CN1322671C - 压电谐振器、压电滤波器以及通信装置 - Google Patents

压电谐振器、压电滤波器以及通信装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1322671C
CN1322671C CNB031603572A CN03160357A CN1322671C CN 1322671 C CN1322671 C CN 1322671C CN B031603572 A CNB031603572 A CN B031603572A CN 03160357 A CN03160357 A CN 03160357A CN 1322671 C CN1322671 C CN 1322671C
Authority
CN
China
Prior art keywords
piezo
vibration section
recess
peristome
electric resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB031603572A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1497842A (zh
Inventor
野村忠志
山田一
久保龙一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN1497842A publication Critical patent/CN1497842A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1322671C publication Critical patent/CN1322671C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/174—Membranes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/566—Electric coupling means therefor
    • H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration

Abstract

本发明提供一种散热性好、耐高功率的压电谐振器、压电滤波器、双工器以及通信装置。设置具有开口部或凹部的支持基板(10)。设置形成在所述开口部或凹部上的、一层以上的压电薄膜(15)。设置振动部(11b)，振动部(11b)具有这样的构造，即使得至少一对上部电极(16)以及下部电极(14)相对地挟住压电薄膜(15)的上下表面。在除了振动部(11b)以外的位置并且在上部电极(16)以及压电薄膜(15)的至少一方上设置散热膜(18)。

Description

压电谐振器、压电滤波器以及通信装置
技术领域
本发明涉及使用于滤波器、振荡器以及通信装置等之中的，在VHF频带、UHF频带以及更高的超高频带中能够在厚度纵向振动而发挥滤波功能的压电谐振器、压电滤波器以及采用它们的双工器、通信装置。
背景技术
近年，对于使用于移动电话等通信装置的高频(RF、特别是GHz频带以上)段中的滤波器，开发使用了各种特性优良的压电谐振器。上述的各特性是指，小型、量轻、耐振性以及耐冲击性良好、产品的偏差小、可靠性高、可以实现获得无需进行电路调整的安装的自动化以及简单化，而且，即使实现高频化，也能够容易地进行制造。
作为压电谐振器，可以列举具有下述构造的压电谐振器，即，其包括：具有开口部或凹部的基片；形成在所述基片的开口部或凹部上的、由绝缘薄膜形成的隔膜(diaphragm)；振动部，形成在该绝缘薄膜上的、并且构造上为至少一对上部电极以及下部电极相对地挟住具有一层以上的压电薄膜的薄膜部的上下表面(例如，请参照专利文献1(日本专利2001-168674号公报，公开日为2001年6月22日))。对于这样的压电谐振器，通过将压电谐振器的压电体作成薄膜，能够使得高频界限扩展到数100MHz～数1000MHz。
对于这样的压电谐振器，为了减轻多余的振动，必须要将电极尺寸限制到一定的范围内。而且，由于振动能量会限于上述的振动部，则还必须要相对于隔膜的尺寸而减小电极尺寸。因此，当施加大功率时，该功率会集中到尺寸小的振动部，而会使得在上述振动部产生较大的热量。
然而，以往，由于形成振动部的隔膜是薄膜状并且热容量小，故很难散发产生的热量，大部分热量会积蓄在振动部而导致振动部温度上升。振动部的温度上升会带来破坏振动部等的影响，还有导致工作稳定性劣化的危险。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的压电谐振器包括：具有开口部或凹部的基板；以及具有形成在所述开口部或凹部上，使至少一对上部电极及下部电极相对地挟住具有一层以上的压电薄膜的薄膜部的上下表面的结构的振动部，其特征在于，在除了所述振动部以外的位置，且是在所述上部电极和所述压电薄膜的至少一方上形成散热膜。
利用上述构造，通过设置散热膜，能够减轻压电谐振器的多余的振动，同时，能够提高散热性、耐高功率性并且能够改善动作稳定性，以使得即使在施加大功率的情况下，也能够避免谐振特性发生劣化。
在上述压电谐振器中，最好是所述散热膜的热传导率在约150W/(m·K)以上。
在上述压电谐振器中，最好是所述散热膜由Si、AlN、金刚石等的绝缘材料构成。
在上述压电谐振器中，最好是所述散热膜由Cu、Al、Au、Ag等的金属材料或者以Cu、Al、Au、Ag为主要成分的合金构成。
在上述压电谐振器中，最好是所述散热膜与振动部之间的距离为振动部的振动波长的约1/2倍。
在上述压电谐振器中，可以在除了所述振动部之外、所述开口部或凹部的全体上用所述散热膜覆盖。
在上述压电谐振器中，最好是所述开口部或凹部的周围被所述散热膜覆盖。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部从厚度方向看的形状为具有长度不同的边的多角形，并且至少振动部的最长的边沿着开口部或凹部的端部形成。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部的最长的边的长度，比离所述振动部的开口部或凹部的端部最远的点与开口部或凹部之间的距离更长。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部的最长的边与所述开口部或凹部的端部之间的距离为，振动部的振动波长的约1/2倍。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部的所有的边沿着开口部或凹部的端部形成，并且所述振动部的所有的边与所述开口部或凹部的端部之间的距离为振动部的振动波长的约1/2倍。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部的、沿开口部或凹部的端部形成的所有的边的长度之和W、和离所述振动部的开口部或凹部的端部最远的点与开口部或凹部之间的距离L，满足L/W≤0.8。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部分的厚度方向看的形状为，其长方向为振动部的振动波长的20倍以上、宽方向为振动波长的5倍以下。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部分的厚度方向看的形状为等腰三角形。
为了解决上述问题，本发明的另一压电谐振器，包括：具有开口部或凹部的基板；以及具有形成在所述开口部或凹部上，使至少一对上部电极及下部电极相对地挟住具有一层以上的压电薄膜的薄膜部的上下表面的结构的振动部，其特征在于，振动部的厚度方向看的形状为具有长度不同的边的多角形，并且至少振动部的最长的边沿着开口部或凹部的端部形成。
利用上述构造，由于使得振动部的至少最长的边沿着所述开口部或凹部的端部形成，并且所述振动部从厚度方向看的形状为具有长度不同的边的多角形，因此，能够改善振动部的散热性，并且，即使在施加大功率的情况下，也能够避免谐振特性的劣化，且能够提高动作的稳定性。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部的最长的边的长度，比离所述振动部的开口部或凹部的端部最远的点与开口部或凹部之间的距离更长。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部的最长的边与所述开口部或凹部的端部之间的距离为，振动部的振动波长的约1/2倍。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部的所有的边沿着开口部或凹部的端部形成，并且，所述振动部的所有的边与所述开口部或凹部的端部之间的距离为，振动部的振动波长的约1/2倍。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部的、沿开口部或凹部的端部而形成的所有的边的长度之和W、和离所述振动部的开口部或凹部的端部最远的点与开口部或凹部之间的距离L，满足L/W≤0.8。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部分的厚度方向看的形状为，其长方向为振动部的振动波长的20倍以上、宽方向为振动波长的5倍以下。
在上述压电谐振器中，最好是所述振动部分的厚度方向看的形状为等腰三角形。在上述压电谐振器中，最好是所述压电薄膜以ZnO或AlN为主要成分。
为了解决上述问题，本发明的压电滤波器的特征在于，具有上述所记载的任意一种压电谐振器。对于上述压电滤波器，最好将压电谐振器作成梯形构造。
为了解决上述问题，本发明的双工器的特征在于，具有上述所记载的任意一种压电谐振器。为了解决上述问题，本发明的通信装置的特征在于，具有上述所记载的任意一种压电谐振器。
在上述的压电滤波器、双工器以及通信装置中，由于具有散热性好、改善了动作稳定性的压电谐振器，因此，能够实现动作的长时间稳定化、提高耐久性。
附图说明
图1是表示本发明第1实施形态的压电谐振器的平面图。
图2是表示上述压电谐振器的A-A’箭头方向的剖视图。
图3是表示上述压电谐振器中振动部和散热膜的间隙与散热性的关系的图
图4是表示上述压电谐振器中散热膜的宽度与散热性的关系的图。
图5是表示上述压电谐振器中的从隔膜鼓出的量与散热性的关系的图。
图6是表示上述压电谐振器中散热膜厚度与散热性的关系的图。
图7是表示将上述压电谐振器适用于梯形压电滤波器的示例的电路框图，(a)表示L型梯形滤波器，(b)表示π型梯形滤波器，(c)表示T型梯形滤波器。
图8是采用上述压电滤波器的双工器的框图。
图9是表示上述压电谐振器的一变形示例的剖视图。
图10是表示本发明第2实施形态的压电谐振器以及压电滤波器的平面图。
图11是上述压电谐振器以及压电滤波器的B-B’箭头方向的剖视图。
图12是用于说明上述压电谐振器以及压电滤波器中的热传导性的、长方体形状的固体的立体图。
图13是表示本发明第3实施形态的压电谐振器以及压电滤波器的平面图。
图14是表示上述压电谐振器以及压电滤波器的剖视图。
图15是表示上述压电谐振器以及压电于滤波器的L/W与散热性的关系的图。
图16是表示本发明第4实施形态的压电谐振器以及压电滤波器的平面图。
图17是表示上述压电谐振器以及压电滤波器的剖视图。
图18表示本发明第5实施形态的压电滤波器，(a)表示电路框图，(b)是平面图，(c)是上述(b)中D-D’箭头方向的剖视图。
图19是本发明的通信装置的电路框图。
符号说明
10支持基板
11b振动部
14下部电极
15压电薄膜
16上部电极
18散热膜
具体实施方式
第1实施形态
对于本发明的第1实施形态的压电谐振器，对其制造方法进行说明，则如图1以及图2所示，面方向(100)的、由硅形成的大致长方形的支持基板10的两个表面上，通过热氧化或溅射法等分别形成二氧化硅(SiO2)膜11、12。
接着，在一方的表面(里表面)侧的SiO2膜12上，形成具有与(110)方向相平行的边的矩形窗口12a，将具有该窗口12a的SiO2膜12作为掩膜，在TMAH溶液(四甲基氢氧化铵水溶液；tetramethyl ammonium hydroxide)中，在约90℃下对支持基板10的硅进行蚀刻。
该TMAH溶液其蚀刻率很大程度依赖于结晶方向，因此，在进行蚀刻的同时，出现与支持基板10的表面方向即(100)面10b约成55°的(111)面10a，在支持基板10上形成贯通其厚度方向的开口部。
上述蚀刻在达到表面侧的SiO2膜11时停止。上述蚀刻由于在SiO2膜11处完全停止，因此，可以获得平滑的谐振面，而且还能够进一步正确地设定谐振器整体的厚度。又，在该第1实施形态中，在上述制造阶段中，将所残留的SiO2膜12最终去除，而也可以残留下该SiO2膜12。
此时，也可以在与支持基板10相对的反面侧的SiO2膜11上，利用真空蒸镀法或溅射法形成氧化铝膜、氮化铝膜而作成2层以上的叠层体。由此，上述隔膜11a则面向由(111)面10a形成的支持基板10的开口部(空洞部)。
对于上述隔膜11a，SiO2膜11一般具有正的谐振频率温度特性并且产生压缩应力，而与此相对，Al2O3膜一般具有负的谐振频率温度特性并且产生拉伸应力。在形成这样的隔膜11a的绝缘体上，最好设置有用于提高散热性的、热传导率高的物质。
接着，在上述隔膜11a上，利用真空蒸镀法或溅射法以及蚀刻，依次形成由铝(Al)构成的下部电极14、氧化亚铅(ZnO)或氮化铝构成(AlN)等构成的压电薄膜15以及铝形成的上部电极16。上述压电薄膜15具备负的谐振频率温度特性并且产生压缩应力。
上述下部电极14形成为带状，下部电极14的长方向形成为，将支持基板10的长方向端部作为基部14a、将隔膜11a的中央部分作为尖端部14b。
又，对于下部电极14，为了覆盖位于下部电极14的两侧的开口部11a的一部分以及该部分的周边部，从上述两侧起、在下部电极14的宽度方向上分别形成各自延伸的翼部14c。由此，也可以说，下部电极14在隔膜11a上以及其周边附近是形成为大致的十字形。
另一方面，上部电极16形成为带状，上部电极16的长方向形成为，具有相对于所述下部电极14的基部14a成相反侧的、支持基板10的长方向端部所作为的基部16a、以及从基部16a起延伸至隔膜11a的中央部的尖端部16b。
又，对于上部电极16的尖端部16b，从上述两侧部起在上部电极16的宽度方向上分别延伸而形成，以使得与下部电极14的尖端部14b相对并且以使得覆盖位于上部电极16的两侧部的开口部11a的一部分以及该一部分的周边部。由此，也可以说，上部电极16在隔膜11a上以及其周边附近大致形成为T字形。
再者，上述电极14的两翼部14c与上述电极16的尖端部16b，是挟着压电薄膜15而配置在互不相对的位置上。利用这样的配置方式，能够避免振动部11b以外的多余的振动并且能够提高振动部的强度。
对于这样的压电谐振器，当谐振频率为2GHz时，将SiO2膜11、下部电极14、压电薄膜15以及上部电极16的总共厚度设定为3μm左右。
对于上述压电谐振器，根据振动模式(例如，二次谐振)，设定SiO2膜11的厚度、下部电极14的面积、压电薄膜15的厚度以及上部电极16的面积。又，通过作成在SiO2膜11上再进一步形成Al2O3膜的多层构造，对于上述压电谐振器来说，能够容易地将谐振频率的温度系数(ppm/℃)大致设定为0。
在此基础上，对于上述压电谐振器，最好，设定下部电极14、压电薄膜15以及上部电极16以使得压电薄膜谐振器形成为能量关闭型谐振器。由此，能够防止振动能量沿着隔膜泄漏到支持基板10中，并且能够使得产生高Q值的谐振。
对于上述的压电谐振器，由于能够将作为绝缘膜(支持膜)的SiO2膜11的厚度作得非常薄，故能够获得以基本或低次(例如2次)谐波在100MHz以上的高频下进行工作的压电谐振器。再者，对于上述压电谐振器，由于能够设定以使得各膜的温度特性或内部应力相互抵消，故能够避免温度变化以及内部应力所带来的不良影响。
又，对于压电谐振器，能够将其隔膜的尺寸作成数百μm以下，非常小，则能够将压电谐振器组装入半导体集成电路内。再者，上述压电谐振器即使是在数GHz下，也不需要如弹性表面波装置(SAW器件)那样形成亚微级的图案，故能够使得制造容易、简单。
而且，对于本发明的压电谐振器，除了振动部11b上之外、在压电薄膜15、上部电极16上，例如由Si这样的绝缘体形成大致为“口”字状的散热膜18以覆盖开口部11a。由此，在散热膜18上，用于露出振动部11b的窗口部18a形成在散热膜18的大致中央。
在上述构造中，通过设置散热膜18，能够提高从振动部11b向支持基板10进行散热的性能，能够改善耐电性，能够提高长时间的动作稳定性。
作为上述散热膜18，不仅限定于上述Si，此外，还可以列举AlN、金刚石等的绝缘体，Cu、Al、Au、Ag等的金属膜或将Cu、Al、Au、Ag作为主要成分的合金这类导体。
对于上述散热膜18，从能够改善散热性的方面出发，最好采用热传导性高的材料，而只要是具有150W/(m·K)以上热传导率的散热体即可。上述各物质的热传导率(单位为W/(m·K))是，Si＝168，AlN＝150，金刚石＝1600，Cu＝403，Al＝236，Au＝319，Ag＝428。作为散热膜18，其最适合的材料，从仅考虑到热传导率的观点出发，因热传导率比其他物质高很多而可以采用金刚石，而从制造方便以及成本方面考虑，则最适合采用Cu、Al、Si。
而且，在对散热膜18采用Cu或Al等的金属膜并且散热膜18与下部电极14以及上部电极16电气结合的情况下，为了避免下部电极14与上部电极16之间的短路，同下部电极14相接的散热膜18、与同上部电极16相接的散热膜18之间相互分开地形成。
又，振动部11b与散热膜18的间隙，如图3所示那样越窄越好，然而，为了防止对振动部11b的振动的不良影响，最好将该间隙设定为振动部11b的振动波长(λ)的1/2左右。上述间隙是指，散热膜18的窗口部18a的内周部与振动部11b的外缘部之间的、形成振动部11b的各膜14、15、16其表面方向上的距离。
在图3中，将间隙为0μm时的温度作为T0，将设置各间隙时的温度作为T，则表示为T/T0越小散热性越高。又，在图3至图6中，作为散热膜18的材料，列举了采用Si的示例。
再者，散热膜18的图案的宽度，如图4所示最好设定得较宽、较大以使得散热膜18能够尽量覆盖隔膜11a的全体。在图4中，将散热膜18正好覆盖隔膜11a全体之时记作为β、将此时的温度作为T0。将比β时的散热膜的图案宽度更小时的温度作为T，则表示出T/T0越小散热性越高。
在此基础上，对于散热膜18如图5所示，从隔膜11a不向其表面方向向外鼓出时散热性会劣化，从此方面出发，考虑到散热膜18的形成时的制造偏差，最好设定为从隔膜11a向其表面方向向外鼓出。在图5中，纵(Y)轴表示发热温度比，其基准表示鼓出量为0μm时的温度。
又，散热膜18的膜厚如图6所示，从散热性考虑，则越厚越好，即使使得超过5μm的情况下，散热效果会发生饱和而散热性效果不能够有所提高，当对散热膜18采用Si时，最好1μm以上、更进一步最好2μm以上、5μm以下。在图6中，纵(Y)轴表示发热温度比，其基准表示为膜厚为0μm时的温度(T0)。
如图7(a)～7(c)所示，本发明的压电谐振器1也可以适用于L型、π型、T型的梯形构造的本发明的压电滤波器，而且，也能够适用于将它们的级数增加后的变形例。
在上述梯形构造的压电滤波器中，能够使得分别成为衰减极的各压电谐振器1的反谐振频率与谐振频率之间所形成的通带成为高选择性的。因此，上述梯形构造的电压滤波器，在上述通带的两侧分别具有包含各衰减极、具有急剧衰减特性的阻止域。由此，能够耐得住连续使用时的发热，并且还能够改善随时间经过的稳定性。
上述本发明的压电滤波器如图8所示，能够使用于双工器20。双工器20分别具有发送侧的压电滤波器与接收侧的压电滤波器，发送侧与接收侧的各通带相互接近，而且，将具有急剧的衰减特性且热稳定性好的本发明的压电滤波器能够应用于该双工器。
又，在上述第1实施形态中，列举了具有在厚度方向贯通支持基板10的开口部的示例，然而，并不仅限于此，如图9所示，替代上述开口部，也可以在支持基板10上设置在其厚度方向不贯通支持基板10的凹部10c并在上述凹部10c上形成隔膜11a。
第2实施形态
其次，参照图7～12对于本发明的第2实施形态进行说明。又，在以下的各实施形态中，对于具有与上述第1实施形态同样功能的部件，采用同一部件序号并且省略对它们的说明。
本实施形态的压电谐振器如图10以及图11所示那样，与上述第1实施形态不同之处在于，省略了散热膜18(也可以如后述那样兼用)，将隔膜以及振动部的形状设定为，使得隔膜11c以及振动部11b中的厚度方向看的形状为细长形，例如为等腰三角形(也包含作成多角形的变形情况)，并且使得沿振动部11b的长方向的长边之一沿隔膜11c的边缘。
对于上述振动部11d的形状，最好，长边W1、W2为振动部11d的振动波长(λ)的20倍以上、短边W3为振动部波长(λ)的5倍以下。在这样的构造中，如下述那样，能够减小振动部11d与支持基板10之间的热电阻并改善散热性。
此时，为了避免对振动部11d的振动的影响，使得隔膜11c形成为在同上述振动部11d相对面的边缘与振动部11d之间具有一定距离(例如，最好为振动部11d的振动波长(λ)的1/2左右)。这样的振动部11d的形状为，将下部电极14形成为梯形板状、将上部电极16作为大致的平行四边形、并且能够调整下部电极14与上部电极16的对面位置。
由此，在上述构造中，通过沿着振动部11d的形状而形成隔膜11c的形状，由此，与隔膜11c的边缘接近的振动部11d的长度(W1+W2+W3)会变长，并能够提高散热性。又，通过使得振动部11d为细长形状，由此，传热路径的距离L缩短，变得容易散热。再者，通过将振动部11d的形状作成为细长形状，由于能够减轻压电谐振器的乱真振动，故不仅能够通过减轻乱真振动以改善谐振特性，而且也能够提高散热性。
对于本发明的其他压电滤波器，将2个上述的压电谐振器如图7所示配置成L型梯形构造。此时，从小型化方面出发，最好将各压电谐振器的各振动部11d配置成它们的长方向相互大致平行。而且，从小型化发方面出发，最好，各压电谐振器的各振动部11d是将连接它们的中心的假想线的中心位置作为对称点而形成为点对称。
其次，对于热传导的理论进行说明。从图12所示个体的A面向B面传递的热量Q可以以下式表述。
Q＝λ·W·t·(TA-TB)/L    ……(1)
λ：热传导率
W：传热路径剖面的宽度
t：传热路径剖面的厚度
TA：A面的温度(K)
TB：B面的温度(K)
L：传热路径的距离
表示热传递的难易度的热阻抗R以下式表示。
R＝L/(λ·W·t)    ……(2)
从该式(2)可知，λ·W·t越大、L越小，则散热量Q变大(热阻抗变小)。在本第2实施形态中，λ表示隔膜的热传导率、W表示图12的W1+W2+W3、t表示隔膜的厚度、L表示图12所示的L(振动部11d中、厚度方向看的形状的中心与隔膜l1c的边缘之间的距离)。
又，根据式(1)，则λ＝Q·L/{W·t·(TA-TB)}，λ的单位为λ＝W·m/(m2·K)＝W/(m·K)。
在该第2实施形态中，振动部11d的最长的边与隔膜11c的边缘之间的距离是，下限为0，理想地为能够避免妨碍振动部11d的振动的1/2λ。然而，上限值是设计上的目标值，实际上在制造工序中会存在偏差。必须要在上述的上限值上加上处理余量(process margin)。
设定上述距离的理由如下所述。从散热性方面出发，振动部11b的最长的边与隔膜11c的边缘的距离，越短(理想为0)越好。然而，当将使得该距离为0时，对振动部11d的振动会产生影响，而导致特性发生劣化。从特性的方面出发，振动部11d的最长的边与隔膜11c的边缘之间的距离，最好分开有一定距离。对(特性与散热性具有折中的关系)特性不产生影响的距离是1/2λ。
又，考虑到散热性与振动特性这两方面，振动部11d的最长的边与隔膜11c的边缘的距离理想上为1/2λ，然而，对于实际的制造余量，不可能制造得精度很高，上述距离相对于设定值几乎一定会存在偏差。因此，这里则是作为“约”1/2λ。下面可以供作参考：对于处理余量，在湿蚀刻加工的情况下为～35μm、在干蚀刻加工的情况下为～20μm。
例如，条件为1.9GHz频带、2倍波、膜构造〔上部电极(Al：0.18μm)/作为压电薄膜的ZnO膜(1.6μm)/下部电极(Al：0.18μm)/AlN膜(1.8μm)/SiO2膜(0.6μm)〕的情况下，λ＝4.3μm、，35μm＝8.1λ，20μm＝4.7λ。即，相对于理想的1/2λ＝2.15μm，存在35μm＝8.1λ，20μm＝4.7λ的余量。振动波长λ因频带、膜构造、使用材料、所利用的振动波的级数(基次波、2倍波……)等而产生不同。另一方面，处理余量与频率无关而为恒定。(然而，若加工方法变化时，余量也变化)。当频带增高时，其偏差量变大。
漏出的振动的振幅当离开振动波长的1/2λ时变小。当在离开振动部分1/2λ的地方设置固定端(隔膜11c的边缘)时，则对振动的影响变小、特性的劣化也变小。又，当使得振动部11d过远地离开于隔膜11c的边缘(固定端)以及其他的振动部11d等时，散热性会产生劣化，同时，虽然使得对其振动特性产生的影响减轻或者没有，其尺寸也会增大。
根据上述的构造，能够获得足够的散热性，据此，可以像第1实施形态那样在除了振动部11d之外的压电薄膜15、上部电极16上形成散热膜，由此，散热性可以变得更好。
(第3实施形态)
在本第3实施形态中，如图13以及图14所示，形成为在厚度方向上看为长方形的、在1个隔膜11e上由2个压电谐振器构成的L型梯形构造的压电滤波器。此时，振动部11f与上述第2实施形态同样地形成为等腰三角形并且分别配置使得振动部11f的一长边沿着隔膜11e的边缘。
由此，对于该第3实施形态的压电谐振器以及压电滤波器，也能够发挥与第2实施形态相同的效果，同时，与对每一压电谐振器分别形成隔膜的情况相比，能够减小元件整体的面积、可以实现小型化。
其次，研究图13所示的L与W之比(L/W)和发热温度(温度比)的关系。其结果如图15所示，上述L相当于将面对隔膜11e的振动部11f的长边作为底边时的振动部11f的高度，即相当于振动部11f中的、离膜11e边缘最远的点与上述边缘之间的距离。上述W是面对隔膜11e的振动部11f的长边的长度。又，在图15的温度比与L/W的图中，以L/W为1.19(近似正三角形)时为基准，作为温度比表示相对于此时的温度之比。
如图15可知，当L/W越小、温度越低、L/W为0.8以下时，发热温度大大下降。
第4实施形态
在第4实施形态中，如图16以及图17所示，与上述第3实施形态相同地设置1个隔膜11g，并且在该隔膜11g上形成上述第3实施形态所示的、相当于2个振动部11f的各振动部11h，上述隔膜11g沿着面向各振动部11h的外方的各边形成。
由此，在本第4实施形态中，与上述第2以及第3实施形态相同地，能够提高散热性并且实现小型化。
第5实施形态
在该第5实施形态中，如图18所示，在支持基板10上并列地设有2个与上述第3实施形态相同的隔膜11e，并且在这些隔膜11e上分别形成上述第3实施形态所示的2个振动部11f即2个压电谐振器。上述各隔膜11e沿着与各振动部11f的长方向几乎相垂直的方向并列形成。
由此，在该第5实施形态中，采用4个振动部11f并且将各压电谐振器1a、1b以及各压电谐振器1c、1d相互串联连接，因此，形成为将L型梯形的压电滤波器2级重叠的压电滤波器。
在该第5实施形态中，在压电谐振器1a上形成作为输入端的下部电极14a、设置作为各压电谐振器1a、1b、1c的公共端的上部电极16a、形成作为压电谐振器1b的GND端的下部电极14b。再者，设置利用各压电谐振器1c、1d的公共端而形成的下部电极14c、形成作为压电谐振器1d的GND端的上部电极16b。
由此，在本第5实施形态中，与上述第2～第4实施形态相同地，能够提高散热性并且同时实现小型化。
又，上述第1～第5实施形态的压电谐振器以及使用它的压电滤波器，能够适用于图8所示的双工器20。又，在上述中，对于第1实施形态与第2～第5实施形态分别作了说明，然而，也可以将第1实施形态与第2～第5实施形态分别进行组合。
其次，根据图19对于采用本发明的压电谐振器、压电滤波器的通信装置进行说明，如图19所示，上述通信装置200在构造上，作为接收信号的接收侧(Rx侧)，设置有天线201、天线共用部/RFTop滤波器202、放大器203、Rx级间滤波器204、混频器205、第1IF滤波器206、混频器207、第2IF滤波器208、第1+第2本地合成器(local synthesizer)211、TCXO(温度补偿型晶体振荡器，temperature compensated crystal oscillator)212、分频器(divider)213、本地滤波器214(local filter)。从Rx级间滤波器204到混频器205，如图19中以双线所示的那样，为了确保平衡性，利用各平衡信号进行发送。
又，上述通信装置200中，作为发送信号的发送侧(Tx侧)，在共用上述天线201以及上述天线共用部/RFTop滤波器202的同时，设置有TxIF滤波器221、混频器222、Tx级间滤波器223、放大器224、耦合器225、去耦器226、APC(automatic power control，自动功率控制)227。
这样，对于上述的天线共用部/RFTop滤波器202、Rx级间滤波器204、第1IF滤波器206、TxIF滤波器221、Tx级间滤波器223，能够很好地适用上述本发明的第1～第5实施形态所记载的压电谐振器或压电滤波器。
本发明的压电谐振器如上所述，在构造上，在具有形成在开口部或凹部上的并且有一层以上压电薄膜的薄膜部的振动部、上部电极以及下部电极的压电谐振器中，在除了所述振动部之外的位置并且在所述上部电极以及所述薄膜部的至少一方上形成散热膜。
由此，上述构造中，由于设置有散热膜，能够发挥下述效果，即能够减轻压电谐振器的多余的振动，同时，能够提高散热性以及耐大功率性并且能够改善动作的稳定性，以使得即使在增大功率时也能够避免谐振特性的劣化。
本发明的其他压电谐振器如上所述，在构造上，具有振动部，该振动部形成在开口部或凹部上并且至少一对上部电极以及下部电极相对挟住具有一层以上压电薄膜的薄膜部的上下表面，在这样的压电谐振器中，振动部从厚度方向看的形状为，具有不同长度的边的多角形，并且，至少振动部的最长的边是沿着开口部或凹部的端部形成。
根据上述构造，对于从厚度方向看的形状为具有长度不同的边的多角形的振动部，至少使得其最长的边沿着开口部或凹部的端部形成，由此，能够改善振动部的散热性，并且即使在施加大功率时也能够避免谐振特性的劣化，还能够提高动作的稳定性。

Claims (26)

1.一种压电谐振器，包括
具有开口部或凹部的基板；以及
具有形成在所述开口部或凹部上，使至少一对上部电极及下部电极相对地挟住具有一层以上的压电薄膜的薄膜部的上下表面的结构的振动部；
其特征在于，在除了所述振动部以外的位置，且是在所述上部电极和所述压电薄膜的至少一方上形成散热膜。
2.如权利要求1所述的压电谐振器，其特征在于，所述散热膜的热传导率在150W/(m·K)以上。
3.如权利要求2所述的压电谐振器，其特征在于，所述散热膜由Si、AlN、金刚石等的绝缘材料构成。
4.如权利要求2所述的压电谐振器，其特征在于，所述散热膜由Cu、Al、Au、Ag等的金属材料或者以Cu、Al、Au、Ag为主要成分的合金构成。
5.如权利要求1或2所述的压电谐振器，其特征在于，所述散热膜与振动部之间的距离为振动部的振动波长的1/2倍。
6.如权利要求1或2所述的压电谐振器，其特征在于，除了所述振动部之外，所述开口部或凹部的全体由所述散热膜覆盖。
7.如权利要求5所述的压电谐振器，其特征在于，所述开口部或凹部的周围被所述散热膜覆盖。
8.如权利要求1或2所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部从厚度方向看的形状为具有长度不同的边的多角形，并且至少振动部的最长的边沿着开口部或凹部的端部形成。
9.如权利要求8所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部的最长的边的长度，比所述振动部离所述开口部或凹部的端部最远的点与开口部或凹部之间的距离更长。
10.如权利要求8所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部的最长的边与所述开口部或凹部的端部之间的距离为，振动部的振动波长的1/2倍。
11.如权利要求10所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部的所有的边沿着开口部或凹部的端部形成，并且所述振动部的所有的边与所述开口部或凹部的端部之间的距离为振动部的振动波长的1/2倍。
12.如权利要求8所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部的、沿开口部或凹部的端部形成的所有的边的长度之和W、和所述振动部离开口部或凹部的端部最远的点与开口部或凹部之间的距离L，满足L/W≤0.8。
13.如权利要求8所述的压电谐振器，其特征在于，所述振动部分的厚度方向看的形状为，其长方向为振动部的振动波长的20倍以上、宽方向为振动波长的5倍以下。
14.如权利要求8所述的压电谐振器，其特征在于，所述振动部分的厚度方向看的形状为等腰三角形。
15.一种压电谐振器，包括
具有开口部或凹部的基板；以及
具有形成在所述开口部或凹部上，使至少一对上部电极及下部电极相对地挟住具有一层以上的压电薄膜的薄膜部的上下表面的结构的振动部；
其特征在于，振动部的厚度方向看的形状为具有长度不同的边的多角形，并且至少振动部的最长的边沿着开口部或凹部的端部形成。
16.如权利要求15所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部的最长的边的长度，比所述振动部离开口部或凹部的端部最远的点与开口部或凹部之间的距离更长。
17.如权利要求15或16所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部的最长的边与所述开口部或凹部的端部之间的距离为振动部的振动波长的1/2倍。
18.如权利要求17所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部的所有的边沿着开口部或凹部的端部形成，并且所述振动部的所有的边与所述开口部或凹部的端部之间的距离为振动部的振动波长的1/2倍。
19.如权利要求15或16所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部的、沿开口部或凹部的端部而形成的所有的边的长度之和W、和所述振动部离开口部或凹部的端部最远的点与开口部或凹部之间的距离L，满足L/W≤0.8。
20.如权利要求15或16所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部分的厚度方向看的形状为，其长方向为振动部的振动波长的20倍以上，宽方向为振动波长的5倍以下。
21.如权利要求15或16所述的压电谐振器，其特征在于，
所述振动部分的厚度方向看的形状为等腰三角形。
22.如权利要求1、2、15或16任意一项所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电薄膜以ZnO或AlN为主要成分。
23.一种压电滤波器，其特征在于，
采用权利要求1、2、15或16任意一项所述的压电谐振器。
24.一种压电滤波器，其特征在于，
将权利要求1、2、15或16任意一项所述的压电谐振器作成梯形构造。
25.一种双工器，其特征在于，
采用权利要求1、2、15或16任意一项所述的压电谐振器。
26.一种通信装置，其特征在于，
具有权利要求1、2、15或16任意一项所述的压电谐振器。
CNB031603572A 2002-09-25 2003-09-25 压电谐振器、压电滤波器以及通信装置 Expired - Lifetime CN1322671C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002279428 2002-09-25
JP2002279428A JP3879643B2 (ja) 2002-09-25 2002-09-25 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1497842A CN1497842A (zh) 2004-05-19
CN1322671C true CN1322671C (zh) 2007-06-20

Family

ID=31987094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031603572A Expired - Lifetime CN1322671C (zh) 2002-09-25 2003-09-25 压电谐振器、压电滤波器以及通信装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7161447B2 (zh)
EP (2) EP1406386B1 (zh)
JP (1) JP3879643B2 (zh)
KR (1) KR100550086B1 (zh)
CN (1) CN1322671C (zh)
AT (2) ATE504975T1 (zh)
DE (1) DE60336617D1 (zh)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7275292B2 (en) * 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
US7164222B2 (en) * 2003-06-26 2007-01-16 Intel Corporation Film bulk acoustic resonator (FBAR) with high thermal conductivity
JP2005117641A (ja) 2003-09-17 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電体共振器、それを用いたフィルタ及び共用器
JP2005311567A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Sony Corp フィルタ装置及び送受信機
JP4432972B2 (ja) 2004-09-10 2010-03-17 株式会社村田製作所 圧電薄膜共振子
US7388454B2 (en) * 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) * 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
JP4696597B2 (ja) * 2005-03-03 2011-06-08 宇部興産株式会社 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ
JP4617936B2 (ja) * 2005-03-14 2011-01-26 ソニー株式会社 圧電共振素子の製造方法および圧電共振素子
US7369013B2 (en) * 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
JP2006339873A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器、フィルタ及び電圧制御発振器
US8008993B2 (en) * 2005-09-30 2011-08-30 Nxp B.V. Thin-film bulk-acoustic wave (BAW) resonators
US7675390B2 (en) * 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7737807B2 (en) * 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
KR100904621B1 (ko) * 2005-11-04 2009-06-25 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 압전 박막 공진자
US7612636B2 (en) * 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
JP4963193B2 (ja) * 2006-03-07 2012-06-27 日本碍子株式会社 圧電薄膜デバイス
US20070210724A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Mark Unkrich Power adapter and DC-DC converter having acoustic transformer
US7746677B2 (en) * 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US20070210748A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Mark Unkrich Power supply and electronic device having integrated power supply
US7479685B2 (en) * 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
US20080094186A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-24 Viking Access Systems, Llc Apparatus and method for monitoring and controlling gate operators via power line communication
KR100780842B1 (ko) * 2006-12-14 2007-11-30 주식회사 에스세라 공진 구조체를 가지는 압전 공진자의 형성방법들
JP4870541B2 (ja) * 2006-12-15 2012-02-08 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器およびフィルタ
WO2008090651A1 (ja) 2007-01-24 2008-07-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電共振子及び圧電フィルタ
US7791435B2 (en) * 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7855618B2 (en) * 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US7732977B2 (en) * 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
JP5229945B2 (ja) * 2008-09-09 2013-07-03 太陽誘電株式会社 フィルタ、デュープレクサ、および通信装置
US8902023B2 (en) * 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8248185B2 (en) * 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8456257B1 (en) * 2009-11-12 2013-06-04 Triquint Semiconductor, Inc. Bulk acoustic wave devices and method for spurious mode suppression
US8193877B2 (en) * 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9490771B2 (en) 2012-10-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and frame
US9401692B2 (en) 2012-10-29 2016-07-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator having collar structure
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US9490418B2 (en) 2011-03-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
CN102567779A (zh) * 2012-01-05 2012-07-11 天津理工大学 IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签
US9385684B2 (en) 2012-10-23 2016-07-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator having guard ring
KR101959204B1 (ko) * 2013-01-09 2019-07-04 삼성전자주식회사 무선 주파수 필터 및 무선 주파수 필터의 제조방법
WO2016158048A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社村田製作所 共振子
JP6903471B2 (ja) 2017-04-07 2021-07-14 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
KR20200046535A (ko) 2018-10-25 2020-05-07 삼성전기주식회사 탄성파 필터 장치
CN111193490A (zh) * 2018-11-14 2020-05-22 天津大学 散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备
CN111193488B (zh) * 2018-11-14 2024-01-26 天津大学 散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备
CN111342797A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 天津大学 压电滤波器及具有其的电子设备
CN111010132A (zh) * 2019-07-08 2020-04-14 天津大学 体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN111010129A (zh) * 2019-07-15 2020-04-14 天津大学 体声波谐振器器件、滤波器和电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6131256A (en) * 1995-06-29 2000-10-17 Motorola, Inc. Temperature compensated resonator and method
EP1217734A2 (en) * 2000-12-21 2002-06-26 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Bulk acoustic resonator perimeter reflection system

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5831609A (ja) 1981-08-19 1983-02-24 Nec Corp 薄膜圧電振動子
JPS60206033A (ja) 1984-03-29 1985-10-17 Seiko Instr & Electronics Ltd 半導体集積回路素子
JPH02185057A (ja) 1989-01-12 1990-07-19 Toshiba Corp 微細配線層を有する半導体装置
US5231327A (en) 1990-12-14 1993-07-27 Tfr Technologies, Inc. Optimized piezoelectric resonator-based networks
US5910756A (en) * 1997-05-21 1999-06-08 Nokia Mobile Phones Limited Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators
US6150703A (en) 1998-06-29 2000-11-21 Trw Inc. Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials
US6215375B1 (en) 1999-03-30 2001-04-10 Agilent Technologies, Inc. Bulk acoustic wave resonator with improved lateral mode suppression
FI107660B (fi) * 1999-07-19 2001-09-14 Nokia Mobile Phones Ltd Resonaattorirakenne
JP2001168674A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子及び電子機器
FI113111B (fi) 2000-11-24 2004-02-27 Nokia Corp Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely
DE10058339A1 (de) 2000-11-24 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Bulk-Acoustic-Wave-Filter
JP3979073B2 (ja) 2000-12-06 2007-09-19 株式会社村田製作所 圧電共振子、圧電フィルタおよびデュプレクサ
US6462631B2 (en) * 2001-02-14 2002-10-08 Agilent Technologies, Inc. Passband filter having an asymmetrical filter response
US6828713B2 (en) * 2002-07-30 2004-12-07 Agilent Technologies, Inc Resonator with seed layer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6131256A (en) * 1995-06-29 2000-10-17 Motorola, Inc. Temperature compensated resonator and method
EP1217734A2 (en) * 2000-12-21 2002-06-26 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Bulk acoustic resonator perimeter reflection system

Also Published As

Publication number Publication date
US20040056735A1 (en) 2004-03-25
KR100550086B1 (ko) 2006-02-08
EP1406386A2 (en) 2004-04-07
JP2004120219A (ja) 2004-04-15
EP1755216A3 (en) 2007-02-28
CN1497842A (zh) 2004-05-19
US7161447B2 (en) 2007-01-09
DE60336617D1 (de) 2011-05-19
KR20040027353A (ko) 2004-04-01
ATE504975T1 (de) 2011-04-15
ATE555544T1 (de) 2012-05-15
EP1755216B1 (en) 2012-04-25
EP1755216A2 (en) 2007-02-21
JP3879643B2 (ja) 2007-02-14
EP1406386B1 (en) 2011-04-06
EP1406386A3 (en) 2006-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1322671C (zh) 压电谐振器、压电滤波器以及通信装置
US7378922B2 (en) Piezoelectric filter
CN101960717B (zh) 压电薄膜谐振器、滤波器、通信模块及通信装置
JP3903842B2 (ja) 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器
EP1542362B1 (en) Thin film piezoelectric oscillator, thin film piezoelectric device, and manufacturing method thereof
CN102122941B (zh) 可调谐的预设空腔型soi基片薄膜体声波谐振器及制作方法
CN104660211B (zh) 声波滤波器和双工器
CN102931942B (zh) 声波器件
CN209844929U (zh) 带断裂结构体声波谐振器、滤波器和电子设备
JP4395892B2 (ja) 圧電薄膜デバイス及びその製造方法
WO2007026637A1 (ja) 圧電共振器及び圧電共振器の製造方法
JP5025963B2 (ja) 電子部品とその製造方法及びこの電子部品を用いた電子機器
WO2021042740A1 (zh) 体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备
JP4147817B2 (ja) 圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品
CN113328722A (zh) 一种薄膜体声波谐振器及制备方法
CN102334290A (zh) 表面声波元件及其制造方法
CN113037245B (zh) 基于压电薄膜换能的石英谐振器以及电子设备
JP2003087086A (ja) 圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器
US20050099245A1 (en) Piezoelectric resonator, method of manufacturing piezoelectric resonator, and filter, duplexer, and communication device using piezoelectric resonator
JP2004015079A (ja) 圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品
JP4218672B2 (ja) 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置
CN111193482A (zh) 带断裂结构体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备
KR102338022B1 (ko) 에어갭형 fbar
US11751480B2 (en) Electronic device
JP2005079694A (ja) 分波器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20070620

CX01 Expiry of patent term