CN1241173C - 带有标识层的磁头以及磁带介质记录再生装置 - Google Patents

带有标识层的磁头以及磁带介质记录再生装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种带有标识层的磁头以及磁带介质记录再生装置。该磁头带有第1保护层、第2保护层、MR元件以及标识层，并且它们都有一个方位角(θ)，以倾斜的状态从介质滑动面中露出，如果将通过MR元件的磁道宽度方向两端沿单方向延长的2根直线作为方位假设线(A)、(B)，标识层位于方位假设线(A)、(B)的磁道宽(Tw)方向内侧，同时标识层的两端部位于方位假设线(A)、(B)的磁道宽(Tw)方向外侧，这样可以正确对合MR的高度，并且减少非对称性的变动。

Description

带有标识层的磁头以及磁带介质记录再生装置
技术领域
本发明涉及以螺旋扫描方式再生磁记录信息的磁头以及磁带介质记录再生装置。
背景技术
最近作为再生数字录像或者数字录音装置用的磁头，开发了带有MR元件(磁阻效应元件)的滑动式磁头。该磁头在MR元件带有一定的方位角、并通过底座(base)基板倾斜地被安装在旋转圆柱体上的状态下使用。这种磁头再生磁记录信息是用螺旋式扫描进行的。即，装载磁头的旋转圆柱体向一个方向旋转，同时使磁带介质和旋转圆柱体旋转的同方向地滑动来进行磁记录信息的再生。
又，记录磁信息是用被磁道化的感应磁头，也即用没有保护间距的方式进行数字信号的记录。也即，相互不同方位角度的2个或者4个感应磁头被装在旋转圆柱体上，然后这些感应磁头由于旋转圆柱体旋转和磁带介质相互接触，将磁带介质上已存的记录磁道的一部份顺次写到下个记录磁道中。
要正确地再生用上述无间距保护方式记录的记录磁道，各个磁头之间从基板到MR元件的磁道宽度的中心的各高度要一致。作为实现该要求的手段，在保护层上设置了标识层，采用用光学显微镜一边观察该标识层，一边对合位置的方法。作为标识层的例，像下面的专利文献1的图3或者图4等记载的那样，在保护层上设置了凸部等。
专利文献1
特开2001-93120公报，(图3，图4)
但是，一般用螺旋式扫描的方式时，因为记录磁道是板状磁性体，再生磁道的宽度很宽，是采用宽读出的方式，MR元件要有记录磁道宽度的2倍宽的磁道宽度。为了实现很少错误的再生，要求MR元件的再生特性在磁道宽度的任何位置都是一定的。
而上述专利文献1中叙述的磁头中的凸部的宽度比MR元件的磁道宽度窄，基板到MR元件的高度和凸部的高度大致相同，这样凸部的磁道宽度方向的两端位于MR元件的磁道宽度内。由于存在这样的凸部，磁头的不对称性(再生波形的对称特性)沿MR元件的磁道宽度方向有很大的变动，存在再生特性不稳定的问题。
发明内容
(本发明要解决的课题)
为了解决上述问题，本发明提供可以正确对合MR的高度、并且减少因标识对不对称性变化的影响的磁头和磁带介质的记录再生装置。
为了达到上述目的，本发明采用以下结构。
本发明的磁头带有被驱动朝单方向旋转的旋转圆柱体，磁头的介质滑动面位于和该旋转圆柱体的周面大致同一面上，磁头带有由磁性体组成的第1保护层、和该第1保护层基本平行间隔并由磁性体组成的第2保护层、用位于上述第1、第2保护层之间的非磁性绝缘层和第1、第2保护层绝缘的MR元件以及位于上述第1保护层的上述MR元件侧相反一侧、且用于检测上述MR元件的磁道宽方向中心位置的标识层；所有这些元件都处于相对上述单方向有一定的方位角度，以倾斜的状态从上述介质滑动面露出，通过上述MR元件的磁道宽方向两端沿上述单方向延伸的2根直线作为假设方位线时，上述标识层至少位于上述2根方位假设线的磁道宽方向的内侧，同时上述标识层两端部设置在2根方位假设线的磁道宽度方向外侧。
在上述磁头中，为了在2根方位假想线的磁道宽度方向外侧配置上述标识层的两端部，标识层宽度要比MR元件的磁道宽度宽，而为了使上述标识层位于这2根方位假想线的磁道宽度方向内侧，MR元件整体一定要和标识层对向。这样，因为2根方位假想线的内侧区域中不存在标识层端部，磁头的非对称性(再生波形的对称性)沿MR元件整个磁道宽度方向都不变化，可以得到稳定的再生特性。
另外本发明的上述磁头，是用通过上述MR元件的磁道宽度方向中心沿上述的单方向延长的直线作为磁头中心线时，以磁头中心线通过上述标识层的磁道宽度方向的中心来决定上述标识层的位置。
对于本发明的磁头，标识层的中心位置和MR元件的中心位置在上述磁头中心线上，检测标识层中心位置可以容易定出MR元件的中心位置，因此很容易调整MR元件的高度。
本发明的磁头，如果用通过上述MR元件的磁道宽度方向中心并沿和其垂直方向延长的直线作为法线，那么可以通过上述标识层的磁道宽度中心来决定上述标识层的位置。
对于本发明的磁头，标识层的中心位置和MR元件的中心位置在和磁道方向垂直的法线上，检测标识层中心位置可以容易定出MR元件的中心位置，因此很容易调整MR元件的高度。
本发明的磁头的上述标识层最好由磁性体或者非磁性体组成。
标识层由磁性体组成时，标识层的材质和第1保护层的材质可以一致，这样组成材料的种类少，可以使得磁头的结构比较简单。而标识层由非磁性体组成时，该标识层可以大幅度降低非对称特性变化的影响，降低非对称特性变化。
本发明的磁头的上述标识层可以和上述第1保护层连接，还可以是在上述标识层和上述第1保护层之间有其他的非磁性绝缘层。
本发明磁头的上述标识层和上述第1保护层连接时，可以同时形成第1保护层和标识层，这样磁头的结构比较简单。另外，上述标识层和上述第1保护层之间有其他的非磁性绝缘层时，MR元件和标识层之间有间距，减少了标识层对非对称特性的影响。
本发明的磁头最好是上述介质滑动面是沿上述的单方向的曲面，而且最好上述介质滑动面在沿和上述的单方向垂直的方向是曲面。还有，在MR元件的磁道宽度中心最好位于和上述的单方向垂直的方向的曲面的顶部。
本发明的磁头的介质滑动面形成曲面，因此可以和磁带介质进行平滑的带接触。
还有，MR元件的中心位于和上述的单方向垂直的方向的曲面的顶部，同时上述磁头中心线通过上述标识层中心时，标识层各个端部位于距上述曲面顶部等间距的位置上。即，标识层的各个端部位于从上述顶部向MR元件的高度方向同样深的位置。这样用显微镜观察标识层时标识层的各端部的焦点深度都一致，因此不用改变焦点深度就可以一边观察标识层一边调整MR元件的高度位置，很容易快速地调整位置。
还有，本发明的磁带介质记录再生装置带有将从磁带卷盘中拉出的磁带介质卷绕到被驱动向单方向旋转的旋转圆柱体上的磁带装载回路，并带有介质滑动面位于上述旋转圆柱体中、并和旋转圆柱体的周面基本位于同一面上的磁头，上述磁头，带有磁性体组成的第1保护层、和该第1保护层基本平行间隔的磁性体组成的第2保护层、用在上述第1、第2保护层中间的非磁性绝缘层和上述第1、第2保护层绝缘的MR元件以及设在上述第1保护层的和上述MR元件侧相反一侧并用于检测上述MR元件磁道宽度方向中心位置的标识层，所有这些层都对应上述单方向有规定的方位角，以倾斜的状态从上述介质滑动面中露出，从上述MR元件的磁道宽度两端沿上述特定方向延长2根直线作为方位假设线，上述标识层至少位于上述2根方位假设线的磁道宽度方向内侧，同时上述标识层的两端部位于上述2根方位假设线的磁道宽度方向外侧。
对于上述磁带介质记录再生装置，为了在2根方位假想线的磁道宽度方向外侧配置上述标识层的两端部，标识层宽度要比MR元件的磁道宽度宽，而为了使上述标识层位于这2根方位假想线的磁道宽度方向内侧，MR元件整体一定要和标识层对向。这样，因为2根方位假想线的内侧区域中不存在标识层端部，磁头的非对称性(再生波形的对称性)沿MR元件整个磁道宽度方向都不变化，可以得到稳定的再生特性。
另外本发明的磁带介质记录再生装置，是上述记载的磁带介质记录再生装置，用通过上述MR元件的磁道宽度方向中心沿上述的某一个方向延长的直线作为磁头中心线时，以磁头中心线通过上述标识层的磁道宽度方向的中心来决定上述标识层的位置。
对于本发明的磁带介质记录再生装置，标识层的中心位置和MR元件的中心位置在上述磁头中心线上，检测标识层中心位置可以容易定出MR元件的中心位置，因此很容易调整MR元件的高度。
本发明的磁带介质记录再生装置，是上述记载的磁带介质记录再生装置，如果用通过上述MR元件的磁道宽度方向中心并沿和其垂直方向延长的直线作为法线，用该法线通过上述标识层的磁道宽度方向中心来决定上述标识层的位置。
依据本发明的磁带介质记录再生装置，标识层的中心位置和MR元件的中心位置在和磁道方向垂直的法线上，检测标识层中心位置可以容易定出MR元件的中心位置，因此很容易调整MR元件的高度。
本发明的磁带介质记录再生装置，是上述记载的磁带介质记录再生装置，在上述旋转圆柱体的前进方和后退方分别设置了上述磁带装载回路，为了将从上述磁带卷盘中被拉出的磁带介质卷绕在上述旋转圆柱体上，最好在上述旋转圆柱体的后退方设置引导上述磁带介质的引导柱，并且设置主动轮。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的磁带介质记录再生装置的磁带装载回路的平面模式图。
图2是图1的磁带介质记录再生装置的带有的旋转式磁头的部分扩大图。
图3是图2的旋转式磁头带有的本发明的磁头立体图。
图4是从介质滑动面一侧方向看到的图2的旋转式磁头带有的本发明磁头的平面图。
图5是从旋状圆柱体的旋转方向的后方侧面看到的图2的旋转式磁头带有的本发明磁头侧面图。
图6是作为图2的旋转式磁头带有的本发明磁头的主要部分、从磁头的介质滑动面中露出的内藏磁芯层带有方位角θ地处于倾斜状态的扩大平面模式图。
图7是作为图2的旋转式磁头带有的本发明磁头的主要部分的图、从磁头的介质滑动面中露出的内藏磁芯层的扩大平面模式图。
图8是本发明实施方式2的磁头的主要部分的图、从磁头的介质滑动面中露出的内藏磁芯层带有方位角θ地处于倾斜状态的扩大平面模式图。
图9是本发明实施方式3的磁头的主要部分的图、从磁头的介质滑动面中露出的内藏磁芯层带有方位角θ地处于倾斜状态的扩大平面模式图。
图10是比较例1的磁头的主要部分的图、从磁头的介质滑动面中露出的内藏磁芯层带有方位角θ地处于倾斜状态的扩大平面模式图。
图11是比较例1的磁头的非对称性特性变化量曲线。
图12是实施例1的磁头的非对称性特性变化量曲线。
具体实施方式
(实施方式1)
下面参照附图说明本发明的实施方式1。
图1表示了本发明的实施方式1的磁带介质记录再生装置的磁带装载回路的平面模式图，图2是旋转式磁头1的部分扩大图。
图1表示的磁带介质记录再生装置带有旋转式磁头，因为在VTR等装置中使用，设置了用马达驱动旋转的旋转式磁头1，在该旋转式磁头1中带有本发明的磁头21、41。在图1的磁带介质记录再生装置中，从送出侧的磁带卷盘11中拉出来的磁带(磁带介质)T被引导柱13a引导，以一定的角度被卷绕在旋转磁头1上，再通过引导柱13b，被主动轮14和固定轮15夹持，主动轮14按如图的箭头方向旋转，最后磁带T被卷绕在图中没有表示的卷绕侧磁带卷盘12上。像这样组成带有旋转式磁头1和磁带T的磁带装载回路。另外在磁带装载回路上带有全幅消除磁头Ha和声音用磁头Hb。
如图1和图2所示，旋转式磁头1由2个磁头21、41和带有装载磁头21、41的台板60的旋转圆柱体61组成。如图1所示，磁头21、41的相对位置被设置在和旋转圆柱体61的旋转轴对称的位置上。另外，磁头21、41的介质滑动面26设在和旋转圆柱体61的圆周面61a基本同一面的位置上。旋转式磁头1沿如图中的箭头方向旋转，而磁带T沿和转式磁头1的旋转方向同一方向前进。
图3是表示磁头21的立体图，图4是磁头21从介质滑动侧面看过去的平面图，图5是磁头21从和旋转圆柱体61的旋转方向反向侧看过去的侧面图。又，磁头41除了方位角度和磁头21有不同外，和图3所示的磁头21结构相同，这里省略详细说明。
如图3所示，磁头21由通过内装磁芯层25使得块状的磁芯半体22、23各自的侧面一体化结合成一个整体，形成板状的块状磁芯24组成，磁芯半体22、23大面积的一面和台板60的一侧边缘表面(一面)粘接，磁芯半体22、23的一侧从台板60的端部向外突出一点地固定在台板60上。
另外磁芯半体22、23是用CaTiO3，Al2O3+TiC等耐摩性好地陶瓷或者铁氧体等磁性材料组成。
如图3所示，突出在台板60的外侧的磁头21的一面沿磁头21的旋转方向加工成细长的曲面状，形成滑动面26。另外，如图3和图5所示，介质滑动面26在和磁头旋转方向垂直的方向形成曲面。这样介质滑动面26形成以顶部26a为中心的凸曲面。这样，介质滑动面26可以平滑的对磁带介质的带进行接触。
露在该介质滑动面26顶部26a的磁芯内装层25部分内装有由记录磁芯部和再生磁芯部组成的磁头磁芯部，各磁芯部的端部磁极暴露在和介质对面的26的中心，相对介质滑动面26滑动的磁带等磁记录介质进行磁信息的记录和再生。
上述的磁芯半体22大概是磁芯半体23的一半长，在位于大块的磁芯半体23侧面的磁芯内装层25的部分形成了端子台30，31，32，这些端子台和设在磁芯内装层25的磁头磁芯部的记录用线圈或者是再生用的MR元件连接。
即，磁芯半体22比磁芯半体23小，因此位于磁芯半体23侧面的磁芯内装层25的一部分端部侧面就露出来了，在该磁芯内装层25端部侧面从接近介质滑动面26向下依次整齐地形成一列端子台30，31，32。又，这些端子台的数量没有特别的限定，可以根据设在磁芯内装层25的磁头磁芯部需要的端子数设置2个，或者4个或者更多。
如图4所示，为了在和磁带介质相对滑动时形成方位角，磁芯半体22、23的横断面加工成平行四边形的角柱状。
即，如图4所示，各磁芯半体22、23从平面看是大概是平行四边形，夹在磁芯半体22、23之间的磁芯内装层25相对台板60的60a面形成特定的方位角θ，以该方位角θ向磁带前进方向的反方向倾斜。方位角θ在6°到25°的范围，根据应用磁头的装置设定。例如，用于数字录像的磁头21，方位角θ设定为25°。
图6和图7是磁头21的磁芯内装层25主要部分的扩大平面图。图6是暴露在介质滑动面26上的磁芯内装层25的主要部分，和图4同样，是磁芯内装层25相对台板60的60a面有方位角θ的倾斜状态的扩大平面模式图。图7表示了图6所示的磁芯内装层25的主要部分在磁芯半体22下侧的扩大平面图。
如图6和图7所示，磁芯内装层25由磁性体的第1保护层51、基本和第1保护层51平行间距并用磁性体组成的第2保护层52、在第1，第2保护层51，52之间并由非磁性绝缘层53和第1，第2保护层51，52绝缘的MR元件54以及位于和第1层51的MR元件54一侧的相反侧的标识层55组成。第1，第2保护层51，52、非磁性绝缘层53、MR元件54以及标识层55都相对磁头旋转方向有方位角θ，以倾斜的状态从介质滑动面26中暴露出来。
MR元件54一般被称为磁阻效果元件，包括GMR(巨磁阻元件)，TMR元件(隧道磁阻效果元件)。另外，MR元件54在和第1，第2保护层51，52平行方向有磁道宽度Tw。磁道宽度Tw例如设定在3到20μm范围内。该MR元件54如图7所示，由第1，第2非磁性绝缘层53a，53b(非磁性绝缘层)和第1，第2保护层51，52绝缘。
还有，如图7所示，MR元件54在磁道宽度TW方向的2个端部54a，54a上为了通过各种信号设置了电极层56，56。
第1、第2保护层51、52都由NiFe合金等磁性体组成，其宽度比MR元件54的磁道宽度Tw宽。还有，第1、第2保护层51、52的厚度最好分别在1到4μm的范围。在和第1保护层51的和MR元件54一侧相反的一侧上有平视为凸状的标识层55。即，标识层55在平面方向具有一定厚度地叠层在第1保护层51上，和MR元件54的磁道宽度Tw方向基本平行。标识层55的两端部55a、55a从第1保护层51上陡立地形成。
该标识层55和第1保护层51同样用NiFe合金等组成。当标识层55的材质和第1保护层51的材质相同时，组或材料种类很少可以使磁头21的组成很简单。标识层55最好用电镀法形成。电镀法形成使得标识层55的两端部55a、55a形状可以在第1保护层51上形成陡立状，且可以提高标识层55宽度的尺寸精度，容易用标识层55对合MR元件54的位置。
下面说明标识层55和MR元件54的相对位置关系。
在图6和图7中标出了2根方位假设线A、B。该方位假设线A、B是通过MR元件54的磁道宽度方向的两端部54a，54a，沿磁头旋转方向延长的直线。以该方位假设线A、B为基准，标识层55至少位于方位假设线A、B的磁道宽度方向的内侧。另外，标识层55的两端部55a、55a位于方位假设线A、B的磁道宽度方向的外侧。
又，在方位假设线A、B的磁道宽度方向的内侧是2根方位假设线A、B之间的区域，方位假设线A、B的磁道宽度方向的外侧是除去2根方位假设线A、B之间区域的区域。
在图6和图7中标出了磁头中心线C。该磁头中心线C是通过MR元件54的磁道宽度方向中心54b向磁头旋转方向延长的直线。可以用该磁头中心线C为基准，使得磁头中心线C通过标识层55的磁道宽度方向的中心55b来决定标识层55的位置。
因为标识层55位于方位假设线A、B的磁道宽度方向的内侧，标识层55和MR元件54整体一定沿磁头旋转方向的对向。另外，因为标识层55的两端部55a、55a位于方位假设线A、B的磁道宽度方向的外侧，标识层55的宽度比MR元件54的磁道宽度Tw宽。具体是标识层55的宽度在5到25μm范围内，最好设定为比MR元件54的磁道宽度Tw宽。另外，标识层55的厚度最好在2到4μm范围内。
因为如上所述的标识层55和MR元件54的位置关系，2根方位假设线A、B内侧领域中不存在标识层55的端部55a、55a，所以磁头的非对称性(再生波形的对称性)沿整个MR元件54的磁道宽度方向都不会变。
特别是如果标识层55和MR元件54在磁道宽度Tw方向基本平行时，MR元件54的非对称性沿整个磁道宽度Tw方向的变化都非常小。
另外，因为通过MR元件54的中心54b的磁头中心线C通过标识层55的中心55b，因此以磁头中心线C为基准MR元件54的中心54b和标识层55的中心55b一致。这样，用检测标识层55的中心位置可以容易确定MR元件54的中心位置，因此很容易调整MR元件54的高度。
特别是如果标识层55和MR元件54在磁道宽度Tw方向基本平行时，MR元件54的高度很容易调整。
还有，MR元件54的中心54b位于和磁头旋转方向垂直的方向上，即在沿介质滑动面26的宽度方向的曲面顶部26a上的同时，磁头中心线C通过了标识层55的中心55b时，标识层55的各端部55a、55a和曲面顶部26a处于等间距位置。即，标识层55的各端部55a、55a位于在从顶部26a向MR元件54的高度方向有同样深度的位置上。这样，用显微镜等观察标识层55时，因为标识层55的各端部55a、55a的焦点深度是一致的，因此不需要变化焦点就可以一边观察标识层55，一边对合MR元件54的高度位置，所以可以容易迅速地进行位置的对合。
本实施方式的磁头21也可以用非磁性体组成标识层55。标识层55用非磁性层组成时，标识层55可以减少非对称性变动的影响，降低非对称性变动。
(实施方式2)
下面参照图8说明本发明的实施方式2。图8表示了从介质滑动面26中露出的磁芯内装层25的主要部分，和实施方式1的图4同样，是磁芯内装层25处于相对台板60的60a面有方位角θ地倾斜状态的扩大平面模式图。在图8表示的本实施方式的磁头组成中和实施方式1的磁头21相同的组成因为用同一符号表示，这里省略或者简略说明。
如图8所示，第1、第2保护层51、52都是用NiFe合金等磁性体组成，并比MR元件54的磁道宽度Tw要宽。另外，在和第1保护层51的MR元件54侧相反的一侧叠有平视为凸状标识层65。即，标识层65平视时有一定的厚度地叠层在第1保护层51上，并和MR元件54在磁道宽度Tw方向基本平行。标识层65的两端部65a、65a从第1保护层51上陡立地形成。第1、第2保护层51、52的厚度最好在1到4μm范围内。
该标识层65和第1保护层51的材质同样用NiFe合金等磁性体组成。特别是，当标识层65的材质和第1保护层51的材质相同时，组成材料的种类很少，可以使本实施方式的磁头的组成很简单。标识层65最好用电镀法形成。电镀法形成使得标识层65的两端部65a、65a的形状可以在第1保护层51上陡立地形成，且可以提高标识层65宽度的尺寸精度，容易用标识层65对合MR元件54的位置。
下面说明标识层65和MR元件54的相对位置关系。
图8和实施方式1同样，标有2根方位假设线A、B。以该方位假设线A、B为基准，标识层65位于方位假设线A、B的磁道宽度方向的内侧。另外，标识层65的两端部65a、65a位于方位假设线A、B的磁道宽度方向的外侧。
另外，图8中还标有一根法线D。该法线D是通过MR元件54的磁道宽度方向中心54b，和磁道宽度Tw方向垂直的直线。可以以该法线D为基准，使标识层65的中心65b通过法线D来确定标识层65的位置。
因为标识层65位于方位假设线A、B的磁道宽度方向的内侧，标识层65和MR元件54整体一定沿磁头旋转方向的对向。另外，因为标识层65的两端部65a、65a位于方位假设线A、B的磁道宽度方向的外侧，标识层65的宽度比MR元件54的磁道宽度Tw宽。具体是标识层65的宽度在5到25μm范围内，比MR元件54的磁道宽度Tw宽。另外，标识层65的厚度最好在2到4μm范围内。
因为存在如上所述的标识层65和MR元件54的位置关系，2根方位假设线A、B内侧不存在标识层65的端部65a、65a，所以磁头的非对称性(再生波形的对称性)沿MR元件54的磁道宽度方向整体都不会变。
特别是如果标识层65和MR元件54在磁道宽度Tw方向基本平行时，MR元件54的非对称性沿磁道宽度Tw方向的变化非常小。
而且标识层65的中心65b和MR元件54的中心54b上有法线D，以法线D为基准可以使MR元件54的中心54b和标识层65的中心65b一致。这样，检测标识层65的中心位置就可以确定MR元件54的中心位置，容易调整MR元件54的高度。
特别是如果标识层65和MR元件54在磁道宽度Tw方向基本平行时，MR元件54的高度很容易调整。
本实施方式的磁头的标识层65也可以用非磁性体组成。标识层65用非磁性层组成时，标识层65可以减少非对称性变动的影响，降低非对称性变动。
(实施方式3)
下面参照图9说明本发明的实施方式3。图9表示了从介质滑动面26中露出的磁芯内装层25的主要部分，和实施方式1的图4同样，是磁芯内装层25处于相对台板60的60a面有方位角θ地倾斜状态的扩大平面模式图。在图9所示的本实施方式的磁头组成中和实施方式1的磁头21相同的组成因为用同一符号表示，这里省略或者简略说明。
特别是本实施方式的标识层和MR元件的相对位置关系和实施方式1一样，这里省略其说明。
如图9所示，第1、第2保护层51、52都是用NiFe合金等磁性体组成，并比MR元件54的磁道宽度Tw要宽。另外，在和第1保护层51的MR元件54侧相反的一侧上的另一层非磁性绝缘层76上形成平视上大概是矩形的标识层75。
即，标识层75具有在平视方向上具有一定厚度地叠层在非磁性绝缘层76上，和MR元件54的磁道宽度Tw方向基本平行。标识层75的两端部75a、75a是陡立形状。又，第1、第2保护层51、52的厚度最好分别在1到4μm范围内，另一非磁性绝缘层76的厚度，即标识层75和第1保护层51的间隔为0.2到0.5μm范围内为好。这样因为标识层75和第1保护层51之间还有另一层非磁性绝缘层76，MR元件54和标识层75之间有距离，可以减少标识层75对非对称性的影响。
另外，标识层75和第1保护层51的材质都同样是用NiFe合金等磁性体组成。特别是，当标识层75的材质和第1保护层51的材质相同时，组成材料种类很少、可以使本实施方式的磁头的组成很简单。标识层75最好用电镀法形成。电镀法形成使得标识层75的两端部75a、75a的形状可以在第1保护层51上形成陡立状，且可以提高标识层75宽度的尺寸精度，容易用标识层75对合MR元件54的位置。
本实施方式的磁头的标识层75也可以用非磁性体组成。标识层75用非磁性体组成时，标识层75可以大幅度减少非对称性变动的影响，降低非对称性变动。
(实施例)
制备了实施例1的磁头。该磁头除了MR元件54的磁道宽度Tw是6μm、标识层65的宽度是10.2μm、标识层65的厚度是2μm、上部保护层51的厚度是2.5μm以及方位角θ是25°以外，其他均和图8所示的磁头相同。
另外，制备了比较例1的磁头。该磁头除了MR元件54的磁道宽度Tw是6μm、标识层85的宽度是25μm、标识层85的厚度是2μm、上部保护厚度为2.5μm以及方位角θ为25°以外，其他均和图10所示的磁头相同。
又，图10所示的结构的磁头，是原来的磁头，标识层85的两端85a、85a位于方位假设线A、B的磁道宽度方向内侧。
比较例1的磁头如图10所示，宽度为2μm的测试用记录磁道100从方位假设线A侧向方位假设线B侧移动时，用MR元件54反复测定记录磁道100上的再生波形。从每次测定的再生波形算出非对称性，调查沿MR元件的磁道宽度方向非对称性的变化量，结果如图11所示。
同样，用实施例1的磁头调查沿MR元件的磁道宽度方向非对称性的变化量，结果如图12所示。
图11和图12的横轴是记录磁道100的位置，非对称性的变化量是纵轴的曲线。又，如图10所示，设记录磁道100的上端110a在方位假设线A上时记录磁道的位置为0μm。
从图11可见，比较例1的磁头的标识层两端部位于方位假设线A、B的磁道宽度方向内侧，非对称性的变化量很大。
而实施例1的磁头的标识层两端部位于方位假设线A、B的磁道宽度方向外侧，非对称性的变化量较小，如图12所示。
即，实施例1的磁头因为在2根方位假设线的内侧区域不存在标识层的端部，因此沿MR元件的磁道宽度方向整体磁头的非对称性都没有变化，可以得到稳定的再生特性。
根据以上对本发明磁头的详细说明，如果用从MR元件的磁道宽度方向的两端向一个方向延长的2根直线作为方位假设线，标识层的两端部是设置在2根方位假设线的磁道宽度方向的外侧，标识层的宽度比MR元件的磁道宽都宽，而且标识层位于2根方位假设线的磁道宽度方向内侧，因此MR元件整体一定和标识层对向。这样，2根方位假设线的内侧区域不存在标识层的端部，磁头的非对称性(再生波形的对称性)沿MR元件的磁道宽度方向整体都没有变化，可以得到稳定的再生特性。
另外，本发明磁头标识层中心位置和MR元件的中心位置沿磁头中心线是一致的，因此检测标识层的中心位置就可以容易确定MR元件的中心位置，可以很容易调整MR元件的高度。
又，本发明磁头的标识层中心位置和MR元件的中心位置沿和磁道宽度方向垂直的法线是一致的，因此检测标识层的中心位置就可以容易确定MR元件的中心位置，可以很容易调整MR元件的高度。

Claims (18)

1.一种磁头，是作为带有被驱动向单方向旋转的旋转圆柱体、介质滑动面位于和该旋转圆柱体的圆周面基本同一面上的磁头，该磁头具备：
磁性体组成的第1保护层，和该第1保护层大致平行地间隔的磁性体组成的第2保护层，利用在上述第1、第2保护层之间的非磁性绝缘层和上述第1、第2保护层绝缘的MR元件以及设在上述第1保护层的和上述MR元件侧相反一侧并用于检测上述MR元件磁道宽度方向中心位置的标识层，所有这些层都相对上述单方向有规定的方位角，以倾斜的状态从上述介质滑动面中露出，
通过上述MR元件的磁道宽度两端向上述单方向延长的2根直线作为方位假设线，上述标识层至少位于上述2根方位假设线的磁道宽度方向内侧，同时上述标识层的两端部位于该2根方位假设线的磁道宽度方向外侧。
2.根据权利要求1所述的磁头，其中：
用通过上述MR元件的磁道宽度方向中心且向上述单方向延长的直线作为磁头的中心线时，用该磁头中心线通过上述标识层的磁道宽度方向中心来决定上述标识层的位置。
3.根据权利要求1所述的磁头，其中：
用通过上述MR元件的磁道宽度方向中心并向和磁道宽度方向垂直的方向延长的直线作为法线时，用该法线通过上述标识层的磁道宽度方向中心来决定上述标识层的位置。
4.根据权利要求1所述的磁头，其中：
上述标识层由磁性体组成。
5.根据权利要求1所述的磁头，其中：
上述标识层由非磁性体组成。
6.根据权利要求1所述的磁头，其中：
上述标识层和上述第1保护层连接。
7.根据权利要求1所述的磁头，其中：
上述标识层和上述第1保护层之间有其他的非磁性绝缘层。
8.根据权利要求1所述的磁头，其中：
上述介质滑动面是沿上述单方向的曲面。
9.根据权利要求1所述的磁头，其中：
上述介质滑动面是沿上述单方向垂直的方向的曲面。
10.一种磁带介质记录再生装置，
具备：将从磁带卷盘中拉出的磁带介质卷绕到被驱动向单方向旋转的旋转圆柱体上的磁带装载回路，
在上述旋转圆柱体中带有介质滑动面位于和上述旋转圆柱体的圆周侧面基本同一面上的磁头，
上述磁头带有磁性体组成的第1保护层，和该第1保护层基本平行间隔的磁性体组成的第2保护层，利用在上述第1、第2保护层之间的非磁性绝缘层和上述第1、第2保护层绝缘的MR元件以及设在上述第1保护层的和上述MR元件侧相反一侧并用于检测上述MR元件磁道宽度方向中心位置的标识层；所有这些层都相对上述单方向有规定的方位角，以倾斜的状态从上述介质滑动面中露出，
从上述MR元件的磁道宽度两端向上述单方向延长的2根直线作为方位假设线时，上述标识层至少位于上述2根方位假设线的磁道宽度方向内侧，同时上述标识层的两端部位于上述2根方位假设线的磁道宽度方向外侧。
11.根据权利要求10所述的磁带介质记录再生装置，其中：
用通过上述MR元件的磁道宽度方向中心向上述单方向延长的直线作为磁头的中心线时，用该磁头中心线通过上述标识层的磁道宽度方向中心来决定上述标识层的位置。
12.根据权利要求10所述的磁带介质记录再生装置，其中：
用通过上述MR元件的磁道宽度方向中心并向和磁道宽度方向垂直的方向延长的直线作为法线，用该法线通过上述标识层的磁道宽度方向中心来决定上述标识层的位置。
13.根据权利要求10所述的磁带介质记录再生装置，其中：
上述标识层由磁性体组成。
14.根据权利要求10所述的磁带介质记录再生装置，其中：
上述标识层由非磁性体组成。
15.根据权利要求10所述的磁带介质记录再生装置，其中：
上述标识层和上述第1保护层连接。
16.根据权利要求10所述的磁带介质记录再生装置，其中：
上述标识层和上述第1保护层之间有其他的非磁性绝缘层。
17.根据权利要求10所述的磁带介质记录再生装置，其中：
上述介质滑动面是沿上述单方向的曲面。
18.根据权利要求10所述的磁带介质记录再生装置，其中：
上述介质滑动面是沿上述单方向垂直的方向的曲面。
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