CN1227726C - 电子器件制造装置及电子器件的制造方法 - Google Patents

电子器件制造装置及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种电子器件制造装置及电子器件的制造方法，其中，使预加热块(111)从原来位置逐渐上升移动接近载带基板(100)的给定块长的电路基板(101)，进行预热后返回到原来位置上，然后，使与预加热块(111)邻近配置的正式加热块(112)与在给定流水线上运送的已经预热后的电路基板(101)接触，进行峰值加热后返回到原来位置上，然后，使冷却块(113)接近已经峰值加热后的电路基板(101)，使电路基板(101)冷却后返回到原来位置上。从而采用简单构成容易进行产品的质量管理、并且在流水线停止时可以避免产品的损伤。

Description

电子器件制造装置及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子器件制造装置及电子器件的制造方法以及，特别适用于安装了电子元件的载带基板等的焊锡反流焊工艺中。
背景技术
在半导体制造装置中，有在COF(Chip On Film)模块和TAP(TapeAutomated Bonding)模块中例如通过反流焊方式将半导体芯片的工艺。
图17表示现有技术的电子器件制造方法。
在图17中，在反流焊工艺中，沿载带基板801的右箭头的运送方向设置加热器区间811～813以及冷却区间814。在此，在反流焊工艺中，如果进行急剧高温加热，有可能在电路基板801和半导体芯片之间的粘接剂等连接材料和半导体芯片本身中产生反流焊裂纹，或者没有能由焊锡浆进行良好的焊锡连接。因此，采用加热器区间811、812进行预热，而采用加热器区间813进行峰值加热。峰值热为焊锡熔点+α的温度。此外，在反流焊工艺中的反流焊方式中，可以采用热风循环方式的空气加热方式、灯(lamp)加热方式、远红外线方式。
然后，在通过焊锡浆熔化将半导体芯片的端子焊接在电路基板的布线上后，在冷却区间814中进行冷却，将半导体芯片固定电路基板上。在冷却区间814中，可以采用低温空气循环的方式。
但是，在采用热风循环方式的空气加热中，由于热传导性差，在加热器区间811～813中的加热处理时间增长，妨碍生产效率的提高。另外，在采用热风循环方式的装置中，进行热风循环的机构是大型装置，妨碍装置的小型化。
另外，在灯加热方式和远红外线方式中，由于是点加热的方式，在加热器区间811～813之间需要遮光机构，结果造成装置构成的大型化。
另外，在这些反流焊方式中，由于散热性大，对载带基板801按给定块长单位进行加热处理和冷却处理时，与适合块长的处理时间的对应是很困难的。另外，在加热器区间811～813之间，由于存在热传递，要清楚保持在加热器区间811～813之间的边界温度是很困难的。
另外，在上述反流焊方式中，由于某种原因使得流水线停止一定时间以上时，通过关断加热源的开关，中断加热处理。然后，当出现使流水线停止一定时间以上的情况时，由于不能使加热处理中的产品退避，要避免对产品的损伤是很困难的。
另外，由于向位于加热器区间811之前的下一个要进行加热处理的载带基板801也传递了热，进行产品的质量管理是很困难的。
另外，当流水线从停止中恢复时，重新进行预热、峰值加热以及冷却，由于需要将受到损伤的产品部分送出到反流焊工艺外之后，才打开机热源的开关，因此存在到恢复后的加热处理和冷却处理的正常运行的等待时间增长的问题。
另外，在反流焊工艺的了冷却区间814中，由于采用低依据温空气冷却，增长了冷却处理时间，特别是对于无铅焊锡浆时，要防止热氧化是很困难的。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种采用简单构成容易进行产品的质量管理、并且在流水线停止时可以避免产品的损伤的电子器件制造装置、电子器件的制造方法。
为了解决上述课题，本发明一方案的电子器件制造装置，对在每个电路块上设置了电子元件搭载区域的连续体进行加热控制，其特征是包括使上述连续体的被加热处理区域的温度上升的加热装置，控制所述连续体和所述加热装置之间的距离的距离控制装置，通过所述距离控制装置控制所述连续体和所述加热装置之间的距离，并控制所述被加热处理区域的温度。
这样，通过控制被加热处理区域和加热装置之间的距离，可以容易控制被加热处理区域的加热状态，即使被加热处理区域在运送途中停止时，可以容易控制被加热处理区域的温度。因此，可以抑制反流焊工艺中的急剧温度变化，降低对电子元件和焊锡材料造成的损伤，容易避免流水线停止时对产品造成的热损伤，在抑制装置的大型化的情况下，容易进行反流焊处理中的质量管理。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述加热装置通过与上述连续体的被加热处理区域的至少一部分接近、或者接触，使上述被加热处理区域的温度上升。
这样，通过热辐射和热传递，可以控制被加热处理区域的加热状态，抑制加热装置所产生的热向四周扩散。因此，可以按电路块单位高精度控制温度方案，容易进行质量管理，同时不需要热风循环方式中的遮蔽结构、灯加热方式或者远红外线方式中的遮光结构，可以节省空间。
另外，通过使加热装置与连续体的被加热处理区域接触，可以使电路块的温度迅速上升，缩短运送时的生产节奏时间。因此，可以使焊锡涂敷工艺和贴装工艺中的运送流水线和反流焊工艺中的运送流水线之间匹配，可以一起同时进行焊锡涂敷处理、电子元件的贴装处理以及反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述加热装置从上述连续体的背面侧或者表面侧接触。
在此，通过使加热装置从连续体的背面侧接触，即使在连续体上配置了不同高度的电子元件时，也可以在连续体上有效进行热传递，稳定进行反流焊处理。
另外，通过使加热装置从连续体的表面侧接触，加热装置可以直接与电子元件接触，防止加热装置与连续体接触，可以防止连续体粘附在加热装置上。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述加热装置通过控制移动速度和移动位置分段控制上述被加热处理区域的温度。
这样，不需要采用不同温度的多个加热装置，就可以分段控制被加热处理区域的温度。因此，可以防止在被加热处理区域进行反流焊处理时出现急剧温度变化，在节省空间的情况下，可以防止反流焊处理中的质量恶化。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述加热装置可以上下移动或者水平移动。
在此，通过使加热装置上下移动，即使被加热处理区域宽时，也可以保持被加热处理区域的温度分布的均匀性，可以使被加热处理区域的温度分段上升、或者分段下降，同时在抑制反流焊区间的面积增大的情况下，可以迅速从被加热处理区域撤离加热装置。
因此，即使在流水线上出现故障而使运送系统停止时，可以在节省空间的情况下，避免对被加热处理区域造成热损伤，可以防止反流焊处理中的质量恶化。
另外，通过使加热装置水平移动，可以使连续体的运送速度和加热装置的移动速度一致，降低在被加热处理区域的停止位置上的加热温度差，同时即使产品间隔不同时，也可以保持加热时间的均匀性。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述加热装置与同一被加热处理区域多次接触。
这样，避免对被加热处理区域产生热损伤，即使加热装置离开时，在防止被加热处理区域的急剧温度变化的情况下，容易使被加热处理区域恢复到原来的温度上，在节省空间的情况下，可以防止反流焊处理中的质量恶化。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述加热装置具有比在上述电路块上涂敷的焊锡涂敷区域更大的接触面积，可以使多个电路块一起同时温度上升。
这样，通过使被加热处理区域与加热装置接触，可以一起同时对多个电路块进行反流焊处理，即使产品间隔不同时，在也不需要更换加热装置的情况下，可以进行反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述加热装置具有设定温度不同的多个接触区域，通过使上述接触区域依次与上述被加热处理区域接触，可以使上述被加热处理区域的温度分段上升。
这样，通过热传递可以控制被加热处理区域的加热状态，在抑制加热装置所产生的热向四周扩散的情况下，可以使被加热处理区域的温度分段上升。因此，不需要热风循环方式中的遮蔽结构、灯加热方式或者远红外线方式中的遮光结构，可以按电路块单位分段控制温度方案，在节省空间的情况下，容易进行质量管理。
另外，通过使加热装置与连续体的被加热处理区域依次接近，可以使电路块的温度分段并且迅速上升，在防止被加热处理区域的温度急剧变化的同时，缩短运送时的生产节奏时间。因此，在抑制反流焊处理中的质量恶化的情况下，可以使焊锡涂敷工艺和贴装工艺中的运送流水线和反流焊工艺中的运送流水线之间匹配，可以一起同时进行焊锡涂敷处理、电子元件的贴装处理以及反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述设定温度不同的多个接触区域沿上述连续体的运送方向并排配置。
这样，通过运送连续体，可以使设定温度不同的多个接触区域依次与被加热处理区域接触，在不需要移动加热装置的情况下可以使被加热处理区域的温度分段上升，同时，可以对多个被加热处理区域一起同时进行反流焊处理。
因此，在防止在进行反流焊处理时被加热处理区域的急剧温度变化的情况下，可以缩短反流焊处理时的生产节奏时间，在保持产品质量的同时，可以有效进行反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是在上述设定温度不同的多个接触区域之间设置有空隙。
这样，可以在设定温度不同的接触区域之间保持清楚的温度差，可以高精度控制各被加热处理区域的温度方案，可以提高反流焊处理中的产品质量。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述设定温度不同的多个接触区域可以分别单独移动。
这样，在继续对某一电路块进行预加热的状态下，可以停止对另外的电路块的正式加热。因此，即使正式加热在中途被中断时，也可以防止预加热在中途被中断，可以减少不良产品。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是与上述被加热处理区域接触的上述加热装置的接触面是平坦面。
这样，可以在使连续体与加热装置的接触面接触的状态下，平滑进行连续体的运送。因此，使连续体与加热装置的接触面接触进行加热时，可以省略加热装置的移动动作，缩短反流焊处理的生产节奏时间。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是在上述加热装置的接触面上设置有与上述被加热处理区域的半导体芯片的配置位置对应的凹部。
这样，可以防止使加热装置直接与配置了半导体芯片的区域接触。因此，即使在连续体上贴装了不耐热的半导体芯片，也可以防止对半导体芯片造成热损伤。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是还包括在上述连续体的被加热处理区域和上述加热装置之间可以插拔的隔热板装置。
这样，当加热装置从被加热处理区域撤离时，可以防止加热装置的热辐射继续对被加热处理区域加热的情况，即使在撤离时间长的情况下，也可以抑制对被加热处理区域造成的热损伤。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是还包括对由上述加热装置对上述被加热处理区域进行加热的时间计时的计时装置、当上述加热时间超过给定时间时，使上述加热装置离开上述被加热处理区域的撤离装置。
这样，即使在对被加热处理区域进行加热处理中，由于在流水线上出现故障而使运送系统停止时，也可以迅速避免对被加热处理区域造成热损伤，可以抑制反流焊处理中的质量恶化。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是还包括支承上述加热装置的支承台、沿上述连续体的运送方向使上述支承台滑动的滑动装置。
这样，在目测确认下，可以使加热装置的位置与产品间隔对准，即使产品间隔不同时，也可以保持加热时间的均匀性。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是还包括从与上述加热装置不同方向对上述连续体的被加热处理区域加热的加热辅助装置。
这样，即使在加热装置撤离被加热处理区域时，也可以保持被加热处理区域的温度在给定值以上，可以防止被加热处理区域的温度过度下降，出现不良产品的情况。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是还包括使由上述加热装置提升温度后的上述被加热处理区域的温度下降的降温装置。
这样，可以使由加热装置提升温度后的被加热处理区域的温度急速下降，提高焊锡粘接性，稳定进行连接，同时可以防止焊锡的热氧化。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述降温装置包括在面向上述被加热处理区域的面侧上设置有多个冷却剂吹出孔的平板部件。
这样，即使将电子元件安装在被加热处理区域上时，可以将冷却剂传递到各个角落，可以有效降低被加热处理区域上的温度。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述降温装置包括在厚度方向的上下覆盖夹入上述被加热处理区域截面为コ字形的覆盖夹入槽、在上述覆盖夹入槽的内面上设置的多个冷却剂吹出孔。
这样，可以从被加热处理区域的表面侧和背面侧对被加热处理区域冷却，可以有效降低被加热处理区域上的温度。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述降温装置包括比上述加热装置温度低的区域，通过使上述温度低的区域与上述连续体的被加热处理区域的至少一部分接触，降低上述被加热处理区域的温度。
这样，通过热传递，可以控制被加热处理区域的冷却状态，提高冷却效率，缩短冷却时间。
因此，可以缩短冷却时的生产节奏时间，抑制焊锡的热氧化，防止产品质量的恶化，同时可以有效进行反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述温度低的区域具有比由上述焊锡涂敷装置所涂敷的焊锡涂敷区域更大的接触面积，上述降温装置可以使多个电路块一起同时温度下降。
这样，通过使比加热装置低的温度区域与被加热处理区域接触，可以一起同时对多个电路块进行冷却处理，即使产品间隔不同时，在不需要更换降温装置的情况下，可以进行冷却处理，提高生产效率。
另外，本发明一方案的电子器件制造装置，其特征是上述温度低的区域在上述加热装置的前级或者后级、或者上述加热装置之间并排配置。
这样，通过运送连续体，可以使比加热装置低的温度区域与被加热处理区域接触，在固定比加热装置低的温度区域的状态下，可以降低被加热处理区域的温度，可以一起同时对多个被加热处理区域进行冷却处理。
因此，可以缩短冷却时的生产节奏时间，抑制焊锡的热氧化，防止产品质量的恶化，同时可以有效进行反流焊处理。
另外，通过使比加热装置低的温度区域在上述加热装置的前级或者上述加热装置之间并排配置，可以防止加热装置产生的热传递到加热装置没有接触的区域，可以高精度控制被加热处理区域的温度方案，可以提高反流焊处理中的产品质量。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是通过控制与在每个电路块上设置了电子元件搭载区域的连续体的被加热处理区域和加热装置之间的距离、控制上述被加热处理区域的温度。
这样，通过控制被加热处理区域和加热装置之间的距离，可以容易控制被加热处理区域的加热状态，即使被加热处理区域在运送途中停止时，可以容易控制被加热处理区域的温度。因此，可以缩短反流焊工艺中的生产节奏时间，同时抑制反流焊工艺中的急剧温度变化，降低对电子元件和焊锡材料造成的损伤，在抑制反流焊处理中的质量恶化的情况下，有效进行反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是通过使上述加热装置与上述连续体的被加热处理区域的至少一部分接近、或者接触，使上述被加热处理区域的温度上升。
这样，通过热辐射和热传递，可以控制被加热处理区域的加热状态，抑制加热装置所产生的热向四周扩散。因此，可以按电路块单位高精度控制温度方案，容易进行质量管理，同时不需要热风循环方式中的遮蔽结构、灯加热方式或者远红外线方式中的遮光结构，可以节省空间。
另外，通过使加热装置与连续体的被加热处理区域接触，可以使电路块的温度迅速上升，缩短运送时的生产节奏时间。因此，可以使焊锡涂敷工艺和贴装工艺中的运送流水线和反流焊工艺中的运送流水线之间匹配，可以一起同时进行焊锡涂敷处理、电子元件的贴装处理以及反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是使多个电路块与上述加热装置一起接触。
这样，通过使被加热处理区域与加热装置接触，可以对多个电路块一起同时进行反流焊处理，提高生产效率。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是使同一电路块与上述加热装置多次接触。
这样，避免对被加热处理区域造成热损伤，即使在撤离加热装置时，在防止被加热处理区域的急剧温度变化的情况下，容易使被加热处理区域恢复到原来的温度上，在节省空间的情况下，可以抑制反流焊处理中的质量恶化。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括将上述连续体的第1被加热处理区域运送到上述加热装置上的工艺、通过使运送到上述加热装置上的上述第1被加热处理区域与上述加热装置接触，使上述第1被加热处理区域的温度上升的工艺、将上述连续体的第2被加热处理区域运送到上述加热装置上的工艺、通过使运送到上述加热装置上的上述第2被加热处理区域与上述加热装置接触，使上述第2被加热处理区域的温度上升的工艺。
这样，通过在加热装置上运送连续体，可以使加热装置与被加热处理区域接触，可以缩短反流焊处理的生产节奏时间，提高生产效率。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括将上述连续体的被加热处理区域运送到上述加热装置上的工艺、通过使运送到上述加热装置上的上述被加热处理区域与上述加热装置分段接近，使上述被加热处理区域的温度分段上升的工艺。
这样，通过采用温度恒定的加热装置，可以使被加热处理区域的温度分段上升，在节省空间的情况下，可以抑制反流焊处理中的热损伤。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括由上述加热装置对上述被加热处理区域加热后或者加热中、使上述加热装置撤离上述被加热处理区域的工艺。
这样，即使在对被加热处理区域进行加热处理中运送系统停止时，也可以迅速避免对被加热处理区域造成热损伤，可以抑制反流焊处理中的质量恶化。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括在上述撤离后的上述加热装置和上述被加热处理区域之间插入隔热板的工艺。
这样，通过使加热装置离开被加热处理区域能在加热装置和被加热处理区域之间插入隔热板的距离，可以抑制对被加热处理区域造成热损伤，在节省空间的情况下，可以抑制反流焊处理中的质量恶化。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括使从上述被加热处理区域撤离后的上述加热装置再次与上述被加热处理区域接触的工艺。
这样，避免对被加热处理区域造成热损伤，即使加热装置离开时，在防止被加热处理区域的急剧温度变化的情况下，容易使被加热处理区域恢复到原来的温度上。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括在使从上述被加热处理区域撤离后的上述加热装置再次与上述被加热处理区域接触之前，向上述被加热处理区域吹热风的工艺。
这样，即使加热装置离开被加热处理区域时，也可以使被加热处理区域的温度保持在给定值以上，可以防止不良产品的出现。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括将上述连续体的第1被加热处理区域运送到上述第1加热装置上、同时将上述连续体的第2被加热处理区域运送到比上述第1加热装置温度更高的第2加热装置上的工艺、通过使运送到上述第1加热装置上的上述第1被加热处理区域与上述第1加热装置接触，使上述第1被加热处理区域的温度上升、同时通过使运送到上述第2加热装置上的上述第2被加热处理区域与上述第2加热装置接触，使上述第2被加热处理区域的温度上升到比上述第1被加热处理区域高的温度的工艺。
这样，通过运送连续体，可以一起同时使多个被加热处理区域的温度分段上升，在抑制在反流焊处理中的热损伤的情况下，可以快速进行反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是上述第1加热装置和上述第2加热装置，以上述第1加热装置为前级沿上述连续体的运送方向并排配置。
这样，通过运送连续体，可以一起同时使设定温度不同的多个加热装置与多个被加热处理区域接触，在不需要移动加热装置的情况下，可以使多个被加热处理区域的温度一起分段上升。
因此，在防止在反流焊处理进行时被加热处理区域的急剧温度变化的情况下，可以缩短在反流焊处理中的生产节奏时间，在保持产品质量的情况下，可以有效进行反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括在上述第1以及第2加热装置对上述被加热处理区域加热后或者加热中，使上述第1加热装置与上述第1被加热处理区域接触的情况下将上述第2加热装置从上述第2被加热处理区域撤离的工艺。
这样，即使在对多个被加热处理区域进行加热处理中运送系统停止时，在将第1被加热处理区域维持在一定温度的情况下，可以迅速避免对第2被加热处理区域造成热损伤，即使被加热处理区域的加热状态不同时，也可以抑制反流焊处理中的质量恶化。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括使从上述第2被加热处理区域撤离后的上述第2加热装置再次与上述第2被加热处理区域接触的工艺。
这样，避免对第2被加热处理区域造成热损伤，即使在第2加热装置离开第2被加热处理区域时，在不影响第1被加热处理区域的温度的情况下，可以使第2被加热处理区域恢复到原来的温度，在不出现不良产品的情况下，可以重新开始反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是包括在使从上述第2被加热处理区域撤离后的上述第2加热装置再次与上述第2被加热处理区域接触之前，向上述第2被加热处理区域吹热风的工艺。
这样，避免对第2被加热处理区域造成热损伤，即使在第2加热装置离开第2被加热处理区域时，也可以使第2被加热处理区域的温度保持在给定值以上，可以防止出现不良产品。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是还包括使上述加热装置的位置与产品间隔对应、沿上述连续体的运送方向使支承上述加热装置的支承台滑动的工艺。
这样，在目测确认下，可以使加热装置的位置与产品间隔对准，即使产品间隔不同时，可以保持加热时间的均匀性。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是还包括降低由上述加热装置提升温度后的被加热处理区域的温度的工艺。
这样，可以使由加热装置提升温度后的被加热处理区域的温度急速下降，提高焊锡粘接性，稳定进行连接，同时可以防止被加热处理区域长时间维持在高温状态，防止焊锡的热氧化。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是通过使由上述加热装置提升温度后的被加热处理区域的至少一部分与比上述加热装置的温度低的区域接触，降低上述被加热处理区域的温度。
这样，通过热传递可以控制被加热处理区域的冷却状态，提高冷却效率，缩短冷却时间。因此，可以缩短冷却时的生产节奏时间，抑制焊锡的热氧化，防止产品质量的恶化，同时可以有效进行反流焊处理。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是上述温度低的区域在上述加热装置的前级或者后级、或者上述加热装置之间并排配置。
这样，通过运送连续体，可以使比加热装置的温度低的区域与被加热处理区域接触，可以有效进行反流焊时的冷却处理。
另外，通过使比加热装置的温度低的区域在加热装置的前级或者加热装置之间并排配置，可以在加热装置的边界上遮断加热装置所所产生的热，清楚保持加热装置的边界温度，可以提高反流焊处理中的产品质量。
另外，本发明一方案的电子器件制造方法，其特征是通过向由上述加热装置提升温度后的被加热处理区域的单面或者两面吹气体，降低上述被加热处理区域的温度。
这样，即使在将电子元件安装在被加热处理区域上时，也可以将冷却剂传递到各个角落，可以有效降低被加热处理区域上的温度。
另外，本发明一方案的电子器件的制造程序，其特征是使计算机执行通过控制与在每个电路块上设置了电子元件搭载区域的连续体的被加热处理区域和加热装置之间的距离、使上述被加热处理区域的温度上升的步骤。
这样，通过安装电子器件的制造程序，可以适当控制连续体的被加热处理区域和加热装置之间的距离，在抑制反流焊时的热损伤的同时，可以有效制造电子器件。
附图说明
图1表示有关第1实施例的电子器件制造方法。
图2表示有关第2实施例的电子器件制造装置。
图3表示图2的反流焊处理。
图4表示图2的反流焊处理。
图5表示图2的反流焊处理的温度方案。
图6表示有关第3实施例的电子器件制造装置。
图7表示图6的反流焊处理。
图8表示有关第4实施例的电子器件制造方法。
图9表示有关第4实施例的电子器件制造方法。
图10表示有关第5实施例的电子器件制造方法。
图11表示有关第6实施例的电子器件制造方法。
图12表示有关第7实施例的电子器件制造装置。
图13表示图12的反流焊处理。
图14表示图12的反流焊处理的流程图。
图15表示有关第8实施例的电子器件制造装置。
图16表示有关第9实施例的电子器件制造装置。
图17表示现有技术的电子器件制造方法。
图中：31、100、200、300、601、700-载带基板，31a～31c、101、301、801-电路基板、32a～32c、102、302、802-布线、33a～33c、103、303、803-绝缘膜、34a～34c、104、304、804-焊锡浆、35b、35c、105、305、805-半导体芯片、36c-封装树脂、B11～B13-电路块、21-上料机、21a-卷送盘、22-焊锡涂敷区间、23-贴装区间、24-反流焊区间、25-下料机、25a-卷绕盘、26-切断区间、27-树脂封装区间、111、311～313、412、512-预加热块、112、314、413、514-正式加热块、113、213、315、411、414、511、513、515、825a～825c-冷却块、114、214-覆盖夹入槽、115、215-吹出孔、211、611～614-加热块、316-吹热风块、602-运送孔、615a、615b-隔热板、616-按压板、617-凸出部、711-反流焊炉、712-支承台、713-轨道、721～724-加热器区间、725-冷却区间。
具体实施方式
以下参照附图说明有关本发明的实施例的电子器件制造装置及其制造方法。
图1表示有关本发明第1实施例的电子器件制造方法。
在图1中，在上料机21和下料机25之间沿载带基板31的运送方向并排设置焊锡涂敷区间22、贴装区间23以及反流焊区间24。
另一方面，在载带基板31上，在各电路块B11～B13设置电子元件搭载区域，在各电路块B11～B13上分别设置电路基板31a～31c。然后，在各电路基板31a～31c上分别形成布线32a～32c，使布线32a～32c的端子部分露出那样在各布线32a～32c上形成绝缘膜33a～33c。
然后，将给定长度的电路基板31a～31c连在一起的载带基板31被架设在卷送盘21a和卷绕盘25a之间。然后，在载带基板31的各运送流水线上，在设置在上料机21和下料机25之间的焊锡涂敷区间22中运送载带基板31的未涂敷焊锡区域，在与焊锡涂敷区间22并排设置的贴装区间23中运送载带基板31的已涂敷焊锡区域，在与贴装区间23并排配置的反流焊区间24中运送载带基板31的已贴装区域。
然后，在焊锡涂敷区间22中，将焊锡浆34a印刷在电路基板31a上，在贴装区间23中，将半导体芯片35b贴装在印刷了焊锡浆34b的电路基板31b上，在反流焊区间24中通过对已经贴装了半导体芯片35c的电路基板31c进行反流焊处理，利用焊锡浆34c将半导体芯片35c固定在电路基板31c上。
然后，当对载带基板31上的所有电路块B11～B13进行的焊锡涂敷处理、贴装处理以及反流焊处理结束后，在切断区间26中，按照各电路块B11～B13切断载带基板31。然后，将切断后的各电路块B11～B13转移到树脂封装区间27，例如，通过在半导体芯片35c的周围涂敷封装树脂36c，可以将电路块B13进行树脂封装。
这样，在卷送盘21a和卷绕盘25a之间，只需要1次运送载带基板31，就可以对电路基板31a～31c实施完毕焊锡涂敷处理、贴装处理以及反流焊处理，同时，可以同时对不同电路基板31a～31c进行焊锡涂敷处理、贴装处理以及反流焊处理，可以提高生产效率。
图2表示有关本发明第2实施例的电子器件制造装置的概略构成斜视图。
在图2中，设置有供给预热的预加热块111、供给峰值热的正式加热块112以及降低供给峰值热后的被加热处理体的温度的冷却块113，例如，在焊锡涂敷工艺、贴装工艺之后进行的反流焊工艺中，对图4的将作为给定块长的被加热处理体的电路基板101连在一起的作为连续体的载带基板100，进行加热处理和冷却处理。
预加热块111，例如由金属或者陶瓷等构成，同时由图中未画出的驱动机构，沿箭头a、b方向可以自由移动。预加热块111逐渐向载带基板100接近并供给预热，将在后面对其详细说明。
正式加热块112，例如由金属或者陶瓷等构成，与预加热块111邻接配置。另外，正式加热块112由图中未画出的驱动机构，沿箭头a、b方向可以自由移动。正式加热块112与载带基板100接触并供给峰值热，将在后面对其详细说明。
冷却块113，例如由金属或者陶瓷等构成，同时由图中未画出的驱动机构，沿箭头c、d方向可以自由移动。冷却块113具有在厚度方向上下覆盖夹入、截面为コ字形的覆盖夹入槽114。在覆盖夹入槽114的内面上，设置多个冷却剂的吹出孔115。在此，作为冷却剂，例如可以采用空气、氧气、氮气、二氧化碳气、氦气或者碳氟气等。
在此，载带基板100，如后述的图4所示，将给定块长的电路基板101连在一起。在后述的图4所示电路基板101上，在反流焊工艺之前的焊锡涂敷工艺中，在布线102上涂敷焊锡浆104。此外，也存在在布线102上通过复印粘附ACF等粘接剂的情况。另外，符号104表示绝缘膜。另外，在焊锡涂敷工艺之后的贴装工艺中，在电路基板101上通过焊锡浆104贴装半导体芯片105。
另外，由于某种原因，例如，从图1中说明的上料机21到下料机25之间的流水线停止时，如果预加热块111或者正式加热块112还处在加热处理中，通过使预加热块111或者正式加热块112离开载带基板100，可以避免向载带基板100施加不需要的过热。
图3、4表示图2的反流焊处理，图5表示图2的反流焊处理的温度方案。
在图3～5中，将结束了焊锡涂敷工艺以及贴装工艺后的载带基板100被送入到反流焊工艺，如图3(a)所示，使预加热块111按箭头a方向上升一段，接近载带基板100。这时，正式加热块112在原定位置上处于待机状态。
然后，预加热块111，对图4所示的载带基板100的给定块长的电路基板101，进行给定时间的加热处理。这样，向电路基板101供给预热①。该预热①为图5的①段实线所示的温度梯度。
由预加热块111进行完图3(a)的加热处理后，如图3(b)所示，使预加热块11 1按箭头a方向再上升一段，更接近载带基板100，和上述同样，对电路基板101进行给定时间的加热处理。这样，如图4所示，向电路基板101供给预热②。该预热②为图5的②段实线所示的温度梯度。
由预加热块111进行完图3(b)的加热处理后，如图3(c)所示，使预加热块111按箭头a方向再上升一段，更接近载带基板100，和上述同样，对电路基板101进行给定时间的加热处理。这样，如图4所示，向电路基板101供给预热③。该预热③为图5的③段实线所示的温度梯度。此外，在由预加热块111对电路基板101供给预热①～③时，由于正式加热块112在原定位置上处于待机状态，可以避免正式加热块112的热对电路基板101的影响。
由预加热块111进行完图3(c)的加热处理后，如图3(d)所示，使预加热块111返回到原定位置上。这时，将载带基板100，沿图2所示虚线箭头方向运送电路基板101的给定块长的量。然后，使正式加热块112上升，与载带基板100接触，对电路基板101进行给定时间的加热处理。这样，如图4所示，向电路基板101供给峰值热④。该峰值热④为图5的④段实线所示的温度梯度。在此，峰值热④由于是焊锡熔点+α，将焊锡浆104熔化，将半导体芯片105焊接在电路基板101上的布线102上。
由正式加热块112进行完图3(d)的加热处理后，如图3(e)所示，使正式加热块112沿箭头b方向下降，返回到原定位置上，同时使冷却块113从图3(a)所示的原定位置向箭头c方向移动，由覆盖夹入槽114将载带基板100上下覆盖夹入。然后，通过从设置在覆盖夹入槽114的内面上的多个冷却剂吹出孔115向电路基板101的上下两面吹出冷却剂，使电路基板101冷却。
这样，电路基板101，如图4的⑤所示，被冷却。该冷却⑤为图5的⑤段实线所示的温度梯度。这样，通过使电路基板101冷却，将半导体芯片105通过布线102固定在电路基板101上。对电路基板101的给定时间的冷却结束后，使冷却块113从图3(e)的状态向箭头d方向移动，返回到图3(a)的原定位置。
如上所述，对载带基板100的给定块长的电路基板101依次进行预热、峰值加热以及冷却，在对某一电路基板101的反流焊处理结束后，将载带基板100运送电路基板101的给定块长，通过依次进行如图3(a)～(e)所示的预热、峰值加热以及冷却，对下一个电路基板101进行反流焊处理。
此外，由于某种原因，例如在图1中说明的在上料机21到下料机25之间的流水线停止时，如果预加热块111或者正式加热块112还处在加热处理中，通过使预加热块111或者正式加热块112离开载带基板100，可以避免向载带基板100施加不需要的过热。
另一方面，当流水线恢复运行时，重新进行预热、峰值加热以及冷却。这时，如果载带基板100的给定块长的电路基板101的温度，例如象图5的虚线所示①～④那样比较低时，首先按照①～③使预加热块111逐渐上升，使载带基板100的给定块长的电路基板101的温度上升到图5的实线所示位置上。然后，使正式加热块112与电路基板101接触，进行峰值加热。这样，在流水线恢复后，不会造成产品的损伤，可以继续进行反流焊处理。
这样，在上述第2实施例中，使预加热块111从原定位置上逐渐上升移动，与载带基板100的给定块长的电路基板101接近，进行预加热后，返回到原定位置上，然后，使与预加热块111邻近配置的正式加热块112，与在给定流水线上预热后的电路基板101接触进行峰值加热，之后返回到原定位置，使冷却块113接近峰值热后的电路基板101，对电路基板101冷却，然后返回到原定位置。
这样，可以清楚维持在预加热块111或者正式加热块112之间的边界温度，容易进行产品质量管理。另外，由于不需要在现有的灯加热方式和远红外线方式中的遮光结构，可以简化装置的构成。
另外，由于某种原因，例如在图1中说明的在上料机21到下料机25之间的流水线停止时，如果预加热块111或者正式加热块112还处在加热处理中，则使预加热块111或者正式加热块112离开载带基板100，这样可以避免向载带基板100施加不需要的过热。容易进行产品质量管理。
另一方面，当流水线恢复运行时，如果载带基板100的给定块长的电路基板101的温度，例如象图5的虚线所示①～④那样比较低时，首先按照①～③使预加热块111逐渐上升，使载带基板100的给定块长的电路基板101的温度上升到图5的实线所示位置上之后，再使正式加热块112与电路基板101接触，重新进行峰值加热，然后由冷却块113重新对峰值加热后的电路基板101冷却，因此，不会造成产品的损伤，可以继续进行反流焊处理。
另外，当流水线恢复运行时，由于重新进行预热、峰值加热以及冷却，可以大幅度缩短恢复后的加热处理和冷却处理的等待时间。
另外，对峰值加热后的电路基板101通过从冷却块113的覆盖夹入槽114的多个冷却剂吹出孔115吹出冷却剂进行冷却，可以提高电路基板101的冷却效率，缩短冷却处理的时间，特别对于无铅的焊锡浆104，容易防止其热氧化。
此外，在本实施例中，虽然是使预加热块111分段上升进行预加热的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以线形上升进行预加热。
另外，在本实施例中，虽然是以预加热块111或者正式加热块112从载带基板100的下面侧上升移动的情况进行了说明，但并不限定于该例。也可以从载带基板100的上面侧下降移动。另外，在本实施例中，虽然是以在冷却块113中设置截面为コ字形的具有多个冷却剂吹出孔115的覆盖夹入槽114的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以使冷却块113为平板状，同时在面向载带基板100的一面侧上设置冷却剂吹出孔115。另外，在本实施例中，虽然是以预加热块111为1个时的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以设置多个预加热块111。
图6表示有关本发明第3实施例的电子器件制造装置的概略构成斜视图。
在图6中，设置有供给热的加热块211以及降低供给了热的被加热处现体的温度的冷却块213，例如，在焊锡涂敷工艺、贴装工艺之后进行的反流焊工艺中，对将作为给定块长的被加热处理体的电路基板连在一起的作为连续体的载带基板200，进行加热处理和冷却处理。此外，作为连在载带基板200上的电路基板，可以采用和图4相同的构成。
加热块211，例如由金属或者陶瓷等构成，同时由图中未画出的驱动机构，沿箭头a、b方向可以自由移动。加热块211逐渐向载带基板200接近并供给预热，同时与载带基板200接触并供给峰值热，将在后面对其详细说明。
冷却块213，例如由金属或者陶瓷等构成，同时由图中未画出的驱动机构，沿箭头c、d方向可以自由移动。冷却块213具有在厚度方向上下覆盖夹入、截面为コ字形的覆盖夹入槽214。在覆盖夹入槽214的内面上，设置多个冷却剂的吹出孔215。
图7表示图6的反流焊处理的侧视图。
在图7中，将结束了焊锡涂敷工艺以及贴装工艺后的载带基板200被送入到反流焊工艺，如图7(a)所示，使加热块211从虚线所示的初始位置按箭头a方向上升一段，接近载带基板200。这时，加热块211，对载带基板200的给定块长的电路基板，进行给定时间的加热处理。这样，向电路基板供给和图5同样的预热①。该预热①可以是图5的①段实线所示的温度梯度。
由加热块211进行完图7(a)的加热处理后，如图7(b)所示，使加热块211按箭头a方向再上升一段，更接近载带基板200，和上述同样，对电路基板进行给定时间的加热处理。这样，向电路基板供给和图4同样的预热②。该预热②可以是图5的②段实线所示的温度梯度。
由加热块211进行完图7(b)的加热处理后，如图7(c)所示，使加热块211按箭头a方向再上升一段，更接近载带基板200，和上述同样，对电路基板进行给定时间的加热处理。这样，向电路基板供给和图4同样的预热③。该预热③可以是图5的③段实线所示的温度梯度。
由加热块211进行完图7(c)的加热处理后，如图7(d)所示，使加热块211按箭头a方向再上升一段，更接近载带基板200，和上述同样，对电路基板进行给定时间的加热处理。这样，向电路基板供给和图4同样的峰值热④。该峰值热④可以是图5的④段实线所示的温度梯度。在此的峰值热④由于是焊锡熔点+α，将焊锡浆熔化，将半导体芯片焊接在电路基板上的布线上。
由加热块211进行完图7(d)的加热处理后，如图7(e)所示，使加热块211沿箭头b方向下降，返回到初始位置上，同时使冷却块213从图7(a)所示的初始位置向箭头c方向移动，由覆盖夹入槽214将载带基板200上下覆盖夹入。然后，通过从设置在覆盖夹入槽214的内面上的多个冷却剂吹出孔215向电路基板的上下两面吹出冷却剂，使电路基板冷却。
这样，电路基板，如图4的⑤所示，被冷却。该冷却⑤可以是图5的⑤段实线所示的温度梯度。这样，通过使电路基板冷却，将半导体芯片通过布线固定在电路基板上。对电路基板的给定时间的冷却结束后，使冷却块213从图7(e)的状态向箭头d方向移动，返回到图7(a)的初始位置。
如上所述，对载带基板200的给定块长的电路基板依次进行预热、峰值加热以及冷却，在对某一电路基板的反流焊处理结束后，将载带基板200运送电路基板的给定块长，通过依次进行如图7(a)～(e)所示的预热、峰值加热以及冷却，对下一个电路基板进行反流焊处理。
此外，由于某种原因，例如在图1中说明的在上料机21到下料机25之间的流水线停止时，如果加热块211还处在加热处理中，通过使加热块211离开载带基板200，可以避免向载带基板200施加不需要的过热。
另一方面，当流水线恢复运行时，重新进行预热、峰值加热以及冷却。这时，如果载带基板200的给定块长的电路基板的温度，例如象图5的虚线所示①～④那样比较低时，首先按照①～③使加热块211逐渐上升，使载带基板200的给定块长的电路基板的温度可以上升到图5的实线所示位置上。这样，在流水线恢复后，不会造成产品的损伤，可以继续进行反流焊处理。
这样，在上述第3实施例中，使加热块211从初始位置上逐渐上升移动，与载带基板200的给定块长的电路基板接近，进行预加热后，与电路基板接触进行峰值加热，之后返回到初始位置，使冷却块213从初始位置水平移动与峰值热后的电路基板接近，对电路基板冷却，然后返回到初始位置，因而没有必要设置多个加热器区间，可以节省空间。
另外，使加热块211从初始位置上逐渐上升移动，与载带基板200的给定块长的电路基板接近，进行预加热后，与电路基板接触进行峰值加热，之后返回到初始位置，进一步使冷却块213由覆盖夹入槽214上下覆盖夹入载带基板200，从没置在覆盖夹入槽214的内面上的多个冷却剂吹出孔215吹出冷却剂，使电路基板冷却，这样，可以提高电路基板的加热效率和冷却效率，缩短加热处理和冷却处理所花费的时间，节省能源。
另外，由于某种原因，例如在图1中说明的在上料机21到下料机25之间的流水线停止时，如果加热块211还处在加热处理中，则使加热块211离开载带基板200，这样可以避免向载带基板200施加不需要的过热，可以避免对产品的损伤。另外，当流水线恢复运行时，由于重新进行预热、峰值加热以及冷却，可以大幅度缩短恢复后的加热处理和冷却处理的等待时间。
另外，对峰值加热后的电路基板通过从冷却块213的覆盖夹入槽214的多个冷却剂吹出孔215吹出冷却剂进行冷却，可以提高电路基板的冷却效率，缩短冷却处理的时间，特别对于无铅的焊锡浆，容易防止其热氧化。
此外，在本实施例中，虽然是使加热块211分段上升进行预加热以及峰值热的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以使加热块211与电路基板接触，在该状态下逐渐提高从加热块211所供给的热，进行预加热以及峰值热。
另外，在本实施例中，虽然是使加热块211分段上升进行预加热的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以线形上升进行预加热。
另外，在本实施例中，虽然是以加热块211从载带基板200的下面侧上升移动的情况进行了说明，但并不限定于该例。也可以从载带基板200的上面侧下降移动。
另外，在本实施例中，虽然是以在冷却块213中设置截面为コ字形的具有多个冷却剂吹出孔215的覆盖夹入槽214的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以使冷却块213为平板状，同时在面向载带基板200的一面侧上设置冷却剂吹出孔215。
图8、图9表示本发明有关第4实施例的电子器件制造方法。
在图8中，设置有供给预热的预加热块311～313、供给峰值热的正式加热块314以及降低供给峰值热后的被加热处理体的温度的冷却块315，例如，在焊锡涂敷工艺、贴装工艺之后进行的反流焊工艺中，对将作为给定块长的被加热处理体的电路基板301连在一起的作为连续体的载带基板300，进行加热处理和冷却处理。
这些预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315，例如由金属或者陶瓷等构成。另外，在预加热块311～313和正式加热块314的各个之间，可以设置例如2mm的空隙。该空隙可以避免在预加热块311～313和正式加热块314的各个之间直接热传递，同时每个可以象后述那样单独移动。
另外，预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315可以上下移动。也就是说，在对载带基板300进行加热处理和冷却处理时，如图8(b)所示，预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315可以上升移动，与载带基板300的给定块长的电路基板301接触。预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315的上下移动可以同时进行，也可以单独进行。此外，也可以不使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315上下移动，而使载带基板300上下移动。
在此，在电路基板301上，在反流焊工艺之前的焊锡涂敷工艺中，在电路基板301的布线302上涂敷焊锡浆304。此外，也存在在布线302上通过复印粘附ACF等粘接剂的情况。另外，符号303表示绝缘膜。另外，在焊锡涂敷工艺之后的贴装工艺中，在电路基板301上通过焊锡浆304贴装半导体芯片305。
然后，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315，与载带基板300的给定块长的电路基板301接触给定时间，进行加热处理和冷却处理，处理结束后，下降移动，离开载带基板300。象这样通过预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315上下移动，和向箭头方向移动载带基板300，依次对电路基板301进行预加热、峰值加热以及冷却。在此，预加热块311～313对载带基板300进行图5的①～③所示的预加热。正式加热块314对载带基板300进行图5的④所示的焊锡熔点+α的峰值热。以及冷却块315，如图5的⑤所示，使载带基板300的温度降低。
以下说明采用这样构成的半导体制造装置进行的制造方法。
在图8(a)中，将结束了焊锡涂敷工艺以及贴装工艺后的载带基板300的电路基板301送入到反流焊工艺后，在预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315上运送。结束了焊锡涂敷工艺以及贴装工艺后的载带基板300的电路基板301被运送到预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315上以后，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315上升移动，与载带基板300接触。这时，首先，由预加热块311与载带基板300的给定块长的电路基板301接触给定时间进行加热处理。这样，向电路基板301供给图5的①段实线所示的预加热。
在此，在由预加热块311与电路基板301接触给定时间进行加热处理时，在载带基板300的下流侧的电路基板301上，使预加热块312～313、正式加热块314以及冷却块315接触，对载带基板300的下流侧的电路基板301进行图5的②～⑤段实线所示的预加热、峰值加热以及冷却。因此，对连接在载带基板300上的多个电路基板301，可以同时由预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315进行预加热、峰值加热以及冷却，可以提高生产效率。
在由预加热块311进行给定时间的加热处理结束后，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315离开载带基板300。然后，向图8(a)的箭头方向运送载带基板300。这时的运送行程，与载带基板300的给定块长的电路基板301相当。当由预加热块311进行完加热处理后的电路基板301到达预加热块312的位置上时，停止向图8(a)的箭头方向运送载带基板300，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315再次上升。这时，由预加热块312与载带基板300的给定块长的电路基板301接触给定时间进行加热处理。这样，向电路基板301供给图5的②段实线所示的预加热。
在此，在由预加热块312与电路基板301接触给定时间进行加热处理时，在载带基板300的上流侧的电路基板301上，使预加热块311接触，对载带基板300的上流侧的电路基板301进行图5的①段实线所示的预加热，同时在载带基板300的下流侧的电路基板301上，使预加热块313、正式加热块314以及冷却块315接触，对载带基板300的下流侧的电路基板301进行图10的③～⑤段实线所示的预加热、峰值加热以及冷却。
在由预加热块312进行给定时间的加热处理结束后，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315离开载带基板300。然后，向图8(a)的箭头方向运送载带基板300。当由预加热块312进行完加热处理后的电路基板301到达预加热块313的位置上时，停止向图8(a)的箭头方向运送载带基板300，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315再次上升。这时，由预加热块313与载带基板300的给定块长的电路基板301接触给定时间进行加热处理。这样，向电路基板301供给图5的③段实线所示的预加热。
在此，在由预加热块313与电路基板301接触给定时间进行加热处理时，在载带基板300的上流侧的电路基板301上，使预加热块311、312接触，对载带基板300的上流侧的电路基板301进行图5的①和②段实线所示的预加热，同时在载带基板300的下流侧的电路基板301上，使正式加热块314以及冷却块315接触，对载带基板300的下流侧的电路基板301进行图5的④和⑤段实线所示的峰值加热以及冷却。
在由预加热块313进行给定时间的加热处理结束后，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315离开载带基板300。然后，向图8(a)的箭头方向运送载带基板300。当由预加热块313进行完加热处理后的电路基板301到达正式加热块314的位置上时，停止向图8(a)的箭头方向运送载带基板300，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315再次上升。这时，由正式加热块314与载带基板300的给定块长的电路基板301接触给定时间进行加热处理。这样，向电路基板301供给图5的④段实线所示的峰值热，使焊锡浆304熔化，将半导体芯片305焊接在电路基板301上的布线302上。
在此，在由正式加热块314与电路基板301接触给定时间进行加热处理时，在载带基板300的上流侧的电路基板301上，使预加热块311～313接触，对载带基板300的上流侧的电路基板301进行图5的①～③段实线所示的预加热，同时在载带基板300的下流侧的电路基板301上，使冷却块315接触，对载带基板300的下流侧的电路基板301进行图5的⑤段实线所示的冷却。
在由正式加热块314进行给定时间的加热处理结束后，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315离开载带基板300。然后，向图8(a)的箭头方向运送载带基板300。当由正式加热块314进行完加热处理后的电路基板301到达冷却块315的位置上时，停止向图8(a)的箭头方向运送载带基板300，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315再次上升。这时，由冷却块315与载带基板300的给定块长的电路基板301接触给定时间进行冷却处理。这样，通过使电路基板301按图10的⑤段实线所示那样降温，将半导体芯片305通过布线302固定在电路基板301上。
在此，在由冷却块315与电路基板301接触给定时间进行降温处理时，在载带基板300的上流侧的电路基板301上，使预加热块311～313以及正式加热块314接触，对载带基板300的上流侧的电路基板301进行图5的①～④段实线所示的预加热以及峰值热。
如上所述，通过向图8(a)的箭头方向运送载带基板300，对给定块长的电路基板301依次进行预热、峰值加热以及冷却，结束对电路基板301的反流焊处理。
此外，由于某种原因，例如在图1中说明的在上料机21到下料机25之间的流水线停止时，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315离开载带基板300到达使载带基板300的温度保持在不影响质量程度的位置上。这样，可以避免向载带基板300施加不需要的过热。
另一方面，当流水线恢复运行时，重新进行预热、峰值加热以及冷却。这时，如果载带基板300的给定块长的电路基板301的温度，例如象图5的虚线所示那样比较低时，如图9所示，通过使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315逐渐上升，可以使载带基板300的给定块长的电路基板301的温度上升到图5的实线所示位置上。这样，在流水线恢复后，不会造成产品的损伤，可以继续进行反流焊处理。此外，也可以不使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315逐渐上升，而使载带基板300逐渐下降。
另外，当流水线恢复运行时，也可以首先使预加热块311～313上升，对电路基板301进行给定的预加热，之后，使正式加热块314上升，对已经预热的电路基板301实施峰值热。这时，通过使在正式加热块314上的电路基板301例如返回到预加热块313上，对于即使由正式加热块314进行峰值加热的中途的电路基板301，也可以供给给定的预热。
这样，在上述第4实施例中，对于载带基板300的给定块长的电路基板301，与预加热块311～313接触后进行①～③的预加热，对于已进行③的预加热后的电路基板301与正式加热块314接触后进行峰值加热，对于进行峰值加热后的电路基板301，与冷却块315接触后降低电路基板301的温度。
这样，对载带基板300的加热处理和冷却处理，通过与预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315接触进行，可以提高载带基板300的加热效率和冷却效率，缩短加热处理和冷却处理所需要的时间，可以提高生产效率。另外，由于不仅不需要现有技术的热风循环方式那样的为进行热风循环的机构，而且不需要现有技术的灯加热方式和远红外线方式那样为进行局部加热的遮光机构，所以不会引起装置的大型化。另外，由于由预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315进行的加热处理和冷却处理可以个别单独进行，不仅容易适应符合块长的处理时间，而且由于在预加热块311～313之间没有热传递，可以清楚维持预加热块311～313之间的边界温度，容易进行产品质量管理。
另外，由于某种原因，例如在图1中说明的在上料机21到下料机25之间的流水线停止时，由于使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315离开载带基板300，这样可以避免向载带基板300施加不需要的过热，容易避免对产品的损伤。另外，当流水线恢复运行时，由于重新进行预热、峰值加热以及冷却，可以大幅度缩短恢复后的加热处理和冷却处理的等待时间。
另外，由于通过使峰值热后的电路基板301与冷却块315接触对电路基板301进行冷却，可以提高电路基板301的冷却效率，缩短冷却处理的时间，特别对于无铅的焊锡浆304，容易防止其热氧化。
此外，在第4实施例中，虽然是以3个预加热块311～313的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以是2个以下或者4个以上。假如预加热块311～313只有1个时，通过使预加热块311～313逐渐接近载带基板300，可以逐渐提供图5的①～③所示的预加热。另外，预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315的上下移动可以同时进行，也可以分别单独进行。另外，可以将预加热块311～313和正式加热块314合在一起构成1个，这时，通过使1个加热块逐渐接近载带基板300，并接触，可以提供图5的①～③所示的预加热和图5的④所示的峰值热。
另外，在第4实施例中，虽然是以在反流焊处理中按照电路基板301的给定块长运送载带基板300时，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315上下移动的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315上升，在与载带基板300接触的状态下，运送载带基板300。
另外，在冷却块315中也可以设置内部中空的配管，通过在该配管内流入气体或者液体进行冷却。这样，在不改变冷却块315的外形的情况下，可以对冷却块315强制冷却，提高冷却效率。此外，作为在设置在冷却块315中的配管内流入的气体，例如可以采用空气、氧气、氮气、二氧化碳气、氦气或者碳氟气等，作为在设置在冷却块315中的配管内流入的液体，例如可以采用水或者油等。另外，也可以使设置在冷却块315中的配管内减压，这样，可以更进一步提高冷却效率。
图10表示有关本发明第5实施例的电子器件制造方法。
在图10(a)中，在图8的构成的基础上，设置有辅助供给预热的吹热风块316。该吹热风块316位于正式加热块314的上方，由图中未画出的驱动机构驱动可以上下移动。另外，在流水线在停止后恢复时，使吹热风块316下降，接近载带基板300，对在正式加热块314上的电路基板301进行给定的预热。
以下说明采用这样构成的半导体制造装置进行的制造方法。
首先，将结束了焊锡涂敷工艺以及贴装工艺后的载带基板300的电路基板301送入到反流焊工艺，和图8同样，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315上升移动，与载带基板300接触，进行反流焊处理。
这时，如上所述，由于某种原因，例如在图1中说明的在上料机21到下料机25之间的流水线停止时，如图10(b)所示，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315离开载带基板300到达载带基板300的温度保持在不影响质量程度的位置上。这时，使吹热风块316从正式加热块314的上方由图中未画出的驱动机构驱动下降移动，接近载带基板300。
然后，当流水线在停止后恢复时，向电路基板301供给来自吹热风块316的热风。这时，当正式加热块314上的电路基板301的温度如图5的④所示那样比较低时，对电路基板301进行到图5的③中实线的预加热。
在向正式加热块314上的电路基板301供给完预热后，如图10(c)所示，吹热风块316由图中未画出的驱动机构驱动上升移动，离开载带基板300。另一方面，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315上升移动，与载带基板300接触，继续进行上述通常的加热处理和冷却处理。这样，在流水线在停止后恢复后，不会引起产品的损伤，可以继续进行反流焊。
这样，在上述第5实施例中，由于某种原因，例如在图1中说明的在上料机21到下料机25之间的流水线停止时，使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315离开载带基板300到达载带基板300的温度保持在不影响质量程度的位置上，同时使吹热风块316从正式加热块314的上方由图中未画出的驱动机构驱动下降移动，接近载带基板300，在流水线在停止后恢复时，由于吹热风块316的热风对电路基板301供给预热，可以可靠避免流水线停止时所造成的产品损伤，而且可以大幅度缩短恢复后到正常运行时的等待时间，进一步可以避免由正式加热块314产生的热预热的电路基板301的影响。
此外，在上述第5施方案中，虽然是以使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315从载带基板300的下面侧上升移动的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以使预加热块311～313、正式加热块314以及冷却块315从载带基板300的上面侧下降移动。这时，吹热风块316可以从载带基板300的下面侧上升移动。
图11示有关本发明第6施方案的电子器件制造方法。
在图11(a)中，设置有供给预热的预加热块412、供给峰值热的正式加热块413以及降低供给峰值热后的被加热处理体的温度的冷却块414，在预热的预加热块412的前级上配置为避免向由预加热块412进行加热处理前的载带基板400传递热的冷却块411。此外，在图11(a)的例中，为方便说明，只设置了1个预加热块412。
在这样的构成中，在使预加热块412与载带基板400的给定块长的电路基板接触，进行如图5中说明的那样供给①～③的预热时，使冷却块411与供给①的预热之前的载带基板400的给定块长的电路基板接触。在此，由于冷却块411将供给①的预热之前的载带基板400冷却到常温状态，可以避免由预加热块412进行加热处理前的载带基板400的温度上升。
这样，在图11(a)的实施例中，由于使供给①的预热之前的载带基板400的给定块长的电路基板与冷却块411接触后冷却到常温状态，可以避免由预加热块412进行加热处理前的载带基板400的温度上升，容易进行产品的质量管理。
另一方面，在图11(b)中，设置有供给预热的预加热块512、供给峰值热的正式加热块514以及降低供给峰值热后的被加热处理体的温度的冷却块515，在预热的预加热块512的前级上配置为避免向由预加热块512进行加热处理前的载带基板500传递热的冷却块511，在预加热块512和正式加热块514之间，配置为避免向由正式加热块514进行加热处理前的载带基板500传递热的冷却块513。此外，在图11(b)的例中，为方便说明，只设置了1个预加热块412。
在这样的构成中，在使正式加热块514与载带基板500的给定块长的电路基板接触，进行峰值加热时，使冷却块513与进行峰值加热之前的载带基板500的给定块长的电路基板接触进行冷却，可以避免由正式加热块514进行加热处理前的载带基板500的温度上升。
这样，在图11(b)的实施例中，由于使冷却块513与进行峰值加热之前的载带基板500的给定块长的电路基板接触进行冷却，可以避免由正式加热块514进行加热处理前的载带基板500的温度上升，容易进行产品的质量管理。
另外，在第6实施例中，虽然是以预加热块512为1个的情况进行了说明，但并不限定于该例，也可以在2个以下或者4个以上，预加热块512为多个时，通过在每个之间配置冷却块，可以避免供给预热时后续载带基板500的温度上升，容易进行产品的质量管理。
图12表示有关本发明第7实施例的电子器件制造装置的概略构成斜视图。
在图12中，在载带基板601上，沿长轴方向连续配置电路块603，在各电路块603上，设置电子元件搭载区域。另外，在载带基板601的两侧上，按给定间隔设置为运送载带基板601的运送孔602。此外，作为载带基板601的材质，例如可以采用聚酰亚胺等。又作为搭载在各电路块603上的电子元件，例如，可以列举出半导体芯片、芯片电容、电阻、电感以及连接器等。
另一方面，在载带基板601的反流焊区域上，沿载带基板601的运送方向，按相隔给定间隔并排配置加热块611～614。另外，在加热块613上，配置向下方设置了凸出部617的按压板616，在加热块611～614的旁边配置隔热板615a、615b。
在此，加热块611、612的温度在比焊锡熔点小的范围内设定成依次提高，加热块613的温度设定成在焊锡熔点以上，加热块614的温度设定成比加热块611、612的温度小。另外，加热块611～614以及按压板616分别可以独立上下移动，同时隔热板615a、615b可以沿载带基板601的短轴方向水平移动，进一步，加热块611～614、隔热板615a、615b以及按压板616统一支承为可以沿载带基板601的运送方向整体滑动。另外，设置在按压板616上的凸出部617的间隔，可以设定成与电路块603的长度相当。
此外，作为加热块611～614以及隔热板615a、615b的材质，例如可以采用包含金属、金属化合物以及合金的部件，或者陶瓷。作为加热块611～614的材质，例如通过采用铁和不锈钢等，可以防止加热块611～614的热膨胀，在加热块611～614上可以高精度运送载带基板601。
另外，各加热块611～614的长度，可以设定成与多个电路块603的长度相当，隔热板615a、615b的大小可以设定成在4个加热块611～614的大小的基础上加上加热块611～614之间的空隙的大小的值，按压板616的大小可以设定成与加热块613的大小相当。此外，各加热块611～614的长度，并不一定需要设定成1个电路块603长度的整数倍，也可以带有分数倍。
另外，加热块611～614的形状，可以设定成至少使与载带基板601接触的面为平坦面，例如，加热块611～614可以构成为板状。
图13表示图12的反流焊处理的侧视图，图14表示图12的反流焊处理的流程图。
在图13、14中，例如在图1的焊锡涂敷区间22以及贴装区间23中，进行了焊锡浆印刷以及电子元件的贴装处理后的载带基板601，在加热块611～614上进行运送(图14的第S1步)。此外，在加热块611～614上运送载带基板601时，可以在使载带基板601与加热块611～614接触的状态下进行运送。这样，使加热块611～614与载带基板601接触，对载带基板601加热时，可以省略加热块611～614的移动动作，缩短反流焊处理的生产节奏时间。在此，通过将加热块611～614构成为板状，可以在载带基板601与加热块611～614接触的状态下平滑运送载带基板601。
然后，如图13(b)所示，进行了焊锡浆印刷以及电子元件的贴装处理后的载带基板601在加热块611～614上运送后，使载带基板601的运送停止给定时间(图14的第S2、S4步)，由各加热块611～614对载带基板601进行加热。在此，加热块611～614沿载带基板601的运送方向并排配置，加热块611、612的温度在比焊锡熔点小的范围内设定成依次提高，加热块613的温度设定成在焊锡熔点以上，加热块614的温度设定成比加热块611、612的温度小。
因此，可以对加热块611、612上的电路块603进行预加热，对加热块613上的电路块603进行正式加热，对加热块614上的电路块603进行冷却，对载带基板601上的不同电路块603可以一起进行预加热、正式加热以及冷却。
在此，当载带基板601在加热块611～614上停止时，降下在加热块613上的按压板616，由凸出部617按压加热块613上的电路块603。这样，即使载带基板601变形为裙带菜状，也可以向载带基板601均匀传递热，可以稳定进行焊锡熔化处理。另外，通过使凸出部617的间隔与电路块603的长度相当，可以在电路块603的边界上按压电路块603，可以防止对配置在电路块603上的电子元件造成机械上的损伤。
然后，从停止载带基板601的运送开始经过给定时间后，使载带基板601运送给定长度，通过使载带基板601上的一电路块603依次停止在各加热块611～614上，可以对载带基板601上的这一电路块603进行预加热、正式加热以及冷却。因此，可以使载带基板601上的一电路块603的温度分段上升，在防止对电路块603造成热损伤的情况下进行反流焊处理，同时可以使焊锡熔化后的电路块603的温度迅速下降，可以抑制焊锡的热氧化，提高产品质量。
另外，通过使载带基板601上的一电路块603依次与各加热块611～614接触，可以清楚保持边界上的温度差，迅速进行电路块603的温度上升和温度下降，可以迅速使电路块603达到设定温度，有效进行反流焊处理。
因此，如图1所示，在同一载带基板601上，即使在焊锡涂敷处理以及贴装处理之后连续进行反流焊处理，也可以防止受到反流焊处理速度的限制而造成的焊锡涂敷处理以及贴装处理的迟滞，使生产效率反而降低。
也就是说，即使焊锡涂敷区间22以及贴装区间23的电路块603的焊锡涂敷处理以及贴装处理分别结束后，反流焊区间24的电路块603的反流焊处理还没有结束时，在反流焊区间24的电路块603的反流焊处理结束之前，不进行载带基板601的运送。因此，和焊锡涂敷处理以及贴装处理相比，如果反流焊处理要花费更多时间时，在反流焊区间24的电路块603的反流焊处理结束之前，需要使焊锡涂敷区间22以及贴装区间23的电路块603的焊锡涂敷处理以及贴装处理分别处于待机状态，降低焊锡涂敷区间22以及贴装区间23的运行效率，造成生产效率恶化。
在此，通过使载带基板601与加热块611～614接触，可以迅速使电路块603达到设定温度，从而可以加快反流焊处理。因此，即使使焊锡涂敷处理、贴装处理以及反流焊处理一起进行时，可以过速进行反流焊处理，防止降低图1的焊锡涂敷区间22以及贴装区间23的运行效率，提高生产效率。
另外，通过沿载带基板601的运送方向并排配置多个加热块611～614，在不增加反流焊处理所花费的时间的情况下，可以分段使电路块603的温度上升，可以在抑制热损伤的情况下进行反流焊处理。
因此，即使使焊锡涂敷处理、贴装处理以及反流焊处理一起进行时，可以防止过速进行反流焊处理，使反流焊处理在最佳温度方案下进行，在不降低产品质量的基础上，可以提高生产效率。
在此，在运送流水线上一次运送载带基板601的长度，例如，在图1的焊锡涂敷区间22中，可以与在运送流水线上一次涂敷的焊锡涂敷区域的长度相当。然后，在运送流水线上一次涂敷的焊锡涂敷区域的长度，可以设定成1个电路块603长度的整数倍。
然后，在图1的焊锡涂敷区间22中，通过在运送流水线上一次对多个电路块603进行焊锡涂敷，可以对多个电路块603一次分段进行反流焊处理，在不降低产品质量的基础上，可以提高生产效率。
此外，在运送流水线上一次涂敷的焊锡涂敷区域的长度并不一定要与加热块611～614的长度一致，与在运送流水线上一次涂敷的焊锡涂敷区域的长度相比，加热块611～614的长度也可以要长一些。这样，即使载带基板601的电路块603的长度改变时，不需要更换加热块611～614，可以在对特定电路块603在所有加热块611～614上加热给定时间以上的同时，运送载带基板601，在不降低产品质量的基础上，可以提高生产效率。
例如，在运送流水线上一次涂敷的焊锡涂敷区域的长度的最大值，例如可以设定成320mm，各加热块611～614的长度，例如可以设定成361mm。图12的运送孔602的间隔例如为4.75mm，1个电路块603长度例如可以在运送孔603的6～15个间隔长度范围内变化。这时，在运送流水线上一次涂敷的焊锡涂敷区域的长度在不超过最大值＝320mm的范围内，可以更多设定电路块603的个数。例如，如果1个电路块603长度为运送孔602的8个间隔的长度，则1个电路块603长度为4.75×8＝38mm，在运送流水线上一次涂敷的焊锡涂敷区域的长度可以设定成8个电路块603的长度＝304mm≤320mm。因此，在运送流水线上一次运送的载带基板601的长度可以设定成304mm。
此外，如果与在运送流水线上一次涂敷的焊锡涂敷区域的长度相比，加热块611～614的长度要长一些，在运送流水线上一次运送的载带基板601的长度设定成焊锡涂敷区域的长度，同一电路块603的至少一部分，会多次停止在加热块611～614上，出现加热时间过长的部分。因此，通过使加热时间具有余量，来对加热块611～614的温度以及流水线节奏进行设定，可以保持反流焊处理时的质量。
另外，通过使加热块611～614相隔给定间隔配置，可以使加热块611～614之间的边界温度清楚维持，在电路块603的整个区域均匀保持设定温度，可以在反流焊处理中稳定保持产品质量。
此外，当加热块611～614相隔给定间隔配置时，也可以在加热块611～614之间的空隙内设置聚四氟乙烯等绝缘性树脂，这样，可以更进一步降低加热块611～614之间的热传递。
然后，如图13(c)所示，例如，当在图1的焊锡涂敷区间22以及贴装区间23等中发生故障时(图14的第S3步)，降低加热块611～614的位置(图14的第S5步)。然后，使隔热板615a、615b水平移动，位于加热块611～614之上，将载带基板601插入到上下隔热板615a、615b之中(图14的第S6步)。
这样，例如，即使由于在图1的焊锡涂敷区间22以及贴装区间23等中出现故障，而长时间停止载带基板601的运送时，也可以防止载带基板601的加热状态出现过长的情况，可以降低焊锡的热氧化和接触不良的情况。
此外，通过将载带基板601插入到上下隔热板615a、615b之中，可以使载带基板601的上下温度分布均匀，防止载带基板601出现变形成裙带菜状的情况。
然后，如图13(d)～13(f)所示，当图1的焊锡涂敷区间22以及贴装区间23等中所发生的故障解除后(图14的第S7步)，退出隔热板615a、615b(图14的第S8步)。然后，在使加热块611～614的位置分段上升(图14的第S9步)的情况下，使加热块611～614与载带基板601接触。
这样，即使在加热块611～614长时间离开载带基板601，加热块611～614上的载带基板601已经冷却时，可以在停止载带基板601的运送的状态下，使各加热块611～614上的电路块603的温度分别分段上升。
因此，由于使各加热块611～614上的电路块603的温度分别分段上升，不需要使载带基板601反方向后退，重新进行载带基板601的运送，可以在不使运送系统复杂化的情况下，重新开始反流焊处理。
此外，在上述实施例中，在将载带基板601从加热状态退出时，虽然是以加热块611～614整体离开载带基板601的方法进行了说明，例如也可以使加热块611、612、614与载带基板601保持接触，而只使加热块613离开载带基板601。这样，例如，即使由于在图1的焊锡涂敷区间22以及贴装区间23等中出现故障，而长时间停止载带基板601的运送时，也可以对载带基板601的电路块603继续进行预热，而中止正式加热，可以降低产品不良的情况。
另外，在图12的实施例中，虽然示出的是4个加热块611～614并排配置的方法，也可以并排配置5个以上加热块611～614，更加缓慢进行电路块603的预加热，或者分段进行电路块603的冷却。
另外，虽然是以各加热块611～614构成为板状的方法进行了说明，也可以在加热块611～614的接触面中，例如与配置半导体芯片的区域接触的部分上设置凹部，这样，可以在配置半导体芯片的区域上防止加热块611～614直接接触。因此，即使在载带基板601上贴装了不耐热的半导体芯片时，也可以防止对半导体芯片造成热损伤。
图15表示有关本发明第8实施例的电子器件制造装置的概略构成斜视图。
在图15中，在载带基板601a、601b上，沿长轴方向分别连续配置电路块603a、603b，在各电路块603a、603b上，分别设置电子元件搭载区域。另外，在载带基板601a、601b的两侧上，按给定间隔分别设置为运送载带基板601a、601b的运送孔602a、602b。
然后，在加热块611～614上，并排配置2条载带基板601a、601b。然后，这2条载带基板601a、601b在与加热块611～614接触的状态下进行运送。这样，可以在加热块611～614一次同时对2条载带基板601进行反流焊处理，可以提高生产效率。
在此，虽然是以在加热块611～614上并排运送2条的载带基板601a、601b的情况进行了说明，也可以在加热块611～614上并排运送3条以上的载带基板。
图16表示有关本发明第9实施例的电子器件制造装置的侧视图。
在图16(a)中，反流焊炉711由具有轨道713的支承台712所支承。在此，反流焊炉711，例如是在焊锡涂敷工艺、贴装工艺之后进行的反流焊工艺中，对被连在载带基板700上的作为被加热处理体的电路基板进行加热处理和冷却处理的装置，设置有使电路基板的温度分段上升的加热器区间721～724以及降低电路基板温度的冷却区间725。此外，反流焊炉711可以一次同时处理连在载带基板700上的多个电路基板，也可以一个一个处理连在载带基板700上的一个电路基板。
另外，反流焊炉711，如图16(b)、(c)所示，可以沿支承台712的轨道713在箭头a-b方向上自由移动。该箭头a-b方向是沿载带基板700的运送方向。这样，通过使反流焊炉711可以在箭头a-b方向上自由移动，可以在与电路基板相对应的位置上设置加热器区间721～724以及冷却区间725。

Claims (35)

1.一种电子器件制造装置，对在每个电路块上设有电子元件搭载区域的连续体进行加热控制，其特征是包括使所述连续体的被加热处理区域的温度上升的加热装置，
控制所述连续体和所述加热装置之间的距离的距离控制装置，
通过所述距离控制装置控制所述连续体和所述加热装置之间的距离，并控制所述被加热处理区域的温度。
2.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是所述加热装置通过与所述连续体的被加热处理区域的至少一部分接近、或者接触，使所述被加热处理区域的温度上升。
3.根据权利要求2所述的电子器件制造装置，其特征是所述加热装置从所述连续体的背面侧或者表面侧接触。
4.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是通过控制所述加热装置的移动距离，对所述被加热处理区域的温度进行分段控制。
5.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是所述加热装置进行上下移动或者水平移动。
6.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是所述加热装置具有比涂敷在多个所述电路块中至少一个电路块上的焊锡涂敷区域更大的接触面积，同时使所述焊锡涂敷区域的温度上升。
7.根据权利要求2所述的电子器件制造装置，其特征是所述加热装置具有设定温度不同的多个接触区域，通过使所述接触区域依次与所述被加热处理区域接触，从而使所述被加热处理区域的温度分段上升。
8.根据权利要求7所述的电子器件制造装置，其特征是所述设定温度不同的多个接触区域沿所述连续体的运送方向并排配置。
9.根据权利要求7所述的电子器件制造装置，其特征是在所述设定温度不同的多个接触区域之间设置有空隙。
10.根据权利要求7所述的电子器件制造装置，其特征是所述设定温度不同的多个接触区域可以分别单独移动。
11.根据权利要求2所述的电子器件制造装置，其特征是与所述被加热处理区域接触的所述加热装置的接触面是平坦面。
12.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是在所述加热装置的接触面上，设有与所述被加热处理区域的半导体芯片的配置位置对应的凹部。
13.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是在所述连续体的被加热处理区域和所述加热装置之间，还具有可以插拔的隔热板装置。
14.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是还包括
使所述加热装置离开所述被加热处理区域的撤离装置。
15.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是还包括
具有所述加热装置的反流焊炉、和
具有导轨的支承所述反流焊炉的支承台，
所述支承台沿所述导轨在所述连续体的运送方向滑动自如。
16.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是还包括从与所述加热装置不同方向对所述连续体的被加热处理区域进行加热的加热辅助装置。
17.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其特征是还包括使由所述加热装置提升温度后的所述被加热处理区域的温度下降的降温装置。
18.根据权利要求17所述的电子器件制造装置，其特征是所述降温装置，具有在与所述被加热处理区域相对的面上设置有多个冷却剂吹出孔的平板部件。
19.根据权利要求17所述的电子器件制造装置，其特征是所述降温装置包括
从厚度方向的上下覆盖夹入所述被加热处理区域且与所述连续体的运送方向垂直相交的纵截面为コ字形的覆盖夹入槽、和设置在所述覆盖夹入槽的内面上的多个冷却剂吹出孔。
20.根据权利要求17所述的电子器件制造装置，其特征是所述降温装置具有比所述加热装置温度低的区域，通过使所述温度低的区域与所述连续体的被加热处理区域的至少一部分接触，从而使所述被加热处理区域的温度下降。
21.根据权利要求20所述的电子器件制造装置，其特征是所述温度低的区域，并排配置在所述加热装置的前级或者后级、或者所述加热装置之间。
22.一种电子器件制造方法，其特征是通过控制与在每个电路块上设有电子元件搭载区域的连续体的被加热处理区域和加热装置之间的距离、控制所述被加热处理区域的温度。
23.根据权利要求22所述的电子器件制造方法，其特征是在控制被加热处理区域和加热装置之间的距离时，通过使所述加热装置与所述连续体的被加热处理区域的至少一部分接近、或者接触，使所述被加热处理区域的温度上升。
24.根据权利要求23所述的电子器件制造方法，其特征是在使所述加热装置与所述连续体的被加热处理区域接触时，使多个电路块同时与所述加热装置接触。
25.根据权利要求22所述的电子器件制造方法，其特征是所述控制被加热处理区域和加热装置之间的距离、使所述被加热处理区域的温度上升的过程包括
将所述被加热处理区域运送到所述加热装置上的工艺、和
通过使被运送到所述加热装置上的所述被加热处理区域与所述加热装置分段接近，使所述被加热处理区域的温度分段上升的工艺。
26.根据权利要求22所述的电子器件制造方法，其特征是所述控制被加热处理区域和加热装置之间的距离、使所述被加热处理区域的温度上升的过程包括在由所述加热装置对所述被加热处理区域加热后或者加热过程中、使所述加热装置撤离所述被加热处理区域的工艺。
27.根据权利要求26所述的电子器件制造方法，其特征是还包括在所述撤离后的所述加热装置和所述被加热处理区域之间插入隔热板的工艺。
28.根据权利要求26所述的电子器件制造方法，其特征是还包括使从所述被加热处理区域撤离后的所述加热装置再次与所述被加热处理区域接触的工艺。
29.根据权利要求28所述的电子器件制造方法，其特征是还包括在使从所述被加热处理区域撤离后的所述加热装置再次与所述被加热处理区域接触之前，向所述被加热处理区域吹热风的工艺。
30.根据权利要求29所述的电子器件制造方法，其特征是包括在使从所述被加热区域撤离后的所述加热装置再次与所述被加热区域接触之前，向所述被加热区域吹热风的工艺。
31.根据权利要求30所述的电子器件制造方法，其特征是还包括通过使支承具有所述加热装置的反流焊炉的支承台沿所述连续体的运送方向移动、从而使所述加热装置的位置与所述被加热处理区域对应的工艺。
32.根据权利要求22所述的电子器件制造方法，其特征是还包括降低由所述加热装置提升温度后的被加热处理区域的温度的工艺。
33.根据权利要求32所述的电子器件制造方法，其特征是在降低被加热处理区域的温度时，通过使由所述加热装置提升温度后的被加热处理区域的至少一部分与比所述加热装置的温度低的区域接触，从而降低所述被加热处理区域的温度。
34.根据权利要求33所述的电子器件制造方法，其特征是所述温度低的区域并排配置在所述加热装置的前级或者后级、或者所述加热装置之间。
35.根据权利要求32所述的电子器件制造方法，其特征是在降低被加热处理区域的温度时，通过向由所述加热装置提升温度后的被加热处理区域的单面或者两面吹气体，使所述被加热处理区域的温度下降。
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