CN1291442C - 用于阴极射线管的面板 - Google Patents

用于阴极射线管的面板 Download PDF

Info

Publication number
CN1291442C
CN1291442C CNB031313620A CN03131362A CN1291442C CN 1291442 C CN1291442 C CN 1291442C CN B031313620 A CNB031313620 A CN B031313620A CN 03131362 A CN03131362 A CN 03131362A CN 1291442 C CN1291442 C CN 1291442C
Authority
CN
China
Prior art keywords
panel
mold pressing
hoop
concordant profipole
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031313620A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1458662A (zh
Inventor
金锡荣
秋景文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Precision Materials Co Ltd
Original Assignee
Samsung Corning Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Corning Co Ltd filed Critical Samsung Corning Co Ltd
Publication of CN1458662A publication Critical patent/CN1458662A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1291442C publication Critical patent/CN1291442C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409—Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4096—Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches 
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G11C7/1087—Data input latches
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
    • G06F13/1668—Details of memory controller
    • G06F13/1689—Synchronisation and timing concerns
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
    • G11C2207/107—Serial-parallel conversion of data or prefetch

Abstract

一种供在本发明的阴极射线管中使用的面板包括：一个屏面部分，一个从该屏面部分的边缘伸出的下摆部分，以及一个连接该屏面部分和该下摆部分的融合环绕部分部分。当曲率的平均外半径等于或者大于10，000毫米的时候，一个模压吻合线被在该下摆部分上以模压吻合线高度H1满足第一公式：0＜H1≤Hx0.47的方式形成，并且当曲率的平均外半径小于10，000毫米的时候，满足第二公式：0＜H1≤Hx0.37，这里H是一个面板的总高度。

Description

用于阴极射线管的面板
发明领域
本发明涉及一种阴极射线管，尤其是涉及一种通过优化模压吻合线能够有效地防止其失效的阴极射线管。
发明背景
如众所周知的，一个在电视机或者计算机监视器中使用的阴极射线管中的玻壳主要包括一个用于显示图像的面板，一个密封到该面板背部的圆锥形玻锥，以及一个整体地连接到该圆锥形玻锥的顶点部分的圆柱形颈状物。该面板、玻锥和该颈状物是用玻璃制成的，其中尤其该面板和该玻锥是通过挤压成形玻璃凝块以预先确定的尺寸和形状形成。
参考图1，在那里举例说明了一个常规的玻壳10的横剖面视图。一个玻壳10的面板20提供有屏面部分21，该屏面部分21的内表面以一系列荧光物质点(未示出)覆盖去显示图像；一个从该屏面部分21的边缘向后伸出的下摆部分23，并且在其后缘上具有一个密封边22；和一个整体地连接该屏面部分21到该下摆部分23的融合环绕部分(或者弯头部分)24。该玻壳10的玻锥30可以被分成一个主体部分32，即，一个前部，其具有一个连接到该下摆部分23的密封边22的密封边31；和一个磁轭部分33，即，一个后面部分，其从该主体部分32向后伸出。并且该玻壳10的颈状物40被连接到该玻锥30的磁轭部分33。管轴11穿过该屏面部分21的中心，并且与该颈状物40的一个轴重合。利用所谓的“冷缩配合”方案围绕该下摆部分23的外边缘设置的是一个金属防爆箍50，通过抽空该壳10的内部空间，其可增强玻壳10在该融合拐弯部分24和该下摆部分23中引起的相对张应力，使得当该面板20破裂或者爆炸的时候，可以防止该玻璃碎片到处乱飞。
参考图2，在那里举例说明了一个用于形成该面板20的铸模(mold)装置60的横断面视图。该铸模装置60装备有一个底部铸模62，在其中形成了一个空腔61；一个中央铸模(或者壳层)63，用于形成该下摆(skirt)部分23和该密封边22，其被安装在该底部铸模62的顶端上；以及一个上部的铸模64(或者活塞)，其挤压玻璃凝块装填到该底部铸模62的空腔61中，以形成该面板20。该上部的铸模64被连接到一个挤压锤65，使得其通过锤65可以被升起或者降低，以便挤压玻璃凝块(gob)装填到该底部铸模62的空腔61中，以形成面板20。在该底部铸模62和该中央铸模63之间存在一个分隔线66。因此，当该面板20被如图1所示在铸模装置60中形成的时候，一个模压吻合线(mold match line)25被在接近于该屏面部分21的该下摆部分23的外边缘上形成，该模压吻合线25是由该分隔线66快速生成的。该模压吻合线25的周边长度表示该面板20的最大圆周长度。并且，通常该分隔线66的位置和这样的该模压吻合线25的位置被设置靠近屏面部分21而不是该密封边22，以便容易从该底部铸模62中抽出该铸模面板20。
参考图3，在那里举例说明了一个图1的面板20的横剖面视图。形成在该下摆部分23的外边缘上的是第一锥形表面26，其从该模压吻合线25、以相对于管轴11的一个向内倾斜的第一倾斜角θ1朝着该密封边22的方向伸出。并且该第一倾斜角θ1被设置小于1.5°，以便防止该箍50滑脱。在该第一锥形表面26和该密封边22之间形成第二锥形表面27。该第二锥形表面27具有例如从3°到4°范围的第二倾斜角θ2。第一锥形表面26与第二锥形表面27接合的边界由虚线28表示，其被定位为远离该防爆箍50的下端。
在该玻壳被抽空之后，当该防止爆炸的箍50被围绕该玻壳10的下摆部分23的外边缘设置的时候，通过加热膨胀的该防爆箍50被从该屏面部分21的侧面推进，然后被围绕该下摆部分23安装。此时，该模压吻合线25接触到该防爆箍50，其在该模压吻合线25中可以招致擦伤或者/和裂缝。因此，在该模压吻合线25被靠近该屏面部分23形成的情况下，扫过或者擦过该模压吻合线25的该防爆作用箍50的内表面区域是相对更大一些，并且因此，增加了在该模压吻合线25和该防爆箍50之间接触的频率。从而，在该模压吻合线25中形成更大数量的裂缝和擦伤。此外，通过利用该膨胀的防爆箍50的收缩产生的压应力，在该模压吻合线25中生成额外的裂缝。
当该阴极射线管在一个锻烧退火炉中经受热处理以便从其中除去残余应力的时候，上述的在该下摆部分23的模压吻合线25中形成的裂缝是一个导致对于出现该阴极射线管断裂或者失效再现的主要原因，导致增大了生产成本，以及产品成品率的降低。
因此，通过定位该模压吻合线以便磨擦该模压吻合线25的防爆箍50的内表面区域相对地要小并且模压吻合线经受由防爆箍50产生的相对小的压力，可以有效地防止在模压吻合线25内形成破裂和磨擦。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种在该CRT的热处理过程期间，通过优化该模压吻合线的位置，供能够有效地防止诸如内爆或者断裂的该CRT损坏的阴极射线管(CRT)中使用的面板。
按照本发明的一个优选实施例，提供了一种供阴极射线管中使用的面板，包括：一个用于显示图像的屏面部分，其曲率的平均外半径等于或者大于10,000毫米；一个从该屏面部分的边缘伸出的下摆部分，并且具有一个密封到玻锥的密封边；和一个连接该屏面部分和该下摆部分的融合环绕部分，其中一个模压吻合线被在该下摆部分上以模压吻合线高度H1满足下列公式的方式形成：0＜H1≤H×0.47，这里总高度H是在穿过该密封边的第一平面和穿过该屏面部分中心的第二平面之间的距离，并且该模压吻合线高度H1是在第一平面和穿过该模压吻合线的第三个平面之间的距离。
按照本发明的另一个优选实施例，提供了一种供阴极射线管中使用的面板，包括：一个用于显示图像的屏面部分，其曲率的平均外半径小于10,000毫米；一个从该屏面部分的边缘伸出的下摆部分，并且具有一个密封到玻锥的密封边；和一个连接该屏面部分和该下摆部分的融合环绕部分，其中一个模压吻合线被在该下摆部分上以模压吻合线高度H1满足下列公式的方式形成：0＜H1≤H×0.37，这里总高度H是在穿过该密封边的第一平面和穿过该屏面部分中心的第二平面之间的距离，并且该模压吻合线高度H1是在第一平面和穿过该模压吻合线的第三个平面之间的距离。
附图说明
从下面结合伴随的附图给出的优选实施例的描述中，本发明的上述及其他的目的和特点将变得显而易见，其中：
图1举例说明一个常规的玻壳的横剖面视图；
图2呈现一个用于形成面板的铸模装置的剖视图；
图3描述一个图1的面板的横剖面视图；
图4提供一个按照本发明优选实施例的面板的横剖面视图；和
图5阐明一个按照本发明优选实施例的球面面板(或者规则类型的面板)的横剖面视图。
具体实施方式
现在将参考伴随的附图描述按照本发明优选实施例的供阴极射线管中使用的面板。并且相同的部分将以相同的参考数字表示。
参考图4和5，分别举例说明按照本发明优选实施例的一个面板20’和一个球状的面板(或者规则类型的面板)20″的示意性横截面视图。基于它们的曲率平均外半径R，这些面板被划分为平直面板20’和球状的面板20″，曲率平均外半径R是在预先确定的径向上穿过屏面部分21中心的外部轮廓21a的曲率半径的平均值。此外，该屏面部分21的中心是一个颈状物40(在图1中示出)的轴穿过的点，并且是该屏面部分21的对角线的交点。该参考标志H表示该面板20’或者20″的总高度，即，在穿过密封边22的第一虚平面和穿过外部轮廓21a上屏面部分21的中心并且平行于第一平面的第二虚平面之间的距离；H1是模压吻合线25的高度，即，在第一平面和穿过该模压吻合线25的第三虚平面之间的距离，该模压吻合线25的外部周边长度表示该面板20’和20″的最大长度；以及H2是虚线28的高度，即，在第一平面和穿过该虚线28的第四虚平面之间的距离。
通常，该面板20’的曲率的平均外半径R等于或者大于10,000毫米，并且该球面面板20″的曲率的平均外半径R小于10,000毫米。并且人们普遍认识到该平直面板20’比该球面面板20″更有利，因为该面板20’引起更小的图像失真和更小的眼睛疲劳，以及具有范围较宽的视野。
在图4示出的该面板20’满足一个设计准则，诸如该曲率的外半径R等于或者大于10,000毫米，并且该模压吻合线高度H1满足下列公式：
0＜H1≤H×0.47    公式1
换句话说，该模压吻合线25是在等于或低于离该密封边22的高度是该总高度H的47％的一个位置上形成的。
实验1
在列表1和2中，在防爆箍的预先确定的点上沿着其横向(或者轴向)测量的箍张力被列出，其中该防爆箍被围绕分别用于29和32英寸模式的电视的玻璃面板放置，每个具有一个长宽比为4∶3的有效屏幕面积。
如图4所示，列表1和2，箍区段Z0表示参考标高，即，该密封边22；箍区段Z1，靠近该密封边22的该防爆箍50的下边缘的高度；以及箍区段Z8，靠近该屏面部分21的该防爆作用箍50的上缘的高度。此外，箍区段Z2至Z7对应于在该防爆箍50中沿着其宽度以在其间预定的距离布置的点。在列表1和2中，比率(％)分别表示该模压吻合线高度H1、该虚线高度H2以及该箍区段Z1至Z8的高度对于面板20的总高度H的百分数，其中该箍区段Z1至Z8的高度分别是在第一平面和穿过该箍区段Z1至Z8、并且平行于第一平面的平面之间的距离，其他的高度也将同样地被测量。
                        列表1
  用于29英寸模式的平直面板   高度(毫米)   比率(％) 箍张力(Mpa)
  H   97.6   100 -
  H1   69.6   71 -
  H2   31.6   32 -
  箍区段   Z1   33.1   34 48.4
  Z2   45.0   46 91.8
  Z3   47.0   48 167.1
  Z4   56.1   57 129.8
  Z5   63.8   65 111.9
  Z6   69.8   72 207.9
  Z7   78.3   80 218.1
  Z8   86.9   89 132.3
如在列表1中表示的，该防爆箍的下边缘被放置在离该密封边33.1毫米高处，并且离虚线1.5mm高处。此外，该防爆箍的上缘被放置在离该密封边86.9毫米高处，并且离该模压吻合线17.3毫米高处。
在Z3该箍张力为167.1MPa，在Z2该箍张力被急剧地降低为91.8MPa，并且在其间的差值高达75.3MPa。由此列表1中，可以推断，随着离密封边的高度低于箍区段Z2(其高度对于总高度H的比率(％)是46％)，箍张力下降，并由此满足公式1。此外，在该箍区段Z2和Z3之间的中间点的高度(该高度对于总高度H的比率是47％)满足公式1。因此，通过在该中间点下面形成该模压吻合线，该模压吻合线将受到作为该箍张力结果相对更小的挤压力影响，由此在其中将形成相对更少量的裂纹。从而，由其模压吻合线被在该中间点的下面形成的面板构成的玻壳的断裂被减少。
此外，虽然其模压吻合线被在等于或低于该中间点上形成的面板的下摆部分的结构不同于在这个实验1中使用的面板的结构，由于第一倾斜角θ1很小，该差值可以被忽略，因此，在上述的面板中使用的该防爆箍的箍张力的分布与在这个实验1中使用的面板的是相似的。
该箍区段Z3至Z8的高度不满足公式1。并且如果该模压吻合线被在该箍区段Z3和Z8的之间的一个位置上形成，作为该更大的箍张力的结果，其将受到更大的挤压力的影响，从而在安装该防爆箍期间和之后更有可能被擦伤和/或裂纹。从而，由上述的面板构成的该玻壳也具有更高的被损坏可能性。
列表2
  用于32英寸模式的面板   高度(毫米)   比率(％) 箍张力(Mpa)
  H   113.0   100 -
  H1   82.5   73 -
  H2   33.0   29 -
  箍区段   Z1   34.5   31 94.7
  Z2   49.0   43 72.9
  Z3   54.1   48 218.8
  Z4   60.9   54 132.0
  Z5   69.7   62 115.7
  Z6   82.8   73 309.6
  Z7   91.3   81 231.0
  Z8   99.8   88 100.0
如在列表2中表示的，围绕一个用于32英寸模式平直面板的该防爆箍的下边缘被放置在离该密封边34.5毫米高处，并且其上端被放置在离该密封边99.8毫米高处。在该箍区段3上该箍张力为218.8MPa，在该箍区段2上该箍张力被急剧地降低为72.9MPa，并且在其间的差值高达145.9MPa。由此列表2中，可以推断，随着测量高度低于该箍区段Z2(其高度对于总高度H的比率是43％)，箍张力将下降并由此满足公式1。因此，通过在该中间点下面形成该模压吻合线，作为该箍张力结果，该模压吻合线将受到相对更小的挤压力影响，由此在其中将形成相对更少量的裂纹。从而，由其模压吻合线将在该中间点的下面形成的面板构成的玻壳的断裂将减少。
该箍区段Z3至Z8不满足公式1。并且如果该模压吻合线被在该箍区段Z3和Z8的之间的一个位置上形成，作为该更大的箍张力的结果，其将受到更大的挤压力的影响，因此在安装该防爆箍期间和之后将在其中形成相对更大的擦伤和/或裂纹。从而，由一个其模压吻合线被在该箍区段Z3和Z8之间形成的面板构成的该玻壳也将具有更高的被损坏可能性。
此外，在列表1和2中，虽然该箍区段8的箍压力接近于其比率(％)是47％的位置的压力，但由于其是如此接近于该屏面部分，以致该模压吻合线不能在其上形成。并且虽然该箍区段Z4和Z5的箍压力也接近于其比率是47％位置的压力，由于该屏面部分首先进入该防爆箍，在该防爆箍安装期间将有更大的裂纹和/或擦伤被形成。换句话说，扫过或者擦过该模压吻合线的该防爆箍的区域相对更大，并且因此，在该模压吻合线和该防爆箍的内表面之间频繁接触。
在图5示出的该球面面板20″满足设计准则，诸如曲率的外半径R小于10,000毫米，并且该模压吻合线H1的高度满足下列公式2：
0＜H1≤H×0.37    公式2
换句话说，该模压吻合线被在该球面面板上以该模压吻合线高度H1对于该总高度H的比率等于或者小于37％的方式形成。
实验2
准备二个用于28和29英寸模式的电视的球面玻璃面板，每个具有一个长宽比为4∶3的有效屏幕面积。然后，防爆作用箍被围绕其下摆部分的外边缘设置。然后，箍张力被在箍区段Z1至Z8测量，并且列出在列表3和4上。在列表3和4中的比率和高度被以与在实验1中相同的方法限定，因此，为简单起见其说明将被省
                        列表3
  用于32英寸模式的球面面板   高度(毫米)   比率(％) 箍张力(Mpa)
  H   99.6   100 -
  H1   53.1   53 -
  H2   25.1   25 -
  箍区段   Z1   15.0   15 110.5
  Z2   36.8   37 150.2
  Z3   40.0   40 364.5
  Z4   44.5   45 394.1
  Z5   48.5   49 387.3
  Z6   51.0   51 336.3
  Z7   55.0   55 250.0
  Z8   60.0   60 157.6
如在列表3中表示的，围绕用于28英寸模式TV玻璃面板设置的该防爆作用箍的下边缘被放置在离该密封边15毫米高处，并且该防爆作用箍的上缘被放置在离该密封边60毫米高处。在该箍区段3上该箍张力为364.5MPa，在该箍区段2上该箍张力被降低为150.2MPa，并且在其间的差值高达214.3MPa。由此列表3中，可以推断，箍张力显著地下降到该箍区段Z2(其高度对于总高度H的比率是37％)以下，从而满足公式2。
因此，通过在该箍区段Z2下面形成该模压吻合线，作为该箍张力结果，该模压吻合线将受到更小的挤压力影响，由此在其中将形成相对更少量的裂纹。从而，由其模压吻合线被在该中间点的下面形成的面板构成的玻壳的断裂可以被减少。
该箍区段Z3至Z8不满足公式2。并且如果该模压吻合线被在该箍区段Z3和Z8的之间的一个位置上形成，作为该相对更大的箍张力的结果，其将受到相对更大的挤压力的影响，因此，在安装该防爆箍期间和之后将在其中形成更大的裂纹和擦伤。从而，由一个其模压吻合线被在该箍区段Z3和Z8之间形成的面板构成的该玻壳也将具有更高的被损坏可能性。
此外，虽然该箍区段Z8的箍张力接近于其比率是47％的箍区段Z2的箍张力，该箍区段Z8是如此接近于该屏面部分，以致该模压吻合线被在其上形成。
                            列表4
  用于32英寸模式的球面面板   高度(毫米)   比率(％) 箍张力(Mpa)
  H   113.7   100 -
  H1   50.7   45 -
  H2   25.7   23 -
  箍区段   Z1   10.0   9 100.6
  Z2   20.0   18 125.5
  Z3   41.0   36 150.8
  Z4   43.0   38 322.9
  Z5   45.0   40 260.9
  Z6   48.7   43 214.8
  Z7   52.6   46 150.0
  Z8   55.3   49 110.0
如在列表4中表示的，围绕用于32英寸模式TV球面玻璃面板的该防爆箍的下边缘被放置在离该密封边10毫米高处，并且其上缘被放置在离该密封边55.3毫米高处。在该箍区段4上该箍张力为322.9MPa，在该箍区段3上该箍张力被急剧地降低为150.8MPa，并且在其间的差值高达172.1MPa。由此列表4中，可以推断，随测量高度低于箍区段Z3(其高度对于总高度H的比率是36％)以下，箍张力显著地下降，从而满足公式2。因此，通过在等于或低于该箍区段Z3处形成该模压吻合线，作为该相对更少箍张力结果，该模压吻合线将受到相对更小的挤压力影响，由此在其中将形成相对更少量的裂纹。从而，由其模压吻合线被在该箍区段Z3的下面形成的面板构成的玻壳的断裂可以被减少。
该箍区段Z4至Z8不满足公式2。并且如果该模压吻合线被在该箍区段Z4和Z8的之间的一个位置上形成，作为该相对更大的箍张力的结果，其将受到相对更大的挤压力的影响，因此，在安装该防爆箍期间和之后将在其中形成相对更大的裂纹和擦伤。从而，由一个其模压吻合线被在该箍区段Z4和Z8之间形成的面板构成的该玻壳也将具有更高的被损坏可能性。
此外，在列表4中，虽然该箍区段Z7和Z8的箍压力接近于该箍区段Z3的箍压力，但该箍区段Z7和Z8是如此接近于该屏面部分，以致该模压吻合线不能在其中形成。
如上所述，如果该模压吻合线被在一个接近于该密封边的位置形成，这里该箍张力是相对更少，该模压吻合线将受到相对更少的挤压力影响，并且与在该防爆箍安装期间接近于该屏面部分形成的该模压吻合线不一样，不会与该防爆箍多次接触。因此，按照本发明的优选实施例可以有效地降低在用于阴极射线管的平面或者球面玻璃面板的模压吻合线中擦伤和裂纹的形成，因此，由本发明的面板构成的该玻壳将在退火或者其他的处理中具有更少被损坏的可能性，导致其生产率的改善并且降低经济损失。
虽然相对于优选实施例已经示出和描述了本发明，本领域技术人员将明白，无需脱离本发明在下面的权利要求中所限定的精神和范围可以进行各种各样的变化和修改。

Claims (2)

1.一种供阴极射线管使用的面板，包括：
一个用于显示图像的屏面部分，其曲率的平均外半径等于或者大于10,000毫米；
一个从该屏面部分的边缘伸出的下摆部分，其具有一个密封到玻锥的密封边；和
一个连接该屏面部分和该下摆部分的融合环绕部分，
其中一个模压吻合线被在该下摆部分上以模压吻合线高度H1满足下列公式的方式形成：
0＜H1≤H×0.47
这里总高度H是在穿过该密封边的第一平面和穿过该屏面部分的外表面的中心的第二平面之间的距离，并且该模压吻合线高度H1是在第一平面和穿过该模压吻合线的第三个平面之间的距离。
2.一种供阴极射线管使用的面板，包括：
一个用于显示图像的屏面部分，其曲率的平均外半径小于10,000毫米；
一个从该屏面部分的边缘伸出的下摆部分，其具有一个密封到玻锥的密封边；和
一个连接该屏面部分和该下摆部分的融合环绕部分，
其中一个模压吻合线被在该下摆部分上以模压吻合线高度H1满足下列公式的方式形成：
0＜H1≤H×0.37
这里总高度H是在穿过该密封边的第一平面和穿过该屏面部分的外表面的中心的第二平面之间的距离，并且该模压吻合线高度H1是在第一平面和穿过该模压吻合线的第三个平面之间的距离。
CNB031313620A 2002-05-17 2003-05-16 用于阴极射线管的面板 Expired - Fee Related CN1291442C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0027277A KR100496857B1 (ko) 2002-05-17 2002-05-17 외부적으로 데이터 로드 신호를 갖는 반도체 메모리 장치및 이 반도체 메모리 장치의 직렬 데이터의 병렬데이터로의 프리패치 방법
KR1020020027279 2002-05-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1458662A CN1458662A (zh) 2003-11-26
CN1291442C true CN1291442C (zh) 2006-12-20

Family

ID=29417400

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB03105434XA Expired - Fee Related CN100505091C (zh) 2002-05-17 2003-02-20 具有外部数据加载信号的存储器件及其串并数据预取方法
CNB031313620A Expired - Fee Related CN1291442C (zh) 2002-05-17 2003-05-16 用于阴极射线管的面板

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB03105434XA Expired - Fee Related CN100505091C (zh) 2002-05-17 2003-02-20 具有外部数据加载信号的存储器件及其串并数据预取方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7200069B2 (zh)
JP (1) JP4434619B2 (zh)
KR (1) KR100496857B1 (zh)
CN (2) CN100505091C (zh)
DE (1) DE10307912B4 (zh)
TW (1) TW594785B (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6807613B1 (en) * 2000-08-21 2004-10-19 Mircon Technology, Inc. Synchronized write data on a high speed memory bus
JP3880539B2 (ja) * 2003-05-15 2007-02-14 エルピーダメモリ株式会社 クロック発生回路およびそれを用いた半導体記憶装置
KR100493061B1 (ko) * 2003-06-20 2005-06-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리가 내장된 단일 칩 데이터 처리 장치
DE102004052268B4 (de) * 2004-10-27 2016-03-24 Polaris Innovations Ltd. Halbleiterspeichersystem und Verfahren zur Datenübertragung zwischen einem Speichercontroller und einem Halbleiterspeicher
JP2007018692A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Samsung Electronics Co Ltd データ入力及びデータ出力制御装置及び方法
JP4919333B2 (ja) * 2005-09-29 2012-04-18 株式会社ハイニックスセミコンダクター 半導体メモリ素子のデータ入力装置
JP5052056B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-17 エスケーハイニックス株式会社 半導体メモリ素子のデータ入力装置
KR100621353B1 (ko) * 2005-11-08 2006-09-07 삼성전자주식회사 데이터 반전 확인 기능을 가지는 데이터 입출력 회로 및이를 포함하는 반도체 메모리 장치
KR100822578B1 (ko) * 2006-04-18 2008-04-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 쓰기 장치
KR100772716B1 (ko) * 2006-08-31 2007-11-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법
US7948812B2 (en) 2006-11-20 2011-05-24 Rambus Inc. Memory systems and methods for dynamically phase adjusting a write strobe and data to account for receive-clock drift
US7975162B2 (en) * 2006-11-28 2011-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for aligning input data in semiconductor memory device
KR100892677B1 (ko) * 2007-10-09 2009-04-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 프리 페치 회로 및 그 제어 방법
US7636262B2 (en) * 2007-10-25 2009-12-22 International Business Machines Corporation Synchronous memory having shared CRC and strobe pin
KR100937995B1 (ko) * 2007-12-26 2010-01-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리장치 및 이의 테스트방법
KR101828504B1 (ko) * 2011-12-21 2018-02-12 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작방법
JP6007676B2 (ja) * 2012-08-29 2016-10-12 富士通株式会社 判定支援装置、判定装置、メモリコントローラ、システム、および判定方法
KR102044827B1 (ko) * 2012-10-17 2019-11-15 삼성전자주식회사 데이터 로딩 회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치
US9557765B2 (en) 2013-01-22 2017-01-31 Via Technologies, Inc. Mechanism for automatically aligning data signals and strobe signals on a source synchronous bus
US9319035B2 (en) * 2013-01-22 2016-04-19 Via Technologies, Inc. Source synchronous bus signal alignment compensation mechanism
US9552320B2 (en) 2013-01-22 2017-01-24 Via Technologies, Inc. Source synchronous data strobe misalignment compensation mechanism
JP2018078357A (ja) * 2016-11-07 2018-05-17 ソニー株式会社 半導体集積回路、および、半導体集積回路の制御方法
KR101939565B1 (ko) 2017-05-24 2019-01-17 주식회사 에스에프에이 오토 트레이 패킹 시스템
KR101939567B1 (ko) 2017-05-24 2019-01-17 주식회사 에스에프에이 오토 트레이 패킹 시스템
KR101939566B1 (ko) 2017-05-24 2019-01-17 주식회사 에스에프에이 배큠 패킹 장치
CN108460191B (zh) * 2018-02-06 2021-02-02 南通大学 基于质量功能展开的机床横梁设计方案的优选方法
US10923166B2 (en) 2018-02-27 2021-02-16 SK Hynix Inc. Semiconductor devices performing a write leveling training operation and semiconductor systems including the semiconductor devices
US11232820B2 (en) * 2018-02-27 2022-01-25 SK Hynix Inc. Semiconductor devices performing a write leveling training operation and semiconductor systems including the semiconductor devices
CN112947996B (zh) * 2021-05-14 2021-08-27 南京芯驰半导体科技有限公司 基于虚拟映射的片外非易失性存储器动态装载系统及方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04326138A (ja) * 1991-04-25 1992-11-16 Fujitsu Ltd 高速メモリｉｃ
JPH06187777A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Hitachi Ltd シリアルアクセスメモリ
US5430687A (en) * 1994-04-01 1995-07-04 Xilinx, Inc. Programmable logic device including a parallel input device for loading memory cells
KR0170296B1 (ko) 1995-09-19 1999-03-30 김광호 비휘발성 메모리소자
JP2817685B2 (ja) * 1995-11-29 1998-10-30 日本電気株式会社 半導体メモリ
US6097323A (en) * 1997-05-21 2000-08-01 Fujitsu Limited Serial/parallel converter using holding and latch flip-flops
US6359946B1 (en) * 1998-09-23 2002-03-19 National Instruments Corp. Clock synchronization for asynchronous data transmission
US6341326B1 (en) * 1998-12-23 2002-01-22 Intel Corporation Method and apparatus for data capture using latches, delays, parallelism, and synchronization
JP2001006396A (ja) * 1999-06-16 2001-01-12 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JP4282170B2 (ja) * 1999-07-29 2009-06-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4683690B2 (ja) * 1999-11-05 2011-05-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4083944B2 (ja) * 1999-12-13 2008-04-30 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US6445642B2 (en) * 1999-12-16 2002-09-03 Nec Corporation Synchronous double data rate DRAM
JP4768163B2 (ja) * 2001-08-03 2011-09-07 富士通セミコンダクター株式会社 半導体メモリ
US6898648B2 (en) * 2002-02-21 2005-05-24 Micron Technology, Inc. Memory bus polarity indicator system and method for reducing the affects of simultaneous switching outputs (SSO) on memory bus timing

Also Published As

Publication number Publication date
DE10307912A1 (de) 2003-12-04
JP4434619B2 (ja) 2010-03-17
US20030217225A1 (en) 2003-11-20
CN100505091C (zh) 2009-06-24
CN1458662A (zh) 2003-11-26
KR100496857B1 (ko) 2005-06-22
TW200307951A (en) 2003-12-16
JP2003345647A (ja) 2003-12-05
TW594785B (en) 2004-06-21
DE10307912B4 (de) 2008-09-25
CN1637935A (zh) 2005-07-13
US7200069B2 (en) 2007-04-03
KR20030089181A (ko) 2003-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1291442C (zh) 用于阴极射线管的面板
CN1104736C (zh) 阴极射线管的玻璃真空管壳和阴极射线管
CN1193400C (zh) 平面彩色阴极射线管
CN1146952C (zh) 用于阴极射线管的玻锥和阴极射线管
CN1296961C (zh) 用于阴极射线管中的平板
US6812633B2 (en) Panel for use in a cathode ray tube
CN1291443C (zh) 用于阴极射线管中的平板
CN1225002C (zh) 阴极射线管的漏斗状结构
CN1427444A (zh) 平板式彩色阴极射线管
CN1275286C (zh) 用于阴极射线管中的模压类型平板
CN1397981A (zh) 阴极射线管用玻锥和阴极射线管
CN1134813C (zh) 阴极射线管及其制造方法
CN1267962C (zh) 彩色阴极射线管
CN1248284C (zh) 阴极射线管用锥体
CN1261968C (zh) 平面式阴极射线管的屏板结构
CN1251277C (zh) 用于阴极射线管的平板
CN1272827C (zh) 阴极射线管用玻璃管颈管及其制造方法
CN1209786C (zh) 阴极射线管用玻璃锥及阴极射线管用玻璃壳
CN1666310A (zh) 阴极射线管的玻璃面板
CN1234135A (zh) 防爆阴极射线管管泡
CN1632904A (zh) 用于阴极射线管的扁平玻锥
CN1577711A (zh) 彩色阴极射线管
CN1716509A (zh) 玻璃面板及包括该玻璃面板的阴极射线管
CN1797680A (zh) 阴极射线管用真空玻壳
CN1797681A (zh) 用于阴极射线管的玻锥

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SAMSUNG CORNING PRECISION GLASS CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: SAMSUNG CORNING CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: South Korea Gyeongbuk Gumi

Patentee after: Samsung Corning Precision Glass

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Corning Co., Ltd.

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20061220

Termination date: 20100516