CN1309078C - 铁电电容元件 - Google Patents

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Abstract

一种铁电电容元件，由下部电极、铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极构成的铁电电容元件中的铁电膜具有：由Bi2O2构成的多个氧化铋层21、和由至少一个第1层(22)及至少一个第2层(23)构成的多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。第1层(22)由BO4(其中，B是5价的金属)构成，第2层(23)由(A1-xBi2x/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成。由此，在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中，可防止因泄漏电流增加和耐压降低造成的不良现象的发生。

Description

铁电电容元件
技术领域
本发明涉及将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件。
背景技术
近年来，伴随着数字技术的发展，在推进处理及保存大容量数据的趋势中，电子设备更加高密度化，电子设备中所使用的半导体集成电路装置的大集成化及半导体元件的微细化获得了急速的发展。
而且，为了实现动态RAM(Random Access Memory)的高集成化，广泛研究开发了将具有高介电常数的电介质(以下称为“高电介质”)作为存储电容元件的电容膜来使用的技术，作以代替现有的硅氧化物或硅氮化物。
而且，目前将可以在低电压下进行工作且高速进行写入和读出的非易失性随机存取存储器RAM的实用化作为目标，盛行有关具有自发极化特性的铁电膜的研究开发。
就非易失性RAM中所使用的铁电膜来说，具有反复写入耐久性优异且可以进行低电压工作的铋层状结构的铁电膜是有希望的。一般来说，铋层状结构用下述的化学式(a)来表示。
(Bi2O2)(Am-1BmO3m+1)…………(a)
(其中，m是1以上的整数，A是1价、2价或3价的金属，B是4价、5价或6价的金属。)
就该铁电膜来说，氧化铋层(Bi2O2)和类钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)交互叠层。
在具有铋层状结构的一组材料中，特别是，被称为“SBT”的材料常常被用于非易失性存储器中。
SBT是，在(a)式中m为2、A为2价的Sr、B为5价的Ta的化合物，即用下述的化学式(b)表示的(以下将该化合物称为“通常型”)。
(Bi2O2)(SrTa2O7)…………(b)
并且，如图15所示，叠层结构是氧化铋层101和m＝2的类钙钛矿层102交互地叠层的结构。
如图16所示，氧化铋层101(化学式：Bi2O2)具有四角锥相连且又平面地扩展的结构，铋111存在于四角锥的顶点，并且氧112存在于四角锥的底面的各顶点。
并且，如图17所示，m＝2的类钙钛矿层102(化学式：SrTa2O7)具有氧八面体纵向2个重叠并进行2维扩展的层状结构。钽113存在于作为氧八面体中心的B点，并且氧112存在于氧八面体的各顶点。并且，锶114存在于作为氧八面体所围住的空间的A点。
SBT所要求的，第1个课题是自发极化量的提高，第2个课题是泄漏电流的抑制及耐压的提高。就第1个课题的提高自发极化量的方法来说，提出了下面的2个结晶结构(混合叠层化超晶格型和A点Bi置换型)。
(1)混合叠层化超晶格型层状结构(第1现有例)
在Azuma的USP5,955,754中公开了混合叠层化超晶格型层状结构。虽然在该美国专利公报中用很大篇幅记述了层状结构的整体，但在此按照本申请的宗旨说明将层状结构应用于SBT中的情况。混合叠层化超晶格型层状结构(一般不这样称呼，但为了方便与其它区别，则使用该称呼)，如图18所示，在氧化铋层101彼此之间，存在有m＝2的类钙钛矿层102或m＝1的类钙钛矿层103之中的任一个。若将作为m＝2的类钙钛矿层102的存在概率设为δ(0＜δ＜1)，则作为m＝1的类钙钛矿层103的存在概率为1-δ。
m＝1的类钙钛矿层103用化学式TaO4表示，如图19所示，是以钽113为中心的氧八面体的单层进行2维扩展的层状结构。钽113存在于作为氧八面体中心的B点，并且氧112存在于氧八面体的各顶点。而且，若严格地进行价数计算，化学式为TaO7/2，由于形成图19所示的结构，所以氧的数不足。不足的氧的部分成为空穴。
混合叠层化超晶格的特征是，与通常的结构相比，低熔点的铋量存在很多，因此，结晶粒容易大幅度地成长，可以提高自发极化特征。
(2)A点Bi置换型层状结构(第2现有例)
在Atsugi的特开平9-213905号公报中公开了A点Bi置换型层状结构，用下述的化学式(c)表示。
(Bi2O2)[(Sr1-xBix)Ta2O7]…………(c)
如图15所示，A点Bi置换型层状结构是氧化铋层101和m＝2的类钙钛矿层102交互地叠层的结构。
氧化铋层101，用化学式：Bi2O2来表示，与通常型相同，具有图16所示的结构。
m＝2的类钙钛矿层102，用化学式：(Sr1-xBix)Ta2O7来表示，具有图20所示的结构。图20所示的结构与图17所示的结构相类似，钽113存在于作为氧八面体的中心的B点，并且氧112存在于氧八面体的各顶点。另一方面，对于A点115，Sr占有的概率为(1-x)、且Bi占有的概率为x，在这一点上，与图17所示的结构不同。对于通常型来说，全部是Sr占有A点115，相对于此，对于A点Bi置换型来说，由Bi置换A点115的Sr的概率为x。
在最近的研究中，确认了在A点115中有空穴产生。其理由是，由于由3价的Bi置换2价的Sr，而为了满足电中性原则，所以应该有空穴产生。此时，(b)成为下述的(d)式
(Bi2O2)[(Sr1-xBi2x/3)Ta2O7]…………(d)
就A点Bi置换型来说，m＝2的类钙钛矿层102，用化学式(Sr1-xBi2x/3)Ta2O7来表示，对于图20中的A点，Sr占有的概率为(1-x)，Bi占有的概率为(2x/3)，空穴占有的概率为(x/3)。
A点Bi置换型的特征是，由于占有A点115的Sr2+被离子半径小的Bi3+置换，所以晶格的倾斜变大，从而自发极化量也变大。并且，与混合叠层化超晶格型相同，与通常型相比，由于低熔点的Bi存在得很多，所以结晶粒容易大幅度地成长，可以提高自发极化特征。
因此，根据以上所述的第1现有例和第2现有例，可以解决作为SBT所要求的第1课题的自发极化量。
但是，在第1现有例和第2现有例中，不能完成SBT所要求的第2课题即降低泄漏电流和提高耐压。
其理由是，在第1及第2现有的结构中，在结晶颗粒表面和电极表面产生析出物。即，在第1现有例的混合叠层化超晶格型层状结构中，产生Bi的析出，在第2现有例的A点Bi置换型层状结构中，产生BiTaO4的析出。这些析出物，在结晶颗粒表面成为泄漏通路，由此泄漏电流增大，并且，由于电极表面的肖脱基障壁的降低，导致耐压的降低。
这样一来，由于第1及第2现有例使用了容易产生泄漏电流增加或者耐压劣化的铁电膜，所以存在着不能获得具有实用化所需要的可靠性的电容元件这一问题。
发明内容
鉴于以上所述问题的存在，本发明的目的在于，在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中，防止因泄漏电流增加和耐压下降造成的不良现象的发生。
为了达到以上所述目的，本发明通过采用混合叠层化超晶格型和A点Bi置换型相组合的结构，来实现具有不产生析出物的铋层状结构的铁电膜。
具体地说，本发明的第1铁电电容元件，其特征是，以包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极的铁电电容元件为前提，铁电膜具有多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构，多个氧化铋层由Bi2O2构成，多个类钙钛矿层用由Am-1BmO3m+α(其中，A是1价、2价或3价的金属，B是4价、5价或6价的金属，m是1以上的整数，在m为2以上的整数时，A之中的至少一个为Bi，α满足条件0≤α≤1。)构成的通式(1)来表示、且由m值相互不同的2种以上的层构成。
根据第1铁电电容元件，可以获得具有不产生析出物的铋层状结构的铁电膜来作为电容绝缘膜，因此，可以防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。
本发明的第2铁电电容元件，其特征是，以包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极的铁电电容元件为前提，铁电膜具有多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构，多个氧化铋层由Bi2O2构成，多个类钙钛矿层由：用BO3+α(其中，B是4价、5价或6价的金属，α满足条件0≤α≤1。)构成的通式(2)来表示的至少一个第1层；和用Am-1BmO3m+1(其中，A是1价、2价或3价的金属，m是2以上的整数，A之中的至少一个为Bi)构成的通式(3)来表示的至少一个第2层来构成。
根据第2铁电电容元件，可以获得具有不产生析出物的铋层状结构的铁电膜来作为电容绝缘膜，因此，可以防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。
本发明的第3铁电电容元件，其特征是，以包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极的铁电电容元件为前提，铁电膜具有多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构，多个氧化铋层由Bi2O2构成，多个类钙钛矿层由：用BO7/2(其中，B是5价的金属。)构成的通式(4)来表示的至少一个第1层；和用(A1-xBi2x/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成的通式(5)来表示的至少一个第2层来构成。
根据第3铁电电容元件，可以获得具有不产生析出物的铋层状结构的铁电膜来作为电容绝缘膜，因此，可以防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。
在第3铁电电容元件的通式(4)和通式(5)中，优选A为Sr，B为Ta1-yNby(其中，0≤y≤1)。
这样一来，由于使用抗疲劳特性优异的铁电膜来作为电容绝缘膜，所以可以实现反复写入耐久性优异的铁电电容元件。
在第3铁电电容元件的多个类钙钛矿层中，第1层占有的比率优选为，比0大且比0.3小，在通式(5)中，x满足条件0＜x＜0.3。
这样一来，由于可以近乎完全地抑制析出物的发生，所以可以确实地防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。
本发明的第4铁电电容元件，其特征是，以包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极的铁电电容元件为前提，铁电膜具有多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构，多个氧化铋层由Bi2O2构成，多个类钙钛矿层由：用B1O7/2(其中，B1是5价的金属。)构成的通式(6)来表示的至少一个第1层；和用(A1-xBix)(B1 2-xB2 xO7)(其中，A是2价的金属，B1是5价的金属，B2是4价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成的通式(7)来表示的至少一个第2层来构成。
根据第4铁电电容元件，可以获得具有不产生析出物的铋层状结构的铁电膜来作为电容绝缘膜，因此，可以防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。另外，由于可以抑制A点的空穴的发生，所以可以防止反复写入耐久性等的可靠性的劣化。
在第4铁电电容元件的通式(6)和通式(7)中，优选A为Sr，B1为Ta1-yNby(其中，0≤y≤1)，B2为Ti。
这样一来，由于使用抗疲劳特性优异的铁电膜来作为电容绝缘膜，所以可以实现反复写入耐久性优异的铁电电容元件。
在第4铁电电容元件的多个类钙钛矿层中，第1层占有的比率优选为，比0大且比0.3小，在通式(7)中，x满足条件0＜x＜0.3。
这样一来，由于可以近乎完全地抑制析出物的发生，所以可以防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。
本发明的第5铁电电容元件，其特征是，以包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极的铁电电容元件为前提，铁电膜具有多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构，多个氧化铋层由Bi2O2构成，多个类钙钛矿层由：用BO3(其中，B是4价的金属。)构成的通式(8)来表示的至少一个第1层；和用(A1-xBix)2B3O10(其中，A是3价的金属，B是4价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成的通式(9)来表示的至少一个第2层来构成。
根据第5铁电电容元件，可以获得具有不产生析出物的铋层状结构的铁电膜来作为电容绝缘膜，因此，可以防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。
在第5铁电电容元件的通式(8)和通式(9)中，优选A为La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu的镧系元素，B为Ti。
这样一来，由于可以获得抗疲劳特性优异的铁电膜，所以可以实现反复写入耐久性优异的铁电电容元件。
在第5铁电电容元件的多个类钙钛矿层中，第1层所示的比率优选为，比0大且比0.3小。
这样一来，由于可以近乎完全地抑制析出物的发生，所以可以防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。
本发明的第6铁电电容元件，其特征是，以包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极的铁电电容元件为前提，铁电膜具有多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构，多个氧化铋层由Bi2O2构成，多个类钙钛矿层由：用(A1-xBix)B2O7(其中，A是3价的金属，B是4价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成的通式(10)来表示的至少一个第1层；和用(A1-xBix)2B3O10(其中，A是3价的金属，B是4价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成的通式(11)来表示的至少一个第2层来构成。
根据第6铁电电容元件，可以获得具有不产生析出物的铋层状结构的铁电膜来作为电容绝缘膜，因此，可以防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。
在第6铁电电容元件的通式(10)和通式(11)中，优选A为La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu的镧系元素，B为Ti。
这样一来，由于可以获得抗疲劳特性优异的铁电膜，所以可以实现反复写入耐久性优异的铁电电容元件。
在第6铁电电容元件的多个类钙钛矿层中，第1层所示的比率优选为，比0大且比0.3小。
这样一来，由于可以近乎完全地抑制析出物的发生，所以可以防止因铁电电容元件的泄漏电流增加或耐压降低造成的不良现象。
附图说明
图1是本发明的各实施方式的铁电电容元件的剖视图。
图2是表示本发明的各实施方式中的构成铁电电容元件的铁电膜的叠层结构的剖视图。
图3是表示第1～第4实施方式中的构成铁电电容元件的铁电膜的氧化铋层的结晶结构的模式图。
图4是表示第1或第2实施方式中的构成铁电电容元件的铁电膜的类钙钛矿层的第1层的结晶结构的模式图。
图5是表示第1或第2实施方式中的构成铁电电容元件的铁电膜的类钙钛矿层的第2层的结晶结构的模式图。
图6是表示第3实施方式中的构成铁电电容元件的铁电膜的类钙钛矿层的第1层的结晶结构的模式图。
图7是表示第3实施方式中的构成铁电电容元件的铁电膜的类钙钛矿层的第2层的结晶结构的模式图。
图8是表示第4实施方式中的构成铁电电容元件的铁电膜的类钙钛矿层的第1层的结晶结构的模式图。
图9是表示第4实施方式中的构成铁电电容元件的铁电膜的类钙钛矿层的第2层的结晶结构的模式图。
图10(a)～(c)是说明第1实施方式的铁电电容元件对于组成变动的宽容性增大的理由的模式图。
图11是表示第1实施方式的铁电电容元件中的、铋的量及锶的量与残留极化量的关系的图。
图12是表示第1实施方式的铁电电容元件中的、铋的量及锶的量与不产生析出物的区域的关系的图。
图13(a)～(c)是说明第3实施方式的铁电电容元件对于组成变动的宽容性增大的理由的模式图。
图14(a)～(c)是说明第4实施方式的铁电电容元件对于组成变动的宽容性增大的理由的模式图。
图15是表示第1和第2现有例中的成为构成铁电电容元件的铁电膜的前提的铋层状结构的剖视图。
图16是表示第1和第2现有例中的构成铁电电容元件的铁电膜的氧化铋层的结晶结构的模式图。
图17是表示第1现有例中的构成铁电电容元件的铁电膜的m＝2的类钙钛矿层的结晶结构的模式图。
图18是表示第1现有例中的构成铁电电容元件的铁电膜的叠层结构的剖视图。
图19是表示第1现有例中的构成铁电电容元件的铁电膜的m＝1的类钙钛矿层的结晶结构的模式图。
图20是表示第2现有例中的构成铁电电容元件的铁电膜的m＝2的类钙钛矿层的结晶结构的模式图。
下面简要说明附图符号
10半导体基板，11杂质扩散层，12栅电极，13场效应晶体管，14层间绝缘膜，15接触插塞，16下部电极，17隔板，18电容绝缘膜，19上部电极，20电容元件，21氧化铋层，22第1层，23第2层，31、31a、31b、31c铋，32氧，33、33a钽，34锶，35A点，36、36a钛，37镧。
具体实施方式
下面，参照图1说明本发明的各实施方式的铁电电容元件的剖面结构。
如图1所示，在半导体基板10的表面部形成有作为源极区域或漏极区域的杂质扩散层11的同时，借助于栅极绝缘膜在半导体基板10上形成有栅电极12，由这些杂质扩散层11和栅电极12构成场效应晶体管13。
在半导体基板10上，以覆盖场效应晶体管13的方式堆积有层间绝缘膜14，在该层间绝缘膜14，埋入有下端与杂质扩散层11相连接的由钨构成的接触插塞15。
在层间绝缘膜14上，形成有与接触插塞15的上端相连接的下部电极16，该下部电极16由自上部开始顺序形成的Pt层(膜厚：50nm)、IrO2层(膜厚：50nm)、Ir层(膜厚：100nm)和TiAlN层(膜厚：40nm)构成。
层间绝缘膜14上的未形成有下部电极16的区域被由硅氧化膜构成的隔板17覆盖。
在下部电极16的全面和隔板17中的下部电极16的周缘部上形成有由具有100nm的膜厚铁电膜构成的电容绝缘膜18，在该电容绝缘膜18上形成有由Pt构成的上部电极19，由下部电极16、电容绝缘膜18和上部电极19构成电容元件20。
而且，通过场效应晶体管13作为存取晶体管，同时电容元件20作为数据存储电容元件，可以构成永久存储器。
(第1实施方式)
以下，对于第1实施方式的铁电电容元件加以说明，但就第1实施方式来说，由于构成电容绝缘膜18的铁电膜具有特征，所以以下只说明铁电膜的结构。
构成第1实施方式的铁电电容元件的电容绝缘膜18的铁电膜具有图2所示叠层结构，具有多个氧化铋层21和由至少一个第1层22及至少一个第2层23构成的多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。
多个氧化铋层21由Bi2O2构成，如图3所示，具有四角锥相连且又平面地扩展的结构，铋31存在于四角锥的顶点，并且氧32存在于四角锥的底面的各顶点。该结构与图16所示的结构相同。
多个类钙钛矿层由以BO7/2(其中，B是5价的金属)表示的至少一个第1层22、和以(A1-XBi2X/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，0＜X＜1)表示的至少一个第2层23构成。
即，在氧化铋层21彼此之间存在有作为m＝2的类钙钛矿层的第2层23或作为m＝1的类钙钛矿层的第1层22之中的任意一个。而且，若将作为m＝2的类钙钛矿层的第2层23的存在概率设为δ(0＜δ＜1)，则作为m＝1的类钙钛矿层的第1层22的存在概率为1-δ。
作为第1层22的m＝1的类钙钛矿层例如用化学式TaO4表示，如图4所示，具有以钽33为中心的氧八面体的单层进行2维扩展的层状结构。钽33存在于作为氧八面体中心的B点，并且氧32存在于氧八面体的各顶点。而且，若严格地进行价数计算，化学式为TaO7/2，由于形成图4所示的结构，所以氧的数不足。不足的氧的部分成为空穴。
作为第2层23的m＝2的类钙钛矿层例如用化学式(Sr1-XBi2X/3)Ta2O7表示，如图5所示，具有氧八面体纵向2个重叠并进行2维扩展的层状结构。钽33存在于作为氧八面体中心的B点，并且氧32存在于氧八面体的各顶点。另一方面，就作为氧八面体所围住的空间的A点35来说，Sr占有的概率为(1-x)，Bi占有的概率为(2x/3)，空穴占有的概率为(x/3)。
如上所述，第1实施方式和第1现有例相比，作为第2层23的m＝2的类钙钛矿层中的A点的结构不同。
而且，就作为第2层23的m＝2的类钙钛矿层来说，Ca或Ba可以代替Sr占领A点35，并且Sr、Ca和Ba也可以以任意比率混合存在。并且，Nb或V可以代替Ta占领B点，并且Ta、Nb和V也可以以任意比率混合存在。在B点，通常更多的是使用Ta1-yNby(0≤y≤1)。
与通常型相比，第1实施方式的第1特征在于低熔点的Bi的比率较多。因此，由于在形成铁电膜时粒径较大，所以可以增大自发极化量。
第1实施方式的第2特征在于，由于针对组成变动的宽容性变大，所以难以生成析出物。
以下，根据第1实施方式，参照图10(a)～(c)说明针对组成变动的宽容性增大的理由。而且，图10(a)～(c)是从平行于层的方向看第1实施方式的铁电膜的铋层状结晶结构时的剖面模式图。并且，在图10(a)～(c)中，以正方形表示氧八面体，以粗实线表示铋氧化层。并且，将铋31、钽33和锶34的数目之比等同于组成比。为了简单化而省略氧。
以下，说明铋过剩1个的情况。
如图10(a)所示，若过剩1个铋31a，如图10(b)所示，在构成第2层23的m＝2的类钙钛矿层中，A点的1个铋31b和B点的2个钽33a分解的同时，在氧化铋层21中，2个铋31c分解。
其次，如图10(c)所示，由于2个钽33a的作用，在构成第1层22的m＝1的类钙钛矿层形成的同时，由于4个铋31a、31b、31c的作用，形成新的氧化铋层21。这样一来，过剩的铋31a被吸收到层状结构中。
另一方面，在铋不足时，从图10(c)的状态，经由图10(b)所示的状态，形成图10(a)所示的状态(但，不是过剩1个铋31a的状态)，因此，A点的1个铋31b被放出去。这样一来，可补偿铋的不足量。
因此，即使铋的过剩或不足的状态发生，并引起铋的组成变动，但由于进行了铋的吸收或放出的作用，所以可以抑制铋的析出。
而且，锶34过剩时，A点的铋31b被置换为锶34之后，从图10(a)的状态，经由图10(b)的状态，变化为图10(c)的状态，过剩的锶34被吸收到层状结构中。即，过剩的锶34和通过置换获得的锶34形成第1层22。另一方面，在锶34不足时，从图10(c)的状态，经由图10(b)的状态，变化为图10(a)的状态之后，产生的铋31b被置换为锶34。这样一来，可补偿锶34的不足量。
然而，参照图10(a)～(c)说明的作用是因为第1实施方式的铁电膜的结晶结构具有A点Bi置换型层状结构和混合叠层超晶格型层状结构这两方面的特征。例如，在只有A点Bi置换型层状结构时，若铋不足，容量发生BiTaO4的析出。另外，在只有混合叠层超晶格型层状结构时，若铋过剩，容量发生铋的析出。
与此相应，根据第1实施方式，构成铁电膜，即使铋、锶或钽过剩或不足，由于层状结构进行变化，补偿过剩或不足，不产生析出物，所以不会引起泄漏电流的增大或耐压的劣化。
为了确认第1实施方式的效果，试验性地制作了铁电电容元件，并进行了评价。作为铁电膜的成膜法，使用有机金属热分解法。而且，就组成情况来说，通过使加入到溶液中的构成金属的加入量变化来进行。另外，就热处理来说，使用急速加热法，在800℃的温度下进行1分钟。这样一来，通过缩短热处理时间，可以避免因铋的蒸发造成的组成变动。
图11表示铋的量及锶的量、和残留极化量2Pr(μC/cm3)的关系。而且，在图11中，将钽比固定为2，使铋的量和锶的量变化。在图11中，区域A表示2Pr为6～8(μC/cm3)的区域，区域B表示2Pr为8～10(μC/cm3)的区域，区域C表示2Pr为10～12(μC/cm3)的区域，区域D表示2Pr为12～14(μC/cm3)的区域。
由图11可知，若增大铋相对于锶之比，则2Pr增大，其理由之一是因为铋与锶相比，铋的熔点低并且粒径较大。并且可知，若进一步增大铋相对于锶之比，则2Pr减小。这是铁电膜进行c轴定向的结果。
图12表示铋的量及锶的量、和不产生析出物的区域的关系。而且，在图12中，将钽比固定为2，使铋的量和锶的量变化。
在图12中，直线a上侧的区域X是第1现有例的区域，即Bi2O3析出的区域，直线b下侧的区域Y是第2现有例的区域，即BiTaO4的区域。因此，区域X和区域Y是析出物生成且泄漏电流增大、耐压劣化的区域。
与此相反，直线a和直线b之间的区域、即第1实施方式的区域是不产生析出物、可抑制泄漏电流的区域。
以下，参照图11和图12说明在第1实施方式中更优选满足条件0＜x＜0.3和0＜δ＜0.3的理由。
可以说，图11所示的结果即2Pr是尽可能大的区域，并且图12所示的结果即泄漏电流不产生的区域，也就是说认为图11中最好的区域和认为图12中最好的区域重复且考虑边缘的区域，也就是说用点划线表示的区域E是最好的区域。
在图12中，直线a和直线b的交点的意思是指，在表示第1现有例的化学式(Bi2O2)[δ(TaO4)·(1-δ)(SrTa2O7)]中δ＝0、同时在表示第2现有例的化学式(Bi2O2)[(Sr1-xBi2x/3)Ta2O7]中x＝0的情况。即，意思是指Sr＝1且Bi＝2的点。
在图12中，直线a和直线d的交点的意思是指，在表示第1现有例的化学式(Bi2O2)[δ(TaO4)·(1-δ)(SrTa2O7)]中δ0.3时、即Sr＝0.82且Bi＝2.35的点。
在图12中，直线b和直线c的交点的意思是指，在表示第2现有例的化学式(Bi2O2)[(Sr1-xBi2x/3)Ta2O7]中x＝0.3时、即Sr＝0.7且Bi＝2.2的点。
根据以上结果，可以说，在第1实施方式中，满足条件0＜x＜0.3和0＜δ＜0.3的区域Z规定为最好的区域E。
(第2实施方式)
以下，对于第2实施方式的铁电电容元件加以说明，但由于第2实施方式在构成电容元件20的电容绝缘膜18的铁电膜中也具有特征，所以以下只说明铁电膜的结构。
构成第1实施方式的铁电电容元件的电容绝缘膜18的铁电膜具有图2所示叠层结构，具有多个氧化铋层21和由至少一个第1层22及至少一个第2层23构成的多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。
多个氧化铋层21由Bi2O2构成，如图3所示，具有四角锥相连且又平面地扩展的结构，铋31存在于四角锥的顶点，并且氧32存在于四角锥的底面的各顶点。该结构与图16所示的结构相同。
多个类钙钛矿层由以B1O7/2(其中，B1是5价的金属)表示的至少一个第1层22、和以(A1-XBiX)B1 2-xB2 xO7(其中，A是2价的金属，B1是5价的金属，B2是4价金属，0＜X＜1)表示的至少一个第2层23构成。
即，在氧化铋层21彼此之间存在有作为m＝2的类钙钛矿层的第2层23或作为m＝1的类钙钛矿层的第1层22之中的任意一个。而且，若将作为m＝2的类钙钛矿层的第2层23的存在概率设为δ(0＜δ＜1)，则作为m＝1的类钙钛矿层的第1层22的存在概率为1-δ。
作为第1层22的m＝1的类钙钛矿层例如用化学式TaO4表示，如图4所示，具有以钽33为中心的氧八面体的单层进行2维扩展的层状结构。钽33存在于作为氧八面体中心的B点，并且氧32存在于氧八面体的各顶点。而且，若严格地进行价数计算，化学式为TaO7/2，由于形成图4所示的结构，所以氧的数不足。不足的氧的部分成为空穴。第1层22的结构与图19所示的结构相同。
作为第2层23的m＝2的类钙钛矿层例如用化学式(Sr1-xBiX)(Ta2-xTix)O7表示，如图5所示，具有氧八面体纵向2个重叠并进行2维扩展的层状结构。作为氧八面体中心的B点，Ta占有的概率为((2-x)/2)，Ti占有概率为(x/2)。氧32存在于氧八面体的各顶点。另一方面，就作为氧八面体所围住的空间的A点35来说，Sr占有的概率为(1-x)，Bi占有的概率为(x)。在此，重要的是A点的Bi和B点Ti只存在相同的量。
而且，就作为第2层23的m＝2的类钙钛矿层来说，Ca或Ba可以代替Sr占领A点35，并且Sr、Ca和Ba也可以以任意比率混合存在。并且，Nb或V可以代替Ta占领B点，并且Ta、Nb和V也可以以任意比率混合存在。在B点，通常更多的是使用Ta1-yNby(0≤y≤1)。
并且，也可以使用Zr或Hf代替Ti。
与第1实施方式相同，与通常型相比，第2实施方式的第1特征在于低熔点的Bi的比率较多。因此，由于在形成铁电膜时粒径较大，所以可以增大自发极化量。
第2实施方式的第2特征在于，由于针对组成变动的宽容性变大，所以难以生成析出物。其原理与第1实施方式相同。
第2实施方式的第3特征在于，与第1实施方式不同，在作为第2层23的m＝2的类钙钛矿层的A点不产生空穴。其理由是，与在A点用3价的Bi置换2价的Sr的量相同，在B点等量将5价的Ta置换为4价的Ti，并因为电中性原则决定，所以不会产生空穴。由于存在于A点的空穴成为使耐久性或痕迹等膜的可靠性劣化的主要原因，所以通过抑制空穴的发生可以提高可靠性。
因此，根据第2实施方式，可以增大自发极化量，而不会产生泄漏电流增大、耐压劣化和可靠性降低的现象。
(第3实施方式)
以下，对于第3实施方式的铁电电容元件加以说明，但就第3实施方式来说，由于构成电容绝缘膜18的铁电膜具有特征，所以以下只说明铁电膜的结构。
构成第3实施方式的铁电电容元件的电容绝缘膜18的铁电膜具有图2所示叠层结构，具有多个氧化铋层21和由至少一个第1层22及至少一个第2层23构成的多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。
多个氧化铋层21由Bi2O2构成，如图3所示，具有四角锥相连且又平面地扩展的结构，铋31存在于四角锥的顶点，并且氧32存在于四角锥的底面的各顶点。该结构与图16所示的结构相同。
多个类钙钛矿层由以BO3(其中，B是4价的金属)表示的至少一个第1层22、和以(A1-XBiX)2B3O10(其中，A是3价的金属，B是4价的金属，x满足条件0＜X＜1)表示的至少一个第2层23构成。
即，在氧化铋层21彼此之间存在有作为m＝3的类钙钛矿层的第2层23或作为m＝1的类钙钛矿层的第1层22之中的任意一个。而且，若将作为m＝3的类钙钛矿层的第2层23的存在概率设为δ(0＜δ＜1)，则作为m＝1的类钙钛矿层的第1层22的存在概率为1-δ。
作为第1层22的m＝1的类钙钛矿层例如用化学式TaO4表示，如图6所示，具有以钛36为中心的氧八面体的单层进行2维扩展的层状结构。钛36存在于作为氧八面体中心的B点，并且氧32存在于氧八面体的各顶点。而且，若严格地进行价数计算，化学式为TaO3，由于形成图6所示的结构，所以氧的数不足。不足的氧的部分成为空穴。
作为第2层23的m＝3的类钙钛矿层例如用化学式(La1-XBiX)2Ti3O10表示，如图7所示，具有氧八面体纵向3个重叠并进行2维扩展的层状结构。钛36存在于作为氧八面体中心的B点，并且氧32存在于氧八面体的各顶点。另一方面，就作为氧八面体所围住的空间的A点35来说，La占有的概率为(1-x)，Bi占有的概率为x。
然而，就表示Bi和La的比率x来说，若处于0.5＜x＜0.75的范围内，则由于与其它的范围相比，2Pr值较大，所以优选，若x0.625，则由于2Pr值为极大，所以特别优选。
而且，就作为第2层23的m＝3的类钙钛矿层来说，Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu的镧系元素可以代替La占领A点35，并且这些镧系元素也可以以任意比率混合存在。并且，Zr或Hf可以代替Ti占领B点，并且Ti、Zi和Hf也可以以任意比率混合存在。
以下，根据第3实施方式，参照图13(a)～(c)说明针对组成变动的宽容性增大的理由。而且，图13(a)～(c)是从平行于层的方向看第3实施方式的铁电膜的铋层状结晶结构时的剖面模式图。并且，在图13(a)～(c)中，以正方形表示氧八面体，以粗实线表示铋氧化层。并且，将铋31、钛36和镧37的数目之比等同于组成比。为了简单化而省略氧。
以下，说明铋过剩2个的情况。
如图13(a)所示，若过剩2个铋31a，如图13(b)所示，在构成第2层23的m＝2的类钙钛矿层中，A点的2个铋31b和B点的3个钛36a分解的同时，在氧化铋层21中，2个铋31c分解。
其次，如图13(c)所示，由于3个钛36a的作用，在构成第1层22的m＝1的类钙钛矿层形成的同时，由于6个铋31a、31b、31c的作用，形成新的氧化铋层21。这样一来，过剩2个的铋31a被吸收到层状结构中。
另一方面，在铋不足时，从图13(c)的状态，经由图13(b)所示的状态，形成图13(a)所示的状态(但，不是过剩2个铋31a的状态)，因此，A点的2个铋31b被放出去。这样一来，可补偿铋的不足量。
因此，即使铋的过剩或不足的状态发生，并引起铋的组成变动，但由于进行了铋的吸收或放出的作用，所以可以抑制铋的析出。
而且，镧37过剩时，A点的铋31b被置换为镧37之后，从图13(a)的状态，经由图13(b)的状态，变化为图13(c)的状态，过剩的镧37被吸收到层状结构中。即，过剩的镧37和通过置换获得的镧37形成第1层22。另一方面，在镧37不足时，从图13(c)的状态，经由图13(b)的状态，变化为图13(a)的状态之后，产生的铋31b被置换为镧37。这样一来，可补偿镧37的不足量。
并且，所谓“钛36过剩”的意思是指铋31或镧37不足，所谓“钛36不足”的意思是指铋31或镧37过剩，因此，引起以上所述变化，来补偿钛36的过剩或不足。
(第4实施方式)
以下，对于第4实施方式的铁电电容元件加以说明，但就第4实施方式来说，由于构成电容绝缘膜18的铁电膜具有特征，所以以下只说明铁电膜的结构。
构成第4实施方式的铁电电容元件的电容绝缘膜18的铁电膜具有图2所示叠层结构，具有多个氧化铋层21和由至少一个第1层22及至少一个第2层23构成的多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。
多个氧化铋层21由Bi2O2构成，如图3所示，具有四角锥相连且又平面地扩展的结构，铋31存在于四角锥的顶点，并且氧32存在于四角锥的底面的各顶点。该结构与图16所示的结构相同。
多个类钙钛矿层由以(A1-xBix)B2O7(其中，A是3价的金属，B是4价的金属，x满足条件0＜X＜1)表示的至少一个第1层22、和以(A1-XBiX)2B3O10(其中，A是3价的金属，B是4价的金属，x满足条件0＜X＜1)表示的至少一个第2层23构成。
即，在氧化铋层21彼此之间存在有作为m＝3的类钙钛矿层的第2层23或作为m＝2的类钙钛矿层的第1层22之中的任意一个。而且，若将作为m＝3的类钙钛矿层的第2层23的存在概率设为δ(0＜δ＜1)，则作为m＝2的类钙钛矿层的第1层22的存在概率为1-δ。
作为第1层22的m＝2的类钙钛矿层例如用化学式(La1-xBix)Ti2O7表示，如图8所示，具有以钛36为中心的氧八面纵向重叠2层并进行2维扩展的层状结构。钛36存在于作为氧八面体中心的B点，并且氧32存在于氧八面体的各顶点。另一方面，对于氧八面体所围住的空间的A点35，La占有的概率为(1-x)，Bi占有的概率为x。
作为第2层23的m＝3的类钙钛矿层例如用化学式(La1-XBiX)2Ti3O10表示，如图9所示，具有以钛36为中心的氧八面体纵向3个重叠并进行2维扩展的层状结构。钛36存在于作为氧八面体中心的B点，并且氧32存在于氧八面体的各顶点。另一方面，对于作为氧八面体所围住的空间的A点35，La占有的概率为(1-x)，Bi占有的概率为x。
然而，就表示Bi和La的比率x来说，若处于0.5＜x＜0.75的范围内，则由于与其它的范围相比，2Pr值较大，所以优选，若x0.625，则由于2Pr值为极大，所以特别优选。
而且，就作为第2层23的m＝3的类钙钛矿层来说，Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu的镧系元素可以代替La占领A点35，并且这些镧系元素也可以以任意比率混合存在。并且，Zr或Hf可以代替Ti占领B点，并且Ti、Zi和Hf也可以以任意比率混合存在。
以下，根据第4实施方式，参照图14(a)～(c)说明针对组成变动的宽容性增大的理由。而且，图14(a)～(c)是从平行于层的方向看第4实施方式的铁电膜的铋层状结晶结构时的剖面模式图。并且，在图14(a)～(c)中，以正方形表示氧八面体，以粗实线表示铋氧化层。并且，将铋31、钛36和镧37的数目之比等同于组成比。为了简单化而省略氧。
以下，说明铋过剩1个的情况。
如图14(a)所示，若过剩1个铋31a，如图14(b)所示，在构成第2层23的m＝2的类钙钛矿层中，A点的3个铋31b及1个镧37a、和B点的6个钛36a分解的同时，在氧化铋层21中，4个铋31c分解。
其次，如图14(c)所示，由于6个钛36a、2个铋31b和1个镧37a的作用，在构成第1层22的m＝2的类钙钛矿层形成的同时，由于6个铋31a、31b、31c的作用，形成新的氧化铋层21。这样一来，过剩1个的铋31a被吸收到层状结构中。
另一方面，在铋不足时，从图14(c)的状态，经由图14(b)所示的状态，形成图14(a)所示的状态(但，不是过剩1个铋31a的状态)，因此，A点的2个铋31b被放出去。这样一来，可补偿铋的不足量。
因此，即使铋的过剩或不足的状态发生，并引起铋的组成变动，但由于进行了铋的吸收或放出的作用，所以可以抑制铋的析出。
而且，镧37过剩时，A点的铋31b被置换为镧37之后，从图14(a)的状态，经由图14(b)的状态，变化为图14(c)的状态，过剩的镧37被吸收到层状结构中。即，过剩的镧37和通过置换获得的镧37形成第1层22。另一方面，在镧37不足时，从图14(c)的状态，经由图14(b)的状态，变化为图14(a)的状态之后，产生的铋31b被置换为镧37。这样一来，可补偿镧37的不足量。
并且，所谓“钛36过剩”的意思是指铋31或镧37不足，所谓“钛36不足”的意思是指铋31或镧37过剩，因此，引起以上所述变化，来补偿钛36的过剩或不足。
发明效果
根据本发明的第1～第6铁电电容元件，由于可以获得具有不产生析出物的铋层状结构的铁电膜来作为电容绝缘膜，所以能够防止因铁电电容元件的泄漏电流的增加或耐压降低所导致的不良现象。

Claims (14)

1.一种铁电电容元件，包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于：
铁电膜具有由多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层而构成的铋层状结构；
多个氧化铋层由Bi2O2构成；
多个类钙钛矿层，包括：用通式(1)：Am-1BmO3m+α表示、且m值相互不同的2种或2种以上的层；其中，A是1价、2价或3价的金属，B是4价、5价或6价的金属，m是大于等于1的整数，当m为大于等于2的整数时，A中至少一个为Bi，0≤α≤1。
2.一种铁电电容元件，包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于：
铁电膜具有由多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层而构成的铋层状结构；
多个氧化铋层由Bi2O2构成；
多个类钙钛矿层，包括：用通式(2)：BO3+α表示的至少一个第1层，其中，B是4价、5价或6价的金属，0≤α≤1；和用通式(3)：Am-1BmO3m+1表示的至少一个第2层，其中，A是1价、2价或3价的金属，m为大于等于2的整数，A中至少一个为Bi。
3.一种铁电电容元件，包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于：
铁电膜具有由多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层而构成的铋层状结构；
多个氧化铋层由Bi2O2构成；
多个类钙钛矿层，包括：用通式(4)：BO7/2表示的至少一个第1层，其中，B是5价的金属；和用通式(5)：(A1-xBi2x/3)B2O7表示的至少一个第2层，其中，A是2价的金属，B是5价的金属，0＜x＜1。
4.根据权利要求3所述的铁电电容元件，其特征在于：
在通式(4)和通式(5)中，A为Sr，B为Ta1-yNby，其中，0≤y≤1。
5.根据权利要求3所述的铁电电容元件，其特征在于：
用通式BO7/2表示的第1层在多个类钙钛矿层中所占的比率比0大且比0.3小；
在通式(5)中，0＜x＜0.3。
6.一种铁电电容元件，包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于：
铁电膜具有由多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层而构成的铋层状结构；
多个氧化铋层由Bi2O2构成；
多个类钙钛矿层，包括：用通式(6)：B1O7/2表示的至少一个第1层，其中，B1是5价的金属；和用通式(7)：(A1-xBix)(B1 2-xB2 xO7)表示的至少一个第2层，其中，A是2价的金属，B1是5价的金属，B2是4价的金属，0＜x＜1。
7.根据权利要求6所述的铁电电容元件，其特征在于：
在通式(6)和通式(7)中，A为Sr，B1为Ta1-yNby，其中，0≤y≤1，B2为Ti。
8.根据权利要求6所述的铁电电容元件，其特征在于：
用通式B1O7/2表示的第1层在多个类钙钛矿层中所占的比率比0大且比0.3小；
在通式(7)中，0＜x＜0.3。
9.一种铁电电容元件，包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于：
铁电膜具有由多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层而构成的铋层状结构；
多个氧化铋层由Bi2O2构成；
多个类钙钛矿层，包括：用通式(8)：BO3表示的至少一个第1层，其中，B是4价的金属；和用通式(9)：(A1-xBix)2B3O10表示的至少一个第2层，其中，A是3价的金属，B是4价的金属，0＜x＜1。
10.根据权利要求9所述的铁电电容元件，其特征在于：
在通式(8)和通式(9)中，A为镧系元素，例如La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu；B为Ti。
11.根据权利要求9所述的铁电电容元件，其特征在于：
用通式BO3表示的第1层在多个类钙钛矿层中所占的比率比0大且比0.3小。
12.一种铁电电容元件，包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于：
铁电膜具有由多个氧化铋层和多个类钙钛矿层交互地叠层而构成的铋层状结构；
多个氧化铋层由Bi2O2构成；
多个类钙钛矿层，包括：用通式(10)：(A1-xBix)B2O7表示的至少一个第1层，其中，A是3价的金属，B是4价的金属，0＜x＜1；和用通式(11)：(A1-xBix)2B3O10表示的至少一个第2层，其中，A是3价的金属，B是4价的金属，0＜x＜1。
13.根据权利要求12所述的铁电电容元件，其特征在于：
在通式(10)和通式(11)中，A为镧系元素，例如La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu；B为Ti。
14.根据权利要求12所述的铁电电容元件，其特征在于：
用通式(A1-xBix)B2O7表示的第1层在多个类钙钛矿层中所占的比率比0大且比0.3小。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1266032C (zh) * 2000-10-17 2006-07-26 夏普株式会社 氧化物材料、氧化物薄膜的制造方法以及使用该材料的元件
JP2007184440A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 強誘電体キャパシタ及びその製造方法
KR101012037B1 (ko) * 2008-06-04 2011-01-31 한경희 캐니스터형 스팀청소기용 본체
CN109734441A (zh) * 2018-12-17 2019-05-10 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种窄禁带铋层状共生结构铁电材料及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1179232A (zh) * 1995-03-17 1998-04-15 松下电子工业株式会社 具有混合层状超点阵材料的集成电路及用于制备该电路的前体溶液
US5833745A (en) * 1995-11-15 1998-11-10 Mitsubishi Materials Corporation Bi-based ferroelectric composition and thin film, method for forming the thin film, and non-volatile memory
CN1249849A (zh) * 1997-03-03 2000-04-05 赛姆特里克斯公司 钽酸锶铋铌铁电薄膜

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5519234A (en) * 1991-02-25 1996-05-21 Symetrix Corporation Ferroelectric dielectric memory cell can switch at least giga cycles and has low fatigue - has high dielectric constant and low leakage current
US5426075A (en) * 1994-06-15 1995-06-20 Ramtron International Corporation Method of manufacturing ferroelectric bismuth layered oxides
JPH09213905A (ja) 1995-11-29 1997-08-15 Mitsubishi Materials Corp 不揮発性メモリ
US6172385B1 (en) * 1998-10-30 2001-01-09 International Business Machines Corporation Multilayer ferroelectric capacitor structure
US6407435B1 (en) * 2000-02-11 2002-06-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multilayer dielectric stack and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5955754A (en) * 1992-10-23 1999-09-21 Symetrix Corporation Integrated circuits having mixed layered superlattice materials and precursor solutions for use in a process of making the same
CN1179232A (zh) * 1995-03-17 1998-04-15 松下电子工业株式会社 具有混合层状超点阵材料的集成电路及用于制备该电路的前体溶液
US5833745A (en) * 1995-11-15 1998-11-10 Mitsubishi Materials Corporation Bi-based ferroelectric composition and thin film, method for forming the thin film, and non-volatile memory
CN1249849A (zh) * 1997-03-03 2000-04-05 赛姆特里克斯公司 钽酸锶铋铌铁电薄膜

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