CN1467555A

CN1467555A - 面内切换模式液晶显示器件

Info

Publication number: CN1467555A
Application number: CNA031364047A
Authority: CN
Inventors: 洪s基; 洪泂基; 郑镇烈
Original assignee: LG Philips LCD Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2002-06-25
Filing date: 2003-05-15
Publication date: 2004-01-14
Anticipated expiration: 2023-05-15
Also published as: US6876420B2; US20050275782A1; US7782434B2; US20030234903A1; US20070064189A1; CN1288491C; US7639336B2

Abstract

一种面内切换模式液晶显示器件，包括：基板；设置在基板上的至少两个选通线；设置在基板上的至少两个数据线，与选通线交叉以限定像素区；设置在像素区中的驱动器件；设置在像素区中的多个第一电极；和设置在像素区中的与第一电极平行的多个第二电极。至少一个第一电极与至少一个第二电极重叠。此外，每个第一电极和对应的一个第二电极限定一个平行于基板表面方向的电场。

Description

面内切换模式液晶显示器件

技术领域

本发明涉及液晶显示器件，特别涉及具有改善的孔径比的面内切换模式液晶显示器件。

背景技术

近来，随着各种便携电子装置的开发，例如移动式电话、PDA和笔记本计算机，对具有重量轻、尺寸小并且适应性的平板显示器件的要求逐渐增加。现已积极地研究了液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场致发光显示器(FED)、真空荧光显示器(VFD)等作为平板显示器件。在这些显示器件中，目前在大规模生产方面，LCD最引人注意。

根据液晶分子的排列，LCD具有各种显示模式。其中，由于白黑显示的容易性、快速响应时间以及低驱动电压，目前主要使用TN(扭转向列)模式。在TN模式的液晶显示器件中，当把电压施加到在基板的表面排列的液晶分子时，液晶分子与基板成直角排列。因此，当施加电压时，由于液晶分子的折射各向异性，使得视角减小。

为了解决以上提到的视角问题，现已出现了具有宽视角特性的各种液晶显示器件。其中，面内切换(IPS)模式液晶显示器件已能大规模生产。在IPS模式的液晶显示器件中，当施加电压时，通过形成平行于基板平面的水平电场在平面上排列液晶分子，可以改善视角特性。图1A和1B示出了它的基本概念。

如图1A所示，在IPS模式的液晶显示板1中，公共电极5和像素电极7平行于像素排列。当电压没有施加到像素电极7(没有信号输入)时，液晶分子3平行于公共电极5和像素电极7排列。更具体地，液晶分子3在某个角度向公共电极5和像素电极7的延伸方向排列。当液晶分子3完全平行于公共电极5和像素电极7排列时，液晶分子的旋转方向不确定，并且当灰度级信号施加到像素电极7时，沿整个液晶层的液晶分子的排列是不规则的。因此，实际的液晶分子3要以相对于公共电极5和像素电极7的特定角度排列。然而，在附图中，为方便起见，液晶分子3平行于公共电极5和像素电极7排列。

如图1B所示，当电压(信号)被施加到其中液晶分子3平行于公共电极5和像素电极7排列的液晶显示板1的像素电极7时，在公共电极5和像素电极7之间发生平行于液晶显示板1的水平电场9，并且液晶分子3根据水平电场旋转。当施加电压时，根据水平电场9，液晶分子3在同一平面中旋转，因此可以防止由折射率各向异性造成的灰度反转(grayinversion)。

图2A和2B示出了IPS模式的液晶显示板的结构，图2A示出了液晶显示板中一个像素的结构，图2B示出了沿图2A的线I-I’截取的剖面图。

如图2A所示，液晶显示板1的一个像素由数据线10和选通线(gateline)20限定。在图2A中仅示出了一个像素。然而，在实际的液晶显示板1中，有n个数据线10和m个选通线20，n×m个像素形成在整个液晶显示板1上。薄膜晶体管11形成在像素中数据线10和选通线20的交叉区域。薄膜晶体管11包括：用于接收来自选通线20的扫描信号的栅电极18；形成在栅电极18上并形成沟道层的半导体层16，根据施加的扫描信号被激活；形成在半导体层16上并通过数据线10接收图像信号的漏电极14；以及源电极12。因此，薄膜晶体管11将从外部接收的图像信号施加到液晶层50。

在像素中，第一～第三公共电极5a～5c平行于数据线以及第一和第二像素电极7a，7b布置。此外，在像素的中心布置接触第一～第三公共电极5a～5c的公共线22和接触第一和第二像素电极7a，7b的像素电极线24。

公共电极5a～5c和像素电极7a，7b没有形成在相同的平面上。如图2B所示，公共电极5a～5c形成在由透明玻璃等制成的下基板30上，像素电极7a，7b形成在栅绝缘层32上。同时，由于公共电极5a～5c和像素电极7a，7b分别接触公共线22和像素电极线24，公共线22和像素电极线24分别形成在下基板30和栅绝缘层32上。

虽然在图中未示出，但薄膜晶体管的栅电极18形成在基板30上，半导体层16形成在栅绝缘层32上。此外，源电极12和漏电极14形成在半导体层16上。可以通过与薄膜晶体管的工艺不同的工艺分别形成像素区中的公共电极5a～5c和像素电极7a，7b。然而，通常是通过相同的工艺形成它们。在薄膜晶体管的栅电极18的工艺中形成公共电极5a～5c，在源电极12和漏电极14的工艺中形成像素电极7a，7b，因此可以快速地进行整个工艺。

在液晶显示板1中，当扫描信号通过选通线20施加到薄膜晶体管时，薄膜晶体管导通，图像信号通过数据线10a，10b传送到像素电极7a，7b，公共电极5a～5c和像素电极7a，7b之间产生平行于基板平面的水平电场，因此根据电场方向，液晶分子旋转。

同时，当图像信号输入到像素电极7a，7b时，电场不仅在公共电极5a～5c和像素电极7a，7b之间产生，而且在像素电极7a，7b和数据线10a，10b之间产生。然而，由于像素电极7a，7b和数据线10a，10b之间的电场使整个水平电场变形，液晶分子没有平行于基板排列。因此，发生方向串扰。

为了解决该问题，第一公共电极5a要布置在第一像素电极7a和数据线10a之间，第三公共电极5c要布置在第二像素电极7b和数据线10b之间，以便屏蔽来自数据线10a，10b的电场。为了有效地屏蔽电场，第一公共电极5a和第三公共电极5c分别邻接数据线10a，10b。因此，第一公共电极5a和数据线10a之间的区域以及第三公共电极5c和数据线10b之间的区域很小。因此，液晶显示器件的图像没有显示在这些区域中。

在上基板40上，形成黑底42和滤色层44。黑底42防止光泄露到薄膜晶体管区和像素。滤色层44实现所要形成的实际颜色。液晶层50形成在下基板30和上基板40之间，因此完成了IPS模式的液晶显示板。如图所示，黑底42不仅延伸到数据线10a，10b，也延伸到第一公共电极5a和第三公共电极5c，因此，可以防止光泄露到公共电极5a，5c和数据线10a，10b之间的区域。

与TN模式的液晶显示器件相比，IPS模式的液晶显示器件具有低孔径比。在TN模式的液晶显示器件中，用于将信号施加到液晶层的像素电极和公共电极由作为透明金属的ITO(氧化铟锡)制成。相反，在IPS模式的液晶显示器件中，公共电极5a～5c和像素电极7a，7b由不透明金属(栅金属或源金属)制成。结果，随着形成公共电极5a～5c和像素电极7a，7b的区域的增加，孔径比降低。特别是，由于邻接数据线10a，10b形成公共电极5a，5c，因此在一个像素中布置的公共电极的数量大于像素电极的数量。因此孔径比降低得更多。

发明内容

因此，本发明致力于一种面内切换模式的液晶显示器件，其实质上消除了由于现有技术的局限和缺点造成的一个或多个问题。

本发明的一个目的是提供一种面内切换模式液晶显示器件，其具有改善的孔径比和增加的透光区域。

本发明的另一目的是提供一种面内切换模式液晶显示器件，其容易地和有效地提供规则的存储电容器。

本发明的附加特点和优点将体现在下面的说明中，其中部分特点和优点从说明可明显看出，或者可通过实施本发明而学习到。本发明的目的和其它优点将通过在下面的文字说明和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现。

为了实现这些和其它优点，并根据本发明的目的，如所实施和广义描述的，一种面内切换模式液晶显示器件包括：基板；设置在基板上的至少两个选通线；设置在基板上的至少两个数据线，与选通线交叉以限定像素区；设置在像素区中的驱动器件；设置在像素区中的多个第一电极；和设置在像素区中的与第一电极平行的多个第二电极，至少一个第一电极与至少一个第二电极重叠，每个第一电极和对应的一个第二电极限定一个平行于基板表面方向的电场。

在另一个方面，一种面内切换模式液晶显示器件包括：基板；设置在基板上的至少两个选通线；设置在基板上的至少两个数据线，与选通线交叉以限定像素区；在像素区中限定的驱动器件；设置在像素区中的至少一个第一线；设置在像素区中的至少一个第二线，第一线和第二线限定第一存储电容器并把像素区划分为第一和第二区；设置在像素区中的多个第一电极，基本上与数据线平行并连接到第一线；和设置在像素区中的多个第二电极，基本上与数据线平行并连接到第二线，第一和第二电极具有至少两个重叠区域以限定第二存储电容器。

在另一个方面，一种面内切换模式液晶显示器件包括：由相互交叉的多个选通线和数据线限定的多个像素区；在每个像素区中的驱动器件；和在每个像素区中相互平行布置的多个第一电极和第二电极，以在由交叉的选通线和数据线限定的平面内形成一个电场，至少两个第一电极和至少两个第二电极重叠以限定第一和第二重叠区，第一和第二重叠区相互对称。

应该理解，上述一般性说明和以下的详细说明都是示例性和解释性的，用于提供对本发明权利要求的进一步解释。

附图说明

被包括以进一步理解本发明并引入并构成本说明书一部分的附图示出了本发明的各实施例并和说明书一起介绍本发明的原理。

在附图中：

图1A和1B示出了面内切换模式液晶显示器件的基本概念；

图2A和2B示出了现有技术的面内切换模式液晶显示器件的结构；

图3A和3B示出了根据本发明第一示例实施例的面内切换模式液晶显示器件的结构；

图4示出了根据本发明第二示例实施例的面内切换模式液晶显示器件的结构；

图5示出了根据本发明第三示例实施例的面内切换模式液晶显示器件的结构；

图6示出了根据本发明第四示例实施例的面内切换模式液晶显示器件的结构；

图7示出了根据本发明第五示例实施例的面内切换模式液晶显示器件的结构；

图8示出了根据本发明的面内切换模式液晶显示器件的公共电极或像素电极中发生的未对准；

图9A和9B示出了根据本发明第六示例实施例的面内切换模式液晶显示器件的结构；

图10示出了根据本发明第七示例实施例的面内切换模式液晶显示器件的结构；

图11示出了根据本发明第八示例实施例的面内切换模式液晶显示器件的结构。

具体实施方式

下面参考附图中的例子对本发明的示例实施例进行详细说明。

一般来说，在IPS模式液晶显示器件中，光透射过位于公共电极和像素电极之间的区域。根据公共电极和像素电极的数量，透光区改变，并且透光通常显示为块(block)。例如，在图2A和2B中示出的IPS模式液晶显示器件中，形成三个公共电极和两个像素电极，有四个透光区。这里，描述了具有四个透光区的IPS模式液晶显示器件(4块液晶显示器件)，但是这不是要把本发明限定为特定结构的液晶显示器件，而只是为了方便。根据本发明的IPS模式液晶显示器件不仅可以用于4块或6块或8块IPS模式液晶显示器件，而且可以用于任何其它块液晶显示器件。下文中，为方便起见介绍特定块的IPS模式液晶显示器件，但本发明不限于此。

在本发明中，通过增加透光区和每个块区，可以改善IPS模式液晶显示器件的孔径比。特别是，通过使公共电极与像素电极的一部分重叠，可以改善孔径比。同时，在公共电极与像素电极重叠的区域中形成存储电容器。通常，在现有技术的IPS模式液晶显示器件中，通过使一个像素中的公共线和像素电极线相互重叠，形成存储电容器。因此，为了确保一个设定的存储电容器，公共线和像素电极线的重叠区域要大于某个范围，并且公共线和像素电极线要具有大于某个宽度的宽度。然而，在本发明中，由于通过使公共电极与像素电极重叠形成存储电容器的一部分，可以减小公共线和像素电极线的重叠区域。因此，可以减小公共线和像素电极线的宽度，并且可以进一步改善液晶显示器件的孔径比。

通过使公共电极与像素电极重叠减少了一个块。例如，在现有技术的4块IPS模式液晶显示器件中，由于去除了一个块，它变成3块IPS模式液晶显示器件。在现有技术的6块IPS模式液晶显示器件中，由于去除了一个块，它变成5块IPS模式液晶显示器件。如上所述，不是减少了一个作为透光区的块，而是增加其它块的透光区。这里，由于增加的透光区不仅包括被去除块的透光区，而且也包括公共电极与像素电极的重叠区域，因此液晶显示器件的总的透光区增加。因此改善了孔径比。

下面参考附图介绍根据本发明的IPS模式液晶显示器件的示例实施例。

图3A示出了根据本发明第一示例实施例的IPS模式液晶显示器件的剖面图，图3B示出了沿图3A的线II-II’截取的剖面图。该IPS模式液晶显示器件类似于一个4块液晶显示器件。但是，实际上，如图3A和3B所示，IPS模式液晶显示器件为3块液晶显示器件，但为了说明的目的，和现有技术的液晶显示器件一样，把它称做4块液晶显示器件。在液晶显示器件中，通常布置多个数据线110和选通线120以便具有多个像素，然而在图3A和3B中，为了说明的目的仅示出了一个像素。

如图3A所示，薄膜晶体管形成在数据线110a和选通线120的交叉点。薄膜晶体管111包括：从选通线120延伸的栅电极118；形成在栅电极118上的半导体层116；从数据线110延伸到半导体层116上的源电极112；以及漏电极114。在像素中，有三个平行的公共电极105a～105c和两个像素电极107a，107b。第一～第三公共电极105a～105c接触步骤在像素中的公共线122。第一和第二像素电极107a，107b接触布置在像素中的像素电极线124。

如图3B所示，第一～第三公共电极105a～105c形成在如玻璃的透明材料制成的第一基板130上。第一和第二像素电极107a，107b形成在第一基板130上形成的栅绝缘层132上。此外，在图3B中未示出，薄膜晶体管111的栅电极118形成在第一基板130上，半导体层116形成在栅绝缘层132上，源电极112和漏电极114形成在半导体层134上。如上所述，公共电极105a～105c和栅电极118形成在第一基板130上，通过溅射或蒸发法叠置如Cu、Al、Al合金等的金属，并蚀刻为单层或多层。这里，可以制成不同金属的公共电极105a～105c和栅电极118，然而，可以通过相同的工艺由相同的金属制成。

此外，像素电极107a，107b、源电极112和漏电极114分别形成在半导体层116和栅绝缘层132上。可以通过溅射或蒸发法叠置如Cr、Mo、Cu、Al、Al合金等的金属，并用蚀刻剂蚀刻它们成为蚀刻的单层或多层，以形成像素电极107a，107b、源电极112和漏电极114。虽然它们可以通过相同的工艺由相同的材料制成，它们也可以通过不同的工艺由不同的材料制成。

同时，在与第一基板130相对的第二基板140上，形成用于防止光泄露到像素或薄膜晶体管区之间区域的黑底142和用于实现实际颜色的滤色层144。然后，通过注入液晶在第一和第二基板130，140之间形成液晶层150。一般来说，通过真空注入工艺在相互粘接的第一和第二基板130，140之间注入液晶来形成液晶层150。而且，可以通过将液晶直接分布到第一基板130或第二基板140上然后将两者相互粘接的液晶分布工艺(liquid crystal dispensing process)来形成液晶层150。

在以上介绍的4块IPS模式液晶显示器件中，如图所示，在一个像素中有三个公共电极105a～105c和两个像素电极107a，107b。这里，两个公共电极，即第一和第三公共电极105a，105c被布置为邻接数据线110a，110b，以便使来自数据线110a，110b的电场影响最小。特别是，在根据本发明的IPS模式液晶显示器件中，邻接数据线110b布置的第三公共电极105c与第二像素电极107b的一部分重叠。由于通过使第三公共电极105c与第二像素电极107b重叠把两个块合并成一个块，4块液晶显示器件有效地改变成3块液晶显示器件。因此根据相关的重叠区域，改善了孔径比。

第三公共电极105c与第二像素电极107b的重叠产生了存储电容器。更具体地，存储电容器不仅在公共线122和像素电极线124之间产生，也在重叠的公共电极105c和像素电极107b之间产生。相应地，一个像素需要的存储电容器被设置为特定的值。公共线122和像素电极线124需要产生的存储电容器对应于通过把所设置的特定值减去重叠的公共电极105c和像素电极107b之间产生的存储电容器所计算出的值。因此，可以减少由公共线122和像素电极线124产生的存储电容器，因此，可以减少公共线122和像素电极线124的宽度。在图2A示出的现有技术的IPS模式液晶显示器件中，公共线122的宽度为t1。另一方面，在图3A示出的IPS模式液晶显示器件中，公共线122的宽度为t2，因此，可以得到t1-t2的宽度减小效果。这里，公共线122的宽度也可以减小。一般来说，像素电极线124具有小于或大于公共线122的宽度，当像素电极线124具有与公共线122相同的宽度时，像素电极线124的宽度也减小。通过减小公共线(以及像素电极线)的宽度，可以增加透光区。

如上所述，通过重叠公共电极105c和像素电极107b可以增加透光区，与现有技术的IPS模式液晶显示器件相比，可以改善孔径比。这里，不具体地限定公共电极105c和像素电极107b的重叠范围。一般来说，由于邻接数据线110a，110b布置的第一和第三公共电极105a，105c分别布置在第一和第二像素电极107a，107b和数据线110a，110b之间，以便防止数据线110a，110b影响第一和第二像素电极107a，107b，至少部分第三公共电极105c布置在第二像素电极107b和数据线110b之间。考虑到此，公共电极105c和像素电极107b不相互完全重叠。此外，可以使公共电极的整数比像素电极的数量大1。

在图3A和3B中，第一～第三公共电极105a～105c和公共线122形成在基板130上。第一和第二像素电极107a，107b和像素电极线124形成在栅绝缘层132上。然而，本发明不限于此。图4示出了本发明的第二示例实施例。图4中的IPS模式液晶显示器件具有与图3中所示IPS模式液晶显示器件不同的结构。

如图所示，第一～第三公共电极205a～205c形成在钝化层234上，第一和第二像素电极207a，207b和数据线210形成在栅绝缘层232上。图中未示出，公共线形成在第一基板230或钝化层234上。当公共线形成在第一基板230上时，公共线可以由与薄膜晶体管的栅电极相同的金属制成。当公共线形成在钝化层234上，其可以通过与公共电极205a～205c相同的工艺由相同金属制成。这里，当公共线形成在不同于公共电极205a～205c的层上时，即，第一基板230、公共线和公共电极205a～205c通过形成在栅绝缘层232和钝化层234上的接触孔(未示出)电连接。

在以上介绍的实施例中，由于邻接数据线210b的第三公共电极205c与第二像素电极207b重叠，因此透光区增加，因此可以改善IPS模式液晶显示器件的孔径比。

图5示出了根据本发明第三示例实施例的面内切换模式液晶显示器件的结构。如图5所示，第一～第三公共电极305a～305c形成在栅绝缘层232上，第一和第二像素电极307a，307b形成在第一基板330上。这里，由于第三公共电极305c与部分第二像素电极307重叠，因此可以改善液晶显示器件的孔径比。

在本发明的第一～第三示例实施例中，通过使邻接数据线的公共电极与像素电极重叠增加了透光区，可以改善液晶显示器件的孔径比。这里，如图所示，公共电极和像素电极可以形成在第一基板、栅绝缘层和钝化层的任何位置。在各实施例中，公共电极和像素电极的位置可以体现为几种形式同时不脱离本发明的精神或基本特性，还应理解以上介绍的实施例不限于以上说明中的细节，除非特别指出，否则应在附带权利要求书中限定的精神和范围内广义地解释。

换句话说，在本发明中，公共电极和像素电极可以形成在所有可能的位置(层)上。此外，为了进一步改善孔径比，公共电极和像素电极中的至少一个可以由作为透明金属的ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)制成。

同时，在根据本发明的IPS模式液晶显示器件中，重叠的公共电极和像素电极不限于特定的公共电极和像素电极。更具体地，在一个像素中，任何公共电极和像素电极可以相互重叠，通过重叠的公共电极和像素电极，可以改善IPS模式液晶显示器件的孔径比。此外，在本发明中，可以使不少于两个的公共电极和像素电极相互重叠。在上述液晶显示器件中，仅有一个公共电极和像素电极相互重叠，但也可以使不少于一个公共电极和像素电极相互重叠。

图6和7分别示出了根据本发明第四和第五示例实施例的IPS模式液晶显示器件。图6示出了第二公共电极405b与第一像素电极407a相互重叠的液晶显示器件。图7示出了第一公共电极505a与第一像素电极507a相互重叠的液晶显示器件。如图所示，在根据本发明的IPS模式液晶显示器件中，所有可行的公共电极和像素电极可以相互重叠，因此可以改善液晶显示器件的孔径比。

然而，在根据本发明第一～第五实施例的液晶显示器件中，仅把布置在像素的一侧的公共电极和像素电极相互重叠，因此存在以下问题。

在图3A的IPS模式液晶显示器件中，仅有布置在像素右侧的第三公共电极105c和第二像素电极107b相互重叠。因此，左侧中的像素电极107a和数据线110a之间的间隔与右侧中的像素电极107b和数据线110b之间的间隔不同。即使第一公共电极105a和第三公共电极105c分别布置在数据线110a，110b周围，以便屏蔽由于数据线110a，110b造成的电场效应，实际上不可能完全屏蔽掉电场效应。因此，由数据线110a，110b在像素中形成的水平电场中有微小变化。当第一公共电极105a和数据线110a之间的间隔与第三公共电极105c和数据线110b之间的间隔不同时，像素的右侧和左侧中水平电场之间存在差异。因此在显示屏幕上会发生闪烁现象。

同时，通过光刻法形成液晶显示器件的每个构成部分，例如薄膜晶体管111、选通线120、数据线110、公共电极105以及像素电极107等。在光刻中，叠置例如金属的材料，并通过使用掩模将叠置的材料蚀刻成需要的图形。通过使用掩模的蚀刻工艺，同时形成薄膜晶体管的栅电极118、选通线120和公共电极105a～105c，并同时形成源电极112、漏电极114、数据线110以及像素电极107a，107b。在蚀刻工艺中，通过使用装置(maker)对准掩模来形成每个构成部分。这里，当掩模对准不超过误差限度时，制造的液晶显示器件能满足质量标准。然而，当掩模对准超过误差限度时，制造的液晶显示器件有缺陷。

然而，当掩模的未对准不超过某个范围时，布置在像素中的像素电极107a，107b可以与设置的位置轻微地分离，在此情况下，与图3中的重叠区相比，第三公共电极105c和第二像素电极107b的重叠区减小或增加。图8示出了由掩模的未对准形成的IPS模式液晶显示器件。在图8中的IPS模式液晶显示器件中，通过掩模的未对准减少了第三公共电极105c和第二像素电极107b的重叠区(即，d1＞d1’)，由于重叠区减小，第三公共电极105c和第二像素电极107b产生的存储电容器减小。

同时，像素中的存储电容器被设置为特定值，通过将公共线122和像素电极线124形成的存储电容器与公共电极105a～105c和像素电极107a，107b形成的存储电容器相加来计算该值。因此，如上所述，当由于第三公共电极105c和第二像素电极107b的重叠区减小造成存储电容器减小时，在像素中形成的总的存储电容器小于设置的存储电容器，因此在液晶显示器件中发生缺陷。

图9A和9B示出了根据本发明第六示例实施例的IPS模式液晶显示器件。在该液晶显示器件中，可以解决通过在一侧重叠公共电极和像素电极所发生的问题。

如图9A所示，除了公共电极605a～605c和像素电极607a，607b之外，根据本发明第六实施例的IPS模式液晶显示器件具有与图3A中的IPS模式液晶显示器件相同的结构。因此，精简了其它元件的说明，仅介绍公共电极605a～605c和像素电极607a，607b。此外，在第六示例实施例中，为方便介绍，以公共线622和像素电极线624为中心的上和下区分别称为A区和B区。

如图9A所示，在根据第六示例实施例的IPS模式液晶显示器件中，右A区中的第三公共电极605c和第二像素电极607b重叠，左B区中的第一公共电极615a和第一像素电极617a重叠，形成分别具有d2宽度和d3宽度的第一和第二重叠区。由于第一和第二重叠区实际上具有与图3的IPS模式液晶显示器件中形成的重叠区相同的面积，产生相同的存储电容器。这里，可以反置A和B区中重叠的公共电极和像素电极的左-右位置。例如，在A区的重叠区中，当公共电极布置在左边，像素电极布置在右边时，在B区的重叠区中，公共电极布置在右边，像素电极布置在左边。

如上所述，当公共电极和像素电极的重叠区对称地形成在像素的左边和右边时，由于布置在左边的像素的数据线610a和第一像素电极617a之间的间隔与布置在右边的相邻像素的数据线610b和A区中的第一像素电极607b之间的间隔相同时，数据线610a，610b对像素电极617a，607b的影响相同，可以防止在IPS模式液晶显示器件中发生闪烁现象。

同时，在光刻工艺(像素电极或公共电极工艺)中，当发生掩模的微小未对准时，像素电极或公共电极偏离设置的位置，公共电极和像素电极的重叠区改变。图9B示出了掩模未对准状态中的IPS模式液晶显示器件。在图9B所示的IPS模式液晶显示器件中，由于掩模未对准，像素电极607a，607b，617a，617b偏离设置的位置，像素电极607a，607b，617a，617b向左移动。

如图9B所示，通过移动像素电极607a，607b，617a，617b，A区中的第三公共电极605c和第二像素电极607b形成具有d2’宽度的第一重叠区，第一公共电极615a和第一像素电极617a形成具有d3’宽度的第二重叠区。这里，通过将像素电极607b向左移动，d2’小于图9A中的d2(d2’＜d2)，d3’大于d3(d3’＞d3)。由于在像素中像素电极607a，607b，617a，617b移动了相同的距离，那么在第一重叠区中宽度减少值(d2’-d2)与第二重叠区(d2’-d2＝d3’-d3)的宽度增加值相同。因此，虽然通过掩模未对准细微地移动了像素电极(或公共电极)，但第一重叠区和第二重叠区的总和保持不变(即，d2+d3＝d2’+d3’)，使得由重叠区608，618产生的存储电容器保持不变。

如上所述，在实施例中，通过在像素中的左和右侧中使公共电极和像素电极对称地重叠，数据线和像素电极之间的间隔保持均匀不变。因此，数据线的电场影响可以保持均匀不变，即使由于掩模未对准导致在像素电极或公共电极的位置发生位移。通过形成始终均匀的存储电容器，可以防止IPS模式液晶显示器件的缺陷。

同时，对一个像素中公共电极和像素电极对称重叠的确定没有限制。如果在像素中对称地形成重叠区，那么像素区中布置的任何公共电极和像素电极都可以重叠。

图10示出了根据本发明第七示例实施例的IPS模式液晶显示器件。如图10所示，在以公共线722和像素电极线724为中心划分的A区和B区中，公共电极和像素电极相互重叠。然而，与图9A中画出的IPS模式液晶显示器件不同，在根据第七示例实施例的IPS模式液晶显示器件中，在A区中，第二公共电极705b与第二像素电极707b重叠，并形成第一重叠区。在B区中，第二公共电极705b与第一像素电极707a重叠，并形成第二重叠区。这里，第一和第二重叠区708，718对称地形成在像素中。因此，即使在光刻工艺中掩模未对准，也可以形成均匀不变的存储电容器。因此根据第七示例实施例的IPS模式液晶显示器件可以具有与图9A中画出的IPS模式液晶显示器件相同的效果。

此外，根据本发明的IPS模式液晶显示器件不限于4块(由三个公共电极和两个像素电极形成)液晶显示器件，可以适用于各种块型的液晶显示器件。图11示出了根据本发明第八示例实施例的IPS模式液晶显示器件。它示出了6块(由四个公共电极和三个像素电极形成)液晶显示器件。这里，图11示出了公共电极805a～805d和像素电极807a～807c不对称地重叠的液晶显示器件。然而，本实施例可以应用于公共电极805a～805d和像素电极807a～807c对称地重叠的液晶显示器件。在6块(实际为5块)的IPS模式液晶显示器件中，由于至少一个公共电极805d和像素电极807c可以相互重叠，因此像素中的透光区增加，因此可以改善液晶显示器件的孔径比。

如上所述，在根据本发明的IPS模式液晶显示器件中，通过在一个像素中重叠至少一个公共电极和像素电极，可以增加透光区，因此可以改善液晶显示器件的孔径比。此外，在根据本发明的IPS模式液晶显示器件中，通过在一个像素中对称地形成公共电极和像素电极的重叠区，可以沿整个像素均匀地保持数据线的电场效应。因此可以防止在IPS模式液晶显示器件中发生闪烁。此外，在根据本发明的IPS模式液晶显示器件中，即使形成公共电极和像素电极的位置偏移，通过保持重叠区均匀不变，可以均匀地保持像素的存储电容器。

应该理解对于本领域中的普通技术人员可以对本发明的装置和方法有各种修改或变型同时不脱离本发明的精神或范围。因此，本发明应覆盖由附带的权利要求书及其等效物确定范围内的所有修改和变型。

Claims

1.一种面内切换模式液晶显示器件，包括：基板；

设置在基板上的至少两个选通线；

设置在基板上的至少两个数据线，与选通线交叉以限定像素区；

设置在像素区中的驱动器件；

设置在像素区中的多个第一电极；和

设置在像素区中的与第一电极平行的多个第二电极，至少一个第一电极与至少一个第二电极重叠，每个第一电极和对应的一个第二电极限定一个平行于基板表面方向的电场。

2.根据权利要求1的器件，其中第一电极形成公共电极的至少一部分，第二电极形成像素电极的至少一部分。

3.根据权利要求1的器件，其中至少一个第一电极被设置为基本上与数据线邻接。

4.根据权利要求1的器件，其中像素区包括的第一电极比第二电极多一个。

5.根据权利要求4的器件，其中像素区包括三个第一电极和两个第二电极。

6.根据权利要求4的器件，其中像素区包括四个第一电极和三个第二电极。

7.根据权利要求1的器件，其中由重叠的至少一个第一电极和至少一个第二电极限定的重叠区限定一个存储电容器。

8.根据权利要求1的器件，还包括：

设置在像素区中并与第一电极电连接的第一线；以及

设置在像素区中并与第二电极电连接的第二线。

9.根据权利要求8的器件，其中第一线限定公共电极线，第二线限定像素电极线。

10.根据权利要求8的器件，其中第一线与第二线互相重叠以限定一个存储电容器。

11.根据权利要求1的器件，其中驱动器件包括薄膜晶体管。

12.根据权利要求11的器件，其中薄膜晶体管包括：

设置在基板上的栅电极；

设置在基板上的绝缘层；

设置在绝缘层上的半导体层；

设置在半导体层上并与半导体层电接触的源电极；

设置在半导体层上并与半导体层电接触的漏电极；以及

在具有半导体层、源电极和漏电极的基板上的钝化层。

13.根据权利要求12的器件，其中第一电极之一设置在绝缘层上。

14.根据权利要求12的器件，其中第一电极之一设置在钝化层上。

15.根据权利要求12的器件，其中第二电极之一设置在绝缘层上。

16.根据权利要求12的器件，其中第二电极之一设置在钝化层上。

17.一种面内切换模式液晶显示器件，包括：基板；

设置在基板上的至少两个选通线；

在像素区中限定的驱动器件；

设置在像素区中的至少一个第一线；

设置在像素区中的至少一个第二线，第一线和第二线限定第一存储电容器并把像素区划分为第一和第二区；

设置在像素区中的多个第一电极，基本上与数据线平行并连接到第一线；和

设置在像素区中的多个第二电极，基本上与数据线平行并连接到第二线，第一和第二电极分别具有至少两个重叠区域以限定第二存储电容器。

18.根据权利要求17的器件，其中第一线限定公共电极线，第二线限定像素电极线。

19.根据权利要求17的器件，其中第一电极形成公共电极的至少一部分，第二电极形成像素电极的至少一部分。

20.根据权利要求17的器件，其中两个重叠区互相对称。

21.根据权利要求20的器件，其中对于在形成期间的掩模未对准，第一重叠区和第二重叠区的总和是恒定的。

22.根据权利要求21的器件，其中对于在形成期间的掩模未对准，第二存储电容器的电容是恒定的。

23.根据权利要求17的器件，其中至少一个第一电极被设置为基本上与数据线邻接。

24.根据权利要求17的器件，其中第一电极的数量比第二电极的数量多一。

25.根据权利要求17的器件，其中驱动器件包括薄膜晶体管。

26.根据权利要求25的器件，其中薄膜晶体管包括：

设置在基板上的栅电极；

设置在基板上的绝缘层；

设置在绝缘层上的半导体层；

设置在半导体层上并与半导体层电接触的源电极；

设置在半导体层上并与半导体层电接触的漏电极；以及

在具有半导体层、源电极和漏电极的基板上的钝化层。

27.根据权利要求26的器件，其中第一电极之一被设置在绝缘层或钝化层上。

28.根据权利要求25的器件，其中第二电极之一被设置在绝缘层或钝化层上。

29.根据权利要求17的器件，其中第一电极和第二电极之一的位置在第一区和第二区中交替。

30.一种面内切换模式液晶显示器件，包括：

由相互交叉的多个选通线和数据线限定的多个像素区；

在每个像素区中的驱动器件；和

在每个像素区中相互平行布置的多个第一电极和第二电极，以在由交叉的选通线和数据线限定的平面内形成一个电场，至少两个第一电极和至少两个第二电极重叠以限定第一和第二重叠区，第一和第二重叠区相互对称。

31.根据权利要求30的器件，还包括：

至少部分地设置在像素区中并电连接到至少一个第一电极的第一线；和

至少部分地设置在像素区中并电连接到至少一个第二电极的第二线。