CN1282547C - 具有流体通道的基片和制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造穿过基片(102、120、122、124、127)的流体通道(126)的方法，包括在该基片的第一表面上蚀刻(140、370)一外露部段并对该基片的蚀刻部段进行涂布(142、370)。交替重复蚀刻和涂布(370、390、590)，直到形成流体通道。

Description

具有流体通道的基片和制造方法
技术领域
本发明涉及具有流体通道的基片及其制造方法。
背景技术
在一些流体喷射装置比如打印头中，流体通过基片上的槽被发送到喷射腔内。通常，槽通过湿化学蚀刻例如采用碱性蚀刻剂形成在晶片内。这样的蚀刻技术产生的蚀刻角会导致背侧槽开口很宽。该宽背侧开口限制了晶片上一个特定的小片(die)会有多么小，因此也就限制了每一晶片上小片的数量(分离比)。人们希望分离比达到最大。
发明内容
在一实施例中，一种制造穿过基片的流体通道的方法包括在基片的第一表面上蚀刻一外露部段并对该基片上的蚀刻部段进行涂布。交替重复蚀刻和涂布，直到流体通道形成。
本发明的许多附加特征将更易于被了解，其在参照下面详细的说明并结合附图考虑时将得到更好的理解，附图中相同的参照标号代表全文中的相同部件。
附图说明
图1表示本发明打印盒一实施例的透视图；
图2A表示沿图1中打印盒截面2-2剖开的打印头的剖视图；
图2B表示图2A另一可选打印头的剖视图；
图3A-3E表示了形成本发明开槽基片的制造过程的几个可选实施例的处理流程图；
图4A-4C表示了形成图3A所述过程中的开槽基片的步骤；
图5A-5E表示了形成图3B所述过程中的开槽基片的步骤；
图6A-6D表示了形成图3D和3E所述过程中的开槽基片的步骤；
图7A表示了由本发明的一个过程形成的开槽基片的一实施例；
图7B表示了图7A开槽基片的放大图；
图8表示了由本发明的过程形成的开槽基片的另一实施例；
图9表示了由本发明的过程形成的开槽基片的又一实施例；
图10表示了由本发明的过程形成的开槽基片的一可选实施例；
图11表示了由本发明的过程形成的开槽基片的另一可选实施例；
图12表示了图3B中描述的一个过程中的开槽基片的一实施例；
图13表示了图3B中描述的一个过程中的开槽基片的一可选实施例；以及
图14表示了沿图2A截面14-14的架(shelf)的一实施例的前侧视图。
具体实施方式
图1是本发明一实施例中的带有一打印头(或流体滴发生器或流体喷射装置)14的喷墨盒10的透视图。图2A表示该打印头的一剖视图，其中一个具有沟(或侧)壁128的槽区域(或槽或沟)126穿过基片102而成形。槽的成形将在下面予以详述。在一特定实施例中，槽126是利用本发明蚀刻的，尺寸控制在小于10微米。在另一实施例中，较高密度的槽被蚀刻在一指定的小片内。
如图2A中打印头的实施例所示，一覆盖层104、一电阻层107、一导电层108、一钝化层110、一空穴阻挡层111和一阻挡层112形成或沉积在基片102上。在该实施例中，薄膜层适当地被组成图案并蚀刻，从而形成电阻层的电阻、导电层的导电轨迹和阻挡层中的火室130。在一特定实施例中，阻挡层112限定了火室130和喷嘴孔132，流体在火室130内被相应的电阻加热，而加热的流体通过喷嘴孔132喷射。在另一实施例中，一带有喷孔132的喷孔层(未示出)被加到阻挡层112上。上面引用的1994年2月的Hewlett-Packard Journal第44页上描述了一个关于阻挡层物理布置方式和薄膜子结构的例子。更多关于喷墨打印头的例子被阐明在共同转让的美国专利4719477、5317346和6162589中。
在所示的另一实施例中，至少有一层或薄膜层形成或沉积在基片102上。本发明的实施例根据采用开槽基片的应用情况，包括形成或沉积在基片上的任何数量和类型的层(或根本没有层)。
在如图2A所示的实施例中，通道129形成为通过基片上的层的一个孔或流体供给槽。通道129与火室130和槽126流体连接，这样流体就流过槽126并通过通道129进入火室130中。在所示的特定实施例中，流体的通道入口129不位于槽126的中心。不过，开槽基片在无论入口129是中心定位还是偏心的情况下都以基本上相同的方式成形，如下所述。在图2B所示的另一实施例中，至少两个通道(或凹槽)129使开槽基片与单个火室130流体连接。
在图3A流程图中步骤200-230中描述且在图4A中示出的实施例中，一薄膜层(或叠层)120形成或沉积在基片的前侧上。薄膜叠层120至少为形成在基片上的一层，并在一特定实施例中掩蔽基片102。另一种方案或另外，层120与基片102电绝缘。
图4A的薄膜层120被组成图案并蚀刻以形成一个穿过其中的孔，其中该孔限定了一个凹槽114。在该实施例中，一前侧保护(FSP)层106接着沉积在薄膜层120上，并沉积到凹槽114中。在一特定实施例中，在凹槽114的区域中，FSP层106的顶面朝着基片102向下倾斜。FSP层被组成图案并蚀刻以形成层120中的一阻塞物，从而用作一蚀刻停止部和/或保护形成在基片(例如SU-8)上的各层免受灰化和/或蚀刻气体的影响，如下所述。在所示的实施例中，层112在其上沉积、形成图案并成形。不过，层112根据应用情况并不出现在某些实施例中。在另一实施例中，附加层根据应用情况在槽成形之后沉积在基片上。
在图3A流程图中步骤240和250处所述的实施例中，一硬掩模122和一光学成像(photoimagable)材料层124形成在与薄膜层120相对的基片的背侧上。层122和124采取生长、沉积、旋制、层压或喷射方式中的一种形成到基片上。在一特定可选实施例中，背侧掩模(硬掩模和/或光学成像层)在薄膜层形成在步骤200中的期间成形。
如步骤260所述且如图4A所示，掩模122和光学成像材料124被组成图案并蚀刻以露出基片102的一个部分。露在基片背侧上的该部分基本上与薄膜层120中的凹槽114相对，且在一特定实施例中，基本上达到要形成的槽所需的宽度。
在一实施例中，术语“硬掩模”或“背侧掩模”可包括层122和124，换句话说，“背侧掩模”指的是基片背侧上的一层或多层或所有层。例如，背侧掩模的层122和124为相同的材料。特别是，用于硬掩模122的材料和/或光学成像材料124至少是下面材料中的一种：氧化物比如热氧化物或FOX、可选择用于蚀刻的沉积膜、光学成像材料比如光阻材料或感光树脂以及用于阻挡层112的材料(见下面用于阻挡层的材料)。
根据所用的材料和背侧掩模的结构，层122和124的厚度不同。在第一实施例中，光学成像材料的厚度至少约为10-18微米。在其它实施例中，光学成像材料至少为34微米，晶片的厚度和用作光学成像材料的材料类型是由用于蚀刻的机器类型而定的。在一实施例中，氧化物的厚度达到约2微米。在一更为详细的实施例中，氧化物层的厚度约为1微米。
在图3A流程图步骤270中所述的实施例中，穿过基片的槽126是通过如图4A-4C所示并在下面描述的交替涂布的蚀刻过程(或沉积蚀刻过程)形成的。槽或沟126是从基片背侧在露出区域(没有被背侧掩模掩蔽的区域)开始蚀刻的。图4A示出了引向基片的露出区域并部分形成槽的蚀刻剂140。
对于本领域的技术人员来说，蚀刻剂140可以是任何例如在TMDE模式、ECR模式和/或RIE模式下使用的各向异性蚀刻剂。蚀刻剂140是一种用于干蚀刻和/或湿蚀刻的蚀刻剂。在一特定实施例中，活性蚀刻气体从形成挥发性SiFx的SF6中产生氟基和带电颗粒。该基团用化学方法和/或物理方法蚀刻基片，从而实际上去除基片材料。在一特定实施例中，SF6与氩、氧和氮中的一种混合。蚀刻剂140在一段预定的时间中被引向基片。
在沉积蚀刻过程中，一层或涂层142沉积在成形沟的内表面上，包括侧壁128和底部103，如图4B所示。在一特定实施例中，涂层142对于蚀刻剂140来说是可选的、或者是一钝化层、或者形成一临时的蚀刻停止部，正如在下面详细描述的那样。在另一特定实施例中，涂层142的材料至少是下面中的一种：聚合物、金属比如铝、氧化物、金属氧化物和金属氮化物如氮化铝。
在一特定实施例中，层142是通过利用碳氟气体在成形沟的内表面上形成聚合物而形成的。在一更为详细的实施例中，碳氟气体在这些表面上形成(CF2)n、聚四氟乙烯类材料或产生聚四氟乙烯的单体。在另一特定实施例中，聚合物基本上防止侧壁在随后的蚀刻期间被蚀刻。
在交替涂布蚀刻的特定实施例中，沟蚀刻步骤中蚀刻剂140所用的气体与涂布步骤中在沟内部上形成涂层142的气体交替使用。在一交替过程的更为详细的实施例中，存在着一种从SF6变成气体然后再又变成SF6的变化，其中气体在沟的内表面上形成涂层142。因此，蚀刻剂140再次引向部分蚀刻的沟的底面一段预定时间，如图4C所示。离子引向沟的底面，并用物理方法和/或化学方法沿着底面103去除涂层142以及邻接于底面或在底面之下的基片材料。
在一特定实施例中，离子根据沉积多少涂层142的情况在几秒内冲破底面上的涂层142。不过，在蚀刻期间，沿着侧壁128的涂层142仍旧在蚀刻步骤中基本上保持完好。一般来说，被涂布的侧壁128较之直接受撞击的底面103以慢一些的速率蚀刻。侧壁上的涂层142以及蚀刻剂朝向底面的目的方向基本上防止了侧壁被蚀刻。在一特定实施例中，该方法产生了几近垂直的侧壁，不过其它实施例也是可能的，例如那些详细描述在下面文字中的。
在一更为详细的实施例中，蚀刻和沉积步骤交替重复，直到槽形成。每一个蚀刻和沉积步骤的持续时间约为1-15秒。在一特定实施例中，每次沉积涂层142的时间约为5秒，而蚀刻时间约为6-10秒并可在形成相同槽的过程中在其间变化。
在一特定实施例中，涂层142(例如在聚合物涂层情况下的碳氟残余物)在完成蚀刻及基本上形成槽之后沿着侧壁128具有小于100埃的厚度，如图5E所示。在一更为详细的实施例中，涂层142的厚度约为50埃。在另一特定实施例中，被涂布的侧壁128以较大的深度减小涂布厚度。这一点特别是属于以下情况，即如果涂层形成步骤之间蚀刻步骤比所需的时间更长就会发生的情况。在就图4A-4C描述的实施例中，沟的底面103在涂层形成步骤之间被蚀刻约1-5微米。在该实施例中，蚀刻速度根据不同因素在约3-20微米/分之间改变。平均值约为11微米/分。
在一特定实施例中，在沉积蚀刻过程中，晶片被加热到约40℃。沉积蚀刻过程(也称作深度活性离子蚀刻、DRIE过程或各向异性等离子蚀刻)一般不会显著地蚀刻背侧掩模。在另一实施例中，氟离子能在1-40eV之间，尽管也可以实现更高能量。在一特定实施例中，碳氟气体的流动约为1-500sccm，或约300sccm。在另一实施例中，蚀刻剂SF6的流动约为75-400sccm，或约250sccm。在一特定实施例中，就晶片的厚度约为625微米而言，穿过晶片的槽根据使用的工具、基片和其它因素基本上在约20分钟-6小时内形成。
在就图4A-4C描述的实施例中，碳氟气体为C2F4、C2H2F2、C4F8、三氟甲烷CHF3和氩、全氟芳香物如全氟的苯乙烯类单体或醚类氟化合物及其混合物中的一种。在所述实施例中，蚀刻剂140为下列物质中的一种：普通的释放氟的蚀刻气体、三氟化氮NF3或四氟甲烷CF4或其混合物。
在图3A流程图步骤280和290中所述的实施例中，在槽基本上形成在步骤270中之后，光学成像材料124通过灰化去除且FSP层106通过蚀刻去除。在该实施例中，光学成像材料的灰化是在FSP层106被去除之前发生的，这样一来，就有可能避免或最大程度地减小阻挡层112因为灰化所受的损坏和/或分层。在该实施例中，FSP层在步骤290中通过缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)去除。BOE通常是氢氟酸和氟化铵的混合物。蚀刻剂是溶水的并可具有两种主要成分的任何混合强度。在另一实施例中，干蚀刻用于去除FSP层。在该实施例中，在步骤280和290去除之后不对槽作进一步的蚀刻。
在图3B流程图所述的实施例中，步骤300和330-380与步骤200和230-280相对应。图3A和图3B之间的区别在于，在图3B中，没有FSP层106。图5A-5E表示了对槽底面103和侧壁128的蚀刻，正如在图3B流程图中所概述的那样。在该实施例中，为了保护薄膜层120和阻挡层112不受灰化以去除光学成像材料，沟或槽部分地形成，如图5A-5C所示。接着光学成像材料被去除，如图5D所示，然后槽完全地形成，如图5E所示。(再次重申，层112根据应用情况并不出现在某些实施例中。在另一实施例中，附加层根据应用情况在槽形成之后沉积在基片上。)如图5D所示，硬掩模122仍旧位于背侧以保护基片的该侧不随之被蚀刻掉。
在该实施例中，当蚀刻步骤370完成且灰化步骤380开始时，基片中从背侧向着前侧形成的槽约300-600微米。在另一实施例中，形成的槽在该步骤中至少穿过晶片的一半。图3B方法的缺点在于，槽在形成时有中断，因此槽的形成花费了额外的时间。
如图5E所示，在灰化步骤380完成后，通过采用多种不同方法中的至少一种方法，槽接着被蚀刻以穿过基片。在一特定实施例中，沉积蚀刻过程继续，如步骤390中所述。在另一实施例中，槽是采用湿蚀刻完成的，如步骤490中所述并如图12和13(其在后面将被详细描述)所示。在又一实施例中，槽是从基片的前侧通过沉积蚀刻过程完成的，如步骤590所述。就步骤590而言，在具有阻挡层112的实施例中，层112不得不在槽完成后形成。在又一实施例中，槽是从基片的前侧利用干蚀刻完成的，如步骤690所述。在另一未示出的实施例中，槽是从背侧利用干蚀刻完成的。
在图3C流程图所述的实施例中，被涂布的基片是在步骤700中形成的。在步骤770中，基片中的槽首先利用沉积蚀刻过程方法从基片的前侧形成以形成凹槽。在步骤790中，基片接着从背侧蚀刻以形成穿过其中的槽。背侧蚀刻可利用多种不同方法中的至少一种完成。在可选实施例中，背侧蚀刻可采取湿蚀刻、干蚀刻和沉积蚀刻过程中的一种。在该实施例中，在步骤730中，层112在槽形成之后形成在层120上。
在一个如图3D流程图中步骤800和810所述且如图6A所示的实施例中，薄膜层120形成或沉积在基片102的前侧上，而背侧掩模127形成或沉积在基片的背侧上。在一特定实施例中，层120和127都基本上在同时被沉积、组成图案和蚀刻。在一可选实施例中，它们按顺序被沉积、组成图案和蚀刻。层120和127可充当掩模以保护并覆盖基片免受蚀刻剂的影响。在可选实施例中，层127和/或层120包括至少一种热氧化物、对于蚀刻是可选的沉积膜、光学成像材料和阻挡材料。在其它可选实施例(未示出)中，基片不被附加层加以掩蔽/涂布，或者仅仅在基片的一侧上被涂布/掩蔽，例如形成层127或120中的任一个。
如图6B所示且如步骤820所述，槽126是采用在此描述的沉积蚀刻过程蚀刻穿过晶片的。在一实施例中，如步骤830所述，背侧用带子束缚(taped)以在穿过晶片蚀刻之后在处理期间起保护作用。在步骤840中，另一薄膜层(此时为层112)被沉积、组成图案并蚀刻，如图6D所示。
在如图3E流程图中步骤900和910所述且仍如图6A所示的一实施例中，薄膜层120形成或沉积在基片102的前侧上，而背侧掩模127形成或沉积在基片的背侧上，与图3D相似。
如图6A所示且如步骤920所述，槽126采用在此描述的沉积蚀刻过程被部分地蚀刻穿过晶片。在一实施例中，如步骤930所述，基片的背侧用带子束缚以在处理期间保护晶片。在步骤940中，另一薄膜层(此时为层112)被沉积、组成图案并蚀刻，如图6C所示。如图6D所示且如步骤950所述，槽126采用在此描述的沉积蚀刻过程基本上被完全蚀刻穿过晶片。在一可选实施例中，步骤960(进行交替涂布以形成槽)发生在背侧掩蔽步骤910后。接着，在步骤970中，另一薄膜层沉积到层120上并被组成图案和蚀刻。
图7A表示了通过上述过程之一形成的槽126。这里表示的槽126基本上呈弓形。槽的顶部宽度126A约119微米。槽中部126B的宽度约为121微米，底部126C的宽度约为118微米。在另一实施例中，沿着槽长度的宽度范围约为148.5-150.5微米。在一特定实施例中，沿着沟，宽度沿着侧壁128在约2-6.5％的范围内改变。在另一实施例中，沟宽均匀性上的平均变化约为3.5％。在一特定实施例中，沟宽的可变性达到最小。实际上，设计的灵活性达到最大。随着沟宽达到最小，小片的脆性便达到最小而其屈服性达到最大。在又一实施例中，槽或沟126的宽度基本上固定不变。该基本上固定不变的宽度根据应用情况处于约50-155微米的范围内。
在一可选实施例中，凹槽114的宽度与槽的顶部宽度126A相对应。凹槽宽度根据采用的基片和过程在约30-250微米内变化。在一特定实施例中，凹槽114的宽度约为80微米。
图7B是接近图6A一实施例的视图。侧壁128具有突出部128a。在一特定实施例中，侧壁128、突出部128a的粗糙度约为1-3微米。在该特定实施例中，突出部位于蚀刻剂的流向上，其一般基本上与槽平行。在另一实施例(未示出)中，突出部基本上不与槽平行，甚至垂直于槽。
在图8所示的一实施例中，顶部126D的槽宽约为144.5微米，而底部126E的宽度约为106.5微米。在该实施例中，底部具有槽的最小宽度，同时在中部略微膨胀。在该实施例中，槽126基本上是弓形的。
在图9所示的一实施例中，槽具有圆齿状的侧壁128。在所示的实施例中，圆齿相当对称并在影响蚀刻的因素得到补偿时表征过程中的变化。
在图10的正锥形槽轮廓的实施例中，槽126的宽度在基片的前侧朝着凹槽114渐缩。在一特定实施例中，顶部宽度126F约为50微米，中部宽度126G约为69微米，底部宽度126H约为81微米。在该所示实施例中，底部宽度和锥形槽明显要比湿蚀刻的槽具有更小的区域。槽以达到约25度的尖角穿过基片渐缩。
在图11的凹状槽轮廓的实施例中，槽126的宽度朝着基片的背侧渐缩。在一特定实施例中，底部和顶部宽度的尺寸分别与图10中的顶部和底部宽度相对应。在可选实施例中，图10和11的锥形侧壁128可以是基本上直立状(如图10所示)、圆齿状(图9)、锯齿状(图11中所示)或弯曲状(图8)中的一种。
在图12和13的实施例中，槽部分地形成为图3B中直至步骤380所述得那样，然后执行步骤490。步骤490包括对基片的剩余部分进行湿蚀刻，以形成基本上完整的槽。在一实施例中，所用基片是一(100)硅基片。在另一实施例(未示出)中，所用基片是一(110)硅基片。
在图12中，步骤380中形成的槽126的宽度小于形成在薄膜层120中的凹槽114(或通道129)的宽度。因此，当进行湿蚀刻时，槽向薄膜层120的边缘打开。在所示实施例中，形成在步骤370(沉积蚀刻过程)中的、与基片的背侧相邻的壁128基本上是直立的，而与前侧相邻的壁呈锥形。不过，在可替代的各实施例中，壁128可以是直立状、圆齿状、锯齿状、锥形、弯曲状或其组合中的任一种。
在图13中，步骤380中形成的槽126的宽度大于形成在薄膜层120中的凹槽114(或通道129)的宽度。因此，当进行湿蚀刻时，槽朝着薄膜层120的边缘向内渐缩。在该所示的实施例中，相对于图10而言，形成在步骤370(沉积蚀刻过程)中的、与基片的背侧相邻的壁128基本上呈锥形，而与前侧相邻的壁呈锥形。不过，再次重申，在可替代的各实施例中，壁128可以是直立状、圆齿状、锯齿状、锥形、弯曲状或其组合中的任一种。例如，与背侧相邻的壁通过沉积蚀刻过程形成且基本上是直立的，并且与前侧相邻的壁通过湿蚀刻形成且基本上是直立的。
图14表示了贯穿图2A的剖面14-14的一示意平面图。在图14中，在槽126和电阻133之间具有一架134。在所示的实施例中，架134的端部边缘127沿着槽126的端部呈圆形，而架134的侧边缘136基本上为锯齿状。锯齿状架边缘136基本上沿着基片跟随着锯齿状定位的电阻133。在一特定实施例中，从槽边缘至电阻的距离仍旧基本上沿着边缘136固定不变。在所示的实施例中，锯齿状架边缘136和/或圆形端部边缘127通过背侧掩模122的图案化和蚀刻而形成，以具有基本上反映出前侧上的架边缘127、136形状的形状。在该实施例中，在此描述的沉积蚀刻过程在背侧上进行并且将背侧掩蔽层的图案转移到前侧上。在一特定实施例中，蚀刻速率减慢以获得更大的架边缘的控制。
在一可选实施例中，图14中基片的前侧具有在其上成形、组成图案并蚀刻的掩模。在该实施例中，掩模与图14中所示的架边缘127、136的形状相对应。前侧是利用在此描述的沉积蚀刻过程蚀刻的。在一可选实施例中，从前侧的蚀刻部分地形成了槽，而从背侧的蚀刻完全地形成了槽。
在上述实施例的一实施例中，基片102是一单晶硅片。在一特定实施例中，基片具有低BDD(体缺陷密度，指硅晶体点阵中具有少量的缺陷，或指氧化物沉淀剂的量减少)。不过，通过采用上述的一些蚀刻过程，无论是否用低BDD基片开始，槽基本上都能垂直或精确地形成。在一特定实施例中，就给定的直径例如4、6、8或12英寸的直径来说，晶片厚约100-700微米。
在一实施例中，图3-5中表示并描述的薄膜叠层120具有图2A中所示的各层(104、107、108、110、111和112)。在该实施例中，基片102是为打印或喷墨盒10中的打印头14形成的。在一特定实施例中，覆盖层104包括场效氧化物。在另一特定实施例中，FSP层106包括沉积的氧化物气体。在又一实施例中，FSP层106和层104包括相同材料。在另外的可选实施例中，阻挡层112可包括下面物质中的至少一种，即，快速交联聚合物比如光学成像环氧树脂(比如由IBM研制的SU8)、光学成像聚合物或感光硅树脂电介质比如由ShinEtsuTM制造的SINR-3010、或基本上对于墨水的腐蚀作用是惰性的有机聚合物塑料。
因此，可以理解，本发明可采用不同于上面具体描述的方式实现。例如，本发明并不限制于热启动的打印头，而是还可包括例如机械启动的打印头以及其它具有穿过基片的微流体通道的应用比如医疗装置。此外，本发明并不限制于打印头，而是适用于任何开槽基片。因而，本发明的实施例应被理解成在各方面都是例示性而非限制性的，本发明的范围由随附权利要求书而非上述说明表示。

Claims (8)

1.一种蚀刻流体供给槽的方法，其包括：
在基片的第一表面上蚀刻一外露部段；
对该基片的蚀刻部段进行涂布；以及
交替重复蚀刻和涂布，直到形成穿过基片的流体供给槽。
2.一种制造流体喷射装置的方法，其包括：
在基片的前侧上形成流体滴发生器；
对基片的背侧的外露部段进行蚀刻，该背侧与前侧相对；
对该基片的蚀刻部段进行涂布；以及
交替重复蚀刻和涂布，直到基片中的槽形成穿到前侧。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：交替重复蚀刻和涂布直到基片中的槽形成穿到前侧的步骤包括：
交替重复蚀刻和涂布，直到沟形成在基片的背侧中；以及
蚀刻基片的前侧，直到槽形成穿到沟处并穿过基片。
4.一种在基片中制造微型流体通道的方法，其包括：
在基片的第一表面上蚀刻一外露部段；
沿着该基片的蚀刻部段形成一暂时的蚀刻停止部；以及
交替重复蚀刻和成形，直到微型流体通道形成穿过基片。
5.一种在基片中制造微型流体通道的方法，其包括：
对基片的背侧的外露部段进行干蚀刻，从而形成具有内侧表面的凹槽；
对该凹槽的内侧表面进行涂布；
交替重复蚀刻和涂布，以便从基片的背侧形成沟；以及
对该沟进行湿蚀刻，直到槽形成穿到基片的前侧。
6.一种制造流体喷射装置的方法，其包括：
在基片的前侧上形成流体滴发生器；
对该基片的前侧的外露部段进行蚀刻；
对该基片的蚀刻部段进行涂布；
交替重复蚀刻和涂布，直到沟形成在基片的前侧中；以及
在相对于沟的区域中蚀刻基片的背侧，直到槽形成穿到沟处并穿过基片。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，涂布包括利用聚合物、氧化物、金属、金属氮化物和金属氧化物中的至少一种涂布该基片的蚀刻部段。
8.一种由如权利要求1-7中任一项所述的方法形成的开槽基片。
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