CN1446690A - 电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机 - Google Patents

电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种以最佳结构可以实现电子器件各种特性优越的电子器件用基板和具有有关电子器件用基板的电子器件、具有有关电子器件用基板的强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机。本发明的图1所示的电子器件用基板100包括：具有非晶态层15的基板11、在非晶态层15上形成至少厚度方向取向方位整齐的缓冲层12和在缓冲层12上以外延生长法形成并具有钙钛矿结构金属氧化物的导电性氧化物层13。缓冲层12最好是包含NaCl结构的金属氧化物、荧石型结构的金属氧化物中的一种的金属氧化物，并且，在立方晶体(100)取向以外延生长法生成的物质。

Description

电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、 电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机
技术领域
本发明涉及电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机
背景技术
用于喷墨式打印头的压电元件或用于强电介质存储器的电容器等电子器件是利用一对电极(上面电极和下面电极)夹持由强电介质材料构成的强电介质层而构成的。
作为这个强电介质材料广泛使用组成式为ABO3的具有钙钛矿结构的金属氧化物，特别是广泛使用A为铅(Pb)，B为混合锆(Zr)和钛(Ti)的钛酸锆酸铅(PZT)。
但是，以往，在这样的电子器件中，作为下面电极的构成材料利用Pt(铂)。因为Pt具有密度最大的面心立方格子(FCC)结构，自己取向性强，即使是在如SiO2的非晶态物质所构成的层(下面简称[非晶态层])上形成膜，向(111)强烈取向。因此，其上形成的强电介质层的取向性也好。
可是，因为Pt是取向性很强，结晶粒就变为柱状，晶粒界面在上下方向上整齐。因此，沿着晶粒界面的强电介质层中的Pb等容易扩散到下地(下面电极)。另外，这个下面电极与非晶态层的密接性不良的问题。
为了改善这个下面电极与非晶态层(SiO2层)的密接性，有时在这些层之间设置Ti构成的中间层，或为了防止Pb的扩散，有时设置TiN构成的阻挡层。
然而，这种情形下电极结构变为复杂以外，发生Ti的氧化、Ti的向下面电极的扩散，并且，由于这些原因降低强电介质材料的结晶性。
把这样的电子器件使用于压电元件时，电场偏移特性，而使用于电容器时，极化电场(P-E)滞后特性、漏泄电流特性、疲劳特性等各种特性变坏的问题。
发明内容
本发明的目的在于：提供以最佳结构来可以实现电子器件各种特性优越的电子器件用基板和具有有关电子器件用基板的电子器件以及具有有关电子器件用基板的强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头、喷墨式打印机。
这些目的通过下面叙述的(1)～(15)的本发明来达到。
(1)电子器件用基板的特征在于包括：至少表面为非晶态的物质所构成的基板、在上述表面上形成厚度方向取向方位整齐的缓冲层、在上述缓冲层上以外延生长形成的包含具有钙钛矿结构金属氧化物的导电性氧化物层。
(2)上述(1)项所述的电子器件用基板，其中上述缓冲层是三维方向的所有方向上的取向方位整齐的缓冲层。
(3)上述(1)项或(2)项所述的电子器件用基板的上述缓冲层是立方晶体(100)的取向、外延生长法生成的缓冲层。
(4)上述(1)项至(3)项所述的电子器件用基板，其中上述缓冲层是至少包含NaCl结构的金属氧化物或萤石型结构的金属氧化物中的一种金属氧化物的缓冲层。
(5)上述(4)项所述的电子器件用基板，其中上述NaCl结构的金属氧化物是MgO、CaO、SrO、BaO或是包含这些的固溶体中的一种。
(6)上述(4)项所述的电子器件用基板的上述萤石型结构的金属氧化物是氧化钇稳定化氧化锆、CeO2、ZrO2或是包含这些的固溶体中的一种。
(7)上述(1)项至(6)项中的任意1项所述的电子器件用基板，其中上述导电性氧化物层是拟立方晶体(100)取向或拟立方晶体(110)取向、外延生长法生成的导电性氧化物层。
(8)上述(1)项至(7)项中的任意1项所述的电子器件用基板，其中上述钙钛矿结构金属氧化物是CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3或是包含这些的固溶体中的一种。
(9)一种电子器件，其特征在于具有上述(1)项至(8)项中的任意1项所述的电子器件用基板。
(10)上述(9)项所述的电子器件为电容器。
(11)上述(9)项所述的电子器件为压电激励器(作动器)。
(12)一种强电介质存储器，其特征在于具有上述(10)所述的电子器件。
(13)一种电子器械，其特征在于具有上述(10)所述的强电介质存储器。
(14)一种喷墨式打印头，其特征在于具有上述(11)所述的电子器械。
(15)一种喷墨式打印机，其特征在于具有上述(14)所述的喷墨式打印头。
附图说明
图1是表示本发明的电子器件用基板实施例的剖面图。
图2是表示缓冲层取向方位的图。
图3是为了说明本发明电子器件用基板的制造方法的图。
图4是表示本发明的电子器件用基板适用于电容器时的实施例的剖面图。
图5是表示本发明的电子器件用基板适用于悬臂时的实施例的剖面图。
图6是模式性地表示本发明的强电介质存储器实施例的俯视图。
图7是图6中A-A线剖面图。
图8是表示本发明的喷墨式打印头实施例的分解立体图。
图9是表示图8所示的喷墨式打印头主要装置的构成的剖面图。
图10是表示本发明的喷墨式打印机实施例的简易图。
图中，
100、电子器件用基板；11、基板；12、缓冲层；13、导电性氧化物(下面电极层)；15、非晶态层；200、电容器；24、强电介质层；25、上面电极层；300、悬臂(压电激励器)；34、压电体层；35、上面电极层；40、强电介质存储器；41、外围电路部；411、半导体基板；412、MOS晶体管；412a、门绝缘层；412b、栅极电极；412c、源/漏区域；414、第一层间绝缘层；415、第二层间绝缘层下地层(缓冲层)；42、存储单元阵列；421、下地层(缓冲层)；422、第一信号电极；423、强电介质层；424、第二信号电极；425、第一保护层；426、第二保护层；43、第一配线层；44、第二配线层；451、第一驱动电路；452、第二驱动电路；453、信号检测电路；50、喷墨式打印头；51、喷嘴板；511、喷嘴孔；52、墨室基板；521、墨室；522、侧壁；523、贮存室；524、供应孔；53、振动板；531、通孔；54、压电元件；541、上面电极；542、下面电极；543、压电体层；55、下地层(缓冲层)；56、机体；60、喷墨式打印机；62、装置机架；621、盘；622、排纸口；63、头部件；631、墨盒；632、输送架；64、打印装置；641、输送架电动机；642、往复运动机构；643、输送架导向轴；644、齿形带；65、供纸装置；651、供纸电动机；652、供纸辊；652a、从动辊；652b、驱动辊；66、控制装置；67、操作盘；P、打印用纸
具体实施方式
本发明人重复专心研究的结果，作为替代Pt的下面电极(导电性氧化物)材料最好是利用如SrRuOx或IrOx为首的导电性氧化物，特别是钌酸锶(SrRuO3)等的具有钙钛矿结构金属氧化物。
因为具有有关钙钛矿结构金属氧化物是具有和PZT等的强电介质材料相同的结构，下面电极(导电性氧化物)不仅可以提高强电介质层之间的接合性，还可以容易实现强电介质层的外延性生长，另外，认为作为Pb扩散阻挡层的特性方面也具有良好的特性。
但是，从提高作为电子器件的各种特性的观点看，使强电介质层作为取向膜为理想，为此，有必要使下面电极(导电性氧化物)利用外延性生长法来形成。
可是，一般广泛应用的Si基板上直接想要形成下面电极(导电性氧化物)的话，在Si基板的表面上就先形成非晶态层的SiO2。在这样的非晶态层的上面，利用外延性生长来形成下面电极(导电性氧化物)是非常困难的。
因此，本发明人经过进一步的研究发现：在这样的非晶态层上面形成至少厚度方向取向方位整齐的缓冲层的方法，在这个缓冲层上面可以使下面电极(导电性氧化物)容易以外延性生长法来生成。
本发明是根据有关的见解进行的发明，本发明的电子器件用基板的特征在于：至少表面为非晶态的物质构成的基板，在上述表面上形成至少厚度方向取向方位整齐的缓冲层，在上述缓冲层上以外延生长法形成具有包含钙钛矿结构金属氧化物的导电性氧化物层。
下面，分别说明本发明的电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头、喷墨式打印机的最佳实施例。
《电子器件用基板》
首先说明本发明的电子器件用基板。
图1是表示本发明的电子器件用基板实施例的剖面图，图2是表示缓冲层取向方位的图，图3是说明本发明的电子器件用基板的制造方法的图。
图1所示的电子器件用基板100包括：具有非晶态层15的基板11、形成在非晶态层15上的缓冲层12、形成在这个缓冲层12的导电性氧化物层13。
基板11是具有支撑后面要叙述的缓冲层12和导电性氧化物层13的部件，利用平板状部件构成。
这个基板11是在其表面(图1中的上面)上具有非晶态层15。非晶态层15是非晶态物质所构成的部分，可以是与基板11形成一体或是固定在基板11的东西。
作为基板11可以利用如Si基板、SOI(Si在绝缘体上)基板等。此时，可以利用其表面为被自然氧化膜、或热氧化膜的SiO2膜所覆盖的。即，此时，这些自然氧化膜、或热氧化膜构成非晶态层15。
另外，非晶态层15除了SiO2以外，可以利用氮化硅、氮氧化硅、各种金属材料构成。此时，非晶态层15可以利用热CVD、等离子CVD、激光CVD等的化学蒸镀法(CVD)、真空蒸镀法、喷镀、离子镀等物理蒸镀法(PVD)、气流喷镀、Si基板表面的热氧化等方法形成。
另外，本实施例中的基板11是具有非晶态层15，但本发明的基板11是其整体为利用非晶态的物质构成的也是可以的。此时，作为基板11可以是聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等的聚烯烃、环聚烯烃、变性聚烯、聚氯乙烯烃、偏聚氯乙烯、聚苯乙稀、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺亚胺、聚碳酸脂、聚(4-甲基-庚稀-1)、离子交联聚合物、丙烯酸类树脂、聚甲基丙烯酸酯、丙烯腈-丁乙烯-苯乙烯共聚物(ABS树脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS树脂)、丁乙烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙稀-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丁烯对酞酸酯(PBT)聚环乙烷对酞酸酯(PCT)等的聚酯、聚醚、聚醚酮(PEK)聚醚酮醚(PEEK)、聚醚亚胺、聚缩醛(POM)、聚苯醚、变性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫、-多芳基化合物、芳香族聚酯、(液晶共聚物)、聚四氟乙烯、聚氟化偏氯化乙烯、其他氟化树脂、苯乙烯、聚烯烃系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、聚酯系、聚酰胺系、聚丁二烯系、反式聚乙戊二烯系、氟化橡胶系、氯化聚乙烯系等的各种热可塑性弹性体、环氧树脂、苯酚树脂、尿素树脂、密胺树脂、不饱和聚酯、硅树脂、聚氨酯树脂等或以这些为主的共聚物、混合物、合金式强化塑料等的各种树脂材料或各种玻璃材料构成的基板。
这些Si基板、SIO基板、各种树脂基板、各种玻璃基板都是通用的。因此，作为基板11，利用这些基板可以降低电子器件用基板的制造成本。
基板11的平均厚度虽然没有特殊的规定，但一般为10μm～1mm为好，在100μm～600μm为更好。使基板11的平均厚度在上述范围内，电子器件用基板100可以保证充分的强度且可以实现其薄型化(小型化)。
基板11上形成薄膜的缓冲层12。这个缓冲层12至少在厚度方向取向方位整齐的物质。因为后面要叙述的导电性氧化物层13的取向方位依赖于缓冲层12的取向方位，导电性氧化物层13也取向方位整齐地生长。即，本发明人发现：在这样的缓冲层12上，可以正常的外延生长法生成导电性氧化物层13。
这里结合图2说明「厚度方向上取向方位整齐」的意思。但在这里，使取向方位在平行于厚度方向整齐的情形为例。另外，图2中的一个箭头模式性地表示一个结晶粒的取向方位。
这个「厚度方向上取向方位整齐」是认为①取向方位不规则的(即箭头方向为随机的)和②取向方位在面方向整齐的(即几乎所有箭头为横向的)是不符合的，理想的是如图2(x)所示，厚度方向的取向方位完全整齐(即所有箭头为向上整齐)，但实际上，如图2(y)所示，包含任意的取向方位的(即对厚度方向倾斜的箭头)也可以，作为整体取向方位向厚度方向倾向的状态就可以。
另外，缓冲层12只要是单一取向(只是在厚度方向上取向方位整齐)的就可以，但最好是面内取向(三维方向的所有方向上取向方位整齐)的。由此，可以提高上述效果。
另外，设置缓冲层12的方法，可以获得良好的非晶态层15与导电性氧化物层13的接合性(密接性)。
这样的缓冲层12可以是包含NaCl结构的金属氧化物、萤石型结构的金属氧化物、钙钛矿结构金属氧化物中的至少一种。其中，缓冲层12是包含NaCl结构的金属氧化物、萤石型结构的金属氧化物中的至少一种为更好，把这些为主要材料的更为好。这些金属氧化物与钙钛矿结构金属氧化物之间的晶格不匹配性小，因此，可以提高与导电性氧化物层13的接合性。
另外，作为NaCl结构的金属氧化物有MgO、CaO、SrO、BaO、MnO、FeO、CoO、NiO、或包含这些的固溶体等，但其中最好的是MgO、CaO、SrO、BaO、或至少包含这些的固溶体中的一种。这样的NaCl结构的金属氧化物与钙钛矿结构金属氧化物之间的晶格不匹配性更小。
另一方面，作为萤石型结构的金属氧化物有氧化钇稳定化氧化锆、CeO2、ZrO2、ThO2、UO2、或包含这些的固溶体，但最好是其中氧化钇稳定化氧化锆、CeO2、ZrO2、或至少包含这些的固溶体中的一种。这样的萤石型结构的金属氧化物与钙钛矿结构金属氧化物之间的晶格不匹配性更小。
缓冲层12是进行如立方晶体(100)取向、立方晶体(110)取向、立方晶体(111)取向中的一种外延性生长法生成的，但其中最好是进行立方晶体(100)取向的外延性生长的缓冲层。通过使缓冲层12进行立方晶体(100)取向的外延性生长的方法，可以缩小缓冲层12的平均厚度。因此，即使是具有潮解性的如MgO、CaO、SrO、BaO等的NaCl结构的金属氧化物来构成缓冲层12，也可以有效防止制造或使用时由于空气中的水分而降低性能等不好现象的发生，可以作为实用可能的电子器件用基板100。
从这个观点，缓冲层12最好是尽可能薄，具体地，其平均厚度小于10nm为好，小于5nm就更好。由此，可以提高上述效果。
另外，缩小缓冲层12的平均厚度的方法，如制作强电介质存储器时，可以制作随着强电介质存储器设计尺寸微细化所需要的薄型(如10nm左右厚度)电容器的优点。
在缓冲层12上面，形成外延性生长法生成的导电性氧化物层13。如上所述，因为缓冲层12是取向方位整齐的缓冲层，在这个缓冲层12上面形成外延性生长的导电性氧化物层13，导电性氧化物层13的取向方位整齐。
利用具有这样的导电性氧化物层13的电子器件用基板100，制作各种电子器件时，提高这些电子器件的各种特性。至于这一点以后说明。
另外，这个导电性氧化物层13是包含具有钙钛矿结构的金属氧化物作为主要材料的。
具有钙钛矿结构的金属氧化物有如CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3、SrVO3、(La、Sr)MnO3、(La、Sr)CrO3、(La、Sr)CoO3、或包含这些的固溶体物质，但最好是CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3、或至少包含这些的固溶体中的一种物质。这些具有钙钛矿结构的金属氧化物在导电性或化学稳定性方面都好。因此，可以使导电性氧化物层13也具有良好的导电性或化学稳定性。
另外，这样的导电性氧化物层13来构筑电子器件时，作为电极很有用。
导电性氧化物层13可以是如拟立方晶体(100)取向、拟立方晶体(110)取向、拟立方晶体(111)取向的任意一个外延生长法生成的物质，但其中，最好是拟立方晶体(100)取向、拟立方晶体(110)取向、外延性生长的物质。利用具有这样的导电性氧化物层13的电子器件用基板来制作各种电子器件时，更能提高这些电子器件的各种特性。
另外，导电性氧化物层13的平均厚度没有特殊的规定，但一般为10～300nm左右为好，在50～150nm左右为更好。
由此，导电性氧化物层13不仅可以充分发挥作为电极的功能，还可以防止电子器件的大型化。
下面，结合图3说明这样的电子器件用基板100的制造方法。
上述的电子器件用基板100可以如下方法制造。
以下公开的电子器件用基板100的制造方法包括：在非晶态层15上面形成缓冲层12的工艺(缓冲层形成工艺)和在缓冲层12上面形成导电性氧化物层13的工艺(导电性氧化物层形成工艺)。下面按顺序说明各个工艺。
首先，准备具有非晶态层15的基板11。这个基板11最好是使用厚度均匀并没有弯曲和伤痕的基板。
[1A]缓冲层形成工艺
首先在基板11的非晶态层15上形成缓冲层12。这可以如下进行。
首先把基板11装在基板的托架上，放在真空装置内。
另外，在真空装置内，面向基板11、离开规定的距离上布置包含上述的缓冲层12构成元素的第一靶(缓冲层用靶)。另外，作为第一靶最好是使用具有目的的缓冲层12相同组成或近似组成的板。
接着，如果把激光照射到第一靶，则第一靶的氧原子和包含金属原子的原子被打走，发生烟流。换句话说，这个烟流是向非晶态层15照射。然后，使这个烟流接触在非晶态层15(基板11)。
另外，几乎与此同时，对非晶态层15的表面照射规定角度倾斜的离子束。
由此，非晶态层15上利用外延性生长法形成至少厚度方向取向方位整齐的缓冲层12。
另外，作为打走上述第一靶原子的方法，除了把激光照射到第一靶表面的方法以外，还可以利用如氩气(惰性气体)、等离子、电子线照射(射入)到第一靶表面的方法。
其中，上述打走第一靶原子的方法中，最好是利用激光照射到第一靶表面的方法。根据这种方法，可以利用具有激光射入窗的简单结构的真空装置，可以容易且可靠地打走上述第一靶的原子。
另外，这个激光的最好是波长为150～300nm左右、脉冲长为1～100ns左右的脉冲光。具体地、作为激光器有如ArF激元激光器、KrF激元激光器、XeCl激元激光器等的激元激光器、YAG激光器、YVO4激光器、CO2激光器。其中，作为激光器特别是ArF激元激光器或KrF激元激光器为最好。ArF激元激光器和KrF激元激光器都容易使用，可以更有效地打走第一靶的原子。
另一方面，作为照射非晶态层15表面的离子束，没有特殊的限定，可以为氩、氦、氖、氙等的惰性气体中的一种离子或这些离子和氧离子的混合离子。
作为这个离子束的离子源最好利用如Kauffman离子源等。利用这个离子源可以比较容易形成离子束。
另外，离子束与非晶态层15表面法线方向的照射角度(上述的规定角度)虽然没有特殊的限定，但35～65°为好。特别是在形成NaCl结构的金属氧化物为主要材料的缓冲层12时，上述照射角度为42～47°为好，而萤石型结构的金属氧化物为主要材料的缓冲层12时，上述照射角度为52～57°为好。这样设定照射角度之后，把离子束照射到非晶态层15表面的方法，可以形成立方晶体(100)取向、且面内取向的缓冲层12。形成这样的缓冲层12的各条件只要是能够获得外延生长法的就可以，比如，可以是如下条件。
激光的频率在30Hz以下为好，使小于15Hz为更好。
激光的能量密度在0.5J/cm2以上为好，在2J/cm2以上为更好。
离子束的加速电压在100～300V左右为好，在150～250V左右为更好。
另外，离子束的照射量在1～30mA左右为好，在5～15mA左右为更好。
基板11的温度为0～50℃为好，在室温(5～30℃)为更好。
基板11与第一靶的距离为小于60mm为好，在小于45mm为更好。
另外，真空装置内的压力为小于133×10-1Pa(1×10-1Torr)为好，在小于133×10-3Pa(1×10-3Torr)为更好。
真空装置内的环境为惰性气体与氧气的体积混合比为300∶1～10∶1为好，在150∶1～50∶1左右为更好。
如果形成缓冲层12各个条件分别如上范围时，更有效地以外延生长法形成缓冲层12。
另外，此时，适当设定激光和离子束的照射时间，可以调整缓冲层12的平均厚度达到上述的范围。这个激光和离子束的照射时间，根据上述的各个条件不同而有所不同，但通常为200秒以下为好，在100秒以下为更好。
根据这样的缓冲层12的形成方法，只是利用调整离子束照射角度的简单的方法，可以任意调整整齐的取向方位。
另外，这样高精度地整齐缓冲层12的取向方位，因此，可以使缓冲层12平均厚度更小的优点。
如上可以获得缓冲层12。(参照图3(a))。
[2A]导电性氧化物层形成工艺
其次，在缓冲层12上面形成导电性氧化物层13。这可以如下进行。
另外，在形成导电性氧化物层13之前，替代上述第一靶，面向缓冲层12(基板11)在规定距离布置包含上述的导电性氧化物层13构成元素的第二靶(导电性氧化物层用靶)。另外，作为第二靶可以使用具有目的导电性氧化物层13组成或近似组成的物质。
接着上述工艺[1A]，在缓冲层12上面照射包含氧原子和各种金属原子的原子烟流。然后，使这个烟流接触于缓冲层12表面的方法，使包含具有钙钛矿结构金属氧化物(如上述)的导电性氧化物层13，以外延生长法形成在缓冲层12的表面。
这个烟流最好是在上述第二靶表面上利用和上述工艺[1A]同样的照射激光的方法，打走第二靶的氧原子和各种金属原子而发生为好。
这样的激光和上述工艺[1A]同样，可以使用ArF激元激光器或KrF激元激光器。
另外，根据需要和上述工艺[1A]同样，在缓冲层12的表面照射离子束的同时形成导电性氧化物层13也是可以的。由此，更有效地形成导电性氧化物层13。
另外，形成导电性氧化物层13的各个条件，只要使各种金属原子按规定比例(即钙钛矿结构金属氧化物中的组成比)来到达缓冲层12表面且导电性氧化物层13以外延性生长法形成的就可以，可以是如下条件。
激光的频率在30Hz以下为好，在15Hz以下为更好。
激光的能量密度在0.5J/cm2以上为好，在2J/cm2以上为更好。
已经形成缓冲层12的基板11的温度在300～800℃为好，在400～700℃为更好。
另外，并用照射离子束时，这个温度在0～50℃为好，在室温(5～30℃)为更好。
已经形成缓冲层12的基板11与第二靶的距离在60mm以下为好，在45mm以下为更好。
另外，真空装置内的压力在1大气压以下为好，其中，氧气分压力在供应氧气的条件下为133×10-3Pa(1×10-3Torr)以上为好，供应原子状态氧原子团时，133×10-5Pa(1×10-5Torr)以上为好。
另外，同时照射离子束时，真空装置内的压力在133×10-1Pa(1×10-1Torr)以下为好，在133×10-3Pa(1×10-3Torr)以下为更好。另外，此时，真空装置内的环境的惰性气体与氧气的体积混合比在300∶1～10∶1为好，在150∶1～50∶1左右为更好。
如果形成导电性氧化物层13的各个条件分别在上述范围时，更有效地形成导电性氧化物层13。
另外，此时，利用适当设定激光照射时间的方法，可以调整导电性氧化物层13的平均厚度在上述范围内。这个激光的照射时间是根据上述条件不同而有所不同，但一般为3～90分钟为好，在15～45分钟为更好。
经过以上的[1A]和[2A]工艺，制造出电子器件用基板100。
另外，在[1A]工艺之前，作为前处理可以设进行清洗基板11的工艺，即，除去附着在基板11表面的附着物(比如脱脂)。
这样的附着物的除去，例如，可以利用使基板11接触于除去液的方法进行。
基板11与除去液的接触方法没有特定的规定，有把基板11浸渍在除去液的方法(浸渍法)、向基板11的表面喷射除去液的(喷淋法)方法、在基板11的表面涂上除去液的方法(涂敷法)。
其中，作为上述接触方法最好是利用浸渍法。如果利用有关的浸渍法可以简单且可靠地除去基板11表面的附着物(比如有机物)。另外，如果利用浸渍法，就有可以同时处理多个(大量)基板11的优点。
另外，此时，给除去液施加超声波振动，也是可以的。也可以在基板11和除去液中的一方摇晃的情形下进行。
作为除去液，可以举例出：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等的酒精类；丙酮、丁酮、甲基异丁基酮等的酮类；醋酸乙酯、醋酸甲酯等的酯类；乙醚、二异丙基乙醚、四氢呋喃、二噁烷等的乙醚类；乙睛、丙睛等的睛类；二氯甲烷、三氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2，2-四氯乙烷等的卤化烃类化合物；N-己烷、石油乙醚、甲苯、苯、二甲苯等的烃类化合物等有机溶剂。可以利用这些中的一种或两种组合物。
《电子器件(电容器)》
下面，说明本发明的电子器件适用于电容器的情形。
图4是表示本发明的电子器件适用于电容器时的实施例的剖面图。
下面，以上述电子器件用基板100不同点为重点对图4所示的电容器200进行说明，对同样的事项省略其说明。
电容器200包括：电子器件用基板100、设在电子器件用基板100规定区域的强电介质层24、设在强电介质层24上的上面电极层25。
电子器件用基板100的导电性氧化物层13在电容器200中起一个电极的功能。下面，把导电性氧化物层13称为「下面电极层13」。
下面电极层13上以外延生长法形成强电介质层24。如上所述，下面电极层13是取向方位整齐的，因此，在下面电极层13上可以利用外延生长法形成强电介质层24，强电介质层24成为取向方位整齐的强电介质层。
由此，电容器200的剩余极化增大而电场阻抗降低。即，电容器200提高了各种性能。因此，利用这样的电容器200制作强电介质存贮器时，可以使强电介质存储器的滞后曲线的矩形比特性优越。
另外，强电介质层24可以由各种强电介质材料构成，但具有钙钛矿结构的强电介质材料为主要材料的好。还有，作为具有钙钛矿结构的强电介质材料可以是立方晶体(001)取向的外延生长法生长的或菱形面晶体(100)取向的外延生长法生长的物质为好，特别是立方晶体(001)取向的外延生长法生长的物质为更好。由此，可以提高上述的效果。
作为这个具有钙钛矿结构的强电介质材料有如：Pb(Zr、Ti)O3(PZT)、(Pb、La)(Zr、Ti)O3(PLZT)、BaTiO3、KNbO3、PbZnO3、PbNbO3、PbFeO3、PbWO3等的钙钛矿结构金属氧化物；SrBi2(Ta、Nb)2O9、(Bi、La)4Ti3O12等的Bi层状化合物、或包含这些的固溶体；其中，特别是PZT、BaTiO3、或包含这些的固溶体中的一种为好。这样，电容器200成为各种特性特别优越的电容器。
另外，如上所述，下面电极层13是包含具有钙钛矿结构金属氧化物(特别是具有钙钛矿结构金属氧化物为主要材料)。另外，这个具有钙钛矿结构金属氧化物与具有钙钛矿结构的强绝缘体材料之间的晶格不匹配性小。因此，下面电极层13上容易、且可靠地以立方晶体(001)取向、外延生长法形成强电介质层24。另外，获得的强电介质层24提高了与下面电极层13的接合性。
另外，强电介质层24的平均厚度没有特殊的规定，但在50～300nm为好，在100～200nm为更好。使强电介质层24的平均厚度在上述范围的方法，可以防止电容器200的大型化，并且，可以获得适当发挥各种特性的电容器200。
强电介质层24上形成梳齿形状(或带状)的上面电极层25。
这个构成上面电极层25的构成材料可以利用如：Pt、Ir、Au、Ag、Ru、或包含这些的合金中的一种或两种的组合。
另外，上面电极层25的平均厚度没有特殊的规定，但一般在10～300nm为好，在50～150nm为更好。
接着，说明电容器200的制造方法。
上述的电容器200是可以如下方法制造。
下面公开的电容器200的制造方法包括：在非晶态层15上面形成缓冲层12的工艺(缓冲层形成工艺)、在缓冲层12的上面形成下面电极层13(导电性氧化物)的工艺(下面电极形成工艺)、在下面电极层13上形成强电介质层24的工艺(强电介质层形成工艺)、取出下面电极层13的工艺(下面电极层取出工艺)。下面，按顺序说明各个工艺。
[1B]缓冲层形成工艺
和上述的[1A]同样方法进行。
[2B]下面电极层形成工艺
和上述的[2A]同样方法进行。
[3B]强电介质层形成工艺
接着，在下面电极层13的上面形成强电介质层24。这可以如下进行。
另外，在形成强电介质层24之前，替代上述第二靶，面向电子器件用基板100在规定的距离布置包含上述强电介质层24构成元素的第三靶(强电介质层用靶)。另外，作为第三靶可以使用作为目的的强电介质层24相同组成或近似组成的板。
接着上述工艺[2B]，在下面电极层13上照射氧原子和包含各种金属原子的原子烟流。然后，使这个烟流接触在下面电极层13表面的(上表面)的方法，包含具有钙钛矿结构的强绝缘体材料(如上所述)的强电介质层24就以立方晶体(001)取向、外延生长法生成，以膜状形成。
这个烟流最好是在上述第三靶表面上和上述工艺[1A]同样，照射激光的方法，打走第三靶的氧原子和包含各种金属原子的原子来发生。
这样的激光和上述工艺[1A]同样，可以利用ArF激元激光器或KrF激元激光器发生。
另外，根据需要，和上述工艺[1A]同样，下面电极层13的表面照射离子束的同时形成强电介质层24也是可以的。由此，更有效地形成强电介质层24。
另外，形成强电介质层24的各个条件只要是各种金属原子按规定的比例(即，具有钙钛矿结构的强绝缘体材料中的组成比)来到达下面电极层13并强电介质层24为外延生长法获得的物质就可以，可以是如下条件。
激光的频率在30Hz以下为好，小于15Hz更好。
激光的能量密度在0.5J/cm2以上为好，2J/cm2以上为更好。
已经形成下面电极层13的基板11的温度在300～800℃为好，在400～700℃为更好。
另外，并用离子束的照射时，这个温度在0～50℃为好，在室温(5～30℃)为更好。
已经形成下面电极层13的基板11与第三靶的距离在60mm以下为好，在45mm以下为更好。
另外，真空装置内的压力在1大气压以下为好，其中氧气分压力在氧气气体供应的条件下为133×10-3Pa(1×10-3Torr)以上为好，原子状氧原子团供应的情况下为133×10-5Pa(1×10-5Torr)以上为好。
另外，并用照射离子束时，真空装置内的压力在133×10-1Pa(1×10-1Torr)以下为好，在133×10-3Pa(1×10-3Torr)以下为更好。另外，此时的真空装置内的环境为惰性气体与氧的体积混合比在300∶1～10∶1左右为好，在150∶1～50∶1左右为更好。
使形成强电介质层24时的各个条件在上述范围时，可以更有效地形成强电介质层24。
另外，此时，适当设定激光的照射时间，可以调整强电介质层24的平均厚度在上述范围内。这个激光的照射时间根据上述各个条件的不同而有所不同，但一般在3～90分钟为好，在15～45分钟为更好。
这样获得了强电介质层24。
[4B]下面电极层的取出工艺
接着，除去强电介质层24的一部分，取出下面电极层13。由此，强电介质层24布置在下面电极层13的规定区域。这是可以利用光刻法进行。
首先，在要除去部分以外的强电介质层24上面形成保护层。
接着，对强电介质层24实施蚀刻处理(比如湿式蚀刻处理、干式蚀刻处理)。
然后，除去上述的保护层。这样，露出下面电极层13的一部分(图4中的左侧)。
[5B]上面电极层形成工艺
接着，在强电介质层24上形成上面电极层25。例如，可以如下进行。
首先，利用溅射法在强电介质层24上面形成所要样式形状的蚀刻掩模层。
接着，利用蒸镀法、溅射法、印刷法等方法，膜状形成Pt等构成的上面电极层25的材料。
然后，除去上述的保护层。
如上述，获得了上面电极层25。
经过以上的工艺[1B]～[5B]制造出电容器200。
《电子器件(悬臂)》
下面，把本发明的电子器件适用于悬臂(压电执行元件)的情形进行说明。
图5是表示本发明的电子器件适用于悬臂的实施例的剖面图。
下面，以上述电子器件用基板100和电容器200的不同点为重点进行对图5所示的悬臂300的说明，对于同样的事项省略其说明。
悬臂300包括：电子器件用基板100、设在电子器件用基板100的规定位置的压电体层34和设在压电体层34上的上面电极层35。
悬臂300中的基板11起单表面波度型悬臂的弹性基板的功能。
另外，电子器件用基板100的导电性氧化物层13是在悬臂300中起一个电极的作用。下面，把导电性氧化物层13称为「下面电极层13」。
在这样的下面电极层13上形成外延生长法生成的压电体层34。如上所述，因为下面电极层13是取向方位整齐的物质，在这个下面电极层13上利用外延生长法生成压电体层34的方法，压电体层34成为取向方位整齐的压电体层。
由此，悬臂300提高了电场偏移等的各种特性。
另外，压电体层34可以由各种强电介质材料构成，但包含具有钙钛矿结构的强电介质材料的压电体层为好，具有钙钛矿结构的强电介质材料为主要材料的压电体层为更好。还有，作为具有钙钛矿结构的强电介质材料可以是菱形面体晶体(100)取向的外延生长法生成的物质或立方晶体(001)取向的外延生长法生成的物质，但特别好的是菱形面体晶体(100)取向的外延生长法生成的压电体层。由此，更有效地提高上述效果。
作为这个钙钛矿结构的强绝缘体材料，可以利用上述电容器200中举例相同的材料。由此，悬臂300的各种特性优越。
另外，如上所述，下面电极层13是包含具有钙钛矿结构金属氧化物(特别是具有钙钛矿结构金属氧化物为主要材料的)的物质。另外，具有钙钛矿结构金属氧化物与具有钙钛矿结构的强电介质材料之间的晶格不匹配性小。因此，在下面电极层13上面容易且可靠地生成菱形面体晶体(100)取向的外延生长法生成的压电体层34。另外，提高压电体层34的与下面电极层13的接合性。
另外，压电体层34的平均厚度没有特殊的规定，但100～3000nm左右为好，在500～2000nm左右为更好。使压电体层34的平均厚度在上述范围内的方法不仅可以防止悬臂300的大型化，也可以获得充分发挥各种特性的悬臂300。
在压电体层34的上面形成上面电极层35。
这个上面电极层35的构成材料、平均厚度分别和上述电容器200中叙述的上面电极层25相同。
下面，说明悬臂300的制造方法。上述的悬臂300可以如下方法制造。
下面公开的悬臂300的制造方法包括：在非晶态层15上形成缓冲层12的工艺(缓冲层形成工艺)、在缓冲层12上面形成下面电极层13的工艺(下面电极层形成工艺)、在下面电极层13上面形成压电体层34的工艺(压电体层形成工艺)、取出下面电极层13的工艺(下面电极层取出工艺)、在压电体层34上面形成上面电极层25的工艺(上面电极层形成工艺)。下面，按顺序说明各个工艺。
[1C]缓冲层形成工艺
相同于上述工艺[1A]。
[2C]下面电极层形成工艺
相同于上述工艺[2A]。
[3C]压电体层形成工艺
接着，在下面电极层13上面形成压电体层34。这可以和上述工艺[3B]相同的方法进行。
另外，在形成压电体层34之前，替代上述的第二靶，面向电子器件用基板100，离开规定的距离布置包含压电体层34构成元素的第三靶(压电体层用靶)。
另外，作为第三靶可以利用目的的压电体层34相同组成或近似组成的物质。
[4C]下面电极层取出工艺
相同于上述工艺[4B]。
[5C]上面电极层形成工艺
相同于上述工艺[5B]。
经过如上的工艺[1C]～[5C]制造悬臂300。
《强电介质存储器》
下面，说明具备本发明的电子器件作为电容器的强电介质存储器。
图6是模式性地表示本发明的强电介质存储器实施例的俯视图，图7是图6中A-A线剖面图。另外，为了避免繁杂，省略了部分剖面线。
如图7所示，强电介质存储器40包括：存储单元阵列42、外围电路41。这些存储单元阵列42和外围电路41形成在不同的层。在本实施例中外围电路41形成在下层(下侧)，而存储单元阵列42形成在上层(上侧)。
存储单元阵列42是为了行选择的第一信号电极(字线)422和为了列选择的第二信号电极(位线)424互相垂直排列。另外，信号电极的排列不限于上述排列，与此相反也是可以的。即第一信号电极422为位线、第二信号电极424为字线也是可以的。
这些第一信号电极422与第二信号电极424之间布置强电介质层423，在第一信号电极422与第二信号电极424交叉区域中分别构成单位电容器(存储单元)。
另外，覆盖第一信号电极422、强电介质层423和第二信号电极424形成由绝缘材料组成的第一保护层425。
还有，覆盖第二配线层44，在第一保护层425上面形成由绝缘材料组成的第二保护层426。
第一信号电极422和第二信号电极424分别利用第二配线层44与外围电路41的第一配线层43电连接。
如图6所示，外围电路41具有选择性地控制第一信号电极422的第一驱动电路451、选择性地控制第二信号电极424的第二驱动电路452和读出放大器等的信号检测电路453，可以进行对上述的单位电容器(存储单元)的选择性的写入或读出信息。
另外，如图7所示，外围电路41具有形成在半导体基板411上的MOS晶体管412。这个MOS晶体管412具有门绝缘层412a、栅极电极412b和源/漏区域412c。
各个MOS晶体管412分别由元件分离区域413来分离的同时，利用规定样式形成的第一配线层43来分别电连接。
形成有MOS晶体管412的半导体基板411上面形成第一层间绝缘层414，进而在第一层间绝缘层414上面覆盖第一配线层43而形成第二层间绝缘层415。
在这个第二层间绝缘层415上面，设有包含下地层(缓冲层)421的存储单元阵列42。
于是，外围电路41和存储单元阵列42由第二配线层44电连接。
本实施例中，由第二层间绝缘层415、下地层421、第一信号电极422、强电介质层423和第二信号电极424构成上述的电容器200。
因此，本实施例中，至少第二层间绝缘层415的表面为非晶态的物质所构成。
根据以上构成的强电介质存储器40，因为单一的半导体基板411上的外围电路41和存储单元阵列42层叠，比外围电路41和存储单元阵列42布置在同一个面可以大幅度地缩小芯片的面积，还可以提高单位电容器(存储单元)的集成度。
说明这样构成的强电介质存储器40中的写入和读出工作的一例。
首先，在读出工作中，向被选择的单位电容器施加读出电压「Vo」。这和写入‘0’工作同时进行。此时，利用读出放大器读出通过被选择的位线的电流或高阻抗时的电位。
另外，此时，为了防止读出时的串音，在没有被选择的单位电容器上施加规定的电压。
另一方面，在写入工作中，在写入‘1’时，向被选择的单位电容器施加电压「-Vo」。写入‘0’时，向被选择的单位电容器施加不反转这个被选择的单位电容器极化的电压，维持读出工作时写入‘0’状态。
另外，此时，为了防止写入时的串音，在没有被选择的单位电容器上施加规定的电压。
下面，说明强电介质存储器40的制造方法的一例。
上述的强电介质存储器40可以如下方法制造。
-1-首先，利用众所周知的LSI工艺(半导体制造工艺)形成外围电路41。
具体地，在半导体基板411上形成MOS晶体管412。比如在半导体基板411的规定区域上，利用沟道分离法、LOCOS法形成元件分离区域413，接着，形成门绝缘层412a和栅极电极412b，然后，在半导体基板411上渗杂不纯物来形成源/漏区域412c。
-2-其次，形成第一层间绝缘层414之后，形成触点孔，然后，形成规定形式的第一配线层43。
-3-接着，在已经形成第一配线层43的第一层间绝缘层414上面形成第二层间绝缘层415。
如上述，形成具有驱动电路451、452和信号检测电路453等各种电路的外围电路41。
-4-接着，在外围电路41上形成存储单元阵列42。
这可以和上述的[1B]～[5B]同样的工艺进行。
-5-接着，在已经形成第二信号电极424的强电介质层423上面形成第一保护层425，进一步，在第一保护层425的规定区域上面形成触点孔，然后，形成规定形式的第二配线层44。这样，电连接外围电路41和存储单元阵列42。
-6-接着，在最上层形成第二保护层426。
如上述，形成存储单元阵列42，获得强电介质存储器40。
这样的强电介质存储器40可以适用于各种电子器械。
作为这个电子器械可以是家庭用(小型)电子计算机、IC卡、特征卡(tag)、手机等。
《喷墨式打印头》
下面，说明具备本发明的电子器件作为压电激励器的喷墨式打印头。
图8是表示本发明的喷墨式打印头实施例的分解立体图，图9是表示图8所示喷墨式打印头的主要部分结构的剖面图。另外，图8是和通常使用的状态上下倒过来状态。
图8所示的喷墨式打印头50(以下简称「头50」)包括喷嘴板51、墨室基板52、振动板53、接合在振动板53上的压电元件(振动源)54，这些安装在机体56里。另外，这个头50是构成开通请求型压电喷射式打印头。
喷嘴板51是如由不锈钢压延板构成。这个喷嘴板51上有用于喷出墨水滴的多个喷嘴孔511。这些喷嘴孔511的孔距根据打印精度可以适当设定。
这个喷嘴板51上固接(固定)墨室基板52。
这个墨室基板52是利用喷嘴板51、侧壁(隔壁)522和在后要叙述的振动板53来划分为多个墨室(内腔、压力室)521、把从墨盒613供应的墨水临时贮存的贮存室523和从贮存室523向各个墨室521供应墨水的供应孔524。
这些墨室521分别形成为长方形形状(长方体)，对应于布置在各个喷嘴孔511。各个墨室521构成为利用在后要叙述的振动板53的振动可以改变各个墨室521的容积，并通过该容积变化喷出墨水的结构。
作为获得这个墨室基板52的母材，例如，可以利用如单晶硅基板、各种玻璃基板、各种塑料基板等。这些基板都是通用的基板，因此，使用这些基板可以降低制造打印头50的成本。
另外，其中，作为母材最好是利用(110)取向的单晶硅基板。这个(110)取向的单晶硅基板适用于异方向性蚀刻，因此，可以容易、且可靠地形成墨室基板52。
对于这个墨室基板52的平均厚度没有特殊的规定，但在10～1000μm左右为好，在100～500μm左右为更好。
另外，墨室521的容积没有特殊的规定，但在0.1～100nl左右为好，在0.1～10nl左右为更好。
另一方面，墨室基板52的相反于喷嘴板51的一侧，接合振动板53，并且，振动板53的相反于墨室基板52的一侧，通过下地层(缓冲层)55设有多个压电元件54。
另外，振动板53的规定位置上有穿过振动板53的厚度方向的通孔531。通过这个通孔531，从在后要叙述的墨盒631到贮存室523可以供应墨水。
各个压电元件54分别通过压电体层543插入在下面电极542与上面电极541之间，并布置在对应于各个墨室521的大致中央部位。各个压电元件54电连接在后边要叙述的压电元件驱动电路，根据压电元件驱动电路的信号来工作(振动、变形)的结构。
这些压电元件54分别起振动源的功能，振动板53随着压电元件54振动而振动，有瞬间提高墨室521的内部压力的功能。
机体56是由各种树脂材料、各种金属材料构成，墨室基板52固定、支撑在这个机体56上。
本实施例中，由振动板53、下地层(缓冲层)55、下面电极542、压电体层543和上面电极541构成上述的压电元件300。
因此，本实施例中，振动板53的至少表面为非晶态的物质所构成。
这样的打印头50通过压电元件驱动电路处于没有输入给定的喷出信号状态，即，在压电元件54的下面电极542与上面电极541之间没有施加电压的状态时，压电体层543不发生变形。因此，振动板53也不发生变形，墨室521上不发生容积变化。从而，喷嘴孔511不喷出墨水滴。
另一方面，通过压电元件驱动电路处于输入给定的喷出信号状态，即，在压电元件54的下面电极542与上面电极541之间施加电压的状态时，压电体层543发生变形。由此，振动板53也发生大的弯曲变形，墨室521上发生容积变化。此时，墨室521内部的压力瞬间性地增高，从喷嘴孔511喷出墨水滴。
结束一次的墨水喷出，则压电元件驱动电路停止下面电极542与上面电极541之间的施加电压。由此，压电元件54恢复到原来的形状，墨室521的容积增大。另外，此时，从在后要叙述的墨盒631向喷嘴孔511的压力(正向压力)作用在墨水上。因此，防止空气从喷嘴孔511进入到墨室521，适合于墨水喷出量的墨水从墨盒631(贮存室523)供应到墨室521。
这样，打印头50中，通过压电元件驱动电路向想要打印位置的压电元件54按顺序输入喷出信号的方法，可以打印出任意的(所要的)文字或图像。
下面，说明打印头50制造方法的一例。
如上所述的打印头50可以如下方法制造。
-10-首先，把制作墨室基板52的母材和振动板53粘贴(接合)成一体。
这个接合可以利用压接母材与振动板53的状态进行热处理的方法。利用这样的方法可以容易且可靠地实现母材与振动板53的一体化。
这个热处理条件没有特殊的规定，但100～600℃×1～24小时左右为好，300～600℃×6～12小时左右为更好。
另外，接合方法可以利用其他的各种粘接方法、各种热粘接方法。
-20-其次，在振动板53上形成使下地层55介于中间的压电元件54。
这可以利用和上述的工艺[1C]～[5C]同样的工艺进行。
-30-接着，在对应于成为墨室基板52的母材的压电元件54位置上形成成为各个墨室521的凹部，或在规定位置上形成成为贮存室523和供应孔524的凹部。
具体地，在对准应该形成贮存室523和供应孔524的位置上形成掩模层之后，例如，利用平行平板型离子蚀刻法、电感耦合型方式、电子旋转加速共振方式、螺旋形波励方式、磁控管方式、等离子蚀刻方式、离子束蚀刻方式等的干式蚀刻法或重量5％～重量40％的氢氧化钾、四甲基铵氢氧化物等的高浓度碱性水溶液中进行蚀刻。
由此，抹掉(除去)母材表面，以使在厚度方向露出振动板53而形成墨室基板52。另外，此时没有蚀刻而留下的部分成为侧壁522，露出的振动板53变为具有发挥振动板功能的状态。
另外，作为母材，利用(110)取向的硅基板时，利用上述的高浓度碱水溶液，母材在异方向蚀刻，因此，容易形成墨室基板52。
-40-接着，已经形成喷嘴孔511的喷嘴板51接合在其喷嘴孔511对应于各个墨室521的凹面的位置。由此，划分成为多个墨室521、贮存室523和多个供应孔524。
该接合，例如，可以利用由粘接剂的粘接等各种粘接方法，各种融合方法等。
-50-接着，把墨室基板52安装在机体56上。
这样，获得喷墨式打印头50。
《喷墨式打印机》
对具备本发明喷墨式打印头的喷墨式打印机进行说明。
图10是表示本发明喷墨式打印机的实施例略图。另外，在下面的说明中，把上一侧称为「上面」，把下一侧称为「下面」。
图10所示的本发明的喷墨式打印机60包括：装置机架62、后上方设有放置打印用纸P的盘621、前下方设有排出打印用纸P的排出口622、上表面上设有操作盘67。
操作盘67包括：由液晶显示板、有机EL显示板、LED灯构成并显示错误消息的显示部(图中未示)和各种开关构成的操作部(图中未示)。
另外，装置机架62内部主要设有：具有往复运动头部件63的打印装置(打印机构)64、把打印用纸P一片一片输送到打印装置64的供纸装置65(供纸机构)、控制打印装置64和供纸装置65的控制装置66。
利用控制装置66的控制，供纸装置65把打印用纸P一片一片间歇输送。这个打印用纸P通过头部件63的下面附近。此时，头部件63在垂直于打印用纸P的输送方向上作往复移动，在打印用纸P上进行打印。即，头部件63的往复移动和打印用纸P的间歇往复移动形成打印的主扫描和副扫描，进行喷墨式打印。
打印装置64包括：头部件63、作为头部件63驱动源的输送架电动机641、接受输送架电动机641使头部件63作往复移动的往复运动机构642。
头部件63包括：其下部具有多个喷嘴孔511的喷墨式打印头50、向喷墨式打印头50供应墨水的墨盒631、装载喷墨式打印头50和墨盒631的输送架632。
另外，作为墨盒631使用装有黄色、蓝绿色、深红色、黑色等四色的墨水，可以全色打印。此时，头部件63上设有分别对应各个颜色的喷墨式打印头50(对于这个结构以后详细叙述)。
往复运动机构642包括：其两端支承在机架(图中未示)上的输送架导向轴643、与输送架导向轴643平行延伸的齿形带644。
输送架632滑套在输送架导向轴643的同时，固定在齿形带644的一部分。
由于输送架电动机641工作，通过齿形带轮，使齿形带644正反向移动，则，由输送架导向轴643导向，头部件63进行往复移动。这样，这个往复移动时，从喷墨式打印头50喷出适当的墨水，进行打印用纸P上的打印。
供纸装置65包括：作为其驱动源的供纸电动机651、由于供纸电动机651工作而转动的供纸辊652。
供纸辊652由隔打印用纸P的输送路线(打印用纸P)上下面对的从动辊652a和驱动辊652b所构成，驱动辊652b联接在供纸电动机651。这样，供纸辊652把安放在盘621的多片打印用纸P一片一片输送到打印装置64。另外，替代盘621可以利用装入打印用纸P的可拆卸供纸箱。
控制装置66根据由家庭用电子计算机或数码相机等的主机输入的打印数据来控制打印装置64或供纸装置65，进行打印。
控制装置66虽然没有图示，主要包括：具有存储控制各个装置的控制程序的存储器、驱动压电元件(振动源)54而控制墨水喷出时间的压电元件驱动电路、驱动打印装置64(输送架电动机641)的驱动电路、驱动供纸装置65(供纸电动机651)的驱动电路、以及接收主机打印数据的通信电路和电连接在这些并可以进行各个装置的各种控制的CPU。
另外，CPU上分别电连接检测墨盒631的墨水剩余量、头部件63位置、温度、湿度等打印环境的各种传感器。
控制装置66通过通信电路接收打印数据并存储在存储器。CPU处理这个打印数据并根据这个处理数据和传感器的输入数据向各个驱动电路输出驱动信号。根据这个驱动信号压电元件54、打印装置64和供纸装置65各自工作。由此，在打印用纸P上进行打印。
以上，根据图示说明了本发明的电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机，但本发明不限于这些。
例如，构成本发明的电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机的各个部分可以利用发挥同样功能的任意装置来替换或追加其他来构成。
另外，制造电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头的制造方法中可以追加任意工艺。
另外，上述实施例的喷墨式打印头的结构可以适用于如各种工业用液体喷出装置。此时，液体喷出装置除了上述的墨水(黄色、蓝绿色、深红色、黑色等的彩色染料)以外，例如，可以使用具有适合于液体喷出机构喷嘴的喷出的粘度的溶液或液体状物质等。
如上所述，本发明的电子器件用基板是至少在表面为非晶态的物质构成的基板的表面上设置至少在厚度方向取向方位整齐的缓冲层的方法，在这个缓冲层上面，可以以正常的外延生长法生成包含钙钛矿结构金属氧化物的导电性氧化物层。因此，利用有关的电子器件用基板可以把各种特性优越的电子器件以最佳的结构来实现。
另外，本发明的电子器件用基板中，作为基板可以使用通用的各种基板，因此，可以降低电子器件用基板的制造成本。
另外，利用适当选择缓冲层的构成材料的方法，在形成导电性氧化物时，不仅可以提高形成效率，还可以提高基板与导电性氧化物之间的接合性。

Claims (15)

1、一种电子器件用基板，其特征在于包括：至少表面为非晶态的物质所构成的基板、在上述表面上形成厚度方向取向方位整齐的缓冲层、在上述缓冲层上面以外延生长法形成的包含具有钙钛矿结构金属氧化物的导电性氧化物层。
2、根据权利要求1所述的电子器件用基板，其特征在于：上述缓冲层是三维方向的所有方向上的取向方位整齐。
3、根据权利要求1或权利要求2所述的电子器件用基板，其特征在于：上述缓冲层是立方晶体(100)的取向、外延生长法生长的缓冲层。
4、根据权利要求1至权利要求3的任意1项中所述的电子器件用基板，其特征在于：上述缓冲层是至少包含NaCl结构的金属氧化物或萤石型结构的金属氧化物中的一种金属氧化物的缓冲层。
5、根据权利要求4所述的电子器件用基板，其乐无穷特征在于：上述NaCl结构的金属氧化物是MgO、CaO、SrO、BaO或是包含这些的固溶体中的至少一种。
6、根据权利要求4所述的电子器件用基板，其特征在于：萤石型结构的金属氧化物是氧化钇稳定化氧化锆、CeO2、ZrO2或是包含这些的固溶体中的至少一种。
7、根据权利要求1至权利要求6的任意1项中所述的电子器件用基板，其特征在于：上述导电性氧化物层是拟立方晶体(100)取向或拟立方晶体(110)取向、外延生长法生长的导电性氧化物层。
8、根据权利要求1至权利要求7的任意1项中所述的电子器件用基板，其特征在于：上述钙钛矿结构金属氧化物是CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3或是包含这些固溶体中的至少一种。
9、一种电子器件，其特征在于：具有权利要求1至权利要求8的任意1项中所述的电子器件用基板的电子器件。
10、根据权利要求9所述的电子器件，是一种电容器。
11、根据权利要求9所述的电子器件，是一种激励器。
12、一种强电介质存储器，其特征在于：具有权利要求10所述的电子器件。
13、一种电子器械，其特征在于：具有权利要求12所述的强电介质存储器。
14、一种喷墨式打印头，其特征在于：具有权利要求11所述的电子器件。
15、一种喷墨式打印机，其特征在于：具有权利要求14所述的喷墨式打印头。
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