CN1279563C - 图像显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种图像显示装置及其制造方法，该图像显示装置在气密容器内备有电子源和被来自电子源的电子照射的图像显示构件，在气密容器内层叠配置蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂。由此，能维持气密容器内的真空度，实现图像显示装置的长寿命化及稳定显示工作。

Description

图像显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及用电子源构成的图像显示装置及其制造方法。
背景技术
在使电子源发射出来的电子束照射在作为图像显示构件的荧光体上，使荧光体发光而显示图像的装置中，必须使内部包括电子源和图像显示构件的真空容器的内部保持高真空。这是因为如果真空容器内部发生气体，压力上升，则其影响程度随着气体的种类的不同而不同，对电子源产生不良影响，使电子发射量下降，不能进行明亮的图像显示。另外，发生的气体被电子束电离后变成离子，它被加速电子用的电场所加速，撞击电子源，有时使电子源受到损伤。另外，根据情况的不同，有时在内部发生放电，在此情况下也会破坏装置。
通常，将玻璃构件组合起来，利用熔结玻璃粘接接合部，形成图像显示装置的真空容器，接合一旦完成后，利用设置在真空容器内的吸气剂维持压力。
在通常的CRT中，在真空容器内通电或利用高频对以Ba为主要成分的合金加热，在容器内壁上形成蒸镀膜，由此吸附内部产生的气体，维持高真空。
近年来，正在进行使用将多个电子发射元件配置在平面基板上的电子源的平面状显示器的开发，关于确保真空度，问题在于从图像显示构件发生的气体扩散到吸气剂之前到达电子源，伴随局部压力上升，引起电子源劣化。
为了解决该问题，公开了这样的结构：在具有特定的结构的平板状图像显示装置中，将吸气材料配置在图像显示区域内，将发生的气体立刻吸附。
例如在特开平4-12436号公报中，公开了在具有将电子束引出的栅极的电子源中，用吸气材料形成该栅极的方法，举例示出了将圆锥状突起作为阴极的电场发射型的电子源、以及有pn结的半导体电子源。
另外，在特开昭63-181248号公报中，公开了在将控制电子束用的电极(栅极等)配置在阴极群和真空容器的面板之间构成的平板状显示器中，在该控制用电极上形成吸气材料膜。
另外，在美国专利5,453,659号(“Anode Plate forFlat Panel Display Having Integrated Getter”，1995年9月26日授权给Wallace等)中，公开了在图像显示构件(阳极)上条状的荧光体之间的间隙中形成吸气构件的方法。在该例中，吸气材料与荧光体及导电性地与其连接的导电体在电气上分离，将适当的电位供给吸气剂，通过使电子源发射的电子进行照射、加热，进行吸气剂的激活。
作为构成平板显示器中使用的电子源的电子发射元件，虽然其结构和制造方法都很简单，但从生产技术、制造成本等观点看，并不理想。具体地说，制造工艺要求进行薄膜的层叠和简单的加工，或者，在制造大型的电子发射元件的情况下，要求能用印刷法等不需要真空装置的技术进行制造。
可是，上述的特开平4-12436号公报中公开的由吸气材料构成了栅极的电子源，其圆锥状的阴极芯片的制造或半导体的接合的制造等要求在真空装置中进行的复杂的工序，另外进行大型化时存在制造装置的限制。
另外，如特开昭63-181248号公报所述，在将控制电极等设置在电子源和面板之间的装置中，结构变得复杂，在制造工序中伴随着这些构件的定位等复杂的工序。
另外，美国专利5,453,659号中公开的在阳极上形成吸气材料的方法有必要取得吸气材料和荧光体之间的电气绝缘，为了进行精密的微细加工，光刻技术中使用的装置的大小等限制了能制造的图像显示装置的大小。
与此不同，作为制造工序容易的能满足上述要求的结构的电子发射元件，能举出卧式的电场发射型电子发射元件、以及表面传导型电子发射元件。
卧式的电场发射型电子发射元件是使在平面基板上有尖形的电子发射部的阴极(栅极)相对形成的，能利用蒸镀、溅射、电镀法等薄膜淀积法、以及通常的光刻技术制造。
另外，表面传导型电子发射元件，有的通过使电流流过局部有高阻部的导电性薄膜，来发射电子。
在使用这些元件的电子源中，由于没有特开平4-12436号公报中公开的那种形状的栅极或特开昭63-181248号公报中公开的那种形状的控制电极，所以不能用与它们同样的方法将吸气剂配置在图像显示区域内。
如前面所述，在图像显示装置中，作为气体的发生源，最有用的大的气体发生源是受高能量电子撞击的荧光膜等图像显示构件和电子源本身。当然，如果用高温烘焙一段时间等进行充分地脱气处理，虽然能避免气体的发生，但在实际的装置中，由于电子发射元件及其他构件受热而损坏，所以有时不能进行充分的脱气处理，在这样的情况下，发生气体的可能性大。
另外，在局部和瞬间气体压力增高的情况下，被电场加速的离子碰撞另外的气体分子，接连不断地产生离子，有可能发生放电。在此情况下电子源局部被破坏，有可能引起电子发射特性的劣化。来自图像显示构件的气体的发生，在图像显示装置形成后会发射电子，因此荧光体中含有的水等的气体急剧地被放出。因此驱动开始初期往往引起图像的亮度显著下降等现象。此后，通过继续驱动，气体还从电子源周边发射出来，特性逐渐地劣化。象以往只在显示区域的外侧设置吸气区的情况下，在图像显示区的中央附近发生的气体到达外侧的吸气区不仅要花费时间，而且在被吸气剂吸附之前会再被电子源吸附，为了防止使电子发射特性劣化，而不能发挥充分的效果，特别是在图像显示区的中央，有时图像的亮度显著下降。
另外，在没有上述那样的栅极或控制电极的结构的平板状图像显示装置中，在图像显示区内配置了迅速地将发生的气体除去的吸气构件的情况下，由于在显示区的外侧发生的气体的作用，有时在图像显示区的外侧，图像的亮度显著下降。
而且，在特开平9-82245号公报所示的吸气剂的激活方法的情况下，敷设激活吸气剂用的专用加热器布线，使得简化了的工序再次复杂了。另外，如果利用电子射线照射，进行吸气剂的激活，则负荷加在电子源上，有可能在驱动以外的时刻引起电子源的劣化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种亮度随时间变化(随着时间的推移而下降)小的图像显示装置。
另外，本发明的目的在于提供一种图像显示区内随时间的推移亮度离散的发生少的图像显示装置。
本发明是一种图像显示装置，在气密容器内备有：电子源；与上述电子源相对配置，被来自该电子源的电子照射的图像显示构件；以及吸气剂，其特征在于：上述吸气剂是将蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂层叠配置在上述气密容器内。
另外，本发明是一种图像显示装置的制造方法，其特征在于包括：在具有图像显示构件的第一基板的上述图像显示构件上层叠配置蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序；以及在真空气氛中，将具有电子源的第二基板与具有上述吸气剂的第一基板相对配置，使该电子源与上述图像显示构件保持间隔相对置，将上述第一基板和上述第二基板封装起来的工序。
另外，本发明是一种图像显示装置的制造方法，该图像显示装置在气密容器内备有：在基板上配置了呈矩阵状布线的多个电子发射元件的电子源；以及与上述基板相对设置且具有荧光膜的图像显示构件，其特征在于包括：
将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；
在真空气氛中设置上述电子源的基板、配置了上述非蒸发型吸气剂的图像显示构件、以及支撑框的设置工序；
在真空气氛中，对上述电子源的基板、上述图像显示构件和上述支撑框进行烘焙的烘焙工序；
在上述非蒸发型吸气剂上闪蒸形成蒸发型吸气剂的工序；以及
夹持着上述支撑框，将上述电子源的基板和上述图像显示构件粘接起来，构成气密容器的封装工序。
另外，本发明是一种图像显示装置的制造方法，该图像显示装置在气密容器内备有：在基板上配置了呈矩阵状布线的多个电子发射元件的电子源；以及与上述基板相对设置且具有荧光膜的图像显示构件，其特征在于包括：
在真空气氛中设置上述电子源的基板、上述图像显示构件、以及支撑框的设置工序；
在真空气氛中，对上述电子源的基板、上述图像显示构件和上述支撑框进行烘焙的烘焙工序；以及
夹持着上述支撑框，将上述电子源的基板和上述图像显示构件粘接起来，构成气密容器的封装工序，
至少在上述封装工序前，在真空气氛中进行将非蒸发型吸气剂设置在上述图像显示构件上的工序、和在该非蒸发型吸气剂上闪蒸(flashing)形成蒸发型吸气剂的工序。
附图说明
图1A和1B是表示本发明的图像显示装置的一结构例的示意图。
图2是模式地表示本发明的图像显示装置中能适用的电子源基板的一结构例的平面图。
图3是说明图2中的电子源基板的制造工序用的图。
图4是说明图2中的电子源基板的制造工序用的图。
图5是说明图2中的电子源基板的制造工序用的图。
图6是说明图2中的电子源基板的制造工序用的图。
图7A、7B和7C是说明图2中的电子源基板的制造工序用的图。
图8A和8B是表示形成电压的例图。
图9A和9B是表示激活电压的例图。
图10A和10B是模式地表示本发明的图像显示装置中的荧光膜的例图。
图11是说明本发明的图像显示装置的制造工序用的图。
图12A和12B是说明实施例1的图像显示构件上的非蒸发型吸气剂和蒸发型吸气剂的形成工序用的图。
图13A和13B是表示本发明的图像显示装置的另一结构例的示意图。
图14A和14B是表示表面传导型电子发射元件的一结构例的示意图。
图15是说明本发明的图像显示装置的制造方法的一例用的工序流程图。
图16A和16B是说明实施例3的图像显示构件上的非蒸发型吸气剂和蒸发型吸气剂的形成工序用的图。
图17是说明本发明的图像显示装置的制造方法的另一例用的工序流程图。
图18是说明本发明的图像显示装置的制造方法的另一例用的工序流程图。
具体实施方式
本发明是一种图像显示装置，它是在气密容器内备有电子源；与上述电子源相对配置，被来自该电子源的电子照射的图像显示构件；以及吸气剂的图像显示装置，其特征在于：上述吸气剂是将蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂层叠配置在上述气密容器内。
另外，上述图像显示装置最好在上述图像显示构件上配置上述吸气剂。
另外，上述图像显示装置最好在上述图像显示构件上的照射上述电子的全部区域上配置上述吸气剂。
另外，上述图像显示装置最好从该吸气剂的配置面开始，按照非蒸发型吸气剂、蒸发型吸气剂的顺序层叠地配置上述吸气剂。
另外，上述图像显示装置最好使上述蒸发型吸气剂的厚度比上述非蒸发型吸气剂的厚度薄。
另外，上述图像显示装置最好包括这样的特征：
上述非蒸发型吸气剂的主要成分是Ti，
上述非蒸发型吸气剂的厚度为300埃至1000埃，
上述蒸发型吸气剂的主要成分是Ba
上述电子发射元件是表面传导型电子发射元件，
上述电子发射元件是卧式的电场发射型电子发射元件。
另外，本发明是一种图像显示装置的制造方法，其特征在于包括：在有图像显示构件的第一基板的上述图像显示构件上层叠配置蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序；以及在真空气氛中，将有电子源的第二基板与有上述吸气剂的第一基板相对配置，且使该电子源与上述图像显示构件保持间隔相对地将上述第一基板和上述第二基板封装起来的工序。
另外，上述图像显示装置的制造方法，其中层叠地配置上述蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序最好包括将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述非蒸发型吸气剂上的工序。
另外，上述图像显示装置的制造方法，其中层叠地配置上述蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序最好包括将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中对有该非蒸发型吸气剂的第一基板进行烘焙后，在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述非蒸发型吸气剂上的工序。
另外，上述图像显示装置的制造方法，其中层叠地配置上述蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序最好包括在真空气氛中将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中对有该非蒸发型吸气剂的第一基板进行烘焙后，在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述非蒸发型吸气剂上的工序。
另外，上述图像显示装置的制造方法，其中层叠地配置上述蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序最好包括在真空气氛中对上述第一基板进行烘焙后，在真空气氛中将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述非蒸发型吸气剂上的工序。
另外，上述图像显示装置的制造方法，其中层叠地配置上述蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序最好包括在真空气氛中对上述第一基板进行烘焙后，在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中将非蒸发型吸气剂配置在上述蒸发型吸气剂上的工序。
另外，上述图像显示装置的制造方法，最好在250℃以上400℃以下进行上述烘焙。
另外，上述图像显示装置的制造方法，其中闪蒸上述蒸发型吸气剂。
另外，上述图像显示装置的制造方法，其中上述非蒸发型吸气剂的主要成分最好是Ti。
另外，上述图像显示装置的制造方法，其中上述蒸发型吸气剂的主要成分最好是Ba。
另外，本发明是一种图像显示装置的制造方法，它是在气密容器内备有在基板上配置了呈矩阵状布线的多个电子发射元件的电子源；以及在上述基板上有相对设置的荧光膜的图像显示构件的图像显示装置的制造方法，其特征在于包括：
将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；
在真空气氛中设置上述电子源的基板、配置了上述非蒸发型吸气剂的图像显示构件、以及支撑框的设置工序；
在真空气氛中，对上述电子源的基板、上述图像显示构件和上述支撑框进行烘焙的烘焙工序；
在上述非蒸发型吸气剂上闪蒸形成蒸发型吸气剂的工序；以及
夹持着上述支撑框，将上述电子源的基板和上述图像显示构件粘接起来，构成气密容器的封装工序。
上述本发明的图像显示装置的制造方法，最好包括以下特征：
“上述烘焙工序是250℃以上400℃以下的热处理工序”，
“上述烘焙工序兼作使上述非蒸发型吸气剂激活的工序”，
“使上述蒸发型吸气剂闪蒸的工序在250℃以下的温度下进行”。
另外本发明是一种图像显示装置的制造方法，它是在气密容器内备有在基板上配置了呈矩阵状布线的多个电子发射元件的电子源；以及在上述基板上有相对设置的荧光膜的图像显示构件的图像显示装置的制造方法，其特征在于：
包括在真空气氛中设置上述电子源的基板、上述图像显示构件、以及支撑框的设置工序；
在真空气氛中，对上述电子源的基板、上述图像显示构件和上述支撑框进行烘焙的烘焙工序；以及
夹持着上述支撑框，将上述电子源的基板和上述图像显示构件粘接起来，构成气密容器的封装工序，
至少在上述封装工序前，在真空气氛中进行将非蒸发型吸气剂设置在上述图像显示构件上的工序；以及在该非蒸发型吸气剂上闪蒸形成蒸发型吸气剂的工序。
本发明的图像显示装置的制造方法，最好包括以下特征：
“在250℃以上400℃以下进行上述烘焙工序”，
“至少在上述烘焙工序之后，进行使上述蒸发型吸气剂闪蒸的工序”，
“使上述蒸发型吸气剂闪蒸的工序在250℃以下的温度进行”，
“上述非蒸发型吸气剂的主要成分是Ti”
“上述蒸发型吸气剂的主要成分是Ba”。
如果采用以上所述的本发明的图像显示装置，则将非蒸发型吸气剂和蒸发型吸气剂层叠地配置在图像显示区内的图像显示构件上，面积大，而且吸气材料被配置在最靠近发射气体的部分。其结果，封装工序后在气密容器内发生的气体能被吸气材料迅速地吸附，能良好地维持气密容器内的真空度，所以来自电子发射元件的电子发射量稳定。
另外，如果采用以上所述的本发明的图像显示装置的制造方法，则能更容易地抑制吸气剂特性的损失，能容易地谋求改善真空、以及元件的长寿命化。
以下参照附图，详细地举例说明本发明的优选实施形态。但是，该实施形态中记载的构成零件的尺寸、材质、形状、其相对配置方法等没有将本发明的范围限定于它们的意思。
本发明的图像显示装置，在真空容器或气密容器内包括：在基板上配置了呈矩阵状布线的多个电子发射元件的电子源、以及在该电子源基板上相对设置的有荧光膜的图像显示构件。
下面，说明本发明的图像显示装置的各构成要素。
作为在电子源基板上形成的电子发射元件，最好是例如图14A和14B所示的表面传导型的电子发射元件。图14A表示该元件的平面图，图14B表示剖面图。
基板21由玻璃等构成，在它上面设置的电子发射元件的个数、各个元件的设计形状、以及电子源使用时构成容器的一部分的情况下，基板21的大小及形状根据使该容器保持真空用的耐大气压结构等力学条件等适当地设定。
作为玻璃的材质，一般是使用廉价的钠钙玻璃，但在它上面作为钠阻挡层，有必要使用例如用溅射法形成了0.5微米左右的氧化硅膜的基板等。此外也可以作成含钠少的玻璃、或石英基板。
作为元件电极22、23的材料，使用一般的导体材料，例如适合使用Ni、Cr、Au、Mo、Pt、Ti等金属或Pd-Ag等金属，或者从由金属氧化物和玻璃等构成的印刷导体、或ITO等透明导电体中进行适当地选择，其厚度最好为数百埃至数微米的范围。
元件电极间隔L、元件电极长度W、元件电极22、23的形状等可以根据实际元件应用的形态等适当地设计，但间隔L最好为数千埃至1mm，考虑到加在元件电极之间的电压等，最好为1微米至100微米的范围。另外，元件电极长度W考虑到电极的电阻值、电子发射特性，最好为数微米至数百微米的范围。
在该元件电极中，可以采用胶版(offset)印刷等印刷方法，涂敷形成含有市售的白金Pt等金属颗粒的浆料。另外，为了获得更精密的图形，也可以采用丝网印刷等印刷方法涂敷含有白金Pt等的感光性浆料，使用光掩模通过进行曝光、显影的工序来形成元件电极。
作为电子发射部形成用薄膜的导电性膜27以横跨元件电极22、23的形式作成。
作为导电性膜27，为了获得良好的电子发射特性，用微粒构成的微粒膜特别好。其厚度可以考虑覆盖元件电极22、23的阶差的覆盖率(step coverage)、元件电极之间的电阻值、以及后面所述的形成处理条件等适当地设定，但最好为数埃至数千埃，或者为10埃至500埃的范围会特别好。
导电性膜材料虽然一般采用钯，但不受此限。另外，膜的形成方法适合采用溅射法、溶液涂敷后进行烧制的方法等。
电子发射部29能通过例如以下说明的通电处理来形成。另外，为了绘图的方便，示出了电子发射部29在导电性膜27的中央呈矩形形状，但这是示意性的形状，并没有真实地表现实际的电子发射部的位置和形状。
如果在规定的真空度的情况下由图中未示出的电源在元件电极22、23之间通电，则在导电性膜27的部位形成结构变化的间隙(龟裂)。该间隙区域构成电子发射部29。另外，在利用该形成法形成的间隙附近，在规定的电压下也引起电子发射，但在该状态下电子发射效率非常低。
图8A和8B中示出了通电形成的电压波形的例子。电压波形最好呈脉冲波形。其中图8A中示出了连续地施加将脉冲峰值作为恒定电压的脉冲的方法，图8B中示出了一边增加脉冲峰值一边施加脉冲的方法。
首先，用图8A说明将脉冲峰值作为恒定电压的情况。图8A中的T1及T2是电压波形的脉冲宽度和脉冲间隔。通常，T1被设定为1微秒至10毫秒的范围，T1被设定为10微秒至100毫秒的范围。三角波的峰值(通电形成时的峰值电压)能根据电子发射元件的形态适当地选择。在这样的条件下，例如在数秒至数十分钟的时间内施加电压。脉冲波形不限于三角波，也能采用矩形波等所希望的波形。
其次，用图8B说明一边增加脉冲峰值一边施加脉冲的情况。图8B中的T1及T2能与图8A所示的相同。三角波的峰值(通电形成时的峰值电压)例如能以1V左右的步长增加。
通电形成处理能这样结束：测定流过正在施加脉冲电压的元件的电流，求出电阻值，例如在呈现出1兆欧以上的电阻时，使通电形成结束。
在该通电处理后的状态下，电子发生效率非常低。因此为了提高电子发射效率，最好对上述元件进行称之为激活的处理。
能在存在有机化合物的适当的真空度的情况下，通过反复将脉冲电压加在元件电极22、23之间，进行该激活处理。然后导入含有碳原子的气体，将来源于它的碳或碳化物作为碳膜淀积在上述间隙(龟裂)附近。
说明本工序的一例，例如作为碳源使用甲苯基腈，通过缓漏阀导入真空空间内，维持1.3×10-4Pa的状态。导入的甲苯基腈的压力受真空装置的形状和真空装置中使用的构件等的若干影响，但最好为1×10-5Pa至1×10-2Pa左右。
图9A和9B中示出了激活工序中使用的施加电压的一个优选例。施加的最大电压值能在10～20V的范围内适当地选择。
在图9A中，T1是电压波形的正和负的脉冲宽度，T2是脉冲间隔，电压值设定得正负绝对值相等。另外，在图9B中，T1及T1’分别是电压波形的正和负的脉冲宽度，T2是脉冲间隔，T1＞T1’，电压值设定得正负绝对值相等。
这时，发射电流Ie在达到大致饱和的时刻停止通电，关闭缓漏阀，结束激活处理。
利用以上的工序能制作图14A和14B所示的电子发射元件。
其次，说明本发明的电子源基板及图像显示装置。
作为本发明的电子源基板的基本结构，能举出图2所示的结构。
该电子源基板是在基板21上形成多条X方向布线(扫描信号用布线)26、以及在该X方向布线26上通过层间绝缘层25形成多条Y方向布线(调制信号用布线)24，在该两个方向布线的交叉部附近分别配置图17所示的电子发射元件。
X方向布线26在作为图像显示装置面板化后起扫描电极的作用，要求比起调制信号电极作用的Y方向布线24的电阻低，所以设计得线的宽度粗或膜的厚度厚。就是说，X方向布线(扫描信号用布线)26能设计得比Y方向布线(调制信号用布线)24的宽度粗。
另外，采用光学处理或丝网印刷或将光学处理和丝网印刷组合起来，能作成层间绝缘层25。
图1A和1B中示出了使用上述的呈单纯矩阵配置的电子源基板的本发明的图像显示装置的一例。图1A是模式地表示图像显示装置的总体斜视图，为了说明气密容器90内的结构，示出了将后面所述的支撑框86及面板82的一部分去掉后的状态。图1B是图1A中的C-C’部分的剖面图。
在图1A和1B中，81是配置了多个电子发射元件的作为后面板的电子源基板，具有图2所示的结构。
82是面板。面板82在玻璃基板83上形成作为图像显示构件的地方的荧光膜84、金属背底85、非蒸发型吸气剂87及蒸发型吸气剂88，该部分成为图像显示区。
图10A和10B是设置在面板82上的荧光膜84的说明图。荧光膜84在黑白图像的情况下只由荧光体构成，但在彩色荧光膜的情况下，通过荧光体的排列，由被称为黑色条纹或黑底等的黑色导电体91和荧光体92构成。设置黑色条纹、黑底的目的在于使彩色显示时成为必要的三原色荧光体的分界部分呈黑色，使得混色等不显眼、以及抑制荧光膜84上的外界光反射引起的对比度的下降。
另外，金属背底85通常设置在荧光膜84的内面侧。设置金属背底的目的在于：通过将荧光体发射的光中射向内面侧的光镜面反射到面板82一侧，提高亮度，以及起作为施加电子束加速电压用的阳极的作用等。金属背底能这样制作：制成荧光膜后，进行荧光膜的内面侧表面的平滑化处理(通常称为成膜)，然后通过真空蒸镀等淀积Al。
将非蒸发型吸气剂87和蒸发型吸气剂88层叠配置在面板上。
86是支撑框。电子源基板81、支撑框86、面板82用熔结玻璃等互相粘接，形成气密容器90。通过将称为隔离片(spacer)的支撑体89设置在面板82和电子源基板81之间，即使在大面积面板的情况下，也能构成对大气压具有足够强度的气密容器。
其次，说明具有上述结构的本发明的图像显示装置的制造方法。
首先，将非蒸发型吸气剂87配置在面板82的规定位置上。作为配置位置，最好在金属背底85上和荧光膜84之间的黑色导电材料91上形成，最好均匀地配置在图像显示区内的全部区域上。
具体地说，例如用对应于图像显示区的大窗口掩模，暂时在全部表面上形成厚度均匀的非蒸发型吸气剂87，或者放置具有与黑色导电材料91的图形形状一致的开口的适当的掩模，在黑色导电材料91形成非蒸发型吸气剂87。利用真空蒸镀法或溅射法，能容易地形成它们。
作为非蒸发型吸气剂87的材料，主要成分最好是Ti。由于金属Ti的原子量比Al大，所以电子射线的透射率低。因此在荧光膜84上形成的金属背底85、Ti吸气剂87的厚度有必要形成得比只是Al薄膜的金属背底85的情况下薄，所以最好用300～1000埃的厚度形成。
其次，在真空气氛中设置配置了图2所示的电子源基板81和非蒸发型吸气剂87的面板82、以及支撑框86(设置工序)。这时的真空度最好为10-4Pa以下。
接着，在真空气氛中，对配置了电子源基板81、非蒸发型吸气剂87的面板82、支撑框86进行烘焙(烘焙工序)。作为该烘焙工序，最好进行250℃以上450℃以下的热处理。因此，烘焙工序能兼作将非蒸发型吸气剂激活的工序。
其次，在非蒸发型吸气剂87上通过闪蒸(flash)形成蒸发型吸气剂88。蒸发型吸气剂88的主要成分通常为Ba等，利用该蒸镀膜的吸附作用，维持真空度。
具体地说，可通过闪蒸例如预先加工成能进行感应加热的条带的吸气材料，来形成该蒸发型吸气剂88。这时的温度最好在250℃以下。如果温度过高，则蒸发型吸气剂的泵功能(气体的吸附功能)下降。
在本发明中，蒸发型吸气剂88的厚度最好形成得比非蒸发型吸气剂87的厚度薄。如果过厚，基底上的非蒸发型吸气剂的泵功能(气体的吸附功能)下降。
非蒸发型吸气剂87迅速地吸附闪蒸蒸发型吸气剂88时的气体，抑制蒸发型吸气剂88的劣化，具有提高蒸发型吸气剂总体的吸附气体总量的效果。另外，通过使在金属背底85上形成的非蒸发型吸气剂87和蒸发型吸气剂88薄一些，具有不损害入射到荧光膜84上的电子的透射率、增大非蒸发型吸气剂和蒸发型吸气剂的总面积的效果。
其次，利用熔结玻璃等粘接构件粘接支撑框86及面板82，通过例如用400～500℃进行10分钟以上的烧制，进行封装，构成气密容器90(封装工序)。另外，作为粘接构件使用In，能实现低温粘接工艺。
进行封装时，在彩色的情况下，由于必须使各色荧光体和电子发射元件对应，所以有必要进行充分的定位。
如上进行，能制造图1A和1B所示的图像显示装置(气密容器90)。
其次，以下说明上述以外的本发明的图像显示装置的制造方法。
在本发明中，至少在不通大气的真空气氛中，在具有荧光膜的图像显示构件上层叠配置非蒸发型吸气剂和蒸发型吸气剂。
用图15中的工序流程图，说明本发明的图像显示装置的制造方法的一例。
首先，在上述的激活工序之前，完成图23所示的电子源基板81。
其次，将电子源基板81、形成了荧光膜84及金属背底85的面板82、以及支撑框86设置在真空气氛中(设置工序)。这时的真空度最好在10-4Pa以下。
其次，在真空气氛中将非蒸发型吸气剂87配置在面板82的规定的位置(非蒸发型吸气剂工序)上。作为配置位置，最好在金属背底85上和荧光膜84之间的黑色导电材料91上形成，最好均匀地配置在图像显示区内的全部区域上。
具体地说，例如用对应于图像显示区的大窗口掩模，暂时在全部表面上形成厚度均匀的非蒸发型吸气剂87，或者放置具有与黑色导电材料91的图形形状一致的开口的适当的掩模，在黑色导电材料91形成非蒸发型吸气剂87。利用真空蒸镀法或溅射法，能容易地形成它们。
作为非蒸发型吸气剂87的材料，主要成分最好是Ti。由于金属Ti的原子量比Al大，所以电子射线的透射率低。因此在荧光膜84上形成的金属背底85、Ti吸气剂87的厚度有必要形成得比只是Al薄膜的金属背底85的情况下薄，所以最好用300～1000埃的厚度形成。
接着，在真空气氛中，对配置了电子源基板81、非蒸发型吸气剂87的面板82、支撑框86进行烘焙(烘焙工序)。作为该烘焙工序，最好在250℃以上400℃以下进行。
其次，在非蒸发型吸气剂87上闪蒸形成蒸发型吸气剂88(蒸发型吸气剂工序)。该蒸发型吸气剂工序虽然能在烘焙工序之前进行，但最好在烘焙工序之后进行。如果在烘焙工序之前进行蒸发型吸气剂工序，则由于烘焙工序时发生的气体而降低气体吸附功能。
蒸发型吸气剂88的主要成分通常为Ba等，利用该蒸镀膜的吸附作用，维持真空度。具体地说，例如可通过闪蒸预先加工成能进行感应加热的条带的吸气，形成该蒸发型吸气剂88。这时的温度最好在250℃以下。如果温度过高，则蒸发型吸气剂的泵功能(气体的吸附功能)下降。
在该蒸发型吸气剂工序中，非蒸发型吸气剂87迅速地吸附使蒸发型吸气剂88闪蒸时的气体，抑制蒸发型吸气剂88的劣化，具有提高蒸发型吸气剂总体的吸附气体总量的效果。另外，通过使在金属背底85上形成的非蒸发型吸气剂87和蒸发型吸气剂88薄一些，具有不损害入射到荧光膜84上的电子的透射率、增大非蒸发型吸气剂和蒸发型吸气剂的总面积的效果。
其次，利用熔结玻璃等粘接构件粘接支撑框86及面板82，通过例如用400～500℃进行10分钟以上的烧制，进行封装，构成气密容器90(封装工序)。另外，作为粘接构件使用In，能实现低温粘接工艺。
进行封装时，在彩色的情况下，由于必须使各色荧光体和电子发射元件对应，所以有必要进行充分的定位。
在上述的例中，虽然说明了在烘焙工序之前进行非蒸发型吸气剂工序的情况，但也能在烘焙工序之后进行非蒸发型吸气剂工序和蒸发型吸气剂工序。另外，能更换非蒸发型吸气剂工序和蒸发型吸气剂工序，在先进行蒸发型吸气剂工序的情况下，最好在进行了蒸发型吸气剂工序之后，迅速地在蒸发型吸气剂上形成非蒸发型吸气剂。因此，用非蒸发型吸气剂迅速地吸附使蒸发型吸气剂闪蒸时发生的气体，能防止蒸发型吸气剂的泵功能下降。
如上进行，能制造图1A和1B所示的图像显示装置(气密容器90)。
[实施例]
以下，说明本发明的实施例，但本发明不限定于这些实施例。
[实施例1]
本实施例是用利用矩阵布线连接图2所示的多个表面传导型电子发射元件构成的电子源基板，制造图1A和1B所示的图像显示装置的例子。
首先，用图2、3、4、5、6、7A、7B和7C说明本实施例的电子源基板的制造方法。
(元件电极的形成)
在本实施例中，作为基板21使用了作为等离子体显示器用电气玻璃的碱成分少的PD-200(日本旭硝子(株)公司制)的材料。利用溅射法在该玻璃基板21上，首先作为底层形成钛Ti(厚5nm)，在它上面形成白金Pt(厚40nm)后，涂敷光敏抗蚀剂，采用曝光、显影、刻蚀等一系列的光刻法，进行构图，形成了元件电极22、23(参照图3)。另外，在本实施例中，元件电极的间隔L为10微米，相对的长度W为100微米。
(Y方向布线的形成)
关于X方向布线26和Y方向布线24的材料，最好是低电阻材料，以便能将大致均匀的电压供给多个表面传导型电子发射元件，适当地设定材料、厚度、布线宽度等。
作为公用布线的Y方向布线(下布线)24连接在一个元件电极(在本例中为元件电极23)上，而且形成了线状图形来连接它们。材料中使用银Ag光敏浆料印剂，进行了丝网印刷后，进行干燥，曝光显影成规定的图形。然后用480℃的温度进行烧制，形成了Y布线24(参照图4)。该Y布线24的厚度约10微米，宽度为50微米。另外由于终端部作为引出布线电极使用，所以使线的宽度更大。
(层间绝缘层的形成)
为了使上下布线绝缘，配置层间绝缘层25。覆盖着后面所述的X方向布线(上布线)26和先形成的Y方向布线(下布线)24的交叉部，在连接部上形成了接触孔28，以便能进行X方向布线(上布线)26和另一个元件电极(在本例中为元件电极22)的导电性连接(参照图5)。
具体地说，利用以PbO为主要成分的感光性的玻璃浆料进行了丝网印刷后，进行了曝光-显影。将它重复4次，最后用480℃的温度进行了烧制。该层间绝缘层25的厚度总体约为30微米，宽度为150微米。
(X方向布线的形成)
这样形成X方向布线(上布线)26：将银浆料印剂丝网印刷在先形成的层间绝缘层25上，然后进行干燥，在它上面同样地再进行两次涂敷后，用480℃的温度进行了烧制。X方向布线26将上述层间绝缘层25夹在中间与Y方向布线24交叉，用层间绝缘层25上的接触孔部分与元件电极中的另一个(在本例中为元件电极22)连接(参照图6)。另外，X方向布线26的厚度约为15微米。另外由于终端部作为布线引出电极用，所以使线的宽度更大。
这样处理后形成了有XY矩阵布线的基板。
(导电性膜的形成)
其次，将上述基板充分清洗后，用含有疏水剂的溶液进行表面处理，使表面具有疏水性。这是为了此后涂敷的导电性膜形成用的水溶液能具有适当的宽度配置在元件电极上。另外，作为疏水剂，用喷射法将DDS(二甲基二乙氧基硅烷)溶液散布在基板上，用120℃进行热风干燥。
此后。采用喷墨涂敷方法，在元件电极之间形成了导电性膜27。用图7所示的示意图说明本工序。另外，为了补偿基板21上的各个元件电极的平面性的离散，在基板上的数个地方观测图形的配置偏移，直线式地将观测点之间的点的偏移量补充完毕，通过涂敷导电性膜形成材料，消除全部像素的位置偏移，可靠地涂敷在对应的位置上。
在本实施例中，目的是获得钯膜作为导电性膜27，首先在由水85：异丙醇(IPA)15构成的水溶液中溶解钯-脯氨酸络合物0.15重量％，获得了含有有机钯的溶液。加入若干其他添加剂。作为液滴供给装置，使用利用了压电元件的喷墨装置，将点的直径调整为60微米，供给电极之间(图7A)。
然后，在空气中用350℃对该基板进行了10分钟的烧制处理，形成了由氧化钯(PbO)构成的导电性膜27’(图7B)。获得了点的直径约为60微米，厚度最大为10nm的膜。
(形成工序)
其次，在称为形成的本工序中，对上述导电性膜27’进行通电处理，在内部生成龟裂，形成电子发射部29(图7C)。
具体的方法是：留出上述基板21周围的引出电极部，覆盖着全部基板盖上帽状的盖，在内部与基板21之间作成真空空间，由外部电源从该引出布线的端子部将电压加在两条方向布线24、26之间，通过使元件电极22、23之间通电，使导电性膜27’局部破坏、变形或变质，在电气上形成高阻状态的电子发射部29。
这时，如果在含有若干氢气的真空气氛中进行通电加热，则利用氢促进还原，由氧化钯PdO构成的导电性膜27’变成由钯Pd构成的导电性膜27。
该变化时由于膜的还原收缩，在一部分上产生龟裂(间隙)，可是发生该龟裂的位置、以及其形状对原来的膜的均匀性影响很大。为了抑制多个元件的特性离散，最好在导电性膜27的中央部引起上述龟裂，而且尽可能呈直线状。
另外还从利用该形成法形成的龟裂附近，在规定的电压下引起电子发射，但在现状的条件下发生效率还非常低。
另外所获得的导电性膜27的电阻值Rs为102至107Ω。
在本实施例中，用图8B所示的脉冲波形，设T1为0.1毫秒，T2为50毫秒，进行了形成处理。施加的电压从0.1V开始，每隔5秒增加0.1V步长左右。通电形成处理这样结束：测定施加脉冲电压时流过元件的电流，求出电阻值，在相对于形成处理前的电阻呈现出1000倍以上的电阻的时刻，结束形成。
(激活元件)
与上述的形成法相同，盖上帽状的盖，在内部与基板21之间作成真空空间，从外部通过两条方向布线24、26，将脉冲电压反复加在元件电极22、23之间进行。然后导入含有碳原子的气体，使来源于它的碳或碳化物作为碳膜淀积在上述龟裂附近。
在本实施例中作为碳源使用甲苯基腈，通过缓漏阀导入真空空间内，在维持1.3×10-4Pa。
图9A和9B中示出了激活工序中使用的施加电压的一个优选例。所施加的最大电压值在10～20V的范围内适当地选择。
在图9A中，T1是电压波形的正和负的脉冲宽度，T2是脉冲间隔，电压值设定得正负绝对值相等。另外，在图9B中，T1及T1’分别是电压波形的正和负的脉冲宽度，T2是脉冲间隔，T1＞T1’，电压值设定得正负绝对值相等。
这时，使供给元件电极23的电压为正，元件电流If从元件电极23流向元件电极22的方向为正。约60分钟后在发射电流Ie达到大致饱和的时刻停止通电，关闭缓漏阀，结束激活处理。
在以上的工序中，能在基板上制作用矩阵布线连接多个电子发射元件构成的电子源基板。
(电子源基板的特性评价)
测定了用上述的元件结构和制造方法作成的电子发射元件的基本特性。其结果，测定了加在元件电极之间的电压为12V时的发射电流Ie平均为0.6微安，电子发射效率平均获得了0.15％。另外，元件间的均匀性也好，各元件间的Ie的离散获得了5％这样的良好的值。
其次，用如上制造的简单矩阵配置的电子源基板，制造了图1所示的图像显示装置(显示面板)。另外，图1为了表现内部而局部地切掉后示出。
面板82与电子源基板81相同，采用等离子体显示器用电气玻璃即碱成分少的PD-200(旭硝子(株)公司制)的材料。在该玻璃材料的情况下，不会引起玻璃的着色现象，如果使厚度为3mm左右，则即使用10kV以上的加速电压驱动的情况下，抑制二次发生的软X射线的泄漏的屏蔽效果也是充分的。
用图11、图12A和12B，说明本实施例的图像显示装置的吸气剂的作成及封装方法。另外，图12A和12B表示面板周边部的简略剖面结构。
(接合构件的配置)
首先，将接合面板82和电子源基板81用的构件设置在规定的位置。在本实施例中，作为接合构件使In膜93形成图形(参照图11)。
In膜93的厚度是分别形成面板82和电子源基板81的In膜93的厚度之和，但与接合后的In膜93的厚度相比，能进行充分大的调节。在本实施例中，面板82、电子源基板81分别相同用300微米的厚度形成，以便封装后In膜93的厚度为300微米左右。
(非蒸发型吸气剂的形成)
用RF溅射法在面板82的金属背底85上淀积作为非蒸发型吸气剂87的厚度为500埃的Ti膜。这时，使用在中心具有大的开口的金属掩模，以便只在图像显示区内形成非蒸发型吸气剂87。在本实施例中，暂时将面板82置于大气压左右的气氛中，使非蒸发型吸气剂(薄膜Ti吸气剂)87充分吸附气体后，只在黑色导电体91上的位置采用RF溅射法再淀积2.5微米的薄膜Ti吸气剂(参照图12A)。为了构图，使用了与黑色导电体91的位置一致的小开口的金属掩模。金属掩模采用Ni金属薄板，利用磁铁从背面固定，能实现向周围游离少的构图。
(设置工序)
其次，将电子源基板81、配置了非蒸发型吸气剂87的面板82、以及支撑框86设置在真空气氛中。
(烘焙工序)
如图11所示，在相对的面板82和电子源基板81之间设有一定的间隔的状态下，保持两个基板进行真空加热。用300℃以上的高温进行了基板真空烘焙，以便从基板发射气体，而且非蒸发型吸气剂87被激活，然后返回室温时，面板内部达到足够的真空度。在该时刻，In膜93呈熔融状态，对两个基板都进行充分的水平调整，以便融化了的In不流出。
(蒸发型吸气剂的形成)
真空烘焙后，使温度下降到100℃左右后，使电流流过在面板82的非蒸发型吸气剂87上淀积了图中未示出的Ba为主要成分的蒸发型吸气剂材料的条带的吸气剂，进行闪蒸，形成了300埃的蒸发型吸气剂88(参照图12B)。使蒸发型吸气剂闪蒸时，产生的气体被非蒸发型吸气剂87迅速地吸附，能抑制蒸发型吸气剂的劣化。
(封装工序)
其次使温度再次上升到In的熔点以上的180℃，利用图11所示的定位装置200，使面板82和电子源基板81的间隔慢慢地收缩，进行了两个面板的接合、即封装。
通过以上的工艺制造图1A和1B所示的显示面板，再连接由扫描电路·控制电路·调制电路·直流电压源等构成的驱动电路，制造了面板状的图像显示装置。
在本实施例的图像显示装置中，通过X方向端子和Y方向端子，将电压加在各电子发射元件上，使之发射电子，通过高压端子Hv，将高压加在作为阳极的金属背底85上，使发生的电子束加速，碰撞荧光膜84，来显示图像。其结果，亮度随时间的推移变化少，另外图像显示区内的随时间的推移发生的亮度离散也变少了。
[实施例2]
本实施例是使用利用矩阵布线连接图2所示的多个表面传导型电子发射元件构成的电子源基板，制造图13A和13B所示的图像显示装置的例子。
图13A是模式地表示图像显示装置的总体斜视图，为了说明气密容器90内的结构，示出了将支撑框86及面板82的一部分除去后的状态。图13B是图13A中的C-C’的局部剖面图。另外，与图1A和1B中的图像显示装置的构件相同的构件标以相同的附图标记。
本实施例与实施例1中只在黑色导电体91上的位置再形成薄膜Ti吸气剂不同，而是在电子源基板81的X方向布线26上也设置了非蒸发型吸气剂87。
形成了导电性膜27后、或者在激活工序之后，能进行在X方向布线上形成非蒸发型吸气剂87。在本实施例中，进行了元件的激活工序后，利用RF溅射法淀积了2.5微米的薄膜Ti吸气剂。为了构图，使用了与X方向布线26的位置一致的小开口的金属掩模。金属掩模采用Ni金属薄板，利用磁铁从背面固定，能实现向周围游离少的构图。
另外，在本实施例中，预先将支撑框86设置在面板82一侧。
除了这些以外，与实施例1完全相同，制造了图像显示装置。在本例的图像显示装置中，通过X方向端子和Y方向端子，将电压加在各电子发射元件上，使之发射电子，通过高压端子Hv，将高压加在作为阳极的金属背底85上，使发生的电子束加速，碰撞荧光膜84，来显示图像。其结果，亮度随时间的推移变化少，图像显示区内的随时间的推移发生的亮度离散也变少了。
[实施例3]
本实施例从元件电极的形成工序到接合构件的设置工序与实施例1同样地进行。
(设置工序)
其次，如图11所示，将固定了支撑框86的电子源基板81和面板82设置在真空气氛中。
(非蒸发型吸气剂的形成)
用RF溅射法在面板82的金属背底85上淀积了作为非蒸发型吸气剂87的厚度为500埃的Ti膜(参照图16A)。这时，使用在中心具有大的开口的金属掩模，以便只在图像显示区内形成非蒸发型吸气剂87。
(烘焙工序)
如图11所示，在相对的面板82和电子源基板81之间设有一定的间隔的状态下，保持两个基板，进行真空加热。用300℃以上的高温进行了基板真空烘焙，以便从基板发射气体，而且非蒸发型吸气剂87被激活，然后返回室温时，面板内部达到足够的真空度。在该时刻，In膜93呈熔融状态，对两个基板都进行充分的水平调整，以便融化了的In不流出。
(蒸发型吸气剂的形成)
真空烘焙后，使温度下降到100℃左右后，使电流流过在面板82的非蒸发型吸气剂87上淀积了图中未示出的以Ba为主要成分的蒸发型吸气剂材料的条带的吸气剂，进行闪蒸，形成了300埃的蒸发型吸气剂88(参照图16B)。使蒸发型吸气剂闪蒸时，发生的气体被非蒸发型吸气剂87迅速地吸附，能抑制蒸发型吸气剂的劣化。
(封装工序)
其次使温度再次上升到In的熔点以上的180℃，利用图11所示的定位装置200，使面板82和电子源基板81的间隔慢慢地收缩，进行了两个面板的接合、即封装。
通过以上的工序制造图1A和1B所示的显示面板，再连接由扫描电路·控制电路·调制电路·直流电压源等构成的驱动电路，制造了面板状的图像显示装置。
在本实施例中制造的图像显示装置中，通过X方向端子和Y方向端子，将电压加在各电子发射元件上，使之发射电子，通过高压端子Hv，将高压加在作为阳极的金属背底85上，使发生的电子束加速，碰撞荧光膜84，来显示图像。其结果，亮度随时间的推移变化少，图像显示区内的随时间的推移发生的亮度离散也变少了。
[实施例4]
如图17中的工序流程图所示，除了更换实施例3中的非蒸发型吸气剂工序和烘焙工序的顺序以外，与实施例3相同，制造了图1A和1B所示的图像显示装置。
在本实施例中制造的图像显示装置中，通过X方向端子和Y方向端子，将电压加在各电子发射元件上，使之发射电子，通过高压端子Hv，将高压加在作为阳极的金属背底85上，使发生的电子束加速，碰撞荧光膜84，来显示图像。其结果，亮度随时间的推移变化少，图像显示区内的随时间的推移发生的亮度离散也变少了。
[实施例5]
如图18中的工序流程图所示，除了更换实施例4中的非蒸发型吸气剂工序和蒸发型吸气剂工序的顺序以外，与实施例3相同，制造了图1A和1B所示的图像显示装置。另外，在本实施例中，在烘焙工序之后，首先进行蒸发型吸气剂工序，然后迅速地在蒸发型吸气剂上形成非蒸发型吸气剂。
在本实施例中制造的图像显示装置中，通过X方向端子和Y方向端子，将电压加在各电子发射元件上，使之发射电子，通过高压端子Hv，将高压加在作为阳极的金属背底85上，使发生的电子束加速，碰撞荧光膜84，来显示图像。其结果，亮度随时间的推移变化少，另外图像显示区内的随时间的推移发生的亮度离散也变少了。
本发明能提供一种亮度随时间变化(随着时间的推移而下降)小的图像显示装置。
另外，本发明能提供一种图像显示区内随时间的推移亮度离散的发生少的图像显示装置。

Claims (21)

1.一种图像显示装置，在气密容器内备有：电子源；与上述电子源相对配置，被来自该电子源的电子照射的图像显示构件；以及配置在上述图像显示构件上的吸气剂，其特征在于：上述吸气剂是将蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂层叠配置在上述气密容器内。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：上述吸气剂被配置在上述图像显示构件上的被上述电子照射的区域上。
3.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：上述吸气剂，从该吸气剂的配置面开始，按照非蒸发型吸气剂、蒸发型吸气剂的顺序层叠地配置。
4.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于：上述蒸发型吸气剂的厚度比上述非蒸发型吸气剂的厚度薄。
5.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于，上述吸气剂，从该吸气剂的配置面开始，按照蒸发型吸气剂、非蒸发型吸气剂的顺序层叠配置。
6.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于包括：在具有图像显示构件的第一基板的上述图像显示构件上层叠配置蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序；以及在真空气氛中，将具有电子源的第二基板与具有上述吸气剂的第一基板相对配置，使该电子源与上述图像显示构件保持间隔相对置，将上述第一基板和上述第二基板封装起来的工序。
7.根据权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：上述层叠配置蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序包括：将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述非蒸发型吸气剂上的工序。
8.根据权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：上述层叠配置蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序包括：将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中对具有该非蒸发型吸气剂的第一基板烘焙后，在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述非蒸发型吸气剂上的工序。
9.根据权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：上述层叠配置蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序包括：在真空气氛中将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中对具有该非蒸发型吸气剂的第一基板烘焙后，在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述非蒸发型吸气剂上的工序。
10.根据权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：上述层叠配置蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序包括：在真空气氛中烘焙上述第一基板后，在真空气氛中将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述非蒸发型吸气剂上的工序。
11.根据权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：上述层叠配置蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂的工序包括：在真空气氛中烘焙上述第一基板后，在真空气氛中将蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；以及在真空气氛中将非蒸发型吸气剂配置在上述蒸发型吸气剂上的工序。
12.一种图像显示装置的制造方法，该图像显示装置在气密容器内备有：在基板上配置了呈矩阵状布线的多个电子发射元件的电子源；以及与上述基板相对设置且具有荧光膜的图像显示构件，其特征在于包括：
将非蒸发型吸气剂配置在上述图像显示构件上的工序；
在真空气氛中设置上述电子源的基板、配置了上述非蒸发型吸气剂的图像显示构件、以及支撑框的设置工序；
在真空气氛中，对上述电子源的基板、上述图像显示构件和上述支撑框进行烘焙的烘焙工序；
在上述非蒸发型吸气剂上闪蒸形成蒸发型吸气剂的工序；以及
夹持着上述支撑框，将上述电子源的基板和上述图像显示构件粘接起来，构成气密容器的封装工序。
13.根据权利要求12所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：上述烘焙工序是250℃以上450℃以下的热处理工序。
14.根据权利要求12所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：上述烘焙工序兼作将上述非蒸发型吸气剂激活的工序。
15.根据权利要求12至14中的任一项所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：在250℃以下的温度下进行闪蒸上述蒸发型吸气剂的工序。
16.一种图像显示装置的制造方法，该图像显示装置在气密容器内备有：在基板上配置了呈矩阵状布线的多个电子发射元件的电子源；以及与上述基板相对设置且具有荧光膜的图像显示构件，其特征在于包括：
在真空气氛中设置上述电子源的基板、上述图像显示构件、以及支撑框的设置工序；
在真空气氛中，对上述电子源的基板、上述图像显示构件和上述支撑框进行烘焙的烘焙工序；以及
夹持着上述支撑框，将上述电子源的基板和上述图像显示构件粘接起来，构成气密容器的封装工序，
至少在上述封装工序前，在真空气氛中进行将非蒸发型吸气剂设置在上述图像显示构件上的工序、和在该非蒸发型吸气剂上闪蒸形成蒸发型吸气剂的工序。
17.根据权利要求16所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：在250℃以上400℃以下进行上述烘焙工序。
18.根据权利要求16所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：至少在上述烘焙工序之后进行闪蒸上述蒸发型吸气剂的工序。
19.根据权利要求16所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：在250℃以下的温度下进行闪蒸上述蒸发型吸气剂的工序。
20.根据权利要求16所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：上述非蒸发型吸气剂的主要成分是Ti。
21.根据权利要求16所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于：上述蒸发型吸气剂的主要成分是Ba。
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