CN1253913C - 电子发射性薄膜和用它的等离子体显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供与以往相比在2次电子发射性方面良好的电子发射性薄膜和使用了该薄膜的等离子体显示面板及其制造方法。为此，使用真空蒸镀装置在前面玻璃基板上形成的电介质层上形成由MgO的薄膜构成的保护层。在该蒸镀时，以连结成为保护层的组成的靶的中心点与前面玻璃基板的中心点和其两端点的各直线与前面玻璃基板的夹角分别只在30～80°的范围内的方式进行蒸镀。由此，构成保护层的MgO的柱状晶体的至少一部分具有相对于薄膜表面倾斜的平坦面。

Description

电子发射性薄膜和用它的等离子体显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及等离子体显示面板的保护层等中使用的电子发射性薄膜，特别是涉及改善其电子发射特性的技术。
背景技术
近年来，在计算机及电视等的图像显示中使用的彩色显示器件中，场发射显示面板及等离子体显示面板(Plasma Display Panel，以下称为「PDP」)等的显示面板作为能实现薄型面板的显示器件而引人注目，特别是在PDP中，由于具备高速响应性及宽视角等的优良的特征，故在各企业及研究机构中正在活跃地进行面向其普及的开发。
在这样的PDP中，以经间隙材料使各基板的电极正交的方式相向地配置设置了多个线状的电极的前面玻璃基板和背面玻璃基板，在各基板的的空间中封入了放电气体。在前面玻璃基板上覆盖了电介质层，该电介质层在与该背面玻璃基板相向的一侧的面上覆盖各电极，再者，在该电介质层上覆盖了由电子发射性薄膜构成的保护层。
在PDP的驱动时，通过在前面玻璃基板与背面玻璃基板的电极间按顺序进行寻址放电，在打算点亮的单元的保护层表面上形成电荷，在形成了该电荷的单元中的前面玻璃基板的邻接的电极间进行了维持放电。
由寻址放电形成了电荷的保护层起到保护电介质层和电极使其免受寻址放电时产生的离子冲击(spattering)的作用和在该放电时发射2次电子以保持电荷的所谓的存储功能的作用。因此，一般使用在耐溅射性和2次电子发射性方面优良的氧化镁(MgO)。
但是，在近年的显示器件的领域中，对画面的高精细化的要求越来越高，为了适应该要求，通过增加各基板中的每单位面积的电极条数使单元数增加，以实现高精细化。
但是，由于随单元数的增加，电极条数越来越多，能花费在1个单元上的寻址时间也越来越缩短，故寻址放电时的来自保护层的2次电子发射量下降、存储功能变得不充分，其结果是，在PDP中容易引起伴随寻址放电差错的发生而引起的点亮不良。根据这样的背景，希望有即使在MgO薄膜中也使2次电子发射特性提高的技术。
发明内容
鉴于上述课题，本发明的目的在于提供与以往相比保护层的2次电子发射量优良的、难以引起点亮不良的等离子体显示面板及其制造方法以及适合于这样的等离子体显示面板的电子发射性薄膜及其制造方法。
为了达到上述目的，本发明的电子发射性薄膜是以电子发射性物质作为组成成分的多个柱状晶体从基板伸展而构成的电子发射性薄膜，其特征在于：上述柱状晶体的顶部由一个平坦面构成，该平坦面相对于包含上述电子发射性薄膜的面倾斜。
如果按照这样的电子发射性薄膜，则与以往相比，在2次电子发射量方面优良。其原因可认为是构成薄膜的柱状晶体的单晶性比现有的柱状晶体的单晶性高。
特别是，如果上述平坦面相对于包含上述电子发射性薄膜的面倾斜5～70°，则柱状晶体的2次电子发射性与以往相比提高了，由于2次电子发射性提高了，故较为理想。
此外，如果上述柱状晶体的平坦面是与(100)面等效的结晶方位面，则与(110)面等其它的结晶方位面相比，其2次电子发射量提高了。
此外，上述柱状晶体的伸展方向相当于与晶体的<211>方向等效的方向。
如果上述柱状晶体的宽度为100～500nm，可认为柱状晶体的单晶性提高了，2次电子发射性也提高了。
具体地说，如果上述柱状晶体使用由氧化镁构成的柱状晶体，则成为在2次电子发射性方面优良的同时在耐溅射性方面也优良的薄膜。
上述那样的2次电子发射性优良的薄膜通过在蒸镀时以对于基板入射的角度只在30～80°的范围内的方式蒸镀形成为薄膜的物质来制造。按照该方法，由于能形成由在单晶性方面优良的柱状晶体构成的电子发射性薄膜，故电子发射性薄膜的2次电子发射量提高了。
本发明的电子发射性薄膜的形成方法中，该电子发射性薄膜通过利用蒸镀在基板上形成由单层薄膜构成的保护层的方法来构成，其特征在于：蒸镀材料对于上述基板入射的角度为30～80°的范围。
具体地说，可使用氧化镁作为形成上述薄膜的物质。
如果形成上述电子发射性薄膜的方法是真空蒸镀法，则可在短时间内形成在2次电子发射量方面优良的薄膜。
此外，本发明的等离子体显示面板是下述的等离子体显示面板，具有由保护层覆膜了的前面板和与上述前面板对置配设的后面板其特征在于：上述保护层是以电子发射性物质作为组成成分的多个柱状晶体从上述前面板侧伸展而构成的电子发射性薄膜，上述柱状晶体的顶部由一个平坦面构成，该平坦面相对于包含上述电子发射性薄膜的面倾斜。
如果成为这样的等离子体显示面板，则由于保护层在2次电子发射性方面优良，故即使伴随高精细化寻址时间被缩短，也可抑制伴随寻址放电差错的点亮差错的发生。
特别是，如果上述平坦面相对于包含上述电子发射性薄膜表面的面倾斜5～70°，则由于柱状晶体的2次电子发射性提高了，保护层的2次电子发射性也提高了，故较为理想。
在此，如果上述柱状晶体的平坦面是与(100)面等效的结晶方位面，则与(110)面等其它的结晶方位面相比，其2次电子发射性提高了。
具体地说，使上述柱状晶体的伸展方向相当于与晶体的<211>方向等效的方向。
此外，如果上述柱状晶体的宽度为100～500nm，则由于可认为柱状晶体的单晶性更优良，故保护层中的2次电子发射性提高了。
如果使用氧化镁作为形成上述柱状晶体的物质，则在2次电子发射性方面优良的同时在寻址放电时的耐溅射性方面也优良。
此外，本发明的等离子体显示面板的制造方法是该等离子体显示面板中，利用蒸镀在前面板上形成由单层薄膜构成的保护层，与上述前面板对置地配设后面板其特征在于：蒸镀材料对于上述前面板入射的角度为30～80°的范围。
按照该制造方法，由于保护层的2次电子发射性优良，故可制造抑制了伴随寻址放电差错的点亮差错的发生的等离子体显示面板。
此外，如果将形成薄膜的物质定为氧化镁，则可制造在2次电子发射性方面优良的同时在耐溅射性方面也优良的等离子体显示面板。
此外，如果使用真空蒸镀法作为在上述保护层形成中形成保护层的方法，则可在短时间内形成在2次电子发射性方面优良的保护层。
附图说明
图1是本发明的实施形态的PDP的局部概略剖面斜视图。
图2是放大了从x轴方向看图1中的PDP时的一部分的剖面图。
图3是图2中的PDP的b-b’剖面图。
图4(a)是PDP中的保护层剖面的扫描型电子显微镜照片。
图4(b)是PDP中的保护层平面的扫描型电子显微镜照片。
图5(a)是对图4(a)中的柱状晶体进行了模式化处理的图。
图5(b)是对图4(b)中的柱状晶体进行了模式化处理的图。
图5(c)是对使用现有的制造方法制造的柱状晶体进行了模式化处理的图。
图6是示出使用真空蒸镀装置在前面玻璃基板的电介质层上形成保护层的状况的图。
图7是将已被形成的保护层的2次电子发射量比对于保护层形成物质入射到基板上的角度进行了作图的曲线图。
图8是将保护层的2次电子发射量比对于保护层中的柱状晶体的平坦面与保护层表面构成的角度进行了作图的曲线图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边说明应用了本发明的PDP。
<PDP的整体结构>
图1是作为本发明的一个应用例的交流面放电型PDP的主要部分概略剖面斜视图。图2是从y轴方向看图1中的PDP的剖面图。图3是图2的PDP的b-b’线中的PDP的剖面图。在各图中，z轴方向相当于P DP的厚度方向，x-y平面相当于与PDP的面板面平行的平面。
如图1中所示，PDP在前面板10与后面板20相向的状态下被配置而构成。
前面板10具备：前面玻璃基板11；显示电极12、13；电介质层14；以及保护层15，如图3中所示，在前面玻璃基板11的相向面上交替地设置多对显示电极12、13，同时以覆盖各电极12、13的表面的方式按顺序覆盖并构成电介质层14和保护层15。
前面玻璃基板11是由硼硅钠类玻璃材料构成的平板状的基板，被配置在显示方向一侧。
电极12、13都是具有层叠了铬层-铜层-铬层的3层结构的、厚度约为2微米的显示电极。也可使用银、金、镍、铂等金属作为该显示电极。再者，为了确保单元内的较宽的放电面积，也可使用在由ITO(氧化铟锡)、SnO2、ZnO等的导电性金属氧化物构成的宽度宽的透明电极上层叠宽度窄的银电极的组合电极。
电介质层14被形成为覆盖显示电极12、13(厚度约为20微米)，例如由氧化铅、氧化硼、氧化硅和氧化铝的混合物构成的氧化铅类的玻璃或由氧化铋、氧化锌、氧化硼、氧化硅和氧化钙的混合物构成的氧化铋类的玻璃等的低熔点玻璃成分构成，具有对显示电极12、13绝缘的作用。
保护层15被形成为覆盖电介质层14的表面，从微观上看，是由氧化镁(MgO)构成的柱状晶体密集在一起的层。在后面将要叙述该保护层15的结构。
返回到图1，后面板20具备：后面玻璃基板21；寻址电极22；电介质层23；间壁24；以及荧光体层25R、G、B。
后面玻璃基板21与前面玻璃基板11同样是由硼硅钠类玻璃材料构成的平板状的基板。在该后面玻璃基板21的相向面上，如图2中所示，将寻址电极22设置成条状。
寻址电极22与上述显示电极12、13同样，是层叠了铬层-铜层-铬层的电极，以覆盖该电极的方式对电介质层23成膜。
电介质层23是包含与构成上述前面板10中的电介质层14的玻璃成分相同的成分的电介质玻璃层，对寻址电极22进行绝缘。
在电介质层23的表面上与寻址电极22平行地设置了间壁24。在间壁24彼此之间按顺序配置了发出红色、绿色、蓝色光的各荧光体层25R、G、B。
荧光体层25R、G、B是分别粘结了发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)光的荧光体粒子的层。
PDP的结构如下：以上述前面板10与后面板20相向的方式被贴合在一起，同时利用由未图示的玻璃料构成的熔接密封层来熔接密封该各面板的周围，以规定的压力(例如，约66.5kPa～106kPa)在其间形成的放电空间26内封入了放电气体(例如，95体积％的氖与5体积％的氙的混合气体)。
<保护层15的结构>
图4(a)是从前面板10的侧面看保护层15的扫描型电子显微镜照片，图4(b)是从图4(a)的保护层15上看的扫描型电子显微镜照片。再有，为了方便起见，在各照片上示出了X、Y、Z轴方向，在Y轴的负方向上形成了电介质层14，用各轴交点的黑点示出的轴表示从纸面内部至跟前的方向。
如图4(a)中所示，保护层15是多个MgO柱状晶体在一个方向上伸展而密集在一起的层，柱状晶体的一端被露出。该柱状晶体如图4(b)中所示，在平面视图上大致呈三角形。
图5(a)是对图4(a)中的保护层中的柱状晶体进行了模式化处理的图，图5(b)是对图4(b)中的柱状晶体的平面视图形状进行了模式化处理的图，图5(c)是对现有的保护层的柱状晶体进行了模式化处理的图。
如图5(a)中所示，多条柱状晶体31从前面板10的电介质层14起伸展，由包含各柱状晶体的露出端面的平面构成了保护层15的表面33。
在柱状晶体31的露出一侧，具有一个平坦面32，该平坦面32相对于表面33具有角度α。用X线衍射法进行了结晶方位分析的结果，判明了该平坦面32具有与(100)面的结晶方位面等效的面，可认为柱状晶体31的单晶性较高。
通常以下述方式来制造现有的保护层，即，使用真空蒸镀法，MgO入射到基板的角度以90°为主体，以这种方式成膜的保护层，如图5(c)中所示，在柱状晶体41的露出一侧的端面42上未明显地观察到平坦的形状。可认为这是因为柱状晶体41不是由单晶而是由多晶构成、取向面朝向各种方向的缘故。
这样，由多晶构成的柱状晶体41在2次电子发射性方面差的原因可认为是，由于柱状晶体41的单晶性低，缺陷也多，故在1次电子入射时，柱状晶体41内弹射出来的价电子难以受到因晶格产生的布喇格(Bragg)反射。
但是，由于本实施形态的柱状晶体31由单晶构成，故可认为形成了与(100)面等效的平坦面32。可认为由单晶构成的柱状晶体31的结晶性也高、晶格整齐，在1次电子入射时，弹射出来的柱状晶体31内的价电子容易受到因晶格产生的布喇格反射，可认为受到布喇格反射而从柱状晶体31发射出来的2次电子的发射量比以往增加了。
通过改变蒸镀时基板温度及蒸镀压力，该柱状晶体31的平坦面32可形成(110)面、(100)面，特别是从实验上确认了，(100)面的2次电子发射性最高。再有，虽然也可形成(111)面，但平坦面32的部分并不平坦，2次电子发射性也比(110)面差。
如果使平坦面32与表面33构成的角度α具有5～70°，则由于2次电子发射量与以往相比增加了，故较为理想，更理想的是具有5～55°的角度，进一步更理想的是具有10～40°的角度，这是所希望的。这是因为，如果角度α为5-70°的范围的角度，则虽然原因还不清楚，但根据实施例的实验结果，与以往相比2次电子发射量增加了，如果是5～55°、进而是10～40°的范围的角度，则2次电子发射量显著地增加了。
再者，柱状晶体31较大，这是理想的，柱状晶体31的最宽的部分的宽度w(参照图5(b))最好为100～500nm的范围。这是因为，如果该宽度w不到100nm，则单晶性差，2次电子发射量下降，而该宽度w超过500nm的柱状晶体的制造是困难的。
由上述那样的柱状晶体构成的保护层15成为在2次电子发射性方面优良的薄膜。因此，在PDP中，即使寻址时间缩短，也可良好地进行寻址放电，也抑制了点亮差错的发生。
<PDP的制造方法>
其次，说明制造PDP的方法。通过在形成了前面板10和后面板20后对其进行粘结来制造PDP。
①前面板10的制造
通过在前面玻璃基板11上形成显示电极12、13，用电介质层14覆盖于其上，再在电介质层14的表面上形成保护层15来制造前面板10。
显示电极12、13是具有铬层-铜层-铬层的3层结构的电极，通过按顺序溅射铬-铜-铬，连续地成膜。
例如用丝网印刷法涂敷混合了70重量％的氧化铅(PbO)、14重量％的氧化硼(B2O3)、10重量％的氧化硅(SiO2)和5重量％的氧化铝与有机粘合剂(在α-萜品醇中溶解了10％的乙基纤维素的溶液)的组成物的膏后，通过在520℃下焙烧20分钟来形成膜厚约20微米的电介质层14。
保护层15由氧化镁(MgO)构成，也可利用溅射法来形成，但在此处，通过使用了MgO作为靶的真空蒸镀法来形成。在后面将要详细地叙述该保护层15的形成方法。
②后面板20的制造
在后面玻璃基板21上与显示电极12、13同样地对铬-铜-铬连续成膜，形成寻址电极22。
其次，与电介质层14同样，在使用丝网印刷法涂敷了包含铅类的玻璃材料的膏后，通过焙烧形成电介质层23。在此，为了使在荧光体层25R、G、B中发射的可见光反射，也可在铅类的玻璃材料的膏中混合TiO2粒子。
在使用丝网印刷法重复地涂敷了包含玻璃材料的间壁用膏后，通过焙烧来形成间壁24。
其次，通过例如使用喷墨法在间壁24间的全部的槽中涂敷荧光体油墨，形成荧光体层25R、G、B。
③由面板贴合进行的PDP的制造：
其次，使用熔接密封层用玻璃贴合这样制造的前面板10与后面板20的周围，同时对用间壁24分隔的放电空间26内进行抽气并使其达到高真空(例如8×10-7Torr)后，通过以规定的压力(例如66.5kPa～106kPa)封入放电气体(例如He-Xe类、Ne-Xe类的惰性气体)来制造PDP。
在对PDP进行驱动显示时，在各电极12、13、21上安装未图示的驱动电路，在打算点亮的单元中的显示电极12(13)与寻址电极21之间进行寻址放电并形成了壁电荷后，通过在显示电极12、13之间施加脉冲电压来进行维持放电以进行显示驱动。
④保护层15的形成方法：
通过使用膜形成速度快的、即使对于大的基板也比较容易地蒸镀的真空蒸镀法蒸镀MgO来形成保护层15。
图6是示出真空蒸镀装置50的概略结构的图。
如该图中所示，真空蒸镀装置50由下述部分构成：作为密闭容器的室51；对室51内进行减压的真空泵；加热由MgO构成的靶52的加热器；以及加热前面玻璃基板53用的加热器(都未图示)等。
在室51内利用未图示的支撑台固定了形成了电介质层14的前面玻璃基板53和由MgO构成的靶，前面玻璃基板53的电介质层14一侧被放置成相对于靶52具有规定的角度。
通过使该角度为以下示出的规定的范围，可形成由上述那样的单晶的柱状晶体构成的保护层。
将靶52的中心点定为点P0，将前面玻璃基板53的电介质层54上的中心点定为点P1，将两端的点定为点P2、P3。
如果将连结点P0与各点P1、P2、P3的直线与电介质层54的表面构成的角度分别定为β1、β2、β3，则放置成各角度β1～β3全部只进入30～80°的范围内，靶物质最好一次也不以该范围外的角度入射。如果这样做，则虽然也依赖于温度条件，但通常如上述那样，可使平坦面32与表面33构成的角度进入5～70°的范围内。如果将各角度β1～β3的角度较为理想地定为45～80°、更为理想地定为50～70°的范围的角度，则虽然原因不清楚，但可认为单晶性提高了，保护层的2次电子发射性显著地提高了。通过以这样的角度进行蒸镀，可得到在2次电子发射性方面优良的保护层15。
再有，在蒸镀时，利用真空泵将室51内减压到约1×10-2Pa，通过用加热器将靶52加热到2000℃以上，在前面玻璃基板53的电介质层54上蒸镀MgO，形成保护层。此外，将前面玻璃基板53的温度加热到约150～300℃是较为理想的，加热到约200℃则更为理想。这是因为，从实验上确认了在除此以外的温度范围内在所形成的柱状晶体中单晶性变低。此外，在前面玻璃基板53小的情况下及靶52与前面玻璃基板53的距离大的情况下，可大致将角度β1～β3看作同一值。
<关于效果>
如以上所述那样，通过以相对于基板具有规定的角度入射被蒸镀的物质的方式进行真空蒸镀，在比较短的时间(约5分钟)中可得到在2次电子发射性方面优良的保护层。
即，用这样的方法得到的保护层是在单晶性方面优良的柱状晶体密集在一起的保护层，因为各柱状晶体的单晶性高以及以柱状晶体的露出端面，即相当于与(100)面等效的面的平坦面相对于保护层表面具有规定的角度的方式来形成，故与现有的保护层相比，2次电子发射性显著地提高了。
因而，在具有这样的保护层的PDP中，即使寻址时间缩短，也可良好地进行寻址放电，与以往相比，抑制了点亮差错的发生。
<实施例>
(1)实施例样品
〔实施例样品S1～S6〕
在玻璃基板上使用在上述实施形态中已说明的真空蒸镀法形成了由MgO构成的保护层。此时，将连结真空蒸镀时的靶(MgO)的中心与玻璃基板的中心的直线与玻璃基板构成的角度β1分别设定为80°、70°、60°、50°、40°、30°。
〔实施例样品S7～S14〕
在玻璃基板上使用在上述实施形态中已说明的真空蒸镀法形成了由MgO构成的保护层。此时，通过将真空蒸镀时的玻璃基板的对于靶(MgO)的角度变更为各种角度，制造了具备柱状晶体中的平坦面与保护层表面的角度α分别为5°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°的保护层的玻璃基板。
(2)比较例样品
〔比较例样品R1〕
使用与实施例样品S1～S6同样的方法在玻璃基板上形成了保护层。但是，在将真空蒸镀时的角度β1设定为90°这一点上不同。
〔比较例样品R2〕
使用与实施例样品S7～S14同样的方法在玻璃基板上形成了保护层。但是，在通过调整保护层蒸镀时的玻璃基板相对于靶的角度形成了角度α为0°的保护层这一点上不同。
再有，在上述各实施例样品和比较例样品的保护层蒸镀时，使真空蒸镀装置内的压力为1×10-2Pa，将玻璃基板加热到200℃来进行蒸镀。
(3)实验
①实验方法
在上述各实施例样品和比较例样品中，测定2次电子发射量，比较研究了对于靶物质入射到玻璃基板上的角度β1和柱状晶体中的平坦面与保护层表面构成的角度α的2次电子发射量。
②实验条件
照射离子：Ne离子
加速电压：500V
通过施加上述加速电压，对Ne离子进行加速，照射到保护层上，通过收集从保护层发射的2次电子的发射量，进行了检测。
(4)结果和考察：
在图7和图8中示出实验结果。
图7中示出了实施例样品S1～S6和比较例样品R1的结果，示出对于靶物质入射到玻璃基板上的角度β1的2次电子发射量比。再有，所谓2次电子发射量比，表示各样品的2次电子发射量对于比较例样品R1的2次电子发射量之比。
从该图中所示可知，通过使真空蒸镀时的入射角度β1倾斜30°～80°，与相当于现有技术的比较例样品R1(90°)相比，提高了保护层的2次电子发射量。特别是，在入射角β1为45°～80°的范围内，可知2次电子发射量与以往相比提高到2倍以上。再者，在该角度β1为50°～70°的范围内，2次电子发射量提高了约2.2倍以上，在使2次电子发射量增加的意义上是最为理想的。
图8中示出了实施例样品S7～S14和比较例样品R2的结果，示出对于柱状晶体中的平坦面与保护层表面构成的角度α的2次电子发射量比。再有，所谓2次电子发射量比，表示各样品的2次电子发射量对于比较例样品R2的2次电子发射量之比。
从该图中所示可知，通过使柱状晶体中的平坦面相对于保护层表面倾斜5°～70°，与比较例样品R2相比，提高了2次电子发射量。特别是，在该倾斜角度为5°～55°的范围内，与比较例样品R2相比，2次电子发射量提高到2倍以上。再者，倾斜角度为10°～40°的范围成为2次电子发射量提高到2.3倍以上的最为理想的范围。
再有，在各实施例样品和比较例样品中的耐溅射性方面，未见到很大的差别。
<本实施形态的变形例>
①在上述实施形态中，使用了MgO制的膜作为保护层，但可认为，即使对氧化铍、氧化钙、氧化锶、氧化钡等的具有面心立方晶格的物质制膜，也可得到与本发明同样的效果。
②在上述实施形态中，使用真空蒸镀法形成了保护层，但也可应用EB蒸镀法作为该真空蒸镀法。再者，即使应用溅射法来代替真空蒸镀法，也可得到与上述的实施形态同样的效果。
③在上述实施形态中，应用了在2次电子发射性方面优良的薄膜作为PDP的保护层，但不限定于此，即使在场发射显示面板中的阴极等的要求电子发射性的薄膜中，也可应用本发明。
产业上利用的可能性
使用本发明的电子发射性薄膜制造的PDP等的显示面板在计算机及电视等中使用的显示面板中，特别是在要求高精细的显示面板中是有效的。

Claims (18)

1.一种电子发射性薄膜，该电子发射性薄膜是以电子发射性物质作为组成成分的多个柱状晶体从基板伸展而构成的电子发射性薄膜，其特征在于：
上述柱状晶体的顶部由一个平坦面构成，该平坦面相对于包含上述电子发射性薄膜的面倾斜。
2.如权利要求1中所述的电子发射性薄膜，其特征在于：
上述平坦面相对于包含上述电子发射性薄膜的面倾斜5～70°。
3.如权利要求1中所述的电子发射性薄膜，其特征在于：
上述柱状晶体的平坦面是与(100)面等效的结晶方位面。
4.如权利要求1中所述的电子发射性薄膜，其特征在于：
上述柱状晶体的伸展方向相当于与结晶的<211>方向等效的方向。
5.如权利要求1中所述的电子发射性薄膜，其特征在于：
上述柱状晶体的宽度为100～500nm。
6.如权利要求1中所述的电子发射性薄膜，其特征在于：
上述柱状晶体由氧化镁构成。
7.一种电子发射性薄膜的形成方法，该电子发射性薄膜通过利用蒸镀在基板上形成由单层薄膜构成的保护层的方法来构成，其特征在于：
蒸镀材料对于上述基板入射的角度为30～80°的范围。
8.如权利要求7中所述的电子发射性薄膜的形成方法，其特征在于：
形成上述薄膜的物质是氧化镁。
9.如权利要求7中所述的电子发射性薄膜的形成方法，其特征在于：
形成上述电子发射性薄膜的方法是真空蒸镀法。
10.一种等离子体显示面板，具有由保护层覆膜的前面板和与上述前面板对置配设的后面板，其特征在于：
上述保护层是以电子发射性物质作为组成成分的多个柱状晶体从上述前面板侧伸展而构成的电子发射性薄膜，上述柱状晶体的顶部由一个平坦面构成，该平坦面相对于包含上述电子发射性薄膜的面倾斜。
11.如权利要求10中所述的等离子体显示面板，其特征在于：
上述平坦面相对于包含上述电子发射性薄膜表面的面倾斜了5～70°。
12.如权利要求10中所述的等离子体显示面板，其特征在于：
上述柱状晶体的平坦面是与(100)面等效的结晶方位面。
13.如权利要求10中所述的等离子体显示面板，其特征在于：
上述柱状晶体的伸展方向相当于与结晶的<211>方向等效的方向。
14.如权利要求10中所述的等离子体显示面板，其特征在于：
上述柱状晶体的宽度为100～500nm。
15.如权利要求10中所述的等离子体显示面板，其特征在于：
上述柱状晶体由氧化镁构成。
16.一种等离子体显示面板的制造方法，该等离子体显示面板中，利用蒸镀在前面板上形成由单层薄膜构成的保护层，并与上述前面板对置地配设后面板，其特征在于：
蒸镀材料对于上述前面板入射的角度为30～80°的范围。
17.如权利要求16中所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于：
形成上述薄膜的物质是氧化镁。
18.如权利要求16中所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于：
在上述保护层的形成中使用真空蒸镀法。
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