CN1340848A - 湿式处理装置 - Google Patents

湿式处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1340848A
CN1340848A CN01130680A CN01130680A CN1340848A CN 1340848 A CN1340848 A CN 1340848A CN 01130680 A CN01130680 A CN 01130680A CN 01130680 A CN01130680 A CN 01130680A CN 1340848 A CN1340848 A CN 1340848A
Authority
CN
China
Prior art keywords
opening surface
mentioned
treated
processed
cleaning solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01130680A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1162895C (zh
Inventor
三森健一
大见忠弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Publication of CN1340848A publication Critical patent/CN1340848A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1162895C publication Critical patent/CN1162895C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • B08B3/123Cleaning travelling work, e.g. webs, articles on a conveyor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

提供在适宜的条件下使用省液型喷嘴的湿式处理装置。包括具有向着被处理基板W开口的大致长方形的导入开口面8a及向着上述被处理物开口的大致长方形的回收开口面9a,上述导入开口面和回收开口面相互在一个面上,而且与长边方向平行地配置的喷嘴1和、基板W相对喷嘴1移动的同时,在导入开口面8a和基板W的被处理面间导入处理液,从回收开口面9a和基板W的被处理面间吸引处理液并进行回收。此时将从上述导入开口面8a经过上述基板W的被处理面流入到上述回收开口面9a的处理液的流量控制在导入开口面的长边方向每1cm为0.02~0.3L/分钟。

Description

湿式处理装置
技术领域
本发明涉及例如在半导体器件、液晶显示板等的制造工艺的洗涤、浸蚀等的湿式处理工序中,为了在被处理物上供给处理液的湿式处理装置。
背景技术
在半导体器件、液晶显示板等的电子设备的领域中,在其制造工艺中必须有洗涤处理作为被处理物的半导体基板或玻璃基板的工序。在洗涤工序中,除去各种应除去的物质,使用超纯水、电解离子水、臭氧水、氢水等各种洗涤液进行洗涤,但这些洗涤液是从洗涤装置的喷嘴供给到基板上的。可是,在使用以往一般的洗涤用喷嘴时,有洗涤液的使用量变多的问题。例如若使用电解离子水等进行500mm×500mm基板的洗涤,用洗涤液洗涤和用漂洗洗涤水进行漂洗后,基板上的粒子的残存量达到0.5个/cm2水平的清净度时,必须使用25~30升/分钟左右的洗涤液及漂洗洗涤液。
因此,作为与以往型相比可大幅度降低洗涤液使用量的省液型的洗涤用喷嘴,是在被处理基板上供给处理液后,进行被处理基板的湿式处理时所使用的湿式处理用的喷嘴,其是在一端具有为了导入处理液的导入口的导入通路和在另一端具有为了将使用后的处理液排出到外部的排出口的排出通路,在这些导入通路和排出通路的分别的另一端设置向着被处理基板开口的导入开口部和排出开口部。该技术已经申请了专利。
在上述申请等中,提供了湿式处理用喷嘴装置,其特征是作为使用此湿式处理用喷嘴装置,具有湿式处理用喷嘴和、流过上述导入开口部与上述被处理基板接触了的处理液被处理后,为了不流向上述排出通路以外,控制与上述被处理基板接触的处理液的压力和大气压的差,通过上述排出通路吸引排出的手段。
另外,提供了湿式处理装置,其特征是作为使用此湿式处理用喷嘴的湿式处理装置,具有上述湿式处理用喷嘴和、沿着上述被处理基板的被处理面,通过相对移动上述湿式处理用喷嘴和上述被处理基板处理上述被处理基板的被处理面所有区域的喷嘴或被处理基板的移动手段。
即,只要按照上述申请的湿式处理装置,使处理液不接触供给处理液以外部分,就可以从被处理基板上除去,实现省液型喷嘴。另外,通过具有沿着被处理基板的被处理面相对移动湿式处理用喷嘴和被处理基板的移动手段,可处理被处理基板的整个被处理面。
发明内容
这样,已经开发了可大幅度减少处理量的使用量,且可洗涤处理液全面的湿式处理装置。可是,还没有充分研究这样的湿式处理装置的实际使用条件。
即使是所说的省液型,即实际上以怎样程度的流量供给处理液可进行最适宜地处理或将被处理基板和湿式处理喷嘴的相对移动速度控制成怎样的程度为好等诸条件在各个湿式处理装置中,在错误地被决定运行时,不仅在决定使用条件时花费时间,且可能在不一定适宜的条件下使用。
本发明是为了解决上述问题而进行的,提供了明确了上述的省液型的湿式处理装置的适宜的使用条件,可在最适宜的条件下使用的湿式处理装置,且将可有效果且有效率进行湿式处理作为课题。
本发明者们为了解决上述课题,首先对于流量进行了研究。最适宜的流量是由从导入开口面到回收开口面均匀流动处理液及、以其流量进行充分湿式处理来决定的。而且发现应该研究正交湿式处理喷嘴和被处理物的相对移动方向的方向的每单位长度的最适宜流量的必要性,通过试验求出其值。
即,本发明的湿式处理装置,其特征是包括具有向着被处理物开口的大致长方形的导入开口面及向着上述被处理物开口的大致长方形的回收开口面,上述导入开口面和回收开口面相互在一个面上,而且与长边方向平行地配置的喷嘴和、
在上述导入开口面和上述被处理物的被处理面之间,具有为了导入处理液的导入流路的处理液导入机构和、
从上述回收开口面和上述被处理物的被处理面之间,具有为了吸收回收处理液的吸引泵和回收流路的处理液回收机构和、
沿着上述被处理物的被处理面,且在上述导入开口面及回收开口面的短边方向上为了相对移动上述喷嘴和上述被处理物的喷嘴或被处理物的移动机构,
从上述导入开口面经过上述被处理物的被处理面流入到上述回收开口面的处理液的流量控制在每1cm为0.02~0.3L/分钟。
即,在小于0.02L/分钟的流量时,处理液在被处理物的被处理面上不充分覆盖的同时,也不能充分置换。另外,在大于0.3L/分钟的流量时,剩余的处理液流到被处理面以外的同时,损害了被处理面上的稳定了的处理液的流动,反而,处理液的置换不充分。
按照本发明,处理液可在被处理物的被处理面上充分覆盖的同时,也能充分置换,且剩余的处理液也不流到被处理面以外,因此,有效地进行被处理物的湿式处理。
另外,由于可用少量的处理液进行处理,所以可使配管、阀门、纯水等的处理液制造设备等小型化、整个湿式处理装置小型化的同时,也可降低处理成本。
在本发明中,流量的控制可通过调整上述导入流路和/或回收流路的断面积进行控制。在此,作为各流路断面的调整方法,可在形成流路的配管途中设置调节阀,适宜采用切换断面积的大的流路和小的流路等的方法。
另外,作为其他的流量控制方法,可适宜采用使用流体用质量流量控制器等的方法。
在本发明中,上述导入开口面及回收开口面各个的长边的长度,优选的是大于上述被处理物平行上述长边方向的宽度。此时,在一个方向仅进行一次用上述移动机构的喷嘴和上述被处理物的相对移动,可全面进行被处理物的被处理面的处理。因此,可缩短整个被处理物的处理时间。
在本发明中,上述移动机构的相对移动速度,优选的是作成0.5~20cm/秒,即,若这样的移动速度是0.5cm/秒以下,不仅整个被处理面的处理时间加长,而且在处理中发生气泡时,在被处理面上附着气泡,产生不能充分进行处理的部分。
另外,若这样的移动速度大于20cm/秒,由于产生的剪断力破坏了被处理面上的处理液层,在被处理面中产生不能充分处理的部分。另外,容易引起整个处理装置的振动变大等问题。
在本发明中,上述各个开口面和上述被处理物的被处理面的距离,优选的是0.5~6mm。即,若这样的距离比0.5mm小,为了移动处理液的阻力过大,难以确保上述导入开口面的长边方向每1cm的0.02~0.3L/分钟的流量。另外,也容易引起由于处理装置的振动使喷嘴和被处理物接触。
另一方面,若这样的距离比6mm大时,在各开口面和被处理面之间不容易保持处理液,容易流入空气,在喷嘴和被处理物之间不能稳定地流动处理液。其结果,产生不被处理的部分。
在本发明中,上述各个开口面的短边,优选的是0.01~2cm,即,若各个开口面的短边比0.01cm小,为了移动处理液的阻力过大,难以确保上述导入开口面的长边方向每1cm的0.02~0.3L/分钟的流量。
另外,若上述各个开口面的短边比2cm大,从导入开口面向被处理面的处理液的供给或从回收开口面的被处理面上的处理液的回收难以均匀地进行,进而被处理面上的流量不均匀。
在本发明中,在上述导入开口面向和回收开口面之间可设置在上述被处理物上的处理液中为了给予超声波振动的超声波振动机构。此时,在被处理物的被处理面上的处理液中可给予超声波振动,进一步提高洗涤等的湿式处理的效率。
在本发明中,可具有上述处理液的氧化还原电位控制机构和pH控制机构。此时,由于可将处理液的组成、浓度保持在最适宜值,所以即使是小流量,也可确保充分的处理效率。
以上,如详细地说明,通过本发明明确了省液型的湿式处理装置的适宜的使用条件。为此,通过提供在这样的最适宜的条件下可使用的湿式处理装置,可有效地进行湿式处理。
附图说明
图1是表示本发明的实施例的湿式处理装置的整个构成的平面图。
图2是表示本发明的第1实施例的洗涤用喷嘴的外观的斜视图。
图3是表示该洗涤用喷嘴的仰视图。
图4是表示沿着图3的IV-IV线的断面图。
图5是表示本发明的实施例的湿式处理装置的洗涤液导入机构图。
图6是表示本发明的实施例的湿式处理装置的洗涤液配制机构图。
图7是表示本发明的实施例的湿式处理装置的动作图。
图8是表示本发明的实施例的湿式处理装置的动作图。
图9是表示本发明的实施例的湿式处理装置的动作图。
图10是表示本发明的实施例的湿式处理装置的动作图。
图11是表示本发明的第2实施例的洗涤用喷嘴的仰视图。
图12是表示沿着图11的XII-XII线的断面图。
图13是表示流量和洗涤效果的实验结果图。
具体实施方式
以下,参照图1~图10说明本发明的第1实施例。
图1是表示本实施例的洗涤装置(湿式处理装置)的总构成的平面图。如图1所示,本实施例的洗涤装置是由如下机构构成的,即将作为洗涤用喷嘴1和、使作为被处理物的被处理基板W(以下,简称基板)移动到移动方向A或A’的移动机构(未图示出)和、洗涤液导入回收机构30和、洗涤液配制机构50。
在图1中,符号31是洗涤液导入回收机构30的导入流路,在端部分成2个流路连接洗涤用喷嘴1上。另外,符号32是洗涤液导入回收机构30的回收流路,它也是在端部分成2个流路连接洗涤用喷嘴1的。
符号33是从洗涤液配制机构50向洗涤液导入回收机构30的供给流路,另外,符号34是洗涤液导入回收机构30的排出流路。
本实施例的洗涤用喷嘴1,如图2~4所示,是将壳体2在短边方向分割成3个区域,两端分别是洗涤液导入部3、洗涤液回收部4、中央是超声波振子收容部5。
在洗涤液导入部3的上面,在喷嘴的长边方向间隔地设置2根洗涤液导入管6,同时,在洗涤液回收部4的上面,设置2根洗涤液回收管7。
在各洗涤液导入管6、6的上端开口后,作成为了导入洗涤液(处理液)的导入口6a、6a,图1的导入流路31连接此导入口6a、6a。同样,各洗涤液回收管7、7的上端开口成为将使用后的洗涤液L回收到外部的回收口7a、7a,图1的回收流路32连接此回收口7a、7a。
洗涤液导入部3的内部是与洗涤液导入管6、6连通的导入开口部8,其下端成为向基板W开口的导入开口面8a。导入开口面8a是长边为LN、短边为d1的大致长方形。
同样,洗涤液回收部4的内部是回收开口部9,其下端成为向基板W开口的大致长方形的回收开口面9a。回收开口面9a是长边为LN、短边为d2的大致长方形。
导入开口面8a和回收开口面9a相互在一个面上,且与长边方向平行地配置。而且其长边的长度相互相等(LN)、短边的长度d1和d2大致相等地形成。另外,这些长边的长度LN与基板W的宽度LW相等或长一些。短边的长度d1和d2在本实施例中分别成为0.01~2cm。
另外,基板W的移动方向与上述各短边平行,可作为从图3的右向左的A的方向,也可以作为逆向的A’的方向。
另外,在超声波振子收容部5的内部,收容洗涤液L付与超声波振动进行超声波洗涤的超声波振子10(付与超声波振动机构)。在超声波振子收容部5的中央,设置为了驱动超声波振子10的电缆11。
如图4所示,在导入开口面8的内部,将导入开口面8a作为下端面,装入由多孔质材料构成的洗涤液供给部件12(处理液供给部件)。作为多孔质材料,具体地可使用氟树脂、聚乙烯等的塑料、SUS316等的金属、氧化铝、硅酮氧化物等的陶瓷、在表面上进行了具有亲水基的亲水处理的塑料、TiO2类的金属氧化物等的材料。其中,硅酮氧化物、氧化铝、施以亲水处理的塑料等类的亲水性材料更理想。或即使不将整个洗涤液供给部件12作成亲水性材料,至少与基板W上的洗涤液L相接的部分用亲水性材料形成,也可将表面进行亲水性处理。总之,洗涤液供给部件12通过用多孔质材料形成,在从洗涤液导入管6到导入开口部8内供给洗涤液L时,通过洗涤液供给部件12的多个贯通孔在基板W上能均匀地供给洗涤液L。
另一方面,在回收开口部9的内部也装入将回收开口面9a作为下端面,由多孔质材料构成的洗涤液回收部件13(处理液回收部)。洗涤液回收部13的多孔质材料,也可以使用与洗涤液供给部件12所使用的相同的材料。但是在一个喷嘴内洗涤液供给部件12和洗涤液回收部件13所使用的多孔质材料可以相同也可以不同。通过用多孔质材料形成洗涤液回收部件13,从洗涤液回收部件13的多个贯通孔吸引残留在基板W上的使用后的洗涤液L,通过洗涤液回收管7回收到喷嘴外部。
导入开口面8a、超声波振子收容部5的下面、回收开口面9a相互在一个面上地形成。这些面和基板W的被洗涤面(被处理面)的距离在本实施例中是作成0.5~6mm的。
接着,按照图5说明本实施例的洗涤液导入回收机构30的构成。如图5所示,在导入流路31中,从供给流路33侧依次安装送液泵35、由减压控制阀等构成的液压控制装置36、调节阀(液体流量控制装置)37。由供给流路33、送液泵35、液压控制装置36、调节阀37、导入流路31构成洗涤液导入机构(处理液导入机构)。而且,通过使送液泵35动作,可将用洗涤液配制机构50配制的洗涤液L导入到洗涤用喷嘴1中。另外,只要来自洗涤液配制机构50的洗涤液L的压力充分高,也可以省去送液泵35。
另外,在回收流路32中,从排出流路34侧依次安装吸引泵38、调节阀(液体流量控制装置)39。由供给流路34、吸引泵38、调节阀39、回收流路32构成洗涤液回收机构(处理液回收机构)。而且,通过使吸引泵38动作,可从洗涤用喷嘴回收、排出洗涤液L。
上述液压控制装置36通过调整吸引泵38的吸引力可控制保持在洗涤用喷嘴1和基板W的被洗涤面之间的洗涤液L的压力和大气压的差,确实地回收洗涤液L。
另外,调节阀37、39,是为了通过调整导入流路31、回收流路32的断面积,将导入、回收到洗涤用喷嘴1中的洗涤液的流量以每1cm的导入开口面8a的长边控制在0.02~0.3L/分钟的。
以下,按照图6说明本实施例的洗涤液配制机构50的构成。在图6中,符号51是混合槽,在此混合槽51上连接根据洗涤液L的种类的各种材料的供给管。具体地说,符号52是酸供给管、符号53是碱供给管、符号54是纯水供给管、符号55是氧化性气体供给管、符号56是还原性气体供给管。另外,如图所示,在各个供给管上装有通过控制器(未图示出)进行开闭的各个开闭阀62~66。
另外,pH测定装置71的传感器72和氧化还原电位测定装置73的传感器74被浸渍在混合槽51中的洗涤液L中,每个测定装置的输出值都输入到上述控制器中。
上述控制器是按照pH测定装置71的输出值控制开闭阀62、63的开闭、按照氧化还原电位测定装置73的输出值控制开闭阀65、66的开闭。其结果,可在混合槽51内配制具有所希望的pH及氧化还原电位的洗涤液L(pH控制机构、氧化还原电位控制机构)。
在混合槽出口81上连接上述的供给流路33,如上所述,通过起动送液泵35,配制的洗涤液L通过洗涤液导入回收机构30导入到洗涤用喷嘴1中。
接着,按照图7~图10说明上述构成的洗涤装置的动作(序列)的一个例子。
基板W在如图2~图10所示的移动方向A的方向通过未图示出的移动机构以0.5~20cm/秒的速度移动。最初,如图7所示,基板W的左端接近将导入开口面8a作为下端面的洗涤液供给部件12的下方而起动送液泵35。于是,从洗涤液供给部件12到基板W上供给洗涤液L。此时超声波振子10不动作。
进而移动基板W时,如图8所示,在超声波振子10的下方流入洗涤液L,但此时超声波振子10还不动作。
进而移动基板W,如图9所示,在达到将回收开口面9a作为下端面的洗涤液回收部件13的下方时起动吸引泵38,从洗涤液回收部件13回收从洗涤液供给部件12供给到基板W上供给的洗涤液L。在此阶段由于将洗涤液L常规地流动在基板W上,所以与此同时通过动作超声波振子10进行基板W上的超声波洗涤。
此时从导入开口面8a,经过基板W的被处理面流入到回收开口面9a的洗涤液的常规的流量,通过调节阀37、39调整到导入开口面8a的每长边方向1cm为0.02~0.3L/分钟。
最后,如图10所示,基板W的右端通过洗涤液供给部件12的下方,停止送液泵35的动作停止洗涤液L的供给的同时,停止超声波振子10。最后,从洗涤液回收部件13回收残留在基板W上的洗涤液L。这样,通过基板W对于洗涤用喷嘴1,在图7~图10上从右到左移动,可超声波洗涤基板W上的整个面。
在本实施例的洗涤装置时,从导入开口面经过上述被处理物的被处理面流入到回收开口面的处理液的流量,控制上述导入开口面的每长边方向1cm为0.02~0.3L/分钟,所以洗涤液可充分覆盖在基板W的整个被处理面上且稳定地流动的同时,回收大致全量的洗涤液。
另外,导入开口面8a的长边的长度LN与基板W的宽度LW相等或长一些,所以基板W对于洗涤用喷嘴1,在一个方向仅移动一次就可洗涤基板W的整个被处理面。
另外,在本实施例中,由于移动机构的基板W的移动速度作成0.5~20cm/秒,所以不存在气泡附着和处理液层破坏的问题,在短时间内可充分进行整个被处理面的处理。
另外,在本实施例中,由于将洗涤用喷嘴1的导入开口面8a及回收开口面9a和基板W的被处理面的距离作成0.5~6mm,所以容易确保0.02~0.3L/分钟的流量的同时,可进行稳定的流动。也可防止由于处理装置的振动,喷嘴和被处理物接触。
另外,在本实施例中,由于将洗涤用喷嘴1的导入开口面8a及回收开口面9a的各个短边作成0.01~2mm,所以容易确保0.02~0.3L/分钟的流量的同时,可均匀地进行从导入开口面8a到基板W的被处理面的处理液L的供给流动和从开口面9a回收被处理面的处理液L。
另外,在本实施例中,在洗涤用喷嘴1的导入开口面8a及回收开口面9a之间,由于设置为了对基板上的处理液付与超声波振动的超声波振动的付与机构,所以在被处理面的处理液L上可付与超声波振动,提高洗涤效率。
另外,在本实施例中,由于进行处理液的氧化还原电位和pH的控制,所以可将处理液的组成、浓度维持在最适宜的值。为此,即使用小流量也可确保充分的处理效果。
另外,对于本实施例的洗涤装置的洗涤用喷嘴1,洗涤液L从导入流路31不直接流落在基板上而是通过由多孔质材料构成的洗涤液供给部件12的多个贯通孔供给到基板W上。为此,将洗涤液L具有大致均等的流速地、相等且急速地供给到基板W上一定程度的广泛面积,以使从相对于洗涤液供给部件12的基板W的整个面大致均匀地供给。通过具有多个贯通孔的洗涤液回收部件13,从相对于洗涤液回收部件13的基板W的整个面大致均匀地回收洗涤液L。通过这些洗涤液供给部件12和洗涤液回收部件13的相互作用,对于本实施例的洗涤用喷嘴1,由于几乎不存留液体所以随之不残留粒子,提高洗涤效率。
另外,用亲水性材料制成洗涤液供给部件12和洗涤液回收部件13时,洗涤液L容易覆盖在洗涤液供给部件12或洗涤液回收部件13和基板W之间的整个空间,在基板W上可迅速供给洗涤液,迅速回收。由此,可更提高洗涤效率。
以下,参照图11、12说明本发明的第2实施例。
对于本实施例的洗涤装置的全体构成,与如图1所示的第1实施例的洗涤装置大致相同,但在使用洗涤用喷嘴15代替洗涤用喷嘴1的点上是不同的。
另外,洗涤用喷嘴15的基本构成是与第1实施例的洗涤用喷嘴1相同的,只是在洗涤用喷嘴1上附加疏水性材料构成的层的点上是不同的。因此,在图11、12中,在与图3、4共通的构成要素中付与相同的符号,省略详细的说明。
在本实施例的洗涤用喷嘴15时,如图11、图12所示,洗涤液供给部件12的周围及洗涤液回收部件13的周围分别用由疏水性材料构成的疏水层16覆盖。对于在此的疏水性材料,例如可使用特氟隆树脂、硅氧酮树脂、聚乙烯树脂等。此时,导入开口面8a及回收开口面9a成为被疏水层16包围的下端部部分。对于本实施例,洗涤液供给部件12及洗涤液回收部件13的整个周围用疏水层16覆盖,但不一定全部覆盖,只要至少覆盖与基板W相对侧的端部即可。
在本实施例的洗涤装置中,处理液L的均匀分布,起到与第1实施例相同的作用效果。另外,作为将由疏水性材料构成层附加在洗涤用喷嘴15的效果是在连接大气的导入开口面8a及回收开口面9a周边,由于洗涤液L的湿润性变小,所以将洗涤液L向上充满地保持在喷嘴15和基板W之间。其结果,抑制了从连接到大气的导入开口面8a及回收开口面9a向喷嘴外部的泄漏洗涤液L的流动。因此,保持洗涤液L的控制性大幅度地提高,确实地防止向喷嘴外部漏液。
上述各实施例的构成是洗涤装置,但本发明的湿式处理装置,可作为浸渍、显像、剥离、电镀处理等各种的湿式处理装置用的装置。
上述各实施例中,是在洗涤液喷嘴的下方配置被处理物的结构,但是喷嘴和被处理物的位置关系没有特定的限制,例如,也可以将喷嘴配置在导入开口面和回收开口面作成向上的喷嘴的上方。
另外,对于上述各实施例,将大致长方形的导入开口部和回收开口部的开口侧端面分别作为导入开口面、回收开口面,但将各个开口面的形状作成大致长方形之外,对于喷嘴的具体形状没有特别限制。另外,对于向喷嘴供给处理液的位置和回收位置也没有特别限制,例如也可在喷嘴的侧面设置导入管和回收管。
使用第2实施例的装置,研究流量和洗涤效果的关系。实验条件如下。
(1)作为被处理基板(被处理物),使用由氧化铝粒子(粒径0.1~2.0μm)将550mm×650mm(厚度0.7mm)的玻璃制基板的表面强制污染了的。具体地说,将氧化铝粒子分散在少量的IPA(异丙醇)中,然后用喷雾器吹付分散在纯水中的物质。干燥是吹入氮气而进行的。作为0.5μm以上的粒子,是将约100,000个/基板的污染状态的作为被处理基板。
(2)导入开口面及回收开口面都作成长边600mm、短边10mm的长方形。
(3)作为洗涤液供给部件、洗涤液回收部件,使用由将陶瓷制多孔质部件的周围用疏水性材料的氟树脂覆盖的。
(4)基板的移动速度作成20mm/秒。
(5)导入开口面及回收开口面和基板的距离作成3mm。
(6)通过超声波振子给予1Mhz的超声波振动。
(7)作为洗涤液,使用控制成,pH10,氧化还原电位-580mV的液体,以使在氨水中溶解氢气的溶液作成氨浓度约40ppm、氢气浓度约1.3ppm。
(8)在导入开口面的长边方向每1cm为0.01~0.5L/分钟的范围变化流量。
(9)洗涤后的干燥使用气刀。
图13表示上述实验的结果。如图13所示,对于0.01L/分钟,洗涤液过少,不能充分除去粒子。另外,即使是0.5mL/分钟,也不能充分除去粒子。这可认为洗涤液的供给没有很好地一个方向进行控制,所以粒子再附着的缘故。
另一方面,对于0.02~0.3L/分钟,可以充分除去粒子。这可认为洗涤液在基板的整个被处理面上充分覆盖的同时,通过常规的流动的置换也充分的缘故。
另外,对于本实施例,进行所谓的粒子洗涤的湿式处理,但即使是其他的湿式处理,处理液在被处理面上充分覆盖且置换也是重要的。因此,本实施例所确认的“导入开口面的长边方向每1cm为0.02~0.3L/分钟”的最适宜流量,在其他湿式处理装置时也可适用。

Claims (9)

1.一种湿式处理装置,其特征是包括具有向着被处理物开口的大致长方形的导入开口面及向着上述被处理物开口的大致长方形的回收开口面,上述导入开口面和回收开口面相互在一个面上,而且与长边方向平行地配置的喷嘴和、
在上述导入开口面和上述被处理物的被处理面之间,具有为了导入处理液的导入流路的处理液导入机构和、
从上述回收开口面和上述被处理物的被处理面之间,具有为了吸收回收处理液的吸引泵和回收流路的处理液回收机构和、
沿着上述被处理物的被处理面,且在上述导入开口面及回收开口面的短边方向上为了相对移动上述喷嘴和上述被处理物的喷嘴或被处理物的移动机构,
从上述导入开口面经过上述被处理物的被处理面流入到上述回收开口面的处理液的流量控制在导入开口面的长边方向每1cm为0.02~0.3L/分钟。
2.根据权利要求1所述的湿式处理装置,其特征是上述流量的控制是通过调整上述导入流路和/或回收流路的断面积来进行的。
3.根据权利要求1所述的湿式处理装置,其特征是上述导入开口面及回收开口面各个的长边的长度,大于上述被处理物平行上述长边的方向的宽度。
4.根据权利要求1所述的湿式处理装置,其特征是用上述移动机构的相对移动速度,是作成0.5~20cm/秒。
5.根据权利要求1所述的湿式处理装置,其特征是上述各个开口面和上述被处理物的被处理面的距离,是0.5~6mm。
6.根据权利要求1所述的湿式处理装置,其特征是,上述各个开口面的短边,是0.01~2cm。
7.根据权利要求1所述的湿式处理装置,其特征在上述导入开口面向和回收开口面之间可设置对上述被处理物上的处理液给予超声波振动的超声波振动机构。
8.根据权利要求1所述的湿式处理装置,其特征具有上述处理液的氧化还原电位控制机构。
9.根据权利要求1所述的湿式处理装置,其特征具有上述处理液pH控制机构。
CNB011306807A 2000-08-30 2001-08-20 湿式处理装置 Expired - Fee Related CN1162895C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP261949/2000 2000-08-30
JP2000261949A JP2002075947A (ja) 2000-08-30 2000-08-30 ウェット処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1340848A true CN1340848A (zh) 2002-03-20
CN1162895C CN1162895C (zh) 2004-08-18

Family

ID=18749705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011306807A Expired - Fee Related CN1162895C (zh) 2000-08-30 2001-08-20 湿式处理装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6629540B2 (zh)
EP (1) EP1184091B1 (zh)
JP (1) JP2002075947A (zh)
KR (1) KR100445041B1 (zh)
CN (1) CN1162895C (zh)
DE (1) DE60113491T2 (zh)
TW (1) TW506009B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1751813B (zh) * 2004-09-24 2010-06-02 株式会社未来视野 湿处理装置
CN101610641B (zh) * 2008-06-19 2011-06-29 富葵精密组件(深圳)有限公司 湿处理系统及湿处理方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19960591A1 (de) * 1999-12-16 2001-06-21 Laser & Med Tech Gmbh Wand- und Boden-Kavitationsreiniger
US7584761B1 (en) * 2000-06-30 2009-09-08 Lam Research Corporation Wafer edge surface treatment with liquid meniscus
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
KR20030083779A (ko) * 2002-04-22 2003-11-01 주식회사 디엠에스 액정표시소자용 처리장치 및 처리방법
US7520285B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for processing a substrate
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7252097B2 (en) * 2002-09-30 2007-08-07 Lam Research Corporation System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
US7293571B2 (en) * 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7389783B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7614411B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7997288B2 (en) * 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
US7632376B1 (en) 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US7597765B2 (en) * 2002-09-30 2009-10-06 Lam Research Corporation Post etch wafer surface cleaning with liquid meniscus
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7513262B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US7069937B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-04 Lam Research Corporation Vertical proximity processor
TWI245739B (en) * 2002-12-05 2005-12-21 Ibm Method and device for flowing a liquid on a surface
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
ATE480868T1 (de) * 2004-03-22 2010-09-15 Rena Sondermaschinen Gmbh Verfahren zur behandlung von substratoberflächen
CN1933759B (zh) * 2004-03-31 2010-12-15 兰姆研究有限公司 利用相容化学品的基板刷子擦洗和接近清洗干燥程序、接近基板制备程序和实施前述程序的方法、设备和系统
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
US20050247673A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-10 International Business Machines Corporation Confinement of fluids on surfaces
US8032979B2 (en) * 2005-09-17 2011-10-11 Hydramaster North America, Inc. Heat exchanger
JP4840020B2 (ja) * 2005-10-14 2011-12-21 ソニー株式会社 基板の処理方法
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
US8813764B2 (en) 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
KR100834827B1 (ko) * 2006-11-16 2008-06-04 삼성전자주식회사 포토 마스크 세정장치 및 그의 세정방법
JP4810411B2 (ja) * 2006-11-30 2011-11-09 東京応化工業株式会社 処理装置
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
US8464736B1 (en) 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
US7975708B2 (en) * 2007-03-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
KR101679432B1 (ko) * 2008-02-08 2016-12-06 램 리써치 코포레이션 메니스커스에 의한 웨이퍼 표면의 프로세싱에서 근접 헤드에 대한 실질적으로 균일한 유체 흐름 레이트를 위한 장치
US9659796B2 (en) * 2008-07-24 2017-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rinsing wafers using composition-tunable rinse water in chemical mechanical polish
JP2011243769A (ja) * 2010-05-19 2011-12-01 Tokyo Electron Ltd 基板のエッチング方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6903441B2 (ja) * 2016-03-31 2021-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP7260322B2 (ja) * 2019-02-18 2023-04-18 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP2022068575A (ja) * 2020-10-22 2022-05-10 株式会社ディスコ 洗浄装置
CN112474586B (zh) * 2020-11-23 2021-08-10 宁波格劳博智能工业有限公司 一种叠片数码电芯储运装置智能清洗检测生产线

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3461843A (en) * 1967-11-21 1969-08-19 Stanford Research Inst Toner application apparatus
US3574261A (en) * 1968-09-24 1971-04-13 Grace W R & Co Apparatus and method for drying permeable webs
US3801387A (en) * 1971-10-18 1974-04-02 Chemcut Corp Etchant remover apparatus and method
DE3404125A1 (de) * 1984-02-07 1985-08-08 Krupp Stahl Ag, 4630 Bochum Vorrichtung zum absaugen von fluessigkeiten von warenbahnen
US4842000A (en) * 1987-05-21 1989-06-27 Valmet-Dominion Inc. Fabric cleaning
US4949424A (en) * 1989-01-23 1990-08-21 William Shero Carpet cleaning system
AT393468B (de) * 1990-03-01 1991-10-25 Prodinger Karl Dipl Ing Dr Vorrichtung zur behandlung, insbesondere zur reinigung, von oberflaechen
DE4018074C2 (de) * 1990-06-06 1995-09-14 Voith Gmbh J M Vorrichtung zum Reinigen eines umlaufenden Papiermaschinensiebes
DE4121032A1 (de) * 1991-06-26 1993-01-07 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung zum behandeln von plattenfoermigen gegenstaenden, insbesondere leiterplatten
US5293663A (en) * 1991-10-15 1994-03-15 Food Industry Equipment International, Inc. Fluid cleaning system
US5339842A (en) * 1992-12-18 1994-08-23 Specialty Coating Systems, Inc. Methods and apparatus for cleaning objects
WO1996001919A1 (fr) * 1994-07-07 1996-01-25 Komatsu Seiren Co., Ltd. Appareil de traitement d'un tissu
JP3414018B2 (ja) * 1994-12-28 2003-06-09 日産自動車株式会社 基板表面処理装置
US5614264A (en) * 1995-08-11 1997-03-25 Atotech Usa, Inc. Fluid delivery apparatus and method
DE19530989C1 (de) * 1995-08-23 1997-03-13 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Filmstrippen
JP3369418B2 (ja) 1996-11-25 2003-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
JP3511441B2 (ja) * 1996-11-29 2004-03-29 忠弘 大見 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法
JP3511442B2 (ja) * 1996-12-18 2004-03-29 忠弘 大見 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置
JP3773145B2 (ja) * 1997-09-04 2006-05-10 富士写真フイルム株式会社 ウェブ洗浄及び除電装置
JP3655994B2 (ja) * 1998-03-11 2005-06-02 アルプス電気株式会社 除塵装置
DE19923591A1 (de) * 1999-05-21 2000-11-23 Fleissner Maschf Gmbh Co Vorrichtung mit einem Düsenbalken zur Erzeugung von Flüssigkeitsstrahlen zur Strahlbeaufschlagung der Fasern einer Warenbahn

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1751813B (zh) * 2004-09-24 2010-06-02 株式会社未来视野 湿处理装置
CN101610641B (zh) * 2008-06-19 2011-06-29 富葵精密组件(深圳)有限公司 湿处理系统及湿处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1184091A1 (en) 2002-03-06
CN1162895C (zh) 2004-08-18
US6629540B2 (en) 2003-10-07
TW506009B (en) 2002-10-11
EP1184091B1 (en) 2005-09-21
DE60113491D1 (de) 2006-02-02
JP2002075947A (ja) 2002-03-15
KR100445041B1 (ko) 2004-08-18
KR20020017982A (ko) 2002-03-07
US20020023671A1 (en) 2002-02-28
DE60113491T2 (de) 2006-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1162895C (zh) 湿式处理装置
JP5331865B2 (ja) 基板処理においてメニスカスを用いるための装置および方法
US5698038A (en) Method for wafer carrier cleaning
CN1240488C (zh) 基板处理装置及基板清洗方法
EP1583136B1 (en) Control of ambient environment during wafer drying using proximity head
CN1684231A (zh) 接近式弯月面集流管
CN1179394C (zh) 晶片清洗和蒸汽干燥系统和方法
CN1725449A (zh) 疏离性阻隔件弯液面分离及容纳
JP2001033165A (ja) 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
CN1204961C (zh) 空气扩散器及其冲刷方法
CN1707759A (zh) 使用薄的、高速液体层处理晶片表面的方法和装置
KR20070072385A (ko) 기판의 세척 장치 및 방법
CN1788338A (zh) 衬底处理方法和衬底处理装置
CN1356930A (zh) 容器清洗装置
CN1840248A (zh) 洗涤方法及洗涤装置
TWI262827B (en) Cleaning device and method of bubble reaction
CN107346755A (zh) 晶圆级带tsv通孔的薄晶圆清洗装置及清洗方法
TW202013491A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP4215900B2 (ja) ウェット処理用ノズル装置およびウェット処理装置
CN1748879A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP2004179191A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN1721091A (zh) 清洗方法及用于实施该方法的清洗装置
US7373941B2 (en) Wet cleaning cavitation system and method to remove particulate wafer contamination
JP2009246000A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
CN1638882A (zh) 基片毛细干燥法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20040818

Termination date: 20120820