CN1409869A - 生产封装集成电路装置的方法及所生产的封装集成电路装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于晶体基片的装置，它包括一个其上加工有一个微型结构(100)的晶体基片(102)；和至少一个封装层(106)，该封装层通过一种粘合剂被密封在所述微型结构上面，并且与之在所述晶体基片(102)与所述至少一个封装层(106)之间限定了至少一个空腔。此外还公开了一种用于生产一种基于晶体基片的装置的方法。

Description

生产封装集成电路装置的方法及所生产的封装集成电路装置
                       发明领域
本发明一般地涉及集成电路及类似装置，同时涉及其加工方法。
                       发明背景
所有集成电路装置的加工过程中的一个关键步骤被称为“封装”，它包括对作为集成电路的心脏的硅片以及对硅片上的预定位置与外部电接线端之间的电气互连进行机械和环境保护。
目前有三种主要技术被用于封装半导体：丝焊、带自动固定(TAB)和倒装法。
丝焊采用加热和超声波能量将金焊丝焊在硅片上的焊点和封装壳上的触点之间。
带自动固定(TAB)采用了一种铜箔带，而不是焊丝。该铜箔带根据具体的电路小片与封装壳的组合而具有不同的配置，并且包括一个与之相匹配的铜迹线图案。单独的引线可以单独地或成组地与硅片上的不同焊点相连接。
倒装晶片是集成电路小片，它们具有加工在焊点上面的焊料凸起，从而允许该电路小片被向下翻转，使电路侧朝下，并被直接焊接在一个基片上。此处无需丝焊，并且可以节省大量的封装空间。
上述技术都具有一定的限制。丝焊和TAB焊接都易于形成不良焊点，且电路小片需要承受相对较高的温度和机械压力。从封装尺寸的角度讲，丝焊和TAB焊接技术对于生产电路小片-封装壳面积比介于约10％至60％之间的集成电路装置而言都存在问题。
倒装法不提供封装，而只提供互连。这种互连会遇到焊料凸起中以及热膨胀不匹配中的均质问题，这限制了可获得的基片被用于硅或与硅具有类似热膨胀特性的材料。
集成电路及其加工方法领域内的专利文献极其丰富。
申请人的已公布的PCT申请WO95/19645中说明了用于生产集成电路装置的方法和设备。
本发明人的下列美国专利和专利申请被认为尤其相关：5,716,759；5,547,906；5,455,455和08/952,019。
                       发明概要
本发明的目的是提供改进的封装的基于晶体基片的装置及其生产方法。
由此，根据本发明的一个优选实施例，提供了一种基于晶体基片的装置，它包括一个其上加工有一个微型结构的晶体基片和至少一个封装层，该封装层通过一种粘合剂被密封在该微型结构上面，并且由此在该晶体基片与该至少一个封装层之间限定了一个空腔。
根据本发明的一个优选实施例，还提供了一种芯片级封装晶体基片，其包括：
一个其上加工有一个微型结构的晶体基片；和
至少一个芯片级封装层，该封装层被密封在该微型结构上面，并且由此限定了至少一个空腔。
根据本发明的一个优选实施例，还提供了一种用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其包括：
在一个基片上设置一个微型结构；和
通过粘合将至少一个封装层密封在该微型结构上面，并且使它们至少部分地相互隔开，从而在该微型结构与该至少一个封装层之间限定一个空腔。
推荐至少一个封装层通过使用一种粘合剂被密封在晶体基片上，其中粘合剂例如环氧树脂。
根据本发明的一个优选实施例，该晶体基片包括硅、铌酸锂、钽酸锂或石英。
推荐该至少一个封装层是透明的。
该至少一个空腔可以包括一个单体空腔或数个空腔。
该微型结构可以包括一个微型机械结构、一个微型电子结构和/或一个光电子结构。
                    对附图的简要说明
图1A和1B是一个基于晶体基片的装置的外观图，该装置具有一个空腔，并根据本发明的一个优选实施例被构造和操作；
图2A、2B、2C和2D是各种不同基于晶体基片的装置的简化剖视图，它们根据本发明的一个优选实施例被构造和操作，且基本与图1A和1B相符；
图3是图1A和1B所示类型的基于晶体基片的装置的部分切除剖视图；
图4A、4B、4C、4D和4E简化地表示了用于生产一种封装层的方法中的各个步骤，其中该封装层将被用在根据本发明的一个优选实施例的基于晶体基片的装置中。
图5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H和5I简化地表示了用于生产一种如图2A和2C所示类型的基于晶体基片的装置的方法中的各个步骤，其中该方法基于本发明的一个优选实施例。
图6A、6B、6C、6D、6E、6F、6G、6H、6I、6J和6K简化地表示了用于生产一种如图2B所示类型的基于晶体基片的装置的方法中的各个步骤，其中该方法基于本发明的另一个优选实施例。
图7A、7B、7C、7D、7E、7F和7G简化地表示了用于生产一种如图2D所示类型的基于晶体基片的装置的方法中的各个步骤，其中该方法基于本发明的另一个优选实施例。
图8A和8B表示了以图5A-5I所示的方式加工一种如图2A和2C所示类型的基于晶体基片的装置时通常采用的设备；
图9A和9B表示了以图6A-6K所示的方式加工一种如图2B所示类型的基于晶体基片的装置时通常采用的设备；和
图10A和10B表示了以图7A-7G所示的方式加工一种如图2D所示类型的基于晶体基片的装置时通常采用的设备。
               对优选实施例的详细说明
现参看图1A和1B，它们共同表示了根据本发明的一个优选实施例构造和操作的集成电路装置的一个优选实施例。该集成电路装置包括一个相对薄且紧凑、抗环境干扰并且被机械加强的集成电路封装壳10，沿该封装壳10的边缘表面14覆镀有数个电触点12。
推荐触点12从边缘表面延伸到封装壳的平面16上。这种触点布置方案能使封装壳10同时通过平表面安装和边缘安装被装在一个电路板上。需指明的是，集成电路封装壳10可以包括一个或多个下列元件(未示出)：一个整体成形的二向色滤光片、色滤光片、抗反射涂层、偏光镜、光栅、集成波导和光耦合凸块。
根据本发明的一个优选实施例，集成电路封装壳10限定了一个空腔18，其如虚线所示。
现参看图2A-2D，它们表示了如图1A和1B所示一般类型的集成电路装置的四个替代优选实施例，其皆根据本发明的其它优选实施例被构造和操作。图2A-2D中所示的每个装置都包括一个相对较薄且紧凑、抗环境干扰并且被机械加强的集成电路封装壳，沿该封装壳的边缘表面覆镀有数个电触点。
图2A表示了一个集成电路装置，它包括一个加工在一个晶体基片102上的微型透镜阵列100。一个通常由玻璃制成的封装层106位于基片102下面并且通过环氧树脂104被密封在基片102上，沿封装层106的边缘加工有电触点108，其通常限定了凸起110。导电焊点112优选地将基片102连接在电触点108上。
根据本发明的一个优选实施例，一个通常由玻璃制成的封装层114，和连带的间隔件116，通过一种例如环氧树脂118的粘合剂，被密封在基片102上，从而在微型透镜阵列100和层114之间限定一个空腔120。
我们希望封装层114最好是透明的，并且可以在其上加工一个二向色滤光片和/或抗反射涂层。
图2B表示了一个集成电路装置，它包括一个光电子或光机械装置150，例如一个化学传感器、一个微型镜阵列或一个加速度计，装置150例如通过一个导电连接件154被悬在一个晶体基片152上。一个通常由玻璃制成的封装层156被密封在基片152上，沿封装层156的边缘加工有电触点158，其通常限定了凸起160。导电焊点162优选地将基片152连接在电触点158上。
根据本发明的一个优选实施例，一个通常由玻璃制成的封装层164，和连带的间隔件166，通过一种例如环氧树脂168的粘合剂，被密封在基片152上，从而在装置150与层164和层156之间分别限定第一和第二空腔170和172。
我们希望封装层164最好是透明的，并且可以在其上加工一个二向色滤光片和/或抗反射涂层。
图2C表示了一个集成电路装置，它包括一个加工在一个晶体基片202上的光电子或光机械装置200。一个通常由玻璃制成的封装层206位于基片202下面并且通过环氧树脂204被密封在基片202上，沿封装层206的边缘加工有电触点208，其通常限定了凸起210。导电焊点212优选地将基片202连接在电触点208上。
根据本发明的一个优选实施例，一个通常由玻璃制成的封装层214，和连带的间隔件216，通过一种例如环氧树脂218的粘合剂，被密封在基片202上，从而在装置200与层214之间限定一个空腔220。
我们希望封装层214最好是透明的，并且可以在其上加工一个二向色滤光片和/或抗反射涂层。
图2D表示了一个表面声波(SAW，Surface Acoustic Wave)装置，它包括一个限定在一个晶体基片252上的SAW传播表面250，沿晶体基片252的边缘加工有电触点258，其通常限定了凸起260。导电焊点262优选地将基片252连接在电触点258上。
根据本发明的一个优选实施例，一个通常由玻璃制成的封装层264，和连带的间隔件266，通过一种例如环氧树脂268的粘合剂，被密封在基片252上，从而在表面250与层264之间限定一个空腔270。
现参看图3，该图表示了图1A-2D中所示类型的一种典型集成电路装置的部分切除视图，该装置具有一个如参考标号280所示的空腔。
现参看图4A、4B、4C、4D和4E，它们简化地表示了用于生产一种封装层的方法中的各个步骤，其中该封装层将被用在根据本发明的一个优选实施例的基于晶体基片的装置中。如图4A和4B所示，一个通常由玻璃制成的基片300上优选被涂上一层环氧树脂基光致抗蚀剂涂层302，典型的光致抗蚀剂是SU-8光致抗蚀剂，它可向美国MA州Newton市的MicroChem公司购买。
光致抗蚀剂层302通过一个掩模304被曝光，如图4C所示并且被冲洗后形成如图4D所示的间隔件306，它通常呈矩形结构，如图4E所示。这些间隔件与图2A-2D分别所示的间隔元件116、166、216和266相对应。
现参看图5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H和5I，它们简化地表示了用于生产一种如图2A和2C所示类型的基于晶体基片的装置的方法中的各个步骤，其中该方法基于本发明的一个优选实施例。
如图5A所示，提供了一个通常如图4D和4E中所示类型的封装层400。粘合剂402被涂在该封装层上，优选涂在加工在其上的间隔件406附近和之间，间隔件406与图4D和4E分别所示的间隔件306相对应，同时与图2A-2D分别所示的间隔元件116、166、216和266相对应。粘合剂402优选是一种高温环氧树脂，例如EPO-TEK353ND，它可向美国MA州Billerica的环氧树脂技术有限公司购买。
如图5B所示，由此准备好的封装层400被粘在一个晶体基片404上，该晶体基片404上通常具有至少一个金属层，并且其上安装有上文中结合图2A和2C所述类型的光机械或光电子装置。可清楚地看到，根据本发明的一个优选实施例，一个空腔405被限定在封装层400和基片404之间。
晶体基片404优选如图5C所示被研磨，并且如图5D所示被蚀刻，从而形成分离的基片407。在蚀刻之后，基片407通过环氧树脂层408被粘在一个下部的封装层410上，如图5E所示。
如图5F所示，封装层410和环氧树脂层408被通过机械方法加工出槽口，然后电触点412和一般地凸起414被加工在槽口上，如图5G所示。由此形成的组件如图5H所示被切成块，从而产生数个封装集成电路装置，如图5I所示。
我们应理解，在此处以及本文所述的所有例子中，该晶体基片可以是任何合适的晶体基片，并且可以包括，例如，硅、铌酸锂、钽酸锂或石英。
上文和下文中所述的加工技术可以，但并非必须，包括本发明人/受让人的下列美国专利和专利申请的任何一个中所述的技术，它们的公开在此处被并入，以作为参考：5,716,759；5,547,906；5,455,455和08/952,019。
现参看图6A、6B、6C、6D、6E、6F、6G、6H、6I、6J和6K，它们简化地表示了用于生产一种如图2B所示类型的基于晶体基片的装置的方法中的各个步骤，其中该方法基于本发明的另一个优选实施例。
如图6A所示，一个通常由派莱克斯耐热玻璃制成的基片500上安装有数个晶体基片502，其上加工有焊点504，并且其上通过导电连接件506悬有光电子或光机械装置508，例如化学传感器、微型镜阵列或一个加速度计，它们可以与图2B中所示类型的装置150相对应。
如图6B所示，提供了一个通常如图4D和4E中所示类型的封装层510。粘合剂512被涂在该封装层上，优选涂在加工在其上的间隔件516附近和之间，间隔件516与图4D和4E分别所示的间隔件306相对应，同时与图2A-2D分别所示的间隔元件116、166、216和266相对应。粘合剂512优选是一种高温环氧树脂，例如EPO-TEK 353ND，它可向美国MA州Billerica的环氧树脂技术有限公司购买。
如图6C所示，由此准备好的封装层510被粘在一个晶体基片502上，一般邻近焊点504。可清楚地看到，根据本发明的一个优选实施例，一个空腔513被限定在封装层510和基片502之间，同时另一个空腔514被限定在基片502、基片500和机电装置508之间。
基片500和晶体基片502优选如图6D所示被加工出槽口，并且如图6E所示被蚀刻，从而在晶体基片502中限定体积515，该体积515中优选被填入环氧树脂517，如图6F所示。
如图6G所示，然后基片500、环氧树脂516和粘合剂512通过机械方法被加工出槽口501，之后电触点519，例如通过溅镀，被加工在槽口上，如图6H所示。凸起518优选与一个镍金涂层一起被加工在其上，如图6I所示。由此形成的组件如图6J所示被切成块，从而产生数个封装集成电路装置，如图6K所示。
现参看图7A、7B、7C、7D、7E、7F和7G，它们简化地表示了用于生产一种如图2D所示类型的基于晶体基片的装置的方法中的各个步骤，其中该方法基于本发明的另一个优选实施例。
如图7A所示，提供了一个通常如图4D和4E中所示类型的封装层600。粘合剂602被涂在该封装层上，优选涂在加工在其上的间隔件606附近和之间，间隔件606与图4D和4E分别所示的间隔件306相对应，同时与图2A-2D分别所示的间隔元件116、166、216和266相对应。粘合剂602优选是一种高温环氧树脂，例如EPO-TEK 353ND，它可向美国MA州Billerica的环氧树脂技术有限公司购买。
如图7B所示，由此准备好的封装层600被粘在一个晶体基片604上，基片604上通常具有至少一个金属层并且其上限定有一个如上文中参照图2D所述的SAW传播层609。可以清楚地看到，根据本发明的一个优选实施例，一个空腔607被限定在封装层600和SAW传播层609之间。
晶体基片604可以如图7C所示被研磨，并且如图7D所示被部分地蚀刻入粘合剂602中，从而形成分离的基片608。在蚀刻之后，电触点610和一般地凸起614被加工在其上，如图7E所示。由此形成的组件如图7F所示被切成块，从而产生数个SAW装置，如图7G所示。
现参看图8A和8B，它们表示了以图5A-5I所示的方式加工一种如图2A和2C所示类型的基于晶体基片的装置时采用的设备。如图8A和8B所示，一个传统的圆片织物设备680提供了如图5A所示类型的完整的圆片681。单个的圆片682在其使用表面上通过粘合设备685粘上如图5A和5B所示的保护层683，粘合设备685优选包括用于转动圆片682、层683和环氧树脂的设备，以便使环氧树脂被均匀分布。
粘合的圆片686通过用研磨设备684研磨其非使用表面而变薄(图5C)，其中研磨设备684例如使用12.5A磨料的32BTGW型设备，它可向英国的Speedfam机器有限公司购买。
然后该圆片的非使用表面被蚀刻(图5D)，优选采用光刻法，例如通过使用传统的旋涂光致抗蚀剂，它可向Hoechst公司购买，其商标名称为AZ4562，使用一个掩模曝光机械692，用于使光敏光致抗蚀剂690通过掩模691被曝光，然后在一个浴槽693内使用溶液699对硅进行蚀刻。
蚀刻后的圆片1000的非使用侧面通过粘合设备694被粘在保护层686上，从而产生一个双面粘合的多层圆片，其中粘合设备694本质上与设备685相同。
开槽设备695将图5E所示的粘合多层圆片部分地切割成图5F中所示的结构。
然后，开槽后的圆片1002优选在一个浴槽696中受到抗腐蚀处理，浴槽696中盛有一种铬酸盐溶液698，例如如下列美国专利：2,507,956；2,851,385和2,796,370之一中所述的溶液，这些专利的公开在此处被并入，以作为参考。
导电层沉积设备700被用于在图5G中所示圆片的每个电路小片的一个或多个表面上加工一个导电层，其中该设备700通过真空沉积技术进行工作，例如美国材料研究公司生产的903M型溅镀机械。
如图5G所示的接触条的构形优选通过使用传统的电沉积光致抗蚀剂701被实施，其中光致抗蚀剂701可向DuPont购买，其商标名称为Primecoat，或者向Shipley购买，其商标名称为Eagle。光致抗蚀剂701在一个光致抗蚀剂浴槽组件702中被涂在圆片707上，组件702可向DuPont或Shipley购买。
光致抗蚀剂703优选通过一个紫外线曝光系统704被进行光刻构形，该系统可等同于系统692，使用一个掩模705来限定合适的蚀刻图案。然后该光致抗蚀剂在一个冲洗槽706中被冲洗，然后该圆片在一种盛在一个蚀刻槽710中的金属蚀刻溶液708中被蚀刻，从而形成一个如图5G所示的导体构形。
然后图5G中所示的曝光后的导电条优选通过化学镀设备712被覆镀，设备712可向日本的Okuno购买。
然后圆片被切成单个的预封装集成电路装置(图5H)。推荐切块刀片714应选用一个厚度为4-12密耳的金刚石树脂刀片。最终的电路小片的外形整体如图5I所示。
现参看图9A和9B，它们表示了以图6A-6K所示的方式加工一种如图2B所示类型的基于晶体基片的装置时采用的设备。如图9A和9B所示，一个圆片织物设备680提供了如图6A所示类型的完整的圆片781。圆片781被安装在一个基片上，例如一个派莱克斯耐热玻璃基片782。单个的圆片781在其使用表面上通过粘合设备784粘上如图6B和6C所示的保护层783，粘合设备784优选包括用于转动圆片781、层783和环氧树脂的设备，以便使环氧树脂被均匀分布。
开槽设备794将图6C所示的粘合多层圆片部分地切割成图6D中所示的结构。然后，开槽后的圆片796在一种盛在一个浴槽1010中的硅蚀刻溶液798中被蚀刻。圆片1014中蚀刻出的空腔1012通过使用一个分配器1018被填入环氧树脂1016，从而获得被环氧树脂填充的空腔1020。圆片1022中被环氧树脂填充的沟1020通过使用设备1024被再一次开槽。
然后，开槽后的圆片1028优选在一个浴槽1030中受到抗腐蚀处理，浴槽1030中盛有一种铬酸盐溶液1032，例如如下列美国专利：2,507,956；2,851,385和2,796,370之一中所述的溶液，这些专利的公开在此处被并入，以作为参考。
导电层沉积设备800被用于在图6G中所示圆片的每个电路小片的一个或多个表面上加工一个导电层，其中该设备800通过真空沉积技术进行工作，例如美国材料研究公司生产的903M型溅镀机械。
如图6E所示的接触条的构形优选通过使用传统的电沉积光致抗蚀剂801被实施，其中光致抗蚀剂801可向DuPont购买，其商标名称为Primecoat，或者向Shipley购买，其商标名称为Eagle。光致抗蚀剂801在一个光致抗蚀剂浴槽组件802中被涂在圆片803上，组件802可向DuPont或Shipley购买。
光致抗蚀剂807优选通过一个紫外线曝光系统804被进行光刻构形，该系统使用了一个掩模805，以限定合适的蚀刻图案。然后该光致抗蚀剂在一个冲洗槽806中被冲洗，然后该圆片在一种盛在一个蚀刻槽810中的金属蚀刻溶液808中被蚀刻，从而形成一个如图1B所示的导体构形。
然后图6G中所示的曝光后的导电条优选通过化学镀设备812被覆镀，设备812可向日本的Okuno购买。
然后圆片被切成单个的预封装集成电路装置(图6H)。推荐切块刀片814应选用一个厚度为4-12密耳的金刚石树脂刀片。最终的电路小片的外形整体如图6K所示。
现参看图10A和10B，它们表示了以图7A-7G所示的方式加工一种如图2D所示类型的基于晶体基片的装置时采用的设备。如图10A和10B所示，一个传统的圆片织物设备880提供了如图7A所示类型的完整的圆片881。单个的圆片881在其使用表面上通过粘合设备882粘上如图7A和7B所示的保护层883，粘合设备882优选包括用于转动圆片881、层883和环氧树脂的设备，以便使环氧树脂被均匀分布。
开槽设备894将图7E所示的圆片883部分地切割成图7F中所示的结构。
然后，开槽后的圆片884优选在一个浴槽896中受到抗腐蚀处理，浴槽896中盛有一种铬酸盐溶液898，例如如下列美国专利：2,507,956；2,851,385和2,796,370之一中所述的溶液，这些专利的公开在此处被并入，以作为参考。
导电层沉积设备900被用于在图7G中所示圆片的每个电路小片的一个或多个表面上加工一个导电层，其中该设备900通过真空沉积技术进行工作，例如美国材料研究公司生产的903M型溅镀机械。
如图7E所示的接触条的构形优选通过使用传统的电沉积光致抗蚀剂901被实施，其中光致抗蚀剂901可向DuPont购买，其商标名称为Primecoat，或者向Shipley购买，其商标名称为Eagle。光致抗蚀剂901在一个光致抗蚀剂浴槽组件902中被涂在圆片903上，组件902可向DuPont或Shipley购买。
光致抗蚀剂920优选通过一个紫外线曝光系统904被进行光刻构形，该系统使用了一个掩模905，以限定合适的蚀刻图案。然后该光致抗蚀剂在一个冲洗槽906中被冲洗，然后该圆片在一种盛在一个蚀刻槽910中的金属蚀刻溶液908中被蚀刻，从而形成一个如图1B所示的导体构形。
然后图7G中所示的曝光后的导电条优选通过化学镀设备912被覆镀，设备712可向日本的Okuno购买。
然后圆片913被切成单个的预封装集成电路装置(图5H)。推荐切块刀片914应选用一个厚度为4-12密耳的金刚石树脂刀片。最终的电路小片的外形整体如图7G所示。
本领域内的普通技术人员应理解，本发明并不仅限于上文中具体所示和所述的内容。相反，本发明的范围包括上述特征的组合或子组合以及其更改和改变，通过阅读前述说明部分以及参照附图，本领域内的普通技术人员将清楚地知道这些更改和改变，并且这些更改和改变不属于现有技术。

Claims (36)

1.一种基于晶体基片的装置，它包括：
一个其上加工有一个微型结构的晶体基片；和
至少一个封装层，该封装层通过一种粘合剂被密封在所述微型结构上面，并且由此在所述晶体基片与所述至少一个封装层之间限定了至少一个空腔。
2.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述至少一个封装层使用一种粘合剂被密封在所述晶体基片上。
3.如权利要求2所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述粘合剂包括环氧树脂。
4.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述晶体基片包括硅。
6.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述至少一个封装层是透明的。
7.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述至少一个空腔包括数个空腔。
8.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述微型结构包括一个微型机械结构。
9.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述微型结构包括一个微型电子结构。
10.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述微型结构包括一个光电子结构。
11.一个芯片级封装晶体基片，它包括：
一个其上加工有一个微型结构的基片；和
至少一个芯片级封装层，该封装层被密封在该微型结构上面，并且与之限定了至少一个空腔。
12.如权利要求11所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述至少一个封装层使用一种粘合剂被密封在所述基片上。
13.如权利要求12所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述粘合剂包括环氧树脂。
14.如权利要求11所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述晶体基片包括硅。
15.如权利要求11所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述晶体基片包括铌酸锂。
16.如权利要求11所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述至少一个封装层是至少部分透明的。
17.如权利要求11所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述至少一个空腔包括数个空腔。
18.如权利要求11所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述微型结构包括一个微型机械结构。
19.如权利要求11所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述微型结构包括一个微型电子结构。
20.如权利要求11所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述微型结构包括一个光电子结构。
21.一种用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其包括：
在一个基片上设置一个微型结构；和
通过粘合将至少一个封装层密封所述微型结构上面，并且使它们至少部分地相互隔开，从而在所述微型结构与所述至少一个封装层之间限定一个空腔。
22.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述至少一个封装层使用一种粘合剂被密封在所述基片上。
23.如权利要求22所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述粘合剂包括环氧树脂。
24.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述晶体基片包括硅。
25.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述晶体基片包括铌酸锂。
26.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述至少一个封装层是至少部分透明的。
27.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述至少一个空腔包括数个空腔。
28.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述微型结构包括一个微型机械结构。
29.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述微型结构包括一个微型电子结构。
30.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述微型结构包括一个光电子结构。
31.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述晶体基片包括钽酸锂。
32.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述微型结构包括一个表面声波装置。
33.如权利要求11所述的芯片级封装晶体基片，其特征在于，所述微型结构包括一个表面声波装置。
34.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述晶体基片包括钽酸锂。
35.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述微型结构包括一个表面声波装置。
36.如权利要求1所述的基于晶体基片的装置，其特征在于，所述晶体基片包括石英。
37.如权利要求21所述的用于生产一种基于晶体基片的装置的方法，其特征在于，所述晶体基片包括石英。
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