻辑低或0时被选择为输出。XOR门937-938的输出分别被耦合到多路复用器935的1I1和2I1输入并在选择控制输入S0是逻辑高或1时被选择为输出。
子通道选择位1(SCS1)和子通道选择位0(SCS0)被分别耦合到异或(XOR)门937-938的第一个输入中。地址位A3和A4被分别耦合到XOR门937和938的第二个输入中。如果SCS1位被设置成1,则XOR门937在其输出逆置地址位A3,并被耦合到多路复用器935的1I1中。如果SCS0位被设置成1,则XOR门933在其输出逆置地址位A4,并被耦合到多路复用器935的2I1中。以这个方式,SCS1和SCS0位的设置可有效地逆置在地址位线A3和A4上的地址信号。
NOR门936在其输出产生调配控制信号(SWZ)932,并被耦合到双二输入多路复用器935的选择控制输入S0中。调配控制信号(SWZ)932即高态有效信号选择调配地址位是否从双二个输入多路复用器935中被输出。如果调配控制信号(SWZ)932是逻辑高或1,且被耦合到双二输入多路复用器935的选择控制输入S0中,那么选择XOR门937和938中的调配地址位输出,以驱动到多路复用器935输出上的相应地址线A4″和A3″。如果通过低态有效微区块启动位MTE#启动了微区块存取,CAS#选通脉冲信号是逻辑低的以捕捉列地址信息,且TE#位是逻辑低的以启动被输入到NOR门936中的微区块事务,则这是可发生的。然而,如果耦合到双二输入多路复用器935的选择控制输入S0中的调配控制信号(SWZ)932是逻辑低或0,则地址位A4和A3传递到多路复用器935的输出处的相应地址线A″和A3″上,而无需调配。如果微区块存取没有被低态有效微区块启动位MTE#启动,或如果CAS#选通脉冲信号不是逻辑低的以捕捉列地址信息,或如果TE#位不是逻辑低的以启动微区块事务,则这是可发生的。
模式寄存器810C与模式寄存器810B类似,但是存储了附加位(SCS1)的设置。模式寄存器810C包括三个位存储电路,例如触发器或存储单元以存储低态有效的微区块启动位MTE#、子通道选择位0(SCS0)和子通道选择位1(SCS1)的设置。模式寄存器接收用于这两位的位设置。位设置可使用由一个或多个控制信号产生的加载选通脉冲信号加载到模式寄存器中。这三个位根据位设置而被设置/复位,该位设置由存储器集成电路在初始化期间(例如加电或复位)接收。当存储器集成电路空闲而期间没有存储器存取时,这三个位可被设置/复位。响应于由耦合到存储器集成电路中的一条或多条控制线输入产生的加载选通脉冲信号,位设置可通过地址或数据信号线接收,且被加载到模式寄存器中。
由于保持尽可能小的地址信号延迟是很重要的,图9B的地址调配逻辑可以与图9C中示出的过载逻辑组合,并简化以减小内部地址信号线上的信号延迟。
现在参考图9D,示出了耦合到存储器集成电路中的模式寄存器810C的组合调配和微区块控制逻辑950。控制逻辑950结合并简化了图9C中的地址调配逻辑930,和图9B中的过载或微区块控制逻辑812B。由此,该组合的调配和微区块控制逻辑950在功能上与分开的微区块控制逻辑812B和地址调配逻辑930的部件类似。控制逻辑950中简化的目标是在去往存储器集成电路中的地址解码器和地址缓冲器的地址信号路径中减小地址信号中的延时。一对十六进制两输入多路复用器901A和901B已经被简化到单个的十六进制三输入多路复用器960。
模式寄存器810C已经在前面描述了,其包括低态有效微区块启动位(MTE#)、SCS0位和SCS1位。模式寄存器位可随着加载选通脉冲从耦合到存储器集成电路中的控制信号产生而从位设置加载。
控制逻辑950包括如图所示耦合在一起的十六进制三输入多路复用器960、AND门906-910、OR门923、AND门969、异或非(XNOR)门974-975,和反相器976。异或非(XNOR)门974-975可以替换地是异或(XOR)门,且SCS0和SCS1的位设置被逆置。控制逻辑950被耦合到地址引脚A0-A8和A10-A13,以接收地址信号并在地址信号线A0′-A8′和A10′-A13′上产生内部地址信令。地址信号输入A10完成双重任务,即微区块模式中的事务启动位TE#,以及作为地址输入信号。
在控制逻辑中,地址引脚的地址信号线在被耦合到十六进制三输入多路复用器960的输入中之前首先可以被耦合到地址调配逻辑中。例如,地址A4被耦合到XNOR门974的输入中,地址A1被耦合到XNOR门975中,而地址A0被耦合到反相器976中。如果SCS0位被设置成逻辑低或0,则XNOR门974-975在相应地址信号A4和A1分别被耦合到复用器960的1I0和1I1输入中之前逆置相应地址信号A4和A1。如果SCS0位被设置成逻辑高或1,则XNOR门974-975递送相应地址信号A4和A1而不作逆置,其接着被分别耦合到多路复用器960的1I0和1I1输入中。
十六进制三输入多路复用器960具有六个三到一的多路复用器,其具有耦合在一起的第一选择控制输入S0和耦合在一起的第二选择控制输入S1。第一个三到一的多路复用器响应于选择控制输入S0和S1接收输入1I0、1I1和1I2并提供输出1Y。第二个三到一的多路复用器响应于选择控制输入S0和S1接收输入2I0、2I1和2I2并提供输出2Y。第三个三到一的多路复用器响应于选择控制输入S0和S1接收输入3I0、3I1和3I2并提供输出3Y。第四个三到一的多路复用器响应于选择控制输入S0和S1接收输入4I0、4I1和4I2并提供输出4Y。第五个三到一的多路复用器响应于选择控制输入S0和S1接收输入5I0、5I1和5I2并提供输出5Y。第六个三到一的多路复用器响应于选择控制输入S0和S1接收输入6I0、6I1和6I2并提供输出6Y。
十六进制三输入多路复用器960具有第一选择控制输入S0和第二选择控制输入S1,以选择三个输入中的哪一个被耦合到相应输出。由于可能是两个选择控制输入选择四个中的一个,现在将描述用于十六进制3输入的多路复用器的真值表。如果两个选择位S0和S1都被置零,则从多路复用器选择I0输入为输出。如果S0位被设置成1,并且S1位被置零,则从多路复用器选择I1输入为输出。如果S1位被设置成1,则从多路复用器选择I2输入为输出,而不管S0的位设置如何。即,在这个最后的情况中,当S1位被设置成1时,由于其是超驰(over-riding)的,因此不必关心十六进制三输入多路复用器中的S0输入。
如前所述,OR门923产生低态有效微区块模式信号(MTM#)902B。低态有效微区块模式信号(MTM#)902B被耦合到多路复用器960的第二选择控制输入S1中。在多路复用器960中相应的I2输入是地址位A3-A8。在多路复用器960中相应的I1输入分别是来自XNOR门975的输出、反相器976的输出和地址位A2、A11、A12和A13。在多路复用器960中相应的I0输入分别是来自XNOR门974的输出和地址位A3、A5、A6、A7和A8。
如前所述,微区块模式信号(MTM#)902B是低态有效信号。然而,如果微区块模式信号(MTM#)902B是逻辑高或1,则从多路复用器选择I2输入为输出,而不管对第一选择控制输入S0的位设置如何。即,如果微区块模式信号(MTM#)902B是高的或1,则I2输入(地址位A3-A8)被选择以通过多路复用器960并驱送到内部地址信号线A3′-A8′上。
如果根据对OR门923的输入条件,生成微区块模式信号(MTM#)902B为低态有效信号,耦合到多路复用器的第一选择控制输入中的SCS1位选择多路复用器960中的I0或I1输入,以在其相应Y输出上产生。如果SCS1位被设置成逻辑低或0,并且被耦合到S0,则I0输入(来自XNOR门974的输出,和地址位A3、A5、A6、A7和A8)被选择为从多路复用器960输出到相应内部地址信号线A3′-A8′上。在这种方式中,子通道0的独立地址信息可从地址线上选择、调配和捕捉。然而,如果SCS1位被设置成逻辑高或1并且被耦合到S0,则I1输入(来自XNOR门975的输出,反相器976的输出和地址位A2、A11、A12和A13)被选择从多路复用器960输出到各个内部地址信号线A3′-A8′上。在这种方式中,子通道1的独立地址信息可从地址线选择、调配和捕捉。
控制逻辑930中的AND门906-911在功能上与在控制逻辑812B中的AND门906-911相似,响应于区块模式(MTM#)信号902B是低态有效的,分别选通地址信号线A0′-A2′和A11′-A12′上的相同地址信号A0-A2和A11-A12为零。另外,AND门969响应于微区块模式(MTM#)信号902B是低态有效的,选通内部地址线A10′上的地址信号A10为零。
现在参考图10,示出存储器集成电路用以提供微区块存储器操作的方法1000。
在框1002,存储器集成电路被分配到存储器通道的相应独立存储器子通道。即,存储器集成电路内的模式寄存器中的一个或多个子通道选择位被置位以将存储器IC分配到预定的存储器子通道。
在框1004,启动了对存储器集成电路的微区块存储器存取。即,该存储器集成电路内的模式寄存器中的微区块启动MTE位被置位以启动在其中的微区块存储器存取。由于MTE位是高态有效的,则其被设置成高逻辑电平。如果MTE位是低态有效的(″MTE#″)则MTE#位被设置成逻辑低电平。
在框1006,一个存储器子通道中的一个或多个存储器集成电路的存储单元从另一个子通道中的一个或多个存储器集成电路中的存储单元独立地寻址。即,存储器集成电路在其相应独立存储器子通道中独立寻址,以独立存取每个存储器子通道中的存储器。
如前所述,可通过不同方法提供对子通道的独立寻址。可以提供一种对子通道的独立寻址方式,其在未使用存储周期期间的现有地址信号线上,诸如在其中列地址被写入的CAS周期期间,并发地捕捉每个相应存储器子通道中的独立地址信息。另一种可提供对子通道的独立寻址方法是在存储器通道的相应独立存储器子通道中的存储控制器和存储器集成电路之间路由独立地址信号线。
还有另一种可提供对子通道的独立寻址方法是将边缘连接的未使用引脚再分配为独立的地址引脚,并且在存储模块上的相应独立存储器子通道中的边缘连接器的独立地址引脚和多个存储器集成电路之间路由独立地址信号线。在这种情况中,独立寻址可通过在存储器控制器和边缘连接器的引脚之间路由独立地址信号线以耦合到存储模块上的边缘连接的独立地址引脚来进一步地提供。边缘连接的未使用引脚可以是纠错控制引脚、奇偶引脚或其组合。
只要启动了微区块存取,微区块存储器存取可在每个存储器子通道中的存储器通道上发生。在框1008,判定微区块存取是否仍然在存储器集成电路中启动。模式寄存器中MTE位的检查可确定微区块存取是否仍然被启动。如果微区块存取仍然被启动,则处理跳回框1006,以准备利用微区块存取而进行存储器集成电路中的下一个存取。如果微区块存取不再启动,则处理结束,且开始正常的线性寻址。
先前,基于UMA存储器体系结构的集成图形控制器容易是带宽受限的。本发明实施例的建模提出了将微区块存取应用到UMA存储器体系结构可以使纹理存储器存取带宽减少20-40%,以使存储器存取更为有效。通过应用微区块存取,用于游戏工作负载的颜色和深度存储器存取带宽可减少约10-20%,以使存储器存取更为有效。
为了支持微区块存取存储器体系结构,已经改进了存储器子系统,以允许子通道存取。已经示出了本发明的实施例,其中可以实现微区块存取,并且仍然反向兼容现有的存储模块波形因数和标准。先前,没有可用的方法可在现有的存储模块(例如,DIMM)连接器上路由附加地址信号线,。本发明的实施例提供了其解决方案,即,使现有地址线过载每个子通道的独立地址信息。如果反向兼容性是不重要的,则可以提供其它的方法以将独立地址信息提供给每个子通道。
尽管已经描述了某些典型的实施例并已在相应的附图中示出,但是可以理解的是,在广义发明中,这样的实施例仅仅是说明性的,而不是限制性的,并且本发明的该实施例并不局限于所示出和描述的特定结构和配置,因为对于本领域的那些普通技术人员而言可以进行各种其它的修改。
Claims (19)
1.一种存储器集成电路,包括:
地址解码器,通过存储器通道内的独立子通道在存储器阵列中有选择地存取存储单元微区块;
控制逻辑,选择一条或多条地址信号线,以捕捉独立的地址信息,来支持对存储器阵列的独立微区块的独立子通道存储器存取,所述控制逻辑将独立地址信息耦合到地址解码器中。
2.如权利要求1所述的存储器集成电路,其特征在于,还包括从所述地址解码器至所述存储单元微区块的附加地址线以将附加的独立地址信息提供给存储器阵列,且其中所述控制逻辑选择一条或多条附加地址线,来支持对存储器阵列的独立微区块的独立子通道存储器存取。
3.如权利要求1所述的存储器集成电路,其特征在于,所述控制逻辑选择所述存储器通道的通道线中的一条或多条未使用信号线,来支持对存储器阵列的独立微区块的独立子通道存储器存取。
4.如权利要求1所述的存储器集成电路,其特征在于,还包括模式寄存器,所述模式寄存器包括位存储电路,用以存储微区块启动位和至少一个子通道选择位。
5.如权利要求4所述的存储器集成电路,其特征在于,所述控制逻辑耦合到多条地址信号线、所述地址解码器和所述模式寄存器,并且响应于所述启动位和所述至少一个子通道选择位选择地址线。
6.如权利要求5所述的存储器集成电路,其特征在于:
所述控制逻辑对一条或多条地址信号线的选择还响应于列地址加载信号和事务启动信号。
7.如权利要求1所述的存储器集成电路,其特征在于,所述控制逻辑包括多路复用器,用以选择在其上捕捉独立地址信息的地址信号线中的一条。
8.如权利要求7所述的存储器集成电路,其特征在于,所述多路复用器进一步将所述独立地址信息从第一有效地址位调配到第二有效地址位。
9.一种存储器集成电路,包括:
存储器通道,具有多个地址引脚,用于接收共享的行地址信号、共享的列地址信号、独立的列地址信号或其组合,以通过存储器通道内的独立子通道在存储器阵列中有选择地存取存储单元微区块;
多个多路复用器输入,耦合到多个地址引脚的子集以接收独立的列地址,多个多路复用器选择一个或多个所述独立列地址信号,作为在相应多路复用器输出上提供的独立子通道列地址信号;以及
耦合到所述多个多路复用器的相应输出的列地址解码器,所述列地址解码器响应于共享的列地址信号和独立子通道列地址信号而有选择地存取存储器阵列的微区块中的存储单元的列。
10.如权利要求9所述的存储器集成电路,其特征在于,还包括:
列地址加载选通脉冲引脚,用于接收列地址加载选通脉冲信号,以在所述多个地址引脚上有选择地接收一个或多个独立子通道列地址信号;
寄存器,用于存储微区块启动位和第一子通道选择位;
其中所述多个多路复用器每一个都具有耦合在一起的第一选择控制输入,所述第一选择控制输入还耦合到第一子通道选择位,以响应于微区块启动位和第一子通道选择位,选择多个多路复用器输入之一作为相应的子通道多路复用器输出。
11.如权利要求9所述的存储器集成电路,其特征在于:
所述多个多路复用器是三到一的多路复用器,每一个都使第二选择控制输入耦合在一起,并耦合到微区块模式信号,所述多个多路复用器进一步响应于所述微区块模式信号而选择一个或多个独立的列地址信号,作为独立的子通道列地址信号。
12.如权利要求11所述的存储器集成电路,还包括寄存器,所述寄存器存储第二子通道选择位,且所述存储器集成电路进一步包括:
耦合在一个或多个地址引脚和第一多个多路复用器之间的调配逻辑,所述调配逻辑响应于第二子通道选择位而有选择地逆置耦合在所述第一多个多路复用器中的一个或多个独立的列地址信号。
13.如权利要求9所述的存储器集成电路,其特征在于:
耦合在所述第一多个多路复用器和列地址解码器之间的第二多个多路复用器,所述第二多个多路复用器的每个多路复用器都具有耦合在一起并耦合到微区块模式信号的第二选择控制输入、相应的第二多个多路复用器输入的多个多路复用器输出,所述第二多个多路复用器的多个多路复用器输入的第一半分别耦合到所述第一多个多路复用器的多路复用器输出,而所述第二多个多路复用器的多个多路复用器输入的第二半分别耦合到多个地址引脚,所述第二多个多路复用器响应于活动的微区块模式信号而选择所述第一多个多路复用器的多路复用器输出在相应多路复用器输出上提供,并响应于不活动的微区块模式信号而选择共享行地址信号和共享列地址信号在相应多路复用器输出上提供。
14.一种用于计算机系统的存储器阵列,包括:
在至少一个存储器通道中耦合在一起的一个或多个存储器模块,所述一个或多个存储器模块的每一个都被划分为至少两个存储器子通道,所述一个或多个存储器模块的每一个包括:
第一存储器集成电路,所述第一存储器集成电路被分配到第一存储器子通道并且具有第一多个存储器的微区块,以及
第二存储器集成电路,所述第二存储器集成电路被分配到第二存储器子通道并且具有第二多个存储器的微区块;以及
控制逻辑,通过以不同粒度级别有选择地存取存储器集成电路,支持通过存储器通道的子通道对存储器集成电路的微区块的独立子通道存储器存取,其中第一粒度级别是整个存储器通道,且第二粒度级别是所述整个存储器通道的子集。
15.如权利要求14所述的存储器阵列,其特征在于,所述第一存储器集成电路和所述第二存储器集成电路中的一组可寻址存储单元是可相互独立寻址的。
16.如权利要求15所述的存储器阵列,其特征在于,所述控制逻辑同时存取存储器通道的两个不同子通道上的不同微区块。
17.如权利要求16所述的存储器阵列,其特征在于,所述存储器的两个不同的子通道是不连续的。
18.如权利要求14所述的存储器阵列,其特征在于,还包括至所述存储单元微区块的附加地址线以将附加的独立地址信息提供给存储器阵列,且其中所述控制逻辑选择一条或多条附加地址线,来支持对存储器阵列的独立微区块的独立子通道存储器存取。
19.如权利要求14所述的存储器阵列,其特征在于,所述控制逻辑选择所述存储器通道的通道线中的一条或多条未使用信号线,来支持对存储器阵列的独立微区块的独立子通道存储器存取。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111492351A (zh) * | 2017-12-21 | 2020-08-04 | 赛灵思公司 | 用于片上系统的在线ecc功能 |
CN114385545A (zh) * | 2020-10-20 | 2022-04-22 | 美光科技公司 | 针对可编程原子操作的存储器存取边界检查 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7558941B2 (en) * | 2005-06-30 | 2009-07-07 | Intel Corporation | Automatic detection of micro-tile enabled memory |
US8253751B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-08-28 | Intel Corporation | Memory controller interface for micro-tiled memory access |
US8032688B2 (en) * | 2005-06-30 | 2011-10-04 | Intel Corporation | Micro-tile memory interfaces |
US7882307B1 (en) * | 2006-04-14 | 2011-02-01 | Tilera Corporation | Managing cache memory in a parallel processing environment |
US8878860B2 (en) * | 2006-12-28 | 2014-11-04 | Intel Corporation | Accessing memory using multi-tiling |
US8825965B2 (en) * | 2008-01-08 | 2014-09-02 | Cisco Technology, Inc. | System and methods for memory expansion |
US8719485B2 (en) * | 2008-06-27 | 2014-05-06 | Marvell World Trade Ltd. | Solid-state disk with wireless functionality |
US8015357B2 (en) * | 2008-11-13 | 2011-09-06 | International Business Machines Corporation | Storage array tile supporting systolic movement operations |
CN102044288B (zh) * | 2009-10-13 | 2013-07-31 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 存储器的电性地址与拓扑地址的转换方法 |
DE102011011958A1 (de) * | 2011-02-22 | 2012-08-23 | Atlas Elektronik Gmbh | Speicherverwaltungseinheit und Verfahren zum Verwalten von Speicherzugriffen sowie System mit einer Speicherverwaltungseinheit |
US20130027416A1 (en) * | 2011-07-25 | 2013-01-31 | Karthikeyan Vaithianathan | Gather method and apparatus for media processing accelerators |
US8797806B2 (en) | 2011-08-15 | 2014-08-05 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods including source gates |
US9183614B2 (en) | 2011-09-03 | 2015-11-10 | Mireplica Technology, Llc | Processor, system, and method for efficient, high-throughput processing of two-dimensional, interrelated data sets |
US8861301B2 (en) * | 2012-06-08 | 2014-10-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Clocked memory with latching predecoder circuitry |
US10541029B2 (en) | 2012-08-01 | 2020-01-21 | Micron Technology, Inc. | Partial block memory operations |
US9318199B2 (en) | 2012-10-26 | 2016-04-19 | Micron Technology, Inc. | Partial page memory operations |
WO2014070200A1 (en) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Selective error correcting code and memory access granularity switching |
US9244840B2 (en) * | 2012-12-12 | 2016-01-26 | International Business Machines Corporation | Cache swizzle with inline transposition |
US9098425B2 (en) | 2013-01-10 | 2015-08-04 | International Business Machines Corporation | Implementing user mode foreign device attachment to memory channel |
US10318473B2 (en) | 2013-09-24 | 2019-06-11 | Facebook, Inc. | Inter-device data-transport via memory channels |
CN104699638B (zh) * | 2013-12-05 | 2017-11-17 | 华为技术有限公司 | 内存访问方法和内存访问装置 |
US9460012B2 (en) * | 2014-02-18 | 2016-10-04 | National University Of Singapore | Fusible and reconfigurable cache architecture |
US9489136B2 (en) * | 2014-10-27 | 2016-11-08 | Facebook, Inc. | Interrupt driven memory signaling |
US11755255B2 (en) | 2014-10-28 | 2023-09-12 | SK Hynix Inc. | Memory device comprising a plurality of memories sharing a resistance for impedance matching |
KR102358177B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2022-02-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 제어회로 및 제어회로를 포함하는 메모리 장치 |
US10067903B2 (en) | 2015-07-30 | 2018-09-04 | SK Hynix Inc. | Semiconductor device |
US9870325B2 (en) * | 2015-05-19 | 2018-01-16 | Intel Corporation | Common die implementation for memory devices with independent interface paths |
US10236043B2 (en) * | 2016-06-06 | 2019-03-19 | Altera Corporation | Emulated multiport memory element circuitry with exclusive-OR based control circuitry |
TWI602115B (zh) | 2016-06-23 | 2017-10-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置之資料儲存方法 |
US10838899B2 (en) * | 2017-03-21 | 2020-11-17 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for in-memory data switching networks |
US11409684B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-08-09 | Alibaba Group Holding Limited | Processing accelerator architectures |
US11625341B2 (en) | 2020-08-11 | 2023-04-11 | Alibaba Group Holding Limited | Narrow DRAM channel systems and methods |
US11360897B1 (en) * | 2021-04-15 | 2022-06-14 | Qualcomm Incorporated | Adaptive memory access management |
CN115565560A (zh) * | 2022-01-06 | 2023-01-03 | 澜起电子科技(上海)有限公司 | 模块化设计的存储设备及包括其的存储系统 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4320456A (en) * | 1980-01-18 | 1982-03-16 | International Business Machines Corporation | Control apparatus for virtual address translation unit |
US4604743A (en) | 1984-11-21 | 1986-08-05 | North American Philips Corporation | Bus structure for an image processor |
US5034917A (en) * | 1988-05-26 | 1991-07-23 | Bland Patrick M | Computer system including a page mode memory with decreased access time and method of operation thereof |
US5142627A (en) * | 1988-11-17 | 1992-08-25 | Unisys Corporation | FIP-compliant block multiplexor channel interface operational method for cache/disk subsystem |
US5251310A (en) * | 1990-06-29 | 1993-10-05 | Digital Equipment Corporation | Method and apparatus for exchanging blocks of information between a cache memory and a main memory |
JP2836321B2 (ja) * | 1991-11-05 | 1998-12-14 | 三菱電機株式会社 | データ処理装置 |
US5459842A (en) | 1992-06-26 | 1995-10-17 | International Business Machines Corporation | System for combining data from multiple CPU write requests via buffers and using read-modify-write operation to write the combined data to the memory |
US5504875A (en) * | 1993-03-17 | 1996-04-02 | Intel Corporation | Nonvolatile memory with a programmable output of selectable width and a method for controlling the nonvolatile memory to switch between different output widths |
US5412613A (en) * | 1993-12-06 | 1995-05-02 | International Business Machines Corporation | Memory device having asymmetrical CAS to data input/output mapping and applications thereof |
JP3670041B2 (ja) * | 1993-12-10 | 2005-07-13 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 不揮発性メモリチップイネーブル符号化方法、コンピュータシステム、およびメモリコントローラ |
WO1996041274A1 (en) | 1995-06-07 | 1996-12-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dynamically reconfigurable data bus |
US5710550A (en) * | 1995-08-17 | 1998-01-20 | I-Cube, Inc. | Apparatus for programmable signal switching |
US5875470A (en) * | 1995-09-28 | 1999-02-23 | International Business Machines Corporation | Multi-port multiple-simultaneous-access DRAM chip |
US5781926A (en) * | 1996-05-20 | 1998-07-14 | Integrated Device Technology, Inc. | Method and apparatus for sub cache line access and storage allowing access to sub cache lines before completion of line fill |
US6167486A (en) * | 1996-11-18 | 2000-12-26 | Nec Electronics, Inc. | Parallel access virtual channel memory system with cacheable channels |
US6308248B1 (en) * | 1996-12-31 | 2001-10-23 | Compaq Computer Corporation | Method and system for allocating memory space using mapping controller, page table and frame numbers |
US5913044A (en) | 1997-09-18 | 1999-06-15 | International Business Machines Corporation | Method and system for simultaneous variable-width bus access in a multiprocessor system |
JP2002500395A (ja) * | 1997-12-24 | 2002-01-08 | クリエイティブ、テクノロジー、リミテッド | 最適な多チャネル記憶制御システム |
US6405273B1 (en) | 1998-11-13 | 2002-06-11 | Infineon Technologies North America Corp. | Data processing device with memory coupling unit |
JP3639464B2 (ja) * | 1999-07-05 | 2005-04-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | 情報処理システム |
US6370668B1 (en) * | 1999-07-23 | 2002-04-09 | Rambus Inc | High speed memory system capable of selectively operating in non-chip-kill and chip-kill modes |
US6502161B1 (en) * | 2000-01-05 | 2002-12-31 | Rambus Inc. | Memory system including a point-to-point linked memory subsystem |
US6549483B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-04-15 | Atmos Corporation | RAM having dynamically switchable access modes |
JP2003338193A (ja) | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリモジュール |
US7548807B2 (en) * | 2002-07-05 | 2009-06-16 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Method for steering a vehicle with superimposed steering |
US20050034917A1 (en) * | 2003-08-14 | 2005-02-17 | Baker Hughes Incorporated | Apparatus and method for acoustic position logging ahead-of-the-bit |
US8032688B2 (en) * | 2005-06-30 | 2011-10-04 | Intel Corporation | Micro-tile memory interfaces |
-
2005
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2011
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111492351A (zh) * | 2017-12-21 | 2020-08-04 | 赛灵思公司 | 用于片上系统的在线ecc功能 |
CN114385545A (zh) * | 2020-10-20 | 2022-04-22 | 美光科技公司 | 针对可编程原子操作的存储器存取边界检查 |
CN114385545B (zh) * | 2020-10-20 | 2023-03-14 | 美光科技公司 | 针对可编程原子操作的存储器存取边界检查 |
US11734173B2 (en) | 2020-10-20 | 2023-08-22 | Micron Technology, Inc. | Memory access bounds checking for a programmable atomic operator |
Also Published As
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