CN1204624C - 发光器件 - Google Patents

发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN1204624C
CN1204624C CNB001307800A CN00130780A CN1204624C CN 1204624 C CN1204624 C CN 1204624C CN B001307800 A CNB001307800 A CN B001307800A CN 00130780 A CN00130780 A CN 00130780A CN 1204624 C CN1204624 C CN 1204624C
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
electric current
supply line
current supply
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB001307800A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1300104A (zh
Inventor
山崎舜平
福永健司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN1300104A publication Critical patent/CN1300104A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1204624C publication Critical patent/CN1204624C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
    • G01N33/483Physical analysis of biological material
    • G01N33/497Physical analysis of biological material of gaseous biological material, e.g. breath
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H01L31/147Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • H01L31/153Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier formed in, or on, a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298Multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1795Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/0929Conductive planes
    • H05K2201/093Layout of power planes, ground planes or power supply conductors, e.g. having special clearance holes therein
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10128Display
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/1031Surface mounted metallic connector elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

一种发光器件,显示出来的图像高度均匀。这种发光器件配备有一个印刷布线板(第二衬底)面对着上面形成有一个发光元件(102)的一个衬底(第一衬底)(107)配置。印刷布线板(107)上的PWB侧布线(第二布线群)通过各向异性导电膜(105a,105b)与元件侧布线(第一布线群)电连接。这里,由于用低电阻的铜箔形成PWB侧布线(110),因而减少了元件侧布线(103,104)的电压降和信号的延迟,从而提高了图像质量的均匀性和驱动电路部分的工作速度。

Description

发光器件
技术领域
本发明涉及一种其发光元件由夹在电极之件的发光材料组成的器件(以下称发光元件)和制造这种发光器件的方法。具体地说,本发明涉及一种采用能电致发光(EL)的发光材料(以下称EL材料)的发光材料。
背景技术
近几年来,采用利用发光材料的EL现象的发光元件(以下称EL元件)的发光器件(EL显示器件)的开发研究在进行中。EL显示器件是采用具有发光能力(即自行发光)的发光元件的显示器件,因而不像液晶显示器件那样,EL显示器件不需要背景光。此外,EL显示器件具有例如视野宽、重量轻和耗电量小的优点。
这类EL显示器件通常构制成EL元件由一个阳极、一个阴极和夹在极之间的EL材料构成的结构。阳极和阴极之间加上电压,使电流流经EL材料,各载流子就重新结合,从而使EL元件发光。这种驱动方法叫做电流驱动。然而,电流驱动的EL显示器件有产生布线电阻引起电压降(也叫做IR降)的现象问题。这种现象是电压,即使是同一个布线的电压,会随着其与电源之间间距的变大而下降。这个问题当布线长度长时特别明显,从而成了扩大EL显示器件屏幕的一大障碍。
布线由诸如钽、钨或硅之类的材料制成时,EL显示器件易受布线电阻的影响,从而大大降低图像质量的均匀性。此外,在采用象铝或铜之类的低电阻材料的情况下,当绕制距离长时,就会看到同样的现象,即出现上述现象。
这里参看图2说明上述问题。图2中示出了有源矩阵EL显示器件的一部分像素部分。N个像素A1、A2、...An沿图面的上下方向(垂直方向)排列。编号201表示栅极布线,202表示源极布线,203表示电流供应线。此外,栅极布线201、源极布线202和电流供应线203所环绕的部位中形成有开关TFT(薄膜晶体管)204、存储电容器205、电流控制TFT206和EL元件207。
在这个部分,由于电压降的影响,电流供应线205的电压随着电流供应线临近图2的底部而下降。就是说,原先在像素部分上部分的电压V1成为像素部分下部分的电压V2,变成V1>V2的关系。这个影响随着像素部分(图像显示区)的扩大而更加突出。
结果,在制造各像素发光亮度相等的EL元件的情况下,像素A1和像素A2发光的亮度大致相等,但像素An的发光亮度比起像素A1和像素A2来有所下降,原因在于,加到像素An的EL元件上的电压因电压降而下降所致。
此外,这种电压降不仅影响电流供应线203,而且也影响栅极布线201和源极布线202。就是说,可能影响到栅极布线201由于电压降而不能使开关TFT204的栅极断开。此外,源极布线202因电压降而变得不能将所要求的电压加到电流控制TFT206的栅极,从而恐怕使EL元件的亮度发生变化,或使EL元件不发光。
这样,所要求的电压由于布线电阻引起的电压降而变得不可能传过去,从而产生了像素部分大幅度失去了图像质量均匀性的缺点。为解决上述问题,有人试图设法给布线两端加上电压,但由于布线较长,从而不能忽视电压降的影响。
在制造驱动电路部分(一般包括栅极驱动电路和源极驱动电路)在同一个衬底上集成的整体式发光器件的情况下,绕驱动电路部分与电信号输入端子之间敷设在布线的布线电阻是个问题。布线电阻使电信号延迟,从而可能降低栅极驱动电路和源极驱动电路的工作速度。
因此,产生了这样一些缺点,例如图像质量的均匀性大幅度丧失,驱动电路部分的工作速度大幅度下降,这些都是布线电阻和信号延迟引起的电压降引起的。这个问题在对角线几十英寸大屏幕的发光器件中特别突出。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,因此本发明的目的是提供一种通过抑制上述布线电阻引起的电压降的影响使图像的质量均匀的发光器件。此外,本发明还有另一个目的,即抑制电连接驱动电路部分和输入/输出部分的布线的延迟,从而提高驱动电路部分的工作速度。
本发明的发光器件由一个上面形成有一个发光元件的衬底(以下称形成有元件的衬底或第一衬底)和一个硬质大型印刷布线板(PWB:印刷布线板),两者用导体(各向异性导电膜或凸块)电连接起来构成,其特征在于,第一衬底上形成的各布线(第一布线群)的电阻减小。
应该指出的是,硬质大型印刷布线板(以下称印刷布线板或第二衬底)表示硬度等级达到不会因受到一定量的冲击而弯曲的印刷线路布线板。一般说来,硬质大型印刷布线板是指由选自玻璃布环氧树脂、玻璃布耐热环氧树脂、陶瓷、氧化铝、纸质酚或纸质环氧树脂的材料制成。此外,还可以采用透明的玻璃衬底、石英衬底塑料衬底。
附图说明
从下面结合附图所作的说明可以更清楚地理解本发明的上述和其它目的和特点。
图1A和1B分别为发光器件剖面结构和顶部结构的示意图。
图2是像素亮度变化的示意图。
图3A和3B是发光器件顶部结构的示意图,图3C是发光器件剖面结构的示意图。
图4A和4B分别为EL显示器件顶部结构和剖面结构的示意图。
图5A和5B分别为EL显示器件的顶部结构和剖面结构的示意图。
图6是EL显示器件剖面结构的示意图。
图7是EL显示器件剖面结构的示意图。
图8A至8F是本发明电气设备的示意图。
图9A和9B是本发明电气设备的示意图。
具体实施方式
图1A示出了本发明发光器件的剖面图,图1B示出了发光器件的顶视图。应该指出,图1A即相当于沿图1B的A-A’线截取的剖视图。
图1A中,编号101表示上面形成有发光元件102(一般为EL元件或半导体二极管元件)。布线103和104在衬底101上形成,供给发光元件102传送电信号用(以下称元件侧布线)。这些组成部分相当于上述第一衬底。应该指示的是,衬底101也可采用玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、硅衬底、陶瓷衬底或金属衬底。
印刷布线板107通过设在第一衬底布线103和104上的导体105a和105b与衬底101电连接。应该指出的是,编号106a和106b表示密封剂,供将第一衬底101和印刷布线板107粘结在一起。
此外,印刷布线板107的前表面、后表面或内部形成有一布组群(第二布线群)。在本说明书中,布线是在两个或多个不同层面形成时叫做多层布线(或叠层布线)。另一方面,一层布线在前表面、后表面或内部形成时,在本说明书中叫做单层布线。在本发明中,印刷布线板107可以是多层布线,也可以是单层布线。第二布线群由选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属膜制成,或由其主要成分的材料选自铜、银、金、铝和镍组成的组的合金膜制成。此外,第二布线群形成由两种或多种选自铜、银、金、铝和镍的不同元素制成的金属膜的层状结构。
在这方面,各向异性导电膜、导电膏或凸块都可用作导体105a和105b。作为凸块,一般可采用钎焊凸块、金属凸块、镍凸块或铜凸块。此外,导电膏可采用里面扩散有诸如银和镍之类金属粒料的树脂。
FPC(柔质印刷电路)108附在印刷布线板107的端部。此外,布线110制成1和20微米之间厚(以下称PWB侧布线或第二布线群),供将原光传送给各向异性导电膜109的电信号传送给导体105a和105b。一般说来,铜箔、金箔、银箔、镍箔或铝箔制成的布线图案用作PWB侧布线110。应该指出的是,FPC虽然在板的意义上讲是个印刷布线板但并不包括在本发明所述印刷布线板中。
在本发明的具有上述结构的发光器件中,传送给FPC108的电信号是由PWB侧布线110传送线导体105a和105b的,接着,信号可通过元件侧布线103和104传送给发光元件102。这里,由于PWB侧布线110是由电阻极小的布线制成的,因而可以大幅度抑制布线电阻产生的电压降,从而可以给元件侧布线103和104传送几乎等效的电信号。同样,PWB侧的布线110的布线电阻小,因而信号的延迟大部分受到抑制,从而可以改善驱动电路工作速度降低的不足之处。
此外,本发明的一个特点是印刷布线板107采用选自玻璃布环氧树脂、玻璃布耐热环氧树脂、陶瓷、氧化铝、纸质酚或纸质环氧树脂的材料,因而具有耐冲击的性能。因此,可以保护发光元件不致因受外力的冲击而损坏,从而可以制取高度可靠的发光器件。
现在就本发明的实施例说明应用本发明制造EL显示器件的例子。图3A和3B示出了应用本发明制造的EL显示器件的顶视图。
在实施例中,图3A示出的是EL显示器件的顶视图,图3C示出的是显示器件的剖视图。图3C是沿图3A和3B顶视图中的A-A’线截取的剖面图。此外,实施例中的印刷布线板是按双层结构构成的,图3A和3B中示出了相应的各层面。
图3A中,编号300表示第一印刷布线板,布线板300上形成有布线301供辅助电流供应线之用(以下称电流供应辅助线)。在本说明书中,电流供应线是供应流经EL元件、流到各EL元件的电流的布线,辅助电流供应线的布线是与电流供应线并联连接以减小电流供应线视在布线电阻的布线。
此外,以编号302标出的虚线为源极驱动电路,以编号303a和303b标出的虚线为栅极驱动电路,以编号304标出的虚线为像素部分。这些驱动电路和像素部分在第一衬底330(参看图3C)上形成。此外,以编号305标出的粗虚线为电流供应线,在第一衬底330上形成。这里在接触部分306中,电流供应辅助线301与导体307电连接,再通过导体307与电流供应线305电连接。
这样,象铜箔之类的低电阻材料制成的电流供应辅助线301在第一印刷布线板300上形成。电流供应辅助线301通过接触部分306与在第一衬底300上形成的电流供应线305电连接。这样,可以使电流供应线305任何位置的电位相等,因而可以大致抑制电流供应线305的电压降。
图3B中,编号310表示第二印刷布线板,上面形成有布线311供辅助栅控制布线之用(以下称栅控制辅助线)。在本说明书中,栅控制布线是供传送栅驱动电路的电源信号、时钟信号或启动信号,辅助栅控制布线的布线是与栅控制布线并联连接以减小栅控制布线的视在布线电阻的布线。
此外,以编号312标出的粗虚线是在第一衬底上形成的栅控制布线。这里,栅控制辅助线311通过接触部分313与导体314电连接,再通过导体314与栅控制布线315电连接。
这样,第二印刷布线板310上形成有诸如铜箔之类的低电阻材料制成的栅控制辅助线311。栅控制辅助线311通过接触部分313与在第一衬底330上形成的栅控制布线312电连接。因此,可以使电位在栅控制布线312的任何位置都相等,从而可以大致抑制栅控制布线312的电压降。
在本发明的实施例中,先是将第一印刷布线板300和第二印刷布线板310彼此粘结在一起(以印制布线板320表示),再用密封剂331将粘结好的板与第一衬底330粘结起来。不是第一印刷布线板300就是第二印刷布线板310通过导体307或314与第一衬底330电连接。应该指出的是,设置导体307和314的位置是没有限制的。
在实施例中,印刷布线板320和第一衬底330之间的间隙视乎各向异性导电膜、导电膏或凸块的高度而定。间隙最好取5微米和1毫米之间(最好在10和100微米之间)。若间隙过窄,则印刷布线板320和发光元件可能彼此接触。另一方面,若间隙过宽,则各向异性导电膜、导电膏或凸块难以紧闭间隙。这里可以用隔片或填料来紧闭间隙。
此外,在第一衬底330与印刷布线板320之间的密封间隙321中还可充以惰性气体(最好是氩气、氖气、氮气或氦气)或树脂。树脂可采用紫外线固化处理过的树脂、热固性树脂、硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)或EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)。
可以在密封间隙321内连周惰性气体或树脂一起加入吸潮材料(一般为氧化钡或氧化铯)。
本发明实施例重要的一点是将设在印刷布线板中的低电阻布线图案与易引起布线电阻问题的电流供应线305及栅控制布线312电连接,这样就可以抑制电流供应线305和栅控制布线312引起的电压降出现,从而可制造出能均匀显示出图像的EL显示器件。
实施例1
在实施例1中,参看图4A和4B说明用本发明制造的发光矩阵EL显示器件。图4A是上面形成有EL元件的第一衬底(图4B中用编号400标出)的顶视图。编号401的虚线表示源极驱动电路,402表示栅极驱动电路,403表示像素部分。
此外,编号404表示印刷布线板,上面形成有PWB侧布线405。编号406标出的虚线表示第一密封件,在第一密封件406所环绕的内侧,在印刷布线板404与第一衬底400之间加有树脂(图4B中用编号407表示)。应该指出的是,掺入树脂407中的吸潮剂材料采用氧化钡(图4B中以编号408标出)。
编号409表示接触部分,其作用是将第一衬底400上形成的PWB侧布线405和连接布线410a至410c连接起来。象视频信号或时钟信号之类从用作与外部器件的连接端子的FPC(柔质印刷电路)411输入的电信号传送给PWB侧布线405,再通过接触部分409传送给电流供应线。
图4B示出了相当于沿图4A的A-A’线截取的剖面的剖视图。应该指出的是,在图4A和4B中同样的组成部分用同样的编号表示。如图4B中所示,像素部分403和源极侧驱动电路401在衬底400上形成。像素部分403由多个像素构成,各像素包括一个TFT431和一个像素电极432,TFT431供控制流向EL元件的电流(以下称电流控制TFT),像素电极432与电流控制TFT431漏极电连接。此外,源极侧驱动电路401用一个CMOS电路构成,CMOS电路中的一个N构道TFT433和一个P沟道TFT434以互补的形式结合。
像素电极432由透明的导电膜(实施例1中为氧化铟和氧化锡的化合物构成的薄膜)制成,其作用是作为EL元件的阳极。绝缘膜435在像素电极432的两端形成,在该两端还形成有发红光的发光层436a、发绿光的发光层436b和发蓝光的发光层(图中未示出)。在该上面还形成的EL元件阴极437用遮光膜(在实施例1中为锂和铝的合金膜)。
至于发光层436a和436b的淀积方法,可以采用任何现有的方法,形成发光层的材料可以采用有机材料或无机材料。发光层的结构不仅必须是发光层,而且还要是电子注入层、电子位移层、空穴位移层和空穴注入层组合成的叠层结构。
在实施例1的情况下,阴极437还起公用布线的作用,为所有的像素共同享用,与连接部件410a至410c电连接。连接布线410a至410c通过各向异性导电膜440a至440c与PWB侧布线405电连接。此外,由于PWB侧布线与FPC411电连接,因而连接布线410a至410c与FPC411电连接。
这里在实施例1中,第一密封件406是采用调合剂之类制成的,并喷上隔离层料(图中未示出),使第一密封件406粘结到印刷布线板404上。接着,往第一衬底400、印刷布线板404和第一密封件406所包围的空间中充填树脂407。虽然实施例1中采用掺氧化钡的树脂作为吸潮材料,但氧化钡同样可以大量分散的方式在内部密封。此外,图中未示出的隔离层的材料可以采用吸潮材料。
接着,树脂407通过紫外线或加热固化处理之后,将第一密封件406中形成的孔口部分(图中未示出)封闭起来。接下去,装上第二密封件412,使其覆盖住第一密封件406、印刷布线板404和FPC411的一部分。第二密封件412可以用第一密封件406同样的材料制成。
通过用上述方法将EL元件密封在树脂407内,EL元件就完全与外部环境隔绝开来,从而可以避免潮气和氧之类加速有机材料氧化降物质从外面入侵,这样就可以制造出高度可靠的EL显示器件。
此外,通过采用本发明可以抑制第一衬底上电流供应线和栅控制布线的布线电阻引起的电压降,从而可以制造出能将图像均匀显示出来的EL显示器件。
实施例2
现在参看图5A和5B说明实施例2中采用本发明制造的无源矩阵EL显示器件。这里图5A为显示器件的顶视图,图5B为显示器件沿图5A的A-A’线截取的剖视图。
图5B中,编号501表示塑料制成的第一衬底。编号502表示氧化铟和氧化锌的化合物制成的正极。实施例2中,正极502是用蒸发法制取的。虽然图5A和5B中没有示出,但这里的多个阳极呈条状沿平行方向按一定间距排列的。
绝缘膜503与多个呈条状排列的阳极502正交配置。此外,各阳极502的间隙还加上绝缘膜503,将各阳极502分别绝缘起来。因此,绝缘膜503从上面看去时是形成一定图案的矩阵。
此外,触排504由树脂制成,在绝缘膜503上形成。触排504在空间中在垂直方向形成,与各正极502正交。触排504的形状加工成倒立的三角形(倒立的锥形)。这里,这种结构可以是双层结构,呈檐形的上层在下层之上。
这之后,依次形成铝合金制成的发光层505和负极。发光层505是易受潮气和氧的影响的,所以发光层505和负极506最好都在真空或惰性氛围中依次形成。发光层505可由任何现行材料制取,但从薄膜淀积的简易上看,最好还是采用聚合物为基料的有机材料。此外,负极506最好用蒸发法制取。发光层505和负极506都在触排504构成的槽中形成,两者都呈条状沿垂直方向按一定间距配置。
虽然图中没有示出,在发光层505和负极506之间加上空穴转移层或空穴注入层作为缓冲层还是有用的。空穴注入层可采用诸如酞花青铜、聚硫苯或PEDOT的材料。
这样,用上述方法在第一衬底501上形成EL元件。这里由于底部电极在实施例2中用作透明正极,因而发光层505中产生的光在既定的空间中沿朝向底部表面的方向(朝第一衬底501的方向)射出。
阳极502通过设在第一密封件内的各向异性性导电膜508a和508b与印刷布线板510上形成的PWB侧布线511电连接。在实施例2中,PWB侧面线511是个三层结构,由设在印刷布线板510前表面上的布线511a、设在布线板510内的布线511b和设在布线板510后表面的布线511c组成。说明图1时提到的材料可用作制取印刷布线板510的材料。
这里,如图5A中所示,印刷布线板510前表面上的布线511a和印刷布线板510内的布线511b彼此正交形成。印刷布线板510前表面上的布线511a与正极502电连接,印刷布线板510后表面上的布线511c与负极506电连接。此外,印刷布线板510前表面上的布线511a与FPC512电连接,从而传送外部设备来的信号。
在实施例2中,第一衬底501与印刷布线板510之间的间隙加有树脂513和掺入树脂513中的吸潮剂材料514,从而保护EL元件使其受潮气和氧的影响。当然,间隙中也可不充以树脂而充以惰性气体。此外,为防止EL元件变质,配备了第二密封件515将整个印刷布线板510覆盖住。
通过用上述方法将EL元件密封入树脂513中,EL元件就完全与外部环境隔绝,从而可以防止象潮气和氧之类加速有机材料氧化降解的物质从外面入侵,这样可以制造出高度可靠的EL显示器件。
此外,通过采用本发明可以抑制第一衬底上正极和负极的布线电阻引起的电压降,从而可以制造出能将图像均匀显示出来的EL显示器件。
实施例3
实施例3中示出了实施例1中所述EL显示器件结构经修改的一个实例。这里参看图6说明实施例3。第一衬底400上形成的TFT和EL元件,其结构与图4A和4B的相同,因而只有那些不同的组成部分用编号标出进行说明。
形成实施例1类似的结构直到形成负极437之后,再形成厚50至500纳米(最好在300和400纳米之间)的钝化膜601将负极437覆盖住。钝化膜601可采用氧化钽膜、氮化硅膜、氧化硅膜氮化氧化硅膜或这些膜组成的层叠膜。为使EL元件不致变质,薄膜淀程过程最好用汽相淀积法在150℃的温度下进行。
EL元件的密封在实施例3由钝化膜601完成。就是说,EL元件由钝化膜601加以保护使其不受潮气和氧之类外来物质的影响,因而实施例3的特点是EL显示器件的可靠性提高了。因此,虽然图4A和4B中看到的结构是EL元件用防外来物质影响的树脂407加以保护,但在实施例3中则无需特意如此进行密封,从而简化了EL显示器件的结构。
这里,各向异性导电膜602a和602b不仅仅和连接布线410a至410c及印刷布线板603上形成的PWB侧布线604电连接,而且还起确定第一衬底400与印刷布线板603之间间隙的作用。当然,可以配备分立的隔离层。
通过用上述方法将EL元件用钝化膜601密封起来,EL元件就完全与外部环境隔绝,从而可以避免受外来的诸如潮气和氧之类加速有机材料氧化降解的物质的入侵,从而可以制造出高度可靠的EL显示器件。
此外,通过采用本发明可以抑制设在第一衬底上的电流供应线和栅控制布线的布线电阻引起的电压降的产生,从而可以制造出可均匀显示出图像的EL显示器件。
这里可以把实施例3的结构和实施例1的结构结合起来使用。
实施例4
实施例4中示出了实施例1所述EL显示器件结构的一个修改实例。现在参看图7说明实施例4。第一衬底400上形成的TFT和EL元件具结构基本上与图4A和4B的相同。因此,只有那些不同的组成部分用编号标出并加以说明。
实施例4中,EL元件的结构与图4A和4B的相反。像素电极(阴极)701采用遮光导电膜,阳极702采用透明导电膜(在实施例4中为氧化甸和氧化锌的化合物膜)。因此,光发出的方向是朝图面的上部分(箭头所示的方向)。
EL元件完工时,覆盖件704与第一密封件703粘结,覆盖件704内部加有掺以吸潮材料的树脂706。覆盖件704可采用透光材料,可采用树脂膜、树脂衬底、塑料衬底、玻璃衬底或石英衬底。
接着,从第一衬底400的后表面开一个通孔,从而形成连接布线707a和707b。连接布线707a和707b再通过金、钎焊料或镍制成的凸块708a和708b与印刷布线板709上形成的PWB侧布线710电连接。PWB侧布线710与FPC711电连接。这里编号712表示将第一衬底400与印刷布线板709粘结起来的树脂,但结构也可不加树脂712。
通过采用实施例4可以抑制设在第一衬底上电流供应线和栅控制布线的布线电阻引起的电压降的产生,从而可以制造出能均匀显示出图像的EL显示器件。
实施例5
实施例1至4中说明了采用EL元件的发光器件。然而,本发明还可应用于EC(电致变色)显示器件、场致发光显示(FED)或采用半导体具发光二极管的发光器件。
实施例6
采用本发明制造出来的发光器件是自行发光式的器件,而且其视角宽广,因而比起液晶显示器件来,在光亮部位的可见度优异,因此可用作各种电子设备的显示部分。举例说,欣赏大屏幕电视广播悍,适宜采用本发明外壳装置有发光器件、对角线等于20至50英的显示部分。
这里外壳装有发光器件的显示部分包括所有象个人计算机显示部分。电视广播接收显示部分之类显示信息的显示部分,或广告显示部分。此外,本发明的发光器件还可用作其它各种电子设备的显示部分。
下面举这类电子设备的例子:电视摄像机,数码摄像机,防护镜式显示器(头戴式显示器),汽车导航系统,音响播放装置(例如汽车音响系统,音响组件系统),笔记本个人计算机,游戏设备,便携式信息终端(例如手提计算机,移动电话机,移动游戏机或电子本)和配备有记录媒体(具体地说,播放记录媒体配备有能显示这些图像的显示部分的器件,例如数码视频盘(DVD))。具体地说,由于便携式信息终端经常是从对角线方向观赏的,因而认为视角的宽度非常重要。因此,最好采用EL显示器件。图8和9示出了这些电子设备的一些例子。
图8A是外壳上装有发光器件的显示器,包括外壳2001、支座2002和显示部分2003。本发明可用于显示部分2003中。鉴于这类显示器是无需背景光自行发光式的显示器,因而其显示部分可以制造得比液晶显示器薄。
图8B是电视摄像机,包括主体2101、显示部分2102、音响输入部分2103、操作开关2104、电池2105和图像接收部分2106。本发明的发光器件可用于显示部分2102中。
图8C是头戴式EL显示器(右侧)的一部分,包括主体2201、信号电缆2202、头上固定带2203、显示部分2204、光学系统2205和发光器件2206。本发明可用于发光器件2206中。
图8D是图像播放机(具体地说,DVD播放机),配备有记录媒体,包括主体2301、记录媒体(例如DVD)2302、操作开关2303、显示部分(a)2304和显示部分(b)2305。显示部分(a)主要用来显示图像信息,图像部分(b)主要用来显示字符信息,本发明的发光器件可用于这些图像部分(a)和(b)中。这里家庭游戏机属于配备有记录媒体的图像播放机。
图8E是手提计算机,包括主体2401、摄影部分2402、图像接收部分2403、操作开关2404和显示部分2405。本发明的发光器件可用在显示部分2405中。
图8F是个人计算机,包括主体2501、外壳2502、显示部分2503和键盘2504。本发明的发光器件可用于显示部分2503中。
应该指出的是,将来若发光率提高,含输出图像的投射光可用透镜、光纤等诸如此类加以放大,那时有可能将发光器件用在正面式投影机或后面式投影机中。
发光器件的发光部分消耗功率,因此最好显示信息,使发光部分尽可能小。这样,当在主要显示字符信息的显示部分(例如便携式终端,特别是手提电话机和音响播放装置)中使用发光器件时,最好取不发光部分作为背景,在发光部分形成字符信息进行驱动。
图9A是手提电话机,包括主体2601、话音输出部分2602、话音输入部分2603、显示部分2604、操作开关2605和天线2506。本发明的发光器件可用在显示部分2604中。这里显示部分2604黑色背景上显示的字符采用白色字符可以降低手提电话机的耗电量。
图9B是音响播放机,具体地说,汽车的音响系统,它包括主体2701、显示部分2702和操作开关2703和2704。本发明的发光器件可用于显示部分2702中。此外,实施例6中还示出了汽车的音响播放装置,但它也可用作移动式和家庭式的音响播放装置。这里显示部分2704黑色背景上显示的字符采用白色字符可以降低耗电量。这在移动式音响播放装置中特别有效。
因此,本发明的应用范围特别广,本发明可应用到所有领域的电子设备。此外,实施例1至6中所示发光器件的任何结构可应用于本实施例的电子设备中。
实施例7
在室外使用显示部分采用本发明发光器件的电气设备的情况下,当然有时候要在光线不足、有时候要在光线充足的环境下观看显示部分的。然而,当光线不足时,即使亮度不太高也能充分辨认出所显示的内容,当光线充足时,若亮度不高就辨认不了所显示的内容。
就发光器件而论,由于亮度与元件的工作电流或工作电压成正比,因而需要提高亮度时,必须相应增加耗电量。然而,若发光率调得很高,则当光线不足时,在耗电量大到不必要程度的情况下,显示亮度比要求的还高。
为应付这种情况,应该给本发明的发光器件配备用传感器检测环境亮度、再根据亮度的大小调节发光率的功能,这样做还是有用的。更具体地说,光线充足时将发光率调高,光线不足时,将发光率调低。这样,就可制造出一种能避免耗电量提高又能使用户不感到疲劳的发光器件。
这里,检测环境亮度的传感器可采用CMOS传感器或CCD(电荷耦合器件)。这类CMOS传感器一般可集成在形成有发光元件的衬底上,或者在外面附上一个半导体芯片。此外,还可以将上面形成有这类CCD的半导体芯片附在形成有发光元件的衬底上,或者给显示部分采用发光器件的电气设备的部分配备CCD或CMOS传感器。
这里配备了一个控制电路供根据检测环境亮度的传感器获得的信号改变发光元件的工作电流或工作电压,用这个控制电路可以根据环境的亮度调节发光元件的发光率。应该指出的调节可以自动进行或手动进行。
应该指出,本实施例的结构可应用在实施例6所述的任何电气设备中。
在有源矩阵式或无源式发光器件中,因布线电阻引起的信号延迟和电压降减少了,从而提高驱动电路部分的工作速度,改进了像素部分图像质量的均匀性。

Claims (26)

1.一种发光器件,包括:
第一衬底;
形成在所述第一衬底上的多个发光元件;
形成在所述第一衬底上的多个电流控制TFT;
形成在所述第一衬底上的电流供应线;
第二衬底;
辅助所述电流供应线的布线,所述辅助所述电流供应线的布线形成在所述第二衬底上;以及
多个导体,用于将所述电流供应线与所述辅助所述电流供应线的布线电连接,
其中所述多个发光元件中各个经所述多个电流控制TFT中相应的一个连接到所述电流供应线,以及
其中所述辅助所述电流供应线的布线减小了所述电流供应线的视在布线电阻。
2.如权利要求1所述的发光器件,其中所述多个发光元件是多个EL元件。
3.如权利要求1所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线由选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属膜制成,或由其主要成分的材料选自铜、银、金、铝和镍组成的组的合金膜制成。
4.如权利要求1所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线形成由两种或多种选自铜、银、金、铝和镍的不同元素制成的金属膜的层状结构。
5.如权利要求1所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线在所述第二衬底的前表面、后表面或内部形成。
6.如权利要求1所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线覆盖的一个通孔在所述第二衬底中形成。
7.如权利要求1所述的发光器件,还包括:
一种密封剂,用于将所述第一衬底与所述第二衬底粘结起来。
8.如权利要求7所述的发光器件,其中所述多个发光元件是多个EL元件。
9.如权利要求7所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线由选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属膜制成,或由其主要成分的材料选自铜、银、金、铝和镍组成的组的合金膜制成。
10.如权利要求7所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线形成由两种或多种选自铜、银、金、铝和镍的不同元素制成的金属膜的层状结构。
11.如权利要求7所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线在所述第二衬底的前表面、后表面或内部形成。
12.如权利要求7所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线覆盖的一个通孔在所述第二衬底中形成。
13.如权利要求1的发光器件,还包括:
一种密封剂,用于将所述第一衬底和所述第二衬底粘结在一起;以及
一种树脂,充填在所述第一衬底与所述第二衬底之间的空间。
14.如权利要求13所述的发光器件,其中所述多个发光元件是多个EL元件。
15.如权利要求13所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线由选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属膜制成,或由其主要成分的材料选自铜、银、金、铝和镍组成的组的合金膜制成。
16.如权利要求13所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线形成由两种或多种选自铜、银、金、铝和镍的不同元素制成的金属膜的层状结构。
17.如权利要求13所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线在所述第二衬底的前表面、后表面或内部形成。
18.如权利要求13所述的发光器件,其中所述辅助所述电流供应线的布线所覆盖的一个通孔在所述第二衬底中形成。
19.一种包括发光器件的摄像机,包括:
第一衬底;
形成在所述第一衬底上的多个发光元件;
形成在所述第一衬底上的多个电流控制TFT;
电流供应线,形成在所述第一衬底上,并经所述多个电流控制TFT中相应的一个连接到所述多个发光元件中相应的一个;
第二衬底;
辅助所述电流供应线的布线,所述辅助所述电流供应线的布线形成在所述第二衬底上;以及
多个导体,用于将所述电流供应线与所述辅助所述电流供应线的布线电连接,
其中所述辅助所述电流供应线的布线减小了所述电流供应线的视在布线电阻。
20.如权利要求19所述的摄像机,其中所述的摄像机是一种视频摄像机。
21.如权利要求19所述的摄像机,其中所述的摄像机是一种数码摄像机。
22.一种包括发光器件的个人计算机,包括:
第一衬底;
形成在所述第一衬底上的多个发光元件;
形成在所述第一衬底上的多个电流控制TFT;
电流供应线,形成在所述第一衬底上,并经所述多个电流控制TFT中相应的一个连接到所述多个发光元件中相应的一个;
第二衬底;
辅助所述电流供应线的布线,所述辅助所述电流供应线的布线形成在所述第二衬底上;以及
多个导体,用于将所述电流供应线与所述辅助所述电流供应线的布线电连接,
其中所述辅助所述电流供应线的布线减小了所述电流供应线的视在布线电阻。
23.一种包括发光器件的便携式信息终端,包括:
第一衬底;
形成在所述第一衬底上的多个发光元件;
形成在所述第一衬底上的多个电流控制TFT;
电流供应线,形成在所述第一衬底上,并经所述多个电流控制TFT中相应的一个连接到所述多个发光元件中相应的一个;
第二衬底;
辅助所述电流供应线的布线,所述辅助所述电流供应线的布线形成在所述第二衬底上;以及
多个导体,用于将所述电流供应线与所述辅助所述电流供应线的布线电连接,
其中所述辅助所述电流供应线的布线减小了所述电流供应线的视在布线电阻。
24.如权利要求23所述的便携式信息终端,其中所述的便携式信息终端是一种手提计算机。
25.如权利要求23所述的便携式信息终端,其中所述的便携式信息终端是一种移动电话。
26.如权利要求23所述的便携式信息终端,其中所述的便携式信息终端是一种电子本。
CNB001307800A 1999-12-15 2000-12-15 发光器件 Expired - Fee Related CN1204624C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP356736/1999 1999-12-15
JP35673699 1999-12-15

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200510059434XA Division CN1662107B (zh) 1999-12-15 2000-12-15 发光器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1300104A CN1300104A (zh) 2001-06-20
CN1204624C true CN1204624C (zh) 2005-06-01

Family

ID=18450523

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB001307800A Expired - Fee Related CN1204624C (zh) 1999-12-15 2000-12-15 发光器件
CN200510059434XA Expired - Fee Related CN1662107B (zh) 1999-12-15 2000-12-15 发光器件
CNB2006101014134A Expired - Fee Related CN100514668C (zh) 1999-12-15 2000-12-15 发光器件

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200510059434XA Expired - Fee Related CN1662107B (zh) 1999-12-15 2000-12-15 发光器件
CNB2006101014134A Expired - Fee Related CN100514668C (zh) 1999-12-15 2000-12-15 发光器件

Country Status (7)

Country Link
US (9) US6894431B2 (zh)
EP (1) EP1109224B1 (zh)
JP (8) JP4727035B2 (zh)
KR (1) KR100687087B1 (zh)
CN (3) CN1204624C (zh)
DE (1) DE60044419D1 (zh)
TW (1) TW465122B (zh)

Families Citing this family (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW465122B (en) * 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
SG111923A1 (en) 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2002330200A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 携帯無線装置
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP4831892B2 (ja) 2001-07-30 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4789369B2 (ja) * 2001-08-08 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
KR100768182B1 (ko) 2001-10-26 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자와 그 제조방법
JP3724725B2 (ja) 2001-11-01 2005-12-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP2003234186A (ja) * 2001-12-06 2003-08-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
JP4134312B2 (ja) * 2002-04-23 2008-08-20 独立行政法人産業技術総合研究所 分子ビーム装置
KR100508911B1 (ko) * 2002-05-09 2005-08-18 주식회사 펩트론 서방성 단백질 약물 제형 및 이의 제조방법
JP4530083B2 (ja) * 2002-06-07 2010-08-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2004101948A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd 表示装置およびその製造方法
WO2004027740A1 (en) * 2002-09-20 2004-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7094684B2 (en) * 2002-09-20 2006-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP4050972B2 (ja) * 2002-10-16 2008-02-20 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
JP2004145011A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Seiko Epson Corp 配線基板、回路基板、電気光学装置及びその製造方法、電子機器
JP2004247077A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2004303522A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置及びその製造方法
US7250720B2 (en) 2003-04-25 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4754772B2 (ja) * 2003-05-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び該発光装置を用いた電子機器
US7247986B2 (en) * 2003-06-10 2007-07-24 Samsung Sdi. Co., Ltd. Organic electro luminescent display and method for fabricating the same
US7557779B2 (en) 2003-06-13 2009-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN1816836B (zh) * 2003-07-08 2011-09-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其驱动方法
WO2005008800A1 (en) * 2003-07-16 2005-01-27 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Electroluminescent device with homogeneous brightness
US20050052342A1 (en) * 2003-07-31 2005-03-10 Ritdisplay Corporation Dual display device
TWI362231B (en) * 2003-11-21 2012-04-11 Semiconductor Energy Lab Display device
JP4780950B2 (ja) * 2003-11-21 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7402946B2 (en) * 2003-11-28 2008-07-22 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device with absorbent film and fabrication method thereof
JP4507611B2 (ja) * 2004-01-29 2010-07-21 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP4434769B2 (ja) * 2004-02-10 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 ラインヘッドおよびそれを用いた画像形成装置
KR100573132B1 (ko) 2004-02-14 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
US7411601B2 (en) * 2004-08-03 2008-08-12 Seiko Epson Corporation Exposure head
KR100700653B1 (ko) * 2005-02-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR20060094685A (ko) * 2005-02-25 2006-08-30 삼성전자주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP4706296B2 (ja) * 2005-03-25 2011-06-22 カシオ計算機株式会社 ディスプレイパネル
JP4687179B2 (ja) * 2005-03-25 2011-05-25 カシオ計算機株式会社 ディスプレイパネル
US7851996B2 (en) * 2005-11-16 2010-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
KR100720143B1 (ko) 2005-12-13 2007-05-18 삼성전자주식회사 디스플레이장치
KR20070095030A (ko) * 2006-03-20 2007-09-28 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치
JP4868922B2 (ja) * 2006-04-12 2012-02-01 コイズミ照明株式会社 El光源体
US8159449B2 (en) 2006-04-14 2012-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having light-emitting element and liquid crystal element and method for driving the same
JP2008058853A (ja) * 2006-09-04 2008-03-13 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
WO2008062645A1 (fr) * 2006-11-21 2008-05-29 Konica Minolta Holdings, Inc. Panneau électroluminescent organique et élément de scellement
KR100916638B1 (ko) * 2007-08-02 2009-09-08 인하대학교 산학협력단 구조광을 이용한 토공량 산출 장치 및 방법
US7977678B2 (en) * 2007-12-21 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR100907414B1 (ko) * 2008-01-18 2009-07-10 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
US20090236982A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Chang Gung University Packaging structure of organic light-emitting diode and method for manufacturing the same
ATE531223T1 (de) * 2008-04-16 2011-11-15 Telecom Italia Spa Verfahren und system zum dynamischen konfigurieren eines telekommunikationsnetzes
US20110158845A1 (en) * 2008-07-07 2011-06-30 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Al-Ni ALLOY WIRING ELECTRODE MATERIAL
KR101375334B1 (ko) * 2008-07-17 2014-03-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
JP4853882B2 (ja) * 2009-01-28 2012-01-11 東北パイオニア株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
US8432038B2 (en) 2009-06-12 2013-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon via structure and a process for forming the same
US8405201B2 (en) * 2009-11-09 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon via structure
JP5691167B2 (ja) * 2009-12-24 2015-04-01 カシオ計算機株式会社 発光装置の製造方法
KR101084246B1 (ko) * 2009-12-28 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 조명 장치
US9219206B2 (en) * 2010-01-19 2015-12-22 Lg Innotek Co., Ltd. Package and manufacturing method of the same
US9204553B2 (en) * 2010-03-23 2015-12-01 Lear Corporation Method for producing a printed circuit board
CN101859541B (zh) * 2010-04-29 2012-06-06 友达光电股份有限公司 有机发光二极管显示器
KR101275792B1 (ko) * 2010-07-28 2013-06-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR101769586B1 (ko) * 2010-09-24 2017-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
CN102456295B (zh) * 2010-10-14 2016-06-22 上海科斗电子科技有限公司 夹层led显示器
KR101797715B1 (ko) * 2010-10-19 2017-11-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR101808730B1 (ko) * 2010-10-22 2017-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120044654A (ko) * 2010-10-28 2012-05-08 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법, 및 유기 발광 표시 장치
KR101804554B1 (ko) * 2010-11-01 2017-12-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR101757810B1 (ko) * 2010-11-19 2017-07-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 및 밀봉 기판의 제조 방법
KR101772142B1 (ko) * 2010-11-29 2017-08-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와 유기 발광 표시 장치용 밀봉 기판의 제조 방법
KR20120065136A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 및 이의 제조 설비
KR20120066352A (ko) * 2010-12-14 2012-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101839954B1 (ko) * 2010-12-17 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
JP5827578B2 (ja) 2011-02-14 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 光学素子の作製方法
KR20120109843A (ko) * 2011-03-28 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 금속 봉지 시트 및 그것을 구비한 유기 발광 표시 장치
KR20130004829A (ko) * 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 조명 장치
KR101860507B1 (ko) * 2011-07-21 2018-05-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2013042533A1 (ja) * 2011-09-21 2013-03-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
TWI675470B (zh) * 2011-12-29 2019-10-21 三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器以及其之製造方法和製造設備
TWI549283B (zh) * 2011-12-29 2016-09-11 三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器以及製造其之方法
KR101615470B1 (ko) * 2012-02-01 2016-04-25 가부시키가이샤 제이올레드 El 표시 장치
DE102012207229B4 (de) * 2012-05-02 2020-06-04 Osram Oled Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP5935557B2 (ja) * 2012-07-09 2016-06-15 ソニー株式会社 実装基板および光学装置
KR101926072B1 (ko) * 2012-08-21 2018-12-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
US20150236292A1 (en) * 2012-10-11 2015-08-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescent element and illuminating apparatus
US8890408B2 (en) * 2013-01-18 2014-11-18 Nokia Corporation Method and apparatus for coupling an active display portion and substrate
JP6490901B2 (ja) * 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR102058201B1 (ko) * 2013-05-24 2019-12-23 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR20140144963A (ko) * 2013-06-12 2014-12-22 삼성전자주식회사 표시 장치
JP2015022914A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
CN105247701B (zh) * 2013-08-21 2017-08-25 乐金显示有限公司 有机发光器件及其制备方法
TWI663722B (zh) 2013-09-06 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 發光裝置以及發光裝置的製造方法
EP3117689B1 (en) * 2014-03-13 2020-09-02 OLEDWorks GmbH Electronic device, device driver, and driving method
KR102292148B1 (ko) * 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
KR102360783B1 (ko) * 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102284756B1 (ko) 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102456654B1 (ko) 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US10084135B2 (en) * 2014-11-27 2018-09-25 Industrial Technology Research Institute Illumination device and method of fabricating an illumination device
TWI696108B (zh) 2015-02-13 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法
EP3276684A4 (en) * 2015-05-01 2018-12-19 Toshiba Hokuto Electronics Corp. Light-emitting module
US10170711B2 (en) * 2015-05-05 2019-01-01 Apple Inc. Display with vias to access driver circuitry
CN105118844A (zh) * 2015-07-01 2015-12-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性显示面板的制备方法及柔性显示面板
CN105138163B (zh) * 2015-07-30 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光触控显示面板、其制备方法及显示装置
KR102407869B1 (ko) * 2016-02-16 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
TWI694294B (zh) * 2017-07-25 2020-05-21 友達光電股份有限公司 陣列基板
JP6862380B2 (ja) * 2018-03-01 2021-04-21 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
TWI671928B (zh) * 2018-06-19 2019-09-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
KR20200075544A (ko) * 2018-12-18 2020-06-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3219865A (en) * 1963-05-01 1965-11-23 Gen Electric Electroluminescent display device with selected indicia
US4061837A (en) * 1976-06-17 1977-12-06 Hutkin Irving J Plastic-metal composite and method of making the same
US4357557A (en) 1979-03-16 1982-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha Glass sealed thin-film electroluminescent display panel free of moisture and the fabrication method thereof
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
JPS63213290A (ja) * 1987-02-28 1988-09-06 アルプス電気株式会社 薄膜el素子
JPS6471899A (en) * 1987-09-11 1989-03-16 Nippon Zeon Co Steroid compound
JPH0171899U (zh) * 1987-11-02 1989-05-15
US6121998A (en) * 1992-02-19 2000-09-19 8×8, Inc. Apparatus and method for videocommunicating having programmable architecture permitting data revisions
JP3312756B2 (ja) * 1992-12-16 2002-08-12 株式会社日本化学工業所 蛍光材料
US5457356A (en) * 1993-08-11 1995-10-10 Spire Corporation Flat panel displays and process
KR0144283B1 (ko) * 1993-10-28 1998-07-15 쯔지 하루오 리워킹이 용이한 소형경량 표시장치 및 그 실장방법
US5482896A (en) 1993-11-18 1996-01-09 Eastman Kodak Company Light emitting device comprising an organic LED array on an ultra thin substrate and process for forming same
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
US5532550A (en) * 1993-12-30 1996-07-02 Adler; Robert Organic based led display matrix
JPH07273453A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Matsushita Electric Works Ltd 多層プリント配線板の製造方法
US5831387A (en) * 1994-05-20 1998-11-03 Canon Kabushiki Kaisha Image forming apparatus and a method for manufacturing the same
WO1996010326A1 (fr) 1994-09-27 1996-04-04 Seiko Epson Corporation Carte a circuit imprime, son procede de production et dispositifs electroniques
US5650640A (en) * 1995-04-05 1997-07-22 Motorola Integrated electro-optic package
WO1996042107A1 (en) * 1995-06-13 1996-12-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device, wiring board for mounting semiconductor and method of production of semiconductor device
US6091194A (en) * 1995-11-22 2000-07-18 Motorola, Inc. Active matrix display
JP3290584B2 (ja) * 1996-02-07 2002-06-10 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子
TW364275B (en) * 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
US5703394A (en) * 1996-06-10 1997-12-30 Motorola Integrated electro-optical package
KR100572238B1 (ko) 1996-09-19 2006-04-24 세이코 엡슨 가부시키가이샤 El 장치의 제조 방법
US20020075422A1 (en) 1996-09-19 2002-06-20 Seiko Epson Corporation Matrix type display device and manufacturing method thereof
JP3858809B2 (ja) 1996-09-19 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
JPH10134959A (ja) 1996-10-29 1998-05-22 Sharp Corp 薄膜elパネル
JPH10142633A (ja) * 1996-11-15 1998-05-29 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタ集積装置およびその製造方法並びに液晶表示装置
JPH10161563A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Tdk Corp 有機el表示装置
EP0851458A1 (en) * 1996-12-26 1998-07-01 Canon Kabushiki Kaisha A spacer and an image-forming apparatus, and a manufacturing method thereof
JPH10198292A (ja) * 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5990629A (en) * 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
JPH10308165A (ja) * 1997-03-04 1998-11-17 Pioneer Electron Corp 電子放出素子及びこれを用いた表示装置
US5929474A (en) * 1997-03-10 1999-07-27 Motorola, Inc. Active matrix OED array
JP3676074B2 (ja) * 1997-03-14 2005-07-27 Tdk株式会社 ホットメルト材およびラミネート体とその製造方法
JP3871764B2 (ja) * 1997-03-26 2007-01-24 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型の表示装置
US6175345B1 (en) * 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JPH11135950A (ja) * 1997-10-29 1999-05-21 Sony Corp 多層配線板及びその製造方法
US6370019B1 (en) * 1998-02-17 2002-04-09 Sarnoff Corporation Sealing of large area display structures
US6541918B1 (en) * 1998-03-12 2003-04-01 Seiko Epson Corporation Active-matrix emitting apparatus and fabrication method therefor
JPH11312867A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 複層回路基板
JPH11339968A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4164910B2 (ja) * 1998-09-21 2008-10-15 ソニー株式会社 有機elディスプレイおよび有機elディスプレイの製造方法
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6501098B2 (en) * 1998-11-25 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
US6312304B1 (en) * 1998-12-15 2001-11-06 E Ink Corporation Assembly of microencapsulated electronic displays
US6274978B1 (en) * 1999-02-23 2001-08-14 Sarnoff Corporation Fiber-based flat panel display
US6724149B2 (en) 1999-02-24 2004-04-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance
US7402467B1 (en) * 1999-03-26 2008-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
KR100694959B1 (ko) * 1999-04-02 2007-03-14 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
JP3259774B2 (ja) * 1999-06-09 2002-02-25 日本電気株式会社 画像表示方法および装置
JP4345153B2 (ja) 1999-09-27 2009-10-14 ソニー株式会社 映像表示装置の製造方法
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
US6580094B1 (en) 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
US6384427B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
US6501525B2 (en) * 2000-12-08 2002-12-31 Industrial Technology Research Institute Method for interconnecting a flat panel display having a non-transparent substrate and devices formed

Also Published As

Publication number Publication date
US20060250080A1 (en) 2006-11-09
CN1921138A (zh) 2007-02-28
JP2018189979A (ja) 2018-11-29
US8716933B2 (en) 2014-05-06
CN1662107B (zh) 2010-04-28
JP4727035B2 (ja) 2011-07-20
JP5997731B2 (ja) 2016-09-28
US9843015B2 (en) 2017-12-12
US7145289B2 (en) 2006-12-05
JP5094983B2 (ja) 2012-12-12
EP1109224A3 (en) 2006-02-01
JP2001236025A (ja) 2001-08-31
JP2016130865A (ja) 2016-07-21
CN1662107A (zh) 2005-08-31
US20090189511A1 (en) 2009-07-30
JP2017174826A (ja) 2017-09-28
JP6352328B2 (ja) 2018-07-04
TW465122B (en) 2001-11-21
US8049419B2 (en) 2011-11-01
US9368517B2 (en) 2016-06-14
CN1300104A (zh) 2001-06-20
DE60044419D1 (de) 2010-07-01
EP1109224B1 (en) 2010-05-19
US20010015618A1 (en) 2001-08-23
CN100514668C (zh) 2009-07-15
US20140225130A1 (en) 2014-08-14
US9515098B2 (en) 2016-12-06
US20160268309A1 (en) 2016-09-15
KR20010062339A (ko) 2001-07-07
KR100687087B1 (ko) 2007-02-26
US20120043579A1 (en) 2012-02-23
JP2013057958A (ja) 2013-03-28
US8319424B2 (en) 2012-11-27
JP5492862B2 (ja) 2014-05-14
JP2011107734A (ja) 2011-06-02
US20170084861A1 (en) 2017-03-23
US20130092911A1 (en) 2013-04-18
EP1109224A2 (en) 2001-06-20
JP2014232733A (ja) 2014-12-11
US20050156509A1 (en) 2005-07-21
US7514864B2 (en) 2009-04-07
JP2012054250A (ja) 2012-03-15
US6894431B2 (en) 2005-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1204624C (zh) 发光器件
US7498740B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing same
CN1742518A (zh) 发光装置
CN1732715A (zh) 发光装置及其制作方法
JP2002033198A (ja) 発光装置及びその作製方法
KR20070012564A (ko) 발광장치 및 패시브 매트릭스형 표시장치
US7847477B2 (en) Method of manufacturing display unit and display unit
JP2005327745A5 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20050601

Termination date: 20181215